ELECTRÓNICA ANALOGICA

CODIGO: AE3010

LABORATORIO N° 04
“TRANSISTOR FET”

Alumnos:

Grupo : Nota:
Semestre :
Fecha de entrega : Hora:
 ANÁLISIS DE TRABAJO SEGURO
LABORATORIO DE ELECTRICIDAD
EXPERIMENTO Nº: 4 FECHA 11-10-2019
DOCENTE Kenyo Miranda MESA Nº
1. Pacheco quispe jaen pool 4.
ALUMNOS 2. condor auccacusi frnak 5.
3. vargas vilca leomar 6.
DAÑO (RIESGO) PRESENTE EN CADA
Nº PASOS BASICOS DEL TRABAJO CONTROL DEL RIESGO
PASO
Ingreso al laboratorio. Caídas, empujones
1 Usar EPP básico (ser ordenado al ingresar)

Abrir el programa MultiSim

2 - Ninguna.

Armar los circuitos propuestos en el - Llevar cada instrumento con cuidado y precaución. Armarlos con
3
laboratorio. seriedad y responsabilidad.
Realizar las mediciones y cálculos Ninguna.
4 -
necesarios.
Anotar los resultados en las tablas del
5 - Tener cuidado con los aparatos que puedan caerse.
laboratorio.

6 Apagar la PC y Modulo Caida de objetos en el suelo y los pies. Llevar cada instrumento con cuidado y precaución.

7 Orden, limpieza y salida Caída de objetos, empujones Salir del laboratorio de forma ordenada.

B APROBADO POR Kenyo Miranda

GRUPO ESPECIALIDAD: Electricidad Industrial
(DOCENTE):
I. OBJETIVOS
 Realizar la implementación de circuitos de polarización de transistores FET
 Analizar la respuesta de polarización de transistores FET.
 Implementación de Circuitos Amplificadores.

II. MATERIAL Y EQUIPO

 Resistencias
 Transistor FET
 Fuente de Corriente Continua
 Módulos Lucas Nulle

III. SEGURIDAD

Tener cuidado con el tipo y niveles de

voltaje que suministran a las tarjetas

Antes de utilizar el multímetro, asegurarse

que esta en el rango y magnitud eléctrica
adecuada.

Tener cuidado en la conexión y en la

desconexión de los equipos utilizados

IV. PROCEDIMIENTO

1. Actividades Previas

Inventario:
Dispositivo Cantidad
Resistencia 2
Transistor 1

Mediciones:

Componente: Valor
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Tema : Código :
TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :

2. Medición de Transistor FET:

CODIGO
Componente: Valor
GS
GD
DS
Tipo

3. Esquemático de un Circuito de Polarización con Resistencia Fija:

4. Realice el Análisis Matemático del circuito de Polarización con Resistencia Fija, obteniendo las
fórmulas de VGS, ID, VDS, RDN:
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TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :

5. Los valores IDSS y VP son valores de fabricación y para hallarlos, arme el circuito anterior con los
siguientes valores:

RG = 100kΩ
RD = 470Ω
VDD = 12V
FET = 2N3819

6. Coloque la Fuente de la Compuerta VGG = 0V e incremente hasta conseguir que la corriente en

Drenador ID = 0mA, llene la tabla:

VGS 0V -1V -2V -3V -4V -5V

ID (mA) 400.06uA 100.14uA 0 0 0 0

¿Cuáles son los valores?:

IDSS = 7.64mA
VP = -3.6

7. Grafique la tabla anterior VGS vs ID, denominado función de entrada de un JFET-N:

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TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :

8. Como se interpreta la función de entrada de un JFET-N

El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por
tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente
entre drenador y fuente

9. Utilizando el circuito anterior coloque el valor de VGG = 2V, calcule, mida y llene la tabla de
polarización del JFET-N

Parámetro VRG VGS VRD VDS IG ID

Teórico 700 2v 12 0
Medido 744.82uV 2V 21.69uV 12 0 409.90uA
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10. Grafique la recta de carga VDS vs ID con los valores teóricos del JFET-N:

11. Arme el siguiente circuito del JFET-N como Switch Electrónico, pruebe con switch abierto y cerrado,
varie el valor de VGG de 0V hasta el valor VP
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TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :

RG = 100kΩ
RD = 470Ω
VDD = 12V
FET = 2N3819

12. Con el Switch cerrado ¿Cómo responde el JFET?, con el Switch Abierto ¿Cómo responde el JFET?

El JFET con el switch abierto trabaja normal, pero con una corriente un poco elevada y voltaje elevado,
pero al cerrar el switch podemos observar cómo esta corriente y voltaje se reduce en caso de corriente
podemos ver como se reduce

Responda a las siguientes preguntas:

a) ¿Qué representa el Valor 𝐼𝐷𝑆𝑆 ?

EL VALOR MAXIMO DE CORRIENTE

b) ¿Qué representa el valor 𝑉𝑝 ?

EL valor inverso que debe de alcanzar un fuente VGG en un circuito para polarizar al FET

c) ¿Qué denota la función característica de un Transistor FET? Explique.

tanto el comportamiento del transistor frente al voltaje Entrada-Fuente en inversa como la
zona de saturación en la cual pese al aumento del voltaje de Drenador-Fuente,la corriente se
mantiene constante

V. INVESTIGACION:

Investigue sobre los Amplificadores Operaciones:

Amplificadores operacionales
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Es un dispositivo amplificador electrónico de alta ganancia acoplado en corriente continua que tiene
dos entradas y una salida. En esta configuración, la salida del dispositivo es, generalmente, de cientos
de miles de veces mayor que la diferencia de potencial entre sus entradas.

1.-Principios operacionales:
Los diseños varían entre cada fabricante y cada producto, pero todos los amplificadores operacionales
tienen básicamente la misma estructura interna, que consiste en tres etapas:

 Amplificador diferencial: es la etapa de entrada que proporciona una baja amplificación del
ruido y gran impedancia de entrada. Suelen tener una salida diferencial.
 Amplificador de tensión: proporciona ganancia de tensión.
 Amplificador de salida: proporciona la capacidad de suministrar la corriente necesaria, tiene una
baja impedancia de salida y, usualmente, protección frente a cortocircuitos. Éste también
proporciona una ganancia adiciona

2.-parametros de amplificadores operacionales

 Impedancia de entrada (Zi): Es la resistencia entre las entradas del amplificador
 Impedancia de salida (Zo): Es la resistencia que se observa a la salida del amplificador
 Ganancia en lazo abierto (Aol): Indica la ganancia de tensión en ausencia de realimentación. Se
puede expresar en unidades naturales (V/V, V/mV) o logarítmicas (dB). Son valores habituales de
100.000 a 1.000.000 V/V
 Voltaje de desequilibrio (offset) de entrada (Vio): Es la diferencia de tensión, entre las entradas
de un amplificador operacional que hace que su salida sea cero voltios
 Corriente de desequilibrio de entrada (Io): Es la diferencia de corriente entre las dos entradas del
amplificador operacional, que hace que su salida tome el valor cero
 Voltaje de entrada diferencial (Vid): Es la mayor diferencia de tensión entre las entradas del
operacional que mantienen el dispositivo dentro de las especificaciones
 Corriente de polarización de entrada (Ib): Corriente media que circula por las entradas del
operacional en ausencia de señal
3.- características:
 Infinita ganancia en lazo abierto Aol
 Infinita resistencia de entrada, Rin
 Corriente de entrada cero.
 Voltaje de desequilibrio de entrada cero.
 Infinito rango de voltaje disponible en la salida.
 Infinito ancho de banda con desplazamiento de fase cero.
 Rapidez de variación de voltaje infinita.
 Resistencia de salida (Rot) cero.
 Ruido cero.

VI. OBSERVACIONES

VII. CONCLUSIONES.
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TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :

 Debemos ser cuidadosos al verificar los terminales del transistor por medio del medidor de
continuidad, ya que si erramos alguna parte vamos a obtener datos completamente erróneos
del circuito y en la comparación con el simulador no habrá ningún tipo de coincidencia
 Para esta práctica, el método más factible para determinar las corrientes es usando la Ley de
Ohm
 El FET es un dispositivo activo que funciona como una fuente de corriente controlada por volaje

 Se halló el voltaje de saturación en aproximadamente 3 voltios