UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA

Sede: Quito Campus: Sur

Carrera Ingeniería Automotriz

Asignatura: Electrónica Analógica - Digital Fecha: 12 de noviembre de 2019

Nivel: tercero Grupo: 2

Apellidos nombres: Osorio Fonseca Kevin Steeven

Tema: Investigación FET y MOSFET.

INTRODUCCIÓN

El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que

se utiliza en varias aplicaciones que coinciden, en gran medida, con las del transistor

BJT. Aun cuando existen diferencias importantes entre los dos tipos de dispositivos,

también hay muchas semejanzas

Las diferencias principales entre los dos tipos de transistor radican en el hecho

de que: el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, en tanto que el

transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje.

El término efecto de campo requiere alguna explicación. Todos sabemos de la

capacidad de un imán para atraer las limaduras de metal hacia sí mismo sin requerir un

contacto real. El campo magnético del imán envuelve las limaduras y las atrae hacia el

imán porque las líneas de flujo magnético actúan hasta donde es posible como un

cortocircuito. Para el FET las cargas presentes establecen un campo eléctrico, el cual
controla la ruta de conducción del circuito de salida sin que requiera un contacto directo

entre las cantidades de control y las controladas.

Tipos de transistores FET

 El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un

aislante (normalmente SiO2).

 El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n

 El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión

PN del JFET con una barrera Schottky.

 En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET

(heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el

aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.

 Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)

 Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de

potencia. Son comúnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente

está entre los 200 a 3000V. Aun así los Power MOSFET todavía son los

dispositivos más utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200 de

voltaje(V).

 Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación

ultra rápida del transistor.

 Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor,

usando una puerta fabricada de moléculas de ADN de una cadena para detectar

cadenas de ADN iguales.

 Los TFT, que hacen uso de silicio amorfo o de silicio policristalino.

Símbolo Electrónico

Canal N Canal P

MOSFET

Existen tres tipos de FET: JFET, MOSFET y MESFET. Los MOSFET se

dividen aún más en dos tipos: empobrecimiento y enriquecimiento. Los términos

empobrecimiento y enriquecimiento definen su modo básico de operación; el nombre

MOSFET significa transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico.

Como hay diferencias en las características y operación de los diferentes tipos de

MOSFET se describirán por separado.

MOSFET del tipo empobrecimiento.

 La construcción básica del MOSFET tipo

empobrecimiento de canal n aparece en la figura 1. Se

forma una placa de material tipo p a partir de una base

de silicio y se conoce como sustrato. Es la base sobre la

cual se construye el dispositivo. En algunos casos, el

sustrato se conecta internamente a la terminal de fuente.

Sin embargo, muchos dispositivos individuales cuentan Figura 1

con una terminal adicional etiquetada SS, lo que produce un dispositivo de cuatro

terminales, como el de la figura 1. La fuente y el drenaje están conectados mediante

contactos metálicos a regiones tipo n dopadas vinculadas a un canal n como se muestran

en la figura. También la compuerta está conectada a una superficie de contacto metálica

aunque permanece aislada del canal n por una capa de bióxido de silicio (SiO2) muy

delgada. El SiO2 es un tipo de aislante conocido como dieléctrico, el cual establece

campos eléctricos opuestos (como lo indica el prefijo di) dentro del dieléctrico cuando

se expone a un campo externamente aplicado. El hecho de que la capa de SiO2 sea una

capa aislante significa que no hay una conexión eléctrica entre la terminal de compuerta

y el canal de un MOSFET.

Además la capa aislante de SiO2 en la construcción de un MOSFET es la

responsable de la muy deseable alta impedancia de entrada del dispositivo.

En realidad, por lo común la resistencia de entrada de un MOSFET es más que la de un

JFET típico, aun cuando la impedancia de entrada de la mayoría de los JFET es

suficientemente alta en la mayoría de las aplicaciones. Debido a la muy alta impedancia

de entrada, la corriente de compuerta IG es en esencia de 0 A para configuraciones

polarizadas de cd.

La razón de la etiqueta de FET semiconductor de óxido metálico ahora es bastante

obvia: metal por las conexiones del drenaje, fuente, y condiciones de compuerta a la

superficie apropiada; en particular a la terminal de compuerta y al control que debe

ofrecido el área de la superficie de contacto; óxido por la capa aislante de bióxido de

silicio, y semiconductor por la estructura básica sobre la cual se difunden las regiones

tipo n y p. La capa aislante entre la compuerta y el canal dio origen a otro nombre para

el dispositivo FET: compuerta aislada, o IGFET, aunque esta designación cada vez se

utiliza menos en la literatura

Símbolos de los transistores FET y MOSFET

Cana

lP

Cana

lN

MOSFET de MOSFET de MOSFET de

FET de
Enriquecimient Enriquecimient Empobrecimient
unión
o o o
JFET
(MOSFET-E) (sin sustrato) )
 USOS Y APLICACIONES EN AMPLIFICADORES

Las configuraciones de circuito de los amplificadores

MOSFET son en todo análogo a las de los FET de unión. Es

particularmente así en el caso de los MOSFET de

empobrecimiento porque la polaridad de la polarización de

compuerta es igual, casi siempre, que para los FET. A los

MOSFET de enriquecimiento se pueden aplicar también circuitos

Figura 2
análogos, mientras los parámetros del circuito sean tales que la

polarización de la compuerta tenga la misma polaridad que el sumidero y su magnitud

supere a la tensión umbral de compuerta.

Las propiedades del MOSFET de enriquecimiento permiten montar el sencillo

circuito amplificador representado en la figura 8, el cual resulta ser adecuado para

muchas aplicaciones. La polarización de compuerta se obtiene sin más que conectar la

compuerta al sumidero a través de una gran resistencia. El punto de trabajo se determina

anotando el punto de la recta de carga para el cual son iguales la tensión continua de

sumidero y la tensión continua de compuerta. El análisis de circuito subsiguiente,

utilizando un circuito equivalente para c.a., es inmediato.

La resistencia de polarización de compuerta se conecta al sumidero, en vez de a

la tensión de alimentación del sumidero, a fin de estabilizar el punto de trabajo frente a

cambios exteriores. Por ejemplo, si se debilitara ligeramente a la corriente de sumidero,

se reduce la caída de tensión en la resistencia de carga de sumidero. Con ello aumenta la

polarización de la compuerta, lo cual tiende, a su vez, a volver a la corriente de

sumidero su intensidad original. Esta estabilización es análoga a la conseguida con la

resistencia de polarización de sumidero en la configuración convencional de

polarización.

Las tensiones de señal del circuito de sumidero vuelven también a la entrada a

través de la resistencia de polarización de la compuerta. Este aspecto desfavorable suele

poderse ignorar porque la impedancia de los generadores de señal es pequeña frente a la

gran resistencia de polarización de compuerta, con lo que se reducen

correspondientemente las señales de sumidero que aparecen en el circuito de entrada.

Bibliografía

 BROPHY, J. (1974). Electrónica fundamental para científicos. Editorial

Reverté.

 BOYLESTAD, R. (2009). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos

electrónicos. Editorial Pearson.

 The European Transistor Invención. Computer History Museum. Consultado el

7 de marzo de 2016.

 Patent US 1877140: Amplifier for electric currents. United States Patent Office.

Consultado el 19 de febrero de 2016.