Universidad Tecnológica de Altamira

Alumnos:

Castro Netro Carlos Moisés.

Del Ángel Cruz Daniel.

Montessoro Rivera Héctor Gustavo.

Niño Lugo Merari Fernanda.

Olvera Roman Juan Ángel.

Tobar Gutiérrez Jonathan Alejandro.

Grupo: MI 3°A

Materia: Electrónica analógica

Práctica 9. Retroalimentación del emisor.

Maestro: Juan de Dios Martínez Rodríguez.

Altamira, Tamaulipas 04 de julio del 2019.

 1

Índice

Portada
.....................................................................................................................
... 1

Contenidos de la práctica
............................................................................................ 2

Objetivo
.....................................................................................................................
... 3

Marco teórico
............................................................................................................... 3

Variables y constantes teóricas

................................................................................... 15

Lista del material

.......................................................................................................... 16

Proceso para llevar a cabo la práctica

......................................................................... 19

Resultados obtenidos
.................................................................................................. 21

Conclusiones
............................................................................................................... 23

Bibliografías
................................................................................................................. 24
 2

Práctica 9. Retroalimentación del emisor

Objetivo: ​construir y poner en funcionamiento circuitos que involucren transistores BJT en polarización
por retroalimentación del emisor y comprobar su funcionamiento como amplificador.

Fundamento teórico:

Transistor BJT

El BJT (transistor de unión bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras separadas por dos
uniones pn, como lo muestra la estructura plana epitaxial de la figura 1 (a). Las tres regiones se llaman
emisor, base y colector. En la figura 1 (b) y (c) se muestran representaciones físicas de los dos tipos de
BJT. Un tipo se compone de dos regiones n separadas por una región p (npn) y el otro tipo consta de
dos regiones p separadas por una región n (pnp). El término bipolar se refiere al uso tanto de huecos
como de electrones como portadores de corriente en la estructura de transistor.

Figura 1 Construcción básica de un

BJT.

La unión pn que une la región de la base y la región del emisor se llama unión base- emisor. La unión
pn que une la región de la base y la región del colector se llama unión base-colector, como la figura 1
(b) lo muestra: un conductor conecta a cada una de estas tres regiones. Estos conductores se designan E,
B y C por emisor, base y colector, respectivamente. La región de la base está ligeramente dopada y es
muy delgada en comparación con las regiones del emisor, excesivamente dopada, y la del colector,
moderadamente dopada (la siguiente sección explica la razón de esto). La figura 2 muestra los símbolos
esquemáticos para los transistores npn y pnp.

Figura 2 Símbolos de BJT estándar (transistor de unión

bipolar)

Operación básica de un BJT

Para que un BJT opere adecuadamente como amplificador, las dos uniones pn deben estar
correctamente polarizadas con voltajes de cd externos. La operación del pnp es la misma que para el
npn excepto en que los roles de los electrones y huecos, las polaridades del voltaje de polarización y las
direcciones de la corriente se invierten.

La figura 3 muestra los arreglos para polarización tanto de BJT npn como pnp para que operen como
amplificador. Observe que en ambos casos la unión base-emisor (BE) está polarizada en directa y la
unión base-colector (BC) polarizada en inversa. Esta condición se llama polarización en directa-inversa.

Figura 3 Polarización de directa-inversa de un

BJT

Para entender cómo opera un transistor, veamos lo que sucede en el interior de la estructura npn. La
región del emisor de tipo n excesivamente dopada tiene una densidad muy alta de los electrones de
banda de conducción (libres), como muestra la figura 4. Estos electrones libres se difunden con
facilidad a través de la unión BE polarizada en directa hacia la región de la base de tipo p muy delgada
y levemente dopada (flecha ancha). La base tiene una baja densidad de huecos, los cuales son los
portadores mayoritarios, representados por los puntos blancos. Un pequeño porcentaje del número total
de electrones libres se va hacia la base, donde se re combinan con huecos y se desplazan como
electrones de valencia a través de la base hacia el emisor como corriente de huecos, como lo indican las
flechas negras.

4
 Figura 4 Operación de un BJT que muestra el flujo de
electrones.

Cuando los electrones que se re combinaron con huecos como electrones de valencia abandonan las
estructura cristalina de la base, se transforman en electrones libres en el conductor de la base metálica y
producen la corriente de base externa. La mayoría de los electrones libres que entraron a la base no se re
combinan con huecos porque es muy delgada. A medida que los electrones libres se desplazan hacia la
unión BC polarizada en inversa, son arrastrados a través del colector por la atracción del voltaje de
alimentación positivo del colector. Los electrones libres se desplazan a través del colector hacia el
circuito externo y luego regresan al emisor junto con la corriente de base, como se indica. La corriente
de emisor es un poco más grande que la corriente de colector debido a la pequeña corriente de base que
se desprende de la corriente total inyectada a la base proveniente del emisor.

Corrientes del transistor

Las direcciones de las corrientes en un transistor npn y su símbolo esquemático se muestran en la figura
5(a); las correspondientes a un transistor pnp se muestran en la figura 5(b). Observe que la flecha en el
emisor en el interior de los símbolos de transistor

apunta en la dirección de la corriente convencional. Estos diagramas muestran que la corriente de

emisor (IE) es la suma de la corriente de colector (IC) y la corriente de base (IB), expresada de la
siguiente manera:

Como ya se mencionó, ​I​B es muy pequeña comparada con ​I​E o ​I​C. El subíndice de letra mayúscula
indica valores de cd. ​Figura 5 Corrientes en el transistor.

Características y parámetros de un BJT

Dos parámetros importantes, bCD (ganancia de corriente de cd) y aCD se introducen y utilizan para
analizar un circuito BJT. Además se presentan las curvas características de un transistor.

Cuando se conecta un transistor tanto tipo npn como pnp a voltajes de polarización de cd, como lo
muestra la figura 6, VBB polariza en directa la unión base-emisor y VCC polariza en inversa la unión
base-colector.

Figura 6 Circuitos de polarización de cd del

transistor.

6
 Beta de cd ( CD) y alfa de cd ( CD)

La ganancia de corriente de cd de un transistor es el cociente de la corriente de cd del colector (IC)

entre la corriente de cd de la base (IB) y se expresa como beta de cd ( CD).

Los valores típicos de bCD van desde 20 hasta 200 o más, bCD normalmente se expresa como un
parámetro híbrido (h) equivalente, hFE en hojas de datos de los transistores. Todo lo que se tiene que
saber hasta ahora es que

El cociente de la corriente de cd del colector (IC) entre la corriente de cd del emisor (IE) es el alfa de cd
( CD). La alfa es un parámetro menos utilizado que la beta en circuitos con transistores.

En general, los valores de aCD van desde 0.95 hasta 0.99 o más, aunque aCD siempre es menor que 1.
La razón es que IC siempre es un poco menor que IE en una cantidad de IB.

Modelo en cd de un transistor

El BJT que no está en saturación puede ser considerado un dispositivo con una corriente en el circuito
de entrada y una fuente de corriente dependiente en el circuito de salida, como ilustra la figura 7 para un
npn. El circuito de entrada es un diodo polarizado en directa a través del cual pasa corriente de base. El
circuito de salida es una fuente de corriente dependiente (elemento en forma de diamante) con un valor
que depende de la corriente de base, IB e igual a CDIB. Recuerde que los símbolos de fuente de
corriente independiente son de forma circular.

Figura 7 modelo ideal de cd de un transistor

npn.

Corte
Cuando IB = 0, el transistor se encuentra en la región de corte de su operación. Esto se muestra en la
figura 8 con la terminal de la base abierta, lo que produce una corriente de cero en la base. En esta
condición, existe una cantidad muy pequeña de corriente de fuga

en el colector, ICEO, debido principalmente a portadores producidos térmicamente. Como ICEO es

extremadamente pequeña, normalmente se omite en el análisis de circuitos, de tal forma que VCE =
VCC. En la región de corte, ni la unión base-emisor ni la unión base- colector están polarizadas en
directa. El subíndice CEO representa colector con respecto a emisor con la base abierto.

Figura 8 Corte: La corriente de fuga en el colector (ICEO) es extremadamente pequeña y normalmente se

desprecia. Uniones base-emisor y base colector se polarizan en inversa.

Saturación

Cuando la unión base-emisor se polariza en directa y la corriente en la base se incrementa, la corriente

en el colector también lo hace (IC = CDIB) y VCE se reduce a consecuencia de más caída a través del
resistor del colector (VCE = VCC = ICRC) (figura 9). Cuando VCE llega a su valor de saturación,
VCE(sat), la unión base-colector se polariza en directa e IC ya no puede incrementarse más, incluso con
un incremento continuo de IB. En el punto de saturación, la relación IC = CDIB ya no es válida.
VCE(sat) para un transistor ocurre en alguna parte debajo de la inflexión de las curvas de colector y
normalmente es de sólo unos cuantos décimos de un volt.

Figura 9 Saturación: Conforme IB se incrementa a medida que VBB lo hace, IC también se incrementa y
VCE se reduce a causa de la caída de voltaje incrementada a través de RC. Cuando el transistor se va a
saturación, IC ya no se incrementa más pese al incremento adicional de IB. Las uniones base-emisor y
base-colector se polarizan en directa.

Amplificación de voltaje mediante un transistor

Un transistor amplifica corriente porque la corriente al colector es igual a la corriente en la base

multiplicada por la ganancia de corriente, . La corriente en la base en un transistor es muy pequeña
comparada con las corrientes en el colector y emisor. Por eso, la corriente en el colector es
aproximadamente igual a la corriente en el emisor. Con esto presente, examine el circuito de la figura
10. Se superpone un voltaje de ca, Vs, sobre el voltaje de polarización de cd VBB mediante
acoplamiento capacitivo, como se muestra. El voltaje de polarización de cd VCC se conecta al colector
mediante el resistor RC.

Figura 10 Circuito amplificador con transistor básico con una fuente de voltaje de ca Vs y voltaje de
polarización de cd VBB superpuesto.

El voltaje de entrada de ca produce una corriente alterna en la base, lo cual produce una corriente
alterna en el colector mucho más grande. La corriente alterna en el colector produce un voltaje de ca a
través de RC, produciéndose así una reproducción amplificada, pero invertida, del voltaje de entrada de
ca en la región activa de operación, como ilustra la figura 10. La unión base-emisor polarizada en
directa presenta una muy baja resistencia a la señal de ca. Esta resistencia interna de ca en el emisor se
expresa como r’e en la figura 10 y aparece en serie con RB. El voltaje de ca en la base es

El voltaje de ca en el colector, ​Vc,​ es igual a la caída de voltaje de ca a través de ​R​C.

Vb puede ser considerado como el voltaje de entrada de ca al transistor donde Vb = Vs - IbRB.Vc
puede ser considerado como el voltaje de salida de ca del transistor. Como la ganancia de voltaje se
define como el cociente del voltaje de salida entre el voltaje de entrada, cociente de Vc entre Vb es la
ganancia de voltaje de ca, Av, del transistor.

Sustituyendo ​Vc ​por ​IeRC

​ y ​Vb ​por ​Ier ‘​ ​e ​se obtiene

Los términos ​Ie s​ e eliminan; por consiguiente,

En vista de que RC siempre es considerablemente más grande que r’e, el voltaje de salida con esta
configuración es más grande que el voltaje de entrada.

Circuitos de polarización de transistores

El punto de operación en cd

Un transistor debe ser apropiadamente polarizado con un voltaje de cd para que opere como
amplificador lineal. Se debe ajustar el punto de operación en cd de modo que las variaciones de la señal
en la terminal de entrada se amplifiquen y reproduzcan con precisión en la terminal de salida. Cuando
se polariza un transistor se establece el voltaje de cd y los valores de corriente. Esto significa, por
ejemplo, que en el punto de operación en cd, IC y VCE tienen valores especificados. El punto de
operación en cd a menudo se conoce como punto Q.
​ a polarización establece el punto de
Polarización en cd L
operación en cd (punto Q) para la operación lineal apropiada de un amplificador. Si un amplificador no
se polariza con voltajes de cd correctos a la entrada y salida, puede irse a saturación o a corte cuando se
aplique una señal de entrada. La figura 11 muestra los efectos de la polarización en cd apropiada e
inapropiada de un amplificador inversor. En la parte (a), la señal de salida es un réplica amplificada de
la señal de entrada excepto porque está invertida, lo que significa que está desfasada 180° con respecto
a la entrada. La señal de salida oscila del mismo modo por encima y por debajo del nivel de
polarización en cd de la salida, VCD(sal). Una polarización inapropiada puede distorsionar la señal de
salida, como se ilustra en las partes (b) y (c). La parte (b) ilustra cómo la parte positiva del voltaje de
salida se limita debido a que el punto Q (punto de operación en cd) está demasiado cerca del corte. La
parte (c) muestra cómo la parte negativa del voltaje de salida se limita debido a que el punto de
operación en cd se encuentra demasiado cerca de la saturación.

Figura 11 ​Ejemplos de operación no lineal de un amplificador inversor (símbolo de triángulo).

Análisis gráfico​. El transistor de la figura 12(a) se polariza con VCC y VBB para obtener ciertos
valores de IB, IC, IE y VCE. Las curvas características de colector de este transistor particular se
muestran en la figura 14 (b) y se utilizarán para ilustrar gráficamente los efectos de polarización en cd.

10

Figura 12 Circuito con transistor polarizado en cd con voltaje de polarización variable (VBB) para
generar las curvas características.

Recta de carga en cd​. La operación en cd de un circuito con un transistor se describe gráficamente con
una recta de carga en cd. Ésta es una recta sobre las curvas características desde el valor de saturación
donde IC= IC(sat) sobre el eje y hasta el valor de corte donde VCE = VCC sobre el eje x, como se
muestra en la figura 13(a).

Figura 13 Recta de carga de

cd.

Operación lineal​. La región a lo largo de la recta de carga que incluye todos los puntos entre los
estados de saturación y corte en general se conoce como región lineal de la operación del transistor. En
tanto el transistor opere en esta región, el voltaje de salida es idealmente una reproducción lineal de la
entrada. La figura 14 muestra un ejemplo de la operación lineal de un transistor. Las cantidades de ca se
muestran con subíndices de letras cursivas minúsculas. Suponga que se superpone un voltaje senoidal,
Vent, a VBB: esto hace que la corriente en la base varíe senoidalmente 100 mAsobre y debajo de su
valor de punto Q de 300 mA. Esto, a su vez, provoca que la corriente en el colector varíe 10 mA sobre y
debajo del valor del punto Q de 30 mA. A consecuencia de la variación de la corriente en el colector, el
voltaje en el colector con respecto al emisor varía 2.2 V por encima y por debajo su valor de punto Q de
3.4 V. El punto A sobre la recta de carga en la figura 14 corresponde al pico positivo del voltaje de
entrada senoidal. El punto B corresponde al pico negativo y el punto Q al valor cero de la onda seno,
como se indica. VCEQ, ICQ e IBQ son los valores de punto Q sin voltaje senoidal de entrada aplicado.

11
Figura 14 Variaciones de la corriente en el colector y del voltaje en el colector con respecto al emisor, a
consecuencia ​de una variación de la corriente en la base.

Polarización con realimentación del emisor

La idea es ayudar a hacer la polarización de la base más predecible con realimentación negativa, la cual
anula cualquier cambio intentado de la corriente en el colector con un cambio opuesto del voltaje en la
base. Si la corriente en el colector trata de incrementarse, el voltaje en el emisor se incrementa, lo que
aumenta el voltaje en la base porque VB = VE = VBE. Este incremento del voltaje en la base reduce el
voltaje a través de RB, reduciendo así la corriente en la base y evitando que la corriente en el colector
se incremente. Algo similar ocurre si la corriente en el colector trata de reducirse. En tanto que esto es
mejor para circuitos lineales que la polarización de la base, sigue dependiendo de CD y no es tan
predecible como la polarización por medio de divisor de voltaje. Para calcular IE se puede escribir la

ley de voltaje de Kirchhoff (LVK) alrededor del circuito de la base. ​Polarización con

realimentación del colector

En la figura 15 el resistor RB en serie con la base está conectado al colector y no a VCC, como se hizo
en la configuración de polarización de la base. La realimentación negativa crea un efecto de
“compensación” que tiende a mantener el punto Q estable. Si IC trata de incrementarse, más voltaje cae
a través de RC, lo que produce una disminución en VC. Cuando VC se reduce, el voltaje a través de RB
se reduce, lo que hace que IB se reduzca. La reducción de IB produce menos IC, la que a su vez hace
que caiga menos voltaje a través de RC y por lo tanto compensa la reducción de VC.

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 Figura 15 Polarización con realimentación del
colector.

Amplificadores con BJT

La polarización de un transistor es estrictamente una operación de cd. El propósito de la polarización es

establecer un punto Q sobre el que las variaciones de corriente y voltaje puedan ocurrir en respuesta a
una señal de entrada de ca. En aplicaciones en las que voltajes de señal pequeños deben ser
amplificados —tales como los provenientes de una antena o un micrófono—, las variaciones con
respecto al punto Q son relativamente pequeñas. Los amplificadores diseñados para manejar estas
señales pequeñas de cd a menudo se conocen como amplificadores de señal pequeña.

Amplificador lineal

Un amplificador lineal amplifica una señal sin distorsión, de tal suerte que la señal de salida es una
réplica amplificada exacta de la señal de entrada. La figura 16 muestra un transistor polarizado
mediante divisor de voltaje con una fuente de ca senoidal acoplada capacitivamente a la base por
conducto de C1, y una carga acoplada capacitivamente al colector por conductor de C2. Los capacitores
de acoplamiento bloquean la corriente directa y de este modo evitan que la resistencia de fuente interna,
Rs y la resistencia de carga, RL, cambien los voltajes de polarización de cd en la base y colector. Los
capacitores aparecen idealmente como cortos ante la señal de voltaje. El voltaje de fuente senoidal hace
que el voltaje en la base varíe senoidalmente sobre y por debajo de su nivel de polarización de cd,
VBQ. La variación resultante de la corriente en la base produce una variación más grande de la
corriente en el colector debido a la ganancia de corriente del transistor.
 Figura 16 ​Amplificador polarizado mediante divisor de voltaje alimentado por una fuente de voltaje de
ca con una resistencia interna, Rs.

13

A medida que la corriente senoidal en el colector se incrementa, el voltaje en el colector decrece. La

corriente en el colector varía por encima y por debajo de su valor de punto Q, ICQ, en fase con la
corriente en la base. El voltaje senoidal en el colector con respecto al emisor varía por encima y por
debajo de su valor de punto Q, VCEQ, desfasado 180° con respecto al voltaje en la base, como ilustra la
figura 16. Un transistor siempre produce una inversión de fase entre el voltaje en la base y el voltaje en
el colector.
 14

Variables y las constantes teóricas ​(variables, valores que puedes medir y/o sujetos a
unidades observación).
Para esta práctica realizamos el circuito de retroalimentación de emisor el cual es un circuito muy
parecido al circuito de transistor de polarización de voltaje solo que esta vez el divisor de voltaje no
estuvo presente y utilizamos el transistor BC598.

Figura 17 Circuito de retroalimentación de

emisor.

1.-Determine matemáticamente los valores de IC y VCE.

Figura 18 Valores teóricos de IC y

VCE.
 15

Lista del
material

Multímetro digital. ​Un multímetro digital (DMM) es una herramienta de prueba usada para medir dos
o más valores eléctricos, principalmente tensión (voltios), corriente (amperios) y resistencia (ohmios).
Es una herramienta de diagnóstico estándar para los técnicos de las industrias eléctricas y electrónicas.

Tablilla protoboard​. ​Es un tablero con orificios que se encuentran conectados eléctricamente entre sí
de manera interna, habitualmente siguiendo patrones de líneas, en el cual se pueden insertar
componentes electrónicos y cables para el armado y prototipo de circuitos electrónicos y sistemas
similares​.

Conectores caimán. ​Es un cable con un conector en cada punta (o a veces sin ellos), que se usa
normalmente para interconectar entre sí los componentes en una placa de pruebas. P.E.: se utilizan de
forma general para transferir señales eléctricas de cualquier parte de la placa de prototipos a los pines
de entrada/salida de un microcontrolador.

Alambre estañado. ​Alambre estañado para conexiones, color rojo, calibre 22 AWG, útil para tablillas
de conexión de circuitos electrónicos (protoboard)
Pinzas de punta y corte. ​Las pinzas de punta o alicate puntiagudo son un alicate de corte y
sujeción usado para doblar, re posicionar y cortar alambre

16

Capacitores. ​Un condensador eléctrico (también conocido frecuentemente con el anglicismo capacitor,
proveniente del nombre equivalente en inglés) es un dispositivo pasivo, utilizado en electricidad y
electrónica, capaz de almacenar energía sustentando un campo eléctrico. Está formado por un par de
superficies conductoras, generalmente en forma de láminas o placas, en situación de influencia total
(esto es, que todas las líneas de campo eléctrico que parten de una van a parar a la otra) separadas por
un material dieléctrico o por la permitividad eléctrica del vacío. Las placas, sometidas a una diferencia
de potencial, adquieren una determinada carga eléctrica, positiva en una de ellas y negativa en la otra,
siendo nula la variación de carga total.

2 Capacitores de 10 microfaradios

1 Capacitor de 100 microfaradios

Resistencia. ​Las resistencias son uno de los tipos básicos de componentes electrónicos. Tienen dos
terminales y un semiconductor, está formada por carbón y otros elementos resistivos.
2 Resistencia de 2.2 kilohmios

Resistencia de 1 mega ohm

17

Transistor BC548​. El BC548 es un transistor NPN bipolar de propósitos generales utilizado

principalmente en equipos de procedencia europea. Eléctricamente es similar al transistor 2N3904
(estadounidense) y al transistor 2SC1815 (japonés), aunque la asignación de los pines es distinta. El
orden de los pines mirando la parte plana del encapsulado de izquierda a derecha colector, base, emisor.

Fuente reguladora de voltaje. ​Una fuente regulable es aquella que permite ajustar voltajes en un
determinado rango según las necesidades de lo que necesitemos alimentar.
 18

Proceso para llevar a cabo la práctica

Practica en el software.

1.- Compruebe los valores de IC y VCE virtualmente.

Para medir el voltaje de colector a emisor pusimos nuestro multimetro en la opción de volts de corriente
directa en el rango de 20 V y medimos de extremo a extremo de el transistor de el pin de el colector al
pin de el emisor.
 Figura 19 Voltaje de colector a
emisor.

Para medir la corriente de el colector lo que hisimos fue abrir el circuito de la parte del colector para asi
poder usar el multimetro como un cable y que por ahí entrara la corriente y poder visualizarla en la
pantalla, colocamos la punta positiva en un pin de la resistencia y la negativa en el colector.

Figura 20 Corriente de
colector.

19

2.- Mediante un generador de señales, coloque un voltaje de entrada de 20 mV y otro de 80 mV

senoidal y mediante el osciloscopio visualice y mida la salida.

Conectamos el pin positivo tanto del multímetro como el del osciloscopio y el pin negativo a tierra y así
poder visualizar tanto el voltaje como la forma de la onda de salida amplificada.

Figura 21 Voltaje y forma de onda de salida del circuito amplificada a 20

mVp.

Figura 22 Voltaje y forma de onda de salida del circuito amplificada a

80mVp.

20
 Resultados obtenidos

1.- Compruebe los valores de IC y VCE virtualmente.

Para medir el voltaje de colector a emisor pusimos nuestro multimetro en la opcion de volts de corriente
directa en el rango de 20 V y medimos de extremo a extremo de el transistor de el pin de el colector al
pin de el emisor.

Figura 23 Voltaje de colector a

emisor.

Para medir la corriente de el colector lo que hicimos fue abrir el circuito de la parte del colector para asi
poder usar el multimetro como un cable y que por ahí entrara la corriente y poder visualizarla en la
pantalla, colocamos la punta positiva en un pin de la resistencia y la negativa en el colector.
 Figura 24 Corriente de
colector.

21

2.- Mediante un generador de señales, coloque un voltaje de entrada de 20 mV y otro de 80

mV senoidal y mediante el osciloscopio visualice y mida la salida.

Para este punto solo realizamos los pasos en la simulación debido a que, los componentes
necesarios para realizar las mediciones prácticamente no estaban en las mejores condiciones
y se nos indicó solo simularlo.
 22

Conclusiones
La diferencia entre está practica y la práctica de transistor en polarización por divisor de tensión es que
está vez se utilizó solo una resistencia en la entrada en lugar de el divisor de voltaje y se usó otro tipo de
transistor.

Se agrego un receptor en serie con el emisor al circuito de polarización de la base, el resultado fue la
polarización con realimentación del emisor. La idea es ayudar a hacer la polarización de la base más
predecible con realimentación negativa, la cual anula cualquier cambio intentado de la corriente en el
colector con un cambio opuesto del voltaje en la base. Aprendimos que si la corriente en el colector
trata de incrementarse, el voltaje del emisor se incrementa, lo que aumenta el voltaje en la base porque
= + ​. Este incremento de voltaje en la base reduce el voltaje a través de RB reduciendo así la corriente
en la base evitando que la corriente en el colector se incremente. Algo similar ocurre si la corriente en el
colector trata de reducirse.

Se utilizo el Transistor BC548, es un transistor de silicio de baja potencia, es un transistor bipolar NPN,
eléctricamente es similar al transistor 2N3904, aunque las asignaciones de los pines de conexión son
distintas. El dispositivo viene integrado en un encapsulado plástico tipo TO-92. El orden de los pines
mirando la parte plana del encapsulado de derecha a izquierda es emisor, base y colector.
 23

Bibliografías

https://es.slideshare.net/GabrielRojasHenao/polarizacion-por-divisor-de-tensin

https://www.academia.edu/31517033/POLARIZACI%C3%93N_DEL_BJT_DIVISOR_DE_
VOLTAJE

Thomas L. Floyd; “Dispositivos Electrónicos”; Octava edición; Ed. Pearson.

24