TRANSISTOR BIPOLAR BJT ha de cumplir que el dopaje de las regiones
sea alterno, es decir, si el emisor es tipo P,
El transistor bipolar es un dispositivo de tres
terminales -emisor, colector y base-, que,
atendiendo a su fabricación, puede ser de
dos tipos: NPN y PNP.
En la figura se encuentran los símbolos de
circuito y nomenclatura de sus terminales. La
forma de distinguir un transistor de tipo NPN
de un PNP es observando la flecha del
terminal de emisor. En un NPN esta flecha
apunta hacia fuera del transistor; en un NPN
la flecha apunta hacia dentro. Además, en
funcionamiento normal, dicha flecha indica el
sentido de la corriente que circula por el
emisor del transistor.
ESTRUCTURA FÍSICA
El transistor bipolar es un dispositivo formado
por tres regiones semiconductoras, entre las
cuales se forman unas uniones (uniones
PN).
En la figura observamos el aspecto útil para
análisis de un transistor bipolar. Siempre se
entonces la base será tipo N y el colector tipo
P. Esta estructura da lugar a un transistor
bipolar tipo PNP. Si el emisor es tipo N,
entonces la base será P y el colector N,
dando lugar a un transistor bipolar tipo NPN.
El transistor se fabrica sobre un substrato de
silicio, en el cual se difunden impurezas, de
forma que se obtengan las tres regiones
antes mencionadas.
En la figura vemos el aspecto típico de un
transistor bipolar real, de los que se
encuentran en cualquier circuito integrado.
Sobre una base n (substrato que actúa como
colector), se difunden regiones p y n+, en las
que se ponen los contactos de emisor y
base.
FUNCIONAMIENTO DEL
TRANSISTOR
El transistor bipolar es un dispositivo de tres
terminales gracias al cual es posible
controlar un gran potencia a partir de una
pequeña.
En la figura se puede ver un ejemplo
cualitativo del funcionamiento del mismo.
Entre los terminales de colector (C) y emisor
(E) se aplica la potencia a regular, y en el
terminal de base (B) se aplica la señal de
control gracias a la que controlamos la
potencia. Con pequeñas variaciones de
corriente a través del terminal de base, se
consiguen grandes variaciones a través de
los terminales de colector y emisor. Si se
coloca una resistencia se puede convertir
esta variación de corriente en variaciones de
tensión según sea necesario.
FUNCIONAMIENTO FÍSICO DEL
TRANSISTOR BJT
El transistor bipolar basa su funcionamiento
en el control de la corriente que circula entre
el emisor y el colector del mismo, mediante
la corriente de base. En esencia un transistor
se puede considerar como un diodo en
directa (unión emisor-base) por el que circula
una corriente elevada, y un diodo en inversa
(unión base-colector), por el que, en
principio, no debería circular corriente, pero
que actúa como una estructura que recoge
gran parte de la corriente que circula por
emisor-base.
En la figura 9 se puede ver lo que sucede.
Se dispone de dos diodos, uno polarizado en
directa (diodo A) y otro en inversa (diodo B).
Mientras que la corriente por A es elevada
(IA), la corriente por B es muy pequeña (IB).
Si se unen ambos diodos, y se consigue que
la zona de unión (lo que llamaremos base del
transistor) sea muy estrecha, entonces toda
esa corriente que circulaba por A (IA), va a
quedar absorbida por el campo existente en
el diodo B. De esta forma entre el emisor y el
colector circula una gran corriente, mientras
que por la base una corriente muy pequeña.
El control se produce mediante este terminal
de base porque, si se corta la corriente por la
base ya no existe polarización de un diodo
en inversa y otro en directa, y por tanto no
circula corriente.
APLICACIONES DEL TRANSISTOR
BJT
Un transistor BJT , puede ser usado para dos
cosas. El transistor puede funcionar como un
interruptor controlado electrónicamente o
como un amplificador con ganancia variable.
El transistor es también la base para el
desarrollo de sistemas digitales como
compuertas lógicas. Las compuertas lógicas
son la base de los sistemas embebidos.
Entonces podemos plantear que el transistor
es la base de la tecnología digital actual.
Regresando a las aplicaciones comunes, la
más usada es el uso del transistor NPN
como interruptor electrónico, para este
funcionamiento, el transistor debe de operar
en las zonas llamadas corte y saturación.
TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO
FET
Los transistores más conocidos son los
llamados bipolares (NPN y PNP), llamados
así porque la conducción tiene lugar gracias
al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones pero tienen ciertos
inconvenientes, entre los que se encuentra
su impedancia de entrada bastante baja.
Existen unos dispositivos que eliminan este
inconveniente en particular y que pertenece
a la familia de dispositivos en los que existe
un solo tipo de portador de cargas, y por
tanto, son unipolares. Se llama transistor de
efecto campo.
Un transistor de efecto campo (FET) típico
está formado por una barrita de material p ó
n, llamada canal, rodeada en parte de su
longitud por un collar del otro tipo de material
que forma con el canal una unión p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas
conexiones óhmicas llamadas
respectivamente sumidero (d-drain) y fuente
(s-source), más una conexión llamada puerta
(g-gate) en el collar.
FET CON CANAL N
SÍMBOLOS DE UN FET CON CANAL N
TRANSISTOR MOSFER
Un MOSFET es un dispositivo semiconductor
utilizado para la conmutación y amplificación
de señales. El nombre completo, Transistor
de Efecto de Campo de Metal-Óxido-
Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor
Field Effect Transistor, MOSFET) se debe a
la constitución del propio transistor.
Los MOSFET poseen también 3 terminales:
Gate, Drain y Source (compuerta, drenaje y
fuente). A su vez, se subdividen en 2 tipos,
los MOSFET canal N y los canal P.
VENTAJAS DEL TRANSISTOR
MOSFET
La principal ventaja del transistor MOSFET
es que utiliza baja potencia para llevar a
cabo su propósito y la disipación de la
energía en términos de pérdida es muy
pequeña, lo que hace que sea un
componente importante en los modernos
ordenadores y dispositivos electrónicos como
los teléfonos celulares, relojes digitales,
pequeños juguetes de robot y calculadoras.
ESTRUCTURA DEL MOSFET TIPO
ENRIQUECIMIENTO CANAL N
Se fabrica sobre un sustrato tipo p (Body, B).
Se difunden dos regiones n+, altamente
dopadas: Source y Drain.
Se "hace crecer" una capa fina (entre 2nm y
50nm) de dióxido de Silicio (SIO2), que es un
aislante, cubriendo el área entre Source y
Drain, la cual, al depositarse metal sobre
ella, define el terminal Gate (G).
Se deposita metal para crear los otros tres
terminales (S), (D) y (B).
FUNCIONAMIENTO
Existen dos tipos de transistores MOSFET,
ambos basados en la estructura de MOS.
Los primeros son los MOSFET de
enriquecimiento los cuales se basan en la
creación de un canal entre el drenador y la
fuente, al aplicar una tensión en la puerta. La
tensión de la puerta atrae portadores
minoritarios hacia el canal, de manera que se
forma una región de inversión, es decir, una
región con dopado opuesto al que tenía el
sustrato originalmente. El término
enriquecimiento hace referencia al
incremento de la conductividad eléctrica
debido a un aumento de la cantidad de
portadores de carga en la región
correspondiente al canal. El canal puede
formarse con un incremento en la
concentración de electrones (en un
nMOSFET o NMOS), o huecos (en un
pMOSFET o PMOS). De este modo un
transistor NMOS se construye con un
sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n,
mientras que un transistor PMOS se
construye con un sustrato tipo n y tiene un
canal de tipo p.
Los MOSFET de empobrecimiento o
deplexión tienen un canal conductor en su
estado de reposo, que se debe hacer
desaparecer mediante la aplicación de la
tensión eléctrica en la puerta, lo cual
ocasiona una disminución de la cantidad de
portadores de carga y una disminución
respectiva de la conductividad
APLICACIONES
La forma mas habitual de emplear
transistores MOSFET es en circuitos de tipo
CMOS, consistentes en el uso de
transistores PMOS y NMOS
complementarios. Las aplicaciones de
MOSFET discretas mas comunes son:
• Resistencia controlada por presión.
• Circuitos de conmutación de
potencias.
• Mezcladores de frecuencia, con
MOSFET de doble puerta.
TRANSISTOR 2N3906
El 2N3906 es un uso común PNP transistor
de unión bipolar destinados a uso general de
baja potencia de amplificación o aplicaciones
de conmutación. Está diseñado para baja
corriente eléctrica y la energía y el medio de
tensión, y puede operar a moderadamente
altas velocidades.
Amplificador de propósito general y
aplicaciones de conmutación en las
corrientes de colector de 10 mA a 100 MA.

TRANSISTOR 2N3904
Transistor 2N3904 de pequeña señal. El
2N3904 es un transistor de conmutación
rápida, corta apague y baja tensión de
saturación, adecuado para la conmutación y
amplificación.
El transistor es un dispositivo eléctrico
semiconductor utilizado para entregar una
señal de salida en respuesta a una señal de
entrada. Actualmente se encuentra
prácticamente en todos los aparatos
eléctricos de uso diario tales como radios,
televisores, reproductores de audio y videos,
relojes de cuarzo,
computadoras,lamparas,fluorescentes,tomo-
grafos, teléfonos, celulares aunque casi
siempre dentro de los llamados circuitos
integrados.
TRANSISTOR COMO UN
AMPLIFICADOR
La función amplificadora consiste en elevar
el nivel de una señal eléctrica que contiene
una determinada formación.
Esta señal en forma de tuna tensión y una
corriente es aplicada a la entrada del
elemento amplificador, originándose una
señal de salida conteniendo la misma
información, pero con un nivel de tensión y
corriente mas elevado.
El transistor sea PNP o NPN Es capaz de
amplificar corriente es decir, que a una
determinada intensidad aplicada en uno de
sus terminales de entrada ( emisor o base
generalmente) corresponde a una corriente
mayor de salida en el (colector).
A través de esta forma de trabajo se puede
obtener otras amplificaciones como son la de
tensión y la de potencia.
En un sistema mas elemental de alimentar a
un transistor para obtener la función
amplificadora
Depende de la polarización con elemento
resistivos en sus tres terminales Emisor-
Base-Colector para obtener diferentes
valores a la salida, produciéndose por lo
tanto una amplificación en corriente y y
tensión.

BIBLIOGRAFÍAS
• http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Gu
ias/tema5.pdf
• https://es.slideshare.net/supererozzz/
mosfet-uso-aplicaciones-definicion
• http://www.labc.usb.ve/paginas/mgime
nez/EC1113/Contenido/clase17.pdf
• https://www.ecured.cu/Transistor_de_
efecto_campo