Transistor tipo JFET

Un transistor tipo JFET está compuesto por terminales: S denominado fuente, D conocido
como drenador y G denominado puerta. Su funcionamiento se basa en controlar el campo
eléctrico que permite que se dé conductividad en el canal.
Al aumentar el voltaje en el diodo puerta-fuente, las zonas de interface se hacen más
grandes, causando que la intensidad que va de la fuente al drenaje tenga más dificultades
para atravesar el canal que se crea entre las zonas de interface, cuanto mayor es el voltaje
inverso en el diodo compuerta-fuente, menor es la corriente entre fuente y drenaje.

Polarizar un JFET de
canal n

Si el JFET es de canal p
las conexiones de las
De fuente de alimentación alimentaciones se
VGG que se usa entre la
invierten
compuerta y la fuente.

1) Se conecta su polo 2)La batería o fuente 3) El VDD se conecta

negativo hacia la de alimentación VDD con su polo positivo en
compuerta y hacia la que se conecta entre el el drenaje y el negativo
fuente su polo positivo. drenaje y la fuente. a la fuente.

JFET polarización de canal N y P

Fuente: http://mrelbernitutoriales.com
 Regiones de operación JFET

JFET curva de entrada y salida

Fuente: http://hispavila.com

Zona de Corte Zona de Óhmica Zona de Ruptura Zona de

En esta región la el JFET se
intensidad entre comporta como una
drenaje y fuente es resistencia no lineal
cero; el voltaje que es variable,
entre puerta y controlada por
fuente es negativa. tensión diferentes
valores de VGS
Saturación
Un voltaje alto en El JFET posee en
los terminales del esta región
JFET puede características que
producir ruptura son utilizadas en
por avalancha a amplificación.
través de la unión Se comporta como
de puerta. Los una fuente de
voltajes de intensidad
polarización nunca controlado por el
deben superar estos voltaje VGS cuya
valores para evitar ID es
que el transistor prácticamente
sufra daños. Figura independiente al
voltaje VDS.

Figura8. Valores para polarización JFET

Fuente: http://unicrom.com