E.A.

Transistores de junção

APLICAÇÕES E PROBLEMAS
PROF. VIVIANA RAQUEL ZURRO
Sumário
TRANSISTORES DE JUNÇÃO ....................................................................................................... 2
Polarização ................................................................................................................................. 2
Aplicações digitais ....................................................................................................................... 2
PROBLEMAS RESOLVIDOS.......................................................................................................... 2
Polarização .............................................................................................................................. 2
Aplicações digitais ................................................................................................................. 12
Referências................................................................................................................................... 21

AP2 Transistores de Junção 1 Eng. Viviana Zurro MSc.

 TRANSISTORES DE JUNÇÃO
Polarização

Para trabalhar em aplicações analógicas o transistor deve ser polarizado para trabalhar na
região ativa. Polarizar um transistor significa escolher o ponto de trabalho do mesmo. O ponto de
trabalho (ponto quiescente) Q é determinado pela corrente de coletor, a tensão de coletor emissor
e pela corrente da base. Considerando as curvas de saída a polarização pode ser em classe A, B,
AB ou C dependendo da necessidade. Para polarizar o dispositivo os componentes ligados a ele
deverão ser calculados para obter uma condição DC de corrente e tensão quando o circuito está
sem sinal de entrada (sinal que vai ser processado).

Aplicações digitais

Em aplicações digitais o transistor trabalha entre corte e saturação, evitando ao máximo a

região ativa. Entrar na região ativa implica em atraso, portanto quanto mais tempo o transistor ficar
ativo, mais lento será o sistema. Neste caso não se colocam resistências de polarização na base e
o sinal de entrada é do tipo on – off, 0 – 1, +V – 0V (MILLMAN e HALKIAS, 1972), (SEDRA e SMITH,
2000), (BOYLESTAD e NASHELSKY, 2004).

A continuação, serão resolvidos problemas para transistores em aplicações analógicas

(polarização) e aplicações digitais.

PROBLEMAS RESOLVIDOS
Polarização

1. Um fotodiodo é usado para controlar um determinado sistema. O sistema é chaveado por um

relé cuja resistência do enrolamento (bobina) é representada por RL. A corrente IL necessária
para fechar o relé é 7,5 mA. 𝑉𝐵𝐸 = 0,7 [𝑉], 𝛽 = 100.

𝑉𝐶𝐶

+
𝑉𝐷
-

𝐼𝐿

a. Calcular a tensão VD na qual a comutação do relé acontece.

b. Considerando a característica Volt – Ampere do fotodiodo, calcular a mínima iluminação
requerida para fechar o relé.

AP2 Transistores de Junção 2 Eng. Viviana Zurro MSc.

Resolução:

a. O transistor encontra-se na região ativa, portanto:

𝑉𝐶𝐶

𝐼1
+
𝑉𝐷
𝐼𝐵 -
+
+
𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐿
-
𝐼2 𝑉𝐵

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐿 . 𝑅𝐿 = 15,7 [𝑉]

𝑉𝐷 = 20 − 𝑉𝐵

𝑽𝑫 = 𝟐𝟎 − 𝟏𝟓, 𝟕 = 𝟒, 𝟑 [𝑽]

b. Para calcular a iluminação requerida devemos calcular a corrente reversa no fotodiodo I1. IE =
IL.

𝐼𝐸 𝐼𝐿 7,5. 10−3
𝐼𝐵 = = = = 74,25 [µ𝐴]
𝛽+1 𝛽+1 101

𝑉𝐵 15,7
𝐼2 = = = 314 [µ𝐴]
𝑅1 50𝑘

AP2 Transistores de Junção 3 Eng. Viviana Zurro MSc.

 𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼𝐵 = 388,25 [µ𝐴]

Conhecendo VD e I1 podemos saber a quantidade de iluminação necessária para fechar o relé

entrando na curva característica do fotodiodo.

𝑉𝐷

𝐼1

A iluminação necessária será de aproximadamente 2500 lux.

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2. AP2 Problema 1 Para o circuito da figura calcular Rb e Rc. Considere 𝑉𝐶𝐶 = 10𝑉, 𝑉𝐵𝐵 =
5𝑉, 𝐼𝐶 = 10𝑚𝐴, 𝑉𝐶𝐸 = 5𝑉. O transistor é de silício e está ativo, portanto 𝑉𝐵𝐸 = 0,7𝑉 com 𝛽 =
100.

𝑉𝐶𝐶

𝐼𝐶

𝐼𝐵 +
𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐵𝐵 +
-
𝑉𝐵𝐸
-

Resolução:

Aplicando Kirchoff na malha de saída:

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 . 𝑅𝑐 + 𝑉𝐶𝐸

Portanto:

AP2 Transistores de Junção 4 Eng. Viviana Zurro MSc.

 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 10 − 5
𝑅𝑐 = =
𝐼𝐶 10. 10−3

𝑹𝒄 = 𝟓𝟎𝟎 [Ω]

Considerando a malha de entrada:

𝐼𝐶 10. 10−3
𝐼𝐵 = = = 100 [µ𝐴]
𝛽 100

𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐵 . 𝑅𝑏 + 𝑉𝐵𝐸

Portanto:

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 5 − 0,7

𝑅𝑏 = =
𝐼𝐵 100. 10−6

𝑹𝒃 = 𝟒𝟑 [𝒌Ω]

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

3. AP2 Problema 2 Os transistores Q1 e Q2 do circuito operam na região ativa 𝑉𝐵𝐸 = 0,7𝑉 com
𝛽1 = 100 e 𝛽2 = 50. Calcular:
a. Todas as correntes.
b. As tensões Vo1 e Vo2.

𝑉𝐶𝐶

𝐼1 𝐼𝐶2
𝐼𝐶1
𝐵
𝐼𝐵2

𝐼2 𝐼𝐸2 = 𝐼𝐵1

𝐼𝐸1

𝐼𝐵2

Resolução:

a. Para começar o cálculo aplicaremos Thevenin no ponto B.

AP2 Transistores de Junção 5 Eng. Viviana Zurro MSc.

 𝐵 Th

Por divisor de tensão:

𝑅2 82𝑘
𝑉𝑇ℎ = 𝑉𝐶𝐶 = 24 = 2,61 [𝑉]
𝑅1 + 𝑅2 10𝑘 + 82𝑘

𝑅1 . 𝑅2 10𝑘. 82𝑘
𝑅𝑇ℎ = = = 8,92 [𝑘Ω]
𝑅1 + 𝑅2 10𝑘 + 82𝑘

𝐼𝐶2
𝐼𝐶1

+ 𝐼𝐸2 = 𝐼𝐵1
𝐼𝐵2 𝑉𝐵𝐸2
+
𝑉
𝐼𝐵2𝐵𝐸1

𝐼𝐸1

Considerando a malha de entrada:

𝑉𝑇ℎ = 𝐼𝐵2 . (𝑅𝑇ℎ + 𝑅𝑏 ) + 𝑉𝐵𝐸2 + 𝑉𝐵𝐸1 + 𝐼𝐸1 . 𝑅𝑒 (1)

Como os transistores estão ativos 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵

𝐼𝐸2 = (𝛽2 + 1)𝐼𝐵2 = 𝐼𝐵1 (2)

AP2 Transistores de Junção 6 Eng. Viviana Zurro MSc.

 𝐼𝐸1 = (𝛽1 + 1)𝐼𝐵1 (3)

Substituindo a equação (2) na (3):

𝐼𝐸1 = (𝛽1 + 1)(𝛽2 + 1)𝐼𝐵2 = 5151. 𝐼𝐵2 (4)

Substituindo a equação (4) na equação (1):

𝑉𝑇ℎ = 𝐼𝐵2 . (𝑅𝑇ℎ + 𝑅𝐵 ) + 𝑉𝐵𝐸2 + 𝑉𝐵𝐸1 + 5151. 𝐼𝐵2 . 𝑅𝑒

Portanto:

2,61 = 𝐼𝐵2 . (8,92𝑘 + 100𝑘) + 0,7 + 0,7 + 5151. 𝐼𝐵2 . 100

Então:

2,61 − 0,7 − 0,7

𝐼𝐵2 = = 1,94 [µ𝐴]
(8,92𝑘 + 100𝑘) + 100.5151

Da equação (4):

𝐼𝐸1 = 5151. 𝐼𝐵2 ≅ 10 [𝑚𝐴]

Da equação (2):

𝐼𝐸2 = 𝐼𝐵1 = (𝛽2 + 1)𝐼𝐵2 ≅ 99 [µ𝐴]

𝐼𝐶2 = 𝛽2 . 𝐼𝐵2 ≅ 97 [µ𝐴]

𝐼𝐶1 = 𝛽1 . 𝐼𝐵1 ≅ 10 [𝑚𝐴]

Para calcular as correntes I1 e I2 será necessário primeiramente calcular a tensão no ponto B da

base do transistor 2:

𝑉𝐵 = 𝐼𝐵2 . 𝑅𝑏 + 𝑉𝐵𝐸2 + 𝑉𝐵𝐸1 + 𝐼𝐸1 . 𝑅𝑒 ≅ 2,59 [𝑉]

𝑉𝐵
𝐼2 = = 259 [µ𝐴]
𝑅2

𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼𝐵2 = 261 [µ𝐴]

𝑰𝟏 = 𝟐𝟔𝟏 [µ𝑨], 𝑰𝟐 = 𝟐𝟓𝟗 [µ𝑨], 𝑰𝑩𝟐 = 𝟏, 𝟗𝟒 [µ𝑨], 𝑰𝑪𝟐 ≅ 𝟗𝟕 [µ𝑨], 𝑰𝑬𝟐 ≅ 𝟗𝟗 [µ𝑨]

𝑰𝑩𝟏 ≅ 𝟗𝟗 [µ𝑨], 𝑰𝑪𝟏 ≅ 𝑰𝑬𝟏 ≅ 𝟏𝟎 [𝒎𝑨]

b. Para calcular as tensões de saída aplicaremos Lei de Ohm e Lei de Kirchoff das malhas na
malha de saída.

𝑉𝑜1 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶1 . 𝑅𝑐 = 24 − 10.10−3 . 1𝑘

𝑽𝒐𝟏 = 𝟏𝟒 [𝑽]

𝑉𝑜2 = 𝐼𝐸1 . 𝑅𝑒 = 10.10−3 . 100

𝑽𝒐𝟐 = 𝟏 [𝑽]
AP2 Transistores de Junção 7 Eng. Viviana Zurro MSc.
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

4. Dois transistores de silício com β=100 foram usados no circuito da figura a seguir.
a. Calcule Vo para Vi = 0. Suponha que o Q1 está em corte e justifique essa suposição.
b. Calcule Vo para Vi = 6 V. Suponha que o Q2 está em corte e justifique essa suposição.

𝑉𝐶𝐶

𝑉𝐵2

𝑉𝐸

Resolução:

a. 𝑉𝑖 = 0 [𝑉]. Supondo Q1 em corte e Q2 ativo:

𝑉𝐵2

𝑉𝐸

Redesenhando:

AP2 Transistores de Junção 8 Eng. Viviana Zurro MSc.

 𝑉𝐵2

𝑉𝐸

Aplicando Thevenin na base do transistor 2:

𝑉𝐵2
Th

𝑅3 6𝑘
𝑉𝑇ℎ = 𝑉𝐶𝐶 = 12 = 6 [𝑉]
𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3 4𝑘 + 2𝑘 + 6𝑘

(𝑅1 + 𝑅2 ). 𝑅3 (4𝑘 + 2𝑘). 6𝑘

𝑅𝑇ℎ = = = 3 [𝑘Ω]
𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3 4𝑘 + 2𝑘 + 6𝑘

AP2 Transistores de Junção 9 Eng. Viviana Zurro MSc.

 𝑉𝐵2

𝐼𝐵2
𝑉𝐸
𝐼𝐸2

Considerando a malha da base do Q2;

𝑉𝑇ℎ = 𝐼𝐵2 . 𝑅𝑇ℎ + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸2 . 𝑅𝑒

Como 𝐼𝐸2 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵2

𝑉𝑇ℎ = 𝐼𝐵2 . 𝑅𝑇ℎ + 𝑉𝐵𝐸 + (𝛽 + 1)𝐼𝐵2 . 𝑅𝑒

Portanto:

𝑉𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵2 = = 17,32 [µ𝐴]
𝑅𝑇ℎ + (𝛽 + 1). 𝑅𝑒

𝐼𝐶2 = 𝛽𝐼𝐵2 = 1,73 [𝑚𝐴]

𝑉𝑜 = 12 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝑐 = 12 − 1,73𝐸 −3 1𝑘

𝑽𝒐 = 𝟏𝟎, 𝟐𝟔 [𝑽]

Para confirmar que o transistor Q1 está em corte será necessário calcular a tensão no emissor do
transistor 1, lembrando que 𝑉𝐸1 = 𝑉𝐸2 = 𝑉𝐸 e 𝐼𝐸2 ≅ 𝐼𝐶2

𝑉𝐸 = 𝐼𝐸2 . 𝑅𝑒 = 5,25 [𝑉]

Como a tensão do emissor no transistor 1 é maior que a tensão na base:

𝑽𝑬 > 𝑽𝒊 ⟹ 𝑸𝟏 𝒆𝒎 𝒄𝒐𝒓𝒕𝒆

O diodo base emissor está reversamente polarizado, portanto o transistor está em corte.

b. 𝑉𝑖 = 6 [𝑉]. Supondo Q2 em corte e Q1 ativo:

AP2 Transistores de Junção 10 Eng. Viviana Zurro MSc.

 𝐼

𝐼𝐶1 𝐼1
𝑉𝐵2
𝐼𝐵1
𝑉𝐸

𝐼𝐸1

Como o Q2 está em corte, não circula corrente por Rc, portanto:

𝑽𝒐 = 𝟏𝟐 [𝑽]

Para confirmar que o transistor Q2 está em corte será necessário calcular a tensão na base e no
emissor do transistor 2, lembrando que 𝑉𝐸1 = 𝑉𝐸2 = 𝑉𝐸 .

Considerando a malha da base do Q1;

𝑉𝑖 = 𝐼𝐵1 . 𝑅𝑏 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸1 . 𝑅𝑒

Como 𝐼𝐸1 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵1

𝑉𝑖 = 𝐼𝐵1 . 𝑅𝑏 + 𝑉𝐵𝐸 + (𝛽 + 1)𝐼𝐵1 . 𝑅𝑒

Portanto:

𝑉𝑖 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵1 = = 17,43 [µ𝐴]
𝑅𝑏 + (𝛽 + 1). 𝑅𝑒

𝐼𝐶1 = 𝛽𝐼𝐵1 = 1,743 [𝑚𝐴]

𝐼𝐸1 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵1 = 1,76 [𝑚𝐴]

Trabalhando com a malha de saída:

𝐼 = 𝐼𝐶1 + 𝐼1 (5)

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼. 𝑅1 + 𝐼1 (𝑅2 + 𝑅3 ) (6)

Substituindo a equação (5) na equação (6):

𝑉𝐶𝐶 = (𝐼𝐶1 + 𝐼1 ). 𝑅1 + 𝐼1 (𝑅2 + 𝑅3 )

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼1 (𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3 ) + 𝐼𝐶1 . 𝑅1

AP2 Transistores de Junção 11 Eng. Viviana Zurro MSc.

Então:

𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶1 . 𝑅1
𝐼1 = = 419 [µ𝐴]
𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3

𝑉𝐵2 = 𝐼1 . 𝑅3 = 2,51 [𝑉]

𝑉𝐸 = 𝐼𝐸1 . 𝑅𝑒 = 5,28 [𝑉]

Como a tensão do emissor no transistor 2 é maior que a tensão na base:

𝑽𝑬 > 𝑽𝑩𝟐 ⟹ 𝑸𝟐 𝒆𝒎 𝒄𝒐𝒓𝒕𝒆

O diodo base emissor está reversamente polarizado, portanto o transistor está em corte.

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Aplicações digitais

5. O transistor da figura é um inversor lógico que trabalha entre corte e saturação. Calcular o
𝑣𝑖𝑚𝑖𝑛 para o transistor saturar. 𝛽 = 300, 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0,8 [𝑉], 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0,2 [𝑉].

𝑉𝐶𝐶

𝑉𝐵𝐵

Resolução:

Como este circuito é um inversor lógico, quanto menos tempo estiver na região ativa melhor,
portanto teremos que calcular o valor mínimo de 𝒗𝒊 para o transistor saturar. Se fosse um
amplificador, não é desejável que o transistor sature, nesse caso seria calculado o valor máximo de
𝑣𝑖 para o transistor não saturar

AP2 Transistores de Junção 12 Eng. Viviana Zurro MSc.

 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡

𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 +
+ 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
𝐼1 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 -
-
𝐼2

𝐼𝐸

Como temos todos os dados de saída vamos começar pelo circuito de saída. Como 𝛽 > 100, 𝐼𝐸 ≅
𝐼𝐶 . No limite da saturação

𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 𝛽𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 ≅ 𝐼𝐸

12 = 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 . 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 + 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸
12 = 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 . (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
12 = 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 . (2𝑘2 + 1𝑘) + 0,2
12 − 0,2
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = = 3,68 [𝑚𝐴]
3,2𝑘

Trabalhando com o circuito da base:

𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 3,68 . 10−3

𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 = = ≅ 12,3 [µ𝐴]
𝛽 300

𝑉𝑏 = 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 + 𝐼𝐸 . 𝑅𝑒 ≅ 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 + 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 . 𝑅𝑒 = 0,8 + 3,68 . 10−3 . 1𝑘 = 4,48 [𝑉]

Usando Lei de Kirchoff das correntes em 𝑉𝑏 .

𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛

𝑣𝑖 − 𝑉𝑏 𝑣𝑖 − 4,48
𝐼1 = =
𝑅𝑏 50𝑘

𝑉𝑏 − (−12) 16,48
𝐼2 = = = 164,8 [µ𝐴]
𝑅1 100𝑘

𝑣𝑖 − 𝑉𝑏
𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 = = 12,3. 10−6 + 164,8. 10−6 ≅ 177,17 [µ𝐴]
𝑅𝑏

𝑣𝑖 − 4,48 = 50𝑘. 177,17. 10−6

𝑣𝑖 − 4,48 = 8,85
AP2 Transistores de Junção 13 Eng. Viviana Zurro MSc.
 𝒗𝒊 = 𝟖, 𝟖𝟓 + 𝟒, 𝟒𝟖 = 𝟏𝟑, 𝟑𝟑 [𝑽]

Conclusão, este circuito não é um bom inversor lógico porque a tensão de entrada deverá ser maior
do que a fonte de alimentação positiva para o transistor saturar.

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6. Para o circuito a seguir:

a. Verificar que é um inversor calculando os níveis de saída correspondentes aos níveis
de entrada de 0V e -6V.
b. Qual é o mínimo valor de β necessário para o transistor se comportar como chave?

𝑉𝐶𝐶

𝑉𝐵

𝑉𝐵𝐵

Resolução:

O circuito com transistor PNP pode ser calculado da mesma maneira que o com transistor NPN,
aplicando Leis de Kisrchoff e de Ohm e os teoremas necessários.

a. Considerando 𝑣𝑖 = 0

Se a tensão de entrada é igual a zero e a tensão do emissor é zero provavelmente o transistor está
em corte. Considerando o transistor em corte:

𝑉𝐵

A tensão na base do transistor pode ser calculada por divisor de tensão:

𝑅1
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐵 .
𝑅2 + 𝑅1

AP2 Transistores de Junção 14 Eng. Viviana Zurro MSc.

 5,6𝑘
𝑉𝐵 = 6. = 1,21 [𝑉]
22𝑘 + 5,6𝑘

A tensão na base do transistor PNP é maior que a tensão de emissor, então o diodo base-emissor
do transistor está reversamente polarizado, portanto o transistor está em corte. O circuito da saída
fica como a figura a seguir:

Como a tensão no anodo do diodo é maior do que a do catodo, o diodo fecha devido à corrente I,
grampeando a tensão de saída em -6V.

𝒗𝒊 = 𝟎 [𝑽] 𝒗𝒐 = −𝟔 [𝑽]

Considerando 𝑣𝑖 = −6:

𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡

𝐼𝐵 +
𝑉𝐵
𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
+
𝐼1 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 -
𝐼2
-

Como a tensão 𝑣𝑖 na base do transistor é muito grande vamos supor que ele está saturado:

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 = −0,8 [𝑉]

Na base do transistor:

𝐼𝐵 = 𝐼1 − 𝐼2

𝑉𝐵 − 𝑣𝑖 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵 −0,8 − (−6) 6 − (−0,8)

𝐼𝐵 = − = − ≅ 620 [µ𝐴]
𝑅1 𝑅2 5,6𝑘 22𝑘

Como o transistor está saturado 𝑣𝑜 = 𝑉𝐶𝐸 = −0,2𝑉, portanto:

𝒗𝒊 = −𝟔 [𝑽] 𝒗𝒐 = −𝟎, 𝟐 [𝑽]

AP2 Transistores de Junção 15 Eng. Viviana Zurro MSc.

Verificando assim que o circuito é inversor.

b. O mínimo valor de β para que o transistor sature pode ser calculado da seguinte maneira:

𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡

+
𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
-

Como a tensão de saída 𝑣𝑜 = 0,2𝑉 é maior que a tensão no anodo do diodo, o mesmo abre,
portanto, pode ser desconsiderado no circuito.

𝑣𝑜 − 𝑉𝐶𝐶 −0,2 − (−18)

𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = = ≅ 8,1 [𝑚𝐴]
𝑅𝑐 2𝑘2

Então o mínimo valor de β para saturar o transistor será:

𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
𝛽𝑚𝑖𝑛 =
𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡

𝜷𝒎𝒊𝒏 = 𝟏𝟑

Transistores com β maior do que 13 poderão ser usados para que o circuito funcione corretamente.

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7. O circuito da figura é um inversor lógico. Calcular o valor máximo de R1 para garantir a

comutação do transistor (saturação) quando 𝑣𝑖 = 8𝑉. 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0,8 [𝑉], 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0,2 [𝑉], β=200.

AP2 Transistores de Junção 16 Eng. Viviana Zurro MSc.

 𝑉𝐶𝐶

𝑉𝐵𝐵

Resolução:

O capacitor C é usado para bloquear ruídos de alta frequência (chaveamento), portanto não será
considerado no cálculo.

𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡

+
𝑉𝐵 𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛
𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
+
𝐼1 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 -
𝐼2 -

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 8 − 0,2

𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = = = 3,45 [𝑚𝐴]
𝑅𝑐 2𝑘2

𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 = = 17,72 [µ𝐴]
β

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡

𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐵 0,8 − (−8)

𝐼2 = = = 88 [µ𝐴]
𝑅2 100𝑘

𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 = 105,72 [µ𝐴]

AP2 Transistores de Junção 17 Eng. Viviana Zurro MSc.

 𝑣𝑖 − 𝑉𝐵 8 − 0,8
𝑅1 = =
𝐼1 105,72. 10−6

𝑹𝟏𝒎á𝒙 = 𝟔𝟖, 𝟏 [𝒌Ω]

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8. AP2 Problema 3 Analise a porta DTL (diode – transistor – logic). 𝑉𝐷𝑜𝑛 = 0,7 [𝑉], 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 =
0,8[𝑉], 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0,2[𝑉]
a. Verifique a operação lógica que ela deve realizar. Considere o circuito como uma lógica
positiva (a tensão do “1” lógico igual ao nível alto de tensão e a tensão do “0” lógico igual
ao nível baixo de tensão).
b. Calcule o βmin necessário do transistor para garantir o nível baixo (saturar) do “0” lógico
na saída se duas portas similares são conectadas na saída desta porta.

𝑉𝐷𝐷 𝑉𝐶𝐶

𝑉𝐵𝐵

Resolução:

Em eletrônica digital o 1 e o 0 lógicos se escrevem entre aspas para diferenciar de 1V e 0V (tensão).

a. Considerando nível alto = “1” ≈ 3V e nível baixo = “0” ≈ 0V.

Don = diodo polarizado direto: fechado. Doff = diodo polarizado reverso: aberto. Qon = transistor
saturado (fechado), Qoff = transistor em corte (aberto). Y = saída lógica.

Qualquer uma das entradas que estiver em 0V (“0”) circulará uma corrente I fechando o diodo
correspondente (A, B e ou C). Uma corrente I1 tenderá a circular abrindo os diodos D1 e D2, então
a fonte VBB puxará corrente da base do transistor levando ele ao corte. Como não haverá corrente
circulando por Rc a tensão de saída vo será igual a VCC (Y = “1”).

AP2 Transistores de Junção 18 Eng. Viviana Zurro MSc.

 𝐼

𝐼1

Se todas as entradas estiverem em 3V (“1”) A tensão no ponto P será menor que 3V, então uma
corrente I tenderá a circular em cada diodo (A, B e C) abrindo os mesmos.

𝑉𝑃 = 𝑉𝐷1 + 𝑉𝐷2 + 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0,7 + 0,7 + 0,8 = 2,2 [𝑉]

Como

𝑉𝐴 , 𝑉𝐵 , 𝑉𝐶 > 𝑉𝑃 ⟹ 𝐷𝐴 , 𝐷𝐵 , 𝐷𝐶 𝑎𝑏𝑒𝑟𝑡𝑜𝑠

Uma “grande” corrente I1 circulará fechando os diodos D1 e D2, parte dessa corrente entrará na base
do transistor levando ele a saturação. A tensão de saída vo será igual a VCEsat (Y = “0”).

𝐼 𝐼1

𝑃
𝐼

AP2 Transistores de Junção 19 Eng. Viviana Zurro MSc.

 Núm. A B C VA[V] VB[V] VC[V] DA DB DC D1 D2 Q vo[V] Y
000 0 0 0 0 0 0 on on on off off off 3 1
001 0 0 1 0 0 3 on on off off off off 3 1
010 0 1 0 0 3 0 on off on off off off 3 1
011 0 1 1 0 3 3 on off off off off off 3 1
100 1 0 0 3 0 0 off on on off off off 3 1
101 1 0 1 3 0 3 off on off off off off 3 1
110 1 1 0 3 3 0 off off on off off off 3 1
111 1 1 1 3 3 3 off off off on on on 0 0

O circuito configura uma porta NAND

b. Com as três entradas em “1” e alimentando duas portas iguais, o circuito ficaria assim:

Porta 1 𝑉𝐷𝐷
𝑉𝐷𝐷 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝑥

− 𝑉𝐷 +
𝑃1
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
𝐼1 𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 + 𝐼

+ 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡Porta 2
𝑃 + 𝑉𝐷 −+ 𝑉𝐷 − 𝑉𝐷𝐷
𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 -
𝐼2 -

− 𝑉𝐷 +
𝑉𝐵𝐵

𝑃2
𝐼

A corrente que circula pelas portas ligadas à saída será calculada para a porta 1 mas será a mesma
na porta 2.

𝑉𝐷𝐷

− 𝑉𝐷 +
𝑃1

+ 𝐼
𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
-

AP2 Transistores de Junção 20 Eng. Viviana Zurro MSc.

Por malha na saída do transistor:

𝑉𝑃1 = 𝑉𝐷 + 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0,7 + 0,8 = 1,5 [𝑉]

Por Lei de Ohm:

𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑃1 5,2 − 1,5

𝐼= = = 1,12 [𝑚𝐴]
𝑅1 3𝑘3

Circuito do coletor:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 3 − 0,2

𝐼𝑥 = = = 2,54 [𝑚𝐴]
𝑅𝑐 1100

𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 𝐼𝑥 + 2𝐼 ≅ 4,8 [𝑚𝐴]

Circuito da base:

𝑉𝑃 = 2𝑉𝐷 + 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 = 2,2 [𝑉]

𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑃 5,2 − 2,2

𝐼1 = = ≅ 909 [µ𝐴]
𝑅1 3𝑘3

𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 − 𝑉𝐵𝐵 0,8 − (−8)

𝐼2 = = ≅ 587 [µ𝐴]
𝑅2 15𝑘

𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 = 𝐼1 − 𝐼2 ≅ 322 [µ𝐴]

𝑰𝑪𝒔𝒂𝒕
𝜷𝒎𝒊𝒏 = = 𝟏𝟒, 𝟖
𝑰𝑩𝒎𝒊𝒏

Todos os circuitos e simulações foram projetados e simulados usando o software online

Multisim (NATIONAL INSTRUMENTS, 2016).

Referências
BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. São Paulo:
Pearson Prentice Hall, 2004.

MILLMAN, J.; HALKIAS, C. C. Integrated Electronics: Analog and Digital Circuits and Systems.
Tokyo: McGraw-Hill, 1972.

NATIONAL INSTRUMENTS. MultisimLive. Beta Multisim, 2016. Disponivel em:

<https://beta.multisim.com/>.

SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrônica. São Paulo: Makron Books, 2000.

AP2 Transistores de Junção 21 Eng. Viviana Zurro MSc.