UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE ELECTROTECNIA Y COMPUTACIÓN

MICROPROCESADORES
DEPARTAMENTO SISTEMAS DIGITALES Y TELECOMUNICACIONES

Laboratorio: Dispositivos de Memoria

1. Objetivos

o Determinar la capacidad de un dispositivo de memoria con base

en sus entradas y salidas.
o Combinar IC’s de Memoria para formar módulos de Memoria
con un tamaño de Palabra más grande y/o mayor capacidad.
o Utilizar el programa Proteus para simular circuitos de memoria
ROM o memoria RAM.

2. Introducción

La memoria es un medio físico capaz de almacenar información (programas y

datos) de forma temporal o permanente. Aunque conceptualmente parezcan
sencillas, presentan una gran variedad de tipos, tecnología, estructura,
prestaciones y costos. Ninguna tecnología es óptima para satisfacer todas las
necesidades de un computador, por lo que existe una jerarquía de subsistemas
de memoria.

La capacidad de la memoria es una forma de especificar la cantidad de bits que

puede almacenar un dispositivo de memoria. La capacidad se puede expresar
como el producto: número de palabras x tamaño de la palabra o por una
cantidad específica de bits. El arreglo de las memorias indica que está
compuesta por n palabras de m bits cada una.

Cada una de estas palabras tiene asociado una dirección (código binario) para
acceder a ella para escribir o leer un dato. Las designaciones comunes para
expresar la capacidad de una memoria son:

1K = 210 = 1024
1M = 220 = 1024K
1G = 230 = 1024M
1T = 240 =1024G
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Componentes:

 Memoria Estática RAM de 2Kx8 modelo 6116

 Buffer modelo 74126
 Logic State (estados lógicos 0,1)
 Display 7 segmento BCD

3. Desarrollo

Como sabemos los pines de datos en una memoria pueden ser utilizados como
entrada o salida de un datos para realizar esta práctica es necesario conocer
cuando la memoria es utilizada para escribir o leer un dato almacenado en el
bus de direcciones.

La siguiente tabla muestra los estado control en donde la memoria esta en

operación de escritura o lectura.
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Ejemplo el siguiente circuito de memoria esta en modo de lectura de datos en

la dirección 1
Buses de Direcciones
Líneas de control

Datos de entrada para escribir en la memoria

Para escribir el numero 87 la memoria tiene que estar en modo de READ/HIGH-

Z adecuar la datos de entrada para que en el display se muestre dicho dato
para luego poner a WE en bajo ya que es en esta condición que se activa el
modo de escritura ver tabla de verdad.
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Simular el siguiente circuito de memoria

D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
0

0
U5:A U5:B U5:C U5:D U6:A U6:B U6:C U6:D

12

12
2

9
1 4 10 13 1 4 10 13 OE
3

11

D4 3

11
74126 74126 74126 74126 74126 74126 74126 74126
D0

D1

D2

D3

D5

D6

D7
A0
A0 0
A1
A1 0
A2
A2 0
A3
A3 0 U1
A0 8 9 D0
A0 D0
A1 7 10 D1
A1 D1
A4 A2 6 11 D2
A4 0 A3 5
A2
A3
D2
D3
13 D3
A5 A4 4 14 D4
A5 0 A5 3
A4
A5
D4
D5
15 D5
A6 A6 2 16 D6
A6 0 A7 1
A6
A7
D6
D7
17 D7
A7 A8 23
A7 0 A9 22
A8
A9
A10 19
A10
A8 CE 18
A8 0 CE
D7
D6
D5
D4

D3
D2
D1
D0
OE 20
OE
A9 WE 21
A9 0 WE
A10 6116
A10 0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

CE
CE 0
OE
OE 0
WE
WE 0

Nota: Dado a que la simulación de memorias requiere de un exceso de

alambrado por tal razón se utilizaran la herramienta de buses de datos.

Posicione el mouse en los estados lógicos para escribir en la memoria el dato

de entrada en la dirección deseada.

Dirección Datos Dirección Datos

0000 45 0027 DD
0001 87 0028 33
0002 F3 0029 AB
0003 44 0030 11
0004 55 0031 26
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Ejercicio 2: Implemente un arreglo de memorias que duplique el tamaño de

las palabras del circuito anterior. Introduzca datos en las 5 primeras palabras
de la segunda memoria y en las 5 últimas escoja datos diferentes a los
establecidos anteriormente. Ver figura

D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
0

0
U5:A U5:B U5:C U5:D U6:A U6:B U6:C U6:D

12

12
2

9
1 4 10 13 1 4 10 13 OE
3

11

D4 3

11
74126 74126 74126 74126 74126 74126 74126 74126
D0

D1

D2

D3

D5

D6

D7
U1
A0 8 9 D0
A0 D0
A0 A1 7 10 D1
A0 0 A2 6
A1
A2
D1
D2
11 D2
A1 A3 5 13 D3
A1 0 A4 4
A3
A4
D3
D4
14 D4
A2 A5 3 15 D5
A2 0 A6 2
A5
A6
D5
D6
16 D6
A3 A7 1 17 D7
A3 0 A8 23
A7
A8
D7
A9 22
A9
A10 19
A10
A4
A4 0 CE 18
CE
A5 OE 20
A5 0 WE 21
OE
WE
A6
A6 0 6116
A7
A7 0 U2
A0 8 9 D8
A0 D0
A1 7 10 D9
A1 D1
A8 A2 6 11 D10
A8 0
D15
D14
D13
D12

D11
D10

A2 D2
D9
D8

D7
D6
D5
D4

D3
D2
D1
D0
A3 5 13 D11
A3 D3
A9 A4 4 14 D12
A9 0 A5 3
A4
A5
D4
D5
15 D13
A10 A6 2 16 D14
A10 0 A7 1
A6
A7
D6
D7
17 D15 D15D14D13D12 D11D10 D9 D8 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
A8 23
A8
A9 22
A9
CE A10 19
CE 0 A10
OE CE 18
OE 0 OE 20
CE
OE
WE WE 21
WE 0 WE
6116
D10

D11

D12

D13

D14

D15
D8

D9

OE
11

11
3

1 U3:A 4 U3:B 10 U3:C 13 U3:D 1 U4:A 4 U4:B 10 U4:C 13 U4:D

74126 74126 74126 74126 74126 74126 74126 74126
2

12

12
0

D8 D9 D10 D11 D12 D13 D14 D15

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Ejercicio 3: Implemente un arreglo de memoria RAM de 4Kx16 utilizando los

circuitos integrados de memoria RAM de 2Kx8 que posee el software.
Introduzca datos en los diferentes circuitos de memoria y compruébelos en
displays hexadecimales.

Trabajo a Entregar: Enviar todos los archivos simulados y la conclusión del

laboratorio al correo electrónico.