ESCOLA SUPERIOR DE TECNOLOGIA

Coordenação de Engenharia Elétrica

ELETRÔNICA ANALÓGICA II: 3º PROJETO – CIRCUITO AMPLIFICADOR

SINTONIZADO COM JFET

PROFESSOR: Dr. VICTOR VERMEHREN VALENZUELA.

AUTORES: CAIO VITOR DE JESUS BENTES.

LUÍS EDUARDO MENA.

LUCAS DE OLIVEIRA CORREIA.

MANAUS – AM

2019/2
INTRODUÇÃO

Os amplificadores sintonizados são usualmente usados para filtro passa-faixas

de dispositivos eletrônicos, como exemplo, rádio, com o passar dos tempos pode-se
notar que o Trasistor Bipolar de Junção estava ultrapassado, logo o que se adaptou
melhor aos quesitos de estabilização e segurança contra curtos circuitos foram os
FET’s, que será implementado no projeto em questão, para que os projetistas
compreendam seu funcionamento e aplicações.
FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA

1. JFET

O Jfet é um transistor de efeito de campo, é um dispositivo de três terminais cujo

suas funções se assemelham com as do transistor BJT porem com diferenças
essenciais, o BJT por exemplo é controlado pela corrente da base enquanto o FET é
controlado pela tensão Vgs.
O FET é um dispositivo unipolar que funciona pelo deslocamento de elétrons pelo
efeito de campo que é a capacidade de um imã de atrair limalhas de ferro sem contato,
para o FET é estabelecido um campo elétrico pelas cargas presentes que controlarão
os caminhos de condução.

Fonte: Dispositivos Eletrônicos Boylestad

Entre as principais características dos FET’s é a alta impedância de entrada

com valores que variam de 1 MΩ e várias centenas de megaohms graças a isso a
variação da corrente de saída é muito menor que a do BJT. O ganho de tensão dos
amplificadores CA do FET é muito menor que as do BJT. Os FET’s são mais estáveis
em termos de temperatura que o BJT e também são menores que eles.
 Fonte: Dispositivos Eletrônicos Boylestad

A região ôhmica da imagem acima é a região onde o JFET pode ser empregado como
resistor variável cujo a resistência é controlada pela tensão Vgs seguindo a
seguinte equação.
𝑟𝑜
𝑟𝑑 =
𝑉𝑔𝑠
(1 − 𝑉𝑝 )2

Onde ro é a resistência para Vgs = 0

Fonte: Dispositivos Eletrônicos Boylestad

 2. POLARIZAÇÃO DC

Fonte: Dispositivos Eletrônicos Boylestad

A imagem acima mostra a polarização por divisor de tensão do JFET, essa polarização
é normalmente usada pois mesmo que o FET seja estável em relação a
temperatura o resistor do source garante uma maior estabilidade. Os resistores
de entrada, R1 e R2, tem valores de resistência maiores que megaôhms devido
a resistência de entrada do JFET e tem um proporção com R1 > R2 para que
o Vgs tenha valor negativo.

Fonte: Dispositivos Eletrônicos Boylestad

A imagem a cima mostra a determinação dos valores de Vgs, Idq a partir da reta de
carga e do ponto quiescente que são absolutamente necessárias para a
polarização do transistor que tem seus outros valores determinados pelas
equações a seguir.

𝑅2
𝑉𝑔 = 𝑉𝑑𝑑
𝑅1 + 𝑅2
 𝑉𝑔𝑠 = 𝑉𝑔 − 𝐼𝑑𝑅𝑠

𝑉𝑑𝑠 = 𝑉𝑑𝑑 − 𝐼𝑑(𝑅𝑠 + 𝑅𝑑)

𝑉𝑑 = 𝑉𝑑𝑑 − 𝐼𝑑𝑅𝑑

3. AMPLIFICADOR JFET

O JFET tem como uma de suas principais características o controle da corrente Idq
pela tensão Vgs, essa variação pode ser vista utilizando o fator de
transcondutância (gm). A transcondutância normalmente é obtida de maneira
gráfica.

𝐼𝐷 = 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆

Fonte: Dispositivos Eletrônicos Boylestad

A imagem acima mostra o circuito equivalente do JFET em uma tensão CA onde é

possível ver a transcondutância e a impedância rd, essa impedância que é um
fator importante na visão de impedância equivalente dos capacitores de saída
e o de fonte e para equação do ganho (Av).
𝑉𝑜
𝐴𝑣 = = −𝑔𝑚(𝑟𝑑||𝑅𝑑||𝑅𝑙)
𝑉𝑖

Os capacitores são responsáveis pela filtragem da tensão DC e pela determinação da

frequência de corte. Sendo um deles o que trabalha na frequência de corte e os outros
na frequência de uma década abaixo. E sua capacitância é calculada pela frequência
de operação e pela impedância equivalente vista pelo capacito. Sempre lembrando
em CA os capacitores tem funcionamentos parecidos com o de um curto circuito.

1
𝐶𝑖𝑛 =
2𝜋𝑓𝑙(𝑅𝑖 + 𝑅1||𝑅2)
 1
𝐶𝑠 =
2𝜋𝑓𝑙(𝑅𝑑||𝑟𝑑 + 𝑅𝑙)

1
𝐶𝑜𝑢𝑡 =
2𝜋𝑓𝑙(𝑅𝑠||(𝑅𝑑||𝑅𝑙 + 𝑟𝑑))

4. AMPLIFICADOR SINTONIZADO FET

MATERIAIS UTILIZADOS
- Fonte CC regulada variável;
- Multímetro VICTOR VC9801A;
- Gerador de sinais SUN FG-8105;
- Osciloscópio Tektronix TBS 1102;
- Protoboard Minipa MP-2420ª;
- Resistores diversos;
- Capacitores diversos;
- 2 Indutores de 1 µH;
- Transistor BF245C;
- Cabos.

PROCEDIMENTOS EXPERIMENTAIS
Para os procedimentos experimentais, inicialmente com os dados do projeto
em questão mencionado, foram dimensionados todos os componentes, incluindo
resistores, capacitores, indutores para que o projeto fosse montado e ajustado para
as suas especificações.

Figura 1 – esquemático. Fonte Própria

 Figura 2 – Circuito Montado. Fonte Própria

Figura 3 – Apresentação do projeto. Fonte Própria

Como visto acima, foi ajustado a fonte CC regulada através do seu potenciômetro
para a tensão de 20 V, posicionado de forma correta todos os componentes em
questão no protoboard, como também, ajustado o gerador de sinais utilizando o
osciloscópio e colocando 50 mVpp de entrada do circuito para a análise frequência
posteriormente.
CÁLCULOS
Para tanto, como no projeto em questão, o valor do ganho foi dimensionado em
Av = 5, e como era um filtro passa faixa, a sua frequência de corte foi centrada em
1,5 MHz e com a largura de banda BW = 50 kHz

Deste modo, foi analisado o circuito e primeiramente a partir de Vg=2,5 V

encontrado o valor de R2, já com o valor de R1=10 MΩ e VDD = 20 V e com I D = 7
mA.
𝑅2
𝑉𝑔 = 𝑥 𝑉𝐷𝐷
𝑅1+𝑅2

𝑅2
2,5 = 𝑥 20
10 𝑀 + 𝑅2

𝑅2 = 1,5 𝑀Ω
Para o valor de Rs ( resistência de source) :
𝑉𝑔 − 𝑉𝑔𝑠 − 𝑉𝑟𝑠 = 0
2,5 + 2,5 = 𝑉𝑟𝑠
𝑉𝑟𝑠 = 5 𝑉
Logo:
𝑉𝑟𝑠 = 𝑅𝑠 𝑥 𝐼𝑑
5 = 𝑅𝑠 𝑥 7 𝑚
𝑅𝑠 = 750 Ω // Rs ( comercial) = 820 Ω

Para os valores de Rd (resistência de Drain ), a partir da lei de kirchhoff:

𝑉𝑑𝑞 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝑑𝑞(𝑅𝑑 + 𝑅𝑠)

10 = 20 − 7 𝑚 (750 + 𝑅𝑑)
10
− = −(750 + 𝑅𝑑)
7𝑚
𝑅𝑑 = 1500 Ω // Rd(comercial) = 1,5 kΩ
Como também, o valor da carga de saída, dimensionada a partir do ganho e outros
parâmetros intrínsecos adotados pelo transistor em questão.
 𝐴𝑣 = 𝑔𝑚(𝑟𝑑||𝑅𝑑||𝑅𝑙)
𝑔𝑚
𝑅𝑙 = − 𝑅𝑑 −1 − 𝑟𝑑 −1
𝐴𝑉
4,2 𝑚
𝑅𝑙 = [ − 1,5 𝑘 − 4𝑥10−5 ]−1
5
𝑅𝑙 = [1,33𝑥10−4 ]−1
𝑅𝑙 = 1.5 𝑘Ω (calculado e comercial)

Como se pode ver abaixo, foi encontrado o valor dos capacitores, sendo que o
capacitor de entrada (Ci) foi responsável pelo corte, pois o seu valor não dependia do
valor da carga de saída, porém pela busca apenas de uma frequência de corte
pequena foi estipulado o valor de Ci e a partir disso pode-se encontrar o fl, com 𝑟𝑑 =
25 𝑘Ω.

1
𝐶1 =
2𝜋 𝑓𝑙(𝑟𝑖 + 𝑅1||𝑅2)

1
𝑓𝑙 =
2𝜋 ∗ 6.8𝑥10−9 (50 + 10 𝑀||1.5 𝑀)
𝑓𝑙 = 18 𝐻𝑧
𝐶𝑖 ( 𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙 ) = 6.8 𝑛𝐹

1
𝐶𝑜 =
𝑓𝑙
2𝜋 10 (𝑅𝑙 + 𝑅𝑑||𝑟𝑑)

1
𝐶𝑜 =
2𝜋 1.8([1.5 𝑘 −1 + 25 𝑘 −1 ]−1 + 7.5 𝑘)
1
𝐶𝑜 =
20𝜋(1415,1 + 7.5 𝑘)
1
𝐶𝑜 =
20𝜋(8915,1)
𝐶𝑜 = 9.92 µ𝐹
 𝐶𝑜(𝐶𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙 ) = 1000 µ𝐹

Para o capacitor de source, como se pode ver abaixo, foi dimensionado para
o valor de uma década abaixo.
1
𝐶𝑠 =
𝑓𝑙
2𝜋 (𝑅𝑆||( 𝑅𝑑||𝑅𝑙 + 𝑟𝑑))
10
1
𝐶𝑠 =
𝑓𝑙
2𝜋 10 (𝑅𝑆||( 1.5 𝑘||7.5 𝑘 + 25 𝑘))

1
𝐶𝑠 =
18
2𝜋 10 (750 ||( 1250 + 25 𝑘)

1
𝐶𝑠 =
2𝜋 1.8𝑥(750||( 26250)

1
𝐶𝑠 =
2𝜋 1.8𝑥(129,16)
𝐶𝑠 = 684.6 µ𝐹
𝐶𝑠(𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙 ) = 1000 µ𝐹

Feitos os cálculos para análise AC do JFET, foi então a vez dos cálculos para
a sintonização do amplificador, como foi dada uma Banda BW = 50 kHz, logo foi
calculado o capacitor que em paralelo com Rd foi usado.
1
𝐵𝑊 =
2𝜋(𝑅𝑑//𝑟𝑑//𝑅𝑙)𝐶
1
𝐶=
2𝜋(𝑅𝑑//𝑟𝑑//𝑅𝑙)𝐵𝑊
1
𝐶=
2𝜋(1.5𝑘//25𝑘//1.5𝑘)50𝑘
𝐶 = 4,37 𝑛𝐹
𝐶 = 6.2 𝑛𝐹 (𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙 )
 Logo depois do cálculo da indutância será explica a causa do aumento da
capacitância no Capacitor responsável pela largura de banda, a seguir o cálculo do
indutor foi feita, com fo = 1.5 MHz.
1
𝑓𝑜 =
2𝜋√𝐿𝐶
1
𝐿=
4𝜋 2 𝑓𝑜2 𝐶
1
𝐿=
4𝜋 2 1.5𝑀2 4.37𝑛
𝐿 = 2.57 µ𝐻
𝐿 = 1µ𝐻 + 1 µ𝐻 (𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑖𝑠)
No caso do aumento do capacitor C ser aumentado foi devido aos indutores
disponíveis para a realização do projeto, esse leve aumento fez com que
compensasse a indutância menor que a calculada e assim obter uma frequência
central a mais próxima possível de 1,5 MHz. Onde essa frequência real foi de 1.39
MHz e a largura de banda BW = 120 kHz.
CONCLUSÃO

O projeto em questão inicialmente estava dando o ganho 5 com uma tensão de

entrada de 200 mV para 1V, porém devido as quedas de tensões no capacitor e na
indutância, a tensão AC na carga teve uma queda significante, mesmo assim se pode
observar o comportamento da onda de saída relacionada a resposta de frequência,
no entanto o circuito com sua polarização DC continuou funcionando todas as
considerações implementadas pelos projetistas, foi usado também um capacitor
responsável pela frequência de corte próximo comercialmente de 6.8nF.