TRANSISTORES EFECTO CAMPO

Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así
porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su
impedancia de entrada bastante baja.
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece
a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por
tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó
n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material
que forma con el canal una unión p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente
sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el
collar.

Disposición de las polarizaciones para un FET de canal N.

La Figura muestra un esquema que ayudará a comprender el funcionamiento de un FET.
En este caso se ha supuesto que el canal es de material de tipo N.
La puerta está polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unión P-N
entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta.
Si el material de la puerta está más dopado que el del canal, la mayor parte de la capa
estará formada por el canal. Si al tensión de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas desiertas
profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unión.
Si Vds se hace positiva ( y Vgs sigue siendo cero) por el canal circulará una corriente
entre sumidero y fuente, que hará que la polarización inversa de la unión no sea uniforme
en toda su longitud y, en consecuencia, en la parte más próxima al sumidero, que es la
más polarizada, la capa desierta penetrará más hacia el interior del canal.
Para valores pequeños de Vds, la corriente de sumidero es una función casi lineal de la
tensión, ya que la penetración de la capa desierta hacia el interior del canal no varía
substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que aumenta la tensión
aumenta también la polarización inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la
conductancia de éste disminuye. El ritmo de incremento de corriente resulta, en
consecuencia, menor y llega un momento en que el canal se ha hecho tan estrecho en las
proximidades del sumidero que un incremento de Vds apenas tiene efecto sobre la
corriente de sumidero. Entonces se dice que el transistor está trabajando en la zona de
estricción (pinch-off), nombre cuyo origen se evidencia en la figura anterior, llamándose
tensión de estricción Vp a la del punto de transición entre el comportamiento casi lineal
y el casi saturado.

PARAMETROS DEL FET

La corriente de sumidero Id es función tanto de la tensión de sumidero Vds como de la
puerta Vgs. Como la unión está polarizada inversamente, suponemos que la corriente de
puerta es nula, con lo que podemos escribir:
Ig = 0 e Id = ƒ(Vds, Vgs)
En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi rectas (en el
gráfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos
escribir la respuesta del transistor para pequeños incrementos de Vds y Vgs en esta forma.

El parámetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de

la pendiente de la curva. Que como en el gráfico, dicha pendiente es cero (en la realidad,
como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy grande).
El parámetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la
separación vertical entre las características que corresponden a diferencias de valor de
Vgs de 1 voltio.

AMPLIFICADORES OPERACIONAL
El Amplificador Operacional también llamado OpAmp, o Op-Amp es un circuito
integrado. Su principal función es amplificar el voltaje con una entrada de tipo diferencial
para tener una salida amplificada y con referencia a tierra. También dichos circuitos
existen desde 1964 en donde los primeros modelos son el 702, 709 y 741 desarrollados
por Fairchild, y 101 y 301 por National Semiconductor. La salida al mercado de los
amplificadores operacionales solvento en gran medida el ardua tarea de amplificar señales
con transistores. Actualmente, el uso de los amplificadores operacionales para
aplicaciones suele ser más barato, más rápido, mas pequeño en espacio que su contra-
parte en transistores, usualmente MOSFET. Algunas de estas aplicaciones pueden
ser: amplificador de instrumentación, amplificador diferencia, convertidor de corrientea
voltaje. Con un Amplificador Operacional, puedes realizar temporizadores,
comparadores o detectores de voltaje, acondicionar señales para ADCs y mucho más.

Diagrama o símbolo de un amplificador operacional

El diagrama o símbolo de un amplificador operacional incluye al conjunto de 2 entradas
y una salida. Un oamp tiene una entrada positiva y una negativa.
Por ejemplo, en su forma de comparador, si la entrada positiva
supera en voltaje a la entrada negativa, la salida se va a su
voltaje de saturación. Un O-amp puede ser alimentado con
fuentes diferenciales (voltaje positivo y negativo) o fuentes
simples (Voltaje positivo y GND). Un oamp tiene distintas
configuraciones por ejemplo, inversor, no-inversor,
amplificador o sumador, entre otras.

Configuración del amplificador operacional en lazo abierto

La configuración del amplificador operacional en lazo abierto, es una de las más usadas.
En esta configuración partimos de que la ganancia esta ajustada a un valor muy alto
(aproximadamente 200,000 veces). Esta ganancia el lazo abierto se le conoce como AOL
y esta en función a la diferencia de las entradas del Op-Amp. Las entradas, se les conoce
como inversora y no inversora, o más y menos. En este caso vamos a nombrar la no
inversora como E1 (+) y la inversora como E2 (-). A continuación tenemos una
configuración de un Amplificador Operacional en configuración de lazo abierto.

Configuración del amplificador operacional en lazo cerrado

Un amplificador operacional u opamp en ganancia controlada, considera una
retroalimentación de la salida respecto a la entrada. Las dos configuraciones más básicas
son la del inversor y no inversor. Otras configuraciones se detallaran en otros tutoriales
más adelante.

ALGEBRA BOOLEANA
Es una rama especial del álgebra que se usa principalmente en electrónica digital. El
álgebra booleana fue inventada en el año 1854 por el matemático inglés George Boole.
El álgebra de Boole es un método para simplificar los circuitos lógicos (o a veces
llamados circuitos de conmutación lógica) en electrónica digital.
Por lo tanto, también se llama como "Cambio de álgebra". Podemos representar el
funcionamiento de los circuitos lógicos utilizando números, siguiendo algunas reglas, que
son bien conocidas como "Leyes del álgebra de Boole".
También podemos hacer los cálculos y las operaciones lógicas de los circuitos aún más
rápido siguiendo algunos teoremas, que se conocen como "Teoremas del álgebra de
Boole". Una función booleana es una función que representa la relación entre la entrada
y la salida de un circuito lógico.
La lógica booleana solo permite dos estados del circuito, como True y False. Estos dos
estados están representados por 1 y 0, donde 1 representa el estado "Verdadero" y 0
representa el estado "Falso".
Lo más importante para recordar en el álgebra de Boole es que es muy diferente al álgebra
matemática regular y sus métodos. Antes de aprender sobre el álgebra de Boole, vamos a
contar un poco sobre la historia del álgebra de Boole y su invención y desarrollo.

Leyes e identidades del álgebra booleana

Al formular expresiones matemáticas para circuitos lógicos es importante tener
conocimiento del álgebra booleana, que define las reglas para expresar y simplificar
enunciados lógicos binarios. Una barra sobre un símbolo indica la operación booleana
NOT, que corresponde a la inversión de una señal.

Leyes fundamentales

Leyes conmutativas

Leyes distributivas
Otras identidades útiles