I.

OBJETIVOS
 Comprobar las características principales de los diodos especiales.
 Polarizar transistores BJT, utilizando los tres tipos básicos de polarización.
 Comprobar las características térmicas de un transistor y métodos de estabilización.
 Calcular el factor de estabilidad de los tres circuitos de polarización de un transistor.

II. MARCO TEORICO

DIODO LED.
Los LED se pueden probar conectándolos a una fuente de
alimentación de bajo voltaje. Comúnmente utilizados, ya que son
baratos, de baja potencia, confiables y tienen una larga vida.

Los LED pertenecen a la familia de los diodos, por lo que sólo

permiten que la corriente fluya en una dirección y la bloquean en la
otra dirección. Esto significa que son polarizados y sólo funcionan
en la dirección correcta.

Ya que los LED son simples dispositivos, son fáciles de probar

mediante la aplicación de una fuente de energía, ya sea utilizando
una pieza o un multímetro.

DIODO SCHOTTKY.
Un diodo Schottky, es similar a un diodo ordinario, limita el flujo de
electricidad a una dirección, al igual que la acción de una válvula
de agua a una ruta.

El diodo Schottky, sin embargo, tiene un tiempo de respuesta

eléctrica mejorada debido a una disipación de tensión mucho más
baja.

Los fallos más comunes de un diodo Schottky incluyen un

cortocircuito eléctrico y sobrecalentamiento.

DIODO TUNEL.
Para verificar el estado de un túnel GRE, utilice el
comando show interface túnel. El protocolo de línea en
una interfaz de túnel GRE permanece activo mientras
haya una ruta al destino del túnel.

Antes de implementar un túnel GRE, la conectividad IP

ya debe estar operativa entre las direcciones IP de las
interfaces físicas en extremos opuestos del túnel GRE
potencial. El protocolo de transporte de túnel se
muestra en el resultado.

Si también se configuró OSPF para intercambiar rutas

a través del túnel GRE, verifique que se haya establecido una adyacencia OSPF a través de la
interfaz de túnel con el comando show, observe que la dirección de interconexión para el vecino
OSPF está en la red IP creada para el túnel GRE.
RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR).

Un multímetro puede ser utilizado para probar SCR con bastante eficacia. El primer procedimiento
es para comprobar la acción diodo entre los terminales de puerta y el cátodo del SCR. Esta
prueba es igual que lo que ha hecho en el caso de las pruebas de un diodo de silicio (véase el
ensayo de un diodo de silicio).Ahora ponga el interruptor selector multímetro en una posición alta
resistencia. Conecte el cable positivo del multímetro para el ánodo del SCR y el cable negativo al
cátodo.

El multímetro mostrará un circuito abierto. Ahora invierta las conexiones y el multímetro mostrará
de nuevo un circuito abierto.

A continuación, conecte el ánodo y terminales de puerta del SCR para el cable positivo del
multímetro y el cátodo con el polo negativo. El multímetro mostrará una resistencia baja que indica
el interruptor ON del SCR. Ahora, retire con cuidado el terminal de puerta del ánodo y de nuevo el
multímetro mostrará una lectura de resistencia baja que indica la condición de bloqueo. Aquí la
batería multímetro suministra la corriente de mantenimiento para el triac.

Si todas las pruebas anteriores son positivas podemos asumir la SCR estar funcionando bien.

DIAC.
Para comprobar un CSR se debe Ajustar el multímetro
en la escala para x10 KOhm y no debe haber ninguna
lectura en cada lado. En el momento que probé con el
medidor analógico, tengo una ligera lectura en ambos
lados que indica un fallo. .

Dispararle que conduce la corriente sólo tras haberse

superado su tensión de disparo, y mientras la corriente
circulante no sea inferior al valor característico para ese
dispositivo.

El comportamiento es fundamentalmente el mismo para

ambas direcciones de la corriente.

La mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo de

alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lámpara de neón.
TRIAC.

Para comprobar los Triac, podremos hacer uso del siguiente circuito, que nos permitirá conocer
el estado en que se encuentra el Triac bajo prueba.

Prueba del Triac.

El circuito de prueba es muy simple. Solo necesitamos una resistencia, una bombilla de 12v, un
pulsador y una fuente de 12 vdc.

Armamos el circuito, e inicialmente la bombilla debe quedarse apagada, pero al presionar el

pulsador la bombilla deberá iluminar. Si esto ocurre, es porque el Triac se encuentra en buen
estado.

FOTODIODO.

la forma más fácil de probar un fotodiodo seria cotejar variaciones de luz que iluminen el fotodiodo
contra variaciones de corriente que este entregue. Si los resultados son los esperados, digamos a
más luz, más corriente, creo que se podría decir que el fotodiodo está en buen estado.

SHOCKLEY.
Las mediciones estáticas se realizan como en cualquier
otro diodo, la resistencia (si estás usando el multímetro en
modo resistencia) o la lectura en función diodo (si la
tenemos disponible) debe dar hacia un lado muy baja, y
hacia el otro infinita.
DIODO LASER.
Para comprobar un diodo laser se utiliza
un sensor de mano, se obtiene una
magnitud que, comparada con la que
debería tener siendo una unidad nueva,
permite evaluar el estado de desgaste y
las posibilidades de funcionamiento del
pick up.

Sin embargo, en algunas ocasiones no es

posible ubicar al sensor de forma que le
intercepte fácilmente el rayo láser para
tomar una lectura. En efecto, un diseño
mecánico complicado que no deje a
simple vista el pick up, o bien que el
equipo, en ocasión de ser presupuestado, no esté en condiciones de funcionar por sí mismo,
impedirá que haya emisión láser para medir y evaluar.

Por ello se hace interesante contar con una forma de excitar, por nuestros propios medios y en
forma controlada, a cualquier diodo láser con el objeto de poder medirlo.

DIODO ZENER.
Para probar un diodo zener se necesitan tres cosas: una fuente, una resistencia y, como es lógico,
un multímetro digital de preferencia.

Medir un diodo zener es muy sencillo y probar el voltaje del diodo zener garantiza que ese
elemento esté realizando bien su trabajo en el circuito electrónico a comprobar.

FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR BJT

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junción transistor, o sus siglas BJT) es un
dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que
permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a
través de sus terminales.

La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de

portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en
gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en
electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la
tecnología TTL o BICMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como
un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.

EMISOR COMÚN.
La configuración de emisor común es la más usada. En él, el transistor actúa como un
amplificador de la corriente y de la tensión. Aparte de los efectos de amplificación, también invierte
la tensión de señal, es decir, si la tensión es tendente a positiva en la base pasa a ser tendente a
negativa en el colector; pero, como estos efectos se producen con la corriente alterna.
Para estudiar las propiedades de este tipo de configuración vamos a basarnos en un transistor tipo
P-N-P. Tenemos la unión base-emisor, JE, polarizada directamente y la unión emisor-colector, JC,
inversamente polarizada.

Aplicamos una tensión a la base y otra al colector y tenemos dos resistencias, RB conectada a la
base y RC conectada al colector.
El valor de la corriente de base va a depender del valor de la resistencia RB, la corriente que
circula por el colector, IC, depende de la corriente de base, IB, como hemos visto con la formula IC
= b. IB; IC es mucho más grande que IB y ese aumento viene dado por b, que es un parámetro
característico del transistor.

Al colocar una resistencia en un circuito estamos provocando una caída de la tensión, como si
bajáramos la presión del agua.

Al pasar la corriente por RC se va a producir una caída de potencial; luego, la tensión que
obtengamos a la salida, también va a depender del valor de esta resistencia. Podemos colocar
una resistencia en el emisor, que llamaremos RE, que va a perjudicar mucho la amplificación de
tensión, pero va a hacer que el transistor sea mucho más estable y no le afecten los cambios de la
temperatura.

Aumentando o disminuyendo los valores de las tres resistencias podemos conseguir corrientes y
tensiones diferentes en los tres terminales. Por ejemplo, si aumentamos la resistencia de base el
valor de la corriente IB será menor, lo que implicará que IC también sea menor, y al pasar una
corriente de colector menor a través de RC, el potencial que se obtendrá a la salida será mayor;
pero si disminuimos RB aumenta IB y con ella la corriente de colector, y la tensión de colector
disminuirá.
En esencia, el punto de trabajo de un transistor en un circuito variará cuando cambie alguno de los
elementos de los que depende. Estos elementos pueden ser bien internos al propio dispositivo
(Tensiones o corrientes, características), bien externos, como por ejemplo variaciones en las
resistencias, alimentaciones.

En la figura podemos ver el efecto de la variación de la resistencia de colector sobre el punto de

funcionamiento del transistor.

Es evidente que si dicha resistencia disminuye, tendremos un incremento en la corriente de

colector (IC) para la misma tensión colector-emisor (VCE), luego se ve claramente que la variación
de un componente afecta directamente a la posición del punto de trabajo, el cual con una
resistencia RC1 se encuentra en Q1 y con otra resistencia menor (RC2) pasa a ser Q2.

V CC
IC R B1 RC
VCC
RC2
VCC RB2
RC1 Q2

Q1
V CE
V CC

Los motivos, entre los cuales los más importantes son:

 Debido a cambios de temperatura
 Debido a cambio del componente en sí por otro igual o diferente Variación con la
temperatura

La temperatura afecta a todos los componentes y dispositivos, aunque a unos más que a otros.
Por ejemplo un incremento de temperatura afectará a la resistividad de una resistencia,
provocando una bajada de su valor, sin embargo este efecto suele ser despreciable.

El efecto de la temperatura se hace mucho más importante cuando afecta a un semiconductor en

sí. Concretamente existen dos características del mismo que dependen de la temperatura de
forma importante:

Es evidente que al cambiar un componente de un circuito nunca vamos a conseguir que tenga
exactamente las mismas características y valores que el antiguo, debido a las tolerancias de
fabricación. Así, si estábamos usando una resistencia de 1K (con 10% de tolerancia), el valor real
de la resistencia podía ser, por ejemplo, 980Ω.

Si cambiamos esta resistencia por otra del mismo valor nominal (es decir, 1K) podemos
encontrarnos fácilmente que la nueva tiene una resistencia real igual a 1080Ω, valor que está
dentro de los márgenes de tolerancia del componente, pero que sin embargo puede hacer que
nuestro circuito deje de funcionar correctamente.

La dispersión de valores, y las tolerancias, son mucho más acusadas con los dispositivos
semiconductores. Así, por ejemplo, dentro de una misma serie de transistores, podemos tener
unidades con grandes diferencias en sus características. En las hojas características de los
mismos podemos observar este hecho, por ejemplo en la β; los fabricantes suelen dar un margen
de tolerancia al parámetro, y en ocasiones del valor mínimo al máximo puede haber diferencias de
más de 100 unidades o más.
III. INSTRUMENTOS, COMPONENTES Y HERRAMIENTAS

 Osciloscopio
 Generador de funciones
 Fuente VDC
 Sondas
 Protoboard
 Diodo rectificador 1N4007 (silicio)
 Diodo de germanio
 Diodo Schottky
 Transistor BC548 (NPN)
 Transistor 2N2222 (NPN)
 Transistor 2N3904 (NPN)
 Resistor de 100 ohmios
 Resistor de 10 Kohmios
 Resistor de 1 Kohmios
 Capacitor cerámico o electrolítico (cualquier valor)
 Cables de interconexión
 Cautín para soldar

IV. CIRCUITOS A IMPLEMENTAR

a) Regulador de tensión

b) Rectificador de media onda

c) Polarización fija
d) Polarización Base – Colector

e) Auto polarizado

V. TABLAS Y ESQUEMAS
En esta figura podemos observar que al ser solo un solo diodo diferente será la señal de salida.
Para tensiones de entrada positivas, obtenemos la misma forma de la tensión de salida. En
cambio para tensiones de entrada negativas la salida es igual a 0 voltios.

Conexión en el protoboard

VI. DESARROLLO DEL LABORATORIO