SEMICONDUCTORES

Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica

inferior a la de un conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El
semiconductor más utilizado es el silicio, que es el elemento más abundante en
la naturaleza, después del oxígeno. Otros semiconductores son el germanio y
el selenio.
Los átomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con sólo cuatro
electrones, denominados electrones de valencia. Estos átomos forman una red
cristalina, en la que cada átomo comparte sus cuatro electrones de valencia
con los cuatro átomos vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura
ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente energía calorífica
para librarse del enlace covalente y moverse a través de la red cristalina,
convirtiéndose en electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el
enlace covalente, se les somete al potencial eléctrico de una pila, se dirigen al
polo positivo.

TIPOS:

Existen diferentes tipos de materiales semiconductores, dependiendo de las

impurezas que estos presenten y de su respuesta física ante diferentes
estímulos del entorno.

 Semiconductores intrínsecos

Son aquellos elementos cuya estructura molecular está conformada por un solo
tipo de átomo. Entre este tipo de semiconductores intrínsecos se encuentra el
silicio y el germanio.

La estructura molecular de los semiconductores intrínsecos es tetraédrica; es

decir, tiene enlaces covalentes entre cuatro átomos circundantes, tal como se
presenta en la imagen a continuación.
Cada átomo de un semiconductor intrínseco tiene 4 electrones de valencia; es
decir, 4 electrones orbitando en la capa más externa de cada átomo. A su vez,
cada uno de estos electrones forma enlaces con los electrones adyacentes.

De esta forma, cada átomo cuenta con 8 electrones en su capa más superficial,
con lo cual se forma una sólida unión entre los electrones y los átomos que
conforman la red cristalina.

Debido a esta configuración, los electrones no se desplazan fácilmente dentro

de la estructura. Así, en condiciones estándares, los semiconductores
intrínsecos se comportan como un aislante.

No obstante, la conductividad del semiconductor intrínseco sube siempre que

aumente la temperatura, ya que algunos electrones de valencia absorben
energía calorífica y se separan de los enlaces.

Estos electrones se convierten en electrones libres y, si son direccionados

adecuadamente mediante una diferencia de potencial eléctrico, pueden
contribuir a la circulación de corriente dentro de la red cristalina.

En este caso, los electrones libres saltan a la banda de conducción y se dirigen

al polo positivo de la fuente de potencial (una pila, por ejemplo).

El movimiento de los electrones de valencia induce un vacío en la estructura

molecular, lo cual se traduce en un efecto similar al que produciría una carga
positiva en el sistema, por lo que se consideran como portadores de carga
positiva.

Entonces, se produce un efecto inverso, ya que algunos electrones pueden caer

desde la banda de conducción hasta la capa de valencia liberando energía en el
proceso, lo cual recibe el nombre de recombinación.

 Semiconductores extrínsecos

Se conforman al incluir impurezas dentro de los conductores intrínsecos; es

decir, mediante la incorporación de elementos trivalentes o pentavalentes.

Este proceso se conoce como dopaje y tiene como finalidad aumentar la

conductividad de los materiales, para mejorar las propiedades físicas y eléctricas
de estos.
Al sustituir un átomo de semiconductor intrínseco por un átomo de otro
componente se pueden obtener dos tipos de semiconductores extrínsecos, los
cuales se detallan a continuación.

 Semiconductor tipo P

En este caso, la impureza es un elemento semiconductor trivalente; es decir, con

tres (3) electrones en su capa de valencia.

Los elementos intrusos dentro de la estructura reciben el nombre de elementos

dopantes. Ejemplos de estos elementos para los semiconductores tipo P son el
boro (B), el galio (Ga) o el indio (In).

Al carecer de un electrón de valencia para formar los cuatro enlaces covalentes

de un semiconductor intrínseco, el semiconductor tipo P tiene un vacío en el
enlace faltante.

Lo anterior hace propicio el paso de electrones que no pertenecen a la red

cristalina a través de ese hueco portador de carga positiva.

Debido a la carga positiva del hueco del enlace, este tipo de conductores se
denomina con la letra “P” y, en consecuencia, se reconocen como aceptadores
de electrones.

El flujo de electrones por los huecos del enlace produce una corriente eléctrica
que circula en sentido contrario a la corriente derivada de los electrones libres.

 Semiconductor tipo N

El elemento intruso en la configuración viene dado por elementos pentavalentes;

es decir, aquellos que cuentan con cinco (5) electrones en la banda de valencia.
En este caso, las impurezas que son incorporadas al semiconductor intrínseco
son elementos como el fósforo (P), el antimonio (Sb) o el arsénico (As).

Los dopantes tienen un electrón de valencia adicional que, al no tener un enlace

covalente al cual unirse, queda libre automáticamente para desplazarse a través
de la red cristalina.

Aquí, la corriente eléctrica circula a través del material gracias al excedente de

electrones libres proporcionado por el dopante. Por ende, los semiconductores
tipo N son considerados donadores de electrones.

CARACTERÍSTICAS:

Los semiconductores se caracterizan por su doble funcionalidad, eficiencia

energética, diversidad de aplicaciones y bajo costo. Las características más
destacadas de los semiconductores se detallan a continuación.

– Su respuesta (conductor o aislante) puede variar dependiendo de la

sensibilidad del elemento a la iluminación, campos eléctricos y campos
magnéticos del entorno.
– Si el semiconductor está sometido a una baja temperatura, los electrones se
mantendrán unidos en la banda de valencia y, por ende, no surgirán electrones
libres para la circulación de corriente eléctrica.

En cambio, si el semiconductor es expuesto a temperaturas elevadas, la

vibración térmica puede afectar la solidez de los enlaces covalentes de los
átomos del elemento, con lo cual quedan electrones libres para la conducción
eléctrica.

– La conductividad de los semiconductores varía dependiendo de la proporción

de impurezas o elementos dopantes dentro de un semiconductor intrínseco.

Por ejemplo, si se incluyen 10 átomos de boro en un millón de átomos de silicio,

esa proporción aumenta la conductividad del compuesto mil veces, en
comparación con la conductividad del silicio en estado puro.

– La conductividad de los semiconductores varía en un intervalo entre 1 y 10-

6 S.cm-1, dependiendo del tipo de elemento químico empleado.

– Los semiconductores compuestos o extrínsecos pueden presentar

propiedades ópticas y eléctricas considerablemente superiores a las
propiedades de los semiconductores intrínsecos. Un ejemplo de este aspecto es
el arseniuro de galio (GaAs), empleado predominantemente en radiofrecuencia
y otros usos de aplicaciones optoelectrónicas.

APLICACIONES:

Los semiconductores son ampliamente utilizados como materia prima en el

ensamblaje de elementos electrónicos que forman parte de nuestra vida
cotidiana, como, por ejemplo, los circuitos integrados.
Uno de los principales elementos de un circuito integrado son los transistores.
Estos dispositivos cumplen la función de proporcionar una señal de salida
(oscilatoria, amplificada o rectificada) según una señal de entrada específica.

Además, los semiconductores también son el material primario de los diodos

utilizados en circuitos electrónicos para permitir el paso de la corriente eléctrica
en un solo sentido.

Para el diseño de diodos, se forman junturas de semiconductores extrínsecos

tipo P y tipo N. Al alternar elementos portadores y donadores de electrones, se
activa un mecanismo de equilibrio entre ambas zonas.

Así, los electrones y los huecos de ambas zonas se cruzan y se complementan

donde sea necesario. Esto se da en dos vías:

– Ocurre el traslado de electrones de la zona tipo N a la zona P. La zona tipo N

obtiene una zona de carga predominantemente positiva.

– Se presenta un paso de huecos portadores de electrones de la zona tipo P a

la zona tipo N. La zona tipo P adquiere una carga predominantemente negativa.

Finalmente, se constituye un campo eléctrico que induce la circulación de la

corriente en un solo sentido; es decir, desde la zona N hacia la zona P.

Este tipo de aplicaciones aplica en circuitos integrados como, por ejemplo, chips
microprocesadores que abarcan una cantidad considerable de energía eléctrica.
EJEMPLOS DE MATERIALES SEMICONDUCTORES
Polímeros: Este tipo de macromoléculas complejas, más allá de ser más
conocidas como malas conductoras y utilizadas en actividades como la aislación
de cables o creación de resinas, pueden utilizarse como semiconductores
mediante el agregado de impurezas.
Selenio: Esta sustancia pertenece a la familia de los no metales, encontrándose
cerca de materiales como el fósforo y el azufre, con los que comparte el mismo
carácter dual en su electronegatividad.
Fósforo: Sus átomos tienen comportamiento trivalente y pentavalente
simultáneamente, dependiendo del material con el que interactúe y su
electronegatividad. Esto lo hace un semiconductor dúctil y amplio en su uso.
Aluminio: Pese a ser conocido como un metal, el aluminio, en presencia de
metales menos electronegativos como el sodio, el potasio, el calcio o el
magnesio, entre otros, adquiere comportamiento de no metal. Es por eso que se
lo conoce como metaloide y esta propiedad, junto a su actividad trivalente, lo
hace un excelente semiconductor.
Naftaleno: Conocido habitualmente como naftalina, esta sustancia orgánica es
volátil a temperaturas ambiente, aunque también se produce al quemar tabaco
o madera. En su forma sólida es de color blanco, con propiedades
semiconductoras como catalizador de la corriente eléctrica.

Azufre: Este sólido de aspecto amarillo es utilizado como semiconductor para

los procesos de rectificación eléctrica, agregándosele agua para convertirlo en
sulfuro ácido y luego impurezas de pirita o la galena.
Antimonio: Es una de las sustancias semiconductoras que más se utiliza
actualmente, para la producción de detectores infrarrojos, diodos o aleaciones
que requieran este comportamiento eléctrico amplio.
Antraceno: Este semiconductor es de origen orgánico y se utiliza dentro de
aplicaciones energéticas, como en detectores de fotones, así como sustancia de
dopado para plásticos que requieran adquirir comportamiento eléctrico.
 FUNCIÓN DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR
Las funciones de este tipo de materiales son variadas, ya que al tener carácter
dual se pueden usar como conductores o aislantes, según se necesite en su
aplicación. Algunas de las funciones más importantes son:

1. Almacenamiento de información:

Los semiconductores se utilizan en computadoras y tecnologías similares como

transistores de efecto de campo, lo que contribuye el aguardado y
almacenamiento de datos.

2. Sensores de temperatura:

Para usos industriales o fabriles, el semiconductor se utiliza dentro de sensores,

programados para detectar temperaturas no esperadas o riesgosas para el lugar
o campo donde se instalen.

3. Rectificadores:

En conexiones eléctricas de tipo alterna, la unión se semiconductores de tipo p

y tipo n crean el voltaje necesario, producto del desequilibrio entre agregado de
electrones y creación de huecos (cargas negativas libres con huecos de cargas
positivas).

4. Amplificadores:

Debido a su comportamiento eléctrico en base a su composición electrónica, los

semiconductores sirven como amplificadores de corrientes eléctricas de baja
intensidad.

5. Detectores:

Los semiconductores son materiales capaces de detectar señales de radio, lo

que los hace ideales para su uso en actividades navales, de armada o formando
parte de embarcaciones.

6. Transductores:

Los materiales semiconductores funcionan junto a la presión, aumentando

mediante este fenómeno la conductividad en sistema eléctricos siempre que sea
necesario.

7. Transistores:

Otra función de estos materiales es la de interrumpir o amplificar la electricidad

dentro de sistemas de procesamiento en computadoras.
 DIODO

El diodo es un componente electrónico que solo permite el flujo de la electricidad

en un solo sentido, debido a esto su funcionamiento se parece a un interruptor
el cual abre o cierra los circuitos. Este dispositivo esta conformado por dos tipos
de materiales diferentes los cuales se traducen a dos terminales, un ánodo (+) y
un cátodo (-).

COMPOSICIÓN DE MATERIALES DE UN DIODO

El diodo está construido por dos tipos de materiales un “P” y un “N”

Material tipo P
Este material se obtiene a través de un proceso de dopado, en el cual se añaden
átomos al semiconductor para aumentar el número cargas positivas o huecos.

Material tipo N
Este material también se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, en este
proceso también se añaden átomos al semiconductor, pero con la diferencia que
se aumenta el número de cargas negativas o electrones.

¿Cómo funciona un diodo?

Al tener dos terminales podemos polarizar de dos formas (directa e inversa)

diferentes a los diodos y su funcionamiento depende mucho del tipo de
polarización que le ponga.
Polarización Directa:
El ánodo se conecta al positivo de la fuente de voltaje y el cátodo se conecta al
negativo, con esta configuración el diodo actúa como un interruptor cerrado. Una
consideración importante dentro de esta configuración es que el diodo provoca
una caída de voltaje de 0.6 a 0.7v.

Polarización Inversa:
El ánodo se conecta al negativo de la fuente de voltaje y el cátodo al positivo, en
esta configuración la resistencia del diodo aumenta en grandes cantidades y esto
hace que actué como un interruptor abierto.

TIPOS Y APLICACIÓN DE UN DIODO:

Diodo LED.
Los diodos emiten una luz cuando la corriente eléctrica pasa a través de ellos.
Pero para que estos puedan encender deben de polarizarse de manera directa.
Una forma fácil de identificar el ánodo y el cátodo en un led es observar las
terminales y siempre la más corta es el cátodo.
Diodos rectificadores (grandes corrientes).
Los diodos rectificadores son utilizados en las fuentes de voltaje para poder
convertir la corriente alterna(CA) en corriente directa (CD). También son usados
en circuitos en los cuales han de pasar grandes corrientes a través del diodo.

Todos los diodos rectificadores están hechos de silicio y por lo tanto tienen una
caída de tensión directa de 0,7 V

Puentes rectificadores.
Dentro de los puentes rectificadores existen los de media y de onda completa,
para lograr construirlos necesitamos ya sea 1 o 4 diodos rectificadores según el
tipo de onda que se vaya a utilizar. Actualmente podemos encontrar
encapsulados especiales que contienen los cuatro diodos requeridos. Tienen
cuatro pines o terminales: los dos de salida de DC son marcados con + y -, los
de entrada de AC están rotulados con el símbolo ~.

Diodos zener.
Los diodos zener se usan para mantener un voltaje fijo. Están diseñados para
trabajar de una forma confiable de manera que pueden ser utilizados en
polarización inversa para mantener fijo el voltaje entre sus terminales.

se les puede distinguir de los diodos comunes por su símbolo y su código ya que
suelen ser BZX o BZY, su tensión inversa de ruptura esta grabada con la letra V
en lugar del punto decimal 4V7 = 4.7V
 Diodos de señal.
Esta aplicación se basa en la protección de transistores y circuitos integrados.
La bobina del relevador genera un campo magnético constante cuando esta
energizada, cuando deja de circular corriente el campo cae y se genera un breve
pero alto voltaje, el cual es muy probable que dañe los transistores y circuitos
integrados.

Con la implementación de este diodo el campo magnético se desvanece mucho

más rápido ya que la corriente circula por la bobina y el diodo de protección. Esto
previene que el voltaje que se genera sea lo suficiente alto como para causar
algún daño a los dispositivos.

TRANSISTOR

¿Qué es un transistor?

Se llama transistor (del inglés: transfer resistor, “resistor de transferencia”) a un

tipo de dispositivo electrónico semiconductor, capaz de modificar una señal
eléctrica de salida como respuesta a una de entrada, sirviendo como
amplificador, conmutador, oscilador o rectificador de la misma.

Es un tipo de dispositivo de uso común en numerosos aparatos, como relojes,

lámparas, tomógrafos, celulares, radios, televisores y, sobre todo, como
componente de los circuitos integrados (chips o microchips).

¿Cómo funciona un transistor?

Los transistores operan sobre un flujo de corriente, operando como

amplificadores (recibiendo una señal débil y generando una fuerte) o como
interruptores (recibiendo una señal y cortándole el paso) de la misma. Esto
ocurre dependiendo de cuál de las tres posiciones ocupe un transistor en un
determinado momento, y que son:

 En activa. Se permite el paso de un nivel de corriente variable (más o menos

corriente).
 En corte. No deja pasar la corriente eléctrica.

 En saturación. Deja pasar todo el caudal de la corriente eléctrica (corriente

máxima).

En este sentido, el transistor funciona como una llave de paso de una

tubería: si está totalmente abierto deja entrar todo el caudal del agua, si está
cerrado no deja pasar nada, y en sus posiciones intermedias deja pasar más
o menos agua.

Ahora bien: todo transistor se compone de tres elementos: base, colector y

emisor. La primera es la que media entre el emisor (por donde entra el caudal
de corriente) y el colector (por donde sale el caudal de corriente). Y lo hace,
a su vez, activada por una corriente eléctrica menor, distinta de la que
modulada por el transistor.

Se entiende así que el transistor opera como un modo de controlar la

cantidad de electricidad que pasa en determinado momento, permitiendo así
la construcción de relaciones lógicas de interconexión.

TIPOS DE TRANSISTORES

Existen diversos tipos de transistores:

 Transistor de contacto puntual.

También llamado “de punta de contacto”, es el tipo más antiguo de transistor y

opera sobre una base de germanio. Fue un invento revolucionario, a pesar de
que era difícil de fabricar, frágil y ruidoso. Hoy en día no se le emplea más.

 Transistor de unión bipolar.

Fabricado sobre un cristal de material semiconductor, que se contamina de

manera selectiva y controlada con átomos de arsénico o fósforo (donantes de
electrones), para generar así las regiones de base, emisor y colector.

 Transistor de efecto de campo.

Se emplea en este caso una barra de silicio o algún otro semiconductor

semejante, en cuyos terminales se establecen terminales óhmicos, operando así
por tensión positiva.
 Fototransistores.

Se llaman así a los transistores sensibles a la luz, en espectros cercanos a la

visible. De modo que se pueden operar por medio de ondas electromagnéticas a
distancia.

Circuitos integrados

Los circuitos integrados son mejor conocidos como chips o microchips, y son
estructuras pequeñas de silicio u otros semiconductores, en un
encapsulado plástico de cerámica, que solemos hallar en los paneles
electrónicos de artefactos diversos (computadores, calculadoras,
televisores, etc.).

Estos circuitos se componen de numerosos transistores y

resistores diminutos colocados en una lámina, para realizar de modo
eficiente labores de manipulación de una señal eléctrica, como
la amplificación.

CLASIFICACIÓN DE LOS TRANSISTORES

Clasificaremos a continuación a los transistores según construcción y forma de

funcionamiento:

Transistor de unión bipolar (BJT).

Transistor de efecto de campo (FET).

Transistor de inducción estática (SIT).

Transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT).

Transistores COOLMOS.

Transistores de unión bipolar (BJT):

Existen dos tipos, PNP y NPN; se utilizan para amplificar señales analógicas,
tratamiento de señales digitales y como conmutador de potencia eléctrica, en
circuitos con componentes discretos e integrados.

Transistores de efecto de campo (FET):

Fundamentalmente tenemos dos tipos, los FET de juntura (JFET) y los FET de
metal-oxido-semiconductor (MOS o MOSFET).
Los transistores JFET pueden ser de canal “n” o de canal “p”; estos, se utilizan
para amplificar señales de baja frecuencia y potencia (señales de
audiofrecuencias).

Los transistores MOSFET a su vez se los clasifica en MOSFET de

“empobrecimiento o deplexion”, MOSFET de “acumulación o enriquecimiento” y
MESFET.

Los MOSFET de empobrecimiento o deplexion pueden ser de canal “n” o canal

“p”; estos tienen aplicaciones limitadas en amplificadores de radiofrecuencias de
alta frecuencias en etapas de entrada, por su bajo nivel de ruido.

Los MOSFET de enriquecimiento o acumulación, se utilizan ampliamente en los

sistemas digitales de alta densidad de integración como las compuertas lógicas,
memorias semiconductoras, microprocesadores, microcontroladores etc.
También se disponen de MOSFET de enriquecimiento como conmutador de alta
potencia eléctrica (ejemplo el VMOS)

Los MESFET, son transistores de efecto de campo construidos con material

semiconductor de arseniuro de galio (AsGa). Son de canal “n” y se los utiliza por
su rapidez de conmutación en circuitos de microondas, amplificadores de alta
frecuencia y sistemas lógicos de alta velocidad.

Transistores de inducción estática (SIT):

Son dispositivos de alta potencia y alta frecuencia. Son similares a los JFET,
excepto por su construcción vertical y su compuerta enterrada. Se los utiliza en
amplificadores de potencia lineal en audio, DHF, UHF y microondas. No se los
utiliza como conmutador por la alta caída de tensión en sus terminales.

Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT):

Se los utiliza fundamentalmente en circuitos de conmutación de potencia

eléctrica por ejemplo en circuitos inversores de corriente continua a corriente
alterna, y otras aplicaciones. Estos dispositivos, combinan las ventajas de los
transistores BJT y MOSFET.

Transistores Bipolares BJT

Los transistores bipolares se construyen formando tres zonas semiconductoras

tipo NPN o PNP, como muestra el dibujo. Estas regiones tienen terminales
denominados colector, base y emisor. Tienen dos uniones o junturas: La
juntura colector-base y la juntura base-emisor. Los transistores bipolares pueden
ser de tipo NPN o de tipo PNP

Tenemos dos regiones n+ para el emisor del transistor NPN y dos regiones p+
para el emisor del transistor PNP. Para el transistor NPN la capa n del lado del
emisor es angosta y con fuerte dopado, la base es angosta con un dopado
bastante menor que el emisor, y la capa n del lado del colector es ancha y con
un dopado mayor que la base.

Para el caso de los transistores PNP, las características son similares, en

relación al dopado y dimensiones. Cabe aclarar, que desde el punto de vista
eléctrico los transistores no son simétricos, significando ello que no pueden
intercambiarse los terminales. Por ejemplo, si intercambiamos los terminales
emisor por colector, el funcionamiento resulta deficiente, sin ganancia de
corriente.

Con esta construcción, (doble zonas de emisor) las corrientes de base y colector
fluyen por dos trayectorias paralelas resultando en una baja resistencia colector-
emisor en saturación (RCE enc.).

CARGADOR DE BATERIA

DEFINICION:

Aparato que sirve para recargar una batería descargada haciendo circular una
corriente continua, de tensión ligeramente superior a la de la misma batería, en
sentido opuesto al de la corriente de descarga.
Desde el momento que la fuente de energía de que se dispone es la red de
corriente alterna, se recurre a rectificadores de selenio o a los constituidos por
diodos de silicio, que permiten el paso de la corriente en un solo sentido prefijado,
por ejemplo, el de las se-miondas positivas exclusivamente. Dado que la tensión
de la red tiene un valor notablemente superior al necesario, se hace uso de un
transformador para reducir la tensión a valores comprendidos entre 13.5 a 14.5.
En serie con el circuito se monta un reóstato (resistencia variable), con la misión
de regular la intensidad de la corriente de carga.
Conectando el polo positivo del cargador de baterías con el positivo de la batería,
el negativo con el negativo y el primario del transformador con la red, la batería
está a punto de ser cargada. El proceso se prolonga durante el tiempo necesario
para que la solución electrolítica alcance el peso específico idóneo, o bien hasta
que se comience a observar el desprendimiento de burbujas, de la solución
(efecto debido al desprendimiento de hidrógeno o de oxígeno en la proximidad
de las placas positivas y negativas, a causa de que la corriente de carga es
superior a la necesaria para reducir las pequeñas cantidades de sulfato de plomo
aún presentes en las placas).
Para conseguir una carga completa hay que limitar la intensidad de corriente;
una carga excesivamente rápida provoca una elevación de temperatura de las
placas, que pueden curvarse. De aquí la necesidad de un reóstato que permita
dosificar la intensidad de corriente.
COMO FUNCIONA UN CARGADOR DE BATERIAS

Un cargador de baterías es el dispositivo electrónico encargado de devolver la

energía eléctrica a la batería, o pila recargable. Lo hace suministrando una
corriente eléctrica continua, y sus características dependerán de la tecnología y
la capacidad de la batería a cargar

A la hora de cargar la batería podemos distinguir entre dos modalidades de

carga: rápida y lenta. Con la carga rápida podremos cargar nuestra batería en
cuestión de unas pocas horas, entre 4 y 6 horas, mientras que en la modalidad
lenta se invierten entre 12 y 24 horas. Esta diferencia de tiempo depende de la
magnitud de la corriente utilizada para cargar, a mayor corriente, menos
tiempo. Pese a que veamos una ventaja el poco tiempo que necesita la carga
rápida, esta manera de cargar daña la batería, por lo que de esta manera
disminuimos la vida útil de la batería.

Es importante conocer que para que circule la corriente del cargador a la batería,
el cargador debe proveer un voltaje (tensión) superior al de la batería, es por esto
que no es posible, por ejemplo, cargar una batería de 12 V con otra de 12 V.
La vida útil de una batería depende tanto de la manera de cargarse, como de
descargarse, pues no es recomendable someter a la batería a descargas
superiores al 30% de la batería. Para solventar este problema pueden utilizarse
reguladores de carga, que, sin duda, aseguran un buen cuidado de la batería.

PROCESO DE DISEÑO DE UN CARGADOR DE BATERIAS

el objeto principal del presente proyecto es el diseño e implementación de un

primer prototipo experimental que permita realizar la carga de una batería.

DESCRIPCION Y FUNCIONAMIENTO DEL SISTEMA

Primeramente, se muestra un diagrama del circuito donde se denominan y
relacionan los diferentes elementos que componen dicha fuente. Tal y como
puede observarse en la figura, se sigue el modelo del típico de un sistema de
adquisición y distribución de señales.
PRACTICA DE LA ELAVORACION DEL CARGADOR DE BATERIA
Teniendo todos los materiales disponibles y/o necesarios para la elaboración
del cargador de batería damos al proceso de elaboración de dicho cargador.
Mostraremos en algunas imágenes el trabajo requerido: