Practica Número 2: Polarización y Aplicaciones de

Transistores de Efecto Campo

Kevin Coronado, Sergio Riobó.
Valledupar- Cesar
Universidad Popular del Cesar

INTRODUCCIÓN
Dentro de la gama de
transistores que existen
actualmente podemos
diferenciar los siguientes:la
familia de los BJT y la
familia de los FET. Los FET
o transistores de efecto de
campo son dispositivos que a
diferencia de los BJT son
controlados por tensión o
diferencia de voltaje. En los
transistores FET se crea un
campo eléctrico que controla
la anchura del camino de
conducción del circuito de
salida sin que exista contacto
directo entre la magnitud
controlada (corriente) y la
magnitud controladora
(tensión). Dentro de la
familia de los FET podemos
encontrar dos grandes
divisiones: JFET y MOSFET.
Los MOSFET o transistores
de efecto de campo de unión
metal semiconductor se
dividen en dos grandes
ramas: decrementales
incrementales, estos a su vez
se dividen en canal n o canal
p. En este laboratorio
estudiamos el
comportamiento de los
MOSFET de varias maneras,
por ejemplo, en polarización
automática con el voltaje de
drenaje, el voltaje drenaje-
fuente, la corriente de
drenaje, etc.
PROCEDIMIENTO
Objetivo:
• Observar las principales
características de
funcionamiento de los
transistores FET y MOSFET.
• Comparar los
conocimientos teóricos
previos con la experiencia
practica.
Descripción:
En esta práctica de
laboratorio se deben obtener
una serie de puntos de
medición a fin de reconocer
algunas características básicas
del transistor. Los transistores
a utilizar son del tipo JFET
(MPF102oMPF802)
MOSFET (2N7000, BS170 o
algún transistor equivalente,
preferiblemente
encapsulado TO-92 e IDmax
≈ 200mA como mínimo) con
sus respectivos datasheet. El
alumno debe: 1. Obtener los
componentes requeridos y
realizar el montaje
correspondiente. (RG1 =
10Ω, RG2 = 20kΩ, RG3 =
10kΩ, RD1 = 2,2kΩ, RD2 =
1,5kΩ, RS1 = 1kΩ, motor
DC).
Montaje 1
e
Montaje 2
Simulaciones
y
de
Montaje 3
Figura 4. Montaje 1
PRACTICA
Figura 5. Montaje 2
Figura 4. A) Montaje 1
parte inferior izquierda. B)
Montaje 2 parte superior
izquierda. C) Montaje 3 parte
inferior derecha.
A falta de los tipos de
transistores que se pedían
para la realización de
laboratorio, optamos por
utilizar MOSFET que
teníamos a nuestra
disposición.
Para el montaje 1
utilizamos un FTP18N06,
para el montaje 2 utilizamos
un CEP83A3 y para el
montaje 3 usamos un Figura 6. Montaje 3
DG2N60.
RESULTADOS
MONTAJE 1:
 El voltaje en VGG fue de CONCLUSIONES parámetro de
1.3V en el momento donde la  Los valores reales control de los
corriente a través de RD era y simulados, no FET es la tensión
igual a cero. Esto ocurre dan exactamente en vez de
porque No habrá corriente igual, ya que los corriente.
apreciable ID hasta que VGS diferentes valores
excede VT. de los
VGS<VT entonces iD=0 componentes
El voltaje umbral del reales incluyen
transistor utilizado, según la un cierto
hoja de especificaciones se porcentaje de
encuentra ente 2-4 v. Por lo inexactitud.
cual es algo razonable.  Debido a que los
transistores que
se pedían en el
laboratorio no se
encontraban en el
mercado local de
la ciudad,
decidimos
utilizar
transistores
reciclados, que
MONTAJE 2: cumplían
Los resultados obtenidos perfectamente los
fueron parámetros
requeridos para
desarrollar el
anterior
laboratorio. Los
transistores
utilizados fueron
FTP18N06,
CEP83A3 y
DG2N60.
 Se pudo realizar
las mediciones en
los circuitos con
transistores de
efecto de campo
de este
Tabla 1. Resultados laboratorio,
haciendo ver las
MONTAJE 3: diferencias que
El voltaje en los existen en VDS e
terminales G y D fue de 10 V iD al variar el
cuando el motor comienza a voltaje VGS.
girar. Al aumentar el  Se pudo corrobar
potenciómetro la velocidad el parámetro de
de giro del motor aumenta funcionamientos
porque comienza a aumentar de los mosfet, el
el voltaje en el motor y la cual nos dice que
corriente iD. VGS debe
La tensión en G a la cual exceder el Voltaje
el motor se apaga y deja de umbral, para que
girar es de 3 v, porque el así exista una
voltaje umbral según el corriente iD a
datasheet del transistor, se través de las
encuentra entre 2-4 voltios. terminales D y S.
 A diferencia de
los BJT, el