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GRANDEZZE FISICHE ASSOCIATE ALL’INVERTITORE

• AREA A = Wn Ln + WP L p = (Wn + W p ) L

è il prodotto tra lunghezza e larghezza del canale e quindi dipendente da layout del mos (L è dato dalla
tecnologia ed è in comune a p-mos e n-mos, W si può scegliere).
• CAPACITA’ DI GATE: La capacità di GATE è il prodotto tra una capacità per unità di area Cox fissata
dal processo tecnologico con cui è costruito il mos (è il rapporto tra la permittività ovvero la costante
dielettrica dell’ossido e la sua altezza “thickness”) e dall’area del GATE espressa a sua volta come
ε ox
C g = WLCox = WL
tox

• RESISTENZA DI CANALE è l’inverso della derivata della corrente rispetto a VDS nei dintorni
dell’origine
1 1 1
Rch = = =
∂I D W ∂ (VDD − VT )
2
1 W
∂ µ Cox (VGS − VT )
2
1
µ Cox
∂VDS VDS = 0 2 L 2 L ∂VDS
VGS =VDD
∂VDS VDS = 0

VDS = 0
VGS =VDD

1 1
= =
1 W W
µ Cox 2 (VDD − VT ) µnCox (V − V )
2 L L DD T
• RESISTENZA EQUIVALENTE DI MOS IN SERIE E PARALLELO
W 1
1. SERIE La W L equivalente di più mos in serie è: =
L 1 1
eq + +⋯
W L1 W L 2

W W W
2. PARALLELO La W L equivalente di più mos in parallelo è: = + +⋯
L eq L1 L 2

1
INVERTITORE BASE Connesso al mondo esterno tramite alimentazione, massa, ingresso e uscita.
DIMENSIONAMENTO W L
µn
Se imponiamo W p = Wn si ha: (useremo Wp = 2Wn dato da µn ≃ 2 µ p )
µp
• p-mos e n-mos hanno la stessa capacità di corrente.
• tensione di soglia Vth = VDD 2

• Resistenze uguali rDS , n = rDS , p

• Tempi di commutazioni uguali τ HL = τ LH


Si può decidere di dimensionare in modo diverso nei casi in cui si voglia:
• Area minima allora Wp = Wn

VDD
• Tensione di soglia logica diversa da metà dinamica Vth ≠
2
TENSIONE DI SOGLIA LOGICA
I valori massimo VDD e minimo 0 sono indipendenti dalle dimensioni invece la tensione di soglia Vth può essere

spostata dal valore VDD 2 secondo la relazione:

1 W
µ nCox
2 L n
VDD − Vtp + V
1 W tn kn
µ p Cox VDD − Vtp + Vtn
2 L p kp
Vth = =
1 W kn
µnCox 1+
2 L kp
1+ n
1 W
µ p Cox
2 L p

VDD µ
Vth = quando i p-mos hanno dimensioni W p = n Wn
2 µp

Se Wp > Wn Vth → 0 Il range dell’ 1 logico è più ampio del range dello 0 logico

Se Wn > W p Vth → VDD Il range dello 0 logico è più ampio del range dell’ 1 logico

2
TEMPI DI COMMUTAZIONE
Il tempo di commutazione di un invertitore si misura connettendolo a un invertitore uguale a se stesso che viene
modellizzato come una capacità. A questa capacità vanno aggiunte anche le capacità parassite dell’invertitore
preso in considerazione ma per poter considerare i parametri del secondo invertitore costanti il suo stato non
deve cambiare. Per questo si sceglie come tempo di propagazione il tempo che il primo invertitore ci impiega a
portare al 50% della dinamica (VDD 2 ) la sua uscita: perché cosi il secondo mos non cambia. Visto che questo

discorso può essere fatto anche per l’ingresso anche il tempo di partenza è il 50% della dinamica (VDD 2 ) .

Studiamo quindi il transitorio di scarica della capacità CL . (L’ingresso passa da 0 a VDD e l’uscita da VDD va a 0

seguendo la scarica di CL ). Si possono individuare 4 zone:

1 W
1. n-mos si accende e la sua corrente passa istantaneamente da I D = 0 a I D = µ nCox (VDD − Vt )
2 L n

(
essendo in zona di saturazione VD ,n = VCL = VDD VS ,n = 0 → VDS ,n = VDD )
2. n-mos scarica con corrente costante CL fino a quando rimane in saturazione

3. Quando VDS ,n < VGS − VT = VDD − VT il mos entra in zona ohmica e scarica il condensatore con una

corrente che dipende dalla tensione del condensatore VDS ,n = VOUT = VCL :

1 W  2
VOUT 
ID = µ nCox (V
 IN − Vtn ) VOUT − 
2 L n 2 

4. Il condensatore è completamente scarico VDS = 0 e n-mos non porta più corrente

Considerando l’accensione e lo spegnimento processi istantanei calcoliamo quanto ci mette il condensatore ad


scaricarsi da VDD a VDD − VT con corrente costante e poi quanto ci mette a scaricarsi da VDD − VT a VDD 2 con il
mos in zona ohmica. Approssimiamo l’andamento parabolico in zona ohmica con una retta che passa per
l’origine e per il punto (VDD − VT , I D ,sat ) . Una retta nel piano I-V rappresenta una resistenza e infatti le sue

V
dimensioni sono  
 µA 

3
CL VDD − (VDD − Vtn )  ∂V 1 W ∆VOUT
• t HL,1 = I =C µ nCox (VIN − Vtn ) = CL
2
poiché ⇒
1 W ∂t
µ nCox (VIN − Vtn ) 2 L t HL ,1
2
n
2 L n

2CL
• t HL,2 = 0.69τ = 0.69 Req CL = 0.69 poiché
W
µ nCox (VDD − Vt )
L n
t t HL ,2
VDD −
HL ,2
t HL,2
= VDD e τ ⇒ 2=e τ
⇒ = ln ( 2 ) avendo considerato VDD − Vt ≃ VDD
2 τ
base V −V VDD − Vt 2
Req = = DD t = =
1 W W
altezza ID
µnCox (VDD − Vt ) µnCox (VDD − Vt )
2

2 L n L n
Questa resistenza non è quella di canale che è la tangente nell’origine. Non sono legate tra di loro anche
se una è il doppio dell’altra.

Il tempo totale di commutazione da livello logico alto a livello logico basso sarà la somma dei due tempi
appena calcolati: t HL = t HL ,1 + t HL ,2

Il tempo di commutazione da livello logico basso a livello logico alto t LH si può trovare con lo stesso
ragionamento ma avrà valore diverso a causa delle differenze tra p-mos e n-mos (si possono rendere uguali
dimensionando opportunamente i mos). Per questo il tempo di commutazione “totale” è definito come la media
dei due tempi commutazione:
t HL + t LH
tP =
2

Per trovare il valore numerico di questo ritardo bisogna calcolare quanto è grande la capacità CL

4
CAPACITA’ CL
Il valore della capacità di carico (sempre comandando un invertitore uguale a quello preso in considerazione)
dipende da tutte le capacità parassite ma considerarle contemporaneamente sarebbe troppo complicato quindi le
rappresentiamo tutte con una sola capacità tra l’uscita e massa.
CL tiene conto di:

• Capacità parassite di p-mos dell’invertitore in considerazione


• Capacità parassite di n-mos dell’invertitore in considerazione
• Capacità parassite del collegamento tra uscita e carico
• Capacità di ingresso di tutte le porte logiche del carico “fan-out”

Le capacità parassite di un mos sono 5: CGD , CGS , CSB , CDB , CGB

CGD capacita' tra GATE e DRAIN  dovute alla sovrapposizione tra il GATE e le regioni di DRAIN e SOURCE

CGS capacità tra GATE e SOURCE  che si sono espanse per diffusione durante la creazione delle zone drogate
CSB capacità tra SOURCE e BULK  tengono conto delle giunzioni pn che DRAIN

CSD capacità tra DRAIN e BULK  e SOURCE formano con il SUBSTRATO
CGB capacità tra GATE e BULK

• Capacità parassite dei mos da considerare:


1. CGD viene sostituita da una capacità tra uscita e massa di valore 2CGD per effetto Miller

2. CGS capacità tra ingresso e massa non introduce costanti di tempo se VIN è un generatore ideale
(senza resistenza serie parassita)
3. CSB , n SOURCE e BULK sono equipotenziali e non influenza

• Capacità del collegamento trascurabile


• Capacità di ingresso dell’invertitore successivo: visto che il secondo invertitore non cambia stato
(consideriamo fino al 50%) vediamo le due capacità di gate costanti: Wn Ln Cox + W p Lp Cox

Sono tutte capacità in parallelo quindi CL varrà: CL = 2CGD , n + 2CGD , p + Wn Ln Cox + W p Lp Cox

ε ox
Ma non è costante durante tutto il transitorio infatti CG = WLCox = WL
tox

• quando il mos è acceso la distanza tra le armature tox è pari alla distanza tra GATE e il CANALE

• quando il mos è spento la distanza tra le armature tox è pari alla distanza tra il GATE e il SUBSTRATO

5
POTENZA DISSIPATA
Quando l’invertitore commuta scorre una corrente tra alimentazione e massa che provoca una dissipazione di
VDD
potenza dinamica. In particolare il valore massimo della corrente si ha quando VIN = . In più bisogna
2
considerare la corrente che scorre nei 2 mos quando devono caricare/scaricare una capacità di carico.
1
• Con ingresso basso e uscita alta nella capacità è immagazzinata un’energia pari a E = CVDD
2

2
• Con ingresso alto e uscita bassa il p-mos si spegne n-mos si accende scaricando la capacità fino a
quando la sua tensione va a zero. Quindi l’energia immagazzinata nella capacità viene dissipata da n-
1
mos ed è: Ediss,n = CVDD
2

2
• Con ingresso basso e uscita alta n-mos si spegne p-mos si accende caricando la capacità fino a quando la
sua tensione arriva a VDD . L’energia presa dall’alimentazione durante la carica è :

E = ∫ VDD idt = VDD ∫ idt = VDD Q = VDD CVDD = CVDD


2

l’integrale della corrente nel tempo è una carica, precisamente è la carica elettrica che si è messa sul
condensatore che è Q = CVDD

1
• Con ingresso basso e uscita alta la capacità ha di nuovo energia E = CVDD
2
ma se dall’alimentazione
2
1 1
abbiamo preso E = CVDD
2
vuol dire che il p-mos ne ha dissipato Ediss, p = CVDD
2
− CVDD
2
= CVDD
2

2 2
Quindi l’energia disspita durante il ciclo uscita alta,bassa alta il p-mos e n-mos hanno dissipato un energia pari
a
1 1
Ediss,tot = Ediss,n + Ediss, p = CVDD
2
+ CVDD
2
= CVDD
2
  2 2
scarica carica

E
Se l’inveritore commuta con frequenza f allora la potenza dissipata sarà P = = f E = f CVDD
2

6
SFORZO LOGICO DI UN INVERTITORE
• CP è la capacità parassita dell’invertitore in considerazione CP = Weq LD CJ = (Wp + Wn ) LD CJ

CJ è la capacità per unità di area e LD è la lunghezza del DRAIN non la lunghezza di canale

• CL è la capacità di gate della porta logica successiva: CL = (Wn + Wp ) LCox k

k è il fan-out = N° di convertitori equivalenti che l’invertitore deve comandare


2
τ = 0.69
( CL + CP )
W
µ Cox (VDD − VT )  
 L
  C eq
Req

esprimendo la somma W p + Wn come Wnα

τ = 0.69
Wn
2
(Wnα LDC j + Wnα LCox k )
µ Cox ( DD T )
V − V
L
= 0.69
2L
µ Cox (VDD − VT )
( α LD C j + α LCox k ) = 0.69
2L
µ Cox (VDD − VT )
(α LDC j + α LCox k )
2α L2  LD C j 
= 0.69  +k
µ (VDD − VT )  L Cox 

t0

= t0 ( p + k )

• t0 è il ritardo intrinseco dettato dalla fisica dell’invertitore, dipende dalla tecnologia

• p tiene conto dei parassitismi dell’invertitore, è indipendente dal carico


• k tiene conto del carico ed è indipendente dai parassitismi dell’invertitore

PARAMETRI INVERTITORE DI AREA MINIMA


CIN = 3
CD Weq ⋅ LD ⋅ C J CD , p + CD ,n 2 + 1
β= = = = =1
CIN CG ,eq CG , p + CG , n 2 + 1
CD = Weq ⋅ LD ⋅ CJ