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Estado Sólido
Propriedades Elétricas
(cap. 42 – Fundamentos de Física – Halliday, Resnick, Walker,
vol. 4 – 6ª. Ed.)
• Metais
• Semicondutores
1
Níveis de energia para um sólido
cristalino: teoria de bandas
METAIS
Diagrama de Bandas
EF Banda Parcialmente
Preenchida
E=0
2
Condução para T > 0
3
METAIS: como varia a resistividade
com o aumento da temperatura?
• Concentração de portadores de
carga (n) não aumenta muito, por
m causa dos processos de colisão;
ρ= 2 • Tempo de relaxação τ diminui
ne τ bastante com o aumento no número
de colisões, mais rápido se chega a
uma corrente constante.
ρ AUMENTA com a temperatura
1 dρ
=α α = coeficiente de temperatura da
ρ dT resistividade é POSITIVO!
Márcia Russman Gallas (FIS01184)
4
Estudo Quantitativo da
Eletricidade num Metal
8π
N (E) =
h3
2(m 3
E )
1/ 2
5
Densidade de Estados
N(E)
8π
N (E) =
h3
2 m(3
E
1/ 2
) E
EF
2) Contagem de estados em T = 0 K:
Banda Parcialmente EF EF
Preenchida T=0
E=0
P(E)
• até nível de Fermi, todos os estados estão ocupados
(mais baixa energia)
• acima do nível de Fermi, todos os estados estão vazios
• ESTATÍSTICA: peso para cada estado de energia
= 1 certeza que o estado está ocupado
P(E) ⇒ função probabilidade
= 0 certeza que o estado está vazio
Márcia Russman Gallas (FIS01184)
6
Densidade de Ocupação de Estados
Nº de estados
ocupados por unidade
de volume
N o (E ) = N ( E ) P ( E )
N° de estados não Probabilidade de
ocupados por unidade ocupação de um
de volume (densidade estado
de estados)
=1
No (E) 8π P(E)
(
N ( E ) = 3 2m 3 E
h
1/ 2
) =0
n
EF EF
n=∫ N o ( E ) dE = ∫ N ( E ) P ( E ) dE
0 0
EFF
E E
EF
n = N° de elétrons de condução n=∫ N ( E ) dE
por unidade de volume num 0
metal
Em T = 0 K os elétrons de condução ocupam todos os
estados de energia até o nível de Fermi
Márcia Russman Gallas (FIS01184)
16π
n=
3h 3
(
2m 3 )1/ 2
EF3 / 2
massa do elétron
7
4) Contagem de estados para T > 0 K
Como fica a função probabilidade P(E)?
Temos a distribuição de probabilidades de Fermi-Dirac que representa
a probabilidade de ocupação de um estado com energia E.
1
P( E ) =
e ( E − EF ) / kT + 1
para E < EF ⇒ (E - EF)/kT ⇒ - ∞
⇒ e - ∞ = 0 ⇒ P(E) = 1
Em T = 0 K temos:
para E < EF ⇒ (E - EF)/kT ⇒ + ∞
⇒ e + ∞ = ∞ ⇒ P(E) = 0
1
P( E ) =
e ( E − EF ) / kT + 1
T=0
EF
P(E)
E E
n = ∫ N o ( E ) dE = ∫ N ( E ) P ( E ) dE
0 0
8
Comparando ocupação de estados para:
T=0K T>0K
N(E) N(E)
E E
P(E) P(E)
E E
EF EF
No (E) No (E)
E E
EF EF