CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR

1. Scopul lucrării:
Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar în conexiunile emitor-comun (EC) şi
bază-comună (BC), determinarea unor parametrii de curent continuu şi de regim dinamic al tranzistorului
bipolar.
În fig.2.1 este reprezentat simbolul unui tranzistor NPN cu precizarea sensului curenţilor şi
tensiunilor aşa cum vor fi folosite în această lucrare. Între aceste mărimi se pot scrie relaţiile
iE = iC + iB (2.1) C
uC B iC
uCE = uCB + u BE (2.2).
Din punct de vedere practic, pentru determinarea regimului de funcţionare in B i B uC E
curent continuu, este necesară cunoaşterea caracteristicilor statice de intrare, de uB E iE
transfer direct şi de ieşire (numai două dintre ele sunt independente), cu E
particularităţi specifice fiecărui mod de conexiune. În conexiunea bază comună, f i g . 2 . 1
electrodul de referinţă este baza iar în conexiunea emitor comun electrodul de
referinţă va fi emitorul.
Din punct de vedere dinamic, la semnale mici (când caracteristicile statice pot fi liniarizate in jurul
punctului static de funcţionare), lent variabile, tranzistorului poate fi caracterizat prin parametrii de
U1 = h11 I1 + h12U 2
cuadripol definiţi prin ecuaţiile  (2.7) unde U1 , U 2 , I1 şi I 2 sunt mărimile variabile
 I 2 = h21 I1 + h22U 2
sinusoidale, cu sensurile obişnuite acceptate pentru cuadripoli (fig.2.1). Parametrii h vor fi indexaţi b
sau e după cum tranzistorul este utilizat în conexiunea BC sau EC; de multe ori se notează hije = hij .

i E
i C

U 5 =V
C B I C

M ’ U 0 =
I E
C B
I C 0B
uB i E
U E I E
B E

f i g . 2 . 2 f i g . 2 . 3
5. Caracteristica de intrare a tranzistorului în conexiunea BC adică iE = iE (u EB ) , se deduce din
relaţia 2.3, în care se înlocuieşte u BE = −u EB . Reprezentarea grafică este dată în fig.2.2, unde s-a
considerat ca parametru, tensiunea uCB . Se constată caracterul exponenţial al caracteristicii de intrare şi
influenţa mică a tensiunii de colector asupra caracteristicii de intrare. Exponentul poate fi afectat de
coeficientul γ , ca la dioda semiconductoare, determinarea lui experimentală făcându-se în acelaşi mod.
6. Caracteristica de transfer iC = iC (i E ) este descrisă de ecuaţia (2.4) şi este reprezentată grafic în
fig.2.3; factorul de curent α 0 , care dă panta acestei drepte, variază foarte puţin cu tensiunea uCB (prin
intermediul lui w ) şi cu curentul de colector (scădere atât la curenţi mici cât şi la curenţi mari,
dependenţă care nu rezultă din traiectoria elementară a tranzistorului). Factorul de curent al tranzistorului
iC − I CB 0
în conexiunea bază comună, α0 , se calculează cu relaţia α 0 = (2.8) dar precizia acestei relaţii
iE
este puternic afectată de imprecizia măsurărilor curenţilor iC şi i E , de valori foarte apropiate. Pentru
măsurarea factorului de curent α0 se preferă relaţia (2.15), după măsurarea factorului de curent în
conexiunea EC, β0 .

1
 I CB 0 este curentul joncţiunii colector-bază polarizate invers cu emitorul în gol, de valoare foarte
mică pentru tranzistoarele realizate din siliciu şi dependent de tensiunea uCB .
Caracteristicile de ieşire iC = iC (uCB ) , sunt determinate de relaţiile (2.4) şi (2.6) şi sunt
reprezentate grafic în fig.2.4. Se constată dependenta foarte mică a curentului de colector de tensiunea
uCB în regiunea activă normală, caracteristicile fiind practic orizontale şi echidistante, pentru trepte
constante ale curentului de emitor (ceea ce conferă tranzistorului în conexiunea BC caracterul de
iC
EC
IE IC R
RC C

I M i E= I
C E iE U U E
-

-
E B C B C
-
i E= 0
uC B
U C B E C f i g . 2 . 5
f i g . 2 . 4
generator de curent). Pentru tensiuni uCB < 0, curentul de colector scade datorită polarizării in conducţie
directă şi a joncţiunii colector-bază, ceea ce duce la funcţionarea tranzistorului în regiunea de saturaţie.
Caracteristica de intrare pentru tranzistorul în conexiunea EC, dată de funcţia iB = iB (u BE ) are ca

i β 0
B
2 0 0
U C E
1 =V

1 0 0
I U C E
5 =V
B

uB i C( m A)
i B( 0 ) U B E
E 0 . 1 1 0
f i g . 2 . 6 f i g . 2 . 7
parametru tensiunea uCE , care intervine, în principal, prin parametrul w . Ecuaţia acestei caracteristici se
S ⋅ q ⋅ Dn n p q⋅kTuBE
obţine din relaţiile (2.1), (2.3) şi (2.4) sub forma : iB = (1 − α 0 ) e − I CB 0 (2.13) şi este
w
reprezentată grafic în fig.2.6.
Se constată forma exponenţială a carateristicii, cu o influenţă redusă a tensiunii uCE (prin
intermediul variaţiei grosimii efective a bazei, w ) şi anularea curentului de bază pentru o valoare diferită
de 0 a tensiunii u BE .
Caracteristica de transfer este dată de relaţia (2.14) : iC = β0iB + I CE 0 unde β 0 este factorul de
α0
curent în conexiune EC a cărui expresie dedusă din relaţiile (2.1) şi (2.4) este : β 0 = (2.15), iar
1 − α0
I CE 0 este curentul de colector măsurat cu baza in gol şi determinat prin relaţia : I CE 0 = (β0 + 1) I CB 0 (2.16) .
Factorul de curent al tranzistorului în conexiunea EC depinde de tensiunea colector-emitor (prin
intermediul grosimii efective a bazei, w ) şi de curentul de colector (această dependenţă este mai
puternică decât a factorului de curent α 0 ) ca în fig.2.7.
iC − I CE 0
Factorul de curent β 0 se determină din relaţia (2.14) sub forma β0 = (2.17).
iB
Caracteristicile de ieşire dau dependenţa curentului de colector de tensiunea uCE având ca
parametru curentul de bază, iB , şi sunt descrise de relaţia (2.14); dependenţa mai puternică a factorului de
curent al tranzistorului, β 0 , de uCE , determină o înclinare mai puternică a caracteristicilor faţă de
orizontală.

2
 În zona tensiunilor uCE mici, ecuaţia (2.14) nu mai este valabilă, tranzistorul funcţionând în
regiunea de saturaţie.
În anumite circuite electronice, tranzistorul bipolar poate fi folosit în conexiune inversă prin
schimbarea rolurilor terminalelor emitor şi colector. Parametrul ce caracterizează această funcţionare este
factorul de curent în conexiune inversă, α i sau βi . Cu excepţia unor tranzistoare special construite,
factorul de curent βi , este foarte mic, de obicei, subunitar.
2.DESFĂŞURAREA LUCRĂRII

1. Se identifică montajul din fig.2.10, în care se foloseşte un circuit ajutător în calitate de generator
de curent reglabil din potenţiometrul P . Pentru curenţii de bază necesari tranzistorului NPN în conexiune
EC se alimentează schema cu +5 V (aproximativ) la borna 2 faţă de borna de masă (borna 1) şi se obţine
la borna 3 un curent reglabil (în sensul săgeţii) între 0÷ 200
2
µ A ; pentru curenţii de emitor necesari aceluiaşi tranzistor
8
NPN în conexiune BC se alimentează schema cu -5V la borna
2 faţă de borna 1 (borna de masă) şi se obţine la borna 4 un
7 R curent reglabil între 0÷ 50 mA.
P T ’ T ”
2. Se trasează caracteristica de intrare a tranzistorului în
conexiunea BC conform schemei de măsură din fig.2.11.
5 T Pentru aceasta, generatorul de curent se va alimenta cu –5 V la
IB IE borna 2 faţă de borna de masă(borna 1), ieşirea generatorului
de curent fiind borna 4.Pentru curentul de emitor se vor lua
3 4 6
1 valorile: 0.1; 0.2; 0.5; 1; 2; 5; 10; 20; 50; mA, iar tensiunea
f i g . 2 . 1 0
colector-bază va fi de 5 V. Rezultatele au fost trecute în
tabelul2.1
UCB IE (mA) 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50
5V UEB (V) 0.54 0.56 0.6 0.62 0.63 0.65 0.66 0.68 0.72

3. Se trasează caracteristica de transfer iC = iC (iE ) folosind schema de măsură din fig.2.12. Întrucât
valorile curenţilor iC şi i E sunt foarte apropiate, se preferă măsurarea curentului de bază pentru fiecare
valoare a curentului de emitor, iar curentul de colector se deduce din relaţia (2.1). tensiunea uCB este de 5
V. Rezultatele au fost trecute în tabelul 2.2 şi se trasează caracteristic de transfer la scară liniară.
UCB IE (mA) 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50
5V IB (uA) 18 22 33 53 77 130 190 280 540

4. Se trasează caracteristicile statice de ieşire în conexiunea BC cu schema de măsură din fig.2.12.

Pentru tensiunea de ieşire se vor lua valorile 0.1; 0.5; 1; 2; 5; 10; V, iar curentul de emitor va fi fixat la
valorile 2; 4; 6; 8; 10; mA . Rezultatele se trec în tabelul 2.3.
IE (mA) UCB(V) 0 0.1 0.5 1 2 5 10
2 IB(uA) 72 80 76 90 88 80 80
4 IB(uA) 120 130 122 118 126 120 115
6 IB(uA) 150 155 150 150 150 150 145
8 IB(uA) 180 185 178 178 180 178 168
10 IB(uA) 205 210 200 200 210 200 190

3
 Caracteristica de intrare in conexiunea BC

0,6

0,5

0,4

0,3

0,2

0,1

0
-3,22 0 10 20 30 40 50

Caracteristica de transfer (BC)

50000
45000
40000
35000
30000
25000
20000
15000
10000
5000
0
-5000mA 0 0,1 0,2 0,5 1 2 5 10 20 50

Caracteristica de iesire (conexiunea BC)

60

40
Ie (mA)

20

0
0.56 0.57 0.59 0.61 0.63 0.65 0.66 0.68 0.72
Ueb (V)