UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTÍN

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

FACULTAD DE INGENIERIA DE PRODUCCION Y SERVICIOS

ASIGNATURA: ELECTRÓNICA ANÁLOGA I

INTEGRANTE
- Calizaya Martínez Marco Antonio CUI:20132290

AREQUIPA – PERÚ
2018
Circuito integrado MOS
Cuyo pilar fundamental es el transistor MOSFET, y profundizaremos en cómo se combinan
dichos transistores para hacer surgir la tecnología C-MOS (complementary MOS), presente
en prácticamente la totalidad de los circuitos integrados actuales

La tecnología CMOS La tecnología CMOS,

(Complementary metal-oxide-semiconductor)
Es una de las familias lógicas empleadas en la fabricación de circuitos integrados. Su
principal característica consiste en la utilización conjunta de transistores de tipo nMOS y
tipo pMOS configurados de tal forma que, en estado de reposo, el consumo de energía es
únicamente el debido a las corrientes parásitas. Dicha tecnología fue desarrollada por
Wanlass y Sah, de Fairchild Semiconductor, a principios de los años 60, pero su
comercialización se debe a RCA, con la familia lógica CD4000. En la actualidad, la
mayoría de los circuitos integrados que se fabrican utilizan la tecnología CMOS. Esto
incluye microprocesadores, memorias, procesadores digitales de señales y muchos otros
tipos de circuitos integrados digitales cuyo consumo es considerablemente bajo.

Parámetros fundamentales de los circuitos MOS

Como la tecnología MOS basa su funcionamiento en el transistor MOSFET, los
parámetros que definen su funcionamiento serán los básicos de dicha tecnología, así será el
único elemento tratado en este apartado. 2.3.1 Parámetros fundamentales del transistor
MOSFET Un transistor MOSFET, se podría modelizar como una fuente de intensidad
controlada por tensión, ahora bien, como hemos indicado en el apartado anterior, los
transistores MOSFET poseen diversas regiones de funcionamiento, en las cuales varía el
comportamiento del dispositivo. En cada región existe una modelización diferente debido al
diferente comportamiento, y adoptan mayor importancia unos parámetros en lugar de otros
que la poseen en otra región, primero haremos un resumen de todos los parámetros que
adquieren importancia en su funcionamiento y acto seguido explicaremos mediante sus
leyes de funcionamiento la importancia que adquieren cada uno. Los parámetros más
importantes que rigen el comportamiento de la intensidad un transistor MOSFET son los
siguientes: VARIABLES –
Vgs y Vds: Vgs es la que se aplica entre la compuerta y el drenador,
Vds es la tensión que se aplica entre el drenador y la fuente, ambas son regulables por el
usuario.
- Ids: Es la variable de salida del sistema. Es la intensidad que circula por el canal, varía su
comportamiento dependiendo de la región de funcionamiento. CONSTANTES –
Vth: Es la tensión de umbral,
Cuando aplicamos una tensión Vgs menor que esta tensión, el transistor permanece
apagado, luego Ids será aproximadamente igual a 0, si Vgs es mayor que Vth el transistor
entrará en alguna de las dos zonas activas (lineal o saturación), en las que Ids es mayor que
0. –
W: Es el ancho de compuerta.
L: Es la longitud del canal
Cox: Es la capacitancia que surge debida a la capa de óxido y el sustrato. Está situada entre
el surtidor y el drenador.
- Co: Es la capacitancia de la región de agotamiento.

- : es la movilidad efectiva de los portadores de carga - Vt = kT/q que es el voltaje

térmico.

Características de los CI MOS 2.4.1 Características

más importantes del MOSFET
Las dimensiones del transistor MOSFET Dos de los parámetros más importantes en un
transistor MOSFET son la longitud del canal (L) y el ancho de la compuerta (W). En el
proceso de fabricación se puede modificar el comportamiento eléctrico del dispositivo
variando cualquiera de estos dos parámetros. Como hemos apreciado en el apartado
anterior, la intensidad de salida del transistor MOSFET depende de dichos parámetros.
Además, la longitud del canal denomina la tecnología con la cual fue fabricado el
componente electrónico. Esto quiere decir que un transistor fabricado con tecnología de
45nm es un transistor cuya longitud de canal es de 45nm. Los MOSFET pequeños son
deseables por varias razones. El motivo principal la reducción del tamaño de los
transistores ya que de esta manera se pueden incluir cada vez más dispositivos en la misma
área de un circuito integrado. Esto da lugar a circuitos con la misma funcionalidad pero en
áreas más pequeñas, o bien circuitos con más funcionalidades en la misma área. Debido a
que los costes de fabricación para una oblea de semiconductor son relativamente estables,
el costo por cada circuito integrado que se produce está relacionado principalmente con el
número de circuitos que se pueden producir por cada oblea. De esta forma, los circuitos
integrados pequeños permiten integrar más circuitos por oblea, reduciendo el precio de
cada circuito. De hecho, a lo largo de las últimas tres décadas el número de transistores por
cada circuito integrado se ha duplicado cada dos o tres años, cada vez que un nuevo nodo
de tecnología es introducido. Esta duplicación de la densidad de integración de transistores
fue observada por Gordon Moore en 1965 y es conocida como la Ley de Moore. Otra
ventaja de la reducción de tamaño es que se al reducir el tamaño se consigue que los
transistores conmuten más rápido. Por ejemplo, si reducimos proporcionalmente la
longitud, el ancho y el espesor de la capa de óxido por un factor de aproximadamente 0.7
por cada nodo, de esta forma, la resistencia del canal del transistor no cambia con la
reducción, mientras que la capacitancia de la compuerta se reduce por un factor de 0.7. De
modo que la constante de tiempo del circuito RC también se reduce por un factor de 0.7 Sin
embargo estas características, que se han ido cumpliendo tradicionalmente en las
tecnologías antiguas, en los transistores de las generaciones recientes, la reducción de las
dimensiones del transistor no implica necesariamente que la velocidad de los circuitos se
incremente, debido a que el retardo inducido por las interconexiones se vuelve cada vez
más importante. 2.4.1.2 Dificultades a la hora de reducir el tamaño del MOSFET
Históricamente, las dificultades de reducir el tamaño del MOSFET se han debido
únicamente al proceso de fabricación de los dispositivos semiconductores, sin embargo, la
necesidad de utilizar tensiones cada vez más bajas, y con menor desempeño eléctrico, han
requerido del rediseño de los circuitos y de la innovación, ya que el comportamiento a
pequeña escala.
Difiere notablemente al de gran escala en los dispositivos. Por ejemplo los MOSFETs
pequeños presentan mayor corriente de fuga así como una impedancia de salida más baja.
Producir MOSFETs con longitudes de canal mucho más pequeñas que un micrómetro es
todo un reto, y las dificultades de la fabricación de semiconductores son siempre un factor
que limita el avance de la tecnología de circuitos integrados. En los años recientes, el
tamaño reducido del MOSFET, más allá de las decenas de nanómetros, ha creado diversos
problemas operacionales. Algunos de los factores que limitan la reducción del tamaño del
MOSFET son las siguientes:
- Aumento de la corriente de subumbral
- Aumento en las fugas compuerta-óxido
- Aumento en las fugas de las uniones surtidor-sustrato y drenador sustrato
- Reducción de la resistencia de salida - Reducción de la transconductancia
- Capacitancia de interconexión
- Producción y disipación de calor
- Variaciones en el proceso de fabricación
- Retos en el modelado matemático

Particularidades de la tecnología C-MOS

Debido a que la función lógica implementada en tecnología C-MOS se constituye de
transistores pMOS y nMOS, poseen las mismas características que los ya descritos en el
transistor MOSFET, sin embargo la tecnología CMOS presenta ventajas e inconvenientes
particularizados. 2.4.2.1 Ventajas e inconvenientes Ventajas La familia lógica tiene una
serie de ventajas que la hacen superior a otras en la fabricación de circuitos integrados
digitales: - El bajo consumo de potencia estática, gracias a la alta impedancia de entrada de
los transistores de tipo MOSFET y a que, en estado de reposo, un circuito CMOS solo
experimentará corrientes parásitas. Esto es debido a que en ninguno de los dos estados
lógicos existe un camino directo entre la fuente de alimentación y el terminal de tierra, o lo
que es lo mismo, uno de los dos transistores que forman el inversor CMOS básico se
encuentra en la región de corte en estado estacionario. - Gracias a su carácter regenerativo,
los circuitos CMOS son robustos frente a ruido o degradación de señal debido a la
impedancia del metal de interconexión. - Los circuitos CMOS son sencillos de diseñar. - La
tecnología de fabricación está muy desarrollada, y es posible conseguir densidades de
integración muy altas a un precio mucho menor que el de otras tecnologías. Inconvenientes
Algunos de los inconvenientes son los siguientes: - Debido al carácter capacitivo de los
transistores MOSFET, y al hecho de que estos son empleados por duplicado en parejas
nMOS-pMOS, la velocidad de los circuitos CMOS es comparativamente menor que la de
otras familias lógicas. - La sensibilidad a las cargas estáticas. Históricamente, este
problema se ha resuelto mediante protecciones en las entradas del circuito. Pueden ser
diodos en inversa conectados a masa y a la alimentación, que, además de proteger el
dispositivo, reducen los transitorios o zener conectados a masa. Este último método permite
quitar la alimentación de un solo dispositivo. - Son vulnerables a latch-up: Consiste en la
existencia de un tiristor parásito en la estructura CMOS que entra en conducción cuando la
salida supera la alimentación. Esto se produce con relativa facilidad debido a la
componente inductiva de la red de alimentación de los circuitos integrados. El latch-up
produce un camino de baja resistencia a la corriente de alimentación que acarrea la
destrucción del dispositivo. Siguiendo las técnicas de diseño adecuadas este riesgo es
prácticamente nulo. Generalmente es suficiente con espaciar contactos de sustrato y pozos
de difusión con suficiente regularidad, para asegurarse de que está sólidamente conectado a
masa o alimentación. - Según se va reduciendo el tamaño de los transistores, las corrientes
parásitas empiezan a ser comparables a las corrientes dinámicas (debidas a la conmutación
de los dispositivos). - El comportamiento de la estructura MOS es sumamente sensible a la
existencia de cargas atrapadas en el óxido. Una partícula alfa o beta que atraviese un chip
CMOS puede dejar cargas a su paso, cambiando la tensión umbral de los transistores y
deteriorando o inutilizando el dispositivo. Por ello existen circuitos "endurecidos"
(Hardened), fabricados habitualmente en silicio sobre aislante (SOI).

Aplicaciones del transistor MOSFET

La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,
consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las aplicaciones
de MOSFET discretos más comunes son: - Resistencia controlada por tensión. - Circuitos
de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc.). - Mezcladores de frecuencia, con
MOSFET de doble puerta. 2.1.3 Aplicaciones de la tecnología CMOS La tecnología CMOS
es de amplísima aplicación en el día de hoy. Es la base principal de la electrónica debido a
la excelente capacidad de Electrónica para Sistemas Industriales (EIS) CIRCUITOS
INTEGRADOS MOS 21 compactación. En electrónica digital la mayor parte de los
circuitos integrados cuentan con esta tecnología, es decir, procesadores, tarjetas gráficas,
memorias, placas base, etc. Además por su reducido consumo, es aplicada para la
elaboración de circuitos integrados de elementos portátiles, que de otra manera por su
elevado consumo no permitiría su uso continuado por mucho tiempo. Además de su
utilización en la electrónica digital, también son utilizados en la elaboración de circuitos
analógicos debido a dos características importantes como son: la alta impedancia de entrada
y la baja resistencia de canal. Como la compuerta de un transistor MOS viene a ser un
pequeño condensador no se necesita una corriente de polarización, así para que un
transistor funcione solamente se necesita una tensión de polarización. Un MOS saturado se
comporta como una resistencia cuyo valor depende de la superficie del transistor. Es decir,
que si se le piden corrientes reducidas, la caída de tensión en el transistor llega a ser muy
reducida. Estas características posibilitan la fabricación de amplificadores operacionales
"Rail-to-Rail", en los que el margen de la tensión de salida abarca desde la alimentación
negativa a la positiva. También es útil en el diseño de reguladores de tensión lineales y
fuentes conmutadas.
3. CONCLUSIONES A través de la realización de este trabajo hemos podido comprender
la importancia de los circuitos integrados MOS, tanto en los sistemas industriales como en
los otros campos económicos y sociales. La tecnología MOS, debido a sus propiedades,
constituye la piedra angular de la microelectrónica actual, y dado que los dispositivos
electrónicos inundan la práctica totalidad de los campos a día de hoy, le confiere un papel
imprescindible. Además de la importancia de los circuitos integrados MOS, hemos
aprendido los principios de funcionamiento de éstos, haciendo especial hincapié en los
principios de funcionamiento del transistor MOSFET, que es el elemento básico de
construcción de todos los circuitos MOS. Así mismo también hemos descubierto como se
implementan los circuitos construidos con la familia lógica CMOS, y como dicho ingenio
ha supuesto un importante avance debido al limitado consumo de los desarrollados con esta
tecnología, mostrándose especialmente útil a la hora de desarrollar dispositivos portátiles.
Por lo tanto la conclusión es que tanto la invención como el desarrollo de la tecnología
MOS aumentando la velocidad de computación, la capacidad de las memorias así como
consiguiendo reducir cada vez más el tamaño de los dispositivos, ha supuesto un gran paso
adelante en el uso y disfrute de los aparatos electrónicos, que como es sabido nos facilitan
enormemente la vida.

BIBLIOGRAFÍA
http://es.wikipedia.org/wiki/Complementary_metal_oxide_semiconductor
https://en.wikipedia.org/wiki/CMOS [4] http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET
http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET [6] http://es.scribd.com/doc/4196334/Familia-Cmos
http://www.youtube.com/watch?v=ju9cS8jU7n8
http://www.youtube.com/watch?v=J8ZPIDNaijs&feature=related