UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA Ciclo Académico: 2011 - I

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA Fecha: 18/04/11

DEPARTAMENTOS ACADÉMICOS Duración: 1h50´
CURSO: __DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS____________________ COD. CURSO: EE411 M, N, O

TIPO DE PRUEBA: PRACTICA No. 1 Ex. PARCIAL EX. FINAL EX. SUST.

1.- En los siguientes enunciados indicar verdadero V (+1pto.) o falso (F) (- 0.5 pto.),
justificando brevemente. No se considerará fracción de punto en el resultado total.
a) Un semiconductor “p” está cargado positivamente.
b) La ley de acción de masas implica que hay huecos en un semiconductor “n”.
c) La conductividad de un semiconductor aumenta con la disminución de temperatura.
d) La función de Fermi-Dirac es una distribución normal de probabilidades.
e) La masa efectiva de un hueco en Kg. es siempre de 9.1x10-31
f) En el cero absoluto un semiconductor es un aislante.
g) El nivel de Fermi de un semiconductor “p” está más cerca de la banda de valencia.
2.- Se tiene un tronco de cono de silicio de 30 centímetros de altura, cuya base tiene un
radio 3 veces mayor que su parte superior de radio 5mm.; la cual presenta una
resistencia de 400 ohmios entre sus bases a temperatura ambiente. Determinar el
porcentaje de impurezas presentes si fueran de tipo:
a) Aceptoras (4 ptos.).
b) Donadoras (3 ptos.).
3.- Se tiene una fotorresistencia que está en el circuito mostrado si se aplica una
radiación ionizante con una intensidad de lux y con una frecuencia de aparición
de la radiación de 100Hz. Un terminal está conectado a la fuente de 15 voltios y el
otro está conectado a tierra (0 voltios) Considerar: La vida media de los electrones
es: y la de los huecos es: .

Calcular la tensión . es una fotorresistencia que tiene la forma:

Silicio
T=50°C
Por cada unidad de lux se
produce 1014 cm.-3 de
enlaces rotos
Los Profesores