INDICE

1. Componentes de la técnica digital

1.1. componentes semiconductores 1
1.2. Propiedades físicas de los semiconductores 3
1.3. Propiedades de las uniones pn 4
1.4. El transistor bipolar
1.4.1. Mecanismo de control 5
1.4.2. El transistor de aleación 7
1.4.3. El transistor de campo interno o de difusión – aleación (drift-
transistor) 8
1.4.4. Técnica mesa
1.4.5. Técnica planar 9
1.4.6. Expitaxial
1.5. Transistores de efecto de campo 10
1.6. Sistemas de cuatro capas 14
1.7. Fotodiodos, fototransistores 15
1.8. Diodos luminiscentes y elementos fotoeléctricos de
acoplamiento 16
1.9. Diodos Zener 17
1.10. Componentes magnéticos
1.10.1. Núcleos de memoria 18
1.10.2. Núcleos de comunicación 19
1.10.3. Medios de almacenamiento con películas magnéticas
delgadas 20
2. Circuitos de la microelectrónica 21
2.1. Técnicas de películas delgadas
2.1.1. Proceso de fotocorrosión (técnica de películas delgadas) 22
2.1.2. Serigrafía (técnica de películas gruesas) 24
2.2. Técnica monolítica
2.2.1. Fabricación de transistores bipolares, diodos, resistencias y 25
condensadores
2.2.2. Transistores multiemisor
2.2.3. Procesos de aislamiento 26
2.2.4. Circuitos híbridos
2.3. Tecnología de grados de integración elevados 29
2.4. Circuitos integrados con técnica MOS 30
3. El amplificador lineal transistorizado
3.1. Admitancia de los circuitos equivalentes con parámetros y 34
3.2. Circuitos equivalente para transistores bipolares 37
3.3. Circuitos equivalentes para los transistores d efectos de campo 38
3.4. Circuitos básicos para el amplificador transistorizado
3.4.1. Transistores bipolares 39
3.4.2. Transistores de efecto de campo
3.5. a) Circuito de emisor común o de surtidor
b) Circuito de colector común o de drenador 40
3.6. Circuito de base común o de puerta común 43
3.7. Disposiciones de varias etapas 44
3.8. Disposiciones acopladas por emisor o surtidor
3.8.1. Comportamiento ante las señales débiles 47
3.8.2. Calculo del punto de trabajo 49
4. El amplificador con transistor sobreexcitados o en saturación 50
4.1. Carga de base en los transistores bipolares 51
4.2. Comportamiento de los transistores bipolares con sobre excitación en
sentido de conducción 53
4.3. Normalización del nivel 54
4.4. Acoplamiento de transistores bipolares
4.4.1. Acoplamiento directo 55
4.4.2. Acoplamiento por divisor de tensión 56
4.4.3. Interconexión mediante diodos de desacoplo 57
4.5. Tolerancias en el dimensionado de divisor de acoplo
4.5.1. Condiciones para el transistor conductor 58
4.5.2. Condiciones para el transistor bloqueado 60
4.5.3. Diseño optimo del divisor de acoplo 63
4.6. Circuitos sobreexcitados acoplados por emisor
4.6.1. Aplicación 64
4.6.2. Modos de funcionamiento 65
4.7. Seguridad contra perturbaciones en sistemas de circuitos de
conmutación (inmunidad al ruido o margen de ruido) 66
5. Funciones lógicas
5.1. Funciones lógicas fundamentales 70
5.2. Inversión de la señal de salida 73
5.3. Inversión de la señal de entrada 74
5.4. Lógica positiva y negativa
5.5. Inversión de la definición del nivel 77
5.6. Modos de representación en el álgebra de circuitos 78
6. Técnica de conmutación de los elementos lógicos
6.1. Lógica de interruptores 80
6.2. Lógica de transistor 81
6.2.1. Puertas lógicas con transistores bipolares 82
6.2.2. Circuitos lógicos con transistores de efecto de campo 85
6.3. Funciones cableadas 88
6.4. Lógica diodo-transistor
6.4.1. Lógica de diodos pasivos 90
6.4.2. Puertas lógicas activas con diodos y transistores 91
6.4.3. Lógica resistencia-transistor (RTL) 93
6.5. Lógica transistor-transistor (TTL)
6.5.1. Circuitos básicos 94
6.5.2. El problema de las funciones cableadas 97
6.5.3. Circuitos básicos ampliados y espectros tipo 98
6.5.4. Familia de circuitos en la técnica TTL 102
6.6. Lógica de acoplamiento por emisor
6.6.1. Circuitos acoplados por emisor 103
6.6.2. Ampliación para los circuitos lógicos 105
6.6.3. Funciones internas mediante la conexión en paralelo de colectores
o emisores 108
6.6.4. Conexión interna en serie de circuitos acoplados por emisor 109
6.6.5. Combinaciones de conexiones internas en paralelo y en serie
6.6.6. Técnica EECL 110
6.6.7. Técnica ECL con desplazamiento pequeño entre las señales lógicas 111
6.6.8. Espectro de tipos de la técnica ECL 112
6.7. Funciones lógicas con efecto retardador (técnica RCD) 113
7. Multivibradores 117
7.1. Circuitos multivibradores biestables 119
7.1.1. Flip-flops SR (set-reset) utilizando circuitos lógicos 120
7.1.2. Clasificación de los circuitos multivibradores según el modo de
actuación del impulso de reloj o de sincronización 124
7.1.3. Disposiciones de dos pasos 126
7.1.4. Clasificación de los flip-flops según la función lógica 129
7.1.5. Principio Dual-Rank (doble rango) 132
7.1.6. Flip-flop JK controlado por los flancos del impulso de reloj 133
7.1.7. Ejemplo de un flip-flop JK integrado 135
7.1.8. Multivibradores biestables utilizando componentes discretos 137
7.1.9. Almacenamiento de datos en la técnica integrada 144
7.2. Multivibradores monoestables 150
7.3. Circuitos astables
7.3.1. Procesos determinantes del tiempo 157
7.3.2. El problema de la iniciación de las oscilaciones 158
7.3.3. Circuitos acoplados por emisor 159
7.4. Osciladores de bloqueo 160
8. Sistemas de transmisión
8.1. Comportamiento físico de las líneas de enlace 166
8.1.1. Alimentación de corriente con i0 170
8.1.2. Alimentación por tensión con u0 171
8.1.3. Alimentación con la impedancia característica 173
8.1.4. Característica de conexión y desconexión en transistores
sobreexcitados (o en saturación) 175
8.1.5. Sistema de líneas colectivas 177
8.1.6. Influencia del factor de reflexión debido a ls componentes inductivas
y capacitivas 179
8.1.7. Elementos de conexión no lineales 181
8.2. Adaptación de distintos sistemas de circuitos a la impedancia
características de la línea 182
8.3. Acoplamientos perturbadores 184
8.4. Supresión de interferencias en sistemas controlados por impulsos de
sincronización 185
8.5. Punto de unión de cables 187
8.6. Tecnología del cableado 188
9. Calculo de redes de conmutación 191
9.1. Funciones con una variable
9.2. Funciones de dos variables 192
9.2.1. Función o
9.2.2. Función y 194
9.2.3. Función o-exclusiva o antivalencia
9.2.4. Configuraciones simétricas 195
9.2.5. Descomposición de la función o-exclusiva 196
9.2.6. Conversiones entre funciones NO-O, NO-Y, Y y O 197
9.3. Funciones de tres o más variables 198
9.4. Procedimiento simplificado para la formación de ecuaciones
booleanas 203
9.5. Modo de representación mediante diagramas o grafos 206
9.5.1. Descomposición de un diagrama en funciones de dos variables 207
9.5.2. Descomposición general en funciones con n variables 208
9.5.3. Desarrollo o desdoblamiento de diagramas 209
9.5.4. División 211
9.5.5. Secuencia para la anotación de configuraciones binarias 212
9.5.6. Diagramas de órdenes superiores 214
10. Dispositivos sumadores
10.1. Semisumadores 217
10.2. Sumador 219
10.3. Reducción del acarreo 224
10.4. Sumador compuesto de dos semisumadores 228
10.5. Sumador + 1 (de unidad positiva) 230
10.6. Resta 231
10.7. Complejos sumadores integrados 233
11. Registros de desplazamiento 235
11.1. Registros de desplazamiento con memorias intermedia estáticas 237
11.2. Registros de arrastre 239
11.3. Registros de desplazamiento con memorias intermedias dinámicas 242
11.4. Registros de desplazamiento en técnica MOS integrada
11.4.1. Registros de desplazamiento MOS estáticos 245
11.4.2. Registros de desplazamiento MOS dinámicos 246
12. Contadores
12.1. Contadores en anillo 250
12.2. Contadores binarios 251
12.2.1. Impulsos de disparo en serie
12.2.2. Impulsos de disparo en paralelo 252
12.3. Contador con un numero opcional de pasos
12.3.1. Procedimiento con impulsos de disparo en serie (procedimiento de 256
activación borrado)
12.3.2. Procedimiento con impulsos de disparo en paralelo 257
12.4. Código para computo decimal 261
13. Fundamentos de magnetismo
13.1. El flujo magnético 263
13.2. La corriente de magnetización 265
13.3. El solenoide como bipolo eléctrico 266
13.4. El ciclo de histéresis 267
13.5. La energía magnética 269
13.6. Comportamiento térmico de los núcleos magnéticos 270
13.7. Capas delgadas susceptibles de magnetizarse con sentido
preferente 271
14. Memorias de película magnética
14.1. Estructura técnica 274
14.2. Procesos de lectura 275
14.3. Proceso de escritura 276
14.4. Compensación de interferencias 277
15. Memorias de hilo magnético
15.1. Estructura técnica 278
15.2. Proceso de lectura
15.3. Proceso de escritura 279
15.4. Órganos de selección 280
15.5. Compensación de interferencias en el proceso de lectura
15.6. Velocidad de trabajo y capacidad de memoria 281
16. Memorias de núcleo magnético 282
16.1. Proceso de lectura y escritura 283
16.2. Mejora de la relación entre señales efectivas y perturbaciones o
interferencias 286
16.2.1. Conexión desplazada en el tiempo de las corrientes de
coordenadas
16.2.2. Disminución del tiempo de subida de un a señal de coordenada 287
16.2.3. Eliminación de impulsos perturbaciones 288
16.3. Método de inhibición
16.4. Clasificación de las memorias de núcleo magnético según el tipo de 289
selección
16.5. Comportamiento térmico 291
16.6. Órganos de selección de coordenadas de las memorias de
núcleos magnéticos 292
16.6.1. sistema selector de una posición
16.6..2. Sistema de selección de varias posiciones 295
17. Memorias de contenido fijo
17.1. Memorias de valor fijo con divisor de resistencias 297
17.2. Memorias de valor fijo con componentes semiconductores 298
17.3. Memorias de valor fijo con componentes magnéticos 301
17.3.1. Memorias de valor fijo con circuito magnético cerrado 302
17.3.2. Memorias de valor fijo con circuitos magnéticos abiertos 304
17.4. Otros principios de almacenamiento para memorias de valor fijos 306
17.4.1. Memorias capacitivas de valor fijo
17.4.2. Memorias de valor fijo con medios de almacenamiento mecánicos 307
17.5. Utilización de las memorias de valor fijo
17.5.1. Almacenamiento de datos de uso frecuente
17.5.2. Tablas de funciones de cálculo (Red de sumadores y
multiplicadores) 308
17.5.3. Aplicaciones de organización, microprogramas