DILUIR SEMICONDUCTOR MAGNÉTICA: UNA REVISIÓN DEL ESTADO TEÓRICO

(Dilute Magnetic Semiconductor: A Review of Theoretical Status)

ABSTRACT.
Diluir semiconductores magnéticos ha sido la atracción de investigadores debido a su amplia gama de
aplicaciones como dispositivos espintrónicos como spin- FET, de spin - LED, integrados a nanoescala
memorias magnéticas y sensores, etc. Pero la mayoría de las aplicaciones prácticas requiere temperatura de
Curie de DMS para estar aproximadamente a temperatura ambiente o más. Por lo tanto, diferentes estudios se han
hecho en todo el mundo para controlar las propiedades eléctricas y magnéticas de DMS. Zener modelo ha sido el modelo
básico para la comprensión de la portadora ferromagnetismo y mediada por diferentes interacciones de intercambio en la
red DMS. Basado en el modelo Zener dependencia de la temperatura de Curie en la concentración de portadores de
defectos estructurales y parámetros de impureza se ha analizado. Efecto Hall anómalo también es otra propiedad
importante de DMS que ha sido estudiado para entender las diferencias de efecto Hall normal y su causa.
INTRODUCCION

En la mayoría de los dispositivos semiconductores como transistores de unión bipolar, FET, MOSFET, etc
carga electrónica es controlada por el dopaje con impurezas aceptoras o de donantes [1-5]. El spin
electrónico también puede ser utilizado para ampliar el alcance de sus aplicaciones. A fin de lograr este tipo de
dispositivos, los electrones deben ser espín polarizado y su polarización preservado en gran medida a medida que viajan a
través del material semiconductor. Los portadores de espín polarizado pueden ser creados por dopaje impurezas
ferromagnéticas, por ejemplo, metales de transición como Mn, Co, Cr y metales de las tierras raras tales como Pd, etc. Eu
[6-9]. La variedad de tales semiconductores se llama Diluir semiconductores magnéticos que tiene
combinación de ambas propiedades magnéticas y semiconductores. Tal compuesto es una aleación entre un
semiconductor no magnético y un elemento magnético como los elementos de transición y de tierras raras. El
ferromagnetismo temperatura ambiente interesante en muchos sistemas de óxido semiconductor diluido ( O- DMS) , ha
abierto una ruta para Spintronic dispositivos. Diluir semiconductores magnéticos ha sido estudiado por los investigadores
para identificar los SGD que tienen fuertes ferromagnetismo a temperatura ambiente. Inicialmente se estudiaron II -VI
aleaciones de semiconductores como Zn1 x Mn xTe y Cd1 x Mn x Te pero mostraron ferromagnetismo muy débil y la
temperatura de Curie bajo (Tc). Más recientemente, los semiconductores dopados -Mn III -V como In1 x Mn x As y
Ga1 x Mn x As se ha estudiado y se han mostrado ferromagnetismo a mayor temperatura Curie. La temperatura sigue
siendo demasiado bajo para aplicaciones prácticas [10].

En todos estos materiales ferromagnetismo ha demostrado ser portador mediado, que permite la modificación
del comportamiento magnético a través de la manipulación de carga. Se ha motivado una continua búsqueda
de materiales con aún mayor Tc y el portador mediada ferromagnetismo. Ha dado lugar al descubrimiento de
los SGD a base de óxido como ZnO , SnO2 , Cu2 O y In1,8 Sn0,8 O3 etc. , que son semiconductores de banda
prohibida ancha ( > 3 EV ) y se puede añadir una dimensión optoelectrónico a la nueva generación de
dispositivos de espintrónica [ 11-13

Estructura reticular DMS

Los semiconductores magnéticos Diluir tienen dos tipos de estructura reticular hexagonal wurtzite y blenda de zinc
cúbico. Wurtzita es la forma más común y estable para II -VI de DMS en condiciones ambientales. Considerando que el
zinc blenda estructura es más común en los semiconductores III- V basado SGD. El cristal zincblenda consiste en dos
subredes cúbicas cara de interpenetración idéntica centrada (FCC). Las diferentes subredes ocupados por los diferentes
iones elemento del Grupo III y el grupo V se desplazan por el cuarto de la relación diagonal cúbico a cada other. In esta
configuración cada ion está rodeado por cuatro iones de vecinos más cercanos de la diferente subred formando un
tetraedro equilátero. La falta de simetría de inversión tanto en wurtzite y los de zinc blenda resultados de la estructura de
celosía en la piezoelectricidad y piroelectricidad en algunos de óxido de base de DMS y también contribuye a la
interacción órbita giro que contribuye en los fenómenos de transporte de centrifugado. Zinc cristal blenda con Cr como
dopante de metal de transición y el cristal Wurtzita con Mn como dopante se ha mostrado en la Figura 1. iones de
metales de transición dopantes pueden sustituir a los II o III átomos en semiconductores de acogida y
contribuir al giro magnético o pueden ocupar sitios intersticiales y actúan como defectos es decir, pueden actuar
como sustitutivo , así como impureza intersticial [ 14-17 ] .
 FIGURA 01. (A ) Estructura de zinc - blenda cúbico . La estructura ( B ) Hexagonal Wurtzita

ORIGEN DEL FERROMAGNETISMO

2
Semiconductores III-V cuando dopado con Mn o cualquier otro metal de transición, los iones Mn en su mayoría
2
sustituir III átomos en semiconductor host. Estos iones Mn proporcionan angular Momemtum L = 0 y S = 5/2
momentos magnéticos debido a sus medias cajas llenas 3d. Dependiendo de su concentración y la posición
2
enérgica dentro del intervalo de banda de los estados Mn pueden o bien formar una banda de impurezas
o actuar como un nivel de impureza, creando agujeros de la banda de valencia. Además, Mn también puede
ocupar posiciones intersticiales en la blenda de zinc celosía. Estos iones Mn actúan como donantes, y tienden a pasivar
sustitución Mn aceptores por lo tanto no contribuyen a la ferromagnetismo. La interacción magnética efectiva entre los
2
iones Mn distantes está mediada por los agujeros de la banda de valencia en un proceso de dos pasos. Los electrones
3d magnéticas permanecen localizados en el ion magnético, por tanto, no contribuyen a la de transporte de carga. Si la
3
posición energética de los estados Mn es muy por debajo de la parte superior de la banda de valencia y Mn+ niveles
están bien por encima de la parte inferior de la banda de conducción, las fluctuaciones de valencia del + estado Mn2+ son
virtuales y se pueden caracterizar por acoplamiento solo intercambio fenomenológica constante J pd . El intercambio de
espín dependiente resultante entre la parte superior de la banda de valencia y la capa d Mn menor que yacía medio lleno
se lleva a cabo a través de la configuración 3d6 y favorece antiferromagnético p - acoplamiento d . La banda de valencia
se forma a partir del anión p y catión d estados hibridados, por tanto, la central local Hpd entre el agujero y el Mn 2+
espines se determina por la integral • intercambio de las correspondientes funciones de onda en forma de
H pd  2 J pd s.S (1)
Donde J pd  N 0  es el p - d acoplamiento constante con N0 siendo la concentración de los sitios catiónicos. Aquí S y
S representan a los operadores de giro del agujero y el Mn2+ iones, respectivamente.
La figura superior muestra el ejemplo de la interacción entre los iones magnéticos con S = 5/2 y las compañías itinerantes
con s = 1/ 2 en DMS. El estado de espín del ion Mn está mediado a los sitios vecinos por los Portadores de espín
polarizado que se propagan a que tienden a alinear todo el conjunto de los espines localizados. La dependencia de la
energía del sistema de la orientación relativa de los momentos de Mn se conoce generalmente como una interacción de
intercambio. [16, 18].

Algunos de los mecanismos de interacción de intercambio en las que predominan en DMS son de:
(I) interacción de intercambio directo o potencial basado en la interacción de Coulomb entre Giros (interacción s
- d).
(II) interacción de intercambio cinéticos relacionados con los efectos de hibridación (p - d) de acoplamiento.
(III) intercambio indirecto del tipo de cambio súper ( d- d interacción )
INTERACCION s –d

La interacción s- d es la interacción entre la conducción de electrones s banda gira y hace girar ion magnético resultante
de la interacción de Coulomb. Estas interacciones son ferromagnéticas en la naturaleza y su valor de intercambio de
energía está cerca de N0α ≈ 0,2 eV casi para todos los de DMS. Esta interacción es descrito por Kondo – Like
hamiltoniano como: H ex   j r  Ri s.S i (2)
Donde s es un operador de espín del electrón banda, Si es un operador de giro del ión magnético que se localiza en el
punto reticular cristalina Ri y J (r - Ri ) es la integral de intercambio. Para los electrones de la banda de conducción ( s
electrones ) y de la banda de valencia ( electrones p ) los elementos de matriz de las integrales de cambio se indican como
[ 16 ] .
N 0  N 0 S J S (3)

N0   N0 X J X (4)
INTERACCION p – d

La interacción entre los portadores de carga de valencia y los giros de iones magnéticos localizados se
denomina como p - d interacciones. Estas interacciones son anti - ferromagnético (energía de cambio negativo •) en
naturaleza. El valor de la energía de cambio • N0 es de seis a ocho veces mayor que la interacción s - d N 0  Kodo
modelo no predice un valor tan grande de la interacción p – d. A continuación, Dietl , Bhattacharjee y Larson explican
los valores observados experimentalmente y el signo de la interacción p -s por DMS basados Mn por los p - d efectos de
hibridación . [17]. El modelo de Hamilton de la multisitio Anderson hamiltoniano consiste en hamiltoniano H0 plazo de
las s , p bandas de energía εn ( k ) del cristal , Hubbard hamiltoniano H d Alta Definición de Mn electrones d en el sitio
i con electrones linealizado - la interacción de electrones, el Mn 3d - Te 5p hibridación de Hamilton Hpd (parte cinética
de H ) y Mn d - banda sp potencial de intercambio de Hamilt
H  H 0  H d  H pd  H  (5)
INTERACCION d - d
La interacción directa entre el ion magnético localizado giros que se denomina como interacciones d - d. Esta interacción
también se conoce como interacción de intercambio Heisenberg y se da siguiendo hamiltoniano
 
H ij  2 J ij .S i S j (6)
Es mucho más pequeña que la interacción sp- d. El mediada por la interacción de intercambio Super d - d
entre dos Mn gira en II - VI DMS ha sido estudiado por Larson . Parece que este proceso está dominado en la
interacción Mn -Mn. La teoría fue desarrollada en el marco del cuadro banda de compuestos MnTe y
CdMnTe . La interacción Mn - Mn ha sido descrito por Heisenberg hamiltoniano
H N   i  j J dd Rij .Si S j

(7)
Para calcular la integral de intercambio Jdd Larson tuvo en cuenta el efecto de la H pd hamiltoniano en un estados
intermedios en los que la ocupación de Mn estados d es diferente de cinco. Además de la interacción por encima de la
interacción espín órbita también desempeña un papel fundamental en la comprensión de las propiedades magnéticas de
transporte Diluir semiconductores magnéticos.
INTERACCION SPIN – ORBITA

Para el desarrollo de la espintrónica como una tecnología práctica es necesario tener un DMS funcional cuya propiedad
magnética es controlable cambiando el campo externo. Según Dirac movimiento de giro de electrones está acoplado a su
movimiento orbital en presencia de un potencial eléctrico externo. El hamiltoniano para describir la interacción órbita de
giro se puede dar siguiendo hamiltoniano

s.V  P 
1
H so  (8)
2m0 c 2

Donde V es el potencial externo que actúa sobre el electrón, m0 es la masa desnuda del electrón, s   es su
2
operador de espín, σ es el vector de las matrices de Pauli y p es el operador momento. Debido a la gran brecha Dirac

(2𝑚𝑚0𝑐𝑐2≈ 1 eV) en el denominador H SO es pequeño para electrones que se mueven lentamente (v / c < 1) en el vacío.
Sin embargo, en el caso de portadores de carga que se propagan en un cristal del acoplamiento SO se mejora
fuertemente debido a que el acoplamiento se ve reforzada por el movimiento de los electrones rápido en el
fuerte campo eléctrico de los núcleos. Por otra parte, la falta de simetría de inversión en la red de blenda de
zinc levanta la degeneración de dos veces de la | k ↑ y | k ↓ estados de la zona de Brillouin a excepción de algunas
líneas de alta simetría y aviones . Como resultado, los nuevos términos aparecen en el hamiltoniano de electrones que
mezcla los grados de giro y el momento de la libertad y por lo tanto contribuyen adicionalmente al efecto de
acoplamiento SO [19-21].

2. ZENER MODELO DE DESCRIPCIÓN DE FERROMAGNETISMO

2.1. MECANISMOS DE DOBLE DE CAMBIO DE ZENER

Supone un átomo no magnético intermedia y la interacción se produce cuando los dos átomos
magnéticos aislados tienen un número diferente de electrones en la capa magnética y de salto a través
del átomo no magnético intermedio implica electrones magnético – Shell. En combinación con el
artículo en la cáscara de Hund, parejas dobles de intercambio de momentos magnéticos
ferromagnéticas. Alineación de giro paralelo se ve favorecida, ya que aumenta la probabilidad de
salto y por lo tanto disminuye la energía cinética de los electrones de espín polarizado. Otra forma de
interacción de intercambio doble, en el que los estados aceptores Mn forman una banda de impurezas
con carácter mixto SPD se ha observado para los SGD acoplamiento de intercambio, donde Mn - Mn
se realizan a través de salto dentro de una banda de impurezas. Según Sato et al. [22-23] el origen de
la estabilidad del estado ferromagnético mediante tratamiento orificio dopaje es un mecanismo de
doble cambio en el intervalo de Mn dopado con ZnO.

2.2 ZENER DE INTERCAMBIO CINÉTICO- O - CAMBIO INTERACCIÓN INDIRECTA.

Surge en los modelos con, generalmente D - shell local o f - shell, cuyos momentos de acoplamiento
está mediada por S o p - banda portadores itinerantes. Los momentos locales pueden tener una
interacción de intercambio directo ferromagnético con los electrones de la banda en el mismo sitio y
/ o una interacción antiferromagnético debido a la hibridación entre el momento y la banda local
electrones en sitios vecinos. La polarización de los electrones de la banda debido a la interacción en
un sitio se propaga a sitios vecinos [10] .El acoplamiento del giro agujero para el Mn localizada hace
girar se describe por hamiltoniano dada en la ecuación 8 Mediante la sustitución de magnetización de
la localizada giros M r   Sg B donde g = 2.0 y S = 5/2. La dependencia del campo magnético de
la magnetización es parametrizada en ausencia de portadores por la función BS Brillouin
 g B H 
M 0 H   Sg B N 0 xeff BS   (9)
 k B T  TAF 

La concentración efectiva Mn xeff < x refleja el efecto de la compensación debida a los anti -sitios
donantes y dobles intersticiales. El otro parámetro empírico TAF da cuenta de la anti-
ferromagnético súper intercambio de corto alcance entre los iones Mn. Esta interacción también
surge de la p - d hibridación y está mediada por el spin- polarización de las bandas de electrones
ocupados. En (III, Mn) V semiconductores, sin embargo, este acoplamiento tiene una compensación
excesiva por la larga variar la interacción ferromagnético y juega un papel menor. El enfoque de
campo medio utiliza un método variacional en el que se minimiza el dependiente F [M] Ginzburg -
Landau funcional libre de la energía de magnetización. La contribución relacionada Fc [M] agujero
se calculó diagonalizando la matriz k · p junto con el p - hamiltoniano de cambio d . La contribución
de los espines localizados viene dada por.
M
FS M    dM 0 H M 0  (10)
0

La reducción al mínimo del total de los rendimientos funcionales de energía libre a la solución de la
ecuación de campo medio.
  Fc M   
 g B   M   H 
M 9 H    Sg B N 0 xeff BS     (11)
 k B T  TAF  
 
 
A medida que la temperatura se acerca a la temperatura de Curie Fc [M] está parametrizado por el
pequeño M2 variable como dada por
FC M   FC 0  AF  S  2 M 2 / 8 g 2  B2 (12)

Tomando la relación de la densidad de espín ρs de los Estados de la susceptibilidad magnética

portadora en cuenta, de acuerdo con  S  AF  S g 2  B2 / 4 . El efecto de las interacciones portador de
portadores está incluido en el parámetro de Fermi -líquido AF. Con la ampliación de la función de
Brillouin en potencias de M, el término principal suministra la expresión de campo medio para la
temperatura de transición en la forma de.
 xeff S S  1 j pd
2
AF  S TC 
TC   TAF (13)
12 N 0 k B

Como TC esperado es proporcional a la concentración y el giro de los iones magnéticos, a la

densidad de estados de los agujeros que median y (debido al proceso de intercambio doble) al
cuadrado de la constante de acoplamiento local. Por otra parte , al aumentar la interacción de
intercambio o la densidad de la banda de valencia de los estados de la validez de la teoría de campo
medio descompone el fuerte acoplamiento intercambio o la gran masa efectiva tienden a localizar los
agujeros de modo que no pueden iones Mn par situados en lugares diferentes sitios de celosía.
Además, las correlaciones electrón-electrón en densidades más altas conducen a interacciones que
varían rápidamente en el espacio y también actúan contra mayor temperatura de Curie (Figura 3),
[24].

Figura 3 - ( A) Alta densidad de portadora : Carrier (electrones o agujeros ) la interacción mediada

conduce a ferromagnetismo ( B ) Baja densidad de soporte : se forma la red de percolación ,
portadores saltar de un sitio a otro libremente , alineando momentos Mn dentro de la red de clústeres
.
Modelo Zener deja de lado las oscilaciones de Friedel , el efecto de la interacción spin - órbita . Más
tarde, el fenómeno de la portadora mediada por acoplamiento magnético en semiconductores
magnéticos Diluir se explica por Rudermann , Kittel , Kasuya y Yosida que también se conoce como
la teoría RKKY [25-26]. La teoría RKKY también toma las oscilaciones de la electrónica de spin-
polarización alrededor de los giros localizadas en cuenta, por lo tanto el acoplamiento efectivo
resultante J (r) es también una función oscilatoria de la distancia entre los iones magnéticos.
J r J pd sin 2k F r   2k F r cos2k F r  / 2k F r 
2 4
(14)

Donde kF es la longitud del vector de onda de Fermi. Esta interacción es el tipo de intercambio doble
debido a la presencia de la plaza del acoplamiento local de JPD.
3. EFECTO HALL ANÓMALO
En una muestra magnética de la resistividad fuera de la diagonal se escribe convencionalmente como
la suma de dos términos
H  R0 B  RS M (15)

El primer término es el efecto normal de Hall, que se debe a la fuerza de Lorentz de desviación, de
este modo lineal en B. Este término está directamente relacionado con la densidad de portadores de
carga. En un sistema ferromagnético un término adicional, el efecto Hall anómalo (AHE) aparece,
que se encuentra a menudo a ser simplemente proporcional a la magnetización. En el esquema de
dispersión, una relación tal que refleja la AHE es debido a la polarización de espín de los portadores
de carga. En el spin- SGD polarización surge del acoplamiento de intercambio entre los agujeros y
los iones Mn2+.

El origen microscópico de la AHE se oculta en el coeficiente de RS y es aún muy lejos de ser

explorado. Estudios anteriores se han centrado en la comprensión de los mecanismos extrínsecos
para AHE asumiendo una dispersión de impurezas spin- asimétrica de los portadores de espín
polarizado. Recientemente, muchos esfuerzos se han hecho para la comprensión de los mecanismos
intrínsecos de origen de la AHE en semiconductores magnéticos diluidos. [24, 27]

3.1. EFECTO EXTRÍNSECA HALL ANÓMALO