Arquitectura de Computadoras

Arquitectura de Computadoras
Semana 02: Memoria
Semana 02 – Memoria Miguel A. Torres Lázaro

Temario:
– Definición de memoria
– Memoria volátil y no volátil
– ROM y RAM
– Tecnologías de ROM
– Tecnologías de RAM
– Decodificación de direcciones en memorias
– Medios magnéticos
– Otras tecnologías de almacenamiento
– Jerarquía de memoria en una computadora
– Memoria caché
– Memoria principal
– Memoria externa

1.- TECNOLOGÍAS DE ALMACENAMIENTO
1.1.- Memoria
¿Qué es la memoria en
una computadora?

1.1.- Memoria
La memoria en una computadora se refiere al hardware (circuitos integrados) que almacena

información para su uso inmediato. La memoria también recibe el nombre de “memoria
principal” o “almacenamiento primario”.
Dentro de los parámetros más importantes para evaluar el rendimiento de una memoria
tenemos: capacidad de la memoria, velocidad de la memoria y organización de la memoria.
La capacidad de la memoria es el número de bits que un chip semiconductor de memoria

puede almacenar. A pesar de que la capacidad de memoria de un circuito integrado se
expresa en bits, la capacidad de memoria de una computadora se expresa en bytes.
La velocidad de la memoria es la rapidez con la cual se puede acceder a la información

almacenada en la memoria (lectura). La velocidad de la memoria es comúnmente llamada
“tiempo de acceso”. Dependiendo de la tecnología empleada, este tiempo puede variar desde
unos cuantos nanosegundos hasta cientos de nanosegundos.
La organización de la memoria indica como los chips de memoria se encuentran

internamente organizados en un número de ubicaciones. Cada ubicación puede almacenar
1bit, 4 bits, 8 bits o incluso 16 bits, dependiendo del diseño interno.

1.1.- Memoria
Prefijos empleados en computación para expresar capacidad de memoria.

1.1.- Memoria
1K Memoria 1K Memoria 1K Memoria
Bit 1 Byte 1 Word 1

Bit 2 Byte 2 Word 2
Bit 3 Byte 3 Word 3
Bit 1024 Byte 1024 Word 1024
Ejemplos de memoria con 1024 ubicaciones de almacenamiento.

1.1.- Memoria
8 bits
000h
Memoria
01
3FFh
Ejemplo de memoria de 1K x 8 bits.

1.1.- Memoria
16 bits 8 bits 8 bits

000h 000h 000h
Memoria
03
Memoria
Memoria 02
1FFh
01
25Fh
FFFh
Determinar la capacidad de las memorias 01, 02 y 03.

1.2.- Clasificación de memorias
Se han desarrollado diversas tecnologías para la fabricación de memorias, cada una con
ventajas y desventajas (dependiendo de la aplicación). Por sus características, las memorias
pueden ser clasificadas en grupos.
Por el trabajo que requiere borrar y escribir datos en una unidad de memoria, ésta puede
clasificarse dos grupos: memoria de solo lectura (ROM) y memoria de acceso aleatorio
(RAM).
Por la vigencia de los datos luego de haber retirado la energía eléctrica a la unidad de
memoria, ésta puede clasificarse en dos grupos: memoria volátil y memoria no-volátil.

Memoria volátil
 Los datos permanecen almacenados en la memoria

siempre y cuando ésta se encuentre energizada, es decir,
conectada al voltaje de alimentación correspondiente. Si
se retira el suministro de energía, entonces los datos se
pierden.
Memoria no-volátil
 Los datos permanecen almacenados en la memoria

independientemente de si ésta se encuentra o no
energizada. Se emplea este tipo de memoria para
almacenar datos de configuración y para realizar
monitoreo de eventos.

Memoria de acceso aleatorio (RAM)
 Almacena información temporal que puede cambiar a

través del tiempo.
 Se puede leer y escribir fácilmente sobre ella.
 Los datos almacenados se pierden cuando se retira la
energía del sistema (memoria volátil).
Memoria de solo lectura (ROM)
 Almacena información que es fija (sin cambio) y

permanente.
 Es de sólo lectura (borrar y escribir datos requiere un
procedimiento especial).
 Los datos almacenados se mantienen aún cuando se
retira la energía del sistema (memoria no volátil).

1.3.- Memorias de solo lectura (ROM)
PROM (Programmable ROM)

Es el tipo de memoria ROM en donde el usuario puede almacenar información. En otras
palabras, PROM es una memoria programable por el usuario (en contraste con otras
memorias ROM que son programadas en fábrica). Para cada bit de la PROM existe un
fusible. Una PROM es programada “quemando” fusibles. Si la información “quemada” en la
PROM es errónea, la memoria debe ser descartada ya que los fusibles se queman de forma
permanente. Por esta razón la PROM es también conocida como memoria OTP (one time
programmable). Programar una ROM requiere un equipo especial llamado programador o
quemador de ROM.
Circuito integrado de PROM.

EPROM (Erasable Programmable ROM)

La EPROM fue inventada para permitirle al usuario cambiar el contenido de la PROM
después de qhe ésta ha sido programada. En una EPROM, el usuario puede programar y
borrar el chip de memoria miles de veces. Esto es especialmente necesario durante la etapa
de desarrollo (prototipo) de un sistema embebido. Una EPROM ampliamente usada es la
llamada UV-EPROM (EPROM Ultravioleta). El único problema con la UV-EPROM es que
borrar su contenido puede tomar hasta 20 minutos. Todos los chips UV-EPROM tienen una
ventana, a través de la cual el programador puede emitir radiación ultravioleta para borrar el
contenido del chip. Para grabar datos en la EPROM se requiere un voltaje de programación
(Vpp), el cual es de, aproximadamente, 12V.
Circuito integrado y programador de EPROM.

EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)

Las EEPROM tienen varias ventajas sobre las EPROM, como el hecho de que su método de
borrado de datos es eléctrico y, por lo tanto, no hace falta esperar el periodo extenso
requerido por la UV-EPROM. Además, en una EEPROM el usuario puede elegir el byte que
desea borrar, en contraste con la UV-EPROM, donde todo el contenido de la ROM es
borrado. Sin embargo, la principal ventaja de la EEPROM es que el usuario puede
programarla y borrar su contenido mientras ésta se encuentra en el circuito del sistema (la
UV-EPROM debía extraerse del circuito y colocarse en un programador). Finalmente, en una
EEPROM el usuario puede programar y borrar el chip de memoria hasta 1 000 000 veces.
Circuito integrado de EEPROM.

Flash EPROM
Desde principios de los 90’s las Flash EPROM se han vuelto memorias programables muy
populares entre los usuarios, por buenas razones. Primero, el borrado de todo el contenido
de la memoria toma menos de 1 segundo (de ahí su nombre, memoria Flash). Además, el
método de borrado de datos es eléctrico y, por esta razón, a este tipo de memoria también se
le llamaba Flash EEPROM. Para evitar confusión este tipo de memoria es llamada
simplemente Flash. La principal diferencia entre una memoria Flash y una EEPROM es que
cuando el contenido de una memoria Flash es borrado, éste es borrado por bloques
(formados de múltiples bytes), en contraste con la EEPROM donde el usuario puede borrar
solo los bytes que desea. Finalmente, en una memoria Flash el usuario puede programar y
borrar el chip de memoria hasta 100 000 veces.
Memoria BIOS en una tarjeta de computadora.

Mask ROM
Mask ROM se refiere a un tipo de ROM en la cual el contenido es programado por el
fabricante del circuito integrado. En otras palabras, no es una ROM programable por el
usuario. El teŕmino mask (máscara) es empleado en la fabricación de circuitos integrados.
Dado que el proceso es costoso, las Mask ROM son usadas cuando el volumen requerido es
alto (cientos de miles de unidades) y existe la certeza de que el contenido no va a cambiar
(ya que es programable solo una vez). Este tipo de memoria es usada, por ejemplo, en la
findustria de los juguetes, donde se produce en gran cantidad.
Juguete que (posiblemente) usa una Mask ROM.

Consideraciones para la ROM en la producción

Es una práctica común usar Flash o EEPROM para la fase de desarrollo de un producto
(pruebas y prototipado), y solo después que el código ha sido finalizado se ordena la versión
final en una ROM que no es programable por el usuario.
Si la producción no es muy alta (cientos de unidades), entonces se suele emplear las OTP
(PROM), por tener un menor costo que las memorias programables múltiples veces.
Si la producción es muy alta (cientos de miles de unidades), entonces se suele emplear las
Mask ROM, ya que el costo de producción es menor que cuando se usan las memorias OTP.
En conclusión, la elección final depende del volumen de producción.
Analogía: Fabricación de sillas.

1.4.- Memorias de acceso aleatorio (RAM)
SRAM (Static RAM)

Las celdas de almacenamiento en una SRAM están hechas de flip-flops y, por lo tanto, no es
necesario “refrescarlas” para que mantengan sus datos (esto contrasta con las DRAM que se
tratarán más adelante). El problema con el uso de flip-flops para celdas de almacenamiento
es que cada celda requiere que se construyan, al menos, 6 transistores (ver imagen) y la
célula almacena solo un bit de datos. Con el tiempo esta tecnología ha avanzado y ha
logrado construir celdas con 4 transistores, incrementando el rendimiento de las SRAM. Sin
embargo, la capacidad de las SRAM está todavía muy por debajo de las DRAM.
Construcción de una celda de SRAM con transistores.

NV-RAM (RAM No volátil)

Mientras que la SRAM es volátil, existe un nuevo tipo de RAM llamado NV-RAM. Como las
demás RAMs, esta memoria permite al CPU leer y escribir sobre ella, pero cuando se retira la
energía el contenido no se pierde. La NV-RAM combina lo mejor de la RAM y la ROM: la
habilidad de lectura y escritura de la RAM, más la “no volatilidad” de la ROM. Para mantener
su contenido, cada chip de NV-RAM internamente está hecho de los siguientes componentes:
células de memoria SRAM hechas con tecnología CMOS con consumo de energía extra
bajo, una batería de litio interna como fuente de energía de respaldo, circuitería de control
inteligente. Debido a los componentes que contiene es una batería bastante costosa.
Representación de una NV-RAM.

DRAM (Dynamic RAM)

En 1970, Intel Corporation introdujo al mercado la primera RAM dinámica. Su densidad era de
1024 bits y usaba un capacitor para almacenar cada bit. El usar un capacitor para almacenar
información reduce considerablemente el número de transistores requeridos para construir
una celda; sin embargo, se requiere refrescar frecuentemente el capacitor debido a la
corriente de fuga. La principal ventaja de la DRAM es que el uso de capacitores en lugar de
flip-flops hace que las DRAM tengan una gran densidad (un chip puede almacenar hasta 2
Gigabits). La principal desventaja de las DRAM es que los capacitores deben ser refrescados
de manera periódica, y mientras esto ocurre no se puede acceder a la información.
Módulos de memoria DRAM.

DRAM Mejorada
Existen muchos tipos de DRAM y nuevos tipos aparecen en el mercado con regularidad, ya
que los fabricantes tratan de mantenerse a la par son el rápido incremento en la velocidad de
los procesadores. Cada tipo está basado en céldas DRAM convencionales, con
optimizaciones que mejoran la velocidad con la cual se puede acceder a estas céldas. Entre
las versiones mejoradas tenemos: Fast page mode DRAM (FPM DRAM), Extended data out
DRAM (EDO DRAM), Synchronous DRAM (SDRAM), Double data rate synchronous DRAM
(DDR, DDR2, DDR3), Rambus DRAM (RDRAM), Video RAM (VRAM).
Aspecto físico de los módulos de memoria DDR, DDR2 y DDR3.

Problemas de empaque en la DRAM
● En la DRAM hay un problema de empaque para un gran número de celdas dentro de un

solo chip con el número normal de pines asignados a las direcciones.
● Por ejemplo: Un chip de 64K-bit (64K x 1) debe tener 16 líneas de dirección y una línea de
datos, requiriendo 16 pines para recibir la dirección si el método convencional es usado. A
esto se le debe agregar los pines de alimentación (VCC y GND) y los pines de control (leer
y escirbir).
● Usando el método convencional de acceso a los datos, el gran número de pines

requeridos impide llegar al propósito de los diseñadores de chips, que es obtener una gran
densidad con un empaque pequeño.
● Por lo tanto, para reducir el número de pines requeridos para la dirección, se emplea
multiplexación/demultiplexación. El método empleado consiste en partir la dirección en dos
y enviar cada mitad de la dirección a través de los mismos pines. Internamente la
estructura DRAM está dividida en filas y columnas: la primera mitad de la dirección es
llamada la fila y la segunda mitad es llamada la columna.

Organización de la DRAM
En el caso de una DRAM con una organización de 64Kx1, la primera mitad de la dirección es
enviada a través de los 8 pines A0-A7, y activando la señal RAS (row address strobe), los
latches internos dentro de la DRAM hacen la conexión con la primera mitad de la dirección.
Después de eso, la segunda mitad de la dirección es enviada a través de los mismos pines, y
activando la señal CAS (column address strobe), los latches internos dentro de la DRAM
hacen la conexión con la segunda mitad de la dirección. Esto resulta en el uso de 10 pines en
lugar de los 16 pines que se requerirían sin multiplexación.
Chip de DRAM de 64K x 1.

FRAM (Ferroelectric RAM)

Es un tipo de RAM no volátil con una construcción muy similar a la DRAM. La diferencia
radica en que el capacitor de almacenamiento en una FRAM usa una capa ferroeléctrica en
lugar de una capa dielectrica para alcanzar su no volatilidad. A la fecha, este es el único tipo
de RAM no volátil que se ha producido y difundido en grandes cantidades. La FRAM ofrece
propiedades que la diferencian de otro tipo de memorias no volátiles incluyendo la
extremadamente alta cantidad de ciclos de borrado/escritura que soporta (hasta 10 16),
consumo de energía ultra bajo, velocidad de escritura en un ciclo y tolerancia a la radiación
gamma.
Comparación entre tecnologías FRAM y DRAM.

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Semana 02 – Memoria Miguel A. Torres Lázaro

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1.- TECNOLOGÍAS DE ALMACENAMIENTO

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La memoria en una computadora se refiere al hardware (circuitos integrados) que almacena

La capacidad de la memoria es el número de bits que un chip semiconductor de memoria

La velocidad de la memoria es la rapidez con la cual se puede acceder a la información

La organización de la memoria indica como los chips de memoria se encuentran

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1K Memoria 1K Memoria 1K Memoria

Bit 1 Byte 1 Word 1

Bit 1024 Byte 1024 Word 1024

Ejemplos de memoria con 1024 ubicaciones de almacenamiento.

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Ejemplo de memoria de 1K x 8 bits.

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1.- TECNOLOGÍAS DE ALMACENAMIENTO

16 bits 8 bits 8 bits

Determinar la capacidad de las memorias 01, 02 y 03.

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1.2.- Clasificación de memorias

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 Almacena información temporal que puede cambiar a

Memoria de solo lectura (ROM)

 Almacena información que es fija (sin cambio) y

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1.3.- Memorias de solo lectura (ROM)

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Circuito integrado de PROM.

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1.3.- Memorias de solo lectura (ROM)

EPROM (Erasable Programmable ROM)

Circuito integrado y programador de EPROM.

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1.3.- Memorias de solo lectura (ROM)

EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)

Circuito integrado de EEPROM.

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1.- TECNOLOGÍAS DE ALMACENAMIENTO

1.3.- Memorias de solo lectura (ROM)

Memoria BIOS en una tarjeta de computadora.

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1.- TECNOLOGÍAS DE ALMACENAMIENTO