Transístor Bipolar de Junção (TBJ)

O Transístor Bipolar de Junção como amplifcador

81
 O transístor como amplificador – nomenclatura e convenções

Circuito amplificador básico representativo da montagem em emissor comum.

I C , I B , VBE , VCE , etc Correntes e tensões contínuas;

ic , ib , vbe , vce , etc Correntes e tensões variáveis no tempo também referidas como componentes de
sinal ou “o sinal” ou AC;

iC , iB ,vBE , vCE , etc Correntes e tensões totais; têm a componente contínua e a componente de sinal.
O transístor como amplificador

Circuito amplificador básico representativo da montagem em emissor comum

Recta de carga estática (entrada) Recta de carga estática (saída)

1 V 1 V
VBB  R BiB  vBE  iB   vBE  BB VCC  vCE  R CiC  iC   vCE  CC
RB RB RC RC
 O transístor como amplificador: Ponto de Funcionamento Estático (PFE)

Entrada Saída
1 V 1 V
VBB  R BiB  vBE  iB   vBE  BB VCC  vCE  R CiC  iC   vCE  CC
RB RB RC RC

Representação gráfica para determinação Representação gráfica para determinação

do ponto de funcionamento estático do ponto de funcionamento estático
(entrada) (saída)
O transístor como amplificador: exemplo da variação do PFE com o 

VBE _ ACT  0,7 V

R C  4 k
vo
R B  100 k
VCC  12 V
V BB  3 V

Se =100

VBE  0,7 V VBE  0,7 V

  3  0,7
 I B  VBB  VBE  I   0,023 mA
 B 100
 RB 
 I  I I   I  100 3  0,7  2,3 mA
 C B
 C B
100
VCE  VCC  RC I C V  12  4 x 2,3  2,8 V
 CE
O transístor como amplificador: exemplo da variação do PFE com o 

VBE _ ACT  0,7 V

vo R C  4 k
R B  100 k
VCC  12 V
V BB  3 V

Se =125

VBE  0,7 V VBE  0,7 V

  3  0,7
I B  VBB  VBE I   0,023 mA
B 100
 RB 
I   I I   I  125 3  0,7  2,875 mA
C B
C B
100
VCE  VCC  R C I C V  12  4x 2,875  0,5 V !!!
 CE
O transístor como amplificador: exemplo da variação do PFE com o 

VBE _ ACT  0,7 V

vo R C  4 k
R B  100 k
VCC  12 V
V BB  3 V

Se =150

VBE  0,7 V VBE  0,7 V

 
I B  VBB  VBE I B  3  0,7  0,023 mA Conclusão: estabelecer o
 100
 RB  PFE o mais independente
I   I I   I  150 3  0,7  3,45 mA
C B
C B
100
possível do  do transístor
VCE  VCC  R C I C V  12  4x 3,45  1,8 V  Saturação!!! (circuitos de polarização
 CE
do TBJ).
 O transístor como amplificador: Ponto de Funcionamento Dinâmico

Representação gráfica para determinação das componentes de sinal vbe, ib, ic e vce quando um sinal vi é
sobreposto a uma tensão contínua VBB (ver circuito amplificador básico representativo da montagem em
emissor comum)
 O transístor como amplificador: exemplo VBE  0,7 V

  100 I B  VBB  VBE
 RB
VBE _ ACT  0,7 V I   I
C B

R C  4 k VCE  VCC  R C I C
vo VBE  0,7 V
R B  100 k 
VCC  12 V PFE I B  3  0,7  0,023 mA
 100
V BB  3 V
(Ponto de

I  I  100 3  0,7  2,3 mA
Funcionameto
Estático)

C B
100
V  12  4x 2,3  2,8 V
 CE

VBB  vi   3  0,5sen(t )  max3  0,5sen(t )  3,5 V VBB  vi   3  0,5sen(t )  min3  0,5sen(t )  2,5 V
VBE  0,7 V VBE  0,7 V
 
 I B  3,5  0,7  0,028 mA  I B  2,5  0,7  0,018 mA
 100  100
 
 I  I  100 3,5  0,7  2,8 mA  I   I  100 2,5  0,7  1,8 mA
 C B
100  C B
100
V  12  4 x 2,8  0,8 V V  12  4 x1,8  4,8 V
 CE  CE

vo _ pp vCE _ pp 0,8  4,8

Ganho em tensão     4 V / V
vi _ pp vi _ pp 3,5  2,5
 O transístor como amplificador: exemplo
  100
VBE _ ACT  0,7 V

vo R C  4 k
VBB  vi   3  1sen (t )  max3  1sen (t )  4 V
R B  100 k
VBE  0,7 V
VCC  12 V 
I B  4  0,7  0,033 mA
V BB  3 V  100

I  I  100 3  0,7  3,3 mA
C B
100
V  12  4x 3,3  1,2 V  Não está na zona activa
 CE

VBB  vi   3  1sen(t )  max3  1sen(t )   4 V VBB  vi   3  1sen(t )  min3  1sen(t )  2 V

VBE  0,8 V VBE  0,7 V
 
 I B  4  0,8  0,032 mA  I B  2  0,7  0,013 mA
 100 I 2,95  100
  C   92  100 !!! 
I  12  0, 2 I B 0,032  I   I  100 2  0,7  1,3 mA
 2,95 mA  C B
100
 C 4
V  0,2 V  Zona de saturação V  12  4 x1,3  6,8 V
 CE  CE

vo _ p vCE _ p 2,8  6,8

Ganho em tensão     4 V / V !!! Distorce o sin al
vi _ p vi _ p 3 2
O transístor como amplificador: exemplo
  100
VBE _ ACT  0,7 V

vo R C  4 k
R B  100 k
VCC  12 V
V BB  3 V

vi max?
VBE  0,7 V

VBB  vi _ pico  100 x 2,95  0,7  3,65 V
 100
  VBB  vi _ pico  3,65 V  vi _ pico  3,65  3  0,65 V
I C  12  0 , 2 I C 2,95
 2,95 mA     IB   0,0295 mA
 4 IB 100

VCE  0,2 V

ou
vi max?
vo _ pico vo _ pico 2,6
vo _ pico _ max  vce _ pico _ max  2,8  0,2  2,6  Ganho   vi _ pico    0,65 V
vi _ pico Ganho 4
 O transístor como amplificador: exemplo   100
VBE _ ACT  0,7 V
VCC  12 V
R C  4 k
V BB  3 V
R B  100 k

vo  vCE  VCC  RC I C
vo  VCC  RC I B
viT  VBE
vo  VCC  RC 
RB
viT  0,7
vo  12  4 x100
100
vo  4viT  14,8

Se v iT  VBB  v i

v iT  0,7 V  v o  4 v iT  14,8  4 x 0,7  14,8  12V

v iT  0,7
v o  v CE  12  4 x100x  v o  4v iT  14,8 Zona activa: (0,5 V) 0,7 V viT<3,65 V
100

v o  0,2V  v o  4v iT  14,8  0,2  4 v iT  14,8  v iT  3,65 V

 Transístor Bipolar de Junção (TBJ)

Esquema eléctrico do transístor bipolar de junção para

sinais de pequena amplitude (“para pequenos sinais”)

93
Modelo ou esquema eléctrico equivalente do funcionamento do TBJ para
sinais de pequena amplitude (ou “para pequenos sinais”) na zona activa

A análise de um circuito amplificador com TBJ é facilitada se for possível realizar

separadamente a sua análise para tensões e correntes contínuas da sua análise para
tensões e correntes cujas amplitudes são variáveis no tempo (“para sinal”).

Na análise para tensões e correntes contínuas (“para DC”) pretende-se habitualmente

determinar ou estabelecer o ponto de funcionamento estático do transístor; para esta
análise utilizam-se os esquemas eléctricos equivalentes associados a cada uma das zonas
de funcionamento (para amplificação de sinais o TBJ tem de funcionar na zona activa).

Na análise para tensões e correntes cujas amplitudes são variáveis no tempo (“para sinal”
ou “para AC”) pretende-se habitualmente avaliar e caracterizar o comportamento do
amplificador (ganho em tensão, ganho em corrente, etc); com este propósito torna-se
necessário estabelecer um modelo ou esquema eléctrico equivalente do TBJ para
sinal (ou para sinais), isto é, torna-se necessário estabelecer uma descrição do
funcionamento do TBJ para sinal (ou para sinais).
Modelo ou esquema eléctrico equivalente do funcionamento do TBJ para
sinais de pequena amplitude (ou “para pequenos sinais”)

(a) Circuito (conceptual) para ilustrar o funcionamento do transístor como amplificador (b)
circuito equivalente do circuito apresentado em (a) com a fonte de sinal vbe eliminada para efeito
de análise para tensões e correntes contínuas (análise DC). (c) Circuito amplificador com as
fontes de tensão contínuas (VBE and VCC) eliminadas; logo só as componentes de sinal estão
representadas (análise AC).
Modelo ou esquema eléctrico equivalente do funcionamento do TBJ para
sinais de pequena amplitude (ou “para pequenos sinais”)

Análise DC

(a) Circuito (conceptual) para ilustrar o funcionamento do transístor como amplificador (b) circuito equivalente do circuito
apresentado em (a) com a fonte de sinal vbe eliminada para efeito de análise para tensões e correntes contínuas (análise DC)

A análise para tensões e correntes contínuas do circuito amplificador da figura a), realiza-se
com simplicidade sob o circuito da figura b), resultante da anulação da fonte de sinal vbe no
circuito da figura a).
Modelo ou esquema eléctrico equivalente do funcionamento do TBJ para
sinais de pequena amplitude (ou “para pequenos sinais”)
Separação das componentes contínua e de sinal da corrente de colector
vBE  VBE  vbe
vBE
VT
iC  ISe

vBE VBE  vbe VBE vbe

VT VT VT VT
i C  ISe  i C  ISe  IS e e

VBE
Componente contínua da
Se I C  IS e VT
corrente total de colector

vbe
então i C  ICe VT
(a) Circuito (conceptual) para ilustrar o
funcionamento do transístor como amplificador

 vbe  vbe
v
Se be  VT  i C  I 
C 1  
  i C  I C  I C i C  IC  i c
 VT  VT
vbe
VT vbe vbe Componente de sinal (ou o sinal)
e  1 ic  IC
VT então da corrente total de colector
VT
 Transcondutância do TBJ

ic  IC
vbe I C

VT VT
vbe  g m vbe gm 
IC
VT
A V  Transcondutância do TBJ; exemplo: IC=1 mA e
VT=25 mV => gm=40 mA/V

A transcondutância gm do TBJ depende do valor da corrente contínua de colector IC; isto é, gm

depende do Ponto de Funcionamento Estático do transístor. Logo para um valor previsível de
gm é necessário um valor previsível de IC => estabilização do PFE (circuitos de polarização do
TBJ).

Funcionamento linear do transístor para sinais de pequena amplitude. Um sinal de pequena amplitude vbe, triangular, é
sobreposto sob uma tensão contínua VBE. Origina então uma componente de sinal na corrente de colector ic, também
triangular, sobreposta sob a corrente contínua IC. Então para ic = gmvbe, gm é o declive da aproximação linear da
característica de transferência iC–vBE , no ponto de funcionamento estático (ponto quiescente) Q.
  vVBE 
  I Se T 
Transcondutância do TBJ iC  
gm   gm   
vBE vBE  VBE
vBE

A transcondutância gm do TBJ é igual ao declive vBE  VBE

da aproximação linear da característica iC- vBE BE V

no ponto de funcionamento estático (IC,VBE) i 1 VT I
gm  C  gm  I Se  C
vBE vBE  VBE
VT VT

O modelo ou esquema eléctrico do TBJ

para sinais de pequena amplitude
pressupõe que a amplitude do sinal
aplicado (vbe) é suficientemente
pequena para assegurar que o ponto de
funcionamento (dinâmico) do TBJ em
cada instante se encontra sob um
segmento linear da característica iC-
vBE; da análise anterior amplitudes
pequenas serão aquelas em que vbe
<<VT (vbe <10 mV); nestas
circunstâncias o TBJ, entre o colector
e o emissor, pode ser descrito, para
sinais, por uma fonte de corrente
controlada pela tensão vbe
Funcionamento linear do transístor para sinais de
pequena amplitude i c  g m vbe
Resistência para sinal vista da base (entre a base e o emissor) do TBJ

BE v
iC 1 VT
i B   IS e
β β
 1 vVBE 
 ISe T 
1 1 i β  1 1
vBE
IB
  B     ISe VT

rbe rπ v BE PFE
v BE VT β VT
PFE

PFE

VT VT V vbe V 
rπ   β T r   T 
IB IC IC ib IC g m
β
Resistência para sinal vista da base (entre a base e o emissor) do TBJ

IC
ic  vbe IC v V vbe V 
VT vbe   ib  rbe  r  be   T r   T    r g m
VT ib IC ib IC g m
ic   ib
ou
IC
vbe 1 IC v V V
i V 1 IC ib  vbe  be   T  rbe  r   T
Se ib  c  T  vbe então
 VT ib IC IC
   VT

Resistência para sinal vista do emissor do TBJ

 1   1 IC v VT V v V vbe VT
ie  ic  ie  vbe  be   T  re  be  T re  
  VT ie   1 IE ie IE ie IE
IC


Relação entre a resistência vista da base e resistência vista do emissor

vbe
r   vbe  rib
ib ie
rib  reie  r  re  r  (  1)re r  (  1)re
v ib
re  be  vbe  reie
ic
Modelo ou esquema eléctrico equivalente do funcionamento do TBJ para
sinais de pequena amplitude (ou “para pequenos sinais”)

Análise AC
Circuito
equivalente
para sinal

c)

(a) Circuito (conceptual) para ilustrar o funcionamento do transístor como amplificador (c)
Circuito amplificador com as fontes de tensão contínuas (VBE and VCC) eliminadas; logo só as
componentes de sinal estão representadas (análise AC)
 Modelo ou esquema eléctrico equivalente do funcionamento do TBJ para
sinais de pequena amplitude (ou “para pequenos sinais”)

Modelo ou esquema eléctrico equivalente (híbrido em ) do TBJ para sinal

(npn e pnp)

Modelos ou esquemas eléctricos equivalentes do TBJ para sinais de pequena amplitude. O esquema
eléctrico equivalente apresentado em (a) utiliza uma fonte de corrente controlada por tensão e o
esquema eléctrico apresentado em (b) utiliza uma fonte de corrente controlada por corrente

vbe v v vbe v
ie  ib  ic   g m vbe  be 1  g m r   be (1  )   be ic  g m vbe  g m rib   ib
r r r r re
(1  )
 Curvas características de saída do TBJ em emissor comum
Efeito de Early ou efeito de modulação da largura da base

(a) Circuito (conceptual) para traçar as curvas características iC –vCE do transístor na montagem em
emissor comum evidenciando o efeito de Early (b) Curvas características de saída iC –vCE.
VBE
VT
VBE
 vCE  I C  ISe
i C  IS e VT
1    i  V
ro   C   ro  A
 VA  |VA| – Tensão de Early (50 a 100 V)  vCE  vBE VBE cons tan te IC
Modelo (ou esquema eléctrico) equivalente do funcionamento do TBJ para
sinais de pequena amplitude (ou “para pequenos sinais”)

Modelo ou esquema eléctrico equivalente (híbrido em ) do TBJ para sinais considerando o

efeito de Early
(npn e pnp)

Modelos ou esquemas eléctricos equivalentes do TBJ para sinais de pequena amplitude

modelizando o efeito de Early através da resistência ro
v BE
V  I V VT  v CE 
r   T  gm  C ro  A i C  ISe 1  
IC g m VT IC  VA 
Modelo (ou esquema eléctrico) equivalente do funcionamento do TBJ para
sinais de pequena amplitude (ou “para pequenos sinais”)
Modelo ou esquema eléctrico equivalente (híbrido em ) do TBJ para sinais considerando o
efeito de Early (pnp)

Modelos ou esquemas eléctricos equivalentes do TBJ pnp para sinais de pequena amplitude
modelizando o efeito de Early através da resistência ro

O esquema eléctrico equivalente do TBJ pnp (figura a)) é equivalente ao do TBJ npn (figura b)), se
trocar a polaridade da tensão de controlo V (troca também o sentido da fonte de corrente (gmV ));
por isso para sinais pode utilizar-se o mesmo esquema eléctrico quer para o npn quer para
pnp.
Passos (ou regras) para a construção do circuito equivalente para sinais e para utilizar
o modelo (ou esquema eléctrico) do TBJ para pequenos sinais

Tendo encontrado um modelo ou esquema eléctrico do TBJ para pequenos sinais, a análise de circuitos
com TBJ para a amplificação de sinais pode ser realizada de forma sistemática.

1- Determinar o Ponto de Funcionamento Estático (PFE) do TBJ (análise DC), isto é realizar a análise
do circuito para tensões e correntes contínuas, anulando a fonte de sinal; determinar em particular o
valor da corrente contínua de colector IC.

2- Calcular os valores dos parâmetros do modelo do TBJ para pequenos sinais ( e VA são conhecidos).

3- Construir o circuito (esquema) equivalente do circuito amplificador para sinal: (1) anular as fontes de
tensão e de corrente contínuas; isto é, substituir cada fonte de tensão contínua por um curto-circuito e
substituir cada fonte de corrente contínua por um circuito aberto (está-se a considerar a fonte de tensão
ideal com resistência interna nula (curto-circuito) e a fonte de corrente ideal com resistência interna
infinita (circuito aberto); (2) os condensadores de acoplamento e de derivação são curto-circuitos para
sinal e circuitos abertos para tensões e correntes contínuas.

4 – Substituir o TBJ (ou os TBJs) pelo modelo ou esquema equivalente para sinais; os esquemas
estudados (modelo híbrido em  ou modelo em T) são equivalentes; por vezes face aos circuitos em
análise um pode ser mais vantajoso do que outro; habitualmente usaremos o modelo híbrido em 
com fonte corrente controlada por corrente ic=ib.

5 – Realizar análise pretendida do circuito amplificador, por exemplo, determinar o seu ganho em
tensão, o seu ganho em corrente, a sua resistência de entrada e a sua resistência de saída.
Passos (ou regras) para a construção do circuito equivalente para sinais e para utilizar
o modelo (ou esquema eléctrico) do TBJ para pequenos sinais
Exemplo
Análise DC

npn de Si, =100 e VA=100 V

VBE  0,7 V
VBB  VBE 3  0,7
IB    0,023 mA
RB 100
I C  I B  100 x 0,023  2,3 mA
VCE  VCC  R C I C  12  3x 2,3  3,1 V

Análise para sinal (análise AC)

VT 25x103
r    100  1,09 k
IC 2,3x10 3
I C 2,3x10 3
gm    92 mA / V
VT 25x10 3
VA 100 Circuito equivalente para sinais (TBJ substituido pelo seu
ro    43,5 k
IC 2,3x10 3 modelo equivalente para pequenos sinais com fonte de
corrente controlada por corrente com ro=)
 Exemplo

Análise para sinal (análise AC)

VT 25x103
r    100  1,09 k
IC 2,3x10 3
I C 2,3x10 3
gm   3
 92 mA / V
VT 25x10 Circuito equivalente para sinais (TBJ substituido pelo seu modelo
equivalente para pequenos sinais com fonte de corrente controlada
por corrente com ro=)

vo   ib R C  R C  100 x3 io - ic  ib
    2,97 V / V      100 A / A
vi ib (r  R B ) (r  R B ) ( 1,09  100) ii ib ib

ou então usando fonte de corrente controlada por tensão

  r g m
vo vo vbe  g m vbe R C r
  
vi vbe vi vbe r  R B
1,09
 92x10 3 x3x103 
1,09  100
 92x10 3 x3x103 x 0,0108  2,98 V / V
Circuito equivalente para sinais (TBJ substituido pelo seu modelo
equivalente para pequenos sinais com fonte de corrente controlada
por tensão ro=))
Exemplo

Análise para sinal (análise AC) considerando o valor finito da resistência de saída ro do TBJ

VT 25x10 3
r    100  1,09 k
IC 2,3x10 3
I C 2,3x10 3
gm    92 mA / V
VT 25x10 3

VA 100
ro   3
 43,5 k
IC 2,3x10

Circuito equivalente para sinais (TBJ substituido pelo seu modelo

equivalente para pequenos sinais com fonte de corrente controlada por
corrente ro))

vo  ib ( R C // ro )  (R C // ro )  100 x 2,81

    2,78 V / V
vi ib (r  R B ) (r  R B ) ( 1,09  100)

 ib ro
io - ic R C  ro   ro  100 x 43,5
     93,6 A / A
ii ib ib R C  ro 3  43,5
Exemplo com TBJ pnp

Análise para sinal (análise AC) considerando o valor finito da resistência de saída ro do TBJ

vs r V (r  R B )
V    vs    
r  R B r

  r g m vo g m V (R C // ro ) g r (R // r )
  m  C o
vs  V (r  R B ) (r  R B )
r
Abordagem alternativa para determinar o ganho em tensão para pequenos sinais
Condensadores de acoplamento (de bloqueio) e de desvio (ou de derivação)
(Coupling and bypass capacitors)

A fim de evitar que a fonte de sinal possa introduzir componente contínua no circuito
amplificador – que alteraria o ponto de funcionamento estático (PFE) do transístor– utilizam-se
nos circuitos amplificadores condensadores de bloqueio da componente contínua, também
designados condensadores de acoplamento do sinal (“AC coupling or DC blocking”) (na figura
seguinte, C1 e C2 são exemplos).
Utilizam-se também condensadores de desvio (ou de derivação ou de contorno) (bypass) para
anular o efeito das resistências, necessárias para o estabelecimento do PFE, no comportamento
dos circuitos para sinal (na figura seguinte CE é um exemplo ).
O valor da capacidade destes condensadores é habitualmente da ordem dos F.
Não estando no contexto desta disciplina o estudo desta questão, deve notar-se que o valor da
capacidade destes condensadores determina consequentemente, também, a resposta nas
frequências dos circuitos amplificadores.
Condensadores de acoplamento (de bloqueio) e de desvio (ou de derivação)
(Coupling and bypass capacitors)
1
ZC 
jC

Para tensões (e correntes) contínuas => =0

Para tensões (e correntes) contínuas o

1 condensador comporta-se como um
ZC  lim 
0 jC circuito aberto; bloqueia a
componente contínua.

Para tensões (e correntes) variáveis no tempo (para sinal) =>   0

Para tensões (e correntes) variáveis no

1 tempo (para sinal) o condensador
ZC  lim 0
C  jC comporta-se (aproximadamente) como
um circuito fechado.

1 1
Por exemplo Z C  10   10  
C 10C

1 1
Se C=50 F   2 f   2f  2000  f  318 Hz
10x 50x10 6 5x10 4
Exemplos de circuitos amplificadores utilizado condensadores de acoplamento (de
bloqueio) e de desvio (ou de derivação) (Coupling and bypass capacitors)

Montagem em emissor comum com Montagem em emissor comum com

sinal de entrada em tensão sinal de entrada em corrente

Montagem em base comum

Exemplos de circuitos amplificadores utilizado condensadores de acoplamento (de
bloqueio) e de desvio (ou de derivação) (Coupling and bypass capacitors)

Montagem em colector comum

 Modelo alternativo ou esquema eléctrico equivalente em T do TBJ para sinal

Duas versões do modelo em T do TBJ para sinais de pequena amplitude. O esquema eléctrico equivalente apresentado em
(a) utiliza uma fonte de corrente controlada por tensão e o esquema eléctrico apresentado em (b) utiliza uma fonte de
corrente controlada por corrente

vbe v v    vbe  1  vbe v

ib  ie  ic   g m vbe  be 1  g m re   be 1        be
re re r    1  re    1  re (  1) r

VT VT 1 1
ic  g m vbe  g m reie  ie já que re        g m re
I E I   1 IC   1 g 1
C m
 VT  
 Exemplo da utilização do modelo em T

VT 25x103 I C 2,3x10 3
r    100  1,09 k gm    92 mA / V
IC 2,3x10 3 VT 25x10 3

VT VT VT 25x10 3
re     100  10,8 
IE I   1 I C (  1) 2,3x10 3 x101
C

r 1,09  100
r  (  1)re  re    10,8    
(  1) 101   1 101

vo  ie R C v  ie R C  R C
  o   
vi ib R B  ie re vi ie 1
R B  ie re R B  re
 1  1
100
 x3
vo 101
  2,97 V / V
vi 1 3
100  10,8x10
101

 ie
io - ic  ie  1
      100 A / A
ii ib ib ie
Circuito equivalente para sinais (TBJ substituido pelo seu modelo  1
em T para pequenos sinais com fonte de corrente controlada por
corrente ro=))
RESUMO: Modelos ou esquemas eléctricos equivalentes do
funcionamento do TBJ para sinais de pequena amplitude (ou “para
pequenos sinais”)
Esquema eléctrico equivalente (híbrido em )

Esquema eléctrico equivalente em T

 Transístor Bipolar de Junção (TBJ)

Amplificadores: esquemas eléctricos equivalentes e

características ideais

121
 Amplificador: porquê e para quê

Fonte de Sinal
sinal analógico
analógico amplificado

Diagrama de blocos ilustrativo da utilização de um amplificador (de

potência) entre a fonte de sinal (de áudio) e a carga (altifalantes)

PO vO iO
 Ganho em potência = Ganho em tensão x Ganho em corrente
Pi vi ii
O amplificador deve ser linear; isto é, deve assegurar uma relação linear entre o
sinal de saída e de entrada - por exemplo, vo=kvi; k é constante - quer este (vi)
seja um sinal em tensão ou em corrente
 Esquemas eléctricos equivalentes dos amplificadores (unilaterais)

Ganho em tensão em circuito aberto (RL=) Ganho em corrente em curto-circuito (RL=0)

vo iocc
A v0  (V / V) A icc  (A / A )
vi ii

Transcondutância em curto-circuito (RL=0) Transresistência em circuito aberto (RL=)

io vo
Gm  (A / V) Rm  (V / A)
vi vo  0
ii io  0

Ri - Resistência de entrada do amplificador Ro - Resistência de saída do amplificador

 Análise do amplificador de tensão

Ganho em tensão em circuito aberto (RL=)

vo
A v0 
vi

 Ri
A v0 vi R  R 1 Ri  Rs
RL  i s
v R  RL Ri RL
Av  o  o  A v0 A v máximo  A v0  
vs vs Ri  Rs Ro  RL  R
L
 1 R0  RL
vo  R o  R L
i RL v R  Rs R  Rs
Ai  o   o i  Av i
is vs vs R L RL
Ri  Rs Amplificador de tensão ideal Ri   Ro  0
 Análise do amplificador de tensão
Exemplo

vo
Supondo que A v0  10 V , Rs= 1 k, Ri = 10 k, Ro= 0,1 k e RL= 1 k calcular A v 
V vs
A v0 vi
RL
vo R o  R L A R v A R Ri 10 x1 10 10 10
Av    v0 L i  v0 L    8,26 V / V
vs vs R o  R L vs R o  R L R i  R s 0,1  1 10  1 1,1 11

vo
Supondo que A v0  10 V e que Ri = 100 k, Ro= 0,1 k e RL= 10 k calcular A v 
V vs
A v0 vi
RL
vo R o  R L A R v A R Ri 10 x10 100 100 100
Av    v0 L i  v0 L    9,8 V / V
vs vs R o  R L vs R o  R L R i  R s 0,1  10 100  1 10,1 101
 Análise do amplificador de corrente

Ganho em corrente em curto-circuito (RL=0)

iocc
A icc 
ii

Ro
A iccii
io Ro  RL Rs Ro
Ai    A icc
is R  Ri Rs  Ri Ro  RL
ii s
Rs

 Rs
 R  R  1  R i  R s
 s i
Amplificador de corrente ideal Ri  0 Ro  
A i máximo  A icc 
 R
o
  1  R 0  R L
 R o  R L

vo io R L R
Av    Ai L
vs is R s Rs
Características ideais dos amplificadores

127