Nombre del Alumno: Ignacio Loyola Camacho

Matrícula: 99364

Grupo: K055

Nombre de la materia:
ELECTRÓNICA LINEAL

Nombre del docente:

Mtro. Juan Manuel Amezcua Ortega

Número y tema de la actividad:

Actividad de Aprendizaje 3. Aplicación de transistores.

Ciudad y fecha:

Acapulco Gro. 15/Abril/2019

ELECTRÓNICA LINEAL / PRIMAVERA 2019 ABRIL 2019

Actividad de Aprendizaje 3. Aplicación de transistores.

Alumno: Loyola Camacho Ignacio
Correo-e: ig.loyola.c@gmail.com
Catedrático: Amezcua Ortega Juan Manuel
Departamento de Ingeniería Electrónica. Instituto de Estudios Universitarios

RESUMEN entre las terminal común y de salida, por lo tanto se puede

En este reporte veremos los conceptos, características y
clasificación de los transistores; por lo tanto se definieron las
categorías de los transistores de unión (BJT) y el de los
transistores de efecto de campo (FET). También se analizaron
las aplicaciones de los transistores como: interruptor y
amplificador. Por último, se hizo una investigación de la
herramienta “Logic Analyzer” de Multisim.
INTRODUCCIÓN
Los transistores fueron los primeros dispositivos de estado
sólido, su uso práctico fue utilizado para reemplazar a las
válvulas de vacío.
controlar el flujo de corriente entre estas terminales (Facultad de
ingeniería, 2005).
González (2015) nos dice que:
El transistor bipolar de unión (BJT) consiste básicamente de
dos junturas PN conectadas en oposición. Por lo tanto, el
funcionamiento del dispositivo puede comprenderse del
conocimiento de la operación física de la juntura PN.
La fgura 1.1 muestra un corte de la estructura física y un
esquema, que corresponde a la región entre líneas de puntos de
la Figura 1.1 de un transistor bipolar de unión (pág. 55).

Por lo tanto, el desarrollo de la tecnología del transistor bipolar,

con la participación de empresas privadas, fue decisivo para la
explosión de la electrónica de estado sólido, que llevó a la
integración de dispositivos en chips cada vez más pequeños y
más densos, y que aún continúa.

Es importante estudiarlos ya que los transistores son dispositivos Figura 1.1. Estructura y esquema físico de un transistor bipolar de
unión.
que se encuentran en numerosos aparatos, como relojes,
lámparas, tomógrafos, celulares, radios, televisores y, sobre
todo, son un componente de los circuitos integrados (chips o Como se aprecia en las figuras anteriores, se forman dos
microchips. junturas. Una es la compuesta por la región de emisor (E) y de
base (B), JEB. La segunda juntura se forma entre la región de
base (B) y de colector (C), JCB (González, 2015).
Desarrollo
Para González (2015):
1. Describe el concepto, características y clasificación de un
transistor. Existen dos tipos posibles de transistores bipolares según como
En esta sección hablaremos más en detalle de los transistores de se conecten las junturas, los tipos NPN y PNP, cuyos símbolos
unión (BJT). Ya que los transistores de efecto de campo (FET) y polaridades de referencia se indican en las Figuras 1.2 y 1.3 La
lo abordaremos más a detalle en otra sección. flecha indicada en el símbolo va siempre desde P a N e indica el
sentido de la corriente entre Base y Emisor, considerando el
La facultad de ingeniería de la UNAM nos describe que: sentido de la corriente convencional (pág. 56).
Un transistor es un dispositivo que controla el flujo de una señal
por medio de una segunda señal de mucha menor intensidad. La
señal de control puede ser una señal de corriente o voltaje.
Los transistores pueden dividirse en dos categorías:
Transistores de Unión Bipolar (BJT) y Transistores de
Efecto de Campo (FET).
Al aplicar una corriente en un BJT o un voltaje en un FET entre
las terminales de entrada y común aumenta la conductividad

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Figura 1.2.Símbolos esquemáticos de transistor NPN y
PNP.
Figura 1.3. Polaridades de referencia de transistor NPN y
PNP.
Pleite Guerra, Vergaz Benito, & Ruiz de Marcos, (2009) nos
dicen que:
El transistor tiene tres terminales, y como vemos las corrientes
siguen un principio lógico: las que entren por unos, salen por
otros. Por ese motivo, y en todas las zonas, se habrá de cumplir
la Ecuación 1, válida en NPN y PNP:
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 (Ec.1)
Se demuestra que, con las condiciones adecuadas, en la zona
activa se alcanzan zonas de trabajo lineal, de tal forma que la
corriente de colector es proporcional a la de base, con una
constante de proporcionalidad, que es una característica de
fabricación del transistor. suele tener valores elevados, entre 50
y 500, dependiendo del transistor. Así, la ecuación que rige el
comportamiento en zona activa será la Ecuación 2:
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑖𝑑𝑒𝑟𝑎𝑛𝑑𝑜 = 𝑐𝑡𝑒. (Ec.2)
Uniendo las Ecuaciones 1 y 2 podemos demostrar que la
corriente de colector en zona activa es muy parecida a la del
𝛽+1
emisor. En efecto, en la Ecuación 3, es un valor próximo a 1
𝛽
por el elevado valor de (pág. 27):
𝐼𝐸 𝛽+1
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝛽𝐼𝐵 = (𝛽 + 1) ∗ 𝐼𝐵 → = (Ec.3)
𝐼𝐶 𝛽 la Figura 2.2.2). Si 𝐼𝐵 y 𝑉𝐶𝐶 se mantienen fijos y se cambia el
2. Definición de conceptos sobre Transistores.
2.1. Punto de operación o de trabajo.
González, (2015) nos dice que:
Cuando el punto de trabajo queda determinado sobre la región
activa, la elección de la ubicación del punto Q sobre la
característica corriente-tensión no puede ser cualquiera. En la
Figura 2.1 se vuelve a dibujar la característica de salida en EC,
donde se han marcado varios posibles puntos de trabajo (pág.
75).
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Figura 2.1.Comparación de distintos puntos de reposo.
Q1: La polarización en este punto daría por resultado corriente y
tensión continua nula.
Q2: En este punto, al aplicar una señal alterna para ser
amplificada, el valor de pico de la se ñ al de salida estará limitado
por la proximidad de la zona de saturación, donde las
características del dispositivo se vuelven muy alinéales,
afectando la fiel reproducción de la señal a amplificar.
Q3: Este punto se encuentra muy próximo a los límites máximos
del dispositivo y no permite una excursión adecuada de la señal.
Q4: La polarización en este punto permitiría una suficiente
excursión de la señal de salida limitada por las zonas de corte y
saturación. En general, para el caso de un amplificador, conviene
operar en una región donde la ganancia del dispositivo sea
constante o lineal para asegurar una excursión completa sin
distorsión de la señal. Por lo tanto, un punto como Q4 pareciera
el más adecuado para cumplir con los requerimientos de
ganancia lineal y máxima excursión de tensión y corriente, que
es una condición deseada para amplificadores de pequeña señal
(González, 2015, pág. 75).
2.2. Líneas de carga.
La pendiente de la recta de carga queda definida por el valor de
𝑅𝑐 . Al elegir una corriente de Base 𝐼𝐵 adecuada queda
determinado el punto de reposo Q, tal como indica la Figura
2.2.1. Si cambia el valor de 𝐼𝐵 (por ejemplo cambiando el valor
de 𝑅𝐵 ) el punto Q se desplaza sobre la recta de carga hacia arriba
o hacia abajo dependiendo del valor de 𝐼𝐵 (puntos 𝑄𝐴 y 𝑄𝐵 en
valor de la carga 𝑅𝐶 , el punto Q se mueve sobre la característica
de 𝐼𝐵 constante (puntos 𝑄𝐶1 y 𝑄𝐶2 en la Figura 2.2.2).
Figura 2.2.1. Determinación del punto Q.
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Figura 2.2.2. Variación del punto Q.
2.3. Fuentes de Corriente.
Corriente alterna (CA) y corriente continua (CC).
La corriente que se obtiene de los tomacorrientes se le denomina
alterna, porque cambia de sentido periódicamente, dentro de un
circuito.
La corriente continua o directa, es la que siempre fluye en un
mismo sentido, por lo tanto, es más fácil controlarla. Es la que
se encuentra en la parte interna de los equipos electrónicos
(Capacitate para el empleo, 2019).
Figura 2.3.1. Representación grafica de CA.
Figura 2.3.2. Representación grafica de CC.
2.4. Transistores de Efecto de campo (FETs).
Los transistores basados en el efecto de campo (FET, Field
Effect Transistor) son dispositivos en los cuales el control de la
carga o de la corriente se efectúa mediante un campo eléctrico
transversal que regula la conductancia entre los electrodos en
una zona denominada canal (González, 2015, pág. 127).
El principio básico de funcionamiento de un dispositivo de
efecto de campo es simple. El potencial aplicado al terminal
denominado Puerta (G) controla la conductancia o resistencia de
una región semiconductora denominada canal, a través de la cual
circulan portadores libres (electrones o huecos), desde un
terminal denominado Fuente (S) hacia un terminal denominado
Drenador (D). El ancho del canal se modula mediante el
potencial aplicado a Puerta, resultando en una variación de la
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corriente que circula por el mismo. Para que el dispositivo tenga
un buen rendimiento (ganancia elevada), la Puerta debe estar
muy bien aislada del canal.
Según el tipo de aislamiento, resultan diferentes tipos de
dispositivos. El JFET utiliza una juntura PN en polarización
inversa para aislar la Puerta. El MESFET se utiliza una juntura
Metal-Semiconductor, en tanto que el MISFET, un material
aislante, separa la Puerta del canal. Cuando el aislante utilizado
es dióxido de Silicio, (SiO2) el dispositivo se denomina
MOSFET (González, 2015, pág. 127).
Figura 2.4. Símbolo de circuitos de un JFET de canal n.
3. Concepto y características de aplicaciones con
transistores.
3.1. Transistor como interruptor.
El transistor puede funcionar como un dispositivo de paso–no
paso de corriente. La forma más sencilla de conseguir un
comportamiento así es la que indica la Figura 3.1. La tensión que
aplicamos como control a la base de un circuito de polarización
fija es una señal cuadrada, o literalmente de unos y ceros lógicos.
La tensión a la salida (tomada en el colector) tendrá un
comportamiento inverso al de la entrada. Además de realizar un
interruptor, hemos deducido que es un inversor, pues invierte la
señal de entrada (Pleite Guerra, Vergaz Benito, & Ruiz de
Marcos, 2009, pág. 34).
Figura 3.1. Un circuito interruptor usando un BJT NPN y
sus correspondientes formas de onda.
3.2. Transistor como amplificador.
Una de las aplicaciones más típicas del BJT es su uso como
amplificador de corriente alterna. Dicha aplicación consiste en
un sistema capaz de amplificar la señal de entrada en un factor
de ganancia determinado, que será la relación de salida sobre la
entrada.
En términos de señales del voltaje, se habla de ganancia de
voltaje:
𝑉𝑜
𝐴𝑣 = (Ec.4)
𝑉𝑖
Para que este sistema funcione, el BJT debe estar polarizado en
zona activa. Esto significa que simultáneamente conviven
elementos de corriente continua (CC) y corriente alterna (CA)
(Carrillo & Huircan, S.f).
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4.2. Transistor como amplificador.

Figura 3.2. Amplificador genérico en Emisor Común.

4. Prácticas en Multisim.
4.1. Transistor como interruptor.

Figura 4.2.1. Circuito transistor como amplificador, se

puede observar que usamos un transistor NPN.

Figura 4.1.1. Circuito transistor como interruptor, se puede

observar que un switch controla el voltaje que va hacia la
base del transistor.

Figura 4.2.2. Salida de señal de osciloscopio, se puede

observar que tenemos dos señales senoidales. El canal A del
Figura 4.1.2. Salida de señal del osciloscopio, se puede
osciloscopio nos muestra la señal de entrada de 2v CA, y el
observar que mientras nuestro switch está en ON (LED
canal B nos muestra una señal de salida amplificada arriba
encendido), nuestra salida del colector nos da una tensión
de los 3v CA.
de 0volts.
5. Prácticas en Protoboard.
5.1. Transistor como amplificador.

Figura 4.1.3. Salida de señal del osciloscopio, se puede observar

que mientras nuestro switch está en OFF (LED apagado), nuestra Figura 5.1. Circuito amplificador con transistor, con el circuito de
salida del colector nos da una tensión de 10.379 volts. color verde se puede rectificar que, el montaje en la protoboard es
el adecuado.

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Figura 5.2. Montaje del circuito transistor como
amplificador en una protoboard.
6. Herramienta Logic Analyzer de Multisim.
El analizador lógico Fig. 6.1 permite obtener las señales
temporales de un circuito lógico, puede mostrar la
representación temporal de hasta 16 señales
simultáneamente. Con ayuda del analizador lógico
podemos acabar de implementar cronogramas que nos
ayuden a analizar el comportamiento de circuitos digitales
(Arnau & González, 2019).
Figura 6.1. Analizador Lógico.
Si hacemos “doble click” encima del analizador lógico nos
aparecerá una ventana Fig. 6.2 que nos permitirá modificar
su configuración y visualizar la evolución temporal de las
señales que tengamos conectadas a los terminales de
entrada cuándo iniciemos la simulación (Arnau &
González, 2019).
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Figura 6.2. Pantalla del analizador lógico.
Conclusión.
Los transistores se dividen en dos categorías: Transistores de
Unión Bipolar (BJT) y Transistores de Efecto de Campo (FET).
Los transistores BJT se pueden configurar para 3 funciones, para
amplificar, como interruptor y de saturación, este último no es
muy conveniente utilizarlo.
Para el uso del transistor como interruptor; es necesario que el
transistor conduzca voltaje, para esto se necesita inyectar una
corriente por la base del transistor, dicha corriente debe de ser
mayor de 0.7v conectada a una resistencia.
Hay que tomar en cuenta que el circuito amplificador que
simulamos, solo funciona con señales pequeñas (Arnau &
González, 2019)
Referencias
Arnau, L. F., & González, J. M. (2019).
ocw.upc.edu. Obtenido de
https://ocw.upc.edu/sites/all/modules/ocw/est
adistiques/download.php?file=26383/2010/1/
53173/33813-3284.pdf
Capacitate para el empleo. (2019).
capacitateparaelempleo.org. Recuperado el
14 de Abril de 2019, de
https://capacitateparaelempleo.org/pages.php
?r=.tema&tagID=2842&load=3653&n=0&br
andID=capacitate
Carrillo, R., & Huircan, J. I. (S.f).
http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/T0
3IEE2.pdf. Obtenido de
http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/T0
3IEE2.pdf
concepto.de. (Noviembre de 2018). concepto.de.
Obtenido de https://concepto.de/transistor/
Facultad de ingeniería. (2005). “Transistores” en
Exposición electrónica. México: UNAM.
González, M. L. (2015). Dispositivos electrónicos.
Universidad Nacional de La Plata.
Pleite Guerra, J., Vergaz Benito, R., & Ruiz de
Marcos, J. M. (2009). ELECTRÓNICA
ANALÓGICA PARA INGENIEROS. Aravaca
(Madrid): McGraw-Hill/Interamericana de
España, S.A.U. Recuperado el 14 de Abril de
20019