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03) Hambley, Allan R. (2002). “Características del diodo” en Electrónica. España: Prentice Hall, pp.

138-140.
138 Electrónica

3.1. CARACTERÍSTICAS DEL DIODO


El diodo es un dispositivo electrónico de gran importancia, que posee dos terminales:
el ánodo y el cátodo. El símbolo del diodo se muestra en la Figura 3.1(a), mientras
que en la Figura 3.1(b) se muestra su característica tensión-corriente. Como se ve en la
Figura 3.1(a), la tensión vD en el diodo se toma como positiva de ánodo a cátodo. De
igual manera, la corriente iD en el diodo se referencia como positiva cuando circula de
ánodo a cátodo.
La corriente fluye a Puede observarse en la curva característica que, si la tensión vD es positiva en el
través del diodo en la diodo, pasa un flujo de corriente grande incluso con pequeñas tensiones. Esta condi-
dirección que indica la
flecha. ción se denomina polarización directa. Así, la corriente fluye fácilmente a través del
diodo en la dirección que indica la flecha o el símbolo del diodo.
Para valores Por otra parte, para valores moderadamente negativos de vD, la corriente iD es muy
moderadamente
negativos de vD, la pequeña. A esto se le llama región de polarización inversa, como puede verse en la
corriente iD es muy curva característica del diodo. Si se aplica una tensión de polarización inversa sufi-
pequeña.
cientemente grande al diodo, su modo de operación entra en la región de ruptura
Si se aplica una tensión inversa o zona de avalanza, permitiendo el flujo de una elevada corriente. Mientras
de polarización que la potencia disipada en el diodo no eleve demasiado su temperatura, el modo de
suficientemente grande
al diodo, permite el trabajo en ruptura inversa no destruirá el dispositivo. De hecho, veremos que a menu-
flujo de una corriente. do se hace trabajar deliberadamente a los diodos en la región de ruptura inversa.

Diodos de pequeña señal


Para fabricar diodos, se utilizan diversos materiales y estructuras. Por el momento,
limitaremos nuestro estudio a los diodos de silicio de pequeña señal, que pueden

iD
Ánodo Cátodo
+ vD −

(a) Símbolo del circuito

iD

vD

Región Región de Región de


de ruptura polarización polarización
inversa inversa directa

(b) Curva característica tensión-corriente

Figura 3.1. Diodo semiconductor.


Capítulo 3. Diodos y circuitos con diodos 139

iD

10 mA

"Codo"

vD
−100 V −1 nA 0,6 V

Figura 3.2. Curva característica tensión-corriente para un diodo típico de silicio de pequeña
señal a una temperatura de 300o K. Tenga en cuenta los cambios de escala.

encontrarse comúnmente en circuitos electrónicos de baja y media potencia. Uno de


esos diodos discretos es el 1N4148, distribuido por varios fabricantes. Los diodos en
los circuitos integrados tienen características similares a las de los diodos discretos de
pequeña señal.
En la Figura 3.2 se muestra la curva característica de un diodo típico de silicio de
pequeña señal trabajando a una temperatura de 300o K. Observe que las escalas para la
tensión y la corriente en la región de polarización directa son diferentes a las utilizadas
en la región de polarización inversa. Esto ayuda a presentar con claridad los detalles
de la curva característica ya que los valores de corriente son mucho más pequeños, y
los de tensión mucho más grandes, en la región de polarización inversa que en la re-
gión de polarización directa.
En la región de polarización directa, los diodos de silicio de pequeña señal condu- A medida que aumenta
cen muy poca corriente (mucho menos de 1 mA), hasta que se aplica una tensión di- la temperatura, la
tensión de codo
recta de 0,6 a 0,7 V (suponiendo que el diodo se encuentra a una temperatura de apro- disminuye a razón de
ximadamente 300o K). Entonces, la corriente aumenta muy rápidamente a medida que aproximadamente 2
mV/K.
se sigue incrementando la tensión. Decimos que la curva característica de polarización
directa presenta un codo sobre los 0,6 V. A medida que aumenta la temperatura, la
tensión de codo disminuye a razón de aproximadamente 2 mV/K.
En la región de polarización inversa, para diodos de silicio de pequeña señal a Una regla empírica dice
temperatura ambiente, la corriente típica es de, aproximadamente, 1 nA. A medida que la corriente inversa
se dobla para cada
que aumenta la temperatura, la corriente inversa también aumenta. Una regla em- incremento de
pírica dice que la corriente inversa se dobla para cada incremento de temperatura temperatura de 10o K.
de 10o K.
Cuando se alcanza la ruptura inversa, la corriente aumenta de valor rápidamente.
La tensión para la que ocurre esto se llama tensión de ruptura. Por ejemplo, la ten-
sión de ruptura de la curva característica del diodo mostrada en la Figu-
ra 3.2 es, aproximadamente, de .100 V. Las tensiones de ruptura pueden oscilar entre
unos pocos voltios y centenares de voltios. En algunas aplicaciones se necesitan dio-
dos que operen en las regiones de polarización directa y polarización inversa no con-
ductora sin entrar en la región de ruptura. Los diodos para estas aplicaciones precisan
una tensión de ruptura mayor que la mayor tensión inversa que vayan a soportar.
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Diodos zéner

Los diodos zéner se Los diodos que trabajan en la zona de ruptura se denominan diodos zéner o diodos de
usan en aplicaciones avalancha. Los diodos zéner se usan en aplicaciones para las que se necesita una ten-
para las que se necesita
una tensión constante sión constante en la región de ruptura. Por tanto, los fabricantes intentan optimizar los
en la zona de ruptura. diodos zéner para obtener una curva característica prácticamente vertical en la región
de ruptura. El símbolo modificado del diodo que se muestra en la Figura 3.3 es el que
se usa para los diodos zéner. Hay disponibles diodos zéner discretos con tensiones de
ruptura especificadas con una tolerancia de u5 %.
En la práctica, existen dos mecanismos que pueden causar la ruptura inversa. Para
diodos con una tensión de ruptura superior a 6 V, el responsable es un efecto conocido
como avalancha. Por ello, los diodos con tensiones de disrupción más elevadas se
llaman, consecuentemente, diodos de avalancha. Por debajo de los 6 V, un fenómeno
de la mecánica cuántica, conocido como efecto túnel, es el responsable de la ruptura.
Hablando estrictamente, los diodos zéner son aquéllos que se encuentran en el margen
inferior de valores de ruptura. Sin embargo, en la práctica, ambos términos se utilizan
de manera indistinta para todos los diodos de ruptura.

Figura 3.3. Símbolo del diodo zéner.

3.2. ANÁLISIS DE LA LÍNEA DE CARGA

La curva característica tensión-corriente de los diodos no es lineal. En los próximos


capítulos, veremos que las curvas características de otros dispositivos electrónicos
tampoco son lineales. A causa de esta no linealidad, muchas de las técnicas aprendidas
en los cursos básicos de teoría de circuitos para trabajar con circuitos lineales no se
pueden aplicar a circuitos que empleen diodos. De hecho, la mayor parte de nuestros
estudios sobre electrónica consistirán en técnicas para analizar circuitos con elementos
no lineales.
Los métodos gráficos Los métodos gráficos constituyen un enfoque para analizar este tipo de circuitos.
constituyen un enfoque Por ejemplo, consideremos el circuito de la Figura 3.4. Aplicando la ley de tensiones
para analizar circuitos
con elementos no de Kirchoff, podemos escribir
lineales.
Ecuación de la línea de VSS % RiD ! vD (3.1)
carga.

+ +
VSS iD vD

Figura 3.4. Circuito para el análisis de la línea de carga.

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