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3. EL DIODO ZENER.

3.1 Introducción a la teoría del diodo Zener.

Los diodos Zener son dispositivos semiconductores formados por una unión P-N donde los
materiales utilizados en su fabricación son dopados con impurezas, lo que determina el voltaje de
ruptura.

En su cuerpo estará marcada la señalización de las regiones y el código de identificación.


Las terminales se denominan: ANODO (A) y CÁTODO (K).

En la figura 3.1.1 se observa la relación entre su representación simbólica (a) y su aspecto


exterior más generalizado (b).

A K (a)

A K (b)

Figura 3.1.1 El diodo Zener a) Representación simbólica, b) Aspecto exterior.

En la figura 3.1.2 se muestra el comportamiento del diodo Zener por medio de su curva
característica V-I.

Sus parámetros principales son:

• VZ nom = Voltaje nominal del Zener. Polarización inversa en torno a la cual su

funcionamiento es efectivo.

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• I Z mín = Mínima corriente inversa que ha de atravesar el diodo para asegurar su correcto

funcionamiento, también llamada corriente de mantenimiento.

• I Z máx = Máxima corriente inversa que puede atravesar al diodo con garantía de no

destrucción.

• PZ = Potencia de disipación nominal del componente que no debe ser sobrepasada.

IF (mA)
Voltaje
de codo Polarización
VZ máx Directa

V(volts)
VZ mín I Z mín

Región
VZ nom de trabajo

Polarización
Inversa

I Z máx

IZ (mA)

Figura 3.1.2 Curva característica del diodo Zener.

El diodo Zener con polarización directa se comporta como un diodo común de silicio que
para conducir fija una caída de voltaje entre sus terminales de 0.7 volts.

Cuando el Zener está polarizado inversamente, con pequeños valores de voltaje se alcanza
la corriente inversa de saturación prácticamente estable y de magnitudes despreciables.

Si se sigue aumentando el voltaje de polarización inversa, se alcanza un determinado valor,


denominado voltaje de codo o de giro, en donde los incrementos de corriente son considerables
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frente a los incrementos de voltaje. Sobrepasando esta zona, a pequeños incrementos de voltaje
corresponden incrementos elevados de la corriente.

En ese momento el Zener se encuentra en su región de trabajo efectivo y se deben tomar en


cuenta las siguientes consideraciones:

• Se debe asegurar que la corriente que va a circular a través del diodo I Z mín sea la

especificada por el fabricante.

• No se debe sobrepasar en ningún caso I Z máx .

• Estos valores de corrientes en el Zener llevan asociados un par de valores de voltaje, VZ,
y aproximadamente el valor medio de ellos representa el voltaje nominal del Zener,
VZ nom . Se pueden conseguir comercialmente diodos Zener con valores de 3 V a 30 V a

una potencia nominal de ½ watt.

• La potencia disipada en cada momento vendrá expresada por el producto de los valores
instantáneos de VZ e IZ. Comercialmente los diodos Zener se consiguen con potencias
de ¼, ½, 1, 2, 5 y 10 watts.

3.2 Análisis del diodo Zener como regulador de voltaje.

La aplicación más común del diodo Zener consiste en establecer un voltaje fijo de
referencia aplicado a una carga RL.

Esto se debe a que en muchas circunstancias el voltaje aplicado a un circuito de carga


puede sufrir variaciones indeseables que alteren el funcionamiento normal del mismo.

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Estas variaciones generalmente vienen provocadas por:

• Una variación de la resistencia de carga, que lleva emparejada una variación en la


corriente de carga.

• Variaciones de la propia fuente de alimentación.

• Por ambas causas.

El circuito básico de un regulador con diodo Zener se muestra en la figura 3.2.1.

RS

IS
Vin IZ Dz IL RL VZ = VL

Figura 3.2.1 Circuito básico de un regulador con diodo Zener.

El voltaje que debe aplicarse al Zener para ponerlo en conducción es el siguiente:

VL = RL I L

Omitiendo al diodo Zener ya que está en paralelo con la carga se tiene que la corriente en la
carga es:

Vin
IL = Ec. 3.2.1
RS + R L

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El voltaje en la carga es entonces:

Vin
V L = RL Ec. 3.2.2
RS + RL

La corriente en RS es:

Vin − VL
IS = Ec. 3.2.3
RS

La corriente Zener es entonces,

IS = IZ + IL

IZ = IS − IL Ec. 3.2.4

Para que el Zener opere adecuadamente como regulador es necesario considerar los
siguientes parámetros:

• Un Vin mínimo.

• Una IL máxima, por lo que IZ es mínima.

La corriente mínima en RS será:

Vinmín − VZ
I S mín = Ec. 3.2.5
RSmáx

Despejando RS máx se tiene que,

Vinmín − VZ
RS máx = Ec. 3.2.6
I S mín

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Además,

I Z mín = I Smín − I Lmáx Ec. 3.2.7

I Z máx = I S máx − I Lmín Ec. 3.2.8

El punto crítico ocurre cuando

I Lmáx = I S mín ⇒ I Z = 0 (El Zener no conduce)

Para este caso,

Vinmín − VZ
RS máx = Ec. 3.2.9
I Lmáx

En la práctica,

I Lmáx
I Z mín = y nunca menor de 5 mA Ec. 3.2.10
10

3.3 Diseño de circuitos reguladores con diodo Zener.

Ejemplo 3.3.1: Suponga que desea alimentar una carga por la cual fluye una corriente que
puede variar entre 10 y 40 mA, para un voltaje VL = 12 volts. Para ello dispone de una fuente de
alimentación de 18 volts. Diseñe un circuito regulador con diodo Zener para resolver este problema.

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De la ecuación 3.2.7,

I Z mín = I Smín − I Lmáx

I S mín = I Z mín + I Lmáx

Como la I Z mín nunca va a ser menor de 5 mA, según la ecuación 3.2.10, para cuestiones de

diseño como condición se le asigna el valor mínimo de 5 mA y por lo tanto se tiene que:

I S mín = 5 mA + 40 mA = 45 mA

Para obtener el valor máximo de RS se utiliza la ecuación 3.2.6, de donde

Vin mín − VZ 18 V − 12 V
RS máx = = = 133.33 Ω ≈ 120 Ω
I S mín 45 mA

Como RS se eligió de 120 Ω puesto que este es el valor comercial más cercano a 133.33 Ω,
se tiene que volver a calcular el valor de I Smín utilizando ahora la ecuación 3.2.5,

Vinmín − VZ 18 V − 12 V
I Smín = = = 50 mA
RSmáx 120 Ω

Con la ecuación 3.2.7, se calcula nuevamente la corriente mínima que circula a través del
Zener, I Z mín ,

I Z mín = I S mín − I Lmáx = 50 mA − 40 mA = 10 mA

Para calcular la potencia en RS se utiliza la siguiente ecuación,

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(V − VZ ) (18 V − 12 V )
2 2
PRS = = = 300 mW
inmáx

RS 120 Ω

Ahora se calcula la potencia del diodo Zener utilizando el siguiente método,

Vinmáx − VZ 18 V − 12 V
I Z´ máx = I S máx − I Lmín = − I Lmín = − 10 mA = 40 mA
RS mín 120 Ω

PZ = VZ * I Z máx = (12 V )(40 mA) = 480 mW

Finalmente, la carga que proporciona tal variación de corriente, de 10 mA a 40 mA, se


calcula de la siguiente manera,

VZ 12 V VZ 12 V
RLmín = = = 300 Ω y RLmáx = = = 1200 Ω
I Z máx 40 mA I Z mín 10 mA

Los circuitos de las figuras 3.3.1 y 3.3.2 corroboran los cálculos realizados en la solución
de este ejercicio.

Figura 3.3.1 Circuito regulador con diodo Zener para el ejemplo 3.3.1, R Lmín = 300 Ω.

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Figura 3.3.2 Circuito regulador con diodo Zener para el ejemplo 3.3.1, R Lmáx = 1200 Ω.

Ejemplo 3.3.2: Diseñar un regulador con diodo Zener que alimente una carga que absorbe
una corriente que puede variar entre 10 y 50 mA, para un voltaje VL = 10 volts. Para ello dispone de
una fuente de alimentación que suministra un voltaje que varía entre 15 y 20 volts.

Como la I Z mín nunca va a ser menor de 5 mA, según la ecuación 3.2.10, para cuestiones de

diseño se le asigna el valor mínimo de 5 mA.

De la ecuación 3.2.7,

I Z mín = I Smín − I Lmáx

I S mín = I Z mín + I Lmáx = 5 mA + 50 mA = 55 mA

Para obtener el valor máximo de RS se utiliza la ecuación 3.2.6, de donde

Vinmín − VZ 15 V − 10 V
RS máx = = = 90.90 Ω ≈ 82 Ω
I S mín 55 mA

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Como RS se eligió de 82 Ω puesto que este es el valor comercial más cercano a 90.90 Ω, se
tiene que volver a calcular el valor de I Smín utilizando ahora la ecuación 3.2.5,

Vinmín − VZ 15 V − 10 V
I S mín = = = 60.97 mA
RS máx 82 Ω

Con la ecuación 3.2.7, se calcula nuevamente la corriente mínima que circula a través del
Zener, I Z mín ,

I Z mín = I S mín − I Lmáx = 60.97 mA − 50 mA = 10.97 mA

Para calcular la potencia en RS se utiliza la siguiente ecuación,

PRS =
(V in máx − VZ ) = (20 V − 10 V )
2 2
= 1.21W
RS 82 Ω

Ahora se calcula la potencia del diodo Zener utilizando el siguiente método,

Vinmáx − VZ 20 V − 10 V
I Z ´ máx = I S máx − I Lmín = − I Lmín = − 10 mA = 0.111 A
RS mín 82 Ω

PZ = VZ * I Z máx = (10 V )(0.111 A) = 1.11W

Finalmente, la carga que proporciona tal variación de corriente, de 10 mA a 50 mA, se


calcula de la siguiente manera,

VZ 10 V VZ 10 V
RLmín = = = 200 Ω y RLmáx = = = 1000 Ω
I Z máx 50 mA I Z mín 10 mA

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Los circuitos de las figuras 3.3.3, 3.3.4, 3.3.5 y 3.3.6 corroboran los cálculos realizados en
la solución de este ejercicio.

Figura 3.3.3 Circuito regulador con diodo Zener para el ejemplo 3.3.2, Vinmín y R Lmín .

Figura 3.3.4 Circuito regulador con diodo Zener para el ejemplo 3.3.2, Vin máx y R Lmín .

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Figura 3.3.5 Circuito regulador con diodo Zener para el ejemplo 3.3.2, Vinmín y R Lmáx .

Figura 3.3.6 Circuito regulador con diodo Zener para el ejemplo 3.3.2, Vin máx y R Lmáx .

Ejemplo 3.3.3: Para el circuito de la figura 3.3.7, calcule el valor de RS que asegure una
adecuada regulación del Zener.

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RS

IZ IL
IS
20 V ≤ Vin ≤ 25 V RL 50 Ω ≤ RL ≤ 500 Ω

18 V

Figura 3.3.7 Circuito regulador con diodo Zener para el ejemplo 3.3.3.

Para la corriente en la carga,

VZ 18 V VZ 18 V
I Lmín = = = 36 mA y I Lmáx = = = 360 mA
RLmáx 500 Ω RLmín 50 Ω

Para I Z mín ,

I Lmáx 360 mA
I Z mín = = = 36 mA
10 10

Obteniendo ahora I S mín ,

I S mín = I Z mín + I Lmáx = 36 mA + 360 mA = 396 mA

Y el valor máximo de RS es,

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Vinmín − VZ 20 V − 18 V
RS máx = = = 5.05 Ω ≈ 4.7 Ω
I S mín 396 mA

Como RS se eligió de 4.7 Ω puesto que este es el valor comercial más cercano a 5.05 Ω se
tiene que volver a calcular el valor de I S mín ,

Vinmín − VZ 20 V − 18 V
I S mín = = = 425 mA
RS máx 4.7 Ω

Se calcula nuevamente la corriente mínima que circula a través del Zener, I Z mín ,

I Z mín = I S mín − I Lmáx = 425 mA − 360 mA = 65 mA

Para calcular la potencia en RS se utiliza la siguiente ecuación,

PRS =
(V in máx − VZ ) = (25 V − 18 V )
2 2
= 10.42 W
RS máx 4.7 Ω

Ahora se calcula la potencia del diodo Zener utilizando el siguiente método,

Vinmáx − VZ 25 V − 18 V
I Z ´ máx = I S máx − I Lmín = − I Lmín = − 36 mA = 1.45 A
RS máx 4.7 Ω

PZ = VZ * I Z máx = (18 V )(1.45 A) = 26.1W

El circuito de la figura 3.3.8 corrobora los cálculos realizados en la solución de este


ejercicio.

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Figura 3.3.8 Circuito regulador con diodo Zener para el ejemplo 3.3.3, Vinmín y R Lmín .

Ejemplo 3.3.4: Diseñe un regulador con diodo Zener que alimente a una carga de 500 Ω
con un voltaje de 10 V a partir de una fuente que suministra un voltaje que puede variar entre 15 y
20 V.

Para la corriente en la carga,

VZ 10 V
IL = = = 20 mA
RL 500 Ω

Obteniendo ahora I S , mín

I S mín = I Z mín + I L = 5 mA + 20 mA = 25 mA

Y el valor máximo de RS es,

Vinmín − VZ 15 V − 10 V
RS máx = = = 200 Ω ≈ 180 Ω
I Smín 25 mA

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Como RS se eligió de 180 Ω puesto que este es el valor comercial más cercano a 200 Ω se
tiene que volver a calcular el valor de I S , mín

Vinmín − VZ 15 V − 10 V
I S mín = = = 27.7 mA
RS máx 180 Ω

Se calcula nuevamente la corriente mínima que circula a través del Zener, I Z mín
,

I Z mín = I S mín − I L = 27.7 mA − 20 mA = 7.7 mA

Para calcular la potencia en RS se utiliza la siguiente ecuación,

(V − VZ ) (20 V − 10 V )
2 2
PRS = = = 0.555 W
inmáx

RS 180 Ω

Ahora se calcula la potencia del diodo Zener utilizando el siguiente método,

Vinmáx − VZ 20 V − 10 V
I Z´máx = I S máx − I Lmín = − I Lmín = − 20 mA = 35.55 mA
RSmáx 180 Ω

PZ = VZ * I Z máx = (10 V )(35.55 mA ) = 355.5 mW

Ejemplo 3.3.5: Diseñar un regulador Zener que entregue 9 volts a una carga variable que
consume corrientes que varían de 100 a 300 mA. Utiliza un transformador de 12 Vrms, un puente
rectificador y un filtro de capacitor. Suponga VR = 3 V.

Para el voltaje pico,

VP = Vrms 2 = (12 V )(1.4142) = 16.97 V

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El voltaje máximo en el capacitor es entonces,

VC máx = VP − 2 VD = 16.97 V − 1.4 V = 15.57 V

Para el voltaje de salida,

VR
Vo = VCmáx − = 15.57 V − 1.5 V = 14.07 V
2

Como I L = 300 mA , entonces,


máx

I Lmáx 300 mA
I Z mín = = = 30 mA
10 10

Obteniendo ahora I S , mín

I S mín = I Z mín + I Lmáx = 30 mA + 300 mA = 330 mA

Y el valor máximo de RS es,

Vinmín − VZ 12.57 V − 9 V
RS máx = = = 10.82 Ω ≈ 10 Ω
I Smín 330 mA

Como RS se eligió de 10 Ω puesto que este es el valor comercial más cercano a 10.82 Ω se
tiene que volver a calcular el valor de I S , mín

Vinmín − VZ 12.57 V − 9 V
I S mín = = = 357 mA
RS máx 10 Ω

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Se calcula nuevamente la corriente mínima que circula a través del Zener, I Z mín
,

I Z mín = I S mín − I Lmáx = 357 mA − 300 mA = 57 mA

Para calcular la potencia en RS se utiliza la siguiente ecuación,

(V − VZ ) (15.57 V − 9 V )
2 2
PRS = = = 4.31W
inmáx

RS 10 Ω

Ahora se calcula la potencia del diodo Zener utilizando el siguiente método,

Vinmáx − VZ 15.57 V − 9 V
I Z´ máx = I S máx − I Lmín = − I Lmín = − 100 mA = 557 mA
RS 10 Ω

PZ = VZ * I Z máx = (9 V )(557 mA ) = 5.013 W

Para el capacitor,

I P t (657 mA)(8.33 ms )
C= = = 1824.27 µF
VR 3V

Por lo que entonces,

C = 2200 µF a 35 V, RS = 10 Ω @ 10 W, VZ = 9 V @ 10 W e I Z mín < 30 mA.

El ejemplo anterior puede ser llevado a la práctica y funcionará de acuerdo a los cálculos
desarrollados.

Un inconveniente fundamental es que en el diodo Zener se pierde mucha potencia debido a


que en la entrada del Zener se tiene un voltaje de rizo demasiado grande (VR = 3 V). Obsérvese que

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I Lmáx es de 300 mA en tanto que I S máx es de 657 mA; la corriente anterior es más del doble que la

I Lmáx . Si se reduce el voltaje de rizo, la potencia que desarrolla el Zener disminuirá pero el capacitor

tendrá que ser más grande. Se tiene entonces que decidir que es lo más conveniente.

Ejemplo 3.3.6: Recalcular el regulador Zener anterior con un VR = 1 V.

Para el voltaje pico,

VP = Vrms 2 = (12 V )(1.4142) = 16.97 V

El voltaje máximo en el capacitor es entonces,

VC máx = VP − 2 VD = 16.97 V − 1.4 V = 15.57 V

Para el voltaje de salida,

VR
Vo = VCmáx − = 15.57 V − 0.5 V = 15.07 V
2

Como I L = 300 mA , entonces,


máx

I Lmáx 300 mA
I Z mín = = = 30 mA
10 10

Obteniendo ahora I S , mín

I S mín = I Z mín + I Lmáx = 30 mA + 300 mA = 330 mA

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Y el valor máximo de RS es,

Vinmín − VZ 14.57 V − 9 V
RS máx = = = 16.87 Ω ≈ 15 Ω
I Smín 330 mA

Como RS se eligió de 15 Ω puesto que este es el valor comercial más cercano a 16.87 Ω se
tiene que volver a calcular el valor de I S , mín

Vinmín − VZ 14.57 V − 9 V
I S mín = = = 371.33 mA
RS máx 15 Ω

Se calcula nuevamente la corriente mínima que circula a través del Zener, I Z mín
,

I Z mín = I S mín − I Lmáx = 371.33 mA − 300 mA = 71.33 mA

Para calcular la potencia en RS se utiliza la siguiente ecuación,

Vinmáx − VZ 15.57 V − 9 V
I S máx = = = 438 mA
RS 15 Ω

( )
PRS = I S máx RS = (0.438 A) (15 Ω ) = 2.88 W
2 2

Ahora se calcula la potencia del diodo Zener utilizando el siguiente método,

I Z ´ máx = I S máx − I Lmín = 438 mA − 100 mA = 338 mA

PZ = VZ * I Z máx = (9 V )(338 mA ) = 3.042 W

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Para el capacitor,

I P t (438 mA)(8.33 ms )
C= = = 3650 µF
VR 1V

Por lo que entonces,

C = 4700 µF a 35 V, RS = 15 Ω @ 5 W, VZ = 9 V @ 5 W e I Z mín < 71.33 mA.

Hay que tener en cuenta que I Z máx al igual que PZ máx no se refieren en estos casos a las

características dadas por el fabricante sino a los máximos valores alcanzados en cada circuito.

En determinados casos en que no se dispone de diodos Zener adecuados a las necesidades


del circuito, es posible conectar en paralelo diodos Zener de igual voltaje nominal, hasta conseguir
que la corriente máxima que se ha de derivar sea menor que la suma de las I Z máx características de

los diodos.

Igualmente se pueden conectar diodos Zener en serie hasta conseguir que la suma de los
voltajes nominales sea igual al voltaje que es necesario estabilizar siempre y cuando cada uno de los
Zeners esté dentro de sus especificaciones de corriente y de potencia disipable.

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4. INTRODUCCIÓN A LA TEORÍA DEL TRANSISTOR BIPOLAR.

El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales construidas a base de tres regiones


semiconductoras y dos uniones PN como se ilustra en la figura 4.1.

IE IC
P N P E C
E C
IB B
B
IC IE
N P N C E
E C
B
B IB

Figura 4.1 El transistor bipolar.

I E = IB + IC Ec. 4.1

Donde:

E = Emisor. B = Base. C = Colector.

El circuito equivalente de un transistor a diodos es el mostrado en la figura 4.2.

E C E C

B B

NPN PNP

Figura 4.2 Circuito equivalente del transistor bipolar utilizando diodos.

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Analizando los circuitos equivalentes de la figura 4.2, se observa que al colocar un ohmetro
entre cada pareja de terminales de los diodos, en polarización directa la resistencia que presentan es
baja y en polarización inversa es infinita. Obteniendo estos resultados los transistores se pueden
considerar en buen estado.

De la ecuación 4.1 si IB es muy pequeña se puede despreciar y entonces IC es


aproximadamente igual a la IE. Las curvas características del transistor dependen de la configuración
que se emplee.

4.1 Configuraciones del transistor bipolar.

En la figura 4.1.1 se observa el transistor bipolar en configuración de base común, tanto


para el transistor PNP como para el NPN.

Figura 4.1.1 Configuración base común del transistor bipolar.

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β
IC = α IE α= VEB < VCB En la práctica α = 0.95 a 0.995.
β +1

En la figura 4.1.2 se observa el transistor bipolar en configuración de colector común, tanto


para el transistor PNP como para el NPN.

Figura 4.1.2 Configuración colector común del transistor bipolar.

1
IE = IB
1−α

En la figura 4.1.3 se observa el transistor bipolar en configuración de emisor común, tanto


para el transistor PNP como para el NPN.

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Figura 4.1.3 Configuración emisor común del transistor bipolar.

1
IC = β IB VBE < VCE β= β = Ganancia de corriente.
1 −α

La beta es un parámetro del transistor y lo proporciona el fabricante con el nombre de hfe


(parámetro híbrido de amplificación = β ), esta queda determinada por las características del
fabricante las cuales no pueden ser controladas con precisión.

4.2 Modos de operación.

La figura 4.2.1 muestra los cuatro modos de operación del transistor bipolar, en esta se
observan las regiones de amplificación, de funcionamiento como interrupción y la de atenuación.

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(ÁREA ELECTRÓNICA)

VBE

1 Región activa-directa. 2 Región de saturación.


(Amplificación) (Corto circuito)

VBC
3 Región de corte. 4 Región activa-inversa.
(Circuito abierto) (No se trabaja)

Figura 4.2.1 Modos de operación del transistor bipolar.

A continuación se realiza una descripción de los modos de operación y de la forma en que


la uniones del transistor deben estar polarizadas.

• Región activa directa (amplificación).


Ø La unión base emisor se polariza directamente.
Ø La unión base colector se polariza inversamente.

• Región de saturación (corto circuito).


Ø La unión base emisor se polariza directamente.
Ø La unión base colector se polariza directamente.

• Región de corte (circuito abierto).


Ø La unión base emisor se polariza inversamente.
Ø La unión base colector se polariza inversamente.

• Región activa inversa (no se trabaja).


Ø La unión base emisor se polariza inversamente.
Ø La unión base colector se polariza directamente.

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4.3 Características estáticas del transistor.

Se requieren conocer las características estáticas del transistor bipolar en función de la


relación que existe entre sus diferentes parámetros de voltaje y corriente. Esto es, se deben conocer
las siguientes especificaciones:

• La corriente de base, IB, versus el voltaje de base a emisor, VBE, con el voltaje de
colector a emisor, VCE, como parámetros.

• El voltaje de colector a emisor, VCE, versus el voltaje de base a emisor, VBE, con la
corriente de base, IB, como parámetros.

• La corriente de base, IB, versus la corriente de colector, IC, con el voltaje de colector a
emisor, VCE, como parámetros.

• El voltaje de colector a emisor, VCE, versus la corriente de colector, IC, con la corriente
de base, IB, como parámetros.

Para obtener las cuatro relaciones descritas anteriormente en forma de curvas se debe hacer
un análisis del circuito de la figura 4.3.1. En función de ese análisis se obtienen las curvas de
funcionamiento del transistor bipolar que se muestran en las figuras 4.3.2, 4.3.3, 4.3.4 y 4.3.5.

4.4 Consideraciones prácticas.

• El voltaje de base a emisor, VBE, en un transistor de silicio se considera de 0.7 V.

• Si la β es grande α ≈ 1 por lo que I C ≈ I E .

• I E = IC + I B.

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• IC = β IB .

• Si I B << I C entonces I B << I E .

C
VB RB B RC VCC

Figura 4.3.1 Circuito de prueba para la obtención de las curvas características del transistor bipolar.

Figura 4.3.2 Curva característica IB versus VBE, con VCE como parámetro.

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Figura 4.3.3 Curva característica VCE versus VBE, con IB como parámetro.

Figura 4.3.4 Curva característica IB versus IC, con VCE como parámetro.

Figura 4.3.5 Curva característica VCE versus IC, con IB como parámetro.

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4.5 Variación de los parámetros del transistor por efecto de la temperatura.

Para el modelo dinámico del transistor todos los parámetros que lo caracterizan varían con
la temperatura, frecuencia, etc. La tabla 4.5.1 muestra las variaciones que existen, para algunos
parámetros, en función de la variación de temperatura.

Parámetro. Silicio. Germanio. Proceso de producción.


∆VD − 4 mV / °C − 2 mV / °C ± 100 mV

2∆T 2 ∆T
∆I Co (25°C ) Dato que proporciona el fabricante.
6°C 10°C
∆T ∆T
∆β β β Dato que proporciona el fabricante.
80°C 60°C

Tabla 4.5.1 Tabla de variación de parámetros por efecto de la temperatura.

Los parámetros del transistor dependen básicamente del valor de la corriente de base, IB, (la
cual determina el valor de la corriente de colector, IC) y del voltaje de colector a emisor, VCE, por lo
que para emplearlos es necesario determinar en que condiciones se opera el dispositivo.

Esto es “fijar el punto de operación, quiescent point, (de reposo o de trabajo)” del transistor
y esto se logra por medio de la polarización del transistor.

4.6 La recta de carga.

Es una recta trazada sobre las curvas de salida del transistor para mostrar todos y cada uno
de los puntos de trabajo posibles del transistor, como se muestra en la figura 4.6.1. Dicho de otra
forma, cuando la corriente de base cambia de cero a infinito, la corriente de colector y el voltaje de
colector a emisor también cambian. Si se dibuja cada par de valores, IC y VCE, lo que se obtiene es

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una serie de puntos de trabajo localizados sobre la recta de carga. Por lo tanto, la recta de carga es un
resumen visual de los posibles puntos de trabajo.

I C ( mA)

I B2

I Csat

I B1
VCE (volts )
I B2 > I B1 VCEcorte
Figura 4.6.1 Recta de carga del transistor bipolar.

Cada circuito con transistores tiene su propia recta de carga. Dado un circuito, se pueden
calcular la corriente de saturación, I C sat , y el voltaje de corte, VCEcorte . Estos valores se dibujan en los

ejes vertical y horizontal. Luego se traza una recta a través de estos dos puntos para obtener la recta
de carga.

4.6.1 El punto de saturación.

Es el punto en que la recta de carga corta a la región de saturación, región que se presenta
cuando las uniones base-colector y base-emisor están polarizadas directamente. Como el VCE en
saturación es muy pequeño, el punto de saturación es casi idéntico al extremo superior de la recta de

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carga. El punto de saturación indica la máxima corriente de colector, I C sat , y el mínimo voltaje

colector emisor, VCE sat (0 volts), que son posibles alcanzar en el circuito.

4.6.2 El punto de corte.

Es el punto en que la recta de carga corta a la región de corte, región que se presenta
cuando las uniones base-colector y base-emisor están polarizadas inversamente. La corriente de base
es cero, aunque todavía hay cierta corriente de colector, corriente que por lo general es muy
pequeña, la cual recibe el nombre de corriente de corte de colector. Esta corriente se presenta porque
el diodo presente en la unión base-colector, como cualquier otro diodo tiene una corriente inversa de
portadores minoritarios y una corriente de fuga superficial. La corriente de corte de colector se
puede ignorar si la corriente de colector es mucho muy grande. Como la IC en corte es muy pequeña,
el punto de corte es casi idéntico al extremo inferior de la recta de carga. El punto de corte indica el
máximo voltaje colector emisor, VCE corte , y la mínima corriente de colector, I C corte , que son posibles

alcanzar en el circuito.

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