Teoría de Circuitos y Electrónica

TEMA 5

2 de abril de 2018
 ÍNDICE GENERAL

Tema 5. Fundamentos de Semiconductores 1

1. Materiales semiconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

2. Mecanismo de conducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

2.1. Semiconductores intrínsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

2.2. Semiconductores extrínsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

3. Diagrama de bandas de energía . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

3.1. Aislantes, semiconductores y metales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

4. Ley de acción de masas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

4.1. Semiconductores extrínsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

5. Fenómenos de transporte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

5.1. Corriente de Arrastre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

5.2. Corriente de Difusión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

5.3. Ecuación de transporte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

6. Unión PN en equilibrio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

7. Unión PN polarizada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

8. Característica V
I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

8.1. Dependencia con la temperatura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

9. Mecanismos de ruptura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

9.1. Multiplicación por avalancha . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

9.2. Ruptura Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

3
 Tema 5
FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES

Desde el punto de vista eléctrico, además de conductores y aislantes, existe

un tercer tipo de materiales que son los materiales semiconductores, denominados
así porque sus conductividades se encuentran en un rango comprendido entre las
de los anteriores.

Estos materiales son muy importantes pues son los responsables del desarrollo
espectacular de la electrónica y la informática de nuestro tiempo. En este tema se
estudiará el comportamiento eléctrico de los mismos, las diferencias de conducción
eléctrica con los conductores metálicos y los fundamentos físicos de la unión PN,
que como veremos, es una estructura formada por la unión de un semiconductor
tipo P y otro tipo N.

1. MATERIALES SEMICONDUCTORES
Desde el punto de vista eléctrico todas las sustancias sólidas pueden clasi-
carse en tres grandes grupos: aislantes o dieléctricos, semiconductores y metales o
conductores. Los aislantes tienen conductividades muy bajas, del orden de 10

18
a 10

8 S/cm; y los conductores como el aluminio y la plata tienen altas con-
ductividades, típicamente de 10
4 a 106 S/cm. Los semiconductores son aquellos

sólidos que presentan conductividades de valores intermedios entre los aislantes y

los conductores.

Ahora bien, al clasicar las sustancias por la magnitud de su conductividad

es difícil delimitar los semiconductores de los metales. ¾Cómo podemos saber si
una sustancia, cuya conductividad es del orden de 10
3 S/cm, pertenece al grupo

de los metales o de los semiconductores? La respuesta se obtiene al analizar la

dependencia de la conductividad con la temperatura en el material.

Efectivamente, para los metales la resistividad es aproximadamente propor-

cional a la temperatura absoluta, según la expresión

ρ  ρo p1 αtq  ρo
T
(5.1)
To

1
Teoría de Circuitos y Electrónica

donde ρo es la resistividad del metal a 0 C y

 α es el coeciente de temperatura
de la resistividad, aproximadamente igual a 1/273. Esto signica que la conduc-
tividad del metal disminuye al aumentar la temperatura. En la gura 5.1a se ha
representado la resistividad en función de la temperatura absoluta para varios
metales como el plomo, el hierro y el cobre. Se puede observar que para am-
plios rangos de temperatura el comportamiento de la resistividad es lineal con la
temperatura.

-1
r(Wcm)10
-4 g (W cm)
0,25

0,20 Pb 10
Ge
0,15 Si
Fe
0,10 -1
10

0,05 Cu
-3
0 100 200 300 10
K 0 1 2 3 4 -1
1/T (K ) 10
-3

(a) (b)

Figura 5.1

Para los semiconductores, sin embargo, la dependencia de la resistividad y

conductividad con la temperatura vienen dadas por expresiones exponenciales del
tipo
ρ  ρ0 eβ {T ; γ  γ0e
β{T (5.2)

donde ρ0 , γ0 y β son constantes positivas y su valor depende de cada material.

Es decir, la conductividad de un semiconductor aumenta con la temperatura.

En la gura 5.1b podemos observar este comportamiento. Se ha representado

la conductividad en función de la inversa de la temperatura para dos semiconduc-
tores muy conocidos: el germanio y el silicio.

De lo anterior se deduce que si observamos cómo varía la conductividad de

una sustancia cuando disminuye la temperatura, podremos determinar si se trata
de un metal o un semiconductor.

El comportamiento de la conductividad en el metal es así porque, como sa-

bemos, el metal se puede considerar como una red de iones positivos jos y una
nube de electrones que se mueven libremente. Así pues, independientemente de la

2
 Fundamentos de Semiconductores

temperatura, en el metal siempre existen muchos portadores de carga libres (los

electrones). El metal tendrá una conductividad nita incluso a la temperatura del
cero absoluto. Al aumentar la temperatura aumenta la agitación térmica de la
red cristalina lo que motiva un aumento de las colisiones electrón-red, y por esta
razón disminuye la conductividad.

En los semiconductores sin embargo, la conductividad disminuye al reducirse

la temperatura y cuando ésta se aproxima al cero absoluto los semiconductores
se comportan como dieléctricos. La razón es que, como se verá a lo largo del
tema, para generar en el semiconductor portadores de carga libres es necesario
suministrarle energía. De esta manera, al aumentar la temperatura del material,
el número de portadores de carga crece rápidamente.

Veremos que la conductividad de un semiconductor es una magnitud sensible

a la temperatura, la iluminación y a pequeñas cantidades de impurezas presentes
en el semiconductor. Esta sensibilidad en conductividad ha sido fructíferamente
aprovechada en la construcción de dispositivos electrónicos y ha determinado que
el semiconductor sea uno de los materiales más importantes en electrónica y, por
tanto, en informática.

La mayor parte de los materiales semiconductores son sólidos cristalinos. Los

sólidos cristalinos o cristales se caracterizan por poseer una periodicidad perfecta
o casi perfecta de su estructura atómica. Esta propiedad facilita mucho la com-
prensión y el estudio de las propiedades físicas de estas sustancias.

Recordemos que se denomina red cristalina al ordenamiento periódico de los

átomos en un cristal. Para un sólido cristalino dado, existe una unidad estructural
llamada celda unidad que es representativa de la red entera. Es decir, mediante la
repetición de la celda unidad a través del cristal se puede generar la red completa.

Tabla 5.1. Clasicación de los semiconductores

Simples Si, Ge

Compuestos III-V PbTe, PbSe, GaAs, GaSb, InSb, InAs ...

Los materiales objeto de nuestro estudio son los sólidos cristalinos semicon-
ductores, bien simples como el Silicio y el Germanio, compuestos III-V como el
arseniuro de galio o el antimoniuro de indio o compuestos II-VI como el sulfuro
de Cadmio o el seleniuro de Cadmio. En la Tabla 5.1 se muestran ejemplos de
estos materiales.

Los elementos semiconductores Si y Ge tienen una red cristalina del tipo del

3
Teoría de Circuitos y Electrónica

diamante. En la gura 5.2 se muestra la celda unidad para este tipo de cristales.
Esta estructura pertenece a la familia de redes cúbicas y se trata de dos subredes
cúbicas centradas en las caras que se encuentran desplazadas una con respecto a
otra una distancia igual a un cuarto de la diagonal del cubo. Todos los átomos
son idénticos en esta red y, como puede observarse en la gura 5.2, cada uno está
rodeado por cuatro átomos vecinos equidistantes, situados en los vértices de un
tetraedro.

Figura 5.2

Algunos semiconductores binarios como el AsGa cristalizan en la red cristalina

del tipo de la plechbenda que es semejante a la del diamante con la diferencia de
que cada subred está formada por una especie química diferente de manera que
cada átomo está rodeado por cuatro átomos de la otra especie. Es decir, cada
átomo de As está rodeado por cuatro átomos de Ga y viceversa.

Si observamos ahora la conguración electrónica del Si y del Ge, vemos que la

última capa electrónica está incompleta y la valencia máxima de estos elementos
es igual a 4.

Si
p14q 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 
Ge
p32q 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2 

Al formarse el estado sólido, los electrones de la última capa formarán enlaces

covalentes del tipo sp
3 con cuatro electrones de átomos vecinos. Es decir, cada

átomo está ligado a sus cuatro vecinos por enlaces covalentes. Son estos electrones
los que, bajo determinadas condiciones, participarán en la conducción eléctrica.

4
 Fundamentos de Semiconductores

2. MECANISMO DE CONDUCCIÓN
A continuación vamos a analizar el mecanismo de conducción eléctrica que
tiene lugar en estos materiales. Para ello nos basaremos en un diagrama de enlaces
bidimensional como el de la gura 5.3 que es muy intuitivo para entender la
situación. A bajas temperaturas, los electrones están ligados en sus respectivas

Si Si
+4
Si
+4 +4
+4 +4
+4
Si Si Si

-q electrón
Si Si
+4
Si
+4
+4
+4
+4
+4
Si Si Si

Si Si
hueco
+4 +4 +4
Si
+4 +4 +4
Si Si Si

Figura 5.3

redes tetraédricas y consecuentemente no están disponibles para la conducción

eléctrica. Si el material se coloca en el seno de un campo eléctrico no se genera
corriente puesto que todos los enlaces de la red están llenos y no hay portadores
de carga libres. A temperaturas más altas, gracias a la vibración térmica de la red,
se puede romper un enlace covalente. Cuando esto ocurre se libera un electrón
que puede participar en la conducción de la corriente. En la gura 5.3 se muestra
la situación. Al mismo tiempo el enlace de valencia incompleto constituye lo que
vamos a denominar un hueco. Este hueco puede ser ocupado por uno de los
electrones vecinos, lo cuál implica un salto del hueco.

A temperatura ambiente, por ejemplo, se produce la ruptura de un número

apreciable de enlaces. Si el semiconductor está en equilibrio térmico y no existe
ningún campo externo, debido a la energía térmica, los electrones pueden moverse
libremente por el cristal. Ahora bien, debido a las vibraciones de los átomos del
cristal y a la existencia de defectos en la red cristalina (como pueden ser vacantes,
impurezas o dislocaciones), el electrón chocará con átomos de la red y, como
consecuencia, su movimiento térmico será desordenado, con una velocidad térmica
media igual a cero. Esta situación se esquematiza en la gura 5.4a

Simultáneamente, los electrones que forman parte de los enlaces saturados

pueden saltar aleatoriamente a los enlaces incompletos del cristal, de manera que

5
Teoría de Circuitos y Electrónica

el hueco o enlace insaturado se moverá también desordenadamente a través del

cristal.

Si ahora colocamos el semiconductor en un campo eléctrico, bajo la acción del

mismo los electrones libres se acelerarán en sentido contrario al del campo. En
cada choque con átomos o impurezas de la red cristalina los electrones perderán
parte de la energía adquirida por acción del campo externo cediéndola a la red y
volverán a acelerarse. El resultado neto de este proceso será un ujo de electrones
en dirección contraria al campo eléctrico aplicado con una velocidad media distinta
de cero. Véase la gura 5.4b. Este movimiento de los portadores de carga libres
arrastre y la velocidad media
por la acción por un campo eléctrico se denomina
de este movimiento se llama velocidad de arrastre. Como consecuencia de la
acción del campo eléctrico, circulará una corriente en el seno del semiconductor
en el sentido del campo aplicado, debida a los electrones libres.

E=0 E

2 5 4 5
1 1 2
6
4 6
3 3
(a) (b)

Figura 5.4

Simultáneamente los electrones de los enlaces saturados saltarán a los enlaces

incompletos existentes en la red cristalina y lo harán también en sentido contra-
rio al del campo. El resultado es como si dichos enlaces incompletos o huecos se
desplazaran en el sentido del campo aplicado y esto equivale al desplazamiento de
cargas positivas (con la misma carga que el electrón) en presencia de un campo
eléctrico. Es decir, el mecanismo de conducción determinado por el movimiento
de los electrones ligados por los enlaces de valencia puede sustituirse por el mo-
vimiento de partículas cargadas positivamente que denominamos huecos. Este
mecanismo se denomina conducción por huecos.
Por tanto, la corriente eléctrica en un semiconductor viene determinada por
dos componentes: la corriente electrónica y la corriente por huecos.

6
 Fundamentos de Semiconductores

2.1. Semiconductores intrínsecos

Se denominan semiconductores intrínsecos a los semiconductores bien sim-
ples (Si o Ge) o compuestos (AsGa, PbSe...) en los que la creación de electrones y
huecos se produce únicamente por excitación térmica de la red cristalina. Al crear-
se sólo de esta forma, por cada electrón que aparece lo hace también un hueco,
de manera que la densidad de electrones será igual a la densidad de huecos.

ni  pi
Este proceso estadístico se denomina generación térmica de pares electrón-
hueco. Al mismo tiempo, en el seno del cristal, tiene lugar el proceso inverso,
la formación de enlaces covalentes o captura de electrones, proceso que se de-
nomina recombinación de pares electrón-hueco. En equilibrio térmico, la
velocidad de generación de pares coincide con la de recombinación por lo tanto,
las concentraciones de huecos y electrones son constantes para una temperatura
dada.
Gi  Ri ñ nipT q  Cte para una T dada

Como ejemplo, la densidad de portadores para el Si y el Ge es de 1010 cm
3 y

1013 cm 3 respectivamente.

2.2. Semiconductores extrínsecos

Se denominan semiconductores extrínsecos, a los semiconductores intrín-
secos en los que se ha introducido una pequeña cantidad de átomos de determi-
nada especie química, denominados impurezas que modican notablemente las
propiedades eléctricas del material.

El proceso de impuricación se denomina dopado, y dependiendo del tipo de

impureza tendremos semiconductores tipo N o tipo P. En estos semiconductores
el mecanismo de conducción está determinado por el nivel y tipo de dopado.

Así, decimos que un semiconductor es de tipo N cuando dopamos un semicon-

ductor intrínseco con impurezas que aumentan el número de electrones aptos para
la conducción. Por ejemplo, silicio o germanio dopado con elementos del grupo V
de la tabla periódica.

Examinemos, por ejemplo, el mecanismo de conducción de un semiconductor

de Si en el que uno de los átomos de la red ha sido sustituido por un átomo

7
Teoría de Circuitos y Electrónica

Si Si Si Si
+4
Si
+4 +4
+4 +4
+4 +4
Si
+4 +4
+4 +4
+4
Si Si Si Si Si Si

-q electrón
Si Si Si Si
+4
Si
+4
+5
+4
+4
+4
+4
Si
+4
+3
+4
+4
+4
Si As Si Si B Si
hueco
Si Si Si Si
+4 +4 +4 +4 +4 +4
Si Si
+4 +4 +4 +4 +4 +4
Si Si Si Si Si Si

(a) (b)

Figura 5.5

de As. En la red de Silicio, cuatro de los cinco electrones de valencia del átomo
de arsénico están ligados en enlaces de covalente con otros cuatro electrones de
átomos vecinos de Si, como se muestra esquemáticamente en la gura 5.5a.

El quinto electrón está débilmente ligado al átomo de arsénico pero a bajas

temperaturas está localizado cerca de él. Al aumentar la temperatura, el quinto
electrón del átomo de As se desprende de la impureza y puede desplazarse li-
bremente por el cristal. Observemos que se conserva la neutralidad eléctrica del
cristal, puesto que el átomo de arsénico, que entrega el quinto electrón, queda
ionizado positivamente.

Al mismo tiempo que se ioniza la impureza puede tener lugar también genera-
ción térmica de pares electrón-hueco en los átomos de Si. Sin embargo, la energía
de ionización de la impureza es mucho más pequeña que la energía necesaria para
romper un enlace de la red de Si. Por tanto, a temperatura ambiente casi todas las
impurezas estarán ionizadas y la cantidad de electrones desprendidos de éstas será
bastante mayor que la cantidad de pares electrón-hueco generados por excitación
térmica de la red de Si. Debido a esto, los electrones tendrán un papel dominan-
te en la conducción y por eso se llamanportadores de carga mayoritarios,
en tanto que los huecos se denominan portadores minoritarios. Este semicon-
ductor se llama de tipo N y la impureza que entrega el electrón se denomina
donadora.
De igual forma, un semiconductor es de tipo P cuando dopamos un semicon-
ductor intrínseco con impurezas que aumentan el número de huecos aptos para la
conducción. Por ejemplo, silicio o germanio dopado con elementos del grupo III

8
 Fundamentos de Semiconductores

de la tabla periódica.

Analicemos, por ejemplo, el caso de un semiconductor de silicio dopado con

boro. La situación se muestra esquemáticamente en la gura 5.5b. Dado que
la valencia máxima del boro es igual a tres, un enlace del átomo de Si estará
incompleto. Gracias a la energía térmica, un electrón del átomo adyacente puede
saltar al enlace incompleto. En este caso se forma un ion negativo de Boro y un
hueco libre que se mueve por los enlaces del Si, y por lo tanto, que participa en
la conducción del cristal. La impureza que se apodera de los electrones se llama
aceptora.
De nuevo, para la formación del hueco libre gracias a la ionización de la impu-
reza se requiere bastante menos energía que para la formación de un par electrón-
hueco de la sustancia básica. Debido a esto, a temperatura ambiente prácticamente
todas las impurezas estarán ionizadas y la cantidad de huecos será mucho mayor
que la cantidad de electrones generados por agitación térmica de la red de Si. La
conducción eléctrica en el cristal será por huecos. En este semiconductor, denomi-
nado de tipo P, los portadores mayoritarios son los huecos y los minoritarios
los electrones.

3. DIAGRAMA DE BANDAS DE ENERGÍA

El modelo bidimensional de enlaces, por su simplicidad, es muy intuitivo para
explicar los procesos de conducción en semiconductores pero no permite ningún
tratamiento cuantitativo. Tampoco explica por qué algunos sólidos cristalinos son
buenos conductores y otros son aislantes.

La respuesta a esta pregunta la proporciona la Mecánica Cuántica mediante

la resolución del problema de los electrones en un sólido cristalino sometidos
al potencial periódico de la red y que constituye el Modelo de Bandas de
Energía.
No vamos a entrar en la resolución de este problema. Nos limitaremos a jus-
ticar el modelo de Bandas de Energía analizando la formación de un cristal a
partir de sus N átomos constituyentes. Efectivamente, es sobradamente conocido
por el alumno que en un átomo aislado, los electrones ocupan niveles de energía
discretos. Recordemos por ejemplo el modelo atómico de Bohr que establece que
los electrones ocupan sólo aquellos orbitales cuyo momento angular es un número

9
Teoría de Circuitos y Electrónica

Energía
electrónica

Banda de
Conducción
3p

Wg
3s
Banda de
Valencia

5.43 A Distancia interatómica del Si

Figura 5.6

entero de la constante de planck reducida.

mvr  nh̄  nh
2π
Consideremos ahora dos átomos idénticos. Cuando están lejos el uno del otro,
los niveles de energía permitidos están degenerados, es decir, cada átomo tiene
exactamente los mismos niveles de energía. Conforme acercamos un átomo a otro,
el nivel de energía degenerado se desdoblará en dos niveles muy próximos debido a
la interacción entre los dos átomos y como consecuencia del principio de exclusión
de Pauli que establece que no puede haber dos electrones en el mismo estado
cuántico.

Cuando se constituye un cristal a partir de N átomos, el nivel de energía

N -veces degenerado se desdoblará en N niveles diferentes pero de energías muy
próximas. El resultado es que, en lugar de niveles discretos de energía, tendremos
bandas prácticamente continuas de energía, separadas por intervalos de energías
prohibidas. Dentro de cada banda la energía está cuantizada pero el salto ener-
gético, ∆W, es tan pequeño que el electrón, gracias a la agitación térmica, puede
desplazarse libremente a lo largo de la banda.

En la gura 5.6 se muestra la estructura de bandas calculada a partir de

los procedimientos de la mecánica cuántica para un cristal de Si en función del
espaciamiento atómico.

Como se puede observar, cuando la distancia interatómica es grande, cada

átomo tiene sus niveles de energía discretos (aquí sólo se muestran los niveles

10
 Fundamentos de Semiconductores

3s y 3p). Conforme disminuye la distancia interatómica, cada nivel de energía

degenerado se amplía para formar una banda. Al disminuir la distancia entre
los átomos, estas bandas se hacen cada vez mas anchas y terminan solapándose.
Cuando la distancia interatómica alcanza su valor de equilibrio, que en el caso del
Si es de 9 , la banda única se vuelve a dividir en dos bandas que se encuentran
5,43A
separadas por una región que corresponde a valores de energías que el electrón
no puede tener en el sólido. Este intervalo de energías prohibidas se denomina
banda prohibida o gap de energía.

3.1. Aislantes, semiconductores y metales

Una de las aplicaciones del modelo de bandas es la clasicación de las sustan-
cias en aislantes, semiconductores y metales en función del diagrama de bandas de
energía que presenten. En la gura 5.7 se ha representado el diagrama de bandas
de energía de varios materiales

El primer diagrama corresponde a un aislante. En este tipo de materiales

el número de electrones en el cristal es justo suciente para llenar completa-
mente un determinado número de bandas, empezando por la de energía más
baja. Después hay una región de energías prohibidas y a partir de aquí todas
las bandas están completamente vacías. Se denomina banda de valencia
a la última banda completamente llena a la temperatura del cero absoluto y
se denomina banda de conducción a la primera banda vacía a la misma
temperatura. No es posible la conducción porque no puede haber corrien-
te de electrones libres: una banda completamente llena no contribuye a la
conducción pues los electrones no tienen donde ir obviamente; mientras
que una banda completamente vacía tampoco contribuye a la conducción.
La tercera posibilidad, que sería el paso de portadores de una banda a la
siguiente como consecuencia de la excitación térmica, es poco probable dado
el gran intervalo de energías prohibidas o gap.

En la Tabla.II se muestran los valores del gap de energías prohibidas para

varios semiconductores y para el diamante que es un aislante que podemos
comparar con el valor de kT, que nos da una idea de la energía térmica de
los electrones. Para una temperatura de 1000 K, el valor de kT es tan sólo
de 0.086 eV.

En el segundo diagrama de la gura, que representa la estructura de bandas

11
Teoría de Circuitos y Electrónica

BANDA CASI Electrones

BANDA VACIA VACIA BANDA VACIA

solapadas
-- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --

Bandas
-- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
Wf Wg.7 eV Wg.1 eV ---------------- ----------------

+++++++++++
+++++++++++ BANDA PAR-
CIALMENTE
LLENA
Huecos BANDA CASI
LLENA
BANDA LLENA BANDA LLENA

BANDA LLENA BANDA LLENA

BANDA LLENA BANDA LLENA

AISLANTE SEMICONDUCTOR METAL METAL

(a) (b) (c) (d)

Figura 5.7

para un semiconductor, se observa que el intervalo entre la banda totalmente

llena y la vacía es mucho menor. Entonces, al aumentar la temperatura
existe una probabilidad apreciable de que la excitación térmica produzca
electrones libres. Es decir, que se vacíe un poco la banda de valencia y
pasen electrones a estados energéticos de la banda conducción. Quedan así
dos bandas parcialmente llenas y por consiguiente la conducción es posible.

Los dos diagramas restantes c y d representan dos posibles estructuras de

bandas para un metal. La primera corresponde a una banda parcialmente
llena y la segunda a un caso de solapamiento de bandas. Vemos que incluso
a la temperatura del cero absoluto puede haber conducción.

La estructura de bandas que hemos descrito es la que presentan los semicon-

ductores intrínsecos. La conductividad en estos materiales depende fuertemente
de la temperatura. Así, en el cero absoluto son aislantes ya que todas las bandas
hasta la de valencia están completamente llenas y por consiguiente no contribu-
yen a la conducción. A partir de la banda de conducción todas las regiones de
energías permitidas están completamente vacías y tampoco contribuyen a la con-
ducción. Al aumentar la temperatura aparece una conductividad nita, debida a
los portadores generados térmicamente, pero mucho menor que la de los metales.

12
 Fundamentos de Semiconductores

Tabla 5.2. Valores de la banda prohibida de energía

Cristal Wg (eV) r0 Ks Wg (eV) r300 Ks
Diamante 5,40 -
Si 1,17 1,14
Ge 0,74 0,67
InSb 0,23 0,18
InAs 0,36 0,35
InP 1,29 1,35
GaP 2,32 2,26
GaAs 1,52 1,43
GaSb 0,81 0,78
PbSe 0,17 0,27
PbTe 0,19 0,30
ZnO 3,44 3,2
ZnS 3,91 3,6
Cu2 O 2,17 -
CdS 2,58 2,42

¾Qué ocurre en los semiconductores extrínsecos?

Cuando dopamos un semiconductor, el número de impurezas es muy pequeño
comparado con el número de átomos del cristal. Por ejemplo, si comparamos un
nivel de dopado medio de 10
15 át/cm3 con la densidad atómica del Si que es de

 22
5 10 cm


3 , vemos que hay un átomo de impureza por cada 5 107 átomos de Si.

Por tanto, la estructura física y energética del semiconductor no se modica.

Esto quiere decir que su estructura de bandas se conserva y el efecto producido
por las impurezas se traduce en la creación de unos niveles de energía situados
dentro del intervalo de energías prohibidas. En la gura 5.8 se esquematiza esta
situación:

En el caso del semiconductor tipo N, aparece un nivel energético, WD ,

cerca de la banda de conducción que se encontrará ocupado por los elec-
trones sobrantes. Estos electrones saltarán fácilmente (la energía térmica a
temperatura ambiente es suciente) a la banda de conducción, y se generan
en esta banda portadores de carga libres.

En el caso del semiconductor tipo P, aparece un nivel energético, WA , cerca

13
Teoría de Circuitos y Electrónica

WC WC
WD

WA
WV WV

Tipo N Tipo P
(a) (b)

Figura 5.8

de la banda de valencia que se encontrará vacío, corresponde a los electrones

que faltan. En este caso, los electrones que ocupan la banda de valencia
saltarán fácilmente a este nivel y se generarán huecos en dicha banda.

Estos estados están ionizados prácticamente todos a temperatura ambiente y

dominan la conductividad del material, dando lugar a toda la tecnología bipolar
de producción de dispositivos electrónicos basada en la unión de un semiconductor
tipo P con un semiconductor tipo N.

Como puede observarse, el intervalo de energías prohibidas que separa a las

bandas de conducción y valencia, Wg , es importante por dos razones: su valor
mide el salto energético necesario para que en los semiconductores intrínsecos
aparezcan portadores de carga libres y, por otro lado, en él se sitúan los niveles
energéticos asociados a las impurezas en el caso de semiconductores extrínsecos.

El aspecto realmente importante del comportamiento de un semiconductor

(en cuanto a la posibilidad de realizar distintos dispositivos), es la facilidad con
la que se puede controlar su conductividad controlando la temperatura en los
semiconductores intrínsecos y el nivel y tipo de impurezas con que se dopan los
extrínsecos.

4. LEY DE ACCIÓN DE MASAS

Como se ha comentado anteriormente, en un semiconductor intrínseco la crea-
ción de portadores de carga libres se debe sólo a la agitación térmica de la red.
Por tanto, al aumentar la temperatura aumentará el número de electrones en la
banda de conducción y el número de huecos en la banda de valencia. Pero además,

14
 Fundamentos de Semiconductores

por cada electrón que aparezca en la banda de conducción, aparecerá un hueco

en la banda de valencia. Es decir, se cumple que el número de electrones es igual
al número de huecos
no  po  nipT q (5.3)

y esta cantidad se denomina densidad de portadores intrínseca, ni pT q.

Se verica además que el producto de la densidad de electrones y de huecos
es una cantidad que sólo depende de la temperatura y del intervalo de energías
prohibidas en la forma siguiente.

no p o  n2i pT q9T 3e
W {kT

g
(5.4)

Este resultado se conoce como ley de acción de masas y establece que para
una temperatura dada el producto de las concentraciones de portadores en un
semiconductor es constante e igual al cuadrado de la densidad de portadores
intrínseca.

4.1. Semiconductores extrínsecos

Tanto en los semiconductores tipo N como en los tipo P se sigue cumplien-
do la ley de acción de masas, es decir, que el producto de las concentraciones
es constante para una temperatura dada e igual al cuadrado de la densidad de
portadores intrínseca.
np  n2i pT q (5.5)

Esto signica que el aumento de un tipo de portador debido a la introducción de

impurezas, tiende a reducir el número del otro tipo de portador a través de la
recombinación. Además, para un semiconductor extrínseco se verica la siguiente
ecuación de neutralidad eléctrica

n NA
p ND (5.6)

A partir de estas dos últimas ecuaciones es posible obtener una ecuación de se-
gundo grado que nos permite determinar la densidad de electrones y de huecos en
función de la concentración de impurezas y la densidad de portadores intrínseca.

Efectivamente, si consideramos que a temperatura ambiente todas las impu-

rezas están ionizadas, lo cual ocurre en la mayoría de las situaciones de interés,
entonces la ecuación (5.6) se transforma en

n NA p ND

15
Teoría de Circuitos y Electrónica

Despejando de la ley de acción de masas, ecuación (5.4), la densidad de huecos y

sustituyendo en la expresión anterior, se tiene

2
n NA  nni ND

Reorganizando términos obtenemos la siguiente ecuación de segundo grado

n2
pND
NA qn
n2i 0
cuyas soluciones son:

c
n pND
NAq  p ND
NA q2
1 1
n2i
2 4

De las dos soluciones posibles sólo tiene sentido físico la positiva, ya que la densi-
dad electrónica tiene que ser un número positivo. Veamos algunos casos particu-
lares de interés:

a) Semiconductor tipo N. En este tipo de semiconductores con un nivel de

dopado medio, p. e. 10
15 át/cm3 se verica que N
D NA ni ( ni
" 


1010 cm 3 para el Si y 

ni 1013 cm 3 para el Ge a 300 K). Entonces de las
soluciones anteriores obtenemos para nn lo siguiente

nn  ND
NA
y para pn usando la condición pn  n2i obtenemos

2
pn  N n
i N
D A

El subíndice n indica que se trata de un semiconductor tipo N

b) Caso ideal en que NA 0

2
nn  ND y pn  Nni
D

Si se tratase de un semiconductor tipo P obtendríamos expresiones semejantes

para cada uno de los casos anteriores:

16
 Fundamentos de Semiconductores

a) Semiconductortipo P

2
pp  NA
ND ; np  N n
i N
A D

b) Caso ideal en que ND 0

2
pp  NA ; np  Nni
A

Es decir, en un semiconductor extrínseco, las concentraciones están dominadas

por las impurezas.

Ejemplo 1.1
Sea una muestra semiconductora de germanio a 300 K con una concentración de
impurezas aceptoras NA  107 cm
3 y donadoras ND  1018 cm
3. Determinar
si la muestra es de tipo N o P, y la densidad de portadores de uno y otro tipo. La
densidad de portadores intrínseca para el Ge a esta temperatura es ni  2, 0  1013
cm

3

Solución
Como puede observarse la cantidad de impurezas aceptoras se encuentra 11 ór-
denes de magnitud por debajo de la concentración de impurezas donadoras. Esto
signica que la cantidad de huecos generados por las primeras es despreciable fren-
te a los electrones generados por las segundas, es decir, la muestra semiconductora
es de tipo N claramente. La densidad de electrones viene dada por

a
n
pND
NAq  pND
NAq2 4n2i
2
Ahora bien, si el nivel de dopado es medio-alto, es decir,ND NA
¡¡
ni , entonces
4n2i es despreciable frente a pND
2 q
NA y la expresión anterior se simplica

n ppND
NAq  pND
NAq q  ND
NA

1
2
Si además, la concentración de impurezas aceptoras es mucho menor que la de
impurezas donadoras, queda nalmente

ND ¡¡ NA ùñ n  ND

En el caso particular que se trata, se verican las dos condiciones mencionadas,

17
Teoría de Circuitos y Electrónica

ND 1018cm
3 ¡¡ ni  2, 0  1013cm
3

ND  1018 cm
3 ¡¡ NA  107 cm
3
Luego, se tiene
n  ND
NA  ND  1018cm
3
La densidad de huecos se obtiene aplicando la ley de acción de masas

6
n2i
 4, 010 1810cmcm
3
26
p
3  4, 0  10 cm
8
n
Ejemplo 1.2
La densidad de portadores intrínseca es una cantidad que es función de la
temperatura y de una serie de parámetros que dependen de la naturaleza del
cristal. Así, para el silicio se comprueba que el cuadrado de la densidad de
portadores intrínseca aumenta un 15 % por grado kelvin, mientras que para el
germanio este aumento es solamente del 10 %.

Teniendo en cuenta lo anterior, si disponemos de una muestra semiconductora de

29 átomos/m3 ) a 300 K que contiene un átomo de antimonio (donador)
silicio (10
8
por cada 10 átomos de Si, calcular: a) La densidad de electrones; b) La densidad
de huecos a 300 K; y c) La densidad de huecos a 301 K
La densidad de portadores intrínseca para el Si a 300 K es  
ni 1, 45 1016 m 3

Solución La densidad de impurezas será ND  21

3
10 m , luego la densidad de
electrones vendrá dada por

n  ND  1021m
3
Y la densidad de huecos a 300 K es, aplicando la ley de acción de masas

2
1, 45  1016
p
n2i
n
 1021
 2, 10  1011m
3
Puesto que el cuadrado de la densidad de portadores intrínseca aumenta un 15 %
por grado kelvin, tendremos que esta cantidad a 301 K es de 2,42 1032m
3, la
densidad de huecos será
p1  2, 42  1011m
3
mientras que la densidad de electrones no se afecta por el cambio de temperatura

18
 Fundamentos de Semiconductores

5. FENÓMENOS DE TRANSPORTE
En este apartado se verán los fenómenos de transporte de carga que pueden
tener lugar en materiales semiconductores. El primero es el arrastre. Este meca-
nismo de conducción es similar al que tiene lugar en los materiales conductores y
resulta de la aplicación de un campo eléctrico.

El segundo fenómeno es la difusión que resulta de una alteración de la concen-

tración volumétrica de portadores de carga. Como es bien conocido, en un metal
es prácticamente imposible alterar la concentración volumétrica de los portadores
de carga libres. En efecto, si introducimos un exceso de portadores (electrones en
este caso) introducimos una carga eléctrica adicional en el material que, como ya
vimos cuando caracterizamos los conductores, residirá esencialmente en la super-
cie del metal y no se afectará la concentración volumétrica de los portadores de
carga, es decir, no se observará ningún cambio en las propiedades volumétricas de
transporte.

Sin embargo, en un semiconductor se puede alterar profundamente la concen-

tración de portadores de carga sin introducir ninguna densidad de carga eléctrica
importante. Esto se debe a la existencia de dos tipos de portadores de carga, hue-
cos y electrones. Si introducimos un exceso simultáneo de electrones y huecos, se
crearán grandes desviaciones de los valores de equilibrio térmico sin que se forme
una densidad de carga neta. La formación de estas densidades en exceso dará
lugar, como se verá más adelante, a una modulación notable de la conductividad
volumétrica del material. Esta posibilidad es la que permite el uso de materiales
semiconductores como dispositivos electrónicos tales como recticadores, transis-
tores y unidades de conmutación.

Nos limitaremos a estudiar, por sencillez, los fenómenos de transporte en una

sola dimensión a la que le asignamos el eje X . Así pues, mientras no se especique
lo contrario, consideraremos las componentes de la densidad de corriente y el
campo eléctrico aplicado en esta dirección.

5.1. Corriente de Arrastre

Puesto que un semiconductor existen dos tipos de portadores de carga, la
corriente de arrastre tendrá dos componentes, la de huecos y la de electrones.

Ja  Jan Jah (5.7)

19
Teoría de Circuitos y Electrónica

Efectivamente, como ya se ha explicando anteriormente, si aplicamos un campo

eléctrico externo a un semiconductor, aparecerá una aceleración de los electrones
en la banda de conducción y de los huecos en la banda de valencia compensada por
choques con la red y con las impurezas. El resultado es un ujo de portadores de
carga que se desplazan con una velocidad media. Esta velocidad media o velocidad
de arrastre es proporcional al campo eléctrico aplicado, siendo la constante de
proporcionalidad la movilidad electrónica de electrones y huecos.

va,n  µn E
va,p  µp E

La densidad de corriente de arrastre debida a un campo eléctrico vendrá dada,

entonces, por

Ja  Ja,n Ja,p  nqva,n pqva,p (5.8)

donde n y p son las densidades de electrones y huecos respectivamente y q la

carga del electrón. Finalmente tenemos

Ja  e pnµn pµp q E (5.9)

siendo e el valor absoluto de la carga del electrón.

Si comparamos esta expresión con la forma puntual de la Ley de Ohm, ob-

tenemos la expresión de la conductividad de un semiconductor en función de los
parámetros microscópicos que lo caracterizan, esto es,

γ  e pnµn pµp q (5.10)

Ejemplo 1.3
Sea una barra cilíndrica de silicio puro (intrínseco), cuya longitud es L  10
cm, y con una sección cuadrada de lado l  1 cm. En los extremos de la barra
se realizan contactos óhmicos y se conecta a una batería de 3,5 V. Determinar
el campo eléctrico en el interior de la barra semiconductora y la densidad
de corriente debida a cada tipo de portador. Datos: ni  1, 45  1010 cm

3 ,
µp  475 cm2 V
1 s
1 , µn  1500 cm2 V
1 s
1 , q  1, 6  10
19 C.

20
 Fundamentos de Semiconductores

Solución
En primer lugar, determinamos el campo eléctrico teniendo en cuenta
»
E  dl V

Luego, en mólulo

E LV ñ E  VL  103,
52  35 V/m

En segundo lugar, determinamos la conductividad correspondiente a cada tipo de
portador

γn  qnµn  1,6  10
19C  1,45  1010cm
3  1500cm2V
1s
1

γn  3,48  10
6 Ω
1 cm
1  3,48  10
4 Ω
1 m
1
y
γp  qpµp  1,6  10
19C  1,45  1010cm
3  475cm2V
1s
1
γp  1,102  10
6 Ω
1 cm
1  1,102  10
4 Ω
1 m
1
La densidad de corriente debida a cada tipo de portador será

Ja,n  γn E ; Ja,p  γp E
Sustituyendo valores se obtiene para el módulo de la densidad de corriente

Ja,n  3,48  10
4Ω
1 m
1  35 V/m  12,28 mA/m2

y
Ja,p  1,102  10
4Ω
1 m
1  35 V/m  38,6 mA/m2
Como puede observarse, la densidad de corriente de arrastre debida a los electrones
es bastante mayor que la debida a los huecos, y esto se debe a que éstos últimos
tienen una movilidad mucho más baja.

5.2. Corriente de Difusión

Como ya se ha comentado, puede existir una contribución importante a la
corriente en el seno de un semiconductor si se produce una variación espacial

21
Teoría de Circuitos y Electrónica

de la concentración de portadores. Cuando ocurre esto, los portadores tienden a

moverse desde las regiones de alta concentración a las de baja concentración. Esta
componente de la corriente se llama corriente de difusión.
Para comprender este proceso vamos a analizar un ejemplo Consideremos una
barra semiconductora de silicio tipo P en equilibrio térmico con una densidad de
portadores de po  0, 725  1015 cm
3 y no  0, 290  106 cm
3. En un momento
dado, se ilumina un extremo de la barra de manera que en dicho extremo se genera
un exceso de portadores de ∆n  ∆p  1010 cm
3. Si determinamos la nueva
densidad de portadores, tanto de huecos como de electrones, tenemos

p  po ∆p  p0, 725 0, 00001q  1015 cm
3  0, 725  1015cm
3

y
n  no ∆n  0, 290  106 cm
3 1010 cm
3  1010cm
3
Es decir, la densidad volumétrica de huecos (portadores mayoritarios) no se ha
modicado, mientras que la densidad de electrones (portadores minoritarios) se
ha incrementado signicativamente (4 órdenes de magnitud)

Se producirá entonces una difusión de electrones hacia las zonas de baja den-
sidad hasta alcanzar el equilibrio de nuevo. Puesto que los electrones están car-
gados este ujo dará lugar a una corriente en dirección contraria. En la gura 5.9
se ilustra la relación entre el gradiente de concentración, el ujo de portadores y
la corriente asociada para a)electrones y b)huecos.

Como se ha visto en el ejemplo anterior, cuando existe un gradiente de con-

centración de portadores, el movimiento aleatorio de los mismos da lugar a un
ujo en la dirección contraria al gradiente. El ujo es proporcional al gradiente
de concentración y la constante de proporcionalidad se denomina coeciente de
difusión.
dnpxq
Φ 
Dn
dx
El signo menos surge del hecho de que a un gradiente negativo corresponde un
ujo hacia las x crecientes tal y como se ilustra en la gura 5.9. Puesto que los
electrones están cargados, este ujo da lugar a una corriente de difusión

Jd,n  p
eqΦ  eDn dndxpxq (5.11)

Para una densidad electrónica que disminuya con x el gradiente es negativo y los
electrones se moverán hacia las x positivas. La corriente es negativa y en sentido
contrario al ujo de electrones.

22
 Fundamentos de Semiconductores

n(x) Mn p(x) Mp
<0
Mx Mx
<0
- flujo de electrones + flujo de huecos
corriente de electrones corriente de huecos
Jd,n Jd,p

o x o x
(a) (b)

Figura 5.9

Se puede obtener una expresión del coeciente de difusión en función de la

movilidad electrónica mediante la relación de Einstein de manera que las dos
constantes que caracterizan el transporte de portadores por difusión y por arrastre
quedan relacionadas

Dn  kTe µn (5.12)

Análogamente, para huecos tendremos la expresión para la corriente de difusión

Jd,p 
eDp dpdxpxq (5.13)

con el coeciente de difusión para huecos dado por

Dp  kTe µp (5.14)

En la gura 5.9 se muestra la diferencia entre el ujo de portadores y el sentido

de la corriente asociada.

5.3. Ecuación de transporte

Como se ha visto en los apartados anteriores, cuando hay un campo eléctrico
presente y, además, un gradiente de concentración, la corriente de electrones en
el semiconductor tendrá dos componentes, la de arrastre y la de difusión

dnpxq
Jn  eµnnE eDn
dx
(5.15)

23
Teoría de Circuitos y Electrónica

Y para los huecos

Jp  eµppE
eDp dpdxpxq (5.16)

El signo menos en el término de difusión para huecos surge del hecho de que para
un gradiente negativo de huecos, éstos difunden en la dirección de la x positivas.
La densidad de corriente total viene dada por la suma de la corriente debida a los
electrones y a los huecos.
JT  Jn Jp
Una vez conocidas las densidades de corrientes vamos a formular la ecuación
de continuidad que rige el transporte de carga en situaciones tanto transitorias
(vuelta al equilibrio) como estacionarias. La ecuación de continuidad relaciona
la variación espacial de la densidad de corriente con la variación temporal de la
densidad de carga

∇J

Bρprq
Bt
En el caso unidimensional que estamos considerando tendríamos

dJ
dx

dρ
dt
con
 
ρpxq  e ppxq
npxq ND pxq
NA
pxq
Esta es la ecuación de continuidad clásica. Sin embargo, para aplicarla al estudio
de los semiconductores debemos ampliarla por dos razones:

1. Hay dos tipos de portadores y por tanto es preferible establecer una ecuación
de continuidad para cada tipo.

2. Existen mecanismos de generación y recombinación responsables de varia-

ciones de carga. Esto signica que hay que incluir términos en la ecuación
que contemplen estos fenómenos.

Teniendo en cuenta lo anterior, tendremos

Bn  G
R 1 B Jn
Bt n n
e Bx
(5.17)

Bp  G
R
1 BJp
Bt p p e Bx (5.18)

24
 Fundamentos de Semiconductores

Sustituyendo las expresiones obtenidas para la densidad de corriente en las ex-

presiones (5.17) y (5.18) obtenemos

Bn  G
R µ n BE µ E Bn B2n
Bt n n n
Bx n Bx Dn
B x2 (5.19)

Bp  G
R
µ p BE
µ E Bp B2p
Bt p p p Bx p Bx Bx
Dp 2 (5.20)

Estas son las ecuaciones diferenciales que deben resolverse para obtener el
comportamiento de los portadores de carga en un semiconductor. En general son
ecuaciones complicadas y requieren de hipótesis simplicadores que se aplican en
cada caso particular. Su resolución excede el nivel de este libro y no se llevará
a cabo. En la siguiente sección analizaremos la expresión que resulta de aplicar
estas ecuaciones al caso particular de una unión PN y que constituye lo que se
denomina característica tensión-corriente de la unión PN.

6. UNIÓN PN EN EQUILIBRIO
Una unión PN es una estructura formada por un cristal semiconductor intrín-
seco en el que una parte se ha dopado con impurezas donadoras, ND , dando lugar
a un semiconductor tipo N, y la otra parte se ha dopado con impurezas aceptoras,
NA , dando lugar a una parte tipo P. Estudiaremos únicamente la unión abrupta
que es aquella en la que, como indica su nombre, la transición de la región N a la
P es brusca.

Supóngase que de alguna manera se forma una unión abrupta PN juntando

una muestra uniforme tipo P con otra uniforme tipo N. En la gura 5.10 se muestra
la situación. Los altos gradientes de concentración de portadores darán lugar a
difusión: los huecos del lado P difunden en el lado N y los electrones del lado N
difunden hacia el lado P. Vemos que, por un lado, los huecos difunden hacia la
derecha dejando el lado P, y por otro, se recombinan con los electrones que se han
difundido a través de la unión desde la derecha. Con lo cual, en la región próxima
a la unión se produce un vaciado de cargas móviles y los iones negativos de las
impurezas aceptoras quedan descompensados ya que estas impurezas están jas
en el semiconductor. Se crea, por tanto, una región de carga espacial negativa.
Análogamente, en el lado N los iones positivos de impurezas donadoras situados
cerca de la unión, quedan descompensados conforme los electrones dejan el lado
N.

25
Teoría de Circuitos y Electrónica

E
Difusión
pp,o - +
+ nn,o
-
- +
- +
- +
- +
- + pn,o
np,o - ++
p n
Arrastre
Vg
x

Figura 5.10

Consecuentemente se forma una zona de carga espacial negativa en el lado P,

de anchura xp y positiva en el lado N, cuya anchura la denotamos por xn . Esta
región de denomina zona de transición o región agotada y origina un campo
eléctrico dirigido desde la región de carga positiva (tipo N) a la de carga negativa
(tipo P) como se indica en la gura 5.10

La región N adquiere un potencial positivo respecto a la región P. La diferencia

de potencial entre las dos regiones se denomina potencial de contacto, Vγ , y
es tan sólo de unas décimas de voltio. Podemos observar que la polaridad de la
barrera es tal que se opone a la corriente de difusión de cada tipo de portador
pero favorece la corriente de arrastre. Efectivamente, como se muestra en la gura
5.10, la difusión de huecos uye desde el lado P al N, mientras que la corriente de
arrastre de huecos es en sentido contrario. Lo mismo ocurre para los electrones.
En equilibrio, la corriente total a través del semiconductor debe ser nula, por
tanto, el intercambio de portadores entre las regiones N y P continuará hasta que
la corriente de arrastre de portadores minoritarios se iguale en magnitud con la
corriente de portadores mayoritarios.

Si suponemos una unión abrupta como la mostrada en la gura 5.10, es po-

sible determinar la magnitud del potencial de contacto, Vγ , en función de las
carasterísticas de la unión:

Vγ  qN
2ε
A
x p px p xn q (5.21)

26
 Fundamentos de Semiconductores

pp,o -- + nn,o
+
- - ++
- +
NA = 1023 - - ND = 1023
+
- - +
++
np,o -- ++ pn,o
p n

Figura 5.11

o bien

Vγ  qN2εD xnpxp xn q (5.22)

donde xp xn  W es la anchura de la zona de transición. Podemos relacionar el

potencial Vγ con la anchura de la región de transición multiplicando la expresión
de arriba por ND y la de abajo por NA y sumando

ND Vγ NA Vγ  qN2ε
D NA
xp W
qND NA
2ε
xn W  qN2ε
D NA
W2

de donde

V γ pN A ND q 
qND NA 2
W
2ε
Finalmente
d 

W  2ε
q
1
ND
1
NA
Vγ (5.23)

Ejemplo 1.4
Supongamos que en una unión PN de Germanio la densidad de impurezas dona-
doras Nd en la región N de la unión es de 10


23 m 3 y la densidad de impurezas
23
aceptoras Na en la región P es también de 10 m
3.
 

ni 2, 5 1019 m 3 para el Ge.

Hágase un balance de las densidades de portadores en cada una de las regiones

de la unión PN.

27
Teoría de Circuitos y Electrónica

Solución Teniendo en cuenta las concentraciones de impurezas dadas, en la región

N tendremos
nno  1023m
3
Aplicando la ley de acción de masas, la densidad de huecos en la región N será

6
 nni  6, 25102310m
m3  6, 25  1015m
3
2 38
pno
no

Esto da un total de densidad de portadores de carga

nno pno  1023m
3 ya que 1015 ! 1023

Análogamente en la región P tendremos

ppo  1023m
3 , npo  6, 25  1015 m
3 y ppo npo  1023m
3

Sin embargo, en el centro de la zona de transición, las densidades de electrones
y huecos deben ser iguales como se muestra en la gura 5.11, y su producto, en
virtud de la ley de acción de masas, debe mantenerse constante. Así, tendremos
que en esta región
p0  no  ni  2, 5  1019m
3
y la densidad total de portadores resulta

p0 n0  5  1019m
3
Este resultado indica que la densidad total de portadores en la región de transición
es más de tres órdenes de magnitud menor que en el resto del cristal y por esta
razón esta zona se denomina región agotada.

7. UNIÓN PN POLARIZADA
El interés de la unión PN estriba en que esta estructura permite el paso de
corriente en el sentido P ÑN ofreciendo tan sólo una ligera resistencia, y lo impide
en el sentido N Ñ P, como veremos a continuación.
Se dice que una unión PN está polarizada directamente cuando se aplica
una diferencia de potencial externa, a ambos lados de la unión, en sentido con-
trario al potencial de contacto. Es decir, el lado P positivo con respecto al N,
como se indica en la gura 5.12a. Cuando esto ocurre se producen dos efectos

28
 Fundamentos de Semiconductores

importantes. Inicialmente el polo positivo repelerá los huecos del material P hacia
la unión, mientras que el polo negativo repelerá hacia la unión a los electrones
del material N. La barrera interna de potencial es neutralizada o sobrepasada; los
portadores mayoritarios de cada lado se derraman sobre la unión y difunden en
el lado contrario.

pn,1
np,1
np,1 pn,1
pn,o pn,o
np,o np,o
p n p n
+ +

(a) (b)

Figura 5.12

La barrera de potencial interno queda neutralizada debido a que los portadores

mayoritarios de cada lado son forzados hacia la unión por la diferencia de tensión
aplicada exteriormente, y entonces un gran número de iones de la región agotada
captura de nuevo sus cargas.

Se establece por tanto una corriente eléctrica que uye del lado P al N y
que en cada zona del semiconductor está constituida por dos términos: arrastre
y difusión. Así, por ejemplo, en el lado N tendremos la corriente de arrastre de
los electrones (portadores mayoritarios) y la corriente de difusión de los huecos
(portadores minoritarios) que han sido inyectados desde el lado P.

Si se invierte la polaridad de la batería externa, se incrementa la barrera

interna de potencial. Los portadores mayoritarios no pueden cruzar la unión y
decimos entonces que ésta está polarizada inversamente o en estado de corte.
Véase la gura 5.12b.

Inicialmente los portadores mayoritarios de cada lado son atraídos hacia sus
respectivos polos de la batería externa y alejados de la unión. Entonces las impu-
rezas del semiconductor tienden a perder sus portadores asociados y se produce un
aumento de la región agotada, con lo cual la barrera de potencial en esta región se
incrementa. La barrera alta de potencial evita que los electrones del lado N y los
huecos del lado P se derramen por difusión sobre la unión hacia el lado opuesto.
Por otro lado, esta barrera favorece que los portadores minoritarios (huecos del
lado N y electrones del lado P) que alcanzan la región agotada sean arrastrados
por el campo eléctrico hacia el lado opuesto de la unión en donde se convierten

29
Teoría de Circuitos y Electrónica

en mayoritarios.

Por lo tanto, circulará una pequeña corriente debida a los portadores minori-
tarios que atraviesan la unión y cuya magnitud es despreciable ya que son muy
pocos los pares electrón-hueco generados térmicamente en el cristal. Esta peque-
ña corriente se denomina corriente inversa de saturación de la unión PN.
La corriente inversa aumenta con la temperatura (recuérdese que la generación
térmica de pares electrón-hueco aumenta con la temperatura) y, por tanto, la re-
sistencia de un diodo inversamente polarizado disminuye conforme se incrementa
la temperatura.

Conviene distinguir entre unión PN, como la estructura teórica de estudio

que se ha analizado en los párrafos anteriores y diodo de unión PN como el
dispositivo electrónico que incluye la realización de la estructura teórica estudiada
junto con las uniones óhmicas en sus extremos, etc.

8. CARACTERÍSTICA V
I
Hasta ahora hemos analizado de manera cualitativa el comportamiento de una
unión PN. El modelo de Schockley que consiste en la aplicación, junto con una
serie de hipótesis simplicadoras, de las ecuaciones de transporte para cada tipo
de portador vistas en secciones anteriores, nos proporciona para un diodo de
unión PN una característica I
V exponencial de la forma


I  Is eV {ηVT
1 (5.24)

donde Is es la corriente inversa de saturación de la unión PN. Esta corriente es

consecuencia de los portadores generados térmicamente en la región de transición
y que son arrastrados por la barrera de potencial creada en la unión. Viene dada
por 

Is A qDp pno
Lp
qDn npo
Ln
donde Lp y Ln son las longitudes de las regiones P y N respectivamente (distancia
entre los contactos óhmicos y la unión)

Si sustituimos pno  n2i  {ND y npo  n2i  {NA la expresión de la corriente

inversa de saturación es


Is  Aqn2i
Dp
Lp ND
Dn
Ln NA

30
 Fundamentos de Semiconductores

Id (mA)

10

Vr -200
-IS 0,7 Vd (V)

1mA

Ir (mA)

Figura 5.13

En la ec.(5.24), el factor η depende del tipo de cristal y es 1 para el germanio y

aproximadamente 2 para el silicio y VT es el equivalente en tensión de la tempe-
ratura y está dado por

VT  kTq
siendo k la constante de Boltzmann y q la carga del electrón. A temperatura
ambiente pT  300o K q, VT  26 mV.
Un valor positivo de I signica que la corriente circula de la región P a la
N. El diodo está polarizado directamente si V es positiva, indicando que el
lado P de la unión es positivo con respecto al N. En la gura 5.13 se muestra la
forma de la característica tensión-corriente descrita por la ecuación 5.24. Cuando
la tensión V es positiva y varias veces superior a VT , se puede despreciar el 1
del paréntesis de la ec. (5.24). Por tanto, excepto para un pequeño margen en la
proximidad del origen, la corriente aumenta exponencialmente con la tensión:

 IseV {ηV
I T
(5.25)

Si el diodo se polariza inversamente y |V | es varias veces superior a VT ,entonces

I 
Is
En este caso, la corriente inversa es constante e independiente de la tensión inversa
aplicada. La magnitud de esta corriente es muy pequeña y en los casos prácticos

31
Teoría de Circuitos y Electrónica

podemos considerar que no circula corriente. Decimos entonces que el diodo está
en estado de corte.

Normalmente, el margen de corrientes directas a las que trabaja un diodo

es varios órdenes de magnitud superior al de las corrientes inversas. Para poder
apreciar adecuadamente la característica directa e inversa es necesario, como se
muestra en la gura 5.13, utilizar dos escalas diferentes para la corriente. Así, la
escala de corriente directa está en miliamperios y la inversa en microamperios.

Cuando la tensión inversa alcanza un cierto valor crítico, la característica del

diodo presenta un cambio brusco, no previsto por el modelo de Schockley (ecua-
ción (5.24) y que se ha representado en la gura 5.13 por la línea discontinua.
Para esta tensión crítica, la corriente crece muy rápidamente y decimos que se ha
producido la ruptura de la unión. Este fenómeno se estudia a continuación. Los

Id (mA)

60
Ge Si
40

20

0,2 0,7 Vd (V)

Figura 5.14

diodos disponibles en el mercado son de germanio o de silicio. En la gura 5.14

aparece la diferencia entre las características tensión-corriente en sentido directo
y a 25
o de diodos de usos generales de germanio (1N270) y silicio (1N3605) respec-

tivamente. Ambos diodos son comparables en cuanto a sus corrientes. En dichas

características se pone de maniesto la existencia de una tensión umbral, Vγ , por
debajo de la cual la corriente es muy pequeña. Por encima de Vγ la corriente sube
muy rápidamente. En la gura 5.14 se puede ver que Vγ es, aproximadamente 0.2
V para el germanio y 0.7 V para el silicio.

32
 Fundamentos de Semiconductores

8.1. Dependencia con la temperatura

El principal efecto de la temperatura en un semiconductor, según se vio en una
sección anterior, es la generación de pares electrón-hueco debido a la excitación
térmica de los electrones en la banda de valencia. Esto signica que a temperaturas
mayores hay más electrones libres y huecos disponibles en un semiconductor, sea
éste intrínseco o extrínseco. Estos portadores adicionales ocasionan cambios en la
operación de una unión PN, que se reejan en su característica I
V
En un diodo PN no polarizado, el incremento de portadores debido al aumento
de temperatura se traduce en una disminución de la región de carga espacial y
por tanto de la barrera de potencial. Esta disminución de la barrera de potencial
signica que el voltaje umbral en sentido directo necesario para que circule la
corriente es menor conforme aumenta temperatura.

Id (mA)

10

Vr -100
-IS 0,7 Vd (V)

1mA 25ºC
Ir (mA) 100ºC

Figura 5.15

Por otra parte, la corriente inversa de saturación aumenta con la temperatura

debido a la mayor disponibilidad de portadores. Se ha observado experimental-
mente que la corriente inversa de saturación crece aproximadamente un 7 %{o C
tanto en el silicio como en el germanio. Esto quiere decir que la corriente inversa
o
de saturación se duplica aproximadamente por cada 10 C. Por último, el voltaje
inverso de ruptura también aumenta con la temperatura debido que el tamaño de
la región agotada está extrechamente ralacionado con el proceso de ruptura como
se verá en la siguiente sección.

33
Teoría de Circuitos y Electrónica

El resultado del efecto de un aumento de la temperatura puede apreciarse en

la gura 5.15 en la que se representa la características I
V de un diodo de silicio
o o
a 25 y 100 C.

9. MECANISMOS DE RUPTURA
Si en una unión PN polarizada en sentido inverso aumentamos la tensión hasta
un cierto valor Vz se observa que la corriente inversa crece bruscamente. Decimos
entonces que se ha producido la ruptura de la unión. Puesto que el proceso de
ruptura no es inherentemente destructivo, la corriente máxima debe ser limitada
por un circuito externo (una resistencia) para evitar el calentamiento excesivo de la
unión. Cabe distinguir dos mecanismos de ruptura que actúan idependientemente
o en relación mutua: Efecto Zener y multiplicación por avalancha

9.1. Multiplicación por avalancha

El proceso de multiplicación por avalancha se ilustra en el diagrama de bandas
de la gura 5.16.

Puede tener lugar en uniones con dopado moderado y polarizadas inversamen-

te. Un electrón generado térmicamente (designado por 1 en la gura) aumenta
su energía cinética debido al campo eléctrico aplicado. Si éste es sucientemente
alto, la energía cinética adquirida por el electrón puede ser sucientemente alta
para que al chocar con un átomo se rompa un enlace de la red creándose un par
electrón-hueco. Este mecanismo se denomina ionización por impacto. El par
generado se acelerará por acción del campo eléctrico aplicado y se generarán nue-
vos pares electrón-hueco. Es proceso es, pues, acumulativo y si la intensidad no
queda limitada por resistencias externas al diodo, éste puede quedar inutilizado.

9.2. Ruptura Zener

Los diodos Zener se fabrican de forma que la zona de transición sea muy del-
gada, de manera que se llega a espesores del orden de 5  10
8 m . Con tensiones
inversas no excesivamente elevadas, de 5V por ejemplo, la intensidad de campo
eléctrico a través de la región agotada será de 108 V/m. Esta intensidad de campo
es muy grande, suciente para arrancar un electrón de su enlace covalente y ge-

34
 Fundamentos de Semiconductores

E
Wc 1
Wv
2
3
2'
Wc
3'
Wv

Figura 5.16

nerar gran cantidad de pares electrón-hueco que permitan aumentar rápidamente

la intensidad de corriente inversa.

A partir de la denición de la ruptura por avalancha, podríamos pensar que

8
una intensidad de campo de 10 V/m debería producir dicha avalancha. Sin embar-
go, esto no es necesariamente cierto, ya que la región agotada de un diodo Zener
es tan delgada que cuando un electrón es arrancado de su enlace y acelerado por
el campo electrostático, antes de poder adquirir la energía cinética suciente para
iniciar la avalancha ya ha atravesado la región de transición.

El efecto zener se maniesta solamente en los diodos que tienen una tensión de
ruptura inferior a unos 6V. Sin embargo, el término Zener se utiliza habitualmente
para denominar a los diodos de avalancha o de ruptura, que tienen tensiones de
ruptura más altas.

35