UNIVERSIDAD CATÓLICA BOLIVIANA “SAN PABLO”

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA I

CARRERA INGENIERÍA DE TELECOMUNICACIONES

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LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA I

PRÁCTICA No. 1: EL DIODO

DOCENTE: Ing. Edgar Callisaya Quispe

ESTUDIANTES: García Claudia
Goitia Rodrigo
Maceda Sergio
GRUPO: PARALELO 1, Martes – 12:45-15:15
FECHA DE REALIZACIÓN DE LA PRÁCTICA: 12/Febrero/2019
FECHA DE ENTREGA DE INFORME: 19/Febrero/2019

LA PAZ - BOLIVIA
EL DIODO
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1. OBJETIVOS

1.1. Objetivo General

Reconoce el funcionamiento de los instrumentos y materiales utilizados en el
laboratorio de circuitos electrónicos.

1.2. Objetivos Específicos

● Reconocer el ánodo y el cátodo de un diodo con un multímetro.
● Reconocer la base, el colector y el emisor de un transistor con un multímetro.
● Estudiar el funcionamiento y características de los diodos.

2. MARCO TEÓRICO

2.1. Materiales semiconductores extrínsecos

Un material semiconductor que ha sido sometido a un proceso de dopado es llamado un
material extrínseco. El dopado se refiere a agregar impurezas de cierto elemento para
que el material cambie sus propiedades eléctricas del material. Hay dos tipos de
materiales extrínsecos: tipo n y tipo p. (Floyd, 2008)

2.1.1. Material tipo n

En los materiales de tipo n se les introduce una cantidad de un elemento que tenga cinco
electrones (pentavalentes) en su capa exterior de valencia. Algunos de estos materiales
son el fósforo, el antimonio y el arsénico. El material ahora posee electrones libres que
son llamados portadores; sin embargo, tienen carga neutra ya que el número de protones
sigue siendo el mismo que el número de electrones. (Floyd, 2008)

2.1.2. Material tipo p

En los materiales de tipo p se introduce una cantidad de elementos con tres electrones
(trivalentes) de valencia, esto produce un hueco o vacío entre los enlaces covalentes.
Los materiales utilizados para producir este material son el boro, galio e indio. En este
tipo de materiales se tiene, de la misma forma que en los materiales de tipo n, una carga
neutra. La diferencia es que en este material extrínseco se tiene la falta de un electrón
para terminar los enlaces covalentes. (Floyd, 2008)

2.2.Diodo semiconductor
Un diodo es un componente electrónico activo que está conformado por la unión de un
material tipo n y otro material de tipo p. Los materiales utilizados para crear un diodo
son semiconductores de tipo n y de tipo p, que al unirse forman una unión denominada
“np” o “pn”. Un diodo puede ser sometido a un voltaje externo por sus terminales;
ánodo (material tipo p) y cátodo (material tipo n); de tres maneras: sin polarización, con
polarización inversa y con polarización directa. (Boylestad & Nashelsky, 2009)
Cuando un diodo no es sometido a ningún voltaje, en la región de unión entre estos
materiales los huecos y los portadores se unen, dejando una zona libre de portadores o
huecos y originando una barrera para el resto de los átomos. Por lo tanto, no pasa
corriente por el diodo. (Boylestad & Nashelsky, 2009)
Cuando a un diodo se le aplica un voltaje externo, de forma que el material p se una a la
carga positiva del voltaje y que el material n se una a la carga negativa del voltaje se
tiene una polarización directa. Cuando el voltaje externo es lo suficientemente alto para
vencer el potencial de la barrera de agotamiento, los electrones del material n pueden
pasar libremente por el diodo y dejar que la corriente eléctrica fluya por el circuito. La
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tensión necesaria para que vencer el potencial de la barrera de agotamiento varía

dependiendo del material del que está construido el diodo. Además, vencer esta
“barrera” de átomos representa una caída de tensión o de voltaje que también depende
del material del que está construido el diodo. (Anónimo, s.f.)
La polarización inversa ocurre cuando la carga negativa del voltaje se conecta con el
material p y la carga positiva es conectada con el material n. La carga positiva atrae a
los electrones del material n y la carga negativa brinda electrones al material p. Esta
reacción en el material produce que la barrera de agotamiento crezca y la corriente sea
despreciable para ser considerada. Entonces cuando se tiene una polarización inversa se
considera que el diodo es un corto circuito. (Boylestad & Nashelsky, 2009)

2.3.Caída de tensión de distintos diodos

Existen distintos tipos de diodos, los más utilizados son los diodos de Silicio (Si),
Germanio (Ge) y Arseniuro de Galio (AsGa). También, existen otros tipos de diodos
que por su composición son capaces de emitir luz de distintos colores y son
denominados diodos LED (Light Emitting Diode). La caída de tensión de algunos
diodos más usados se muestra en la siguiente tabla:

TABLA 1. TENSIÓN DE CAÍDA DE DIODOS POR SU CONSTRUCCIÓN

En la Tabla 1 puede verse dos columnas. La primera muestra la construcción del diodo
semiconductor y el color que emite en caso de ser diodos LED. En la segunda columna
se muestra la caída de tensión que produce el diodo en voltios.

2.4.Curva característica de los diodos

Las características generales de un diodo pueden ser descritas por una ecuación,
conocida como la ecuación de Shockley. Esta ecuación relaciona la corriente y el voltaje
externo al que está expuesto al diodo con algunas características del mismo. La
ecuación es:
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 (𝑒 𝑛𝑉𝑇 − 1) (1)
Donde 𝐼𝐷 es la corriente de salida del diodo, 𝐼𝑠 es la corriente de saturación en inversa,
𝑉𝐷 es el voltaje que entra al diodo, 𝑛 es el factor de idealidad, 𝑉𝑇 es el voltaje térmico
determinado por:
𝑘𝑇
𝑉𝑇 = (2)
𝑞
Donde 𝑘 es la constante de Boltzmann:
𝐽
𝑘 = 1.38 × 1023 [ ]
𝐾
𝑇 es la temperatura en kelvins y 𝑞 es la carga del electrón:
𝑞 = 1.6 × 10−19 [𝐶]
Cuando se tiene polarización inversa se tiene una corriente inversa muy pequeña que
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varía según el material del que está hecho el diodo. (Boylestad & Nashelsky, 2009)

FIGURA 1. GRÁFICA CARACTERÍSTICA DE LOS DIODOS

En la Figura 1 se muestra una gráfica de voltaje vs corriente, donde se muestran tres
curvas que representan al comportamiento de los diodos de silicio, germanio y
arseniuro de galio.

2.5. Transistores (Materiales PNP y NPN)

Si se tienen una unión de materiales semiconductores PN, como en un diodo, y se le
agrega un material N al material P se obtiene una unión NPN. En cambio, si se agrega
un material P al lado del material N se obtiene una unión PNP. Estos dos tipos de
uniones son las que conforman un transistor, en específico los transistores bipolares.
Los transistores funcionan como switchs activados con electricidad. (Boylestad &
Nashelsky, 2009)
En las uniones NPN y PNP, el material en el medio es denominado base y los materiales
en los costados son llamados emisor y colector respectivamente. El transistor bipolar es
denominado transistor BJT por sus siglas en inglés (bipolar junction transistor). (Floyd,
2008)

2.6. Identificación de la Terminales de un Diodo con un Multímetro

Para identificar las terminales de un diodo puede utilizarse un multímetro, este puede
utilizarse para medir resistencia o para medir continuidad. Ya que en ambos casos el
multímetro emite un pequeño voltaje al diodo y puede determinar en qué sentido se
dirige la corriente. Para determinar las terminales se debe colocar las terminales del
multímetro en las terminales del diodo. Si el multímetro marca una resistencia o un
número la terminal del diodo que tiene contacto con la terminal positiva del multímetro
es el ánodo y la otra terminal es el cátodo. Si el multímetro no marca una resistencia o
continuidad la terminal del diodo en contacto con la terminal positiva es el cátodo y el
otro es el ánodo. (Khan Academy)

2.7. Identificación de la Terminales de un Transistor con un Multímetro

Para identificar las terminales de un Transistor el Multímetro tiene medidores
especiales. Sin embargo, también se puede identificar las terminales considerando que
un transistor es como la unión de dos diodos. Por lo tanto, se realiza un procedimiento
parecido al descrito para identificar las terminales de los diodos. Con el multímetro en
continuidad, se realiza distintas medidas entre las terminales del transistor
intercambiando los contactos que tienen las terminales del multímetro. Lo principal para
identificar las terminales es determinar la base de transistor. Para hacerlo se siguen los
siguientes pasos:
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● Se coloca la terminal positiva del multímetro en alguna de las terminales del transistor.
● La terminal negativa se coloca en una de las terminales del transistor y luego en la otra.
En alguna de estas el multímetro marcará una resistencia a la corriente.
● Si en ambas terminales del resistor se marca una resistencia, el pin que tiene contacto
con la terminal positiva es la base.
● Si no es el caso se debe cambiar el pin de contacto de la terminal positiva y probar los
otros pines con la terminal negativa.
● Al realizar estas pruebas, de alguna forma dos mediciones marcaran una resistencia a la
corriente. La terminal del multímetro que se mantenga fija en un pin para que las dos
mediciones marquen la resistencia, marca el pin que es la base del transistor.
● En caso que la terminal positiva se quede fija el transistor es NPN, si la terminal
negativa se queda fija el transistor es PNP.
Para determinar el emisor y el colector del transistor solo es necesario ver las
mediciones de continuidad que marca el multímetro cuando la terminal correspondiente
se encuentra en la base del transistor. Entre ambas mediciones existirá una pequeña
diferencia en el multímetro. Cuando la medición marca un valor mayor el pin
corresponde al emisor, mientras que cuando la medición es menor el pin corresponde al
colector. En caso de no cumplir con esto el dispositivo electrónico no es un transistor o
el transistor está dañado. (Curso Básico de Electrónica)

3. Procedimiento

El laboratorio realizado se llevó a cabo en dos partes, empleando distintos componentes

electrónicos detallados a continuación.
TABLA 2: MATERIALES

TABLA 2. MATERIALES
En la Tabla 2 puede verse dos filas. La primera muestra los nombres de cada uno de los
componentes que se empleó en la práctica. La segunda fila muestra los valores de cada
uno de los componentes que se empleó en la práctica.

- Parte A
La parte A del primer laboratorio consistió primeramente en la medición del valor de las
resistencias, posteriormente se realizó el reconocimiento del ánodo y cátodo del diodo
rectificador, finalmente se realizó el reconocimiento de la base, colector y emisor del
transistor BJT BC548.
- Se procedió a la medición del valor de las resistencias, comparándolo así con su valor
teórico de cada una.
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TABLA 3: MEDICIÓN DEL VALOR DE LAS RESISTENCIAS

TABLA 3. MEDICIÓN DEL VALOR DE LAS RESISTENCIAS

En la Tabla 3 puede verse 4 filas. La primera muestra los nombres de cada uno de los
componentes que se empleó en la práctica. La segunda y tercera fila muestra los
valores de cada uno de los componentes tanto teórico como práctico, y la última fila
muestra el cálculo de error porcentual entre los componentes empleados en el
laboratorio.

- Posterior a la medición de las resistencias se procedió a identificar las

terminales del diodo rectificador 1N4002, detallando los pasos que se siguieron a continuación.
- Primeramente, se configuró el multímetro en diodo, guiándose por su símbolo.
- Posteriormente se conectó la parte positiva a un extremo del diodo y la parte negativa al
otro, una vez realizado la conexión se pudo observar que el multímetro indicó una
lectura, dando el valor de 0.458 V, deduciendo que el ánodo era la parte positiva y el
cátodo la parte negativa.

FIGURA 2. FORMA DE MEDICIÓN DE UN DIODO

En la figura puede verse que la parte positiva está conectada a un extremo del diodo y
la parte negativa al otro, al ver que el multímetro marco él valor de 0.458 V se pudo
deducir que el ánodo estaba conectado a la parte positiva y el cátodo a la parte
negativa.

- Para finalizar la parte A del laboratorio se procedió a la identificación de los terminales

del transistor BJ548, detallando los pasos a continuación,
- Primeramente, se configuro el multímetro en el modo de continuidad, guiándose por
su símbolo.
- Posteriormente se sabe que el transistor BJ548 (NPN) solo debe marcar en dos de las
seis mediciones sin que la base supuesta se mueva.
- Finalmente se empezó a las mediciones, identificando al emisor sabiendo que su valor
medido es mayor que el colector, y el colector es el menor valor medido.
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FIGURA 3. IDENTIFICACIÓN TERMINALES TRANSISTOR

En la figura puede verse las combinaciones posibles para el transistor, como sabemos
que el transistor usado es NPN existen 6 posibles combinaciones, como también se sabe
que solo debe marcar en dos de las seis combinaciones sin que la base se mueva,
identificando el emisor con el valor medido mayor y el colector con el valor medido
menor.
- Parte B
La parte B del laboratorio consistió en el armado del circuito establecido por la guía,
este armado se realizó con los componentes mencionados anteriormente. Commented [1]: Rodriiiiii con este crcuito hay que
hacer calculos previos si me ayudas con eso porfa yo
lo pondre en una hoja aparte

FIGURA 4. CIRCUITO CON DIODO RECTIFICADOR

En la figura puede verse el primer circuito que fue armado, tomando sus datos
correspondientes, intensidad y voltaje variando el valor de la fuente de alimentación
DC, para poder hallar su gráfica experimental.
- Primeramente, usando una resistencia de 1 KΩ, un diodo rectificador 1N4002 y una
fuente de alimentación DC se montó el circuito establecido por la guía.
- Con el circuito montado se procedió a la toma de datos, variando el valor de la fuente
de alimentación en 12 ocasiones.
- Se midió primeramente la intensidad en el diodo del circuito en 12 ocasiones, variando
la fuente de alimentación DC de 0 – 14 V.
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- Finalmente, se midió el voltaje del circuito variando nuevamente la fuente de

alimentación DC de 0 – 14 V.

FIGURA 5. CIRCUITO CON DIODO LED BAJA Y ALTA LUMINOSIDAD

En la figura puede verse el segundo circuito que fue armado, remplazando un diodo
LED por el rectificador, tomando sus datos correspondientes, intensidad y voltaje
variando el valor de la fuente de alimentación DC, para poder hallar su grafica
experimental.
- Primeramente, usando una resistencia de 1KΩ, un diodo LED de baja/ alta
luminosidad y una fuente de alimentación DC se montó el circuito establecido por la
guía.
- Con el circuito montado se procedió a la toma de datos, variando el valor de la fuente
de alimentación en 12 ocasiones.
- Se midió primeramente la intensidad en el diodo del circuito en 12 ocasiones, variando
la fuente de alimentación DC de 0 – 14 V.
- Finalmente, se midió el voltaje del circuito variando nuevamente la fuente de
alimentación DC de 0-14 V.
4. Datos Experimentales

4.1. Datos experimentales simulados

TABLA 4: DIODO

TABLA 1. DATOS DE SIMULACION CON UN DIODO

En la Tabla # puede verse tres filas. La primera muestra las corrientes teóricas que se
pedían en laboratorio. La segunda fila muestra las tensiones experimentales tomadas
de la simulación del circuito, así también el voltaje en la tercera fila fue tomado con el
multímetro de la simulacion. Se tomaron 24 datos.
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TABLA #: DIODO LED

TABLA 2. DATOS SIMULADOS CON UN DIODO LED

En la Tabla 2 puede verse 6 filas. La primera y la cuarta fila muestra las corrientes
teóricas que se pedían en el laboratorio. La segunda y quinta fila muestran las
tensiones de los LEDs respectivamente, tomadas con ayuda del multímetro de la
simulación. Finalmente, las filas 3 y 6 muestran los voltajes en los diodos, que fueron
tomados con ayuda del multímetro de la simulación. Se tomaron 48 datos.

4.2. Datos experimentales experimentales

TABLA 1: DIODO

TABLA 1. DATOS EXPERIMENTALES CON UN DIODO

En la Tabla 1 puede verse tres filas. La primera muestra las corrientes teóricas que se
pedían en laboratorio. La segunda fila muestra las tensiones experimentales tomadas
de lectura directa del multímetro, así también el voltaje en la tercera fila fue tomado
con el multímetro. Se tomaron 24 datos.

TABLA 2: DIODO LED

TABLA 2. DATOS EXPERIMENTALES CON UN DIODO LED

En la Tabla 2 puede verse 6 filas. La primera y la cuarta fila muestra las corrientes
teóricas que se pedían en el laboratorio. La segunda y quinta fila muestran las
tensiones de los LEDs respectivamente, tomadas con ayuda del multímetro. Finalmente,
las filas 3 y 6 muestran los voltajes en los diodos, que fueron tomados con ayuda del
multímetro. Se tomaron 48 datos.
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5. Simulación/Cálculos Teóricos

FIGURA 8. SIMULACIÓN CIRCUITO CON DIODO RECTIFICADOR

En la figura puede verse el primer circuito simulado, tomando sus datos
correspondientes, intensidad y voltaje variando el valor de la fuente de alimentación
DC, para poder hallar su gráfica experimental.

FIGURA 9. SIMULACIÓN CIRCUITO CON DIODO LED BAJA Y ALTA

LUMINOSIDAD
En la figura puede verse el segundo circuito simulado, reemplazando un diodo LED por
el rectificador, tomando sus datos correspondientes, intensidad y voltaje variando el
valor de la fuente de alimentación DC, para poder hallar su gráfica experimental.

5.1. Comparación resultado teórico/experimental

En este laboratorio se tiene como un dato del marco teórico que el diodo tiene como la
caída de voltaje o la tensión en directa un valor de 0,7[v] y en la práctica tenemos como
valor máximo 0,69 por tanto podemos concluir que el valor se respetó. Sin embargo
realizaremos una comparación de resultados experimentales contra resultados teóricos.
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𝑒𝑒(%) = |𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒
− 𝑒𝑒𝑒ó𝑒𝑒𝑒𝑒|/𝑒𝑒𝑒(𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒, 𝑒𝑒𝑒ó𝑒𝑒𝑒𝑒)
∗ 100
𝑒𝑒(%) = [|0,69 − 0,7|/0,7] ∗ 100
𝑒𝑒(%) = 1,4285
Donde:
𝑒𝑒(%): 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒
𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒: 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒
𝑒𝑒𝑒ó𝑒𝑒𝑒𝑒: 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝑒𝑒ó𝑒𝑒𝑒𝑒
𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒: 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒
𝑒𝑒𝑒(𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒, 𝑒𝑒𝑒ó𝑒𝑒𝑒𝑒): 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝑒á𝑒𝑒𝑒𝑒 (𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒
𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝑒 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝑒𝑒ó𝑒𝑒𝑒𝑒)

6. Gráfico Experimental

A continuación mostramos las gráficas realizadas con ayuda de los datos del
laboratorio. En este laboratorio no se necesito una ecuación ni la línea de tendencia ya
conocida por tanto solo mostramos los gráficos obtenidos con los diferentes diodos.

GRÁFICA EXPERIMENTAL CON UN DIODO

FIGURA 10 . FIGURA EXPERIMENTAL: TENSIÓN VS. CORRIENTE

En la Figura se muestra una gráfica de los pares ordenados presentados en la Tabla 1,

puede evidenciarse claramente la tendencia exponencial de los datos, como se ha
presentado en el fundamento teórico, se demostrará que la corriente y la tensión en
diodo tienen una polarización directa.
GRÁFICA EXPERIMENTAL CON DIODO LED
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FIGURA 11. FIGURA EXPERIMENTAL: TENSIÓN VS. CORRIENTE

En la Figura se muestra una gráfica de los datos presentados en la Tabla 2, puede

evidenciarse claramente la tendencia exponencial de los datos, como se ha presentado
en el fundamento teórico, se demostrará que la corriente y la tensión en diodos LEDs
tienen una polarización directa. Así también se puede diferenciar los LEDs con baja y
alta intensidad.

7. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
● Se reconoció el ánodo y el cátodo de un diodo 1N4001 utilizando un multímetro.
● Se reconoció la base, el emisor y el colector de un transistor utilizando un multímetro.
● Se estudió las características de los diodos y se estudió su funcionamiento en un circuito
electrónico en el laboratorio.
● Para estudiar el funcionamiento de los diodos se elaboraron gráficas de voltaje vs
corriente en un diodo de silicio y en dos diodos LED para observar su comportamiento.
● Se reconoció el funcionamiento los instrumentos y materiales utilizados en el
laboratorio.

8. REFERENCIAS BIBLIOGRAFÍA
● Anónimo. (s.f.). Electrónica Fácil. Recuperado el 16 de febrero de 2019, de
https://www.electronicafacil.net/tutoriales/Funcionamiento-del-diodo.php
● Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y
Dispositivos Electrónicos. (R. Navarro Salas, Trad.) México: PEARSON
EDUCATION. Recuperado el 16 de febrero de 2019
● Curso Básico de Electrónica. (s.f.). Recuperado el 17 de febrero de 2019, de
http://www.electronica2000.net/curso_elec/leccion62.htm
● Floyd, T. L. (2008). Dispositivos Electrónicos (Octava ed.). (R. Navarro Salas,
Trad.) México: PEARSON EDUCATION. Recuperado el 16 de febrero de 2019
● Khan Academy. (s.f.). Recuperado el 17 de febrero de 2019, de
https://es.khanacademy.org/science/electrical-engineering/ee-semiconductor-
devices/ee-diode/a/ee-diode-circuit-element
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