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UTO FNI ELT ETN B

LABORATORIO DE ELECTRONICA
1/2019
ELT 2682: Electrónica II
LAB # 1

POLARIZACION DE TRANSISTORES BJT (NPN, PNP)

1.- Objetivo
Estudiar y analizar los circuitos de polarización para los transistores bipolares NPN y PNP
(Complete con cinco objetivos que pueden haberse perseguido en los ensayos)
…………
2.- Fundamento teórico
Prueba e identificación de un transistor BJT (método del óhmetro)
Para esta prueba se debe recordar que el transistor, constructivamente esta compuesto por tres
materiales semiconductores, formando dos junturas como el que se muestra en la fig. 1

P N P N P N

Transistor PNP Transistor NPN

Fig.1 Estructura interna del BJT
Los transistores vistos así de esa manera se los puede considerar como dos diodos en serie, pero
que están en oposición. Esta consideración se utiliza para la prueba e identificación de un
transistor BJT de la siguiente manera:

+ - + - + -

- Se toma una de las puntas del multimetro como fija en un pin del transistor y con la otra punta
se procede a medir los dos pines restantes del transistor
- Luego la punta que se mantenía fija se vuelve a fijar, pero en otro pin del transistor y con la otra
se mide los dos pines restantes
- Este ejercicio se lo realiza hasta obtener una lectura baja en ambos sentidos.
- Cuando se llega al estado de baja lectura en ambos sentidos, entonces la punta que se mantenía
fija en un pin nos indica la base del transistor y si la punta es de color rojo, la base es de material
semiconductor tipo P, pero si la punta de prueba conciderada como fija es de color negro,
entonces la base es de material tipo N. Con esto se tiene identificado la base y el tipo de material
de la base de un transistor

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+ - + - + -

- Para identificar los otros dos pines, se observan las lecturas bajas en ambos sentidos y una de
ellas es más alta que la otra.
- Con el pin que se tiene una lectura alta, entonces ese pin corresponde al emisor del transistor y
el pin que resta es el colector

3.- Circuitos de ensayo

+UCC
+UCC +UCC
sw1
sw1
sw1 ICC sw2 ICC
sw2
sw2 ICC
RB RC
RB RC IC
RC UCB
IC IC C
UCB
C UCB B
C UCE
B
UCE B IB E
UCE
IB E UBE
IB UBE E RE IE
UBE
IE IE
1 2 3
Fig. 1 Fig.2 Fig.3 Fig.4

+UCC +UCC
+UCC RE
+UCC IE
IE RB2 IB2
sw1 RE IE
ICC UBE UBE
sw2 IB E IB E
UCE UBE
B UCE IB E
RB1 IB1 RC B
C C UCE
IC B
C
UCB RB RC RC IC
C IC RB
B
UCE RB1 IB1
IC
IB E RC
UBE
RB2 RE sw2 ICC sw2
IB2 IE sw2 ICC
sw1 sw1 sw1
ICC

Fig. 5 Fig.6 Fig.7 Fig.8

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4.- Materiales
Componentes Instrumentos de medición Equipos y Herramientas
Transistores Multimetro Tablero de conexiones (Protoboard)
Resistencias Fuente de poder
LED Conectores
Cables, etc.

5.- Procedimiento, ensayos y mediciones

Realizar las conexiones respectivas de los componentes para cada uno de los circuitos de ensayo,
sin conectar a la fuente de alimentación.
Una ves que se tenga la seguridad de las conexiones de cada uno de los circuitos, realizar las
pruebas que se mencionan a continuación

Ensayo 1
Realizar las pruebas de identificación, de los terminales en un transistor de la siguiente manera:
Enumerar arbitrariamente los terminales del transistor y realizar pruebas con la opción del
probador de diodos del multimetro, completando la tabla 1 con las lecturas respectivas

Terminal
Multimetro
Rojo (+) 1 1 2 2 3 3 2 3 1 3 2 1
Negro (-) 2 3 1 3 2 1 1 1 2 2 3 3
Impedancia
Tabla 1 (a)
Terminal
Multimetro
Rojo (+) 1 1 2 2 3 3 2 3 1 3 2 1
Negro (-) 2 3 1 3 2 1 1 1 2 2 3 3
Impedancia
Tabla 1 (b)

Ensayo 2
Para el circuito de la Fig.2 y Fig.3, realizar las mediciones de voltaje y corriente de acuerdo a la
tabla 2 y 3 respectivamente
RC = RB =
sw1 Sw2 UCC UCE UBE URC URB ICC IC IE IB
OFF OFF
ON OFF
ON ON
Tabla 2
RC = RB =
sw1 Sw2 UCC UCE UBE URC URB UAK ICC IC IE IB
OFF OFF
ON OFF
ON ON
Tabla 3

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Ensayo 3
Para el circuito de la Fig.4, realizar las mediciones de voltaje y corriente de acuerdo a la tabla4
RC = RB = RE =
sw1 sw2 UCC UCE UBE URC URB URE ICC IC IE IB
OFF OFF
ON OFF
ON ON
Tabla 4
Ensayo 4
Para el circuito de la Fig.5, realizar las mediciones de voltaje y corriente de acuerdo a la tabla 5.1
y 5.2
RC = RE = RB1 = RB2 =
Sw1 sw2 UCC UCE UBE URC URE URB1 URB2
OFF OFF
ON OFF
ON ON
Tabla 5.1
Sw1 sw2 ICC IC IE IB IB1 IB2
OFF OFF
ON OFF
ON ON
Tabla 5.2

Ensayo 5
Para el circuito de la Fig.6 y 7, realizar las mediciones de voltaje y corriente de acuerdo a la tabla
6 y 7 respectivamente
RC = RB =
sw1 sw2 UCC UCE UBE URC URB UAK ICC IC IE IB
OFF OFF
ON OFF
Tabla 6
RC = RB = RE =
sw1 sw2 UCC UCE UBE URC URB URE UAK ICC IC IE IB
OFF OFF
ON OFF
ON ON
Tabla 7
Ensayo 6
Para el circuito de la Fig.8, realizar las mediciones de voltaje y corriente de acuerdo a la tabla 8 y
9
RC = RE = RB1 = RB2 =
Sw1 sw2 UCC UCE UBE URC URE URB1 URB2
OFF OFF
ON OFF
ON ON
Tabla 8

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Sw1 sw2 ICC IC IE IB IB1 IB2

OFF OFF
ON OFF
ON ON
Tabla 9

6.- Cálculos y comparación de resultados

- Realice todo los cálculos y comparaciones de resultados analíticos y lecturas de las mediciones
realizadas en los ensayos
- Con las lecturas obtenidas explique el funcionamiento del transistor en cada uno de los circuitos
de ensayo
7.- Conclusiones
Realice conclusiones de cada uno de los ensayos (ocho circuitos)
8.- Cuestionario
1.- a) Mencione algunas utilidades del transistor, b) a que se llama recta de carga y punto de
trabajo
2.- Mencione las especificaciones técnicas principales de un transistor que pueda existir en una
hoja técnica
3.- Cuales son las diferencias entre cada uno de los circuitos de ensayo, si es que existe.
4.- Calcule el factor de estabilidad térmica para cada uno de los circuitos de ensayo.
5.- Proyecte un circuito que permita ser utilizado para energizar una lámpara de tipo resistivo de
las siguientes características:
a) Voltaje de la lámpara 6(V), potencia de la lámpara 600 (mW)
b) Voltaje de la lámpara 12(V), potencia de la lámpara 10 (W)