Fase 2 - Presentar solución al problema del amplificador de baja señal con JFET

Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y comercializa
instrumentos electrónicos. Su segunda asignación es presentar trabajando en equipo con
cuatro compañeros, una solución llamada amplificador de baja señal con JFET, el cual
permite restaurar señales débiles en los diferentes circuitos de transmisión y recepción
de información las especificaciones dadas para el diseño son las siguientes:

Señal de entrada: 300mV a 1Khz.

Referencia del JFET: J201
ID= 327uA, VD= 4.6V, VGS (off)= -1.5V, VCC= 20V.

De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 1mA a 100mA… para este diseño se
trabajara IDSS=3mA.

El equipo de trabajo cuenta con 3 semanas para presentar un informe a la empresa, en él

mismo, es obligatorio se evidencie una fundamentación teórica, una argumentación y la
validación de la solución. Además, de ser aprobada la propuesta, se deberá realizar una
implementación real y para ello se contará con acceso a los laboratorios.
 Actividades a desarrollar

Individuales:

1. Fundamentación Teórica.
(Primera Semana)

Figura No. 1. Diagrama Esquemático del Amplificador

Fuente Autor.

Primero definiremos cada elemento de nuestro circuito

Capacitor: también conocido como condensador utilizado en electrónica como
almacenador de energía y como filtro de la corriente para evitar el rizado dentro de un
circuito
Fuente Vcc: fuente de corriente continúa
Fuente AC: Fuente de corriente alterna
Resistencia: Es aquel dispositivo en electrónica el cual se opone al paso de corriente
eléctrica a través de el
Potenciómetro: Es una resistencia variable, su resistencia puede variar dependiendo el
valor que se le de
JFET: También denominado Transistor de Efecto de Campo. Su nombre proviene del
acrónimo inglés Junction Field Effect Transistor. La principal característica de este tipo
de transistores es que prácticamente no requieren de corriente de entrada en su terminal
de control. Permite el paso, o no, de corriente entre sus terminales Source (Fuente) y
Drain (Drenador) mediante la aplicación de voltaje en su terminal Gate (Puerta). Al no
necesitar corrientes de polarización, como ocurre con los transistores bipolares, se
puede reducir el número de componentes externos necesarios para hacerlo funcionar.
Consiguen velocidades de conmutación (tiempo de paso de conducción a no conducción
y viceversa) mayores que los transistores bipolares, por lo que se usan preferentemente
en Electrónica Digital.

Fuente: https://tallerelectronica.com/transistor-jfet/
Argumentación
Inicialmente tenemos un circuito alimentado con una fuente de corriente continua de
20V, esta fuente nos alimentara nuestro circuito, para poder tener un correcto
funcionamiento. Siguiendo con el análisis encontramos que tenemos una entrada de una
señal sinusoidal 300mV a 1Khz.luego pasa por un condensador de acopio el cual tiene
la función de estabilizar un poco más la señal que está pasando por él y eliminar señales
no deseadas, de allí la señal pasa por nuestro transistor JFET que luego de configurado
tiene como función amplificarnos la señal que está pasando por el luego más adelante en
el drenaje del JFET tenemos un condensador de 10uF con la misma sunción estabilizar
la señal obtenida del JFET y eliminarnos señales parasitas de la señal ya amplificada y
en la fuente tenemos una resistencia variable el cual nos servirá para variar el valor de la
tensión que pasa por el JFET y que entregaremos al último tramo en el cual
encontraremos la señal amplificada

(Segunda Semana).
Datos

Señal de entrada: 300mV a 1Khz.

Referencia del JFET: J201
ID= 327uA
VD= 4.6V
VGS (off)= -1.5V
VCC= 20V
De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 1mA a 100mA… para este diseño se
trabajara IDSS=3mA.
 Dadas Las Fórmulas:

RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD

RS = VGS (off) / IDSS RG = Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS

1.1 Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los siguientes

cálculos.
-Estudiante 2:
b.) Calcular la resistencia del drenaje RS.

RS = VGS (off) / IDSS

−1.5V
𝑅𝑠 = = −0.5𝑘Ω
3mA