UNIVERSIDAD DE PAMPLONA

FACULTAD DE INGENIERIAS Y ARQUITECTURA

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA,
SISTEMAS Y TELECOMUNICIONES

ELECTRÓNICA DE POTENCIA GRUPO: B

TRANSISTOR DARLINGTON DISCRETO COMO INTERRUPTOR PARA UN
MOTOR DC

Leyder Dalmir Quintero Bayona1, Jhon Carlos león Quiñones2. Eyder Damian Jaimes Rangel3.
1
Estudiante de ingeniería mecatrónica, Universidad de Pamplona, Pamplona, Colombia.
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Estudiante de ingeniería mecatrónica, Universidad de Pamplona, Pamplona, Colombia.
3
Estudiante de ingeniería mecatrónica, Universidad de Pamplona, Pamplona, Colombia.

INTRODUCCIÓN
En la siguiente práctica de laboratorio, estudiaremos el Sí 𝑄1 y 𝑄2 conducen ligeramente en modo activo directo, es
funcionamiento, aplicación, diseño y análisis de la posible estimar la ganancia de corriente total (𝛽𝐷 ) del Darlington.
configuración DARLINGTON mediante la implementación
de transistores BJT de canal N, Así como determinar sus Sí 𝑉𝐶𝐸1 ≥ 𝑉𝐶𝐸1(𝑠𝑎𝑡) − 𝑉𝐶𝐸2 ≥ 𝑉𝐶𝐸2(𝑠𝑎𝑡)
valores de voltaje y corriente, en los respectivos nodos.
Entonces:
OBJETIVO GENERAL
Diseñar e implementar un circuito para un motor dc diseñado 𝐼𝐶1 = 𝛽1 𝐼𝐵1 (1)
para una configuración bipolar de Darlington discreto y
controlado para una compuerta digital TTL 𝐼𝐸1 = (𝛽1 + 1)𝐼𝐵1 (2)
OBJETIVOS ESEPCIFICOS
𝐼𝐶2 = 𝛽2 𝐼𝐵1 (3)
1 Establecer los valores de la resistencia limitadora 𝑅𝐵 y la
fuente fija 𝑉 + para forzar al Darlington a conducir en
saturado. LCK en el nodo #1
2 Seleccionar las referencias para los transistores 𝑄1 y 𝑄2 de 𝐼𝐶𝐷 = 𝐼𝐶1 + 𝐼𝐶2 (4)
él Darlington discreto con el fin de lograr arrancar el motor
dc protegiendo la compuerta lógica de control TTL y LCK en el nodo #2
funcionar cada uno en saturación. 𝐼𝐸1 = 𝐼𝐵2 (5)

PROCEDIMIENTO La ganancia total de corriente del Darlington discreto es:

𝐼𝐶𝐷
Configuración Darlington 𝛽𝐷 = (6)
𝐼𝐵𝐷

(1) y (3) en (4)

𝐼𝐶𝐷 = 𝛽1 𝐼𝐵𝐷 + 𝛽2 𝐼𝐵2 (7)

(5) en (7)
𝐼𝐶𝐷 = 𝛽1 𝐼𝐵𝐷 + 𝛽2 𝐼𝐸1 (8)

(2) en (8)

𝐼𝐶𝐷 = 𝛽1 𝐼𝐵𝐷 + 𝛽2 [𝐼𝐵𝐷 (𝛽1 + 1)]

𝑄1 =Impulsor (𝛽=alto; 𝐼𝑐 =baja)
Factorizando y despejando
𝑄2 =Potencia (𝛽=baja; 𝐼𝑐 =alta)

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𝐼𝐶𝐷 directamente entonces se cumple que:

= 𝛽1 + 𝛽2 (𝛽1 + 1) (9)
𝐼𝐵𝐷
𝑉𝐵𝐸𝐷(𝑂𝑁)= 𝑉𝐵𝐸1(𝑂𝑁) + 𝑉𝐵𝐸2(𝑂𝑁) (6)
ESQUEMATICO DE LA PRACTICA
Ahora el Darlington conformado por Q1 y Q2 conducirá en
saturado, lo cual indica:

𝑉𝐵𝐸𝐷 = 𝑉𝐵𝐸𝐷(𝑂𝑁) (7)

𝐼𝐶𝐷
= 𝛽1 + 𝛽2 (𝛽1 + 1) (8)
𝐼𝐵𝐷

𝐼𝐵𝐷 > 0𝐴; 𝐼𝐶𝐷 > 0𝐴; 𝐼𝐸𝐷 > 0𝐴 (9)

0𝑉 ≤ 𝑉𝐶𝐸𝐷 ≤ 𝑉𝐶𝐸2(𝑠𝑎𝑡) (10)

DESARROLLO DEL PROBLEMA

(1) y (7) en (10)

LVK en la malla II 0𝑉 ≤ 𝑉 + − 𝑉𝑀 ≤ 𝑉𝐶𝐸2(𝑠𝑎𝑡)

−𝑉 + + 𝑉𝑀 + 𝑉𝐶𝐸2 = 0
𝑉 + = 𝑉𝑀 (11)
𝑉𝐶𝐸2 = 𝑉 + − 𝑉𝑀 (1)
(3) y (2) en (9a)
LVK en la malla I
𝑉𝑂𝐻 − 𝑉𝐵𝐸1 − 𝑉𝐵𝐸2
−𝑉𝑂𝐻 + 𝐼𝐵𝐷 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸1 + 𝑉𝐵𝐸2 = 0 > 0𝐴 (12)
𝑅𝐵
𝑉𝑂𝐻 − 𝑉𝐵𝐸1 − 𝑉𝐵𝐸2 (6) en (12)
𝐼𝐵𝐷 = (2)
𝑅𝐵 𝑉𝑂𝐻 − 𝑉𝐵𝐸1(𝑂𝑁) − 𝑉𝐵𝐸2(𝑂𝑁)
> 0𝐴
𝑅𝐵
LCK en el nodo #1
𝐼𝑂𝐻 = 𝐼𝐵𝐷 (3)
𝑉𝑂𝐻 − 𝑉𝐵𝐸1(𝑂𝑁) − 𝑉𝐵𝐸2(𝑂𝑁) > 𝑂𝑉
LCK en el nodo #2
𝐼𝑀 = 𝐼𝐶𝐷 (4) 𝑉𝑂𝐻 > 𝑉𝐵𝐸1(𝑂𝑁) + 𝑉𝐵𝐸2(𝑂𝑁) (13)

El Darlington conformado por los transistores Q1 y Q2 se va a (4) y (2) en (8)

considerar como un solo elemento (BJT), para lo cual se define
los siguientes parámetros 𝐼𝑀
< 𝛽1 + 𝛽2 (𝛽1 + 1)
𝑉𝑂𝐻(𝑚𝑖𝑛) − 𝑉𝐵𝐸𝐷(𝑂𝑁)
[ 𝑅𝐵 ]
𝑉𝐵𝐸𝐷 = 𝑉𝐵𝐸1 + 𝑉𝐵𝐸2

𝑉𝐶𝐸𝐷 = 𝑉𝐶𝐸2 Como necesitamos tener la mayor corriente para romper el estado
estático del motor.
Si para las uniones BE de Q1 y Q2 están polarizadas 𝐼𝑀 = 𝐼𝐴

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𝑉𝑂𝐻(𝑚𝑖𝑛) − 𝑉𝐵𝐸𝐷(𝑂𝑁)
𝑅𝐵 < 𝛽1 + 𝛽2 (𝛽1 + 1) [ ] (15) 1) CONTROL
𝐼𝐴
a. Compuerta (HD74LS08P), AND de dos entradas
Para proteger la salida de la compuerta lógica damos el peor de b. 𝐼𝑂𝐻(𝑚𝑎𝑥) = 400𝜇𝐴
los casos c. 𝑉𝑂𝐻(𝑚𝑎𝑥) = 5𝑉
𝐼𝑂𝐻 < 𝐼𝑂𝐻(𝑚𝑎𝑥) (16) d. 𝑉𝑂𝐻(𝑚𝑖𝑛) = 2,4𝑉
Entonces 2) Configuración Darlington
𝑉𝑂𝐻 − 𝑉𝐵𝐸𝐷(𝑂𝑁)
< 𝐼𝑂𝐻(𝑚𝑎𝑥) a. Transistor Impulsador
𝑅𝐵 i. 2N2222A TO-92
𝑉𝑂𝐻 − 𝑉𝐵𝐸𝐷(𝑂𝑁) ii. 𝛽 = 200
< 𝑅𝐵 (17) iii. 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛) = 0,7𝑉
𝐼𝑂𝐻(𝑚𝑎𝑥)
b. Transistor de Potencia
Ya que 𝐼𝑂𝐻 < 𝐼𝑂𝐻(𝑚𝑎𝑥) → 𝑉𝑂𝐻 > 𝑉𝑂𝐻(𝑚𝑖𝑛) i. TIP31C T0-220
Se toma el peor de los casos ii. 𝛽 = 50
iii. 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛) = 0,8𝑉
𝑉𝑂𝐻 = 𝑉𝑂𝐻(𝑚𝑖𝑛) (18) iv. 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡) = 1𝑉
3) Datos del motor
Así que (18) y (17) a. Motor DC
b. 𝐼𝐴𝑅𝑅𝐴𝑁𝑄 = 1,6𝐴
c. 𝐼𝑁 = 0.8𝐴
𝑉𝑂𝐻(𝑚𝑖𝑛) − 𝑉𝐵𝐸𝐷(𝑂𝑁)
< 𝑅𝐵 (19) d. 𝑉𝑀 = 9𝑉
𝐼𝑂𝐻(𝑚𝑎𝑥)

Los valores válidos para RB, resultan del intervalo que protege 4 ANALISIS DE RESULTADOS
la compuerta (19) Y el intervalo que refuerza la saturación del
BJT (15). Cálculos:
RB : CS TABLA DE ECUACIONES RELEVANTES PARA EL
𝑉𝑂𝐻(𝑚𝑖𝑛) − 𝑉𝐵𝐸𝐷(𝑂𝑁) CONJUNTO SOLUCIÓN
{[ < 𝑅𝐵 ]
𝐼𝑂𝐻(𝑚𝑎𝑥)
𝑉 + = 𝑉𝑀
∩
𝑉𝑂𝐻(𝑚𝑖𝑛) − 𝑉𝐵𝐸𝐷(𝑂𝑁) 𝑅𝐵 < 𝛽1
[ 𝑅𝐵 < 𝛽1 + 𝛽2 (𝛽1 + 1) [ ] } (20) 𝑉𝑂𝐻(𝑚𝑖𝑛) − 𝑉𝐵𝐸𝐷(𝑂𝑁)
𝐼𝐴 + 𝛽2 (𝛽1 + 1) [ ]
𝐼𝐴
𝑉𝑂𝐻(𝑚𝑖𝑛) − 𝑉𝐵𝐸𝐷(𝑂𝑁)
MATERIALES: < 𝑅𝐵
𝐼𝑂𝐻(𝑚𝑎𝑥)
a. 1 Resistencias 4kΩ
b. 2 conectores caimán – banana Remplazo de datos en ecuaciones para hallar el valor óptimo de
c. 1 transistor impulsador 2N2222A la resistencia 𝑅𝐵 :
d. 1 transistor potencia TIP31C
e. 1 Compuerta HD74LS08P 2.4𝑉 − 1,5𝑣
f. 1 motor DC 1 – 2 A < 𝑅𝐵
400𝜇𝐴
g. Protoboard 2,4𝑉 − 1,5𝑉
h. Generador de señales 0Ω < 𝑅𝐵 < 200 + 50(201) [ ]
1,6𝐴
i. Multímetro Rango para 𝑅𝐵
j. Fuente alimentación 2250Ω < 𝑅𝐵 < 5765.6225Ω
k. osciloscopio
Valor comercial 𝑅𝐵 = 4𝑘Ω
DATOS DE LOS DISPOSITIVOS
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𝑉+ 9𝑉 7.3𝑉 %
Datos Teóricos cuando el sistema trabajo con valores
Nominales: 𝑉𝐶𝐸𝐷 = 𝑉𝐶𝐸2 1𝑉 0.82𝑉 %

𝑉𝐶𝐸1 0.6𝑉 0.02𝑉 %

Ganancia de corriente del transistor Darlington
𝑉𝐵𝐸1 0,7𝑉 0.72𝑉 %
𝛽𝐷 = 𝛽1 + 𝛽2 (𝛽1 + 1)
𝑉𝐵𝐸2 0,8𝑉 0.72𝑉 %
𝛽𝐷 = 200 + 50(201) = 10250 16 ∗ 10−3 𝐴 14 ∗ 10−3 𝐴 %
𝐼𝑐1
Corriente de colector 𝐼𝑐2 0.784𝐴 0.695𝐴 %
𝐼𝐶𝐷 = 𝐼𝑀𝑁
Anexos
𝐼𝐶𝐷 = 0,8𝐴
CONCLUSIONES
Corriente de base
𝐼𝐶𝐷  Se evidencia el funcionamiento a valores nominales de
< 𝛽𝐷 forma estable, la configuración bipolar Darlington nos
𝐼𝐵𝐷
permite establecer el encendido o apagado del motor dc
𝐼𝐶𝐷 0,8𝐴 a partir del control de pequeñas corrientes aportadas por
𝐼𝐵𝐷 > > = 78.04878𝜇𝐴
𝛽𝐷 10250 la compuerta AND (dispositivo TTL).

Voltaje colector-emisor  Se establece que la configuración ideal o la selección del

transistores 𝑄1 como impulsador debe tener valores de
−𝑉 + + 𝑉𝑀 + 𝑉𝐶𝐷 = 0 ganancia de corriente (𝛽1 ) elevado ya que en el caso de
la compuerta, esta no suministra una corriente mayor a
𝑉𝐶𝐷 = 𝑉 + − 𝑉𝑀
(𝐼𝑂𝐻(𝑚𝑎𝑥) = 400𝜇𝐴); otra característica que se presencio
Como se estableció que para que el transistor discreto fue valores muy bajos para la corriente colector 𝐼𝐶1.
Darlington opere en modo saturado, se debe cumplir la
siguiente igualdad  Se establece que el transistor 𝑄2 se debe seleccionar con
𝑉 + = 𝑉𝑀 parámetro que me permitan disipar la mayor potencia
Esto indica que posible ya que la corriente del colector 𝐼𝐶2 son bastantes
𝑉𝐶𝐷 = 0𝑉 elevadas, superiores a 1A. en este caso la ganancia de
corriente no es tan elevada 𝛽2 .
Tablas de datos.
 Se establece el valor de la resistencia 𝑅𝐵 = 4𝑘Ω ya que
Parámetro Dato Teórico Dato %Error se encuentra dentro del rango obtenido por las ecuaciones
experimental
implementadas durante la práctica.
𝑅𝐵 4𝑘Ω 3.86𝑘Ω %

𝐼𝑀 = 𝐼𝐶𝐷 0,8𝐴 0.71𝐴 %  𝑅𝐵 < 5765Ω indicia el valor máximo de la resistencia

para obtener el valor de la corriente de arranque
𝑉𝑅𝐵 𝑉 1.52𝑉 %  2250Ω < 𝑅𝐵 indicia el valor mínimo de la resistencia
𝑉𝑂𝐻 2.4𝑉 3.52𝑉 % para proteger la salida de la compuerta, asegura que el
dispositivo TTL no tenga un desgaste acelerado.
𝐼𝐵𝐷 = 𝐼𝑂𝐻 > 78.048𝜇𝐴 393.7823𝜇𝐴
𝑉𝑀 9𝑉 6.24𝑉 %

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5 BIBLIOGRÁFIA

1. Dispositivos.electrónicos,Thomas.L.Floyd.Octava.
Edición.Pearson.Hall.
2. Circuitos.Microelectrónicos.Analisis.y.diseño.Rashid.
3. Dispositivos.electrónicos,Thomas.L.Floyd.Octava.
Edición.Pearson.Hall.
4. Circuitos.microelectrónicos..Adel.S.Sedra.Cuarta.Edic
ión.Oxfford.University.Press
5. Electrónica.Téoria.De.Circuitos.y.Dispositivos.Electró
nicos.Robert.L.Boylestad,Louis.Nashelsy.Décima.Edi
ciónpearson.Hall

Temperatura
Ta=18.9
Tc2=26
Tcd2=29.6
Tc1=19.1

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