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1.

HISTORIA Y FUNDAMENTOS FISICOS DEL TRANSISTOR

Una vez que se acabó la segunda Guerra Mundial se inició en los Bell
Laboratories, en Estados Unidos, un programa de investigación básica
sobre teoría de sólidos. Uno de los resultados de este esfuerzo fue el
transistor. En esa época la teoría cuántica, es decir, la teoría física que
describe los fenómenos microscópicos ya estaba bien establecida.

La teoría cuántica había abierto la posibilidad de entender las


propiedades de los sólidos a partir de su estructura atómica. La dirección
de los laboratorios Bell esperaba que a través de un proyecto de
investigación interdisciplinaria se adquirieran suficientes conocimientos
acerca de los sólidos para diseñar y fabricar materiales que se utilizaran
en el desarrollo de nuevos y mejorados componentes y elementos para
sistemas de comunicaciones.

Se formó el grupo para investigar los semiconductores, que estuvo


integrado por los físicos Walter H. Brattain, William Schockley, John
Bardeen, Gerald Pearson y el físico-químico Robert Gibney. Tanto
Shockley como Barden habían estudiado a fondo la teoría cuántica
mientras que Brattain había llevado un curso de posgrado en la materia.

En 1945 formaron otros grupos de estudio de semiconductores para estar


al día en el campo. Se dieron cuenta de que durante la guerra se habían
logrado notables avances en la utilización de los semiconductores silicio y
germanio como detectores para el radar. Se había tenido que recurrir a
estos semiconductores porque en el radar se empleaban señales
eléctricas de muy alta frecuencia que los tubos al vacío, con todos los
adelantos logrados, no podían manejar adecuadamente. En la primera
parte del presente siglo ya se habían usado semiconductores (la galena,
por ejemplo) como detectores de ondas electromagnéticas antes del
invento del tubo al vacío. Durante la guerra varios laboratorios habían
logrado progresos en la comprensión del comportamiento de los
semiconductores, así como en la preparación de muestras de silicio y
germanio.

Las propiedades eléctricas de las sustancias dependen del grado de


libertad que tengan sus electrones. Para esto baste decir que los
electrones de los átomos están acomodados alrededor del núcleo en
capas, y en cada una hay un número máximo de electrones: dos en la
primera capa, ocho en la segunda, 18 en la tercera, etc. Los electrones de
un átomo van ocupando sucesivamente las capas, a partir de la interior,
hasta llegar a agotar los electrones. Entonces, si un átomo tiene,
digamos, ocho electrones (que corresponde al elemento oxígeno), dos
ocupan la primera capa y los seis restantes ocupan la segunda; por lo
tanto, en el oxígeno la última capa no queda completa. Se muestra un
diagrama esquemático de la estructura de capas de los primeros once
átomos de la tabla periódica. Así, el litio (Li) tiene solamente un electrón
en su capa externa; el boro (B) tiene tres; el carbón, cuatro; el neón, ocho,
o sea que queda completa. Con base a estos hechos se construye la
tabla periódica de los elementos. En el siglo pasado el ruso Dimitri
Mendeléev ideó esta tabla en forma empírica, y que sólo pudo ser
explicada con fundamento una vez que se aplicó la mecánica cuántica a
la estructura atómica en el presente siglo.

Estructura de las capas electrónicas de algunos átomos.


Los electrones que están en capas completas quedan fuertemente
atrapados al átomo, mientras que la atracción es débil para los electrones
de la última capa, si ésta no está completa; así, mientras menos
electrones haya en la última capa, menor será la fuerza con la que
queden atrapados. Por lo tanto, en aquellos elementos con un solo
electrón en su última capa, como éste está muy débilmente unido al
átomo podrá separarse de él con mucha facilidad, y así este electrón
quedará disponible para que el elemento conduzca muy bien electricidad.
Átomos con un solo electrón en su capa externa son el sodio, el cobre, la
plata, el oro, etc., elementos que son buenos conductores de electricidad.

Los átomos que tienen capas externas llenas de electrones ejercen una
fuerte atracción sobre ellos y por tanto no son buenos conductores de
electricidad. Para que sirvieran a este propósito se requerirían fuerzas
muy elevadas sobre los electrones externos, que implicaría aplicar
voltajes muy altos a la sustancia. Los elementos que tienen sus capas
externas completas son el helio, el neón, el argón, etc., llamados gases
nobles.

Los átomos y moléculas son entes que tienen niveles de energía bien
definidos para cada uno de ellos. El estado que tiene el valor más bajo de
la energía se llama base, mientras que los estados con valores mayores
de la energía se llaman excitados. A la secuencia de niveles mostrada en
la figura se le llama el espectro de energía del átomo en cuestión.
Distintos átomos tienen diferentes espectros de energía. En cualquier
instante el átomo solamente puede tener una de las energías de sus
niveles, es decir, el átomo no puede poseer una energía que tenga un
valor que se encuentre entre dos valores de sus niveles. Se dice que la
energía está cuantizada. Si el átomo experimenta determinado proceso es
posible que cambie su energía, por ejemplo, a causa de una colisión con
otro átomo, de una descarga eléctrica, de calentamiento, etc. En este
caso, el átomo puede pasar del nivel de energía en que se encuentra a
otro nivel, por ejemplo pasar del estado base al primer estado excitado, o
al segundo, etc., pero solamente puede empezar y terminar en él alguno
de sus niveles permitidos. Esto significa que en las transiciones del
átomo, los cambios de energía que puede experimentar son iguales a las
separaciones (∆ E)1, (∆ E)2 etc., que corresponden a las diferencias de
las energías entre cualquier pareja de sus niveles. Así, se dice que hay
una transición entre los niveles involucrados. Por otro tipo de motivos que
no vienen al caso, puede ocurrir que alguna de estas transiciones esté
prohibida.

Espectro de energía de un átomo.

Si la transición es de un nivel bajo a otro superior, se dice que el átomo


absorbe energía (igual a la diferencia entre los valores de las energías de
dichos niveles); mientras que si pasa de un nivel alto a otro más bajo, se
dice que el átomo emite energía (igual a la diferencia entre los valores de
las energías de dichos niveles). Lo anterior significa que un átomo
solamente puede absorber o emitir energía en cantidades perfectamente
determinadas, que son iguales a los valores de las diferencias de las
energías entre las parejas de niveles cuyas transiciones sean permitidas.

Hasta este momento hemos hablado solamente de átomos aislados, que


no experimentan ninguna fuerza. Sin embargo, cuando los átomos forman
un sólido ocurren fenómenos colectivos entre ellos puesto que sus
densidades son muy altas, lo que significa que están muy juntos, por lo
que las fuerzas que ejercen unos sobre otros son de gran consideración;
como consecuencia, los niveles de energía de los electrones se modifican
considerablemente. Ahora, en lugar de tener un conjunto de valores bien
precisos, se forman intervalos de energías permitidas separados por
valores de energía que son prohibidos. En la siguiente figura se muestra
un diagrama de la energía de un sólido hipotético. En este caso, los
electrones pueden tener energías entre los valores E1 y E2, entre E3 y E4
etc. Sin embargo, no pueden tener energías entre E2 y E3. Al dominio de
energías que sí pueden ser adquiridas se les llama bandas permitidas y al
dominio en que no pueden tenerlas se les llama bandas prohibidas. Se
dice que los sólidos tienen una estructura de bandas. Ahora bien, los
electrones que tienen los átomos de un sólido van ocupando las bandas
permitidas de abajo hacia arriba consecutivamente, de manera análoga a
como lo hacen en átomos aislados. Una vez que se ocupa una banda, los
electrones restantes, si es que los hay, empiezan a ocupar la siguiente
banda permitida.
En un sólido, el espectro de energía forma bandas tanto permitidas como
prohibidas.

Hay varias posibilidades, una de ellas es que los átomos de una sustancia
vayan llenando las capas permitidas y que todavía queden electrones que
al empezar a ocupar la última banda permitida no la llenen
completamente. Los electrones que estén en la última banda incompleta
podrán desprenderse de los átomos con mucha facilidad, por tanto,
podrán conducir muy bien electricidad y la sustancia es, en consecuencia,
un buen conductor de electricidad.

A las bandas que se ocupan completamente se les llama bandas de


valencia y a las que se ocupan parcialmente se les llama de conducción.

Otra posibilidad es que los electrones de un sólido llenen completamente


las bandas permitidas y al completar la última ya no haya más electrones
disponibles. Por la tanto la siguiente banda permitida, que sería de
conducción, queda vacía. Pueden ahora darse dos casos.
1) En el primero, la separación de ∆ E entre la última banda de valencia
(completa) y la de conducción (vacía) es muy grande. En este caso, para
que un electrón que está en la parte superior de la banda de valencia
pueda pasar a la de conducción tiene que adquirir por lo menos la energía
∆ E, que en general es muy difícil de dar externamente. Hay varias
maneras de proporcionar esta energía: por medio de un voltaje, que en
nuestro caso sería extremadamente alto, o bien, aumentando la
temperatura del sólido, que también tendría que ser un aumento
desproporcionado. En consecuencia, los electrones quedan bien unidos a
los átomos y no pueden dar lugar a una corriente eléctrica. Este es el
caso de un aislador.

2) El segundo caso es cuando la separación entre la última banda de


valencia (completa) y la de conducción (vacía) es muy pequeña. Si la
temperatura es relativamente baja no hay electrones en la banda de
conducción y por consiguiente la sustancia se comporta como un aislador.
Sin embargo, con una energía muy pequeña que se le proporcione, por
ejemplo, con un pequeño voltaje o bien con un ligero aumento de
temperatura, varios electrones pasarán a la banda de conducción sin
llenarla, y por tanto, la sustancia se comportará como un conductor. A
este tipo de sólidos se les llama semiconductores. En su fase sólida el
germanio y el silicio son ejemplos de semiconductores.

Otra forma de explicar lo anterior es la siguiente: los semiconductores


están constituidos por átomos que tienen cuatro electrones en su última
capa. Cuando forman un sólido cada electrón es compartido por dos
átomos vecinos. Se puede decir que el electrón de un átomo se mueve
hacia el hueco que hay en la última capa (que no está llena) del átomo
vecino. A este tipo de comportamiento se le llama ligadura covalente. Por
tanto, en esta sustancia no hay electrones disponibles para conducir
electricidad. En esta situación la banda de conducción del sólido está
vacía. Si se le aumenta un poco la temperatura al semiconductor, algunos
de los electrones se escaparán y ya no formarán la ligadura covalente;
estos electrones pasaron a la banda de conducción y están disponibles
para conducir electricidad.

La última capa de un semiconductor (en este caso germanio, Ge) tiene


cuatro electrones, que son compartidos con el átomo vecino. Esto es la
covalencia. Los circulos negros denotran electrones.

Supongamos ahora que en el semiconductor se sustituye tino de los


átomos por otro que tenga cinco electrones de valencia, por ejemplo un
átomo de fósforo, en este caso, cuatro de los electrones de su capa
exterior se ocuparán de formar ligaduras covalentes con los átomos de
germanio vecinos, mientras que el quinto electrón, por decirlo así, queda
libre. Este puede servir para conducir electricidad. En consecuencia, se
puede mejorar la capacidad de conducir electricidad de un semiconductor
introduciéndole impurezas o, como se dice en la jerga de los
especialistas, "dopándolo" (del inglés dope). A un semiconductor así
dopado se le llama N.
Una impureza de fósforo (P) permite que haya un electrón libre, que sirve
para conducir la electricidad.

Otra posibilidad sería reemplazar uno de los átomos del semiconductor


por otro que tenga solamente tres electrones en su capa externa, como
por ejemplo, el boro. En este caso, los tres electrones del boro sirven de
ligaduras con átomos vecinos, quedando la cuarta de las ligaduras vacía.

Ahora uno de los electrones de un átomo vecino forma la ligadura faltante,


pero al hacerlo deja un hueco en el átomo que ocupaba originalmente. En
seguida, un electrón de otro átomo pasa a ocupar el lugar faltante,
dejando a su vez un hueco y así sucesivamente. Nos damos cuenta de
que el hueco o agujero se ha ido propagando. Estos agujeros tienen la
misma masa que el electrón, pero debido a que efectivamente es una
ausencia de electrón, o sea de carga negativa, el agujero tiene carga
efectiva positiva. Por tanto, este semiconductor con impurezas de boro da
lugar a una corriente eléctrica de agujeros positivos que tiene sentido
opuesto a la de una corriente de electrones. Los agujeros se comportan
como si fueran partículas. A este tipo de semiconductor se le llama P. Lo
que ocurre es algo similar a cuando se tiene una hilera de monedas con
una faltante. Cuando cada moneda se mueve para ocupar el espacio
vacío, el agujero se mueve a lo largo de la hilera en sentido opuesto a las
monedas.

Una impureza de boro (B) da lugar a un déficit de un electrón, que


equivale a un agujero positivo.

Al moverse las monedas hacia la izquierda, el agujero se mueve a la


derecha.

En cualquiera de los dos casos, la conductividad eléctrica del


semiconductor se aumenta sustancialmente si se le añaden impurezas de
cualquiera de los dos tipos en partes por millón. Una consecuencia
importante es que en semiconductores con impurezas el número de
electrones que conducen electricidad puede ser controlado.

Juntemos dos bloques, uno de semiconductor P y otro N. La magnitud de


la corriente eléctrica que fluya depende del sentido del voltaje aplicado. Si
el bloque P se conecta a la terminal positiva de una batería y el N a la
terminal negativa, entonces ocurre lo siguiente: como en el bloque P hay
agujeros positivos, éstos son repelidos hacia el bloque N y atraídos hacia
la terminal negativa B; por tanto, hay una corriente de agujeros de A a B,
es decir, a través del dispositivo y llegan a la batería. Por otro lado, en el
bloque N hay electrones negativos que son repelidos por B y atraídos por
A; en consecuencia, los electrones fluyen de B a A cruzando el dispositivo
y llegando a la batería. En resumen, hay una doble corriente eléctrica: de
electrones negativos de B a A y de agujeros positivos de A a B. Estas
corrientes son, en general, apreciables.

Un bloque N y otro P unidos permiten el paso de corriente eléctrica si


están conectados a la batería como se muestra.

Veamos ahora qué ocurre si se conectan los bloques de manera opuesta.


En este caso, los agujeros de P son atraídos hacia A y repelidos por B,
con el resultado de que no cruzan el dispositivo. Por otro lado, los
electrones de N son atraídos por B y repelidos por A, lo que ocasiona que
tampoco crucen el dispositivo. En consecuencia, no hay corriente a través
del dispositivo y el circuito está, de hecho, abierto.

En resumen, en el dispositivo mostrado en la figura anterior solamente


circula electricidad cuando la polaridad de la batería es la que se muestra
en la figura, mientras que si se invierte la polaridad, no hay corriente. Se
puede también pensar que este fenómeno ocurre debido a que la
resistencia del dispositivo no es la misma cuando la corriente circula en
un sentido que cuando circula en el opuesto. En un sentido la resistencia
es muy pequeña y por tanto es fácil que circule electricidad, mientras que
en el sentido opuesto la resistencia crece enormemente impidiendo la
corriente eléctrica. De esta forma se consigue un dispositivo que funciona
de manera similar al diodo construido con un tubo al vacío y recibe el
nombre de diodo semiconductor; debido a sus propiedades descritas se
utiliza como rectificador de corriente.

Supóngase ahora que construimos otro dispositivo que consiste en dos


bloques semiconductores tipo N y uno extremadamente delgado de tipo
P; el bloque P, llamado base (denotado por B), queda entre los dos N. Si
ahora se conecta uno de los bloques N, llamado emisor (denotado por E),
a la terminal negativa de una batería, y el otro bloque N, llamado colector
(denotado por C), a la positiva, entonces los electrones del emisor son
repelidos por A y atraídos por D, por lo que cruzan la base y llegan al
colector, dando lugar a que haya una corriente en el circuito a través de la
batería (y si hubiera una carga como una resistencia, la corriente la
atravesaría). La magnitud de la corriente que llegue a circular depende de
varios factores. uno de ellos es el voltaje de la batería; mientras mayor
sea éste, mayor será la corriente. Otro de los factores es la polaridad de
la base. Si la base es positiva, los electrones que vienen del emisor serán
atraídos por la base y se acelerarán, por lo cual habrá mayor corriente a
través del dispositivo. Si por otro lado la base es negativa, entonces cierto
número de electrones que vienen del emisor serán rechazados y se
regresarán, disminuyendo la corriente neta; en el caso extremo en que la
polaridad de la base, siendo negativa, tenga una magnitud muy grande,
rechaza todos los electrones y prácticamente no hay corriente. Así, la
polaridad de la base controla y modifica la corriente que circula a través
del dispositivo. Asimismo, la corriente puede intensificarse, dependiendo
del voltaje de la batería. En consecuencia, este dispositivo amplifica la
señal que muestre la base. Pero este comportamiento es precisamente el
que tiene el triodo construido con un tubo al vacío.

El cátodo equivale al emisor,


El ánodo equivale al colector,
La rejilla equivale a la base.
El dispositivo descrito se llama triodo NPN.

Esquema de un triodo semiconductor NPN.

También se puede construir un dispositivo en que un bloque N muy


delgado queda entre dos bloques P, llamado triodo NPN. Su
funcionamiento es completamente similar al triodo NPN, solamente que
las polaridades quedan invertidas.
A los dispositivos que se construyen con combinaciones de bloques
formados de semiconductores N y P se les llama genéricamente
transistores.

Durante 1945 a 1949 el grupo de la compañía Bell desarrolló la teoría de


los transistores, la verificó experimentalmente y construyó diodos y
triodos. En el año de 1956 Bardeen, Shockley y Brattain recibieron el
Premio Nobel de Física por el brillante trabajo que desembocó en la
invención del transistor. Hemos de mencionar que Bardeen recibió en
1972 nuevamente el Premio Nobel de Física, ahora en compañía de J. R.
Schrieffer y L. N. Cooper, por haber desarrollado la teoría de la
superconductividad.

VENTAJAS DEL TRANSISTOR

Los transistores tienen varias ventajas sobre los tubos al vacío. En primer
lugar, para que funcione un tubo al vacío su cátodo debe calentarse, y
esto se logra pasando una corriente cercana a él. El voltaje típico que se
requiere para lograr esto es de 250 V. Una vez conectado este voltaje se
necesita esperar determinado tiempo hasta que se caliente el cátodo. Por
tanto, cualquier aparato que use tubos al vacío no funciona
inmediatamente después de haberse conectado. El transistor no requiere
este calentamiento, por lo que empieza a funcionar inmediatamente
después de su conexión. En consecuencia, el uso de un transistor en
lugar de tubos al vacío ahorra mucha energía, y por tanto, resulta más
económico.

En segundo lugar, la respuesta del transistor a señales de frecuencias


muy altas es muy efectiva, lo cual no ocurre con los tubos al vacío.
Como el tamaño de un transistor es mucho menor que el de los tubos al
vacío, con él se inició la miniaturización de los aparatos electrónicos.

El invento del transistor abrió una nueva era en la civilización moderna, ya


que se le pudo utilizar de manera muy general en una gran variedad de
aparatos. En las décadas de 1950 y 1960 se construyeron radios,
computadoras electrónicas, aparatos de control industrial, etc., que
gracias a los transistores fueron de tamaños relativamente pequeños,
portátiles, con requerimientos de energía muy reducidos y de larga vida.

En gran medida, en las décadas mencionadas los transistores


sustituyeron a los tubos al vacío. Sin embargo, para ciertas aplicaciones
muy específicas los tubos han tenido ventajas sobre los transistores. Así,
se emplean para transmisores de radio de potencia alta y mediana, para
amplificadores de microondas y osciladores, para tubos de rayos
catódicos como los que se usan en las televisiones, monitores, pantallas
de diversos aparatos, etcétera.
2. FUNCIONAMIENTO BASICO DEL TRANSISTOR

En resumen, los transitores son dispositivos electrónicos de estado sólido,


cuando sobre un semiconductor se ponian dos puntas metalicas y a una
se le aplicaba una cierta tension, la corriente en la otra venia influenciada
por la de la primera; a la primera punta se la denomina emisor; al
semiconductor , base y a la otra punta, colector. Posteriormente se
encontro que igual fenomeno ocurria si se unian dos semiconductores
polarizados en sentido inverso a otro de distinto tipo; asi se construyen los
transistores de union, que son los mas empleados. Segun la estructura de
sus uniones, los transitores pueden se p-n-p o n-p-n; sustituyen con
ventajas a los triodos de vacio y valvulas termoionicas multielectrodicas,
al menos en lo que a bajas potencias se refiere.

El transistor cobra su importancia al ser un componente capaz de cambiar


de estado, permitiendole cambiar o amplificar de acuerdo a las
condiciones de trabajo y diseño, fluctuando entre un estado conductor y
uno insulador.

Insulación

La grafica muesta al transitor en su efecto de cambio cuando el transistor


esta hecho para alterar su estado de inicio de conductividad (prendido, la
corriente al maximo) a su condicion final de insulacion (apagado y sin flujo
de corriente). La corriente fluye desde el emisor (punto E) al colector
(punto C). Cuando un voltaje negativo se le aplica a la base (punto B),
electrones en la region base son empujados (como dos cargas que se
repelan, en este caso dos negativas) creando la insulacion. La corriente
que fluia desde el punto E al punto C se detiene.

Conductividad

La grafica muestra el efecto del transistor cuando pasa de su estado de


insulación (apagado y sin flujo de corriente) a su estado final de
conductividad (prendido, la corriente al maximo). El transistor trabaja al
principio como un insulador. Para que pueda tener conductividad, voltaje
positivo tiene que ser aplicado a la base (punto B). Como las cargas
positivas se atraen (en este caso, positivo y negativo), los electrones se
halados fuera de los limites y deja que siga el flujo de corriente como lo
muestra la figura. El transistor se cambio de insulador a conductor.
El transistor se puede conmutar en corte y conducción variando la
polarización en el electrodo de base con respecto al potencial de emisor.
Ajustando la polarización a un punto situado aproximadamente a mitad
de camino entre el corte y la saturación se situará el punto de trabajo
del transistor en la región activa de funcionamiento.Cuando funciona en
esta región el transistor es capaz de amplificar. Las características de
un transistor polarizado en la región activa se pueden expresar en
términos de tensiones de electrodo y de corrientes lo mismo que en los
tubos de vacío.

El comportamiento del transistor se puede analizar en términos


matemáticos por medio de ecuaciones que expresan las relaciones entre
sus corrientes, tensiones, resistencias y reactancias. Estas relaciones se
denominan parámetros híbridos y definen los valores instantáneos de
tensión y de corriente que existen en el circuito sometido a examen. Los
parámetros permiten predecir el comportamiento del circuito en
particular sin construirlo realmente.

A continuación se enumeran algunos de los parámetros más útiles en las


aplicaciones del transistor:

- Ganancia de resistencia: Se expresa como razón de la resistencia


de salida a la resistencia de entrada.La resistencia de entrada de
un transistor típico es baja, aproximadamente 500 ohmios,
mientras la resistencia de salida es relativamente alta,
ordinariamente más de 20.000 ohmios.Para un transistor de unión
la ganancia de resistencia suele ser mayor de 50.

- Ganancia de tensión: Es el producto de alfa y la ganancia de


resistencia.Un transistor de unión que tiene un valor de alfa
menor que la unidad, no obstante, una ganancia de resistencia del
orden de 2.000 a causa de que su resistencia de salida es
extremadamente alta, y la ganancia de tensión es
aproximadamente 1.800.

- Ganancia de potencia: Es el producto de alfa elevado al cuadrado


y la ganancia de resistencia, y es del orden de 400 o 500.

Hay tres configuraciones básicas: conexión de base a masa, conexión de


emisor a masa y conexión de colector a masa. Las tres corresponden,
aproximadamente, a los circuitos de rejilla a masa, cátodo a masa y
placa a masa en la terminología del tubo de vacío.

El circuito de base a masa tiene baja impedancia de entrada y alta


impedancia de salida, y desde el circuito de entrada hasta el de salida
no se produce inversión de fase de la señal. El circuito de emisor a masa
tiene una impedancia de entrada más alta y una impedancia de salida
más baja que el circuito de base a masa, y se produce una inversión de
fase entre la señal de entrada y la de salida. Esto proporciona
ordinariamente la máxima ganancia de tensión en un transistor.El circuito
de colector a masa tiene impedancia de entrada relativamente alta,
impedancia de salida baja y no produce inversión de fase de la señal
desde el circuito de entrada hasta el de salida. La ganancia de potencia y
la ganancia de tensión son ambas bajas.
3. NOMENCLATURA DE LOS TRANSISTORES

Los transistores generalmente se dividen en grupos de producción


clasificados como " entretenimiento ", " industrial " y " militar ". Las dos
últimas clasificaciones suelen requerir varios ensayos e implica
tolerancias más estrechas y una documentación de calidad, mientras que
los transistores procedentes de la misma línea de producción que tienen
una especificación menos rigurosa se incluyen a menudo en la categoría
primera, más económica. Los tipos de semiconductores se numeran de
acuerdo con varios sistemas. El estándard más antiguo es el sistema
JEDEC. El primer número de este identificador indica el número de
uniones ( 1=diodo, 2= triodo, 3=tetrodo y 4=heptodo ). La letra N denota
semiconductor, y va seguido de un número de orden por el cual se ha
registrado el dispositivo.

Los fabricantes europeos emplean una nomenclatura o identificación


consistente en número de tipo que se compone de dos o tres letras
seguidas de dos o tres números, indicando las letras el tipo del transistor
y el uso, y los números indican el número de orden en la clasificación
particular. Los transistores japoneses suelen estar indentificados por el
código 2S, seguido de una letra identificadora y un número de
orden.Además de estos códigos generalmente reconocidos, se han
adoptado muchos otros códigos por fabricantes individuales, y también
están en uso.
4. TRANSISTORES DE POTENCIA Y DISTINTOS TIPOS DE
TRANSISTORES.

Mientras los circuitos integrados se usan para aplicaciones de pequeñas


señales y baja potencia, la mayoría de las aplicaciones de alta potencia
todavía requieren transistores de potencia discretos. Las mejoras en las
técnicas de producción han proporcionado potencias más altas en
encapsulados de tamaño pequeño; también han aumentado el voltaje de
ruptura máximo de transistor y han proporcionado transistores de potencia
con una velocidad de conmutación mayor.

La potencia máxima manejada por un dispositivo particular y la


temperatura de las uniones del transistor están relacionadas, debido a
que la potencia disipada por el dispositivo causa un incremento de
temperatura en la unión del dispositivo. Es obvio que un transistor de
100W proporcionará más capacidad de potencia que un transistor de
10W.

Se debe hacer notar que de los dos tipos de transistores bipolares


(germanio y silicio), aquellos de silicio proporcionan temperaturas
nominales máximas. Por lo general, la temperatura máxima de unión de
estos tipos de transistores de potencia es:

Silicio: 150-200°C
Germanio: 100-110°C

Para muchas aplicaciones, la potencia promedio disipada puede


aproximarse mediante:

PD = VCEIC
Sin embargo, esta disipación de potencia se permite solamente hasta una
temperatura máxima.

Por arriba de esta temperatura se debe reducir la capacidad de disipación


de potencia del dispositivo (o pérdida de disipación) para que a
temperaturas superiores del encapsulado se reduzca la capacidad de
manejo de potencia, llegando a 0W a la temperatura máxima del
encapsulado del dispositivo.

Entre mayor sea la potencia manejada por el transistor, mayor será la


temperatura del encapsulado. En la actualidad, el factor limitante en el
manejo de potencia por un transistor particular es la temperatura de la
unión del colector del dispositivo. Los transistores de potencia están
montados en encapsulados metálicos grandes para ofrecer un área
grande a partir de la cual pueda radiar (transferirse) el calor generado por
el dispositivo. Aun así, la operación de un transistor directamente en el
aire (montado en una tarjeta de plástico, por ejemplo) limita severamente
la potencia nominal del dispositivo. Si en vez de ello (como es lo usual) se
monta el dispositivo en algún tipo de disipador de calor, su capacidad de
manejo de potencia puede acercarse más al valor de su potencia nominal
máxima.

Curva de pérdida de disipación de


potencia típica para os transistores de
silicio.
El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico
al de los transistores normales, teniendo como características especiales
las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las
altas potencias a disipar.

4.1. TIPOS DE TRANSISTORES

Existen tres tipos de transistores de potencia:

- Bipolar.
- Unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
- IGBT o Transistores Bipolares de compuerta aislada.

4.1. 1. Transistores Bipolares:

Los transistores Bipolares son dispositivos controlados por corriente,


estos se forman por una capa de material tipo P emparedada entre dos
capas de material tipo N, o una de tipo N emparedada entre dos de tipo P.
En el primer caso se tiene un transistor NPN y en el segundo un transistor
PNP.

La region central se denomina base (B) y los dos extremos emisor (E) y
colector (C), la base es sumamente estrecha y poco dopada en relación
con el emisor y colector, por lo que tiene muy baja concentración de
portadores.

El emisor esta fuertemente dopado, y la concentracion de portadores


mayoritarios disponibles supera ampliamente los de la base, mientras que
el colector es bastante amplio y dotado con una alta concentración de
portadores minoritarios en relación a la base y pocos mayoritarios
respecto al emisor. En el caso de un NPN, la base no posee la suficiente
cantidad de huecos para combinarse con todos los electrones que puede
suministrar el emisor, por lo que la mayoria de electrones atraviezan la
base en direccion al colector.

A continuación se muestra en la grafica las representaciones tipicas de


transistores bipolares tipo NPN y PNP (izquierda), La estructura de capas
de una configuración NPN (medio), Como se distribuyen las terminales en
un transistor bipolar (derecha), el circuito equivalente resultante (abajo
izquierda) y la curva caracteristica de estos transistores de Corriente del
colector contra voltaje

Debido a como se alternan las capas P y N, existen 2 uniones PN


(emisor-base EB y colector-base CB) y estas deben polarizarse de modo
que se polarize la union EB directamente y CB inversamente, en este
caso, la polarización de la unión EB la provee el voltaje Vbb y la de la
union CB el voltaje Vcc. Por esto, en un transistor NPN la base debe ser
positiva con respecto al emisor ynegativa con el colector. Analogamente,
en un transistor PNP la base debe ser negativa respecto al emisor y
positiva para el colector.

Como resultado de la polarización se producen 3 corrientes: la de base


(Ib), la del emisor (Ie) y la del colector (Ic). Debido a que la unión BE esta
polarizada directamente, los portadores mayoritarios de ambas regiones
son obligados por el voltaje Vbb a cruzar la unión y combinarse
mutuamente. En el caso de un transistor NPN, una parte de los
electrones suministrados por el emisor (del 1% al 5%) se combinan con
los pocos huecos disponibles en la base, esto origina una corriente de
base (Ib) relativamente pequeña.
Los electrones restantes (95% al 99%) son atraidos hacia el colector por
la fuerte tensión inversa de polarización Vcc de la unión CB, pasan a
rtaves de la extensa región del colector y se dirigen hacia el polo positivo
de la bateria Vcc, creando una corriente Ic muy intensa. Las corrientes de
colector Ic y de base Ib estan relacionadas con la corriente del emisor de
acuerdo a:

Ie = Ib + Ic

La capacidad de amplificación de un transistor se mide observando el


efecto de la corriente de base Ib sobre la corriente de colector Ic para un
determinado valor de Vce. La relación incremental entre ambas
cantidades se denomina ganancia de corriente Beta y se representa
mediante el simbolo β o hfe y corresponde a:

Hfe = Δic / ΔIb

Encapsulado:

Los transistores se fabrican en serie, formando simultaneamente varios


cientos o millares de unidades sobre una oblea semiconductora de 38 a
50 mm de diametro y luego cortandolos uno por uno. Las técnicas de
fabricación mas utilizadas son la aleación, difusión, el proceso planar y el
crecimiento epitaxial. Una vez construidos los transistores se hospedan
en capsulas plasticas o metalicas. La capsula protege el transistor de la
humedad y los contaminantes, sirve como disipador de calor, proporciona
los pines de acceso, y facilita su manipulacion e identificacion.
4.1.2. Transistores de efecto de campo (FET)

Son dispositivos de tres terminales controlados por voltaje, se encuentran


constituidos por un material de base tipo N o P llamado sustrato, dentro
del cual se forma una region de tipo opuesto en forma de U llamada
canal, ligeramente dopada. El sustrato actua como compuerta o gate (G),
uno de los extremos del canal como fuente o source (S) y el otro como
drenador o drain (D). Entre la compuerta y el canal se forma una unión
PN, este tipo de FET se denominan FETs de unión o JFETs.

En la mayoria de los casos, el diseño del canal es simetrico, por lo que


cualquiera de los extremos se puede utilizar como drenador o como
fuente, sin embargo existen casos especiales en los cuales el canal es
asimetrico y por consiguiente no se pueden intercambiar estos terminales.
Los JFETs pueden ser de canal N o canal P, dependiendo del dopado del
canal.

Polarización:

Los JFETs necesitan ser polarizados mediante dos tensiones externas.


La tensión Vdd dirige el paso de los portadores de corriente por el canal y
la tension Vgs regula su cantidad. Esta ultima polariza inversamente la
union NP entre el canal y el sustrato. En un JFET de canal N, la fuente
debe ser positiva con respecto a la compuerta y negativa con respecto al
drenador.

El efecto neto de la polarización es la creación entre el drenador y fuente


de una corriente de drenaje Id, la cual circula a lo largo del canal, y
depende del voltaje Vgs. Por tanto, el canal actua como una resistencia
variable. En el caso de un JFET de canal N, la tension Vgs crea en sus
proximidades de la unión sustrato-canal una zona de agotamiento, libre
de electrones. Esta se forma por completo dentro del canal debido a la
fuerte concentración de huecos en el sustrato y una baja concentración de
electrones en el canal.

El espesor de la zona de agotamiento determina el area util o efectiva del


canal, y su capacidad de dejar pasar mas o menos electrones. La región
de agotamiento se extiene a lo largo de las paredes del canal, siendo mas
amplia en el lado del drenador que en el de la fuente, esto debido a que
desde el punto de vista de la compuerta el drenador esta sometido a una
tensión inversa de polarización mas alta (Vdd + Vgs) que la fuene (Vgs)

Si el material de la puerta está más dopado que el del canal, la mayor


parte de la capa estará formada por el canal. Si al tensión de la puerta es
cero, y Vds = 0, las capas desiertas profundizan poco en el canal y son
uniformes a todo lo largo de la unión.

Si Vds se hace positiva ( y Vgs sigue siendo cero) por el canal circulará
una corriente entre sumidero y fuente, que hará que la polarización
inversa de la unión no sea uniforme en toda su longitud y, en
consecuencia, en la parte más próxima al sumidero, que es la más
polarizada, la capa desierta penetrará más hacia el interior del canal.

Para valores pequeños de Vds, la corriente de sumidero es una función


casi lineal de la tensión, ya que la penetración de la capa desierta hacia el
interior del canal no varía substancialmente de su valor inicial. Sin
embargo, a medida que aumenta la tensión aumenta también la
polarización inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la
conductancia de éste disminuye. El ritmo de incremento de corriente
resulta, en consecuencia, menor y llega un momento en que el canal se
ha hecho tan estrecho en las proximidades del sumidero que un
incremento de Vds apenas tiene efecto sobre la corriente de sumidero.
Entonces se dice que el transistor está trabajando en la zona de estricción
(pinch-off), nombre cuyo origen se evidencia en la figura anterior,
llamándose tensión de estricción Vp a la del punto de transición entre el
comportamiento casi lineal y el casi saturado.

Si a la puerta se le aplica una polarización negativa estacionaria, la capa


desierta penetra más en el interior que con la polarización nula; por tanto,
para pasar a la zona de estricción se necesita menos tensión de
sumidero. El aumentar la polarización negativa permite tener la transición
a la zona de estricción a corrientes de sumidero aún inferiores.

El funcionamiento del FET se basa en la capacidad de control de la


conductancia del canal por parte de la tensión de puerta y, como la unión
puerta-canal se encuentra siempre polarizada inversamente, el FET es
por esencia un elemento de alta impedancia de entrada.

Parametros de funcionamiento:

La corriente de sumidero Id es función tanto de la tensión de sumidero


Vds como de la puerta Vgs. Como la unión está polarizada inversamente,
suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos
escribir:

Ig = 0 e Id = ƒ(Vds, Vgs)

En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi


rectas (en el gráfico, son horizontales, pero en realidad tienen una
pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para
pequeños incrementos de Vds y Vgs en esta forma

El parámetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es


la inversa de la pendiente de la curva. Que como en el gráfico, dicha
pendiente es cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de
pendiente), entonces la rd es infinita (muy grande).

El parámetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia,


y es igual a la separación vertical entre las características que
corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.
4.1.3. Tiristores

Un tiristor es uno de los tipos más importantes de los dispositivos


semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa
en los circuitos electrónicos de potencia. Se operan como conmutadores
biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor.

Para muchas aplicaciones se puede suponer que los Tiristores son


interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prácticos
exhiben ciertas características y limitaciones.

Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura


pnpn con tres uniones pn tiene tres terminales: ánodo cátodo y
compuerta. La fig. 1 muestra el símbolo del tiristor y una sección recta de
tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusión.

Cuando el voltaje del ánodo se hace positivo con respecto al cátodo, las
uniones J1 y J3 tienen polarización directa o positiva. La unión J2 tiene
polarización inversa, y solo fluirá una pequeña corriente de fuga del ánodo
al cátodo. Se dice entonces que el tiristor está en condición de bloqueo
directo o en estado desactivado llamándose a la corriente fuga corriente
de estado inactivo ID. Si el voltaje ánodo a cátodo VAK se incrementa a
un valor lo suficientemente grande la unión J2 polarizada inversamente
entrará en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el
voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que
las uniones J1 y J3 ya tienen polarización directa, habrá un movimiento
libre de portadores a través de las tres uniones que provocará una gran
corriente directa del ánodo. Se dice entonces que el dispositivo está en
estado de conducción o activado.
La caída de voltaje se deberá a la caída ohmica de las cuatro capas y
será pequeña, por lo común 1V. En el estado activo, la corriente del
ánodo está limitada por una impedancia o una resistencia externa, RL, tal
y como se muestra en la fig. 2.

La corriente del ánodo debe ser mayor que un valor conocido como
corriente de enganche IL, a fin de mantener la cantidad requerida de flujo
de portadores a través de la unión; de lo contrario, al reducirse el voltaje
del ánodo al cátodo, el dispositivo regresará a la condición de bloqueo. La
corriente de enganche, IL, es la corriente del ánodo mínima requerida
para mantener el tiristor en estado de conducción inmediatamente
después de que ha sido activado y se ha retirado la señal de la
compuerta.
Una vez que el tiristor es activado , se comporta como un diodo en
conducción y ya no hay control sobre el dispositivo. El tiristor seguirá
conduciendo, porque en la unión J2 no existe una capa de agotamiento
de vida a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la
corriente directa del ánodo por debajo de un nivel conocido como
corriente de mantenimiento IH , se genera una región de agotamiento
alrededor de la unión J2 debida al número reducido de portadores; el
tiristor estará entonces en estado de Esto significa que ILbloqueo. La
corriente de mantenimiento es del orden de los miliamperios y es menor
que la corriente de enganche, IL. >IH . La corriente de mantenimiento IH
es la corriente del ánodo mínima para mantener el tiristor en estado de
régimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la
corriente de enganche.

Cuando el voltaje del cátodo es positivo con respecto al del ánodo, la


unión J2 tiene polarización directa, pero las uniones J1 y J3 tienen
polarización inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con
un voltaje inverso a través de ellos. El tiristor estará en estado de bloqueo
inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente de fuga
inversa IR, fluirá a través del dispositivo.
Activación del tiristor:

Un tiristor se activa incrementándola corriente del ánodo. Esto se puede


llevar a cabo mediante una de las siguientes formas.

- TERMICA: Si la temperatura de un tiristor es alta habrá un


aumento en el número de pares electrón-hueco, lo que aumentará
las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes hará que 1
y 2 aumenten. Debido a la acción regenerativa (1+2) puede
tender a la unidad y el tiristor pudiera activarse. Este tipo de
activación puede causar una fuga térmica que por lo general se
evita.

- LUZ: Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor,


aumentaran los pares electrón-hueco pudiéndose activar el tiristor.
La activación de tiristores por luz se logra permitiendo que esta
llegue a los discos de silicio.

- ALTO VOLTAJE: Si el voltaje directo ánodo a cátodo es mayor


que el voltaje de ruptura directo VBO, fluirá una corriente de fuga
suficiente para iniciar una activación regenerativa. Este tipo de
activación puede resultar destructiva por lo que se debe evitar.

Si la velocidad de elevación del voltaje ánodo-cátodo es alta, la


corriente de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente
para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga puede
dañar el tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra
dv/dt alto. Los fabricantes especifican el dv/dt máximo permisible de
los tiristores.

- CORRIENTE DE COMPUERTA: Si un tiristor está polarizado en


directa, la inyección de una corriente de compuerta al aplicar un
voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales
del cátodo activará al tiristor. Conforme aumenta la corriente de
compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo.

Tipos de tiristores

Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusión. La corriente


del ánodo requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el área
de la unión, desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la señal
de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de
activación y el tiempo de desactivación, los fabricantes utilizan varias
estructuras de compuerta.

Dependiendo de la construcción física y del comportamiento de activación


y desactivación, en general los tiristores pueden clasificarse en nueve
categorías:

1. Tiristores de control de fase (SCR).


2. Tiristores de conmutación rápida (SCR).
3. Tiristores de desactivación por compuerta (GTO).
4. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
5. Tiristores de conducción inversa (RTC).
6. Tiristores de inducción estática (SITH).
7. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
9. Tiristores controlados por MOS (MCT)
4.2. Condiciones ideales de un transistor.

- Pequeñas fugas.
- Alta potencia.
- Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta
frecuencia de funcionamiento.
- Alta concentración de intensidad por unidad de superficie del
semiconductor.
- Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE máxima
elevada).
- Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).

Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y


concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a
conducción y viceversa no se hace instantáneamente, sino que siempre
hay un retardo (ton , toff). Las causas fundamentales de estos retardos
son las capacidades asociadas a las uniones colector - base y base -
emisor y los tiempos de difusión y recombinación de los portadores.
4.3. Funcionamiento y comparación de tipos transistores:

La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es


el modo de actuación sobre el terminal de control. En el transistor bipolar
hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de
colector, mientras que en el FET el control se hace mediante la aplicación
de una tensión entre puerta y fuente. Esta diferencia vienen determinada
por la estructura interna de ambos dispositivos, que son substancialmente
distintas.

Es una característica común, sin embargo, el hecho de que la potencia


que consume el terminal de control (base o puerta) es siempre más
pequeña que la potencia manejada en los otros dos terminales.

En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:

- En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC.


- En un FET, la tensión VGS controla la corriente ID.
- En ambos casos, con una potencia pequeña puede controlarse otra
bastante mayor.

Tiempos de conmutación

Cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas son


despreciables. Pero si tenemos en cuenta los efectos de retardo de
conmutación, al cambiar de un estado a otro se produce un pico de
potencia disipada, ya que en esos instantes el producto IC x VCE va a tener
un valor apreciable, por lo que la potencia media de pérdidas en el
transistor va a ser mayor. Estas pérdidas aumentan con la frecuencia de
trabajo, debido a que al aumentar ésta, también lo hace el número de
veces que se produce el paso de un estado a otro.

Podremos distinguir entre tiempo de excitación o encendido (ton) y tiempo


de apagado (toff). A su vez, cada uno de estos tiempos se puede dividir
en otros dos.

Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el


instante en que se aplica la señal de entrada en el dispositivo
conmutador, hasta que la señal de salida alcanza el 10% de su valor final.
Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la señal de salida en
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.

Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre


desde que se quita la excitación de entrada y el instante en que la señal
de salida baja al 90% de su valor final.

Tiempo de caída (Fall time, tf): Tiempo que emplea la señal de salida en
evolucionar entre el 90% y el 10% de su valor final.

Por tanto, se pueden definir las siguientes relaciones :

Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (toff) será


siempre mayor que el tiempo de encendido (ton).

Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia


máxima a la cual puede conmutar el transistor:
Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede circular por
un terminal (ej. ICAV, corriente media por el colector).

Corriente máxima: es la máxima corriente admisible de colector (ICM) o de


drenador (IDM). Con este valor se determina la máxima disipación de
potencia del dispositivo.

VCBO: tensión entre los terminales colector y base cuando el emisor está
en circuito abierto.

VEBO: tensión entre los terminales emisor y base con el colector en circuito
abierto.

Tensión máxima: es la máxima tensión aplicable entre dos terminales del


dispositivo (colector y emisor con la base abierta en los bipolares,
drenador y fuente en los FET).
Estado de saturación: queda determinado por una caída de tensión
prácticamente constante. VCEsat entre colector y emisor en el bipolar y
resistencia de conducción RDSon en el FET. Este valor, junto con el de
corriente máxima, determina la potencia máxima de disipación en
saturación.

Relación corriente de salida - control de entrada: hFE para el transistor


bipolar (ganancia estática de corriente) y gds para el FET
(transconductancia en directa).

Modos de trabajo

Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo del


sentido o signo de los voltajes de polarización en cada una de las uniones
del transistor pueden ser :

Región activa directa: Corresponde a una polarización directa de la unión


emisor - base y a una polarización inversa de la unión colector - base.
Esta es la región de operación normal del transistor para amplificación.

Región activa inversa: Corresponde a una polarización inversa de la unión


emisor - base y a una polarización directa de la unión colector - base.
Esta región es usada raramente.
Región de corte: Corresponde a una polarización inversa de ambas
uniones. La operación en ésta región corresponde a aplicaciones de
conmutación en el modo apagado, pues el transistor actúa como un
interruptor abierto (IC 0).

Región de saturación: Corresponde a una polarización directa de ambas


uniones. La operación en esta región corresponde a aplicaciones de
conmutación en el modo encendido, pues el transistor actúa como un
interruptor cerrado (VCE 0).
Avalancha secundaria. Curvas SOA.

Si se sobrepasa la máxima tensión permitida entre colector y base con el


emisor abierto (VCBO), o la tensión máxima permitida entre colector y
emisor con la base abierta (VCEO), la unión colector - base polarizada en
inverso entra en un proceso de ruptura similar al de cualquier diodo,
denominado avalancha primaria.

Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos


trabajando con tensiones por debajo de los límites anteriores debido a la
aparición de puntos calientes (focalización de la intensidad de base), que
se produce cuando tenemos polarizada la unión base - emisor en directo.
En efecto, con dicha polarización se crea un campo magnético transversal
en la zona de base que reduce el paso de portadores minoritarios a una
pequeña zona del dispositivo (anillo circular).La densidad de potencia que
se concentra en dicha zona es proporcional al grado de polarización de la
base, a la corriente de colector y a la VCE, y alcanzando cierto valor, se
produce en los puntos calientes un fenómeno degenerativo con el
consiguiente aumento de las pérdidas y de la temperatura. A este
fenómeno, con efectos catastróficos en la mayor parte de los casos, se le
conoce con el nombre de avalancha secundaria (o también segunda
ruptura).

El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de salida


del transistor es producir unos codos bruscos que desvían la curva de la
situación prevista (ver gráfica anterior).

El transistor puede funcionar por encima de la zona límite de la avalancha


secundaria durante cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para
ello el fabricante suministra unas curvas límites en la zona activa con los
tiempos límites de trabajo, conocidas como curvas FBSOA.
Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie
de curvas para corriente pulsante, cada una de las cuales es para un ciclo
concreto.

Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo.


Durante el toff, con polarización inversa de la unión base - emisor se
produce la focalización de la corriente en el centro de la pastilla de Si, en
un área más pequeña que en polarización directa, por lo que la avalancha
puede producirse con niveles más bajos de energía. Los límites de I C y
VCE durante el toff vienen reflejado en las curvas RBSOA dadas por el
fabricante.

Efecto producido por carga inductiva. Protecciones.


Las cargas inductivas someten a los transistores a las condiciones de
trabajo más desfavorables dentro de la zona activa.

En el diagrama superior se han representado los diferentes puntos


idealizados de funcionamiento del transistor en corte y saturación. Para
una carga resistiva, el transistor pasará de corte a saturación. Para una
carga resistiva, el transistor pasará de corte a saturación por la recta que
va desde A hasta C, y de saturación a corte desde C a A. Sin embargo,
con una carga inductiva como en el circuito anterior el transistor pasa a
saturación recorriendo la curva ABC, mientras que el paso a corte lo hace
por el tramo CDA. Puede verse que este último paso lo hace después de
una profunda incursión en la zona activa que podría fácilmente
sobrepasar el límite de avalancha secundaria, con valor VCE muy
superior al valor de la fuente (Vcc).
APLICACIONES TRANSISTORES

4.3. transistor en conmutación.

Tenemos un interruptor en posición 1, abierto:


IB = 0
IC = 0 CORTE (el transistor no conduce)
Recta de carga:

Esto era lo ideal, lo exacto sería:


Pero para electrónica digital no tiene mucha importancia ese pequeño
margen, por lo tanto se desprecia.

Interruptor en posición 2:

Finalmente tenemos una gráfica de la siguiente forma:

Aplicación: Si tenemos en la entrada una onda cuadrada.


Me invierte la Vsal, invierte la onda de entrada en la salida. Ese circuito se
utiliza en electrónica digital.

A ese circuito le llamábamos "Circuito de polarización de base", que era


bueno para corte y saturación, para conmutación. Pero este que hemos
hecho no es exacto, lo exacto es:

Entonces se cogen los márgenes, pero como están muy separados se


desprecia y no se le da importancia a ese pequeño error.

4.4. Transistores en circuitos con polarizacion de emisor


Si se quiere amplificar, se necesitan circuitos cuyos puntos Q sean
inmunes a los cambios en la ganancia de corriente, esto es, interesa que
el punto Q sea lo más estable posible.

Para este propósito ahora se analizará el "Circuito de polarización de


Emisor", que es el siguiente:

El propósito es amplificar, por esa razón el transistor tiene que trabajar en


la zona ACTIVA.

Como estamos en activa VBE = 0.7 V. Por lo tanto y viendo la malla de


entrada la tensión VC será de 4.3 V. Entonces la intensidad IE por la
resistencia RE será de:
Gráficamente:

Si bcc = 150 solo varía IB.

Varía la IB pero lo demás se mantiene y Q no varía, el transistor se


autorregula y hace que varíe IB sin que nada más varíe, por lo tanto:
"El punto Q es muy estable".

Pero esto no es del todo exacto, porque algo varía, esto se verá si no se
usa la aproximación de IC = IE. Sin esta aproximación tenemos:

Y ahora si influye el bcc.

Y tendríamos: VCE = 8,77 V


Con bcc = 150:
Con bcc = 50:

Varía algo, pero es bastante estable, es bueno para trabajar en activa.

TABLA DE CONTENIDO TRANSISTORES


1. Historia y Fundamentos físicos del transistor.
2. Funcionamiento Básico del transistor
3. Nomenclatura del transistor.
4. Transistores de Potencia y distintos tipos de transistores.

4.1. Tipos de Transistores.

4.1.1. Transistores Bipolares


4.1.2. Transistores de efecto de campo (FET)
4.1.3. Tiristores.

4.2. Condiciones ideales de un transistor.


4.3. Funcionamiento y comparación de distintos tipos de
transistores.

5. Aplicaciones de los transistores.

5.1. Transistor en conmutación.


5.2. Transistor en circuitos con polarización de emisor.

6. Conclusiones.

CONCLUSIONES
El transistor es un gran aporte al campo del desarrollo cientifico y
tecnologico, dado su amplia versatilidad y su gran aplicabilidad en la
investigación y desarrollo. Sus fundamentos físicos son
fundamentados en las bases de la mecanica cuantica, aprovechando
sus concepciones y formulaciones teoricas es posible llevar a la
practica elementos practicos e innovadores como el transistor. La
incursion de los transistores sustituyo los tubos al vacio y permitio la
reducción de sistemas y diseños electronicos, siendo estos mas
estables y de mayor rendimiento.

El estudio del efecto de transición de niveles de energia y el espectro


atomico fueron decisivos en la formulación teorica del transistor,
ademas del estudio del atomo de la mecanica cuantica y la fisica
atomica, permitiendo aprovechar las propiedades intrinsecas de los
atomos de Germanio, fosforo entre otros, para el diseño de sistemas
basados en las reacciones atomicas entre ellos por sus electrones,
perfeccionando este proceso hasta llevarlo a lo que actualmente
conocemos como transistores.

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