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ELETRÔNICA 1
Caracterizando os Amplificadores:
𝒊𝒊 𝒊𝒐
Ganho de Tensão:
Com carga: Sem carga:
𝒗𝒊 𝒗𝒐 𝑣𝑜 𝑣𝑜
𝐴𝑣 ≡ 𝐴𝑣𝑜 ≡
𝑣𝑖 𝑣𝑖 𝑅𝐿=∞
𝑹𝒊𝒏
Ganho Total (Global) de Tensão:
Resistência de Entrada: Com carga: Sem carga:
Com carga: Sem carga: 𝑣𝑜 𝑣𝑜
𝑣𝑖 𝐺𝑣 ≡ 𝐺𝑣𝑜 ≡
𝑅𝑖𝑛 ≡
𝑣𝑖
𝑅𝑖 ≡ 𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐿=∞
𝑖𝑖 𝑖𝑖 𝑅𝐿=∞
Ganho de Corrente:
Transcondutância de curto-circuito: Com Carga: De curto-circuito:
𝑖𝑜 𝑖𝑜 𝑖𝑜
𝐺𝑚 ≡ 𝐴𝑖 ≡ 𝐴𝑖𝑠 ≡
𝑣𝑖 𝑅𝐿=0 𝑖𝑖 𝑖𝑖 𝑅𝐿=0
[ Prof. Dr. Marcos Antônio de Sousa ] [3]
[ Eletrônica Geral ] – [ Transistor Bipolar de Junção ]
Transistor Bipolar de Junção – TBJ
[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ]
Caracterizando os Amplificadores:
Resistência de Saída do Amplificador característico:
𝑣𝑥
𝑅𝑜 ≡
𝒗𝒊 =0 𝒗𝒙
𝑖𝑥 𝑣 𝑖=0
𝑹𝒐
Resistência de Saída:
𝒗𝒊 𝒗𝒙 𝑣𝑥
𝑅𝑜𝑢𝑡 ≡
𝑖𝑥 𝑣 𝑠𝑖𝑔=0
𝒗𝒔𝒊𝒈 =0 𝑹𝒐𝒖𝒕
𝑅𝐿
𝐴𝑣 =𝐴𝑣𝑜
𝑅𝐿 +𝑅𝑜
𝐴𝑣𝑜 = 𝐺𝑚 𝑅𝑜
𝑅𝑖𝑛 𝑅
𝐺𝑣 = 𝐴𝑣𝑜 𝐿
𝑅𝑖𝑛 +𝑅𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐿 +𝑅𝑜
𝑅𝑖𝑛
𝐺𝑣𝑜 = 𝐴
𝑅𝑖𝑛 +𝑅𝑠𝑖𝑔 𝑣𝑜
𝑅𝐿
𝐺𝑣 = 𝐺𝑣𝑜
𝑅𝐿 +𝑅𝑜𝑢𝑡
Dados:
VCC = VEE = 10 [V]
I = 1 [mA]
RB = 100 [k],
RC = 8 [k]
= 100
𝒗𝒊
VA = 100 [V]
𝒗𝒊 gm = 40 [mA/V]
rπ = 2,5 [k]
ro = 100 [k]
re = 25 []
𝑹𝒊𝒏 𝑹𝒊𝒃 𝑹𝒐𝒖𝒕
𝑣𝑖 = 100
𝑅𝑖𝑛 ≡
𝑖𝑖
Resistência de Entrada – Rin :
Exemplo:
v v
Rin i RB // Rib sendo Rib b RB 100 [k] r 2,5 [k]
ii ib
Para o emissor aterrado resulta Rib r Rin RB // r
Rin 100 // 2,5 [k]
Logo Rin RB // r RB //( 1) re
Rin 2,439 [k]
Geralmente escolhe-se RB r vi
Assim Rin r ( 1)re Rin Rib r 2,5 [k]
ii
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[ Eletrônica Geral ] – [ Transistor Bipolar de Junção ]
Transistor Bipolar de Junção – TBJ
[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ] Configuração EMISSOR COMUM:
Rsig = 5 [k]
Amplificadores de Estágio Simples: RB = 100 [k]
𝒊𝒊 𝒊𝒃 𝒊𝒄 𝒊𝒐 RC = 8 [k]
RL = 5 [k]
𝒗𝒐
VA = 100 [V]
gm = 40 [mA/V]
𝒗𝒊 rπ = 2,5 [k]
ro = 100 [k]
re = 25 []
= 100
𝑹𝒊𝒏 𝑹𝒊𝒃 𝑹𝒐𝒖𝒕
𝑣𝑜 Exemplo:
𝐴𝑣𝑜 ≡
Ganho de Tensão – Avo : 𝑣𝑖 𝑅 𝐿=∞ ro // RC 100 // 8 [k]
v r ro // RC 7,407 [k]
v ( RB // r )
que para RB r resulta Av 40 (7,407 // 5)
vsig ( RB // r ) Rsig vsig r Rsig Av 119,40 [V/V]
Avo 40 7,407
Av vo / vi sendo v vi e na saída Av gm (ro // RC // RL )
Avo 296,28 [V/V]
Avo é o ganho de tensão em circuito aberto (RL = ) ro∞:
𝑣𝑜 Avo 40 8
𝐴𝑣𝑜 ≡ Avo g m (ro // RC )
𝑣𝑖 𝑅𝐿=∞ Avo 320 [V/V]
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[ Eletrônica Geral ] – [ Transistor Bipolar de Junção ]
Transistor Bipolar de Junção – TBJ
[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ] Configuração EMISSOR COMUM:
Amplificadores de Estágio Simples: Rsig = 5 [k]
RB = 100 [k]
𝒊𝒊 𝒊𝒃 𝒊𝒄 𝒊𝒐 RC = 8 [k]
RL = 5 [k]
𝒗𝒐
VA = 100 [V]
𝒗𝒊 gm = 40 [mA/V]
rπ = 2,5 [k]
ro = 100 [k]
re = 25 []
𝑹𝒊𝒏 𝑹𝒊𝒃 𝑹𝒐𝒖𝒕 = 100
𝑣𝑥
𝑅𝑜𝑢𝑡 ≡ Exemplo:
Resistência de Saída – Rout : 𝑖𝑥 𝑣𝑠𝑖𝑔=0
Pelo equivalente de Thévenin: Rout RC // ro Rout ro // RC
Rout 100 // 8 [k]
e para ro RC ro resulta Rout RC
Rout 7,407 [k]
Equivalente de Thévenin:
Tira RL ro∞:
Aplica uma fonte de tensão vx no terminal de vo
Faz vsig= 0 ii =0 ib=0 vπ = rπib=0 Fonte de corrente aberta Rout 8 [k]
Determina ix oferecida pela fonte vx
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Transistor Bipolar de Junção – TBJ
[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ] Configuração EMISSOR COMUM:
Amplificadores de Estágio Simples: Rsig = 5 [k]
RB = 100 [k]
𝒊𝒊 𝒊𝒃 𝒊𝒄 𝒊𝒐 RC = 8 [k]
RL = 5 [k]
𝒗𝒐
VA = 100 [V]
𝒗𝒊 gm = 40 [mA/V]
rπ = 2,5 [k]
ro = 100 [k]
re = 25 []
𝑹𝒊𝒏 𝑹𝒊𝒃 𝑹𝒐𝒖𝒕 = 100
𝑔𝑚 𝑣𝜋 = 𝛽𝑖𝑏
Exemplo:
Ganho de Corrente – Ais :
𝑖𝑜
𝐴𝑖𝑠 ≡ Ais 40 100 // 2,5
𝑖𝑖 𝑅 𝐿=0
Ais 97,56 [A/A]
RB >> rπ :
Ais 40 2,5
Ais 100 [A/A]
vi 𝑅𝑖𝑛 ≡
R R // R 𝑖𝑖 VA = 100 [V]
in B ib gm = 40 [mA/V]
ii rπ = 2,5 [k]
vi ro = 100 [k]
Rib re = 25 []
ib = 100
Exemplo:
vi ie (re RE ) Determine RE para Rin=4Rsig:
Rin RB //( 1)(re RE ) 20[k]
i 𝑅𝐸
ib (1 )ie e ( 1)(re RE ) 25[k]
1
vi 25[k]
Rib ( 1)(re RE ) RE re A inclusão de
ib ( 1) RE eleva Rin de
um fator
Rin vi / ii RB //( 1)(re RE ) RE 225[] (1+g R )
m E
Exemplo:
vx
Rout RC
ix
Rout 8,0[k]
VA = 100 [V]
gm = 40 [mA/V]
vi ie (re RE ) rπ = 2,5 [k]
r = 100 [k]
RE 225[] ro = 25 []
e
= 100
Exemplo:
RC
Avo
re 1 RE / re Av 12,307 [V / V ]
g m RC Avo 31,680 [V / V ]
vo ie ( RC // RL ) Avo
𝑅𝐸
1 RE / re
vo ( RC // RL )
Av g R
vi re RE Sem carga RL:
Avo m C
1 g m RE A inclusão de RE
( R // RL ) RC v re 1
reduz o Ganho
Av C Avo de Tensão de
re RE re RE vi re RE 1 g m RE um fator (1+gmRE)
Exemplo:
Rin 20 [k]
Rsig 5 [k]
𝑅𝐸
Rin ( RC // RL ) Av 12,307 [V / V ]
vi
Rin Gv
vsig Rin Rsig Rsig Rin re RE 20
Gv 12,307
20 5
v v v v ( RC // RL )
Gv o i o i Av Gv Gv 9,845 [V / V ]
vsig vsig vi vsig Rsig ( 1)(re RE )
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Transistor Bipolar de Junção – TBJ
[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ]
Configuração EMISSOR COMUM com RE:
Amplificadores de Estágio Simples: Rsig = 5 [k]
𝑖𝑜 RB = 100 [k]
Ganho de Corrente – Ais : 𝐴𝑖𝑠 ≡ RC = 8 [k]
vi 𝑖𝑖 𝑅 𝐿=0 RL = 5 [k]
Rin RB // Rib
ii VA = 100 [V]
Rin vi / ii RB //( 1)(re RE ) gm = 40 [mA/V]
rπ = 2,5 [k]
vi ie (re RE ) RE 225[] ro = 100 [k]
re = 25 []
= 100
Exemplo:
Rin 20 [k]
0,99 20k
Ais
𝑅𝐸 25 225
Ais 79,20 [ A / A]
io ie e ii vi / Rin
Para RB r Resulta:
io Rin ie Rin ( RB // Rib ) ( 1)(re RE )
Ais Ais
ii vi re RE re RE re RE
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Transistor Bipolar de Junção – TBJ
[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ]