ELECTRÓNICA ANALOGICA

CODIGO: AE3010

LABORATORIO N° 04
“TRANSISTOR FET”

Yana sucasaca maycol

Merma Choque Carolina
Alumnos: Jara Choquehuanca Nohelia
Llave chilo Diego

Grupo : B Nota:
Semestre : III
Fecha de entrega : Hora:
 ANALISIS DE TRABAJO SEGURO (ATS) 12 10 19

FECHA
TAREA: Laboratorio 4 : TRANSISTOR FET DIA MES AÑO

LABORATORIO X AMBIENTE

FIRMA
EQUIPO DE
DOCENTE: Prof. Kenyo Miranda TRABAJO
TALLER SESION Nº

FIRMA

FIRMA
Merma Choque , Carolina Yana Sucasaca , Maycol
ALUMNOS

FIRMA FIRMA

FIRMA FIRMA
(Apellidos y Nombres)
Jara Choquehuanca , Nohelia Llave Chilo, Diego

Llave Chilo , Diego Armando

CARACTERISTICAS DE EQUIPOS Y HERRAMIENTAS
 Resistencias
 Transistor FET
 Fuente de Corriente Continua
 Software simulink

X X

OTROS
PASOS DE LA TAREA RIESGOS MEDIDAS DE CONTROL
(ESPECIFICAR PARA
CADA CASO)

1 Ingreso al laboratorio X Caminar por las zonas delimitadas

2 Recojo de materiales X x Recoger en orden y sin correr para evitar tropezar
3 Encendido del modulo erfi y armado de
X + Habilitar la parada de emergencia
circuito en el programa simulink
4 Toma de mediciones Antes de iniciar , verificar que el circuito este correctamente
X X
armado en el programa simulink
6 Entrega de materiales x X Desplazarse ordenadamente
7 Salida de laboratorio x Salir ordenadamente
8
9
10
11
I. OBJETIVOS
 Realizar la implementación de circuitos de polarización de transistores FET
 Analizar la respuesta de polarización de transistores FET.
 Implementación de Circuitos Amplificadores.

II. MATERIAL Y EQUIPO

 Resistencias
 Transistor FET
 Fuente de Corriente Continua
 Módulos Lucas Nulle

III. SEGURIDAD

Tener cuidado con el tipo y niveles de

voltaje que suministran a las tarjetas

Antes de utilizar el multímetro, asegurarse

que esta en el rango y magnitud eléctrica
adecuada.

Tener cuidado en la conexión y en la

desconexión de los equipos utilizados

IV. PROCEDIMIENTO

1. Actividades Previas

Inventario:
Dispositivo Cantidad

Mediciones:

Componente: Valor
 Nro. DD-106
ELECTRONICA DE POTENCIA Página 1 de 15
Tema : Código :
TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :

2. Medición de Transistor FET:

CODIGO
Componente: Valor
GS
GD
DS
Tipo

3. Esquemático de un Circuito de Polarización con Resistencia Fija:

4. Realice el Análisis Matemático del circuito de Polarización con Resistencia Fija, obteniendo las
fórmulas de VGS, ID, VDS, RDN:
 Nro. DD-106
ELECTRONICA DE POTENCIA Página 2 de 15
Tema : Código :
TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :

5. Los valores IDSS y VP son valores de fabricación y para hallarlos, arme el circuito anterior con los
siguientes valores:

RG = 100kΩ
RD = 470Ω
VDD = 12V
FET = 2N3819

6. Coloque la Fuente de la Compuerta VGG = 0V e incremente hasta conseguir que la corriente en

Drenador ID = 0mA, llene la tabla:

VGS 0V -1V -2V -3V -4V -5V

ID (mA) 400.02 u 100 0 0 0 0

¿Cuáles son los valores?:

IDSS =
VP =
 Nro. DD-106
ELECTRONICA DE POTENCIA Página 3 de 15
Tema : Código :
TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :
 Nro. DD-106
ELECTRONICA DE POTENCIA Página 4 de 15
Tema : Código :
TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :
 Nro. DD-106
ELECTRONICA DE POTENCIA Página 5 de 15
Tema : Código :
TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :

7. Grafique la tabla anterior VGS vs ID, denominado función de entrada de un JFET-N:

8. Como se interpreta la función de entrada de un JFET-N

El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el
voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente Por
esto, el JFET-N es un dispositivo controlado por tensión y no por corriente.

9. Utilizando el circuito anterior coloque el valor de VGG = 2V, calcule, mida y llene la tabla de
polarización del JFET-N

Parámetro VRG VGS VRD VDS IG ID

Teórico 14v -2v 1.081v 10.919 0 2.3mA
Medido 14v -2v 12v 0 0 0
 Nro. DD-106
ELECTRONICA DE POTENCIA Página 6 de 15
Tema : Código :
TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :
 Nro. DD-106
ELECTRONICA DE POTENCIA Página 7 de 15
Tema : Código :
TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :
 Nro. DD-106
ELECTRONICA DE POTENCIA Página 8 de 15
Tema : Código :
TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :

10. Grafique la recta de carga VDS vs ID con los valores teóricos del JFET-N:
 Nro. DD-106
ELECTRONICA DE POTENCIA Página 9 de 15
Tema : Código :
TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :

11. Arme el siguiente circuito del JFET-N como Switch Electrónico, pruebe con switch abierto y cerrado,
varie el valor de VGG de 0V hasta el valor VP

RG = 100kΩ
RD = 470Ω
VDD = 12V
FET = 2N3819
 Nro. DD-106
ELECTRONICA DE POTENCIA Página 10 de 15
Tema : Código :
TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :

12. Con el Switch cerrado ¿Cómo responde el JFET?, con el Switch Abierto ¿Cómo responde el JFET?

Actúa como un interruptor cerrado si la tensión de control es cero y abre el interruptor si la tensión de
control es negativa.

Responda a las siguientes preguntas:

a) ¿Qué representa el Valor 𝑰𝑫𝑺𝑺 ?

Se le conoce como la corriente de drenaje fuente de una saturación. Esta puede llegar a crecer
hasta el límite de vsd, para eso se dice que el fet se ha saturado.
b) ¿Qué representa el valor 𝑽𝒑 ?
Cuando esta vgs sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusión se extienden hasta
tal punto que el paso de electrones id entre fuente y drenador queda completamente cortado.
a ese valor de vgs se le denomina vp.
c) ¿Qué denota la función característica de un Transistor FET? Explique.
Es un transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la
conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que
también suele ser conocido como transistor unipolar. es un semiconductor que posee tres
terminales, denominados puerta (gate), drenaje (drain) y fuente (source). la puerta es el
terminal equivalente a la base del transistor bjt (bipolar junction transistor), de cuyo
funcionamiento se diferencia, ya que, en el fet, el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente
controla la corriente que circula en el drenaje. Se dividen en dos tipos los de canal-n y los de
canal-p, dependiendo del tipo de material del cual se compone el canal del dispositivo.
 Nro. DD-106
ELECTRONICA DE POTENCIA Página 11 de 15
Tema : Código :
TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :

V. INVESTIGACION:

Investigue sobre los Amplificadores Operaciones:

Un amplificador operacional (A.O. también op-amp), es un amplificador de alta ganancia directamente

acoplado, que en general se alimenta con fuentes positivas y negativas, lo cual permite que obtenga
excursiones tanto por arriba como por debajo de masa o punto de referencia que se considere.

CONFIGURACIONES BÁSICAS DEL A.O.

Presentaremos, muy por encima, los modos básicos de configuración de un A.O. como: amplificador
inversor, amplificador no inversor, amplificador diferencial, derivador, integrador y sumador. El criterio
para analizar los circuitos es:

 La impedancia de cada entrada (Zi), se considera tan alta que, las corrientes en ambas se
consideran próximas a cero.
 La tensión entre las entradas es muy similar, puede considerarse que están en «cortocircuito
virtual», aunque no fluye corriente entre ellas.
 Nro. DD-106
ELECTRONICA DE POTENCIA Página 12 de 15
Tema : Código :
TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :

VI. OBSERVACIONES

 se observó que los transistores fet se comportan como resistencias controlados por
tensión para valores pequeños de tensión.
 se observa que los transistores fet son más estables con la temperatura que los bjt.
 se puede observar que la curva característica a la salida del fet es muy similar a la de un
bjt.
 se observó que los transistores fet presentan una respuesta en frecuencia pobre debido
a la alta capacidad de entrada.
 se puede observar que con el idss y el vp real, los cálculos sean más exactos.

VII. CONCLUSIONES.
 los transistores fet es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por
un canal semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de
la corriente.
 se concluye siempre debemos analizar el datasheet del transistor para analizar sus
ganancias y parámetros con los que trabaja.
 se puede deducir que para que las mediciones de esta práctica sean aceptables y tengan
el menor número de errores en las mismas con respecto a los cálculos tuvimos que ajustar
las resistencias lo más posible a las calculadas teniendo en algunos casos que poner las
resistencias en serie o en paralelo ya que los valores de las mismas si se alejaban mucho
cambian los valores de corriente y voltaje a rangos que no son aceptables.
 los valores de los jfet pueden ser diferentes aunque sean del mismo tipo por lo que
primero tuvimos que obtener los valores reales de vp y de idss.
 los valores medidos se asemejan a los calculados y simulados, solo con un pequeño
margen de error debido a las resistencias o a las características del fet.