ELECTRÓNICA I

Respuesta en frecuencia
• La IEEE define la RF de sistemas lineales y estables
como:
– “the frequency-dependent relation in both gain and phase
difference between steady-state sinusoidal inputs and the resultant
steady-state sinusoidal outputs” [IEEE, 1988]
 Respuesta en frecuencia
• Diagramas de Bode
– Diagrama de amplitud y fase en
escala logarítmica
– Motivación
• Señales de audio (20 Hz - 20 KHz)
• Electrocardiogramas 0.05 - 100 Hz
• Vídeo 0 - 4.5 MHz

 El decibelio (dB)
GdB  10 log G

G  G1G2

GdB  10 log G  10 logG1G2   10 logG1   10 logG2   G1dB  G2 dB

 Redes RC
1
Av s   s   sC
Vo 1

Vin R 1 RCs  1
sC

Av  f   f 
Vo 1 1

Vin 1  j 2RC 1  j f
fb

 
2
  f 2 
Av  f  dB  20 log 1   f
  10 log 1   f  
 bf
  b 
Diagramas de fase
Av  f  
1
1 j f
fb

  f    arctan
f
fb

Curva de fase
real

Aproximación
Circuito RC con un polo y un cero
R2  1 sR2C  1
Av s   s  
V0 sC 
Vin R1  R2  1 sR1  R2 C  1
sC

1 1
fz  fP 
2R2C 2 R1  R2 C

1  j  f  1   f 
 fz   fz 
Av  f   Av  f  
1  j  f 
2
1   f 
 fP   fP 

2 2
Av  f  dB  20 log 1   f   20 log 1   f 
 fz   fP 
 Asíntotas
Ganancia

Asíntota para 20 log

Pendiente = +20 dB/década

Curva real

Pendiente = -20 dB/década

Curva real

Asíntota de -20 log

Diagrama de Bode de la magnitud

Suma de
asíntotas

Magnitud de
la ganancia
real
Diagramas de fase
  f   arctan
f f
 arctan
fZ fP
Respuesta en frecuencia de amplificadores
a TRs
 El punto Q de operación de un TR es establecido por un voltaje DC
 Los amplificadores de pequeña señal son diseñados para manejar
pequeñas señales AC que causan poca variación en torno al punto de
polarización
 Convenciones utilizadas para los valores DC y AC son:
 Valores DC, e.g. IE , RE
 Valores AC, e.g. Ie (se asumen valores RMS a no ser que se diga lo
contrario), Re , r’e (resistencias internas del TR)
 Valores instantáneos, e.g. ie
 Amplificador básico de pequeña señal a TR
+VCC
Ic
Vb ICQ
VBQ R1 RC

Ib Cc
Rs Cb IBQ VCEQ
Vs RE Vce RL
R2

 Cb and Cc bloquean el voltaje DC pero dejan pasar la señal AC

 Evitan que Rs y RL modifiquen el voltaje de polarización
 Vs causa que Vb e Ib varíen ligeramente lo que ocasiona grandes
variaciones en Ic
 Cuando Ic aumenta, Vce disminuye y viceversa
 Por lo tanto, Vc está 180o desfasado respecto a Vb
 Efecto de los condensadores en la respuesta en
frecuencia

 Condensador de acoplo de entrada

 Condensador de acoplo de colector
 Condensador de desacoplo de emisor
Modelo más exacto del transistor bipolar
hie
+ +

Vb hre Vc hf e Ib hoe Vc

-
– El término hre, se introduce debido a la realimentación- interna entre la
entrada y la salida (Efecto Early de modulación de base)
– La polaridad de esta tensión de realimentación es tal que se opone a la
señal aplicada
• Definición de los parámetros H
Vb  Vb 
hie   hre  
ib Vc 0 Vc  i
b 0

ic  ic 
h fe   hoe  
ib Vc 0 Vc  i
b 0
 Modelo hibrido 
rbb' B' rb'c
B C

Ib Ic
rb'e gm Vb'e rce

E E

• Obtención de los parámetros del modelo  a partir de los

parámetros H en la configuración EC
– A partir de valores típicos [rbb’ = 100 ohm, rb’c = 20Meg, rce = 200k],
rb’c >> rb’e; Vb’e  Ib rb’e
– La corriente de colector en cortocircuito viene dada por:
hfe hfeVT
I c  g mVb'e  g m I b rb'e  hfeI b rb 'e  
gm Ic
 Conductancia de realimentación gb’c
 Con la entrada en circuito abierto, hre se define como la ganancia de
tensión inversa
Obtención de los parámetros del modelo 
Vb 'e rb' e
hre   rb'e 1  hre   hrerb' c
Vce rb' e  rb' c
Como hre<< 1 rb'e  hrerb' c ó gb´c  hre gb' e

• Resistencia de entrada de dispersión de base rb’b

– La resistencia de entrada con la salida en corto es hie. Para esta condición
rb’e está en paralelo con rb’c, rb’e // rb’c rb’e
– hie = rbb’ + rb’e; rbb’ = hie - rb’e
• Conductancia de salida
– Con la entrada en circuito abierto, se define esta conductancia como hoe

Vce Vce
ic    g mVb 'e  Si ib  0 ; Vb 'e  hreVce
rce rb 'c  rb 'e
ic 1 1 1 1
hoe     g m hre    g m hre
Vce rce rb 'c  rb 'e rce rb 'c
Obtención de los parámetros del modelo 
 g b 'c 
hoe  g ce  g b 'c  g b 'e h fe  
 g b 'e 
g ce  hoe  1 h fe g b 'c
 Resumiendo:
ic
gm 
VT
h fe h feVT
rb 'e  
gm ic
rbb'  hie  rb 'e
rb 'e
rb 'c 
hre
g ce  hoe  h fe  1g b 'c
El transistor a altas frecuencias
 Modelo real muy complejo
 Aproximaciones: Circuito + simplificado
 Modelo hibrido  en EC rb'c

rbb' B'
B C
Cc

rb'e = 1/gb'e rce = 1/gce gm Vb'e

Ce

E E
 Modelo con una aproximación razonable, para las frecuencias de trabajo
 Los componentes resistivos pueden obtenerse a partir de los parámetros
H a baja frecuencia
 Los parámetros se suponen independientes de la frecuencia de trabajo
 Descripción de los componentes
 rbb’ = resistencia ohmica de dispersión de base
 rb’e = 1/gb’e = representa el aumento de recombinación de la base, debido
al incremento de portadores minoritarios
Descripción de los componentes
– Ce = Capacidad de difusión , debido al almacenamiento de portadores
minoritarios
– rb’c = 1/gb’c = Efecto de realimentación entre salida y entrada
– rce = 1/gce = Resistencia entre emisor - colector
– Cc = Capacidad de la barrera del colector

 Valores típicos de los parámetros híbridos a temperatura

ambiente (Ic = 1.3 mA)
 gm = 50 mA/V
 rbb’ = 50 ohm
 rb’e = 1Kohm
 rce = 80 Kohm
 Cc = 2pF
 Ce = 100pF
 rb’c = 4 Mohm
Ganancia de corriente de cortocircuito en EC
B'
B C

Ii gm Vb'e
gb'e = gm/hf e IL
Ce Cc

E E
– La corriente de carga es: I L   g mVb 'e
Ii gm
V b 'e  ; h fe 
g b 'e  j Ce  Cc  g b 'e
IL gm h fe
Ai   
Ii g b 'e  j Ce  Cc  1 j f
 Donde:
f
g b 'e 1 gm h fe
f   ; Ai 
2 Ce  Cc  h fe 2 Ce  Cc   
2

1  f 
 f 
Ganancia de corriente de cortocircuito en EC
• Para f = f; |Ai| = 1/2 de su valor hfe a bajas frecuencias
– La zona de frecuencias hasta f constituye el ancho de banda del
circuito
– La frecuencia límite de un transistor es definida algunas veces en
términos de fT; frecuencia a la cual, la ganancia de corriente en EC se
hace igual a la unidad
ic h fe

ii 1 j f
f
f  fT  f  h fe  1  f  h fe
2
 La ganancia se hace unitaria para:
 La frecuencia fT se denomina
como producto de ancho de
banda por ganancia del
amplificador
 Teorema de Miller
 Circuito con N nodos distintos
(1, 2, ... N)
 V1, V2, ..., Vn son las
tensiones en dichos nodos

V f  Vi  V0 V0  AvVi

V f  Vi 1  Av 

Vf Vi 1  Av 
If  
Zf Zf
 Ganancia de corriente con carga
resistiva
B'
B C
gm Vb'e
gb'e = gm/hf e Rc
Ce Cc(1- k)
Cc (k-1)/k

E E

– El circuito posee dos constantes de tiempo independientes, una asociada al

circuito de entrada y otra con el de salida
– La constante de tiempo del circuito de salida es despreciable en comparación
con el de entrada
– K = Vce / Vb’e ( la ganancia de tensión , |K| >> 1 ); K = - gmRc. La ganancia de
corriente del circuito sería:

iL i V gm g m rb 'e
Ai   L b 'e   
ii Vb 'e ii gb 'e  j Ce  CM  1  j 2frb 'e Ce  CM 
 Transistor a altas frecuencias
V CC

R1 Rc

C2
Q1
C1

Q2N222 2

RL
Ii
ri R2 Re C3

Modelo en AC rbb' B' Cc

ri Rb rb'e Ce gm Vb'e Rc RL
Ii

Suponiendo:
Rb << ri  Rb // ri  Rb
RL << Rc  RL // Rc  RL
 Transistor a altas frecuencias
rbb' B' Cc

Rb rb'e Ce gm V b'e RL
Ii

Suponiendo Rb >> rbb’ y aplicando el teorema de Miller

B'

rb'e gm V b'e RL
K = Vce / Vb’e
Ii Rb + rb b' Ce Cc(1 - K ) Cc(K - 1 ) / K K >> 1

Con K >> 1 y manteniendo RL en valores pequeños (RL  2 K ), la constante de tiempo

de salida puede despreciarse respecto a la de entrada
B'
iL i V
Ai   L b 'e   g m Z in
ii Vb 'e ii
1
Z in  Rb 'e // X c ; Xc 
rb'e gm V b'e RL

j Ce  CM 
Ii Rb + rb b' Ce CM

CM  Cc 1  g m RL 
 Transistor a altas frecuencias
B'

rb'e gm V b'e RL
Ii Rb + rb b' Ce CM

1
Rb 'e
j Ce  CM  Rb 'e
Z in  
Rb 'e 
1 1  jRb 'e Ce  CM 
j Ce  CM 

Rb 'e  g m Rb 'e
Ai   g m 
1  jRb 'e Ce  CM  1  jRb 'e Ce  CM 
1
fH 
2Rb 'e Ce  CM 

Siendo el ancho de banda del amplificador,  = fH - f L  fH

Ejemplo
 Seguidor de emisor a altas frecuencias
V CC A Cc

ri Q1 Ri I1
C1 - > oo ri//RB rbb' Ib

RB Ie
Ice
Vi Vi ' A' Vo = Ve
Vi ' V o = Ve
V o = Ve Cc Ce
Ce
Re Re
Re
V BB

A bajas frecuencias la impedancia de Ce >> rb’e, con lo cual la corriente en Re

es debida principalmente a Ie. La ganancia de tensión es igual a:
Ve Re hfe  1
Avm  
Vi Re hfe  1  rb' e  Ri

A muy altas frecuencias la impedancia de Ce << rb’e y la corriente en Re es

debida a Ice. La ganancia de tensión queda reducida a:
Re
Avm 
Re  Ri
 Seguidor de emisor a altas frecuencias
A A una frecuencia arbitraria (), la
Ri I1
corriente por Re es igual a:
Ib
iRe  ie  ice
Ie

Vi ' A'
Ice
V o = Ve La corriente entrando en AA’ es:
1
Cc Ce
Re
i1  ib  ice
Siendo :

ice  ice  j  rb' eCeib 2

1
rb' e  ib 
Sustituyendo (2) en (1): jCe
i1  ib  jCe rb'eib  1  jCe rb'e ib i1 
1  jCe rb 'e iRe
iRe  hfe  1  jrb'eCe ib hfe  1  jCe rb'e 
i1 
1  jCe rb'e  iRe
 jCe rb 'e  hfe  1
1  hfe  1 
 
 Seguidor de emisor a altas frecuencias
   Ve Ve iRe
1  j   
1 Ze  
   
i1  
iRe rb 'eCe i1 iRe i1
   hfe  1 T    hfe
1  1  j 
T 
j
 T 
Z e  Re h fe  1 

 
j 
rb'e

Ri 1   

V'i
Cc
Ce
ze
1  j  
 T 
hfe  1Re 
 
1  j   
La ganancia de tensión para todo
Av   
Ve
   

: (Cc  0) es igual a: Vi ' 1  j  

 T 
hfe  1Re  
rb' e

 Ri
 
1  j    1  j  
  
 Seguidor de emisor a altas frecuencias
Asumiendo (hfe +1)Re >> (rb’e + Ri)
1  j  
 T  fT
Av     fH 
1  j  1  Ri  Ri
 T  Re 
1
 Re
Sin embargo, si Cc es lo suficientemente grande para que su impedancia se haga
igual a Ri, a una frecuencia fH2 << fH1; entonces la impedancia vista desde AA’
sería rb’e + (hfe + 1)Re >> Ri. Para este caso la ganancia de tensión es:

Av   
h  1Re 1 1
fe
fH 2   f
rb' e  h fe 
 1Re 1  jRi Cc  2Ri Cc
1
fT 
2 Ri // Re Cc
La relación fH2 < fH1 se cumple si:

Si fH2 y fH1 son comparables en magnitud, entonces el circuito debe ser analizado sin
aproximación para determinar fH. Asumiendo que (hfe + 1)Re >> Ri + Re, puede
demostrarse que:
 1  j  
 T 
Av  
 1  Ri  
 1  Re  
1  j     j  j 
 H 2 T  T  H 2
 
 