El presente tema presentara la ciencia y la tecnología comprendidas en la producción de

circuitos integrados. Se describe lo siguiente:

• Propiedades especiales del silicio para producir óxido y dopantes.
• Tratamiento de un lingote fundido y operaciones de maquinado para producir un
disco.
• Procesos de litografía, ataque y dopaje.
• Ataque en húmedo y en seco para la manufactura de circuitos.
• Conexiones de un transistor en el nivel de computadora.
• Empaques (encapsulados) de los circuitos integrados y métodos de manufactura
de las tarjetas de circuitos impresos.

28.1 Introduccion
El invento del transistor en 1947 el que estableció la era de lo que se convertiría en uno de
los avances tecnológicos mas grandes de la historia. Los cirucuitos integrados los cuales
ahorta son base para la fabricación de calculadorasm relojes de pulsera, aparatos
electrodomésticos y automovilísticos robotica y demás, es parte del desarrollo y crecimiento
de la microeolectrica, las cuales tiene como carcateristicas la pequeñez(va disminuyendo con
el avance de la tecnología) y por ende su bajo costo.

Los componentes fabricados incluyen transistores, diodos, resistores y capacitores.

Los chips comunes producidos hoy en día tienen tamaños que van de 0.5 mm -0.5 mm a más
de 50 mm -50 mm. En el pasado, no podían fabricarse más de 100 dispositivos en un solo
chip; hoy en dia se llega a fabricar 10 millones(

a muy grande escala), industrias mas avanzadas pueden llegar a producri mas de 10 millones
de dispositivos(Integración a ultragran escala) .

28.2 Cuartos limpios

Los cuartos limpios son fundamentales para la producción de la mayoría de los circuitos
integrados. generalmente los circuitos integrados tienen algunos milímetros de longitud y los
rasgos más pequeños de un transistor en el circuito llegan a medir unas cuantas decenas de
nanómetros (nano =10E-9), menores a las de las particulas en el aire, humos, perfumes.

Si estos contaminantes están presentes en una oblea de silicio durante el procesamiento,

pueden perjudicar el desempeño de todo el dispositivo.

Existen diversos niveles de cuartos limpios, que se definen por su clase, de acuerdo a la
cantidad de particulas por pie cubico de aire.

La mayoría de los cuartos limpios para manufactura microelectrónica van de la clase 1 a la

clase 10.Como comparación, el nivel de contaminación en los hospitales modernos es del
orden de 10,000 partículas por pie cúbico.
Para obtener atmósferas controladas que estén libres de partículas contaminantes, todo el
aire de ventilación debe pasar a través de un filtro de aire de partículas de alto rendimiento,
Además, el aire tiene que acondicionarse de manera que esté a 21 °C (70 °F) y con 45% de
humedad relativa. La fuente más grande de contaminantes en un cuarto limpio es la propia
gente, por estas razones, la mayoría de los cuartos limpios requiere protecciones especiales,
como batas de laboratorio, guantes y redecillas para el cabello.

28.3 Silicio y semiconductores

Los semiconductores se han convertido en la base de los dispositivos electrónicos porque es
posible alterar sus propiedades eléctricas agregando cantidades controladas de átomos de
impurezas (dopantes con un electrón mas o menos de valencia).

Aunque los primeros dispositivos electrónicos se fabricaron con germanio(0.66 eV), el

silicio(1.1 eV) se ha convertido en el estándar industrial, debido a la abundancia del material
en la tierra, ocupando el segundo lugar después del oxígeno. Las banda de energía del silicio
permiten operar a temperaturas de unos 150 °C (270 °F), las cuales son más altas que los
dispositivos fabricados con germanio, que operan a casi 100 °C (180 °F), otra ventaja
importante de procesar silicio es que su óxido (dióxido de silicio) es un excelente aislante
eléctrico y se puede utilizar para efectos de aislamiento y pasivación.

Estructura del silicio

La estructura cristalográfica del silicio es una estructura fcc (cúbica centrada en las caras)
parecida al diamante. El silicio posee una temperatura de servicio máxima superior alrededor
de 200 °C; Esta limitación ha fomentado el desarrollo de semiconductores compuestos, en
especial arseniuro de galio que tiene una ventaja sobre el silicio de su capacidad para
emitir luz, permitiendo así la fabricación de dispositivos como láseres y diodos emisores de
luz (LED, por sus siglas en inglés). también tienen velocidades de funcionamiento mucho
mayores que las de los producidos con silicio, pero también tienen un costo superior y
complicaciones de procesamiento.

28.4 Crecimiento de cristales y preparación de obleas

El silicio se produce naturalmente en las formas de dióxido de silicio y diversos silicatos,

para su purificación y preparación para uso en la fabricación de dispositivos semi
conductores, este debe pasar por ciertos procesos.

Primero se hace el Calentamiento de la sílice y carbonato juntos en horno eléctrico, esto

prodecue un silicio policristalino de pureza 95-98%, luego purifica y descompone en una
atmósfera de hidrógeno de alta temperatura, El producto resultante es silicio de grado
electrónico de alta calidad.

el silicio monocristalino se obtiene mediante el proceso Czochralski o CZ, se utiliza un

cristal semilla que se sumerge en silicio fundido y después se extrae lentamente, al tiempo
que se hace girar.

En este punto, se pueden agregar cantidades controladas de impurezas para obtener un cristal
dopado de manera uniforme, cuyo resultado es un lingote monocristalino cilíndrico (6” a 12”
de diámetro y 1 m largo).

Las obleas de silicio se producen de lingotes de silicio mediante una secuencia de operaciones
de maquinado y acabado.

Se maquina una muesca o plano en el cilindro de silicio para identificar su orientación

cristalina, luego el cristal se rebana en obleas individuales por medio de una cuchilla de
diamante incrustado en el diámetro interno, En este método se emplea una cuchilla rotatoria
en forma de anillo con el filo de corte en el diámetro interno.

Aunque la profundidad requerida del sustrato para la mayoría de los dispositivos electrónicos
es de algunas micras, por lo general las obleas se cortan a un espesor de casi 0.5 mm que
proporciona el soporte físico necesario para la absorción de variaciones de temperatura y el
soporte mecánico requerido durante la fabricación posterior.

Después la oblea se rectifica a lo largo de sus bordes con un disco de rectificado.

Esta operación le proporciona un perfil redondo, que es más resistente al astillado. Por último,
las obleas deben pulirse y limpiarse para eliminar el daño superficial provocado por el
proceso de corte. Esto suele efectuarse mediante pulido químico-mecánico. En este punto, la
oblea de silicio monocristalino está lista para la fabricación del circuito integrado o
dispositivo.
28.5 Deposición de la película

En el procesamiento de dispositivos microelectrónicos se utilizan películas de diversos tipos,

en particular aislantes y conductoras; cimunmente las películas depositadas incluyen
polisilicio, nitruro de silicio, dióxido de silicio, tungsteno, titanio y aluminio. En algunos
casos, las obleas sólo sirven como soporte mecánico en el que se hacen crecer capas
epitaxiales especiales.

Epitaxia: Definida como el crecimiento de un depósito de vapor, la epitaxia o

electrodepósito se produce cuando la orientación de los cristales del depósito se relaciona
directamente con la orientación de los cristales en el sustrato cristalino subyacente. La ventaja
de procesar las películas depositadas en lugar de la superficie real de la oblea incluyen: menos
impurezas (de manera notable, carbono y oxígeno), mejor desempeño del dispositivo y
adaptación de las propiedades del material (que no se puede realizar en las propias obleas).

Las funciones principales de las películas depositadas son el enmascaramiento (masking) y

la protección de la superficie de los semiconductores.

El enmascaramiento debe inhibir de manera efectiva el paso de dopantes y al mismo tiempo

mostrar capacidad para ser atacada y adquirir la forma de patrones de alta resolución.

Al concluir la fabricación de los dispositivos, se aplican películas a fin de proteger los

circuitos subyacentes. Las películas utilizadas para enmascaramiento y protección incluyen
dióxido de silicio, vidrio de fosfosilicato (PSG, por sus siglas en inglés) y nitruro de silicio.

Las películas conductoras se utilizan principalmente para conectar dispositivos.

Estas películas deben tener baja resistividad y capacidad de transportar grandes corrientes,
además de ser adecuadas para conexión en las terminales de conexión empacadas con uniones
de cable.

Deposición de la película: Las películas pueden depositarse utilizando muchas técnicas, que
comprenden varias presiones, temperaturas y sistemas de vacío, como se describe a
continuación:

• La evaporación, que se utiliza principalmente para depositar películas metálicas.

En este proceso, el metal se calienta en vacío hasta su punto de vaporización. Una
vez vaporizado, forma una capa delgada sobre la superficie del sustrato.
• El chisporroteo (pulverización catódica), que comprende el bombardeo de un
objetivo con iones de alta energía (por lo general,argón, Ar_) en vacío
• La deposición química de vapor (CVD, por sus siglas en inglés), la deposición de
películas se logra por medio de la reacción o descomposición de compuestos
gaseosos. Con esta técnica, el dióxido de silicio se deposita normalmente mediante
la oxidación de silano o clorosilano, Un método similar que opera a presiones
menores se conoce como deposición química de vapor de baja presión (LPCVD, por
sus siglas en inglés,capaz de recubrir cientos de obleas al mismo tiempo, este
método hace posible una capacidad de producción mucho mayor que la de la CVD
de presión atmosférica y proporciona una mayor uniformidad a la película con un
consumo menor de gases portadores.
• La deposición química de vapor mejorada con plasma (PECVD) comprende el
procesamiento de obleas en un plasma de RF que contiene los gases fuente. Este
método tiene la ventaja de mantener una temperatura baja en la oblea durante la
deposición.
Las capas de epitaxia de silicio (en las que la capa cristalina se forma utilizando el sustrato
como un cristal semilla) se pueden hacer crecer mediante diversos métodos. Si el silicio se
deposita desde la fase gaseosa, el proceso se conoce como epitaxia de fase vapor (VPE, por
sus siglas en inglés). En otra variación, el sustrato caliente entra en contacto con una solución
líquida que contiene el material a depositarse, llamado epitaxia de fase líquida (LPE, por sus
siglas en inglés). Otro proceso al alto vacío utiliza evaporación para producir un haz térmico
de moléculas que se depositan en el sustrato calentado conocido como epitaxia de haz
molecular que produce un grado muy alto de pureza.

28.6. Oxidacion

Crecimiento de una capa de óxido debido a la reacción del oxígeno con el material del
sustrato. Las películas de óxido también se pueden formar utilizando las técnicas de
deposición antes descritas. Los óxidos que se hacen crecer de manera térmica, y presentan
un nivel de pureza superior al de los óxidos depositados porque crecen directamente a partir
del sustrato de alta calidad. Si la composición de la película deseada es diferente de la del
material del sustrato, deben usarse métodos de deposición.

El dióxido de silicio es el óxido más utilizado en la tecnología de IC y sus excelentes

características son algunas de las principales razones para el extenso uso del silicio.

• La oxidación en seco es un proceso relativamente sencillo y se efectúa elevando la

temperatura del sustrato, por lo común a entre 750 °C a 1100 °C (de 1380 °F a 2020
°F), en un ambiente rico en oxígeno. Al formarse una capa de óxido, los agentes
oxidantes deben tener la capacidad de pasar a través del óxido y llegar a la superficie
de silicio, donde ocurre la reacción real. En el proceso de oxidación se consume parte
del sustrato de silicio con una relación de espesro-cantidad de silicio consmido de
puede llegar a ser de 1:0.44.
• El método de la Oxidación en Húmedo produce una velocidad de crecimiento muy
superior a la de la oxidación en seco, pero una densidad pequeña de óxido por ende
una resistencia dieléctrica menor.
• La Oxidacion Selectiva el uun procedimiento para oxidar sólo determinadas áreas de
la superficie utiliza nitruro de silicio, que inhibe el paso de oxígeno y vapor de agua.
Por lo tanto, al cubrir esas áreas con nitruro de silicio, el silicio debajo de éstas
permanece sin ser afectado, pero las áreas sin recubrimiento se oxidan.