SIMON M.

SZE

DISPOSITIVI A
SEMICONDUTTORE .
Comportamento fisico e tecnologia

EDITORE ULRICO HOEPLI MILANO

- - - - ----- -- _____ , -- --~----~- ·---------~-------~-~-----

 Indice

Prefazione

Prefazione all'edizione italiana

Titolo originale: Semiconductor Devices: Physics and Technology

1 Bande di energia e concentrazione dei portatori 1
c "ght © Bell Telephone Laboratories, Inc., 1985 . 1.1 Materiali semiconduttori . 1
A:;1orized translation from English language edition published by Jo:tm Wtley & Sons. Jnc. 1.2 Struttura. cristallina. . 4
All rights reserved 1.3 Lega.mi covalenti . • . 9
1.4 Bande di energia . . . 11

-1 Per l•edizione italiana

Copyright© Ulrico Boepll Editore S.p.A.1991
via Hoepli 5, 20121 Milano (ltaly)
1.5
1.6'
1.7
Densità degli stati ..
Concentrazione· dei porta.tori intrinseci
Dona.tori e accetta.tori . . . . . . . .
17
19
23
Traduzione di Giovanni Ghione e Carlo Naldi
2 Fenomeni di trasporto dei portatori 35
Tutti i diritti sono riservati a norma di legge 2.1 Fenomeno di trascinamento dei porta.tori . 35
e a norma delle convenzioni internazionali 2.1.1 Mobilità • . . . 35
2.1.2 Resistività . . . . 39
2.1.3 Effetto Hall . . . 44
2.2 Dllfusione dei portatori 47
ISBN 88-203-1850-4
2.2.1 Processo di diffusione 47
Ristampa: 2.2.2 Relazione di Einstein . . . 49
2.2.3 Equazioni della. densità di corrente 50
4 3 2 1 o 1991 1992 1993 1994 1995 2.3 Iniezione di porta.tori . . . . . . • . . . . . 50
2.4 Processi di generazione e di ricombinazione . . 52
2.4.1 .Ricombinazione diretta . . . 53
2.4.2 Ricombinazione indiretta* .. 56
Realizzazione editoriale: COMOD 2.4.3 Ricombinazione superficiale* 65
Milano_ via Fratelli Sangallo, 41 2.5 Equazione di continuità . . . . . . . 67
Imperia -via Generale Garibaldi 27/29, Cipressa 2.5.1 Iniezione laterale a regime .. 69
'x2.5.2-Porta.tori minoritari alla superficie 70
Stampato dalla Lito Velox 2.5.3 Esperimento di Ha.ynes-Schockley .
Ttento - via degli Orbi, 6 71
*I paragrafi. contrassegna.ti d& asterisco contengono concetti m&tem&tici e fisici di livello
Printed in Italy più elevato.

I
J
· - - - - - ---------·- - - -----
 2.6 Effetti di alto campo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72 5 Dispositivi unipolari 193
5.1 Contatti metallo-semiconduttore . . . . . . . . . . . . . . . . 194
3 Giunzione p - n 83 5.1.1 Bande di Energia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 195
3.1 Condizione di equilibrio termodinamico . . . . . . . . . . . . 84 5.1.2 Caratteristiche corrente-tensione . . . . . . -. . . . . . 202
3.2 Regione di svuotamento . . . . . . . • . . • • 90 5.1.3 Contatti metallici . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 206
3.2.1 Giunzione brusca. . . . . . . . . . . . . . ••... 90 5.2 Transistore a. effetto di campo a. giunzione, JFET . . . . _. . . 208
3.2.2 Giunzione a gradiente lineare . . . . . . 96 5.2.1 Principio di funziona.mento . . . . . . . . . . . . . . . 208
3.3 Capacità. di svuota.mento . . . . . . . 98 5.2.2 Caratteristica. corrente-tensione . . . . . . . . . . . . • 211
3.4 Caratteristica. corrente-tensione . . . . . . . . . . . . . . . . . 103 5.2.3 Modifica. della. teoria. semplificata. . . . . . . . . . . . . 216
3.4.1 Caratteristica. idea.le . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103 5.3 Il MESFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ~ . . 220
3.4.2 Effetti di generazione-ricombinazione e alti livelli di 5.3.1 MESFET a. canale normalmente chiuso (off) . . . . . . 220
iniezione* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109 5.3.2 Il MESFET a. eterogiunzione . . . . . . . . . . . . . . 222
3.4.3 Effetto della tempera.tura. . . . . . . . . . . . . . . . . 114 5.4 Il diodo MOS . . . . . . . . . . . . . . . : . . . . . . . . . . . 224
3.5 Immagazzina.mento di carica e comporta.mento in transitorio . 115 5.4.1 Il diodo MOS idea.le . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226
5.4.2 Diodo MOS Si02-Si . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 237
3.5.1 Immagazzina.mento di portatori minoritari . . . . 116
~1 3.5.2 Capacità. di diffusione . . . . . . . . . . . . . . . 116
5.5 Il MOSFET: caratteristiche di ba.se . . . . . . . . . . . . . . . 242
5.5.1 Regione linea.re e saturazione . . . . . . . . . . . . . . 243
3.5.3 Comporta.mento durante un transitorio . . . . . . . . 117
5.5.2 Circuito equivalente e risposta. in frequenza . . . . . . 251
3.6 Fenomeno della. rottura della giunzione . . . . . . . . . . 119
5.5.3 Reg!one sottosoglia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 251
3.6.1 Effetto tunnel . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
5.5.4 Tipi di MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 253
3.6.2 Moltiplicazione a. valanga . 121
5.6 Il MOSFET: tensione di soglia. e scala.mento del disp0sitivo . 254
5.6.1 Tensione di soglia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 255
4 Dispositivi bipolari 131
5.6.2 R.iscala.mento del dispositivo . . . . . . . . . . . . . . . 258
4.1 L'effetto transistore. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
4.1.1 Funziona.mento nel modo attivo. . . . . 134 6 Dispositivi per microonde 269
4.1.2 Amplificazione di corrente . . . . . . . . . . 136 6.1 Diodo tunnel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 269
4.2 Caratteristiche statiche dei transistori bipolari . . . 139 6.1.1 Coefficiente di trasmissione* . . . . . . . . . . . ~ . . , 271
4.2.1 Correnti nel transistore idea.le . . . . . . . . 139 6.1.2 Caratteristica. corrente-tensione . . . . . . . . . . . .. 273
4.2.2 Modifica delle caratteristiche statiche . . . . . . . . . 147 6.2 Diodo IMPATT . . . . . . . . . . . . . . . . . . , . . . . . . . 278
4.3 Risposta. in frequenza. e caratteristiche di commutazione di - 6.2.1 Struttura. del dispositivo . . . . . . . . . . . . . . . . . 278
un transistore bi ola.re . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158 6.2.2 Caratteristiche dinamiche . . . _. . . . . .
4.3.1 Modello di Ebers-Moll . . . . . . . . . . . . . . . 159 6.3 Diodo BARITT • . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . • . 285
4.3.2 Risposta. in frequenza. . . . . . . . . . . . . . . . 161 6.3.1 Strutture del dispositivo . • . . . . . . . . . . . . . . . 285
4.3.3 Fenomeni di transitorio in commutazione . . . . . . . 167 6.3.2 Funziona.mento dinamico . . . . . . . . . . . . . . . . 286
4.4 Transistore bipolare a. eterogiunzione . . . . . . . . . . . . . . 173 6.4 Dispositivi a. trasferimento di elettroni . . . . . . . . . . . . . 288
4.5 Tiristore . . . . . -. . . . . . . . . . . . . . . . . ~ . . . . 177 6.4.1 Resistenza differenziale negativa. . . . . . . . . . . . . 289
4.5.1 Caratteristiche di ba.se . . . . . . . . . . . . . . . 177 6.4.2 Fuilziona.mento del dispositivo . . . . . . . . . . . . . 292
4.5.2 Tiristori bidirezionali e a controllo di campo . . . 182
11
6.5 c.c..
on.iconto tra dispositivi a. microonde . . . . . . . . . . . . . 298

I --- ------------
 .I
7 Dispositivi fotonici 307 li
.1
7.1 Transizioni radiative e assorbimento ottico . . 307 8.6.1 Teoria cinetica dei gas . . . . . . . . . . . . .. . . . . . 407
7.1.1 Transizioni radiative . 308 8.6.2 Il processo della epitassia a fasci molecolari . 411
7.1.2 Assorbimento ottico . 310
7.2 Diodi emettitori di luce . . . 314 9 Ossidazione e deposizione di film 41 7
7.2.1 LED a luce visibile. . . 314 9.1 Ossidazione termica . . . . . . . . 418
7.2.2 LED all'infarosso. . . 321 9.1.1 Cinetica della crescita . . . 419
7.3 LASER a semiconduttore . . . . . . . . 326 9.1.2 Crescita di ossidi sottili . . . . . . 428
7.3.1 Materiali per laser a ~emiconduttore .. 326 9.1.3 Ossidazione ad alta pressione . 429
7.3.2 Strutture di laser . . . . . . . 327 9.1.4 Effetto di impurità . . . 430
7.3.3 Funzionamento del laser . . . 329 9.2 Deposizione dielettrica . . . . . 432
7.3.4 Caratteristiche dei laser .. 335 9.2.1 Biossido di silicio . . . . 436
7.4 Fotorivelatori . . . . . . 340 9.2.2 Nitruro di silicio . . . . . . . . . . . 441
7.4.1 Fotoconduttori .. . . 341 9.3 Deposizione di silicio policristallino . . . . . . . . . 443
7.4.2 Fotodiodi . . . . . . • 343 9.4 Metallizzazione . . . . . . . . . . . . . 446
7.4.3 Fotodiodi a valenza . . 348 9.4.1 Deposizione fisica da fase vapore . . .. 447
-- 7.5 Celle solari . . . . . . . . . . 352 9.4.2 Deposizione chimica da fase vapore . . . . . . . . 454
::-:cc-I 7.5.1 La radiazione solare . . . . . . 352 9.4.3 Metallizzazione con alluminio . . . . . . . . . . . . . . 455
7.5.2 Celle solari a giunzione p- n . . . . . . . 354 9.4.4 Siliciuri . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 459
7.5.3 Rendimento di conversione . . . . . . . 357
7.5.4 Celle solari a eterogiunzione e a interfaccia . 360 10 Diffusione e impiantazione ionica 465
7.5.5 Concentrazione ottica . . . . . . . . . . . . . 361 10.1 Fondamenti della teoria della diffusione . . . . . . . . . . . . 466
10.1.2 Equazione della diffusione . . . . . . . . . . . . . . . . 467
8 Crescita del cristallo ed epitassia 367 10.1.2 Profili di diffusione . . . . . . . . . . . . . . . . . 470
8.1 Crescita del cristallo dal materiale fuso . . 368 10.1.3 Valutazione degli strati diffusi. . . . . . . . . . . . . . 4 75
8.1.1 I materiali di partenza .. . . 368 10.2 Diffusione estrinseca . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 477
8.1.2 La tecnica Czochralski . . . . . . • 371 10.2.1 Dipendenza della diffusività dalla concentrazione . . . 478
8.1.3 Distribuzione del drogante . . .. . 373 10.2.2 Profili. di diffusione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 480
8.1.4 Coefficiente di segregazione efficace . . . 376 10.3 Processi legati alla diffusione . . . . . . . . . . 486
8.1.5 La tecnica Bridgman . . . . . . . . . . . . . . . . . . 378 10.3.1 Mascheratura con ossidi . . . . . . . . . . . . . . . . . 486
8.2 Il processo a zona fusa mobile . . . . . . . . . . . . . . . . 380 10.3.2 Di:ffusion~ laterale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 487
8.3 Lavorazione della fetta e carattenzzazione del materiale •• 384 10.3.3 Ridistribuzione delle impurità durante l'ossidazione .. 489
8.3.1 Lavorazione della fetta . . . . . . •• 384 10.3.4 Redistribuzione di impurità nella crescita epitassiale . 491
8.3.2 Caratterizzazione crist o . .
. .' · ioni imp1an a i . . . • . .
8.4 Epitassia da fase vapore . . . . . . . . . . . 392 10.4.1 Distribuzione degli ioni . . . . . . . . . . . . . 494
8.4.1 Cinetica della crescita epitassiale .. 396 10.4.2 Meccanismi di arresto degli ioni . . . . . . . . . . . . . 496
8.4.2 Fisica del trasporto di massa in fase vapore .. 398 10.4.3 Incanalamento ( channeling) degli ioni . . . . • . . . . 501
8.4.3 Crescita di silicio su materiali isolanti .. 401 10.5 Disordine reticolare e ricottura (annealing) . . . . . . . . . . 505
8.5 Epitassia da fase liquida . . . . . 402 10.5.1 Disordine reticolare . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 505
8.6 Epitassia da fasci molecolari . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 406 10.5.2 Ricottura ( annealing) '. . . . . . . . . . .. 508
10.6 Processi collegati all'impiantazione . . . . . . . . . . . . . . . 511

l
I -- - - - -----~------- ----~------
 10.6.1 Impianta.zione multipla e mascheratura . . . . . . . 511
12.5.1 Limitazioni intrinseche del dispositivo . . . . . . . . . 612
10.6.2 Predeposizione e controllo della tensione di soglia . . 514
12.5.2 Limitazioni delle connessioni . . . . . . . . . . . . . . 614
10.6.3 Generazione delle configurazioni sagomate . . . . . . 516
12.5.3 Limiti di potenza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 616
12.5.4 . Limiti estremi di un dispositivo . . . . . . . . . . . . . 617
11 Litografia e attacco chimico 521
11.l Litografia ottica. . . . . . . . . . . . . . 521 A Simboli 623
11.1.1 Camera pulita . . . . . . . . . .. 522
11.1.2 Metodi di esposizione . . 524 B Sistema internazionale di unità di misura 627
11.1.3 Maschere . . . . . . . . . . . . . . 528
11.1.4 Fotoresist . . . . . . . . . . . . . . 530 e Multipli e sottomultipli decimali 629
11.1.5 Trasferimento del tracciato . . . . . . . . . . . . . . . 536
11.2 Litografia a fascio di elettroni, a raggi X e a fascio di ioni . . 538 D Costanti :fisiche 631
11.2.1 Litografia a fascio di elettroni . . . . . . . . . . . . . . 540
E Alfabeto greco 633
11.2.2 Litografia a raggi X . . . . . . . . . . . . . 545
11.2.3 Litografia a fascio di ioni . . . . . . . . . . 548 F Proprietà di importanti semiconduttori a 300 K 635
.
11.2.4 Confronto fra i metodi litografici . . . . . . 549
11.3 Incisione chimica per via umida . . . 550 Indice analitico 637
I 11.3.1 Incisione isotropa . . . . .
11.3.2 Incisione anisotropa . . .
. . . . . . . . 551
. . . . . . . . 556
11.4 Incisione per via secca . . . . . . . . . . . . . . 559
11.4.1 Tecniche di incisione assistita da plasma . . . . . . . . 560
11.4.2 Velocità di attacco e selettività . . . . . . . . . . . . . 562

12 Dispositivi integrati 573

12.1 Componenti passivi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 575
12.1.1 Resistori nei circuiti integrati . . . . . . . . . . . 575
12.1.2 Condensatori nei circuiti integrati . . . . . . . . . . . 577
12.2 Tecnologia. bipolare . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 579
12.2.1 Principi del processo di fabbricazione . . . . . . . . . . 580
12.2.2 Invertitore bipolare . . . . . . . . . . . . .••••••. 586
12.2.3 Logica a iniezione di corrente (I2L) . . . . . . . . . . . 587
12.3 Tecnologia MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . .. 589
rocesso a ncazione . . . . . . . . . . . . . .
12.3.2 Porta logica NMOS . . . . . . . . . . . . . . . . · •• 594
12.3.3 Dispositivi di memoria NMOS . . . . . . . . . . . .. 595
12.3.4 Dispositivi ad accoppiamento di carica . . . . . . . . . 601
12.3.5 La tecnologia. CMOS . . . . . . . . . . • 602
12.3.6 Nuove strutture CMOS . . . . . . . . . . . 607
12.4 Tecnologia del MESFET . . . . . . . . . . . . . .. 608
12.5 Limiti fondamentali dei dispoSitivi integrati . . . . 612

I
 I
I
!
I

I
I
j
Prefazione

I
i!
Questo libro è una introduzione ai principi fisici dei dispositivi a semicondut-
tore e ai processi tecnologici impiegati nella loro fabbricazione. É concepito
come un libro di testo per studenti di fisica, ingegneria elettronica e scienza
dei materiali; può anche essere utilizzato come testo di riferimento per tec-
nici e studiosi che richiedano un aggiornamento sugli sviluppi dei dispositivi
elettronici e della loro· tecnologia.
Il testo è suddiviso in tre parti. La prima parte (capitoli 1 e 2) descrive le
proprietà. fondamentali dei semiconduttori e dei processi fisici coinvolti nei
fenomeni di trasporto. Particolare attenzione è dedicata ai due semicondut-
tori più importanti: il silicio e l'arseniuro di gallio. La seconda parte (dal
capitolo 3 al capitolo 7) prende in esame la fisica e le caratteristiche dei di-
spositivi :a semiconduttore. Si comincia con la giunzione p-n, che compare,
come elemento fondamentale, nella maggior parte dei dispositivi a semicon-
duttore; si passa quindi ai dispositivi bipolari ed unipolari, e vengono infine
trattati alcuni dispositivi per microonde e per l'ottica. La terza parte, dal
capitolo 8 al capitolo 12, tratta dei processi tecnologici dalla crescita cristal-
lina ai processi litografici. I passi fondamentali relativi alla fabbricazione
dei dispositivi sono illustrati sia dal punto di vista teorico che da quello
pratico; particolare attenzione è dedicata ai dispositivi integrati. Benché
ciascuno dei capitoli sia. in buona misura. autoconsistente, si raccomanda,
nell'uso didattico, di esporre gli argomenti nell'9rdine logico in cui essi sono
presentati nel testo.I problemi posti alla fine di 'ciascun capitolo sono parte
integrante dello svolgimento degli argomenti tratta.ti.
La. stesura di questo testo si è giovata dell'aiuto di molti. Vorrei qui
soprattutto esprime.re la. mia profonda.gratitudine alla direzione degli AT&T
Bell Laboratories

Murra.y Hill, New Jersey S1MoN M. SzE

gennaio 1985

------·-----~- ·-
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 I
I Prefazione all'edizione italiana
J

l
.
.
Per generazioni di ricercatori e di studiosi di componenti elettronici il primo
libro. scritto da Sze nel 1969, Physics of semiconductor devices, costituisce
uno strumento fondamentale di lavoro e un punto di riferimento indispen-
sabile.
L'autore, che godeva di un punto di osservazione privilegiato presso i
Bell Research Laboratories, aveva infatti saputo presentare quanto di più
moderno si veniva sviluppando nei labo~wri. <JLriçerc!l- internazionali nel
campo dei dispositivi elettronici a semiconduttore in un volume che costi-
tuiva un vero e proprio testo, dotato di una linea di sviluppo coerente, pur
I nella varietà delle problematiche affrontate.
--· · 1
-·-
Physics of semiconductor devices, che ebbe anche una traduzione italiana,
restò per quasi vent'anni unico nel suo genere. Altri testi delle stesso autore
conferirono la straordinaria capacità di trasformare in materiale organico
e strutturato quanto solo poco prima si trovava frammentato e disperso in
comunicazioni a congressi, rapporti e articoli in riviste specializzate. Questa
abilità ha contribriito alla fortuna delle opere di Sze nell'ambiente scientifico
e tecnico internazionale ed è la ragione prima della loro grande longevità in
un settore della scienza ove le incalzanti scoperte brucia.no gra.n parte dei
tentativi di sistematizzazione nei settori più avanzati.

J
Peraltro, quegli stessi pregi che hanno reso Physics of semiconductor de-
vices ed altre successive opere di Sze un indispensabile strumento di lavoro
ne consentivano un utilizzo marginale quale strumento didattico, sebbene
la finalità didattica, già inizialmente presente nelle intenzioni dell'autore, si
I fosse progressivamente rafforzata nel corso della sua produzione. Semicon-
ductor devices: physics and tecnology, che appare ora in traduzione italiana,
può essere forse. considerato come il punto culminante di questo processo.
r p.qsi o a ra uz10ne 1 a.na que-
sto testo, abbiamo avuto la sensazione chiara che questo lavoro sia da lui
considerato con il suo sforzo più considerevole per ottenere la più ampia
diffusione didattica, senza rinunciare alle caratteristiche di serietà e comple-
tezza scientifica tipiche delle sue opere.
Negli Stati Uniti Semiconductor devices: physics and tecnology ha avuto
grande successo come testo di base sui componenti elettronici e le tecnolo-
gie elettroniche per studenti universitari e per tutti coloro che desidera.no
 :1·I
i
~i
avere una panoramica. aggiornata e completa. su quei temi. A questo stesso
i
pubblico si rivolge la. traduzione italiana. che ha. potuto avvalersi del mag-
gior tempo intercorso rispetto alla. prima. edizione americana. per correggere
alcune sviste e imprecisioni. Per le sue specificità. e per lo spettro degli argo-
menti tratta.ti, che la. lettera.tura. disponibile in lingua. italiana copre in modo
1
parziale e non coordinato in una. tra.tta.zione unitaria., questo testo costitui- Bande di energia e concentrazione
sce senz'altro un contributo significativo nella lettera.tura. tecnico-scientifica.
nazionale del settore. dei portatori
CARLO NALDI GIOVANNI GHIONE

)
In questo capitolo si prendono in esame alcune proprietà fonda.mentali dei
semiconduttori. Si inizia. con una discussione della. struttura. di un reticolo
cristallino, che è la. disposizione degli a.tomi in un semiconduttore. In seguito
si presenta.no i concetti di lega.me cova.lente e bande di energia., connessi
I alle ca.ra.tteristiche di conduzione nei semiconduttori. Infine si prenderà.

1 in esame la. concentrazione dei porta.tori all'equilibrio termodinamico. Di

questi concetti si fa.rà uso nel corso di tutto il presente libro.

1.1 Materiali semiconduttori

I materiali a.Ilo stato solido possono essere raggruppa.ti in tre classi: gli
isolanti, i semiconduttori e i conduttori. Nella. Figura. 1.1 si riporta. la. con-

RESISTMTA' p In-cm)
1018 1016 1014 1012 1010 108 106 104 102

GERMANIO (Ge) ARGENTO

•VETRO
•
e OSSIDO DI NICHEL SILICIO (Sii RAME
(PURO)
DIAMANTE ARSENIURO DI GAWO (GOAS)
•
ALLUMINIO
•(PURO) ~~~--·~~~~~~ •
FOSFURO DI GALLIO (GOP) PLATINO
•
OUARZO SOLFURO DI CADMIO (CdS) BISMUTO
FUSO •
10-1e 10-16 10-t4 10-12 10-to 10-e I0-6 10 -4 -2
10
CONDUCIBILITA' a- ·(S/Cm)
---..-:· ISOLANTE ., I• SEMICONDUTTORE ., I• CONDUTTORe--

Fig. 1.1 Valori tipici di conducibilità per isolanti, semiconduttori e conduttori.

2 CAPITOLO 1 BANDE DI ENERGIA E CONCENTRAZIONE DEI PORXATORI 3

Tab. 1.1 Parte della tabella periodica degli elementi relativa ai semiconduttori Tab. 1.2 Semiconduttori elementari e semiconduttori composti.

Periodo Colonna Il III IV V VI Elementi Composti Composti Composti Composti

IV-IV III-V II-Vi IV-VI
B c N .-
2 Boro Carbonio Azoto Si SiC AlAs CdS PbS
Mg Al Si p s Ge AlSb CdSe PbTe
Magnesio Alluminio Silicio Fosforo Zolfo BN CdTe
3
GaAs ZnS
Zn <Ga Ge .Às Se
GaP ZnSe
4· --- Zinco Gallio Germanio Arsenico Selenio
GaSb ZnTe
Cd In Sn Sb Te InAs
5 Cadmio Indio Stagno Antimonio Tellurio InP
InSb
Hg Pb
Mercurio Piombo La Tabella 1.2 elenca alcuni elementi semiconduttori e alcuni semicondut-
6-
tori composti.
ducibilità elettrica <T (e la corrispondente resistività p =
l/<1) *di alcuni Prima dell'invenzione del transistore bipolare (1947) i semiconduttori ve-
importanti materiali appartenenti alle tre classi. Gli isolanti, quali il quarzo nivano impiegati unicamente come dispositivi a due terminali, qua.li i diodi
fuso e il v~tro, hanno una conducibilità molto bassa., con valori il cui or- raddrizzatori e i fotodiodi. All'inizio degli anni 50 il germanio era il più im-
dine di grandezza è compreso tra 10-18 o- 1 cm e 10-8 n-1 cm; i conduttori, portante materiale semiconduttore. Il germanio si dimostrò però inadatto a
quali l'alluminio e l'argento, presentano invece una conducibilità molto alta, µumerose applicazioni, dato che i dispositivi al germanio mostrano correnti
con valori solitamente compresi tra 104 n-1 cm e 106 n-1 cm.- I semicon- di dispersione di intensità elevata anche a temperature solo moderatamente
duttori hanno conducibilità compresa tra quella degli isolanti e quella dei alte. Inoltre l'ossido di germanio è solubile nell'acqua e quindi inadatto alla
conduttori. La conducibilità di un semiconduttore è in genere sensibile alla fabbricazione di dispositivi. Sin -dai primi anni 60 il silicio è diventato il
temperatura, all'illuminazione, al campo magnetico e a minuscole quantità. sostituto pratico del germanio e da allora lo ha virtualmente soppiantato
di atomi di impurità.. Questa sensibilità. della conducibilità rende il semi- come materiale per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttore. Le ra-
conduttore uno dei più importanti materiali per applicazioni elettroniche. gioni fondamentali per cui ora si usa questo elemento consistono nel fatto
Lo studio dei materiali semiconduttori iniziò al principio del_ diciannove- che i dispositivi al silicio presentano correnti di dispersione molto inferiori,
simo secolo.1 Nel corso degli anni, sono stati studiati numerosi semicon- e che si può far crescere termicamente biossido di silicio di alta qualità.. Vi
duttori. Nella Tabella 1.1 è riportata la porzione della tavola periodica sono anche considerazioni economiche: il silicio di qualità sufficiente per co-
degli elementi che si riferisce ai semiconduttori. Gli elementi semicon- struire dispositivi costa molto meno degli altri materiali semiconduttori. Il
u on compos
. . . . .
, 3 della crosta terre-
germanio (Ge), si trovano nella IV Colonna. Esi~tono tuttavi~, anche n~­ stre: per abbondanza, è secondo solo all'ossigeno. Al giorno d'oggi il silicio
merosi semiconduttori composti che sono formati da due o pm elementi: è uno degli elementi più studiati della tavola periodica degli elementi, e la
per esempio l'arseniuro di gallio (GaAs) è un composto III-V, combina- sua tecnologia è di gran lunga la più avanzata tra tutte le tecnologie dei
zione del gallio (Ga) dell_a III Colonna e dell'arsenico (As) della V Colonna. semiconduttori.
Numerosi semiconduttori composti hanno proprietà. elettriche e ottiche
*Una lista dei simboli usati nel testo è riportata in appendice A. che sono assenti nel silicio. Questi semiconduttori, specialmente l'arseniuro
**Nell'appendice B è riportato il sistema internazionale di unità di misura. di gallio ( GaAs ), sono impiegati soprattutto in applicaziòni nel campo délle
 4 CAPITOLO 1 BANDE DI ENERGIA E CONCENTRAZIONE DEI PORI'ATORI 5

microonde e dell'optoelettronica.. Per quanto la. tecnologia. dei semicondut-

tori composti non sia. conosciuta. quanto quella. del silicio, si è comunque
parzialmente a.vva.ntaggia.ta. dei progressi ottenuti nella. tecnologia. quell'e-
lemento. Argomenti di questo volume sa.ranno la. fisica. dei dispositivi e i
processi tecnologici soprattutto del silicio e dell'arseniuro di gallio.

1.2 Struttura cristallina

I m~teriali semiconduttori che si studieranno sono monocristalli, cioè a.tomi
disposti con periodicità. tridimensionale. L'ordina.mento periodico degli
a.tomi in un cristallo è detto reticolo crisµillino. In un cristallo un a.tomo
non potrà. ma.i vaga.re lontano da. una. singola. e ben precisa. posizione a.ttomo
alla. quale sa.ranno centra.te le vibrazioni ~ermiche proprie dell 'a.tomo. Per
ogni semiconduttore esiste una. cella unitaria ra.ppresenta.tiva. dell'intero re-
I ticolo, nel senso che, ripetendo con periodicità. la. cella. unita.ria. nel cristallo,
--
---1 si può genera.re l'intero reticolo cristallino.
La. Figura. 1.2 illustra. alcune celle ~ta.rie fonda.mentali per i cristalli a.
reticolo cubico. La. Figura. l.2a mostraj un reticolo cubico semplice: ogni
angolo del reticolo cubico è occupato da. un a.tomo che viene così a.· trovarsi
equidistante da.i sei a.tomi più vicini che lo circonda.no. La dimensione a è
detta costante reticolare. Soltanto il polonio cristallizza nel reticolo cubico
semplice. Nella. Figura 1.2b è riportato un cristallo cubico corpo-centrato,
in cui oltre agli otto atomi di angolo si ha. un a.tomo posto al centro del
cubo. In un reticolo cubico corpa:çentra.to ogni a.tomo è circondato da otto
a.tomi a.dia.centi primi vicini. Tra. i cristalli che presentano un reticolo di
questo tipo si hanno quelli del sodio e del tungsteno. La Figura. 1.2c mostra
un reticolo cubico facce-centrato che, oltre agli a.tomi d'angolo, presenta
un atòmo su ciascuna delle sei facce del cubo. In un reticolo cubico facce-
centra.to ogni a.tomo è circondato da dodici atomi adiacenti primi vicini. Un
gran numero di elementi presenta questa forma. di reticolo cristallino, tra.
cui l'alluminio, il ra.me, l'oro e il pia.tino.
Problema
Con la struttura del reticolo corpo-centrato si dispongano delle sfere solide
in modo che quella che rappresenta l'atomo centrale tocchi quelle degli atomi
posti negli angoli. Si determini la frazione del volume della cella unitaria
cubica corpo-centrata occupata dalle sfere solide.
Soluzione
In una cella cubica corpo-centrata ogni sfera d'angolo è in comune con altre
. òtto celle adiacenti. Pertanto, ogni cella unitaria contiene solo un ottavo di
(a) (b) (e)
Fig. 1.2 Tre tipi di celle unitarie di un reticolo cubico. (a) Reticolo cubico semplice;
(b) corp<Kentrato e (e) facce-centrato.
sfera per ciascuno degli otto angoli, per un totale del volume di una sfera.
Inoltre ogni cella unitaria contiene una sfera centrale. In definitiva si ha:
+ 1 (centro) =
sfere (atomi) per cella unitaria = 1 (angoli) 2
distanza tra atomi vicini (lungo la diagonale AE nella Figura 1.26) = a -/3/2;
raggio di ciascuna sfera = a -/3/4;
volume di ogni sfera= iw(a-13/4)3 =
frazione del volume della cella unitaria riempita
= numero delle sfere x volume di una sfera
volume totale della cella unitaria
= 2 X n:-/§/16 = rVa/8 = 0,68
a
Perciò il 68% della cella unitaria del reticolo cubico-corpo centrato è occupato
da sfere solide, mentre il 32% del volume rimane vuoto.
Gli elementi semiconduttori silicio e germanio hanno la. struttura cristallina
del diamante riportata. nella Figura 1.3a. Anche questa struttura a.ppa.rliene
alla. fa.miglia. dei cristalli cubici e può essere vista come la. compenetrazione
di due sottoreticoli cubici facce-centrati, in cui un sottoreticolo è traslato ri-
cu o un qu o a sua ezza
(cioè con uno sposta.mento di a../3/4). Nel reticolo del diamante ttttti gli
atomi sono identici e ogni a.tomo è circondato da. quattro atomi primi vicini
equidistanti e posti a.i vertici di un tetraedro (si veda.no le sfere collegate
da lega.mi anneriti nella. Figura._1.3a). La maggior parte dei semiconduttori
composti del ID-V gruppo (per esempio il Ga.As) presenta.no il reticolo della
zincoblenda, riportato nella Figura 1.3b, che è identico a quello del dia.mante
ad eccezione del fatto che un sottoreticolo a facce centra.te è costituito da

- --------- -- - - - - - - - - ·----------- -------·- -----·------·-----

 ---·-------

6 CAPITOLO 1 BANDE Dr ENERGIA E CONCENTRAZIONE DEI POR:rATORI 7

Problema

1
La costante reticolare del silicio a 300 K è 5,43 A. Si· calcolino il numero di
atomi di silicio al centimetro cubo e la densità del silicio alla temperatura
ambiente•.
Soluzione
a Vi sono otto atomi per cella, pertanto

l
8 8
a3 = (5,43 X10- 8) 3 = 5 x 10 22
atomi·1cm3

•t• numero di at.omi/cm3 x peso atomico

Dens1a= .
costante d1 Avogadro
22 3
= 5 x 10 (atomi/cm ) x 28,09(g/mole) = 2,33 g/cm3
6,02 x 1023 (atomi/mole)

I (O)
Nella. Figura.1.26 si nota. che vi sono quattro a.tomi nel pia.no ABCD e cinque

1
a.tomi nel pia.no ACEF (quattro a.tomi sui vertici e uno nel centro) e che le
distanze interatomiche sono diverse nei due piani. Ne risulta. che le proprietà.
del cristallo sono diverse lungo piani diversi e che le caratteristiche ·di un.
dispositivo, in particolare quelle elettriche, dipendono dall'orientazione del

T
a
cristallo. Un modo conveniente di definire i vari piani in un cristallo è l'uso
degli indici di Miller2. Tali indici si ottengono con la. seguente procedura..

(1) Si determinino le intercette del pia.no con i tre assi coordina.ti cartesiani

1
e le si misurino usando per ciascun asse il relativo passo reticola.re.
(2) Si prenda.no i reciproci di tali numeri e li si riduca.no ai più piccoli interi
che stia.no fra. di loro nello stesso rapporto.
(3) I numeri risultanti ~a.cchiusi trà parentesi (hkl) costituiscono gli indici
di Miller di quel singolo pia.no.

Cbl
Fig. 1.3 (a) Reticolo del diamante. (b} Reticolo della zincoblenda.
a.tomi del ID gruppo (Ga.) e l'altro da a.tomi del V gruppo (As). L'appen-
dice F riassume le costanti· reticolari e altre proprietà. dei più importanti
senliconduttOri.
Esempio
Il piano riportato nella Figura 1.4 intercetta i tre assi coordinati nei punti a, 2a
e 2a. Facendo il reciproco delle intercette si ottiene: 1, 1/2 e 1/2. I più piccoli
interi che stanno nello stesso rapporto sono: 2, 1 e 1 (ottenuti moltiplicando
ogni frazione per 2, che è il massimo comun divisore). Pertanto il piano viene
indicato come piano (211)
Nella. Figura. 1.5 sono illustra.ti gli indici di Miller di alctine import3,Jlti fa-
miglie di piani per un cristallo cubico. Si seguono inoltre alcune altre con-
venzioni, che ora. si riporta.no

I
I
l
8 CAPITOLO 1 BANDE DI ENERGIA E CONCENTRAZIONE DEI PORTATORI 9

e~·ili!l !l
I

2a

Jt
e~
Fig. 1.4 Un piano cristallino (211). ~
Q
I

Fig. 1.6 (a) Legame tetraedrico. (b) Rappresentazione schematica bidimensionale di un

legame tetraedrico.

y
Jt ( 111)
(100) (110)
Fig. 1.5 Indici di Miller di alcuni importanti piani in un cristallo cubico.
per un piano che int~tta l'asse x nel semiasse negativo, ad esem-
pio (IOO);
per piani con simmetria eqwlente, ad esempio {100} per indi-
care, nella simmetria cubica, i piani (100), (010), (001), (IOO),
(OIO) e (OOI);
per indicare una direzione nel cristallo, ad esempio [100] per l'asse
x: c10e a "rezione 100 è perpendicolare al piano (100), così come
la direzione [111] è perpendicolare al piano (111):
< hkl>: per indicare un'insieme di direzioni equivalenti, ad esempio <
100 > per indicare le direzioni [100], [010], [001], [IOO], [OIO] e
[OOI).
1.3 Legami covalenti
Come si è visto nel precedente paragrafo, nel reticolo del diamànte ogni
atomo è circondato da quattro atomi primi vicini: la Figura 1.6a illustra
la configurazione tetraedrica del reticolo del diamante, la Figura 1.6b ri-
porta invece il legame a tetraedro in una forma schematica semplificata
bidimensionale. Ciascun atomo possiede quattro elettroni nell'orbita. più
esterna, elettroni. che esso condivide con i quattro atomi adiacenti. Questa
condivisione di elettroni è nota come legame covalente: ogni coppia di elet-
troni costituisce un legame covalente. Legami di tipo cova.lente si instaurano
tra atomi dello stesso elemento o tra atomi di elementi diversi che abbiano
configurazioni simili nel guscio elettronico più esterno. Ogni elettrone de-
dica. un 'eguale quantità di tempo a. ciascun nucleo; ciononostante entrambi
gli elettroni "stanno" per la maggior parte del tempo tra i due nuclei. Le
forze di attrazione operate sugli elettroni da entrambi i nuclei mantengono
insieme i due atomi*. Per un reticolo a zincoblenda, come il reticolo dell'ar-
seniuro di gallio, la forza legante più intensa è quella del legame covalente;
è anche presente però una debole forza legante di tipo ionico, dovuta alla
forza elettrostatica. attrattiva tra ciascun ione Ga.- e i quattro ioni As+ ad
esso adiacenti, oppure tra ciascuno ione .AS+ e i quattro ioni Ga- che lo
circonda.no.
*In realtà., il legame cova.lente è spiega.bile unicamente mediante la. meccanica. quanti-
stica. [NdT].

------------- ··--------------
 ____ _____________ _
"

10 CAPITOLO 1 BANDE DI ENERGIA E CONCENTRAZIONE DEI PORTATORI 11

valenza diventa un elettrone libero. ·Nel legame covalente viene a mancare

un elettrone; questa deficienza. può essere riempita. da un altro elettrone di
un lega.me vicino, e ne risulta. lo sposta.mento della posizione dell'assenza. di
elettrone da A a. B nella. Figura 1.7b. Si può considera.re questa. "assenza."
come una. particella simile all'elettrone; a. tale particella fittizia si assegna il
noine di lacuna. Essa porta. una. carica positiva e, sotto l'azione di un campo
elettrico applicato, si muove in verso opposto a. quello di un elettrone. Il
concetto di la.cuna. è analogo a quello di una bolla. in un liquido: sebbene
sia. il liquido che effettiva.mente si sposta., risulta. molto più semplice parla.re
del moto della bolla. in direzione opposta.

1.4 Bande di energia

In un a.tomo isolato gli elettroni dell 'a.tomo possono assumere solo valori
discreti di energia. Per esempio, i livelli energetici di un atomo di idrogeno
isolato sono quelli forniti dal modello di Bohr3
\(:·: [,: t.~:=;:J . . t.:j;)jj:J
-moq4 -13,6
EH = &2h2 2 = - - 2 - eV (1.1)
0 n n

dove 111o è la massa dell'elettrone libero, q è la carica dell'elettrone, Eo è la.

permittività dello spazio libero, h è la. costante di Planck e n è un numero
intero positivo detto numero quantico principale. I valori discreti di energia.
·sono: -13,6 eV per il livello fonda.mentale (n = 1), -3,4 eV per il primo
=
livello eccitato (n 2) ecc.

~~i!
Si considerino ora due atomi identici. Quando questi sono posti lontani

l
( b)
Fig. 1.7 Schema dei legami di base del sir1cio intrinseco. (a) La rottura di un legame ~n
posizione A provoca la nascita di un elettrone e di una lacuna. (b) Un legame spezzato in
A bassa. tempera.tura., gli elettroni sono vincola.ti al loro reticolo tetrae-
drico, e di conseguenza. non sono disponibili per la. conduzione. A tempera.-
ture più elevate, le vibrazioni termiche possono spezzare i lega.mi covalenti;
quando un: legame si rompe nasce un elettrone libero che può contribuire
alla. conduzione: la.Figura l.7a illustra. la. situazione in cui un elettrone di
l'uno dall'altro, i livelli energetici permessi per ogni dato numero quantico
principale (per esempio n = 1) consistono di un unico livello degenerato in
due livelli, cioè ogni a.tomo ha esattamente la stessa. energia (per esempio
-13,6 eV per n = 1). Avvicinando gli a.tomi l'uno all'altro, quando questi
iniziano a interagire, il livello energetico doppio si separa in due livelli di-
stinti. Se si· considerano gli N a.tomi che insieme formano un cristallo, per
in er omica, ve o energe 1co -vo e egenere s1
suddividerà in N livelli distinti, ma. assai vicini in energia.. Ne risulta. una.
banda. di energie sostanzialmente continua..
La. struttura detta.glia.ta. delle bande di energia di un solido cristallino è
stata calcolata. con l'uso della. meccanica quantistica.. La Figura 1.8 rap-
presenta. un diagramma. schematico della formazione di un reticolo cristal-
lino con struttura del diamante partendo da a.tomi isola.ti di silicio. Ogni
atomo isolato ha i propri livelli energetici discreti (sull'estrema. destra del

- - - - - - - - - - - - - - --
 12 CAPITOLO 1 BANDE DI ENERGIA E CONCENTRAZIONE DEI PORTATORI
ENERGIA
DELL'ELETTRONE
I ',B~.D,'} !>! YA'f.NJ!%
BANDA DI
CONDUZIONE
~a
'?/")//).,,7_,
/ BANDADI /
/ VALENZA /
'lU'//Nd
o
5.43A SPAZIATURA INTERATOMICA DEL RETICOLO
Fig. 1.8 Formazione delle bande di energia mentre si forma un reticolo cristallino tipo
diamante accostando atomi di silicio isolati.
diagramma sono mostrati i due livelli più esterni). Al diminuire della di-
stanza interatomica ciascun livello degenere si suddivide e forma una banda.
Un'ulteriore diminuzione della spaziatura interatomica fa sì che le bande ori-
ginate dai vari livelli discreti perdano la loro identità e si compenetrino per
formare una singola banda. Quando la spaziatura tra gli atomi si avvicina al
valore che assume all'equilibrio la distanza interatomica del reticolo del dia-
mante (la costante reticolare del silicio è 5,43 A), quest'unica banda ritorna
a suddividersi in due bande. Tali bande sono separate da una regione che
designa le energie che l'elettrone in un solido non può assumere: si tratta
della banda proibita, di ampiezza E 9 • La banda superiore è detta banda di
conduzione, quella inferiore banda di valenza, entrambe sono indicate all'e-
strema sinistra della Figura 1.8.
Nella Figura 1.9 sono illustrati i diagrammi delle bande di energia delle
tre classi di solidi: isolanti, semiconduttori e conduttori. In un isolante,
molto forti con gli atomi adiacenti. Tali legami sono difficili da rompere,
e di conseguenza non vi sono elettroni liberi in grado di prendere parte al
fenomeno della conduzione; come si osserva nel diagramma delle bande di
energia della Figura L9a si ha una. banda. proibita estesa.. Si noti che tutti
i livelli energetici nella. banda. di valenza sono occupati da. elettroni,; mentre
tutti i livelli della banda. di conduzione sono vuoti. Né l'energia termica,
né quella. applicabile con un campo elettrico sono in grado di innalzare un
--------------------- - - -
13
BANDA
DI VALENZA OCCUPATA ?@7~}]
BAND D CONO BANDA DI CONDUZIONE
A I• • • UZIONEl PARZIALMENTE OCCUPATA
Eg-leV
"f"/ffJW/ffe a, f ....,.. ., """"""""'~
~~
BANDA DI VALENZA
(O) (b) (C)
Fig. 1.9 Rappresentazione schematica delle bande di energia: (a) di un isolante, {b) di un
semiconduttore e (e) di un conduttore.
elettrone situato nella parte superiore della banda di valenza. sino alla. banda.
di conduzione. Pertanto il biossido di silicio è un isolante e non può condurre
corrente.
Secondo quanto si è studiato nel paragrafo 1.3, i legami tra. a.tomi vicini
in un semiconduttore sono solo moderatamente forti, pertanto le vibrazioni
di origine termica potranno spezza.re alcuni legami. Quando un legame ·si
rompe, si generano un elettrone libero e una lacuna libera. La Figura 1.9a
mostra che la banda proibita di un semiconduttore non è tanto estesa quanto
quella. di un isolante (il Si per esempio ha. una banda proibita di 1,12 eV).
Quindi alcuni elettroni sa.ranno in grado di salire dalla banda di valenza
alla banda di conduzione, lasciando in corrispondenza lacune nella banda
di valenza. Applicando un campo elettrico, sia gli elettroni della banda di
conduzione che le lacune della banda di valenza acquisiscono energia cinetica
e conducono elettricità..
In un conduttore, quale un metallo (Figura 1.9c), la. banda di conduzione
è solo parzialmente riempita e si sovrappone alla banda di valenza, in modo
tale che non vi sia banda proibita. Di conseguenza., gli elettroni di ener-
gia. più elevata. nella banda parzialmente riempita, o gli elettroni all'estremo
superiore della banda di valenza., possono spostarsi su livelli energetici dispo-
o oc iù alta uando ac uisicono ene ·a cinetica
(per esempio ad opera di un campo elettrico applicato). In un conduttore
quindi il fenomeno della conduzione di corrente si instaura. senza. difficoltà.
I diagrammi a bande di energia mostrati in Figura 1.9 indicano l'energia.
degli elettroni. Quando l'energia di un elettrone aumenta, l'elettrone si
sposta raggiungendo una posizione più alta nel diagramma a. bande. D'altra
parte, quando aumenta l'energia. di una. lacuna., la lacuna. si muove verso il
· basso nella. banda di valenza (questo accade perché una. lacuna. ha. carica
-----------·--- -----------
 14 CAPITOLO 1 BANDE DI ENERGIA E CONCENTRAZIONE DEI POltl'ATORI 15

più alto della ba.nda. di valenza è detta ba.nda proibita. L'ampiezza. della.

ENERGIA
DELL'ELETTRONE I banda proibita E 9 è il parametro più importante nella. :fisica. del semicon-
duttore. Si indicherà. con Ec l'estremo inferiore della banda. di conduzione.
Ec corrisponde all'energia. potenziale di un elettrone, cioè all'energia. di un
j
ENERGIA
DEUAlACUNA
elettrone di conduzione quando è a riposo. L'energia. cinetica. di un elettrone
si misura. al di sopra di Ec. Analogamente, si designa con Ev l'estremo su-
I periore della banda. di valenza: Ev corrisponde all'energia. potenziale di una.
lacuna. L'energia. cinetica. di una lacuna si misura. al di sotto di Ev.
Allatempera.tura ambiente e alla normale pressione atmosferica, l'am-
- DISTANZA
piezza. della. banda proibita. è pari a 1,12 eV per il silicio ed a. 1,42 eV
per l'arseniuro di gallio. La Figura 1.11 riporta. i va.lori di E9 misurati in
Fig. 1.10 Energia potenziale ed energia cinetica in una rappresentazione delle bande di funzione della tempera.tura. La. larghezza. della banda proibita a. O K vale
energia. approssimativa.mente 1,17 eV per il silicio e 1,52 eV per l'arseniuro di gallio,
la. sua variazione con la. tempera.tura può essere espressa. con le relazioni4
1.6-------------~

(1.52)
Eg{T) = 1,17 - (4,73 X 10-4)1'2 per il silicio (1.2a)
(T+ 636)
e
E (T) = 1 52 - (5,4 X 10-4) T2 per l 'a.rseniuro di gallio. ( 1.2b)
9
1.4 ' (T+204)
>..
- ... 1.3
Il coefficiente di tempera.tura dE9 / tl1' è negativo sia. per il silicio che per l'ar-
w seniuro-di galliò (cioè l'ampiezza della. ba.nda proibita diminuisce al crescere
ii5 della. temperatura).
1.2
...
IC (1.17) Per un elettrone libero l'energia cinetica. E è espressa dalla relazione
e(

J
e
z
~ I.I E= p2 (1.3)
2mo
I.O dove p è la quantità. di moto della particella. e mo la massa. dell'elettrone li-
I 0.9
bero. Un elettrone nella. banda di conduzione è simile a un elettrone libero,
in quanto esso è relativamente libero di muoversi all'interno del semicon-
o 200 400 600 800
T(K) duttore. Comunque, a ca.usa della periodicità. del potenziale dei nuclei, la
4
• 111
F 1g.. • Amp:..••a
~ della banda proibita del Si e del GaAs in funzione della temperatura. dalla massa. di un elettrone libero. La. relazione ènergia-quantità. di moto di
un elettrone di conduzione si può scrivere nella forma

opposta. a quella dell'elettrone). p2

E=- (1.4)
La relazione tra le energie degli elettroni e delle lacune è illustrata nella 2mn
.Figura. 1.10. Secondo la trattazione svolta in precedenza, la regione che dove p è la. quantità di moto nel cristallo o impulsò del cristallo e mn •è la
. separa· le energie del più basso livello della ba.nda di conduzi.one e del livello massa. efficace dell'elettrone (il pedice n si riferisce al fatto che la carica
16 CAPITOLO 1 BANDE DI ENERGIA E CONCENTRAZIONE DEI PORTATORI 17

BANDA DI
Figura l.12a). Nel silicio, pertanto, quando un elettrone compie una transi-
GaAa CONDUZIONE zione dalla banda. di valenza alla banda di conduzione, richiede non soltanto
una variazione di energia(;::: E9 ), ma anche una variazione dell'impulso del
cristallo. Per l'arseniuro di gallio (Figura l.12b), il massimo della banda di
valenza e il minimo della banda di conduzione si verificano per lo stesso va-
lore dell'impulso del cristallo (p = O): quindi un elettrone può compiere una
~I transizione dalla banda. di valenza alla banda di conduzione senza variazioni
IC
w
del valore di p.
zw
L'arseniuro di gallio è detto semiconduttore diretto, dato che una tran-
sizione dalla banda di va.lenza. alla banda di conduzione non richiede al- .
l'elettrone una variazione dell'impulso del cristallo. Il silicio è detto se-
miconduttore indiretto, poiché a una transizione è connessa una variazione
dell'impulso del cristallo. Tale differenza tra strutture a banda diretta e
Pc indiretta risulta molto importante nei diodi a emissione di luce e nei la-
IMPULSO DEL CRISTALLO ji ser a semiconduttore, che richiedono semiconduttori diretti per un 'efficiente
(O) (b) generazione di fotoni (si veda. il capitolo 7).

Fig. 1.12 Struttura delle bande di energia del Si e del GaAs. I cerchi (o) indicano le lacune
nella banda di valenza e i punti (•) gli elettroni nella banda di conduzione.
1'

. La relazione energia-quantità di moto in prossimità del minimo della

elettrica di un elettrone è negativa.). Un'analoga espressione si può scri-
vere per le lacune (con massa efficace mp, dove il pedice p si riferisce alla
carica positiva della la.cuna). L'impulso del cristallo è una grandezza ana-
loga alla quantità di moto nello spazio libero. Il concetto di massa efficace è
molto utile, dato che consente di trattare lacune ed elettroni come particelle
classiche elettricamente cariche.
Il diagramma a bande di energia della Figura 1.10 è una rappresentazione
semplificata di una struttura a bande alquanto più complessa; la Figura 1.12
illustra per il silicio e l'arseniuro di gallio diagram · etici solo lieve-
mente più complica.ti, in cui l'energia è riportata. . ne dell'impulso
del cristallo lungo due direzioni tipiche nel cristallo.
Si nota. che vi è una banda proibita di ampiezza. E9 tra il fondo della. banda
di conduzione e la cima. e a an a enza. er s oo igura. . a ,
il massimo della banda di va.lenza. si verifica a p = O, mentre il minimo della
banda di conduzione è situato lungo la direzione [100] nel punto p = Pc·
Questa situazione mostra la principale differenza tra la quantità di moto
della particella e l'impulso del cristallo: la. quantità di moto di un elettrone
libero è nulla quando l'energia cinetica è nulla. Ciononostante, un elettrone
nel minimo della banda di conduzione (con energia. cinetica nulla.), può a.vere
=
u.n impulso del cristallo diverso da zero (cioè, p Pc come è illustrato nella
banda di conduzione e del massimo della banda di va.lenza. risulta. effet-
tivamente parabolica, come è espresso nella (1.4); nota allora la relazione
,j! E - p, si può determinare la massa efficace dalla derivata seconda di E fatta
r rispetto a p
(1.5)
Pertanto, quanto più stretta è la para.boia, tanto più piccola è la massa
efficace. Per esempio, nell'arseniuro di gallio, in cui la parabola della banda
di conduzione è molto stretta, la massa efficace dell'elettrone è 0,07 mo,
mentre nel silicio, dovela banda di conduzione è più larga., la massa efficace
dell'elettrone vale 0,19 mo (la massa. efficace dell'elettrone nel silicio dipende
dalla direzione del cristallo; il valore di 0,19 mo si riferisce alla massa efficace
perpendicolare alla direzione [100].)
Quando un elettrone si muove avanti e indietro lungo la direzione :e in un
materia.le semiconduttore, i suoi movimenti posso essere descritti come le
oscillazioni di un'onda stazionaria. La lunghezza d'onda À dell'onda stazio-
naria è legata alla lunghezza L del semiconduttore da
.L
I= nz (1.6)

--------~- .. - - - - - --------
 - - - "-----··-----

18 CAPITOLO 1
I
{ e
BANDE DI ENERGIA E CONCENTRAZIONE DEI PORTATORI 19

iiz
N(E) = 4r (2~n) a/2 E1/2
I
(1.12)

dove N (E) viene detta densità degli stati. Si tratta infatti della. densità.
degli stati permessi per unità. di volume.
(
-\ 1.6 Concentrazione dei portatori intrinseci

Fig. 1.13 Porzione di una sfera nello spazio dell'impulso del cristallo.
dove nx è un numero intero.a La. lunghezza d'onda può essere espressa 'con
Ii A ogni temperatura. sopra. lo zero assoluto, l'ininterrotta agitazione termica
' provoca l'eccitazione di elettroni dalla banda di valenza alla banda di con-
duzione, con la generazione di un ugual numero di lacune nella banda di
valenza. Un semiconduttore intrinseco è un semiconduttore che contiene
una quantità. relativamente piccola di impurità. a confronto del numero di
elettroni e di la.cune genera.ti termicamente. Per determina.re la concentra-
il légame zione degli elettroni (cioè il numero di elettroni per unità. di volume) in un
h
À = -
Px
(1.7)

dove h è la costante di Planck e Px è l'impulso (del cristallo) lungo la dire-

zione z. Sostituendo la (1.7) nella (1.6) si ottiene
L'incremento di impulso dpx richiesto per un incremento unitario di nx è
L dpx = h
Per un cubo a. tre dimensioni di lato L si ha.
La dpx dpll dpz = ha (1.10)
Per un cubo di lato unita.rio (L = 1) il volume dpxdp11 dpz nello spazio del-
l'impulso è quindi eguale a h3 • Ogni incremento in n corrisponde a un'unica.
terna di interi (nx,ny,nz), che a sua volta corrisponde a. uno stato energe-
. • · · ,. ulso
ad uno stato energetico è ha. La Figura 1.13 riporta. lo spazio dell'impulso
in coordinate sferiche; il volume tra due sfere concentriche (tra P a. P + dp)
è 4rp2dp. II numero degli stati di energia contenuti in questo volume è
2 (4rp2dp) /ha, dove il fattore 2 tiene conto degli spin dell'elettrone. Sosti-
tuendo mediante la (1.4) E al posto di psi ottiene
N(E)dE =
8rp2 dp
ha = 411" (2~n) a/2 E1/2 dE . (1.11)
t semiconduttore intrinseco, si valuta prima di tutto la. densità. degli elettroni
compresi entro un intervallo infinitesimo di energia. dE .. Tale concentra-
zione, n(E), è da.ta dal prodotto della. densità. degli sta.ti energetici permessi
per unità. di volume N(E) e dalla. probabilità. f(E) che questò intervallo
(1.8) di energie venga occupato. La concentrazione degli elettroni nella banda di
conduzione è allora. ottenuta. integrando N(E)f(E)dE dall'estremo inferiore
della banda. di conduzione (Ec che, per semplicità., si pone inizialmente= O)
all'estremo superiore Eaup
(1.9)
[E•up (E.up
n = lo n(E) dE = lo N(E) F(E) dE (1.13)
La probabilità. che uno stato elettronico con energia E sia. occupato da.
un elettrone è fornita. dalla funzione di distribuzione di Fermi-Dirne (detta.
anche funzione di distribuzione di Fermi)
1
- 1 + e(E-EF)/kT
dove k è la. costante di Boltzmann, T è la. temperatura assoluta. espressa. in
gradi Kelvin e EF è il livello di Fermi. Il livello di Fermi è l'energia. a. cui la.
probabilità. di occupazione vale esatta.mente un mezzo. La distribuzione di
Fermi è illustrata. nella. Figura. 1.14 per diversi valori della. tempera.tura.: si
noti che la. curva. f(E) è simmetrica. rispetto al livello di Fermi E= Ep. In
corrispondenza a. energie superiori o inferiori al livello di Fermi per più di
20 CAPITOLO 1 BANDE DI ENERGIA E CONCENTRAZIONE DEI PORTATORI 21

E E E E
0.3..----------r-----------. BANDA
DI CONDUZIONE I
------ -l-'--
I
Ec
F!El=----- -
I
---EF ---
E- EF) --i-- -Ev
I +exp ( "kT" I
I

o 0.5 I.O
N (El F(E) n(El E p(E)

>..
IL
(O) (b) (C) (d)

.,w Fig. 1.15 Semiconduttore intrinseco. (a) Diagramma schematico delle bande~ (b) Densità
w degli stati. (e) Funzione di distribuzione di Fermi. (d} Concentrazione dei portatori.

la funzione f(E) della. Figura 1.15c fornisce la. curva. di n(E) in funzione
di E (Figura. 1.15d, curva. superiore). L'area. tratteggiata. superiore nella
-0.21----------1---------411 Figura. 1.15d corrisponde alla concentrazione degli elettroni.
Nella. banda di conduzione il numero degli stati permessi è assai eleva.tò.
-0.3.___ _ _ _ _ _ _ ___.__ _ _ _ _ _ _ ___,
Tutta.via, in un semiconduttore intrinseco vi sono solo pochi elettroni nella
o 0.5 I.O banda. di conduzione, poiché la. probabilità. che questi sta.ti sia.no occupati
F(El da un elettrone è piccola.. Anche nella banda. di va.lenza. si trova. un gran
numero di stati permessi, ma, al contrario del caso precedente, la maggior
Fig. 1.14 Funzione di distribuzione di Fermi f(E) in funzione di (E-Ep) per diversi valori parte di questi è occupata da. elettroni. Cioè, la probabilità. che un elettrone
della temperatura. occupi uno degli stati nella. banda di va.lenza è prossima. all'unità.. Nella
3kT, il termine esponenziale nella (1.14) diventa rispettiva.mente superiore banda di vatenza gli stati non occupa.ti da elettroni, cioè te lacune, sono solo
a 20 o inferiore a 0,05; la funzione distribuzione di Fermi si può allora pochi. Come si vede, il livello di Fermi. è situato in prossimità. del centro
approssimare con espressioni più semplici della. banda proibita (cioè EF è parecchi kT sotto Ec). Poiché f(E) è una.
firnzinne esponenziale decrescente di E (1.15a) si può sostituire l'estremo
F(E) ~ e-<E-EF)/kT per (E- EF) > 3kT (1.15a) superiore di integrazione Esop con l'infinito. Sostituendo allora le equazioni
e (1.12) e (1.15a) nella (1.13) si ottiene
F(E) ~ 1- e-(ErE)/kT per (E- EF) < -3kT (1.15b)

n = 4r E1/2exp dE (1.16)
La (1.15b) può essere interpretata come la probabilità. che una lacuna occupi
uno stato di energia E.
La Figura 1.15 illustra schematicamente da sinistra a. destra. il diagramma.
a. bande, la. densità. degli stati (che va.ria con la. legge VE), la funzione
Se si pone z = E/kT la. (1.16) diventa
di Fermi e la. concentrazione dei portatori nel ca.so di un semiconduttore
intrinseco. Sulla. base della (1.13) la. concentrazione dei porta.tori si può
ottenere per via. grafica.; infatti il prodotto di N (E) della. Figura 1.15b per (1.17)
 22 CAPITOLO 1 BANDE DI ENERGIA E CONCENTRAZIONE DEI PORTATORI 23

L'integrale della (1.17) è noto e val.e ..(i/2; si ottiene allora Il livello di Fermi per un semiconduttore intrinseco si ottiene eguagliando
la (1.19) e la (1.21)
_- 2 (21rmnkT) 3 2
/ (EF) (1.18).
n h2 exp kT EF = Ei = Ee ~ Ev + k~ ln (~:)
Riferendo ora il fondo della banda di conduzione al val.ore corretto Ee e = Ee + Ev + 3kT ln (m,,) (1.23)
non più a· zero, si ottiene la concentrazione degli elettroni nella banda di 2 4 'mn
conduzione
A tempera.ratura ambiente il secondo termine della somma. risulta. molto

n -- 2 (21C'h2mnkT) 3 2
'
exp
( Ee - EF)
kT
inferiore al primo: quindi il livello di Fermi intrinseco Ei, cioè il livello di
Fermi di un semiconduttore intrinseco, si trova generalmente assai vicino al
centro della banda proibita..
= Ne exp ( Eo k~EF) (1.19) La concentrazione dei porta.tori intrinseci si determina con le equazioni
e (1.19), (1.21) e (1.23)

Ne
_ (21rmnkT)
=2 h 2
3 2
/ (1.20) np = n~ (1.24)

dove Ne è la densità efficace degli stati nella banda di conduzione. A tem-

silicio e 4,7 x 1017 cm- 3 per l'arseniuro di gallio.

19
peratura ambiente, T = 300 K, la densità Ne val.e 2,8 X 10 cm- per il
3

La concentrazione p delle lai:une nella. banda di valenza si può determinare

in modo analogo
I e

=
n~

~
= NeNvexp (-:;)

= JNeNvexp (- 2!~)
(1.25)

(1.26)

dove E9 (Ee - Ev ). La (1.24) è.detta. legge dell'azione di massa e val.e in

condizioni di equilibrio termodinamico sia per semiconduttori intrinseci che
per semiconduttori estrinseci (cioè droga.ti con impurità). In un semicon-
duttore estrinseco l'aumento del numero dei porta.tori di un tipo tende a far
(1.21) ridurre il numero dei porta.tori dell'altro tipo a ca.usa della ricombinazione

l
(descritta. nel capitolo 2), pertanto il prodotto delle concentrazioni dei due
e tipi di porta.tori per una data tempera.tura. resterà costante.
(1.22) La Figura. 1.16 mostra. la. dipendenza. con la temperatura di ni per il silicio
e per l'arseniuro di gallio4 • A tempera.tura. ambiente, ni val.e 1,45x1010 cm-3
dove Nv è la densità efficace degli stati nella banda di valenza. A tempera- per il silicio e 1,79 x 1<>6 cm-3 per l'arseniuro di gallio. Come era da atten-
tura. ambiente, T = 300 K, la densità Nv vale 1,04 x 1019 cm-3 per il sili" cro
· dersi, a. una più estesa banda. proibita corrisponde una minore concentra-
. . .
' .
In un semiconduttore intrinseco, per come è stato definito, il numero degli
elettroni per unità di volume nella. banda di conduzione è eguale al numero 1. 7 Donatori e accettatori
delle la.cune per unità di volume nella. banda. di valenza, cioè n p = = ~,
dove ni è la. concentrazione dei portatori intrinseci. Questo lega.me tra Se si introducono in un semiconduttore delle impurità, il semiconduttore
elettroni .e la.cune è evidente nella Figura. 1.15d: si noti infatti che l'area. diventa estrinseco o drogato e si introducono i livelli energetici delle im~
tra.ttElggia.ta. nella banda di conduzione è .eguale a. quella nella banda di purità. La Figura. 1.17a mostra schematicamente che un a.tomo di silicio
valenza.. è rimpiazzato o sostituito da un a.tomo di arsenico con cinque elettroni di

--------~----~----
l
 --- ---·· -----------------

24 CAPITOLO 1 I
f
BANDE DI ENERGIA E CONCENTRAZIONE DEI PORTATORI 25

i
1500
1019
1000 500

:\ I
T(°C)
200 100
11 I
27
I
o
I
-50
!
10•
1 =\
-
\ {
~
\
\ \\
\
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-
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\ \ (a)

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I

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\ \l.45XIOIO
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-
- \ \ :·:-:·::~······
·:;;;;;.:~:~

I\
·~=~~-
\
-
\1.19x106
106
0.5 I.O 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
1000/T ( K-1)
(b)

Fig. 1.16 Concentrazione dei portatori intrinseci nel Si e nel GaAs in funzione del reciproco
4 Fig. 1.17 Rappresentazione schematica dei le ami per un cristallo di silicio n
con donatori (arsenico) e (b) di tipo p con accettatori (boro).

valenza. L'atomo di arsenico forma. lega.mi covalenti con i quattro a.tomi
di silicio a.dia.centi: il quinto elettrone diventa. un elettrone di conduzione,
che è "donato" alla. ba.nda. di conduzione. L'aggiunta. di porta.tori di carica.
negativa. rende il silicio di tipo n, e l'atomo di arsenico è detto un donatore.
Similmente la Figura 1.17b fa. vedere che, quando si sostituisce un atomo
di silicio c?n u~ atomo di boro con tre elettroni di valenza, 'Q.n ulteriore
elettrone viene accettato" per formare i quattro lega.mi covalenti attorno
all'atomo di boro: nella ba.nda. di valenza si è. generata una "la.cuna" carica
positivamente. Si ha cosi un semiconduttore di tipo p, e il boro è un accet-
tatore. Il modo più semplice di ca.lcola.re i livelli di energia delle impurità. è

- -- ---------
l
 ------------ ---

I BANDE DI ENERGIA E CONCENTRAZIONE DEI PORTATORI 27

26 CAPITOLO 1
l della densità. dei donatori ND
usare il modello dell'atomo di idrogeno. Si può stimare l'èneryia di ionizza- r
I
zione ED per un donatore sostituendo nella (1.1) mo con la massa efficace
dell'elettrone mn, fo con la permittività. del semiconduttore fs I Ec - EF = kTln (Z~) (1.29)

ED = (::r (::)EH (1.27)

L'energia di ionizzazione per atomi donatori (misurata a partire dal bordo
della banda di conduzione), calcolata mediante la (1.27), vale 0,025 eV per il
silicio e 0,007 eV per l'arseniuro di gallio. Nell'approssimazione dell'atomo
di idrogeno, il calcolo del livello di ionizzazione degli accettatori è simile a
quello svolto per i donatori. Si considera la banda di valenza incompleta
come una banda piena, più una lacuna posta nel campo centrale di forze
creato dall'accettatore carico negativamente. L'energia di ionizzazione così
calcolata, misurata dal bordo della banda di valenza, è di 0,05 eV sia per il
silicio che per l'arseniuro di gallio. . .
Il semplice modello dell'atomo di idrogeno non è in grado di tenere m
conto in modo dettagliato i diversi aspetti dell'energia di ionizzazione, in
particolare dei livelli profondi nei semiconduttori (cioè dei livelli con energie
di ionizzazione approssimativamente maggiori di 3kT).
Ciononostante, i valori calcolati consentono di prevedere corretta.mente
l'ordine di grandezza delle energie di ionizzazione dei livelli di impurità.
poco profondi. La Figura 1.18 riporta le energie di ionizzazione misurate
5
per diverse impurità. nel silicio e nell'arseniuro di gallio. Si noti come sia
possibile per un singolo atomo introdurre più di un livello: per esempio
l'ossigeno nel silicio presenta due livelli donatori e due livelli accettatori
all'interno della banda proibita.
Analogamente, per accettatori poco profondi, come mostrato nella figu-
ra 1.19b, se vi è ionizzazione completa, la concentrazione delle lacune si può
valutare come
(1.30)
dove N A è la concentrazione degli accettatori. Il corrispondente livello di
Fermi, in base alle (1.21) e (1.30), va.le
EF - Ev = kTin (Z:) (1.31)
Dalla (1.29) risulta evidente che quanto più alta è la concentrazione dei
donatori, tanto più piccola sarà la differenza energetica (Ec - EF), cioè
tanto più il livello di Fermi si sposterà. verso l'estremo inferiore della banda
di conduzione. Similmente, tanto più alta è la densità. degli ·accettatori,
tanto più il livello di Fermi si avvicinerà. al bordo superiore della banda di
valenza. La Figura 1.20 illustra il procedimento grafico per determinare la
concentrazione dei portatori: la tecnica è simile a quella esaminata nella
Figura 1.15. Nel caso presente però, il livello di Fermi è più vicino al bordo
inferiore della banda di conduzione, ela concentrazione degli elettroni (area
tratteggiata superiore) è molto maggiore della concentrazione delle lacune
(area tratteggiata inferiore). Per rispetto della legge di azione di massa
(1.24) il prodotto di n e p deve essere lo stesso che nel semiconduttore in-
trinseco: cioè np = n1. È utile esprimere le concentrazioni degli elettroni

l
Nel caso di donatori con livelli poco profondi nel silicio e nell'arseniuro e delle lacune in funzione della concentrazione dei portatori intrinseci ni
di gallio, è normalmente sufficiente l'energia termica per fornire la quan- e del livello di Fermi intrinseco Ei, dato che quest'ultimo viene frequente-
tità. ED necessaria per ionizzare a temperatura ambiente tutte le impurità. mente usato come livello di riferimento quando si studia.no semiconduttori
donatrici, e quindi rifornire di un egual numero di elettroni la banda ~ ~on: estrinseci. Dalle (1;19) e (1.21) si ottiene
duzione. Tale condizione viene detta ionizzazione completa. In condizioru
di ionizzazione completa si può scrivere la concentrazione degli elettroni con n = N. ( Eo - EF)
cexp kT

n = ND (1.28) = Noexp (- Eok; Ei) exp ( EFk; Ei)

dove ND è la concentrazione dei donatori. La Figura 1.19a illustra una
situazione di ionizzazione completa, dove la concentrazione degli elettroni = niexp ( EFk;Ei) (1.32)
(che sono cariche mobili) è eguale a quella dei donatori (che sono cariche e
fisse); nella Figura il livello dei donatori ED è misurato ris~ett? all'~tremo
inferiore della banda di conduzione~ Dalle (1.19) e (1.28) s1ottiene1 espres- EF-Ev)
P = Nvexp ( kT
sione del livello di Fermi in funzione della densità. efficace degli stati Ne e
28 CAPITOLO·l BANDE DI ENERGIA E CONCENTRAZIONE DEI PORTATORI 29

Sb P As Ti e Pt Au O
0.039. 0.045 Q.054 0.21 0.25. 0.25 E E E E
- -;;-
1.12 1------c-----~-----------==-"A-0:41-
0.38A
0.54 ~ Ec
Eo
....CB

No
n

0.34 0.35 .Q2§ -

1 B
·

Al.
016 -
0.045 0.0610.072 - · -

Go
0 -o~
0.3

In
o
Pd
N (El
o 0.5 I.O
s Se Sn Te SI e o F(El n(E) e p(E)
0.006 0.006 0.006 003 0.0058 0.006 (O) (bi (C) Cdl
GoAs . ·

1' '
.
1.42 ~- _ - - - - - - - - - - - - - - - - ~.~: 0.~7--A -
~
0.63
Fig. 1.20 Semiconduttore di tipo n. (a) Diagramma schematico delle bande. (b) Densità
degli stati. (e) Funzione di distribuzione di Fermi. (d) Concentrazione dei portatori. Si noti
=
che np nr

1 0.028 0.028 ~· ~ 0.035~6 -0.14

Be Mg Zn Cd SI e
0.24

Cu Cr
16 3
10 cm- . Si determfuino la concentrazione dei portatori e il livello di Fermi
a temperatura ambiente (300 K).
Soluzione
Si assume che per T = 300 K gli atomi di impurità siano completamente
ionizzati. Si ha
Fig. 1.18 Energie di ionizzazione misurate di varie impurità nel Si e nel GaAs. I livelli situat~
al di sotto del centro della banda proibita sono misurati a partire dalla cima della banda d1
valenza e ~no livelli accettatori a meno che non siano espressamente contrassegnati con una e dalla (1.24)
O per indiCare i livelli donatori. I livelli situati sopra il centro sono invece m.isurati a partire da~
fondo della banda di éOnduzione· e sono livelli accettatori a meno che non siano contrassegnati
....., n; 2 - (1,45 X 1010)2 - 21 104 -3
p - ND - 1016 - ' x cm
con una A che indica rii.velli accettatori. 5
Il livello di Fermi, misurato dal bordo inferiore della banda di conduzione, è
dato dalla (1.29)

Ec?%?'~A.4°*; IONI ~,,&/~Ee Ec-EF = kTln [Z~]

Eo-$ E!l E!l @ $ @ $ $ @- DONATORI

(2• 81~~! )
019
E;----:----~------ --------------E; = 0,02591n = 0,206 eV
• ·IONI . , -e .. e e e e e. e e e-EA
Ev..,,-~7"7"! . .777.'7">0.°""<:0~~~;
. ..,,.,"··777 ACCETTATORI ;:w7,..@"/~Ev Il livello di Fermi; misurato dal livello di Fermi intrinseco, è dato dalla (1.32)
ND
(o) ( b)

Fig•. 1.19 Rappresentazione.schematica delle blrnde di energia di un semiconduttore estrin-

·. 1016 )
seco 0 drogato con (a) ioni donatori e (b) ioni aé:èettatori. = 0,0259 ln ( , x
1 45 1010
= 0,354 eV
= ni exp ( Ei ;TEF) (1.33) I risultati sono riportati graficamente nella Figura 1.21.

Se sono presenti simultaneamente impurità. donatrici ed accettatrici, il tipo

Problema •. . ·· •· . ·. ·, . . . . . di conducibilità. del semiconduttore è d~~rminato dal tipo di impurità. .pr~
Un pezzo di silicio è drogli.to c'on iina coricéiltraziQne di atomi d1 arsenico di sente con concentrazione superio~. 'Il livello di F~ varia in modo da
 30 CAPITOLO 1 BANDE DI ENERGIA E CONCENTRAZIONE DEI PORTATORI 31

0.054eV

T ~~~
______f
1.12eV------
o~o.!~-----EF
0.354eV
--------E1

1~ .
Fig. 1.21 Diagramma a bande con il livello di Fermi EF e con il livello di Fermi intrinseco
Ei.

preservare la neutralità della carica, cioè la condizione per cui la carica to-
tale negativa (dovuta a elettroni e accettatoti ionizzati) deve essere uguale
alla carica totale positiva (legata alle lacune e ai donatori ionizzati)

(1.34)

La soluzione contemporanea della (1.24) e della (1.34) fornisce le espressioni

delle concentrazioni degli elettroni e delle lacune in un semiconduttore. di
tipo n

(1.35)

=
j
Pn (1.36)
nn
Fig. 1.22 Livello di Fermi nel Si e nel GaAs in funzione della temperatura e della concentra-
Il pedice n si riferisce al semiconduttore di tipo n. Gli elettroni sono i por- zione delle impurità. La Figura illustra anche la variazione dell'estensione della banda proibita
tatori dominanti, e quindi vengono detti portatori di maggioranza o mag- c&n la temperatura.6

I gioritari; mentre le lacune nel semiconduttore di tipo n sono dette portatori

di minoranza o minoritari. In modo analogo si ottengono le concentrazioni
L'entità. della concentrazione netta delle impurità IND - NAl è di solito su-
delle lacune (portatori maggioritari) e degli elettroni (portatori minoritari)
periore alla concentrazione in~a dei portatori fli. Pertanto le rela.Zioni
SI possono semp ca,l'.El come

(1.37) nn ~ ND - NA se ND > NA (1.39)

P, ~ NA - ND se NA > ND (1.40)
e
Dal.le (1.35) e (1.38), insieme con le (1.19) e (1.21), si può calcolare la posi-
n, = Pr>
(1.38) zione del livello di Fermi in funzione della temperatura per una data densità.
di accettatoti o di donatori: nella Figura 1.22 sono riportati in grafico i ri-
Il pedice p si riferisce al semiconduttore ài tipo p. sultati di questi calcoli per il silido6 e per l'arseniuro di gallio. Nella Figura
l
I~
 32 CAPITOLO 1 BANDE DI ENERGIA E CONCENTRAZIONE DEI PORTATORI 33

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it., Introduzione alla fisica dello stato solido, trad. G. Baldini, Boringhieri,
Torino 1971.
3 Halliday, D. e Resnick, R., Fundamentals of Physics, 24 ed., Wiley, New York
1981; trad. it., Fondamenti di fisica, CEA Milano 1984.
~
a:
E 4 Thurmond C. D., "The standard Thermodynamic Funètion of the Formation
iil of Electrons and Holes in Ge, Si, GaAs, and GaP", J. Electroèhem. Soc., 122
:::; f---- REGIONEESTRINSECA -..J
~ I - (1975) 1133.
e
w
~ 5 Sze, S.M., Physics of Semiconductor Devices, 2a ed., Wiley, New York 1981.

~
w
6 Grove, A.S., Physics and Technology of Semiconductor Devices, Wiley, New
York 1967; trad. it., Fisica e tecnologia dei dispositivi a semiconduttore, 4a
"zo ed., Angeli, Milano 1985.
0
" 0"~'---:100=-=----=200=---=37
00::----:4:--=0Q::-='--;500~~-=::600
T(K)

Problemi
Fig. 1.23 Concentrazione degli elettroni in funzione della temperatura relativa a un campione
di Si con una concentrazione di donatori di 10 15 cm- 3 .
1 In un cristallo di. silicio,
viene anche rappresentata la variazione dell'ampiezza della banda proibita (a) quanto vale la distanza tra. atomi adiacenti primi vicini?
con la temperatura. Si noti come, man mano che la tempera.tura. cresce, (b) Si determini il numero di atomi al centimetro quadro nei piani (100),
il livello si Fermi si approssimi al livello intrinseco, cioè il semiconduttore (110) e {111 ).
tenda a diventare intrinseco. La Figura 1.23 rappresenta il grafico della 2 Determinare la frazione massima. del volume della. cella unita.ria che può
densità degli elettroni in funzione della tempera.tura per un semiconduttore

J
in cui la concentrazione dei dona.tori è N v = 1015 cm- 3 • A bassa tem-
peratura l'energia termica nel cristallo non è sufficiente a ionizzare tutte le
impurità donatrici presenti. Alcuni elettroni sono "congela.ti" al livello dei
I dona.tori e quindi la concentrazione degli elettroni è inferiore alla. densità
dei donatori. Al crescere della temperatura si raggiunge la condizione di
completa. ionizzazione: nn = Nv. Aumentando ulteriormente la. tempe-
ra.tura., la concentrazione de · elettroni resta sostanzialmente costante er
un'ampia escursione di tempera.tura. Si tratta della. regione estrinseca. Co-
munque, aumentando ancora di più la. temperatura, si raggiunge un punto
in cui la concentrazione dei portatori intrinseci diventa confrontabile con la.
concentrazione dei dona.tori. Oltre questo punto il semiconduttore diventa.
intrinseco. La tempera.tura. alla. quale il semiconduttore diventa intrinseco
dipende dalla densità delle impurità, e si può determinare nella. Figura. 1.16
ponendò la concentrazione delle impurità eguale a ni.
essere riempita da. sfere solide identiche nel reticolo cubico semplice, nel
reticolo cubico facce-centrato e nel reticolo del dia.mante.
3 Si determinino gli indici di Miller di un piano le cui intercette lungo i
tre assi cartesiani sono 2a, 3a e 4a, dove a è la. costante reticolare.
4 Per l'arseniuro di gallio:
(a) si calcoli la densità atomica, sapendo che la costante reticolare è
riportata nella appendice F.
(b) Un pezzo di arseniuro di gallio è drogato con stagno. Se lo stagno
sostituisce nel reticolo gli a.toini di gallio si comporta come un do-
natore o un accetta.tare? Perché? Il semiconduttore è di tipo no
di tipo p?
5 Si ricavi la. relazione {1.21). Suggerimento: Nella. banda di valenza
la probabilità di occupazione di uno stato da parte di una. lacuna è
[1 - f(E)J. .

------ ---- -- - - ------ -- --------------------

 ___ , ____ - - - - - - --

34 CAPITOLO 1

6 Da.to che alla. tempera.tura ambiente, T = 300 K, la densità efficace

degli sta.ti nella banda di valenza è 1,04 x 1019 cm.- 3 per il silicio e
7,0 x 1018 cm-3 per l'arseniuro di gallio, si determinino i corrispondenti
valori delle masse efficaci delle la.cune. Si confrontino queste masse con
quelle degli elettroni liberi.
2
7 Si calcoli la. posizione di .Wi nel silicio alla tempera.tura dell'azoto liquido Fenomeni di trasporto dei
(T = 77 K), alla temperatura ambiente e a 100°C (si assuma m,, =
0,5mo e mn = 0,3mo). È ragionevole assumere che Ei si trovi al centro portatori
della banda proibita?
8 Si disegni un semplice diagramma delle bande di energia. per il silicio con
un drogaggio in arsenico di 1016 atomi/cm.3 a T =
77 K, a T =
300 K In questo capitolo si prendono in esame va.ri fenomeni di tra.sporto Che de-
e a T = 600 K. Si in<Ìichi il livello di Fermi e si usi il livello di Fermi rivano dal moto di porta.tori di carica. elettrica. (elettroni e la.cune) nei se-
intrinseco come livello di riferimento. miconduttori, sotto l'infl.uenza. di un campo elettrico o di un gradiente della.
9 Si determinino le concentrazioni di elettroni e di la.cune e il livello di concentrazione dei portatori. Si discuterà il concetto di iniezione dei por-
Fermi nel silicio a 300 K tatori in eccesso, che dà origine a una situazione di non equilibrio, in cui,
3
(a) con un drogaggio di boro di 1x1015 a.tomi/cm , cioè, il prodotto np differisce dal suo valore all'equilibrio termodinamico n~.
(b) ·con un drogaggio di 3 X 1016 a.t~/cm. di boro e di 2,9 x 1016 at./cm
3 3
Successivamente si studierà il ritorno a una. condizione di equilibrio attra-
di arsenico. verso i processi di generazione e di ricombinazione. Infine si ricaveranno
le equazioni fondamentali che governano il funzionamento dei dispositivi a
10 Si calcoli il livello di Fermi alla tempera.tura. ambiente nel silicio con un
drogaggio di fosforo di 1015 cm.-3 , 1017 cm-3 e di 1019 cm.-3 , assumendo semiconduttore, tra cui l'equazione della densità di corrente e l'equazione
di continuità. Il capitolo si chiuderà con una breve discussione sugli effetti
una situazione di completa ionizzazione. In base al valore calcolato per
di alto campo che provocano la saturazione della velocità e la ionizzazione
il livello di Fermi si verifichi per ogni drogaggio se l'ipotesi di completa.
per urto.
ionizzazione è giustificata..

l
I
2.1
2.1.1
Fenomeno di trascinamento dei portatori
Mobilità
Si consideri un pezzo di semiconduttore di tipo n con una concentrazione
uniforme di drogaggio, in condizioni di equilibrio termodinamico. Come
si è analizzato nel capitolo 1, gli elettroni di conduzione nella banda di
con uz1one semicon uttore sono sostanzi ente e e particelle libere,
dato che non risultano associa.ti ad alcuna particolare zona del reticolo o ad
alcun donatore. L'infl.uenza. del reticolo cristallino è incorporata nella massa
efficace degli elettroni di conduzione, che differisce alquanto dalla massa
dell'elettrone libero. L'energia termica media dell'elettrone di conduzione
all'equilibrio termodinamico si può ricava.re dal teorema. dell'equipartizione
dell'!:mergia: essa vale 1/2kT unità di energia per ogni grado di libertà dove
k è la. costante di Boltzmann e T è la temperatura assoluta1 • Gli ele~troni
 --------------- ---~·

36 CAPITOLO 2
FENOMENI DI TRASPORTO DEI PORTATORI 37
in un semiconduttore hanno tre gradi di libertà, dato che possono muoversi
in uno spazio tridimensionale; pertanto l'energia cinetica degli elettroni può
essere espressa dalla relazione
1 2 3
2mnvth = 2kT (2.1)
dove mn è la massa efficace degli elettroni e Vth è la velocità termica media. 1
Alla temperatura ambiente (T = 300K), la velocità termica della. (2.1) è
circa 107 cm/s sia per il silicio che per l'arseniuro di gallio. (O) <bi
Gli elettroni nel semiconduttore si muovono quindi rapidamente in tutte
le direzioni. Il moto termico di un singolo elettrone può essere visualiz- Fig. 2.1 Andamento schematico della traiettoria di un elettrone in un semiconduttore.
zato come una successione di diffusioni casuali conseguenti a urti con atomi (a) Moto termico casuale. (b) Moto combinato dovuto alla componente termica casuale e al
del reticolo cristallino,* atomi di impUrità e altri centri di diffusione nel campo elettrico applicato.
modo illustrato nella Figura 2.la. La casualità del moto degli elettroni
comporta che lei spostamento netto di un elettrone, durante un periodo di
(
vn=-mZe
qT.) . (2.2a)
tempo sufficientemente lungo, sia nullo. La distanza media tra due urti è
detta cammino libero medio e il periodo di tempo che mediamente trascorre La (2.2a) stabilisce che la velocità. di trascinamento dell'elettrone è propor-
tra due urti è detto tempo libero medio Te· In corrispondenzà. al valore ti- zionale al campo elettrico applicato, il fattore di proporzionalità. dipende
pico di 10-5 cm per il cammino libero medio, si ha un valore di Te di circa dal tempo libero medio e dalla massa' efficace. Il fattore di proporzionalità.
10;_5 cm/Vth ~ 10- 12 s = 1 ps. ' è detto mobilità dell'elettrone, si indica con µn e si misura in cm2 /Vs, ossia
Applicando al campione di semiconduttore un campo elettrico e di pic-
cola intensità, ogni elettrone subisce una forza -qe e viene accelerato lungo qTe
la direzione del campo (ma in verso opposto) per tutto il tempo che in-
µn - m,.
(2.3)
tercorre tra due urti successivi. Pertanto al moto termico dell'elettrone si Pertanto
sovrappone una componente addizionale di velocità, detta velocità di tm- Vn = -~e (2.4)
scinamento. Nella Figura 2.lb viene illustrata la traiettoria di un elettrone,

J
I
risultante dall'azione combinata del moto termico casuale e della compo-
nente di trascinamento. In questo caso si può osservare uno spostamento
netto dell'elettrone in direzione opposta al campo elettrico applicato.
Si può determinare la velocità di trascinamento Vn eguagliando l'impulso
·

(forzaxtempo) applicato all'elettrone durante il volo libero tra gli urti, pari
a -qeTe, alla quantità di moto raggiunta dall'elettrone durante lo stesso
La mobilità è un parametro importante per il fenomeno del trasporto delle
cariche, poiché descrive quanto intensamente il moto dell'elettrone sia in-
:fluenzato da un campo elettrico applicato. Un'analoga espressione si può
scrivere per le lacune della banda di valenza

periodo, pari m,. Vn· Infatti in condizioni stazionarie tutta la quantità di
moto acquisita fra collisioni successive viene persa e ceduta in ultima analisi
al reticolo cristallino. Si ha
(2.2)
ossia
•1n realtà i portatori non urtano contro gli atomi del reticolo periodico nella loro
posizione di riposo; di q11esta interazione infatti si tiene già conto nel concetto di massa
. termiche degli atomi del reticolo, presenti a qua.J.unqué temperatura supe-
efficace [ndT).
{2.5)
dove v è la velocità di trascinamento delle lacune e è la mobilità delle
lacune. Nella (2.5) il segno meno è scomparso poiché il moto delle lacune
avviene nello stesso verso del campo elettrico.
Nella (2.3) la mobilità è legata direttamente al tempo libero medio tra
collisioni, che a sua volta è determinato dai diversi meccanismi di diffusione
(scattering), i più importanti dei quali sono la diffusione reticolare e quella
dovuta alle impurità. La diffusione reticolare è provocata dalle vibrazioni
riore lo zero assoluto. Dato che l'entità delle vibrazioni cresce all'aumentare

I~
 38 CAPITOLO 2 FENOMENI DI TRASPORTO DEI PORTA,'.I'ORI 39

della temperatura, il meccanismo cli diffusione dovuta al. reticolo diventa

dominante ad alta temperatura: la mobilità diminuisce quindi al. crescere
della temperatura. Analisi teoriche2 mostrano che la mobilità _legata al fe-
nomeno della diffusione per opera del reticolo cristallino, µL, diminuisce
proporzionalmente a T-3/ 2 •
La diffusione da impurità si verifica quando una carica passa vicino a una
impurità drogante ionizzata (donatore o accettatore ): il portatore cli ca-
rica viene deviato dal. suo percorso per opera dell'interazione con il campo
§n·
e: '

DIFFUSIONE DA
IMPURITA'
'/ /

DIFFUSIOllE
REflCOLARE
.,, LOG T
I
di forza elettrostatico. La probabilità della diffusione da impurità dipende ~ 10 3 i-------t---'.,,_-1
dalla densità totale delle impurità ionizzate, cioè dalla somma delle concen- N
E
trazioni degli ioni carichi positivamente e di quelli carichi negativamente. In o
e
ogni caso, a differenza della diffusione operata dal reticolo cristallino, l'ef- ::t.
fetto degli urti con impurità diviene meno importante alle temperature più
alte, quando i portatori, muovendosi più velocemente, rimangono un tempo
più breve in prossimità dell'impurità e vengono quindi deflessi con minore
efficacia. Si pùò dimostrare teoricamente che la mobilità µ1 legata al mecca-
nismo di diffusione da impurità varia come T 312 /NT, dove NT rappresenta
la concentrazione totale di impurità.3
La probabilità che a\ivenga una collisione nell'unità di tempo 1/Te è la
somma delle probabilità cli urto legate a.i diversi meccanisni di diffusione
500 1000
T(K)
1 1 1
Te
= Te, reticolo + Tc,impmità (2.6) Fig. 2.2 Mobirità degli elettroni nel silicio in funzione della temperatura per diverse concen-
trazioni di donatori. L'inserto mostra la dipendenza teorica dalla temperatura della mobilità
ossia degli elettroni. 4
1 1 1
µ = µL + µ1 {2.6a)
'
La. Figura. 2.3 illustra l'andamento misurato delle mobilità nel silicio e nel-
Nella Figura 2.2 sono riportati per il silicio i val.ori della mobilità degli elet- l'arseniuro di gallio in funzione della concentrazione delle impurità, alla. tem-
troni in funzione della tempera.tura per cinque differenti concentrazioni cli pera.tura. ambiente.4 •5 La. mobilità raggiunge per concentrazioni .assai basse
> dona.tori4 • L'inserto nella. figura. mostra. la dipendenza teorica dalla tem- un massimo, che corrisponde al limite imposto dal meccanismo di diffusione
-" · ratura. dovuta. a entrambi i meccanismi di diffusione (quella operata. dal del reticolo. Entrambe le mobilità (cli elettroni e lacune) diminuiscono al
' ·colo e quella legata: alle impurità). In campioni poco drogati (cioè se-
·~· ~ . . . . . crescere della. concentrazione delle impurità, e per elevate concentr_azioni
ore JDirumo. i noti come la mobilità degli elettroni sia
nomeno dell'urto con il reticolo e la. mobilità diminuisce al crescere della. maggiore cli quella. delle lacune, ciò è dovuto sopra.tutto alla massa. efficace
tempera.tura. In campioni molto drogati l'effetto delle collisioni con im- degli elettroni che è inferiore.
purità è predominante a basse temperature; la mobilità aumenta. quindi
al crescere della. tempera.tura., come si può osservare in un esemplare con 2.1.2 Resistività
drogaggio cli 1019 cm- 3 • A parità cli tempera.tura. la. mobilità diminuisce al
crescere della concentrazione delle impurità, dato che si intensifica. l'apporto Si conside~erà ora. la conduzione in un materiale semiconduttore omoge-
della diffusione da. impurità. neo. La Figura. 2.4a mostra un pezzo cli semiconduttore cli tipo n e il suo

------ -·--------
 i

i 40 CAPITOLO 2 FENOMENI DI TRASPORTO DEI PORTATORI 41

I

~
~
>
.....
2000r-r-r-r-r-ir--r--.-.,.-T"""T--r-r-....-T"""T-r--r-.
1000:-
20 N
...."'
E
-
~,___n_PO_"
e
__ __,~v
"'E 10 o
u
~., ------Ec ELETTRONE

=.::...::::...::.::...::=~E;
...::>...
6 Ev
:: I
=

10QOOFT-r--.r-r-r-r--r--ro--r-r-o--ro-r--,-,
~ 5000:.
- 200
GoAs -.....,,
> -100 N {O) (bi
..... E
NE 2000 .:: 50 ~
o 1000 :- Fig. 2.4 Processo di conduzione in un semiconduttore di tipo n (a) all'equilibrio termico, e
- 20 ~
.,
~ (b) in condizioni di polarizzazione.
~ 500
~
~ 200 -
r-~~---~ 10
..
~
6
5
sarà. impiegata analizzando nel capitolo 3 la giunzione irn. Dalla (2.7) si ha.
100'-:':~-'-=--''-'--:-':---'-'--'--4--'--'-.........--L..--'-l pertanto
1014 1015 1020
CONCENTRAZIONE DELLE IMPURITA' (e m- 3) &=ldEi
q dx (2.8)
Fig. 2.3 Mobilità e diffusività nel Si e nel GaAs a 300 K in funzione della concentrazione Si può introdurre una grandezza. correlata., il potenziale elettrostatico 'l/J,
delle impurità. 4 •5 come gradiente, cambiato di segno, del campo elettrico

diagramma a bande all'equilibrio termico; la Figura. 2.4b riporta. invece il d'l/J

diagramma a bande in presenza. di una, tensione di polarizzazione applicata e= - c:lz (2.9)

lI al terminale di destra.. Si assume che i contatti dei terminali di destra e di Dal confronto delle (2.8) e (2.9) si ha
sinistra siano metallici, cioè che su ciascun contatto si verifichi una. caduta . Ei
'l/J = - - (2.10)
di tensione trascura.bile (il comporta.mento dei contatti metallici viene esa- q
minato nel capitolo 5). Per quanto si è esposto in precedenza., un elettrone
e
subisce sotto l'influenza. di un campo elettrico applicato al seinicondut- che fornisce una relazione tra. il potenzia.le elettrostatico e l'energia poten-
tore una. forza -qe,
uguale al gradiente dell'energia. potenziale ca.nìbia.to di zia.le di un elettrone. Per un campione di semiconduttore omogeneo, come
segno, cioè n~a Figura 2.4b, l'energia. potenzia.le ed Ei decrescono linearmente con la
· · e "re ne verso asse x negativo
-qE = .... (gradiente dell'energia. potenzia.le degli elettroni) (2.7) e ha intensità costante e pari alla tensione applicata. divisa. per la. lunghezza
del pezzo di semiconduttore.
Si è visto nel paragrafo 1.4 come il bordo inferiore Ec della banda di condu- Gli elettroni nella. banda. di conduzione si muovono verso destra., come si
~one corrisponda all'energia. potenzia.le di un elettrone; ora. si è interessa.ti al vede nella Figura. 2.4b. Quando un elettrone subisce una collisione perde
gradiente dell'energia. potenzia.le, e pertanto si potrà. usare qualunque parte (parzialmente o totalmente) la sua. energia. cinetica., cedendola al reticolo
del diagramma. a. bande che sia. parallela. a Ec, cioè, come si ved~ nella. Fi- cristallino, e scende verso la. sua. posizione di equilibrio termico. Dopo una.
gura. 2.4b; EF, Ei o Ev. È conveniente usare Ei, dato che questa grandezza. collisione l'elettrone incomincia. nuovamente a. muoversi verso destra, e il

··~
 _________ ,_

42 CAPITOLO 2 FENOMENI DI TRASPORTO DEI PORTATORI 43

J nlcm-3) _

i.--,---- L - - - -
La corrispondente resistività del semiconduttore, che è il reciproco della
conducibilità. u, è espressa dalla

(2.15)

Fig. 2.5 Corrente di conduzione in una barra di semiconduttore uniformemente drogato, di
lunghezza L e con sezione trasversale di area A.
processo si ripete numerose volte. Si può visualizza.re in modo simile il
moto delle la.cune cli conduzione, che avviene però in direzione opposta..
Il fenomeno di tra.sporto delle cariche sotto l'influenza. cli un campo elet-
trico applicato produce la corrente detta di trascinamento. Si consideri una.
barra cli semiconduttore, illustrata. nella Figura. 2.5, di lunghezza. L, sezione
trasversale cli a.rea. A e concentrazione di elettroni n, e si supponga. cli appli-
carvi un ~po elettrico E. Si può determina.re la. densità di corrente degli
elettroni, Jn, che fluisce nel pezzo, sommando per tutti gli elettroni presenti
nell'unità. cli volume, n, i prodotti della. carica. (-q) cli ciascun elettrone per
la. sua velocità.
Jn = ~ = t(-qvi) = -qnvn = qnµnE
In un semiconduttore drogato solo una delle due componenti delle (2.13) e
(2.14) è normalmente significativa, dato che tra le concentrazioni dei due tipi
cli portatori vi è una differenza cli numerosi ordini cli grandezza.. Pertanto
la (2.15) si riduce a
1
(2.15a)
per un semiconduttore di tipone a
p= (2.15b)
per un semiconduttore di tipo p.
La tecnica più comune per la. misura della resistività. è il metodo della
sonda su quattro punti illustrato nell'inserto della Figura 2.6. Le sonde sono
equispaziate, un generatore cli corrente costante fa. passa.re una. corrente di
piccola intensità tra le due sonde più esterne. Le due sonde più interne
(2.11) misura.no una differenza. di potenziale. Per un pezzo cli semiconduttore

'
i=O sottile cli spessore W, molto inferiore alle altre due dimensioni a e d, la
dove In è l'intensità della. corrente degli elettroni: per la. relazione tra. t1n e resistività. è espressa dalla relazione
E si è impiegata. la. (2.4). V
Ragiona.menti simili si applica.no alle la.cune e, ricordando che la. carica. p = -·W·CF fl-cm (2.16)
I

l
delle la.cune è positiva., si ha.
ddove CFdè il fa.~tore cli ~orrezione n·porta.dto nilellf:a. Figurcli~ 2.6. ~el limtal·te
1
___
Jp = qp'Vp = qpµpc-" (2.12) :> s, ove s e a. spazia.tura. tra 1e son e, attore correzione v e
1r / ln 2 = 4,54.
La. corrente totale che fluisce in un campione cli semiconduttore per opera. La. Figura. 2. 7 riporta. va.lori misura.ti cli resistività. per il silicio e per l'a.r-
cli un campo elettrico applicato E si può allora. scrivere come somma. delle seniuro di gallio alla. tempera.tura. cli 300K in funzione della. concentrazione

+- '
.----c_o_m~p_o_n_en_t_i_cli_._c_o_rr_e_n_te_de~gli~·e_l_et_t_ro_m_·_e_d_ell_e_l_a.c_un_e_ _ _ _ _ _ _ _ _ _-llll----~cli-·_im~p~un-·~ta.~··_A_q_u_e~s-ta._te_m~p-er_a._tu~)r_a._e~p-e_r~b-as_s_i_li~·v_elli~·n-cli~dmro~ga.ggi~-·-o_,_tu_t_te_le_ _ __

J = Jn + J,, = (qn~ + qpµ,,)E

La quantità. tra. parentesi è nota come conducibilità

w~~IJ( (2.14)
(2.13)
impunta. ona.ton e accetta.ton cm comspondonove di energia. poco
profondi, sono ionizza.te; perta.ntola. concentrazione dei porta.tori è eguale
alla concentrazione delle impurità.. Dalle curve si può quindi ricava.re la con-
centrazione delle impurità. cli un semiconduttore nota. che sia la. resistività.,
o viceversa..
J---.. _,, ,_= -~=~~::-
; Problema
I contributi alla conducibilità. degli elettroni e delle lacune semplicemente si Trovare la resistività alla temperatura ambiente di un campione di silicio di
somma.no. tipo n drogato con una densità di 1016 cm- 3 di atomi di fosforo.
 CAPITOLO 2 FENOMENI DI TRASPORTO DEI PORTATORI 45

~l~·~d -~J_
20 :
s-fHI
---'i
/f
- ~=-o-..i 102
eu
I
1
9 10

~ "' 101~~-+-~-1-~-+-~-+~-+~--1~~1

10-4
1012 10 13 to•4 1015 101& 1017 to•s 10 1s '°20 10 21
CONCEN7RAZ10NEDEUEIMPURITA' (cm-3)

1.5 2-0 2.5 3-0 3-5 4.0 45

FATTORE DI CORREZIONE CF
Fig. 2.7 Resistività in funzione della concentrazione delle impurità per Si e per GaAs. 4
4
Fig. 2.6 Fattore di correzione per le misure di resistività usando una sonda a quattro punti.
il modo più convincente di dimostra.re l'esistenza. delle lacune come porta-
tori di carica., dato che la. misura. fornisce diretta.mente il tipo di porta.tori.
Soluzione Nella Figura. 2.8 è mostrato un campione di semiconduttore al quale è stato
Si suppone che alla temperatura ambiente tutti i donatori siano ionizzati, applicato un campo elettrico lungo l'asse :r: e un ca.nipo di induzione ma-
quindi

J
gnetica. lungo l'asse z; il semiconduttore è di tipo p. La. forza di Lorentz
qv x B = qv:cBz, dovuta al campo magnetico, esercita. una. forza. media.
Dalla Figura 2.7 si trova p = O, 48 O -cm. La resistività può anche essere diretta. verso l'alto sulle lacune che stanno fluendo nella. direzione z. La.
calcolata in base alla (2.loo) corrente diretta. verso l'alto provoca. un accumulo di lacune sulla. superficie
I p
1
= qnµ,. =
1
=OMOcm
superiore del campione, che induce un campo elettrico E11 diretto dall'alto
verso il basso. Poiché a. regime non si ha. un flusso di corrente netto lungo -
1.6 X 10- 19 X 1016 X 1300
la. direzione y, il campo elettrico lungo Passe y deve controbilancia.re esat-
ta.mente la. forza. di Lorentz· cioè

(2.17)
2.1.3 Effetto Hall ossia.
La concentrazione dei porta.tori in un semiconduttore può essere diversa (2.18) _
dalla concentrazione delle impurità, poiché la densità delle impurità ioniz-
za.te dipende dal livello di energia ad ~se associato e dalla tempera.tura. Una volta. che il campo elettrico E11 è diventato eguale a. v:cBz, le lacune
Il metodo più usuale per la. misura diretta. della. concentrazione dei porta- , non subiscono più alcuna forza. nella. direzione y e si muovono in direzione
tori è quello basato sull'effetto Hall. Tale metodo di misura. costituisce poi :r:.
 - ---- ----------

FENOMENI DI TRASPORTO DEI PORTATORI 47

46 CAPITOLO 2

assegnato campo magnetico fornisce

'
p =
1
qRH = :e
J Bz
11
(I/A)Bz
= q(VH/W) =
IBzW
qVHA
(2.22)

dove tutte le grandezze sul lato destro dell'equazione possono essere misu-
rate. Pertanto da misure dell'effetto Hall si possono conoscere la concentra-
zione e il tipo dei portatori.

Problema
-Un pezzo di Si è drogato con 1016 atomi/cm3 di fosforo. Trovare la tensione
di Hall in un campione con W =
500 µm, A =
2, 5 10-3 cm2 , I 1 mA, =
e B,. = 10- 4 Wb/cm2 •
Soluzione

- I
+
L-------11111111---------J
V
Il coefficiente di Hall vale

Ra = --1
qn
1
= - 1.6 X 10- 19 X 1016
= -625 cm3 /C
Fig. 2.8 Schema circuitale per la misura della concentrazione dei portatori mediante l'effetto
Hall. La tensione di Hall

Va = Ey W = (Ra~ B,.) W
Il fenomeno grazie al quale si instaura. il campo elettrico è noto come effetto 10-s 4)
Hall; il campo elettrico della (2.18) è detto campo di Hall, e la tensione che = ( ~625 · 2.5 X lQ'.""S • 10- 500 X 10-
4

la genera, VH = E11W, è detta tensione di Hall. Usando per la velocità = -1.25mV

delle lacune la (2.12) l'espressione del campo di Hall (2.18) diventa

J dove
(2.19)

(2.20)
2.2
2.2.1
Diffusione dei portatori
Processo di diffusione
Nel paragrafo precedente si è presa in esame la corrente di trascinamento,
cioè il fenomeno di trasporto dei porta.tori in presenza. di un campo elettrico
Il eampo di Hall &y è proporzionale al prodotto deUa. densità della._e_Qrr__ente applicato. Vi può essere un 'altra importante componente di corrente se

I per il èa.mpo di induzione magnetica.: la costante di proporzionalità RH

viene detta coefficiente di Hall. Risulta.ti analoghi si possono ottenere con
esiste nel materiale senucon uttore una vanaz1one spazi elta; concentra-
zione dei portatori. In tal caso infatti i portatori tendono a muoversi dalla
un semiconduttore di tipo n, salvo che in tal caso il coefficiente di Hall è regione di alta concentrazione verso la regione di concentrazione inferiore:
negativo questa corrente è detta corrente di diffusione.
1 Per capire il processo della diffusione, si assuma una densità degli elettroni
(2.21) che varia nella direzione z, come è illustrato nella Figura. 2.9. Il semicondut-
qn
tore è a. tempera.tura. uniforme, in modo che l'energia termica media. degli
Una misura della tensione di Hall per una data corrente nota e per un elettroni non vari con z, ma. vari solo la concentrazione n(z). Consideriamo

I~

'
 48 CAPITOLO 2
FENOMENI DI TRASPORTO DEI PORTATORI 49

Approssimando le concentrazioni in z = ±I con i primi due ·termini dello

sviluppo in serie di Taylor~ si ottiene
CORRENTE

3
e ntll F = -21 Vth {[n(O)
dn
.
- .dn]
I-
dx
dn
- [n(O) + 1::n
= -Vthl- :E -Dn- (2.26)
dz dz
~ =
dove Dn Vthl è detta. diffusività. Dato che ogni elettrone porta una. carica
-q, il :flusso di portatori origina una corrente

Jn = -qF- = qn· dn
n-
dz
(2.27)

La corrente di diffusione è proporzionale alla derivata spaziale della con-

_, o 1
DISTANZA X
Fig. 2.9 Concentrazione degli elettroni in funzione della distanza; l è il cammino libero
mecfio. Le direzioni del flusso degli elettroni e della corrente sono indicate dalle frecce.
gli elettroni che attraversano la superficie trasversale z = O nell'unità di
tempo e per unità di superficie. Poiché la temperatura non è nulla, gli elet-
troni subiscono un moto termico casuale con una velocità termica. Vth ·e con
un cammino libero medio I. Si noti che I = Vth Te, dove Te è il tempo
libero medio. Gli elettroni che si trovano in z = -I, cioè a. una. distanza
sulla. Sinistra. pari a. un cammino libero medio, hanno eguale probabilità di
centrazione degli elettroni. Le correnti cli-diffusione sono dovute al moto
termico casuale dei porta.tori in presenza. di un gra.die:IJ.te di concentrazi6ne.
Quando la. concentrazione di elettroni aumenta; con z il gradiente è positivo
e gli elettroni si diffonderanno nel verso negativo dell'asse z. La corrente
è positiva e fluisce nella direzione opposta. al moto degli elettroni, come è
indicato nella Figura. 2.9.
2.2.2 Relazione di Einstein
Si può scrivere la (2.27) in u~a forma più adatta. al preseJ.lte caso unidimen-
sionale usando il teorema per l'equipartizione dell'energia., cioè
-1 mnVth = -1 kT ( 2.28)

l
2
muoversi verso destra. o verso sinistra; pertanto, in un tempo pari al tempo ·- 2 2
libero medio Te, una metà di loro attraverserà il piano z = O. Il numero
Sostituendo le (2.3) e (2.28) nella (2.27) e usando la relazione I = VthTe, si
medio di elettroni che :fluiscono nell'unità di tempo e per unità di area F1 giunge a.
attraverso il piano z = O da sinistra è allora
I p1 = 112 n(-I) ·I = ! n(-1) • Vth (2.23) (2.29)
Te 2

q
Dn = ( kT) P.n (2.30)
1
F2 = 2 n(I) • Vth (2.24) La (2.30) è nota come relazione di Einstein e lega tra loro le due importanti
costanti, diffusività e mobilità, che caratterizzano il trasporto dei portatori
L'a:ftlusso medio di portatori da. sinistra a destra. è allora di carica per diffusione e per trascina.mento in un semiconduttore. La re-
lazione di Einstein vale anche tra D,, eµ,,'. Nella Figura 2.3 sono riportati
F = F1 - F2 = 21 Vth[n(-1) - n(l)J (2.25)
valori di diffusività. per il silicio e per l'arseniuro di gallio.

------- - -------
50 CAPITOLO 2 FENOMENI DI TRASPORTO DEI PORTATORI
2.2.3 Equazioni della densità di corrente
Se oltre ad un gradiente di concentrazione è presente un campo elettrico
si verificherà un :flusso di corrente sia. per trascina.mento che per diffusione.
In ogni punto la densità di corrente totale è la. somma. della. componente di
trascina.mento e di quella di diffusione
(2.31)
dove & è il campo elettrico diretto nella direzione dell'asse z.
Per la densità di corrente delle la.cune si può scrivere un 'espressione simile
~~i'-Q - :· ~ t~-: ; \ '*
' ,... dp
J,, = qµ,,p& + qD,, dx
(
2.32
) dei portatori minoritari è data. da Pno
Nella. (2.32) si è usato un segno negativo poiché, per un gradiente positivo
di la.cune, si ha. una. diffusione di la.cune verso la. direzione negativa dell'asse
x. Tale diffusiqne comporta. una. corrente che :fluisce anch'essa. nel verso
positivo di z.
La densità di corrente di conduzione totale è data dalla. somma delle (2.31)
e (2.32)
(2.33)
Le tre espressioni (2.31), (2.32) e (2.33) costituiscono le equazioni della.
densità di corrente, e risultano molto importanti per lo studio del compor-
ta.mento dei dispositivi in condizioni di basso campo elettrico. Per campi
elettrici con intensità su11ìcientemefitè elevata i termini µnt e µ,,t dovreb-
bero essere sostituiti, come si discuterà nel pa.ra.gra.fo 2.6, con la. velocità di
saturazione V 8 •
2.3 Iniezione di portatori
All'equilibrio termodinamico vale la. relazione np = n~; se nel semicon-
duttore vengono introdotti porta.tori in eccesso, in modo che np > n1, si
ha. una situazione di non equilibrio. Il processo con cui si sono introdotti
i porta.tori in eccesso è detto iniezione di portatori. Si possono inietta.re
porta.tori usando diversi metodi: tra. questi, l'eccitazione con fotoni e la. po-
larizzazione diretta. di una.giunzione p-n, esaminata nel capitolo 3. Nel caso
dell'eccitazione ottica, il semiconduttore viene esposto alla luce. Se l'energia
delfotone di luce, hv, è superiore all'ampiezza della banda proibita E 9 del
semiconduttore, dove h è la. costante di Planck e v è la frequenza ottica,
---- --------------------- ------
51
il fotone viene assorbito dal semiconduttore e genera una coppia elettrone-
la.cuna. L'eccitazione con fotoni incrementa. le concentrazioni degli elettroni
e delle la.cune oltre al valore che assumono all'equilibrio: questi portatori in
soprannumero sono detti portatori in eccesso.
L'entità della concentrazione dei portatori in eccesso riferita. alla concen-
trazione dei portatori maggioritari determina. il livello di iniezione. Si userà
un esempio per chiarire il significato di livello di iniezione. La Figura 2.lOa
illustra le concentrazioni dei portatori maggioritari e minoritari per un cam-
pione di silicio di tipo n con N D = 1015 cm- 3 , all'equilibrio termodinamico.
La concentrazione dei portatori maggioritari è approssimativa.mente eguale
alla. concentrazione dei donatori, cioè: nno = 1015 ·cm-3 • La concentrazione
=n~ /nno = 1,45' 105 cm- 3 • Nella
notazione usata, il primo pedice si riferisce al tipo di semiconduttore, men-
tre il pedice O indica che si è nella. condizione di equilibrio termodinamico:
cioè nno e Pno indica.no, rispettiva.mente, le concentrazioni degli elettroni e
delle la.cune in un semiconduttore di tipo n all'equilibrio termodinamico..
Quando si introducono nel semiconduttore (per esempio mediante eccita-
zione con fotoni) portatori in eccesso di entrambi i tipi, la. concentrazione
degli elettroni in eccesso An deye essere eguale alla concentrazione delle
la.cune in eccesso Ap, dato che elettroni e la.cune si forma.no a coppie. Nel-
l'esempio illustrato nella Figura 2.lOb si sono aggiunti 1012 cm-3 porta.tori "•
minoritari, cioè la.cune se il semiconduttore è di tipo n. La concentrazione
delle la.cune aumenta pertanto di sette ordini di grandezza., da. 105 cm-3 a.
1012 cm-3 • Nello stesso tempo si sono anche aggiunti nel semiconduttore
1012 cm- 3 portatori di maggioranza., cioè elettronL Ciononostante tale con-
centrazione di portatori in eccesso è trascurabile rispetto alla. concentrazione
originale degli elettroni. La. variazione percentuale dei porta.tori maggiori-
tari è solo di 1012 /1915 =9,1%. La. condizione in cui la concentrazione
dei porta.tori in eccesso è piccola. rispetto alla.concentrazione del drogaggio,
cioè An = Ap <: N D, viene detta condizione di basso livello di iniezione.
Nella Figura 2.lOc è illustrato un esempio di alto livello di ini~one, in cui
il nllttiero dei porta.tori in eccesso iniettati è coilftonta.b1le o superiore al nu-
mero dei porta.tori dovuti alla concentrazione del drogaggiO. In questo caso
le concentrazioni dei porta.tori iniettati possono sovrasta.re la concentrazione
dei portatori maggioritari all'equilibrio e Pn diventa. confronta.bile con ~.
come è indicato nella figura. Nel funziona.mento dei dispositivi si incontra.
talora. la condizione di alto livello di iniezione; tuttavia., data. l'estrema. com-
plessità dell 'a.rgomento, si tratterà principalmente della condizione di basso
livello di iniezione.
-- - - - - - - - - - - · - - - - -
 52 CAPITOLO 2 FENOMENI DI TRASPOR:rO DEI POR:rATORI 53

Rth R

Pn nn
1016 -

1014 -
Ono- - - - - - On -7-----
No= fo15cm-3 - (O) (b)

-,-
!012 Pn
1010 - - - - - - - -- -- . - - - - - -- Fig. 2.11 Generazione e ricombinazione diretta di coppie elettrone-lacuna, (a) all'equilibrio
n1 PER termodinamico e (b) sotto illuminazione.
Si A 300K

2.4.1 Ricombinazione diretta

(O) (b) (C)
Fig. 2.10 Concentrazioni dei portatori in un semiconduttore (Si) di tipo n con una concen-
trazione di donatori di 1015 cm- 3 (a) all'equilibrio termodinamico, (b) in condizioni di basso
livello di iniezione e (e) in condizioni di alto livello di iniezione.
2.4 Processi di generazione e di ricombinazione
Ogni volta. che si disturba. la condizione di equilibrio termodinamico, pn :/:
nt, si instaura. un processo che tende a riporta.re il sistema all'equilibrio:
pn = nt. Nel ca.so dell'iniezione di porta.tori in eccesso, il meccanismo
che ripristina. l'equilibrio è la. ricombinazione dei porta.tori minoritari in
eccesso con i porta.tori maggioritari. A seconda. della. natura. del processo di
ricombinazione che ha. luogo, l'energia. sviluppata. può essere emessa. sotto
forma. di fotoni o dissipata. sotto forma di calore ceduto al reticolo cristallino.
Quando si verifica. una .emissione di fotoni, il processo di ricomb~na.zione è
detto radiativo; negli altri ca.si si hanno ricombinazioni non radiative.
I processi di ricombinazione possono essere classifica.ti in processi diretti
e indiretti. La. ricombinazione diretta., detta. anche ricombinazione banda.-
banda, è il fenomeno predominante nei semiconduttori con ba.µda. proibita
diretta., quali l'arseniuro di gallio; mentre la ricombinazione indiretta. attra-
verso centri di ricombinazione nella. banda proibita. domina. nei semicondut-
tori con ba.rida proibita. indiretta., quale il silicio.
Si consideri un semiconduttore a. banda proibita. diretta., all'equilibrio termo-
dinamico. L'ininterrotta. vibrazione termica degli a.tomi del reticolo cristal-
lino provoca. la. rottura di alcuni lega.mi tra. a.tomi vicini. Quando un legame
si rompe si genera una. coppia. elettrone-lacuna.; in termini di diagramma a.
bande, l'energia. termica. consente a un elettrone di valenza di compiere una
transizione verso l'alto sino alla banda di conduzione, la.sciando una lacuna
nella banda di valenza. Tale processo è detto generazione di portatori, ed
è descritto mediante la velocità di generazione, Gth nella Figura 2.lla, cioè
il numero di coppie elettrone-lacuna. genera.te al centimetro cubo nell'unità.
di tempo. Quando un elettrone compie una transizione in basso verso la
banda di valenza, si distrugge invece una coppia elettrone-lacuna; tale pro-
cesso inverso è detto ricombinazione ed è rappresentato da una. velocità di
ricombinazione Rth, nella Figura 2.lla. In condizioni di equilibrio termo-
dinamico la.velocità di generazione Gth deve essere eguale alla velocità. di
ricombinazione Rt1., in modo che le concentrazioni restino costanti e venga.
mantenuta la condizione np = nt.
Quando si introducono portatori in eccesso in un semiconduttore a banda
proibita diretta, è alta la probabilità. che gli elettroni e le lacune si ricombi-
nino direttamente, dato che il fondo della banda. di conduzione e la sommità.
della banda. di valenza sono allinea.ti in verticale, e non si richiede un ulte-
riore impulso del cristallo per effettua.re la. transizione attraverso la banda
proibita.. È logico attendersi che la velodtà di ricombinazione diretta. R sia
proporzionale al numero degli elettroni disponibili nella banda di conduzione
e al numero di lacune presenti nella banda di valenza.; cioè
R = {Jnp (2.34)

---------·----···-·. ---------
 CAPITOLO 2 FENOMENI DI TRASPORTO _DEI PORTATORI 55

dove f3 è una. costante di proporzionalità.. Per quanto si è detto prima.,

all'equilibrio termodinamico la. velocità. di ricombinazione deve essere bila.n- hv
cia.ta. dalla. velocità di generazione. Pertanto, per un semiconduttore di tipo
n si ha.
Gth = Rth = f3nnoPno (2.35)
(O)

dove nn0 e Pno rappresenta.no le densità. degli elettroni e delle la.cune nel se-
miconduttore di tipo n all !equilibrio termodinamico. Quando si illumina. il
semiconduttore per produrre coppie elettrone-la.cuna. con una. velocità. GL,
Figura. 2.llb, le concentrazioni dei porta.tori risulta.no superiOri a. quelle
,dell'equilibrio termico. Le velocità. di ricombinazione e di generazione di- (bi
venta.no TPGL
_____L _____ p
R = f3nnPp = ,8(nno + An ){pno + Ap) (2.36) no
o
G =GL+Gth ~ (2.37)
SORGENTE LUMINOSA
dove An e Ap sono le concentrazioni dei porta.tori in eccesso, espresse da.

An = nn-nno (2.38a) lcl

Ap = Pn-Pno (2.38b)

dove An = Ap per mantenere la. neutralità. di carica. complessiva..

La velocità. netta. con cui va.ria. la. concentrazione delle la.cune è data. da.
Fig. 2.12 Decadimento dei portatori. fotoeccitati. (a) Esemplare di tipo n sottoposto
(2.39) ad un'illuminazione costante. (b) Decadimento nel tempo dei portatori minoritari (lacune).
(e) Schema spt!rimentale per fa miSura dèl tempo di vita metlio dei portatori mi110titari.
A regime, dPn/dt = O; dalla. (2.39) si ha.

(2.4&) La. velocità netta. di ricombinazione è dunque proporzionale alla. concentra-

zione dei porta.tori mi_norita.ri in eccesso; ovvia.mente, all'equilibrio termodi-
dove U è la. velocità netta di ricombinazione. Sostituendo le (2.35) e (2.36) namico è U =O. La. costante di proporzionalità. 1/f3nno è detta. vita -media
nella. (2.40) si ottiene Tp dei porta.tori minoritari in eccesso, ossia.
P-n -Pno
(2.41) U= (2.43)
Tp
dove
In condizioni di basso livello di iniezione con Ape Pno < nno la. (2.41) si 1
semplifica. ,J Tp S {2.44)
Pnno
Pn - Pno
U ~ f3nno Ap = 1
{2.42)
Il significato fisico del tempo di vita. medio può essere meglio illustrato esa.-
f3nno mina.ndo la. risposta. in transitorio di un dispositivo dopo che la. sorgente

---~----------------------- ..--------------- --- - - - - - - - - - - - - - - - ---

56 CAPITOLO 2
luminosa è stata bruscamente spenta. Si consideri il campione di semicon-
duttore di tipo n, mostrato nella Figura 2.12a, illuminato da una luce. In
esso vengono generate, uniformemente in tutto il materiale, coppie elettrone-
lactina con una velocità di generazione GL. La legge di variazione nel tempo
è espressa dalla (2.39). In condizione di regime, si ha dalle (2.40) e (2.43)
GL = U = Pn - Pno
(2.45)
Tp
ossia
(2.45a)
Se nell'istante t =
O la luce viene subitaneamente spenta, le condizioni al
limite sono: Pn(t =O) = Pno + TpGL, dalla {2.45a), e Pn (t-+ oo) = Pno•
L'espressione che fornisce la dipendenza dal tempo diventa
dpn = Gth - R = -U = Pn - Pno (2.46)
dt Tp
la cui soluzione è
(2.47)
Nella Figura 2.12b è riportata la variazione di Pn con il tempo: i portatori
minoritari si ricombinano con quelli maggioritari e la loro concentrazione
decade esponenzialmente nel tempo con una costante di tempo che cor- r,,,
risponde alla vita media definita nella (2.44).
Il caso ora esposto suggerisce l'idea di base per misurare il tempo di vita
medio dei portatori usando il metodo della fotoconducibilità. La figura il-
lustra in modo schematico la relativa disposizione di misura. I portatori in
eccesso, generati uniformemente nel campione di semiconduttore per opera
dell'impulso luminoso, provocano un momentaneo aumento della conduci-
bilità, che, se si fa passare nel campione corrente costante, si manifesta
con una caduta della tensione ai suoi capi. Il decadimento nel tempo della
conducibilità può essere osservato su di un 9scilloscopio, e costituisce una
misura della vita media dei portatori minoritari in eccesso.
2.4.2 Ricombinazione indiretta*
Per un semiconduttore a banda proibita indiretta, quale il silicio, il pro-
cesso di ricombinazione diretta. è altamente improbabile: gli elettroni del
•Questo paragrafo, come gli altri individuati con *, contiene concetti matematici e
fisici di livello più elevato e può essere omesso da lettori non desiderosi di entrare troppo
nei dettagli. Ciononostante i concetti sviluppati in questo paragrafo verranno usati in
alcuni paragrafi successivi.
FENOMENI DI TRASPORTO DE{ PORTATORI 57
bordo inferiore della banda di conduzione hanno infatti impulso non nullo
rispetto alle lacune della cima della banda di valenza., come si vede nella
Figura 1.12. Una transizione diretta che conservi sia l'energia. che la quan-
tità di moto non è possibile senza l'interazione simultanea con il reticolo
cristallino. Pertanto in tali semiconduttori il processo di ricombinazione
dominante è la transizione indiretta per mezzo di sta.ti di energia localizzati
nella banda proibita.6 Questi sta.ti agiscono come pietre che consentono il
guado tra la banda di conduzione e la banda di valenza. Poiché la probabi-
lità di transizione dipende dalla differenza. di energie fra il livello intermedio
e gli estremi della banda di conduzione e della banda di valenza, gli sta.ti
intermedi possono intensificare notevolmente il processo di ricombinazione.
La Figura 2.13 esamina le varie transizioni che si verificano nel processo di
ricombinazione attraverso stati con livelli intermedi, detti anche centri di ri-
combinazione **. Nella figura si riporta lo stato di carica del centro prima e
dopo che si verifichi ciascuna delle quattro transizioni fondamentali; la frec-
cia indica il verso della transizione dell'elettrone in ciascun caso. L'esempio
illustrato si riferisce al caso di un centro di ricombinazione con un singolo
livello energetico che è neutro quando non è occupato da. un elettrone o, se
si preferisce, che è carico negativamente quando occupato.
Il processo (a) si riferisce alla cattura dell'elettrone: un elettrone della
banda di conduzione viene catturato da un centro. Poiché un solo elettrone
può occupare un dato centro, un centro già occupato da un elettrone non
è in grado di catturarne altri. La velocità di cattura di un elettrone è pro-
porzionale alla concentrazione dei centri di ricombinazione non occupa.ti da
elettroni, cioè dei centri rimasti neutri. Se si indica con Nt la concentra-
zione dei centri di ricombinazione nel semiconduttore, la. concentrazione dei itci· i"t_
centri non occupa.ti è data da Nt {1 - !), dove f è la funzione di distribu- ""' ~ ~
zione di Fermi per la probabilità che uncentro siaoccupato da un elettrone.
All'equilibrio è
{2.48)
dove Et è il livello di energia. del centro e Ep è il livello di Fermi.
Pertanto, la velocità del processo (a) (cattura dell'elettrone), è data da
Ra ,..., nNt(l - F) {2.49)
••Poiché gli stati intermedi si comportano simmetricamente come siti sia per la ri-
combinazione che per la generazione di portatori, essi vengono anche detti centri di ge-
nerazione-ricombinazione. ·Per brevità però lii suole chiamarli semplicemente centri di
ricombinazione.
58 CAPITOLO 2 FENOMENI DI TRASPORTO DEI PORTATORI 59

essere eguali: Ra = Rb. La costante di proporzionalità può quindi essere

espressa in funzione delle grandezze già definite nella (2.50)

VthO"nn(l - F)
~-T-~-t---r~-t--~~-+~~~Ec
en = F (2.52)

lg{-- ---·
Rb
- - -- ·-----
Re
Poiché la concentrazione degli elettroni all'equilibrio termico è
f P5
n = nie(EF-Ei)/kT (2.53)
e
(1 - F) = e(Et-EF)/kT (2.54)
~~~-r-~~-i-~~--t~~~Ec
F
si ottiene
i I {---1<1-- --[)---- o- - --1!17 E, (2.55)

~~~~~WAl~~~~~~mEv
CATTURA EMISSIONE EMISSIONE CATTURA DEUA
DELL'ELETTRONE ELETTRONE LACUNA LACUNA
(O) (b)
Fig. 2.13 Processi di generazione e ricombinazione indiretta all'equilibrio termodinamico. 6
Si designerà la costante di proporzionalità con il prodotto VthO"n,
dove Vth è la velocità termica dei portatori data dalla (2,1) e Un è la sezione
di cattura. La grandezza Un descrive l'efficacia. del centro nel catturare un
elettrone ed è una misura. di quanto vicino a.I centro deve arriva.re l'elettrone
per essere catturato. Si può prevedere che la. sezione di cattura sia dell'ordine
delle dimensioni atomiche, ciOè dell'ordine di 10-15 cm2 • Il prodotto VthO"n
può essere visualizzato come il volume spazzato per unità di tempo da. un
elettrone che ha una sezione trasversa.le pari a O"n. Se il centro giace entro
.
questo volume, I 'elettrone ne nsulterà catturato. '
L'emissione di un elettrone da un centro, processo (b) della Figura 2.13,
è l'inverso del processo di cattura dell'elettrone. La velocità di emissione è
proporzionale alla concentrazione dei centri occupa.ti da elettroni, cioè NtF;
si ha.
(2.51)
La costante di proporzionalità en è detta probabilità di emissione. All'equili-
brio termodinamico le velocità di cattura e di emissione dell'elettrone devono
Si noti che se il centro è prossimo a.I bordo della banda di conduzione, cioè
se la differenza Et - Ei è grande, l'emissione dell'elettrone diventa più
probabile, dato che che en aumenta. esponenzialmente con Et - Ei.
I fenomeni di transizione tra i centri di ricombinazione e la banda di
va.lenza sono analoghi a quelli ora. descritti. Il processo (e) nella Figura 2.13
si riferisce alla cattura di una lacuna: la velocità relativa è proporzionale
alla densità dei centri occupati da elettroni, Ntf, e alla concentrazione delle
e si ha. lacune. La costante di proporzionalità è espressa mediante il prodotto della
velocità termica Vth per la sezione di cattura O"p delle lacune. Pertanto
(2.50)
(2.56)
Il quarto processo (d), nella Figura 2.13, è l'emissione della lacuna, e de-
scrive l'eccitazione di un elettrone dalla banda di va.lenza al centro non oc-
cupato. Coo argomentazioni simili a quelle svolte a proposito dell'emissione
dell'elettrone, si ha che la velocità di questo processo è
(2.57)
La probabilità di emissione ep di una lacuna può essere espressa in funzione
di vth e di up considerando che all'equilibrio termodinamico deve essere
Re=~
(2.58)
Si nota nuovamente che la probabilità di emissione cresce esponenzialmente
· man mano che il livello energetico del centro Et si avvicina al bordo della
banda di va.lenza. Dato che è possibile misurare sperimentalmente le sezioni
 FENOMENI DI TRASPORI'O DEI PORTATORI 61
60 CAPITOLO 2

Nella. (2.62) si può eliminare F*, e risolvendo si determina la velocità. netta

di ricombinazione U
• • Ec

rj~~:~;/~~J~~];;,::
Fig. 2.14 Processi di generazione e ricombinazione)ndiretta sotto illuminazione.
di cattura u,.. e <Tp, la concentrazione dei centri di ricombinazione Nt e il loro
livello energetico Et, le equazioni (2.50), (2.51), (2.56) e (2.57) consentono
di determinare la cinetica. della. ricombinazione indiretta in condizioni di non
equilibrio.
La. Figura. 2.14 espone un ca.so di non equilibrio in cui un semiconduttore
di tipo n viene illuminato uniformemente in modo da stimolare una data ve-
locità di generazione GL. In aggiunta. ai processi riportati nella Figura. 2.13
si ha pertanto una generazione di coppie elettrone-lacuna per opera dei fo-
toni. A regime, gli elettroni che entrano nella ba.uda di conduzione e quelli
che la. lascia.no devono essere in numero eguale: è il principio dell'equilibrio
dettagliato, ciò comporta. che
-dn,.. (
dt. -- GL - Ra - Rb ) = O
Analoga.mente, a. regime l'equilibrio detta.gliato applicato alle la.cune nella.
banda. di valenza porta. a.
In condizioni di equilibrio, cioè, GL = O, Ra = R,, e Re = Rdi mentre in
condizioni di non equilibrio a regime, Ra :/: R,, e Re :/: ~. Dalle (2.59)
e (2.60) si ottiene
Inserendo nella (2.61) le espressioni ottenute per le velocità. relative ai diversi
processi da. Ra a ~. si ha
Per comprendere le caratteristiche principali di tale relazione si prenderà.
innanzitutto in esa.me un ca.so limite, cioè il ca.so di un semiconduttore
drogato di tipo n in condizioni di basso livello di iniezione, per cui nn ::> p,...
Si supporrà. inoltre che i centri di ricombinazione abbiano un livello prossimo
al centro della banda proibita, in modo che n,.. ::> ni e<&-E;)/kT. Allora
U si può approssimare con la relazione
(2.64)
L'espressione ha la. stessa forma della (2.43) e quindi il corrispondente tempo
di vita delle lacune in un semiconduttore di tipo n vale
(2.65)
Un'espressione simile si può ottenere per gli elettroni in un semiconduttore
di tipo p. Valori tipici dei tempi di vita. nel silicio a. temperatura ambiente
(2.59)
sono a.pprossima.tiva.mente: rp ,..., 0,3µs per le la.cune nel tipo n, e r,.. ,...,
1, Oµs per gli elettroni nel tipo p. Il tempo di vita. è indipendente dalla
concentrazione dei porta.tori maggioritari. Da.to che nel semiconduttore di
tipo n vi è una.grande abbondanza. di elettroni, non appena. una.lacuna viene'
catturata da un centro, immediata.mente viene catturato dallo stesso centro
(2.60) anche un elettrone per completare il processo di ricombinazione. Quindi
il fenomeno che limita la velocità del processo è la cattura del portatore
minoritario.
Si può semplificare l'espressione generale di U relativa.mente alla dipen-.
denza·da. Et assumendo per elettroni e per la.cune eguali sezioni di cattura.:
u,..= <Tp = u0 • La (2.63) diventa allora
(2.61)
(p,.. n,.. - ni )2
(2.66)

'11th<TnNt[n,..(1 - F) - nie(~e-E;)/kT F] •Non essendo più una situazione di equilibrio, la probabilità F non è più data da.Ila
= vthdj.Nt[p,..F-~e(E;-Ee}/kT(l - F)] funzione di distribuzione di Fermi e quindi non è più nota [ndT].
(2.62)
 62 CAPITOLO 2
FENOMENI DI TRASPORTO DEI PORTATORI 63
In condizioni di basso livello di iniezione la velocità. di ricombinazione si può
-scrivere nella forma.
9
Pn-Pno _ Pn-Pno I TEMPO DI VITA
U E;) - TEMPO DI VITA I
(2.67) gf~~~RfzlfJNE
!::= VtkCToNt ( 2n; ) _(Et - Tr a DEI PROCESSI I
DI RICOMBINAZIONE :
1+
nno+~
cosh kT
7 (Tr)
I
I
V (Tg>

dove Tr è il tempo di vita di ricombinazione, la cui espressione è !... I

z 6 I

l + ( nno2:;Pra.) cosh (Et k; Ei)

I
bo I
r. I
5 I
Tr ;:;: (2.68) > I
I
I
Vth(10 Nt .::::::. I
4 I I
:; I I
Nella Figura 2.15 viene riportato con tratto continuo il tempo di vita > 3 I I
i5 I
di ricombinazione, normalizzata. al suo valore minimo, in funzione di
(Et - Ei)/kT per il processo di ricombinazione in silicio di tipo n con
...o
::;
...w 2
',_,''
\

nno = 1015 cm-3 • Si nota. che il tempo di vita di ricombinazione pre-

senta un minimo molto ampio. Per nno = 1015 cm-3 , il tempo di vita Tr
QL-~_-1L5~--~10~~-~5~~Q'--~~5:--~1~Q:----:1~5~-:20
I rimane sostanzialmente costante(~ l/vthO'oNt) nonostante il livello energe-
tico del centro di cattura Et vari su un esteso campo di valori di energia.,

I
I E1-E;l/kT
cioè ± lOkT, attorno al centro della. banda proibita.. Quanto più elevata è Fig. 2.15 Tempi di vita dei processi di ricombinazione e di generazione in funzione del livello
la concentrazione dei porta.tori maggioritari, tanto più esteso diventa. tale di energia del centro di ricombinazione.
campo di energie.
Sinora. si è considerato il fenomeno dell'iniezione di portatori in eccesso centro di cattura, e che r 9 ha un minimo per centri che hanno energie pros-
in un semiconduttore, cioè il caso pn > n1; in tale caso il processo che sime al centro della. banda. proibita.. La-spiegazione di tale comportamento
ripristina. l'equilibrio nel sistema (pn = nl) è la ricombinazione. Se invece sta nel fatto che, quando le densità dei porta.tori sono piccole, il livello di
il prodotto pn è minore di n1, i porta.tori sono stati asportati; si verifica. energia. è di grande importanza per eguaglia.re la velocità di trasferimento
allora uno svuotamento di portatori: questo ha luogo per esempio in una. dal centro di cattura. sia. verso la banda. di valenza. che verso la. banda. di
giunzione p - n in condizioni di polarizzazione inversa., trattata. nel capitolo conduzione. Dalla. Figura. 2.15 si vede che, quando Et ":/; E;, il tempo di
3. Per ristabilire l'equilibrio del sistema i centri di genera.zione-ricombina.- vita di generazione può essere sostanzialmente maggiore del tempo di vita.
zione devono genera.re portatori. La. velocità. del processo di generazione si di ricombinazione. Dalle (2.68) e (2. 70) si ha.
può ottenere dalla (2.66) ponendo Pn < n; e nn < ni
Tg ,.,, 2 h(Et-Ei) (2.71)
G _ -U = = ( 2 .69) kT
(Et k;E;)
(vthO'oNt)n; n; Tr - COS

- - 2 cosh Tg
Per esempio se Et - E; =
4kT, si ha. r 9 50 Tr· La. (2.71) trova.=
Il tempo di vita di generazione è un'importante applicazione nei dispositivi. 7 Se si sceglie un centro di gene-
razione-ricombinazione con un appropriato livello di energia., si può ottenere
2 cosh( Etk;Ei)
che r 9 sia molto superiore a Tri si può quindi varia.re una caratteristica. del
~= N
VthO'o t
~~ dispositivo che dipende da Tr, per esempio il tempo di apertura. di un diodo,
senza muta.re le caratteristiche che dipendono invece da r 9 , per esempio la.
Nella. Figura 2.15 è riportata. con tratto continuo la curva. normalizzata del
corrente di dispersione di un diodo (capitolo 3). Questo fatto consegue dalla.
tempo di vita di generazione in funzione di (Et - E;)/kT. Si nota che il
tempo di vita. di generazione dipende fortemente dal livello di energia. del dipendenza. esponenziale di Tr da. Et
e dalla. relativa. indipendenza. di r 9 da.
Et.

,,
~-

----- ---------- - --------------------- - - - - - - - - - - - - - - - - -

64 CAPITOLO 2 FENOMENI DI TRASPORTO DEI PORTATORI
300K
1010~_,__.__.._.........,=-'~-'-'-'-'-=--'----'--"-~~=-'~-'-~
1014 1015 1016 1017 1018
CONCENTRAZIONE DELLE IMPURITA' DI ORO (cm- 3 !
Fig. 2.16 Tempo di vita di ricombinazione in funzione della concentrazione- delle impurità
di oro nel silicio.8
I tempi di vita espressi dalle (2.68) e (2. 70) sono inversamente proporzio-
nali a Nt. densità per unità di volume dei centri di ricombinazione. In dispo-
sitivi il cui funzionamento richieda tempi di vita di ricombinazione lunghi,
occorre rendere minima la concentrazione dei centri di ricombinazione. D 'al-
tra parte, per funzionamenti in c-OBUButazione veloce, si rkhiedono tempi
di vita di ricombinazione assai brevi: in tal caso il semiconduttore viene
drogato intensamente con centri di ricombinazione.
Molte impurità. presentano livelli energetici assai vicini al centro della
banda proibita, e sono quindi centri di ricombinazione molto efficaci. Un
tipico esempio è l'oro nel silicio8 • L'oro presenta uno stato accettatore per
Et- Ei = 0,02eV, ossia (Et -Ei)/kT =
0,77 alla temperatura ambiente:
come è illustrato nella Figura 2.16 il tempo di vita dei portatori minoritari
diminuisce linearmente con la concentrazione di oro. Per una diminuzione
della concentrazione da 1014 cm-3 a 1018 cm-3 , si verifica una diminuzione
della vita dei portatori minoritari da 1 µs a O, 1 ns. Un altro metodo per
vàriare la vita media dei portatori minoritari consiste in un'irradia.iione
65
LEGAMI COVALENTI NON SATURATI DA AlTRI ATOMI
[11~
t } SUPERFICIE
CORPO
Fig. 2.17 Diagramma schematico dei legami covalenti su di una superficie pulita di
semiconduttore.9 I legami sono anisotropi e dilreriscono da quetr. nel corpo del materiale.
ad alta energia che provoca spostamenti di atomi ospiti e danni al reticolo
cristallino. Un effetto della radiazione è quello di introdurre livelli energetici
all'interno della banda proibita: per esempio, l'irradiazione di elettroni su
silicio provoca la nascita di un livello accettatore 0,4 eV sopra la banda
di valenza, e un livello donatore 0,36 eV sotto la banda di conduzione; un
bombardamento con neutroni genera un livello accettatore molto vicinQ a
Ei.
2.4.3 Ricombinazione superficiale *
La Figura 2.17 illustra uno schema dei legami covalenti sulla superficie del
semiconduttore.9 A causa della brusca discontinuità. della struttura del cri-
stallo alla superficie, nella regione superficiale si possono trovare un gran
numero di 11tati energetici localizzati o centri di generazione-rieomòinaziane.
Tali stati possono intensificare notevolmente la velocità. di ricombinazione
alla superficie. È importante comprendere bene il processo di ricombina-
zione superficiale, data la notevi:>le influenza che esso può avere sul compor-
tamento di numerosi dispositivi a semiconduttore. .
La dinamica della ricombinazione superficale è siinile a quella prima con-
siderata. a proposito di centri posti entro il corpo del materiale e, in forma
analoga alla (2.63), il numero totale di porta.tori che si ricombinano alla
 FENOMENI DI TRASPORXO DEI PORTATORI 67
66 CAPITOLO 2

superficie per unità di tempo e di a.rea può essere espresso dalla

(2.72) V .I'
,,L - ~ - - - - - - -

dove ns e p1 indicano le co~centrazioni degli elettroni e delle lacune alla --! dx I-- AREA A

superficie e Nst è la densità dei centri di ricombinazione per unità di a.rea

nella regione superficiale. In condizioni di basso livello di iniezione e per . ~ ~n1 Jn(x+dxl

il caso limite in cui n 8 è sostanzialmente eguale alla concentrazione dei :~:

portatori maggioritari all'interno del materiale, in modo che n 8 > Ps e x x+dx •

n 8 > ni e(Et-E;)/kT la (2. 72) si semplifica

Fig. 2.18 Flusso di corrente e processi di generazione e ricombinazione in una striscia·
infinitesima di spessore d:i:.
{2.73)

Poiché il prodotto Vth<TpNst ha le dimensioni in centimetri al secondo, è 2.5 Equazione di continuità

detto velocità di ricombinazione superficiale a basso livello di iniezione Sir

I concetti relativi ai processi di generazione e ricombinazione nel corpo del
materiale semiconduttore trattati nel paragrafo 2.4.2 si applicano egual-
mente bene alla generazione e alla ricombinazione superficiale. Se si assume
che le sezioni di cattura per gli elettroni e per le lacune alla superficie siano
eguali (un = O'p = u8 ), dalla (2.72) si possono dedurre la velocità di
ricombinazione superficiale Sr e la velocità. di generazione superficiale S9
Nei paragrafi precedenti si sono presi in esame singoli effetti quali il moto
di trascinamento per opera di ùn. campo elettrico, la diffusione dovuta a
un gradiente di concentrazione e la rieombinazione dei portatori attraverso
centri di ricombinazione con livelli intermedi nella banda proibita. Si vuole
ora considera.re l'effetto complessivo che nasce quando i fenomeni di trasci-
namento, di diffusione e di ricombinazione si manifestano in un materiale
semiconduttore. L'equazione che controlla il fenomeno globale è detta equa-
zione di continuità..

S _ ;thO'sNst Per deriva.re l'equazione di continuità. unidimensionale per gli elettroni si

{2.75) considera una striscia di spessore infinitesimo dx in posizione x, come illu-
,. - 1 + ( 2ni ) cosh (Et - Ei)
· nno +Ps kT strato nella Figura 2.18. Il numero di elettroni- all 'intemo della striscia può
aumenta.re per opera del :flusso netto di corrente entrante e del fenomeno
Sg = (2.76) netto di generazione. La velocità. con cui aumentano gli elettroni è comples-
Et - Ei)
2cosh ( kT sivamente somma di quattro contributi: il numero di elettroni che entrano
nella striscia in x, meno il numero di elettroni che escono in x +dx, più la
Le espressioni che forniscono le velocità sono inversamente proporzionali velocità. con cui gli elettroni vengono generati, meno la velocità con cui essi
alle espressioni dei tempi di vita, rispettivamente, di ricombinazione e di si ricombinano con le lacune nella striscia.
generazione nel corpo del sernicònduttore. Pertanto è da attendersi che la
velocità di ricombinazione superficiale sia superiore alla velocità di genera- Le prime due componenti si determinano dividendo le intensità. della cor-
zione superficiale, cioè Sr > S9 • Recenti miglioramenti nel controllo dei rente su ciascun lato della striscia per la carica di un elettrone, le velocità
processi al silicio7 hanno consentito di far scendere il valore di Sr sino a di generazione e di ricombinazione si indicano rispettivamente con Gn e R.n.
80 cm/s e di S9 anche al di sotto di 0,1 cm/s. La velocità. di variazione complessiva del numero di elettroni nella striscia è

---------- ------~-----------------
 68 CAPITOLO 2 FENOMENI DI TRASPORTO DEI PORTATORI 69

allora.

Bn Adx = [Jn(x)A - Jn(x + d:i:)A] t(Gn -Rn)Ad:i: (2.77)

8t . -q -q
dove A è l'area. della. sezione trasversa.le e Adx è il volume della. striscia.
esaminata.. Si sviluppa. in serie di Taylor l'espressione della. corrente in
o X
x +dx e si ha.
Jn(X +dx) = Jn (X) + 8Jn
lJx dx+... (2.78)
(nl
e si ottiene, in conclusione, la. forma. di ba.se dell'equazione di continuità per
gli elettroni
(2.79)
o Lp= ./ D p r ; - - - - .-X

Si può ottenere per le la.cune una relazione simile, con l'unica. eccezione che
il segno del primo termine al secondo membro della. (2.79) è mutato, dato
I il segno positivo associato alle la.cune
SUPERFICIE
DllNIEZIONE
::-;::_.: ..

I
TUTTI I PORTATORI IN
ECCESSO RICOMBINATI
hll
;{.~~-~:·~:.: :~.: ...
8p = -~8Jr>+(Gp-Rp) (2.80) o w X
8t q 8x
(b)
Si può ora sostituire nelle (2.79) e (2.80) le espressioni delle correnti (2.31)
e (2.32) e le espressioni dei processi di ricombinazione (2.43) e (2.64). Nel
ca.so unidimensionale e in condizioni di basso livello di iniezione, le eqtlazioni
di continuità per i portatori minoritari, np nel semiconduttore di tipo p, e
Pn nel semiconduttore di tipo n, risultano allora espresse nella forma o w X

Fig, 2.19 Iniezione laterale di portatori a regime. (a) Campione semiinfinito di semicon-
(2.81) duttore. {b) Campione di lunghezza W.

complessità ma.tematica di questo insieme di equazioni, si provvede in molti

(2.82) ca.si a semplifica.rie introducendo approssimazioni fisiche prima di cercarne
una soluzione. Si risolveranno ora le equazioni di continuità per tre ca.si
Oltre alle equazioni di continuità deve anche essere soddisfatta l'equazione importanti.
di Poisson
(2.83)

dove Es è la permittività dielettrica del semiconduttore, e Ps è la. densità di
carica spaziale, data dalla. somma algebrica delle concentrazioni dei porta.tori
di carica. e delle concentrazioni delle impurità ionizza.te, q(p - n + N'}j -
NA)·
In linea di principio l'insieme di equazioni (2.81), (2.82) e (2.83), asso-
ciate a.d appropriate condizioni al contorno, ha un 'unica soluzione. Data la.
2.5.1 Iniezione laterale a regime
La. Figura. 2.19a illustra. un semiconduttore di tipo n in cui sono iniettati da.
un lato porta.tori in eccesso mediante un'opportuna. illuminazione. A regime
si ha, in prossimità della superficie, un gradiente di concentrazione; la (2.82)
fornisce l'equazione differenziale che regola le concentrazioni dei portatori
 70 CAPITOLO 2 FENOMENI DI TRASPORTO DEI PORTATORI 71

minoritari all'interno del semiconduttore

8pn _ O _ D tPpn _ Pn - Pno (2.84) SUPERFICIE DI hll

RICOMBINAZIONE
lJt - - " 8z2 r.'P

Le condizioni al contorno sono: Pn(z = O) = Pn{O) = costknte e

~ .)(
Pn( z --+ oo) = Pno· La. soluzione per ( z) è

Pn(z) = Pno + [f>n(O)- P,.o]e-z/Lp (2.85) p{xk

"
La. lunghezza. L,, è eguale a. ,;IJ;:r; ed è detta. lunghezza di diffusione. La. _---·· ./ )G
Figura. 2.19a mostra. l'andamento della. densità dei porta.tori minoritari, che
decade esponenzialmente con lunghezza. ca.ra.tteristica. L,,.
:..:'...:_--_-_-_-_-_-_-_-_--_-_-_-____;__~_-·_·-----·
o )(
Se si muta. la. seconda. condizione al contorno, nel modo indicato nella. fi-.
gura. 2.196, cosìche in z = W vengono estratti tutti i porta.tori in eccess~;
Fig. 2.20 Superficie di ricombinazione in x =
O. La distribuzione dei portatori minoritari
in prossimità della superficie subisce l'effetto della velocità di ricombinazione superficiale. 10
I p,.(W) = Pno, si ha. allora. la. nuova. soluzione della. (2.84) /
.,/

l (2.86)
La. condizione al contorno per z
l'equazione differenziale è
--+ oo è data. dalla. (2.45a); a. regime

(2.89)
La. densità di corrente in z = W è data. dall'espressione della. corrente di
diffusione, cioè dalla. (2.32) con e
= o
La. soluzione dell'equazione, soggetta. alle condizioni al contorno ora. fissa.te,
èlO
(2.87) _ ( - rpS1re-zfL11 )
Pn(z) = Pno + r,,GL 1- L,, + r,,Sir (2.90)

Nella. Figura. 2.20 è ripòrta.to un grafico di tale espressione per un valore

2.5.2 Portatori minoritari alla superficie
non nullo di S1r; quando S1r --+ O allora., per quanto si è ottenuto con la.
Quando si introduce l'effetto della. ricombinazione superficiale su di un lato (2.45a), Pn --+ Pno +
r,,GL. Quando Sir --+ oo, allora.
di un pezzo di semiconduttore illuminato uniformemente, la. densità di cor-
rente di la.cune che dall'interno del semiconduttore fluisce verso la. superficie (2.91)
è data. da. qU., dove Ua è espressa. nella. (2. 73). La. ricombinazione superficiale
porta a. una. diminuzione della. concentrazione dei porta.tori sulla. superficie; Dalla. ( 2.91) si può vedere che la. densità dei porta.tori· minoritari tende, alla.
tale gradiente nella. concentrazione delle lacune provoca. una. densità. di cor- superficie, al valore che assume all'equilibrio termodinamico Pno·
rente di diffusione che è eguale alla. corrente di ricombinazione alla. superficie.
Quindi la. condizione al contorno pèr z = O è Esperimento di Haynes-Schockley

- dp,.
- qD,, d:i:
I = qU. =--
qS,,.[pn(O) - Pno] (2.88)
Uno degli esperimenti classici della. fiSica dei semiconduttori è la. dimostra-
zione dei fenomeni di trascina.mento e di diffusione dei porta.tori minoritari,
r-:0 - · ~to per la. prima volta da. J.R.Ha.ynes e da W .Schockley11 • Lo schema

-----------------------
 FENOMENI DI TRASPORTO DEI PORTATORI 73
72 CAPITOLO 2

di disposizione dell'esperimento di Ha.ynes-Schockley è riportato nella. Fi-

gura. 2.21a. Impulsi di luce localizza.ti genera.no porta.tori in eccesso in una.
barra. di semiconduttore. L'equazione di tra.sporto dopo un impulso è la.
(2.82) con GL = O e IJC/IJx = O, cioè il campo applicato è costante entro hv
la. ba.rra di semiconduttore
GENERATORE DI (al
IMPULSI
{V) ~~~~~-----'µ_~~~~--'-~~~~~-,
(2.92)

Se non si applica un campo elettrico a.i capi del campione la soluzione è

~L--1
·
Pn(X, t) =
N
..jifi"IJ;i exp
( :z:2
- 4 Dpt -
t) +
Tp Pno (2.93)
t=O
(bl
dove N è il numero di elettroni e di la.cune generate per unità. di. a.rea.. La.
I Figura. 2.216 illustra la. soluzione (2.93) man ma.no che i porta.tori diffondono

l
allontanandosi da.I punto di iniezione e si ricombina.no.
Se si applica. un campo elettrico a.i ca.pi del campione la. soluzione è ancora
nella forma. della. (2.93), eccetto che x deve essere sostituito da x - µpCt, e
l'andamento è quello della. Figura. 2.21c. Cioè tutti i porta.tori in eccesso si
muovono verso l'estremità. negativa. del pezzo di semiconduttore con velocità. I V l>O
di trascina.mento µp&, e contemporanea.mente diffondono verso l'esterno e t=O (çl
si ricombina.no come nel ca.so in cui il campo è assente.
I
~~~~~~~~~-111<~~'--~s:::._~~r:~~-==---x
2.6 Effetti di alto campo
Of?etl...j :
µ.et2 - - - i
Per campi elettrici di piccola intensità., la velocità. di trascina.mento è pro-
porziona.le all'intensità. del campo applicato, e si assume che l'intervallo di ' Fig. 2.21 Esperimento di Haynes-Schockley. 11 (a)' Disposizione sperimentale. (b) Distri-
tempo tra. due collisioni Te sia indipendente da.I campo elettrico applicato. buzioni delle lacune in assenza di campo elettrico applicato. (c) Distribuzioni di portatori con
Tale assunzione è ragionevole sin tanto che la. velocità. di trascina.mento è un campo applicati>.
piccola a. confronto con la. velocità. termica. dei portatori, che per il silicio
alla temperatura ambiente è pa.ri a circa 107 cm/s. rapido e, per campi sufficientemente intensi, la velocità. tende a. una co-
Quando la. velocità. di trascina.mento si avvicina. al valore della velocità. stante, detta velocità. di saturazione. I risultati sperimentali possonò essere
termica., il suo legame con il campo elettrico incomincia a. scostarsi dal- ~ approssima.ti con la relazione empirica12
l'andamento linea.re descritto nel paragrafo 2.1. La Figura 2.22 illustra. gli
andamenti misurati delle velocità. degli elettroni e delle la.cune nel silicio (2.94)
in funzione dell'intensità. del campo elettrico. È evidente che inizialmente
I
la dipendenza della velocità. di trascina.mento dal campo elettrico è linea.re,
dove V 8 è la velocità. di saturazione, pari a circa 107 ' cm/s per il silicio
cui corrisponde un valore costante di mobilità.. Aumentando ulteriormente il
~ tempera.tura ambiente; &0 è una costante eguale a 7 103 V/dn per gli
campo elettrico, l'incremento della velocità. di trascina.mento diviene meno

·.j,

------------------ -------------------- - - - - - - - - - - - - - -
 74 CAPITOLO 2 FENOMENI DI TRASPORI'O DEI PORI'ATORI 75

I- ~~-
-·
I - L- - -
-·
I a1--_::::..~~-1-~--.c...--'1--~~~-+-~~~-~
GaAs ( ELETTRONI )

~ /vl~I~
~ 6

i 4!--..J../.~~4-~-.,.....,,,::;.=----1
i3 V -..
- ( ELETTRONI )

,, ... ...
....
... ~s1 (LACUNE)

~ ,, ~

g2 Si
/
"'•I•
·-
w
> (300K)
0 !'...:...~~~...L.~~~--12'--~~~~3~~~-4--'x,0 4
/ ·" ~·

0 -
"
_-GaAs (LACUNE)
t'(V/Cml ,,; -
I
1,,
/
12 r=300K
Fig. 2.22 Velocità di trascinamento in funzione del campo elettrico nel Si. ,, , "'

I
/ I I
V "
per gli elettroni e 1 per le la.cune.
-~
·''•
I
104
CAMPO ELETTRICO (V/cm)
13
Il fenomeno di tra.sporto ad alto campo nell'arseniuro di gallio di tipo n è Fig. 2.23 Velocità di trascinamento in funzione del campo elettrico nel Si e nel GaAs. 12•
Si noti che per il GaAs di tipo n vi è una regione con mobilità differenziale negativa.
alquanto diverso da. quello del silicio13 • Nella Figura. 2.23 sono riporta.te le
curve .misura.te delle velocità di trascina.mento in funzione dell'intensità di .
campo elettrico per l'a..rseniliro di gallio di tipo n e di tipo p. Sullo stesso regime la conducibilità del Ga.As di tipo n si può scrivere come
grafico sono riporta.ti per confronto, in scala. logaritmica., i risulta.ti relativi
al silicio. Si nota. che per il Ga.As di tipo n all'aumenta.re dell'intensità del
campo elettrico la. velocità di trascina.mento raggiunge un massimo per poi
"= q(µ1n1 +µ2n2) = qn"ji (2.95)

decrescere. Questo fenomeno è dovuto alla. struttura. delle bande di ener- dove la. mobilità media. è
gia. dell'arseniuro di gallio, in cui è possibile il trasferimento di elettroni di
conduzione da. un minimo di energia. ad alta. mobilità (detta. valle) verso Ti = (µ1n1 +µ2n2)/(n1 +n2) (2.96)
valli satelliti, situa.te a. energie più eleva.te, a. bassa. mobilità; cioè un trasfe- La. velocità di trascina.mento è allora espressa. da
rimento di elettroni verso le valli satelliti lungo la. direzione (111} descritta
in precedenza. nella. Figura. 1.12. Per spiega.re il fenomeno, si consideri il (2.97)
semplice modello a. due valli dell'arseniuro di gallio di tipo n, descritto nella.
Figura. 2.24. La. sepa.ra.zione energetica. tra. le due valli è AE = O, 31 eV. La. Per semplicità si fa.ranno, con riferimento alla Figura. 2.24, alcune posi-
massa. efficace degli elettroni nella. valle inferiore viene indicata. con m 1, la. zioni relativamente alle concentrazioni degli elettroni nei diversi campi .di
mobilità con µ 1 e la. concentrazione degli elettroni con n1; le corrispondenti valori di intensità del campo elettrico. Nella. Figura. 2.24a l'intensità del
grandezze per la. valle superiore sono indica.te, rispettiva.mente, con m2, µ 2 campo è bassa e tutti gli elettroni resta.no nella. valle inferiore; nella. Fi-
e n 2 • La. concentrazione totale degli elettroni è data. da. n = ni +n2. A gura. 2.24b l'intensità del campo è più elevata., e alcuni elettronl acquisiscono
 76 CAPITOLO 2 FENOMENI DI TRASPORTO DEI PORTATORI 77

da generare coppie elettrone-lacuna. con un processo di moltiplicazione a

valanga, che è illustrato schematicamente nella. Figura 2.26. Si consideri
un elettrone, indicato con 1 nella figura, nella banda di conduzione. Se il
campo è di intensità. sufficientemente alta., l'elettrone può acquisire una no-
E E E
tevole energia cinetica prima. di urtare con il reticolo. All'urto, l'elettrone
cede la maggior parte della sua energia cinetica per rompere un lega.me co-
(, < eo ta <~<[b e; t: b valente, cioè per ionizza.re un elettrone di valenza da.lla banda di valenza
a.lla banda di conduzione, e generare così una coppia elettrone-lacuna, indi-
~_Jlj_ cata con 2 e 2'. In modo analogo i due portatori generati incominciano ad
accelerare nel campo elettrico e a urtare con il reticolo, come illustrato nella
figura, generando a loro volta altre coppie elettrone-la.cuna (cioè 3 e 3', 4 e

t-4
Eg
41), e così via. Il processo è detto ionizzazione a valanga o anche processo di
ionizzazione per urto. Per avere un 'idea delle energie necessarie per la ioniz-
zazione si consideri il processo di generazione della coppia 2 - 21 , riportato
p p p nella Figura 2.26. Un istante prima della collisione l'elettrone 1, in moto
I [111] o [111] o [m] o
rapido, ha un'energia cinetica l/2m1;v~ e una quantità di moto m1v8 , dove

I !bi
(O) (C)
m1 è la massa efficace e Vs è la velocità. di saturazione. Dopo l'urto si hanno
Fig. 2.24 Distribuzioni elettroniche in diverse situazioni di campo elettrico in un sernicon- tre particelle: l'elettrone originario, più una coppia 2 - 2' elettrone-lacuna.
duttore a due valli. Se si assume che i tre portatori abbiano la stessa massa efficace, la stessa
energia cinetica e la stessa quantità di moto, l'energia cinetica tota.le vale
dal campo energia sufficiente per trasferirsi nella valle superiore. Infine, nella 3/2m1 v} e la quantità. di moto totale 3m1v1 , dove VJ è la velocità. dopo la
Figura 2.24c il campo è di intensità. così alta che tutti gli elettroni si sono collisione. Imponendo la conservazione dell'energia e della quantità. di moto
spostati nella valle superiore. Cioè si ha prima e dopo l'urto, si ha
perO<E<Ea 3·
= E9 + m1v} (2.100)
per Ea <E< Eb (2.98) 2
e
Usando queste relazioni si ottiene che la velocità. di trascinamento assume (2.101)
asintoticamente i valori dove l'energia E9 nella (2.100) è l'ampiezza della banda proibita., corrispon-
Vn ~ µi E per O< E < Ea (2.99) dente a.lla. minima energia. necessaria per generare una coppia elettrone-
lacuna. Sostituendo la (2.101) nella (2.100) si ottiene l'energia cinetica
Vn ~ µ2E per E > Eb
necessaria per un processo di ionizzazione
Se µ 1 Ea è superiore a. µ2Eb si ha una regione di valori di campo compresa
tra Ea e Eb (vedi Figura. 2.25), in cui la. velocità. di trascina.mento diminuisce 1 2
Eo = 2 m1V8 = 1,5E9 (2.102)
al crescere dell'intensità. del campo. Tale caratteristica della. velocità. di tra-
scinamento dell'arseniuro di gallio di tipo n viene impiegata nei dispositivi Ovviamente perché si verifichi il processo di ionizzazione Eo deve essere
a diodo Gunn usati nelle microonde e descritti nel capitolo 6. superiore a.ll'ampiezza della banda proibita. Il valore di energia effetti-
Quando si aumenta oltre un· certo valore l'intensità del campo elettrico vamente richiesto dipende da.lla struttura delle bande: per il silicio Eo è
in un semiconduttore, i portatori acquisiscono sufficiente energia cinetica 3,6 eV = =
3,2E9 per gli elettroni, e 5,0 eV 4,4E9 per le lacune.
 78 CAPITOLO 2 FENOMENI DI TRASPORTO DEI PORTATORI 79

--si
10 5 ---- GOAS

=
~

-- ~
w
z
2
104

~g
i5

I CAMPO ELETTRICO
5g
I Fig. 2.25 Una possibile caratteristica velocità campo di un semiconduttore a due valli.
w 103
>

102L--~--L~---l~~-'-~-1~~-"-~--'
o 2 3 4 5 6
Ev Ile (lo- 6 crntv>
Fig. 2.27 Velocità di ionizzazione misurata in funzione dell'inverso del campo elettrico per
Si e per GaAs. 13

Figura 2.27 sono riportati valori misurati di velocità. di ionizzazione per. il

silicio e per l'arseniuro di gallio. Si nota che sia an che a,, dipendono forte-
mente dall'intensità. del campo elettrico. Per avere velocità. di ionizzazione
notevolemente elevate, cioè approssimativamente maggiori di 104 an- 1 , l'in-
tensità. del campo deve essere apprOssimativamente superiore a.3105 cm-1
per il silicio e a 4 105 cm-1 per l'arseniuro di gallio. La velocità. di gene-
razione GA delle coppie elettrone-la.cuna nel processo di moltiplicazione a
valanga è data da

Fig. 2.26 Diagramma delle bande di energia per un processo di urto a valanga.
(2.103)

dove Jn e J,, sono, rispettivamente, le densità. di corrente· degli elettroni e

rusta.nZa percorsa e betoo vewcua ai ionizzazione per reieurone, e s1 mruca delle la.cune. L'espressione {2.103) può essere usata nell'equazione di cònti~
con an. Analogamente a,, è la velocità. di ionizzazione per le la.cune. Nella nuità. per dispositivi che operano in condizioni di moltiplicazione a valanga.

----- ~---~--·-----
 ~o CAPITOLO 2
Bibliografia
1 Halliday, D. e Resnick, R., Fundamentals o/ Physics, 2a ed., Wiley, New York
1981; trad. it., Fondamenti di fisica, CEA, Milano 1984.
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Semiconductor Engineers, Wiley, New York 1985.
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1978.
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and Electrons", Phys. Rev., 81 (1952) 835.
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I Semiconductors", IEEE Thins. Electron Devices, ED-29 (1982) 1336.
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10 Grove, A.S., Physics and Technology o/ Semiconductor Devices, Wiley, New
York 1967; trad. it., Fisica e tecnologia dei dispositivi a semiconduttore, 4a
ed., Angeli, Milano 1985.
11 Haynes, J .R. e Shockley, W ., "The Mobility and Life of Injected Holes and
Electrons in Germanium", Phys. Rev., 81 (1951) 835.
12 Caughey, D.M. e Thomas, R.E., "Carrier Mobilities in Silicon Empirically
Related to Doping and Field", Proc. IEEE, 55 (1967) 2192.
13 Sze, S.M., Pliysics o/ Semiconductor Devices, ~ ed., Wiley, New York 1981.
.>
Problemi
1 Si calcoli il tempo libero medio di un elettrone che ha. una. mobilità di
1000 cm2 /Vs a. 300 K; si calcoli anche il cammino libero medio, cioè la.
distanza. percorsa. da un elettrone tra. due urti successivi. Si assuma. per
questi calcoli mn = 0,26mo.
2 Per un semiconduttore con un rapporto tra. le mobilità. b = µn/ µ'P > 1
costante e indipendente dalla. concentrazione delle impurità., si trovi la.
massima. resistività. Pm in funzione della. resistività. intrinseca. Pi e del
rapporto tra. le mobilità..
3 In un campione di semiconduttore omogeneo di tipo n sono inietta.te in
un punto delle la.cune minoritarie. Al semiconduttore sia. applicato un
-----~--------·----------------~---
FENOMENI DI TRASPORTO DEI PORTATORI 81
campo elettrico di 50 V/ cm che in 100 µs sposta i porta.tori minoritari
per una. .distanza. di 1 cm. Si calcoli la. velocità. di trascinamento e la
diffusività. dei porta.tori minoritari.
4 Si determinino per gli elettroni e per le la.cune le concentrazioni, le mo-
bilità. e le resistività. in un campione di silicio a. 300 K per eia.senna delle
seguenti concentrazioni di impurità.: (a) boro con 5 1015 a.tomi/cm3 ;
(b) boro con 2 1016 a.tomi/cm3 e arsenico con 1,5 1016 a.tomi/cm3 ; (e)
boro con 5 1015 a.tomi/cm3 , arsenico con 1017 a.tomi/cm3 e gallio con
1017 a.tomi/cm3 .
5 Uno strumento con sonda. a. quattro punte, con spazia.tura. tra. le sonde
di 0,5 mm, viene usato per misura.re la. resistività. di un pezzo di silicio
di tipo p. Si determini la. resistività del pezzo di semiconduttore se il suo
diametro è 100 mm e lo spessore è 50 µm. La. corrente ha un'intensità di
1 mA e la. differenza. di potenzia.le misurata. tra. le due sonde più interne
è di 10 m V. Se il campione venisse tagliato in piccole piastrine quadrate
di 5 mm di lato, quanto sarebbe stata. la. tensione misurata. per una.
corrente costante di 1 mA?
6 Determina.re le resistività del Si intrinseco e del Ga.As intrinseco alla.
tempera.tura. di 300 K.
7 Sia dato un pezzo di silicio con drogaggio incognito. Eseguite tutte le
misure si ottengono le seguenti informazioni con riferimento a.i simboli
della. Figura. 2.8: W = 0,05 cm, A =. 1,6 10-3 cm 2 , I = 2,5 mA e
il campo magnetico è di 30 nT (si ricordi che 1 T = 104 Wb/cm2 ). Se
si misura una tensione di lla.11 di +lO m V, si desidera conoscere il coef-
ficiente di Hall, il tipo di conducibilità, la. concentrazione dei porta.tori
maggioritari, la resistività e la. mobilità del ta.mpione di semiconduttore .
8 Un pezzo di semiconduttore di tipo n ha un dr.oga.ggio di arsenico di
2 1016 a.tomi/cm3 , una densità. di centri di ricombinazione nel corpo
del m.a.teria.le di 2 1015 a.tomi/cm2 e una. concentrazione di centri di
ricombinazione superficiale di 1010 centri/cm3 • (a) Trova.re all'interno
del corpo del semiconduttore il tempo di vita. dei porta.tori minoritari,
la. lunghezza. di diffusione e la. velocità di ricombinazione superficiale in
condizioni di basso livello di iniezione. I valori di up e u 11 sono rispet-
tiva.mente 5 10-15 cm 2 e 2 10-16 cm2 • (b) Se il campione è illuminato
con una. luce che viene assorbita. uniformemente e crea. 1017 coppie
elettrone-la.cuna./cm2 s, quanto vale la. concentrazione delle la.cune alla.
superficie?
9 Su di una superficie la.tera.le 'di una.. stretta. striscia. di silicio di tipo
 82 CAPITOLO 2

n lunga. W vengono inietta.ti porta.tori minoritari; questi vengono poi

estratti dalla superficie opposta dove Pn(W) = Pno· Nella. regione
O < :t < W non vi è campo elettrico. Si ricavi l'espressione delle
densità di corrente sulle due superfici. Sa.pendo che il tempo di vita
dei porta.tori è 50 µs e che W = 0,1 mm, si calcoli la frazione di
3
corrente iniettata. che raggiunge per diffusione la superficie opposta.
Sia. D = 50 cm2 /s. .
Giunzione p - n
10 In un esperimento di Ha.ynes-Schockley i massimi va.lori dei porta.tori
_minoritari per ti = 100 µse per t2 = 200 µs differiscono di un fattore
5. Si calcoli il tempo di vita dei porta.tori minoritari. Nei capitoli precedenti sono sta.te considera.te le concentrazioni dei portatori
e i fenomeni di trasporto in un materiale semiconduttore omogeneo. In
questo capitolo si discuterà. invece il comportamento di un monocristallo di
semiconduttore contenente regioni sia di tipo p che di tipo n che formano
una giunzione p - n.
La caratteristica più importante delle giunzioni p - n consiste nel fatto
I che esse raddrizzano, cioè consentono alla corrente di fluire con facilità in

I una sola direzione. Nella Figura 3;1 è disegnata la caratteristica tensione-

corrente di lÌJla tipica giunzione p - n al silicio: quando a.i suoi capi si
applica una "polarizzazione diretta", con il significato che si definirà nel pa-
ra.grafo 3.1, l'intensità. della corrente aumenta rapidamente al crescere della
tensione; quando, invece, si applica una "polarizzazione inversa" non scorre
in pratica. alcuna corrente. Al crescere della tensione inversa., la corrente
rimane estremamente piccola sino a che si raggiunge un valore critico di
tensione per cui la corrente aumenta. in modo brusco. Il fenomeno del su-
bitaneo aumento della corrente prende il nome di rottura (breakdown) della
giunzione. La. tensione applicata. in polarizzazione diretta. è di solito inferiore
a 1 V; i va.lori della tensione critica. inversa., o tensione di rottura., possono
invece variare da pochi volt a. migliaia di volt al variare della concentrazione
del drogaggio e di altri parametri del dispositivo.
La. giunzione p - n ha. ruolo importante nelle applicazioni dell'elettronica.
moderna. e nella comprensione del funzionamento di altri dispositivi. La
giunzione è diffusamente usata. nel raddrizzamento, nella. commutazione e in
altre operazioni dei circuiti elettronici. Essa. costituisce il blocco funzionale
di ba.se per i transistori bipolari e per i tiristori (ca.p. 4), così come per i
JFET e i MOSFET (ca.p. 5). Con appropria.te condizioni di polarizzazione,
o quando è esposta. a radiazioni _luminose, la. giunzione p - n interviene
anche nei dispositivi a. microonde ( cap. 6) o nei dispositivi optoelettronici.
In questo capitolo si useranno le equazioni di base introdotte nei prece-
denti capitoli per descrivere le caratteristiche ideali, statiche e dina.miche,
delle giunzioni p - n. Si esamineranno gli scosta.menti dal comporta.mento

. ·--------·-----------···---------~-----·--·--- ------
---·~---- - -----·-
84 CAPITOLO 3 GWNZIONE p -
I(mA)
4
3 CONDUZIONE
DIRETTA
2 -
"-,,_ ROTTURA -2
INVERSA
-3
-4
Fig. 3.1 Caratteristica ccrrente-tensione di una tipica giunzione p - n al silicio.
ideale dovuti a processi di generazione e di ricombinazione e ad altri effetti;
si discuterà in seguito il fenomeno dell'immagazzinamento dei porta.tori mi-
noritari e la. sua. influenza. sul comportamento del dispositivo in transitorio.
Il capitolo si conclude con un esame del fenomeno della rottura della. giun-
zione.
3.1 Condizione di equilibrio termodinamico
Nella. Figura. 3.2a sono disegna.te due regioni di materiale semiconduttore
di tipo p e di tipo n, uniformemente droga.te e fisica.mente separa.te, prima.
di forma.re .la. giunzione. Si noti che il livello di Fermi EF è viçino al bordo
della. ba.nda di valenza. nel materiale di tipo p e vicino al bordo della. ba.nda.
di conduzione nel materiale di tipo n. Mentre il materiale di tipo p contiene
un'alta concentrazione di la.cune e pochi elettroni, nel materiale di tipo n
avviene il contra.rio.
Si forma. una. giunzione p - n qua.ndo le due regioni vengono unite.
Nella. fabbricazione di dispositivi, le giunzioni p - n sono forma.te mediante
processi tecnologici quali l'epitassia., la. diffusione e l'impia.ntazione ionica.;
questi processi verranno discussi nei capitoli 8 e 10.
Il forte gradiente delle concentrazioni dei porta.tori che si verifica. alla giun-
zione provoca. la. diffusione dei portatori. Le la.cune diffondono dal la.to p
verso il lato n e. gli elettroni dal la.to n entro il la.to p. Le la.cune che ab-
bandona.no il lato p lascia.no, in prossimità della giunzione, ioni accetta.tori
n 85
-~
iRAsclNAMENTO
Ec--- ---Ec Ec ~
-------EF ~Ec
DIFFUSIONE
EF------- EF
Ey~
---------------EF
Ev~
DIFFUSIONE''//~Ey
TRASCINAMENTO
(b)
(O)
Fig. 3.2 (a) Serric:cnduttori uniformemente drogati di tipo p e cli tipo n prima che si fermi la
giunzione. (li) CarT"f)O elettrico nella rerjone di svuotamento e diagranma delle band~ cli energia
di una giunzione p- n all'equilibrio termodinanico.
negativi (N;!) non compensati, dato che gli accetta.tori sono fissi nel reticolo
cristallino mentre le la.cune sono mobili. Similmente, mentre gli elettroni la-
scia.no il lato n, resta.no vicino alla giuÌlZÌone alcuni ioni donatori positivi
(Ni) non compensa.ti._ Di conseguenza., si forma. una. carica. spaziale nega-
tiva. vicino al lato p della giunzione, e una carica. spaziale positiva. vicino
al lato n. Tale regione di ca.rica spaziale genera un campo elettrico che è
diretto dalla carica. positiva. verso la ca.rica. negativa., come è illustrato nella.
pa.rte superiore della Figura 3.2b.
Il ca.mpo elettrico è di verso opposto al verso della corrente di diffusione
per entrambi i tipi di porta.tori di ca.rica.. L'illustrazione in basso nella.
Figura. 3.2b mostra. che il flusso della. corrente di diffusione delle la.cune va. da.
sinistra. verso destra., mentre la. corrente di trascinamento delle la.cune dovuta
al ca.mpo elettrico fluisce da. destra. verso sinistra.. Anche la. corrente di
diffusione scorre da. sinistra. verso destra, mentre la. corrente di trascina.mento
fluisce in direzione opposta. Si noti che, da.ta. la. loro ca.rica. negativa., gli
elettroni diffondono da. destra. verso sinistra., in verso opposto alla. direzione
della corrente degli elettroni.
All'equilibrio termodinamico, cioè la. condizione di regime a una. data tem-
pera.tura e in assenza di qualunque sollecitazione esterna, il flusso netto della
corrente attraverso la giunzione deve essere nullo. Quindi, per ciascun tipo
di portatore, la corrente dovuta al ca.mpo .elettrico deve cancellare esat-
tamente la. corrente di diffusione' dovuta. al gradiente della concentrazione.
 86 CAPITOLO 3 GWNZIONE p - n 87

. Dalla (2.32) dove si è assunto che tutti i donatori è gli accettatori siano ionizzati. Nelle
regioni lontane dalla giunzione metallurgica la neutralità di carica è conser-
Jp = Jp(trascinamento) + Jp(diffusione) vata, e pertanto la densità di carica tota.le è nulla. In queste zone neutre la
dp (3. 7) si semplifica nella forma
=
qµpp& - qDp dx
= qµpp (! dEi) _ kTµp dp = O (3.1) =o (3.8)
q dx dx
dove si sono impiegate la (2.8) per il campo elettrico e la relazione di Einstein e
Dp = kTµp/q. Sostituendo nella (3.1) l'espressione della concentrazione ND"."'"NA+p-n =O (3.9)
delle lacune
(3.2) Per una regione neutra di tipo psi assume ND = O e p ::> n. Il
potenzia.le elettrostatico della regione neutra di tipo p riferito al livello di
e la sua derivata
dp = L
dx kT ·dx dx
(dEi -
dEF) (3.3)
Fermi, indicato con t/Jp nella Figura 3.3b, si può determinare ponendo nella
(3.9) ND = n = O e sostituendo il risultato, p = NA, nella (3.2)
I si ottiene la densità della corrente totale delle lacune:
= _!(Ei -
l
t/>p EF)I = - kT In NA (3.10)
dEF q "'~-"'P. q ni
Jp = l'pPdx = O (3.4)
ossia Analogamente si ottiene il potenziale elettrostatico nella regione neutra n
riferito al livello di Fermi, tPn
(3.5)

Analogamente si ottiene per la densità di corrente tota.le degli elettroni (3.11)

Jn = Jn(trascinamento) + Jn(di:ffusione)
La differenza di potenziale elettrostatico totale tra la regione neutra del
dn
= qµnnC + qDn dx lato p e quella del lato n all'equilibrio termodinamico è detta potenziale
interno vbi
dEF
= Jlnn dx =O (3.6) (3.12)
Pertanto, nella condizione che siano nulle singolarmente le correnti totali
degli elettroni e delle lacune, il livello di -·-Fermi deve essere costante cioè Avvicinandosi alla giunzione da una regione neutra, si incontra una stretta
-~--· - . ,.- ..-.-~ ..... .- ..,....~-"""-.~~'- '
""'-"'·-

indipendente da x, in tutto il dispositivo, come è illus~at~·rièCdi~a a
bande di energia della Figura 3.2b. Il fatto che all'equilibrio termodinamico
il livello di Ferini sia costante ha come conseguenza che la distribuzione di
1
carica spazia.le alla giunzione è unica. Nelle Figure 3.3a e 3.3b si ripete
il disegno della giunzione p. - n monodimensionale e il corrispondente
diagramma delle bande di energia. La distribuzione di carica sj)aziale e il
potenziale elettrostatico t/J sono forniti dall'equa.Zione di Poisson
~t/J u h q .
... 2 = --d = - - = -"""'."(ND-NA +p- n)
d... X f.11 f.11
regione di tra.nsizione, riportata in Figura 3.3c, in cui la carica spaziale de-
gli ioni de1le impurità è compensata solo parzialmente dai portatori mobili.
Oltre a questa zona di transizione, si entra in una regione completamente
svuotata dove la concentrazione dei portatori è nulla: essa viene detta re-
, gione di svuotamento o regione di carica spazia.le. Nelle giunzioni p - n
in silicio o in arseniuro di gallio, la larghezza di ogni zona di transizione
di solito è piccola rispetto all'èstensione della regione di svuota.niento; di
conseguenza le regioni di transizione si possono trascurà.re e la regione di
svuotamento si può rappresentare con la distribuzione rettangolare della Fi-
(3.7)
gura 3.3d, dove Xp e Xn indicano le estensioni dello strato svuotato nel lato

'
'J,.-:
 ----------·--------------- ---·-··

88 CAPITOLO 3 GIUNZIONE p - n 89

o.e

I ! -i-

-
p G~~
(O) 0.6
i-'-
"'!!·
o
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(b)
o. - i-'- si
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WO
-,':).. i-i-

0.2
30<;lK

o
f014
n

X (C)

ZOHll
DITRAHSIZIOHE
Fig. 3.4 Contributi del lato p e del lato n al potenziale interno di giunzioni brusche in Si e in
DEllSll Il' DI CARIC.\ DOYUT11
l).\1J-r',~ir'l!-'l IOl41ZZAll DEllE
GaAs in funzione della concentrazione di i1T1>urità.
nell'arsenii.Ìro di gallio. Per una data concentrazione di drogaggio il poten-
ziale elettrostatico dell'arseniuro di gallio è maggiore dato il più basso valore
zonÀ ZOtl.\ O
della concentrazione intrinseca ni.
HEUfRll HEUlRA

Problema
Idi Si calcoli il. potenziale interno di una giunzione p - n al silicio con NA =
1018 cm- 3 e con ND =
1015 cm- 3 alla temperatura di 300 K.
Soluzione
Dalla (3.12) si ottiene
1018 X 1015
Fig. 3.3 (a) Una giunzione p - n con variazione brusca del drogaggio in carispondenza della Vw = (0,0259)ln (l,45 x 1010 )2 = 0,755V
giunzione metallurgica. (b) Diagramma delle bande di energia di una giunzione brusca all'equi-
librio terrilodinarrico. (e) Distribuzione della carica spaziale. (d) Approssimazione rettangolare inoltre dalla Figura 3.4
della distribuzione di carica spaziale.
Vw = tPn + lt/lpl - 0,30V + 0,46V = 0,76V
p e nel lato n, rispettiva.mente. Per una. regione completa.mente svuotata.
con p = n .= O, la. (3.7) diventa
d"lt/J q
- = -(NA-ND) (3.13)
dz2 €a
I
Il valore lt/Jpl e di t/Jm calcola.ti in base alle (3.10) e (3.11), sono disegnati
nella Figura 3.4 in funzione della concentrazione di drogaggio nel silicio e
 GIUNZIONE p - n 91
90 CAPITOLO 3

3.2 Regione di svuotamento \

Per risolvere l'equazione di Poisson (3.13) occorre conoscere la distribuzione
delle impurità. In questo para.grafo st considereranno due ca.si importanti:
la giunzione brusca e la giunzione a variazione linea.re. Nella Figura 3.5a
è disegnata una giunzione bnisca, cioè una giunzione p - n formata con
diffusione poco profonda o con impiantazione di ioni a bassa energia. La di-
stribuzione delle impurità della giunzione può essere approssimata mediante
--,
(O)
===:>
una transizione brusca. della concentrazione del drogaggio tra le regioni n e
p. Nella Figura 3.5b è invece disegnata una giunzione a variazione lineare.
Sia per una diffusione profonda che per una impiantazione di ioni ad alta
/
-f-""li,..,.,.,.,..,.,"77'..,,.,...."<-- lt , / / --ll.-f'ip'+7'~..,.,..,.,.,.,;XJ!i:-'- X
energia, il profilo delle impurità. può essere approssimato con una giunzione
/ ;.: ~~~'"'°
a gradiente lineare, cioè la distribuzione delle impurità. varia linearmente at- \}

I
traverso la giunzione. Si prenderanno ora in esame le regioni di svuotamento
di entrambi i tipi di giunzione. u, No-NA

I 3.2.1 Giunzione brusca

\{I La distribuzione della carica. di una giunzione brusca è riportata nella Fi-
~ ~a.3.6a. La regione ~ svuo~am~nto è comple~ament~ svuotata di portatori (b)
liben, pertanto l'equazione di PoISson (3.13) s1 semplifica nella forma
d21/J qNA
dz 2 = +-
Es
per -:tp 5 :t <o (3.14a)
d21/J qND
dz2 = Es
per 0 < :t 5 Zn (3.14b)

La neutralità. complessiva. della carica spaziale del semiconduttore richiede Fig. 3.5 Profili di drogaggio approssimati. (a) Gunzione brusca. (b) Giunzione a gradiente
che la carica spazia.le negativa. totale per unità di a.rea nel lato p sa. esat- r.neare.
tamente eguale alla carica. spaziale positiva. totale per unità di a.rea nel lato
n C(:c) = qND (:e - Zn)
NA:tp = ND:tn (3.15) Es

La larghezza. totale W dello strato di svuotamento è data da per O< z 5 Zn (3.17b)

W = Zp + Zn (3.16)
dove Cm è l'intensità. di campo massimo che si ha per :e = O ed è espressa
Il campo elettrico, tracciato nella Figura 3.6a, si ottiene per integrazione dalla relazione
delle (3.14a) e (3.14b); tale integrazione fornisce
Cm qND:tn =
qNA:tp = (3.18)
C(z) = dt/J = qNA(:t + zp) per - :e,, 5 :e< O (3.17a)
Es Es

d:t Es
e Integrando le (3.17a) e (3.17b) sull'intera regione di svuotamento, si ottiene
 92 CAPITOLO 3 GWNZIONE p - n 93

n
(O)

(O)

o Xn=W
X <bi
I
NA>>No I
I
I
I
-NA I
I
é I
(b) I
w (C)
X

I
I Fig. 3~6 (a) Distribuzione della carica spaziale nella regione di svuÒtamento all'equilibrio ter-
modinamico. (b) Distribuzione del campo elettrico. L'area tratteggiata corrisponde al potenziale
interno. (d)

la variazione di potenziale totale, cioè il potenziale interno vbi

·vbi··::: -1Xn
-xp
E(x)dx = -1° -xp
E(x)dxl
la.top
...,--:: rn
lo
E(x)dxl
la.ton Fig. 3. 7 (a) Giunzione brusèa asinmetrica, con NA > ND , all'equilibrio termico. (b) Di-
= qNA:t:~ + qNDx~ = !tmw {3.19)
stribuzione della carica spaziale. (e) Distribuzione del calTf)O elettrico. (d) Andamento del
·potenziale con la cJista,nza. 00,.e v6i è il potenziale interno.
2€8 , 2€8 · 2
Pertanto l'area triangolare sottesa. all'intensità. del campo elettrico, riporta.fa semplifica.
nella Figura 3.6b, corrisponde al potenziale interno.
Combinando la {3.15) e la {3.19) si ottiene la larghezza. complessiva dello (3.21)
strato di svuota.mento in funzione del potenziale interno
L'espressione dell'intensità del campo elettrico è la. stessa. della. {3.17b)
W= (3.20)
(3.22)
Quando la concentrazione delle impurità. in un lato della giunzione bru- -··

sca. è molto più elevata. di quella nell'altro lato, la giunzione si dice brosca dove N B è la. concentrazione di drogaggio del materiale meno drogato: cioè
asimmetrica (Figura 3.7a). Nella Figura 3.7b è riportata. la distribuzione ND per una. giunzione p+ - n. Il campo diminuisce sino a. zero in x = W, ·
di carica spaziale di una giunzione brusca asimmetrica p+ - n, in cui quindi
-
NA ;:)> ND. In tale caso la larghezza. dello strato di svuota.mento del lato ----~· ··'

(3.23)
p è molto inferiore a quella. del lato n: Zp <:: Zn, e l'espressione di W si
 95
I. 94 CAPITOLO 3 GWNZIONE p - n

e
qNB
t:(:z:) = - ( - W +:z:) = -t:m ( 1- -:z:) (3.24)
W
llE~ONeDI
f8 SVUOTAMENTO
L'andamento del ca.mpo è riportato nella. Figura. 3.7c.
Integrando un'altra. volta. l'equazione di Poisson si ottiene la. distribuzione P n
del potenziale -I w I-

1/J{:z:) = - le E d:z: = Em (-a: - 2~) + costante (3.25)

Assumendo come riferimento che il potenziale nella. regione neutra p sia.

nullo, 1/J{O) =
O, e usando la. (3.19)
(b)

(3.26)

L'andamento del potenziale è tracciato nella Figura 3.7d.

Problema
Si calcolino, per una giunzione brusca asimmetrica con NA = 1019 cm- 3 (C)
e ND = 1016 cm-3 , la larghezza dello strato di svuotamento e il campo
massimo in assenza di polarizzazione, alla temperatura di 300 K. Fig. 3.8 Rappresentazione schematica delle larghezze dello strato di svuotamento e dei
Soluzione diagrarrrri delle bande di energia di una giunzione p - n in diverse concfizioni di polarizzazione:
Dalle (3.12), (3.21) e (3.23) si ottiene (a) coodizione di equilibrio termodinamiCIO; (b) polarizzazione diretta e (e) polarizzazione inversa.
1019 X 1016
Vw = 0,0259 ln (l,45 x 1010) 2 = 0,874 V Il contra.rio si verifica, come si vede nella. Figura. 3.8c, se si applica una.
tensione VR positiva sul lato n rispetto al lato p: la giunzione p - n
W =· ~ = 3,37 x 10- 5
cm = 0,337 pm diventa polarizzata inversamente, e la tensione totale ai ca.pi della. giunzione
aumenta. di VR; cioè Vbi è stato sostituito con Vw + VR. Si trova pertanto che
qNaW ..
&.,,. = -. -.-
E,
= 5,4 x 10.. V/cm la polarizzazione inversa aumenta. la. larghezza dello strato di svuotamento.
Sostituendo questi valori di tensione nella. {3.21) si ottengono le larghezze
dello strato di svuotamento in funzione della tensione applicata.
La trattazione sin qui svolta. si riferisce a una giunzione p - n in equilibrio
termodinamico senza polarizzazione esterna.. Il diagramma delle bande di
energia. all'equilibrio, che si è nuova.mente riportato nella. Figura 3.Sa, mette (3.27)
W=
in evidenza che la tensione elettrostatica ai capi della. giunzione è vbi, e che la.
corrispondente differenza. di energia potenziale dalla.top alla.ton è qVbi. Se
si applica una tensione VF positiva. sul lato p rispetto al lato n, la giunzione
p - n, come si vede nella. Figura. 3.Sb, diventa.. polarizzata. diretta.mente. dove NB è la concentrazione di drogaggio del materiale meno drogato, e la
La tensione totale ai capi della. giunzione diminuisce di VF, cioè Vw è stato tensione V è positiva. in polarizzazione diretta. e negativa. in polarizzazione
sostituito con Vbi - VF. Di conseguenza la. polarizzazione diretta. riduce la inversa. Si nota che la. larghezza. W dello strato di svuota.mento va.ria. con la
larghezza. dello strato di svuotamento. radice quadrata. della. differenza di potenziale totale applicata. alla. giunzione.
 ----------- ---- -- - - - - - - - ----- ------ -

96 CAPITOLO 3 GWNZIONE p -' n 97

L'equazione di Poisson in questo caso è

d2 ,,P -dl' -p. -q w w
-
dz 2
= --
dz
= -- = -az
Es Es
--<z<-
2 - - 2
(3.28)

dove a è il gradiente della distribuzione delle impurità, di solito misurato

in cm-4, e W è la larghezza dello strato di svuotamento. Si assuma che il
numero dei porta.tori mobili nella. regione di svuotamento sia trascura.bile.
Integrando una. volta. la. (3.28) con le condizioni al contorno che il campo
elettrico sia nullo per z = ±W/2, si ottiene la distribuzione dell'intensità

t
del campo elettrico riportata nella. Figura 3.9b T ,.
(3.29)
(b}

L'intensità massima del campo si ha per z = O

qaW2
l'm = -8E8- (3.29a)

,~ ------ - Integrando un'altra volta la (3.28) si ~unge sia. alla. distribuzione del po-

-Wl2 ~.;.
---~1__,::::::.._ _oL------~1--L--x
fl
(C} tenziale della. Figura 3.9c che al corrispondente diagramma. delle bande di
energia della Figura 3.9d. Il potenziale interno e la larghezza. dello strato di
svuotamento sono da.te dalle relazioni
3
vbi = -qaW--
12Es
(3.30)

qVbl
e
(d} 12E8 Vbi)l/S
- Ec W=- ( - - (3.31)
-:--- -- -- --- ---t- - - E F . qà
Poiché i valori delle concentrazioni delle impurità alle due estremità della.
regione di svuota.mento z = ±W/2 sono identiche ed eguali a aW/2, il
potenziale interno di una. giunzione a gradiente linea.re si può esprimere in
forma simile alla (3.12)*
Fig. 3.9 Giunzione c:cn gradiente lineare in equilibrio termodinanico. (a) Distribuzione
della carica spaziale; (b) distribuzione del campo elettrico; (e) andamento del potenziale con la
cflStanza e (d) diagramma delle bande di energia. Viii = kT ln [(aW/2)(aW/2)] = 2kT ln (aW) (3.32)
q n~ q 27ii ~/

3.2.2 Giunzione a gradiente lineare

*Basandosi su sviluppi analitici più accurati si trova. per il potenziale interno l'espres-
sione
~
Vbi ~ kT In (a e.kT/q)
2
Si considera innanzitutto il caso dell'equilibrio termodinamico. La. distribu- =
· 3q 8qn~
zione delle impurità per una. giunzione a. gradiente linea.re è riportata. nella. Per un dato gradiente della. concentrazione di impurità., il potenziale v,,. risulta. inferiore
Figura. 3.9a. a. quello calcolato con _la. (3.32) di circa. 0,05 per 0,1 V.
 98 CAPITOLO 3 GIUNZIONE p - n 99

GIUNZIONE
1.2 METALLURGICA

H
LJ.-

1.0
V-
V- - OAS
p
I
n V+ dV (O)

I
I I

> I I _
........
I
14---
I
w --I
.1

I
0.8 I
:.o I
> ~ L..--'-" I

-
I
o~~~.,,..---;'--~--1"''--~~x
<bi
.--
0.6 do
v--
I 300K

0.4
1019
(C)

I
l
Fig. 3.10 Potenziale interno per giunzioni a gradiente fineare in Si e in GaAs in funzione del
gradiente delle impurità.

Risolvendo l'equazione trascendente che si ottiene quando si elimina W tra le
equazioni (3.31) e (3.32), si può determinare il potenziale interno in funzione
di a. I risultati di tale procedimento per giunzioni a gradiente linea.re in
silicio e in arseniuro di gallio sono riportati nella Figura 3.10.
Se si applica una tensione di polarizzazione diretta. o inversa a. una giun-
zione a gradiente lineare, si hanno variazioni della larghezza. dello strato
di svùotamento e del diagramma delle bande di energia. che sono simili a.
quelle, illustra.te nella. Figura. 3.8, delle giunzioni brusche. Ora. tutta.via. la
larghezza dello strato svuotato varia con la legge (Vw - V)113 , dove V è posi-
tiva. per polarizzà.zione diretta e negativa per polarizzazfone inversa, mentre
per giunzioni brusche W varia con la legge (Vbi - V) 112 •
3.3 Capacità di svuotamento
La capacità di svuotamento per unità di area è definita come C; = dQ / dV,
dove dQ è la variazione incrementale della carica per unità di a.rea dello
strato svuotato dovuta a una variazione incrementale dV della tensione
applicata.
La Figura 3.11 illustra la genesi della capacità di svuotamento di una giun-
zione p - n con una distribuzione arbitraria di impurità. Le distribuzioni di
carica e di campo elettrico disegnate con tratto continuo sono relative a una
Fig. 3.11 (a) Giunzione p - n c:on un profilo di impurità arbitrario in polarizzazione inversa.
(b) variazione nella distribuzione della carica spaziale dovuta a una variazione della tensione
appficata e (e) ccirrispondente variazione della distribuzione del ca1T1X> elettrico.
tensione V applicata sul la.to n. Se si aumenta questa tensione di una quan-
tità dV, le distribuzioni di carica e di campo si espanderanno sino alle zone
delimita.te con curve a tratti. Nella. Figura 3.llb la. carica incrementale dQ
corrisponde ali 'a.rea tratteggiata compresa tra. le due curve delle distribu-
zioni di carica sui due lati della regione di svuotamento. Le cariche spaziali
incrementali nei due la.ti n e p della regione di svuotamento sono egu~
di segno opposto, per mantenere la neutralità della. carica complessiaj L'in- ~Y
cremento di carica dQ provoca un aumento del campo elettrico, valuta.bile ·
mediante l'equazione di Poisson, di valore dE = dQ/€8 • La corrispondente
variazione della. tensione applicata dV, rappresentata
·.A
nella Figura 3.llc dà.l-
l'area tratteggiata, vale approssimativamente W dt = W d'fa· La capaqtà
di svuotamento per unità. di a.rea è da.ta quindi· da.
dQ "dQ 2
C; - dV = wdQ ::::: F/cm (3.33)
€a
Tale espressione per la capacità. di svuota.mento per unità di area è identica

--·------·· -------
 101
GIUNZIONE p - n
100 CAPITOLO 3

alla. espressione consueta. della. capacità. di un condensatore a. facce piane

parallele, dove la. distanza. tra. le due arma.ture rappresenta. la. larghezza.
della. regione di svuotamento. J
Nel deriva.re la. (3.33) si è assunto che solo la. va.ria.zione della. carica. spa-
ziale della. regione svuotata. contribuisca. al fenomeno capacitivo. In condi-
zioni di pola.rizza.zione inversa. tale ipotesi è molto buona.. In polarizzazione
diretta., invece, una. corrente assai intensa. può fluire a.ttra.verso la. giunzione,
p+
f---
. I 1-···· . , I
I
I
e quindi un grande numero di porta.tori mobili possono essere presenti entro
I I I
la. regione di svuota.mento. Al va.ria.re della. tensione di polarizzazione si ha. I i 1
dunque anche una. va.ria.zione incrementale di questi porta.tori mobili, che I
,---.
W --lI 1-dW
fornisce un termine addizionale al fenomeno capacitivo, detto capacità. di 1 lbl
I
qN(Wl
diffusione, esa.mina.to nel pa.ra.gra.fo 3.5.
Per una. giunzione brusca asimmetrica. si ottie~e dalle (3.27) e (3.33)
L-----•X

Es
C; = - = (3.34)
w
ossia.
1 2(V1n- V)
= (3.35)
CJ qEsNB
o~---.----...--: -----x
È evidente dalla. (3.35) che un grafico di 1/CJ in funzione di V produce una.
linea retta per una. giunzione brusca asimmetrica. La. pendenza. fornisce
la concentrazione NB dellé impurità. del substrato, mentre l'intercetta. in
1/CJ = O fornisce V1n. . (C)

La. ca.ra.tteristica capacità-tensione può essere usa.ta. per determina.re una.

distribuzione arbitra.ria. di impurità.. Si consideri una. giunzione p+ - n con
il profilo di impurità. nel la.to n disegnato nella. Figura. 3.12b. Come si è visto
in precedenza., la. va.ria.zione incrementale della. ca.rica. per unità. di a.rea dello -l
strato di svuota.mento dQ, corrispondente a. una. va.ria.zione incrementale dV
. e + - n con una distribuzione di impurità arbitraria. (b)Variazione
r
-- ;~~~-b~-~-;f-~-I)~:~~i~-~-ns-.:··· ap~;-
della. tensione a.pplica.ta., è da.ta. da. qN(W)dW, cioè dall'area. tra.tteggia.ta. • ( ) Gi
Fig. 3.12 unzlOll ".
a . I nel I to meno drogato dovuta a una variazione della

l-~ I
nella alStribuzione della canea spazia e a . el .
tensione applicata e (e) corrispondente variazione della a1Stribuz1one del campo ettnco.
-------- -------------------------- --,_..,5-G.~-4:-c;:::o r.n .D :_ r' · _,,.,/ , -~
Si può così misur~la. ~pa.cità. per ~tà. di a.r':3' in ~zion'e ?ella. ~en;o~e
• \Es 2Es di ola.rizza.zione inversa., e traccia.re il grafico di 1/C; m funzione · a. I

pe!denza. della. curva., cioè d(l/CJ)/dV, fornisce .N~W), e co~tempora.ne~ .

I
Introducendo la. (3.33) si sosituisce W e' si ottiene l'espressione della. con-
· h w dalla. (3 33) Un insieme di calcoli di questo tipo produce il
centrazione delle impurità. al bordo della. regione di svuota.mento ment e SI a. . . t d
profilo di impurità. completo, la. tecnica è nota. come me o o -
V per la. e
(3.37) misura. dei profili di impurità..
N(W) = q!s [ d(l/CJ)/dV].
 GIUNZIONE p - n 103
102 CAPITOLO 3

Per una giunzione a gradiente lineare si ottiene la capacità dello strato di

svuotamento dalle (3.31) e (3.33)
Vn-1.__p+_.Ll_ _"_ ____.h
C; = ;;. = [ 12(~=~ V)] i/a F/cm
2
(3.38)

Per una. giunzione di questo tipo si può tracciare (1/Cj) in funzione di V e si IPERBRUSCA m•-3/2
ottiene il gradiente della concentrazione delle impurità e Vw dalla pendenza.
e dall'intercetta.. A GRADIENTE LINEARE m• 1
In molte applicazioni circuitali si impiega. la. proprietà. della giunzione p - BRUSCA m•O
n di presentare una capacità. va.ria.bile con la tensione. Una giunzione p - n
progettata. a tale fine è detta vamctor, nome che deriva. dalla. contrazione di
"reattanza. va.ria.bile" ( varia.ble rea.actor). In base agli sviluppi precedenti si
ha che la. capacità. di svuotamento in polarizzazione inversa è espressa. da.

(3.39)
Fig. 3 •13 Profili di impurità di giunzioni: iperbrusca, brusca asirrmetrica e a gradiente lineare
ossia. · unilaterale.
per (3.39a)
Dal confronto della (3.42) con la (3.39a) si ha. n = 1/~m + 2). In una.
dove per la giunzione a. gradiente lineare è n = 1/3 e per la. giunzione giunzione brnsca., dato che n > 1/2, m deve ess~re ne~~vo:
brusca. n = 1/2. La sensibilità. alla. tensione di C (cioè la. variazione di Scegliendo diversi va.lori di m si ottiene un'ampia. va.ne~a. di curve. C;(VR)
C COÌI. VR) è quindi maggiore nella giunzione brusca che nella. giunzione adatte ad applicazioni specifiche. Un caso interessante e quello, ?portato
a gradiente linea.re~ Si può incrementare ulteriormente ·la. sensibilità. alla. .
ne11a. F igura. 3 .13, di un vara.ctor con m =
-3/2, per. tale. valore e n 2. =
tensione usando una giunzione iperbrusca che presenta. un esponente n (3.39) Se si connette questo vara.ctor con un induttore L m modo da ottenere
superiore a 1/2. un circuito risonante, la frequenza. di risonanza. va.ria. linearmente con la
Nella. Figura 3.13 sono disegna.ti tre pro:fil di drogaggio di una. giunzione tensione applicata. al vara.ctor
p+ - n con la distribuzione dei donatori ND(:t) espressa. dalla. relazione
B (:t /:to )m, dove B e z 0 sono costanti, m = 1 per una giunzione a gradiente per n=2 (3.43)
linea.re, m = O per una giunzione brusca e m = -3/2 per una. giunzione
iperbrusca. Per ottenere la. relazione ca.pa.cità.-tensione si risolve l'equazione
di Poisson
d2t/J = -B (:_)m 3.4 Caratteristica corrente-tensione
(3.40)
d3;2 ~-Q
3.4:1 Caratteristica· ideale
Integrando due volte la (3.40) con opportune condizioni al contorno si ha.
la. dipendenza. della. larghezza dello strato di svuotamento dalla. tensione di Se alla. giunzione p = n si applica una. tensione, si tur~a. il bilancia.mento
tra. le correnti di trascinamento e di diffusione di elettroru e la.cune. In P.ola.-
polarizzazione inversa.
rizza.zione diretta, come si vede nella. Figura 3.14a, riga centra.le, la tensione
(3.41)
applicata. riducè la. tensione ai ca.pi della. regione di svuotamento: la. corrente
Pertanto di trascinamento si riduce in confronto alla. corrente di diffusione. I fenomeni
(3.42) di ·diffusione delle la.cune dal lato p al lato n e degli elettroni da.l la.to n al
 104
CAPITOLO 3
GIUNZIONE p - n 105

w supporre neutro; (2) le concentrazioni dei porta.tori a. questi confini sono

~~
legate alla. differenza di potenzia.le elettrostatico a.i ca.pi della. giunzione; (3)

VF...,
Ln
/- ·1
W Lp
I,. , si è in condizioni di ba.sso livello di iniezione, cioè le densità. dei porta.tOri
p
~ n
b, ,,ç-f p
~ n rvR minoritari iniettati sono piccole a confronto delle concentra.ziòni 9ei porta.-
tori maggioritari; in altre parole, le concentrazioni deij>Ortaton~orita.ri
a.i confini delle regioni neutre risultano cambia.re in modo tra.scura.bile per
opera. della pola.rizza.zione; (4) non si hanno correnti di generazione e di ri-
combinazione nella. regione di svuota.mento e, pertanto, a.ttra.verso la. regione
di carica spazia.le le correnti di elettroni e di lacune sono costanti. Queste
assunzioni costituisconoJl ca.so idea.le; i vari scosta.menti dal comportamento
,..__ _ Ev idealizzato verranno esamina.ti nel pa.ra.gra.fo seguente.
All'equilibrio termodinamico la concentrazione dei porta.tori di maggio-
101e Ppo
ranza. è 8ostanzia.lmente eguale alla. concentrazione del drogaggio. Si use-
Ppo
ranno i pedici n e p per indica.re il tipo di semiconduttore, il pedice O per
specifica.re la. condizione di equilibrio termodinamico: quindi nno é npo sono
le concentrazioni degli elettroni all'equilibrio, rispettiva.mente nei la.ti n e
p, mentre Pno e Ppo sono le concentrazioni delle lacune all'equilibrio nelle
regioni ne p. L'espressione della. tensione interna (3.12) può essere riscritta.
nella forma
V1n = kT In Pponno = kT In nno (3.44)
q n~ q npo
(O) (b) dove si è fatto uso della. legge dell'azione di massa. pponpo = n~. Modifi-
cando la. (3.44) si ha.
!!~· 1(~) ~tc:ne ~ svuotamento, cli~~ del~e bande cli energia e distribuzione dei
· anzzazlOlle diretta. (b) Polarizzazione inversa.
e analogamente
~top v~~~ono ~alta.ti; si ha. pertanto un'iniezione di porta.tori minoritari· (3.46)
ettroru iruettat1 nel la.to p e lacune nel la.to n In l . . . .
t · li · po a.nzza.z1one inversa. la.
ens1one app cata, come si vede nella. Figura 3 14b . ra.l Dalle (3.45) e (3.46) si nota. che le concentra.zionj degli elettroni e delle la.-
la. ~uta..di.pot~nzia.le sulla regione di svuot~en;o~g~u:! ~d=:: cune ai c~nfini della. regione di svuota.mento sono lega.te alla. differenza di
drastica diminuzione delle correnti di di1fusic;>ne, si ha. quindi co':ne risultato potenzia.le elettrostatico V1n all'equilibrio termodinamico. In base alla. se-
una. corrente m~e~a. assa.i piccola.. In questo pa.ra.gra.fo si studia. innanzi- n--conda delle assunzioni fatj;e ci si attende che una. identica. relazione continui
tutto la cai:attenst1ca corrente-tensione idea.le; in seguito sono esamina.ti gli a. valere quando la. differenza. di potenzia.le cambia. per opera della. tensione
scosta.menti da.l comporta.mento idea.le dovuti a.i rocessi di . applicata..
di ricombinazione e a.d altri effetti. - P generazione e Quando si applica. una. pola.rizza.zione diretta., la differenza. di potenzia.le
sulla. giunzione si riduce a V1n - VF, ma. quando si applica. una polarizzazione
,.·.·-r Si ~cava. or~ l~ caratteristica. corrente-tensione idea.le ba.Sa.ndosi sulle se-
inversa. la. differenza. di potenziale aumenta. sino a. V1n+ VR. Pertanto la (3.45)
guenti assunz1oru: (1) lo stato di svuotamento è brusco . ' 1 •
svuotata. ha. confini molto netti a.l di là d . ali il . ' ooe a. re~one si modifica. nella.
ei qu semiconduttore s1 può (3.47)
 GIUNZIONE p - n 107
106 CAPITOLO 3

dove nn e np sono le concentrazioni degli elettroni a.i confini della regione

svuotata nelle regioni n e p rispettivamente, fuori dell'equilibrio. Inoltre, Ln w Lp

•
Ln W LP.
la. tensione V è positiva. per polarizzazione diretta e negativa. in polarizza- Mti 1• ·1 • I I
zione inversa. In condizioni di basso livello di iniezione la concentrazione
dei portatori minoritari in eccesso è molto inferiore alla. concentrazione dei
P,/· ·.f4,. n
..-1
p n
~-
portatori maggioritari, e pertanto nn ~ nno· Sostituendo questa. condizione I
n,p I PnlXnl n,p I
e la. (3.45) nella. {3.47) si determina. la. densità degli elettroni a.I confine della I
I
I
regione di svuota.mento da.I lato p, in z = -zp I
I
I
I Pno
{3.48) 1-------
I
np -i · Pno
ossia. ILp I
I
-- I I
(3.48a) npo Ln t-1
X
o
Analogamente si ha. in z = Zn, a.I confine con il lato n
IJI
J I I I
Pn = PnoeqV/kT (3.49) J=Jn+Jp : I I
I
ossia. ........ I I
I
·I I
I
Pn - Pno = Pno( eqV/kT - 1) (3.49a) li I
I
.
I
I
I
Nella. Figura 3.14a sono disegna.ti i dia.grammi delle bande di energia. e le I
I \;!P
"i-·-·1
concentrazioni dei porta.tori per una giunzione p - n polarizzata. diret- I :·
tamente, e nella Figura 3.14b per una giunzione polarizzata. inversamente. , \, Jnl
I
........ o X
Si nota che le concentrazioni dei porta.tori minoritari a.i bordi della. regione i o X

svuotata. (-zp e zn) hanno subìto in polarizzazione diretta un notevole au-

mento rispetto a.i va.lori all'equilibrio, mentre a.I contra.rio sono diminuiti a.I (bi
(O)
di sotto di questi in polarizzazione inversa.. Le (3.48) e {3.49) definiscono
le concentrazioni dei porta.tori minoritari a.i bordi della. regione di svuo- 1
. Fig. 3.15 Distribuzione dei portatori rrinoritari in eccesso e correnti di elettroni e di lacune .
tamento: esse costituiscono le condizioni al contorno più importanti per
· (a) Polarizzazione diretta. (b) Polarizzazione inversa.
definire la. caratteristica. di corrente-tensione idea.le.
Secondo le assunzioni fatte per questo caso non si ha generazione di cor- dove Lp,. che è eguale a JIJ;F;,, è la lunghezza. di diffusione delle la.cune,
rente entro lo strato di svuotamento: ogni corrente deriva dalle regioni cioè dei portatori di minoranza, nella regione n. Per z = Zn
neutre. Nella regione neutra n, non essendoci campo elettrico, l'equazione
- -Oi-~ntirmità. ~-simluce-a- - ./pfzir) = -.q.D~~p~ 1. ::;: qD;J(noJ.eqV/kT_ -1) (:3J>~ _
dz 1:c,. p·

d2Pn rn
..._ -pno = O
dz2 - -D-p-Tp- (3.50) In modo analogo si ha per la regione neutra P
_ ( qV/kT _ I)e(:c+:cp)/L,. (3.53)
n,. - npo - npo e
La soluzione della (3.50) con le condizioni a.I contorno (3.49) e Pn(z - oo) =
Pno fornisce la. relazione e
(3.54)
Pn - Pno = Pno(eqV/kT - I)e-(:c-:c,.)/Lp (3.51)
I

-----------------------~-- - - -
 108 CAPITOLO 3 109
GIUNZIONE p - n

con lunghezza di diffusione Lp, e la corrente di diffusione degli elettroni

decade esponenzialmente nella. regione p con lunghezza di diffusione Ln.
In tutto il dispositivo la còrrente tota.le, che è la somma della (3.52) e
della. (3.54), è costante

DIRETTA (3.55)
(O)
(3.55a)

----...------- - - - - _, dove J11 è la. densità di corrente di saturaziòne. La (3.55) è l'equazione ideale
INVERSA del diodcl. La caratteristica corrente-tensione idea.le è disegnata nella Fi-
gura 3.16a in scale cartesiane lineari, nella. Figura 3.166 in scale sel'niloga-
...
10 - ritmiche. Nella. direzione diretta, con polarizzazione positiva. sul lato p, per
tensioni V 2:: 3kT/ q il tasso di incremento della. corrente; come si vede
nella Figura 3.166, è costante. A 300 K per ogni decade di variazione della
corrente, la tensione varia di 60 mV (pari a 2,3kT/q) in un diodo idea.le. In
direzione inversa la densità di corrente satu,ra al valore -J8 •
DIRETTA E1.vA1::_1.!)r-J 1~ t>} S!-~i::·( ;,...-:. /'~-: ; (, ,• ·"'" h,, .::_"\'"1 - .-, ,'·

lbl
5 to
qlVl/kT
Fig. 3.16 Caratteristica ideale carente-tensione: (a) scala lineare; (b) scala semilogaritmica.
dove Ln, che ~eguale a../DnTn, è la lunghezza di diffusione degli elettroni.
~--~<>!!~ntI'!l-Z!J>Di dei _~ortatQrLminorila.ri,_ espresse_nelle--(3.Slt ~-53},- _
so~o riportat~ nella zona di mezzo della Figura 3.15. I grafici mettono i~
evidenza che i portatori minoritari iniettati, man mano che si allontana.no
da.i bordi della regione svuotata, si ricombina.no con i porta.tori di maggio-
~a.nz~. Le corre~ti degli elettroni e delle la.cune sono illustrate nella. parte
mfenore della Figura 3.15: le intensità di tali correnti a.i confini con la. re-
gione svu~ta~a ~no espresse rispettivamente dalla (3.52) e dalla (3.54). La
corrente di diffusione delle lacune decade esponenzialmente nella. regione n
s,- ,, ff'""' · J:s -- q _ .~~~ -f 7 --~ '\rz;:· -
3.4.2 Effetti di genérazione-ricombinàzione
e alti livelli di iniezione*
L'equazione del diodo idea.le (3.55) descrive in modo adeguato la caratteri-
stica corrente-tensione di giunzioni p - n al germanio con correnti di bassa
densità.. Al contrario, per giunzioni p - n al silicio o all'arseniuro di gal-
lio, l'equazione idea.le può fornire solo un accordo qualitativo a causa della
generazione e ricombinazione dei portatori nella regione di svuotamento.
Nella condizione di polarizzazione inversa, le concentrazioni dei portatori
nella regione svuotata sono molto più basse delle corrispondenti concentra-
zioni all'equilibrio. Trai processi di generazione-ricombinazione, discussi nel
·__ <:él,PH<>l<>_i_CJ.!!elli che dominano in questa situazione sono quelli dell'emis-
sione di elettro~-;-cll f~~~--medi&;te-·ceD.tri--df gener&Zioli~i-fCOmbinazioiie- -----------
nella banda proibita. I processi di cattura non sono importanti dato che
le loro velocità. sono proporzionali alle concentrazioni dei portatori liberi,
molto piccole nella regione di svuotamento di una giunzione polarizzata
inversamente.
I due processi di emissione operano a regime con alternanza di emissioni
di elettroni e di lacune: la velocità di generazione di coppie elettrone-lacuna
 110 CAPITOLO 3
GIUNZIONE p - n 111
.A
si ottiene dalla (2.63) con la condizione Pn < ni e nn < n;
Nella polarizzazione diretta. le concentrazioni degli elettroni e delle lacune
sono superiori ai loro valori all'equilibrio. I porta.tori cerclieranno di ritor-

G = -U = [a.exp(E,;;:)"::~:..(E;;E,)] n;
nare ai loro valori di equilibrio mediante il processo della. ricombinazione;
pertanto i processi di generazione-ricombinazione dominanti nella. regione
di svuota.mento sono i processi di cattura.. Dalla. (3.49) si ottiene
ni
- (3.56) (3.60)

dove r 9 , ~tempo di vita della generazione, è il reciproco dell'espressione tra

Sostituendo la (3.60) nella (2.66}del capitolo 2 e assumendo Un = Up = Uo ~
si ha
parentesi quadre. Dalla (3.56) si può arrivare a una importante conclusione
a pro~~s~t? della. gen~ra.zione di elettroni e di lacune. Si considera per U= (3.61)
semplicita il caso m cui Un = Up = u 0 , in tal caso la. (3.56) si riduce a

G = UoVthNtni
La velocità di ricombinazione presenta un massimo più largo di quello della.
(3:57)). velocità di generazione (cfr. ca.p. 2 Figura 2.15); in ogni ca.so, comunque, i
2 cosh [ Etk; Ei] centri più efficaci sono quelli con livelli localizza.ti vicino a Ei. Per fornire un
esempio di interesse pratico, nel silicio risultano essere centri di generazione-
La velocità di generazione raggiunge un massimo per Ei = Et, e scende ricombinazione molto efficaci l'oro e il ra.me, per i quali la. differenza. Et-Ei
poi esponenzialmente quando Et si a.llontana. in entrambe le direzioni dal vale 0,02 eV per l'oro e -0,02 eV per il ra.me. Nell'arseniuro di gallio è
c~~tro d~a band~ proib~t~. Pertanto, solo i centri clie hanno un livello Et il cromo clie fornisce un centro di ricombinazione efficace con un valore di
vicino al livello di Fermi mtrinseco danno un contributo significativo alla. Et - E; di 0,08 eV.
velocità di generazione. Nel caso Et = Ei la. (3.61) risulta. semplificata
La. densità della corrente prodotta dal fenomeno della generazione nella
regione di svuotamento è n~(éqV/kT - 1)
U = uo-VthNt '
nn+Pn
+
2ni
(3.62)

(3.58) Per una data polarizza.iione, la. velocità U raggiunge il suo valore massimo
nella sezione della regione di svuotamento dove il denominatore nn + Pn +
dove W è la larghezza. dello strato di svuota.mento. La corrente inversa. com- 2n; è minimo, cioè dove la. somma delle concentrazioni degli elettroni e delle
~less~va di un~ giunzione p+ - n, cioè con NA ::> ND e per VR > 3kT/q, lacune nn + Pn è minima.. Da.to clie il prodotto di queste due concentrazioni
SI puo approssimare con la somma. della corrente di diffusione all'inizio nelle
. è, in base alla. (3.60), una. costante, la. condizione d(pn + nn) = O porta.
. alla. condizione

~··
regioni neutre e della corrente di generazione nella regione di svuota.mento
(3.63)

(3.59)
I
Per i sem_iconduttori con valori elevati di ni, quali il germanio, a. tempera.-
t:rra. ~b1e~te la corren~e di diffusione domina., e la corrente inversa. segue
1equazione ideale del diodo; se però il valore di n; è piccolo come nel si-
licio e nell'arseniuro di gallio, la. corrente di generazione nella. regione di
svuota.mento può essere dominante.
(3.64)
come condizione per il minimo cercato. Tale condizione si attua nella punto
della regione di svuota.mento in cui Ei è esatta.mente a. metà tra EFp e EFn,
come illustrato nella. parte centrale della Figura. 3.14a. In tale punto le
concentrazioni dei porta.tori sono
(3.65)
 112 CAPITOLO 3 GIUNZIONE p - n 113

e pertanto
n~(e'JV/kT -1)
umaX = Uo'Vth.Nt 2n;(eqV/2kT + 1) (3.66)

Per tensioni V ~ 3kT/q

Umax ~ 4UoVt1i.Ntn;eqV/2kT (3.67)

La densità. della corrente di ricombinazione vale allora

Jrec =
1
0
w- qU d:t -~ -qW Uo'Vth N tn;eqV/2kT -- qWn; eqV/2kT
2 2Tr
(3.68)

dove Tr è il tempo (efficace) di vita di ricombinazione espresso dalla. rela-

zione l/uovt1i.Nt. La densità. della. corrente diretta complessiva. può essere
approssimata con la somma delle (3.55) e (3.68) e, per Pno > npo e con
i tensioni V ~ 3kT/ q, si ha.
~D.o$V 4_

I JF = q
yfp; n~ eqV/kT + qWn; éV/2kT
:r; ND 2Tr

In generale i risultati sperimentali possono essere rappresentati empirica-

( 3•69)

mente con la. relazione

(3.70)
dove il fattore 1J è detto fattore di idealità. Quando predomina la corrente
di diffusione del modello idealizzato, 1/ è uguale a 1; quando invece prevale
la corrente di ricombinazione, 1/ è uguale a 2; nei casi in cui i due tipi di
-- -~--~ corrente sono confrontabili 1/ assume valori compresi tra 1 e 2. ('?)
Nella Figura 3.17 sono disegnate le caratteristiche dirette di giunzioni
p - n di silicio e di arseniuro di gallio misurate alla temperatura ambiente. 2
Per bassi livelli di corrente domina la corrente di ricombinazione e 1/ = 2,
Fig. 3.17 Confronto delle caratteristiche <XXTente-tensione in funzionamento diretto di cfiodi
al Si e al GaAs2 a 300 K Le linee tratteggiate le pendenze dei diversi fattori di idealità 'I·
al silicio con R =1, 5 n, la caduta resistiva per J =
1 mA è pari a soli
1,5 mV, ma con 100 mA diventa 0,15 V, che è sei volte maggiore di kT/q.
· La caduta resistiva riduce la. tensione che si localizza a.i capi della. regione
di svuotamento e, pertanto, l'espressione della corrente diventa

~
per livelli di corrente più eleva.ti prevale la corrente di diffusione e '7 tende ,..., [q(V - JR)] _ I.exp(qV/kT) (3.71)
~o~~
J - J.exp - kT - - [q(JR)]
----:-----'---------- al di interurità di corrente ancora più alti si nota che l'andamento exp k7'
• della corrente si scosta dalla situazione ideale 1/ = 1 e cresce con la tensione
• _· diretta con maggiore gradualità.. Questo fenomeno è associato a due effetti: cioè la corrente di diffusione ideale risulta. ridotta di un fattore che è pari a.
la resistenza serie e l'alto livello di iniezione; verrà. trattato per primo l'effetto exp(q(JR)/kT).
della resistenza serie. Per correnti di bassa o media intensità. la caduta _ A densità. di corrente elevate, la concentrazione dei porta.tori minori-
di tensione resistiva nelle regioni neutre è normalmente piccola rispetto a tari è confrontabile con la. concentrazione dei porta.tori maggioritari, cioè,
kT/q, che a 300 K vale 26 mV; tale caduta vale JR, dove J è l'intensità. nel lato n della giunzione, si ha. la condizione di alto livello di iniezione:
della. corrente diretta. e R è la. resistenza. serie. Per esempio, per un diodo Pn(:t = :tn) ~ nn. Sostituendo tale condizione nella (3.60) si ottiene:
 114 CAPITOLO 3 115
GIUNZIONE p - n

diffusione. Per una data tensione diretta, all'aumentare della temperatura,

10-4 10-4
la corrente di diffusione aumenta più rapidamente della corrente di ricom-
225°C
175 binazione. Pertanto, al crescere della temperatura•.J~uazione ideale del
10-6
125 10-6 diodo verrà seguita su un intervallo sempre più a.J!lpio ~E11El.!.?ne dell~
75
25 tensione diretta. .
- La dipendenza dalla temperatura della densità di corrente di saturazione
~ 10-8 .i 10-8 inversa, J8 (3.55a ), per un~ giunzione p+ - n in cui predomina la corrente
,.!t ,.!'
di diffusione, è espressa dalla

(3.73)
Si Si
10-12 10-12 ....._..__.....___._...___, Cioè, l'energia di attivazione* ottenuta dalla pendenza del grafico di Js in
o 0.2 0.4 o.6 o.e 1.0 10-3 10-2 10-1 100 101 10 2 funzione di 1/T corrisponde all'ampiezza della banda proibita E9 •
VF(V) V11(V) In una giunzione p+ - n in polarizzazione inversa, il rapporto tra le
(O) (b) correnti di diffusione e di generazione è

Fig. 3.18 Dipendenza dalla temperatura delle caratteristiche corrente-tensione di un diodo al !diffusione - niLp Tg ~ .e..
(3.74)
silicio. 2 (a) Polarizzazione diretta e {b) polarizzazione inversa. I generazione - ND W Tp

Il rapporto è proporzionale alla concentrazione dei portatori intrinseci ni.

Pn(x = xn) ~ ni exp(qV/2kT). Usando questa condizione al contorno la
corrente diventa approssimativamente proporzionale a exp(qV/2kT), cioè,
in condizioni di alto livello di iniezione, aumenta più lentamente.
) la corrente di diffusioné.e la corrente inversa varia con v'VR m accordo con
3.4.3 Effetto della temperatura
La· temperatura di lavoro ha un profondo effetto sulle prestazioni del di-
spositivo. Sia in polarizzazione diretta che in polarizzazione inversa l'entità
del fenomeno della diffusione e delle correnti di generazione-ricombinazione
dipendono fortemente dalla temperatura.. Si esaminerà per primo il caso
I della polarizzazione diretta. Il rapporto tra la corrente di diffusione e la
All'aumentare della temperatura la corrente di diffusione diviene prima o
poi dominante. La Figura 3.186 illustra gli effetti della temperatura sulla
caratteristica inversa clJi un diodo al silicio. A b.assa te:rpper.atura, domina
la (3.58) per una giunzione brusca, nella quale W ~ v'V.R. Quando la
temperatura cresce oltre 175°C, la corrente mostra una tendenza a saturare
per tensioni VR ;::: 3kT/q, valore per cui la corrente di diffusione diventa
dominante.
3.5 Immagazzinamento di carica

i
, corrente di ricombinazione per le lacune è dato dalla
-----:~
. Jri::m::,-:.e- = 2-:;;~ ~~Je1"--,v· expt ~;~y·-· -(3.72}
I
Il rapporto dipende sia dalla temperatura che dall'ampiezza della banda
proibita. La Figura 3.18a illustra la variazione con la temperatura della
caratteristica diretta di un diodo al silicio. A temperatura ambiente per
piccole tensioni dirette predomina generalmente la corrente di ricombina-
zione, mentre per tensioni dirette più eleva.te prevale di solito la corrente di
(t)
e comportamento in transitorio
- In-:POianiiazione a:rrettagli eietfrolii sono iruettau-aa.na regìonen nena-re-
gione p, e le lacune dalla regione p nella regione n. Attraversata la giunzione,
i portatori minoritari in eccesso si ricombinano con i portatori maggioritari
e decadono esponenzialmente con la distanza nel modo descritto dalla Fi-
gura 3.15a. La distribuzione dei portatori minoritari produce un flusso
•Svaria.ti fenomeni chimici o fisici presenta.no dipendenze dalla. tempera.tura del tipo
exp(±E/kT). Il para.metro E, che ha. le dimensioni di un'energia., è spesso indicato con il
nome generico di energia di attivazione [ndT].
 116 CAPITOLO 3 V GIUNZIONE p - n 117

di corrente e un fenomeno di immagazzinamento di carica nella giunzione deriva dal modello idea.le del diodo in cui i portatori minoritari si muovono
p - n. Si considerano ora. la carica immagazzinata, i suoi effetti sulla. attraverso le regioni neutre per diffusione.
capacità. della giunzione e iÌ comportamento in transitorio della giunzione La capacità. di diffusione delle lacune immagazzinate nella regione neutra
p - n per una brusca variazione della tensione di polarizzazione. n si ottiene applicando alla (3.75) la definizione Cd= AdQp/dV*

3.5.1 Immagazzinamento di portatori minoritari ed -_ Aq2 LpPno qV/kT

kT e (3.77)
La carica per unità. di area dei portatori minoritari iniettati che sono imma-
dove A è l'area della sezione trasversa.le del dispositivo. Si può aggiungere
gazzinati nella regione neutra n si determina, usando la (3.51), Integrando
a Cd il contributo degli elettroni immagazzinati nella regione neutra p nel
l'espressione delle lacune in eccesso nella regione neutra, evidenziate dall'a-
caso in cui il loro immagazzinamento sia significativo. Comunque, per una
rea tratteggiata nella Figura 3.15a
giunzione p+ - n, è npo <: Pno e il contributo a Cd degli elettroni

Qp = q1 00

z,.
(pn - Pno)dz
diventa trascurabile. Nella condizione di polarizzazione inversa, con tensioni
V negative, la (3. 77) mette in evidenza che il contributo di Cd è irrilevante,
dato che l'immagazzinamento di cariche è trascurabile.
= qloo Pno(eqV/kT - l)e-(z-z,.)/L,.dz
i z,. In molte applicazioni si preferisce rappresentare una giunzione p - n per
mezzo di un circuito equivalente: oltre alla capacità. di diffusione cd e alla

l = qLpPno(eqV/kT - 1) (3.75)

Un'espressione analoga si ottiene per gli elettroni immagazzinati nella re-

gione neutra p. Il numero dei portatori minoritari immagazzinato dipende
capacità. di svuotamento C;, che si ottiene moltiplicando la (3.33) per l'area
A della sezione trasversale del dispositivo, si deve includere la conduttanza
che si può determinare dalla (3.55)
sia dalla lunghezza di diffusione che dalla densità. di carica ai bordi della re-
gione di svuotamento. Si può esprimere la carica immagazzinata in funzione G = ~t' = :; J 6 eqV/kT = : ; (J + Js) ~ :~ (3.78)
della corrent.e di iniezione, infatti dalle (3.52) e (3.75) si ha
Il circuito equivalente del diodo è rappresentato nella Figura 3.19, dove si
L2 0~) è indicato con C; la capacità. di svuotamento complessiva (cioè il valore
Qp = DP Jp(Zn) = TpJp(zn) ' (3.76) ~res.so.dalla (3.33~ moltip~cato per :1)·
S~ si applicano g~ne~~to~ .sinu- L.
p
SO!dali di bassa tensione al diodo polarizzato m un punto a nposo c10e con "'~:· l
La (3.76) stabilisce che la carica immagazzinata è il prodotto della corrente tensione continua), il circuito equivalente della Figura 3.19 si rivela adegua- .
per il tempo di vita dei portatori minoritari; ciò è dovuto al fatto che, se il tamente accurato: ad esso si dà. il nome di circuito equivalente per piccoli
loro tempo di vita è più lungo, le lacune iniettate diffondono più profonda- ·segnan del diodo.
mente nella regione n prima di ricombinarsi, e quindi il numero delle lacune VEt:-• pi(:.-;::'>, (.O\\foR"r.À\\~!'1\0 \N ';~t;:Q\i<:NtA- /

I .·• immagazzinate è maggiore. 3.5.3 Comportamento durante un transitorio y·

r
I
3.5.2 Capacità di diffusione
La capacità. dello strato di svuotamento, considerata nei paragrafi prece-
denti, tiene conto della maggior parte del fenomeno capacitivo della giun-
zione quando è in polarizzazione inversa. Quando la giunzione è polarizzata
:, j direttamente, si aggiunge alla capacità. della giunzione un contributo signi-
ficativo dovuto al. fatto che le cariche immagazzinate nelle regioni neutre
mutano la loro distribuzione. Si tratta della capacità di diffusione Cd, che
P-1!r...applica.zioni in circuiti di commutazione, Ja transizione da una_p_olatlz.za.~-_ _ __
zione diretta a una inversa. deve essere quasi brusca, e il tempo di transizione
breve. Nella Figura 3.20a è disegnato un semplice circuito in cui si ha una
corrente diretta. lF che scorre attraverso una. giunzione p - n. All'istante
t = O l'interruttore Sviene improvvisa.mente girato verso destra, e nel cir-
cuito scorre inizialmente una corrente inversa alla precedente: lR ~ V/ R.
"Con una. va.lutazione più accura.ta.8 si giunge a. una ca.pa.cità di valore che equivale alla
llletà di quello indicato dalla. (3.77) .
 118 CAPITOLO 3 GIUNZIONE p - n 119

YT•
r·
Fig. 3.19 Circuito equivalente per piccoli segnali di giunzione p - n.

(O) (b)

10- 4 ..._.'--''-'-Ll--L--'--'-LL..-'--'-L..L.L--'---'--'-'-'--''--'~
Fig. 3.20 Comportamento in transitorio di una giunzione p - n. (a) Circuito schematico 10-3 10-2 10-1 100 101 102

per la commutazione. (b) Transitorio di corrente in risposta a una polarizzazione che commuta
da dir.etta a inversa.
Si definisce tempo di transizione t 0 ff, indicato nella. Figura. 3.20b, il tempo ri-
chiesto dalla. corrente per raggiungere il 10% del valore inizia.le della. corrente
inversa. lR.
Per una. stima. del tempo di transizione si ragiona. nel modo seguente. Nella
condizionè di pola.rizza.zione diretta., la carica immagazzinata dei porta.tori
minoritari nella regione n di una giunzione p+ - n è data. dalla. (3.76)
.livelli energetici posti vicino al centro della banda. proibita, come l'oro nel
(3.79)
IF/IR
Fig. 3.21 Tempo di transizione normalizzato in funzione del rapporto tra la corrente diretta
e la corrente inversa. 3
problema che la diffusione dei porta.tori minoritari è dipendente dal tempo,
è riportato nella Figura 3.21. Per ottenere dispositivi con commutazione
veloce si deve ridurre il tempo di vita dei portatori minoritari. A tale scopo
usualmente si introducono centri di ricombinazione-generazione che abbia.no
silicio.

dove lF è la. corrente diretta. complessiva. e A è l'area della. sezione trasversale

del dispositivo. Se si indica con IR,medio l'intensità. media. della corrente che 3.6 Fenomeno della rottura della giunzione
·-- :finisce durante il periodo di chiusura del diodo, e se il tempo di chiusura. è
l'interva.llo di temponeoossano per rimuovere-fa ca.tlca totale immagazzfuata · -(tuanao si appllca_a_1ma-gi1mzìone ·1,- ·~ n una. -iensic:me-ìnversa-suffu:ìen~­
Qp, si ha temente alta.; la giunzione subisce un fenomeno di rottura. (breakdown)' e
conduce una corrente di notevole intensità.. Mentre il processo di rottura,
toff ~ JR~~o = Tp (JR,~) (3.80) a. dispetto del suo nome, non è un fenomeno intrinsecamente distruttivo e
irreversibile, occorre limita.re, con un opportuno circuito esterno, il valore
~, .)
Il tempo di chiusura dipende pertanto dal rapporto tra. le intensità. di cor- della corrente per evitare un riscalda.mento eccessivo della giunzione. Due
rente diretta e inversa e dal tempo di vita. dei portatori minoritari. Il risul- sono i meccanismi di rottura importanti: l'effetto tunnel e la. moltiplica-
tato di una. va.lutazione più precisa. del tempo di chiusura.,3 tenendo conto.del zione a valanga.. Si considererà. ora in breve il primo meccanismo; in seguito

- - - - ------------ ~----- --
 120 CAPITOLO 3 GIUNZIONE p -
Fig. 3.22 Diagramma delle bande di energia in condizione di rottura della giunzione. (a)
Effetto tunnel. (b) Moltiplicazione a valanga.
si esaminerà. invece nel dettaglio la moltiplicazione a v-ctlanga, dato che è
il fenomeno della rottura per valanga a imporre il limite superiore della
polarizzazione inversa per la maggior parte dei diodi. La rottura per va-
langa costituisce un limite anche per le tensioni di collettore dei transistori
bipolari (cap. 4) e dei MOSFET (cap. 5). Inoltre il meccanismo della mol-
tiplicazione consente di genera.re potenza a microonde, come in un diodo
IMPATT (cap. 6), e di rivelare segnali ottici, come in un fotorivelatore a
valanga ( cap. 7).
~/
3.6.1 Effetto tunnel
Quando si applica una tensione elevata a una giunzione p - n in polariz-
zazione inversa, un elettrone di valenza può compiere una transizione dalla
banda di valenza alla banda di conduzione nel modo rappresentato nella Fi-
gura 3.22a. Tale processo, per cui un elettrone penetra attraverso la banda
di energia proibita, è detto effetto tunnel.
Il processo del tunnel, che viene considerato nel paragrafo 6.1, si verifica
+ solo se l'intensità. del campo elettrico è molto grande: valori di intensità di
campo t1p10 per il sdioo e per l'arseruuroru gallio sono <IrTcFV]Cmo anClie-
superiori. Per ottenere campi cosìintensi le concentrazioni del drogaggio
I
sia del lato p che del lato n devono essere molto grandi, cioè superiori
1/.. a 5 1017 cm-3 • Il meccanismo della rottura di giunzioni in silicio o ind
'• arseniuro di gallio con tensioni di rottura minori di circa 4E9 /q, dove E9 è L
,., l'ampiezza della banda proibita.; è legato all'effetto tunnel. Nelle giunzioni ·
in cui la tensione di rottura supera 6E9 /q, il meccanismo di rottura è la
mòltiplicazione a valanga. Per tensioni comprese tra 4E9 /q e 6E9 /q, il
n 121
fenomeno di rottura è una mescolanza dei due meccanismi di tunnel e di
moltiplicazione a valanga:'
3.6.2 Moltiplicazione a valanga
Il processo di moltiplicazione a valanga è illustrato nella Figura 3.226. La
giunzione p - n con drogaggi di concentrazione moderata.; quale per esem-
pio una giunzione brusca asimmetrica p+ - n con una concentrazione
di drogaggio di ND ~ 1017 cm-3 o anche inferiore, è polarizzata inver-
samente. Un elettrone generato termicamente (indicato con 1) acquisisce
energia cinetica dal campo elettrico. Se il campo è abbastanza intenso,
l'elettrone può acquisire energia sufficiente da rompere, nell'urto con un
· . atomo, i legami del reticolo, generando la coppia elettrone-lacuna.; 2 e 'l!. Il
fenomeno è detto ionizzazione per urto. L'elettrone e la lacuna così generati
acquisiscono entrambi dal campo elettrico energia cinetica e generano ulte-
. riori coppie elettrone-lacuna, 3 e 3', che a loro volta continuano il processo,
creando altre coppie eléttrone-lacuna. Il processo prende quindi il nome di
moltiplicazione a valanga.
Per ·determina.re la condizione di rottura, si assume che sul lato sinistro
della regione di svuotamento, di larghezza W, sì introduca una corrente Ino,
come è illustrato nella Figura 3.23. Se il campo elettrico nella regione svuo-
. tata è sufficiente per innescare il processo di moltiplicazione a valanga, la
corrente degli elettroni In incrementerà. con la distanza attraverso la regione
di svuotamento sino a raggiungere il valore Mnino in x = W, dove Mn è
il fattore di moltiplicazione, definito come
M. = In(W)
(3.81)
n - Ino
Analogamente la corrente delle lacune aumenta da x = W sino a x = Q.
A regime la corrente complessiva, I = In + lp, è costante. L'incremento
della corrente di elettroni in x è eguale al numero di coppie elettrone-la.curia
generate nell'unità. di tempo lungo Ja distanza dx
(3.82)
. ossia
(3.82a)
dove an e ap sono, rispettivamente, le velocità di ionizzazione degli elettroni
e delle lacune. Se per semplicità si assume On = Op = o, la soluzione
 122 CAPITOLO 3 GIUNZIONE p - n 123

GIUNZIONE BRUSCA ASIMMETRICA A 300K

---- GciAs
--si

Fig. 3.23 Regione di svuotamento in una giunzione p n con moltiplicazione di una

corrente incidente.
Nelcm- 31
della (3.82a) è
In(W) - In(O) Fig. 3.24 Intensità del campo elettrico critico alla rottura in funzione del drogaggio di fondo
i fi,
I
(3.83) per giunzioni brusche asimmetriche in Si e in GaAs. 5

I Dalle (3.81) e (3.83) si ha

1- ~n = kw adz (3.83a)
· per giuzioni brusche asimmetriche e /-' ·

VB = 2EcW f4C:3 12
( 3.25 ~

12
(2Es) ' (arl/2 (3.86)
3 q
per definizione, la rottura per valanga si verifica quando Mn tende a infinito:
la condizione per la rottura è allora data dalla relazione per giunzioni a gradiente lineare, dove NB è il drogaggio di fondo dellato
.meno drogato, Es è la permittività del semiconduttore e a è il gradiente delle
kw adz = 1 (3.84)
impurità. Dato che il campo elettrico critico è una funzione lentamente va-
riabile sia di NB che di a la tensione di rottura varia, in un 'approssimazione
Tenendo presente la condizione di rottura descritta sopra e la dipendenza di primo ordine, come
à gradiente linea.re.
Ni 1
per giunzioni brusche e come a- 1/ 2 per giunzioni
dal campo delle velocità di ionizzazione, si possono calcola.re i va.lori del ·
campo elettrico critico in cui si instaura il processo di valanga. Usando per Nella Figura 3.25 sono riportate le tensioni di rottura calcolate per giun-
an e per ap va.lori misurati (fig. 2.27) si ottengono i va.lori di campo critico
.~oni al silicio e all'arseniuro di gal:lio;5 la linea a tratto e punto sulla destra
Ec, per giunzioni brusche asimmetriche in silicio e in arseniuro di gallio, della figura in corrispondenza ad alti drogaggi o ad alti gradienti di ~n;'-Puri~

~
riportati nella Figura. 3.24 in funzione della concentrazione delle impurità delimita la zona. di va.lori per cui insorge l'effetto tunnel. Assegnati 1 va.lon
nel substrato. 5 Nella figura viene anche riportato il campo critico per effetto di NB o di a, l'àrseniuro di gallio presenta. tensioni di rottura più elevate del
cec silicio soprattutto a causa della banda proibita-più estesa; infatti più estesa
tunnel: è evidente come tale effetto si verifichi solo con drogaggi molto
intensi. ·è la h:mda proibita, più intenso sarà il campo critico necessario affinché il
I
Determinato il campo critico, si possono calcola.re le tensioni di rottura; :portatore tra due collisìoni raggiunga energia sufficiente. Le (3.85) e (3.86)
infatti, per quanto si è detto in precedenza, le tensioru nella regione di svuo- · dimostrano poi che ad una maggiore intensità del campo critico corrisponde
IUla tensione di rottura maggiore.
tamento possono essere determina.te mediante la soluzione dell'equi:i,zione di
'; :.( Poisson . . · L'inserto della Figura. 3.26 illustra in prossimità della. superficie una giun-
zione diffusa con gradiente linea.re e drogaggio costante entro il semicondut-
VB(tensione di rottura) (3.85) tore. Il comportamento della tensione di rottura è intermedio tra i due casi
 124 CAPITOLO 3 GIUNZIONE p - n 125

CONCENTRAZIONE DEUE IMPURITA'. NB ( e. m-3) 101S

2
5
1014 1015 1017 1018 10 16
2
10po 1000 5
I ='300K 1017 ~
>
.._.
10 3 2
I
E

,.,
liii

>
m '
~ lii N
5
10'9
~
o
> 2

I.. ' GIUNZIONE BRUSCA 5

100 ASIMMETRICA 100 >"'
1019

iS
z --
,_

~,...~
-
·~

102
2

~ro
2
2 "'' ,.
~
GIUNZIONE
A GRADIENTE LINEARE ~..:::.i.. ........
10 10
... . tu' ·___ ...L_L..l..LLI.J.•L__._,_.._.iu•----'-'-1-u.iu
-
- ---- GoAs 10
13
10 11 to 15 10
16
- - - si CONCENTRAZIONEDIFONDO N9(cm-3)
1 I I I I 11111 I
1
1020 1022 1024 Fig. 3.26 Tensione di rottura per giunzioni diffuse; l'inserto riporta la.distribuzione della
carica spaziale. 6
GRADIENTEDEUEIMPURITA' o (cm-4)

Fig. 3~25 Tensione di rottura a valanga in funzione della concentrazione delle impurità per il dispositivo entra nella zona di rottura e il campo critico te è praticamente
giunzioni brusche asimmetriche e tensione di rottura a valanga in funzione del gradiente delle identico a quello riportato nella Figura 3.24.11>ertanto la tensione di rottura
impurità per giunzioni a gradiente lineare in Si e in GaAs. Le linee a tratto e punto indica~o' V}J di un diodo perforato è
l'insorgere del meccanismo dell'effetto tunnel. 5
area tratteggiata nell'inserto di Figura 3.27
=
estremi della giunzione brusca e della giunzione a gradiente lineare consi- . (&cWm)/2
derati in precedenza.6 Per valori grandi di a e piccoli di NB la tensione di
rottura di una giunzione diffusa è data dai risultati propri delle giunzioni
= ·(·WX( w)
~)12-Wm (3.87)

brusche riportati nella parte inferiore della Figura 3.26.

Al contrario, per valori piccoli di a e grandi di NB, la tensione di rottura
VB è data dai risultati propri delle giunzioni a gradiente lineare rappresentati
dalle linee parallele nella Figura 3.26.
Nella Figura 3.25 e nella Figura 3.26 si è fatta l'ipotesi che lo strato
semiconduttore sia abbastanza spesso da contenere, alla rottura, l'intera
larghezza W m dello strato di svuotamento presente in polarizzazione inversa.
Se la lunghezza W del semiconduttore è inferiore a Wm, come è illustrato
nel riquadro della Figura 3.27, il dispositivo è perforato da parte a parte,
cioè lo strato di svuotamento raggiunge l'interfaccia n - n+ prima che
avvenga la rottura. Se si incrementa ulteriormente la polarizzazione inversa,
La perforazione diretta si verifica quando la concentrazione N B diventa)
sufficientemente bassa, come nei diodi p+ - 1r - n+ e p+ - v - n+, ç--
dove 1r e v indicano, rispettivamente, strati molto poco drogati di tipo p e
- di tipo no-Nella-Figura 3.27 sono riportate le tensioni-di-~- - - - -
questo tipo, calcolate in base alle alle (3.85) e (3.87). Per un dato spessore,
la tensione di rottura tende a un valore c<>Stant~ al diminuire del drogaggio.
Altre importanti considerazioni sulla tensione di rottura vanno fatte a pro-
posito ·degli effetti di curvatura. 7 Quando la giunzione p - n si forma per
diffusione attraverso una finestra in uno strato isolante posto sul semicon-
duttore, le impurità diffondono verso il basso, ma anche lateralmente, come
è spiegato nel capitolo 10. La giunzione è quindi costituita da una regione
 126 CAPITOLO 3 GIUNZIONE p - n 127

1000-_--~--~~----~~------------~--~

Si GIUNZIONI BRUSCHE
ASIMMETRICHE
2:

I
-- PIANA

i5 .
w
z
o
iii
~

IO ___ ·-· IL--1-.L.1_1.1.JWL__L-.J-..L.JU..U.ll--L-L..LI-'L1ll1-....L-~-U.JUU

1013 1014 1015 1016 1011 1011
coNcEN rnAZ10NE DELLE 1MrunnA" N 8 ( crrf3 l
COllCENTRAZIONE DELLE IMPURITA" Ne (e m- 3)

Fig. 3.27 Tensioni di rottura per giunzioni p+ - r - n+ e p+ - 11 - n+. W è lo Fig. 3.29 Tensione di rottura in funzione della concentrazione di impurità per un profilo di
spessore della regione meno drogata di tipo p ('li") o di tipo n (11). drogaggio brusco e asimmetrico con geometrie di giunzione cilindriche e sferiche,7 dover; è
il raggio di curvatura definito nella Figura 3.28.

piatta delimitata da bordi cilindrici, come è illustrato nella Figura 3.28a.

Se la maschera di diffusione presenta. bordi verticali, l'angolo corrispondente
- STlll\TO
ISOlAllTE della giunzione assumerà approssimativamente l'aspetto sferico illustrato
p+ nella Figura 3.286. Dato che le regioni sferiche o cilindriche della giunzione
lul
presentano intensità di campo elettrico più elevate, sono esse che determi-
n . nano la. tensione di rottura per valanga. I risultati calcolati per giunzioni
brusche asimmetriche a.1 silicio sono riporta.ti nella Figura 3.29. La linea a.
tratto continuo ra.ppre8enta. la giunzione piana studiata. in precedenza. Si
nota come al_ diminuire del raggio r; della giunzione, la tensione di rottura
diminuisca brusca.mente, specialmente per giunzioni sferiche con bassi livelli
di impurità. Li .

Bibliografia
lhl
1 Shocldey, W., Electrons and Holes in Semiconductors, Van Nostrand, Princ~
ton 1950.
5
REGIONE PIAllA 2 Grove, A.S., Physics and Tecnology of Semiconductor DetJices, Wiley, New
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ed., Angeli, Milano 1985.
3 Kingston, R.H., "Switching Time in Junction Diodes and Junciion
Fig. 3.28 (a) Processo di di1fusione planare che forma giunzioni cilindriche in corrispondenza 'Iransistors", Proc. JRE,42(1954) 829.
dei bordi della maschera. per la di1fusione, dove r; è i! raggio di curvatura. (b) Formazione di
zone cilindriche e sferiche per di1fusione attraverso una maschera rettangolare.
128 CAPITOLO 3 GIUNZIONE p -
4 Moll, J.L., Physics of Semiconductors, McGraw-Hill, New York 1964.
5 Sze, S.M. e Gibbons, G., "Avalanche Breakdown Voltages of Abrupt and Li-
nearly Graded p - n Junctions in Ge, Si, GaAs and GaP", Appl. Phys. Lett.,
8 (1966) 111.
6 Ghandhi, S.K., Semiconductor Power Devices, Wiley, New York 1977.
7 Sze S.M. e Gibbons, G., "Effect of Junction Curvature on Breakdown Voltages
in Semiconductors", Solid State Electron., 9 (1966) 831.
8 Sze, S.M., Physics of Semiconductor Devices, 2a ed., Wiley, New York 1981.
Problemi
1 Una giunzione p - n brusca presenta una concentrazione di drogaggio
di 1015 cm- 3 , 1016 cm-3 o 1017 cm-3 nel lato n meno drogato, e di
1019 cm-3 nel lato p più drogato. Si disegni la serie di curve di 1/C2
in funzione di V per un 'escursione di V da -4 V sino a O V con passi
di 0,5 V. Si commentino i risultati, in particolare a proposito delle
pendenze delle curve e delle loro intercette con l'asse delle tensioni.
2 Una giunzione p - n diffusa al silicio è di tipo a gradiente lineare
nel lato p con a = 1019 cm- 4 , e drogata uniformemente nel lato n
con un drogaggio di 3 1014 cm- 3 • (a) Sapendo che la larghezza dello
strato di svuotamento nel lato p in assenza di polarizzazione è 0,8 µm,
si determinino lo strato di svuotamento totale, la tensione interna é il
campo massimo per polarizzàzione nulla. (b) Si disegni la curva della.
distribuzione del potenziale.
3 Per una giunzione p - n brusca ideale al silicio, con N A = 1017 cm-3
e con ND = 1015 cm-3 , (a) si calcoli vbi alle temperature di 250 K,
300 K, 350 K, 400 K, 450 K e 500 K; si disegni quindi la curva di Vbi in
funzione di T (suggerimento: si usi la Figura 1.16). (b) Si commentino
i risultati ottenuti usando il diagramma delle bande di energia. (e) Si
calcolino la larghezza dello strato di svuotamento e l'intensità massima
. __deLe.a.mp_o_clett_ri~_in_assenz_a_di pola.tlzia.z.ione~r T_===._3_00_K.__
4 Si faccia l'ipotesi che la giunzione p - n considerata nel problema 3
contenga 1015 cm- 3 centri di generazione-ricombinazione, con un livello
situato a 0,02 eV sopra il livello intrinseco del silicio con Un = u,, =
10-15 cm- 2 • Essendo VtJ& ::::: 107 cm/s, e con un area della sezione
trasversa.le A = 10-4 cm2 , si calcoli l'intensità. della. corrente di ge-
nerazione e di ricombinazione a. ± O, 5 V e si. determinino le intensità.
tota.li della. corrente diretta. e della corrente inversa..
n 129
5 Una giunzione p - n ideale ha ND = 1018 cm- 3 e NA = 1016 cm-3 ,
e r,, = Tn = 10-6 s; l'area della sezione trasversa.le del dispositivo è
1, 2 10- 5 cm2 • (a) Si calcoli la corrente di .saturazione teorica a. 300 K.
(b) Si calcolino le intensità delle correnti diretta. e inversa a ±0,7 V.
6 Una giunzione p+ - n al silicio ha i seguenti parametri a 300 K:
Tp = Tn = 10-6 s, ND = 1015 cm.-3 • Si disegnino in scala
logaritmica i grafici della densità. di corrente di diffusione, Jgen, e della
densità di corrente totale in funzione della tensione applicata inversa..
(b) Si ripeta il punto precedente con ND = 1017 cm-3 •
7 Per una giunzione p+ - n brusca ideale al silicio con N D = 1016 cm- 3 ,
si determinino i porta.tori minoritari immagazzinati nella regione neu-
tra n quando viene applicata una polarizzazione diretta di 1 V. La
lunghezza. della regione neutra è di 1 µm; la. lunghezza. di diffusione
delle lacune sia di 5 µm.
8 Per una giunzione p+ - n brusca asimmetrica al silicio con N D =
1015 cm- 3 , si determini la larghezza dello strato di svuotamento alla
rottura. Si calcoli la tensione di rottura se si riduce la regione n a 5 µm
e si confronti il risultato con i da.ti della Figura. 3.27.
9 Nella Figura 3.18b la tensione di rottura a valanga aumenta al crescere
della temperatura. Si dia una giustificazione qualitativa di tale com-
portamento.
Nell'arseniuro di gallio sia an = a,, = 104 (C/4 105 ) 6 cni.;. 1 • Si
determinino le tensioni di rottura di (a) un diodo p - i - n con
uno strato intrinseco lungo 10 µm e (b) una giunzione p+ - n con un
drogaggio di 21016 cm-3 nel lato meno drogato.
 4
Di~positivi bipolari

I dispositivi bipolari sono dispositivi a semiconduttore in cui sia gli elettroni

che le lacune prendono parte al processo di conduzione, ad essi si contrap-
pongono i "dispositivi unipolari", che verranno discussi nel capitolo 5, in
cui prevalentemente un solo tipo di portatore partecipa alla conduzione.
Il transistore bipolare (il cui nome è una contrazione da tmnsfer resistor:
resistore di trasferimento) è uno dei più importanti dispositivi a semicon-
duttore e fu inventato1 nel 1947 da un gruppo di ricercatori appartenente ai
· laboratori della Beli. La Figura 4.1 è una fotografia del primo transistore,
del tipo "a punta di contatto", nel quale due fili metallici con punte aguzze
.. fanno contatto con un substrato di germanio. Visto secondo gli standard
attuali, il primo transistore era piuttosto primitivo, eppure esso fu capace
di rivoluzionare l'industria elettronica e di cambiare il nostro stesso stile di
vita.
. . Nei transistori bipolari moderni il germanio è stato sostituito dal silicio
è- {cfr. par. 1.1) e i contatti a punta sono stati sostituiti con due giunzioni

';,p - n strettamente accoppjate per formare strutture p - n - p o

' n - p - n. Si considererà l'azione transistore di due giunzioni accoppiate
e si ricaveranno le caratteristiche statiche a partire dalla distribuzione dei
.portatori. Si esaminerà inoltre la risposta infrequenza, il comportamento
- in commutazione del transistore e si analizzeranno brevemente i transistori
bipolari a eterogiunzione in cui una o entrambe le giunzioni p - n sono

i
formate tra semiconduttori diversi.
: - Un dispositivo bipolare correlato con il transistore è il tiristore, che ha tre
h<-gmnzioni p - n accoppiate a formare una struttura p - n-=--iJ=-n. 2 Tale___ _

Is.. dispositivo presenta una caratteristica bistabile e può essere commutato tra
I
.uno stato "o:ff" ad alta impedenza e uno stato "on" a bassa impedenza.
.n nome tiristore deriva dal thymtron a gas, un tubo riempito di gas che
presenta un comportamento bistabile simile. Grazie alla. presenza dei due
;
.i .stati stabili e alla bassa dissipazione di potenza che si verifica in questi
stati, i tiristori sono molto impiegati in, applicazioni che vanno dai regolatori
per l'illuminazione domestica, agli apparecchi di controllo di velocità per

.-~·'·
 ··--·-·· --·-···--··-·---·--- ··--- ·-··· · - - - - - -

.132 CAPITOLO 4 DISPOSITIVI BIPOLARI 133

>
EMETTITORE

(O)

COLLETTORE

EMETTITORE BASE COUETTORE

p+ n p
I (b)
I le

-1 +
VEB
+ •ltl _
Vec

Fig. 4.2 (a) Vtsta prospettica di in transistore bipolare p - n - p al silicio. (b) Transistore
unidimensionale idearizzato.
Fig. 4.1 Il prirro transistore. 1
· drogata. collettore. Si assume che in ogni regione la. concentrazione del dro-
elettrodomestici, alla commutazione e inversione nelle linee di trasmissione
gaggio sia uniforme. Le frecce nella. Figura. 4.2b indicano i versi dei flussi
di potenza. Si studieranno i principi fisici del funzionamento del tiristore e
.delle corrente in una. condizione di funzionamento normale, detto anche
si esamineranno anche alcuni dispositivi di commutazione che ne derivano.
modo attioo, cioè qua.udo la. giunzione base-emettitiore è polarizzata. diretta.-
mente e la giunzione collettore-base è polarizzata. inversamente. In accordo
4.1 L'effetto transistore con le leggi di Kirchho:ff per i circuiti, in un dispositivo a. tre porte vi sono
-Solo due correnti indipendenti: se due correnti sono note lo sarà. anche la
Nella Figura 4.2a è riportata una vista prospettica. di un transistore bipolare terza..
La. struttura complementare di un transistore p - n - p è il transistore

+--
p - n - p. Fondamentalmente il transistore è realizzato formando dapprima.
una regione n nel substrato di tipo p, quindi una regione p+ nella regione n. n - p - n, il cui schema si ottiene cambiando nella Figura 4.2 p con n
I contatti metallici vengono realizzati, con le regioni p+ e n, attraverso delle •ceversa.. Tutti i versi delle correnti e le polantà delle tensioni risultano
finestre aperte nello strato di ossido e, con la regione p, sulla faccia inferiore. allora. invertiti. In seguito, comunque, si fisserà. l'attenzione sul tipo p -
1
Nei prossimi capitoli si esamineranno i dettagli dei processi di fabbricazione :;n - p, poiché esso fornisce una. base più intuitiva. per comprendere il flusso

dei transistori.
La struttura idealizzata. del transistore bipolare, riportata nella Fi-
gura 4.2b, può essere considerata una sezione del transistore effettuata lungo
la linea tratteggiata della Figura 4.2a. La regione fortemente drogata p+
viene detta emettitore, la stretta regione centrale base-te la regione p meno
dei porta.tori. Una. volta capito il transistore p - n - p, per descrivere
il transistore n - p - n sarà. sufficiente invertire le polarità. è i tipi di/-
conduzione. 'l ~
 13~ CAPITOLO 4 DISPOSITIVI BIPOLARI 13.5,

4.1.1 Funzionamento nel modo attivo

EMETTITORE BASE COLLETTORE
La Figura 4.3a illustra un transistore p - n - p in equilibrio termodinamico, p+ p (O)
cioè quando tutti e tre i terminali sono connessi insieme o sono tutti posti
a massa.. La Figura 4.3b riporta le concentrazioni delle impurità. nelle. tre N~-Nji
regioni drogate. Si noti che l'emettitore è drogato più intensamente del
Wc--j
collettore, e che il drogaggio della base è inferiore a quello dell'emettitore, I
I
ma maggiore di quello del collettore. Nella. Figura. 4.3c sono disegna.ti nelle I
X lb)
tre regioni i corrispondenti profili dell'intensità. del campo elettrico.
La Figura. 4.3d illustra il diagramma. delle bande di energia, che è una. I
I
semplice estensione della situazione esaminata per una. giunzione all'equili- t I
I
I
brio termodinamico, applicata a una coppia di giunzioni p+ - n e n - p I
I

I f
I
strettamente accoppiate. I risulta.ti ottenuti nel capitolo 3 per una. giunzione X lcl
p - n possono essere egualmente applica.ti alle giunzioni emettitore-base
e collettore-base. All'equilibrio termico non si ha. alcun :6.usso netto di cor-
i rente, quindi il livello di Fermi è costante.

I La Figura 4.4 illustra le stesse grandezze nella situazioÌi'e in cui il tran-

sistore della Figura. 4.3 è polarizzato nel modo attivo. Nella Figura 4.4a
è disegnato lo schema di un transistore connesso come in un amplificatore
nella configurazione a base comune, cioè con il terminale di base in comune
Ec
Er
Ev
------~-------------Er
Ec

Ev
Idi

ai circuiti di ingresso e di uscita.. 3 Nelle Figure 4.4b e 4.4c sono riporta.te le Fig. 4.3 (a) Un transistore p - n - p coo tutti i morsetti a massa. (b) Profilo di drogaggio di
w
densità. di carica e le intensità. del campo elettrico in condizioni polarizza- un transistore coo distribuzioni di impurità brusche; sono tratteggiate le regioni di svuotamento.
)e) Profilo dell'intensità di campo elettrico. (d) Diagramna delle bande di energia all'equilibrio
zione. Si nota che, rispetto alla. situazione di equilibrio della Figura. 4.3, lo
strato di svuotamento della giunzione emettitore-base è più stretto, mentre termodinarrico.
quello della giunzione collettore-base è più ampio.
una giunzione assai vicina. Se la maggior parte delle lacune iniettate può
La. Figura 4.4d illustra il corrispondente diagramma. delle bande di ener-
raggiungere il collettore senza ricombinarsi con gli elettroni nella. regione
gia nel modo attivo di funziona.mento. Poiché la giunzione emettitore-base è
di base, allora la corrente di lacune del collettore avrà. un 'intensità molto
polarizzata. direttamente, le lacune sono inietta.te (emesse) dal lato p+ nella
vicina a quella della corrente di lacune dell'emettitore.
base, e gli elettroni sono iniettati dalla base di tipo n entro l'emettitore. Con
le ipotesi del diodo ideale, nella regione di svuotamento non vi è corrente

i
di generazione-ricombinazione e queste due componenti della. corrente costi-
- tuiscono la corrente di emettitore complessiva. La. giunzione collettore-base
n m nn-e-polanzza.ta mversamente, quindi la corrente che attraversaragiunztòne
è la corrente di saturazione inversa, molto piccola.. Ciononostante, se la
I
base è sufficientemente stretta, le lacune inietta.te dall'emettitore possono
diffondere attraverso la. base, raggiungere il bordo della regione di svuota-
mento collettore-ba.se e quindi "venire a galla" risalendo nel collettore ( si
ricordi l'analogia con le bolle in un liquido, usata per le lacune). Qu~to
meccanismo di tra.sporto giustifica. la terminologia usata di emettitore, che
emette o inietta. portatori, e di collettore che raccoglie i portatori iniettati da.
,_
Pertanto i portatori inietta.ti dalla. giunzione di emettitore, molto prossima.
----alla-giunzione--dt--coHettore-polarizzata--inversamente,-possono--prodttrre-in------------
quest'ultima. un elevato :6.usso di corrente. Questo è l'effetto transistore, che
si verifica. solo quando le due giunzioni sono fisicamente abbastanza vicine
da interagire nel modo descritto. Se, al contrario, le due giunzioni sono
così lontane che tutte le lacune inietta.te si ricombinano nella base prima di
raggiungere la giunzione collettore-base, l'effetto transistore scompare e la
struttura p - n - p diventa semplicemente l'insieme di due diodi connessi
l'uno opposto all'altro.

----------
 - - - - - - - - - - ----------

136 CAPITOLO 4 DISPOSITIVI BIPOLARI 137

(O)

Wc--4
I
Xc I (bl
.~~ì::::::~-x ···---··-··-·ti> CORRENTE E
FLUSSO DELLE
----+ ·coRRENTE DEGLI ELETTRONI
I 0 LACUNE
---- FLUSSO DEGLI ELETTRONI
I
I
I

1----~-·
Fig. 4.5 Varie COrJllOnenti cli corrente in un transistore p - ~ - p nel modo di funzionamento
(C)
attivo. Il flusso degli elettroni è opposto al verso della corrent.e.

I usando per l'emettitore un drogaggio più intenso (cfr. par. 4.2) oppure un'e-
terogiunzione (cfr. par. 4.4). La componente lBB corrisponde agli elettroni
che devono essere forniti alla base per rimpiazzare gli elettroni che si sono
(d) ri~ombinati con le lacune iniettate: cioè lBB = lEp - Icp . La com-
ponente lc)n corrisponde agli elettroni, generati per azione termica, che si
trovano vicino al bordo della giunzione collettore-base e subiscono un moto
di trascinamento dal collettore verso la base. Come è illustrato nella figura,
il verso della corrente degli elettroni è opposta al verso del loro flusso.
Fig. 4.4 (a) Il transistae della Figura 3.3 nel modo di funzionamento attivo. 3 (b) Profili cli Si può esprimere la corrente nei terminali in funzione delle varie compo-
drogaggio e regioni cli svuotamento in concfazione cli polarizzazione applicata. (e) Profilo dell'in- nenti di corrente prima descritte ·
.tensità cli carJllO elettrico. ( d) Diagranma delle bande cli energia all'equilibrio termodinamico.
(4.1)
4.1.2 Amplificazione di corrente
Nella Figura 4.5 sono illustrate le varie componenti di corrente di un tran- lo = lcp + lcn (4.2)
sistore p - n - p ideale polarizzato nel modo attivo; non sono incluse
correnti di genera.zione-rioomhinazione nelleHrR!e~gi;u·0:>1m11"--edi:u'-c1suvumo~inenul,--(:rtel____; ·. IB = lg - la = lEn + ~- lcp)- le,; ' (4.3)
verranno considerate in seguito. Le lacune iniettate dall'emettitore costi- ' ~-----------·
tuiscono la corrente lEp che, in un transistore progettato correttamente, è
la componente più grande della corrente. La maggior parte delle lacune Un importante parametro nella caratterizzazione di un transistore è l'ampli-
· , iniettate raggiunge la giunzione di collettore e dà. origine alla corrente lop· ficazione di corrente con base comune ao, definita come
La corrente di base è costituita da tre componenti, indicate con l&u IBB
e Ion· La corrente IEn corrisponde alla corrente connessa agli elettroni che
vengono iniettati dalla base nell'emettitore; si tratta comunque di una com-
(4.4)
ponente indesiderata, come si vedrà. in seguito, che· può essere resa minimà.
 138 CAPITOLO 4 DISPOSITIVI BIPOLARI 139

Sostituendo la (4.1) nella (4.4) si ottiene

Caratteristiche statiche dei transistori
lcp ( lEp ) (/op) bipolari
ero = IE,, + lEn = lEp + lEn lEp (4.5)
Correnti nel transistore ideale
Il primo termine del secondo membro è detto efficienza dell'emettitore 7, e
misura la corrente di lacunj! iniettate confrontata con la corrente totale di Per determinare le espressioni delle caratteristi~e tensione-corrente per un
emettitore ·transistore ideale si fanno le assunzioni seguenti:

(4.6) • in ogni regione del dispositivo il drogaggio è uniforme;

Il secondo termine è detto fattorè di tmsporto nella base erT, ed esprime:,, • si considerano situazioni di basso livello di iniezione;
il rapporto tra la corrente delle lacune che raggiungono il collettor~ ~ la ,
• non vi sono correnti di generazione-ricombinazione nelle regioni di
corrente di lacune iniettate dall'emettitore / '
svuotamento;
lor> . (4.7) • le resistenze in serie nel dispositivo sono trascurabili.
erT - fEp
Pertanto _.Tali assunzioni consentono di ottenere la relazione corrente-tensio.ne della
ero = 1erT (4.8) 'giunzione emettitore-base, e quella della giunzione c?llett?re-base, m modo
- simile alla trattazione svolta nel capitolo 3 per un diodo ideale .
1 Per un transistore ben progettato sia ì che erT hanno valore prossimo al-
l'unità. e quindi il valore di ero differisce molto poco da 1. . .Modo attivo di funzionamento. La Figura 4.4c illustra gli andamenti
Si può esprimere la corrente di collettore in funzione di er0 ; infatti, sosti- dell'intensità del campo elettrico attraverso le regioni di svuotamento.. La
tuendo la (4.6) e la (4.7) nella (4.2), essa si può scrivere nella forma •. · concentrazione dei portatori minoritari nella regio?e neutra d~a base viene
- descritta dall'equazione di continuità a regime e m assenza d1 campo elet-
1
= Ic,,+Icn = erTlEp+lcn = /erT ;P )+Icn = erolE+lcn (4.9) trico
(d pn)-
le ( 2
D
p dz 2
Pn - Pno = O (4.11)
dove Icn rappresenta la corrente che fluisce tra collettore e base quando Tp

l'emettitore è aperto, /E = O. Per tale motivo si suole indicare Icn con il dove D e r. sono rispettivamente la costante di diffusione e il tempo di vita
simbolo lcBo, dove i primi due pedici (CB) si riferiscono ai due terminali dei por~ato:i minoritari. La. soluzione generale della (4.11) è
attraverso cui è misurata la corrente (o è a.pplica.ta la tensione), mentre il
terzo pedice (O) si riferisce allo stato del terzo terminale rispetto al secondo. Pn(x) = Pno + Ciex/Lp + C2e-:1:/Lp (4.12)

'-
Nel caso attuale IcBo designa.la corrente di dispersione tra il collettore e la.
base con la giunzione emettitore-base aperta. La corrente di collettore per dove L = l])T. è la lunghezza di diffusione delle lacune, e Ci, C2 sono
r> v~r>'r> d" • ·al t rn
la configur(!Zion~~ase comune è allora es:in-ells_a._da_ ___ _ costanti di integrazione da determinarsi in_!>_~_all~-~~~ ~ziolll ___ ~o~~-~--

I ·-
..
le= erolE+lcBo2::-
ifft.·:: 'f·):: il'---: ..~.
<

(4.10)
--Clie,-per il modoattivo di fiinzionamento;-sono \;Ei) ! Affi oj'i'

I Pn(O) = PnoeqVEB/kT (4.13a) 1 /ì ,f'ì

Si è così sviluppato un insieme di espressioni per il transistore p - n - p
operante nel modo attivo. Nel prossimo paragrafo si studieranno le carat- e
teristiche statiche corrente-tensione e si ricaveranno equazioni delle correnti Pn(W) = O (4.13b)
nei terminali in funzione dei parametri del semiconduttore, quali il drog~­ dove Pno è la concentrazione dei portatori minoritari nella ~ase all'~quili­
gio e il tempo di vita dei portatori minoritari.
brio, il cui valore è Pno = nUNB, dove NB è la concentrazione uniforme

L--
 DISPOSITIVI BIPOLARI 141
140 CAPITOLO 4

dei donatori nella base. La prima condizione al contorno (4.13a) stabilisce ~

che, in polarizzazione diretta, la concentrazione dei portatori minoritari al
bordo della regione di svuotamento emettitore-base, in x = O, aumenta t.0----------------,
oltre il valore dell'equilibrio con il fattore esponenziale eqVEB/kT. La se-
conda condizione al contorno (4.13b) stabilisce invece che, in polarizzazione
inversa, la concentrazione dei portatori minoritari al bordo della regione di 0.6
svuotamento collettore-base, in x = W, è nulla.
La (4.12), con le condizioni al contorno (4.13), diventa

Pn(x) = Pno(eqVEB/kT -1) tv

sinh(W - x)l
+ Pno
[
1-
sinh(~)l
tv o-e:
[ sinh (LJ sinh (LJ Cl.
-:::::,.
><
e:
(4.14) Cl.

La Figura 4.6, in cui la concentrazione dei portatori minoritari normalizzata

è disegnata in funzione della distanza per diversi valori di W / Lp, si fonda

l
su risultati calcolati in base alla (4,14). È evidente che per W/Lp :>
1 la distribuzione si avvicina al semplice andamento esponenziale di una
giunzione p - n isolata; all'altro estremo, se W/Lp ~ 1, la distribuzione
è praticamente una linea retta di equazione

(4.15) w
o
DISTANZA X
Le distribuzioni dei portatori minoritari, in un tipico transistore bipolare
operante nel modo attivo, sono riportate nella Figura 4.7, dove la situazione Fig. 4.6 Distribuzione dei portatori ~noritari. nella base per differenti valori di W / Lp · Per
nella zona centrale della base corrisponde a quella tracciata nella Figura 4.6 W/ Lp ~ O, l, la cfistribuzione appr06Slma una hnea retta.
per W/Lp :::; 0,1. L'andamento delle concentrazioni nell'emettitore e nel
x - xc) x?: xc (4.19)
collettore può essere determinato in modo simile alla trattazione seguita per nc(x) = neo - ncoexp ( ---y;;-
ottenere le distribuzioni per la regione della base. Le condizioni al contorno
sono che sono disegnate nella Figura 4.7. . .
(4.16) In questa illust:ra.zione, risulta particolarmente interessan~e la canea d~1
e porta.tori minoritari immagazzina.ti nella base. Dato che ogni por:atore mi:

I
I
dove nE<J e neo sono le concentrazioni degli elettroni all'equilibrio, rispet-
tivamente nell'emettitore e nel collettore. Si assume che lo spessore WE
dell'emettitore e lo spessore Wc del collettore siano molto maggiori delle
corrispondenti lunghezze di diffusione LE e Le. Sostituendo tali condizioni
- ·-· ~4.11}. -.neritario-iniettato-nella base porta una ca.tica q, la carica totale dei pwtaton
Ìninoritari in eccesso nella regione di base, QB, è espressa da

dove A è l'area della sezione trasversale del dispositivo. Per Pn(O) > f1no,
(4.20)

al contorno in una espressione simile alla (4.12) si hanno le relazioni

la (4.20) può essere approssimata con l 'a.rea di un
triangolo, tratteggiata
nE(x) = nEo + nEo(eqVEB/kT - l)exp (X i;E) X:::; -XE (4.18) nella figura, con larghezza della base tra O e W e avente altezza. Pn(O). La

~-~-·------- ------
__________ ____ ,
------------ ---------------------------------------- - - - - - ---------- ---- --- - ----- - --- - -- - - -- - - - - --- -

142 CAPITOLO 4 DISPOSITIVI BIPOLARI 143

La corrente delle la.cune raccolte dal collettore in z = W, è

lcp = A ( ~qDp ~; ls=w)

BASE COLLETTORE
n p = qADpPno 1 [<eqVEs/kT - 1) + cosh(W)] (4.23)
nlOl I
I
Lp sinh(;:) Lp

PnlXl I
I ossia
I
II Icp ~ qADpn? (eqVEs/kT -1) + qADpn? per w <1 (4.24)
NBW NBW Lp
I
I
I . La corrente degli elettroni lEn, prodotta da.gli elettroni che fluiscono dalla
I
base verso l'emettitore, e la corrente Icm prodotta da.gli elettroni che flui-
w
i EMETIITORE BASE COLLETTORE
scono dal collettore verso l'emettitore, sono date dalle relazioni

l Fig. 4. 7 Distribuzioni dei portatori rrinoritari neile varie regioni di un transistae p - n _ p ·

nel modo attivo di funzionamento.
= A (+qDE dnEI

Icn = A ( +qDednc
-
dz s=-:i:E
)

I:i:=:i:c) _
= qADEnEo (eqVEB/ÌcT - l) (4.25)
LE

= qADcnco (4.26)
carica QB può essere allora approssimata da dz Le
dove DE e Dc sono, rispettiva.mente, le costanti di diffusione nell'emettitore
QB ,.., qAWPn(O) e nel collettore.
- 2 (4.20a).
Da queste equazioni si possono ora ottenere le equazioni delle correnti ai
Una volta che s~ano note le distribuzioni dei portatori minoritari, si possono terminali del dispositivo. La corrente nell'emettitore è la somma delle (4.21)
calcolare le va.ne componenti delle correnti riportate nella Figura. 4.5. La e (4.25)
corren~ di la.cune, iniettate in z = O dall'emettitore, IEp• è proporzionale (4.27).
al gradiente della concentrazione dei portatori minoritari ed è espressa da dove

lEp = A (-qDp tls=J au - qA { DpPno coth (W)

Lp Lp
+ DEnEo]
lf>-e
I ·. : ------------"-'p----\--"J~~(e_q~-E-sf_kT_-____,l)~+~l6h('~l/_Jq,J_J__-'--=~~
~ coshWL
/
~
A [ Dpn?
q N w+ L
A DpPno
DEnEo]
B
1
'?'E
per
w
-<1
Lp
(4.28)

-
1 -· oppure, usando uno sviluppo in serie, troncato ai primi termini delle fun-
zioni iperboliche"' per Wj L,, < 1, e sostituendo Pno con n~1 / N 8 Ìa corrente
a12
q -ç sinh(~)
I Ep è espressa dalla '

per (4.29)
lEp ~ qADpnl (eqVEs/kT - l) + qADpnl (4.22)
NBW NBW La corrente di collettore è la somma delle ( 4.23) e (4.26)

*Se 11 < 1 è: coih11 ~ l/r, sinhr ~ , 'e (coshrr1 ~ l - r/2. le = a21(eqVEB/kT - 1) + a22 (4.30)
 ----- ---~----~

- - - - - - - - · --·---·---- - - - - .-------------------~-----

DISPOSITIVI BIPOLARI
145
144 CAPITOLO 4

dove • la corrente nella base è la differenza tra le correnti di emettitore e di

collettore.
qADpPno 1
a21 -
sinh(~)
Lp Si può ora ottenere l'efficienza di emettitore, definita nella (4.6), dalle (4.22)
- (4.25)

~
qADpn~
per
w
-<1 (4.31)
1
(4.35)
NsW Lp

-
qADpPno
Lp co
th(W)
Lp+
gADeneo
Le 1 (4.35a)
'Y = DE Ns W
~ qA ( Dpn~ + Deneo) per w
-<1 (4.32) I+ Dp. NE. LE
NsW Le Lp
dove Ns (= nUPno) è il drogaggio. ?elle imp~tà nell,a b~e, e
Si noti che ai2 = a21· La. corrente di base del transistore idea.le si ottiene ' N = n~/n è il drogaggio delle impunta nell'emettitore. E evidente
E • Eo N/N "'ildr .
come differenza. della. (4.30) da.Ila. (4.27) _èhe per migliorare 'Y si deve diminuire il rapporto B E, c10e og~o
- nell'emettitore deve essere superiore a quello nella base. Per questo motivo
(4.33) ! nell'emettitore si usa un drogaggio p+.
, ' Si può inoltre ottenere il fattore di trasporto, definito nella (4. 7), da.Ile
Usando le (4.20a) e (4,30) si può esprimere la. corrente le in funzione di
'-;(4.21) e (4.23)
Qs, la carica totale dei portatori minoritari immagazzina.ti nella. base
(4.36)
I. ...., qADpPn(O) = (2Dp) Q
e- w w2 B (4.34) -
Per migliorare <XT si dovrebbe impiegare il minor valore p~ssibile ~ W/L~;
La. corrente di collettore è pertanto proporzionale a.Ila. carica. dei porta.tori _ pertanto, dato che Lp è approssimativa.mente costante, SI deve ndurre il
minoritari immagazzina.ti nella. base. (
- valore di W. ly
Da.Ile considerazioni fatte si conclude che le correnti nei tre termin&li di un ~//
transistore sono lega.te alla. distribuzione dei porta.tori minoritari nella. base. V
•Problema ·
Pm: un transistore ben progettato, le espressioni delle correnti statiche di : - Determina.re l'amplificazione di corrente di base comune per un transIStore
3
emettitore (4.27) e di collettore (4.30), si riducono ai termini proporzionali, - p- n '- p ideale con drog...,.,; di 1019 cm- 3 nell'emettitore, 1017 cm- nella
T ' -co· -
base e 5 101s cm""' 3 nel collettore. Gli altri parametri e. d I dis "t"
posi 1vo sono:
rispettivamente, al gradiente dei porta.tori minoritari in x = Oe in x = W.
Le relazioni fonda.mentali di un transistore ideale possono allora. riassumersi DE = 1 cm2 /Vs, D, =
10 cm2 fVs, LE =
1,0 µm, Lp =10 µme
W = 0,5 µm. _______

+
come segue: u

Soluzione
• la tensione applicata controlla i valori delle concentrazioni ai bordi Dalle (4.35a) e (4.36)
delle regioni svuota.te, attraverso il termine eqV/kT; 1
I
7= ---~.--~
1 1017 0,5
= 0,9995
• le correnti di émettitore e di:' t1re sono espresse mediante il gra- 1 + 10 . 1019 • l,Ci
diente dei porta.tori minoritari ai confini delle giunzioni, cioè in :i: = O
e in :i: = W, le correnti sono proporzionali a.Ila carica immagazzinata w2
nella base;
aT = 1- -
2L~
= 0,9987

- - - - - - - - - - - - -- - - - -
 146 CAPITOLO 4
DISPOSITIVI BIPOLARI 147

Nel modo di interdizione, entrambe le giunzioni sono polarizza.te inversa-

mente e la. condizione al contorno ( 4.13) diventa Pn(O) = Pn(W) = O. Non
+ vi è pratica.mente carica. immagazzinata. nella. regione di ba.se e la. corrente di
E
collettore tende ad a.nnulla.rsi. L'interdizione per un transistore usato come
interruttore corrisponde allo stato aperto (stato "off").
. Il quarto modo di opera.re è il modo invertito, detto anche modo attivo
ATTIVO
invertito. In questo caso la. giunzione emettitore-base è polarizzata. inver-
SA IUAAZIOllE
~amente mentre la. giunzione collettore-ba.se è polarizzata. diretta.mente. Il
modo in~ertito corrisponde alla. situazione in cui il collettore agisce da emet-
titore e l'emettitore da collettore, cioè il dispositivo è usato al contrario.
E e e E e e Tutta.via., l'amplificazione di corrente per il modo invertito è generalmente
inferiore a. quella.~ modo attivo, a. causa. della. mediocre e:ffic:ienza. di emet-
~w
gzr~
w o
Pn ~ .
o
titore risultante dal valore del drogaggio del collettore rispetto a. q11e~o della.
ba.se (4.35).
unenmztof.IE mvrnrno ·.- Le relazioni corrente-tensione per i vari modi di funziona.mento si possono
· determinare con procedure identiche a. quelle impiega.te per il modo attivo,
pur di cambiare in modo appropriato le condizioni al contorno (4.13). Le
Fig. 4.8 Polarità delle giunzioni e distribuzioni dei portatori rrinaitari di un transistae
p - n - p nei diversi modi di funzionamento. èspressioni genera.li, applica.bili a. tutti i modi di funziona.mento, sono

Pertanto (4.37a)
cto = "'(QT = 0,9982
le = a21(eqVBB/kT - 1) - a22(eqVcs/A:T - 1) (4.37b)

Modi di funzionamento. Un transistore bipolare ha quattro modi di fun- _.·.dove i coefficienti a 11 , a 12 , a 21 , e a22 sono espressi, rispettiva.mente, dalle
z~on~ent~ in dipendenza dalle polarità delle tensioni applicate alle giun- .· (4.28), (4.29), {4.31) e {4.32). Si noti che nella. {4.37) le tensioni a.pplita.t~
zioru emettitore-base e collettore-base: la Figura 4.8 riporta le tensioni VEB · ~alle giunzioni possono essere positive o negative a. seconda. del modo di
e VcB .per i quattro modi di funzionamento di un transistore p - n _ 'p; · funziona.mento.
sono disegnate anche le corrispondenti distribuzioni dei portatori minori-
' tari. Sinora, nel corso del capitolo, si è considerato il modo attivo di fun- ', 4.2.2 Modifica delle caratteristiche statiche
I
z~onamento del tr~sist?re, in cui la giunzione emettitore-base è polarizzata
,
:·
direttamente e la giunzione collettore-base è polarizzata inversamente. La
n transistore bipolare idea.le, esaminato nel para.grafo 4.2.1, è in grado di
'
descrivere ade a.ta.mente il comporta.mento della. maggior parte dei dispo-
distribuzione dei portatori minoritari per il modo attivo è la stessa già de- sitivi réa.li. Tutta.via., per tensioni di valore piccolo e per tenstoni dì valore
I ,:· . scritta nella Figura 4.7.
eleva.to, le caratteristiche corrente-tensione rea.li si scostano da. quanto pre-
Nel modo di satumzione entrambe le giunzioni sono polarizzate di- . ·. ~ dal dispositivo idea.le. Si illustrano ora. i risulta.ti ,misura.ti relativi a.
rettamente e la condizione al contorno in x W diventa Pn(W)= = un tipico transistore e si considerano le deviazioni dal ca.so idea.le.
Pnoexp(qVcB/kT) da sostituire alla (4.13b). La saturazione corrisponde a.
4 ·Nella. Figura. 4.9 sono traccia.te le caratteristiche sperimentali di uscita cor- ~
una situazione in cui le tensioni di polarizzazione sono piccole e le intensità
rente-tensione per una. configurazione a. ba.se comune; sono anche indica.ti
di corrente di uscita. elevate, cioè il transistore è in uno stato di conduzione
i-diversi modi di funziona.mento. Si noti che la. corrente di collettore è
e agisce come un interruttore chiuso (stato "on").
pratica.mente eguale alla. corrente di emettitore (ao $l::$ 1) e virtualmente è

' . '
JL,#-l\.~~4!:.
 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -------- -----
--
-

. .., -----
DISPOSITIVI BIPOLARI 149 -

148 . CAPITOLO 4

Pnlxl Pn!XI
8
SATURAZIONE ----We---
IE ~smA Pnlol
5
~
-5 4
4
~ ATTIVO 3
2
2 Pno Pno -------------- --
o w
Iceo o w o
(O) (bi
10 20 BVceo
INTERDIZIONE

Vec !VI
Fig. 4.9 Caratteristiche di uscita di un transistore p - n - p nella configurazione a base
comune.
indipendente da VBO· Tale comportamento è in stretto accordo con quello
del transistore ideale espresso dalle (4.10) e (4.30). La corrente di collettore
resta sostanzialmente costante, anche verso va.lori bassi di tensione, sino
a VBo = OV, dove le lacune continuano a essere estratte per opera del
collettore. Tale fatto è reso evidente dalla distribuzione delle lacune della
Figura 4.lOa: dato che il gradiente delle lacune in z = W dalla condizione
VBo > O alla. VBo = O cambia solo lievemente, la corrente di collettore
rimane sostanzialmente immutata entro l'intero campo di valori di tensione
del modo attivo. Per porta.re a. zero la. corrente di collettore, è necessario
applica.re una piccola polarizzazione diretta (~ IV nel Si) alla. giunzione
base-collettore, come _è indicato nella Figura. 4.lOb, entrando nel modo di
saturazione. La polà.rizzazione diretta. aumenterà la concentrazione delle
lacune in z = W in modo sufficiente a renderla. eguale alla concentrazione
in corrispondenza all'emettitore, z = O, riducendo così il gradiente delle
lacune, e quindi la corrente di collettore, a. zero.
c-·-inferiore, avranno minori possibilità di ricombinarsi ll con gli elettroni.
Base con drogaggio a variazione graduale. Nel transistore ideale si
è assunto che la distribuzione delle impurità nella. regione di base fosse
uniforme. In un dispositivo reale, fabbricato per diffusione o con un processo
di impiantazione ionica. di ioni droganti su di un substrato epitassiale (Fi-
gura 4.lla ), la distribuzione delle impurità nella. base non è invece uniforme,
~
.. ma, come è evidente nella. Figura. 4.llb, presenta un forte gradiente. Il dia-
gramma delle bande di energia. corrispondente è riportato nella. Figura. 4.llc.
Fig. 4.10 Distribuzioni dei portatori minoritari nella regione di base di un transistore P -
n - p. (a) Modo attivo per VBc = O e per VBc > O. (b) Saturazione con entrambe le
giunzioni polarizzate direttamente.
A ca.usa. del gradiente della. concentrazione di impurità, gli elettroni nella
base tendono a. diffondere verso il collettore: all'equilibrio termodinamico
nascerà però un campo elettrico interno alla. regione neutra di ba.se per con-
trobilancia.re la corrente di diffusione. Tale campo tenderà a spingere gli
- elettroni verso l'emettitore; e il flusso di corrente totale sarà pertanto nullo.
La. presenza di tale campo elettrico può aiutare il moto delle la.cune iniet-
tate. In condizione di polarizzazione diretta. i porta.tori minoritari inietta.ti,
cioè le lacune si muoveranno non solo per diffusione ma anche per tra.sci-
'
-na.merito, sotto la spinta del campo elettrico interno presente nella. regione
.
di ba.se.
Il principale vantaggio del campo elettrico interno è di ridurre il tempo
- necessario perché le lacune inietta.te attraversino la. regione di ba.se.
Ne consegue un migliora.mento della risposta del transistore a.i segnali
ad a.l'.ta frequenza, argomento che verrà trattato nel prossimo paragrafo. u~
.·altro vantaggio legato al precedente consiste nel miglioramento del fattore di
tra.sporto 0t.T, dato che le lacune, restando nella: ba.se un tempo mediamente
Per un dispositivo con base a variazione gradua.le di drogaggio, il numero
totale delle impurità nella regione neutra di ba.se è espresso, attraverso la
carica Qa per unità di a.rea, da
Qa = kw NB(z)dz (4.38)
che, ovvia.mente si riduce a NBW nel càso di una regione di base drogata

-~ --- ---~ -- - - - - - - - - ----~---------------

---------------------------------- - -------- -------
 150 CAPITOLO 4 151
DISPOSITIVI BIPOLARI

emettitore sopra il punto A è

I I"I
I
p+ p
STRATO EPITESSIALE lsues~.uol (al VEA
lB
= VEB-2(RAD+RDB) (4.39)
EMETilTOREI Nel punto D vale invece
~ 1022 COLLETTORE
iC
::>
t:L
(4.40)
1!
(b)
~f Ne (X)
e quindi, se RAD è una resistenza grande, risulta sostanzialmente superiore
iil E to18
Q~
w
a VEA·
oz Al bordo dell'emettitore, dovelapolarizzazione diretta, nel punto D, è più
10 16
N
C[ elevata, l'iniezione di corrente delle lacune risulterà. più intensa. ·Pertanto,
...
IC
zw 10'4
la. maggior parte della corrente dell'emettitore si addenserà. in prossimità.
(,)
z o I 1 2 3 41 5 dei bordi dell'emettitore e solo una piccola percentuale della corrente :8.uirà.
I
o
(,) I DISTANZA !µ.ml I
nella sua porzione centrale, come è illustrato nella Figura 4.12b. L'effetto
I I
viene detto intensificazione di corrente dell'emettitore e produce una di-
i Ec Ec (C)
stribuzione non uniforme della corrente dell'emettitore. Sebbene l'effetto di
Ey intensificazione abbia come conseguenza utile il fatto di ridurre la resistenza
Ey
di base, esso può dare origine a effetti indesiderati di iniezione di alto livello,
1 quale quello di ridurre l'efficienza di emettitore. Uno dei modi più efficaci
per ridurre l'effetto di intensificazione consiste nel distribuire la còrrente di
Fig•. 4.11. ~a) Vista ~Ila sezione ~le di un transistore bipolare diffuso. (b) Distribuzione emettitore lungo una regione di bordo relativamente estesa, riducendo in
delle.'l"f1>Urità nel transistore. (e) Diagrarrma delle bande di energia corrispondente all'equilibrio tal modo la densità. di corrente che si ha in ogni punto. In altre parole, è
termco. ,,.. necessaria una regione di emettitore con perimetro molto elevato rispetto
all'area. Una soluzione comunemente adottata è fare ricorso a strutture
~o~emente. Per adattare facilmente i risultati ottenùti per un tran- interdigitate, quale quella della Figura 4.13: le sottili strisce di contatto
si~ore ideale al :as~ di transistori diffusi o impiantati, è sufficiente sosti- dell'emettitore e della base sono interallacciate in modo da presentare un
twre nelle equa.zioru ottenute in precedenza, (4.28), (4.29), (4.31), (4.32) e

(4.35a), la quantità. NBW con Q0 . ·
Resistenza di base. Per ottenere un 'amplifi~ione di corrente elevata la
base deve essere molto stretta, ertanto la resistenz · ·
p~ò essere ~olto grande, La Figura 4.12a riporta una sezione trasversale
di un t~sistore p - n - p con due contatti di base, uno su ciascun lato
dell'emettitore. Gli elettroni fomiti dai contatti di base :8.uiscono verso la
zona centrale della regione di emettitore, con una caduta di tensione che ha
.. come conseguenza una differenza di potenziale tra la base e l'emettitore e
~e varia ~n 13: p~one l~go ~a giunzione: Riferendosi alla Figura 4.12a
SI ha che, m pruna approSSima.zione, la tensione diretta sulla giunzione di
I
perimetro elevato, che consente di tollerare correnti di grande intensità..
Modulazione della larghezza della base. Nel capitolo si sono sinora
considerate le caratteristiche del transistore usando una configurazione a
base comune. Nelle applicazioni circuitali è però più spesso usata la confi-
gurazione a emettitore comune. Nella Figura 4.14a è illustrata la configu-
razione a emettitore comune di un transistore p - n - p: il terminale di
emettitore risulta. in comune a.i circuiti · ingresso e i uscita. er a co -
gura.zione a emettitore comune, la corrente di collettore può essere ottenuta
sostituendo la (4.3) nella (4.10)
le = ao(lB +le)+ leBo (4.41)
Risolvendo rispetto a le,
le(l - ao) = aolB + leBo (4.42)
 152 CAPITOLO 4 e DISPOSITIVI BIPOLARI 153

B
E p COUETTORE

• CONTAffiDIEMETTITORE

(O) soo,~·'j'"'
ls/2 Roe p BASE ~-A

E
B + B
Fig. 4.13 Transistcn con contatti di base e di emettitore interdigitati.

8
p (b)
le
e 6

e ;(
É 4
Fig. 4.12 (a)~- trasversale di un transistae p - n - p con l'illustrazione della resistenza ,!:/
di base. (b) Intensificazione della ca-rente in promimità dei bordi laterali dell' emettit"ore. 2 5
VEB
o
ossia. E+

.L ao IcBo oINTERlilzK>NE 10 BVcEO 20

e = 1- ao lB + 1- ao (4.43) VEc (VI

Si i~~ca. or~ con~ l'amplificazione di corrente a emettitore comune, cioè la. (DI (bi
v:in~ione di le nspetto a. una variazione incrementa.le di I . n·an (4 43)
si ottiene B a. ·
Fig. 4.14 (a) Configurazione a emettitae com.ine di un transistcn p - n - p. (b) Carat-
fJo Mc ao teristiche d'usàta di un transistcn p - n - p nella ex>nfigurazione a emettitore com.me.
4
- !:ilB = 1 - a 0 (4.44)
I Si designa. ora con IcEo
allora. {J0 va.le 499; cioè una. piccola. corrente di base può produrre una. cor-
leBO rente di collettore molto più intensa..
lcEo = 1-a (4.45) e è lo-
la. corrente che corrisponde a.lia. corrent e di di spersione
· gico aspettarsi che la. corrente di collettore per una. data. corrente di base
. tra. collettore ed
emettitore per lB = O. La. (4.43) diventa IB sia 'indipendente da. VEc per ogni valore VEc > O. Ciononostante, i
risulta.ti misura.ti, riporta.ti nelle curve della. Figura. 4.14b, presenta.no pen-
Io = fJolB + lcEo (4.46) denze abbastanza. pronunciate, e la corrente Io a~enta al crescere di VEC·
Questa deviazione dal comportamento idea.le si spiega con il fenomeno della
~a.to che il valore di ao è generalmente prossimo a.ll'unità. fJo ' olt modulazione della larghezza della base, noto anche come effetto Early.
nore a.1; per esempio, se ao = O 99 allora. tL va.le 99 .' e m oosupe-
' '"'° ,
se mvece a 0 = , 998 L'espressione dell'amplificazione di corrente di emettitore comune f3o si
 .: 154 CAPITOLO 4
DISPOSITIVI BIPOLARI 155

si vede nella Figura 4.9. Generalmente tale aumento è provocato dalla rot-
PnlX)
tura per valanga della giunzione collettore-ba.se; la tensione di rottura ha
Pn(X)
lo stesso significato esaminato nel para.grafo 3.6 a proposito della. giunzione
p - n. Nel ca.so in cui la lt~ sia molto stretta. o relativamente. poco dro-
gata., si può a.vere un fenomeno di rottura. per perforazione diretta., cioè la.
larghezza effettiva. della regione neutra di ba.se si riduce a zero per un Valore
le Eo sufficientemente alto di VBa: ne risulta che la regione di svuotamento del
(VEB>O)
collettore entra in contatto diretto con la regione di svuotamento dell'e~et­
titore. In tale caso, tra. il collettore e l'emettitore sussiste vero e proprio
Pno cortocircuito, e si ha un elevato :flusso di corrente.
Pno
Nella configurazione a emettitore comune, la corrente di saturazione laEo
o w' w w · corrisponde alla corrente di collettore quando la corrente di ba.se è nulla., cioè
Ice o quando il terminale di ba.se è in circui1io aperto. Per un assegnato valore
!al <bl di VEa, alla. giunzione emettitore-ba.se, come è illustrato nella. Figura 4.15b, _
sarà. applicata una piccola. polarizzazione diretta. Pertanto è da. attendersi
Fig. 4.15 Dist~ibuzi~i d~ portatori ninaitari nella regione di base di ,un transistae p _ n _ che la corrente lcEo, che è proporzionale al gradiente della concentrazione
p. (a)~ attivo di funzionamento con VBE =costante e VEc variabile. (b) Situazione delle lacune in x = W, sia superiore a. lcBO· Ciò è quanto si verifica in
I delle ccrrent1 IcBo e IcEO· .

ottiene dalle (4.8), (4.35) e (4.36) e, se l'efficienza di emettitore 1 è di valore .

realtà. e, come si osserva. nella ( 4.45), lcEo risulta approssimativamente f3o
volte più grande di IcBo
molto prossimo all'unità., si ha per /Jo Il valore della tensione di rottura. in condizione di ba.se aperta si può otte-
nere nel modo seguente. Sia M il fattore di moltiplica.zione per la giunzione
f3o =1-ao
ao 1aT
= l-1aT !:::!
aT
1-aT = W;
2L2
(4.47)
di collettore, approssima.bile con la relazione

~o~e ~i nota /Jo varia 1come w- 2

se VEc aumenta. la. larghezza della. ba.se
:
M = ~'--=-~1--=---:-- (4.48)
1 - (V/ BVc:ao )"
dimmwsce da W a. .w,
come si vede nella. Figura 4.15a, e di conseguenza.
dove BVoBo è la tensione di rottura a ba.se comune, con l'emettitore in
aumenta. /Jo. Applicando la. (4.46) si ha in definitiva. che la corrente di
collettore le aumenta. al crescere di VEc· _ . circuito aperto, e 1J è una. costante. Quando il terminale di ba.se è in circuito
aperto si ha: IE = Io = I; le correnti lcBO e aolE, a.ttra.versa.ndo la.giun-
Corrente di saturazio~e e tensione di rottura. Nella. configurazione a. Jione di collettore, come è illustrato nella. parte superiore della Figura. 4.16,
ba.se comune, la corrente di sa.tura.zione inversa. IcBo viene misurata. con il risultano moltiplica.te per M
5
ì'I ~~e : _, r~,., , - -e-
t~:UU~ale di emettitore in circuito aperto. Tale corrente.è considerevolmente
pm piccola della normale corrente i.nversa. di una. giunzione p - n. Ciò ~ M(aol +IoBo) = I (4.49)

~adiente della concentrazione di lacune in x = O; come mostrato nella. I = MlcBO (4.SO)

Figura. 4.15b, questo produce una diminuzione del gradiente delle lacune iil
x = W. :Pertanto la. corrente IcBo è inferiore alla. corrente che si avrebbe
con .la giunzione e~ettit~re-ha.se in cortocircuito, che nella Figura. 4.15b
cornsponde al gradiente di concentrazione indicato con VEB :::: O.
Q~3:11do VBc cresce sino al valore della tensione di rottura BVaBo l'in-
tensita della corrente di collettore inizia. a. crescere molto rapida.mente, ~ome ;
1-aoM
Qua.udo a.0 M = 1, la corrente I è limitata. unicamente dal circuito esterno.
Usa.udo la condizione a 0 M = 1 e la. (4.48) si ottiene per la tensione
di rottura BVoEo relativa alla configurazione a emettitore comune, con il
tenninale di ba.se in circuito aperto, l'espressione
(4.51)

' '
~i~.:;
 DISPOSITIVI BIPOLARI
157
156 CAPITOLO 4

10- 2

10-3

10-4

10-5
I
10-6 .

;( 10-7
I-
z 10-1
111
a:
a:
::>
(,) 10- 9 -

10- 10
f
lcEo Iceo
l l 10- 11
'====:i:=:==::t:=====,::=====i..._--v
o BVcEO BVceo 10-t2

F'.rg. 4.16 Tensioni di rottura BVcBO e BVcEo e correnti di saturazione lcBo e lcEo 10-13
rispettivamente per una configurazione a base COl'IUle e per una configurazione a emettjtore
10-14
cornme.s o 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VEB (V)
Dato che nel silicio TJ è compreso tra 2 e 6, e f3o assume va.lori grandi, la (O)
tensione di rottura a emettitore comune BVcEO risulta molto più piccola
della tensione di rottura a base comune BVcBO· .l. 1000

Corrente di generazione-ricombinazione e effetto di alto livello

I
di iniezione. Nel transistore ideale si sono trascurate le correnti di I
I
I
I
generazione-ricombinazione nelle regioni di svuotamento emettitore-base e I I
collettore-base. In un transistore reale, come in una giunzione p - n,
I
I
I
,__
I
I
vi è una corrente di generazione nella regione di svuotamento della giun- GENERAZIONE-I I
RICOMBlf!IAZ\ONE.' INIEZIONE DI
zione di collettore polarizzata inversamente. Tale componente si aggiunge ALTO LIVELLO
alla corrente di dispersione. Se la corrente di generazione è la componente
dominante in lcBo, la corrente aumenterà con la legge (VBc )112 per una
giunzione collettore-base brusca e con la legge (VBc) 113 per una "unzione' IclA)
· · "neare. a corrente · generazione provocherà.·
(b)
anche un aumento di lcEo dato che lcEO ~ f3olcBO·
Una giunzione einettitore-base polarizzata direttamente subisce nella-sua
regione di svuotamento una corrente di ricombinazione, che si aggiunge come · Fig. 4.17 (a) Carenti di collettore e di base in fu~ della tensione emettitore-base. (b)
ulteriore componente alla corrente di base. Tale corrente -Oi ricombinazione ; ~rficazione di ocrrente a emettitare oomme del transistOre della parte (a).
ha un profondo effetto sull'amplificazione di corrente. Nella Figura 4.17a
sono illustrate la corrente di collettore e la corrente di base in funzione di

l
i'~~;~i;l .
158 CAPITOLO 4 DISPOSITIVI BIPOLARI
VEB per un transistore che opera. nel modo attivo di funzionamento. Per
basse intensità di corrente la. corrente di ricombinazione è la. componente
predominante, e la. corrente di ba.se IB va.ria. come eqVeE/mkT, con m ~ 2.
Si noti che la. corrente di collettore non risulta. influenzata. dalla. corrente di
ricombinazione emettitore-ba.se, dato che Io è dovuta. in modo primario alle
la.cune inietta.te nella. ba.se ché diffondono verso il collettore.
Nella. Figura. 4.17b è disegnata. la. curva. dell'amplificazione di corrente a.
emettitore comune /30 , ottenuta. da.i da.ti della. Figura. 4.17a facendo il rap-
porto tra. D.Ic e MB. Per basse intensità di corrente il contributo della.
corrente di ricombinazione nell~ regione di svuotamento emettitore-ba.se è
superiore alla corrente dì diffusione dei porta.tori minoritari attraverso la
ba.se e, pe:ftanto, l'efficienza. dell'emettitore è bassa. Si può migliorare /30 per
correnti di piccola. intensità riducendo i centri di ricombinazione-generazione
nel dispositivo. Quando nella ba.se diventa dominante la corrente di diffu-
sione, /3o aumenta sino al massimo piatto della figura..
A livelli di intensità di corrente di collettore più eleva.ti, /30 incomincia. a.
diminuire, a. ca.usa degli effetti lega.ti all'iniezione di alto livello.
La. densità dei portatori minoritari (lacune) iniettati nella ba.se assume
infatti valori confrontabili con la concentrazione delle impurità (N B ), . au-
mentando di fatto il drogaggio della. ba.se e diminuendo di conseguenza l'ef-
ficienza dell'emettitore. Un altro fattore che contribuisce al peggioramento
di /30 per correnti di elevata. intensità è l'effetto di intensificazione sui bordi
della. corrente di emettitore, che produce una distribuzione non uniforme
della. densità della corrente, o dei portatori minoritari iruettati, nell'emetti-
tore. La. densità di corrente sulla periferia dell'emettitore può essere molto
superiore alla densità di corrente media. Sulla periferia dell'emettitore si ve-
rifica.no pertanto condizioni di iniezione di alto livello, con una conseguente
riduzione di /30.
4.3 Risposta in frequenza e caratteristiche
di commutazione di un transistore bipolare
Nel paragrafo 4.2 sono stati esaminati quattro possibili modi di funziona-
mento per un transistore bipolare, definiti variando le condizioni dì polariz-
zazione sulle giunzioni di emettitore-ba.se e di collettore-ba.se. Generalmente
nei circuiti analogici, o lineari, i transistori opera.no unicamente nel modo
attivo di funzionamento. Nei circuiti digitali invece vengono coinvolti tutti
quattro i modi di funzionamento. Nel seguente paragrafo si introdurrà un
modello fondamentale del transistore bipolare, il modello di Ebers-Moll,
159
applicabile a tutti i modi di funziona.mento. Tale modello verrà poi esteso
allo studio della. risposta. in frequenza. di un transistore bipolare e delle sue
caratteristiche di commutazione.
4.3.l Modello di Ebers-Moll
Il transistore p - n - p monodimensionale della Figura 4.18a può essere
rappresentato come due diodi a giunzione p - n connessi l:uno oppost?
all'altro con la. regione n in comune (Figura 4.18b). Nella. Figura. 4.18c il
modello dei due diodi connessi in verso opposto è combinato con il concetto
che la maggior parte della corrente diretta. in un diodo passerà nell'altro
diodo polarizzato inversamente. Nella. figura. si indica con IF la corrente
che attraversa. la giunzione emettitore-ba.se, tale corrente è una funzione
della. tensione emettitore-ba.s.e VEB· Nel modo attivo di funzionamento una
elevata frazione dei porta.tori minoritari inietta.ti dall'emettitore nella ba.se
raggiungerà il collettore; tale frazione viene rappresentata. dal generatore di
corrente a.FIF, dove a.F è l'a.mplificazion~ di corrente diretta a. ba.se comune.
Nel modo di funziona.mento inverso, la. giunzione collettore-ba.se è polariz-
zata. diretta.mente, mentre la. giunzione emettitore-ba.se è polarizzata. inver-
samente. Tale modo è rappresentato nella. Figura 4.18c dalla. corrente IR del
diodo di collettore, che è funzione della. tensione collettore-ba.se VoB,, e dal
generatore a.RIR posto a.i capi della giunzione emettitore-ba.se. Il fattore a.R
è detto amplificazione di corrente inversa a. base comune, ed è il rapporto
tra il numero dei porta.tori minoritari raccolti dall'emettitore e il numero
dei portatori minoritari iniettati nella ba.se dalla giunzione collettore-ba.se
polarizzata diretta.mente.
Per determinare le espressioni generali del circuito equivalente, si scrivono
innanzitutto le espressioni delle correnti nei diodi IF e IR
IF = IFo(eqVEe/kT -1) (4.52)
IR = IRO(eqVce/kT - 1) (4.53)
dove IFo e IRO sono le correnti di saturazione inversa dei due diodi che
·•· Ìlono normalmente l'uno in polarizzazione diretta. e l'altro in polarizzazione
·.• inversa.. Le correnti nei morsetti sono ,,
(4.54)
IE = IF-a.RIR
Io = a.FIF-IR (4.55)
IB = IE - Io = (1 - a.F )IF + (1 - a.R)IR (4.56)
 160 CAPITOLO 4 DISPOSITIVI BIPOLARI 161
)
E p n p e (al ic
B

EO
p
.., n
14
p
oc
la
p

I (bi (O)

B
IF lR

E -
f[ le
e (C)

aRIR aFIF 10 I-______:::--..---

IccmAl la•25fLA

B RETTA DI CARICO
.9 20
Fig. 4.18 (a) Sezione trasversale di un transistae p - n - p. (b) Rappresentazione del
. 8f1>.r.__,L-~-;-~--

transistae p - n - p come connessione serie di due diodi a giunzione l'uno opposto all'altro.
(e) Rappresentazione circuitale del modello di Ebers-Moll. 6
1lrar~~ ;: (b)

lc~4i~;;;.:.==:.:}~=t=~r:-1t~-i~o
Combinando le equàzioni dalla (4.52) alla (4.55), si ottengono le equazioni CORRENTE 2 i:...:.::.:.:::=:.::.;:;;.;_~=---~S·
generali per il fonda.menta.le modello di Ebers-Moll6 '
D'USCITA O b==:d::===l:=~=:t:=--
5 10 Vcc 15
lE = lFo(eqVEB/kT - 1)- <XRlRO(eqVcs/kT - 1) (4.57)
VEc(Vl
le = aFlFo(eqVEB/kT -1)- lRO(eqVcs/kT -1) (4.58)
Fig. 4.19 (a) Transistore bipolare connesso nella configurazione a emettitore comune. (b)
Le equazioni pongono in relazione le correnti termina.li lE e le con le tensioni Funzionamento a piccolo segnale del circuito con transistore.
su morsetti VEB e VeB·
Il modello di Ebers-Moll di base contiene quattro parametri: IFo, lRO, 4.3.2 Risposta in frequenza
°"F e an; combinando le (4.57), (4.58) con la (4.37) si ottiene

fFo = au (4.59a) - Circuito equivalente per alte frequenze. Nella trattazione si~ qui
8volta si sono considerate le caratteristiche statiche, o in corrente contmua,
aRJRO = a12 (4.59b)
del transistore bipolare. Si studieranno ora le ca.ratt~ri~ti~e in a.lte~at~
<XFlFo = a21 (4.59c) quando ai va.lori in continua si sovrappongono segna.li di piccola entita di
lRO = a22 (4.59d) tensione o di corrente. Il termine "piccolo segna.le" significa che il valore
ove. i parametri au, a21, a12 e a22 sono quelli definiti nei precedenti para- · picco e segn e, sia esso ens1one o corren e, e picc~ o nspe o :'-1
grafi. Per un transistore idea.le a12 = a21, pertanto anlRO = aFlFo· Per va.lori in continua. Si considera il circuito amplificatore della Figura 4.19a m
un dispositivo rea.le la relazione continua a essere valida grazie alle caratte- cui il transistore è connesso nella configurazione a. emettitore comune. Per
ristiche di reciprocità del dispositivo a due porte*. ln definitiva, nel modello Un.a assegnata tensione continua. d'entrata VEB, fluiranno nel transistore
di Ebers-Moll, sono necessari solo tre parametri (IFo, lRo e <XF ). 1. ·ima. determinata corrente continua lB nella. base e una corrente le nel col-
. lettore. Queste correnti corrispondono a.I punto di lavoro a ri~oso ripo~a.to
*In realtà il dispositivo non è reciproco, e la rela:rione a12=a21 è solo formalmente nella Figura. 4.19b. La. retta di carico, individuata. dalla tensione applicata
analoga. ad una. condizione di reciprocità, man non implica affatto quest'ultima [nd1j
Yee e da.l~resistore di carico RL, intercetta. l'asse VEc nel punto Vcc e ha
 162 CAPITOLO 4 DISPOSITIVI BIPOLARI 163

delle la.cune dp11 (x)/dx in x = O e in x = W, producendo un aumento sia.

della. corrente di emettitore che della. corrente di collettore. Si assume che la
frequenza del segnale va.ria.bile sia sufficientemente bassa da. consentire alla
Pnlxl distribuzione dei porta.tori di seguire istantaneamente il segnale. Si definisce
i.ntensità istan~ea totale della. corrente di emettitore iE la. somma del suo
valore i~nua. lE e della corrente di segnale iE:

(4.60)

Analoga.mente per le altre tensioni e correnti si ha.

VEB = VEB + VEB (4.61a)

iB = lB +iB (4.61b)
ie = le +ic (4.61c)
VeB = VeB +VeB (4.6ld)

Si possono determina.re lega.mi funzionali tra le correnti iB e ie e le tensioni

VEB e VEe usando il modello di Ebers-Moll. Nelle (4.57) e (4.58) si sosti-
tuiscono le grandezze in continua. con le grandezze istantanee totali (4.60)
e (4.61). Da.to che si analizza. un amplificatore, si presume che il transistore
operi nel modo attivo, per cui eqVEs/kT > 1 e eqVcs/kT <: 1; le (4.57) e
(4.58) si possono allora. semplificare nel modo seguente

iE = lFo(eqVEs/kT - 1)- aRlRD(eqVcs/kT - 1) !::::: lFoeqVEs/kT (4.62)

Pno ------------
ie = aFlFo(eqVEB/kT -1)-lRD(eqVcs/kT -1) !::::: aFlFoeqVEs/kT (4.63)
(4.64)
o w
Se la tensione VBE di segnale è molto più piccola. della tensione continua di
Fig. 4.20 Variazione incrementale della distribuzione dei portatori minoritari q~ndo alla ·-polarizzazione VBE, si possono esprimere le correnti ie e iB delle (4.63) e
polarizzazione in continua si sovrappone un segnale di tensione. (4.64) mediante sviluppi in serie di Taylor arrestati al tennine linea.re della.
la pendenza (-1/RL). Se si sovrappone alla tensione d'entrata. un segnale tensione di segnale
va.ria.bile di piccola ampiezza., la corrente di ba.se iB varierà in funzione del
tempo nel modo illustrato nella Figura. 4.19b. Tale va.ria.zione si ripercuoterà ie = le+ OViEB VEc VEB = le+ie (4.65)
in una variazione della. corrente d'uscita. ie, che tuttavia. risulterà f3o volte
l 8iB ., _
.
. .,
più ampia. della. va.ria.zione della. corrente d'entrata. Il transistore dunque iB = B + OViEB VEc VEB = lB+iB (4.66)
amplifica. il segnale d'ingresso .

Quando si applica alla. giunzione emettitore-ba.se una variazione di segnale 8ie I _

ie = -8VEB
-· VEB = UmVEB (4.67)
di tensione VEB, la. concentrazione delle la.cune inietta.te in x = O, come VEc
illustrato nella Figura 4.20, aumenta., di conseguenza a.um~nta. il gradiente

. '
I

!ilfì~,~~j
---·----------· ·----------·------
 164 4
CAPITOLO DISPOSITIVI BIPOLARI 165

f . . . :: (O)
'#.--~~~~~~~~~---,

13o--.--...

Cce
e
10
(bi ·z

E
.."
~
::>
-
" 1
ao
Cce
3dB
e' 0.1
105 to6 to7 to8 109 1010
9EC (C)
FREQUENZA ( Hz)
,9
E - E Fig. 4.22 Guadagno di corrente in funzione della frequenza di lavoro.
Fig. 4.21_ ~a)_Grcuito ~uiva~ente
di base di un ~nsistore.
(b) Grcuito di base con l'aggiunta
della la.rghezza della base si può introdurre una conduttanza d'uscita non
delle capaata d1 svuotamento e di diffusione. (e) Grcuito di base con l'aggiunta di resistenze e'
di conduttanze. nulla 9EC ~ ic/fJEc, con VEB = O~ Si possono inoltre aggiungere una.~--­
resistenza di base rB e una resistenza di collettore re; il circuito equivalente

iB = {)VEB
BiB IVEc
VEB = 9EB VEB (4.68)
per alte frequenze in cui sono incorporati tutti questi effetti è disegnato
nella Figura 4.21c. '
Frequenza di taglio. La transcondutta.nza 9m e la conduttanza d'entrata.~ 4
dove 9m è detta transconduttanza e 9EB conduttanza d'èntrata. Dalle (4.63), 9EB nella Figura 4.21c sono dipendenti dall'amplificazione di corrente di
(4.64), (4.67) e (4.68) si ottiene
. base comune; alle basse frequenze l'amplificazione di corrente è costante,

9m = ur:.Bic
VEB VEc
I= a.FlFo (..!L)
kT
e9VEs/kT = a.F q/E
kT
(4.69)·
indipendente dalla frequenza di lavoro. Oltre una determinata frequenza.
critica, l'amplificazione di corrente incomincia tuttavia a diminuire. Nella
Figura 4.22 è riportato l'andamento tipico dell'amplificazione di corrente i~
9EB = r:.8ViiB
u EB VEc
I = (1- aF)lFo (..!L)
kT
eqVEs/kT = q(I - a.F) I
kT E
(4 70)
j
_!'!mzione della frequenza. L'amplificazione di corrente a base comune a puo
essere espressa da
(4.71)
Nella Figura 4.21a è riportato il circuito equivalente così ottenuto che vale a= l+j(f/la)
per segnali a bassa fre ue · ' - · · · ·'
ea a 0 e amp ca.zione corren e a ase comune a assà frequenza (o
frequ~nze più elevate aggiungendo appropriate capacità. Per la giunzione continua) e la è la frequenza di taglio a base comune. Alla frequenza.
e~ett1tore-base polarizzata direttamente sono da prevedersi una capacità l = la, il valore di a è 0,707 ao: cioè 3 dB sotto-il valore massimo.
~ svuotam~nto CE_B e una capacità di diffusione Cd, simili a quelle di un - Nella Figura 4.22 è anche tracciata la curva d~'amplificazione di corrente
~odo polanzz,a~o direttamente. Per la giunzione collettore-base polarizzata "di emettitore comune {J; dalla (4.71) si ha
------ .f. _~nversamente e invece da attendersi solo una capacità di svuotamento e, 4
Il . . 'val CB·
orcwto eqw ente per alte frequenze con le tre capacità aggiuntive è a Po
riportato nella Figura 4.2Ib. _Per tener conto dell'effetto della modulazione P= - =
1-a 1 + j(f /lp)
(4.72)

' ' ,. ~

• .~:i.::
-~---- ---- - - -
 166 CAPITOLO 4 DISPOSITIVI BIPOLARI 167

dove f p è la frequenza di taglio a emettitore comune, espressa da.

fp = (1 - ao)fa (4.73)
le
Da.to che ao ~ 1, risulta che fp è molto inferiore a. fa· Un'altra. frequenza.
di taglio è la. frequenza. fT per cui I.BI va.le uno. Ponendo eguale a. uno il p
le
modulo del lato destro della. ( 4. 72) si ottiene VEe n (O)

~
p+
fT = V,8~ - 1 /p ~ .8o(l - ao)fa ~ aofa (4~; VEB IE

pertanto fT è inferiore a. fa, sebbene i due va.lori sia.no molto vicini. -4.
Il più importante limite a.Ila. risposta. in frequenza. di un transistore, è il
tempo di transito dei porta.tori minoritari attraverso la. regione di ba.se. La. -SATURAZIONE
distanza. percorsa. da. una. la.cuna. nell 'interva.Ilo di tempo dt è dz = v( z) dt,
dove v( z) è la. velocità. effettiva. dei porta.tori minoritari nella. ba.se; tale
velocità. è legata. a.Ila. corrente da.Ila.
(bi
) (4.75)

dove A è l'area. della. sezione trasversale del dispositivo, e p( z) è la. distribu-

zione dei porta.tori minoritari. Il tempo di transito TB necessario a.Ile la.cune ·
per attraversa.re la. ba.se è espresso da.Ila o

TB = {W dz = {W qp(z)A dz (4.76)
. Fig. 4.23 (a) Rappresentazione schematica di un cira.iito con transistore per cornrnrt:azione
lo v(z) lo lp di anente. (b).Comnrtazione tra l'interdizione e I~ saturazione...

Per una. distribuzione linea.re delle la.cune, come indicato da.Ila. (4.15), l'in-
Fenomeni di transitorio in commutazione
tegra.zione della. (4.76), usando per lp la.(4.2~, porta. a.Il'espressione

J
. TB=-~-: ~ (4.77)
N~e applicazioni digita.Ii il transistore viene progettato in modo da. funzio-
na.re come interruttore. In tali applicazioni si usa. una. corrente di piccola

. I Per migliora.re la. risposta. in frequenza., il tempo di transito dei porta.tori

11
:)l!a.t;t;ta.ia.~:ve~rsoc4i~la.:Ubt a..se'asiada<e -ve~esglst.i-ere-ekb!trtlel'Elve;i-p~e~r~qFEulaes.1to&rem~o'Eltiltivoie-1 n·
intensità (la. corrente di ba.se) per commuta.re la. corrente di collettore da una.
· situazione di alta. tensione e bassa. corrente (condizione '!_i!), a. una situazione
di bassa. tensione e corrente elevata. (condizione on), e viceversa., in un tempo

+
;c----------Suuil·Kni<on)-·Uta.nlrl:l· t&Jranggisa:iFEsti-od'
per alte frequenze vengono progetta.ti con ba.si molto sottili. Dato che nelrii-------} molto breve. Nella. Figura. 4.23a è disegnato uno schema. di b~e del circuito
.
quella. delle la.cune, i transistori al silicio per alte frequenze sono di tipo
. '
0
sca.mente va.ria.re da. un valore negativo a. uno positivo. La. corrente d'uscita.
, n - p - n. ·· • del transistore è riportata. nella. Figura. 4.23p. Inizialmente la corrente di
Un modo per ridurre il tempo di transito nella. ba.se è usa.re tma. ba.se con eollettore è molto piccola., da.to che entrambe le giunzioni emettitore-base e
drogaggio a. concentrazione va.ria.bile, in cui si produce un campo interno: :collettore-ba.se sono polarizza.te inversa.mente. Seguendo la. retta. di carico,
per un transistore con una. Jorte variazione del drogaggio, come quello ri- e la. corrente attraversa. la. regione attiva. e raggiunge va.lori di intensità eleva.ti

portato nella. Figura. 4.11, il tempo di transito nella. ba.se si può ridurre di ·· qua.ndo entrambe le giunzioni sono polarizza.te diretta.mente. Il transistore
un fattore 5. Perta.nto si comporta. virtualmente come un circuito aperto tra. i termina.Ii

- - - - - -------- - -----
 168 CAPITOLO 4 DISPOSITIVI BIPOLARI 169

di emettitore e di collettore nella condizione ojJ, che corrisponde al modo di··~ L'impedenza dell'interruttore aperto può essere ottenuta. dalla. (4. 79b) po-
interdizione, e come un corto circuito nella condizione on, che corrisponde nendo e9VEs/kT < 1
al modo di saturazione. In altri termini, operando nel modo descritto, il•·
transistore esplica la funzione di un interruttore ideale. f
Ve (4.81)
R(off) =
le(off)
Impedenza degli stati on e ojJ.1 Si esaminerà ora il comportamento in {
L'impedenza. dell'interruttore chiuso si determi~a. dalla (4.80)
commutazione di un transistore bipolare, usando il modello di Ebers-Moll.
I coefficienti aF e an, come si vede dalle (4.57) e (4.58), possono essere. VÈe(on) - VEB .-r VeB
misurati direttamente nel modo attivo di funzionamento e in quello inversoff R(on) = le - le
i coefficienti IFo e lno si possono determinare mediante due ulteriori mi- ·
leo~l + (1 - an)~]
4
sure di lEo e di leo, dove IEo è la corrente di saturazione inversa della, = kTç' }
(4.82)
giunzione emettitore-base misurata con il collettore aperto, cioè nelle con-
qle lEo[(l - aF/e - aF] ·
dizioni e9VEs/kT < 1 e le = O, e leo è la corrente di saturazione inversa · IB
della giunzione collettore-base misurata con l'emettitore aperto, cioè nelle .
condizioni eqVcs/kT < 1 e IE = o.~" [ Appare dalla (4.81) che l'impedenza di interruttore ape:io (.off>. assume va-
. lori grandi se le correnti di saturazione inversa ~elle gmnz10~ lEo e leo_
Dalle grandezze così determinate e dalle (4.57) e (4.58), si trova
. hanno piccola intensità. Dalla (4.82) si osserva mvece che 1'1mpeden~a di
-IEo interruttore chiuso (on) è inversamente proporzionale alla corrente di col-
IFo = 1-aFaR .··· lettore le e quindi è molto piccola per correnti le intense. Considerando
dispositivi reali, nelle impedenze complessive, specialmente nel caso de~'in:
leo
lno = 1-aFaR .terruttore chiuso, occorrer~bbe includere le resistenze di massa delle regioru
· di base e di collettore.
Nel modo di funzionamento attivo e all'interdizione, la giunzione collettore- · ·Tempo di commutazio:rie.* Si considera ora il tempo di commutazione,
base è polarizzata inversamente; le (4.57) e (4.58) si riducono allora alle · mteso come il tempo necessario affinché un transistore commuti dalla con-
. dizione di interruttore aperto a quella di interruttore chiuso, o viceversa.
IEo e9VEs/kT + (1 - aF )IEo
(4.79a) f Quando si applica un impulso di corrente al morsetto di base all'istante
1 - t:lFClR 1 - t:lFClR t = O come si vede nella Figura 4.24a, ha inizio il processo della "com-
:,:inutazi~ne diretta". La durata del transitorio è deterJl!inata, come si vedrà,

I
le= aFIEo eqVEB/kT + (1 - an)lco
1 - apan 1 - apan dalla variazione della carica immagazzinata nella base? La carica totale dei~
portatori minoritari in eccesso immagazzin~~i nella base è espressa da
In saturazione conviene invece considerare le correnti come variabili indi-
pendenti, dalle (4.57) e (4.58) si ottiene
(4.83)

(4.80a) a egge di variazione nel tempo della carica immagazzinata si determina

dalla equazione di continuità, descritta dalla (2.80)
VcB = (4.80b) 8pn = _! (8Jp) _ Pn - Pno (4.84)
8t q 8z Tp
Per caratterizzare il funzionamento in commutazione si devono considerare
tre grandezze fondamentali: l'impedenza. dell'interruttore aperto, stato ojJ,
l'impedenza dell'interruttore chiuso, stato o~, e il tempo di commutazione.
_! (8Jp) (4.84a)
q 8x
 170 CAPITOLO 4 DISPOSITIVI BIPOLARI 171

Se, prima che la corrente venga commutata verso la regione diretta, è QB =

Ie
O, la soluzione della (4.87) è

J (O)
:Quindi quando t > r11 , la carica QB tende al valore lBTp; l'andamento
di QB(t) è riportato nella Figura 4.24b. Sintanto che QB(t) < Qs, dove
>Qs è la carica nella base quando VcB = O, cioè, come è illustrato nella
(4.88)

BASE
(:Figura 4.24d, al confine con la saturazione, il transistore opera nella re-
"~ gione attiva., spostandosi verso la saturazione. L'espressione della corrente
.di collettore io(t) si ottiene dalle (4.34), (4.77) e (4.88)
''
'' ....
io = QB(t) = QB(t) = lBTp (1- e-t/Tp) (4.89)
W 2 /2Dp TB TB
lo''
I I
le I I ' · Nella F:igura 4.24c è tracciato l'andamento di io in funzione del tempo. Al-
I I I I ly'
: I - t fs ,....__ : l'istante t = ti la carica immagazzinata nella base raggiunge il valore Q s
1 1
Ic(l 1) ht---i- -1.._ ;1 che corrisponde al confine con la saturazione. Per QB > Q s, il dispositivo
· opera in saturazione e sia la corrente di emettitore che la corrente di collet-
o tore restano praticamente costanti. Nella Figura 4.24d si può vedere che per
w
ogni istante t > ti, per esempio t = t 4 , la distribuzione delle la.cune Pn ( z)
(d) è pa.rallela a quella che si ha per t = ti. Pertanto i gradienti in z = O e
~ig. 4.24. (a) lr11>uÌ~ di c:o"~en~e di ingresso sulla base. (b) Variazioni della carica inmagaz- in z = W, e quindi le correnti, rimarranno le stesse. Si determina ti dalla
z1nata·-·
con .11 tt!"l>O.
. .
(e) Vanaz1on1 nel t~o della corrente di collettore· (d) Distn"b uz1on1
· · dei· . (4.88) ponendo Qs al posto di QB(t)
porta..... 1mmor1tan nella base a istanti diversi.

J
(4.90)
Si integra la (4.84a) rispetto alla distanza da z = O sino a z =
We,
usando la (4.83), si ottiene
(4.91)
I I,,(O) - I,,(W) = dQB + QB {4.85)
dt Tp
Tale
.cr equazione è nota come equazione del controllo d"I canea.
· dove le espressioni di Qs e di lB si ~ttengono dalla Figura 4.23a nella forma
di uerenza tra 111 (0) e I,,(W è la corrente di bas
orma Qs ~ (4.92)
iB = dQB + QB
dt Tp (4.86) e
Dur~t: la commutazione diretta per t 2: Ola corrente di base è costante
come e illustrato nella Figura 4.24a, e la (4.86) diventa · ' , (4.93)
dQ b
dt
B = JB- QB
Tp !:31 Per ridurre il tempo di commutazione diretta ti occorre che il tempo di vita.
dei porta.tori minoritari sia. breve, che Qs sia. piccola. e che lB sia. grande.
 172 CAPITOLO 4
DISPOSITIVI BIPOLARI 173

Nel transitorio di apertura. dell'interruttore, la corrente di base all'istante

Transistore bipolare a eterogiunzione
t = t2 viene commutata brusca.mente ·a. zero, come si vede nella. Fi-
gura. 4.24a. L'equazione che descrive il transitorio si determina. dalla. (4.86) Si definisce eterogiunzione una giunzione formata tra. due semiconduttori
con iB = O, la. soluzione è
. diversi, come per esempio un pezzo di germanio di tipo n e un pezzo di
,~ arseniuro di gallio di tipo p. Le eterogiunzioni presenta.no a.lçune caratte-
per (4.94)
ristiche di comporta.mento uniche che non si possono fa.cilmente ottenere
ed è disegnata nella Figura 4.24b. Dato che inizialmente il dispositivo è in con le giunzioni p - n convenziona.li, cioè le omogiunzioni, di cui si è
saturazione, la corrente di collettore riinane sostanzialmente invariata sino a . tra.tta.to sinora.. Le eterogiunzioni sono sta.te studiate sin da.11951 e trovano
che QB non si riduce a Qs (Figura. 4.24d). L'intervallo tra t 2 e t 3 , istante in numerose a.pplica.zioni nei dispositivi dell'optoelettronica., che verranno tra.t-
cui QB = Qs, viene detto ritardo dovuto al tempo di immagazzinamento . tati nel capitolo 7. In questo para.grafo si studia. il modello di base di tale
ts. Quando QB = Qs, il dispositivo entra in regione attiva. La. corrente 0 struttura e quindi si esaminerà il funziona.mento del transistore bipolare a.

nell'intervallo di tempo t2 < t < t 3 è espressa dalla relazione eterogiunzione, che rappresenta un potenzia.le candidato per le applicazioni ..
elettroniche a.d a.lta. velocità.
.; ~ ic = QB(t '.'"" t2) = QB(t2) e-<t-t2 )/,,.p
(4.95) Nella Figura 4.25a è riportato il dia.gra.mma. delle ha.nde di energia. di due
TB TB
.. pezzi di semiconduttore isola.ti, prima della. formazione di una eterogiun-
ed è disegnata. nella Figura. 4.24c. Il tempo di immagazzinamento si può zione; si è supposto che i due semiconduttori presentino va.lori diversi di
a
determinare dalla. (4.95) eguagliando QB(t - t 2 ) Qs; si ottiene ampiezza. della ha.nda. proibita. E9 , valori diversi di permittività dielettrica.
e., diversi lavori di estrazione q•. e diverse a.ftìnità elettroniche qx. Si defi-
ts S t3 -t2 = Tp ln (Q~~2 )) .5
(4.96) .·. nisce lavoro di estrazione l'energia necessaria. per porta.re fuori del materia.le,
>:cioè al cosiddetto livello del vuoto, un elettrone che si trovi al livello di Fermi
Se t2 è molto m~ore di Tp, si ha. dalla (4.89) che QB(t2) si avvicina a EF entro il cristallo. L'affinità. elettronica. è l'energia. richiesta. per sposta.re
lBTp, dato dalla (4.89), e la. ( 4.96) quindi diventa ·
un elettrone dall'estremo inferiore della banda di conduzione Ec al livello
del vuoto. La differenza di energia tra gli estremi delle bande di condu-
(4.97) zione nei due semiconduttori si indica. con l:!..Ec, e la differenza. di energia
tra gli estremi della bande di va.lenza con l:!..Ev; la Figura. 4.25a mostra che
Pertanto piccoli val.ori di Tp e di lB riducono ts; inoltre meno profonda.mente AEc = q(xi - x2).
il dispositivo entra. in saturazione, più breve sa.rà. il tempo di immagazzina.- . La. Figura. 4.25b illustra. il diagramma delle bande di energià. di una etero-
mento. Non appena. rientra nella regione attiva, la corrente di collettore giunzione brusca. idea.le formata. tra. due semiconduttori;7 •8 nel dia.gra.mma si

" >'
- y __
decade esponenzialmente verso intensità nulla con una costante di tempo
come è illustrato nella Figura 4.24c.
Si è usata l'equazione a controllo di carica per studia.re i transitori di
:è assunto che all'interfaccia tra. i due semiconduttori diversi vi sia. un numero
·tra.scura.bile di trappole e di centri di generazione-ricombinazione. Tale i po-
.tesi è va.lida solo se le eterogiunzioni vengono forma.te tra. semiconduttori
/I commutazione. Il tempo di commutazione diretta. dipende da. quanto ve-
. co.n costanti reticolari di va.lori molto vicini tra ·di loro. Nella costruzione
locemente si uò rifornire
a.mma e a.n e energia SI evono so a.re ue esigenze
sistore p - n - p) la base; il tempo di commutazione inversa dipende .ha.se: (1) all'equilibrio termodinamico il livello di Fermi deve essere lo stesso
invece da quanto velocemente si possono rimuovere, per ricombinazione, le
nei due la.ti dell'interfaccia. e (2) il livello del vuoto deve essere continuo e
lacune. Uno dei più importanti para.metri dei .transistori per commutazione
parallelo a.gli estremi delle ha.ndé. Se si rispetta.no queste specifiche, le di-
è il tempo di vita dei portatori minoritari Tp. Un metodo efficiente per scontinuità tra. gli estremi della. banda di conduzione l:!..Eo e quelli della'
ridurre r,,, e ottenere commutazione rapida, consiste nell'introdurre· cen- ··ba.nda di va.lenza. l:!..Ev ·non sarà modificata. dai livelli dei drogaggi, sin tanta
tri di generazione-ricombinazione con livelli prossimi a.I centro della banda
proibita. · - che le bande di energia E9 e le a.ffuùtà elettroniche qx non sono funzioni
; del drogaggio, cioè i semiconduttori non sono degeneri. La differenza di
 174 CAPITOLO 4 DISPOSITIVI BIPOLARI 175

gradino. Una condizione al contorno è la continuità dell'ampiezza del vettore

.1 I
--rr----rT
QX1
___ _ QX2
LIVELLO DEL VUOTO spostamento elettrico, cioè E1E1 = E2E2, dove E1 e E2 sono le intensità
dei campi elettrici ortogonali a.11'interfaccia :e = :c0 , rispettiva.mente nei
semiconduttori 1 e 2. Si ottiene

~~ Qc/>st qcf>s2 [ 2NA2Et E2{Vbi - V) ] 1/2

:&1 =
r'
ffi:f (4.98)
I i:il!l r---.l.--4----.---Ecz qNDt(E1ND1 + E2NA2)
AEe 2
tal [ 2NDl Et E2(V1n _ V)
Ect- - - - -
Er/
Egt Eg2
:&2 = qNA2(E1NDt + E2NA2)
(4.99)
Evi-----''----.
--Erz
Evz C= [ qND1NA2E1E2
2{E1ND1 + E2NA2)(V1n - V)
r/ 2
{4.100)

L INTERFACCIA

= (4.101)

(bl
Fig. 4.25 ( !1) Diagrarrma delle bancle di energia di due seniconduttori isolati. (b) Diagramma ·~
delle bande di energia di una ideale eterogiunzione n - p all'equilibrio term:xlinamico.7
potenziale intrinseca. V1n è pari a.1la. somma. delle tensioni intrinseche parziali
Vb1 + Vb2, dove Vb1 e Vb2 sono, rispettiva.mente, i potenziali elettrostatici
a.1l'equilibrio nei semiconduttori 1 e 2.
Le larghezze e la. capacità delle regioni di svuotamento per ogni condizione
di polarizzazione si ottengono da.1la risoluzione dell'equazione di Poisson,
considerando in entrambi i lati dell'interfaccia il ca.so di una giunzione a
dove V = Vi + V2.
I materiali più importanti per le eterogiunzioni sono i semiconduttori com-
. posti del tipo Ili-V, quale Ga.As, e le loro soluzioni solide, quale il composto
ternario AI:i:Ga.1-:i:As, dove :e può variare da O a. 1. Quando :e = O si
· ha. l'arseniuro di gallio con banda. proibita. di ampiezza 1,42 eV e costante
·reticolare di 5,6533A a 300 K, mentre quando :e = 1 si ha l'arseniuro di
•alluminio con una. banda proibita di ampiezza 2,17 eV e una costante reti-
.·~lare di 5,6605 A. La banda proibita del composto ternario A1:i:Ga1-:i:As
".cresce con :e, mentre la. costante reticolare resta. sostanzialmente costante;
•:Persino nelle due situazioni estreme, in cui :e = O e :e = 1, il disadatta-
·;mento reticolare, cioè la. differenza. relativa fra. le costanti reticolari, è solo
4ello 0,13.
•, Nella. Figura. 4.26a è illustrato il diagramma delle bande di energia di un
:lra.nsistore bipolare a eterogiunzione con emettitore a banda la.rka. Il dispo-
.. • '.costituito da un emettitore di AI:i:Gai-:i:'As di tipo n, da una base
·°fil GaAs di tipo p e da un collettore di Ga.As di tipo n. Nella. Figura. 4.~66
i~ ha. il diagramma. di energia. ~el dispositivo nel modo di funzionamento
~ttivo. Sebbene il modo di operare del dispositivo sia simile a quello di un
. "store convenzionale, nel transistore bipolare a. eterogiunzione si hanno
.timerosi vantaggi: (1) un'efficienza. di emettitore più elevata. poiché le la-
·. ·. . e dirette da.1la base verso l'emettitore, dove sono..portatori di minoranza.
ntransistore è n - p - n ), vengono blocca.te da unal>a.rriera di potenziale
 176 CAPITOLO 4
EMETTITORE BASE COLLETTORE
Ec
EF-
I- - - -\ p-GOAS
Ec
EF
·-······-·1 \
n-GOAS {O)
Ev
Ev
Fig. 4.26 (a) Diagramma delle bande di energia di un transistore bipolare a eterogiunzione
f'l-P - n .,,,,,.. all'equilibrio terfrico. (6) Diagramma delle bande di energia ciel d~ nel
modo attivo di funzionamento.
più alta nella han.da di valenza; (2) una resistenza di base inferiore, dato
che la base può essere drogata maggiormente senza sacrificare l'efficienza di
emettitore; (3) un fenomeno di defocalizzazione della corrente di emettitore
di minore intensità, data la minore caduta di tensione lungo la giunzione
emettitore-base; e infine (4) un miglioramento della risposta in frequenza
grazie alla maggiore amplificazione di corrente e alla resistenza di base infe-
riore. Inoltre con i transistori bipolari a eterogiunzione si possono impiegare
materiali con buone prestazioni ad alte temperature. Per èSèm.pio un dispo-
sitivo fatto con i materiali indicati nella Figura 4.26 può funzionare sino a
temperature di circa 300 °C.
Molte varietà. di transistori bipolari a eter ·unzione sono r
m ante e tecniche epitassiali descritte nel capitolo 8. La famiglia dei
transistori a eterogiunzione include i transistori con una composizione gra-
duale del materiale nella base, costituita per esempio da AI:i:Gai-:i:As con
valore di z decrescente dall'emettitore verso il collettore, allo scopo di ge-
nerare un campo interno e quindi ridurre il tempo di transito nella base,
e i transistori con struttura a doppia eterogiunzione, cioè con regioni di
emettitore e di collettore a han.da larga, .~ fine di rendere simmetriche le
DISPOSITIVI BIPOLARI 177
due regioni di emettitore. e di collettore e di migliorare l'amplificazione di
· corrente nei modi di funzionamento attivo e inverso.
Tiristore
;n tiristore è un 'importante componente per applicazioni in circuiti di com-
1mutazione in cui si richiede al dispositivo di poter variare da uno stato di
·:blocco, o stato ofJ, a uno stato di conduzione o stato on, e viceversa. 2•9 Si
~,è· già. esaminato l'uso dei transistori bipolari in applicazioni di questo tipo,
ilit quel caso la corrente di base pilota il transistore dall'interdizione alla
'saturazione per lo stato on e dalla saturazione all'interdizione per lo stato
:'OJJ. Il funzionamento di un tiristore ·è intimamente connesso a quello dei
. ransistori bipolari: nei processi di trasporto sono coinvolti sia gli elettroni
~a le lacune. I meccanismi di commutaziÒne in un tiristore invece sono
~quanto differenti da quelli di un transistore bipolare. Inoltre la struttura
&:O:Struttiva dei tiristori consente di maneggiare correnti e tensioni molto più
;.elevate; attualmente si hanno tiristori in grado di trattare correnti che vanno
da pochi milliampere a intensità. superiori .a 5000 A e tensioni sino a oltre
'10 000 V. Si descriverà. ora innanzitutto il principio di funzionamento dei
. tiristori, in seguito si prenderanno in esame alcuni dispositivi bidirezionali
:è a campo controllato a essi correla.ti. /
Caratteristiche di base
.I.a.. Figura 4.27a illustra una vista in sezione trasversale della struttura di
ùn tiristore, che è un dispositivo ·a quattro strati p - n - p - n con tre
giunzioni p - n (Jl, J2 e J3) poste in serie. L'elettrodo di contatto con
·10 strato p più esterno è detto anodo, quello con lo strato n più esterno è
.· '.detto catodo. Tale struttura senza ulteriori elettrodi è un dispositivo a due
• terminali e viene detto diodo p - n - p - n. Se si connette un ulteriore
teiettrodo, l'elettrodo detto porta o gate, allo strato p interno (strato p2), si
. ottiene un dispositivo a tre terminali comunemente noto con la sigla SCR
n i roi'ore.
Un tipico profilo di drogaggio di un tiristore è riportato nella. Figura 4.27b.
·Come materiale di partenza si sceglie una. fetta <11 silicio di tipo n ad elevata
resistività.. Per ottenere uniformità. di drogaggio nel materiale di partenza
'8i usa un processo di trasmutazione per irradiazione di neutroni (si veda il
paragrafo 8.2). Con un passo di diffusione si formano simultaneamente gli
strati pl ·e p2; infine su un lato della. fetta si ottiene uno strato di tipo n
Per lega ·o diffusione, che forma lo strato n2:\Nella Figura 4.27e è disegnato <.-
178 CAPITOLO 4 DISPOSITIVI BIPOLARI 179

si definiscono una corrente di mantenimento 111. e una tensione di

JI J2 J3 mantenimento V,,,;

(AN~ PI n1
O- 4 : il dispositivo si trova in blocco inverso;

I
4 - 5 : il dispositivo è nella regione di rottura per tensione inversa.
I
~ 1020'
a::> Il diodo p - n - p - n in polarizzazione diretta è pertanto un dispositivo
Q.
;;;
w
§;bistabile che può commutare da uno stato con alta impedenza e con bassa
1018
:l
w"'- (b) ·" corrente a uno stato con bassa impedenza. e a corrente intensa, cioè da uno
o•
w E • stato offa uno stato on, e viceversa.
zo~o

..
1016
N :' Per comprendere l'azione bloccante in tensione diretta, si considera il
a:
zw ~dispositivo come l'insieme di due transistori bipolari, cioè un transistore
u 1014
o
u
z :p - n - p e un transistore n - p - n con la base di un transistore con-
X=O X=W nessa al collettore dell'altro e viceversa., come illustrato nella Figura 4.29.
Le relazioni tra le correnti di emettitore, di collettore e di base, e l'ampli-
Ec Jicazione a base comune in continua. sono quelle riportate nelle equazioni
(4.3) e (4.10). La corrente di base del transistore p - n - p, il transistore
(C}
Ev "~ con amplificazione di corrente a 1 , vale

---Ev
[Bl = lE1 - 101 = (1 - a1)lE1 - 11
Fig. 4.27 (a) Diodo p - n - p - n a quattro strati. (b) Profilo. di drogaggio tipico di un = (1 - a1)I - Ii (4.102)
tiristore. (e) Diagrarrma delle bande di energia di un tiristore all'equilibrio termodinanÌico.
:dove Ii è la corrente di dispersione loBo del transistore 1. La corrente di
il diagramma. delle bande di energia di un tiristore all'equilibrio termodi- è:'.base è fornita dal collettore del transistore n - p - n, cioè del transistore
namico. Si nota che in corrispondenza di ogni giunzione si ha una regione · 2 con amplificazione di corrente a 2 • La corrente di collettore del transistore
di svuotamento con una tensione intrinseca. determinata dal profilo dellè .'Jl-p-nè
impurità di drogaggio. 102 = a2IE2 + 12 = a2l + 12 (4.103)
La caratteristica. corrente-tensione di un diodo p - n - p - n è riportata. ?dove 12 è la corrente di dispersione loBo del transistore 2. Imponendo
nella Figura 4.28 e si individuano cinque zone distinte: .:l'eguaglianza di lB1 con 102 si ottiene
>"-
.•
O- 1 : il dispositivo si trova in blocco diretto, o stato oJJ, che presenta (4.104)
un'impedenza molto elevata. Si verifica la commutazione quando
dV dJ = Oe nel unto 1 si definisce una te.nsio
diretta VBF e una corrente di commutazione lai I= 11 +12 (4.105)
+
1- (a1 a2)
1 - 2 : il dispositivo si trova in una regione di funzionamento a resistenza
negativa, cioè la corrente a.umen~a brusca.mente al diminuire della . ,Le amplificazioni di corrente, come si è visto nel para.grafo 4.2.2, sono fun-
tensione; .•~oni della corrente I e generalmente aumentano al crescere dell'intensità
ella corrente. Per basse intensità di corrente sia a1 che a2 sono molto
2 - 3 : il dispositivo è nella zona di conduzione diretta., o stato on; che ... eriori a 1, pertanto la corrente che fluisce attraverso il dispositivo è la
presenta. una bassa impedenza. Nel punto 2, dove dV/dl = O, • 0 nuna delle due correnti di dispersione 11 e 1 2 • Se la tensione applicata.

--- -
-~---- --·--~-
 180 CAPITOLO 4
DISPOSITIVI BIPOLARI 181

1
--~ -n-1__,,...,i.-p-2 i-n-2--.h
rl..-P-, ...... ....
J +. lol

CONDUZIONE
DIRETTA
IL_ __
===t;;o:---=-;:v <b>

lh
I • :_,,.._-_-_-_-:-_-_-_-_-_-_-..::_~#'.(I) I J1
I l____ _
--:-(4-,~......
~======r=========~(O;,,+v~h=.=====t========~~~B-F-.vAK -~plm h o V
(C}

BLOCCO .BLOCCO
+y.-
INVERSO
DIRETTO

(5)-
IL_ __ _
h =s==~o:-=~v Cdl

· Fig. 4.30 Larghezza degli strati di svuotamento e cadute di tensione di un tiristore che opera:
(a) all'equilibrio, (b) in blocco diretto, (e) in conduzione diretta e (d) in blocco inverso.
Fig. 4.28 Caratteristica corrente-tensione di un diodo p - n - p - n.

J
I A - I
p1
E e
n1
R
cresce, aumenta. a.nche l'intensità. della. corrente I e di conseguenza. a.umen-
;,ta.no pure a1 e a~ Ciò provoca. un ulteriore aumento di I con un processo
:di tipo rigenerativo. Quando a 1 + a 2 tende al valore 1, l'"mtensità della.
:corrente I incrementa. senza. limiti, cioè il dispositivo ha. raggiunto il punto
•di commutazione diretta..

Le variazioni subite dalle larghezze delle regioni di svuotamento del diodo

·p - n - p - n polarizzato nelle diverse regioni di funzionamento sono il-
(a2} nt
lustra.te nella. Figura. 4.30. All'equilibrio termodinamico, nella. Figura. 4.30a,
e e E
.· non si ha. :flusso di corrente, e le larghezze delle zone di svuotamento sono
Fig. 4.29 Rappresenta2ione di un tiristore mediante due transistori. .:!letermina.te da.i profili di ·drogaggio delle impurità.. Nello sta.to bloccante in
~. ------- ·tensione diretta., descritto nella. Figura. 4.30b, le giunzioni Jl e J3 sono pola-
rizza.te diretta.mente e la. giunzione J2 è polarizzata. inversamente. La. mag-
:gior pa.rte della. caduta. di tensione si loca.lizza. a.i ca.pi della. giunzione centra.le
·· J2. Nello sta.to di conduzione diretta., illustrato nella. Figura. 4.30c, tutte tre
i
J _J_+
'·