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Centro de Engenharia Elétrica e Informática

Unidade Acadêmica de Engenharia Elétrica

JALBERTH FERNANDES DE ARAUJO

PROFESSOR

GUIA 02 – TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO

Campina Grande, Paraíba

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SUMÁRIO
Sumário ........................................................................................................................................................ 2
1 Introdução ............................................................................................................................................ 3
2 Identificação dos Terminais do Transistor Bipolar .............................................................................. 3
2.1 Características do Encapsulamento ............................................................................................ 4
2.2 Características da Construção do Transistor .............................................................................. 5
2.3 Transistor Polarizado.................................................................................................................. 6
2.4 Experimento ............................................................................................................................... 6
3 Aplicações do Transistor...................................................................................................................... 6
3.1 Região de Corte .......................................................................................................................... 7
3.2 Região de Saturação ................................................................................................................... 7
3.3 Região Ativa ............................................................................................................................... 8
3.4 Experimento ............................................................................................................................... 8
3.5 Experimento ............................................................................................................................. 10
3.6 Experimento ............................................................................................................................. 11
3.7 Experimento 3.7 ....................................................................................................................... 12
4 O TBJ como Amplificador................................................................................................................. 13
4.1 Determinando o Ponto de Operação cc .................................................................................... 15
4.2 Análise para Operação ca ......................................................................................................... 17
4.3 Experimentos ............................................................................................................................ 18
Bibliografia ................................................................................................................................................ 19
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1 INTRODUÇÃO

O transistor bipolar consiste em duas junções PN construídas de um modo especial

e conectadas em série e em oposição. Ele é chamado de Transistor Bipolar de Junção
(TBJ) e a condução de corrente ocorre tanto por elétrons, quanto por lacunas, por isso o
termo bipolar.
O TBJ pode ser visto como um dispositivo em que a tensão (também corrente)
sobre dois terminais controla a corrente em um terceiro terminal. Este princípio pode ser
utilizado para construir amplificadores. Também é possível fazer variar a corrente entre
zero (corte) e um valor grande (saturação), podendo levar o transistor a trabalhar como
chave, que é a base dos circuitos digitais.
O TBJ possui três terminais, denominados base, emissor e coletor. Conforme
mencionado, o transistor consiste em duas junções PN, a junção Emissor-Base (JEB) e a
junção Coletor-Base (JBC). Para operar na Região Ativa (como amplificador), a JEB deve
estar diretamente polarizada e a JBC reversamente polarizada. Na Região de Saturação,
ambas as junções estão diretamente polarizadas. Na Região de Corte, as junções estão
reversamente polarizadas. As aplicações de chaveamento utilizam ambos os modos de
corte e saturação. Na Figura 1.1 é apresentada a simbologia utilizada para Transistores
Bipolares.

Figura 1.1. Simbologia do transistor bipolar.

2 IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DO

TRANSISTOR BIPOLAR
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O TBJ é um dispositivo muito usado como elemento ativo nos modernos circuitos
eletrônicos. Portanto, quem começa a trabalhar com transistores, verifica imediatamente
a grande variedade de marcas e procedências que implica na existência de uma infinidade
de tipos de encapsulamentos, função de diferentes tecnologias empregadas na sua
fabricação. Surge, então, a necessidade de um conhecimento geral dos códigos de
identificação de componentes bem como a definição de métodos rápidos e práticos para
a determinação dos três terminais encontrados em um transistor bipolar.
A identificação de terminais em um TBJ é efetuada por três métodos descritos a
seguir.

2.1 CARACTERÍSTICAS DO ENCAPSULAMENTO

Se os três terminais estiverem dispostos em linha, o do centro corresponde à base.

Frequentemente a base se localiza mais próxima do emissor que do coletor (ver Figura
2.1).

Figura 2.1. TBJ com terminais organizados em linha.

Em transistores de baixa frequência, com terminais em disposição triangular, pode-se

seguir a partir de um pequeno ressalto do encapsulamento ou do maior dos lados do triângulo
(hipotenusa), com a sequência Emissor, Base, Coletor no sentido horário (ver Figura 2.2).

Figura 2.2. TBJ organizado com os terminais organizados em triângulo.

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Os transistores podem ainda vir com um encapsulamento chanfrado, conforme

ilustrado na Figura 2.3. Neste caso, o terminal 1 corresponde ao coletor, o terminal 2 à
base e o terminal 3 ao emissor;

Figura 2.3. TBJ com encapsulamento chanfrado.

Em transistores de média e alta potência, o coletor deve estar conectado à carcaça

(quando se trata de encapsulamento metálico ou com metalização). Transistores com
coletor conectados à carcaça estão apresentados na Figura 2.4.

Figura 2.4. TBJ com coletor conectado à carcaça.

2.2 CARACTERÍSTICAS DA CONSTRUÇÃO DO TRANSISTOR

Para a determinação da base, calibra-se o ohmímetro na escala 100R, fixa-se um

cabo do ohmímetro em um dos terminais do transistor e o outro cabo consecutivamente
nos outros dois terminais e anota-se para cada caso se a resistência medida foi alta ou
baixa. Em seguida, inverte-se a polaridade e repete-se o mesmo procedimento. Fixando o
cabo nos outros terminais repete-se os procedimentos anteriores. No caso em que forem
obtidas duas leituras de baixas resistências aproximadamente iguais em uma polaridade
e duas leituras de resistências bastante elevadas em outra polaridade, o terminal fixado é
a base. Se o cabo fixado for o positivo o transistor é PNP, caso contrário, NPN. O
contrário acontece para multímetros digitais.
Para determinação do emissor e do coletor, sabe-se que a junção base-emissor
possui menor área comparada à junção base-coletor, logo a junção base-coletor apresenta
resistência menor do que base-emissor. Portanto, a identificação dos terminais depende
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apenas da determinação da junção que apresenta menor resistência, ou seja, a junção base-
coletor.

2.3 TRANSISTOR POLARIZADO

Os passos que devem ser seguidos estão apresentados a seguir:

 Identifica-se a base (calibre 100R) e o tipo de transistor (NPN ou PNP)
pelo método descrito na seção 2.2;
 Denomina-se os outros terminais de pontos 1 e 2;
 Coloca-se um resistor de valor situado entre 5k e 10k entre a base e
um dos terminais que se quer identificar;
 Com o ohmímetro, polariza-se 1 positivamente e 2 negativamente,
verificando e anotando o valor da resistência média;
 Inverte-se a polarização e novamente lê-se a resistência;
 Coloca-se o mesmo resistor entre a base e o terminal que ficou
desconectado e repete-se os dois primeiros itens;
 Para identificar o coletor e o emissor, observa-se na posição onde obteve-
se a menor resistência. Se o transistor é do tipo NPN o coletor se encontra
no ponto de polarização negativa sendo o outro terminal o emissor, caso
seja PNP, o coletor se encontra no ponto de polarização positiva. O
contrário acontece para multímetros digitais.

2.4 EXPERIMENTO

 Com os transistores em mãos, utilize o método da seção 2.2 para identificar

os terminais dos transistores;
 A partir do método, defina quais sãos os transistores NPN e PNP;
 Anote suas verificações e constatações.

3 APLICAÇÕES DO TRANSISTOR
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Existem duas aplicações básicas para a operação do TBJ: chave e amplificador.

A operação como chave é a forma mais simples de se usar um transistor,
significando que ele operará nas regiões de corte ou saturação. Quando o transistor está
na região de corte, é como se ele fosse uma chave aberta. Quando ele está na região de
saturação, é como se o transistor fosse uma chave fechada, conectando o coletor e
emissor. Baseado nas características da operação em corte ou saturação, pode-se construir
circuitos de controle, circuitos digitais, circuitos de amplificação, etc.
Para entender melhor a operação do TBJ nas diferentes regiões, uma explicação
mais detalhada sobre a operação nas regiões de corte, saturação e ativa estão apresentadas
a seguir.

3.1 REGIÃO DE CORTE

Considere o circuito da Figura 3.1. A condição de corte ocorre quando a corrente

no coletor passa a ser IC = 0 devido a junção BASE-EMISSOR (JBE ) e a junção BASE-
COLETOR (JBC ) estarem polarizadas reversamente (VBE ≤ 0 e VBC ≤ 0). Nesta condição
o dispositivo encontra-se no modo de corte, ou seja, IB = 0, IE = 0, IC = 0 e VC = VCC .

Figura 3.1. Circuito simples usado para ilustrar os modos diferentes de operação do TBJ.

3.2 REGIÃO DE SATURAÇÃO

A condição de saturação ocorre quando a corrente no coletor passa a ser IC < βIB
e as duas junções BASE-EMISSOR (JBE ) e BASE-COLETOR (JBC ) estão polarizadas
diretamente (VBE > 0 e VBC > 0). Consequentemente, se Vin for suficiente para forçar uma
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corrente no coletor maior do que o circuito do coletor é capaz de fornecer, pode-se dizer
Vcc
que o transistor estará na região de saturação e IB = IBSAT , IE = IESAT, IC = ICSAT = e VC
Rc
= VCESAT ≈ 0.

3.3 REGIÃO ATIVA

Na região ativa, a corrente de coletor vale IC = βIB , a junção BASE-EMISSOR

(JBE) encontra-se polarizada diretamente e a junção BASE-COLETOR (JBC) encontra-se
polarizada reversamente (VBE > 0 e VBC ≤ 0).

3.4 EXPERIMENTO

 A Tabela 3.1 foi construída a partir da Figura 3.2. A partir da Tabela 3.1,
plote no Matlab o gráfico IC x VCE;
 Com o gráfico, observe as regiões de operação do transistor: ativa e
saturação;
 Com os valores das tensões na base (VB), utilize a lei de Ohm para
determinar os valores da corrente na base (IB) do transistor;
 Com os valores das correntes no coletor (IC) e na base (IB), determine os
valores de  para cada ponto da curva IC x VCE;
 O que acontece com os valores de  à medida que VCE diminui?

 O valor de  (hFE) da região ativa está dentro da faixa de valores

especificada na folha de dados apresentada na Figura 3.4 (Observar hFE
Classification)?
 Qual o valor da potência dissipada pelo transistor, PD = IC VCE quando
VCE = 2,5 V? O valor da potência dissipada, danificaria o transistor?
(Justifique observado a Figura 3.3 – Absolute Maximum Ratings - PC)
 Utilize o cftool do Matlab para determinar o valor da tensão de Early, VA;
 Com o valor de VA, determine o valor de ro = VA/IC;
 Anote suas verificações e constatações.
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Tabela 3.1.
VB (V) VCE (V) IC (A)
0.65 5.00 2.99e-3
0.65 4.25 2.98e-3
0.65 3.93 2.97e-3
0.65 3.52 2.96e-3
0.65 3.32 2.95e-3
0.65 3.03 2.94e-3
0.65 2.5 2.92e-3
0.65 2.12 2.91e-3
0.65 1.96 2.9e-3
0.65 1.44 2.88e-3
0.65 0.95 2.85e-3
0.65 0.59 2.81e-3
0.65 0.26 2.55e-3
0.65 0.23 2.44e-3
0.65 0.17 2.13e-3
0.64 0.14 1.66e-3
0.63 0.1 0.99e-3
0.62 92.3e-3 0.77e-3
0.61 77.5e-3 0.5e-3
0.6 66.1e-3 0.34e-3
0.6 56.9e-3 0.24e-3

Figura 3.2.

Figura 3.3.
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Figura 3.4.

3.5 EXPERIMENTO

 Monte o circuito da Figura 3.5;

 Com Vin = 0 V, meça com o voltímetro as tensões na base, emissor e
coletor;
 Em qual região o TBJ está operando?
 Com Vin = 5 V, meça com um voltímetro as tensões na base, emissor e
coletor do transistor;
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 Em qual região o transistor está operando?

 Utilizando a lei de Ohm, determine os valores de IC e IB;
 Com os valores de IC e IB, determine o valor de  ;

 O valor de  que você encontrou é o mesmo do determinado na região

ativa do experimento anterior? Se sim, justifique! Se não, justifique!
 Qual a função lógica do circuito da Figura 3.5?
 Simule este experimento no Circuit Maker 2000;
 Anote suas verificações e suas constatações.

Figura 3.5.

3.6 EXPERIMENTO

 Monte os circuitos da Figura 3.6;

 Preencha a Tabela 1;
 Identifique a função lógica dos circuitos;
 Simule este experimento no Circuit Maker 2000;
 Anote suas verificações e constatações.
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Figura 3.6.

Tabela 1.
V1 (V) V2 (V) Vo (a) Vo (b)
0 0
0 5
5 0
5 5

3.7 EXPERIMENTO 3.7

 Monte o circuito da Figura 3.7;

 Feche o circuito colocando o seu dedo indicador da mão esquerda no
terminal A e o seu dedo indicador da mão direita no terminal B;
 Observe o que acontece com o circuito. Comente;
 Com o circuito fechado, meça as tensões nos terminais da base, coletor e
emissor do transistor
 Determine a região de operação que o transistor está operando;
 Meça a corrente no coletor;
 Meça a corrente na base;
 Qual o valor do parâmetro β?;
 Qual o valor representativo da sua resistência no circuito?
 Anote suas constatações e verificações.
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Figura 3.7.

4 O TBJ COMO AMPLIFICADOR

Os amplificadores representam uma classe de circuitos eletrônicos que utiliza uma

pequena quantidade de energia para controlar uma outra quantidade maior de energia. A
relação entre o sinal de saída e o sinal de entrada de um amplificador é denominada função
de transferência do amplificador, e a magnitude da função de transferência é denominada
de ganho.
O amplificador transistorizado possui inúmeras aplicações no campo da
Engenharia Elétrica, principalmente na área de Instrumentação Eletrônica, Controle e
Comunicações.
Uma vez que muitos sinais provenientes de sensores produzem potenciais com
níveis de tensão muito pequenos (µV a mV ), torna-se necessário amplificá-los para se obter
uma amplitude suficiente para que possam ser utilizados em diversas aplicações práticas.
O processo de adequação de um sinal ao nível desejado (no caso, amplificação)
para uma aplicação específica é chamado de condicionamento do sinal. O sinal,
normalmente advindo de um sensor (transdutor), é amplificado até o nível necessário para
a sua utilização em um processo de digitalização, gravação, excitação de um alto falante,
registro em um display gráfico ou, até mesmo, para acionamento de motores.
Amplificadores também são muito usados para amplificar sinais provenientes de
sensores fotoelétricos, microfones, antenas, sinais biomédicos, sensores de grandezas
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físicas não elétricas (transdutores) tais como pressão, temperatura e umidade, entre tantos
outros.
Sabendo das informações apresentadas, para operar como amplificador, o TBJ
deve ser polarizado na região ativa. A polarização deve ser previsível e insensível às
variações de temperatura, valores de  , etc. Essa exigência provém do fato de que a
operação do transistor como amplificador é altamente influenciada pelo valor quiescente
(ponto de operação) da corrente. Um circuito básico de um amplificador transistorizado
está apresentado na Figura 4.1.

Figura 4.1.

No circuito apresentado na Figura 4.1, o TBJ é polarizado a partir do circuito cc,

para operar na região ativa. O circuito cc é formado por VCC, RB1, RB2, RE e RC. O sinal
Vin (sinal ca) será amplificado na saída Vo. Para que o sinal amplificado não possua
distorções, o sinal Vin deve possuir uma pequena amplitude. No circuito, os capacitores
CB e Co são chamados de capacitores de acoplamento, e o capacitor CE é chamado de
capacitor de passagem.
Os capacitores CB e Co servem como filtros, que nas frequências de interesse se
tornam curto circuitos, e para níveis cc são circuitos abertos. O capacitor Co elimina os
níveis cc e garante a passagem apenas de níveis ca do sinal de saída (retirada do nível cc
do sinal). O capacitor CE é chamado de capacitor de passagem porque ele curto circuita o
emissor ao terra do ponto de vista ca e, consequentemente, a parcela da corrente de
emissor gerada pelo sinal de entrada passa através de CE em direção ao terra, não se
dirigindo à RE. Os valores das capacitâncias devem ser suficientemente elevados para que
sua reatância seja muito pequena e nas frequências de interesse possa ser desprezada.
A disponibilidade dos modelos de circuitos do TBJ para pequenos sinais faz da
análise dos circuitos amplificadores com transistores um processo sistemático. Primeiro,
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é determinado o ponto de operação cc, ou seja, correntes IC, IB, IE e as tensões VC, VB e
VE, e são calculados os parâmetros do modelo. Depois, são eliminadas as fontes cc, e o
TBJ é substituído por um modelo de circuito equivalente (modelo  -híbrido ou modelo
T) e o circuito resultante é analisado para determinar os valores desejados, por exemplo,
ganho de tensão, resistência de entrada, resistência de saída, etc. Os modelos de circuitos
equivalentes para o TBJ estão ilustrados na Figura 4.2.

(a) (b)

Figura 4.2. Modelos do TBJ para pequenos sinais: (a)  -híbrido e (b) T.

Para os modelos, valem as expressões (1), (2) e (3).

IC
gm  (1)
VT

VT 
r   (2)
I B gm

VT 
re   (3)
I e gm

4.1 DETERMINANDO O PONTO DE OPERAÇÃO CC

Para determinação do ponto de operação cc, primeiramente deve-se eliminar as

fontes de alimentação ca, mantendo apenas a alimentação cc. Para o amplificador
apresentado na Figura 4.1, tem-se o circuito equivalente ilustrado na Figura 4.3.
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Figura 4.3.

Deve ser notado que o circuito apresentado na Figura 4.3, pode ser representado
conforme seu circuito equivalente de Thévénin, apresentado na Figura 4.4.

Figura 4.4.

Tendo em vista o equivalente Thévenin, os valores para a resistência e a tensão de

Thévenin (Rth e Vth) podem ser calculados. De fato, a definição da resistência de Thévenin
é obtida ao se curto circuitar as fontes de alimentação cc. Neste caso, os resistores RB1 e
RB2 estarão em paralelo, e Rth pode ser calculada segundo a equação (4).
RB1  RB 2
Rth  (4)
RB1  RB 2
Para o cálculo da tensão de Thévenin (Vth), observa-se que a tensão na base do
TBJ nada mais é do que o resultado do divisor de tensão entre os resistores RB1 e RB2. A
partir da equação (5) pode-se determinar Vth.
RB1
Vth   Vcc (5)
RB1  RB 2
Com Rth e Vth, as correntes na base (IB), no coletor (IC) e no emissor (IE) podem
ser determinadas conforme apresentado nas expressões (6), (7) e (8).
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Vth  VBE
IB  (6)
Rth  (  1) RE

IC    I B (7)

I E  (  1)  I B (8)
Com os valores de IB, IC e IE, podem ser calculadas, pela lei de Ohm, as tensões
na base (VB), no coletor (VC) e no emissor (VE).

4.2 ANÁLISE PARA OPERAÇÃO CA

Para realizar a análise ca, as tensões cc devem ser colocadas no potencial de terra.
Ao fazer isso, o circuito da Figura 4.1, do ponto de vista ca, poderá ser representado
conforme apresentado na Figura 4.5. É importante observar que para representação ca do
circuito foi empregado o modelo  -híbrido para pequenos sinais, apresentado na Figura
4.2 (a).

Figura 4.5.

Na Figura 4.5, rb = r , VB = Vbe , VC = V0 e R0 é uma carga. A partir dos circuitos

para análise na operação em pequenos sinais, podem ser determinados (as): a resistência
de entrada, resistência de saída e o ganho, os quais estão apresentados nas expressões (9),
(10) e (11).
Rin  RB1 // RB 2 // rb (9)

Rout  Rc (10)

V0 Rc // R0 
 (11)
Vin re
rb
É importante salientar que re  .
 1
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Pode ser mostrado que as frequências de corte devido a cada um dos capacitores
são calculadas utilizando as expressões (12), (13) e (14).
1
fC B  (12)
2  Rin  CB
1
fC0 
2  Rc  R0   C0
(13)

1
fC E 
2  RE // re   CE
(14)

Também é importante salientar que a frequência de corte é a frequência em que

V0
ocorre .
2

4.3 EXPERIMENTOS

 Monte o circuito da Figura 4.6;

 Ajuste o gerador de sinais para gerar a forma de onda de tensão senoidal
indicada na figura;
 Observe no osciloscópio a forma de onda senoidal gerada;
 Utilizando as pontas de prova do osciloscópio, observe os sinais de entrada
e saída simultaneamente no osciloscópio;
 Usando o osciloscópio, meça os valores de pico (ou de pico a pico) das
formas de onda de tensão entrada e de saída;
V0
 Determine o ganho, , do amplificador;
Vi

 Observe a relação de fase entre o sinal de entrada e o sinal de saída;

 Aumente e diminua a intensidade do sinal de entrada e verifique o que
acontece com a forma de onda da tensão de saída. Comente sobre sua
verificação;
 Utilizando o osciloscópio e o gerador de funções, o que é preciso ser feito
para determinar a frequência de corte do circuito amplificador?
 Simule este experimento no Circuit Maler 2000;
 Coloque novamente no circuito uma frequência de 1 kHz. Substitua o
resistor de 3900 Ω por um resistor de 1 kΩ em série com um LDR (Resistor
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Dependente da Luz). Varie a distância da palma de sua mão no LDR.

Observe no osciloscópio o que acontece com a tensão no coletor. Comente;
 Anote suas verificações e constatações.

Figura 4.6.

BIBLIOGRAFIA

Sedra, A. e Smith, K. “Microeletrônica”. Pearson Prentice Hall. 5ª edição. 2007.

Razavi, B. “Fundamentos de Microeletrônica”. LTC. 1ª edição. 2010.
Boylestad, Robert e Nashelsky, Louis. “Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos”. Rio de
Janeiro: Prentice-Hall do Brasil Ltda., 2001.
Malvino, Albert P. “Eletrônica”. São Paulo: McGraw-Hill, 1995.