Introducción .........................................................................................

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Efecto Túnel: ....................................................................................... 4
Descubrimiento ................................................................................... 4
Curva del Diodo Túnel: ........................................................................ 5
Ventajas y Desventajas: ...................................................................... 6
Características .................................................................................... 6
Aplicaciones ........................................................................................ 7
Conclusión:.......................................................................................... 8
Fuentes consultadas ........................................................................... 9
Imagine un mundo en donde todos los aparatos electrónicos con los que hoy
contamos fueran de una manera tal que no tuvieran mucho tiempo de vida, pues la
corriente que le suministramos los deteriorase en poco tiempo, ya que es mucha
energía para ellos, algo inimaginable ¿no lo cree?
Los dispositivos de la actualidad requieren nuevas tecnologías que ayuden a poder
alimentarlas eléctricamente hablando, ya que, no es lo mismo un dispositivo móvil
que una televisión o incluso algún electrodoméstico como una lavadora, así pues,
en los inicios de la modernidad tecnológica, los instrumentos de la electrónica
surgieron para dar soluciones a este tipo de situaciones, entre ellos, el diodo
rectificador, que su principal función es la de transformar la energía de AC a DC
esto para que los dispositivos no sufran en su funcionamiento.
El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión PN, en la cual se
produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un
cierto intervalo de la característica corriente-tensión, Permite el paso de la corriente
en un solo sentido
 Es un diodo semiconductor que tiene una unión PN, en la cual
se produce el efecto túnel que da origen a una conductancia
diferencial negativa en un cierto intervalo de la
característica corriente-tensión. La presencia del tramo
de resistencia negativa permite su utilización como
componente activo.

Este diodo fue inventado en 1958 por el físico japonés Leo Esaki, por lo cual recibió
un Premio Nobel en 1973. Descubrió que los diodos semiconductores obtenidos con un
grado de contaminación del material básico mucho más elevado que lo habitual exhiben una
característica tensión-corriente muy particular. La corriente comienza por aumentar de modo
casi proporcional a la tensión aplicada hasta alcanzar un valor máximo, denominado
corriente de cresta.
A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensión aplicada, la corriente comienza a
disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mínimo, llamado corriente de valle, desde el
cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego
se hace cada vez más rápido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna
manera.

Los diodos de efecto túnel son dispositivos muy versátiles que pueden operar como
detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una región de juntura extremadamente
delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos voltajes de polarización directa
y tienen una resistencia negativa, esto es, la corriente disminuye a medida que aumenta el
voltaje aplicado.
Estos dispositivos presentan una característica de resistencia negativa; esto es, si aumenta
la tensión aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una disminución de la
corriente (por lo menos en una buena parte de la curva característica del diodo). Este
fenómeno de resistencia negativa es útil para aplicaciones en circuitos de alta frecuencia
como los osciladores, los cuales pueden generar una señal senoidal a partir de la energía
que entrega la fuente de alimentación.
El efecto túnel es un fenómeno nanoscópico por el que una partícula viola los principios de
la mecánica clásica penetrando una barrera potencial o impedancia mayor que la energía
cinética de la propia partícula. Una barrera, en términos cuánticos aplicados al efecto túnel,
se trata de una cualidad del estado energético de la materia análogo a una "colina" o
pendiente clásica, compuesta por crestas y flancos alternos, que sugiere que el camino más
corto de un móvil entre dos o más flancos debe atravesar su correspondiente cresta
intermedia si dicho objeto no dispone de energía mecánica suficiente como para imponerse
con la salvedad de atravesarlo.
A escala cuántica, los objetos exhiben un comportamiento ondular; en la teoría cuántica, un
cuanto moviéndose en dirección a una "colina" potencialmente energética puede ser descrito
por su función de onda, que representa la amplitud probable que tiene la partícula de ser
encontrada en la posición allende la estructura de la curva. Si esta función describe la
posición de la partícula perteneciente al flanco adyacente al que supuso su punto de partida,
existe cierta probabilidad de que se haya desplazado "a través" de la estructura, en vez de
superarla por la ruta convencional que atraviesa la cima energética relativa.

Cuando se aplica una pequeña tensión, el diodo túnel empieza a conducir (la corriente
empieza a fluir). Si se sigue aumentando esta tensión la corriente aumentará hasta llegar un
punto después del cual la corriente disminuye. La corriente continuará disminuyendo hasta
llegar al punto mínimo de un "valle" y después volverá a incrementarse. esta ocasión la
corriente continuará aumentando conforme aumenta la tensión.
Los diodos túnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy
rápidamente, cambiando de estado de conducción al de no conducción incluso más rápido
que los diodos Schottky.
Ventajas
• Muy alta velocidad:
• La alta velocidad de operación significa que el diodo túnel se puede utilizar para
aplicaciones de RF de microondas.
• Longevidad:
• Se han realizado estudios del diodo túnel y su rendimiento se ha demostrado
que permanecer estable durante largos períodos de tiempo, donde otro dispositivo
semiconductor se puede tener degradados.
Desventajas
• Reproducibilidad:
• No ha sido posible hacer que el diodo de efecto túnel como con el rendimiento
reproducible de los niveles a menudo necesarios.
• Baja de pico a valle coeficiente de liquidez:
• La región de resistencia negativa y el pico de corriente de valle no tienen un valor tan alto
como a menudo se requiere para producir los niveles de rendimiento que se pueden
lograr con otros dispositivos.

Cuando se aplica un sesgo inverso, el nivel de Fermip-side se vuelve más alto que el nivel de
Fermi de n-side. Por lo tanto, tiene lugar la tunelización de electrones desde la banda de equilibrio
del lado p a la banda de conducción del lado n. Con los enterramientos de la polarización inversa
también aumenta la corriente del túnel. Cuando se aplica una unión hacia adelante, el nivel de
Fermi en el lado n llega a ser más alto que el nivel de Fermi del lado p, por lo que tiene lugar la
tunelización de electrones desde el lado n al lado p. La cantidad de corriente de túnel es muy
grande que la corriente de unión normal. Cuando aumenta la polarización directa, la corriente del
túnel aumenta hasta cierto límite.
Cuando el borde de la banda del lado n es igual a el A nivel del Fermi en el lado p, la corriente del
túnel es máxima, mientras que, en el intercambio adicional en la polarización directa, la corriente
del túnel disminuye y obtenemos la región de conducción negativa deseada. Cuando la
polarización directa aumenta aún más, obtiene una corriente de unión PN normal que no es
exponencialmente proporcional al voltaje aplicado. Se dan las características V-I del diodo de
túnel.
Es ideal para osciladores y receptores rápidos por sus características de pendiente negativa. Pero
no se puede usar en grandes circuitos integrados, es por eso que las aplicaciones son limitadas.

Circuitos del oscilador:

Los diodos de túnel se pueden utilizar como alta frecuencia Osciladores como la transición entre la alta
conductividad eléctrica es muy rápida. Se pueden usar para crear oscilaciones tan altas como 5Gz. Incluso
son capaces de una oscilación de la creatividad de hasta 100 GHz en un circuito digital apropiado.

Utilizado en circuitos de microondas:

Los transistores de diodo normales no funcionan bien en operación de microondas. Por lo tanto, para los
generadores de microondas y diodos de túnel amplificadores son. En las ondas de microondas y los equipos
de comunicación satelital se utilizaron ampliamente, pero en la actualidad sus usos están disminuyendo
rápidamente como transistores para trabajar en el área de frecuencia de onda disponible en el mercado.

Resistente a la radiación nuclear:

Los diodos de túnel son resistentes a los efectos de Campos magnéticos, alta temperatura y radiactividad.
Es por eso que estos pueden ser utilizados en el equipo militar moderno. Estos se utilizan también en la
máquina de recursos magnéticos nucleares. Pero el campo más importante de su uso es en equipos de
comunicación satelital.
Como pudimos observar los rectificadores no parecieran tener mucho tamaño
(físicamente hablando) para controlar los dispositivos, pero ya sabemos que son
vitales para nuestros dispositivos con los cuales hoy contamos a la mano, sin ellos
el mundo amplio de la electrónica no tuviera un desarrollo importante, si bien existen
otros métodos para transformar la corriente AC a de DC, los rectificadores siguen
siendo de vital importancia, ya sea por su gran tenacidad y su precio bastante
accesible tanto para empresas desarrolladoras como para personas aficionadas las
cuales desarrollan sus propios prototipos electrónicos
• Diodo tunel. (2012, 1 enero).
Recuperado de https://www.ecured.cu/Diodo_tunel

• Tipos de diodos: características y funcionamiento. (2012, 1 enero).

Recuperado de https://www.monografias.com/trabajos65/tipos-diodos/tipos-
diodos.shtml

• Diodo Tunel. (2013, 5 abril). Recuperado de

http://diodiosingenieriadetelecomunicaciones.blogspot.com/2015/04/diodo-
tunel.html

• Diodo Tunnel. (2016, 1 enero).

Recuperado de https://unicrom.com/diodo-tunnel/