Mosfets de Potência.

Semicondutores de Potência: MOSFETs
de
Não concordo com o acordo ortográfico
14-04-2014 Por : Luís Timóteo 1

 MOSFETs: Introdução
Um MOSFET, comparado com outros dispositivos semicondutores de potência (IGBT,

Tiristor...), tem como vantagens a alta velocidade de comutação e boa eficiência em baixa
voltagem. Compartilha com o IGBT uma ponte isolada que torna mais fácil sua condução.
O MOSFET de Potência é o switch mais usado para baixa voltagem (menos de 200V). Pode
ser encontrado em várias fontes, conversores DC/DC, e controles de motor a baixa
voltagem.
Quando usar MOSFETs:

 1. Frequências altas (acima de 50 kHz);
 2. Tensões muito baixas (< 500 V);
 3. Potências baixas (< 1 kW) .

 MOSFETs : Quando usar MOSFETs…
Reguladores comutados AC-DC, AC-AC, DC-AC, e Conversores DC-DC
AC-DC AC-AC DC-AC DC-DC
230 Vac 115 Vac 12 Vdc

12 Vdc
t t
t t
230Vac 230 Vac

12 Vdc 5 Vdc
t t t

 MOSFETs
Ideias gerais sobre o transistor de Efeito de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor

 O nome faz menção á sua estrutura interna: Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor (MOSFET).
 É um dispositivo unipolar: a condução deve-se só a um tipo de portadores.
 Os usados em Electrónica de potência são de tipo: “Acumulação/Enriquecimento”.
D D
G G
S S
Canal N Canal P
Condução devida a Condução devida a
electrões lacunas ou buracos
 Os mais usados são os MOSFETs de canal N.
 A condução é devida aos electrões e, portanto, com maior mobilidade  menores
resistências de canal em condução.
 MOSFETs
Ideias gerais sobre os MOSFETs de Enriquecimento
 Curvas características del MOSFET
 Curvas de saída
ID
D ID [mA]
+
VGS = 4,5V
G VDS 4
+ S -
VGS = 4V
VGS
- 2 VGS = 3,5V
Referências normalizadas VGS = 3V
VGS = 2,5V VDS [V]
0 2 4 6
VGS < VTH = 2V
Curvas de entrada:
Não têm interesse (porta isolada do canal)

 MOSFETs
Ideias gerais sobre os MOSFETs de Enriquecimento
 Zonas de trabalho
 Curvas de saída
ID
2,5KW ID [mA]
VGS = 4,5V
D
+ 4
G VDS VGS = 4V
S - 10V
+ 2 VGS = 3,5V
VGS VGS = 3V
-
VGS = 2,5V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V
0 2 4 6 VDS [V]
Comportamento resistivo
VGS < VTH = 2V
Comportamento como fonte de corrente
Comportamento como circuito aberto
 MOSFETs: Ideias gerais sobre MOSFETs de enriquecimento…
 Precauções no uso de transistores MOSFET
O terminal da Porta (G), em aberto (ar), é muito sensível a ruídos.

O óxido pode chegar a se perfurar pela electricidade estática dos dedos. Ás vezes se
integram diodos zener de protecção.
Existe um diodo parasita entre a Fonte (S) e o Dreno (D) nos MOSFETs de
Enriquecimento.
S G D D
N+ N+
G
P-
S
+
Substrato
 MOSFETs: Estruturas de potência

Estrutura dos MOSFETs de potência
 São feitos de milhares de células colocadas em paralelo (Integrações são na ordem de 0,5
milhões por polegada quadrada).
 Nos dispositivos FET (em geral) é fácil paralelizar células possíveis.
 Estrutura vertical.
Fonte (S)
Porta (G) Fonte Porta
n+ n+ D
p n+ p
n- n- G
n+ n+ S
Dreno (D) Dreno

Estructura planar (DMOS) Estructura em trincheira (V MOS)
 MOSFETs: Outras estruturas…
Gate(G) Gate
Ligação
Source(S) Source
Source-body
N+
N+ P P
N- N-
Body N+ Body
N+
Drain(D) Drain
MOSFET com Gate em trincheira MOSFET com extensão
(trench) (UMOSFET) da Gate em trincheira
(EXTFET)
• A tensão de ruptura é limitada a 25 V.

 MOSFETs: Outras estruturas…
Ligação Ligação Gate

Gate Source
Source-body Source-body
Source
Doping
N+ P N+ N+
ND-source
NA-body
P+
N ND-drain-
P- N-
Body
N+ Body
ND-drain+ N+
Drain
Drain
MOSFET com dopagem graduada (GD) e
Estrutura com carga acoplada na
Gate em trincheira.
super-junção PN da região de deriva
(CoolMOS TM)
 Também para baixa tensão (tensão de
 3 vezes melhor para dispositivos de 600 -
ruptura é de cerca de 50 V).
800 V.
 MOSFETs: Estrutura tridimensional de um DMOS
Gate
Source
Drain
Drift region
N+ Body
N+
P
N-
N+
 MOSFETs: Comparação entre MOSFET e IGBT de trincheira…
IGBT MOSFET
G E G S
P base Emissor N+
P base Emissor n+
Camada n-
Camada n-
Camada buf f er n+
subst r at o n+
subst r at o p+
C D
E Body diode
D
G G
C
14-04-2014 Por : Luís Timóteo S 12
 MOSFETs
Aplicações dos semicondutores de Potência
Power Control Motor Control

HVDC,FACT
GTO IEGT
UPS
Press Pack IGBT
Robot Welder
SCR
IGBT Automotive
SMPS
Audio
Bipolar VCR
MOSFET
Air-conditioned

 MOSFETs
Encapsulados de MOSFETs de potência
• Em geral, semelhantes ás dos diodos de potência (excepto encapsulados axiais).
• Existe grande variedade.
• Exemplos: MOSFET de 60V.
RDS(on)=9,4mW, ID=12A
RDS(on)=12mW, ID=57A
RDS(on)=5,5mW, ID=86A RDS(on)=9mW, ID=93A RDS(on)=1.5mW, ID=240A

 MOSFETs
Encapsulados de MOSFETs de potência
• Outros exemplos de MOSFETs de 60V.
RDS(on)=3.4mW, ID=90A

 MOSFETs
Características fundamentais dos MOSFETs de potência
1ª -Máxima tensão Dreno-Fonte.
2ª -Máxima corrente de Dreno.
3ª -Resistência em condução.
4ª -Tensões máximas de Porta e limiar.
5ª -Velocidade de comutação.
1ª Máxima tensão Dreno-Fonte

 Corresponde á tensão de ruptura da união que formam o substrato (unido á Fonte) e o Dreno.
 Mede-se com a Porta em curto com a Fonte . Especifica o correspondente pequeno fluxo de corrente
(por exemplo, 0,25 mA).

 MOSFETs
1ª Máxima tensão Dreno-Fonte
 A máxima tensão Dreno-Fonte se representa como VDSS ou como V(BR)DSS

 Ajuda a classificar os transistores MOSFET de potência.
Baixa tensão Média tensão Alta tensão

15 V 100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
Exemplo de 45 V 200 V 800 V
classificação 55 V 400 V 1000 V
60 V
80 V

 MOSFETs
2ª Máxima corrente de Dreno
• O fabricante fornece dois valores (pelo menos):
-Corrente continua máxima ID.
-Corrente máxima pulsada IDM.
A corrente contínua máxima ID depende da

temperatura da cápsula (mounting base) neste caso:
A 100ºC, ID=23·0,7=16,1A

 MOSFETs
3ª Resistência em Condução
 É um dos parâmetros mais importantes no MOSFET. Quanto menor for, melhor é o
dispositivo.
 Se representa pelas letras RDS(on).
 Para um dispositivo particular, aumenta com a temperatura.
 Para um dispositivo particular, decresce com a tensão de Porta (G). Este decrescimento
tem um limite.
Drain-source On Resistance, RDS(on) (Ohms)

 MOSFETs
 Comparando dispositivos distintos de valores de ID semelhantes, RDS(on) cresce com o
valor de VDSS.

 MOSFETs
 Nos últimos tempos têm-se melhorado substancialmente os valores de RDS(on) em
dispositivos de VDSS relativamente alta (600-1000 V).
MOSFET de 1984
MOSFET dos anos 2000’s

 MOSFETs
4ª Tensão limiar e tensão Máxima de Gate
 A tensão Porta-Fonte VGS, deve alcançar um valor limiar para que comece a haver
condução entre Dreno e Fonte.
 Os fabricantes definem a tensão limiar VGS(TO) ou (VT), como a tensão Porta-Fonte para a
qual a corrente de Dreno é 0,25 mA, ou 1 mA.
 As tensões limiares (VT), devem estar na margem de 2-4 V.

 MOSFETs
 A tensão limiar altera com a temperatura.

 MOSFETs
•A máxima tensão suportável entre Gate e Source (VGS) é tipicamente de ± 20V.

 MOSFETs
5ª Velocidade de Comutação
 Os MOSFETs de potência são mais rápidos que outros dispositivos usados em electrónica
de potência (tiristores, transistores bipolares, IGBT, etc.)
 Os MOSFETs de potência são dispositivos de condução unipolar. Neles, os níveis de
corrente conduzida não estão associados ao aumento da concentração de portadores
minoritários, que são difíceis de eliminar para que o dispositivo deixe de conduzir.
 A limitação da rapidez está associada á carga das capacidades parasitas do dispositivo.
D
 Há, essencialmente três: Cdg
- Cgs, capacidade linear.
Cds
- Cds, capacidade de transição Cds k/(VDS)1/2 G
- Cdg, capacidade Miller, não linear, muito importante. S
Cgs

 MOSFETs
 Os fabricantes de MOSFETS de potência fornecem informação de três capacidades
distintas das anteriores, mas relacionadas com elas:
- Ciss = Cgs + Cgd com Vds=0 ( capacidade de entrada).

- Crss = Cdg (capacidade Miller).
- Coss = Cds + Cdg ( capacidade de saída).
D
Cdg
Cds Coss
G
S
Ciss
Cgs

 MOSFETs
 Exemplo de informação dos fabricantes:
Ciss = Cgs + Cgd

Crss = Cdg
Coss = Cds + Cdg

 MOSFETs
 A carga e a descarga destas capacidades parasitas, geram perdas que condicionam as
frequências máximas de comutação dos MOSFETs de potência.
Carga e descarga de um condensador sobre uma resistência

 Na carga de C:
- Energia perdida em R = 0,5CV12
- Energia armazenada em C = 0,5CV12
V1 R
C  Na descarga de C:
- Energia perdida em R = 0,5CV12
 Energia total perdida: CV12 = V1QCV1
 Além disso, em geral, estas capacidades parasitas atrasam as variações de tensão,

ocasionando em muitos circuitos, desfasamentos entre tensão e corrente, o que implica
perdas no processo de comutação.
 MOSFETs
• Análise de uma comutação típica em conversão de energia:
- Com carga indutiva.

 - Com diodo de travamento
 - Supondo diodo ideal. IL
Cdg
Cds V2
V1 R
Cgs

 MOSFETs
 Situação inicial:
- Transistor sem conduzir (em bloqueio) e diodo em condução.
- Portanto:
 VDG = V2, vDS = V2 e vGS = 0
 iDT = 0 e iD = IL IL
VDG iD
 - Nesta situação, o interruptor +
C iDT +
passa de “B” para “A” …. + +
- dg
A - Cds V2
- vDS
V1 R + -
B Cgs
vGS
-
 MOSFETs
5ª Velocidade de Comutação • iDT = 0 até que vGS = VGS(TO)
vGS BA
• vDS = V2 até que iDT = IL
VGS(TO)
Declive determinado por R, Cgs

e por Cdg(V2)
IL
vDS VDG iD
+
IL Cdg iDT +
+ +
-
iDT - Cds V2
A - vDS
R + -
B Cgs
V1 vGS
-
 MOSFETs
vGS BA  A corrente de V1 através de R é usado fundamentalmente na

VGS(TO) descarga de Cdg  praticamente não circula corrente por Cgs
VGS = Cte.
IL
vDS VDG
+
IL Cdg iDT +
-
iDT A V2
Cds vDS
R + -
B
Cgs
V1 vGS
-
 MOSFETs
BA V1
vGS  Cgs e Cdg estão em série
VGS(TO)
Constante de tempo determinada por R,
Cgs e por Cdg(V1)
vDS
IL
IL VDG
+ iDT
iDT -Cdg +
A Cds V2
vDS
B R + -
Cgs vGS
V1 -
 MOSFETs
5ª Velocidade de Comutação  Valoração das perdas entre t0 e t2:
BA V1
vGS - Há que carregar Cgs (grande) e descarregar
VM Cdg (pequena) VM .
VGS(TO)
- Há coexistência de tensão e corrente entre t1
e t2.
vDS
iDT
iDT IL iDT
Cdg + + +
- -
t0 t1 t2 t3 vDS V2
PVI + + Cgs Cds -
vGS -
-
 MOSFETs
5ª Velocidade de Comutação  Valoração das perdas entre t2 e t3:
BA V1 - Há que descarregar Cds até 0 e inverter a carga de Cdg
vGS desde V2-VM até -VM .
VM
VGS(TO)
- Há coexistência de tensão e corrente entre t2 e t3.
vDS iCdg+iCds+IL
iCdg iDT = IL
iDT IL iCds
Cdg + + +
- IL
- vDS
t0 t1 t2 t3
PVI + + Cgs Cds -
vGS -
-
 MOSFETs
5ª Velocidade de Comutação  Valoração das perdas depois de t3:
BA V1
vGS - Há que acabar de carregar Cgs e Cdg até V1 .
VM
VGS(TO) - Não há coexistência de tensão e corrente,
salvo a própria das perdas de condução.
vDS
iCdg iDT = IL
iDT IL IL
Cdg + + +
- IL
- vDS
t0 t1 t2 t3
PVI + + Cgs Cds -
vGS -
-
 MOSFETs
 Valoração da rapidez de um dispositivo pela “Carga de Porta” vGS
A corrente fornecida pela Fonte V1 é aproximadamente constante entre
t0 e t3 (inicio de uma exponencial, com IV1 V1/R).
De t0 a t2, a corrente IV1 é essencialmente para carregar Cgs. Que fornece
iV1 Qdg
uma carga eléctrica Qgs . Qgs
De t2 a t3, a corrente Iv1 inverte a carga de Cdg. Que adiciona mais uma
carga eléctrica Qdg .
t0 t2 t3
As carga são fornecidas até que VGS = V1. Qg é o valor total (incluindo
Qgs e Qdg) iV1 Qg
R
Para um determinado sistema de controlo (V1 e R), quanto menores
forem Qgs, Qdg e Qg mais rápido será o transistor. V1
Obviamente que t2-t0  QgsR/V1, t3-t2  QdgR/V1 e PV1 = V1QgfS, sendo fS a
frequência de comutação.

 MOSFETs
 Valoração da rapidez de um dispositivo pela “Carga de Porta”: Informação dada pelos
fabricantes:
IRF 540
BUZ80 MOSFETs de 1984
MOSFEtS dos anos 2000s

 MOSFETs
 Outro tipo de informação fornecida pelos fabricantes: comutação com carga resistiva.
VDS VGS
90%
iDT
10%
RD
D
+
td on tr td off tf RG
td on : atraso de arranque. G vDS
tr : tempo de subida.
+ + S -
td off : atraso de desligamento. vGS
tf : tempo de descida. -
 MOSFETs
 Outro tipo de informação fornecida pelos fabricantes: comutação com carga resistiva.
IRF 540
iDT
RD
D
td on : atraso de arranque.
+
RG vDS
tr : tempo de subida. G
td off : atraso de desligamento. + + S -
tf : tempo de descida.
vGS
-
 MOSFETs
 Perdas por coexistência de Tensão e corrente entre Dreno (D) e Fonte (S)
vGS
Pcond = RDS(on)iDT(rms)2
vDS
Pcomt = fS(won + woff)
iDT
PVI Won Perdas em comutação
Perdas em Woff
condução

 MOSFETs
 Perdas na fonte de controlo
iV1
vGS V1 R
Circuito teórico
iV1 Qdg iV1
Qgs
V1
t0 t2 t3 RB
Qg
PV1 = V1QgfS Circuito real

 MOSFETs
 Perdas na fonte de controlo
O Diodo Parasita tende a ter características pobres, particularmente nos MOSFETs de alta
tensão.
IRF 540
G
S

 MOSFETs
 Diodo parasita num MOSFET de alta tensão

 MOSFETs
Características térmicas dos MOSFETs de potência
 Tudo o que foi dito, é válido para diodos de Potência
 Este fabricante denomina “mounting base” ao encapsulamento e fornece a informação

de RTHja = RTHjc + RTHca
 MOSFETs
Diodos e MOSFETs de Potência
Diodos
MOSFETs

 MOSFETs
BJT x MOSFET x IGBT
MOSFET IGBT BJT
Tipo de comando Tensão Tensão Corrente
Potência do comando Mínima Mínima Grande
Complexidade do
Simples Simples Média
comando
Elevada em BT e
Densidade de corrente Muito elevada Média
baixa em AT
Baixa para Média para

Perdas de comutação Muito baixa
média alta


Bibliografias
http://www.unioviedo.es/sebas/

Mosfets de Potência.

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Semicondutores de Potência: MOSFETs

Não concordo com o acordo ortográfico

14-04-2014 Por : Luís Timóteo 1

Um MOSFET, comparado com outros dispositivos semicondutores de potência (IGBT,

Quando usar MOSFETs:

14-04-2014 Por : Luís Timóteo 2

 MOSFETs : Quando usar MOSFETs…

Reguladores comutados AC-DC, AC-AC, DC-AC, e Conversores DC-DC

AC-DC AC-AC DC-AC DC-DC

230 Vac 115 Vac 12 Vdc

230Vac 230 Vac

14-04-2014 Por : Luís Timóteo 3

Ideias gerais sobre o transistor de Efeito de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor

14-04-2014 Por : Luís Timóteo 5

 MOSFETs: Ideias gerais sobre MOSFETs de enriquecimento…

 Precauções no uso de transistores MOSFET

O terminal da Porta (G), em aberto (ar), é muito sensível a ruídos.

 MOSFETs: Estruturas de potência

Dreno (D) Dreno

 MOSFETs: Outras estruturas…

• A tensão de ruptura é limitada a 25 V.

14-04-2014 Por : Luís Timóteo 9

 MOSFETs: Outras estruturas…

Ligação Ligação Gate

 MOSFETs: Estrutura tridimensional de um DMOS

 MOSFETs: Comparação entre MOSFET e IGBT de trincheira…

Power Control Motor Control

14-04-2014 Por : Luís Timóteo 13

RDS(on)=5,5mW, ID=86A RDS(on)=9mW, ID=93A RDS(on)=1.5mW, ID=240A

• Outros exemplos de MOSFETs de 60V.

14-04-2014 Por : Luís Timóteo 15

1ª Máxima tensão Dreno-Fonte

14-04-2014 Por : Luís Timóteo 16

1ª Máxima tensão Dreno-Fonte

 A máxima tensão Dreno-Fonte se representa como VDSS ou como V(BR)DSS

Baixa tensão Média tensão Alta tensão

14-04-2014 Por : Luís Timóteo 17

A corrente contínua máxima ID depende da

14-04-2014 Por : Luís Timóteo 18

Drain-source On Resistance, RDS(on) (Ohms)

14-04-2014 Por : Luís Timóteo 19

14-04-2014 Por : Luís Timóteo 20

MOSFET dos anos 2000’s

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14-04-2014 Por : Luís Timóteo 22

 A tensão limiar altera com a temperatura.

14-04-2014 Por : Luís Timóteo 23

•A máxima tensão suportável entre Gate e Source (VGS) é tipicamente de ± 20V.

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- Ciss = Cgs + Cgd com Vds=0 ( capacidade de entrada).

14-04-2014 Por : Luís Timóteo 26

Ciss = Cgs + Cgd

14-04-2014 Por : Luís Timóteo 27

Carga e descarga de um condensador sobre uma resistência

 Energia total perdida: CV12 = V1QCV1

 Além disso, em geral, estas capacidades parasitas atrasam as variações de tensão,

- Com carga indutiva.

14-04-2014 Por : Luís Timóteo 29

Declive determinado por R, Cgs

vGS BA  A corrente de V1 através de R é usado fundamentalmente na

14-04-2014 Por : Luís Timóteo 37

BUZ80 MOSFETs de 1984

MOSFEtS dos anos 2000s