UNIVERSIDADE FEDERAL DA INTEGRAÇÃO LATINOAMERICANA

JHOAN PÉREZ VARGAS

RODOLFO TALAVERA

TRABAJO TEORICO Y EXPERIMENTAL DE

PROPIEDADES ELECTRICAS

FOZ DE IGUAZU
2019
Contenido
CONDUCION ELECTRICA ................................................................................................ 4

Ley de ohm .................................................................................................................... 4

Conductividad eléctrica .................................................................................................. 4

Conductividad electrónica e iónica ................................................................................. 5

Estructura de bandas de energía de los solidos ............................................................. 5

Condición en términos de bandas y modelos de ligación atómica .................................. 7

Movilidad electrónica ..................................................................................................... 8

Resistividad eléctrica de los metales............................................................................ 10

Influencia de la temperatura ..................................................................................... 10

Influencia de las impurezas ...................................................................................... 11

Influencia de la deformación plástica........................................................................ 11

Características eléctricas de ligas comerciales ............................................................ 11

SEMICONDUCTIVIDAD .................................................................................................. 12

Hueco .......................................................................................................................... 12

Semiconducción intrínseca .......................................................................................... 12

Semiconducción extrínseca ......................................................................................... 13

Dependencia de la concentración del portador en la temperatura. ............................... 14

Efecto Hall ................................................................................................................... 15

Dispositivos semiconductores ...................................................................................... 16

El transistor .................................................................................................................. 18

CONDUCCIÓN ELÉCTRICA EN CERÁMICAS IÓNICAS Y EN POLÍMEROS ................. 19

Conducción en materiales iónicos ................................................................................ 19

Propriedades eléctricas dos polímeros ........................................................................ 20

Polímeros conductores ................................................................................................ 20

COMPORTAMENTO DIELÉTRICO ................................................................................. 20

Capacitancia ................................................................................................................ 21

Vectores de campo y polarización ............................................................................... 22

Materiales dieléctricos.................................................................................................. 25
CONDUCION ELECTRICA

Ley de ohm

Una de las propiedades eléctricas más importantes de un material solido es la facilidad con
la cual este transmite una corriente eléctrica. postulada por el físico y matemático alemán
Georg Simon Ohm, es una ley básica de los circuitos eléctricos la cual relaciona la corriente
𝑰 y el voltaje 𝑽 de la siguiente manera:

𝑉 =𝐼∗𝑅 (1)

en donde 𝑹 es la resistencia del material a través del cual pasa la corriente y su valor para
los metales y para casi todos los otros conductores es constante; esto es, no depende de
la cantidad de corriente y es influenciado solo por la configuración de la muestra.

La resistividad electica 𝜌 es independiente de la geometría, pero está relacionado con el

valor de 𝑅 por la expresión:
𝑅∗𝐴 𝑉∗𝐴
𝜌= = (2)
𝑙 𝐼∗𝑙

donde 𝒍 es la distancia entre los puntos en los cuales es

Figura 1 Parámetros de la resistividad
eléctrica
Conductividad eléctrica
aplicada la diferencia de potencial y 𝑨 es el área de
sección transversal que es perpendicular a la dirección
del flujo de la corriente, como visto en la figura 1.

La conductividad eléctrica 𝜎 es usada para especificar la naturaleza eléctrica de un

material, y es dada como el inverso de la resistividad:
1
𝜎=𝜌 (3)

La ley de Ohm originalmente es expresada en términos de la densidad de corriente y su

relación con el campo eléctrico aplicado, esto por:

𝐽 =𝜎∗𝐸 (4)

Donde 𝐽 = 𝐼/𝐴 es la densidad de corriente y 𝐸 es el campo eléctrico que acelera a los

electrones que se desplazan libremente por un material y es dada por:
𝑉
𝐸= 𝑙
(5)
Los materiales solidos exhiben una gran amplitud de valores de conductividad eléctrica,
extendiéndose a lo largo de hasta 27 órdenes de grandeza. De acuerdo hecho esto permite
clasificar los materiales de acuerdo con la facilidad con la cual conducen electricidad como
a seguir:

Material Orden de magnitud de conductividad

Metales ≈ 107 (Ω𝑚)−1

Aislantes 10−20 (Ω𝑚)−1 < x < 10−10 (Ω𝑚)−1

Semiconductores 10−6 (Ω𝑚)−1 < x < 10−4 (Ω𝑚)−1

Tabla 1 Clasificación de materiales según el orden de grandeza de conductividad

Conductividad electrónica e iónica

En la mayoría de los sólidos la corriente eléctrica se debe al movimiento de los electrones,

conocida como conducción electrónica, debido a la aplicación de una diferencia de
potencial, sin embargo, para materiales iónicos, es posible que iones cargados produzcan
corriente, este fenómeno es llamado conducción iónica.

Estructura de bandas de energía de los solidos

En los conductores, semiconductores y en algunos aislantes la conducción es apenas

electrónica y la magnitud de la conductividad eléctrica depende en gran medida del número
de electrones disponibles para participar en el proceso de conducción, el cual, está
relacionado con el arreglo de los estados o niveles electrónicos en relación con la energía
y la forma en la cual estos estados son ocupados.

Para cada átomo individual hay niveles discretos de energía que pueden ser ocupados por
sus electrones y que son indicados por capas designadas con números enteros (1, 2, 3, … )
y subcapas designadas con letras (𝑠, 𝑝, 𝑑, 𝑓), para los cuales existen 1, 3, 5, 7 estados
respectivamente. Los electrones en la mayoría de los átomos ocupan los estados de más
baja energía, dos electrones por estado, de acuerdo con el principio de exclusión de Pauli.

Ahora, como un sólido puede ser considerado compuesto por N átomos separados unos de
los otros, los cuales pueden estar agrupados y ligados para formar arreglos atómicos
ordenados como es encontrado en los materiales cristalinos. Cuando las distancias
interatómicas son grandes los átomos actúan como cuando están aislados, pero, si las
distancias son pequeñas los electrones del átomo interactúan y son influenciados por los
electrones y los núcleos de los átomos adyacentes. Esta influencia modifica los estados
atómicos formando una banda de energía electrónica, este comportamiento puede ser
observado en la figura 2.

Figura 2 Formación de las bandas electrónicas en función de la separación interatómica

El numero de estados en cada banda es igual al total de la contribución de todos los estados
de los N átomos. Con relación a la ocupación cada estado puede almacenar 2 electrones
que deben tener Spin opuesto, adicionalmente, las bandas contendrán los electrones que
residen en los niveles correspondientes de los átomos aislados.

Las propiedades eléctricas de los materiales solidos son consecuencia de la estructura de

bandas. Son posibles cuatro tipos de estructuras de bandas a 0 K como observado en la
figura 3.
 Figura 3 Diferentes estructuras de las bandas electronicas: a) Estructura de banda encontrada en metales
como el cobre. b) Estructura de banda encontrada en metales como el magnesio. c) Estructura de banda
caracteristica de los aislates. d) Estructura de banda encontrada en los semiconductores..

Aquí el valor de energía correspondiente al estado ocupado más elevado a 0 K es llamada

energía de Fermi 𝐸𝑓 .

Condición en términos de bandas y modelos de ligación atómica

El concepto de electrones libres es fundamental para comprender la conducción eléctrica,

este concepto hacer referencia a los electrones que poseen energía mayor a la energía de
fermi, los cuales pueden ser excitados por la acción de un campo eléctrico.

- Metales
Para que el electrón se torne libre necesita ser llevado a un nivel de energía mayor
a 𝐸𝑓 . Para los metales existen estados vacíos adyacentes al estado ocupado más
elevado, de esta forma es necesaria poca energía para promover los electrones
para los estados vacíos más bajos como visto en la figura 4.

Figura 4
Un campo eléctrico establecido es suficiente para excitar un gran número de electrones
para esos estados de conducción.

- Aislantes y semiconductores
Para el caso de aislantes y semiconductores, al tope de la banda de más alta
energía ocupada no existen estados vacíos adyacentes. Para que los electrones se
tornen electrones libres debe ser suministrada una energía equivalente al espacio
de energía que hay entre bandas 𝐸𝑒 . Este proceso es representado en la figura 5.

Figura 5: Ocupación de los estados antes y después de la excitación de los electrones

Cuanto mayor sea el valor 𝐸𝑒 , menor será la probabilidad de que un electrón de valencia
sea promovido para un estado dentro de la banda de conducción, esto resulta en una
conductividad eléctrica más baja. Este espacio es más estrecho en los semiconductores
que en los aislantes, de ahí la diferencia en sus propriedades eléctricas.

El aumento de la temperatura aumenta la energía térmica disponible para la excitación de

electrones, influyendo en el aumento de la conductividad tanto en los materiales aislantes
como en los semiconductores.

Movilidad electrónica

Cuando es aplicado un campo eléctrico los electrones libres son acelerados en dirección
opuesta al campo, de acuerdo con la teoría cuántica estos electrones no interactúan con
los átomos de la red cristalina del material. Bajo estas circunstancias el desplazamiento de
los electrones da origen a una corriente electica, la cual debería ser continuamente
creciente a lo largo del tiempo, sin embargo, es sabido que esta alcanza un valor máximo,
sugiriendo así la existencia de fuerzas de fricción las cuales se contraponen a la aceleración
debida al campo externo. Esas fuerzas de fricción resultan de la dispersión de los electrones
al interactuar con las diferentes imperfecciones de la red, haciendo que el electrón pierda
energía cinética y cambie su dirección como es representado en la Figura 6.

Figura 6 Trayectoria de un electrón e interacciones

Sin embargo, existen un movimiento resultante de los electrones en la dirección opuesta al

campo, y este flujo de carga es la corriente eléctrica.

El fenómeno de dispersión se manifiesta como una resistencia al paso de corriente, y para

una descripción de este es tenido en cuenta parámetros como la velocidad de arrastre y la
movilidad de un electrón.

La velocidad de arrastre 𝓋𝑎 representa la velocidad media de un electrón en la dirección

opuesta a la dirección del campo eléctrico 𝜀 y es proporcional al módulo de 𝜀

𝓋𝑎 = 𝜇𝑒 ∗ 𝜀 (6)

donde la constante de proporcionalidad 𝜇𝑒 es llamada movilidad electrónica.

La conductividad en la mayoría de los materiales puede ser expresa por:

𝜎 = 𝑛 ∗ |𝑒| ∗ 𝜇𝑒 (7)

donde n es el número de electrones libres por unidad de volumen.

Resistividad eléctrica de los metales

Como fue visto la resistividad es el inverso de la conductividad y es relevante discutir sobre

la conducción de los metales en función de esta.

Una vez que el aumento de los defectos cristalinos en un material aumenta la resistividad
del mismo, es importante saber que la concentración de estas imperfecciones depende de
la temperatura, de la composición y del grado de trabajo a frio de la muestra metálica.

Una demostración experimental muestra que la resistividad total de un metal es la suma de

las contribuciones de las vibraciones térmicas, de las impurezas y de la deformación
plástica, esta regla es conocida como la regla de Matthiessen y representada
matemáticamente por:

𝜌𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝜌𝑡 + 𝜌𝑖 + 𝜌𝑑 (8)

donde 𝜌𝑡 , 𝜌𝑖 , 𝜌𝑑 representa respectivamente la contribución individual de las resistividades

térmicas, de impurezas e de deformación. La influencia de estas variables sobre la
resistividad total puede ser observada en la figura 7.

Figura 7 Resistividad en función de la temperatura

Influencia de la temperatura

Para el metal puro y todas las ligas en la figura 7, la resistividad aumenta linealmente con
la temperatura encima de los -200°C. De esta forma,
 𝜌𝑡 = 𝜌0 + 𝑎𝑇 (9)

Donde 𝜌0 y 𝑎 son contantes para cada metal especifico. Esta dependencia se debe al
aumento de las vibraciones térmicas e de otras irregularidades de la red que se presentan
al aumentar la temperatura.

Influencia de las impurezas

Para las adiciones de una única impureza que forman una solución sólida, la resistividad
debido a las impurezas 𝜌𝑖 esta relacionada a la concentración de las impurezas 𝑐𝑖

𝜌𝑖 = 𝐴𝑐𝑖 (1 − 𝑐𝑖 ) (10)

En que 𝐴 es una constante independiente de la composición, la cual es una función tanto

del metal hospedero cuanto de la impureza.

Para ligas bifásicas que constan de fase 𝛼, 𝛽 la expresión (11) puede ser usada para
aproximar la resistividad

𝜌𝑖 = 𝜌𝛼 𝑉𝛼 + 𝜌𝛽 𝑉𝛽 (11)

donde 𝑉 y 𝜌 representan las fracciones volumétricas y las resistividades individuales para

las respetivas fases.

Influencia de la deformación plástica

La deformación plástica también aumenta la resistividad eléctrica como resultado del

aumento del número de discordancias que causan dispersión de los electrones. Este efecto
también está representado en la figura 7.

Características eléctricas de ligas comerciales

El cobre es el conductor metálico más utilizado debido a sus propiedades eléctricas, así
como variedades de este, como el OFHC, el cual posee bajas concentraciones de oxígeno
y otras impurezas y es producido para muchas aplicaciones eléctricas.

El aluminio con una conductividad apenas de la mitad también es con frecuencia usado
como conductor eléctrico. La plata es un mejor conductor que el cobre y el aluminio, sin
embargo, su uso es restricto debido a su alto costo.

Algunas ligas también son de común uso una vez que las composiciones no afectan en
gran medida la conductividad, por ejemplo, la liga cobre - berilio.
SEMICONDUCTIVIDAD

Hueco

En los semiconductores intrínsecos, por cada electrón excitado en la banda de conducción

queda un electrón faltante en uno de los enlaces covalentes, o en el esquema de banda,
un estado electrónico vacante en la banda de valencia, como se muestra en la Figura 7.
Bajo la influencia de un campo eléctrico, la posición de este electrón ausente en la red
cristalina puede considerarse como si se moviera por el movimiento de otros electrones de
valencia que llenan repetidamente el enlace incompleto (Figura 6). El electrón faltante de la
banda de valencia como una partícula cargada positivamente es llamada hueco.

Figura 8: Después de la excitación (los Figura 9: Para un aislante o

siguientes movimientos de electrones
libres y huecos en respuesta a un campo
eléctrico externo).
semiconductor, la ocupación de estados
de electrones después de un a
excitación electrónica desde la banda de
valencia hacia la banda de conducción,
en la que se generan un electrón libre y
un hueco

Semiconducción intrínseca

Un semiconductor intrínseco es aquel en el que el comportamiento

eléctrico se basa en la estructura electrónica inherente al metal puro. Están
caracterizados por la estructura de banda electrónica (Figura 8) a 0 K, la
banda de valencia está completamente llena y está separada de la banda
de conducción vacía por un intervalo prohibido de energía relativamente
estrecho, generalmente menor que 2 eV.

La siguiente ecuación considera los dos tipos de portadores en un

Figura 8.
10
semiconductor intrínseco, electrones libres y huecos,
 𝜎 = 𝑛|𝑒|𝜇𝑒 + 𝑝|𝑒|𝜇ℎ (12)

donde:

p es el número de huecos por metros cúbicos

μb es la movilidad de los huecos

y μb < μe para semiconductores

Para los semiconductores intrínsecos, cada electrón promovido a través del espaciamiento
entre bandas deja para atrás un agujero en la banda de valencia; de esta forma,

𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖 (13)

en que 𝑛𝑖 sería la concentración de portadores intrínsecos, así

𝜎 = 𝑛|𝑒|(𝜇𝑒 + 𝜇𝑏 ) = 𝑝|𝑒|(𝜇𝑒 + 𝜇𝑏 ) = 𝑛𝑖 = 𝑛𝑖 |𝑒|(𝜇𝑒 + 𝜇𝑏 ) (14)

Semiconducción extrínseca

Un semiconductor es extrínseco cuando las características eléctricas están dictadas por

impurezas, las cuales en pequeñas concentraciones introducen electrones o huecos en
exceso.

 Semiconducción de tipo n

Ocurre cuando un átomo, al que llamamos impureza, ocupa un lugar que otro átomo de un
metal puro, este átomo invasor tiene un electrón de valencia demás que el átomo del
material puro, este electrón sobrante queda orbitando alrededor del átomo de impureza
hasta que es excitado a causa de un campo eléctrico E y a partir de ahí queda libre
recorriendo todo el material.

Donador

La energía de enlace del electrón corresponde a la energía requerida para excitar el electrón
desde uno de estos estados de la impureza a un estado dentro de la banda de conducción.
Cada excitación suministra o dona un electrón a la banda de conducción, esta impureza así
se le denomina donador, ya que el electrón cedido por el donador es excitado a partir de un
nivel de energía de la impureza.

Cómo el número de electrones de la banda de conducción excede en mucho al número de

huecos de la banda de valencia, así para n>>p tenemos que:
 𝜎 ≅ 𝑛|𝑒|𝜇𝑒 (15)

Los electrones son transportadores mayoritarios de carga e los huecos son transportadores
minoritarios de carga.

 Semiconducción de tipo p

Contrario a lo que ocurre en el caso de tipo n, En el tipo p la impureza tiene un déficit de un

electrón, por lo tanto, lleva consigo un hueco el cual es llenado con un electrón del metal
puro. Este hueco intercambia constantemente lugar con los electrones de del material puro
y participa de la conducción análogamente como lo hace el electrón excitado en el tipo p.

Al crearse un hueco en la banda de valencia por la excitación térmica de un electrón desde

la banda de valencia hasta el estado electrónico de la impureza. En una transmisión así se
produce sólo un trasportador: un hueco en la banda de valencia no crea un electrón libre
en el nivel de impureza ni tampoco en la banda de conducción, una impureza de este tipo
se llama aceptor, porque es capaz de aceptar un electrón de la banda de valencia, dejando
detrás un electrón.

La concentración de los huecos es mucho mayor que la de los electrones, así para p>>n,
tenemos que:

𝜎 ≅ 𝑝|𝑒|𝜇ℎ (16)

Dopado

Para materiales muy puros con concentraciones en la orden de 10−7% at se añaden

concentraciones controladas de donadores y aceptores

Dependencia de la concentración del portador en la temperatura.

La conductividad eléctrica aumenta con el aumento de la temperatura. El número de

electrones aumenta y huecos aumenta con la temperatura debido a que hay más energía
térmica disponible para excitar electrones desde la banda de valencia a la banda de
conducción, en cambio, los valores de las movilidades (𝜇ℎ , 𝜇𝑒 ) de los electrones y huecos
disminuyen ligeramente con la temperatura como resultado de una dispersión más efectiva
de los electrones y huecos por las vibraciones térmicas aunque no contrarrestan el aumento
de n y p lo que en fin al aumentar la temperatura hará aumentar la conductividad.
 Así la relación entre conductividad (𝜎) y temperatura (𝑇) será dada por:

𝑔 𝐸
ln 𝜎 ≅ 𝐶 − 2𝑘𝑇 (17)

Siendo C una constante independiente de la temperatura,

𝐸𝑔 el intervalo prohibido de energía y

𝑘 la constante de Boltzmann.

Al aumentar la temperatura, el aumento de n y p es

mucho mayor que la disminución de 𝜇𝑒 y 𝜇ℎ , la
dependencia de la concentración de transportadores
respecto a la temperatura para el comportamiento
intrínseco es virtualmente la misma que la
conductividad, o sea
𝐸 𝑔
ln 𝑛 = ln 𝑝 ≅ 𝐶 ′ − 2𝑘𝑇 (18)

𝐶 ’ siendo una constante independiente de T y diferente

de 𝐶.

Figura 119: Concentración del portador

intrínseco (escala logarítmica) en función de
la temperatura para Germanio y Silicio.

Figura 12

Efecto Hall

Para hacer una medida de conductividad es necesario medir el efecto Hall el cual es el
resultado del fenómeno por el cual un campo magnético aplicado perpendicularmente a la
dirección del movimiento de una partícula cargada ejerce una fuerza sobre la partícula que
es perpendicular tanto al campo magnético como a la dirección del movimiento de la
partícula.

Para visualizar el efecto Hall, diseñamos un

paralelepípedo donde se aplica la regla de la mano
derecha: si un campo es aplicado en la dirección z
(𝐵𝑧 ) y si la corriente resultante es en la dirección x
( 𝐼𝑥 ) la fuerza resultante será en la dirección y.

Tal fuerza ejercerá una diferencia de potencial al cual

llamaremos Voltaje de Hall 𝑉𝐻 , que será de la misma
dirección, siendo definida como:
𝑅𝐻 𝐼𝑥 𝐵𝑧
𝑉𝐻 = 𝑑
(19)

Figura 13: Demostración

esquemática del efecto Hall.
Transportadores de carga positivos Siendo 𝑅𝐻 denominado coeficiente de Hall, que
y/o negativos que forman la corriente
dependerá de cada material y 𝑑 es la espesura del
𝐼𝑥 son derivados por el campo
magnético 𝐵𝑧 lo cual origina el voltaje paralelepípedo. En los metales 𝑅𝐻 es negativa e
Hall.
igual a:
1
𝑅𝐻 = 𝑛|𝑒| (19)

Siendo 𝑒 la carga de electrón.

A partir de la ecuación (7) la movilidad electrónica, 𝜇𝑒 , es:

𝜎
𝜇𝑒 = 𝑛|𝑒| (20)

𝜎
𝜇𝑒 = 𝑛|𝑒| (21)

Y por la ecuación (19) sería:

𝜇𝑒 = |𝑅𝐻 |𝜎 (22)

Dispositivos semiconductores

También denominados dispositivos de estado sólido, por sus propiedades únicas permite
su utilización en dispositivos para realizar funciones electrónicas específicas. Algunas
ventajas. Algunas ventajas de los dispositivos semiconductores son su pequeño tamaño, lo
que ha dado lugar a la miniaturización de circuitos; su bajo consumo de potencia y su rápida
respuesta.

Unión rectificadora p – n

Un rectificador, o diodo, es un dispositivo electrónico que permite el paso de la corriente en

una sola dirección; por ejemplo, un diodo transforma una corriente alterna en una corriente
continua. La unión 𝑝 − 𝑛 se construye a partir de un semiconductor de modo que un lado
sea de tipo p y del otro lado sea de tipo n (Figura 11). No es recomendable unir un material
de tipo n y otro de tipo p puesto que la presencia de una superficie entre los bloques produce
un dispositivo muy deficiente.

Antes de aplicar un potencial, los huecos serán los trasportadores mayoritarios en el lado p
y los electrones predominarán en el lado n.

Figura 14.

Al aplicar un potencial con polaridad directa, o sea n con lado negativo y p con el lado
positivo de la batería, los huecos en el lado p y los electrones en el lado n son atraídos
hacia la unión, cuando se ponen en contacto se aniquilan unos con otros, así:

electrón + hueco → energía

Figura 14.

Al aplicar un potencial un potencial con polaridad inversa, o sea contrario a la polaridad

directa, los elementos de cada lado son rápidamente desplazados lejos de la unión.
 Figura 15

El transistor

Los transistores son semiconductores que tienen dos principales funciones, primero,
pueden amplificar una señal eléctrica y segundo, sirven de dispositivo de comunicación en
ordenadores para el procesado y almacenamiento de la información.

 Tipos de transistores

Transistores de unión: Está formado por dos uniones p-n colocadas en una configuración
n-p-n o bien p-n-p, en esta última el circuito es de un formato en el que en un extremo del
transistor se conecta un potencial directo y en el otro un potencial inverso.

Distribución de huecos y electrones:

 Sin potencial aplicado:

Figura 16

 Con potencial aplicado:

Figura 17
Transistor de efecto de campo (MOSFET): Las componentes de un MOSFET generalmente
son de substrato de silicio, una de tipo n y otra de tipo p y dióxido de silicio por oxidación
de silicio.

A través de un campo magnético un solo tipo de transportador circula a través del aparato.

Figura 19

CONDUCCIÓN ELÉCTRICA EN CERÁMICAS IÓNICAS Y EN POLÍMEROS

La mayoría de los polímeros y las cerámicas iónicas son materiales aislantes a temperatura
ambiente, por lo tanto, tiene una estructura de banda de energía como la
presentada en la figura 22, en donde la banda de valencia, la cual está
ocupada, está separada de la banda de conducción (vacía) por un
espacio entre bandas relativamente grande. De esta forma a temperatura
ambiente son pocos los electrones que puede ser excitados por la
energía térmica disponible y en consecuencia otorgando valores bajos de
conductividad a estos materiales. Esta propiedad es deseable cuando
estos materiales son seleccionados para brindar aislamiento debido a su
Figura 20: banda típica
alta resistividad. en polímeros y
cerámicas
Con el aumento de la temperatura, los materiales aislantes presentan un
aumento de la conductividad eléctrica.

Conducción en materiales iónicos

Debido a que los cationes y aniones poseen carga eléctrica, ante la presencia de un campo
eléctrico estos son influenciados tal que son capaces de migrar y difundirse. De esta forma,
una corriente surge y aportara a la corriente debida al movimiento de los electrones. Por lo
tanto, la conductividad total 𝜎𝑇 estará dada por:

𝜎𝑇 = 𝜎𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑖𝑐𝑎 + 𝜎𝑖𝑜𝑛𝑖𝑐𝑎 (23)

Cualquiera de estas contribuciones puede ser predominante en dependencia del material,
su pureza y temperatura.

Es posible asociar una movilidad 𝜇𝐼 asociada a cada una de las especies iónicas, d la
siguiente manera:
𝑛𝐼 𝑒𝐷𝐼
𝜇𝐼 = 𝑘𝑇
(24)

En que 𝑛𝐼 y 𝐷𝐼 representan la valencia y el coeficiente de difusión respectivamente. De esta

forma la conductividad aumenta en función del aumento de la temperatura. Con todo esto,
la mayoría de los materiales iónicos permanece aislantes aun a elevadas temperaturas

Propriedades eléctricas dos polímeros

La mayoría de los polímeros son malos conductores debido a la poca disponibilidad de

electrones libres. El mecanismo de conducción eléctrica aun no es bien comprendido.

Polímeros conductores

Fueron sintetizados materiales poliméricos con conductividades eléctricas compatibles a

aquellas de los conductores metálicos. Las conductividades obtenidas fueron tan elevadas
cuanto 1,5𝑥107 (Ω𝑚)−1 ; en términos de volumétricos, ese valor corresponde a un cuarto el
valor de conductividad del cobre, pero en términos de peso corresponde a dos veces su
conductividad.

Este fenómeno es observado en polímeros como el poliacetileno, el poliparafenileno, el

polipirrol e la polianilina. Estos contienen en su cadena un sistema que alterna las ligaciones
simples y dobles y/o unidades aromáticas. Estos polímeros se tornan conductores cuando
son dopados de impurezas apropiadas y como ocurre en los semiconductores, estos
dopajes puede ser tipo p o tipo n, dependiendo del dopante. Sin embargo, al contrario de
los semiconductores los átomos o moléculas del material dopante no sustituyen ninguno de
los átomos del polímero.

COMPORTAMENTO DIELÉTRICO

Un dieléctrico es un aislador eléctrico que presenta una estructura eléctrica dipolar, o sea,
hay una separación entre una parte positiva y otra negativa a nivel atómico. Los materiales
dieléctricos son utilizados en condensadores.
Capacitancia

Cuando se aplica un voltaje a través de un condensador, una placa cargada positivamente

y la otra negativamente, con el correspondiente campo eléctrico dirigido desde la placa
positiva a la negativa. La capacitancia 𝐶 está relacionada con la carga 𝑄 almacenada en
cualquiera de las placas mediante
𝑄
𝐶=𝑉 (24)

Donde V es el voltaje aplicado a través del condensador.

Figura 21 Figura 22

Considerando un condensador de placas paralelas con vacío en la región entre las placas
(Imagen izquierda). La capacitancia 𝐶 se obtiene así
𝐴
𝐶 = 𝜖0 𝑙 (25)

Donde 𝐴 es el área de las placas, 𝑙 la distancia entre ellas y 𝜖0 siendo la permeabilidad del
vacío.

Si un dieléctrico es insertado entre las placas la ecuación es siguiente

𝐴
𝐶=𝜖 (27)
𝑙

donde 𝜖 es la permeabilidad de este dieléctrico, que siempre será mayor que 𝜖0 .

La permeabilidad relativa 𝜖𝑟 , también llamada constante dieléctrica, se define como

𝜖
𝜖𝑟 = 𝜖 (28)
0

siendo mayor que 1, representa el aumento de la capacidad de almacenar carga por

inserción un dieléctrico entre as placas.
Vectores de campo y polarización

Como se muestra en la figura abajo, un dipolo se caracteriza por dos cargas opuestas de
igual magnitud (− 𝑞 𝑦 + 𝑞 ) separas a una distancia 𝑑 en donde a cada dipolo se le asocia
un vector momento dipolar 𝑝 en que

𝑝 = 𝑞𝑑 (29)

El sentido de tal vector momento es de la carga negativa a la positiva.

El proceso de polarización ocurre cuando el dipolo es orientado a través fuerza que surge
en presencia de un campo eléctrico 𝐸 cuya dirección será la misma que la fuerza resultante
de dicho campo.

La densidad de carga superficial D de un condensador es proporcional al campo eléctrico.

En el vacío será

𝐷0 = 𝜖0 𝐸 (30)

y en la presencia de un dieléctrico

𝐷 = 𝜖𝐸 (31)

Para el aumento de la capacitancia consideremos el

condensador de la Figura 23, sea en el vacío, una placa
con carga +𝑄0 y otra con carga −𝑄0 , ahora todo sólido
dieléctrico se polariza cuando introducido entre las placas
y es aplicado un campo Figura 24.

Figura 23
 Figura 24

Como resultado se produce una acumulación de carga

negativa de magnitud −𝑄 ’ en la superficie dieléctrica cerca
de la placa cargada positivamente y de +𝑄 ’ cerca de la placa
cargada negativamente. La carga inducida a partir del
dieléctrico (−𝑄 ’ o +𝑄 ’ ) anula parte de la carga que
originalmente existía sobre la placa en la situación de vacío
Figura 25
(−𝑄0 o +𝑄0 ). El voltaje aumenta la carga en placa negativa
en una carga −𝑄 ’ y la otra en +𝑄 ’ . Por tanto, la nueva carga en cada placa es 𝑄0 + 𝑄 ’ , como
se ve en la Figura 25.

Con la presencia de un dieléctrico la densidad de carga superficial también es definida

como:

𝐷 = 𝜖0 𝐸 + 𝑃 (32)

Donde 𝑃 es la polarización vista anteriormente.

P también puede considerarse como el momento dipolar total por unidad de volumen del
dieléctrico, o como un campo eléctrico de polarización:

𝑃 = 𝜖0 (𝜖𝑟 − 1)𝐸 (33)

Tipos de polarización
 Polarización electrónica: Proviene del desplazamiento de la nube electrónica del
átomo a causa de un campo eléctrico.

Figura 26

Polarización iónica: Se caracteriza por el desplazamiento de cationes en una

dirección y aniones en otra. La magnitud del momento dipolar para cada par de iones 𝑝𝑖 es
igual al producto del desplazamiento relativo 𝑑𝑖 y a carga en cada ion, o sea:

𝑝𝑖 = 𝑞𝑑𝑖 (34)

Figura 27. Polarización antes y después.

Polarización de orientación: Se origina por una rotación de los momentos

permanentes en la dirección del campo aplicado. La polarización disminuye con el aumento
de la temperatura.

La polarización 𝑃 se define como la suma de las polarizaciones anteriores:

𝑃 = 𝑃𝑒 + 𝑃𝑖 + 𝑃𝑜 (35)

𝑃𝑒 polarización electrónica

𝑃𝑖 polarización iónica

𝑃𝑜 polarización de orientación.
Materiales dieléctricos

Alto grado de estabilidad dimensional y resistencia a la tracción son algunos de los

requerimientos para un dieléctrico efectivo. La Titania (𝑇𝐼𝑂2 ) y las cerámicas basadas en el
titanato, tales como el titanato de bario (𝐵𝑎𝑇𝑖𝑂3 ), pueden elaborarse constantes dieléctricas
muy altas, lo cual las hace muy útiles para las aplicaciones en condensadores.

Figura 28: Una celda unitaria de titanato de bario (BaTiO3) (izquierda)

en una proyección isométrica, y (derecha) mirando una cara, muestra
los desplazamientos de iones Ti4 y O2 desde el centro de la cara.

REFERENCIAS

William D. Callister, David G. Rethwisch, Materials Science and Engineering: An

Introduction [9 ed.]