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INTRODUCCIÓN A LOS VARISTORES: SUS

PROPIEDADES Y APLICACIÓN

Dr. Daniel Fernández Hevia - Mayo 2010

Director de I+D+i – INAEL Electrical Systems – dfhevia@inael.com

Project Leader – Centro Instrumental Fisicoquímico para el Desarrollo de la Investigación Aplicada


(CIDIA) – Universidad de Las palmas de Gran Canaria – dfhevia@cidia.ulpgc.es

© INAEL, S.A.

1 Varistores: Propiedades y aplicación


Contenido

1 Introducción......................................................................................................................................... 3
2 Transitorios electromagnéticos en redes eléctricas. ............................................................................. 5
2.1 Sobretensiones atmosféricas. ..............................................................................................5
2.2 Sobretensiones de maniobra o conmutación. ......................................................................6
2.3 Sobretensiones inducidas por acoplamiento electromagnético............................................7
3 Aplicación de varistores a la protección contra sobretensiones en equipos conectados a redes
eléctricas. .................................................................................................................................................... 7
3.1 Generalidades. ....................................................................................................................7
3.2 Comportamiento inductivo intrínseco en el régimen de ruptura: su influencia e impacto
sobre el diseño de protecciones. ................................................................................................... 10
4 Parámetros eléctricos funcionales para la aplicación de varistores como dispositivos de
protección contra sobretensiones. ............................................................................................................. 13
5 Ejemplo de utilización de los parámetros eléctricos: optimización de las prestaciones de un
varistor de alta tensión. ............................................................................................................................. 16
6 Propiedades físicas macroscópicas no eléctricas relevantes para la aplicación de varistores como
dispositivos de protección contra sobretensiones: modos de fallo. ............................................................ 21
6.1 Punción. ............................................................................................................................ 22
6.2 Fractura térmica. ............................................................................................................... 23
7 Influencia del desorden ...................................................................................................................... 23
8 Referencias ........................................................................................................................................ 27

2 Varistores: Propiedades y aplicación


1 Introducción.

Los equipos electrónicos domésticos que todos utilizamos diariamente, desde la televisión al
teléfono móvil, son cada vez más sensibles en cuanto a la estabilidad eléctrica de sus condiciones de
funcionamiento. Muchos de estos aparatos electrónicos, alimentados a partir de grandes redes de
transmisión y distribución de energía eléctrica, son muy vulnerables ante los fenómenos transitorios
(sobretensiones y/o sobreintensidades de corriente) que habitualmente se producen en dichas
redes. Otros, como los teléfonos móviles, que obtienen la energía eléctrica a partir de baterías más o
menos autónomas, se mantienen acoplados al entorno mediante diversos fenómenos
electromagnéticos: en realidad los circuitos internos de estos aparatos se comportan precisamente
como una línea de distribución de energía eléctrica, amenazada por el mismo tipo de fenómenos
transitorios que las grandes redes de distribución/transmisión en baja, media, o alta tensión. Por este
motivo, los dispositivos de protección frente a fenómenos transitorios electromagnéticos han
cobrado una gran importancia a la hora de garantizar la fiabilidad del complejo entramado
tecnológico moderno.

Como ya se indicó en la introducción, los varistores son semiconductores policristalinos, cuyo


peculiar mecanismo de transporte de carga eléctrica origina unas propiedades de conducción
extremadamente no lineales. Esta no linealidad extrema permite a los varistores ejercer una
protección eficaz contra uno de los fenómenos electromagnéticos más habituales y dañinos: la
sobretensión transitoria, que consiste en que la tensión aplicada a una parte de un sistema eléctrico
excede, durante un cierto periodo de tiempo, la tensión nominal de funcionamiento de dicho
sistema, pudiendo producir la rotura del aislamiento eléctrico y la destrucción del sistema. Así, los
varistores se sitúan en un lugar destacado entre los diversos sistemas de protección de redes
eléctricas, ya sean grandes redes de transmisión en el rango de los MV, o redes internas en los
circuitos electrónicos de un teléfono móvil operando a 2V. No es difícil, por tanto, comprender su
relevancia tecnológica y económica.

El principio básico de aplicación de varistores a la protección de redes eléctricas contra


sobretensiones, es fácil de comprender con ayuda de la Figura 6.1. El varistor se diseña de manera
que en su régimen normal de funcionamiento esté sometido a un campo representado por el Punto 1
de la Fig. 6.1: entre sus terminales existirá una diferencia de potencial VC llamada “de
funcionamiento continuo”; como podemos ver en la Fig. 2, bajo tales condiciones el varistor se
comporta sustancialmente como un dieléctrico de pérdidas moderadas, i.e., a través del varistor
fluye una corriente sustancialmente capacitiva, con una pequeña componente en fase con el campo
aplicado que causa unas pérdidas de magnitud despreciable. Cuando el campo a través del varistor
aumenta y alcanza un valor umbral, representado por el Punto 2 de la Fig. 6.1 y caracterizado por un
valor umbral VB de la d.d.p. entre sus terminales, el varistor pasa de un estado aislante,
esencialmente capacitivo, a un estado conductor, esencialmente resistivo: en el Punto 2 de la Fig.
6.1, el varistor representa sustancialmente un cortocircuito en la red eléctrica, absorbiendo corriente
de la misma y limitando la tensión en el punto en el que está conectado a un valor igual al de su
resistencia multiplicada por la intensidad de corriente que lo recorre.

3 Varistores: Propiedades y aplicación


En este capítulo, comenzamos resumiendo los mecanismos de aparición y propagación de
sobretensiones en sistemas eléctricos. A continuación, introducimos al lector en la naturaleza,
características generales y parámetros destacados de los materiales varistores, para exponer
finalmente los fundamentos de la aplicación de varistores a la protección contra sobretensiones.

10
campo eléctrico - E (kV / cm )

Punto 2

UB
Punto 1 Punto 3
1

onda de sobretensión

0,1

-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3
10 10 10 10 10 10 10 10 10 10
2
densidad de corriente - J (A / cm )

Figura 6.1. Característica J–E de un varistor comercial. En el Punto 1, el campo a través del varistor es debido a
una d.d.p. VC entre sus terminales. En el punto 2, la d.d.p. en bornes ha aumentado hasta un cierto valor VB y el
dispositivo conmuta a un estado conductor.

Figura 6.2. Oscilograma típico de un varistor en el Punto 1 de la Fig. 6.1: el dispositivo está actuando en
régimen capacitivo, consumiendo una potencia despreciable (0.017W). Siendo las ondas de tensión y corriente
armónicas, con distorsión armónica total <0.5%, la componente resistiva de la corriente se calcula como
2P/Vmáx≈12µA.

4 Varistores: Propiedades y aplicación


2 Transitorios electromagnéticos en redes eléctricas.

Las sobretensiones transitorias son fenómenos electromagnéticos caracterizados por un


súbito aumento de la diferencia de potencial entre dos conductores, la cual alcanza valores que
superan los máximos previstos para el sistema y, por tanto, causa la destrucción del mismo [3,4].
Este tipo de fenómenos transitorios se puede originar de diversas maneras, siendo las más
importantes las tres siguientes [4,1-9]:

2.1 Sobretensiones atmosféricas.

Originadas por impactos de rayo directos al sistema (ya sea a un conductor, elemento metálico
estructural, o a cualquier otra parte del sistema), o por inducción debida al impacto de rayos en las
inmediaciones del sistema. Cada uno de estos fenómenos es fuente de un conjunto de ondas viajeras
que se propagan por el circuito, cuyas amplitudes iniciales pueden ser enormes, dado que cada
impacto de rayo puede inyectar corrientes de 100 kA o más en una línea eléctrica.

- En el caso de impactos directos [3,4], la velocidad de aumento de la sobretensión en


el frente de ondas es, en su origen, directamente proporcional al correspondiente parámetro
de la corriente del rayo, que bien puede superar los 100 kA/μs. Esto es debido a que, en este
punto inicial, el valor de la tensión es simplemente el producto de la intensidad de corriente
inyectada en la línea por su impedancia de onda [3,4,1]. Este caso se da con frecuencia en las
redes de transporte y distribución de energía eléctrica, pero es evidentemente infrecuente
en los sistemas electrónicos domésticos o teléfonos móviles.

- En el caso de impactos en las inmediaciones de la red el fenómeno es más complejo y


los cálculos más complicados [3,4,1,2,7,8]. La descarga atmosférica es fuente de un campo
eléctrico, llamado campo inductor, con dos componentes:

A
Ei  E e, i  E m ,i     . (6.1)
t

La primera es el potencial escalar inductor, creado por la carga residual en el impacto de


retorno, mientras que la segunda es el potencial vector inductor, creado por la corriente de
retorno. A partir de aquí, la integral de línea del campo eléctrico (1) proporcionaría la tensión
inductora Vi(r,t) en la red eléctrica. Pero, desde luego, eso no es todo: uno mediría esta
tensión inductora sólo en ausencia de cualquier tipo de conductor. El valor de la tensión
inductora en puntos distintos, a diferentes distancias a lo largo de la línea, será distinto y,
siendo la línea un buen conductor, estas diferencias de potencial tenderán a igualarse por
medio del flujo de corrientes. Por tanto, el voltaje que puede realmente medirse y contra el
cual hay que proteger los distintos equipos conectados a la red, será diferente de Vi(r,t). Su

5 Varistores: Propiedades y aplicación


cálculo es complicado e involucra la solución de una ecuación de ondas en la que Vi(r,t)
aparece como término inhomogéneo [3,4,1,2,7,8]:

1  2V 1  2Vi
V    . (6.2)
c 2 t 2 c 2 t 2

La ecuación se transcribe sólo por completitud: su solución es, como salta a la vista, compleja
e intrínsecamente dependiente del modelo desde el primer momento (desde el propio
cálculo del potencial inductor). Docenas de casos específicos han sido analizados y pueden
encontrarse en la literatura [2-9]. No obstante, para lo que concierne a este breve resumen,
la conclusión final es: una onda de sobretensión ha aparecido en el sistema y se propaga a
velocidad próxima a la de la luz. Evidentemente, esta onda no puede “tener información”
sobre lo que le espera al final de la línea a varios kilómetros de su origen y se propaga con
mayor o menor atenuación y distorsión hasta que llega al punto en el que se encuentra el
equipo sensible y, por tanto, los varistores que deben protegerlo contra la onda de
sobretensión incidente. Cómo actúa dicha protección será el objeto del siguiente epígrafe.

En general, los frentes de onda de valores muy altos quedan pronto cortados por la
ruptura dieléctrica de los sistemas de aislamiento. De este modo, ondas viajeras con frentes
de onda muy abruptos (i.e., con dV/dt muy grande) alcanzan frecuentemente los equipos
conectados a la red (v.g., transformadores), sometiéndoles a solicitaciones que, casi siempre,
exceden sus capacidades: la protección, no sólo contra sobretensiones en general, sino
específicamente contra sobretensiones de frente de onda escarpado, será uno de los puntos
que discutiremos a la hora de caracterizar las prestaciones de un varistor. Lo cierto es que,
desde su origen, la onda que se propaga por la red se atenúa y distorsiona debido,
básicamente, a las pérdidas en los conductores, efecto corona, conductividad finita del suelo
y cambios locales en los parámetros que definen la impedancia de onda de la red. De este
modo, la variedad de formas de onda de sobretensión que pueden alcanzar los puntos
sensibles de la red y a las que, por tanto, debe hacer frente el sistema de protección, es
ilimitada.

2.2 Sobretensiones de maniobra o conmutación.


Generadas por efecto de los cambios bruscos en las condiciones de carga del sistema [3,4]. El
ejemplo clásico es la apertura de un interruptor o, más aún, la actuación de un sistema limitador de
sobreintensidad (v.g., un fusible), que fuerce la extinción de la corriente antes de su paso natural por
cero: cualquiera de estas maniobras produce en la red severos transitorios de sobretensión, así como
la liberación de grandes cantidades de energía previamente almacenadas en los campos
electromagnéticos correspondientes [4]. A todo ello deben hacer frente los varistores. Cabe notar
que este tipo de fenómenos son especialmente frecuentes y dañinos en redes de baja tensión y, más
específicamente, en sistemas electrónicos domésticos e industriales.
6 Varistores: Propiedades y aplicación
2.3 Sobretensiones inducidas por acoplamiento electromagnético.
Este caso es en realidad una combinación de los dos anteriores: se trata de todos aquellos
fenómenos transitorios inducidos en un sistema eléctrico por un mecanismo idéntico al descrito para
las sobretensiones atmosféricas inducidas, pero cuyo origen no se encuentra en la descarga de un
rayo sino en el entorno radioeléctrico en el que está instalado el sistema. Este punto entra de lleno
en el muy discutido asunto de la compatibilidad electromagnética y, por lo que toca al presente
trabajo, basta con apuntar que cualquier maniobra en un sistema eléctrico puede, por acoplamiento
capacitivo a radiado, perturbar otro sistema vecino, generando una sobretensión.

La variedad de sistemas de protección desarrollados a lo largo del tiempo para proteger los
equipos conectados a las redes eléctricas contra estos fenómenos, las peculiaridades, ventajas e
inconvenientes de cada uno de ellos y la sucesión de tecnologías involucradas en su diseño y
fabricación podrían ocupar todo un libro. Nos limitaremos a reseñar, por su relevancia en posteriores
secciones, que todos ellos adolecían de un problema común: la lentitud e inadecuación de su
respuesta ante transitorios escarpados (entendiendo por tales, sobretensiones propagadas por la red
y cuyo frente de onda presenta una pendiente muy elevada).

3 Aplicación de varistores a la protección contra sobretensiones en


equipos conectados a redes eléctricas.

3.1 Generalidades.
Consideremos la situación representada en la Figura 6.3. Una onda de sobretensión,
originada en el punto A como consecuencia de cualquiera de los eventos mencionados en la sección
6.2, se propaga por una red eléctrica y amenaza con alcanzar el equipo sensible situado en el punto
C. Ubicado en el punto B, entre el origen de la perturbación y el equipo a proteger, encontramos un
“pararrayos”, cuyos principios de funcionamiento y proceso de actuación pretendemos describir. El
pararrayos no es sino un varistor encapsulado en un recubrimiento aislante y dotado de un
recubrimiento y del conjunto de elementos mecánicos que permiten su instalación en la red
eléctrica. Para fijar ideas, supongamos que la distancia entre los puntos B y C es de 30m, como
aparece en la Figura 3.

7 Varistores: Propiedades y aplicación


Figura 6.3. Representación esquemática de una onda de sobretensión propagándose por una línea hasta
alcanzar un equipo sensible, protegido por un pararrayos. US≡onda de sobretensión; Ures≡tensión máxima en
bornes del pararrayos, relacionada con la tensión máxima en el equipo a proteger por la distancia de
separación entre ambos (y la inductancia del cable que los une, efecto no tenido en cuenta en esta figura).

Pasemos ahora a la Figura 6.1, en la que se presenta la respuesta I-V de un típico varistor
comercial, obtenida mediante los procedimientos desarrollados por los autores y que describiremos
en las siguientes secciones. Nótese que la curva se ha obtenido en parámetros intensivos, i.e.,
representa en realidad una característica de densidad de corriente frente a campo eléctrico. El
campo eléctrico correspondiente al punto marcado como Punto 2 en la Figura 6.1 es el campo de
conmutación entre los estados “aislante” y “conductor” del dispositivo y, para fijar ideas,
supondremos que corresponde a un voltaje total (marcado Ub en la Figura 6.1) de 40 kV a través del
dispositivo pararrayos representado en la Figura 6.3. Asimismo, supondremos que en el régimen
operativo normal el pararrayos se encuentra en un punto tal y como el Punto 1 de la Figura 6.1 en el
que, como fácilmente se puede apreciar a partir de las Figuras 6.1 y 6.2, el comportamiento del
varistor es, a todos los efectos, aislante: no sólo la corriente total que fluye a su través es
extraordinariamente pequeña sino que, de hecho, es esencialmente capacitiva, como la que se
podría encontrar en cualquier aislador.

En la Figura 6.3, una onda viajera de sobretensión, con una pendiente de 100 kV/μs (valor
este muy prudente pues, en realidad, los valores alcanzados suelen ser mucho mayores, del orden de
1000 kV/μs), alcanza la localización del pararrayos en el instante t=0 μs y comienza a elevar la tensión
en el mismo a un ritmo de 100 kV/μs . Hasta ese momento, la onda se ha propagado por la red, con
mayor o menor atenuación y distorsión desde su origen en el punto A. Cuando la perturbación
alcanza B, en t=0, encontrando a los varistores en el estado 1 de la Figura 6.2, la onda no ve nada
anormal: el pararrayos se comporta como un circuito abierto, y no tiene lugar fenómeno alguno de
refracción o reflexión. En t=0.1μs, la onda alcanza el equipo situado en el punto C el cual, por lo
común, constituye una muy alta impedancia, i.e., casi un circuito abierto. En estas condiciones,
cuando la onda llega a C, la tensión en dicho punto comienza a crecer a un ritmo de 200 kV/μs,
debido a los bien conocidos fenómenos de reflexión y refracción de ondas en extremos abiertos
[3,4]. En el mismo instante t=0.1μs, una onda reflejada desde C, con una pendiente de 100 kV/μs,
comienza a viajar de nuevo hacia el punto B, donde se encuentra el pararrayos, alcanzándolo en
t=0.2μs. En este momento, la tensión en el pararrayos comienza a crecer, no ya a 100 kV/μs sino a
200 kV/μs. Así, la diferencia de potencial entre los extremos del pararrayos alcanza la tensión de

8 Varistores: Propiedades y aplicación


conmutación de 40 kV en t=0.3μs. En ese momento nos encontramos en el Punto 2 de la Figura 6.1:
la tensión correspondiente (marcada Ub en la Fig. 6.2) se suele llamar “tensión de conmutación” o,
más impropiamente, “tensión de ruptura” [92,94]. A partir de ese instante la onda trata de seguir
aumentando la tensión del punto B respecto a tierra pero, simplemente, no puede: la impedancia del
pararrayos está cambiando a ritmo vertiginoso, manteniendo la diferencia de potencial entre sus
extremos prácticamente constante, y extrayendo de la red (a costa de la carga inyectada por la onda
de sobretensión) la corriente necesaria para mantener esta situación. El estado del pararrayos se
desplaza, en un tiempo de conmutación de nanosegundos (de cuya caracterización eléctrica
macroscópica nos ocuparemos en la sección 6.3.2), desde el Punto 2 hasta el Punto 3 de la Figura 6.2.
Desde luego, en esa excursión el elemento activo del dispositivo de protección (¡el varistor!) está
absorbiendo grandes cantidades de energía que están siendo suministradas por la perturbación. La
tensión en bornes del pararrayos se mantiene prácticamente constante a partir de este momento.
Desde el punto de vista general de la teoría de transitorios en sistemas eléctricos, para mantener su
voltaje a 40 kV en contra de la onda incidente (que, recordemos, crece ahora a 200 kV/μs en el
emplazamiento del pararrayos), el elemento activo del pararrayos emite una onda de tensión de –
200 kV/μs que se propaga en ambas direcciones hasta alcanzar el punto C en t=0.4 μs, pasando en
ese momento, por causa de la refracción en el “circuito abierto” (que, como hemos dicho, constituye
el equipo a proteger), a convertirse en una onda de –400 kV/μs. Así, la tensión total en las
terminales del equipo cae a un ritmo de 200 kV/μs a partir de ese instante: el valor de cresta
alcanzado en el equipo ha sido de 60 kV por un breve tiempo y, a partir de ahí, queda limitado a los
40 kV impuestos por el pararrayos durante el resto de la perturbación. La Figura 6.4 muestra un
resumen de los acontecimientos que han tenido lugar tanto en el pararrayos como en los terminales
del equipo a proteger.

60

50

40
voltaje - kV

30

20

voltaje en el pararrayos
10
voltaje en el transform ador

-0,1 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8

tiempo - s

Figura 6.4. Evolución del voltaje entre terminales del pararrayos y del equipo al que protege, el cual soporta
una tensión superior a la de descarga del pararrayos, debido a distancia entre ambos y al tiempo finito de
propagación de la perturbación. Existe otra fuente de sobretensión, no considerada en el presente análisis, que
puede elevar aún más el voltaje en los terminales del equipo sensible con respecto a la tensión de descarga del
pararrayos: la inductancia parásita del cable que los une.

9 Varistores: Propiedades y aplicación


Para terminar, conviene hacer aquí una sutil distinción. Una cosa son aquellas propiedades
de los varistores de ZnO que los convierten en elementos idóneos para su empleo como dispositivos
de protección contra sobretensiones, suponiendo que el dispositivo es, por lo demás, perfecto: esto
es, principalmente, la característica I-V mostrada en la Figura 6.2. Otra cosa son las propiedades que
permitirán al varistor enfrentarse a las “solicitaciones colaterales” que sobre este dispositivo pueden
aparecer en el ejercicio de su función [6-33]. Como veremos más adelante, estas solicitaciones
pueden llegar a ser dominantes a la hora de imponer parámetros de proceso cerámico y criterios de
diseño relativos al producto final, i.e., al pararrayos. En este sentido insistamos en que, cuando un
varistor actúa, está absorbiendo energía en cantidades que, de hecho, pueden llegar a ser muy
grandes: en realidad, esta absorción de energía es también parte de su función de protección.
Adicionalmente, durante toda su vida útil está sometido a la tensión normal de red y conduciendo,
por tanto, una cierta corriente de fuga, aunque sea pequeña, que puede comprometer su estabilidad
térmica. Pues bien, los principios generales que rigen la degradación, pérdida de propiedades y
eventual destrucción de los varistores, son de la máxima importancia, pues de nada servirían estos
dispositivos si no pudieran instalarse de forma fiable y permanente en los sistemas eléctricos.

Debemos subrayar aquí y ahora que no existen, en un varistor, parámetros verdaderamente


independientes: obtener un varistor que ofrezca las prestaciones adecuadas en términos de su
característica I-V, no es independiente de conseguir un varistor que satisfaga también el resto de
solicitaciones. Existen numerosos parámetros de proceso e, incluso, de formulación básica, que
afectan a diversas facetas de forma simultánea. Sin embargo, desde el punto de vista de la ingeniería
del producto final, encontramos especialmente útil separar ambas variantes de las prestaciones del
varistor (la respuesta eléctrica “aséptica” y la respuesta termomecánica derivada de las solicitaciones
energéticas), pues los métodos de caracterización aplicables son, en efecto, muy diferentes. De
hecho, la filosofía de caracterización y control que describimos en el presente trabajo se basa de
manera directa en esta separación, y en la distinta influencia que las variables de proceso pueden
ejercer sobre uno u otro aspecto del comportamiento de la muestra.

3.2 Comportamiento inductivo intrínseco en el régimen de ruptura: su


influencia e impacto sobre el diseño de protecciones.

La sobreoscilación inicial en voltaje y la aparición de capacidades negativas son fenómenos


interesantes y de gran importancia práctica [337,92-97]. En el caso de la aparición de capacidades
negativas, el origen del fenómeno se encuentra en el mecanismo de transporte en régimen de
ruptura; en el caso de la sobreoscilación inicial en voltaje el origen del fenómeno no se comprende
del todo, y parece estar asociado al pequeño retardo intrínseco al disparo de los mecanismos
dinámicos de transporte y reducción de la altura de la barrera. En ambos casos, la consecuencia
práctica más relevante es la aparición de un comportamiento esencialmente inductivo [10,11],

10 Varistores: Propiedades y aplicación


especialmente acusado cuando el frente de onda de sobretensión es muy abrupto [92-97]. Y, por
ello, los fenómenos en cuestión, nacidos de los detalles microscópicos del mecanismo de transporte
bajo campos elevados, resultan ser de una especial relevancia funcional, pues la correcta aplicación
de varistores requiere el conocimiento de su respuesta ante las perturbaciones que se propagan con
frentes de onda muy abruptos (en el rango de 10 kA/μs).

Como hemos dicho en los capítulos anteriores, la respuesta dinámica de los bordes de grano
viene controlada por los tiempos de relajación para la carga atrapada en la interfase y en trampas
profundas, y por el tiempo de recombinación de portadores minoritarios atrapados en la interfase
(huecos) y portadores mayoritarios (electrones). Los retardos en el llenado y vaciado de los estados
de interfase y trampas modulan la respuesta dinámica en el BG, que deviene retardada con respecto
al potencial aplicado. Los efectos de este posible retardo en el disparo de los mecanismos de
conducción son fáciles de entender: supongamos una situación como la descrita en §2.3.1, pero en la
que el frente de onda incidente tenga una pendiente de más de 1000 kV/μs; la situación
evolucionaría como en §2.3.1, salvo que la tensión de conmutación VB se alcanzaría en el pararrayos
en menos de 30ns, i.e., el pararrayos pasaría del Punto 1 al Punto 2 de la Fig. 2 en unos pocos
nanosegundos; en estas circunstancias, a pesar de haber entrado ya en el codo de conmutación, el
material aún tardaría un cierto tiempo en poder desencadenar los mecanismos que llevan al colapso
de las barreras y a la conducción en régimen de alta corriente. El tiempo adicional necesario es del
orden de algunos nanosegundos, pero es suficiente para que la rapidísima sobretensión incidente
tenga tiempo de crecer por encima del valor “de descarga” (correspondiente al Punto 3 de la Figura
2), al que finalmente se verá reducida cuando el pararrayos conmute por fin a su estado de alta
conducción. En consecuencia, aparecerá entre los terminales del varistor una sobreoscilación inicial
en la onda de voltaje (Figura 6.5) y la sobretensión máxima en bornes del equipo protegido no estará
en fase con la corriente descargada, sino que se adelantará al máximo de dicha corriente
(comportamiento inductivo). Además, la amplitud de esta sobretensión no será la correspondiente a
la corriente máxima descargada de acuerdo con la correspondiente curva I-V, sino que será superior,
tanto más grande cuanto más abrupta sea la pendiente de crecimiento del voltaje en el frente de
onda y cuanto mayor sea el retardo de la conducción. El resultado final equivale a un carácter no
univaluado de la característica I-V: en la Figura 6.5 vemos que, para un mismo valor de corriente,
existen dos valores distintos de voltaje: uno en el frente de la onda (que sería el afectado por el
retardo en el disparo del mecanismo de conducción) y otro en la cola (que sería el valor que
podríamos considerar como natural o intrínseco al dispositivo, una vez plenamente alcanzado el
régimen de alta conductividad). La sobreoscilación está adelantada con respecto a la onda de
intensidad y, por tanto, es equivalente a un efecto inductivo. Por este motivo, la primera
preocupación al intentar obtener una caracterización fiable de la respuesta de un varistor en este
régimen es eliminar todo efecto inductivo parásito de los circuitos y sistemas de medida [96], a fin de
poder aislar el efecto intrínseco al varistor; por ejemplo, la propia longitud de la muestra introduce
una inductancia en el circuito que produce un efecto de sobreoscilación similar al descrito. En §7.X
planteamos la descripción cuantitativa del fenómeno y describimos los métodos experimentales
desarrollados para discriminar entre todos los efectos inductivos externos o parásitos y el efecto
inductivo intrínseco debido a la dinámica retardada en BG.

11 Varistores: Propiedades y aplicación


Figura 6.5. Ilustración del carácter no univaluado de la característica I-V cuando los tiempos de reacción
involucrados se encuentran en el rango de ns: el impulso de la figura crece a un ritmo de casi 10kA/µs, de
modo que el varistor debería haber sido capaz de experimentar la transición aislante-conductor en menos de 1
ns (1 ns después del inicio del impulso debería estar conduciendo 10 A). En este régimen los retardos en la
caída exponencial del potencial barrera debidos a los tiempos de relajación de la carga atrapada en BG y de
recombinación de pares electrón-hueco, se manifiestan a nivel macroscópico de manera espectacular.

La Figura 6.5 ilustra la naturaleza multivaluada de la característica I-V dinámica, i.e., obtenida
bajo condiciones no estacionarias. En el siguiente capítulo describiremos los circuitos y sistemas de
medida (altamente no estándar) que hemos diseñado para medir este tipo de respuestas. Lo
importante ahora es ver cómo el valor del voltaje a través del varistor (para un mismo valor I0 de la
corriente que lo atraviesa) es mayor cuando se mide en el frente de la onda (V1) que cuando se mide
en la cola (V2). La magnitud de este fenómeno se cuantifica mediante la obtención de una curva de
sobreoscilación inicial en voltaje frente a tiempo hasta la cresta de corriente para un valor máximo
fijo de la amplitud de la onda de corriente inyectada en la muestra [104].

12 Varistores: Propiedades y aplicación


4 Parámetros eléctricos funcionales para la aplicación de
varistores como dispositivos de protección contra
sobretensiones.

Desde un punto de vista práctico, directamente relacionado con el diseño de protecciones


para sistemas eléctricos, la característica I-V (o, en parámetros intensivos, J-E) completa de un
varistor (véase Figura 6.6) presenta tres zonas diferenciadas: (i) la región de corrientes de fuga; (ii) la
región de conmutación y, por último, (iii) la región de alta corriente (o “de remonte”). Estos tramos
quedan conectados entre sí por medio de dos codos: (i) el codo de conmutación, donde comienza la
transición del varistor entre el estado capacitivo de alta resistencia y el resistivo de alta
conductividad; (ii) el codo de remonte, donde las propiedades del elemento pasan de ser “borde-de-
grano-dominadas” a ser “grano-dominadas”, i.e., controladas por la resistividad del interior de grano
en el material. Las tensiones correspondientes a puntos en el codo de conmutación se suelen llamar
tensiones de referencia; así, v.g., la tensión de referencia a 0.38 mA/cm2 constituye un típico
parámetro de control en la producción industrial. Se suele utilizar el apelativo “de descarga” para las
tensiones y corrientes del codo de remonte y la región de alta corriente, en referencia a que el
varistor sólo alcanza estas regiones de su característica I-V durante las operaciones de descarga a
tierra de sobretensiones transitorias (véase secc. 6.3). También es muy habitual, sobre todo en el
contexto de ingeniería de pararrayos, referirse a las tensiones en esta región con el calificativo de
“tensiones residuales”: son los voltajes que el dispositivo “dejará pasar” (según lo visto en la sección
anterior) a los terminales del equipo protegido y, por tanto, su valor a diferentes corrientes de
descarga constituye uno de los parámetros clave de protección.

corrientes de fuga región de conm utación alta corriente

10
cod o de rem onte

codo de conm utación


campo elé ctrico - E (kV / cm )

UB
Ures @ 10 kA
1
Uc

0,1

-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3
10 10 10 10 10 10 10 10 10 10
2
densidad de corrie nte - J (A / cm )

Figura 6.6. descripción de las distintas regiones de funcionamiento de un varistor. (i) UC corresponde a algún
punto en la zona de corrientes de fuga; (ii) UB es el voltaje correspondiente a algún punto en el codo de
conmutación, cuya definición exacta difiere entre diversos autores (véase §4.1.1); (iii) la tensión
correspondiente a una corriente de 10 kA es un parámetro de control estándar.

13 Varistores: Propiedades y aplicación


La curva I-V aporta algunos de los parámetros críticos de funcionamiento del varistor:

- Tensión de conmutación (o “tensión de ruptura”) VB. La definición de este parámetro difiere


notablemente entre distintos autores. En ingeniería de protecciones para sistemas eléctricos, se
suele definir como la tensión correspondiente a una densidad de corriente (d.c. o a.c.-valor cresta)
de 0.38 mA/cm2 (que corresponde a 5mA en un varistor de diámetro 4.2cm) y se designa como
tensión de referencia. En el resto de contextos, se suele definir VB como la tensión correspondiente a
una densidad de corriente (d.c. o a.c.-valor cresta) de 1mA/cm2. Alternativamente, se puede definir
como la tensión correspondiente al valor máximo de la función α(V) y, en ese caso, se acostumbra a
llamar “coeficiente de no linealidad, α” al valor α=α(VB).

- Coeficiente de no linealidad α:

d (ln I )
   (V )   ( I )  (6.3)
d (ln V )

La función α contiene la información operativa sobre el carácter no lineal de la conducción a través


del varistor.

- Tensiones residuales y de referencia. Factor de codo y factor de bloqueo.


VQkA := tensión residual a Q kA (valor cresta), medida con un pulso de pendiente en el frente
de onda ≤ 1 kA/µs para evitar efectos espúreos debidos a la sobreoscilación inicial en voltaje.
El valor correspondiente a 10 kA (V10kA) se designa por convenio como la tensión nominal de
descarga del elemento.

● VNmA := tensión de referencia a N mA (valor d.c. o a.c.-cresta). Valores típicos para N son 5
mA, 20 mA ó el valor correspondiente a 1mA/cm2.

● FC ≡ factor de codo ≡ VXmA / VYmA, donde X mA es un punto (elegido normalmente como el


correspondiente a 0.38 mA/cm2) que está claramente dentro del codo de conmutación y Y
mA (elegido normalmente entre 0.09-0.10 mA/cm2) es un punto que está al principio del
codo de conmutación. Este parámetro cuantifica el carácter pronunciado del codo de
conmutación: cuanto más próximo sea a 1, más acentuado es dicho codo (más parecido a un
ángulo recto).

14 Varistores: Propiedades y aplicación


● FB ≡ factor de bloqueo ≡ V10kA / VNmA; se trata de un parámetro que cuantifica la no-
linealidad de la característica I-V y aporta información sobre la bondad del varistor como
dispositivo de protección. Valdría 1 si el codo de conmutación fuera un ángulo recto, la
región de conmutación fuera perfectamente plana y la relación de resistividades entre
granos y BGs fuera tal que la corriente 10 kA estuviera aún en la zona controlada por los BGs,
antes del codo de remonte. El valor del FB (siempre mayor que 1) es una cuantifica en qué
medida las condiciones anteriores no se cumplen, pero sin distinguir entre ellas. La reducción
en el valor del factor de bloqueo indica siempre una mejoría global en las prestaciones del
elemento.

- Corriente de fuga. Es la corriente (valor total o sólo componente resistiva) correspondiente a un


voltaje convencionalmente igual al 80% de VB. Proporciona una indicación acerca de la resistividad de
los bordes de grano antes del codo de conmutación y, por tanto (véanse capítulos 4 y 5) sobre la
altura inicial de las dobles barreras Schottky en las interfases.

- Máxima Tensión de Funcionamiento Continuo (MTFC) VC. Se trata de un parámetro de la máxima


relevancia práctica y cuya definición es no es en absoluto directa ni trivial: el valor de la MTFC para
una muestra determinada se establece en función del resultado de un experimento de
envejecimiento acelerado establecido en la normativa internacional [Ref.5-Cap.5, 12, 13] vigente,
cuyo montaje e interpretación son bastante complicados. En el Capítulo 8 estudiaremos en cierto
detalle este parámetro, así como los experimentos conducentes a su definición.

- Resistencia de fuga. La componente resistiva de la corriente en la región de corrientes de fuga es


aproximadamente constante, correspondiendo a una resistencia equivalente en borde grano que se
mantiene estable (del orden de 1012Ω para bordes de grano eléctricamente activos y de buena
calidad) hasta la entrada en el codo de conmutación: estamos en la región de comportamiento lineal,
al principio de la respuesta I-V, caracterizada por la conductividad Gbt de la interfase [véase ec. (4.42)
y Fig. 5.1]. Pues bien, la resistencia equivalente (1/Gbt), válida en el régimen de muy bajas corrientes,
recibe el nombre de resistencia de fuga RBG;0.

15 Varistores: Propiedades y aplicación


5 Ejemplo de utilización de los parámetros eléctricos: optimización
de las prestaciones de un varistor de alta tensión.

La tensión residual nominal (tensión residual bajo impulso de corriente de amplitud igual a
10kA y forma de onda 8/20s) de un varistor se puede escribir, en general, como suma de una
contribución de los bordes de grano más una contribución que proviene del interior de los granos:

V10kA = V10kA;G + V10kA;BG (6.4)

y el FB:

FB ≡ V10kA / VNmA = (V10kA;G + V10kA;BG) / VNmA;BG; (6.5)

La teoría de aplicación de varistores a la protección de sistemas eléctricos no privilegia la


presencia de 10kA en el codo de conmutación o dentro de la región de altas corrientes: mientras
V10kA sea lo suficientemente pequeña como para proteger eficazmente los equipos, ambas opciones
parecen igualmente válidas y tienen sus aparentes ventajas: si (i) V10kA está aún en la zona borde-de-
grano-dominada, entonces V10kA;BG>>V10kA;G → V10kA≈V10kA;BG y se podrá “jugar” con su valor a base
de modificar parámetros de borde de grano (como el número de bordes de grano, su no linealidad o
la distribución estadística de buenas y malas barreras); en cambio, si (ii) V10kA está ya cerca de la zona
grano-dominada, entonces V10kA;BG>>V10kA;G → V10kA≈V10kA;G y la tensión residual nominal debería
mantenerse constante para unas dimensiones dadas del dispositivo, pudiéndose “jugar” con el FB a
base de (A) aumentar VB≡V5mA (manteniendo la misma no linealidad en el codo-región de
conmutación), (B) mejorar la no linealidad en el codo-región de conmutación (manteniendo VB
constante), o, finalmente, (C) ambas cosas a la vez. En el caso (i) (no así en el (ii)), toda actuación
sobre propiedades de bordes de grano modifica tanto V10kA como VB≡V5mA y, en principio, no tiene
porqué hacerlo en la misma proporción (i.e., los ajustes de parámetros de borde de grano no
tendrían porqué mantener constante el FB). Sin embargo, nuestros resultados indican que la mayoría
de las muestras comerciales pertenecen al caso (i), pero sus pequeñas fluctuaciones en UB≡V5mA no
alteran el FB, que se mantiene sustancialmente constante. Esta realidad empírica nos ha llevado a
una interesante conclusión: la producción industrial de varistores comerciales de alta calidad,
requiere el logro de unas condiciones de formulación, preparación de polvo precursor y proceso
cerámico lo suficientemente robustas como para que cumplan los siguientes requisitos:

(1) V10kA debe localizarse en torno al codo de conmutación, de modo que la caída de tensión en
bordes de grano domine aún sobre la caída de tensión en los granos. Esta condición es
necesaria para que el resto (2)-(4) sean útiles.

16 Varistores: Propiedades y aplicación


(2) Las propiedades de la distribución estadística de tamaños y formas de grano y de las
concentraciones relativas de bordes de grano de distinta naturaleza (i.e., los parámetros de
descripción cualitativa y cuantitativa del grado de desorden), así como la conductividad de
los granos, quedan definidos por la composición, homogeneidad del polvo precursor y del
compactado en verde y por los parámetros del tratamiento térmico.

(3) Unos pocos parámetros del tratamiento térmico permiten pequeñas variaciones, dentro de
las cuales sólo controlan el tamaño promedio de grano, sin alterar otras propiedades
microscópicas del varistor.

Bajo estas suposiciones, podemos entender que la dispersión en valores de VB,


supuestamente causada por las fluctuaciones de tratamiento térmico referidas en (3), se reflejen de
forma exactamente proporcional en V10kA de manera que el FB se mantenga casi constante:

V5mA ≡ V5mA;BG  n  V5mA  V10kA;BG  n  V10kA;BG y, por tanto,


FB ≡ V10kA / V5mA = (V10kA;G + V10kA;BG) / (VNmA;BG) ≈ V10kA;BG / VNmA;BG 
(V10kA;G + n  V10kA;BG) / (n  VNmA;BG) =
[(1/n)  V10kA;G + V10kA;BG] / VNmA;BG ≈ V10kA;BG / VNmA;BG

Nótese que si V10kA se encuentra en una zona en la que la caída de tensión en los granos es
comparable con la correspondiente a los bordes de grano, entonces el aumento en el gradiente de
tensión de referencia se refleja en el FB, mejorándose la no linealidad aparente de la característica I-
V del varistor: el FB se comporta como si la conductividad de los granos se hubiera aumentado en un
factor n. Las pequeñas fluctuaciones “remanentes” en el FB pueden achacarse influencias del
desorden estructural o a contribuciones de segundo orden del sumando V10kA;G, variables debido a
una cierta dispersión en la conductividad de los granos. En un próximo trabajo, el análisis mediante
espectroscopia de impedancia, permitirá discernir cual es el efecto dominante.

Para terminar, la Figura 6.7 pretende mostrar el enorme potencial de información que el
análisis sistemático de las curvas completas puede aportar. Para ello, en Fig. 6.7(a) se indican
posibles variaciones sobre una curva “buena” y las implicaciones microestructurales y posibles
orígenes de dichas variaciones; en Fig. 6.7(b) se presenta una típica secuencia de optimización de los
parámetros de composición y proceso de un varistor, basada en las alteraciones esperadas en la
característica I-V del dispositivo. Nótese que las “curvas” utilizadas en la Fig. 6.7 no son reales sino
construcciones ad hoc para ilustrar la potencia del procedimiento de caracterización desarrollado.

17 Varistores: Propiedades y aplicación


(2a)
4
2x10
(2b)
(3)

(2)
tensión aplicada - U (V)

4
10 3
9x10
3
8x10
3
7x10
3
6x10
3
5x10
3
4x10

3
3x10 (1)

(4)
3
2x10
10 kA
5 mA

3
10
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6
10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10

intensidad de corriente - I (A)

Figura 6.7(a): Supongamos que [(1)] es una buena curva, que presenta todas las características
(1)-(3) establecidas arriba y, en especial, cuya V10kA está lejos de la zona dominada por la
respuesta del grueso del material. En principio, nada impide que una curva con V10kA en la región
de altas corrientes sea perfectamente aceptable. En la práctica, sin embargo, la presencia de
V10kA en la región de altas corrientes suele significar que dicha región comienza demasiado pronto
(curva [(3)]), como consecuencia de (i) una resistencia demasiado alta en los granos, o bien (ii) de
que RBG cae por debajo de RG demasiado pronto, debido a que la propia RBG es demasiado
pequeña, lo cual implica corrientes de fuga muy altas: este es el caso de la curva [(4)], que
presenta la misma región de alta corriente que la curva [(3)] (misma conductividad de grano)
pero cuya región de corrientes de fuga se ha desplazado hacia la derecha con respecto a la curva
[(3)].

Nótese que la presencia de V10kA en el codo de conmutación no es, en sí misma, ninguna garantía.
De hecho, la curva [(2)] representa un caso notoriamente peor que [(1)] en el que, sin embargo,
V10kA se mantiene lejos de la región grano-dominada. Así, incluso teniendo una RG alta, poco
optimizada, caso de la variante [(2a)], la V10kA se queda en el codo de conmutación porque RBG se
mantiene también muy alta y durante un mayor rango de valores de la corriente (véase Fig. 2(c)),
de modo que a 10kA, RBG aún está lejos de caer por debajo de RG. Está bastante claro que esta
situación es desastrosa a todos los niveles: ciertamente, la mayor resistividad de los BGs
desplazará el valor del FB muy por encima de lo deseable y la lenta caída de RBG equivaldrá a una
pérdida en la no linealidad.

18 Varistores: Propiedades y aplicación


4
2x10

(1)
tensión aplicada - U (V)

4
10 3
9x10 (1)
3
8x10
3
7x10 (2)
3
6x10
3 5 mA
5x10
3
4x10

3
3x10 (3)

(2)
3
2x10

10 kA
3
10
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6
10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10

intensidad de corriente - I (A)

Figura 6.7(b): Presentamos una hipotética secuencia de optimización de un varistor


(1)→(2)→(3). (1) es la curva base, en la que V10kA se encuentra antes del codo de remonte,
i.e., V10kA ≈ V10kA;BG y FB=cte ante fluctuaciones en V5mA debidas a pequeñas variaciones en el
tratamiento térmico; (2) supone una mejoría en la no linealidad, probablemente debida a una
actuación sobre la calidad de las barreras o la distribución estadística de buenas barreras
respecto a barreras malas o óhmnicas: se supone que no se ha alterado la conductividad de
los granos y, por tanto, el efecto global se traduce en un desplazamiento del codo de remonte
hacia corrientes más pequeñas, i.e., en el desplazamiento de V10kA desde la zona BG-
dominada hasta la zona G-dominada. Así pues, en (2) estaremos en la situación en que V10kA ≈
V10kA;G y, por tanto, V10kA se hace dependiente sólo del grueso del material, i.e., de las
dimensiones macroscópicas del dispositivo; las variaciones en V5mA se reflejarán en variciones
del FB. Por último (3) refleja un esfuerzo por aumentar la conductividad de los granos y
aumentar así la no linealidad aparente del dispositivo. Nótese el subrayado en la palabra
“aparente” pues, como queda claro en la figura, la verdadera no-linealidad (la que proviene
del disparo de los mecanismos de conducción a través de los fenómenos de transporte de
carga en BG), no tiene porqué cambiar al reducir la resistividad de los granos (lo hará o no,
dependiendo de la ruta de proceso seguida, pero no tiene porqué hacerlo). Así, la mejora en
el FB producida por la reducción en V10kA aparecerá como una mejora aparente en la no
linealidad (en tanto en cuanto FB cuantifica, en cierta medida, dicha no linealidad). Nótese
que, a partir de la curva (2), un posible proyecto alternativo de mejora sería incrementar
ligeramente UB (reduciendo el tamaño promedio de grano) sin necesidad de mejorar la no
linealidad real. El máximo aumento de UB que mantiene constante V10kA (dejándolo en la zona
G-dominada) es entonces ΔUB = V10kA;curva(2) - V10kA;curva(3); por encima de este incremento, sería
necesario mejorar también la no linealidad, so pena de aumentar el valor de V10kA al
desplazarlo a la región BG-dominada.

19 Varistores: Propiedades y aplicación


8
10

10
7 resistencia típica de los granos: 0.1 
2
10 kA = 760 A / cm
6 curva {C}
10
resistencia (G + BG) - 

5
10
4
10
3
10
curva {A}
2
10 curva {B }

1
10
0
10 5 mA = 0.38 mA / cm
2

-1
10
-2
10
-4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6
10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10

corriente total - I ( A pico )

Figura 6.7(c): Podemos ver la evolución de la resistencia equivalente del varistor en un caso real
(curva {A}) y en dos casos ficticios utilizados como ilustración (curvas {B} y {C}). El caso {B}
equivale a la curva [(4)] de Fig. 2(a): la resistencia equivalente de los BGs cae muy pronto por
debajo de la resistencia del grueso del material, dando lugar a un codo de remonte muy
desplazado a la izquierda y, debido a la baja resistividad, a un incremento de las corrientes de
fuga. El caso {C} equivale a las curvas [(2a-b)] de Fig. 2(a): con independencia de que la
conductividad de los granos sea buena o mala, el mantenimiento de un régimen de alta
resistividad en BG durante un mayor rango de corrientes, hace que el codo de remonte (definido
aproximadamente por la intersección de las dos resistencias) se desplace hacia regiones de
mayor corriente.

20 Varistores: Propiedades y aplicación


6 Propiedades físicas macroscópicas no eléctricas relevantes para
la aplicación de varistores como dispositivos de protección
contra sobretensiones: modos de fallo.

Un varistor puede fallar de formas muy diversas durante el proceso de absorción de energía
inherente a la descarga a tierra de una sobretensión. Incluso aunque el fallo no sea inmediato, la
estabilidad térmica del dispositivo y su capacidad de recuperación pueden verse comprometidas
debido a que, aún tras la desaparición de la sobretensión, el varistor continúa energizado a la tensión
de red. Por este motivo, se ha dedicado gran atención a los distintos modos de fallo de varistores [6-
14,24,26,30-33] y a la relación de dichos modos con parámetros cerámicos tales como la
homogeneidad (eléctrica y microestructural) o la porosidad del elemento.

En los estudios citados más arriba, se ha llegado a identificar dos tipos predominantes de
fallo. El primero es un modo de fallo designado como “punción”: un agujero aparece literalmente
taladrado en el varistor, con signos evidentes de fusión y vaporización de material (véase Fig. 6.7).
Este modo de fallo se asocia habitualmente con el proceso de “desbocamiento térmico”, que consiste
en una paulatina y constante degradación del dispositivo, el cual absorbe cada vez más energía de la
red sin ser capaz de disiparla, calentándose y aumentado así el ritmo al que absorbe dicha energía,
hasta que, finalmente, se produce la fusión y vaporización de alguna parte del material. El segundo
modo de fallo consiste en la fractura de la muestra en dos o más fragmentos, pero sin aparición de
señales claras de daño térmico o fusión de material (véase Fig. 6.8).

Figura 6.7. Varios ejemplos de varistores de alta tensión en los que se ha producido el fallo por punción. Los
signos de fusión y vaporización del material son evidentes. Una vez que comienza a fundirse material a lo largo
del camino de corriente localizada, salta un arco eléctrico de altísima temperatura que tiende a buscar oxígeno
saliendo al exterior de la muestra, como se puede ver en las imágenes (a) y (b). En la imagen (c), en cambio, el
arco se mantuvo confinado en el interior del cuerpo cerámico y sólo se extendió al salir de él, derritiendo por
contacto el material en la superficie de la muestra.

21 Varistores: Propiedades y aplicación


Figura 6.8. Ejemplos de varistores de alta tensión en los que se ha producido el fallo por fractura térmica.
Puede apreciarse la falta de indicios de material fundido en las superficies de fractura.

Existe alguna evidencia, a partir del trabajo original de Eda [7], de que ambos tipos de fallo
ocurren cuando la absorción de energía por parte del elemento activo (el material varistor) supera un
cierto valor umbral. Esta circunstancia ha llevado al diseño de una serie de experimentos con la
finalidad de ser aplicados rutinariamente a toda una producción (o a una muestra significativa de la
misma) a modo de herramientas de control de calidad. Algunos de estos experimentos serán
descritos en el Capítulo 7. Sin embargo, en lo referente al origen microscópico preciso de cada uno
de los dos tipos de fallo, la situación es en todo similar a la descrita en el capítulo anterior con
respecto a la degradación: dicho origen no se ha identificado positivamente aún y constituye un
tópico activo de investigación. A continuación, resumimos el estado del conocimiento actual
respecto a cada uno de estos modos de fallo.

6.1 Punción.
El fallo por punción se atribuye al proceso de desbocamiento térmico antes descrito, el cual, a
su vez, se ha relacionado recientemente [30-32] con el fenómeno de aparición de corrientes
localizadas en regiones determinadas de un semiconductor policristalino. Conceptualmente, el
fenómeno se puede describir como un proceso retroalimentado: comienza con la aparición de
corrientes localizadas en algunos caminos “débiles” formados a través de la microestructura; estas
corrientes provocan un calentamiento local (por simple efecto Joule) el cual, debido a la naturaleza
térmicamente activada del transporte de carga a través de los bordes de grano, produce un ulterior
incremento de la corriente que fluye a través de dichos caminos; este incremento de corriente
produce un mayor calentamiento, que de nuevo produce más corriente ... y este proceso se
mantiene hasta que el material en el camino de la corriente se funde, causando el cortocircuito de la
muestra. Las cuestiones que esta imagen deja abiertas, tanto en varistores como en otras cerámicas

22 Varistores: Propiedades y aplicación


para aplicaciones eléctricas/electrónicas, es la identidad de los rasgos microestructurales que
desembocan en el fenómeno de localización de corriente, desencadenante de todo el proceso.

Las simulaciones y cálculos [63] demuestran que casi cualquier pequeña fluctuación
microestructural en las propiedades eléctricas o morfológicas lleva inevitablemente a la localización
de corriente, la cual se hace más intensa en el régimen de no linealidad. Sin embargo, aunque la
localización es una condición necesaria, el desbocamiento térmico no se produce a menos que el
material sea incapaz de disipar por conducción el calor localmente generado por efecto Joule. Por
tanto, la conductividad térmica del material se erige en parámetro de vital importancia a la hora de
minimizar el riesgo de fallo por punción.

6.2 Fractura térmica.


Este modo de fallo parece estar relacionado con impulsos rápidos y muy altamente
energéticos que provocan elevados gradientes de tensión mecánica en el interior del cuerpo
cerámico. Así, cuando los varistores se someten a pulsos eléctricos muy cortos (del orden de 10-
100s), pueden explotar y las correspondientes superficies de fractura resultan exhibir algunos
rasgos bien definidos. La morfología de la fractura y el número de fragmentos dependen de la
geometría de la muestra, de la energía contenida en el pulso, y, muy importante, de las ligaduras
mecánicas impuestas al varistor (por ejemplo, la presencia de cargas de compresión axiales en
varistores cilíndricos). Sin embargo, con cierta generalidad se puede afirmar, para muestras de
geometría cilíndrica, que si el varistor es “bajo” (altura pequeña comparada con su diámetro) suele
romper con superficies de fractura radiales, mientras que si el varistor es alto suele partir por la
mitad cerca del plano ecuatorial. Todos los indicios apuntan a que este tipo de fallo se produce por
fractura mecánica a partir de defectos ya existentes y bajo condiciones esencialmente adiabáticas. La
extensión temporal del pulso que inyecta la energía en el material es tan pequeña que el varistor se
calienta muchísimo más rápido de lo que se puede expandir isotérmicamente: esto genera una onda
de compresión longitudinal dentro del varistor que, al reflejarse en sus extremos, se convierte en una
onda de tensión mecánica, la cual resulta alcanzar un máximo en el plano central de un varistor
cilíndrico [8,12,14].

7 Influencia del desorden

Las medidas efectuadas sobre muestras de laboratorio (preparadas en condiciones


extremadamente controladas) o sobre bordes de grano individuales mediante la utilización de
diversos sistemas de microcontacto [58-61] pusieron de manifiesto la notable insensibilidad de la
tensión de conmutación VB, respecto a algunos detalles de formulación y proceso. Rutas de
preparación distintas y aditivos diferentes conducen a dramáticos cambios de propiedades en la
región de corrientes de fuga y codo de conmutación, pero tienen un impacto muy inferior a partir de
la región de conmutación, presentando valores similares para VB. Muy pronto, sin embargo, el
trabajo pionero de Emtage [52] evidenció las diferencias entre las propiedades de bordes de grano
individuales y las propiedades de una muestra macroscópica. Incluso si todos los bordes de grano son

23 Varistores: Propiedades y aplicación


eléctricamente idénticos, la inevitable distribución estadística de tamaños de grano introduce
caminos preferentes entre electrodos, formados por granos de mayor tamaño, que causan una
reducción del 30%-50% en la VB macroscópica con respecto al producto del tamaño medio de grano
por la VB microscópica de un borde de grano individual (medida mediante microcontactos).
Posteriormente, los exhaustivos trabajos de caracterización de interfases individuales en muestras
realistas [58-61], mostraron cómo las propiedades eléctricas de bordes de grano pertenecientes a la
misma muestra podían ser muy diferentes, y establecieron la naturaleza plural del desorden
presente en todo semiconductor cerámico policristalino: (i) desorden meramente estructural, debido
a la distribución estadística de tamaños y formas de grano y orientaciones de las interfases, y (ii)
desorden eléctrico que proviene de la presencia de interfases con propiedades eléctricas diversas,
formando subestructuras capaces de percolar a través de toda extensión macroscópica entre
electrodos y de dominar así la respuesta eléctrica del dispositivo. Esta situación se reflejará en mayor
medida en aquellas propiedades que estén directamente relacionadas con los bordes de grano; todo
lo relativo a la conductividad de los granos constituye una propiedad del grueso del material y
debería ser sustancialmente insensible a la distribución de tamaños de grano y de tipos de interfases.
Así, tal y como se indica en la Tabla 1, el desorden se refleja de forma muy distinta en las diferentes
regiones de la característica I-V de un varistor:

• Región de corrientes de fuga y codo de conmutación. En estas regiones la caída de tensión en


los granos de ZnO es despreciable y la sensibilidad ante las distintas formas de desorden es
máxima. Toda la tensión aplicada aparece, precisamente, a través de los bordes de grano:
VNmA = VNmA;BG.

• Región de conmutación y codo de remonte. Aquí la caída de tensión total se reparte entre los
granos y los bordes de grano, de manera que VQkA= VQkA;G + VQkA;BG. En estas condiciones, la
importancia relativa de cada uno de los dos sumandos (que es función del voltaje aplicado,
de la conductividad de los granos y de la característica de las interfases) determinará el grado
de sensibilidad ante el desorden .

• Región de altas corrientes. La tensión total aplicada aparece por completo en los granos de
ZnO: VQkA= VQkA;G. En principio, desde el punto de vista eléctrico, esta región es totalmente
insensible al grado de desorden y depende tan sólo de las dimensiones físicas globales del
dispositivo. Semejante afirmación debe, no obstante, ser matizada: la conductividad de los
granos depende, en última instancia, de parámetros de formulación y proceso tales como la
presencia de impurezas donadoras y el correcto suministro de la energía térmica necesaria
para activar su difusión hacia el interior de los granos; estos mismos parámetros pueden
influenciar severamente el grado de desorden presente en la muestra y, por tanto, pueden
aparecer correlaciones indirectas entre ambas propiedades.

Diferentes experimentos han indicaron de forma consistente que las curvas I-V
correspondientes a bordes de grano individuales pueden ser agrupadas en tres conjuntos
razonablemente bien definidos: (A) buenos bordes de grano (buenas barreras): eléctricamente
activos, con resistencia de fuga elevada, VB≈3.3-3.7 V y alto coeficiente de no linealidad [tipo §5.4(a)-
(b)-(c)]; (B) malos bordes de grano (malas barreras): eléctricamente activos pero con resistencia de

24 Varistores: Propiedades y aplicación


fuga mucho más pequeña, tensión de conmutación ligeramente inferior VB≈3.0-3.4 V y bajo
coeficiente de no linealidad [principalmente tipo §5.4(c)]; (C) bordes de grano eléctricamente
inactivos, sin estructura de doble barrera Schottky, con respuesta I-V lineal (óhmnica) caracterizada
por una resistencia que presenta grandes variaciones, desde valores comparables a la resistencia de
fuga de los buenos bordes de grano (que constituyen, por tanto, auténticas barreras aislantes que se
mantienen durante todo el rango de voltajes aplicados), hasta valores casi “de cortocircuito”, como
los habitualmente encontrados en microuniones del tipo §5.4(d).

La discrepancia entre la tensión de conmutación por grano medida directamente en


experimentos microscópicos sobre bordes de grano individuales (3.3-3.7 V) y la calculada a partir del
valor macroscópico y del tamaño medio de grano (típicamente ~2.5V), se atribuye a la distribución de
tamaños y formas de grano (desorden estructural) y, en menor medida, a la presencia de
microuniones óhmnicas (desorden eléctrico). En cambio, la pérdida de no linealidad en muestras
macroscópicas, manifestada tanto en la reducción de α(I) (pérdida de no-linealidad verdadera, i.e.,
“redondeo” del codo de conmutación) como en el aumento del FB (pérdida de no-linealidad
aparente, i.e., desplazamiento del codo de remonte hacia la izquierda), sólo parece atribuible al
desorden eléctrico, i.e., al predominio de las propiedades de los malos bordes de grano sobre las de
los buenos bordes de grano, siendo este aspecto esencialmente insensible a la presencia de
interfases de característica óhmnica. Nótese que esto implica que una mejora en las propiedades de
un determinado varistor no requiere, normalmente, mejorar las propiedades de bordes de grano
individuales (que ya pueden ser suficientemente buenas), sino por aumentar la cantidad relativa de
buenos bordes de grano sobre malos bordes de grano y mejorar la homogeneidad de su distribución
geométrica. La Tabla 1 resume la influencia de los distintos aspectos del desorden eléctrico y
estructural sobre diversos fenómenos y modos de comportamiento de varistores.

25 Varistores: Propiedades y aplicación


Tabla 1(1)

Desorden

(3)
Propiedad Refs. Eléctrico

(2)
Estructural % buenos BGs % malos BGs % microuniones óhmnicas

52, 60, Véanse refs. Sólo para resistividades muy


[52], [62] y pequeñas de las
disminución en UB 58-63 [63] microuniones eléctricamente
inertes: la RBG debe ser, no
sólo constante, sino
comparable con R G para que
la presencia de uniones
óhmnicas sea relevante y, en
tal caso, incluso
concentraciones muy
pequeñas de estas unioones
tienen un impacto dramático
en la disminución de VB

58-63 Aparentemente todas las formes de desorden estructural se manifiestan en un


incremento de las corrientes de fuga (i.e., en una disminución de la resistividad de fuga
desplazamiento de la región aparente del dispositivo) motivada por la aparición de caminos conductores
de corrientes de fuga hacia preferentes para el transporte de carga, debidos a (i) largas cadenas de granos de gran
corrientes más altas tamaño; (ii) caminos formados a través de barreras ohmnicas (inactivas) o activas de
mala calidad.

52, 58-63 Véase ref. 52 Véase ref. 63

pérdida de no linealidad real


(codo de conmutación)

63, 92 En todos los casos, el impacto del desorden en las zonas de conmutación, codo de
remonte y región de altas corrientes es muy inferior a su impacto en la región de
pérdida de no linealidad corrientes de fuga y codo de conmutación. No obstante, especialmente si la
aparente (codo de remonte) resistividad de los granos es alta y la tensión residual nominal a 10 kA se encuentra
antes del codo de remonte, todas las formas de desorden se traducen en aumentos en
el FB y, por tanto, en deterioro de la no linealidad aparente, tal y como queda
cuantificada por el FB

6-33 Véanse las


refs. 6-33
fallos estructurales en
ensayos de alta energía

(1)
Notas código: (i) casilla en blanco implica que la presencia e importancia relativa de determinado tipo de desorden no
es relevante para el fenómeno en cuestión; (ii) casilla con anotaciones implica que el desorden es influyente en el

26 Varistores: Propiedades y aplicación


fenómeno, de acuerdo con los matices anotados; (iii) casilla con fondo gris y anotaciones implica que el papel
desempeñado por ese tipo de desorden en el fenómeno en cuestión es de la máxima relevancia; (iv) casilla a rayas
implica que se desconoce el impacto de el correspondiente tipo de desorden en la propiedad bajo estudio.
(2)
cuantificado en primera aproximación mediante parámetros geométricos [63] o mediante la desviación estándar
de la distribución de tamaños de grano normalizada por el tamaño medio de grano, σ, [52]. Estos parámetros sólo
son completos y exhaustivos cuando el desorden estructural es geométricamente homogéneo (caso de las
simulaciones [63]); si, en cambio, como parece desprenderse de [32], la distribución de desorden estructural
presenta variaciones locales pronunciadas (v.g., tendencia a mayores tamaños de grano en regiones periféricas
debido a gradientes internos de temperatura durante los tratamientos térmicos), entonces su descripción
cuantitativa es más compleja.

(3)
el desorden eléctrico se supone en principio cuantificado por el porcentaje de bordes de grano de cada tipo
presentes en la muestra. De nuevo, en un análisis más fino, este parámetro no reúne toda la información necesaria:
la asimetría estructural en la distribución del desorden eléctrico (v.g., predominancia de barreras malas en las
regiones profundas del varistor) puede resultar determinante para algunas de sus propiedades (v.g.,
comportamiento frente a impulsos de alta energía).

La aseveración inicial de §5.5 en cuanto a que “...VB se mantiene en torno a 3.3-3.7 V/BG
independientemente de los detalles de formulación y proceso...” necesita ser cuidadosamente
matizada. En primer lugar se debe subrayar que, en lo que tiene de cierta, se refiere sólo a bordes de
grano individuales, i.e., a medidas de microcontactos a través de un único borde de grano, nunca a
muestras macroscópicas, en las que la suma de la dispersión “aceptada” en BG (3.3-3.7 V/BG) más el
desorden estructural puede conducir a fluctuaciones importantes en la VB medida. En segundo lugar,
la VB=3.3-3.7 V/BG se refiere únicamente a las barreras formadas en buenos bordes de grano cuyas
propiedades, en efecto, no presentan mucha dispersión.

8 Referencias

[1] P. Chowdhuri, S. Li, and P. Yan, “Review of research on lightning-induced voltages on an


overhead line”, IEE Proc.-Gener. Transm. Distrib., 148 (1) 91-95 (2001).
[2] C. A. Nucci, F. Rachidi, M. V. Ianoz, and C. Mazzetti, “Lightning-Induced Voltages on Overhead
Lines”, IEEE Trans. on Electromagnetic Compatibility, Vol. 35 75-86 (1993).
[3] P. P. Barker, R. T. Mancao, D. J. Kvaltine, and D. E. Parrish, “Characteristics of Lightning Surges
Measured at Metal Oxide Distribution Arresters”, IEEE Trans. on Power Delivery, Vol. 8 301-
310 (1993).
[4] F. Heidler, J. M. Cvetic, and B. V. Stanic, “Calculation of Lightning Current Parameters”, IEEE
Trans. on Power Delivery, 14(2) 399-404 (1999).
[5] V. Cooray, “Calculating Lightning-Induced Overvoltages in Power Lines: A Comparison of Two
Coupling Models”, IEEE Trans. on Electromagnetic Compatibility, Vol. 36 179-182 (1994).
[6] F. A. M. Rizk, “Modelling of Lightning Incidence to Tall Structures. Part I: Theory”, IEEE Trans.
on Power Delivery, 9(1) 162-171 (1994). F. A. M. Rizk, “Modelling of Lightning Incidence to Tall
Structures. Part II: Application”, IEEE Trans. on Power Delivery, 9(1) 172-193 (1994).
[7] L. Martí and H. W. Dommel, “Calculation of Voltage Profiles along Transmission Lines”, IEEE
Trans. on Power Delivery, 12(2) 993-998 (1997).
[8] T. Hasman, “Reflection and Transmission of Travelling Waves on Power Transformers”, IEEE
Trans. on Power Delivery, 12(4) 1684-1689 (1997).

27 Varistores: Propiedades y aplicación


[9] A. Haddad, D. M. German, R. T. Waters, and Z. Abdul-Malek, “Co-ordination of spark-gap
protection with zinc-oxide surge arresters”, IEE Proc.-Gener. Transm. Distrib., 148 (1) 21-28
(2001).
[10] M. A. Alim, “High-frequency terminal resonance in ZnO-Bi2O3-based varistors”, J. Appl. Phys.,
74(9) 5850-5853 (1993).
[11] S. Ezhilvalavan and T. R. N. Kutty, “High-frequency capacitance resonance of ZnO-based
varistor ceramics,” Appl. Phys. Lett., 69(23) 3540-3542 (1996).
[12] Norma ANSI-IEEE de pararrayos.
[13] Norma IEC de pararrayos de baja tensión en la que se defina un ensayo de envejecimiento
acelerado.
[14]

28 Varistores: Propiedades y aplicación