INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR ZACATECAS NORTE

TIPOS DE TIRISTORES
ALUMNO:
Fabian Orralde Martínez
Semestre: 9
Grupo: A
Carrera: IEM

Materia: Electrónica de potencia

Docente: M.I. Anuar Manuel Badillo Olvera

Río Grande, Zacatecas. Septiembre 2019

Un tiristor es uno de los tipos más importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los
tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos de potencia. Se operan como
conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas
aplicaciones se puede suponer que los tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque
los tiristores prácticos exhiben ciertas características y limitaciones.

Características de los tiristores:

Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn
tiene tres terminales: ánodo cátodo y compuerta. La fig. 1 muestra el símbolo del tiristor y una
sección recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusión.

Cuando el voltaje del ánodo se hace positivo con respecto al cátodo, las uniones J1 y J3
tienen polarización directa o positiva. La unión J2 tiene polarización inversa, y solo fluirá
una pequeña corriente de fuga del ánodo al cátodo. Se dice entonces que el tiristor está en
condición de bloqueo directo o en estado desactivado llamándose a la corriente fuga
corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje ánodo a cátodo VAK se incrementa a un valor lo
suficientemente grande la unión J2 polarizada inversamente entrará en ruptura. Esto se
conoce como ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura
directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen polarización directa, habrá un
movimiento libre de portadores a través de las tres uniones que provocará una gran
corriente directa del ánodo. Se dice entonces que el dispositivo está en estado de
conducción o activado.

TIRISTOR GTO
Un Tiristor GTO o simplemente GTO (del inglés Gate Turn-Off Thyristor) es un dispositivo
de electrónica de potencia que puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en
la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero en cambio puede ser apagado
al aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado
de encendido como el estado de apagado, son controlados por la corriente en la puerta (G).
El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las características de apagado son un poco
diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a través de las terminales puerta (G) y cátodo
(C o K), la corriente en la puerta (ig), crece. Cuando la corriente en la puerta (G) alcanza su
máximo valor, IGR, la corriente de ánodo comienza a caer y el voltaje a través del dispositivo
(VAK), comienza a crecer. El tiempo de caída de la corriente de ánodo (IA) es abrupta,
típicamente menor a 1 us. Después de esto, la corriente de ánodo varía lentamente y ésta
porción de la corriente de ánodo es conocido como corriente de cola.
La razón (IA/IGR) de la corriente de ánodo IA a la máxima corriente negativa en la puerta (IGR)
requerida para el voltaje es baja, comúnmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un voltaje de 2500
V y una corriente de 1000 A, un GTO normalmente requiere una corriente negativa de pico en
la puerta de 250 A para el apagado.

FUNCIONAMIENTO
La estructura del GTO es esencialmente la de un tiristor convencional. Existen 4 capas de silicio
(PNPN), 3 uniones (P-N, N-P y P-N) y tres terminales: ánodo (A), cátodo (C o K) y puerta (G).
La diferencia en la operación radica en que una señal negativa en la puerta (G) puede apagar
el GTO. Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista señal en la puerta, el dispositivo se
bloquea para cualquier polaridad en el ánodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con
un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es
alcanzado. En este punto existe un proceso dinámico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA
es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicación de un voltaje en
inversa, solo una pequeña corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarización en inversa VAK
puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje de ruptura inverso depende del
método de fabricación para la creación de una regeneración interna para facilitar el proceso de
apagado. Con un voltaje de polarización directo aplicado al ánodo y un pulso de corriente
positiva es aplicada a la puerta G (gate), el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para
ésta condición, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de ánodo
IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la acción
regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en
el gate, y este es el método más recomendable porque proporciona un mejor control. Como el
GTO tiene una conducción de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier
instante.

APLICACIONES
Se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc
-ac) a niveles de potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados.
A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutación rápida son preferibles. En la
conversión de AC - DC, los GTO's, son útiles porque las estrategias de conmutación que posee,
pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia.
En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo antiparalelo a través de un
SCR, con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a una carga inductiva, y
para mejorar el requisito de desactivación de un circuito de conmutación. El diodo fija el voltaje
de bloqueo inverso del SCR a 1 ó 2v por debajo de las condiciones de régimen permanente.
Sin embargo, bajo condiciones transitorias, el voltaje inverso puede elevarse hasta 30v debido
al voltaje inducido en la inductancia dispersa del circuito dentro del dispositivo.

TIRISTORES DE CONDUCCION INVERSA (RCT)

Un RCT es un intercambio entre características del dispositivo y requisitos del circuito; puede
considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado, tal y como se muestra en
la figura siguiente. Un RCT se conoce también como tiristor asimétrico (ASCR). El voltaje de
bloqueo directo varía de 400 a 2000v y la especificación de corriente llega hasta 500 A. El voltaje
de bloqueo inverso es típicamente 30 a 40v. Dado que para un dispositivo determinado está
preestablecida la relación entre la corriente directa a través de un tiristor y la corriente inversa
del diodo, sus aplicaciones se limitarán a diseños de circuitos específicos
APLICACIONES
En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo anti paralelo a través de un SCR,
con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a una carga inductiva, y para mejorar
el requisito de desactivación de un circuito de conmutación. El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso
del SCR a 1 ó 2v por debajo de las condiciones de régimen permanente. Sin embargo, bajo
condiciones transitorias, el voltaje inverso puede elevarse hasta 30v debido al voltaje inducido en la
inductancia dispersa del circuito dentro del dispositivo.

Tiristor de inducción estática (SITH)

Tiristor de inducción estática (SITH). Es un tipo de tiristor el cual tiene la posibilidad de activarse
con un voltaje positivo de compuerta y una de sus principales características es su
baja resistencia en estado activo.

FUNCIONAMIENTO
Por lo general, un SITH es activado al aplicarle un voltaje positivo de compuerta, como los tiristores
normales, y desactivado al aplicarle un voltaje negativo a su compuerta. Un SITH es un dispositivo
de portadores minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado activo
así como una baja caída de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje
y corriente más altas.

APLICACIONES
Por lo general, un SITH es activado al aplicársele un voltaje positivo de compuerta, como los tiristores
normales, y desactivado al aplicársele un voltaje negativo a su compuerta. Un SITH es un dispositivo
de portadores minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado activo,
así como una baja caída de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y corriente
más altas.
Un SITH tiene velocidades de conmutación muy rápidas y capacidades altas de dv/dt y di/dt. El
tiempo de conmutación es del orden de 1 a 6m s. La especificación de voltaje puede alcanzar hasta
2500v y la de corriente está limitada a 500 A. Este dispositivo es extremadamente sensible a su
proceso de fabricación, por lo que pequeñas variaciones en el proceso de manufactura pueden
producir cambios de importancia en sus características.

Rectificador controlado de silicio fotoactivo (LASCR).

Rectificador controlado de silicio fotoactivo (LASCR). Dispositivo semiconductor de cuatro capas
que opera esencialmente como el SCR normal, solamente que es activado por medio de energía
luminosa que incide sobre una de las junturas PN. Cuando la luz incidente es suficientemente
intensa, el LASCR se dispara y permanece en ese estado, aunque desaparezca esa luz.

FUNCIONAMIENTO
Este dispositivo se activa mediante radiación directa de luz sobre el disco de silicio. Los pares
electrón-hueco que se crean debido a la radiación producen la corriente de disparo bajo la influencia
de un campo eléctrico. La estructura de compuerta se diseña a fin de proporcionar la suficiente
sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prácticas (por ejemplo, LED y para cumplir
con altas capacidades de di/dt y dv/dt). En un circuito puede ser reconocido por la simbología que
muestra la figura I. Como se observa el mismo cuenta con tres terminales Puerta (G), Anodo (A),
Cátodo (K) y una ventana transparente por donde entra la luz.

APLICACIONES
Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente, por ejemplo, transmisión de cd de
alto voltaje (HVDC) y compensación de potencia reactiva estática o de volt-amperes reactivos (VAR).
Un LASCR ofrece total aislamiento eléctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de
conmutación de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos
cientos de kilovoltios.

Equipos en que se usa

 Alarmas antirrobo
 Detectores de presencia en puertas y ascensores
 Circuitos de control óptico en general
 Relevadores
 Control de fase
 Control de motores

TIRISTOR ABIERTO POR MOS(MTO)

Tiristor controlado por MOS (MCT). El MCT es otro dispositivo semiconductor de potencia
híbrido que combina los atributos del MOSFET y el tiristor. Recientemente se puso en
disponibilidad en el mercado y su aplicación fundamental es en la electrónica de potencia.

FUNCIONAMIENTO
Como se trata de una estructura NPNP, en vez de la estructura PNPN de un SCR normal, el ánodo
sirve como la terminal de referencia con respecto a la cual se aplican todas las señales de compuerta.
Supongamos que el MCT está en estado de bloqueo directo y se aplica un voltaje negativo VGA. Un
canal, p (o una capa de inversión) se forma en el material dopado n, haciendo que los huecos fluyan
lateralmente del emisor p E2 de Q2 (fuente S1 del MOSFET M1 del canal p) a través del canal p
hacia la base p B1 de Ql (que es drenaje D1 del MOSFET M1, del canal p). Este flujo de huecos
forma la corriente de base correspondiente al transistor npn Q1. A continuación e1 emisor n+ E1 de
Q1, inyecta electrones, que son recogidos en la base n B2 (y en el colector n C1) que hace que el
emisor p E2 inyecte huecos en la base n B2, de tal forma que se active el transistor PNP Q2 y
engancha al MCT. En breve, un VGA de compuerta negativa activa al MOSFET M1 canal p,
proporcionando así la corriente de base del transistor Q2.

APLICACIONES
Alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los circuitos de excitación. Es
posible ponerlo efectivamente en paralelo, para interrumpir corrientes altas, con sólo modestas
reducciones en la especificación de corriente del dispositivo. No se puede excitar fácilmente a partir
de un transformador de pulso, si se requiere de una polarización continua a fin de evitar ambigüedad
de estado.
Debido a que el tiempo de apagado del MCT es muy bajo (cerca de 1.5 ms) y que posee un elevado
di/dt (1000 A/ms) y dv/dt ( 5000 V/ms), éstas características superiores lo convierten en un dispositivo
de conmutación ideal y posee un tremendo potencial para aplicaciones en motores de media y
alta potencia, así como en distintas aplicaciones en la electrónica de potencia.

TIRISTOR ABIERTO DEL EMISOR (ETO)

Es un dispositivo hibrido de MOS y GTO. contiene dos compuertas una normal para
encenderla y una como MOSFET enserie para apagarlo

CARACTERISTICAS
Soporta hasta 4 KA
Soporta hasta 6 KV

FUNCIONAMIENTO
Con un pulso positivo de corriente a la compuerta de encendido, un pulso positivo de
voltaje al apagado del MOS
Con un pulso negativo de voltaje al apagado del MOS

APLICACIONES
Las aplicaciones de los tiristores se extienden desde la rectificación de corrientes alternas,
en lugar de los diodos convencionales hasta la realización de determinadas conmutaciones
de baja potencia en circuitos electrónicos, pasando por los onduladores o inversores que
transforman la corriente continua en alterna. La principal ventaja que presentan frente a los
diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada en conducción estará
controlada por la señal de puerta. De esta forma se podrá variar la tensión continua de
salida si se hace variar el momento del disparo ya que se obtendrán diferentes ángulos de
conducción del ciclo de la tensión o corriente alterna de entrada. Además, el tiristor se
bloqueará automáticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya que en este
momento empezará a recibir tensión inversa.

TIRISTOR CONMUTADO DE COMPUERTA INTEGRADA

(IGCT)
Un Tiristor Controlado por Puerta Integrada o simplemente Tiristor IGCT (del inglésIntegrated Gate-
Commutated Thyristor) es un dispositivo semiconductor empleado en electrónica de potencia para
conmutar corriente eléctrica en equipos industriales. Es la evolución del Tiristor GTO (del inglés Gate
Turn-Off). Al igual que el GTO, el IGCT es un interruptor controlable, permitiendo además de
activarlo, también desactivarlo desde el terminal de control Puerta o G (del inglés Gate). La
electrónica de control de la puerta está integrada en el propio tiristor.

FUNCIONAMIENTO
El dispositivo está compuesto IGCT de dos partes elementales, GCT tiristor estructura que se
coloca en un caso de disco similar a la GTO dispositivo y una unidad de puerta a la que la caja del
disco con TCG se adjunta lo más ajustado posible. los mismos viene el nombre de inglés de
este nuevo tipo de dispositivo que se deriva del hecho de que la unidad de la puerta es,
literalmente, integrado con el tiristor GCT. Es así porque la tasa de aumento de puerta de desvío
actual debe ser muy alto para la función a causa de la GCT y por lo tanto autoinducción (inductancia
espuria) de la puerta conducir la unidad como debe ser minimizado.

APLICACIONES
Se utilizan en los trolebuses producido por la empresa Škoda desde 2002. Tiristores IGCT también
son los principales componentes de la unidad de cercanías modernizada unidades dela serie 560,
operado por la compañía de ferrocarriles de CD (Ferrocarriles Checos).
DIAC
El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor doble de dos
conexiones. Es un diodo bidireccional autodisparable que conduce la corriente sólo tras haberse
superado su tensión de disparo alternativa, y mientras la corriente circulante no sea inferior al
valor triple de voltios característico para ese dispositivo. El comportamiento es variable para
ambas direcciones de la corriente. La mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo doble
variable de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lámpara de
neón.

FUNCIONAMIENTO
Los DIAC son una denominación de tiristor, y se usan normalmente para autocompletar el ritmo
variado del disparo de un triac, otra clase de tiristor.
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales al menos, ánodo 1 y ánodo 2. Actúa como
una llave semicircular interruptora bidireccional la cual se activa cuando el voltaje entre sus
terminales variables alcanza el voltaje de quema o accionado, dicho voltaje puede estar entre
20 y 36 volts según la potencia del proceso de fabricación.
Existen dos tipos de DIAC:

 DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexión de base y con las
regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado
hasta que se alcanza la tensión de avalancha en la unión del colector. Esto inyecta corriente
en la base que vuelve el transistor conductor, produciéndose un efecto regenerativo. Al ser
un dispositivo simétrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y
colector sus funciones.
 DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en antiparalelo, lo
que le da la característica bidireccional.

APLICACIONES
Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente del TRIAC, de
forma que solo se aplica tensión a la carga durante una fracción de ciclo de la alterna. Estos
sistemas se utilizan para el control de iluminación con intensidad variable, calefacción eléctrica con
regulación de temperatura y algunos controles de velocidad de motores.

La forma más simple de utilizar estos controles es empleando el circuito representado en la Figura
2, en que la resistencia variable R carga el condensador C hasta que se alcanza la tensión de
disparo del DIAC, produciéndose a través de él la descarga de C, cuya corriente alcanza la puerta
del TRIAC y le pone en conducción. Este mecanismo se produce una vez en el semi ciclo positivo y
otra en el negativo. El momento del disparo podrá ser ajustado con el valor de R variando como
consecuencia el tiempo de conducción del TRIAC y, por tanto, el valor de la tensión media aplicada
a la carga, obteniéndose un simple pero eficaz control de potencia.

TRIAC
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia de los
tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que éste es unidireccional y el TRIAC es
bidireccional. De forma coloquial podría decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar
la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían dos SCR en
direcciones opuestas. Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominación de ánodo
y cátodo) y puerta (gate). El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo de
gate/puerta.
 FUNCIONAMIENTO
La sensibilidad relativa depende de la estructura física de un triac particular, pero por regla general,
el cuadrante I es el más sensible (menor corriente de puerta requerida), y el cuadrante 4 es el menos
sensible (la mayoría de la corriente de puerta requerida).
En los cuadrantes 1 y 2, MT2 es positivo, y la corriente fluye de MT2 a MT1 a través de capas P, N,
P y N. La región N unida a MT2 no participa significativamente. En los cuadrantes 3 y 4, MT2 es
negativo, y la corriente fluye de MT1 a MT2, también a través de capas P, N, P y N. La región N
unida a MT2 está activa, pero la región N unida a MT1 sólo participa en el disparo inicial, pero no
contribuye al flujo inicial de corriente.
En la mayoría de las aplicaciones, la corriente de puerta proviene de MT2, por lo que los cuadrantes
1 y 3 son los únicos modos de funcionamiento (ambos puerta y MT2 positivos o negativos contra
MT1). Otras aplicaciones con disparador de polaridad única desde un circuito de excitación IC o
digital operan en los cuadrantes 2 y 3, de lo que MT1 se conecta normalmente a voltaje positivo (por
ejemplo, + 5V) y la compuerta se baja a 0V (masa).

APLICACIONES
 Su versatilidad lo hace ideal para el control de corriente alterna (C.A.).
 Una de ellas es su utilización como interruptor estático ofreciendo muchas ventajas sobre los
interruptores mecánicos convencionales y los relés.
 Funciona como interruptor electrónico y también a pila.