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VLSI
Octavo “A”
Consulta # 1
Tema
Tecnologías microelectrónicas
Integrantes:
Corella Moncada Marcelo Leonardo
Flores Vargas Henry Vinicio
Montes De Oca Santamaria Bryan Danilo
Pastuña Pullutasig Henry José
Fecha de Envío
Jueves 19 de septiembre del 2019
Fecha de Entrega
Viernes 20 de septiembre del 2019
AMBATO – ECUADOR
2019
1. TEMA
Tecnologías microelectrónicas
2. OBJETIVOS
a. Objetivo General
Definir la importancia, características y evolución de las Tecnologías Microelectrónicas
mediante el uso de organizadores para analizar y comprender de mejor manera.
b. Objetivos Específicos
Realizar una búsqueda de información sobre Tecnologías Microelectrónicas.
Determinar características importantes y construir ordenadores y esquemas gráficos.
Construir un documento con toda la información recolectada.
3. FUNDAMENTACIÓN TEÓRICA
"Ese gran logro, lo concretamente novedoso, llegó solo con la microelectrónica, pues gracias
a ella fue posible crear por primera vez componentes que reúnen los requisitos para su
adecuada utilización a gran escala:
Tecnologías Microelectrónicas
Ventajas Desventajas
En 1947, William Shockley, un visionario capaz de ver la importancia de los transistores antes que
nadie, Walter Brattain, un físico experimental capaz de construir y reparar prácticamente cualquier
cosa y John Bardeen, capaz de ir más allá en la comprensión de los fenómenos aparentemente
complejos y exponerlos de la manera más sencilla posible. Durante el conocido como "Mes
milagroso" entre el 17 de noviembre y el 23 de diciembre realizaron infinidad de pruebas para
mejorar el dispositivo hasta llegar a conseguir su objetivo: el primer transistor de contacto puntual,
hecho con dos púas de metal (oro) que se presionan sobre la superficie de material semiconductor
(germanio) en posiciones muy próximas entre sí. [1]
El primer transistor utilizaba la tecnología conocida como “punto de contacto”, y se basaba en las
propiedades semiconductoras del Germanio. Poco más tarde, Shockley creó el “transistor de unión”.
En septiembre de 1951 los laboratorios Bell patentaron la tecnología de fabricación de ambos tipos
de transistores, y la vendieron. [2]
El primer transistor fabricado en gran escala fue el CK722, de Raytheon, en 1953. [2]
Mientras la mayor parte de las aplicaciones continuaban utilizando tecnologías de válvulas o tubos
de vacío, la electrónica de semiconductores continuaba su desarrollo. En 1959, dos ingenieros
independientes y trabajando para empresas diferentes, desarrollaron los primeros circuitos
integrados de la historia. Jack St. Clair Kilby, trabajando para Texas Instruments, desarrolló el
primer circuito integrado de germanio. Por su parte, Robert N. Noyce, trabajando para Fairchild
Semiconductor, desarrolló el primer circuito integrado de silicio. Kilby continuó trabajando para
Texas Instruments, logrando varias patentes (además de las correspondientes a los circuitos
integrados). Entre sus invenciones se destaca el desarrollo de la primera calculadora de bolsillo.
Kilby recibió el Premio Nobel de Física en 2000, “por trabajos básicos en tecnologías de la
información y la comunicación”, y “por su parte en la invención del circuito integrado”. En 1959
Noyce fue Gerente General de Fairchild Semiconductor. En 1968 decidió crear su propia compañía,
y con algunos colegas fundó INTEL. Recibió la Medalla de Honor de IEEE en 1978, “por sus
contribuciones a los circuitos integrados de silicio”. [3]
1. Circuito monolítico: La palabra monolítico viene del griego y significa “una piedra”. La
palabra es apropiada porque los componentes son parte de un chip. El Circuito monolítico
es el tipo más común de circuito integrado, ya que desde su intervención los fabricantes han
estado produciendo los circuitos integrados monolíticos para llevar a cabo todo tipo de
funciones. Los tipos comercialmente disponibles se pueden utilizar como amplificadores,
reguladores de voltaje, conmutadores, receptores de AM, circuito de televisión y circuitos de
ordenadores. Pero tienen limitadores de potencia. Ya que la mayoría de ellos son del tamaño
de un transistor discreto de señal pequeña, generalmente tiene un índice de máxima potencia
menor que 1W. Están fabricados en un solo monocristal, habitualmente de silicio, pero
también existen en germanio, arseniuro de galio, silicio-germanio, etc. [3]
2. Circuito híbrido de capa fina: Son muy similares a los circuitos monolíticos, pero, además,
contienen componentes difíciles de fabricar con tecnología monolítica. Muchos conversores
A/D – D/A se fabricaron en tecnología híbrida hasta que progresos en la tecnología
permitieron fabricar resistencias precisas. [3]
3. Circuito híbrido de capa gruesa: Se apartan bastante de los circuitos monolíticos. De hecho,
suelen contener circuitos monolíticos sin cápsula (dices), transistores, diodos, etc., sobre un
sustrato dieléctrico, interconectados con pistas conductoras. Las resistencias se depositan
por serigrafía y se ajustan haciéndoles cortes con láser. Todo ello se encapsula, tanto en
cápsulas plásticas como metálicas, dependiendo de la disipación de potencia que necesiten.
En muchos casos, la cápsula no está “moldeada”, sino que simplemente consiste en una
resina epoxi que protege el circuito. [3]
Fruto de estos avances motivados por la Guerra Fría, se fabricaban CIs cada vez más complejos y
con mayor número de transistores. Si los primeros CIs integraban unas pocas decenas de
transistores, muy pocos años después ya se comercializaban CIs con miles y decenas de miles y hoy
día, hay CIs con miles de millones de transistores. El aumento del número de transistores por CI
sigue desde entonces una tendencia conocida como Ley de Moore, debida al científico Gordon
Moore que la enunció en fecha tan temprana como 1965. Dicha ley constata que el número de
transistores que tiene un CI se duplica cada dos años. La figura muestra dicha evolución: [4]
William Shockley, Walter Brattain, y John Bardeen, capaz de ir más allá en la comprensión de los
fenómenos aparentemente complejos y exponerlos de la manera más sencilla posible. Durante el
conocido como "Mes milagroso" entre el 17 de noviembre y el 23 de diciembre realizaron infinidad
de pruebas para mejorar el dispositivo hasta llegar a conseguir su objetivo: el primer transistor de
contacto puntual, hecho con dos púas de metal (oro) que se presionan sobre la superficie de material
semiconductor (germanio) en posiciones muy próximas entre sí. [1]
El primer transistor utilizaba la tecnología conocida como “punto de contacto”, y se basaba en las
propiedades semiconductoras del Germanio. Poco más tarde, Shockley creó el “transistor de unión”.
En septiembre de 1951 los laboratorios Bell patentaron la tecnología de fabricación de ambos tipos
de transistores, y la vendieron. [2]
El primer transistor fabricado en gran escala fue el CK722, de Raytheon, en 1953. [2]
4. DIAGRAMAS Y ESQUEMAS
6. BIBLIOGRAFÍA
7.