UNIVERSIDADE FEDERAL RURAL DO SEMI-ÁRIDO

CENTRO DE ENGENHARIAS

ENGENHARIA ELÉTRICA

RENATA FARIAS GALVÃO

TESTE 01 – MICROELETRÔNICA

CARAÚBAS/RN

2019
 QUESTIONÁRIO

1. Considere o transistor da figura 1.

Figura 1 - Transistor

a) Qual o tipo de transistor?

Resposta:​ ​Transistor Bipolar de Junção (TBJ), do tipo NPN.

b) Nomeie as suas conexões.

Resposta:

B = Base
C = Coletor
E = Emissor

c) Desenhe o seu circuito como emissor comum e mostre qual o seu ganho
intrínseco.
RB .βre
Resposta: Zi = RB +βre

Vi
IB = βre

V o =− Rc .I c

Onde: I C = βI B

Logo, substituindo I C e I B ,
temos que:
V o =− Rc .β ( )
Vi
βre
 Rearranjando os termos, o ganho intrínseco é dado como:
Vo −Rc
Vi
= Av = re

d) Desenhe a sua configuração com degeneração de emissor.

e) Faça um esboço da sua seção transversal, do ponto de vista físico.

2. Considere o transistor da figura 2.

a) Qual o tipo de transistor?

Resposta:​ Transistor de Efeito de Campo (MOSFET), do tipo canal P.
b) Nomeie suas conexões.

Resposta:

P = Porta

D = Dreno

S = Fonte

c) Desenhe o seu circuito como fonte comum e mostre qual o seu ganho.
Resposta:​ O ganho para o circuito fonte comum com efeito de carga é dado por:

Vo −g m RD
Vi
= 1+(g m +g mb )RS +(RD +RS )/r0

d) Desenhe a sua configuração como seguidor de fonte.

e) Faça um esboço da sua seção transversal, explicando cada tipo de material.

3. Projete um amplificador de ganho 100 (Desenho, configuração e cálculos).

Resposta:​ Configuração não inversora

V E −V IN
IE = I B = 0 => V E =− I E R2
R1

Substituindo temos que:

V IN = 0
Vo R2
=−
V o =− I F R2 V IN R1
 Como o ganho é dado, podemos substituir e encontrar o valor dos resistores.
R2
− R1
= 100

R2 =− 100R1

Assim, para o amplificador projetado, o resistor R2 é 100 vezes maior que o R1.

Adotamos R1 = 100 Ω , logo .