CAPÍTULO 4

TRANSISTORES DE EFEITO DE
CAMPO MOS (MOSFETs)

1
 INTRODUÇÃO

Existem dois tipos principais de dispositivos de três terminais:

• Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido Semicondutor (MOSFET) e
• Transistor Bipolar de Junção (TBJ).
O MOSFET está se tornando o dispositivo mais amplamente empregado,
especialmente no projeto de circuitos integrados (CIs), que são circuitos
fabricados sobre uma pastilha (chip) simples de silício.
Vantagens do MOSFET :
• fabricados em dimensão muito pequena (necessitam de uma pequena
área na pastilha de silício do CI)
• processo de fabricação simples
• necessita de pouca potência para operar
• CIs MOS geralmente não usam resistores

2
 4.1- ESTRUTURA E OPERAÇÃO FÍSICA DO DISPOSITIVO
O MOSFET tipo enriquecimento é o tipo de transistor de efeito de campo mais
usado.
4.1.1- A estrutura do dispositivo
Estrutura física do MOSFET tipo enriquecimento canal n ou NMOS.
Largura Metal SiO2(espessura tox ) é um excelente isolante
↘ ↓
Região da fonte W Dióxido de silício (SiO2)
↓ isolante
(S) → dopada ↘
tipo n n+
canal
Substrato (corpo - L n+ ↖Região do dreno (D) p corpo
B) tipo p (lâmina p dopada tipo n
de silício)
Metal
L → comprimento do canal
W → largura do canal (b)
(a)
Figura 4.1- Estrutura física do NMOS tipo enriquecimento: (a) Vista em perspectiva ;
(b) secção transversal. Tipicamente (em 2003) L = 0.1 a 3 µm, W = 0.2 a 100 µm, e a espessura da
camada de óxido (tox) da ordem de 2 a 50 nm.
o
1 nanômetro (nm) = 10-9 m ou 0,001 µm e 1 angstrom ( A ) = 10-1 nm = 10-10 m
3
 MOSFET tipo enriquecimento canal n ou NMOS.

O transistor é fabricado sobre um substrato do tipo p, que é uma lâmina de silício

cristalino que serve de suporte físico para o dispositivo. Duas regiões fortemente
dopadas do tipo n, indicadas na figura como regiões n+ para o dreno e a fonte, são
espalhadas no substrato. Uma camada de dióxido de silício (SiO2) de espessura tox
(tipicamente 2 – 50 nm), que é excelente isolante, é colocado sobre a superfície do
substrato, cobrindo a área entre as regiões da fonte e do dreno. Um metal é
depositado por cima da camada de óxido para formar o eletrodo de porta do
dispositivo. São feitos contatos de metal para as regiões da fonte , do dreno e do
substrato ou corpo. Portanto, saem quatro terminais : o terminal da porta (gate –
G), o terminal da fonte (source – S), o terminal do dreno ( drain – D) e o terminal do
substrato ou corpo (body – B).
Outro nome para o MOSFET é FET de porta isolada ou IGFET. Esse nome enfatiza o
fato de que o eletrodo de porta está eletricamente isolado do corpo do dispositivo
(pela camada de óxido). É esse isolamento que faz a corrente no terminal da porta
seja extremamente pequena (da ordem de 10-15 A).

4
O substrato forma uma junção pn com as regiões de fonte e dreno. Na operação
normal, essas junções são mantidas reversamente polarizadas o tempo todo. Como o
dreno terá uma tensão positiva em relação à fonte (S), as duas junções pn podem
estar em corte simplesmente conectando-se o terminal do substrato (B) ao terminal
da fonte (S).
Vamos considerar ser esse o caso na descrição da operação do MOSFET. Portanto, aqui,
o corpo será considerado como não tendo efeito sobre a operação do dispositivo e o
MOSFET será tratado como um dispositivo de três terminais: porta (G) , fonte (S) e
dreno (D). Será mostrado que uma tensão aplicada na porta controla o fluxo de
corrente entre a fonte e o dreno. Essa corrente circulará no sentido do dreno para a
fonte na região denominada região do canal . Essa região tem um comprimento L e
uma largura W, dois parâmetros importantes do MOSFET.
Tipicamente, L encontra-se em uma faixa de 0,1 a 3 m e W está na faixa de 0,2 a
100 m (em 2003) . Observe que o MOSFET é um dispositivo simétrico; portanto, sua
fonte e seu dreno podem ser trocados sem alterações nas características do dispositivo.
2003 → Lmin = 0,13 m e Wmin = 0,16 m
2006 → Lmin = 0,065 m ou 65 nm
2014 → Lmin = 25 nm
1 nanômetro (nm) = 10-9 m ou 0,001 µm e 1 angstrom ( o ) = 10-1nm = 10-10m
A
** polarização direta → material tipo p com potencial mais alto que o tipo n
5
 Estrutura física do MOSFET tipo enriquecimento canal n ou NMOS.

fonte (S) porta (G) dreno (D)

W

n+
L
n+
tipo p
Região do
canal

Dois parâmetros importantes do MOSFET:

L → Comprimento do canal
W → largura do canal

** polarização direta → material tipo p com potencial mais alto que o tipo n
6
 4.1.2- Operação sem tensão de porta

Sem a tensão de polarização aplicada à porta, vGS , o dispositivo não trabalha, porque
não existe um caminho entre dreno e a fonte para a circulação da corrente quando for
aplicada uma tensão vDS.

vGS = 0 vDS ≠ 0

vGS = 0

7
 4.1.3- Criando um canal para a circulação da corrente

Quando uma tensão vGS for aplicada será induzido um canal n. O valor de vGS
mínimo para formar um canal é chamado de tensão de limiar (Vt ). Uma
corrente circulará pelo canal quando uma tensão vDS for aplicada.

Vt → tensão de limiar vGS ≥ Vt para formar um canal

vDS = 0

região n induzida
rica em elétrons
região de depleção -
repleta de cargas negativas

Figura 4.2 – O transistor NMOS tipo enriquecimento com uma tensão positiva
aplicada à porta (vGS ). Um canal n é induzido na superfície do substrato, embaixo da
8
porta.
 4.1.4- Aplicando um pequeno valor de vDS
vGS ≥ Vt vDS pequeno
↓iG = 0 D
S
↑iS = iD
↓iD Quando vGS excede Vt , mais
elétrons são atraídos para o
canal. O resultado é um canal de
maior condutância ou,
iD  0 equivalentemente, de resistência
reduzida.

Vt → tensão de limiar

Onde vOV = vGS – Vt é o excesso de tensão que

Aumentando vGS acima de Vt o é conhecida como sobretensão de condução.
canal fica mais rico em elétrons.

Figura 4.3 – Um transistor NMOS com vGS > Vt e com um pequeno vDS aplicado. O
dispositivo age como uma condutância controlada por vGS. Especificamente, a condutância
do canal é proporcional a vGS - Vt e, portanto, iD é proporcional a (vGS - Vt) vDS . Observe
que a região de depleção não é mostrada (por simplicidade).
9
 Para valores de vDS pequeno, próximo de 50 mV, Fig. 4.4, o MOSFET está
operando como uma resistência linear cujo valor é controlado por vGS . A
resistência é infinita para vGS  Vt (iD = 0) e seu valor diminui quando vGS
excede Vt .

iD (mA)

Região de triodo vGS ≈ Vt + 2V

vDS pequeno
Região de triodo
(linear)
↘

Fig. 4.3
iD = 0
vDS (mV)
vGS ≤ Vt sobretensão de condução→ vOV  vGS  Vt
vGS  Vt  vOV

Figura 4.4 – Característica iD – vDS do MOSFET na Fig. 4.3, quando a tensão aplicada entre fonte
e dreno, vDS , é pequena. O dispositivo opera como um resistor linear, cujo valor é controlado
por vGS
10
 4.1.5- A operação com o aumento de vDS

Mantendo vGS constante e com um valor maior que Vt .

Aumentado vDS o canal não mantém sua profundidade uniforme, ele estreitará no
final do dreno e sua resistência aumenta.

VGS > Vt

iG = 0 iS = i D

Figura 4.5 – Operação do transistor NMOS com enriquecimento quando aplicamos uma tensão vDS.
O canal induzido adquire uma forma estreitada no dreno e sua resistência aumenta à medida que
aumentamos vDS . Aqui, vGS é mantida constante em um valor maior que Vt .
11
À medida que aumentamos vDS, o canal se torna mais estreito e sua resistência
aumenta . Portanto, o gráfico iD – vDS não será mais uma linha reta, mas uma curva.

sobretensão de condução  vOV  vGS  Vt

vDS  vOV vDS  vOV

vDS ≤ vGS - Vt vDS ≥ vGS - Vt

Triodo ↓ Saturação
A curva entorta porque a
resistência do canal ↖ A corrente satura
aumenta com vDS ↘ porque o canal
estrangula no final,
e vDS não mais afeta
o canal
Praticamente uma linha reta ↗
para vDS pequeno. vGS ≤ Vt → Corte
↑
vDSsat = vGS - Vt

Figura 4.6 – A corrente de dreno iD versus a tensão dreno-fonte vDS para um transistor NMOS
tipo enriquecimento operado com vGS > Vt .

12
 Quando aumentamos vDS até o valor que reduz a tensão entre a porta e o dreno
para Vt isto é : vGD = Vt ou vGS - vDS = Vt ou vDS = vGS – Vt
pois: vGS - vDS = Vt → vG - vS – vD + vS = Vt → vG – vD = Vt → vGD = Vt

a profundidade do canal no final do dreno diminui até

próximo de zero → canal estrangulado → vDSsat = vGS – Vt
→ inicio da região de saturação. vDSsat = vOV

Aumentar vDS além desse ponto, o efeito é pequeno sobre o canal, e a corrente pelo
canal se mantém constante a partir de vDS = vGS – Vt. A corrente de dreno então
satura, a partir desse ponto o MOSFET inicia sua operação na região de saturação.
A tensão vDS em que ocorre a saturação é representada por vDS sat .

O dispositivo opera na região de saturação se vDS ≥ vDSsat ou vGD  Vt

O dispositivo opera na região de triodo se vDS < vDSsat ou vGD > Vt
sobretensão de condução→ vOV  vGS  Vt
13
 Profundidade do canal não é uniforme

Figura 4.7 – Aumentar vDS faz com que o canal adquira uma forma estreitada (trapezoidal).
Eventualmente, quando vDS atinge vGS - Vt , o canal é estrangulado na extremidade do dreno.
Aumentar vDS acima vGS - Vt tem pouco efeito (teoricamente, nenhum), sobre a forma do canal.

vDS ≥ vDSsat → opera na região de saturação

vDS < vDSsat → opera na região de triodo

14
 vDS  vGS – Vt vDS ≥ vGS – Vt

Região de triodo Região de saturação

vDS = vGS – Vt

vDS
Fig. 4. 11- As características iD – vDS (pag. 151) vGS < Vt (corte)
Região de triodo
vGD > Vt → (vG – vD ) > Vt → vG - vS – vD + vS > Vt
(vG - vS ) – (vD - vS ) > Vt
vGS - vDS > Vt → vDS < vGS – Vt
Região de saturação
vGD ≤ Vt → (vG – vD ) ≤ Vt → vG - vS – vD + vS ≤ Vt →
(vG - vS ) – (vD - vS ) ≤ Vt →
vGS - vDS ≤ Vt → vDS ≥ vGS – Vt 15
 4.1.6- Determinação da relação iD – vDS pag. 146

Na região de triodo, as características iD - vDS podem ser descrita como:

 W  1 2
iD  ( nCox ) ( vGS  Vt )vDS  vDS 
 L  2 

Na região de saturação, as características iD - vDS podem ser descrita como:

1 W 
iD  ( nCox ) ( vGS  Vt )2 sobretensão de condução → VOV  VGS  Vt
2 L

µnCox é uma constante determinada pelo processo tecnológico de fabricação

e é conhecido como parâmetro de transcondutância do processo, costuma
ser indicado como k’n e tem dimensão de A/V2.

kn,  nC ox (A/V2)

16
 Em termos de k’n :
W  1 2
iD  kn, ( v
 GS  V ) v
t DS  v DS 
(Região de triodo)
L  2 
1 ,W
iD  kn ( vGS  Vt )2 (Região de saturação)
2 L

W → largura do canal sobretensão de condução → VOV  VGS  Vt

L → comprimento do canal

W
→ razão de aspecto do MOSFET
L
O comprimento mínimo de canal (Lmin) é utilizado não apenas para caracterizar o
processo tecnológico (ou tecnologia de fabricação), mas também como parâmetro
que é continuamente reduzido à medida que a tecnologia avança.
Ex. 2003 → Lmin = 0,13 m e Wmin = 0,16 m
2006 → Lmin = 0,065 m ou 65 nm
2014 → Lmin = 25 nm
o
1 nanômetro (nm) = 10-9 m ou 0,001 µm e 1 angstrom ( A ) = 10-1 nm = 10-10 m
Exemplo 4.1 17
 4.1.7- O MOSFET canal p pag. 149

• O MOSFET tipo enriquecimento canal p (transistor PMOS) é fabricado

sobre um substrato tipo n com regiões p+ para o dreno e a fonte.

• O dispositivo opera do mesmo modo que o dispositivo canal n, exceto que

as tensões vGS , vDS e Vt são negativas.

• Além disso, a corrente iD entra pelo terminal da fonte e sai pelo terminal
do dreno.
Dreno Fonte
D↓ ↓S

↑iD ↑iG = 0 ↓iD = iS

tipo n

B 18
 4.1.8- MOS complementar ou CMOS pag. 149

Atualmente o CMOS é a tecnologia mais usada em CI, tanto analógico como digital.

cavidade n

corpo tipo p

Figura 4.9 - Seção transversal de um circuito integrado CMOS. Observe que o transistor
PMOS é formado na região separada , do tipo n, conhecida como cavidade ou poço n.
Outro arranjo também é possível em que o corpo de tipo n é usado e o dispositivo
NMOS é formado em uma cavidade p. Não são mostradas no diagrama as conexões que
devem ser feitas no corpo tipo p e na cavidade n. Essa última serve como terminal de
corpo para o dispositivo canal p. 19
 4.2- AS CARACTERÍSTICAS DE CORRENTE-TENSÃO - pag. 150
4.2.1- O símbolo para circuito
MOSFET tipo enriquecimento de canal n (NMOS)
Símbolo Símbolo modificado Símbolo simplificado

iG = 0 ↓ iD
G →

↓ iS = iD

Obs.:- A convenção esquemática adotada no livro é o fluxo de corrente de cima para baixo.

Figura 4.10- (a) Símbolo para circuito do MOSFET tipo enriquecimento de canal n. (b) Símbolo
modificado para circuito com seta indicada no terminal de fonte (S) para distingui-lo do dreno (D)
e indicar a polaridade do dispositivo (isto é, canal n). (c) Símbolo simplificado para circuito para
ser empregado quando a fonte está conectada ao corpo ou quando o efeito do corpo não é
importante na operação do dispositivo .
20
 4.2.2- As características iD - vDS pag. 150
As curvas características na Fig. 4.11 (b) indicam que há três regiões de operação: a
região de corte, a região de triodo e a região de saturação. A região de saturação é
usada se o FET for operar como amplificador. As regiões de corte e de triodo são
usadas para operar como chave.
Triodo Saturação
vDS ≤ vGS - Vt vDS ≥ vGS - Vt
características iD – vDS → família de
curvas, cada uma é medida com um
valor constante de vGS

(b) vGS ≤ Vt → Corte

conjunto de características típicas iD - vDS

Figura 4.11- (a) Um MOSFET tipo enriquecimento canal n com vGS e vDS aplicadas e com os
sentidos normais de fluxo de corrente indicados. (b) As características de iD – vDS para um
dispositivo com k (W/L) = 1,0 mA/V2.
21
 As regiões de operação do transistor NMOS

Região de triodo
Para o MOSFET operar na região de triodo, precisamos primeiro
induzir o canal:

vGS  Vt → vGS  Vt  0 → VOV  0 → existe canal (ou canal induzido)

onde VOV  VGS  Vt

VOV → sobretensão de condução

e manter vDS pequeno o suficiente, de modo que o canal permaneça contínuo

Isso é obtido garantido-se que a tensão porta-dreno (vGD) seja maior que Vt .
Para isso devemos ter:

canal contínuo vGD  Vt ou v DS  vGS  Vt v DS  VOV

região do triodo
VOV  VGS  Vt

22
 Na região de triodo, as características iD - vDS podem ser descrita como:
W  1 2 kn,  nCox
iD  kn, ( v  V ) v  v em que
L 
GS t DS DS 
2 
k’n é o parâmetro de transcondutância do processo, o qual determina o valor
da transcondutância do MOSFET, seu valor é determinado pela tecnologia de
fabricação.
Se vDS for suficientemente pequeno, podemos desprezar vDS2 então:

W  1 2
iD  kn,
W
( vGS  Vt )vDS
iD  kn, ( v
 GS  V ) v
t DS  v DS  →
L  2  L

Essa relação linear representa a operação do transistor MOS como uma

resistência linear rDS . Para vGS fixado em um valor VGS , rDS é dado por:
W
iD  kn, ( vGS  Vt )vDS
L
1
v  W  1 1
rDS  DS  kn, ( vGS  Vt )  
iD vDS pequeno  L  W W
vGS VGS kn, ( vGS  Vt ) kn, VOV
L L
VOV 23
 Transistor NMOS
Onde VOV = VGS – Vt , e é conhecida como excesso de tensão ou tensão
efetiva ou sobretensão de condução.
Região de corte
O dispositivo está em corte quando :
onde
vGS  Vt → vGS  Vt  0 → VOV  0 VOV  vGS  Vt

Região de saturação

Para o MOSFET operar na região de saturação, um canal tem de ser induzido:

vGS  Vt → vGS  Vt  0 → VOV  0 → existe canal (ou canal induzido)

E o canal deve estar estrangulado no final do dreno pelo aumento de vDS até que:

canal estrangulado vGD  Vt ou v DS  vGS  Vt vDS  VOV

região de saturação
VOV  vGS  Vt
24
Na região de saturação, as características iD - vDS podem ser descrita como:
1 ,W
iD  kn ( vGS  Vt )2 onde VOV  VGS  Vt → sobretensão de condução
2 L
Na saturação o MOSFET proporciona uma corrente de dreno independente da
tensão de dreno vDS e é determinada pela tensão vGS de acordo com a relação
quadrática na equação acima. Cujo esboço é mostrado na Fig. 4.12.

Característica iD – vGS na saturação

iD

vGS

Figura 4.12- As características iD - vGS para um transistor NMOS tipo enriquecimento na saturação
(Vt = 1V, k’n W/L = 1,0 mA/V2).
25
Modelo equivalente de circuito para grandes sinais na região de saturação
A Fig. 4.13 ilustra uma representação de circuito para o MOSFET operando na
região de saturação. Essa figura é o modelo equivalente de circuito para
grandes sinais, independente da tensão de dreno vDS .

→ existe canal
→ saturação
1 ,W
iD  kn ( vGS  Vt )2
2 L v DS  VOV

Figura 4.13 – Modelo equivalente de circuito para grandes sinais de um MOSFET canal n
operando na região de saturação.
26
Fazer: Exercícios 4.4 e Exercícios 4.5

Exercícios 4.6 – Um transistor NMOS com Vt = 0,7 V conduz uma corrente iD = 100 A
quando vGS = vDS = 1,2 V .

(a) Obtenha iD para vGS = 1,5 V e vDS = 3 V

VOV → sobretensão de condução
Solução: Vt = 0,7 V VOV  VGS  Vt
1º) Verificar se existe canal: vGS  Vt → vGS  Vt  0 → VOV  0

VOV  vGS  Vt
VOV  1,5  0,7  0,8V → VOV  0,8V → VOV  0 → Existe canal
2º) Verificar em que região o MOSFET está: Se: vGD  Vt
vDS = 3 V e VOV = 0,8V ou
Como vDS  VOV → 3V  0 ,8V → Reg. de saturação vDS  vGS  Vt
vDS  VOV
1 W 1 W 2 1 ,W
iD  kn, ( vGS  Vt )2  kn, VOV → iD  kn 0,82 Reg. de saturação
2 L 2 L 2 L
↗
Fórmula de iD na saturação W
k n, → não temos 27
L
 W
Determinando k n,
L
NMOS com Vt = 0,7 V e iD = 100 A quando vGS = vDS = 1,2 V

1º) Verificar se existe canal: VOV  0

VOV  VGS  Vt → VOV  1,2  0,7  0,5V → VOV  0,5V → V  0 →existe canal
OV

2º) Verificar em que região o MOSFET está: vGD  Vt ou v DS  vGS  Vt

Como vDS  VOV → 1,2  0 ,5 → Reg. de saturação VOV

1 ,W 2
iD  kn VOV
2 L
Fórmula de iD na saturação
1 ,W W A
100  A  kn 0,52 → kn,  800 2
2 L L V

Cálculo de iD para vGS = 1,5V , vDS = 3V e VOV = 0,8V

1 ,W 1
iD  kn 0,82 → iD  800( 0 ,8 )2 → iD  256 A
2 L 2
28
(b) Calcule rDS para vDS pequeno e vGS = 3,2 V Vt = 0,7 V

vDS pequeno → vDS  VOV → Região de triodo

VOV  VGS  Vt  3,2  0,7  2,5V VOV  2,5V

1
v  W  1 1
rDS  DS  kn, ( vGS  Vt )  
iD vDS pequeno  L  W W
vGS VGS kn, ( vGS  Vt ) kn, VOV
L L

v DS 1 1
rDS    6
 500
iD W
v DS pequeno
vGS VGS k n, VOV 800 x10 2,5
L

29
 4.2.3- A resistência de saída finita na saturação
1 ,W
iD  kn ( vGS  Vt )2
2 L
A equação acima indica que, na saturação, iD é independente de vDS. Isso,
entretanto, é uma idealização, na prática, aumentar vDS além de vDSsat afeta o
canal. A Fig. 4.15 mostra que com o aumento de vDS acima de vDSsat o
comprimento do canal é reduzido de L a L - ∆L. Esse fenômeno é conhecido
como modulação do comprimento do canal.
modulação do comprimento do canal
↘
vDS  vDSsat

vDSsat = vGS - Vt
L  'vDS
’ é um parâmetro do processo tecnológico
com dimensão de µm/V

Figura 4.15 – Ao aumentar vDS além vDSsat , o ponto de estrangulamento do canal se move
levemente do dreno para a fonte e, portanto, o comprimento do canal é reduzido (∆L).

30
Quando a modulação do comprimento do canal é levado em consideração o
valor de iD na saturação fica dependente da vDS. A expressão de iD fica:

1 ,W ↓ levado em consideração a
Eq. 4.22 iD  kn ( vGS  Vt ) (1  vDS )
2
modulação do comprimento
2 L do canal

'  m / V  ↓
'
Onde   
L  m 
 → 
L
V 
1

 → é um parâmetro tecnológico de processo com dimensão de V-1 .

L → comprimento do canal
’ → é um parâmetro da tecnologia de processo com dimensão de µm/V

L  'vDS L
'  µm/V
vDS

31
A Fig. 4.16 apresenta um conjunto de características típicas iD - vDS mostrando o
efeito da modulação do comprimento do canal.
A dependência linear de iD com vDS na saturação está representada pelo fator (1 + λvDS)
na Eq. 4.22. Na Fig. 4.16 quando as linhas retas da característica iD – vDS são extrapoladas,
elas interceptam o eixo vDS no ponto vDS = -VA , em que VA é uma tensão positiva. A
Equação 4.22 indica que iD = 0 em vDS = -1/ λ . Segue que VA = 1/ λ

1 ,W
Eq. 4.22 iD  kn ( vGS  Vt )2 ( 1  vDS )
2 L
iD
1
Para iD = 0 na eq. 4.22 → vDS 

1
Portanto: VA  V 

A tensão VA é um parâmetro
tecnológico de processo com
dimensão V (tensão).
vDS

Figura 4.16 – O efeito de vDS sobre iD, na região de saturação

32
Podemos expressar a dependência de VA com L como:

1 ' '
VA  V  Onde:   V 
1
 L L
1 1
VA  VA  L
 '
 '
1
L onde: VA' 
'
VA  VA' L

V’A depende da tecnologia de processo e tem dimensão de V/m

Para dado processo, VA é proporcional ao comprimento de canal L que o

projetista escolhe para o MOSFET.

A tensão VA é semelhante a tensão Early do TBJ, por isso ela é chamada de tensão
Early.
’ é um parâmetro do processo tecnológico com dimensão de µm/V

33
Quando a modulação de canal é levada em consideração, o valor de iD fica
dependente de vDS. Portanto, para um dado valor de vGS , uma variação ∆vDS
significará uma correspondente variação de ∆iD . Consequentemente a resistência de
saída da fonte de corrente que representa iD na saturação não é mais infinita.
Definindo a resistência de saída ro como :
1 ,W
iD  kn ( vGS  Vt )2 ( 1  vDS )
2 L
1
 iD  1
ro     ro 
1

VA

 DS vGS cons tan te   1 K ' W (V  V )2 
v  D  D
 2 n L GS t 

ID onde VA 
1
V 


Em que ID é a corrente de dreno sem levar em consideração a modulação do

comprimento de canal.
1 W
I D  kn, ( VGS  Vt )2
2 L
34
Modelo de circuito equivalente para grande sinais do MOSFET de canal n, na
saturação, incorporando a resistência de saída ro.

v DS  vGS  Vt
vDS  VOV

VOV  VGS  Vt

Figura 4.17 - A resistência de saída modela a dependência linear de iD com vDS e é dada pela
Equação 4.22.

1 W
Eq. 4.22 iD  kn, ( vGS  Vt )2 ( 1  vDS )
2 L
1
 iD  1 1 VA
ro      
 v DS  vGS cons tante   1 K ' W (V  V ) 2   D  D
 2 n L GS t 
 
sem levar em consideração a
ID modulação do comprimento de
Exercício 4.7
canal.
35
 4.2.4- As características do MOSFET canal p pag. 155

MOSFET tipo enriquecimento de canal p (PMOS)

S
S↙ S↙
iG = 0 ↓ iD = iS

G B G ←
B G
↓ iD

D D D
Símbolo modificado Símbolo simplificado

S
G Como a convenção esquemática adotada no livro é o
D
fluxo de corrente de cima para baixo, sempre será
desenhado os transistores MOSFET canal p com a
fonte (S) em cima.

Figura 4.18- (a) Símbolo de circuito para o MOSFET tipo enriquecimento canal p. (b) Símbolo
modificado com uma seta no terminal de fonte. (c) Símbolo simplificado para o caso em que a
fonte está conectada ao corpo. (d) O MOSFET com indicações das tensões aplicadas e os sentidos
das correntes indicadas. Observe que o vGS e vDS são negativos e iD sai do terminal de dreno.
36
 As regiões de operação do transistor PMOS
Para induzir canal → vGS  Vt → vGS  Vt  0 → VOV  0 VOV  VGS  Vt

Região de triodo (canal contínuo ) → vGD  Vt ou vDS  vGS  Vt → v DS  VOV

W  1 2  em que
k p,   pCox
iD  k p, ( v
 GS  Vt )v DS  v DS 
L  2 

Onde vGS , Vt e vDS são tensões negativas.

Região de saturação (canal estrangulado) → vGD  Vt ou vDS  vGS  Vt → v DS  VOV

p   pCox
1 ,W em que ,
iD  k p ( vGS  Vt ) ( 1  vDS )
2 k
2 L
1 1 V
ro    A
1 W   D  D
  K' p ( VGS  Vt )2 
2 L  VGSconstante
Onde vGS , Vt e vDS e λ todas grandezas negativas.

Fazer Exercício 4.8 - pag. 156 37

 4.3- CIRCUITO COM MOSFET EM CC pag. 160

Estudo da polarização cc de circuitos com MOSFET.

Sobretensão de condução: VOV = VGS - Vt Vt = 0,7V
Trabalhe em termos de VOV , sobretensão de condução. 0,4 mA =

Exemplo 4.2: Projetar Não temos VGS

IG = 0 VD= 0,5 V
VGD= VG – VD = 0 – 0,5 = - 0,5 V Temos VGD
+
vGD  Vt → saturação VG = 0
VOV  VGS  Vt VGS - VS= ?

1 ,W 2I D
ID  kn VOV 2 → V 
2 L OV
k n' (W L) Figura 4.20
↓ ↓
2I D
VOV  '  0,5V Não esquecer de colocar 
kn (W L)
VDD  VD
RD 
↓ VGS  VOV  Vt ID
↓
VOV = - 0,5 V e VOV = + 0,5 V
↓ VS  VSS
RS 
Para NMOS conduzir → VOV ≥ 0 → VOV = + 0,5 V ID
↑Não esquecer de colocar a condição VOV ≥ 0
38
 cont... Exemplo 4.2:

VOV = + 0,5 V Vt = 0,7V

VOV  VGS  Vt → VGS  VOV  Vt → VGS  0,5  0,7  1,2V

VGS  VG  VS  0  VS → VS  VGS  1,2V

VS  VSS 1,2  (2,5)

RS    3,25k
ID 0,4

VDD  VD 2,5  0,5

RD    5k
ID 0,4

39
Exercício 4.10- Projetar Trabalhe em termos de VOV .
Vt = 1 V
VGD= VG – VD = 0 – 0,4 = - 0,4 V
Temos VGD 0,3 mA =
VGD  Vt → saturação
VOV  VGS  Vt = 0,4 V
↙
1 ,W
I D  kn VOV 2 Não temos VGS
2 L VG= 0 +
Não esquecer de colocar  VGS - VS =?
↓ ↓
2I
VOV   ' D  0,5V
kn (W L)

VOV = - 0,5 V e VOV = + 0,5 V

Figura 4.20
↓Não esquecer de colocar a condição VOV ≥ 0
Para NMOS conduzir → VOV ≥ 0 → VOV = + 0,5 V VDD  VD
RD 
ID
VOV  VGS  Vt → VGS  VOV  Vt  1,5V V t= 1 V
VS  VSS
VG= 0 RS 
VGS  VG  VS  0  VS → VS  VGS  1,5V ID

V  VSS 1,5  (2,5) VDD  VD 2,5  0,4

RS  S   3,3k RD    7k
ID 0,3mA ID 0,3mA
40
Exemplo 4.3 - Projetar Trabalhe em termos de VOV . L = 0,8 m e W = 4 m
K’n = 200 A/ V2
Solução: Vt = 0,6 V
Do circuito → VG = VD ID = 80 µA R =?
Não temos VGS
VGD= VG – VD = 0
1 ,W VD = ?
VGD = 0 < Vt → saturação I D  k n VOV
2
2 L VG = VD →
Não esquecer de colocar  +
VGS - VS = 0
↓ Figura 4.21
2I 4 m
VOV  ' D W
 5
kn (W L) L 0,8 m VG = VD
VDD  VD
↓ RD 
2 x80 ID
VOV   0,4V
200 x(4 0,8)
↓Não esquecer de colocar a condição VOV ≥ 0
Para NMOS conduzir → VOV ≥ 0 → VOV = + 0,4 V
Vt= 0,6 V
VOV  VGS  Vt VGS  VOV  Vt  0,4  0,6  1V VGS = 1V

VGS = 1V como VS = 0 → VG = 1V VDD  VD 3 1

RD   3
 25k
VGS  VG  VS VD = VG = 1V ID 0,080 x10
41
 Exercício 4.11 - Projetar
VGS = 1 V e Vt = 0,6 V VOV  vGS  Vt ID = 2x80 µA = 160 µA
Trabalhe em termos da sobretensão de
condução, VOV . VG = VD =1V
VD = 1V
0
Para existir canal → VGS ≥ Vt ou VOV > 0 →
+ R =?
VOV  VGS  Vt  1  0,6  0,4V → existe canal VGS - VS = 0
VOV > 0 W/L =?

Região de operação: VGD  Vt Figura 4.21

VG = VD → VGD = 0 < Vt → está na saturação
VOV = 0,4 V VOV  VGS  Vt
1 ,W W 2I
ID 
2
kn VOV →  , D 2  10 nCox = k’n = 200 A/V2
2 L L knVOV
W ID = 160 µA
 10
L
Por exemplo : W  8m
L 0,8m
V V 31
RD  DD D  3
 12,5k
ID 0,16 x10 42
Exercício 4.12 - Trabalhe em termos de VOV
Exemplo 4.3:
Ver Exemplo 4.3: ID1 = 80A Vt = 0,6 V nCox = k’n = 200 A/V2
Q1 : VOV = + 0,4 V , VGS = 1V , VD1=VG =1V W 4 m
 5
L 0,8 m

Determine ID2 e VD2

Suponha que Q2 seja idêntico a Q1 ↓IR=ID1 =80A

ID2=?↓
Solução:
Q1 e Q2 tem VGS iguais
0
Para existir canal → VGS ≥ Vt ← VD1 = 1V
VD2= ? IG= 0 IG= 0
1V > 0,6 V → existe canal em Q1 e Q2 ↓ID1= IR
← →
Região de operação: +
VGD  Vt VGS VS = 0
-
Q1 → VG = VD1 → VGD1 = 0 < Vt → está na saturação
Q2 → VGD2 = ? → vamos supor na saturação Figura E4.12

Como Q1 e Q2 são iguais (quer dizer que tem os mesmos k’nW/L e Vt ) e como
tem o mesmo VGS → mesmo VOV = VGS – Vt , daí :
43
 cont... Exercício 4.12:

Como Q1 e Q2 são iguais (quer dizer que tem os mesmos k’nW/L e Vt ) e como tem o
mesmo VGS → mesmo VOV = VGS – Vt , daí :

1 ,W 1 ,W
I D1  kn (VGS  Vt ) 2 e I D2  kn (VGS  Vt ) 2 → ID2 = ID1 = 80 A
2 L 2 L

VDD  I D2 R2  VD2  0 → VD 2  1,4V

Verificando a suposição de Q2: VGD  Vt Vt = 0,6V VG = VD1 = 1V

VGD2 = VG – VD2 = 1 - 1,4 = - 0,4 V < Vt

Portanto, Q2 realmente está na saturação, como suposto inicialmente

44
Exemplo 4.4 - estudar

Figura 4.22

Exercício 4.13

45
Exemplo 4.5 -estudar

Figura 4.23

Exercício 4.14 - estudar

Exercício 4.15 - estudar

46
Exemplo 4.6 - estudar

Símbolo simplificado

↓ iD = iS
S
S iG = 0 ↓ iD = iS
iG = 0
← ←
G
G
D ↓ iD

MOSFET canal p

Figura 4.24

47
 4.4 O MOSFET como AMPLIFICADOR
O MOSTET quando opera na região de saturação atua como fonte de corrente controlada
por tensão : mudanças em vGS provoca correspondentes mudanças em iD . MOSFET
saturado pode ser utilizado para implementar um amplificador de transcondutância.
Para obtermos amplificação linear a partir de um dispositivo não linear a técnica utilizada
é a polarização em cc. Vamos polarizar o MOSFET para operar com um VGS apropriado e
um correspondente ID e então sobrepor o sinal de tensão a ser amplificado, vgs , sobre a
tensão de polarização cc VGS. Se o sinal vgs for pequeno, a variação resultante em id será
proporcional a vgs.
iD Modelo equivalente de
circuito para grandes sinais na
+ região de saturação
Ri   vGS Não levado em consideração
_
a modulação do
comprimento do canal ()

Gm 
iD Ro  
1 W
iD  kn, ( vGS  Vt ) 2 VOV  vGS  Vt vGS
2 L
48
 VOV  vGS  Vt
vDS  vGS  Vt vDS  vGS  Vt
iD
vI = vGS
iD

vO = vDS
vI = vGS vI
vGS = vI

0  vI  VDD

-VDD + iD RD +vDS =0
vDS = vO
vDS = VDD - iD RD (4.36) vDS = vGS -Vt
(b)
V 1 vI < Vt → corte → iD=0 → vDS = VDD
iD  DD  vDS (4.37)
RD RD vI = vGS

Figura 4.26 (a) circuito - (b) gráfico iD – vDS do MOSFET sobreposto sobre uma reta
49
 Fig. 4.26(c)
vO = vDS vO
corte saturação triodo

vo

vDS = vO = VOC →
Vt vI vI = vGS
triodo
vi
vI = vGS vGD  Vt
vI < Vt → chave aberta (corte) vDS  vGS  Vt
vGS ≈ VDD → triodo
vDS = vO = VDD
v DS  VOV
vGS = vI ≈ VDD → chave fechada (triodo)→ vDS = vO = VOC
Figura 4.26 (c) – Característica de transferência mostrando a operação como um amplificador polarizado
no ponto Q. 50
 → para induzir canal

vGS  Vt → vGS  Vt  0 → VOV  0 onde VOV  VGS  Vt

→ triodo

vGD  Vt ou v DS  vGS  Vt → v DS  VOV

vD  vG  Vt
→ saturação

vGD  Vt ou vDS  vGS  Vt → v DS  VOV

vD  vG  Vt

51
 4.5- POLARIZAÇÃO DE CIRCUITOS AMPLIFICADORES MOS

No projeto de um amplificador com MOSFET, uma etapa importante é a sua

polarização cc. A polarização do MOSFET é o estabelecimento de um ponto de
operação cc, que é caracterizado por uma corrente de dreno ID previsível e
estável e por uma tensão cc entre dreno e fonte (VDS) que determina a
operação no modo de saturação.
VDS  VGS  Vt
Tipos de polarização:

4.5.1- Polarização por VGS fixo

4.5.2- Polarização por VG fixo e resistência conectada na fonte
4.5.3- Polarização utilizando um resistor de realimentação de dreno para porta
4.5.4- Polarização utilizando fonte de corrente constante

52
 4.5.1- Polarização por VGS fixo - pag. 171

↓ID ID2

+
VGS - +
VGS - ID1
Fig. 4.29

VGS
Figura 4.29 - A utilização de polarização VGS fixo pode resultar em uma grande variação no valor de
ID. Dispositivos 1 e 2 representam extremos entre unidades do mesmo tipo.

Esta não é uma boa estratégia para polarizar um MOSFET, porque com VGS fixo, ID fica
muito dependente dos parâmetros. Os parâmetros Vt , Cox e W/L variam bastante entre
dispositivos do mesmo lote.

1 ' W  ↓ ID 
1 ,W
kn VOV 2 kn,   nCox
ID  kn  (VGS  Vt )2 ou
2 L 2 L

Exercício 4.19 – pag. 174

53
Exercício 4.19 – pag. 174 - Polarização por VGS fixo

MOSFET com Vt = 1 V , k’nW/L = 1 mA/V2 e  = 0. Onde ID = 0,5 mA

(a) Obtenha o valor necessário de VGS para fixar a
corrente de polarização cc ID = 0,5 mA. Trabalhe em
termos de VOV (sobretensão de condução).
↓ID
Solução:
Primeiro determine o valor de VOV . + +
VG VGS -
1 ,W
ID  kn (VGS  Vt ) 2 Saturação
-
2 L
Polarização por VGS fixo
Onde: VOV  VGS  Vt
Substitua (VGS - Vt ) por VOV , para trabalhar em termos de VOV .

Não esquecer do 
↓ ↓
1 W 2I D
I D  k n, VOV 2 → VOV   1V
2 L k 'n ( W L )

primeiro determine o valor de VOV

54
Para NMOS conduzir → VOV ≥ 0 → VOV = + 1 V ← Não esquecer de colocar a condição VOV ≥ 0

Tendo o valor de VOV , achar-se o valor de VGS .

VOV  VGS  Vt → VGS  VOV  Vt  1  1  2V → VGS  2V

(b) Qual é a variação percentual obtida em ID quando o transistor é substituído por

outro com Vt = 1,5 V ?

Onde: VGS  2V k’nW/L = 1 mA/V2

1 , W 1 3
↓ 2
ID  k n (VGS  Vt )  1x10 (2  1,5)  0,125mA
2
2 L 2

ID (IDfinal IDinicial ) (0,125  0,5)

Variação percentual de ID → % x100%  x100%  75%
IDinicial IDinicial 0,5

55
4.5.2- Polarização por VG fixo e resistência conectada na fonte – pag. 172
Uma técnica excelente de polarização para circuitos discretos com MOSFET consiste em
fixar a tensão cc na porta (VG) e conectar uma resistência no terminal de fonte (RS).

VG  VGS  RS I D
↓ VGS  VG  RS I D ↑ +
VG
W
↓I D  kn' 
1 -
(VGS  Vt ) ↓
2
2 L (a)

A realimentação negativa devido RS tende a (b)

fazer ID constante.

+
+ +VGS - VG As Figuras 4.30 (c) e (e)
mostram duas possíveis
VG - implementações discretas.

- (e)
(c)

Figura 4.30 - Polarização usando uma tensão fixa na porta, VG e uma resistência no terminal de fonte, RS: (a) arranjo
básico; (b) variação de ID reduzida ; (c) implementação prática utilizando uma única fonte; (e) implementação
prática utilizando duas fontes. 56
Figura 4.30 (d) - acoplamento da fonte de sinal na porta, usando um capacitor CC1;

O capacitor CC1 bloqueia cc e, portanto, permite acoplar o sinal vsig à entrada do

amplificador sem afetar o ponto de polarização cc do MOSFET.

Acoplamento capacitivo↘

(c)
(d)
Figura 4.30 (c) e (d)
57
 Exercícios de Polarização por VG fixo com Rs

Exemplo 4.9 - pag. 173 e Problema 4.31 – pag. 230

Fig. 4.30(c)
Figura 4.31 - Circuito do Exemplo 4.9.

implementação prática utilizando uma única fonte

58
 Exemplo 4.9 - pag. 173
(a) Pede-se para projetar o circuito da Figura 4.30(c) de modo a estabelecer uma
corrente de dreno cc ID = 0,5 mA. O MOSFET foi especificado para ter Vt = 1 V e
k’nW/L = 1 mA/V2 . Por simplicidade, despreze o efeito de modulação de canal (isto é,
suponha  = 0). Utilize uma fonte de alimentação VDD = 15 V. Use a regra prática, ou
seja, a tensão de alimentação, VDD, seja igualmente repartida entre RD , VDS e RS.

(b) Calcule a variação percentual no valor de ID obtida quando o MOSFET é trocado

por outra unidade que tem o k’nW/L , mas com Vt = 1,5 V

VDD

1
RG1 RD VRD VRD  VDD
3

VDS V  1 V
DS DD
3
RG2 RS VRS V  1 V
RS DD
3
Figura 4.30(c)
59
 Exemplo 4.9 - pag. 173 - Solução

(a) Como regra prática no projeto desse circuito, vamos escolher RD e RS de forma
que a queda de tensão (VRD e VRS ) em cada um deles e no transistor (isto é VDS)
seja um terço da tensão de alimentação VDD.

VDD

1
VRD VRD  VDD
RG1 RD 3

VDS V  1 V
DS DD
3

RG2 RS VRS V  1 V
RS DD
3

60
 Como VDD = 10 V
1 1
1
VRD  VDD  5V VDS  VDD  5V VRS  VS  VDD  5V
3 3 3
VD  VDS  VS  10V
VDD
VDD
1
RG1 RD VRD VRD  VDD ID
3
RG1 RD
1
VDS VDS  VDD IG=0 VD
3 VG
VGS VS
RG2 RS 1 VD
VRS=VS VRS  VDD ID
3 RG2 RS

ID = 0,5 mA
VS 15 VDD  VD 15  10
RS   3
 10k RD   3
 10k
I D 0,5 x10 ID 0,5 x10
RG1 ? e RG2 ?
61
Para obter o valor de VGS , primeiro calculamos VOV

Operação na saturação: VOV  VGS  Vt

↙
1 ,W
I D  kn VOV 2 Trabalhe em termos de VOV .
2 L
Não esquecer de colocar 
↓ ↓
2I
VOV   ' D  1V
kn (W L)

VOV = - 1V e VOV = + 1 V

↓Não esquecer de colocar a condição VOV ≥ 0

Para NMOS conduzir → VOV ≥ 0 → VOV = + 1 V

VOV  VGS  Vt → VGS  VOV  Vt  2V

Vt= 1 V VD  10V

VGS  VG  VS → VG  VGS  VS  2  5  7V VG  7V

VGD  Vt → realmente na saturação 62

 Para fixar VG = 7 V :

RG 2 RG 2
Como IG = 0 → divisor de tensão → VG  VDD → 7  15
RG1  RG 2 RG1  RG 2
8
RG1  RG 2
7
Uma vez que IG= 0, RG1 e RG2 podem ser selecionados com valores elevados (na faixa
de M), permitindo que o MOSFET apresente alta resistência de entrada para a fonte
de sinal que for conectada na porta por meio de um capacitor de acoplamento.

Se escolhermos RG2 = 7 M : VDD

8 ID
RG1  RG 2 → RG1 = 8 M
7 RG1 RD
IG=0 VD
VG
VGS VS
ID
RG1 = 8 M ; RG2 = 7 M ; RD = 10 K ; RS = 10 K RG2 RS

63
(b) Se o transistor NMOS for substituído por outro com Vt = 1,5 V , o novo valor de ID
será:
1 ,W
ID  kn (VGS  Vt )2
Trabalhe em termos de VOV . 2 L

1 W VDD
I D  k n,
2
Eq.(1) VOV
2 L ID
RG1 RD
Do circuito :
VD
VG  VGS
VG  VGS  I D RS  0 → ID  Eq. (2) VG
VGS
RS VS
ID
RG2 RS
como: VOV  VGS  Vt → VGS  VOV  Vt

VG  (VOV  Vt )
Substitui VGS = VOV - Vt na Eq. (2) ID 
RS

Na Eq. 2 foi substituído VGS por (VOV + Vt ) , para trabalhar em termos de VOV .
Fazendo isso evita o quadrada da diferença (a - b)2
64
 Para trabalhar em termos de VOV .

V  (VOV  Vt ) VG  VOV  Vt
ID  G → ID  Eq.(3)
RS RS

1 ,W Eq.(1)
ID  kn VOV 2
2 L

Eq.(1) = Eq.(3)

1 ,W VG  VOV  Vt
kn VOV 
2 Primeiro determine o valor de VOV
2 L RS

1 ,W VG  VOV  Vt 1 ,W
kn VOV 
2
→ RS
2
kn VOV 2  VG  VOV  Vt  0
L
2 L RS
1 ,W
RS kn VOV 2  VOV  VG  Vt  0
2 L
65
 RS = 10 kΩ ; VG = 7 V ; Vt= 1,5 V ; kn’ W/L = 1 mA/V2

1 ,W
RS kn VOV 2  VOV  VG  Vt  0 → 10 1 1.VOV 2  VOV  7  1,5  0
2 L 2

1  12  4 x5 x (5,5)
5VOV 2  VOV  5,5  0 → VOV 
2 x5

VOV  0,954V
1  111 1  10,54
VOV  
2 x5 10 VOV  1,154V

NMOS para conduzir → VOV ≥ 0 → VOV = + 0,954V

4 algarismos significativos
Exs: → * 0,05678 = 56,78 x10-3 ;
 b  b2  4ac
* 0,005678 = 56,78 x10-4 x
2a
* 1,026 66
 Vt = 1,5 V

VOV  VGS  Vt VOV = + 0,954V

VGS  VOV  Vt  2,454V kn’ W/L = 1 mA/V2

1 ,W
Eq.(1) ID  k n VOV 2 → I D  0,455mA
2 L

Variação percentual de ID :

I D ( I Dfinal  I Dinicial ) (0,455  0,5)

% x100%  x100%  9%
I Dinicial I Dinicial 0,5

67
 Exercício 4.20 – pag. 174 - Polarização por VG fixo com Rs VDD  VD
RD 
ID
(a) Projete o circuito da Fig. 4.30(e). Utilize valores de resistores do
padrão 5% de tolerância. Trabalhe em termos de VOV . VS  (VSS )
RS 
ID
VDD = VSS = 5 V , Vt =1 V, k’nW/L = 1 mA/V2 , ID = 0,5 mA , VD = 2 V

Solução VS =?
0
Como IG = 0 temos VG = - RG x IG = 0 V VG = 0 V ID VD = 2 V
IG = 0
VGD = VG – VD = 0 – 2 = - 2 V +
+ +
Não temos VGS
vGD  Vt → saturação VG VGS - ID
IG = 0
+
- VD
1 ,W
I D  kn VOV 2 VS
2 L -
↓ -
↓ Primeiro determine o valor de VOV
2I D
VOV   1V
k 'n ( W L )
Figura 4.30 (e)

implementação prática
** NMOS → Para induzir canal → VOV  0
utilizando duas fontes.
VOV  1V
68
 VD = 2 V
VOV  1V Vt =1 V VG = 0 V
VS =?
IG = 0 ↓ ID
VOV  VGS  Vt → VGS  VOV  Vt  2V +
+ +
VGS  2V VG VGS - ↓ ID
IG = 0
+
- VD
VS
VGS  VG  VS → VS  VG  VGS  0  2  2V -
-

VS  2V
Figura 4.30 (e)

VDD  VD 52 e
RD    6k
ID 0,5mA

VS  ( VSS ) 2  ( 5)
RS    6k
ID 0,5mA

69
Utilize valores de resistores do padrão 5% de tolerância.
Apêndice G - pag. 836
Padrões de valores de resistores de 5% de tolerância
1,0 ; 1,1 ; 1,2 ; 1,3 ; 1,5 ; 1,6 ; 1,8 ; 2,0 ; 2,2 ; 2,4 ; 2,7; 3,0 ; 3,3 ; 3,6 ; 3,9 ; 4,3 ; 4,7 ; 5,1 ;
5,6 ; 6,2 ; 6,8 ; 7,5 ; 8,2 ; 9,1

Pegue o valor mais próximo e se precisar multiplique por 10n

Ex. 1,0 x 100 = 1,0 Ω ; 1,0 x 101 = 10 Ω ; 1,0 x 102 = 100 Ω ; 1,0 x 103= 1kΩ ; ......

Valor calculado → R D  RS  6k

Valor comercial (ver tabela Apêndice G) → RD  RS  6,2k

Determinando RG

Uma vez que IG = 0, RG pode ser selecionado com valor elevado, permitindo uma
alta resistência de entrada para a fonte de sinal.
1 M Ω ≤ RG ≤ 10M Ω
70
(b) Obtenha os valores reais (resultantes) de ID , VD e VS.
Use 4 algarismos significativos. 1 ,W
ID  kn (VGS  Vt )2
Primeiro determine o valor de VOV 2 L = 6,2 k Ω
VOV  VGS  Vt ID
IG = 0 VD ?
1 ,W +
I D  k n VOV
2
Eq.(1) +
2 L VG = 0 VG VGS - VS ?
- = 6,2 k Ω
Do circuito : ID ?
0
VSS  VGS
 VG  VGS  I D RS  VSS  0 → I D  Eq. (2)
RS

como: VOV  VGS  Vt → VGS  VOV  Vt

VSS  (VOV  Vt )
Substitui VGS = VOV - Vt na Eq. (2) ID 
RS

Na Eq. 2 foi substituído VGS por (VOV + Vt ) , para trabalhar em termos de VOV .
Fazendo isso evita o quadrada da diferença (a - b)2

71
Para trabalhar em termos de VOV .

V  (VOV  Vt ) VSS  VOV  Vt

I D  SS → ID  Eq.(3) e
RS RS

1 ,W
ID  Eq.(1)
2
k n VOV
2 L
Eq.(1) = Eq.(3)

1 ,W V  VOV  Vt Primeiro determine o valor de VOV

VOV  SS
2
kn
2 L RS

V  V  Vt 1 ,W
1 ,W
kn VOV  SS OV
2
→ RS kn VOV 2  VSS  VOV  Vt  0
2 L
2 L RS
RS = 6,2 k Ω k’nW/L = 1 mA/V2

1 ,W 1
kn VOV  VOV  VSS  Vt  0 → 6 ,2 1.VOV 2  VOV  5  1  0
2
RS
2 L 2
72
 1
6 ,2 1.VOV 2  VOV  5  1  0
2
VOV  0,985V
 1  50,6
3,1VOV 2  VOV  4  0 → VOV 
6 ,2 VOV  1,31V

NMOS para conduzir → VOV ≥ 0 → VOV = + 0,985V

VD
VOV  VGS  Vt VOV = + 0,985V Vt =1 V
+
VG VS
VGS  VOV  Vt  1,985V -

Eq.(1) I  1 k , W V 2 → I D  0,485mA
D n OV
2 L
VG  0
VGS  VG  VS → VS  VG  VGS → VS  1,985V
4 algarismos significativos
Exs:- * 0,05678 = 56,78 x10-3 ;
VDD  VD
ID  → VD  1,993V * 0,005678 = 56,78 x10-4
RD * 1,026

valores reais: ID = 0,485 mA, VS = -1,985 V e VD = 1,993 V

73
 4.5.3- Polarização utilizando um resistor de realimentação de dreno para
porta – pag. 174

A Figura 4.32 mostra uma montagem simples para a polarização de circuito discreto.

 VDD  RD I D  VD  0

Como IG = 0 em RG → VG = VD VDD  VD  RD I D
VD = VGS
VGD = 0  Vt → saturação VDD  VGS  RD I D

IG =0 ↓ I = ID ↓ VGS  VDD  RD I D ↑

VDS = VD = VG = VGS + 1 ' W 

↓
↓ I D  2 kn  L (VGS  Vt )
2
0 ↓ ID
→ VDS = VGS = VD
+
VGS
- - A realimentação negativa devido RG
tende a fazer ID constante.

Figura 4.32 - Polarização do MOSFET usando uma resistência de dreno para a porta , RG.

74
 Exercício 4.21
(a) Projete o circuito da Fig. 4.32 para operar com ID = 0,5 mA. VDD = 5 V , k’nW/L = 1
mA/V2 , Vt = 1 V ,  = 0. Utilize valores de resistores do padrão 5% de tolerância.
Trabalhe em termos de VOV .

Solução: Primeiro determine o valor de VOV

Como IG = 0 em RG → VG = VD
VGD = 0  Vt → saturação

1 ,W
Saturação → I D 
2
kn VOV →
2 L
↓ ↓ ↓ ↓ I = ID
2I D IG = 0
VOV   1V → VOV  1V
k 'n ( W L ) ←
↓ ID +
***Para induzir canal NMOS →VOV  0 → VOV  1V VDS = VGS = VD
+ +
VOV  VGS  Vt VGS  VOV  Vt  2V VG VGS -
- -
VDS  VGS  2V
VDD  VD 5 2 Fig. 4.32
RD    6k
ID 0,5mA 75
Utilize valores de resistores do padrão 5% de tolerância.

Tabela Apêndice G - pag. 836

Padrões de valores de resistores de 5% de tolerância

1,0 ; 1,1 ; 1,2 ; 1,3 ; 1,5 ; 1,6 ; 1,8 ; 2,0 ; 2,2 ; 2,4 ; 2,7; 3,0 ; 3,3 ; 3,6 ; 3,9 ; 4,3 ; 4,7 ; 5,1 ;
5,6 ; 6,2 ; 6,8 ; 7,5 ; 8,2 ; 9,1

Pegue o valor mais próximo e se precisar multiplique por 10n

Ex. 1,0 x 100 = 1,0 Ω ; 1,0 x 101 = 10 Ω ; 1,0 x 102 = 100 Ω ; 1,0 x 103= 1kΩ ; ......

Valor calculado → RD = 6kΩ

Valor comercial (ver tabela Apêndice G) → RD  6 ,2k

Determinando RG
Uma vez que IG = 0, RG pode ser selecionado com valor elevado, permitindo uma alta
resistência de entrada para a fonte de sinal.
1 M Ω ≤ RG ≤ 10M Ω
76
(b) Obtenha os valores reais de ID e VD . Use 4 algarismos significativos.

1 ,W
ID  kn (VGS  Vt )2
2 L
Primeiro determine o valor de VOV
VOV  VGS  Vt

1 ,W
Eq. (1) ID 
2
kn VOV
2 L

IG =0 ↓ID
← +
V  VDS ↓ ID
Do circuito → I D  DD VD = VG
RD VDS=VGS
+
VDS  VGS VGS -
-
VDD  VGS
Eq. (2) ID 
RD
77
 VDD  VGS
Eq. (2) ID  Primeiro determine o valor de VOV
RD

Como: VOV  VGS  Vt → VGS  VOV  Vt

VGS

VDD  (VOV  Vt )
Substitui VGS = VOV - Vt na Eq. (2) ID 
RD

VDD  VOV  Vt
Eq. (3) ID 
RD

Na Eq. 2 foi substituído VGS por (VOV + Vt ) , para trabalhar em termos de VOV .
Fazendo isso evita o quadrada da diferença (a - b)2

78
 VDD  VOV  Vt
Eq. (3) ID 
RD

1 ,W
ID 
2
Eq. (1) kn VOV
2 L

Eq.(1) = Eq.(3)

1 ,W V  V  Vt
kn VOV 2  DD OV
2 L RD

4 algarismos significativos
1 W
RD kn, VOV 2  VOV  VDD  Vt  0 Exs: → * 0,05678 = 56,78 x10-3 ;
2 L * 0,005678 = 56,78 x10-4
* 1,026

VOV  0,985V e VOV  1,31V

NMOS para conduzir → V OV ≥ 0 → VOV = + 0,985V

79
 VGS  VOV  Vt  1,985V

Valores reais de ID e VD IG =0 ↓ID

1 ,W ←
ID 
2
kn VOV → I D  0,485mA ↓ ID
2 L
+
V V → VGS  VDS  VD  1,993V + VDS
I D  DD GS VGS -
RD
-

valores reais: ID = 0,485 mA e VD = 1,993 V 4 algarismos significativos

Exs: → * 0,05678 = 56,78 x10-3 ;
* 0,005678 = 56,78 x10-4
* 1,026

80
 4.5.4- Polarização utilizando fonte de corrente constante
A melhor forma de polarizar um amplificador MOSFET é a que utiliza uma fonte de
corrente constante.
Implementação da fonte de corrente constante I usando um
espelho de corrente

IGG = 0
→
ID2 = I Corrigir sinal na
IG1 =0 I =0 Equação 4.51
G2
S ← →
pag. 174
↗ I ↓
fonte de V  VSS  VGS
corrente I D1  I REF  DD
constante
R

VDS  VGS - Vt

Figura 4.33 (a) Polarização do MOSFET usando fonte de corrente constante I. (b)
implementação da fonte de corrente constante I usando um espelho de corrente. 81
 Exercício 4.22
(a) Projete o circuito da Fig. 4.33(b) para ter I = 0,5 mA.
VDD = VSS = 5 V L1 = L2 e W2 / W1= 5
Vt = 1 V ;  =0 K’n (W/L)1 = 0,8 mA/V2 I Fig. 4.33(a)

Solução:
VDD  VSS  VGS
VDD  RI REF  VGS  VSS  0 R
I REF
IREF IGG = 0
Como IG = 0 → IREF = ID1 = ? →
ID2 = I
ID1 IG1 =0 I =0
G2
← →
Q1 → VD = VG → VGD = 0 → VGD  Vt → está na saturação +
VGS
-
1 , W 
Eq. (1) I REF  I D1  kn   VOV 2 VOV  VGS  Vt
2  L 1
Fig. 4.33(b)

Q2→ tem o mesmo VGS que Q1. Vamos supor que Q2 esteja operando na região de
saturação
Eq. (2) 1 W  VOV  VGS  Vt
I  I D 2  kn,   VOV 2
2  L 2
82
 Dividindo (2) e (1): 1 , W 
Eq. (2) I  I D 2  kn   VOV 2
I = 0,5 mA 2  L 2
I

W L2 1 , W 
L1 = L2 e W2/W1= 5 I REF  I D1  kn   VOV 2
I REF W L 1 Eq. (1)
2  L 1
W2 I 0,5mA
I  I REF I REF  I REF   0,1mA
W1 5 5

VDD  VSS  VGS 5  5  VGS

R  K’n (W/L)1 = 0,8 mA/V2
I REF 0 ,1mA

Primeiro determine o valor de VOV . Não esquecer do 

↓ ↓ ↓
1 W  2 I REF
I REF  I D1  kn,   VOV 2 → VOV   0 ,5V VOV  0 ,5V
2  L 1
k 'n ( W L )1

***NMOS para conduzir → VOV ≥ 0 → VOV = + 0,5V Vt = 1 V

VGS  VOV  Vt  1,5V VGS  1,5V

10  1,5
Portanto: R  85K
0 ,1mA
83
(b) Qual é a tensão nas portas de (VG) Q1 e Q2?

Solução:
Onde:
VGS  VG  VS
VGS  1,5V
VG  VGS  VS VS  VSS  5V VD2
+
VG  1,5  (5)  3,5V VG +
- VS = -VSS
-

(c) Qual é a menor tensão possível no dreno de Q2 (VD2) de forma que ele permaneça na
região de saturação?
Onde:
Solução:
VG  3,5V
VGD 2  Vt VG  VD 2  Vt VD2  VG  Vt Vt  1V

VD2  3,5  1 VD2  4,5V VD2 min  4,5V

84
 Tabela de fórmulas
NMOS tipo enriquecimento
Para conduzir VGS  Vt ou VOV  0 onde VOV = VGS – Vt
Região de triodo: VDS  VGS – Vt ou VGD  Vt Região de saturação: VDS  VGS – Vt ou VGD  Vt

W  1 , W 
I D  kn, 
1
[(VGS  Vt )VDS  VDS ]
2 ID  k n  (VGS  Vt ) 2 (1  VDS )
 L  2 2  L
vDS 1 1 1 1 V
rDS    ro    A
1 W   D  D
iD v DS pequeno
vGS VGS kn,
W
( vGS  Vt )
W
kn, VOV   K 'n (VGS  Vt ) 2 
L L 2 L  VGSconstan te

kn,  nCox kn,  nCox   1 VA

PMOS tipo enriquecimento

Para conduzir VGS ≤ Vt ou VOV ≤ 0 onde VOV = VGS – Vt
Região de triodo: VDS  VGS – Vt ou VGD  Vt Região de saturação: VDS  VGS – Vt ou VGD  Vt

W  1 2 1 ,W
I D  k ,p (VGS  Vt )VDS  2 VDS  ID  k p (VGS  Vt ) 2 (1  VDS )
L 2 L
1 1 V
v
 DS 
1

1 ro    A
rDS 1 W   D  D
iD vDS pequeno
k ,p
W
( vGS
W
 Vt ) k ,p VOV  K'p (VGS  Vt ) 2 
vGS VGS
L L 2 L  VGSconstan te

k ,p   pCox k ,p   pCox   1 VA
VGS , Vt e VDS são tensões negativas no PMOS
85
Esses são os exercícios mínimos recomendados das seções do Capítulo 4
parte cc

Lista de Exercícios das seções do Capítulo 4_cc

SEÇÃO EXEMPLOS EXERCÍCIOS PROBLEMAS
Introdução
4.1 a 4.1.8 4.1
4.2 a 4.2.8 4.4, 4.5, 4.6, 4.7, 4.8 4.6, 4.7, 4.8, 4.9, 4.14
4.3 4.2, 4.3, 4.4, 4.10, 4.11, 4.12, 4.13, 4.18, 4.19, 4.20, 4.22, 4.23
4.5, 4.6 4.14, 4.15
4.4. a 4.4.3 Estudar pag. 166 a 167
4.5 e 4.5.1 4.19
4.5.2 4.9 4.20 4.29, 4.31, 4.32, 4.33
4.5.3 4.21 4.34, 4.35
4.5.4 4.22
4.5.5
Obs.:- Corrigir no Exemplo 4.1 Cox = 4,32fF/µ2m2

------------------------------------------------------------------------------
86
Problema 4.18 Problema 4.19

Figura P4.20 Figura E4.12

87
Problema 4.20 Problema 4.22

Figura P4.20 Figura 4.23a

88
Problema 4.23

Figura P4.23
89
Problema 4.29 Problema 4.31

Figura 4.30(c) Figura 4.30(c)

90
Problema 4.32 Problema 4.33

Figura 4.30(e) Figura P4.33

91
Problema 4.34 Problema 4.35

Figura 4.32 Figura P4.35

-----------------------------------------------------------------
92