Comunicaciones Analogas PDF

TRANSPARENCIAS
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COMUNICACIONES
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LOGAS
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.( Jose Noe Poveda Zafra

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j poveda @udistrital.edu .co
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'--.:I
o UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO .JOSE DE CALDAS
o FACULTAD DE INGENIERIA
IMGENIERIA DE ELECTRONICA
() 2013
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UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSE DE CALDAS
FACULTAD DE INGENIERIA
SYLLABUS
PROYECTO CURRICULAR: INGENIERIA ELECTRONICA
NOMBRE DEL DOCENTE: Jose Noe Poveda Z.
ESPACIO ACADEMICO (Asignatura): COMUNICACIONES ANALOGICAS

(
\ ~ Obligatorio ( x ): Bosico ( ) Complementario ( X ) CODIGO;
Electivo ( ): Intrinsecas ( ) Extrfnsecas ( ) 506121
NUMERO DE ESTUDIANTES: GRUPO:

{.
NUMERO DE CREDITOS:
TlPO DE CURSO: PRACTICO TEO-PRAC: X

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Alternativas metodologicas:
{
\ Clase Magistral ( X ), Seminario ( ), Seminario - Taller ( ), Taller (X ), Practicas ( X ), Proyectos
tutoriados ( ), Otro: _ _ _ _ _ _ _ __
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HORARIO:
DIA HORAS SALON
t\, Los sistemas de comunicaciones han sido una necesidad en el desarrollo de la sociedad, y en estos, los
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sistemas electronicos han sido uno de los pi/ares del desarrollo.
Los sistemas de comunicaciones analogicos son indispensables para el transporte de sefiales de
informacion tanto continuas como discretas; por la razon anterior es necesario conocer y comprender los
fundamentos en el disefio y construcci6n de circuitos y sistemas de comunicaciones.
()
Esta asignatura permite adquirir competencias para el manejo de modelos de circuitos que componen
() los sistemas de comunicaciones.
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Conocimientos previos:
I EI estudiante debe tener los conocimientos claros de las siguientes tematicas:

Analisis de senales
Probabilidad
. Electronica analogica
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\ la conceptualizacion de dispositivos y redes que componen los sistemas de

comunicaciones. Seguidamente se fundamentan las redes pasivas y activas de radiofrecuencia, donde el
I estudiante este en capacidad disenar e implementar las redes en mencion en ellaboratorio.
La fundamentacion de analisis de senales para comunicaciones y junto a la integracion de la redes de
(
radiofrecuencias estudiadas con anterioridad; se presentaran los diferentes modelos de comunicaciones
analogicos en presencia del ruido. Finalmente el estudiante, asistido por el profesor, presentara un
el d/seno e imolementaciol
(J
• Estudiar los modelos de redes de radiofrecuencia pasivos y activos que conforman los sistemas
de comunicaciones analogicos.
• Analisis de sefiales ap/icadas a las comunicaciones.
0 ~d
• Estudio de los procesos de modulacion de sena/es analogicas.
• Modelar y construir circuitos y b/oques para sistemas de comunicaciones.
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EI estudiante tiene la competencia de modelar y organizar infraestructuras optimas de sistemas de
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comunicoci6n anal6gicos en complemento con las asignaturas asociadas alarea de comunicociones.
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Introducci6n
Redes de radiofrecuencia
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\ Sefiales en Comunicociones
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Sistemas de comunicociones an
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VII. 'ESTRATEGIAS
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Metod%gia Pedag6gica y Didactica:
( ,
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EI curso es desarrollado fundamentalmente por el estudiante pero orientado por el profesor. Para ello se
Pi dara una guia acerco de coda tema y se asignara el material para estudio con ejercicios, los cuales
debera preparar coda estudiante para la siguiente clase; en ella, el profesor evaluara la asimilaci6n del
C tema a traves de talleres por grupos de estudiantes y evaluaciones individuales. En resumen, es esencial
o la participacion activa de coda estudiante en clase para lograr los objetivos planteados para esta
asignatura.
()
Cada grupo de estudiantes se les asignaran los proyectos de laboratorio, el cual se desarrollan en el
(\
\j transcurso de periodo acodemico, finalizando con la integraci6n de bloques en la creaci6n de un sistema
de comunicociones.
() Horas Horas Horas Total Horas Creditos
o I Tipo de Curso TOI TC I TA

profesorlsemana
(TO + TC)
Estudiante/semana
(TO + TC +TA)
Estudiante/semestre
X 16 semanas
() TIP 6 I 1 4 7 11 176 4
I I
o
- -
Trabajo Presencial Directo (TD): trabajo de aula con plenaria de todos los estudiantes.
Trabajo Mediado_Cooperativo (TC): Trabajo de tutoria del docente a pequefios grupos 0 de forma
()
(,
individual a los estudiantes.
~ Trabajo Autonomo (TA): Trabajo del estudiante sin presencia del docente, que se puede realizar en
o distintas instancias: en grupos de trabajo 0 en forma individual, en cosa 0 en biblioteco, laboratorio, etc.)
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Medios yAyudas:
Las herramientas de clase pedagogicas:
Video beam, computador portatil y papeleria.
Herramientas de software
~- ./: A WR (version estudiantil), Matlab, Smith V.2. (version academical

Herramientas de laboratorio:
Analizador de espectro, osciloscopios de rt generadores de sefiales de rt analizador de redes,
.r '--, medidores de impedancias y de L-C-R-Q, sondas de radiofrecuencia (tipo SMA, BNC, N), cargas
"
,
fantasm as de 75,50 y otros valores, equipo para la realizacion de impresos, elementos pasivos yactivos
para radiofrecuencia.
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\
TEXTOS Guias
GUILLERMO GONZALEZ, "Microwave Transistor Amplifiers, Analysis and Design, 2nd. Ed. ': Prentice Hal
LEON COUCH "Sistema de comunicaciones digitales yanalogas". PRENTICE HALL.
H. KRAUSS, C. BOSTIAN, F. RAAB. "Estado solido en Ingenierfa de
Radiocomunicacion". Editorial LlMUSA.
c JOSE POVEDA, "notas de close circuitos de radiofrecuencia en comunicaciones analogicas"
;'
\~, /'
TEXTOS COMPLEMENTARIOS
(J
A. OPPENHEIN, A. WILLSKY. "Senales y sistemas". Editorial PRENTICE HALL.
H
FERREL STREMLER. "Sistemas de Comunicacion Editorial A/fa omega
•
CHRIS BOWICK. "RF Circuits desian". Editorial SAMS. --1:; J,
( ", REVISTAS
\.J
"S-Parameter Design", Agilent Application Note AN 154, Agilent Technologies

() DIRECCIONES DE INTERNET
http://cp.literature.aqilent.com/litweb/pdf/5952-1087.pdf
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( ''''......., Introduccion: presentacion del syllabus, introducci6n a los sistemas de radio I 2
comunicaci6n. Elementos de radio frecuencia. Disefio de bobinas. Circuitos
resonantes: resonancia serie y paralelo. Factor de calidad. Selectividad y ancho de
C banda.
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2 I Redes pasivas de acople: Transformaci6n de impedancia, Redes L, Red T y Red pi. I 2
Acople mediante transform adores de RF. Metodos de acople mediante soluciones
computarizadas. La Carta de Smith como herramienta de aeople. Diseiio de
mediante la carta de Smith.
3 I Redes activas de RF: Amplificadores de pequefia sefial. Conceptos basicos. I 3
Modelamiento para alta frecuencia. Parametros uy". Criterios de estabilidad.
Criterio de uLimvill" .. Criterio de "Stern". Modos de lograr la estabilidad.
Unilateralizacion. Neutralizacion. Por desacople.
Parametros "5". Criterio de "Rollet". Disefio de amplificadores de RF pequefia
/~ senal mediante el uso de la carta de Smith para los diferentes modelos.
( ,
Amplificadores de potencias clase A. B. C v D. Eficiencia.
('
\ 4 Osciladores. Teoda. Criterios de Bark Hausen. Osciladores sinusoidales de alta I 1
frecuencia. Colpitts. Harley. Sintonfa en la entrada y en la salida. Osciladores a
crista!. Cristal serie y paralelo. Osciladores de resistencia negativa. Osciladores con
;-"'
compuertas logicas.
,
t~ 5 Multiplicadores analogos y sus aplicativos. Celda de Gilbert. La Celda como I 1
multiplicador, como modulador y como detector de fase. EI PLL. Estructura basica.
PLL de primer y segundo orden. Funcion de transferencia. Ancho de Banda de la
malla. Cicio de Histeresis. Aplicaciones del PLL. Sintetizador de frecuencia.
f '\
. 6 Sistemas y senales en banda base y pasa bandas. Analisis espectral, distorsion, I 1
~. Interferencia. Senales de ruido en comunicaciones: densidad espectral,
C comportamiento del ruido en comunicaciones. Calculo de relacion SjN en sistemas
IL de comunicaciones.
7 Sistemas con modulacion lineal. Modulacion AM, descripcion, fndice de I 2
modulacion, potencia, eficiencia, circuitos moduladores y demoduladores de AM .
Modulacion DSB: Teoda, moduladores y demoduladores, aplicaciones. SSB: Teoda,
Transformada de Hilbert, moduladores y demoduladores, aplicaciones. VSB:
Teoda, moduladores y demoduladores, aplicaciones. Translacion de frecuencia.
Receptor Superheterodino. Frecuencia intermedia y frecuencia imagen. Modelos
de sistemas de comunicaciones con moduladores lineales.
8 I Sistemas con modulacion exponencial: modulacion en frecuencia FM: banda 2
angosta, banda ancha. Funciones de Bessel para el calculo del espectro del FM.
Potencia. Indice de modulacion. Sensibilidad de frecuencia y fase. Desviaci6n de
frecuencia. Ancho de Banda. Moduladores y demoduladores. Modulaci6n de fase
PM. Banda amwsta V banda ancha.
Ruido e interfere~cia en sistemas de comunicaciones. Interferencia y ruido en las I 2
diferentes modulaciones lineales. Efecto umbral en la detecci6n de envolvente
( j '" Interferencia y ruido en las diferentes modulaciones exponenciales: Efecto umbral,
circuitos deenfasis v preenfasis, extension del efecto umbral.
T/PO DE EVAWACION FECHA PORCENTAlE

~
~ Lecciones, trabajo colaborativo, quises, etc. en aulas 20%
~ virtuales, el cua! consiste en la apropiacion de los (Primer cortel0%
~
Q.
conceptos fundamentales primarios
radiofrecuencia con 10 herramienta virtual Moodie
de ysegundo
cartel0%)
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o
Talleres por grupos de estudiantes sobre la tematica 30% !
j:!
Q de los capitulos de la asignatura y disefios reaJizados (Primera prueba
<:
en el laboratorio, los cuales se hara una prueba 15% y segunda
6
<:
:::> individual sobre dichas tematicas prueba 150%)
~
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Vi
Proyectos de laboratorio: disefio e implementaci6n de 20%

j:!
Q redes y sistemas propuestos.
<:
~
tlQ:::
~
.' EXAM. 30%

'\ ,.
, FINAL
ASPECTOS A EVALUAR DEL CURSO. EI docente exp/icita y describe 105 criterios a tener en cuenta al
evaluar. Por ejemplo:
."
14. Coevaluaci6n del curso: de forma oral entre estudiantes y docente. ~
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DATOS DEL DOCENTE
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POSTGRADO:
E-MAIL:
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\ ASESORIAS: FIRMA DE ESTUDIANTES

r NOMBRE FIRMA CODIGO FECHA
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FIRMA DEL DOCENTE

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FECHA DE ENTREGA: _ _ _ _ _ __
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Laboratorio de comunicaciones ana/6gicas
b
OBJET/VOS
El objetivo general, es diseiiar, simular e implementar proyectos de radiofrecuencia de
acuerdo al plan te6rico de la materia, para corroborar los diferentes modelos te6ricos.
Metod%gia
Los estudiantes deben asegurar un diseno te6rico exhaustiv~, que luego se implementara y sera
evaluado su funcionamiento durante la practica, teniendo en cuenta los siguientes pasos:
o Previo allaboratorio
o Desarroliar un preinforme, en donde se explique el procedimiento de diseno del
circuito, y en donde se especifiquen tanto los valores te6ricos como los valores
comerciales.
o Realizar simulaci6n (AWR microwave office, versi6n prueba).
o Construir el circuito disefiado, teniendo en cuenta que se debe ser implementar
sobre substrato, debido a las frecuencias altas que se manejan.
);> Durante ellaboratorio
o Tomar pruebas y realizar los correctivos necesarios para obtener el mejor
funcionamiento del diseno.
);> Posterior allaboratorio
o Realizar un informe donde se haga un anal isis de resultados comparativos entre
los aspectos te6ricos y pnkticos, observados en el desarrollo del laboratorio, que
conlleven a la construcci6n de conclusiones tanto descriptivas como prescriptivas
del fen6meno ffsico que se presenta.
Laboratorio
20% Proyecto Terna

•2 pts. Proyecto 1.1 Diseiio y rnedicion de Dispositivos
o pasivos de RF
2 pts. Proyecto 1.2 Redes de Acoples en configuracion L,
Ty1t
4 pts. Proyecto 2 Red de Arnplificacion rf
o 4 pts. Proyecto 3 Red de Oscilaci6n
() 4 pts. Proyecto 4 (uno de PLL
( ;
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los siguientes Sintetizador de Frecuencias
() bloques) Mezclador
Conversor de frecuencia
Q Multiplicador de frecuencia
Q 4pts. Proyecto Final Transceiver AM 0 FM
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o
o
Proyecto 1.1
Disefio y medicion de Dispositivos pasivos de RF
Objetivos
Disefiar, construir y medir dispositivos pasivos de rf, de radiofrecuencia del orden de nR
Disefiar bobinas para RF, por medio de ecuaciones de disefio disponibles en la

bibliografia.
Practicar en la manufactura de bobinas, pues estas van hacer utilizadas durante todo el
\~
curso de Comunicaciones AnaIogas.
Medir elementos pasivos rf comerciales (inductor, capacitor, resistor y cargas) yen el
caso del inductor comercial, que sea del mismo valor que el construido.
Comprar las mediciones de los elementos con los datos que da el fabric ante
Conocer los equipos de medici6n.
Procedimientos
Disefiar bobinas del orden de nH, con nucleo de ferrita y otra con nucleo de aire.
Seleccionar el nucleo y alambre que se ajuste a los requerimientos dados.
Emollar el alambre en el nucleo yen un objeto redondo para obtener las bobinas.
Medir la bobina y ajustarla al valor deseado.
Comparar la bob ina construida con una comercial de valor similar.
Medir los demas elementos pasivos de RF recomendados.
Materiales
c
Condensadores de rf (decenas pF), bobinas rf (decenas nH), resistencias (decenas de
.0), cargas de valor diferente de 50 .0, ferrita diametro menor a 0.5 cm. Todos los
()
elementos con sus parametros y/o hojas de datos.
o Cable esmaltado No. 22 y/o 20
Encendedor, bisturi y herramientas (pinzas, milimetro, etc.)

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Proyecto 1.2
Disefio y medicion de Dispositivos pasivos de RF
( ,
Objetivos
Disefiar, simular, implementar y medir acoples de radiofrecuencia
Diseiiar un acople en configuraci6n L y (T 0 n).
Simular los acoples en un software de telecomunicaciones (AWR microwave office u
otro) y ajustar el diseiio si 10 amerita.
r Implementar las dos redes propuestas y medirlas en ellaboratorio.

~
Procedimien tos
(> Diseiiar y simular los acoples requeridos ala frecuencia propuesta.
Conseguir los elementos adecuados para el proyecto propuesto como: dispositivos del
proyecto (bobinas, condensadores, cargas, conectores etc), sondas de rf, convertidores,
soldadura para rf, soldador adecuado, etc. Lo que se requiera para el proyecto
Medir los model os en el VNA.
(
~, /
~
Entregar informe completo del proyecto
G Materiales
Condensadores de rf, bobinas rf, resistencias, carga de valor diferente de 50 n. Todos

los elementos con sus parametros y/o hojas de datos.
Sondas y convertidores RF
Herramientas (pinzas, multimetro, etc.)
VNA.
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G
()
a
Proyecto 2
Amplificador de radiofrecuencia
Objetivos ~t 7..D
"""\
a. Diseiio, simulaci6n e implementaci6n de un Amplificador de radiofrecuencia y {?_9i
Mhz y minimo 20 dB de ganancia en ganancia.
Seleccionar dispositivos activos y pasivos que obedezcan a los panimetros
propuestos en el proyecto.
Diseiiar el amplificador de RF
("
, j
Simular el amplificador diseiiado con los "data file" de los elementos a utilizar
b. Implementar el amplificador
c. Medir en ellaboratorio los parametros del amplificador implementado.
Procedimientos ~1
( , Diseiiar el amplificador propuesto. Ce.jJ-o .
\
proyecto (transistor rf de para etros S bobinas, condensadores, conectores etc),
c sondas de rf, convertidores, oldadura para soldador adecuado, etc. Lo que se
requiera para el proyecto
c Seleccionar un transistor que tenga "data file" 0 crearlo a partir del "data sheet", para
que sea elemento determinante en la simulaci6n del amplificador.
Medir el amplificador.
Entregar informe completo del proyecto
j Materiales
()
Transistor rf, Condensadores de rf , Bobinas rf, ~esistencias, Todos los elementos con
sus parametros y/o hojas de datos.
o Sondas y convertidores RF
Herramientas (pinzas, multimetro, etc.)
o Analizador de espectro, generador de rf
o
Proyecto 3
Red de Oscilacion
e
c Objetivos
()
a. Diseiio, simulaci6n e implementaci6n de un Oscilador de radiofrecuencia y 150 Mhz.
o y minimo 16 dB de ganancia en ganancia.
o Seleccionar dispositivos activos y pasivos que obedezcan a los parametros
propuestos en el proyecto.
Diseiiar el amplificador de RF
o
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o
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Simular el amplificador disefiado con los "data file" de los elementos a utilizar
b. Implementar el oscilador
c. Medir en el laboratorio los parametros del oscilador implementado.
Procedimientos
Disefiar el amplificador propuesto.
proyecto (transistor rf de parametros Y 0 S, bobinas, condensadores, conectores etc),
sondas de rf, convertidores, soldadura para rf, soldador adecuado, etc. Lo que se
requiera para el proyecto
(~ Seleccionar un transistor que tenga "data file" 0 crearlo a partir del "data sheet", para
\ "
que sea elemento detenninante en la simulacion del amplificador.

Medir el amplificador.
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'\ -:" Entregar infonne completo del proyecto
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Materiales
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Transistor rf, Condensadores de rf , bobinas rf, resistencias, Todos los elementos con
sus parametros y/o hojas de datos.
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Sondas y convertidores RF
Herramientas (Pinzas, multimetro, etc.)
Analizador de espectro, generador de rf
( "
\
Proyecto 4 y 5
Se maneja la misma frecuencia que los proyectos anteriores y de acuerdo al bloque 0 sistema que selecciones para
la realizacion
Bibliografia
-Transparencias, JOSe Poveda

-GUILLERMO GONZALEZ, "Microwave Transistor Amplifiers, Analysis and Design, 2nd. Ed.", Prentice
Hall
-CHRIS BOWICK. "RF Circuits design". Editorial SAMS.
-H. KRAUSS, C. BOSTIAN, F. RAAB. "Estado s6lido en Ingenierfa de
Radiocomunicaci6n". Editorial LIM USA.
-LEON COUCH "Sistema de comunicaciones digitales y analogas". PRENTICE HALL.
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Redes de radio/recuencia
Dispositivos pasivos RF
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E ..... jpoveda@udistrital.edu.co
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Redes de radiofrecuencia
o
Introduccion
Dispositivos de radiofrecuencia
Redes de acop/e
o Redes de amplijicacion
() Redes osci/antes
Redes de circuitos portadores
Redes de enganche
B/oques de radiojrecuencia
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)poveda@udistrital.edu.co
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o
Introd ucci6n
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• AI abordar la realizacion de sistemas de comunicaciones, la It
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utllzaelon ere es era 10Jrecuenc/O YIO mlcroon as tanto
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05
activos como pasivos, son muy sensibles en su eleccion,
• Toda red 0 dispositivo depende de la frecuencia, de la

excitacion, del ruido, de seiiales interferentes, e inclusive defJ
los materiales y elementos que se utilizan en la realizacion de
7
los impresos etc.
"
"
• Junto a la fundamentacion teorica, los modelos de diseiio e
,
implementacion de dichas redes, se requieren ademas de
herramientas de software y de instrumentacion para
minimizar los tiempos.
jpoveda@udistrital.edu.co
1, Dispositivos de radiofrecuencia
o • Elementos pasivos
• Reactivos
• Inductivos
() • capacitivos
·..
t) • Resistivos
o • Elementos activos
• Diodos
() • Transistores
() • BJT
u • CMOS
()
c
u
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U''. 2
o
o
Reactivos - inductancias
• Los elementos reactivos son elementos que responden a
los cambios de Jrecuencia, tambien reaccionan a los
cambios de sefial presentes en la entrada.
[~
"
..
/
• Las inductancias se generan a partir de bobinas y
cavidades, estas reaccionan al paso de la corriente y el
parametro inductivo varia can los combios de Jrecuencia.
• Para radioJrecuencia se utilizan alrededor de 16hz. son
aceptables las bobinas. Para Jrecuencias superiores las
cavidades son elementos optima para obtener
inductancias.
jpoveda@udistrital.edu.co 2. Dispositivos de radiofrecuenda
r".
y;
Reactivos - inductancias - bobinas

0 ·,
,,' • Las bobinas se construyen con un conductor en rolla do de
G n espiras, en la cual, cuando mas bajas son las
Jrecuencias se requiere de un mayor diametro y numero
de vueltas
• En las bobinas de if es importante el interior del

(J embobinado, a nucleo, el cual debe ser de materiales
c dielectricos como el aire a la Jerrita para altas
Jrecuencias.
• Las bobinas variables tienen un nucleo de Jerrita que se
atomillan para variar el campo magnetico y can ella la
() in ductan cia.
o
jpoveda@udistrital.edu.co ~ Djspositivosde radiofrecuencia
o
o
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3
Ci
e
o
Reactivos inductancias bobinas
• La construcci6n de las bobinas se realiza con cable
esmaltado y obedece a mUltiples ecuaciones segun sus
autores y/o fabricantes, pero ninguna es completamente
precisa. Para nucleo de aires estas son algunas
f
\ ,
- L=!1on 2 *A/l
("'.
'" c L=n 2 *D/l
lnductancia de bobina
circular, en nH
Formula Nagaoka
D2
( , L=n 2 "'4*D+l
" 1 *l
" ,
['"
;poveda@udistrital,edu,co 2. Dispositivos de radiofrecuenda
C/
Reactivos - inductancias - bobinas

c
• Para elevar la inductancia de las bobinas, se les coloco nucleo de
ferrita, el cual aumenta 4 veces 0 mas de su equivalente en aire.
o • Las formulas para encontrar la inductancia con nucleo de ferrita, se
estandarizo con un AL, que es dado por los fabricantes y esta dado en
nH/n2.
o
Segun el fabricante Amidon, para el nucfeo de aniffo
L=AL*n2
() de ferrita T37-2, All tiene un valor de 40 nHln 2 ,
para 10 vueltas el valor de inductancia es de 4 uH,
o
()
()
o
o jpoveda@udistrital.edu_co 2. Disposirivosde l'adiofrecuencia
()
C)
o
o 4
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--~-',~-"'~~'~~----------------
Reactivos bobinas circuito equivalente
/
• EI circuito equivalente de una bobina es va riado, en teorfa
'\, /
el mas comun es
(
c • Aunque algunos fabricantes tienen su mode/os (Coilcraft)

c:
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R1
l" Rz
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Rvar
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\,
"
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jpoveda@udistrital,edu,co 2 Dispositivosde radiofrecuenda
\ /
( ,
,
Reactivos bobinas tip os

Bobinas de nucleo de aire p
altas. Modelo del jabricante "Coilcraft'~ Tipo Maxi
o
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() ~
o jpoveda@udistrital.edu.oo ITie o Minl(
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(
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Reactivos bobinas tipos
.r.--\
Bobinas de nue/eo de aire para frecuencias medias y
\ altas. Modelo del fabricante "Coilcraft'~ Tipo Chip
,
\
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-
c jpoveda@udistrital.edu.ro
ITipo supe-;;;;;:r- 2. Dispositivos de radiofrecuenda
'.
("
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Reactivos bobinas tipos -trasnformador

'\
Modelo del fabricante "Coilcraft'~
1"1
,--'" Tipo Transformador tipico rf
Modelo del
fabricante
() #Coilcraft'~
Tipo
() Transformador
de microcinta
1Q
2 Disposirivos d e radiofrecuellda
C"".f
o
6
Reactivos - Capacitivos
o /gual que las inductancias, de acuerdo a su frecuencia
·
\. '
de trabajo, los capacitores tienen varias formas de
construcci6n. Hay capacitores para bajas, medias y
altos frecuencias, tambien denominados
condensadores. De igual manera para frecuencias muy
," altos se utilizan las cavidades.
o Los dispositivos capacitivos son elementos pasivos que
tiene 10 capacidad de almacenar energ(a en forma de
energ(a electrica.
o Los con dens adores estan constituidos por dos placas
metalicas, separadas por un dielectrico.
o De igual manera que las bobinas, hay formulas que
describen su parametro principal que es 10 capacitancia
jpoveda@udistritatedu.co 2. Dispositivosde radiofrecuencia
"
('
Reactivos - Capacitivos
c
• La ecuaclon que describe 10 capacitancia de un
(ft condensador corresponde a:
~
C = 0.224 K A / t
• EI circuito equivalente que aproxima el comportamiento

o de un condensador real es
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(-',
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~
jpoveda@Udistrital.edu.co 2 l)ispositivos de radio&ecuenda
( '-,
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Reactivos - condensadores - tipos
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~i-Superficiall
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jPOVeda@Udjstritr,U1?RoSupe~
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Q jpaved.@udistritaLedu,co ;z. Dispositivos de radiofrecuencia
(j 8
o
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Reactivos condensadores tipos murata
Semiconductor
wow rnanulacturill9
/. equipment
i <;
5a. Ceilldar phone
base stalioo
~ GQMSeries
<i608!2012> PAmodule
glOW
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'~ Commercial USe radio
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CeHular phone
BlueU)oth~ module
1'1>' veo
/' , 10M 100M lG lOG

~
Frequency (Hz)
jpoveda@udistrital.edu.co 1 DispositiYOS de radiofrecuenda
(, ,
, /
/'
W
Resistivos - resistencias
( ",
\j
• Los elementos resistivos tipicos son las resistencia, las
() mas conocidas son las de baja jrecuencia que se utilizan
Q en polarizacion.
{,:\
\.3' • Son construidas de carbon, arcilla, metalica enrol/ada,
('i.
'-j etc.
f :~
It.....j l • Otro tipo de resistencia son las de banda ancha,
e denominadas cargos.
L)
(
()
U
n, 1
jp"".da@udistrital.edu.co z Dispositivos de radiofrecuenda
8
o
(J
u
()
9
c;
o
o
- resistencias - carga
• Las cargas son terminaciones, a cargas de prueba que
tienen una impedancia constante (real) en un rango de
c frecuencia amplio.
• Las cargas generalmente vienen en terminaciones en
c forma de conectores de los tipos mas conocidos de alta
frecuencia.
r\::
• Otra forma de carga son las terminaciones de potencia,
denominadas "cargas fantasmas (load dummyr EI cual
se utiliza para hacer pruebas de los transmisores
simulando una antena de potencia.
( c
\, '
". jpoveda@udistrital.edu,co :t Dispositivos de radiofrecuencia
'Resistivos resistencias - Terminaciones

• Son dispositivos que se c%ean a las salidas de equipos de altas
l 7 potencias de rf y microondas.
" • La impedancia de la terminaci6n debe coincidir con la del equipo.
Q
C·y'
c
c:
u
u ~ ~
jpoveda@udistrital.edu.co 2, Dispositivosde radiofreruencia

r:.,
'J
c
()
U
U 10
F;'1.
V
Otros -Conectores y cables

• Son dispositivos que permiten interconectar bloque. Donde las
salidas y entradas deben ser estandares jfsicos y e!ectricos.
c jpoveda@udistrital.edu.co 2. Dispositivosde radiofrccuenda
(. ./'
Otros-Conectores y cables
• Sondas de rf son conectores con extensiones de cables de altas
i () frecuencias
f'c,
\j
t)
o F0
(-"
Q
./
n
~
o jpoveda@Udistrltal.edu.co
M
ia
u
c
o 11
()
u
o
• Son dispositivos que disminuyen 10 potencia de entrada en un factor
de k dBs.
!
" ,
,,~ ~'
jpoveda@udistrital.edu.co ~ Disposidvos de radiofrecuenda
"j'
{'\
f"
\.
c
()
(--' -"
---:\
( .J
(j
0
le, ,/
0 12
0
0
·
~
'. 2. ACOPLES DE REDES DE
RADIOFRECUENCIA
Con elementos pasivos de parametros concentrados

E'
,
(
c
Redes de Acop/es
• Introduccion
• Redes resonantes
• Serle
• Paralelo
c • Serle-paralelo I Paralelo-Serle
• Transformacion de impedancias
c • Redes de acople de impedancias
• RedL
• Red 1£
• RedT
• Acople con transformado
• Carta de Smith como herramienta para diseiio de acoples
(.)
;poveda@udistrital.edu.co
~
l)
c
L
U 1
U
o
o
Introduccion
• Los sistemas de comunicaciones de radiofrecuencia estan
compuestos por circuitos 0 redes electr6nicas que se
interconectan.
• La interconexi6n entre redes de circuitos requiere de maxima
transferencia en potencia; cuando no se cumple maxima
transferencia se deben inc/uir un circuito intermedio
denominado acoplador.
(
• Acoplar consiste en emparejar impedancias de dos redes
interconectadas y ademas que el acoplador sea resonante.
• EI estandar de las impedancias de entrada y de salida de
( redes de It es de 50 D, (generadores, intrumentaci6n, etc.)
jpoveda@udistrital.edu,eo
c
c
'\
"
Introduccion
• Frecuencia de resonancia fo: Es la frecuencia de un red L-C-R, en el
cualla suma total de los reactancios del circuito se hacen cera
• Ancho de banda B: Son todas las componentes de amplitud en
frecuencias, el cual superan un umbral definido, que se encuentran
alrededor de la frecuencia de resonancia.
• Factor de calidad Q: Es la raz6n entre la reactancia y la resistencia,
" 6, la raz6n entre la conductancia y la suceptancia dependiendo de la
C !
configuraci6n de la red.
()
• Selectividad: Es la capacidad que tiene una red de acoples para
o atenuar componentes de frecuencia que esten por fuera del ancho
o de banda requerido. Es una consecuencia del factor Q
Q jpoveda@udistrita1.edu.co 4
('\
~/
(J
U
l)
o 2
a
o
Circuitos resonantes - Serie
r~ ~
( • En un circuito serie todos los
II,
~, 1(2.1)
componentes se encuentran en ytt)
cascada.
• La impedancia de la red es la
suma de resistencias y
reactancias.
• La frecuencia de resonancia
1
y XL vJ :: 11 -= Z;,.,fe
,. , ocurre cuando la reactancia X
\:
es cero Z=R j(XL-Xc)-1
IZI JX2 + R2 y .... 6>0 t ("),('e;,
(
,' 1
x = XL Xc 211 * { ; Cc uet·,C Ie: ~"{._
,'s:< i6""Clf\CI4.
jpoveda@udistritaLedu.oo ~~f---\'el,1I'Ic~O leJ""
>l! ", lDispositivosderadiofrecue
,,'t'
lel
c
(j
r"
~j
n
'-~
" Circuitos resonantes - Serie

• EI ancho de banda. Esta Jimitado por las frecuencias de
B- 3dB = f2 - f1
V:v,c\o k f:crf'~(~
corte alrededor de la frecuencid de resonancia.
Q • Ancho de banda a media potencia: Corresponden a las
() componentes que se encuentren par encima de la mitad

x XL Xc R
de la potencia de la portadora y est6n Jimitadas por las
frecuencias de corte f1 (inferior) y f2 (superior).

R
La porcion de espectro que est6 por debajo de la B- 3dB f2 - I~ = 2IT '" L
frecuencia de resonancia el circuito se comporta como fa .
o capacitivo y la que esta par encima es inductiva tal que
\B- 3dB =Q \
o I ~ __ ._. .._...l \
Je
-.,.-~-~'~--
~'-'- X I., -t>

If) ..l,._t1
v~ IZ""-C,·~.
d. ,q
\ f, - -
R + 1 -R )2 + 1
.
o 4TC '" L 2 TC 2L L C \Qt

\ R
o 1/2 + LC
T \/
Q L z Dispositivos de radiofrecuerft:ia
(;
()
3
U
()
o
(
Circuitos resonantes - Para/e/o
;~ to ~, ~
• Para este circuito, todos los ~

componentes se encuentran en (2.2) y~~ (·,·C'\'1C'~
)
::. .2:.'
paralelo.
,.-- .....
\ • La admitancia de la red es la 0-" C"j (7;'f:(
suma de conductancias y 't -t C e r t \:\"" \ <A.)

c
suceptancias.
• La frecuencia de resonancia
-
-~
-~~-{;.
10
1
ocurre cuando la suceptancia B fo
( es cero.
\
• De igual manera que el circuito
~_{L~
serie, se encuentran los

para metros para este circuito.
Be
L jpoveda@udistri\al.edu.co ~_J , Dispositivos de radiofrecuentia
C'
C)
C'"
Circuitos resonantes /
\..J C' ""~¥'""- .•.••• ~'".~ __•_ _ m . " "
• Los parametros del circuito se pueden
Q
encontrar por el analisis de (2·3)
impedancias 0 admitancias.
o IAdmitancia equivalente ~ .'
{'r
\..j!
• Para que este circuito sea resonantes, y = j B +.G "" (-}B L )
tambien se debe eumplir que Bt 0 . e G - j BL
o y = B2
Bt " G
2 +J
.(
Be
at.. " (J2 )
+ B2L+rG2 = Gt + JB t
•
Frecuencia de resonancia del

/.,+G
c
I
circuito
Condo"on,;o d" ,;,,0;'0 L. Fo =

1
2,'"
J (L) -
R 2
4- LC
:l.
o D2 *G G ,G
jpovcda@udistrital.edu.co
1
2
+G2jB2 =h +2L,
Dispositivosde radlofrecue
S
2
iil~"-~
o
G
o 4
o
n
Circuitos resonantes - Transformaci6n de
Sl 2cr
impedancias
:~ :=0 Qf ::-G'i
• Muestra los equivalentes serie-paralelo y
viceversa, donde las impedancias en ambos
terminales son iguales

® ®
• Can esta premisa tambi£?n se puede concluir
que los Q tanto serie como paralelo son (2·4)
r ". iguales:
\/
Impedancia equiva[ente del Zs

:2
-. r
X) * Rp 22 5e "1'] \ +I~\,e~ ','
circuito b, y corresponde a [a del Rp±jXp + J Xp 2 + Rp e\ ("' ~,r; r 1"',,<> d.~),r;.,

circuito u.
Va/ores re/acionados serie

paralelo y viceversa para hacer
transformaciones
[' a'@udistrital.edu.ct·-
\
,...." .' , ' D " 7,•
(
\- .!
"
\(& 'i,D
V' '\
~<
, " \
~
~l" '·,.:j."rr .> f

('~, \',
~i
'; \~ '. '
"
(~~
'\."./
Circuitos resonantes - acop/e red L

z.
~<£
• Todo bloque que alimente una carga se representa
~
{',
V' par un generador y una impedancia en serie.
Q z,
• Se debe cumplir ef teorema de fa maxima
transJerencia y ocurre cuando fa impedancia del
generador es igual a la impedancia de carga
conjugada. (2·5) z9 - ZL *
• En la mayoria de los casos fa relacion de
z.
impedancias no cumple con la anterior premisa,
o luego hay que colocar una red de a acople para

C!«..Ha I11'1"C:""P1tt
z,
emparejar las impedancia de acuerdo al teorema 2.
de la maxima transJerencia en potencia.
• El acople en L involucra 2 elementos reactivos
IU complementarios como el modelo de la figura 2.3,
Zg ZL'"
o e1 cual hay que hacerle un analisis mas aJondo
jpoveda@udistFital.edu.co % Dispositivosde radiofr-ecueHtia
"
('
()
()
5
u
e
o
L, (24)
c±~ Z'~
• Algeneralizar la red (2.3) con impedancias y al
colocar la red de acople L invertida, se analiza la
c forma de acople de esta red.
Se supone que fa Fed con los elemento reactivos acopla,
junto a los datos obtenido se la Flaura 2. <se tiene
lz---L---------'
Z - R t = RL (1 + Q;
• Ahora el sistema de la red de acople involucra el
generador. Esto permite acoplar el generador y
la carga por medio de los elementos reactivos, R t = l/G t
los cuales tambien cumplen con las ecuaciones
encontrada si se intercambian de lugar.
s~r "~
• Tambien se cumple que el factor de calidad Q de
la rama serie y paralela sean iguales cuando hay
/
acople
"
~~
il'oveda@udistrital.edu,co 2. Dispositivosde radiofrecuerU:ia
n
" ./

0, • La red en configuraci6n L, el orden en la colocaci6n de los elementos, solo influyen e,
tipo de respuesta enJrecuencia del acople.
• Los Q de cada rama para efectos de acople deben de ser iguales, Qp Qs.
( ',\7! • El elemento reactivo que se coloca en paralelo, corresponde a la impedancia que tenga
el mayor valor en su parte real.
• La senal delgenerador solo basta con conocer laJrecuencia central.
( ""
J
()
()
Q
t,')
~
o <l-o,,-l>
1 u.
C
C
U 6
o
o
Circuitos resonantes - ejemp/os
• Ejemplo l: La impedancia de fa jUente es resistiva de 100 n que se conecta a una carga
resistiva de 1000 n Halle el circuito de acople pasa-bajos para una frecuencia de disefio de
lOoMhz para una configuracion de acople en L.
• Saludan:
• a) E/ elemento en paralelo debe estar en ellado de la resistencia mayor (1000 ny, esto la
convierte en la Rp del circuito de tal forma que: ~'- "'\
~/ z!J \
f. =-\
\/~~-l ~I~~
.iOOOnm :;
\, 1000 oh'!}.. -J .3
= VI 00-01;;11
1~'''?11
am" .
Zl '
f Xs =Q,$R 5 3 * J00 ohm 300 ohm
'- ~
.
.\,
Rp
Qp
1000!l
-3-
."
=-",.. <" .
• b) Ahora si se selecciona el elemento reactivo serie que sea capacitivo, entonces ef elemento
f'
para/elo debe ser inductivo, eI valor de los elementos son
"( ,
.r~ Il)L-fL"'X./w 300Qi(1;;*lOOMhz)=,j77I1H C 4.7S pF

• jpoveda@Udistrital.edu.co 13
,
( ,/
(
(\
'\ ./ Circuitos resonantes - acop/e red L ejemp/o
• Ejemplo 2: Un inductor de 200 ptJ tiene un QL 100 Y resuena con un capacitor paralelo a una
o fo = 1 Mhz. Hallar su equivalente se,rie y paralelo Rs, Rp, Xp
• Saludan:
~
• a) Si hay un QL esto quiere decir que fa bobina tiene una Rs en serie tal que:
g,'=Q, -'" Rs ';;;:';-"'-'-:=::==-=- :::.1~ .50

• La resistencia paralelo, enfunci6n de la resistencia en serie y el Q es:
() Rp 11\ (I '-Qi i~ 12.:<O~-t 100')~ 125KQ
( "1
y • Tambien la reactancia en paralelo se halla:
Xp d~{l+l!Qt.l= 1,7"LHh.z *200,ttH!) + I!lOcr)= L257Kn
• La inductancia en paralelo cuando Q »1, es similar a fa inductancia en serie, entonces:
Q • .~ 0 :.:L = WL -> R =. 2rr· tJlhz. ~ 200pH 12,5>2
~ -, 11, Rs s 100
o R? Rs(l + Ql)= 12.SQ(1 + 100')= 125 KQ
o jpoved.@udistrital.edu.co 14
(' j
C)
()
7
U
0
0
(
Circuitos resonantes - acop/e red L ejemp/o
\.
• EI circuito equivalente del ejemplo 2 es
L
c
l.
R.
('6~ Ie fe, ~ R,
z
t~~
\
~ @
/
\
jpoYeda@udistritaLedu,co 15
( ~ ..
\, -'
(j
Circuitos resonantes acop/e red IT y

r-',
t; • EI acople en L, el Q esta definido por la parte real de la impedancia de carga y de
generador, luego el usuario no puede elegir esta configuraci6n cuando tenga que
definir el ancho de banda
• Existen otros metodos de acople como la configuraci6n en red 7f, y T, para cuando
se requiere un Q definido, independiente de las impedancias de carga y de foente
• La red de acople consta de 3 elementos pasivos, dos bobinas y un condensador 0
viceversa, que permiten el acople con elfiltraje pasa-bajos, pasa-altos y pasa
bandas.
G
• Red 1[. La denominaciones de estas redes, es por laforma como se distribuyen
c los componentes reactivos en el acople. Yel modelo se muestra en la figura:
()
u
jpoveda@udislrital.edu.ro 16
()
c'
u
u 8
o
o
-Circuitos resonantes acop/e red
z.
n ....~
~l--------r-----dJ~
I---r--'------,
(~
~ 7"
(
\
,
f"L t f "~ ~) (2.·7) (~)
z, II!
I
r-'
\.
• Se divide la reactancia X2 y se coloca una resistencia virtual en medio. Fig. a
c • Luego se dividen la red en 2 subredes, con la Rv comun, y aparecen como dos redes
c tipo L. fig. b
• El siguiente paso consiste en desarrollar el modelo de red Leon la red que tenga la
C" resistencia mayor entre Zg y ZL. Se encuentran los valores como si fuera una red L.
,
{~-,",:..
., • Se halla el valor de la resistencia virtual y luego se emplea en el desarrollo de la
f' segunda subred
"
(
\
• Por ultimo se unen de nuevo las dos subredes con los valores encontrados para la
division de X2 y se eva Ilia la red completa.
Cl jpoveda@udistrital.edu.co '7
( j
C
Q
()
o
(-';
()
Ircuitos resonantes acop/e red
c
c • Ejemplo: Se requiere un circuito en configuracion J[ para acoplar una carga RL =1000
o .(2 a un fuente que tiene una impedancia Rg = 50 .(2, el disefio requiere un Q = 20 a una
frecuencia de resonancia fo = 100 Mhz.
g
• Solucion: Para esta configuracion la resistencia mayor corresponde a RL.luego la subred en
(j L dellado de la carga, no permite encontrar Rv y las reactancias, tal que:
o R r'=~=~= IKD ='1~n

.r p = X. =.!!L =!!..L =
, Qp Q
IKQ
20
= son
o y'? ?
Q - -+ 1 Q- -+ I
1
20 - -d
- --
x, = X 22 = RsQ, = R .. Q = 2.5n *20 = son
o • Ahora para la red que contiene la resistencia menor, que corresponde a la red del
generador, se halla un nuevo Q para esta red es, y con el QNse evallian las reactancias de
u esta red:
-'
C y
R. R. _ 50n =oIl .~7D
{ , Xp = X, -= -Q" =0::'- 4.36
'--J Q.\"=,fRp_l=
VRs
IR'_I=
VR, 1500 •
\i2.5D-I=~.'6 P _.'
U x, = X 11 = R,Qs = R,.Q", = 2.Sn *4.36 = 1O.9Q

jpoveda@udistrital.edu.co ,8
(J
o
()
()
u 9
u
o
o
ircuitos resonantes acop/e red
• Los signos de las reactancias Xl, X;l1, Xzz, X3. se pueden combinar asi: (-Xl, XZl, Xzz, -X3.),
(XI, -XZI, -XZZ, X3.), (XI, -X21, XZZ, -X3.), 0, (-Xl, XZI, -XZZ, X3.). Par el ejemplo la
r~
distribuci6n de elementos reactivos elegida es:
" .c" . ---,,-~.":":'~.".-.-..~-..-,~ = 146" pF
C2c 31BpF
11.47 Q 50
X3
L1 = 2nfo 2 IT 100 Mhz ~ 18.25 nH L,
2 Tifo 2 IT. , 100 Mhz '" 80nH
• La redJinal de acoples queda asi:
z.
r
-{;-h~H-lf
145pf
ZL
,
~
' Vltl( '\.J i -< 31.8 pf
"
',./ ""8.25 nH 80 nH :)
3 I Koh
t
'\
@
'9
( )
, "
/
Circuitos resonantes - acop/e red T
€I
() (2.8)
@ ®
• Se divide la reactancia Xz y se coloca una resistencia virtual en medio.
• Luego se dividen la red en Z subredes, con la Rv comun, y aparecen como dos redes
o ....
tipo L.
• El siguiente paso consiste en desarrollar el modelo de red Leon la red que tenga la
(j resistencia menor entre Zg y Z1. Se encuentran los valores como sifoera una red L.
• Se halla el valor de la resistencia virtual y luego se emplea en el desarrollo de la
segunda subred.
• De igual manera que la red 1'[ se unen de nuevo las dos subredes con los valores
o encontrados para la division de Xz y se evalUa la red completa.
Q jpoveda@udistrital.edu.co .0
()
c
()
C 10
o
o
circuitos resonantes acop/e - Transformador
(- • Ademas de las caracterlsticas de acoples, tiene otras ventajas como, acople con
\ ~
aislamiento, sintonia sencilla en la primario e inversion de fase.
1"
\. ;' • Los parametros del transformador de rftiene valores de la inductancia del primario
( Lp = Ll, del secunda rio L2, de la inductancia mutua M 0 el coeficiente de
,
"
acoplamiento k. EI circuito equivalente del transformador es:

,
( -- ......
c
"
\: ~
~.,
---~
Rl___ .._... _......

j
~
-::'.'.' .--1
$=
~ -
Rt
...... ........... _.......... _..

r'
R.
_~~ . l'''';~'~M''
3..
__ [ '
___ ,,_,,_..1I
R
, k = JL 1
M
* L2
(2·9)
.~!» .... ..... t~).
n
"", ,
\
{
\j
" jpoveda@udistrital.edu.co 21
C
r'·
M'
{r",
\.../
(
o
./
\ .. j
"
( ': ,,/
rcuitos resonantes acop/e - Transformador

C~
C)
o L,
······L-~-y·-·· ..--·.. ·
Q ~'----r-~L -~~~. r----f'YYY"\~--Rc~11

o ,(~ ..........._..._.. ,,"'.._. (2.10) /~ ".."..... ...
( ",.,
.............."".."._. ""...'E.'..
--)
() M]2
Qp =:'3.1'" .. '" .".~:!:I'.".
\~o··l.p W ... 1.
= [~.]2f
1.2
R. / k 2
...,
" L
1
~L__ R[,p = [L~. * RL
wo".f.]
('1 O 4
~./
o [Q p 2+ 1 - k 2]
(
-, L =
R Ls =
M]2
[ L2
RL
* Qp 2 +1
j t Q
p
2 +1 * Ll
U
wo"Ls Rr fa
U Qt. = - -
RLS
= -Xc
Wo * C * Rt
B
Q jpoveda@udtstrital.edu.co 22
o
( j "
u
u 11
o
o
o
ireuitas resanantes aeaple - Transfarmadar
• En el software Awr microwave office el
MUC2
transformador se presenta con sus ID=M1
pard metros completos de la forma, donde L 1=1 nH
ademds se incluye la resistividad de cada R1=O Ohm
( inductor. En el modelo circuital del L2=1 nH
( transformador hay que tener encuentra
dichos valores,
R2=O Ohm
(
\, /
.~
K1 2=0
(
\.
'.
1
,c
4
2
(2.12)
(
jpoveda@udistrital.edu.co 2)
( ~
\ ,/
() EjBrcici[]s
C) I. Un generador tiene Z,,75 yla carga Z=: 75+jlO, realice el acople mas sencillo posible para una f
100 MHz.
2. Acople un generador en configura cion Lcon Zg =: 50 + j20 y una carga de 75 - j2R f '" 150 MHz
3. Se tiene una carlla indudiva de 100 nH con un 11 de 2, si se alimenta con un generador con impedancia
de 50 .Q y f =15U MHz, realice un acople en configuracion Ltipo pasa-bajos, 1t tipo pasa-altos y Ttipo
(
"
..J pasa-bandas.
o 4. Suponga los parametros de un transformador y acople el ejercicio 3 con el transfurmador en
meneion,
( '" jl 5. Para la figura (2.4), si la carga Z=20+j12 y el elemento de aCl!Jlle L=6[1.5 nH, cual debe ser los
valores de la rama del generador para que haya acople? f =150 MHz.
G. Una antena tiene una admitancia Y= 12.5 +jlOO mS y se quim medir con VNA dellaboratorio, disene
la red de acople para medir correctamente la antena a una f =200Mhz. y un B 50 MHz.
7. Simular los ejercicios en AWR.

o
o
jpoveda@udistrital.edu.co 24
( ,
~/
0 ', .' 12
o
o
( 2.1 Carta de Smith
Herramienta para el diseiio en alta frecuencia

( ~
('
'- j
carta de Smith
( i
~J • La carta de Smith es una herramienta muy utilizada en e1 diseiio de circuitos de
radiofrecuencia y de microondas que involucren elementos pasivos y activos para la
@ realizacion de filtros, acoples, conversion de impedancias, disefio de amplificadores,
etc.
• EI modelo de la carta de Smith se construye a partir de los coeficientes de rej1exi6n
() producidos por las impedancias del generador y la carga al no estar acoplados. EI
C) Coeficiente de rej1exion estd definido de la siguiente forma:
Z[,. /Zd - 1 Zo 1
o r- ~--
- Zg + Z1".
- -:::..---
- (Zf)/ZL) +1 Zo +1
()
R2-1+X2 +.] 2X
r R+jX+l
. rr + jr:>::
()
• La carta de Smith se construyo a partir de la expresi6n de los coeficientes de
o rej1exion.
c
u
0
1
u
()
0
Carta de Smith
• Circulos reales. resistencias se despeja X de la parte real Tr y se reemplaza en Tx, y
r~
\ se obtiene:
R 2 R 2
X= [I~ R + 1] + r/ [R + 1]
• Corresponden afamilias de circulos con centro Rj(R+1), O y radio R/(R+l).
r'
~ .,. • Para los circulos de reactancias se despeja R de fa parte imaginaria Tx y se
reemplaza en Tr, y resulta:
[Tr IF + [I;. 1]2 [1]2

X X =
( es unafamilia de drculos con centro en l,l/X y radio 1/X.

• Tambi!€n
Carta de Smith Z
2:-«!;) ".lIt<
o
u j,-: ·····---~·--,--··---.Q:i----·-···;o:::+-··-···-.ti+···- .......~.ttL~___...._>~~
o
u
c -11 ~
o
~
1\
c·
C
C
U
U 2
v
o
o
Q
()
o
o
SDpUDpadw! ap D'J,sa.J A DwnS •
LfJ!WS ap DJJD
?\
ZJ.. LJl/W5 ap Dl1D) )
A L(UWS ap o:]JoJ.
orto de Smith
• Suma Y Testa de Admitancias
,/~ . ~ --i o
'
( '"-~
'"'J'.(:
Carta de Smith
• Conversion de Impedancias a Admitancias y viceversa
()
o
()
()
o
o
@
o
c
u
o 4
o
o
Carta de Smith
• Acop/e en configuraci6n L
(" "
\ /
• Las impedancias de carga y fuente/ si son grandes/ se normalizan
con un numero N, a se trabaja can carta de Smith sin normalizar.
• Se colocan los puntas normalizados de las impedancias tanto de
generador como de carga conjugada en la carta y se hace el
siguiente procedimiento en la carta ....
• Del punta de impedancia de carga se siguen las curvas par los
("
circulos reales para obtener 105 elementos reactivos en serie
\.
paralelo a vice versa. En serie nos movemos en las curvas de
resistencias y en paralelo en las curvas de conductancias hasta
lIegar al punta de impedancia de generador.
c
c
(>
\ ./
arta de Smith
• Tomamos las magnitudes de 105 elementos serie y paralelo. Como
o son reactancias estos pueden ser una bobina L y un condensador C
9 a viceversa.
• Para encontrar el valor de los elementos a la frecuencia de
resonancia fa y can en numero N de normalizacion, las ecuaciones
son las siguientes:
o B N 1 N*X
(.J'. c Y L=--- c Wo * N *X
Wo *N Wo * B Y L Wo
() Paralelo Serie
o
c'
u
0
5
0
0
0
0-- Carta de Smith ZY
C
[,
~.j
c
(
jemplo: acople L
o • Se requiere probar un transmisor con una carga fantasma que
Q representa una antena de impedancia 75 D
o • Solucion: Se debe construir un acople entre el transmisor que por
C··"~j estandar es de 50 D Y la antena yagui-uda de dipolo simple que es
(J, de 75D.
o
C" o.
()
u
o
I~'"
r'
"-/
C
(;
o
(j 6
o
o
0
0
L
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o
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()
:')
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C)
o
o
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C)
VN31N1t <IOSlfIIISNVIll
()
011£= X 0011
I.~··········~·
::1idO,)'V
·.1
DwaJS!S lap 0lapoll\l .~
"
\
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/<' ';
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,
.)
Valores de par6metros
N
c == B
Y L == wo*B
wo*N
r""
\. ?
c == 1 y L- N*X
wo*N*X Wo
,-'' . /
1
G L == N
2n*820Mhz*O.0094 20.6 nH
C wo*B
,
{----".
C 1 1 5.5 pF
, - wo*N*X 2n*820Mhz*35
"
I--'~.
'
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;
-Q
( -" /
c::;
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Squ~;n6tico del cTreD/to
c
o
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v
C: j
o
(-)"'"
o
C':
,- -'
u
o
G
C
(:;
u
u 9
u
o
o
arta de Smith ancho
• En ancho de banda de term ina un Q de usuario, luego se grafica en la carta de

("-' Smith.
• Variando la reactancia se obtienen puntos de resistencias diferentes en la carta
que determina el Q. hay variados puntos para un Q constante, dichos puntos se
grafican en la carta y se obtiene una curva.
• Segundo se colocan los puntas de fuente y carga en la carta de Smith
• Tercero, de la carga a la fuente se grafican los arcos, tal que un punto de llegada
de un arco se encuentre en la curva de Q
• , hasta llegar al punto de fuente, se toman las magnitudes de los arcos y se hallan
los equivalentes respectivos de L y C.
• Para llegar del punto de 10 cargo a 10 fuente hay varios cominos. Del camino que
se tome depende el tipo de elemento y 10 posicion dentro de fa red de acopfe
c
c
arta de Smith ancho de

• Ejempfo: Halla fa curva que representa a Q 5 en fa carta de Smith.
()j
• Sofuci6n: con fa siguiente funci6n se obtienen los puntos a graficar en 10 carta de
Smith.
R=X_X
.c,
Q-S
( -" • AI unir dichos punto en 10 carta de Smith se obtiene una curva de Q 5, como 10
muestra 10 siguiente figura. Adjunto en la misma figura se muestra 10 curva de Q
10
• La figura de 10 carta de Smith, muestra que si el Q crece, las curvas se acercan 01
borde exterior, 10 cual implica que hay un limite en 10 utilizaci6n de 10 carta para Q
muyaltos.
o
()
()
Q
c
c
(J
(j
(j 10
o
o
11
()
u
C)
()
C)
C)
t)
POP!f O:) dP )0:]:)0::1 -41!W5 ap D1JD

o!
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Qii
(1f
C)
()
()
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-
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f,
()
C)
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\
'-)
UNIVERSITY OF FLORIDA, 1997
NORMALIZED IMPEDANCE AND ADMITTANCE COORDINATES
\, ./
,\ '
'\
c
( RADlALU' SCALED PARAMkTERS
i:c TCM'ARD LOAD -!o

10 7 5 4 3
<- TOWARD GENERATOR
2 I
"'" 1 0.9 0.& 0.1 0.6 o.S 0.4 0.3 0.2 01 0,05
~
U
U
,',', ,'" '\' , ',',' ',' " " ',', \
l.2
U! 1.3 1,4
1.31.41.5
1.6 1.8 2:
UL1L8U2
"
,O/""(yl.,,,',~i4, ... ?Cn~1"~_t!,f! ',') 7j'!I!,.1'/~

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3
2.5
-.'-r+~-'T+rN'--rl.-rl-
4
3
5 10
45
__ ~ ,.O,S", ,{jjS, _LJ...l~l~' , , ,0,6, , I IOi5_L... J......_..l......j_~i4! , 1 ,0,3, ,-IH-t~}..I • .l-..I.-_t_02L.LJ.. ~_~~ __ ! 10.~5, 11,Oj9 ~~'W_.::t ___ L~L~~_~~~----L ~~{)l~~l_.
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ORIGIN
L
u
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o
o
()
(1
()
o
,
r-'.)
~-
\
-- )
\
'- ./
3.1 Redes de amplificacion RF
Amplificadores de parametros de
admitancias y de dispersion
\ "
jpoveda@udislrilal.edu.co
.J
3.Redes de amplificacion
@
RF
'Amplificadores de pequena senal
.Ampli/icadores de Parametros Y
C) .Ampli/icadores de parametros 5
C~J .~
'Ampli/icadores senal grande
.Clase A y 8 (lineales)
( " .Clase C y D (no lineales)
'-,
(.,)
Q
o
(j
u
()
1
u
o
o
• Para los redes de amplificaci6n se utilizan elementos activos
tales como, transistores FETs y bipo/ares, diodos, tubos de
f
vacio, etc..
\ "
• Con estos elementos fundamentales se construyen ademas
dispositivos electr6nicos de rf activos como mezc/adores,
asci/adores, PLLs, VCOs, atenuadores, divisores de potencia,
f ,~ >
antenas, etc.
(
,
",
'
• Los mode/os de disefio para redes de amp/ificaci6n /0
~-. de term ina /a frecuencia, e/ ancho de banda, 10 potencia, el
ruido, ademas de otras consideraciones.
("
C jpoveda@udistrital.edu,co
~~31~1r:l~~ii~~~7JJffi~~t!6t;lliFf;:
( "
\ j
C2
\ "
('\
,-j
o;,
I\.~
mplificadores lineales
( '"',
t) o La base fundamental de 105 amplificadores son 105 transistores
o o Polarizacion . Se realiza para todos 105 modelos de manera similar.
e o Los
desacoples AC
amplificador
DC, son fundamentales para el buen funcionamiento del
l
-~
o Hay que ~ener
" diseno.
en cuenta los elementos que respondan a las frecuencias de
o
o Los modeloslineales de transistores son Z, H, Y Y 5
o EI amplificador para diseno con parametros Y y S, responden en las
o frecuencias de if y microondas
o \) Estabilidad
'\ \) Ganancias
~"
\) Acoples
C:
G
~ -,/ jpoveda@udistrital,edu.co
o
,f -....,
1,-,'
Q
o
o
2
o
Q
. '.,
\ II
MOSFET TlPO N
2f4E6&) ~~~;~TlPON -< !:~~lAR TlPO NPN
,-,
t.
~ ~,;;T TlPO P ~ I;';,: TIPO N ~ ~;e~LAR TIPO PNP

r'
\ ..
{
\
{.
\
jpoveda@udistrital.edu.co ~';~~~~~~~~[~~fi~Ef$~)nf;;'~'
( ".
\ '
CJ
()
• Polarizar es alimentar el transistor de sefial
continua
Q • Para que el eJecto de amplificaci6n de la sefial rf
ocurra , la energia se extrae de la polarizaci6n
-'
( ..) proveniente de la fuente de alimentaci6n '
• En radiofrecuencia, las hojas de especificaciones
( --'\ traen los puntos de polarizaci6n (Ic, Vce) junto con
j
los par6metros de disefio del transistor
t"
"-...7 1
• Los metodos de polarizaci6n, son simi/ares a los

() amplificadores de baja frecuencia, aun cuando el
desacop/es AC - DC es de ma's cuidado.
()
o
r".
8
f'\ _/
c
c
c 3
o
()
o
• Ejemplo: polarizaci6n en
configuraci6n de emisor para un
amplificador con transistor BJT.
"
(
.... IRB2 IRe
'Ecuaciones apraximadas:
'VeE, Ie, VE = VeE 14
• RE VElIE IRs! IRE
'Re = (Vee- VCE) I Ie
"B= lei 10
'VBB=VE + VBE
'RBl =VBB I IBB
l '
\ . 'RB2 = (Vee - VBB) I (fcc »IB)
C jpoveda@udistrilal,edu,c:o
()
VCCh
L RFC
~ Cc
o -,------J I
~
o YL
o ig y"
"
RE
()
o
jpoveda@udistrital,edu,co
C:
o
u
u 4
o
o
,/>·~·¥S~·'·. <..
~. . . . . • . . . . . . . . .
mplificador con para metros de impe~
..
£
\.
[Zll Z12 ]
Z21 Z22
(
, Z; z"
t. .._.
rI
[;;
\.
Zr]
Zo
f -~"
Zj
\ .. Zo
(
f
\.
f "'
~·7
( ';
\.._/
0
9 [)'11 )'12]
)'21 Y22
. (~
-~y
Yj
c' ~)
Yo
0
!
G -,-1
gi Yo))-]
(~
j
rl
Vi
f
II
Yo
()
Q
~
(~
C
U
U
5
()
0
0
s
Los parametros Yij del transistor
/c '',.
\
se encuentran en las hojas de
datos dodos par el fa bricante.
Yij estan en funci6n de
frecuencia de trabajo y
la
la
d
Yj
rYi
lYr
Yl']
Yo
Yo
polarizaci6n.
Yi Y Yo est6n en funci6n de ¥ij"
Que corresponden a las V1 v

c i1 iz
f
\ ..
.
admitancias de entrada y salida
del ampfiJicador Ylli
~ Y12V}
J (,J Y21V1 I.YZ2
t" La ganancia y la estabilidad
~
tambien se obtienen can los
l'
\ parametros ¥ij
( ,
\
(':
.j
c Las admitancias son valores YrYr = Gt + JBI

complejos Y = g+jb.
iii = Yi Yo + Yr.
() Can b como 10 suceptancia YrYr = Go + jBo
(capacitiva a inductiva) y 9 como fa Yo Yo - Yi + Y9

conductancia.
(_J"
() Son valores de admitancias ynm Yt = 9i jb i Yr = 91' + jb
para las cuales ef ampliJicador es
o estable a inestabfes. Yf = 9f + jbf Yo - 90 + jb
Para que ef amplificador sea
estable el factor de Linville C, debe
c~ IYf Yrl
estar entre o<C<l. de fa contra rio 2gi go Re(YI Yr)
es potencialmente inestable.
~ 2 (gi + g g Xg + g L )
( .'i
/
K
o
0
EI factor de Sturn K, tambien
determina fa estabilidad, K>l
IYI Y1'I+ Re(YI Yr)
jpoveda@udislrilal,edu.co
o
c
u
G 6
t)
o
Amplificadores de parametros Y =G'anaffciaen potencia
La ganancia en potencia del transductor de acuerdo a los valores de

admitancias es:
V1 ) ( • V2
i1 i2
Yll Y22
E
\ ~
GA = P" Iv 120
O'L
...",:>
V,t.,Vf 2
~
O'L lyA'gf.
c ~ I~i Gt }~ + Yr If,'t G i (Yo + YL YGi
r
'.
Amplificadores de parametros V'::':'G'anaricia en potencia

(
La ganancia en potencia del amplificador de acuerdo a los valores de
admitancias y sin acoplar son:
i1 --------, Vz
"
Yg Yi Yo YL
( .. )
.\
Y,V2 fV 1
()
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ .J
()
()
()
(]
Q
jpoveda@udislrital,edu,CQ
~
C
u
u 7
c
o
o
plificadores de
dlsponible MAG
La ganancia maxima disponible MAG, se da en condiciones de acop/e y

,I cuando yr =0.
si se requiere una potencia mayor a la MAG, es necesario cambiar de
transistor 0 colo car dos etapas
vi'" )'[ ,2

E GA = IYq+Yl.! 9L
. Y t)~Il
4jy{fUg "'9£
IV'
i illlg T Iv. ! I ' i'L12
.Ii.. + troll
" 49 0
f ~,
\ -.
.MAG = 4gg g L I}''!1

2
4g g g L lyAI. IYfl 2
( I(gg + gi ,go + gd" j(2gi X2gof 4g j g o

t'
" /
(
~'
.~ .;
, /
(- ,
\,j
Admitancias de acople I/O: Las admitancias de acop/e optimas las de te rm in an los
r"
\.3' parametros ymn . La admitancia de entrada
~gigo RelV/Yr)f - Bi jb j -
\'. ' r
1m .,;;"
(3 Gi
2go
Admitancia de salida optima
[2g i g o - Re(vJY,.)P Eo = jb" 1m Y .1_"

oj'
G = ....!¥------=------'---~ 2g!
o 2gj
() Yse obtiene las admitancias optimas del amplificador estable.
Yi-opt = Gi + jBi = Gi-opt+ jBi-opt YO-opt = Go+ jBo = GO-opt+ jBo-opt
Q Vi-opt se acopla con la admitancia del generador yg y Yo-opt se acopla a la

admitancia de carga YL. Y nos permite maxima transferencia en potencia.
c
( ,
'Lj
C:
G
8
o
o
r;pIifk;d~r con parametros d~;;~'~~~ahdasz
r -..,
\
Zo
f
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(
'
rI
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[liZ,.]
It lo
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C'
jpoveda@udislnlal.oou.co
r'.
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[Yll
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Y12]
Y22
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Yo
0
0
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Yi
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Yo
b
Yo
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0
jpoveda@udislrital.edu.co
c:
( -..,
'-.-,
U
0 1
G'
0
0
Los parametros Yij del transistor
se encuentran en las hojas de
datos dodos por el fa bricante.
Yij estan en funci6n de la
frecuencia de trabajo y la
d
Yi
rYi
lYr Yo
Yr]
b Yo
polarizaci6n.
Vi Y Yo estan en funci6n de Yij·
Que corresponden a las Vi v

ii i2
admitancias de entrada y salida
del amplificador
Yu
YlzV2 (~Y21Vl I IY22.
(
t
./.
La ganancia y la estabilidad
!
tambien se obtienen con los

( ~.
parametros Yij
"
( ~
(?; jpoveda@udistrital.edu.co
(\ ,j
"
Las admitancias son valores it Gj + jB t
()
complejos Y = g+jb. Yi - Yo +YL
o Con b como 10 suceptancia
(capacitiva 0 inductiva) y g como 10
Yo = Yo
YrYr
Yi +Y9
Go + lBo
conductancio.
() Son valores de admitancias ynm Yi 9i + jb i Yr 9r +j

para las wales el amplificador es
estable 0 inestables. Yf = 9f + jbf Yo = 90 + jb
Para que el amplificador sea
estable el factor de Linville C, debe
c= IYIYrl
estar entre o<C<l. de 10 contrario 2gi go Re(v v)
() es potencialmente inestable.
0/ / .' I"
() K = 2(gi +ggXgo +gL)

o Ef factor de Sturn K, tambien
determina la estabilidad, K>l
IYI YI'I + Re(y f Yr)
jpoveda@udistmal.edu.co
o
()
()
c 2
()
o
Amplificadores de parametros y'::"'Ganancia en potencia
... -,
La ganancia en potencia del transductor de acuerdo a los valores de
admitancias es:
r>
~ , Vi ( • V2
)
ii i2
(".,
'.
Yll Y22
Y12 V 2 21 V i
('"
\ '
c
(
2
(;
~
p0 = IVJ. , gL v 1 •Vj' 12 a
C> L IYfl gL
l~ I~~I- G;
__
\r " A
{ ,
G - Yo + Yr 1V;12 G; (Yo + Yry~ Gi
\
() jpoveda@udistrital,edu.co
>37l1~ifd~;f;~1ifi~ai11lri:~j{IfJ~~~:
c
G
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o Amplificadores de parametros Y:':G'ariiiricia'en potencia
()
(
"'c La ganancia en potencia del amplificador de acuerdo a los valores de
j
admitancias y sin acoplar son:
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ii _ - - - - - - - - - - - - -
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I I
Vz
o Yg Yi Yo YL
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... - - - - - - - - - - - .I
( '') j
()
G
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''0
Y
~~Jijjj/ifi~foli'~'\7
(J
( -',
, .J
C)
U
3
U
e
o
mplificadores de parametros Y
disponible MAG
La ganancia maxima disponible MAG, se da en condiciDnes de ocop/e y

cuando yr =0.
si se requiere una potencia mayor a la MAG, es necesario cambiar de
I.~
transistor 0 colocar dos etapas
c' vi" Yr j2
\ ~
GA I
=y~ + yLI Ot
.2
41.rri
,.1)
00" OL
/" . !Vi(Yg + l'i)!2 + }fir tVL + YoP
\. ~
40g
2 1
4gg g L Iy.r 12 Iy.rl IYfl
iHAG =
I(gg + Xgo + gL
jpoveda@udistrilaLedu,co
r = 4g g g L
!(2gi X2 got 4g i g o
Admitaucias de acople I/O: Las admitancias de acop/e optimas las determinan 105
(; para metros ymn . La admitancia de entrada
G. = )2gi g o - Re(VlyJJ -. Bj J"b i - 1111 .vf·v,.

(~ 1 ') 2go
~go
r!
'\~->
(j~\ YrYr
B0-- . l"b0 -1m 2'
gi
Go = . . . . ! . ' - - - - - -')- - - - - ' - - - " " " ' -
~gi
Yse obtiene las admitancias optimas del amplijicador estable.
( .\
Yi.opt = Gi + jBi = Gi.opt+ jBi.opt YO-opt = Go+ jBo GO.opt+ jBo.opt
c
o Yi-opt se acopla con la admitancia del generador yg y Yo-opt se acopla a la
admitancia de carga yL. Y nos permite maxima transferencia en potencia.
jpoveda@udiSlrital.edu.cc
c
( "
"'--..j
o 4
o
o
Amplificadores de parametros Y:--CHst
y(t)
(
Los transistores 01 ser

elementos activos no son
lineales
La linealidad esta en una

region pequena f -71 x(t)
c- .
Los componentes adicionales
01 lineal forman 10 distorsion
de 10 sefial a la salida
r'
\
yet) = k1x(t) + k2X2 (t) + k 3X 3(t) + ...
f
\ /
(\ "
, jpoveda@udistntai,edu.co
;;
(,
'. ;;
{" "\
'C. /
• La distorsion ormonico esta presente en todo elemento activo como

() transistores, diodos, mezcladores, convertidores, etc.
• Y tiene respuesta no lineal con 10 excitacion de entrada asf:
x(t) = Acos(wt)
• La salida es de la forma
yet) = klAcos(wt) + k2 (Acos(wt)i

C'''.
,<.j
+ k 3 (Acos(wt))3 + ...
t)
(AcoS(wt))2=A 2 * 1+cos(2wa t )
() 2
• Y10 salida son los componentes de Fourier de la forma

o yet) = Ao + Alcos(wt) + A2cos(2wt)
o + A3cos(3wt) + ...
u
(j
5
()
o
o
La distorsi6n relaeiona los Ai
componentes superiores Di
Al
con el eomponente lineal.
A2
Distorsi6n por el segundo Dz = Ai
arm6nico
A3
( Distorsi6n por el tercer D3
arm6nieo Ai
o;"o"lon total armonka I THD = JDj + D,' + D, 2 ••.
jpoveda@udistrital_edu_co
(-'
".. '
(~
o La sefial Vi{t) entra al
amplificador aeompafiada
o de una sefial de ruido m(t)
La sefial volt) sale del
() amplificador acompafiada
() de una sefial de ruido
(~)i
no{t) Psi
Relaci6n sefial a ruida es Pni
la raz6n entre la potencia
(~)a
Psio
c de la sefial uti!y la sefial
de ruido en un punto de la Pno
c red de amplifieaei6n
o FR == (~)o / (~)i
jpoveda@udlsl,ilal.edu.co
C: ~/
C
U
C\ --, 6
o
o
• Disene un ampli/icador con el transistor que tiene las siguientes
caracterfsticas: punto de palarizacion VCE=loVe 1c=5 mA a una frecuencia
de 200MHz, ademas para mejorar 10 figura de wido Rg=2oo D.
·~
\, /
• Solucion: Los parametros Y del transistor en las hojas de datos, de
acuerdo a las especi/icaciones, son:
f Yr= 2.5*10- 5 + (-0.00033) i S Yf=0.035 + (-0.102) is

\ c
f~
Yo 0.00053+0.00162 i S Yi =0.027+0.017i S
Ie f
( ~; jpoveda@udislrilal.edu.co
,/
Estabilidad
('J
'-Y
De acuerdo a los va/ores del transistores se tiene
IYrYfl = 35.68xlO-6
YrY/ = -32.785xlO-6 -14.lxlO-6 j
(j C IYrYfl =: 1(2.5.10-
5
- 0.00033;) ·(0.035 0.1020j
o 2gj g" Re(YrY,) 2·0.027·0.00053-(-32.785xlO-o)

0.58
Can C<l, e/ transistor es estable

u
o
()
C
7
u
>'-'.---. ~~~~----------------
Ganancia en potencia
Como el transistor es estable se obtiene 10
ganancia maxima disponible MAG
iy l f
2
(l07.83x10-'Y = 11.62 x 10-3
t ~.
IYr I~
~7
l'vIA G = 1L62xl0- 3
(
\ 202.83 -)- 23.07dB
a g
40, 4· 0.027·0.00053
0
('
jpoveda@udislrilal,edu,co
'\
Admitancias I/O
o Admitancia de salida, parte real
G ~[2gigo Re(y/y.)f -~'/)'"I" ,0,0::?7· 0,00053-(·-32. 785x -(35.68xlO-<;
o l~r
G;"!l: =0.925xIO-'S
~
_gl .
2·0.027
(j Admitancia de salida, parte imaginaria
(';
B"" = -jbo+ 0 _, -jO.00162~r":'-J~~lrJ = -jl.88 x lO·;S
\.../
YL-opc= 0.925 * 10-3 - j 1.88* 10- 3 S = Yo-opt*

u
jpoveda@udistrital.edu,co
o"
l ,)
u
()
Ci 8
(J
o
Admitancias I/o
Admitancia de entrada optima, Parte real
G ,,., '" - ' - -_ _ -:-:-:..:..:..:.~~.L

L
J
GLOP; = '17.14xlO- S
Parte imaginaria
B LoPt = - jbi +
_go
=-jO.017 +(- j14.1 1~-6) = _ j30.3xl 0- S
X
\. 2·0.000)3
3
Admitancia de entrada optima

c
Yg. opt 47.14 X 10-3 - j30.3 X 10.3 S =Yj*
t "
"
[
"
'\
jpoveda@udistrital,edu.co
'l ,
( /;
"
Amplificadores de parametros Y ~~E}emplo
Acople de entrada
Los acoples can las impedancias optimas obtenidas, se procede de acuerdo a
() los metodos conocidos. Uno de ellos es lacarta de Smith
Q Yg.opt=47.14*10·3-j30.3*10·3 S Con N=SO
o RgN= SOn/50 1n YgN =2.3S-j1.S1 S
o ZgN=O.3+jO.19=1/ YgN
() Se colocan los punta RgN y ZgN en la carta de Smith, se trazan los arcos y sus
magnitudes son:
c Areo B~C que corresponde a la reactancia de un condensador Xc=-jo. 27
o AreoA~B: que corresponde a una suceptancia de una bobina BL=-jo.0303
(" Los valores de los elementos son:

L=26nH C=60pF
e
Q jpoveda@udistrital.edu.co
C
C~'
C
o 9
u
o
o
EI acople de entrada se reafiza por carta de Smith
.-' .. _"_~t- __..__
/-- .\ -~
~};"",. ". . ,. '..,....:..:+.------ ';.,... .
" " ~,' l ' --'-I"
I
/ ,
'
c ,'
",./
'x
\
, \..-------;-i,
',/'\ I "_,'.\
!',
'0
!' --!
, / J ' - /
-,' \ '. '\,:,
\ '-''''
/
1'n....,. / > \ ... \~~
I ---,-y.~-f,pt / "'. ~---!,_ '~~
f/ /"--; '-, -'/" L~'l.,
;: C [ '___. '/''- " / \ -----'\1
,
i > i , l l I
,
I Yg ---- "
~(------ I
~,,~
i-w.--___"±:::~ "
..""-, '"
",,,,,,,+,,
(7 :, \ \ ~--~-~/~
:'- \
\ ---~-
~ ~-- ..'-\;' ,/ ';/J' ."..
\\ .--\.. . . . . . . .-'" \\ / ,/ /"/' /"""V /"
r:O\~~/j;
\ ............. \ ... / / ;- t--~»--\"'" ,5J
\"".... \ \.....- / I J
I
\
\,
,
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'- .,/
/1/
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'
"... / "", - , '
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/ /
,/~-,---, ·~-~t-·=~~~;:->
J
(
jpoveda@UaisliitaT,edu,co
c
(' ,
I., /
('
'--/
plificadores de parametros y::ljem

EI acople de entrada de simulacion en AWR Microwave Office.
("
'\ . ../
( ->
.~.-j
PORT CAP
P=1 IO=C1
Z=50 Ohm C=59,6 pF
(j'
F":,
\..j
f
a----'--l
> ZFREQ
['\ / IO"'Yi
~y IND ~ F=200MHz
ID=L1 ..,/ R=150hm
L=26 ( X=-.80hm
()
C ~
8
o
jpoveda@udislntal.edu,co
(;
c'
c
o 10
()
o
__ ___ ••••• _ _ __
h
"
"
~
'
~
_
.
_
'
~
¥
'
~
~
511
0
-10
-20
( -30
r'
\ ;' -40
{ '. -50
\..
0 100 200 300 400
. jpoveda@udistrital.edu.co
~.t: "
()
EI acople de salida tambh§n est6 en la carta de Smith y el

circuito finalse presenta a continuacion.
()
g PORT
CAP
ID=C1
P=1
C=59.6 pF
Z=500hm
I
i B·"··-----fi]
I ,I,
( ""j ( <~---
"> ZFREQ
IO=Yi
(. ;\ j
INO ~<::> ~ F=200MHz
IO=L1 t_ / R=150hm
o L=26nH\ ( X,,·9,80hm
I
Gl
l -L
o jpoveda@udistrital.edu.co
t \
~.J
u
()
11
o
(:)
o
Amplificadores de parametros Y - -Ejemplb
Acople de salida
De la misma manera para el acople de salida, con N=100, se obtiene los
elementos
c:
RLN= 0.5.n
y LN=92.5*10- 3 -j188*10- 3 S
ZLN=2.1 +j 4.28
Areo D~ E: que carresponde ala reactancia de un condensador Xc=-j3.05
Areo E~ F: que corresponde a una suceptancia de una bobina BI=-jO.5
C 5.8pF L 83 nH
/ '
\
jpoveda@udistrital,edu.co
I',
"/
mplificadores de parametros Y::

EI acaple de salida tambien esta en la carta de Smith y el
circuito final se presenta a continuaci6n.
(J~
CAP
ID~C1
o C=5.0a pF
PORT
ZFREQ P=1
tD=Yo Z=500hm
'", F=200MHz IND
CJ R=105 Ohm
X=·214 Ohm
ID=l1
L=83
(j ~
()
o
(" j
c
U
l)
o 12
{)
o
Amplificadores de parametros Y -= Ejemplb ,,-' .
EI acople de salida tambh?n esta en la carta de Smith yel
circuito final se presenta a continuaciOn.
522
0 "_"~"_"",,,, .. "n"~·,,,,
-10
-20
·30
'-40
-50
-60
150 200 250
jpoveda@lJdistrital.edu,co
q't~~'~~WJ~~dr;~lfF0~:'
(
"
c
r'
" /
Un transistor en su area de disefio es inestable, hay varias fo rm as de hacerlo
estable con elementos externos.
Las formas para estabiliza un amplificador, para un transistor inestable en
condiciones especificas, es a traves de desacaple, neutralizacion y
unilateralizacion.
9
() Estabifizacion par desacople
Se parte del factor de estabilidad de Sturn, La adicion de impedancias finitas de
carga y de fuentes hace que el dispositivo tienda a mejorar la estabilidad del
amplificador
o Stern desarrollo un criteria uti! de estabilidad que toma en cuenta las admitancias
del generador yg y de carga YL.. al invalucrarlas en la ecuacion de estabilidad de
() Stem, el valor de K tiende a ser mas grande y se aleja de la inestabilidad tal que
C) 2*(Y{+Yg)*(go+YL)
( "') K =
Jp2+Q2+p
< > 1
,
()
Q
()
C;
()
o 13
u
o
o
-AI asegurar que K> 1, se eneuentra un valor de 9 Ldque garantice el valor de K,
ahara para el valor de gg' se busea en las hojas de datos este valor.
-Las expresiones de admitaneias optimas son obsoletas para este proeedimiento
/~.
'\ )'
de disefio.
-Impedancia por desacople I/O aproximadas
-Se obtienen de la siguiente manera, la admitancia de salida es de la forma
YLd - BLd jb o
-y la admitaneia de entrada se evaltia de la siguiente manera
YI'*Yf
I', Y i = Yi - Gid+jB id
'. -
YQ+YLd
-y la impedancia de desaeople de generador es
Yj* =Yg = Gid - j Bid
jpoveda@udistrilal.edu.cO
(
,_./
,
Amplificadores de para metros y:::' i'nesfcihles
Ganancia en potencia:
De la ganancia del amplifieador; se evaltia con las admitaneias de desaeople
(.-7
~: eneontradas, junto a los parametros del transistor se ha/la can fa siguiente
expresi6n
o Ga
41Yfl2Gg * GL
I(Vg + Yi)(Yr + Yo) - )fry,1 2

( .""
j
o Los acoples con las admitancias eneontradas para estabilizar el amplifieador se

acoplan a los extremos de entrada y de salida de la red, por los metodos
o tradieionales.
La estabililaci6n por los metodos de neutralizacion y unilateralizacion. se
deja como trabajo aut6nomo.
o
o
{
"-~/
c
o
14
• EI amplificador con parametros 5 tiene los mismos parametros

a encontror que el modelo de admitancias (Estabilidad,
ganancias, acoples, etc)
• Los para metros 5 estan dados por las hojas de especificaciones
..
del transistor utilizado para el amplificador
• Los parametros a evaluar son: estabilidad, MAG, y coeficientes
de reflexi6n I/O (i.g. admitancias I/O el modelo anterior)
,
,-
.
jpoveda@udistrital.edu.co )$~'Y~~Vis~~dffif}ff/i~~76~~/
Q r ro
j
o Si ZL es igual a Zo* la onda incidente es absorbida totalmente por la carga y no
hay onda reflejada.
Si Zo* es diferente ZL parte de la of/da incidente no es absorbida por la carga y es
o reflejada de nuevo la fuente.
Si la impedancia Zg es igual a Zo* la onda reflejada podrfa ser absorbida por la
o fuente y no reflejarfa ninguna porci6n de fa onda reflejante
Si Zg es diferente a Zo* parte de la onda reflejada por la carga es re-reflejada por
la fuente hacia la carga, y el proceso se repite indefinidamente.
C)
EI radio de la onda reflejada a la onda incidente es 10 que se conoce como
Q coeficiente de reflexi6n r
jpoveda@udistrilal.oou.co
Q
C
("
.J
L
l'')" 15
u
o
o
-!!4 ~
~ 511 512]
[ 521 S22
I ...
\
'alia onda que va de la fuente a la entrada del dispositivo.
'bl es la pord6n de la onda al que es refleja la red a la fuente.
,
(
-; 'bz es la pord6n de la onda al que es transmitida por 10 red ala carga.
'a2 esla pord6n de la onda b2 que se refleja de la carga a la red nuevamente.
'511: Coefidente de ref/exi6n de entrada
'512: Coeficiente de transmision ref/ejado

b 1 =at Sl1 + a2 S12
'521: Coeficiente de transmision hada de/ante b 2= a 1 S21 + a 2 S22
's.n: Coeficiente de ref/exion a /a salida
( jpove<ia@udistrital.edu.co
C)
l,'
\. ;j
e s.,]
S"
S:t Sn
(.~-Y'"'
®
bt a~
'La estabilidad esta determinada por los parametros 5 y en este mode/o se

obtiene va/ores intermedios inidales.
o
o Ds = s11 5 22 - s12 S 21 D2 = IS221 2 - IDsF
Cj'" 81 1+ Isl1 12 - Is22 F ID512 82 = 1 + IS2212 ISl112 IDsl2
()
o C1 Sl1 DsS 22 ' C2 := S22 - Ds Sll ,;;
jpoveda@udisllilal.edu.co
'0
u
16
u
{)
o
'La estabilidad de Rollet es analog a a estabilidad de Sturn en parametros Y. Se
.r "
l,
expresa asl:
1+iDslz-lsllF'-is2ZI2
K
2"' !512 I'" IS211
( , 'Si K>l el transistor es estable, de 10 contrario es inestable
\
r
\
£ '
\, ~'
()
U , De acuerdo a la red de la figura 15b. La funci6n de transferencia de bs a bz,

(-,
,,-)
permite evaluar la ganancia con la ayuda de las reg las de Mason. La ganancia
en potencia del ampli/icador corresponde
G . Pote:1ci~ disipada en Ia c.arga

(,
_ Pr.
~J a Porencta dlsponble en el generador

Pg
cj PL IrL12!b212 = Ib2 12 [1 - IrLl2)

Pi2 Pr2 = Ib2 12
2
'" Ihs l 2
Pg ~Irgl 2 => P
9
= [i-Irgl
Ibo l
J
;2
( -)
(J
o (>
_ !b"I~!1-1~!'lzJ·il+gI2J =
logl'
I~IZ
bg
'" [1 -lrd 2 ] '" [1-lrgI2
.
()
(~
~j
(J
17
(j
e
o
Ganancia en potencia
(--o..
• Por regia de Manson, se hal/a la funci6n de transferencia de b2/bg y se
\
obtiene que la ganancia es:
IS2112[l-lrI.12] :1:
Ga = ----------'~---'----;;;
11. 1 - rg sl l Jll
'La maxima ganancia en potencia MAG se obtiene en condiciones optimas y es
t' '
~. ~
MAG _1 521
5 12
* [K
" EI signo de la expresi6n ±
corresponde al signo contrario del
valor intermedio de
(
c
( ,
\. /
-,
Cj ' ..
• La ganancia reflejada del transistor (512), representa la realimentaci6n. £sto
hace que los coeficientes de reflexi6n n de entrada y ro de salida sean
dependiente.
o
()
( .",
J rg ri ro rL
( .."'
... ,
.1 1
'Coeficiente de reflexion de carga rl
EI signo ± corresponde al
opuesto de B2 --- ===t===== B 2± JB 22 -41C212
() IrLf = ~
() • £1 cingulo del coeficiente de reflexi6n de cargo 10 determina el negativo del
angulo del valor intermedio C2
c
c
c
(J 18
(}
o
6 Coeficientes de reflexion de generador rg
fg = [Sl1 +
1-r
S
S21 12f'L
6 Los procedimientos hechos, corresponden a un modefo de ampfificacion

r
estable de par6metros S.
6Ef paso siguiente es acopfar fa entrada y fa salida por fos metodos de red 0 por
carta de Smith. Las cargas de fos extremos son de 50 Q
( 6 Y fa potencia que se encuentra es la MAG, aunque tambi£§n se puede
determinar una carga arbitraria.
/ '
jpoveda@udistrital.edu.cO
(';;
';:-7
" Verificar 5i el transistor MA42120, que se utiliza para disefiar un amplificador en una frecuencia de
500 MHz, Con l.=l.SmA y Vcr=10V, es estable
()
9 Solucion: De las hojas de datos del transistor MA42120, con las especificaciones
requeridas se obtuvo:
Su=0.55L-1252 Szz=O.79L-28!! Slz=O.07L45!! SZl=2L91!!
La estabilidad se calcula con ef criterio de ROLLETT: con K> 1, para que el transistor
sea estable. Se calculan los valores intermedios
o Ds =SllSZZ-SlZSZl (O.41L-134.2 2 )
K = l+IDsl~,-ISJlI~ -IS:J = 1+(0.41/ -(0.55)2 -(0.79)" 0.862
2·IS:l l n!l·IS 2·(0.07)·(2)
u
o Ejercicio: Terminar el ejemplo, hasta aeaplarla con cargos de 500
jpoveda@udistrilal.edu.co
( "
'"j
c
19
u
~-",c_""·",,,,=,== .......~ ... ::......., L.'

mplificadores de parametros S - esta' , .
'La ganancia en potencia del amplificador en optimas condiciones corresponde a

laMAG
'Para ganancias arbitrarias (de usuario) menores que la ganancia MAG, se logra
• mediante un desacople selectivo que consiste en controlar la ganancia
" .EI metodo de desacople selectivo del transistor es a traves de un circuito de
ganancia constante graficado en fa carta de Smith que se representa por una
\'" geometria de puntos (impedancias de carga). .
'Se sigue un procedimiento en fa carta de Smith, el cual consiste de la siguiente .
forma:
• Se e/ige el transistor que sea estable y ademas se obtiene 10 ganancia MAG 10
cual debe ser mayor que 10 ganancia arbitraria, de 10 contra rio hay que elegir otra
opcion .
• EI resultado es un circulo en la carta de Smith, el cual en todo el perfmetro
l
corresponde a 10 ganancia arbitraria 0 de usuario; las expresiones que representan
I. el circulo son:
,?:,
jpoveda@udistrital.edu.cO
"\ '.
"
( ,
'- /
mplificadores de parametros S=estl:i
o • Centro del circulo

Circulo de ganancia de usuario Ga
---
Q G = Ga1ialtcin orbitraria
G*C;
iTo - l+D z *G
F'J
'lj
'Radio del circulo
_ JI-Z"Kls12S211>'G+ls12S2112<G2
P 0
l+G-V
u
o
jpoveda@udislrital.edU.CO
c\
'-/
C
l. ' /
o 20
o
o
• Los transistores que sean inestables par el metoda de Rollet, hay formas de
estabilizarlo hacienda una combinacion de los coeficientes de carga y de fuente.
'Un metoda es calcular las impedancias de fuente y carga que podrian causar
inestabilidad can el transistor con los para metros de disefio.
'Los cfrculos de inestabilidad se pueden diagramar en la carta de Smith, de
igual forma que los circulos de ganancias arbitrarias, y se siguen los siguientes
pasos:
I" .......,
Circulo de estabilidad de entrada

X ~
• los cfrculos de inestabilidad que se pueden diagramar en la
carta de Smith de centro en Rg y radio en Pg, con las
expresiones
r,------------------------------------,
C1
r!./ = ISl1I2_I DsI2 Pg JIS~fll~~;~:12 J
( ~
jpoveda@udistrilal.edu.co ~~Yi~~~~WfI~#~B1litjib~;E(J~jifffii:
(""
C~·
Circulo de estabilidad de Salida

• Y los cfrculos de inestabilidad de salida tienen centro en RL y
radio en PL, con las expresiones
C •
2
rL PL
IS 22I Z -ID,r
<·",
l :;
(
( ..../j
o lPV"t::ud~udi$fJf
G
o
,"
\....!
o
Q 21
U
(j
o
Disefiar un amplificador a 900 Mhz eon el transistor 2N5179 para una
maxima ganancia en potencia.
Solucion: Para ef transistor 2N5179 a 900 MHz. A un temperatura

de 28 o( se eligi6 el punto de polarizaci6n en configuraci6n de emisor
comun con Vee 6 V. e Ic == 5 mA, en estas condiciones, la hoja de datos
del transistor tiene los siguientes parametros S
.)11 O.lS3{-174 .')12" 0.101(-68 S21 1.13(-58 SZ? 0.742<-82
Valoresintermedios
D, '" 511S22 - 511521 = 0.153(-174, O. 7'~2~-32 0.101(-(,1-) '" 1.13(-58;;= 0, 043·1-{-132. 2
Bl "" 1 + Isull --ls22!1 -ID,!l '" 1 + 10.153: 2 - !o. -10.04341 2 0.471
8, '" 1 + 10,74:21 2 -10.153: 2 10.04341 2 ", L 5253
C1 "" sn D,Sl1' 0.742(-S2- 0.0434(-132,2. O,153(174~ 0.74(-38.5

(
jpoveda@udis\ri\al.edu,co
1 + ID 12 - Is 12 - Is 12
~abilidad de R~ K= s 11 22 = 1. 875
2* 1sui * Is,!!1
o MAG IS'Z1 .< [K ±JK2 - 1 JI = 101.101
.
13
'[1.875 ± ..Jl, 875 2 - 1 ]1 = 3.2332 -- 5.1.dB
S12
~max;ma MAG :=:::> C!;'efi~entes I/O
()
B2± 'I 1.5253 410.741 2
I!·d=----,-. 0.71:151 .... 1'/. "" 0.7851(38. 5
j' =- [O.1S3{-174+ 1.13<-SS>O. lOl<-6S, O.7S51(3S,S}·
.-~~
V'
r. '" I
$ll'" 1
S2jSjZI'L
I't' S22 1 _ 0.7851(30.5' O. 742( -82 =- O.362(-.173,S
jpoveda@udiS\rilal.edu.co
C·" ;t
()
C
G
() 22
o
o
Acople de carga
./
i
Es un
coso especial, el cual
con
un solo area se I/ega
de;zr B, que corresponde a
una inductancia
'. /
", 8
,,'" N 2.54" 50
( Los - w;;- "" 2rr" 900Mltz = 22.5 nH
jpoveda@udistrilal.edu,co
o
n
",-j
Acople entrada
o L· =
N " X iL
wa
==
50 '" O. 45
21l' * 900 Mhz.
== 3.98 nH
o IS
( j'I
Bie 1. 05
c- ;: :; == ==3.7pF
Q 'P N", WO "' Zrr: * 900Mhz.
jpoveda@udistritaLedu,co
o
(~:
u
u 23
c
o
o
/ ~""
5f}Ohm
VRf
1rL
.,.. -::
(
jpQveda@udistrilal,edu,co
-,
1. Diseiiar un amplificador con el transistor PN 918, a una frecuencia de 60

() Mhz
2. Con el mismo transistor anterior disefie un amplificador a 250 Mhz
Q 3. Con el transistor 2N4416, diseiie un amplificador a 400 Mhz con una
ganancia arbitraria de 9 dBs
4, EI 2N6679 es un transistor para polarizar con VCE=1511,' IC=25mA , disefie
un amplificador a 1 Ghz
5. Se requiere un amplificador para una estaci6n base GSM que tenga una
ganancia de 23 dBs.
o 6. Disefie un amplificador de potencia para WI-FI con el transistor
( j
') MRFG35010R1 con maxima ganancia disponible si es posible.
() 7. Simular dos modelos de amplijicadores antes disefiados en AWR. (debe

incluir una simulaci6n de los dos ultimos, obligatorio).
o
r.'l"
~ jpoveda@udislrilal,edu,co
C
C'
G
U
o 24
u
o
3..2 Redes de amplificacion
RF serial grande
'Distorsion de intermodulacion, armonica y

espurias
.Eficiencia del amplificador
'Amplificadores sefial grande
r' • Close A y B (lineales)
ic
• Close C y D (no lineales)
(?
I"
\
o • La ultima etapa de amplificacion para alimentar los

diferentes elementos pasivos (/ineas, an ten as, etc.)
• Red de potencia como la etapa de salida de los transmisores
de radiofrecuencia
• Los amplificadores de potencia al ser de sefial grande, la
Fe
"')
estabilidad esta garantizada.
• Para el disefio se requiere evaluar la ganancia en potencia, el
ancho de banda y los acoples de entrada y de salida.
• Los amplificadores por tener sefiales gran des, que en su gran
mayoria son moduladas, presentan inconvenientes con la
C" .~
distorsion y los armon/cos de la portadora
o
I "
\../
c
1
o
o
o
• Una Jigura de merito a tener en cuenta corresponde a la
eJiciencia en potencia
• los transistores bipolares de RF son del tipo NPN y de canal N,
si se trata de transistores de eJecto de campo 0 MOSFET
• Los rangos de potencia de semiconductores es del orden de
( :: cientos de vatios para los MOSFET de silicio, en VHF y HF; Y
( , hasta algunos cientos de mili-vatios los HEMT de JosJuro de
'\..
indio, en microondas.
./
• Para altas potencias los tubos de vacio convencionales, de

tipo triodo, se emplean para decenas de kilowatios en
( Jrecuencias por debajo de 1Ghz
(
('
\
C)
r,
\., ..i
• Los tubos de onda progresiva (TWrs), empleados en los

transmisores de satelite, lIegan a conseguirse centenas de
() vatios en microondas.
() • los klystrones, empleados en RADAR y en ampliJicadores de
comunicaciones espaciales de centenares de vatios.
• Los magnetrones son tubos que se utilizan para el rango mas
alto de potencias, empleados en los transmisores de radar
()
• Los ampliJicadores de potencia rf tradiciona/es emplean
u dispositivos activos (8JT 0 MOSFET) que se comportan como
c Juentes de corriente contro/adas por tension.
Q
C
()
U
() 2
e
0
plifcadores de potencia -
Sana/de potencia ct.u. A S••1II de pmencia cl•• e 8
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lili
S...I de pot.nci. cI... C S.ili!I •• pol.nc;. cw, Dj.}'.
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(J-,
mplifcadores de potencia
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II 311RFC
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C'
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3
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o
o
Amplificadores de potentia
• La distorsion de la senal a la salida del amplificador ocurre

por: intermodulacion~ armonicos y espurias
y(t)-:::: g(t)cos (¢(t))
Ya(t) = A'" yet - t d ) + B *' y2(t - t d ) + C '" y 3 (t - t d) + ...
Ya(t) :::: A * yet td )
plificadores de potentia"'::::"
Seiia! de entrada al amplilicador
.1l.1l,.-- ----,.----- -r-----------,--
o ·~r>dS:
::::: yet) :::: g(t)cos (¢(t))

'"-."""
o
100 a~ ,,~
Seiial distorsionada !fah~a{ida del amplilicador

Seiiill .li~ Distorsioo re esp.lias
o fJislorsiOo cllJtad\~~ 3
3 III'lZOo /\ Dislorsiiln annOnica
o .w"~
\'-,
\~5 5 JDM5
\ I "~
() V "1
~1oo~L--1L-________~HW~~L-__~L-~~~~I~1~'L-__________~~~~
v :r", 100
Mhz.
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o
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o
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()
o
o
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o
C
·)
j
()
C)
01Ol/80/1£ 'epaAOd aSO( le:}O(
01Ol/80lr£ 'epaAOd aSO( se:}o(

Amplificadores de potentla
t~~
\ IDM3 = Pl/
P3 IDM5 = Ps IDI'v17 = J •••
, Pl Pl
TDH = JIDM/ + IDMs2 + IDM72 + ...

'c
(
( \
"
('
\ /
plificadores de potentia=
o • La eficiencia hace referencia al radio de la potencia en la

carga y la potencia extraida de la fuente d.c.
o Potencia absol'bida poria carga PL
(~ ,/
ry= =P %
Potencia entregada porIa fuente d. c. dc
Vc/
()
Pdc - 'VccIcQ =R
p _ ( 2
Lmax - VL (t)
o
u'
( jil
c
c
()
u 5
e
o
Diapositiva 9
Jota4 Jose Poveda, 31/08/2010
Diapositiva 10
Jota 2 Jose Poveda, 31/08/2010
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()
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o
Q
()
C'
',
l ,Y
()
o
o
o
Arnplificadores de potend,)
• Son amplificadores lineales porque la salida es proporcional a

,
(~,
la sefial de entrada en todo su recorrido temporal

• La configuracion de emisor comun (0 fuente comun SC si es
con MOSFET) es mas comun porque tiene mayor ganancia en
potencia.
• Los parametros del transistor tambien dependen del punto
de polarizacion y la frecuencia de trabajo.
f"'
~o:
c "
\ .'
Amplificadores de potenda -CI~ise A
o
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"
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DIOl/80/n: 'epaAOd aSO[ lelO[
£:1 eA!l!sodE!!O
OWl/80/n: 'epaAod aSO[ 9E!lO[
11 E!A!l!Sode!O
0
0
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(X)
bl::::MILuNDUCTDR TM
s:
OJ
-t
PN918
MMBT918 <0
~
(X)
f' ,
~
f.,c.
\
E
50T-23 B
Mark: 36
(
NPN RF Transistor
This device is designed for use as RF amplifiers, oscillators and
multipliers with collector currents in the 1.0 rnA to 30 mA range.
C' Sourced from Process 43,
Absolute Maximum Ratings* TA = 25e C unless otherwise noted
() Symbol Parameter Value Units

VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V
VCBO Collector-Base Voltage 30 V
VEeo Emitter-Base Voltage 3.0 V
Ic Collector Current - Continuous 50 mA
TJ , TSl9 Operating and Storage Junction Temperature Range -55 to +150 ·C
*These ratings are limiting values above which the serviceab~ity of any semiconductor device may be impaired.
NOTES;
1) These "'lings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are sleadySiate limits. Tha factOf)' should be consulled on applications invoMng pulsed or low duly cycle ope",uons.
()
Thermal Characteristics TA = 2S'C unlass olherwise noted
Symbol Characteristic Max Units

"
PN918 *MMBT918
(' j Po Total Device Dissipation 350 225 mW
Derate above 25·C 2.8 1.8 mW/oC
() ReJc Thennal Resistance, Junction to Case 125 °C/w
ROJA Thennal Resistance, Junction to Ambient 357 556 ·C/w
*Oevicemounledon FR-4 PCB 1.6'X 1.Er'XO.06:
{
"--3
::
(~
(',
\....,7
() e'997 Fairchild SemIcondUctor Corporslk>n
o
o
()
o
0,
'"C
NPN RF Transistor Z
<.0
(continued)
.....
Electrical Characteristics
Symbol Parameter
TA= 25"C unlessolherwisenoled
Test Conditions Units

-
00
s
s(D
-I
OFF CHARACTERISTICS .....
<.0
VCEO{SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage' Ic'" 3,0 rnA. 18 '" 0 15 V 00
V(8RjCBO Collector-Base Breakdown Voltage Ic'" 1,0 IlA. IE =0 30 V
V(SR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE = 10!lA. Ic = 0 3.0 V
IC80 Collector Cutoff Current Vee'" 15V.IE =0 0.01 !lA
VC8 = 15 V. TA = 150·C , 1,0 IlA
ON CHARACTERISTICS
hFE DC Current Gain Ic'" 3,0 rnA. VCE =1,0 V 20
VCE!s.l) Collector-Emitter Saturation Voltage Ie =10 mAo IB = 1.0 rnA 0.4 V
VeE(s.l) Base-Emitter'Saturation Voltage Ic = 10 mAo IB = 1,0 rnA 1.0 V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS

h Current Gain Bandwidth Product 600
Cobo Output CapaCitance 1,OMHz
Cibo Input CapaCitance 1,OMHz

NF I Noise Figure
FUNCTIONAL TEST
G pe Amplifier Power Gain =
V eB = 12 V. Ie 6,0 rnA. 15 dB
f '" 200 MHz
Po Power Output =
V eB - 15 V. Ie 8.0 rnA, 30 mW ~,
f= 500 MHz
TJ Collector Efficiency =
V eB 15 V.le = 8,0 rnA, 25 %
f = 500 MHz
*Pulse Test Pulse Width ~ 300 ~s. Duty Cycle ~2,O% @
[",
It~
( ,
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c
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V
o
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G
0
'1J 0
NPN RF Transistor
(continued)
Z
CO n
-
...Jo.
00 0
Typical Characteristics (continued)
s:
s: ()
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Gain Bandwidth Product Contours of Constant Gain
Bandwidth Product (fT)
-I
CO 0
N vs Collector Current ...Jo.
J:
~'O5O Vce=5V -t-H-!-:l:J.+
15 00 0
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~
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13 900 I----I'--H C) 12
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I---I-HH-I-H+\-
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..J
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8.Ul
3 I-\-+-+-H+l++hri----l..++
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Ic COLLECTOR CURRENT (rnA) Ie - COLLECTOR CURRENT (rnA)
a
Contours of Constant Noise Figure Small Signal Current Gain
Q
vs Collector Current
[500
1000m. ._ _ ~
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«
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60 I--I-+-loo'-
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..J
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10
Ic' COLLECTOR CURRENT (mA) 1 Jc - COLLECTOR CURRENT (rnA)
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
350
~
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Z TO-92
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o 25 so 75 100 125 1SO
TEMPERATURE (GC)
o
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C)
"'0
NPN RF Transistor Z
(continued) <.0
...:10.
()O
Typical Characteristics
Typical Pulsed Current Gain Collector-Emitter Saturation

vs Collector Current ~ Voltage vs Collector Current
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~
..J
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~ 0,2 f--+-++++tIItt--+-H-Htttf-----kf-l
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~ 50.05
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~
.s= 0.2 0,5 :2 5 10 20 50 0.1 1
Ic·COLLECTORCURRENT (rnA)
'c . COllECTOR CURRENT (rnA)
Base-Emitter Saturation
Base-Emitter ON Voltage vs
Voltage vs Collector Current

~ Collector Current
w
fl =10 I ./ 1
I-V CE = 5~
1
~ 0.9 I-
f- .l.b I--
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-
I---- i--125 'C :ii 0.6
UJ 12S'C
-~ W 0,5
'"ta 0.4
Z
~0.3
1 10
Ie· COLLECTOR CURRENT (rnA)
30 -> 0.1 1
Ie • COllECTOR CURRENT (rnA)
10 20
Collector-Cutoff Current Input and Output Capacitance

vs Ambient Temperature vs Reverse Voltage
Vce=20V-r--r-~--r--+--+-~~
g
-"0,1
25 50 75 100 125 150
T.· AMBIENTTEMPERATURE ("C)
o
o
o
""C
NPN RF Transistor Z
(continued) co
~
Common Emitter Y Parameters vs. Frequency (continued) -

00
Reverse Transfer Admittance vs

~Collector Current-Input Short Circuit
Reverse Transfer Admittance vs
Collector Current-Input Short Circuit
o
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I'E~~~
0.'
w
l f -10.7 MHz
o I-- f-.b ", Vee= 10V
~ 0.08
~
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~ 0.06 I--t--t
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0.02 I--+-t---+~I--!--II--+-
Vee= 10V
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o
0:: 0 2 4 6 8 '0
o 2 4 S 8 10
.; Ie' COLLECTOR CURRENT (rnA) Ie' COLLECTOR CURRENT (rnA)
()
Reverse Transfer Admittance vs Output Admittance vs Collector o

Frequency-Input Short Circuit ~ Current-Input Short Circuit
.E. 0.3
W
f= 10.7 MHz I J J
~ 025
Vee= 10V _
t-- r-boe ~
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~ 0'0 50 '00 200 500 '000 0:: 00 2 4 6 8 10
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.)!: f • FREQUENCY (MHz)
> Ie' COLLECTOR CURRENT (rnA)
, \
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Output Admittance vs Collector Output Admittance vs

0" 0"
.r:;
E
Current-Input Short Circuit .r:; Frequency-Input Short Circuit
E
.E. 2 '---'---'''---'---''--''''----'-''''--f-=-1''''0-0-M-Hz--' '§'1O le= 5.0mA ~J
~ f--+--+----4--I--+--+--+ I I W
o Vee = 10V '"
~ 1.61-4---+-+--+- Vee= S.OV z
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Ie· COLLECTOR CURRENT (rnA) .

>
0
10 20 so
f • FREQUENCY (MHz)
100 200 SOO 1000
)
C)
NPN RF Transistor
(continued)
Common Emitter Y Parameters vs. Frequency' -

Input Admittance vs Collector Input Admittance vs Collector
Current-Output Short Circuit Current-Output Short Circuit
0' 2 f =10.7 MHz 0'1Or--r~r--r~r--r~r--rf~=-1-0-0-M-H-z'

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E veE = 10V :.... E
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~ oL--L_L--L~L--L~L--L~_J-~ >- 0
o 2 4 6 8 10 o 2 6 8 10
Ie' COLLECTOR CURRENT (rnA) Ie' COLLECTOR CURRENT (rnA)
Input Admittance vs Forward Transfer Admittance vs

0'
Frequency-Output Short Circuit ~ Frequency-Output Open Circuit
sl00~-.--r-rTO~rr--.~r.-~~~
:g25 Ic =5.0mA 9 .. w I c =5.0mA
120 VCE= 10V +++-I++I----+-+ U
z
~~+-+++f++tr--+-IVcE=10V
801--~~+++f++tr--+-I
w
u ~
z ~
~ 15 ~ 60 I--+-+~
~ 1---+-~~rr~+--+--r-rr+t+H <Ii
~101----~-++~~~-~~~~~+H ~ 40 1-----11-
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~ oL-_.l.--l....-L.L...J...J...I..J..L_-'---''-'''''-J....J..J..J...I
20 50 100 200 500 1000 U. 10 20 50 a 200 500 ao
f - FREQUENCY (MHz) f· FREQUENCY (MHz)
Forward Trans. Admittance vs Collector Forward Trans. Admittance vs Collector

0'
:g Current-Output Short Circuit .r::
E
Current-Output Short Circuit
1'2Or--r~-'--.-.--.--r--r~~ S'00.-~~r-,-~--,--.--~----~~
w w
U
~ 100 Z 60 I---+-~-+--+-
~ 1-+-+--+-:>4-
~ BOL-~-4~~-+--+--+-+-+-4~
~
e~ 60
~
ell 60 1-~-7IL-+--+-
<l:
Z ~
~ 40
~
l-
40 1--lI--4-+-- I 1---t"''7'\-
e ~ 1--~-4-+--+-+--+-+--+-I--;
~ .0 1-+'....-1''''--+--+-1--1 <0
ex: i
~ ~
0
0 2 6 8 10 00 2 4 6 B 10
.;- Ic - COLLECTOR CURRENT (rnA) -t Ie' COLLECTOR CURRENT (rnA)
'1J
NPN RF Transistor Z
(continued) CD
...:to.
Test Circuit -
00
s:
s:
OJ
SOpF
-I
CD
...:to.
(NOTE 2) 11SpF
00
500 mHz Output
into son
(
RFC NOTE 1: 21ums No. 16 AWG wire, 3/8 inch 00, 1 1/4 inch long
NOTE 2: 91ums No. 22 AWGwire. 3116 inch DO, 112 inch long
1000pF
"1 t'1
(
\
-Vee Vc;c
C
A FIGURE 1: 500 MHz Oscillator Circuit
( "
o
u
-~
(cJ
! (~
()
'C
(. -"'\
'0
0
1
MiciDsemi
Progress Powered by Technology
2N5179
\~ .
" .~
FUNCTIONAL (CONn
Symbol Test Conditions Value
Min. Typ. Max. Unit
l:i U max Maximum Unilateral Gain (1) Ie 5 mAde, VeE = 6.0 Vde,
f 200 MHz 17 - dB
MAG Maximum Available Gain Ie = 5 mAde, VeE = 6.0 Vde,

- .
,
f
f= 200 MHz 18 dB
( ~ IS 21 I.! Insertion Gain IC 5 mAde, VCE - 6.0 Vde,

\ f= 200 MHz 12 - dB
L - -
f "
\.~
1$21 f I (1 - 1$1112)(1 - 1$2212)
7"
Note: 1. Maximum Unilateral Gain

C
€~
{ '\
\
Table 1. Common Emitter S-Parameters, @ VCE =6 V, IC =5 rnA

(
\
('\
'< ,/ f ~H ~~'1 ~12 ~:2?
(MHz) 18111 L~ 18211 L~ 18121 L~ 18221 L~
100 .471 -90 6,78 122 .023 64 .844 -51
200 .314 -145 4.20 100 ,034 58 .780 -93
'€ :o;"
\..;::1 300 .230 156 2,76 91 .043 65 .768 -134
400 .171 108 2.17 86 .056 63 .756 -177
500 .168 54 1,86 79 .062 62 .741 140
600 .149 -9 1,53 71 .069 66 .740 98
i
700 .137 -72 1.31 67 .073 71 .739 54
() 800 .119 -129 1.18 64 .092 74 .744 8
900 .153 -174 1.13 58 .101 68 .742 -38 !
( 1000 .171 122 .979 49 .106 71 .749 -82

i -
()
o
C) MSC1305.PDF 10-25-99
(" '-J"'
o
o
o
MiciOsemi Progress Powered by Technology
2N5179
('
FUNCTIONAL
Symbol Test Conditions Value I
Min. Typ. Max. Unit I
NF Noise Figure (figure 1) IC == 1.5 mAde, VCE =6.0
Vde, f 200 MHz - - 4.5 dB
GPE Common-Emitter Amplifier IC - 1.5 mAde, VCE - 6.0

Power Gain (figure 1) Vde. f = 200 MHz 20 - dB
(~
'- ."
POUT
PIN (~=500HMS)
(Rs=50 OHMS)
-:: -::
T -::
xl
Figure 1. 200 MHz Amplifier for Power Gain and Noise Figure specifications.
r
~
MSC1305.PDF 10-25-99
G
0."
v
o
MiciOsemi
Progress Powered by Technology
2N5179
<
( ELECTRICAL SPECIFICATIONS (Tcase =25°C)

(
\ /
,,'
\,
STATIC
\ . [offl
\" ,. Symbol Test Conditions Value
Min. Typ. Max. Unit
VCEO(sus) Collector-Emitter Sustaining Voltage
(IC = 3.0 mAdc, IB = 0) 12 - - Vdc
BVCBO Collector-Base Breakdown Voltage
," (IC=1.0 ~dc, IE=O) 20 - - Vdc
(
\. '"
/
BVEBO Emitter Base Breakdown Voltage
(IE = 0.01 mAdc, IC = 0) 2.5 - - Vdc
('.),
~_/
ICBO Collector Cutoff Current
( ','
.I
(VCB = 15 Vdc, IE = 0) - - .02 ~
'---
C·', -'"'! [onl

HFE DC Current Gain
(IC = 3.0 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) 25 - 250 -
c
( "
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc) - - 1.0 Vdc
\. /
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage

",
(
\) (IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc) - - 0.4 Vdc
I
u
a
o
() DYNAMIC
Symbol Test Conditions Value

()
Min. Typ. Max. Unit
(j h Current-Gain - Bandwidth Product
(
','l
(IC = 5.0 mAdc, VCE = 6 Vdc, f = 100 MHz) 900 1500 - MHz
Y
CCB Collector-base Capacitance
(--,,' '\
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) - - 1.0 pF
'-------
G
o
~
(J
( '.
'--....1
MSC1305.PDF 10-25-99
L)
U
u
o
o
140 COMMERCE DRIVE
MiciOsemi Progress Powered by Technology

MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631·9855
2N5179
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
Features
• Silicon NPN, TO-72 packaged VHF/UHF Transistor
• Low Noise, NF = 4.5 dB (max) @ 200 MHz
• High Current-Gain-Bandwidth Product 1.4 Ghz (typ) @ 10 mAdc

@
' L E m i...
I 2, Basoe
3,ColI«10r
• Characterized with S-Parameters .. 4. Case
TO-72
DESCRIPTION:
Silicon NPN transistor, designed for VHF and UHF equipment. Ideal for pre-driver. low noise amplifier. and oscillator
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tease = 25°C)

Symbol Parameter Value Unit
VCEO Collector-Emitter Voltage 12 Vdc {"l
Vcso Collector-Base Voltage 20 Vdc !
.
V EBO Emitter-Base Voltage 2.5 Vdc
Ic Collector Current 50 rnA
Total Device Dissipation @ T A =25°C 300

1.71
mWatts
mW/oC
Derate above 25°C
1":'
~
MSC1305.PDF 10-25-99
o
a
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01
ni
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OTOl/80/I£ 'ep;Ji\Od ;JSO[ selO(

o
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"'-
c)
Q
o
o
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CJ
--,
, J
~'.
4.1 Redes de radiofrecuencia
( 'Osci/adores
'Mezc/adores
r
'PLL
"
'Sintetizadores
, Conversores
'Multiplicadores de frecuencia
(
\
( ~
f',
\.:
I '
\
( ",
\./
"
'\
• EI oscilador es un circuito que presenta perturbaciones

eh?ctricas de amplitud en periodos de tiempo regulares que
e pueden ser discretos 0 anal6gicos.
J
o • EI osci/ador ana/6gico tiene un comportamiento senoidaf y es

el e/emento utilizado en transmisores y receptores para
obtener la frecuencia portadora 0 de sincranismo
• En todo e/ sistema de comunicaciones los osci/adores se
r'" utilizan para transportar los espectros de senales de
'-..1
informaci6n alrededor de la frecuencia del oscilador
c (modular), a una frecuencia intermedia (Mezc/ar), 0
transportarla a la frecuencia cero (demodular)
G
@
C)
c'
(J
1
()
o
o
\. ~. • Los osciladores senoidales de rt son circuitos amplificadores
inestables, al contrario de los amplificadores lineales hay que
/ " asegurar la inestabilidad con un circuito de realimentaci6n
••(t)__ {~~
(
bi~
c
(~
f
\ ,
~~PR~~W~;i6di~fr;tif$hfi~:~;:~'
C
H
C'
(\ ~~
~-=--.~:::=-;.:7.-:~- .- ~/.'~:i1'~~'.t·\\1;"~X~:>\:~~,;>~':~!~{;r~';.,'
(~ scilador senoidal
\~
()
u • La funci6n de salida es de la forma ~\"e('.o Lot.o Ce.f
c060
_ .. to kY'l;I) I
g vo(s) = VieS) '" .4R 1(s) + vo(s) * H2(S):;: AHleS)
0, j
() • Y la funci6n de transferencia
o AHt(s) A(s) Ao(s)
(~'
.) Hes) = 1 - H2(s) * AH1(s) 1- A(s)8(s) 1 - Aces)
{j
"-j ~.S
'.. c,c,f'.-
(J • Ao{s) es la ganancia de lazo abierto \ s 6- 1(,\0
e'lf!l.- \..0'
G • Ac{s) es la ganancia de lazo cerrado yes de la forma --J> ge'r- . '

t)lI C·JC> --~~
o Ac(s) = 9!~/ A ( S) -
\A wo.s
~ ~
(S+wl)(S+w 2.) C • 52 +2~5+W~

& r'f!;lfi!l$lif:atiJ1f~iti1fliT!0~.
.i
G
(~
L
()
1 U 2
10
1 0
Sen.lllXlrf pOlO:' c:onjJl9~clos semip:"no ilq:J/erdo
-~~~~~;
Senilt' con po.'os c(lnjlJgi'Jdos umfplotno t1u~t:ho
~~~Sf
"'CZ
SUiaJ eon polos coJ2jUgatlcS q~ 11Jl&Z!io¥ic \:)" 3At"'~'{
~5s([mt
k teO r"1!1c
Yo c::''',oo6
lB.
/ "
" A s
Ac(s) =
Ac(s) = (S+wl)(S+W2) s
Awos
(
\. /
1'0
~
()
c
(".
\. "
('\
\ .J
() • La ganancia de lazo cerra do Ac{s) debe ser uno

Ac(s) 1, Re{A.,(s)} = 1, Im{Ac(s)} = 0
a
• la sefial realimentada debe estar en fase a /a entrada del
o sumador
()
U • Hl{S) elige la frecuencia de osci/acion del sistema
G
() • Lo ideal es que con un Q -7 00, para la red H2(S), y se pueda
pasar en el plano complejo de Tt a -IT en forma vertical, esto
() implica que no hay variacion de frecuencias.
Q
~
()
C
t~
o
3
U
o
o
scilador senoidal modelos
• Los modelos LC garantizan el criterio de Barkhaussen

• EI modelo general se muesta en (a), para el modelo con
transistor BlT en (b).
,/ '
• La admitancia de salida Yo y la impedancia Z'2 se agrupan
como la Z2finat La admitancia de entrada Yi Y la impedancia
Z'I se agrupan como la ZI final, y la impedancia de
realimentaci6n Z'3
••(1)
Z:h v,(Q ~~i ~~v,(t) ~Y. ~ z; :
r
\.
'
z'lJ I
-;-
yZz
0 ® /"
/- ""'-,
c
'.
("
,./
scilador senoidal- mod~los
• EI mode/o Colpitts es un osci/ador senoidal el cual tiene las
o siguientes caracteristicas
• Esta compuesto por las impedancias reactivas
• Con ZI y Z2 como capacitivos, Y Z3 como inductiva.
(
'~
x.(t)
.7
x.;(iY' - I",
tG~
-:
() L L
-:::-
L c, C'I
::c
o ®
u
w 1 . - Qt
_
-
W O {C1 +C2 J
.
Wo
f[C [:::: [1 + [2 (iJ~,
c' i :. 1 .-
2 rr \f"LT"
-I> e" \\.=t
ey
() 4
o
o
scilador senoidal - modelosTtHaftley
• EI modelo Hartley es un oscilador senoidal el cual tiene las

siguientes caracterfsticas
~.~
• Est6 compuesto par las impedoncias reactivas

[ ,
• Can Z, YZ2 como inductivas, YZ3 como inductiva.
,
x.,(l)
(~
o
l
1 /"1 + LJ
Wo ;;::;
L = L1 +L z Q" WOLl L?G,j",
I '
\.
• Es una variaci6n del modelo Colpitts, el cual se Ie involucra un

capacitor en serie con la bobina
• EI objetivo es minimizar el ejecto de las capacitancias de
transistor, y consiste en tomar valores muy gran des de Cl y
C2 luego L se hace muy pequena.
1 1 1 1
-=-+-+
C C C
1 2
(" I'
()
C "
5
0
0
0
-:'
• Hay caracteristicos requeridas en 105 osciladores que son muy

especificos y que son limitadas en 105 osciladores vistas
anteriormente.
'"
\c7
"
• Dtras coracteristicos a tener en cuanta son:

r".
V • Buena estabilidad en Jrecuencias, aunque con el oscilado
Cl:.
~
Clapp es aceptable.
• mejor respuesta al ruido de Jase.
• Minima inJluencia de la carga, en selecci6n de parametras
para asci/adores variables
()
o
6
()
o
• Caracteristicas a tener en cuanta
• Es muy estable.
• Baja ruido de fase y bajos espurios
i • Minima influencia de la carga, en selecci6n de par6metros
para osciladores variables
( • Tiene un ancho de banda mayor
'-
• Es un modelo ampliamente utilizado en osciladores
/
c~
variables
'
,
[ "
, "
c ~i{':R~~~JJ~?h1J;r;fr¥/t,j~h~i~~f>:'
(- \
\,
( )0
~
C
C)
C
-,
(j
C
(--? • Caracteristicas a tener en cuanta del oscialdor Seiler son:
o • Mejora la estabilidad,
reactancias parasitas
hacienda imperceptible las
a • Minima inJ7uencia de la carga

0', ~
• Muy utilizado en los sistemas modulados de amplitud

( ", ,j
AMyFM
c • Los parametros de disefio son los siguientes
o to = COJI Ce = ~ v A.· {1 + S:} > 1
() liT- ..j['(C~+Cd C;+C;+c; .. C2
(j
'" • EI oscilador Seiler mejorado es el mas estable y se utiliza par
sistemas modulados en BLU (SSB) --" 5\~~\e S,de \?,"'.~ .....
u
w
~
c
,-j"
{
c
u
7
u
o
o
• Es un modefo LC el cual controla fa frecuencia por medio del
cristal
• EI material del cristal pueden ser varios como: el cuarzo
(5i02), la sal de Rochelle (tartaroto de sodio y potasio
tetrahidratado, NaKC4H406.4H20), el fosfato de hidr6geno
de amonio, ADP (NH4H2P04), etc.
• La caracteristica principal de estos cristales es el efecto
piezoefectrico, el cual consiste en que si se deforma aparece
'\. ~
en sus paredes un campo eJectrico y viceversa, estas
( -, deformaciones hace que se presenten frecuencias mecanicas
\
con factor Q muy elevado puesto que tiene muy pequenas
pedidas por fricci6n.
( {?v~~~S
( • Es un modelo LC el cual controla la frecuencia por medio del

c~ cristal
g • La relaci6n mecanica y electrica del cristal es: L representa la
masa vibrante del cristal, Cs representa la elasticidad del
cuarzo y R representa las perdidas que ocurren dentro del
cristal.
()
o
~ TI'] As
IIX t
@"'D,"
0
Z!sl
{
'-.j
';
T IIR,
Q ® @
()
C'
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0
_~,,=',c:=",=-~,'.o.='==
scilador seno·· ·
• Es un madela LC el cual controla '0 frecuencia par media del

cristal
• La relacion mecanica y electrica del cristal es: L representa 10
masa vibrante del crista'- Cs representa 10 elasticidad del
cuarza y R representa las perdidas que acurren dentro del
crista!.
• EI madela circuital del cristal equivale f., \ \
~ TCi("''''''''' Co
S2+s!i+~
t-----,
,
'-
, 1 . l. ,LC U: J
yes) c, sCp + 1 " sCp " R 1:

" sl. + sC s + R s- + sr+({y,llio ::,~"e
r"
\.
,
'
'
w; = L~} y 'J
Wp =LC
f1 + LC1 s } = 7
W5- C; +
{C
Le
1 }
s p s
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" • Es un madela LC el cual controla '0 frecuencia par media del
cristal
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• Es un modelo LC el cual controla la frecuencia por medio del
\,
cristal.
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11'. C,=
x..(~
~D4" . ". *< h ~c.I

C1=i=
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\ .,):. @"7 -;
"
\
(
\
w
()
\ C \ 1 (lot
O \ MofeSot~(),I')Q(JS
50'
\\ \ \ r,\ :;,.
\\0 ,\~:;~::\,\lCO)
(,
\ ./
( \
• Es un osci/ador controlado por voltaje~ permite una variacion

-j de frecuencia a la salida proporcionalmente a la variacion de
{ _/
voltaje a /a entrada
o fa = fn + Ko Viet) -+ I:1f = Ko vJt)
• Un dispositivo con copacitancia variable se Ie conoce como
Varicap~ el cual es un tipo especial de diodo polarizado
(~I inversamente que tiene una capacidad y al variar el volteje
cambia la capacitancia. Tambien es caracterfstico de ciertos
o transistores.
(
• La varia cion de la capacitancia de un diodo polarizado
inversamente ocurre porque hay cargas electricas en los
U extremos de signo contrarios~ separado por una zona de
Q ausencia de portadores lIamada zona de exC/usion~ el ancho
de esta zona es proporcional a la tension ap/icada en los
()
f '
~j
lj
0 10
0
0
• EI diodo varicap obedece a la siguiente expresi6n
Co == kv- n
• Donde k es una constante que depende de la concentraci6n
de equilibrio de los portadores mayoritarios y de la constante
diehktrica del semiconductor.
,..(t)
"PC
C.
v, rrm II
lQ I
v, I...L I c,~ -::
I I
("
~
'\
....
r
\ /
Modelo • F recuencia de 0;c11ac;011 SOOO ::VIHz

MS120-8000 • IVlargen de scilltonia !l1ce:anica =lo~mz
• PO[~llcia de salid., 13 dBIlI
de G. TvL • Niyd de 29 annonico
Q -15 dBc
-70 dBc
• Nivel de e;ptl1'ias (no annonicas)
o Est~bilidacll<'lllli"a
• PllllingpnrnROELS:l
2ppuv"<'
O.lS:MHz
• Pushing 2 kHzlV
• Ruiclo de fuse
@1 OkHz de poria dora -90 dBetHz
@ 100kHz de por!adom -110 dBc/Hz
{ • Alimemacioll
Temion DC GalSV
C Con"jente 125m."
• Impe<bncia (Conector SMA hembra) 50 Ohm
{\
~
()
c~
o 11
()
o
o
scilador senoidal- elementosaffivos
~ fl01t).> f",~EV'\e''''
o .z> .FL
'V.
(
\
{ ,
\
'\
(' .,
\ . ..J
Banda de Potl;!ncia .Rendi- .R liido Ruido

() Frecuencia mien to Term ico .1 If
Guon. '16-1 OOG hz . Muy baja B ajo Bueno . Muy
@ (1% ) bUeno
Impat 6-100 Ghz Alta . Medic Malo Malo
(10% )
Bipolar 10-7 G hz Alta A Ito Muy,· Muy
(20% ) bUenD bueno
.. , ...:': ".
(\
_/
I
FET 0-18 Ghz Media Alto Bueno; •.. Regular
{20o/~}
Trfodo IO-3~ hz Muyalta. Alto ' Malo Mal.o
Klystron 5·200 G hz Alta Alto· Bueno Bueno
TWT p-30GhZ. Muyalta Alto. Muy Bueno

() bueno •
Magnetron 1-30 Ghz . MuYaUa· Alto Malo . Malo
W
l)
l)
U 12
0
0
scilador senoidal- redesresonarifes
"" '
'.
{ '::.
\.
(
\
r'
\j
• Un multiplicador anal6gico es un circuito que produce una

senal de salida proporcional al producto algebroico de dos
senales de entroda, donde la funci6n de transferencia se
denomina factor de escala 0 constante de ganancia
• Clasificaci6n de los multiplicadores
• Lineales, no lineales, conmutados
• Tambit§n se clasifican por la eliminaci6n de productos de
intermodulaci6n simples, balanceados 0 doblemente
balanceados
• Y por la polaridad de las sefiales de entrada de uno, dos 0
cuatro cuadrantes
13
"".,,
MULTIPLICADORES Lineal de Gilbert
EI par diferencial es un multiplicador de un cuadrante, yes la

unidad b6sica para el multiplicador anal6gico de cuatro
cuadrantes de Gilbert
-
r~__ [_'.J;::
".
tf;l 0;-",
-' + '" - -"IJ-:-

+--IL'"
v ••, 1
'-"~i"
. . .J' v ...
'" [:'j
]I..
{:;.)
{-,
t---.J'
"j"'
/
• EI par diferencial es un multiplicadar de un cuadrante, y es la

unidad basica para el multiplicadar anal6gico de cuatra
cuadrantes de Gilbert
( '; .7 • Para el analisis de la operaci6n del transistor bipolar; se
c empleara el madelo unidimensional de Ebers-Moll, el cual fa
corriente de cofector se determina como:
( j " 17be l1bel vbe2
i c - l se

llT ~ i-leV!'
cl s y ic 2
=IeZi'T
' S
Vbe == VrLn IE
Is
c
w Vid 118E1 V8£2 vTLn [_1£_1_[5_2} ~ tJTLn [_1e_1]
1£2 151 1C2 ~.'til'l~1.~~W/B;;
/' ,
\..J
c'
()
() 14
o
o
• La salida del par corresponde a
17 0 = R c [icl - teZ ] = JERe

1
vy
- - v1 y
l+el'T
1
,~-- -" Vo [ERe tanh
2VT
"
\c '
-~ ~f.-... ..i*--mo
.r, "I
( .
\
~ tt-..... ~ ..... ~ ............ j .... * • • • • • • • ~~~ . . . . . . .~.,.,.i.~ ...• -.-.-:•.•••••...••;. ............ ~
(
\.
'"
j
() • La salida del para 10 celda de Gilbert
V Vo = Rc [{
---1'-·1
*
l+e VT
1
l+e
1
+ ---"-1 lEE} {
'" ---.J2
H·e "r l+e" T
1
l+e"T
~ *
l+e
+~*~}]1!.,
l+evr
( j 2.
172 J
17 0 IEERc [tan h -
Vi
* tanh-
ZVT 2VT
() • De igual manera Vo es lineal en 10 region de VT < 1
G
@
C
C
()
15
0
0
0
• E/ mezclador forma parte de cua/quier sistema de
c comunicaciones.
• Es un dispositivo no lineol que desp/aza las frecuencias de
entrada, una de las entradas esta saturada .
.r··...,
• Es e/ dispositivo if que traslada el espectro de la informacion al
( lugar correspondiente
• Se utiliza un elemento activo como, diodos, transistores, tubos
( etc.
(
(
( )
()
l)
() 0\
C~
~1'1~1 ! "f
f~
~I ~ .rl
r.l
./1) RI v,(l)
(-'"
~II~! N :
"--" VJJJ,lUJ
()
r~lr!
@ ®
Y",(t) = al{vl(t) + V2(t)} + a2{vl(t) + V2(t)}2(t) + ..- + a"Jvl(t) + V2(t))fI:(t) + ...

()
()
0
G 16
0
0
• Sfmbolo del mezclador m(/} ~(5<)--~·1(t)
y (t) = km(t) * (t) Yx(t)
Ya(tJ
~~~*~~YiJPlriill{,fr~e~¢t~i~~r~'
c
MULTIPLICADORES -Mezdador - eJemplo
""
(:--;;
• Para dos tonos se obtiene
m(t) ~ sin wIt xc(t):::: A;1. sin w2t
Q
o M(f) 0.5*Al o(f±~) Xc(f)::::0·5 A2 o(f±f2)]
y(t) = A[cos (WI-W 2)t - cos (W I+W2)t]

o,
( )
• La transformada de Fourier de y(t)

c
( j"
Y(f) = O.5*A[ o(f+fI±f2) + o(f-~±f2)]
U
()
()
t)
()
17
C
o
o
\ "
I '" I
fMW'
f I
I IXlfJ I
A, I f
-f, f, -fz fz
I
-f2- f1
I
-fz+ f,
I
A/2
I
f 2- f,
I
f2+ f,
f
./
Mezclador con transistor

(j
"-7 •
!y(t) o+~<'
;:im(t)
o ,,; 0----1 --+-----1
f-(
G-,
"~
• r( 0 x(t)
c'
u
R;;iif;;de
c
{ "
C'
U
18
o
o
• EI detector de Jose en un red de tres puertos; dos puertos
de entrada y un puerto de salida; el cual muestra a 10
salida el desJase de las sefiales de entrada
• ts un multiplicador no lineal y ocurre cuando los voltajes
de entrada estan por encima del voltaje de transici6n VT
(saturaci6n).
/' ,
"~ • La sefial de salida es una sefial discrf!ta que es

(
\. proporcional 01 desJase de las sefiales de entrada.
• La Junci6n de salida es similar circuito digital XNOR
r~ii:+;r:J~~d~~~'i~j~1t~%;i!a~f~~
[",
I.. /
i'
\/
MUlTIPLICADORES - detector de'lase

C
C)
• La Junci6n de transJerencia es
o
t}
"
Vpr01l1 == kdBcl
(y r
~
( ": j
Ii; Vz V.
o II;
A v-
1 A 001
--'-~--->L---'---'''----'4}
010
() ea o 0
( -]', Ii n ~h;~.. e % b:
U
o ~l~n.nD. ~. n.nv,. _____.2____@
- ~
~
(' j
C
L
19
C
o
o
• Hace que el6ngulo de la senal exponencial sea
multip/icada por un numero entero K>l
• Es un circuito no lineal, seguido por un circuito
sintonizado el cual selecciona el orden Ie multiplicador
I',
'E"
( Yrf ( t) Ya(t) kCt)
\.
, FiJ tro p<lsa banda
*
/
kf c
c
('"
J" • La senal de entrada es la parte real de una exponencial
t?t.
~'J'
0:·
j
Yrf = RCt) * cos{wct + OCt)} = RCt) * cos[4>Ct)}
Ya(t) a1Yr{(t) + azYr/'(t) + a 3 Yr/(t) + ... + akYr/Ct) + ...
Ya(t) b o + btcos( q:.(t) + b 2 cos(2q:.(t)) + bJcos(3q:.(t)) + ... + bncos(kq:.C t ) + ...
o
• Con un filtro se selecciona el factor de multiplicacion
(. '/
c
C
c:
o
U 20
o
o
DETECTORES detector de p~dudo
• Detector de producto es un y(l) ---+~ m(i)
,,r ' mezc/ador" donde y(t} es una

sefial modulada en forma lineal,
x(t} es la sefial del oscilador local x(t}
y m(t} es una sefial banda base

(mensaje)
• y(t} y x(t} son sefiales sincronicas
(fc, =fo), tambit§n se denomina
detector sincronico 0 coherente.
(
(
c
( ,
'" "
(
\,
c
• Produce una forma de onda igual a 10 evolvente de
10 sefial paso banda que est6 en la entrada y se
G muestra en la (figura aJ. Es uti! en AM
()
YoW yJt) Detector d,c ,g(t)
t R get) dy/dt
(j
,,, cflvolvcute
u o @
c
(~
R(t)2 A{1 + m(t)}2 - A{l + 2m(t) + m(t)2}
U
(\
()
u 21
o
(j
o
• Es una red de radifrecuenciaJ el cual convierte los
cam bios de frecuencia de una senal pasa bandas en
niveles de voltaje (figura b)J 10 cual convierte una
senal modulada en FM a AM.
• Esta red es un filtra pasa bandas el cual el voltaje
f ' maximo de salida ocurre en la frecuencia resonante
\
fa del circuito tanque y su salida disminuye
praporcionalmente conforme la frecuencia de
entrada se desvfa por encima 0 por debajo de fc
, '.
\
d(Yrf) d(A,c"cos{Wct+e( t»))

Yet dt dt
Ac[wc + OCt)] * sin{wct + OCt)}
£ 'c
\ /
(, ./
ETECTORES - detector de pen .

~.
01
Q
--:::(ii
Y,,(t}
~
,!
:H;. 1
~ n~L
1-
I ± b
'c.
~C.
-LC•
r-r
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ff!1i
1;
L lj
~
o
£ ;.
\.j $~JjA'. iI!'"t-.-d.. dip thf:ofetM rIt: p"fHl~t..
c' l]~~1
()
l)
C
()
U 22
V
o
• EI PLL es un sistema de realimentaci6n que est6 carocterizado
matem6ticamente con las mismas ecuacianes que aplican a los
otros sistemas de reolimentaci6n convencionoles.
v(t) K,v,,(t)
xl-----l
(= (+ K. v,(t)r-._---,
'.
/_."
\
• Las constantes "k" correspanden a 10 respuesta del detector de
( Jose, el omplijicodor, el Jiltro y el VCO respectivamente
"~
("."
,
('
/
'\
ETECTORES - Circuito de fase cerrada

( ,
"
• Intervalo de seguimiento: si la jrecuencia inicial aplicada es
jo, el PLL se cierra y el vco rastrea la senal de entrada
'\
, ::c.
\y durante un intervalo jinito lIamado intervalo de retenci6n
e • Intervalo de enganche (captura): es el intervalo de
jrecuencia en el cual la entrada aplicada hace que el PLL se
cierre durante un rango de contenci6n
•.:4,. .......l!'If'I>iHtIt* _ _
R.,S<;IIii«.J,UrMi~.~rr I'd"'"':'
. ,. 1"1.·~+"-~··+
l~.if"
(;
~. ~ f....•..l··.. ,,,},,,,.. .f..····f·.. ···l·
U
Q
c;
L)
C
23
U
()
0
• AI PLL ingresa la senal de radioJrecuencia viet) y la senal de
salida vo{t) del VCO
"
\
l\(t) Aisin(wit + 8 i (t)} voCt) = Aocos{wot + BaCt)}
• Encontrar la Junci6n de transJerencia. La salida del detector
V1Ct) ka * kd * Aisen{Wjt + Bi(t)] * Avcos{wot + BvCt)]
172 (t) = k r sen{8 t (t) - 8 o Ct)} (!) h(f)
d8.(t) _ d8,(t) d k" J~~ Il~-,(-r)d,

~ d8 i (t) _ k"Vl(t) dei(i)
k.kf 8 e (t) 0 h(f)
dt - dt lit dt dt
(
f'
\. /
(
ETECTORES Circuito de fase cerra
d8 (t) dOi(t) kG J: (r)dr _ d.8,(t) _ k v (t) d8,(t) _ k kfe (t) e h(f)
o --it- tJ2 ==.
= dt- d at - dt " :1, dt " e
o
o • Por tabla de transJormada se tiene que
j2rc8/J) = j2rc8/(f) - k ok f 8 e (f) H(n
G • Y la Junci6n de transJerencia que linealiza al PLL es

C 8 0 (t) _ kokfHCf)
(. ':
j
BiCt) - j21C + kokfH(f)

w
C
C'\ j
u
u
o 24
o
o
DETECTORES - Circuito de fase cerrad~i ~Sintetizador
K"o,(c) K.y. (t) K,v. (t)
t.1N " ---,
"c 8 0 (s) N kok f 1

8 i (s) = M T S2 + 2w n ( s+ W~l
r'
\ /
o
c
1. El oscilador Hartley, oscila a una (Tecuencia de 110 MHz. Can una

capacitancia de 24 Pf Encuentre el valor de las bobinas para la oscilaciDn )'
o 2.
el Q de la redes.
El Q de un oscilador Colpitts tiene un valor de Q de 2000, can una
g frecuencia de 500 MHz. Y esta acoplado a una carga de 75 Ohms.
Encuentre los va fares que determinan estafrecuencia.
3· Para el ejercicio anterior se requiere hacer mas estable el oscilador, para
esto se utiliza el modelo Clapp. Halle el valor del elemento que 10 haga mas
estable sin modificar la frecuencia.
o 4· El oscilador Seiler mejorado tiene los siguientes valores Cl, C2, Cl, C4 de 120,
180, 100, 240 pF respectivamente), oscila a 200 Mhz, complete el modelo.
( .'j)" 5· Disefiar oscilador Colpitts que utiliza un cristal, la oscilacion debe ser de
150 Mhz.
() 6. Evaluar el voltaje a la salida del LPF del PLL si se tienen dos sefiales de
entrada senoidales de 100 y 80 MHz. Respectivamente. Si la ganancia del
detector de fase es 0.01 Rad/V.
7· Cual es la frecuencia de salida, si la Ko = 5 MHz/V
()
c
25
()
o
1. Un PLL tiene unafrecuencia de referencia de 100 MHz, realice un modelo que
sintetice los canales del sistema de TV VHF.
2. Evalue la Juncion de transferencia para sintetizador a partir de la del PLL
3. Se tiene una senal m(t)=2cos(62.8Kt)+sen(94.25Kt) y una senaI3cos(:zpi*Mt).

1. Si entran a un mezelador; evaluar la salida y graficar la senal en frecuencia
2. Si entran a un convertidor de subida, para co/ocarla met) en una portador
de 10 MHz como debe ser este sistema. Tambien realice el modelo para un
convertidor de bajada a:z MHz.
4. La sefial y(t)=m(t)cos(6:z8Kt), met) como una senal de voz, disenar un detector

{
~ ~ que extraiga la senal de informacion.
5. Si la anterior senal y(t) se quiere trasladar a una frecuencia portadora de
:zMHz, disefie el modelo a utilizar.
c
c
( ,
,~
( 'dj
()
c
c
c
u
()
0 26
0
0
5.1 Senales
.SENALES DETERMINIST/CAS
'Continuas, discreto, digital, senales singulares y senoles suaves
"
'Analisis en tiempo y frecuencia de senales basicas
( , 'SEiiALES ALEATORIAS
I; .Senales de ruido, distribucion de Gauss, senales de error, BER
(- :.
c
( ,
"/
()
/ "
i, /
( j'.l
• Sefial . Es una funci6n que representa la variaci6n en el tiempo de
alguna variable fisica.
• Sefial continua. Una senal que depende de una variable real t y que
modela una variable fisica que se desarrolla en el tiempo.
u • 'Sefial discreta. Una senal que depende de una variable discreta n y
() que modela una variable fisica que se desarrolla en el tiempo discreto
se llama senal discreta
• Sefial digital. Es una sefial discreta de valores de amplitud 2n con n
como valor entero.
C)
(':
"-'
()
l)
C:
1
u
o
o
\ ~
• Sefial aperi6dica. son sefiales que no tienen repetitividad en el

tiempo
/0 .,
• Sefial peri6dica. Son sefiales que tienen repetitividad en un
lapso de tiempo denominado periodo. EI periodo es el inverso
de la frecuencia
f==~
T
/ '
\
c
(
f~
(
-....
Senales - Continuas (anaI6gicas) - Euler
() -Es la sefial base de las comunicaciones.

-Es la forma simple de representar otras sefiales mediante las
series de Fourier.
(j
·Origina sefiales como elseno y el coseno
-Como es sefial compleja se representa en el plano complejo
( '1 j
() yet) = A * efCwot+8)
c
w
c
( ~
"'-J
U
L~ 2
o
o
- Continuas (anaI6gicas) - senoidal
-Corresponden a la parte real 0 imaginaria de las

senales exponencial compleja.
f """
A * e j (wot+8) = A * cos(wot + 8) + j A * sin(wot + 8)

'.
YrCt) = A * coset + 8)
= A * sin
/
(' .
" /
nales - Continuas (anaI6gicas) - senoidal
senal sen<>
~ .1 .......... 1..........+\
"'1-.. .. ..:·A
() AI
.1$'"
! \ ./ t ""tI t . , ,! '\,/
selia' coseflO
3l\}······_·_···· ..
~ .1-................ \ •• +......../............,\....
b _,!
_ 1 ! l . . $
I" J !" , \ / '\,.f!
1t
I
15
c
()
3
o
o
o
- Continuas (anal6gicas) - senoidal
·Longitud de Onda. Distancia espacial que ocupa un

periodode la senalsenoidal.
( -:
\_
I
\
c
c
/'
()
() - Discontinuas - impulso
G
-Son senales que, aunque no son funciones, representan

una forma de senal fisica discreta.
o
-Sefial impulso. Es una senal discreta que tiene valor solo
en to
olt)
U L' La lA
U
ortr!: otrocaso
to
u
C
t \
~,-j
u 4
o
o
- Discontinuas - pulso rect
(
I -
(~
\ ;'
-Senal denominada Flladrillo/~ con ancho de pulso T
(
-T /2<t<T /2
{
\
~~
Wt){ otrocaso
r-".
\. ;
(
(
\
f :.
\. J
( ,
" /
(~
C
U
r,,
\
'-/
( "
,,)
r~·
5efiales - Discontinuas - peri6dicas
"-
r'
\..]
o -EI tfen de impulsos son impulsos espaciados en

o esoacios de tiemoo I De 10 misma forma 10 senal
0,
r-
SenitI puls.nrt: p4lriOdk.
':rJlfr:r:rr::::r:::rr::r:l:
+......... . -.rr"]
J'
(-) j 'I>~ •••••••••• :~ -~--- •••; ••••• ·····f········ .. :........ __ ww •• W_'."'''':"' ---·····r···· .....: ..... w • • • "':• • • • • • • • • • •
o ~ :) ····..····t· .....-.. ~- .... ,,·--f--···w., ·f·.. ·woww • • • ••• .. ·······f·· -_..... ~.- .+---------
.I'If, ••••••••••• ~- ········t····· ··.. ·f'······· .~.H ......... ........www·f·· ........ ~ ....- ..... ~ ........ ·t....······
o, .t:~ Q.
. . -.. . l.u...u...i.. . . . .--i.....-.u ..L......n..
0:, G'.,Ol :1.3 04 c.~
L.w .... n___l.........;.. . . . . .i...........l... . . . J
O.t!> 1'7 'U Di t
(j "
t 1f."I'J'
(' . Sen.1 (:;uad,..da pori6diC6
1 ·····r·· "1'--'- ..."" .. i········ .....1'. ··r····· ........ 'T' .......

~
~
c ~
~,!!
tI
••••••••• :- •.••••••• : •••••••••..••••••• '":"
••••
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" •••• ~ . . . . . . . . . . .: ••••••••• -: ••••••••••••••••••
·····t· ..... ··l····· .............. '"1" .. ~...-- ..... ·····f....... ··1····· ..............+........
o ,(),~ .......... ~••••• - --;_ •• _- ...... - ....... "'''r'' ..... ··1··..· -,--- ........ --t·· .......
N~" ••• ~ .... _ ....
Q '1'~ ~ ~~~-- 1n~~~~~~ __.j_ ..... ~:~:~~imd_ 'F' ~j~:~., ....... ~: ~~:~.......l.. ~~~:~. _.j. ..... ,~~~~:; m,0,- ,~~j:~~ ........J
••••
u ~ U M U " U ~ U
'~
(- j
u
5
u
o
o
- Representacionde senales
• Series de Fourier
• Transformada de Fourier
(,
, c
• Densidad espectral de potencia/

potencias y anchos de banda de las
(' senales
(
\, /
(
\. ./
(
{ ,
'\ /
(
(
'\
- Series de Fourier
() -Las series de Fourier rct) nCt/T)

es una sumatoria de
Seno/ en series de Fourier trigonometricos
funciones ortogonales
C) que representan una '"
senal f(t) = ao +L
" (
Lt
an cos 1l1[ mrt)
+ b" sin L
It'-=l
(; -Senales ortogonales Seno/ en series de Fourier exponencio/

son las exponenciales 00
complejas/
senoidales,
las
las
ret) = I Gil e
iwnt
r.=l
hiperb61icos etc.
,(;
en Ii"'" rco "e
;;:= -
T -'l.>
-jwnt dt
(J
! (-'"
j
(J
()
U 6
o
o
- Series de Fourier - ejemplo
-Graficar las series de Fourier de la senal

c
Jet) = signet)
-Representacion de la senal en series de Fourier

f '
}]
~
.
iCC) =
4
~ L ( 2k -1) 1 .
1-~ 2k- 1 Sll1l(2k
r
l)t)
k=l
(
c
(
Series de Fourfe'r - ejemplo

2!lIlIl'HUtIle:> :~~CMo
H ,r -~-~-~-~-~-~-~-.,
,~[.. :. . ; ....
. ....
.
~~
.
..... :.
-1..$! :
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~tf..~. . ,,--".'---
{
-O.!
_1~·m. :\ ;;000'\: 1!
.,.s:-'!L'- -..'-----:.~
. -'---'---'---',_---',_---'
c
c
u
u
7
u
o
o
;;~;i';;-'~'--" Series de Fou
{' . '::)>-l... ~=::!
.. .. ~.~ .."!'. ""'-"!" "~'!'" "''''~''-''''''~'I
;
~""'m.""~
( "
\ )
(J
( "ales - Transformadade Fourier

)
c" • Representacion de las sefiales en la variable frecuencia
()
• Se puede extraer mas informacion de la sefial que en el dominio
del tiempo
()
( ~
• EI an6lisis frecuencial de la senal permite disenar el sistema de
\..~)
comunicaciones con mayor exactitud
C)
• Para una misma senal se generan dos espectro/ el de amplitud
y el defase.
(J
o
C)
l)
8
o
o
~-=~,:c,.,c=·",,~o~~,",,=~,="= ................:: ..... ":~ ..
5enales - Transformada de Fourier
f': yet) * e-j2rrft dt

\,
TF DIRECTA
c Convierte 10 senal yet) =
( temporal a uno
senal frecuencial.
co
('
(
"-
{
j
,
TF INVERSA
Convierte 10 senal
en frecuencia a uno
yet) = J yet) * ej2rrft df
"
senal temporal -co
('
"
(
, '
\, '
{ ,
\, /
o
c
c
c
c
c
c PAR TRANSFORMADOS
o A * oCt) .;
'F
;. A
u
o I(t) J
o
o
r"
\j
C
A
to r f
()
(,
J
o
Q
o
C
C
U
9
U
o
o
01
C)
.' ,
<J
«j)A)6.lV
OJ OJ
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I(J}AI
'\
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j
0
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C)
C)
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'- ..
.' \
)
, , ; , , . . .,
I I I I )
I I ,
,
i""~¥,".o""t;'~
)
. ,
/
• La potencia de una senal corresponde a 10 energia disipada
por unidad de tiempo
• En comunicaciones la potencia que se maneja es la potencia
promedio total normalizada
• Las unidades de la potencia se dan:
• En magnitud son Vatios {Watts}.
• En forma logarftmica son dBw y dBm
• La ganancia 0 atenuaci6n en potencia de un sistema se da
en magnitud {sin unidades} y en dBs
,
{
/
('
\ /
o Ley de Ohmn. La corriente

que pasa a traves de
•I
Rg i (t)
una resis ten cia es

proporcional al voltaje
vl(t) RL
de sus bornes .
('-"
j v(t) = i(t)*R
En comunicaciones esta
u expresion se normaliza
R=l
La potencia instantanea
corresponde al
producto de la corriente
por el voltaje en el
c mismo
tiempo.
instante de
o pCt) = vCt) * iCt) = vet) * v(t)/R

=v 2 (t)JR = i 2 (t) * R
u
C'
(./
G 12
()
o
Con R =1; la potencia promedio en magnitud es:
j5 - liT
Iv(t)1 2 dt ==
ToT
liT 0
li(t)1 2 dt == li(t)12
Potencia en forma logarftmica referida a un vatio

PdBw 10 log1o j5
Potencia en forma logarftmica referida a un
/'-"
\ milivatio j5
PdBm == 10 lOgiO -1 ___ TAT == 30 + PdBw
(
\
()
( j':
['-<\
\j
efiales - Potencia prorne
( ",
'- ;!
Encontrar la potencia promedio total de la senal

L.·..,'"
U de vo/taje
o lJ(t) :=: A * cos(wot)
P
1
T.
iTO IA *' cos(wot)1 2
dt
1
:;:;-
iTO A2 *' cos 2 (wo t)dt
o 0 lO 0
o 1 LTO A 2 * 1 + cos (2wo t) dt

() To 0 2
() 1
T
LTO -2
A2
dt+:p
lL TO
A
2 cos( 2wot)
dt
10 0 10 0
C
o A2
2
A21 TO
+ 2T. cos(Zwot)dt
A2
2
C o 0
,
~j
\
c;
C
(J
13
o
o
o
Ancho de baridaB
• Son todas las componentes de amplitud en frecuencias

que se encuentran por encima de un porciento de 10
amplitud maxima de 10 senal.
• Los anchos de banda tfpicos son 01 70% (- 3 dB), a -6 dB,
etc.
• La frecuencia minima valida se denomina frecuencia de
corte bajo fl, y 10 frecuencia maxima valida se denomina
frecuencia de corte alto f2 .
• Este ancho de banda tambh!!n es conocido como el ancho
,( de banda a menos tres decibelios B-3dB, 0 a potencia
r-'.
\
media.
(
• Tambifin hay anchos de banda que se consideran a -6 dB,
anchos de banda nulos, etc.
B- 3dB == f2 - fl
( ,
()
()
f'.
\~ . j
o Las sefiales banda base

IY(f)I
o corresponden a la sefiales de
informacion sin ningun tipo de
corrimiento en frecuencia
EI ancho de banda esta
(
alrededor del espectro cero
( "l
Las sefiales banda base
.?
co rresponden a todas la,s
sefiales naturoles como la voz,
audio, video, cardiacas, etc. Y B- 3dB fz Ii = B - 0 B
las sefiates banda base
c digitalizadas como, PAM, PWM,
peM. Etc.
o
( ,
"-0
() 14
o
o
,
\, .'
La sefial de comunicaci6n
pasabanda se obtiene IY{fJI
modulando una sefial
anal6gica 0 digital en una
portadora
f
La magnitud espectral de una
forma de onda pasabanda es
diferente de cera en alguna
freeuencia concentrada
entorno a f = fe
(
(
\.. )
('-,
~ ........
()
()
Densidad espectral de potencia PS
(-,
\.y
@ • Es la forma de ver la potencia desde el espectra.
f,\
t.7' • La PSD muestra como se distribuye la poteneia en la frecuencia.
o
{j
P(t)= I Y(t) I 2
{-",
\...7
o
c
o
C
(;
I'-./"
C
o
(j 15
o
o
• Son sefiales electricas no deseadas (sefiales aleatorias)
provenientes del medio donde se encuentre el sistema.
(.
• Se genero el ruido por la presencia de otros equipos, por las
redes electricas, luz blanca, por disturbios atmosjericos, ruido
de los dispositivos del sistema y muchas fuentes de ruido que
estrin en el medio.
,~
• RUIDO ELECTRICo. Se produce por el movimiento termico de
.
/
"
los electrones en los medios de conducci6n, semiconductores,
resistencias, espacio rodioelectrico etc.
( • Este movimiento es aleatorio. Una partfcula a temperaturo
(
absoluta T que es proporcional a kT donde k es la constante de
\ . Boltzmann, genera una potencia promedio en terminos de
temperatura.
(. '.J
Senales - Densidad espectral de potencia de ruido
()
~1(t) = zkTn =:22 = No

La DSP muestra como 1
2
o se distribuye la
potencia del ruido en
( -', ./
la frecuencia .
{
"-.y
':,
k:::1.3 8 *10- 23 PrlCt)
(J
'1
Z
u f
c
o
(]
C)
o 16
o
o
- Ruido
('
. nit)
\
c II
, I
!!,.\
!l J'i!
i\'
'~" i fI'I I I\ /.,
I
11,
JI'I '
If"\ i' !\
V/I" (\ )ii; J'.j
\
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I' 1
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('
~ 7
\ NoiL l~jvvJ\r\/,(V\fyM{~/W~~
o
\
!'~'
C
C
,~
C
C
C
C
r'"
'(]
f'-" • Para 10 senal 5*TI(l06t), halle 10 serie de fourier, 10

U transform ada y luego graficarla en tiempo y frecuencia.
o • Encontrar 10 transformada de Fourier de 10' senal
,0 2*Sinc(27r*104 t)
o • Para 10 senal compuesta 2 cos(27r 107t)+ 5 sen(4ooJr 105t),
( '1j
grafique la densidad espectral de potencia y evaluar la
potencia promedio total.
o
• Una senal senoidal tiene una potencia de 40 dBm y tiene una
o periodo de 20 nS. Dibuje 10 senal en tiempo y frecuencia.
(' j
• Encuentre 10 expreslOn para 10 potencia de ruido a

U temperatura ambiente y un ancho de banda de 1 MHz.
10
G
i (."j
C
C
U
17
U
()
o
o
o
()
':1
()
;)
A
(")
C)
o
o
9
. \
;
)
6.1 Sistemas de comunicaciones
banda base
( , Introduccion
, Transmisor
i-'
\
c~
'Canal
'Receptor
(-~.
'Ruido
(
(
, -
r'
\.../
C
{j
'\--/'
(~)
-,
C j
n
'.J'
()
p j
o • Transmision de sefiales banda base con canal rigido unico

o • Estos sistemas se masificaron con la telefonica fija
( -'1
j
• Los sistemas banda base analogicos conforman el primer y

o-',\ ultimo eslabon en los demos sistemas de comunicaciones
C
-) modernos
() • Las sefiales banda base corresponden a la sefiales de
() informacion sin ningun tipo de corrimiento en frecuencia
u • Las limitaciones tienen que ver con el ruido y el ancho de
banda
()
Q
(-"
~
o
()
(J
()
1
U
o
o
(
\
• Esta compuesto por tres bloque
fundamentales como son: transmisor, canal y
receptor.
• Y las senales involucradas son: la senal uti! y
las senales de ruido
• Los parametros de merito son: ancho de
c banda, potencia y relaci6n senal a ruido
GAf)~
l~ L_~'~i),~
~ transmisor ~
- -
Canal ~_n-1±J'
J. "I Receptor 1"
g(t) +11(/\ 1
(/) J
I:.. PE ,----- Ps+P' ' - - - - - P~
6 Sistemas banda base
()
.;
( ~:J"
• EI transmisor g(tJ- debe tener los niveles necesarios de potencia para
compensar las perdidas del canal y no lIegue con niveles equiparables con el
ruido n(t), ya que no serfa posible la recuperacion de la informacion
• EI transmisor BB se compone de filtros yamplificadores.
o.,.,
.
• Para an alizar el sistema los parametros a tener encuentra son:
() Potencia de 10 fuente (mensaje) Potencia del transmisor

PI Pc
Pr Potencia de entrada al receptor Pa Potencia de Salida del receptor
o Nd Potencia de ruido a la salida del receptor :P Perdidas del cona'
() T,v Temperatura de ruldo 7J Densidad de rulda
u 2
o
o
• La ganancia de un sistema se define as!
Po 1
G Pi = P -7 GdB = 1010g(G) 1010g (Po) - 1010g(Pi )
,
(
,
,F - ,
• Las ganancias es la razon de la potencia de salida Po y la potencia de

(-~ entrada Pi de cada bloque del sistema
\ -"
• Para los casas atenuados, como el canal de transmision, ocurre 10 contrario
Pi> Po y hace referencia a las perdidas del bloque
• EI fi/tro es banda base con ancho de banda de 10 sefial de informacion de
entrada
Ie
;
(1
"/
• EI canal es el medio por el cual viaja la senal de informacion. Se asocia con

lfneas de transmision, puesto que las senales banda base no son aptos para
o radiar
• Los medios de transmisi6n comunes se hacen por pares de cobre, pares
trenzados, cable coaxial- gufa-ondas, fibra optica
• Las perdidas del canal obedece a la siguiente relacion de potencia.
Po == e- 2a *l * Pi == 10- 8 .68 * Pi
'PdB 8.68 * a * l
{\
i V
u 3
o
o
• Para ejectas practicas, hay tablas que dejinen el tipa de cable y la
atenuacion por unidad de langitud para un ranga de jrecuencias de la Ifnea
de transmision.
• Para datos y en general para sefiales de altas jrecuencias la atenuacion es
/",
\~ ,,'
un dato esencial para el disefio del enlace entre Tx y el Rx
• Para cables camerciales se muestran algunas rejerencias can los parametros
requeridos segun las hojas de datos del fabricante. BELDEN
,
l1po I Frecuencia/M lAten/100m
hz.
Par cobre encauchetada {Blenden*)/78D I 20 AWG 1,10,50,100 12.0,6..9,16.4,24.6
Par cabre encauchetado {Blenden*)/l00D 120 AWG 1,10,50,100
Par trenzada Ethernet-lPj4 pares I 24 AWG 1,4, 10, 25,
100 200, 250,
350
r,
\.
(
\ ./
(
<..
• Comercial RG
Tipo Di6met Foetor Atenuo /Km
ro de cion
coble mm Zo velocid 50 100 200 400 1 Ghz 3Ghz

ad Mhz Mhz Mhz Mhz
RG6 8.5 75 0.66 62.3 88.6 135 194 321.5 755

()
() RG8 10.3 52 0.66 42.7 62.3 88.6 135 263 525
(j
(J
Q RG-58 20.3 dB 44.8 Db dB
()
(--'\
C
(J
() 4
o
o
J?j~:ml;!'J 6.1
(!n:l tr;Jnsmi-=.;ir5n s(;-' por par tr2nZHdo oiJO 20

.4 WG de (/)' Sc! u un:) dis·t~mcjj de ;} ];111. .:.7 1 Mhz. Halle b
zllt-'nUi./CiOJJ que prodUL'p 21 L':mai.
So (m:ivlI
La <.1!ClJU:Jcidn (if::: :,cui:."rdo {J las t:.,blas de"! !iJiJriCal1r6' In

.,. es de
f][enu:'lc/(5n ;2 dBI! OOMts. fa :wmuncir.}J7 toul
corresponde D:
2dB
TdB
.
= 2Km '" -~
O.lKm
= 40dB =:> 10 4
,,/ ' ./
"
\.
• Se realiza por linea de vista, la ecuaci6n que generaliza la ganancia

de un canal de radio es
§
o
G= Po = GAtx * GArX {~J2
( '::
j
Pi
()
o
{~
"'./ PdB 22 + 1010g(l/;t)2 (G Atx + GATX )
U
Q
o
C
Cd
u
5
o
()
o
Canal - Radioelectrico - Ejemplo
h';ernpln (».2
De ~1L'uenjo :J eJ ejempio ~]J7terjor JXJr3 un:) longitad (ie

/ ~ 0l7d~1 J metro hDf!:Jr b ~]tenu~!,-'j(jn L'Oll g:lI7:J17cia (/1'" iDs
l
:l1Jri"!}:!::; de 16 dB c~)da un~1 JX.m:.l :;) ::! bins", b) ahorn /JZU'D
-J !(m.'i.
\'uiu('il;1l
(/[/l/Z:JJ7c/Ob PCU:JCf&7 P::1r3 1:.1 :Jlpml;:]ci(m por PSp:'IL'Jc.J

JiiJ!"!:' ubtiene:
P dB = 22 + 10Iog(2Kmj(J001Km)2 (16 + 16) 56 dB
p(!lJ = 22 + 1O/og(4KmjO.001)2 (32 + 32) 62 dB
c
(
() • EI ruido es una sefial aleatoria de comportamiento Gaussiano

que entra al receptor en forma aditiva con la sefial de inten?s
o • La densidad espectral del ruido se camporta como una sefial
constante en todo el espectro
( ,:-,
.>
• Ruido externo. Son generadores naturales a artificioles, entre
los naturales inc/uyen las cargas eft:§Ctricas en movimien to,
()
campos magm?ticos, etc., las cuales se pueden generar dentro
a fuera de la atm6sfera terrestre
c
n......
C\
../
'<ic./
.\
U
U
U 6
o
o
• Ruido interno. En el modelo del atomo de Bohr; los electrones
{'
\ ? se mantienen en sus orbitas debido a que almacena cierta
cantidad de energia
" /
• Si la energia disminuye, pasan a orbitas inferiores y si

aumenta, pasan a orbitas superiores cierta cantidad de
C energia
f-::
• Esta energia adicionalla provee la temperatura 10 cual no Ie
"t" ' '
da ni direccion ni sentido al electron.
I; • La suma vectorial de todas estas micro-corrientes (electrones)
multiplicada por la resistencia ohmica del canal produce un
( ~ voltaje aleatorio n(t) que se canoce como "ruido termico" con
densidad espectral de potencia GN (f).
c:'
( ,
\
(~
C
(""
'----)
r"
\.,j
c
(--~
u • EI ruido de JOHNSON esta relacionado can el ruido presente en

A
V las resistencia 5 que es una forma de representar un sistema.
o • La potencia promedio total del ruido Gaussiano carresponde a
('I la varianza de dicha distribucion asi:
,/
( ), f
C 2R(nkT)2
Vl1 (t)2 2
() (J
3/7..
C
(;
U
Q
(-.
•
-~
I
L
U
U
7
U
o
0 ·, ,"
Ruido - Densidad espectral de rLJido
,
(
• La densidad espectral de ruido Gv (f) se aproxima a una
constante cuando se esta a una temperatura ambiente yes de
laforma
I~'
\ ."
"
r -"
Gvo (f) == 2RkT
~ -;
, ,
(
• Y si esta acoplada, pero adem as se normaliza, la expresion
final es una sefial constante
c
(;"
,
kTN 11
\
(
Caef) 2 2
\ ,
( ",
()
• EI receptor es el bloque que extrae la sefial proveniente del

f,) canal y la adapta a las condiciones del usuario final.
GxV)"
ri
-----i±j
g(f) -;. 1I(r)
dAmp
Filtro pasa I Jil(l)
() bajo
IGNCD Es la densidad de potencia de ruido blanco
T,v Representa a todo el ruido del sistema
C: get) Senal de informacion a la entrada del receptor
() G, Ganancia del receptor
BN Ancho de banda equivalente de ruido del/iltro con ganancia unitaria.

I
('-./ "
( :,
,
'_.,,l
V'
e l
8
v
0
~ "
• La potencia a la salida del receptot; con filtro banda base con
( , ancho equivalente BN corresponde
\
\
P(, = G(" ;f~ k~I
oj *- g2 (i)
..
.L /1
1
2 (r)··
d·
Gr x.pg..+-G
' r ;;;:11 *8n
c
r~
(
• AI ser el receptor un sistema linea1- las expresiones de senal y
\ ruido son aditivas. De otra manera se producen productos
"
\ cruzados de estas dos senales.
I ~,
\~ • La ganancia del los bloque son en potencia.
c
,r
(',~
~
c
()
(-,
\j
i' \ Receptor - Relacion serial a ruido

\ ./
c:c ~J
~, • La relacion senal a ruido se da en un mismo punto delsistema

(.. )
de comunicaciones
r~
v • Hace referencia al radio entre la potencia promedio de la senal
( 11
~'\
util y la potencia promedio de ruido.

{"
d • Para el caso a la salida del receptor es
()
G,.*k;' *gz(=0 P 1
(~)d
f'] Pm Gr*P g t
\.f ==-*-
P nd na(I) Gr *ll*B n P ll*B N
()
C
C: • Figura de Ruido: Muestra el nivel de ruido que un bloque Ie
anade a la senal de informacion. Es la razon de la figura de
U
ruido entre dos puntos.
Q
r,;
'l-j
c'
u
( ';,
-~
9
U
o
o
( ~' • Para la distorsion de intermodulacion y harmonica. el estudio se realizo en el capitulo de
amplificadores de RF.
• Ejercicios
• I. Un sistema de transmision de 20 dBw de potencia de salida, utiliza un cable de 2 Kms.
Con una atenuacion de 0.064 dBlm. y un ancho de banda de 500 Khz. La temperatura de
ruldo a la entrada del receptor corresponde a 25To (To es la temperaturaAmbiente). Cudl
\ es la potencia de la senal de llegada at receptor y la relacion senal a ruldo sl el receptor
(,-,
tiene una ganancia en potencia de 16 dB?
• 2. Se transmite la senal de prueba 12 *cos (31500t) a traves de un canal f.ar trenzado calibre
"
16, a una distancia de 20 Kmts. Cudl sera la potencia al {inal del canal. Cual es la relacion
senal a ruido a la entrada del receptor con TN; 20 To (To temperatura ambiente)
• 3. Se requiere hacer una transmision de una senal banda base de video con un ancho de
banda de 3 Mhz. A una distancia de 25 Kmts. EUja el canal mas optimo para transmitir esta
senal, calcule las perdidas y la potencia del transmisor para un receptor con una
sensibilidad de 0 dBm.
• 4. Un receptor tiene un rango dinamico de 0 a 3 dBm. Se desea hacer una transmision a 10
( Kms. Para senales de 50 y 100 Khz. Cual debe ser la potencia del transmisor necesaria para
\ que el receptor pueda extraer la informacion?
• si el canal es par trenzado calibre 16.
• si el canal es cable coaxial
• si el canal es el espacio libre con antenas de 10 dB clu.
(',
\j
("
j • 5. La senal 20sa(211*5M*t) se transmite por el espacio fibre con ganancia de las antenas de
( j
20 dB clu. si la distancia es de a) 50 Kms. b) 25 Kms. con TN ;50 To y To
;oliC.
() Cuales deben ser los parametros del filtro ideal del receptor para que sea aceptada la senal
?
Que consideraciones tiene sobre esta transmision?
• 6. Un sistema de transmision de 20 dBw de potencia de salida. utiliza un cable de 2 Kms.
Con una atenuacion de 0.064 dBlm. y un ancho de banda de 500 Khz. La temperatura de
t·->, ./
ruido a la entrada del receptor corresponde a 25To (To es la temperatura Ambiente). Cwil
es la potencia de la senal de /Iegada al receptor y la relacion senal a ruido si el receptor
tiene una ganancia en potencia de 16 dB?
• 7. Se requiere hacer una transmision banda base a una distancia de J Kmts con una
( frecuencia maxima de la senal de 500 Mhz. Si se tiene un receptor con una sensibilidad de
-JodBm.
c Modele el sistema de transmision y el canal duro para que el sistema sea optimo.
Con los mismos datos y utilizando el espacio radio e!ectrico modelar el sistema.
() • 8. Cual es la relacion senal a ruido con los parametros de ruido del ejercicio 7.
• 9. Modelaren matlab la dis torsion que presenta unfiltro pasabajos.
Q
c-,
( ./
l;
C
() 10
o
o
7. Sistemas de
(
comunicaciones lineales
"ntroducci6n
( 'Amplitud modulada AM
I
~ c 'Doble banda sin potadora DSB-SC
\ 'Banda lateral unica SSB
!~
\
'Banda lateral vestigial VSB
.(
( /
('.r
(
(.~
\.. ~/
('
'-~'
-~
C j
C)
( _7"\
() I) La linealidad en un sistema consiste en que la senal de

entrada se refleja a la salida en proporciones amplitud
@ constante y retardos negativos.
Ci I) De acuerdo a la naturaleza de la senal de informacion existen
varias teenicas de implantar en fa amplitud de la senal
>
( - :/ pasabanda la senal banda base.
(j I) Los parametros para dimensionar los sistema de
comunicaciones en general son: ancho de banda, potencias,
o ejiciencia, y capacidad de minimizar el ruido.
()
u
,-,
\.j
C'
()
L
l)
t;
() 1
()
o
f"
\
o En algunos sistemas lineales se les adiciona una portadora 0
sefial piloto para que el receptor extraiga el sincronismo de la
sefial transmitida, de otra forma se deben utilizar
demoduladores sincronicos 0 con PLLs.
~"'-"
o EI espectro, potencias, niveles de ruido y tipos de informacion

que se manejan con estas tecnicas ya estan reglamentados.
I'
\. / o La modulaci6n lineal es una forma de modulaci6n
c-:, relativamente sencilla y de baja calidad de transmision;
fueron las primeras tecnicas en la radiodifusi6n de sefiales de
audio y video
I) La banda de radiodifusion comercial AM abarea desde 535 a
1605 kHz
c I) La radiodifusion comercial de television utiliza la tecnica VSB
(
\
7 Sistemas de moduladon lineal
(
( ",
\ J
() I) Sefial de informacion
( __ J'
) m(tj
I) La envolvente compleja de 10 sefial modulada AM se define

como:
get) = Ac[l + Xm(t)]

c
I) Luego las sefial modulada en AM es
y(t)Al'vl = Ac[l+xm(t)}coS(COct)
'e
L
U 2
0
0
==--"';~=="-="oo="='__ ~".;f~'~~'.·;{',~~~f~~~
odulacion de amplitud AM.;.:
<;) EI espectro dela envolvente compleja de la sefial modulada

r,
AMes
\
( G(f) = Ac8(f) + Acxm (f))
<;) Y la sefial modulada
~c o(f fc ) + ~c IXm(f fc )1, f > 0

r '
\ IY am (1~
A2e 8(f + fc) + '~c IXm(-f fc )1, f < 0
f
\ /
( ,
\,- "
" ;
odulacion de amplitu
<;) Una sefial portadora es de 10 forma Ac*CosWct con mensaje

m(t)=Am*COSWmt.
(~ <;) La envolvente complejo de 10 sefiol modulada con un tono es
o g(t)= Ac [1 +m(t)]= Ac [1 + m.cosw 11/]

L 0- EI fndice de modulocion se define como
c 111=~
A
o 0<
Ac
Y sefio} modulada es de la forma
c
C
YAlii! (t )= A c [1 + In.COS\V 111 t .cosw c t J
G
~
o
c
c
o 3
u
o
o
adulacion de amplitu
Sefiales temporales en AM
Srlhl m,..t l..I,.J:i .1,,1/
r '
"
r'
\
,,
,
'
.(
\ /
,
,
'
<> La sefial espectrai de la sefial modulada AM se obtiene a

u"
(
partir de los teoremos de transloeiGn de frecuencia, 0, por
teorema del espeetra de una sefial pasa bandas y se obtiene
Y"V)",A'[O(f-n+~{o(j
A.... •2 2 ~
f <:. --f.)+t5iJ-f+./:.)i'S(f.;·f.)+
,'1, ~ . .. f" -
lU
•. '!l,haU+f.+f
2'lt5(j+fc -f .. ... :JIj'
()
() <> En la siguiente figura se muestra la gr6fiea del espeetro
unilateral AM
C) t'<1'A,u<J
U
,<
L
C
U
u 4
o
o
<> La potencia de fa senaf madufada AM se obtiene por fa
definici6n de potencia promedio total de fas senafes. En AM
se define a partir de fa envofvente compleja
~ {IB(t)I:?:) ~ (l Ac(1 + xm(t))IZ) =

r-'
\ PAM := 2 {l + 2xm(t) + Xm \t)
<> Si el mensaje es un tonG la potencia corresponde a
_A;
~i'\f -2 +
- ?
I . 2 \ _ A; A; m
\-\11 (t) i - ? + -;;- -2
2
~ + PBS
_
- p" + [Pl. SB + PCSlJ ]
_ _ k
0- Por el teorema de Parseval, para evaluar la potencia

promedio tatat se hace a partir de la densidad espectral de
potencia de la forma (para un tono)
\
f--"
A 2 + 4 (Ac· m )2
2~
1.-__.'
PAM = L:IYAMCf)1 2df + (A c·m)2 = Pc + PE

(' 4 16 2 4
r -,
t_
[
\~ ./
t~
C
(\ j
(~'\
,---)
adulacion de amplitud~AI-
C'
[ 'c
'- , <> La patencia envalvente pieo PEP corresponde a la potencia
f'l del pico maximo de Jg(tJl como si se mantuviera constante;
\./ la PEP normalizada esta dada por
u A 2 A 2
o PpEP = _C
2
(maxlg(t)12) = _c
2
(nwxjl + Xm(t)12)
(':
()
o
o
Q
~
v
()
('.'
C
0 5
0
0
0
o Hace referencia a la razon de la potencia de informacion (de las bandas)
con respecto a la potencia total generada en el transmisor
P (x,,/ (0)
\ P=p;a 2
1+ (Xm (f))
r~
" o Para un tonG de prueba es

(
'- ~ Ill'
I\-'", ~ (t) \i 1
1/1
[I=:
, p! =: '( '\
, .""- 1 J
(' l"T\x m (\
\ 2
\ /
I .\
"""".-'
( -}-' o EI modulador de AM es el bloque del transmisor que traslada el espectro

de la envolvente compleja alrededor de la frecuencia portadora, esto se
hace mezclando dos senales de entrada, la envolvente compleja get) con
o una senal portadora xlt).
U
E~':
~-"'":
c @
o
o
c
u
u 6
()
o
./ "
o EI transmisor AM es el bloque del sistema de comunicaciones que

entrega la sefial af canal por media de radiadores, de tal forma que
( pueda llegar af receptor y recuperar fa informacion evitando el ruido y fa
interferencia .
f
, I
- _ ... - _.. " \\
~
s
.', m(t
Banda base f-------' Modulador AM f-------' MOdulorf r-
'--
/"
"
( '.
\. ~
o La demodulacion consiste en extraer la a informacion contenida en la sefial

modulada en AM
o Hay varios metodos para demodular una sefial AM como son:
<) EI primero y mas utilizado es el detector de envolvente, es sencillo de
implementar y economico,
o el segundo utiliza un detector coherente 10 cual 10 hace mas complejo en
referencia a la utilizacion de una sefial sincronica.
<) EI tercero consiste en un detector de costas, tambien es sincronico y aun
mas complejo
<) Los parametros estandar estan contemplados en las normas expedidas por
la ulr (Union lnternacional de las relecomunicaciones) adscrita a al ONU
(Organizacion de Naciones Unidas)
emodulacion - Detector ere emiohiente yde product

OJ El detector de envolvente Jigura (a) y de producto Jigura (b)
( T
( ,
~
(
{
\
7.1 Modulaci6n de Amplilud AM
emodulaci6n - Detector
C
( jl
u
'l.
-:
o
D
7.1 Modulaci6n de Amplitud AM
o 8
o
o
=="""o="..",,,,=·,·~,==--._ " ...... ' ': <:"'.:.::
eceptor AM
(,) EI receptor AM es un espejo del transmisor como se muestra en eJ siguiente

gr6fico
"
- - - - - ,)I AM(t), ,get) i fu(t)
M6dulorf Demodulador Banda base
, .
\./
7.1 Modulaci6n de Amplitud AM
~Sistemas modulados en Doble Banda Lateral sin

Portadora DSB-SC, es una tecnica de modulaci6n
@ lineal.
o 0. Se realiza a partir de mezcladores balanceados, esta
tecnica tambien se denomina modulacion lineal
balanceada.
-.,",
(',7 0. Es una variante de la modulaci6n AM, el cual se
suprime la componente portadora de la senal AM
o (equivale al nivel DC de la envolvente compleja AM).
OAI no existir dicha componente no existe fndice de
o modulacion pera DSB-SC
U
Q 7.2 Modulaci6n DSB-SC
C·"
;;
l)
C
G
9
l;
o
o
eneraci6n OS
0. La envolvente compleja de modulacion DSB-SC es

gCt) = fCt) - AerO + Xm(t)} = rn(t)
0. La seflDl modulada equivale a
=
)'B(t) Re{g(t). e Jwct } = met) * Aecos (vvet)
c 0:;;
(
( ·0.6
.o.~
7.2 Modulaci6n DSB-SC

r'
'
./
() o.Por analogfa, a partir de AM, el espectro

correspondiente es
()
YRCf) = Ac2 MCf fc)
o
o M(t) ® I Ya(f)
()
/
c' o 2B
o
7.2 Modulaci6n OSB-SC
o
c
() 10
o
o
~ La potencia promedio total, al aplicar la definici6n
para potencia de la sefiales, se obtiene de la
expresi6n de envolvente compleja
{
\ '
PE = Ac2 <lm(t)12)
( ,
00 Medianteel teorema de Parseval, tambien se halla
I: la potencia en menci6n (ver potencia AM).
ODe igual manera se evalUa la potencia pico PEP
7.2 Modulacion DSB-SC
I "
\,
'\
o La potencia promedio total, al aplicar la definici6n

para potencia de la sefiales, se obtiene de la
expresi6n de envolvente compleja
PB = Ac <lm(t)12)
2
{ "
\J'
<) Mediante el teorema de Parseval, tambien se halla
( J" la potencia en menci6n (ver potencia AM).
o <) De igual manera se evalua la potencia pico PEP
() oAl no haber componente portadora, la eficiencia es
(~) equivalente a 1.
()
Q 7.2 Modulaci6n DSB-SC
( ,'':/
()
C
G
11
lJ
()
o
m(i) ---+~ y(tj
r~
"~ x(t)
Donde met) es el mensaje, x(t) es la senal

portadora y y(t) es la senal modulada
(
".
c 7.2 Modulaci6n DSB-SC
(
\../
n\5
. .~,
m(t)
o
()
~.'\
()
o
{,
\.; Esquema del modulador y demodulador
(,)
r\
7.2 Modulaci6n DS8-SC
j
()
C;
u 12
o
o
m(t} m(t)
o
c
(
Sistema de comunicaciones DSB-SC
(
\.
7.2 ModulaciOn DSB-SC
c
(
\..
o • La modulacion de banda lateral unica SSB, es una

tecnica de modulacion lineal, hace un uso eficiente
del espectro y con niveles de potencia muy bajos
() respecto a las demas tecnicas
o • En las sefiales moduladas DSB-SC el mensaje se
( :'".,
.7 encuentra en cada banda .
• luego se puede enviar una sola banda tanto la
banda superior BLS como la banda inferior BLI, sin
c que en la recepcion se pierda la integridad del
o mensaje. Hay varias formas de generar una sefial
SSB 7.2 ModulaciOn DSB-SC
u
c
c
o 13
o
o
• La senal DSB-SC se filtra para eliminar una banda
• Luego la envolvente compleja se convoluciona con
\
unfiltro SSB
get) = rn(t) * hsCt)
• Y la senal modulada SSB es de fa forma

/
\
.
,
Ys(t) = {met) COS(Wot)} * hs(t)
7.3 Modulaci6n SSB
r
"
eneraci6n SS B par
()
":::;,
.....
• El espectro con unfiltro ideal es de laforma:
\;7
1
YB(f) 2{M(f - tJ Hs(f - fe) + M(f fe) HsCf + fe)}
()
()
0
roo
BLl BLS
®
I~J
G
/1fN
-f. pn~ 2B
f -f.
I'" o
B/ll
'1J-H•
f !
Q
7.3 Modulaci6n SSB
()
, 'j
'\..../
14
o
o
• El metodo utilizado para el corrimiento de fase se
hace con fa transformada de Hilbert
(
'\ 1
+ jf(t) ~ F(w) + jP(w)
i~
" / get) = J(t)
!Ct) - fCt) * hHCt)

' ,•• r
• Es la transformada de Hilbert de f(t), el cual

consiste en desfasar las seiial en ±900. El espectro
(
es P(f) = F(f) {-jsgn(f)}
(
7,3 Modulaci6n sse
(;
eneraci6n SSB par
(
\
"
/
• El espectro para la envolvente compleja USSB
o GUSSB(f) = F(f) - jF(f)HHCf) = (~~(f), ~~6)
• La de la seiial modulada
YUSSB = {fet)"+ jf(t) " hH(t)} cosCwct) = fCt) cos (We t) + !Ct)senCwc t )
() Con espectro
(J
YUSsB(f) =(:(f - fc), f>fc)+(O
f < fc F(f - fc),
f> -fc)
f <-fc
Q 7.3 Modulaci6n sse

o,
c'
u
(j 15
o
o
{~,
• EI espectro USSB se muestra en lafigura
\ c
l .
o Y.(fl ® Y....(f)
/11~
f.
BJ/1!~LS
( ) ~f.
("-; 0 2B 0
( c
('1
() 7.3 Modulaci6n SSB
{ .
\ /
()
eneraci6n SSB par

(~
j
()
• EI modulador es mas complejo que los vistos
anteriormente y se genera de la siguiente forma
(> >~
o"
C}
o ®
o
o
7.3 Modulaci6n SSB
c~
u
() 16
o
• Cundo las senales de informacion tienen

componentes importantes en cero el filtro SSB
puede degenerar la senal de informacion
• VSB soluciona este inconveniente, adicionando un
vestigio de la otra banda
• En ciertas aplicaciones (tales como radiofusion de
( , television) la tecnica de modulacion DSB lleva
demasiado ancho de banda para el canal
(television) y la tecnica SSB es demasiado costoso
de ejecutar
7.3 Modulaci6n SSB
(
, /
'
( '"y\:
()
(
(
ulaci6n VSB - espe

\
('\
',~,7
U-' 0."
• La senal temporal VSB es de la forma
Q
YVSB(t) YDSB(t) * hv(t)
( '')J
(~)" • EI espectro VSB corresponde a
Y;/:)B (f) == YDSB (f)Hv (/)
(-::' Yvss(f) == ~{1kf(f - fc)Hv(J) + A1(J + Jc)Hv(J)}

_/
2
U
7.3 Modulaci6n SSB
()
C
C
17
u
o
o
• Forma espectral UVSB
c-
I ~' ..
\ M(f) Y,(£)
YB(f)
HJ!)
L_ I
\
o
B 1
o @ o
("
"/ 7.3 Modutacion SSB
to
\ /
c
"
U
• La potencia depende del flltro VSB,
() • El ancho de banda 10 define el filtro VSB, es el de la

banda lateral mas el vestigio.
( '';
-"
'\
U
Q
7.3 Modulacion SSB
18
o
o
• Se tiene un mensajes y una portadora respectivamente de la forma
,
\ m(t) cos(6n*104 t) + 2sen(4n*104 t) y x(t)=4cos(n*108 t)
• Encuentre
• indice de modulacion AM
• Seiial de salida para el modulador USSB
• Evalue la potencia para una modulacion DSB-SC
• Si el vestigio es de 10 KHz y dibuje el espectro si es UVSB
• Disefie un modulador AM el cualla potencia pico sea de 10 dBw yel indice de
modulaci6n tenga un valor de 0.8
• Se requiere hacer una transmision con un tono de prueba de 500 KHz y con
\ una portadora de 200 MHz. EI enlace es de radio a una distancia de 20 Km
entre Tx Y Rx. Si la sensibilidad del receptor es de -20 dBm, disefie el sistema
con tecnica LSSB para tal prop6sito.
• Describa el proceso de modulaci6n y demodulaci6n para los sistemas de
radiodifusi6n de television comercial VHF. 2
(
7.3 Modulaci6n SSB

( '>
c
19
o
o
o
C1
~)
o
o
@
()
~)
tJ
( ')
, /
\
/
()
,.
\~ )
\
\ ;
8. Sistemas de
comunicaciones angulares
( ,
(' 'Introduccion
'Seiiales angulares
'Sistema modulado en Jase
'Sistemas modulado en Jrecuencia
'Sistemas de banda angosta
(
\ 'Sistemas de banda ancha
(
(~
p
c
c
(
( ___:.1
~'-
<> Objetivo: manipular la Jase~ 6~ la Jrecuencia

r~~
\-1 proporcionalmente a una senal modulante
m(t).
<lEn el cingulo de la envolvente compleja se
() puede variar la Jase 0 la Jrecuencia (PM~
FM).
o <> La variacion de la Jase es una variacion
c indirecta de la Jrecuencia y viceversa.
(j
1
o
<) Forma de la senal angular compleja
wet) - g(t).e jwot

<) Forma de la senal pasabanda real
( , yet) Re{g(t).ej\Vot}
<) La envolvente compleja
get) == Ac ej¢(t)
8 Sistemas de modulaci6n anQu(ar
(J
<) La senal modulada en 6ngulo es
@
Ac COS(Wc t + ¢(t))
o
o (} Con tP (t) como el par6metro donde se
mapea el mensaje ya sea en Jrecuencia 0 en
Jase
(~
0 2
0
0
_"~~~~!CX,'';;~t,~""c~~
enales -modulacion en recl..u:~rieia
• Modulaci6n en frecuencia • Modulaci6n de fase

FM
¢(t) Dp * m(t)
, ¢l(i) = D f f~7(()d(
• Senal modulada en fase
• Senal modulada en
YPJI(t) Ac cos(wJ+Dpm(f))
I' frecuencia
~
• La desviaci6n maxima de
r~l(()elS
YFJI (/ ) = Ac cos( w/ + D f
(
fase
• fndice de modulaci6n en
frecuencia
In p =ilf)max =:=Dp *V 111
In
j
= D.f
B 8 Sistemas de modulaci6n anQular
c
(i
( ,
\ /
c
(: --"
PM FM
/~ 111(t) = Am cos 'HJmt. m(1) Am cos W v/
\...J
@
¢(t) - DpAm COs(Wmt) (J(O :::: D f JAm cos l1'm t 2r'
fIJ}l}
sin(wml)
( j'>I
g(r) = AceN(t) = AceJDpAm COS(WnJ)
get) = Ac eN(I)
( '" j
()
o g(t) = A
c
ej¢(t) =:::; A
c
ejIllCOs{;rmt)
get) = Acej(.(i) AceJm.ill(w"l)
C) Ypm(t) = Ac COs(wct+mcos(w1//))
Yfin (f) = Ac CDSe w/ + msin( wmt))
U
Q 8 Sistemas de modulacion anQular
C
C~
c
u
3
c
{)
o
-.~~.~- '---------
....
PM .,
,
(
,
\.
r'
(
, ,
, FM
('
r'
,J\
8 Sistemas de moduJacion anQular

/ '
\,
( "'\j
c
Analisis espectral de la sefial pasabanda
( j~\
• Teorema: para /a sefial pasabanda el espectro esta
definido como:
Y(O =~[G(f -fc)+G*(-f -fJ]
2
o • Y /a densidad espectra/ de potencia es de la forma:
() 2
Pv(f) = IY(f)1 :[Pg(f-fc)+Pg*(-f fJ]
• Donde g(t) es la envolvente compleja que tiene
contenida la informacion y tiene par transformado
o G(f)
u
(~ j
c'
c
o 4
o
o
Analisis espectral de la senal pasabanda
{'
\
• Teorema de Parseval: la evaluacion de la potencia
,
,.
{
promedio total fPac + Pdc) en el tiempo 0 en la

frecuencia es equivalente y de la forma:
P = (l (t)) = f)r<f)df - R/O) = ~ (Ig(t)n

v
c • Yla potencia pico es:
r
"
(
\
PPEP = ~ [maxlg(t)/r
(
(
\." ;"
(,
• EI ancho de banda es la porcion de espectro que

Q ocupa la senal pasabanda en un semiplano del
espectro.
• EI ancho de banda esta determinado de acuerdo a la
forma de la senal gft).
c • EI ancho de banda FM 0 PM depende de otros
C parametros ademas del ancho de banda del mensaje.
"\
( .~7
( _:/ "
o
Q 8 Sistemas de
C
c
c
c 5
e
o
o
• La envolvente compleja para la sefial angular es
aCt)
eN(t) =
b e e
A
ejmsiu(1I'n,l) A
• En series de Fourier es de la forma
g( t) ==
<D.
"C ejm .,";!

L.....J }} "'11
1
T _T,Jl
1-
T,,,
C == ~ 2 ejmsin(w.,r) e - jm,:.,/ df
n=-'f) m ,
• Los componentes de amplitud de Ta serie de Fourier
corresponde a
(
' ...
,
en = Ac {_I f'T_e jm
2rc -"
sin O-n& dO} AcJn(m) =: AcJI1 (ft)
,
8
C
C\ j
EI en encontrado de g(t) para sefiales angulares/ cabe

en el modelo de las funciones de Bessel de primer
C·":) orden In(m)/ donde n es el orden y m es el argumento.
De tal forma que el espectro de la envolvente compleja
o es
""
GCr) = Ac LJn(m) 8([ ± n[J1l)
-!N
c\ EI espectro de la senal modulada en cingulo es

\'..-'
c YAC!) ~cL:=_oo fn(m) (0C! - Ie ± nfm) + 0([ + Ie + nlm)}

o
o
c
c
o 6
o
o
Funciones de Bessel primer tipo
t"~
,
"
(~'
,.
,f ~
ion anaula
( ,
('.
'-., ./
()
isis espectral- eJe1

Evaluar el espectro de la senal banda base angular y
graficarla/ el cual tiene un indice de modulacion de 2 y
@ la portadora tiene una amplitud de 5
'Zf.'t
get) == Acejq)(t) == 5e.i2sin(2Ttt) G(f) = Ac LJn(m)S(f ± l?fnJ

-~
,..':)
\J
J o (2) = 0.22 ~ 1.1
1.5
G
' ", J 1 (2) 0.58 ~ 2.9
l 3'
G(~.5
J 2 (2) 0.35 ~ 1.75
c
U
J3(2)=0,13~
J4(2)=0.03~
0.65
0.15
voLJ
-l -z
I I
4
G
c
c
(J
7
e
o
o
• Un mensaje 2cos(2pi*t) modula a una portadora
5cos(200pi*t) en frecuencia, el cual tiene una
sensibilidad de frecuencia de 47[ hz/v. evalue la serlOl
modulada.
• Soludon: el indice de modulacion es
m
Dr
== --=----
* Am I1f
c Wm B
4*2
m == 1.27
2rr
8 Sistemas de modulaci6n anaular
{ '"
"
"\
(
ulaci6n Angular
(3 -,
• EI analisis para la banda angosta, se raliza con la
Q
expansion polinonica de la senal exponencial compleja
( J-"
g(t) Ac e J9 (l) eh *' = 1 + j¢(t)+ (}¢V)y
21
+ (j¢(t)J
3! + ..
u • ¢(t) es pequeno en amplitud, si m es pequeno (m«l)
g(t) = Ac [1 + j ¢(t )]
• La senal modulada queda asi
y{t) = Ac [1 + j ¢(t )}/H'ct
o YA (t) = Ac [1 + j ¢(t)]cos 1V/ = Ac cos w/ - Ac¢(t)sin wet
(J
o
8
(:)
o
odL;i~~i6'~Angu Iar' .-:.'
La figura a, muestra un modulador PM de banda

angosta. La figura b, un modulador FM de banda
(:
....... ......
angosta
-.~ -- _ _ __ __ __ __ _
..-.--........ .............. --. .............................. .... ......... ......... ........ .......... .... ........
r --,
\
~-:-\
\ ,
c
(
,~'
'.
o
( "
\. ,
() 8 Sistemas de modulacion anaular

( ,
\, _/
CJ
(
\. j
'""
()
I'
\._j
( "
\j
ulaci6n Angular
()
[ ~\,
\,--,
':l
-Componentes espectrales validas: las que tengan
( .7
valores de magnitud superiores de 0.05
Q correspondiente a las funciones de Bessel
{"~
\.7'
- Como 10 sefial NBFM tiene la forma espectral de
0' ,7
AM, entonces solo debe tener dos componentes
() alrededor de la portadora.
(J -Para determinar la banda angosta, cual es el valor
o maximo de m?
()
(j 1
o
Q
{";
~
~,
( j
G
()
9
U
()
o
Cuando hayan mas de dos componentes espectrales
alrededor de la portadora/ EI ancho de banda ancho
en general equivales a By = 2 * n *' B
Segun Carlson el 98% de la potencia para banda
~,
ancha est6 contenida en el ancho de banda de FM/

\: . Si m» 1 se aproxima a
/'
'( "
BT ::=:2(M+B) BT =2*n*B=2( M)*B=2*6F
\, B
En generalla regIa de Carlson es 2(m+l)8
8 Sistemas de modulaci6n annul.r

,,
/
"
'
c ulaci6n Angular
5"3l'U).)do1Iataen~oy$Nlm'f.I'1Pje fsPecrJ'(lM"i'J~ad.G:OI?lt~.3
c;; ~
~<
o ;.<"
c
,~~-~;-----\~
e,:;:
~
()
~ ~ :J
(~;
~
~
'lllilil
~ ~
::
~ -
.111.11,.
l~
j
~
'"",
Esp«:ro.'1i111i. mOdll/l'da con moofO
(
~
()
o ~
u
()
c;
() 10
o
o
Modulacion Angular GeneraciOn"Banda ancha
!
\.
Indirecto: cuando se produce a partir del
modulador NBFM~ junto a multiplicadores y
convertidores se establece en los parametros
\. -
requeridos
, ., Directo: Se genera 10 senal directamente con el
\.
circuito generador.
r'
\:
(
r
"
( .
( 8 Sistemas de modulaci6n anQular
"
eneracion Banda ancha - In
• A partir de el modulador de banda angosta~

generaci6n de banda ancha
(J
() fc3"''''.tHz
()
()
( j\
o
de modulaci6n
C)
C
C
o
(.;;
':~ 11
o
o
(c
• La senal de FMNB
( , yJt)::::: Ac cos(wJ + msin(wIIJ))
f- • A la salida del multiplicador de frecuencia con
r'
\
n=64
yi(t) = Ac cos [n{l1-'ct + Il1sin(w",t)}] Ac COS {I1W/ + 11111 sin(w,/)}
(
\ c
• EI convertidor de bajada permite lIevar e! espectro
c a otra frecuencia fe3 =fe2 - fa
(
f "
\,- ;:
8 Sistemas de modulac;6n anaular
(
.~. /
eneracion Banda ancha -dIre

C?
(J
• Un oscilador con un condensador variable con J
m(t) de entrada el cua! varia la capacitancia y

hace variar la frecuencia de acuerdo al voltaje de
dicha senal.
()
• Se hace referencia al VCO visto seccion 6
--1
'-\
(
~
-;;"
m(t) vco IC'

• ('.w('o···:h:ftmUi
'.
u
o Wo '" We + Kf* m(t)
I'.
~,-.l
C
G
o 12
o
o
Demodulador angular
• Limitador: hace constante la amplitud de la senal

( '"
\ ,
de entrada
• Discriminador: derivador que convierte las
variaciones de frecuencia en variaciones de
amplitud (detector de pendiente).
I
\
Detector de
c: y,(t) ~~itador Difernciador
envo!vente YUi
I
\. "
c 8 Sistemas de modufaci6n anQular
r-\
'-j
o • La seflOl de entrada al discriminador

G YI (t) = A cos( wJ + ,pet»)
• La senal a la salida del filtro
()
(. '1
()
"
(t) -+" + d~~)}Sin[IV/+ ¢(t)]
o • Con ¢(t) = D f fCJO fn(t)dt

()
() Y2 (t) = -A{wc + Df * In(t )}sin[lVJ + ¢(t)]
o
c
o
(:;
U
13
o
o
Demodulador angular
It
[;i
t
J ~1 I J
1 ~o
I ... I o
~ I rY
et
{aj I we VI ---+
{b}
It l~ tl lot
1l~ n r r··, i., .
'nI I i '=-----
I~ ~ t
/'
I
'"
~
I"' ---
3l I Vo
II
leI
~
e2
I
0 --- / w---+
Id)
(
('
8 Sistemas de modulaci6n anQular
( "
'
Evafuar parametros para ef sistema de transmision de

1.
radio FM en ef que fa onda portadora se modufa de
forma que su frecuencia vade segun fa seiiaf de audio
transmitida. Las seiiales requeridas son
"Portadora"
(
""
- .J'-';
"Mensaje I"
()
"Mensaje 2"
Para un sistema modulado en frecuencia con sensibilidad
o, de frecuencia. VI = lQOKHzjV
0'., Para un sistema modulado en fase con sensibilidad de
G fase. Dp = 1.2 radlV
()
U
C
U
(j 14
U
o
2. disefie es discriminador para que el detector de
envolvente extraiga la informacion proveniente del
ejercicio anterior.
c 3. Para fa grdfica 8.], el modulador de banda angosta es
{
de PM con un mensaje de 0.5cos(62.8k*t) y una
desviaci6n de fase de 0.3 Rad/V. Con los mismos
parametros de los demas bloques, evalue las sefiales,
\
espectros, potencias y anchos de banda en cada uno de
(- los puntos especificados.
Ie ..
4. Investigue y modele como del sistemas de
"
comunicaciones de LAUD. Tambien averigue fa norma
que 10 autoriza.
( 8 Sistemas de modulaci6n anaular
, "
\ .
(j
,,
{ "
./
'r< " ,J
c'
o
@
(j
c-., J
( "./
(J
C' J'
G
~
()
(~
U
U
15
U
0
0
o
g
o
()
@
()
"
/)
.~ )
. \
- )
(
{'
\ ~-
9. Receptores Heterodinos
(-~-
"ntroduccion
(
\
' /
• Homodino
( , 'Super-Heterodino
't------;
'Sub-homodino
'Aplicaciones
(' • Ejemplos
(\ "
( .
t\ /
( ,
\.
( ~
~
(
c ..,
(----j
/.\
"
,
(
./
\j
C)
() Qo EI espectro radioeh!ctrico esta distribuido par
g bandas segun la UIT
Qo Las bandas son porciones de espectro para
o aplicaciones especfjicas, a su ves son
C) subdivididas en canales.
(j ~ Un canalse utiliza para transmitir via radio un
contenido de informaci6n asignado par el
() estado a un particular.
C'
-- y' C) Es el caso de la radiodifusi6n de audio (AM,
FM, entre otros).
c c) EI proceso hamodino se utiliza para demodular
() canales de una banda can un solo receptor.
U
Q 9 Receptores homodinos
()
c
c
(J
1
o
()
o
00 Este parametro mide la capacidad de un
receptor en diferenciar entre canal deseado y
los otros" entre aceptar una determinada
banda de frecuencias y rechazar otras.
00 Por ejemplo: en AM a cada estacion (canal) se
Ie asigna un ancho de banda de 10 kHz. Para
r "
~'-;' que un receptor seleccione solo aquellas
1- "'.
frecuencias asignadas a un solo canal" debe
"
limitar su ancho de banda a 10 kHz.
£
\ /
( .',\
\~ j
( '")
C,",'J <> La selectividad del receptor se especijica en los puntos

de atenuacion de -3 dB y de -60 dB.
o La relacion de esos dos anchos de banda se llama factor
("'::j
..... _../" de forma, y se define con la siguiente ecuaci6n:
( ~)
~
SF:::::: B(-<>OdB)
(,1
~" B(-3dB)
o En el caso ideal, el ancho de banda en los puntos de -3

dB y de -60 dB seria igual, y el factar de forma seria 1.
o o Los factores de forma normales varian entre valores
U
'~
:1,
cercanos a 1 y 2.
()
C'
C
u 2
o
o
o La sensibilidad de un receptor corresponde al nivel

mfnimo de 10 senal RF que debe Ilegar al receptor., para
que se puede detectar a la entrada del receptor y
repraducir la senal de interl?s.
o EI rango de sensibilidad se da en dBm y lIega hasta los
-90 dBm para los receptores mas sensibles.
o Para receptores normales se considera como uti! una
J
f
\ relaci6n de senal a ruido de 20 dB 0 mas.
(
( '~5 9 Receptores homodinos
"
C-)
[")
o Margen dinamico
"-]
Se define como 10 dijerencia en decibeles entre el nivel de
entrada minima necesario para discernir una sefial, y el valor
de entrada que sobre- excita, 0 satura, 01 receptor, y produce
distorsion.
(-j
--\ o Fidelidad
f""-\ Es una medida de la capocidad de un sistema de comunicacion
"--7
para producir, a la salida del receptor, una replica exacta de
la informacion de la fuente original. Capacidad de eliminar la
distorsion.
o
o
9
c\
{ '\
'Ll
3
o
V
o
(
\. () Los receptores heterodinos son los encargados de

trasladar el espectro de los canales de una banda a una
frecuencia fija fuera de la banda.
() En los procesos heterodinos surgen los metodos de
homodinos, super-hetrodinos y sub-homodinos.
o La caracterizacion de los receptores heterodinos se
da por la relaci6n entre la frecuencia del canal (fRF)
r'·
, y la frecuencia del oscilador local (fot)
(
\ .
I'
\.
9 Receotores Heterodinos
{ "-,
( /"
(J () Comprenden los receptores vistas en 105 cap/tulos

@ anteriores.
() Corresponde a un receptor heterodino cuando fRF=fol
( :; J () Esta relacion de frecuencia del canal y del oscilador
() local lie va el espectra del canal alrededor de f O.
o
{" "j
'\.....j
c/
C
(,
4
o
o
YUSB. Anlena
Dete<;lor <;ohcrente
/' roUSS = ro""+ Lro m

" /
{" -'"
\ ;
Se sintoniza roo = roRF
Filtro de banda
-+-
o roRf+Lrom
base
( .. -+-_ __ root
( , o 9 Receotores Heterodinos
"
c
('"
\.
ceptor Heterodino - SClpe

l '\
\ ..
<> Receptor super-heterodino se utiliza para

demodular los canales de una banda
@
<> Corresponde a un receptor heterodino cuando fflF<fOl
~ Esta relaci6n de frecuencia del canal y del oscilador
produce a la salida en un mezclador una frecuencia
in term edia fija IF.
o La frecuencia intermedia es el producto cruzado del
(' mezclador (fa -fiF).
,
~'
"
c
u
5
u
0
0
Antena
Amplificador de IF Ampf/ficador de
BB
Informacion
Variable
Convierte todos las frecuencios a recibir a una constonte I/omado "Frecuencia

Intermedia/~
.1' ,
I. EI mayor esfuerzo en filtrado y amplificacion en alta frecuencia se hace a la
frecuencia intermedia.
La sintonia se /leva a cabo modificando /a frecuencia del oscilador (oscilador local)
y del filtro.
o
(
I GmtrolF I [dB]
" fRF = 520 - 1630 kHz o
()
/\
-20
( :.,
.7
-40 1-...
()
-, ,..........., Amp/meador
····...,deRF
~....... ,
~. '"
Variable en funciOn 'de·..... .",
~.<.'
fosc =975 - 2085 kHz -60
Ja freCUf!'ncia.a reelblr 400 f [kHz] 500
IRF.min '" 520 kHz YIRF.max = 1630 kHz

hF =455 kHz Y DhF =10 kHz (usando Iiltro ceramico)
C E/ecciones posibles de lose:
c: lose::: IRF +hF
Q lose = IRF - IIF
Calwlo los<.min = 975 kHz y lose_max::: 2085 kHz
c
c
u
() 6
o
o
~t-or~SUper- !U LdblJ,
1
'.""7•.
455 kHz
520 1630 kHz
kHz f
(
\
,
III HI:IIII'I~
455 kHz
Hl
fosc
I I I ,II I I I I f'
ii,
{"'. 975 kHz 2085 kHz
'<::. ?
c:
Ejemplo: Sintonfa de una emisora de AM en 1 MHz
455kHZ! 1MHz t1455 kHz Serial1MHz

C
c; 01 I I I I I I I i I I I I I I I I I I I I I I I
f
'
,\ .
Fuera de sintanla: can
p ascilador a 1475 kHz
('
"( - EI filtra de IF fija la

selectividad
Serial 455 kHz Serial 475 kHz
c 9 Receotores Heterodinos
c
C~
( '. j
( -': ./
()
( i j
C
( -';
.j
<) La frecuencia imagen en un receptor super

( '1 j
heterodino, ocurre cuando en la frecuencia

@
('':j intermedia cae una senal diferente a la requerida.
\;:]
( ',1
<) Se produce una interferencia con la senal de la
"
banda que se desea demodular

o
Ci <) Ocurre cuando no hay preselecci6n de la banda a la
() entrada de la antena.
C <) En el siguiente esquema se muestra la frecuencia
() imagen.
W
Q
t'
\.)
".
,
(
'/
C
()
7
U
o
o
EI problema de la jrecuencia imagen en ef ejempfo anterior, sintonizando de una
emisora de AM en 1 MHz
~ ,,/I..WI@ n
["
1MHz 1455 kHz
Un W
o
I I I I f t
I I I I I I I I I I I I I I I
f
La senal de 1910 kHz es tambi/§n

amplificada per la etapa de IF
I' '
1430 kHz 2540 kHz
\ ,
('
f
c 455 kHz
975 kHz
fosc
2085 kHz
c
,,
\,"
Cj
r\ ,
per Heterodino - Frecuencia
"
{"
,;/
Generalizacion con mezcfador ideal:
= I fOL± fANT I,
( ')
j
flF
siendo f ant 0 bien fRF 0 bien f im
I\IIt:ZCI<Jdor lB Amp/meador
. defF
(j~
, ..•..., .... Amplificador
Elliltro de RF no suprime
""'"de RF
' "i
completamente 10 lim .•...••..•...•.......•.../
( .j
1- Frecuencia intermedia di/erencia, can e/ osci/ador Npor debajo"

( fRF > fosc): flF =fRF - fosc::::;:' fosc =fRF flF
c 2- Frecuencia intermedia di/erencia, can e/ osci/ador "par encima"

( fRF < fosc): flF =fosc - fRF ::::;:. fosc =fRF + flF
r',
\.j
3- Frecuencia intermedia suma :
o flF == fRF + fosc ::::;:. fosc = flF - fRF
( ,)"
()
()
o
o 8
()
o
fosc = fRF + flF
{
"
,~. "
\.
fim
( ..~..
fRF -fim = 2flF
( fRF_min
c~
f
flF
"
fosc_max
(" . ./
c>
,~
C)
(-;\'
(j " fant =.
'@
o
( ./
)
C·'., J fim_min
o
()
()
f
u flF
o fosc_max
Q ATE-UO EC RX 24
o
()
u
u 9
()
o
o
eceptor Su per-heterodino
~ Los
sistemas de comunicaciones de bandas de radio difuci6n
comercia I, civil, militar, etc. Utilizan un receptor super
heteradino para recepci6n de los canales de dichas bandas.
", o EI ejemplo mas conocido Jue el presentado anteriormente de la

"" banda comercial de Amplitud Modulada AM
Receptor de radiodifusi6n en OM (MF, modulaci6n en AM)
c =520 kHz, JRF_max =1630 kHz, JIF =455 kHz, DJIF =10 kHz
JRF_min
(usando Jiltro cer6mico), Jose_min =975 kHz y Jose_max =2085 kHz
( ~'
r" ",
\
(
{"
I. ~.
9 Receptores Heterodinos
Receptor de radiodiJusi6n en FM (VHF, modulaci6n en FM de banda

ancha)
()
JRF_min = 87,5 MHz, JRF_max = 108 MHz, JIF =10,7 MHz, DJIF =250 kHz
(usando Jiltro cer6mico), Josc_min =98,2 MHz y Josc_max 118,7 MHz
(~ J
.-'h'M:.
1-;~
()
o
c k'
Lsiiiionfii···..
Demodulador
o 98,2 - 118,7 MHz Para estabilizar la frecuencia del

oscilador local
o
c
c
u 11
o
e
o
~".~--~.~~-.~----------
--=-~,=""''''''',~=="',','''==''~
lreceptor Super-heterodino
Sintonia digital (PLL)
81,5 -108 MHz,
("
.,.................}"''T=F'--.,
'" "
(
I,
"
I
'-"
f" "
'L,
() Receptor de radioaficionado de la banda de 2 m (VHF, modulacion en FM de

( banda estrecha):
() fRF_min = 144 MHz, fRF_max 146 MHz, flF1 = 10,7 MHz, flF2 455 kHz (filtro
ceramico), MIF2 = 15 kHz, fosel_min = 154,7 MHz yfose1_max 156,7 MHz (con PLL),
Q fosc2 = 10,245 MHz
144 -146 MHz

()
{i
""'
C'j
( 154,7-156,1 MHz
()
()
()
C/
()
()
~)
() 12
e
0
~"
eceptor Sub-heterodino~=-
Receptor de radioaficionado de la banda de 20 m (HF, modulacion en USB):
('
fRF_min = 14 MHz, fRF_max = 14,35 MHz, flF = 9 MHz, MJF 2,5 kHz (usando filtro a
cristal de 8 polos), fosc_min '" 5 MHz y fosc_max '" 5,35 MHz
14 - 14,35 MHz
5,00127 -
5,35127 MHz
('
\
Suficientemente estable, al
ser bastante baja B'99~25MHZ
8,99873 MHz
(
, .<
()
{' \
\" y
Receptor de comunicaciones de frecuencia fija en la banda de 70 cm

(UHF, modulacion en FM de banda estrecha).
fRF '" 410 MHz, f lF ", 10,7 MHz, MIF = 15 kHz (usando dos filtros a cristal), fose
::::400 MHz
o Demodulador
(
o
()
( '" J
C'
o
Q'
()
,'<-J"
()
o
o 13
(J
0",,
0) La banda comercial de AM se requiere sintonizar el canal de 1 MHz para ser
demodulado con un receptor super-heterodino. A cuanto equivale el rechazo de 10
r
\. /
frecuencia imagen si e/ preselector tiene un Q de 100
(R: 21.42 dB)
'\ • Para un receptor de banda civil con inyeccion lateral superior y una portadora de RF
de 27 MHz y una frecuencia central de F/ de 455 kHz, determinar:
l'
\
oj La frecuencia del asci/odor local
b) La frecuencia imagen
:\,
c} La /FRR para una Q del selector igual a 100
f', d) La Q del preselector necesaria para logror la misma /FRR que la alcanzada can una
\,
portadora de 600 kHz, como la del problema anterior.
c (R: c) 16.5 dB, d} 3199}
c 9 Receotores Heterodinos
(
( "
,(,
c
c
,t -\
\, J
0) EL receptor de rodioaficionado de la banda de 20 m transmite a 14.5 MHz, encuentre

la frecuencia imagen y encuentre la raz6n de rechazo de imagen.
g 0) Cuales son los posible valores de los divisores N fijos y el Np programable del PLL del
() receptor de la banda de 2 m.
C
<) BIBLIOGRAFIA
0) Jose Poveda, Redes de rodiofrecuencia y sistemas de comunicaciones anal6gicas,

Universidad Distrital.
() C) LEON COUCH "Sistema de comunicaciones digitales y ancilogas". PRENTICE HALL.

• FERREL STREMLEIf. "lntroducci6n a los sistemas de Comunicaci6n': Editorial AD/SON
C WESLEY
C • A. BRUCE CARLSON. "Sistemas de Comunicacion': Editorial Mc. Graw Hill.
o • Javier Sebastian., Receptores I Universidad de Oviedo.
o
()
C'
C
U
u 14
e
o ~
10 Ruido en sistemas de
• •
comunlcaclones
I"~
\
61ntroducci6n
6Ruido Gaussiano
6Ruido en sistemas Iinelaes
6Ruido en sistemas angulares
(
/
\ ,
c;,
(
",- ,
~J
(
()
(
( ",.
• EI ruido son sefiales no deseadas que se mezclan 0 se

adicionan con las sefiales transmitidas.
o • EI mayor generador de ruido es el canal, y se genera por la
c; temperatura, rayos solares, sistemas electricos, sefiales
() interferentes etc.
{ • De acuerdo a 10 anterior el ruido esta presente a la entrada

de los receptores.
() • EI disefio de sistemas de comunicaciones consiste en entregar
( ~i una sefial al demodulador el cual este dentro del rango
j
c·" dinamico. Tambien en la capacidad de elfminar ruido.

L
• EI ruido es en muchos casos, el factor determinante del costo,
() e/ desempefio, la eficiencia de todo sistema
o
o
{)
o
o
()
() 1
e
o
--=~~-~.~~~----~~~.
eceptor Super-heterodillO= rechazo fi~
(
\ ~ La
relaci6n de rechazo de frecuencia imagen (IFRR,
(: image frequency rejection ratio) es una medida
numerica de la capacidad de un preselector para
rechazar la frecuencia imagen.
<) Para un selector de sintonfa unica, la relaci6n de su
ganancia en la RF deseada, entre la ganancia a la
frecuencia imagen, es la IFRR, la definici6n de la
IFRR es: IFRR ~ll+Q2p2)
or-
dondep (t;m I fRF ) - (rRF / fim )

,,
f-
.
-::,
.,
IF~dB) lOloglFRR
9 Recentores Heterodinos
(
()
IVfitro_RF(f) I VfitrO_RF(fo) I [dB]

["\ O~I]JIIITl~lrriJ0~~l~~~~-
I......t
-5 II ~ II I
-10 " i IR h·r-t-t-+++-I-~--LLI
O, -15 II" i'
H-H",d-l-+-I-!-ULL t-t-++-+-I-+-l
C,)
() -20 IJ '1'"N",·tv "'1'--t-t+++++-WL-LJ
-25
\ -30
I) 1/ I,...-l-;
I~ "i-
F
(~
-35 fRF t- fim -H-H-HH-W-W-J
it:
'L/
rIll I
c An I 111
O,5-fo fo
111
1,5-fo 2-fo 2.5-fo
o
l,C6mo mejorar (aumentar) elIR?
c
C~
C
o 10
o
o
• EI canal se asume como un LTI, luego el ruido en
comunicaciones es aditivo.
• La figura de merito es la relacion sefial a ruido a la
( ~-, entrada y salida del demodulador.
("
\ ,
( .
\ /
(
(\
\ /
• EI ruido se modela en el plano complejo junto a la sefial de

in teres. La sefial compuesta es de la forma
'?
( 7' Bt(t) = [!set) + fn(t)]e i [8 s(t)+8 n(t)]
()
G L........
J.. . . . .
i
1-••.......... ,....
() ~ ....--....l......../.
I
o
()
o
o
l}
o 2
o
o
/<
• La componente en fase del ruido es la que ofecta al sefial de

modulaci6n lineal.
• La componente en cuadraturo del ruido es 10 que afecta a la
sefial de modulaci6n angular.
• Para la modulaei6n linealla envolvente compleja es
"
( "
...::-
r
(
( ':
" "
{
\
()
(
't ~j
"
c
• La poteneia de la sefial despues del PSPB, donde la sefial es
(y
Q YAM (t) = AR (1 + Xm (t ))cos(wct)
() • Y la potencia del ruido se evalUa a partir de la densidad
espectrol de ruido.
() •
,,\ G (f) = kTN =:J..
( -" 11. 2 2
() • Luego la relaei6n sefial a ruido despues del preselector es
c
o
Q
(N
~)
entrada
JA; /2 l+;':(t)
2N0 B
()
c
()
o
3
o
()
o
_-:--"-~~~>...: ~,;,::;t~'x~ct>
lfUido en modulacion ihea::

,~" ,
• Lo que se espera a la salida del demodulador es

A(-'"/I/(t)
• Con potencia
A;, '\:',1/ -'()t
I
• Y la potencia del ruido alrededor de la sefial de informacion

eorresponde a
(
\
S1 A; Xm 2 (t) A; Xm 2 (t)
(
c· (N ) salida Xi! (t) 2NoB

c'
c
c
-i7id~;~~-~~dulaci6n lina:il "~'"
(
() • Es una figura de merito del modulador en presencia del ruido
• Haee relaeion a relaeion sefial a ruido de salida eon respeeto al

() de la entrada. Para AM que es el evaluado anteriormente es:
C) 2
() (S/ N)salida Xm (t)
(Sjll)entrada -
Xm 2 (t) +1
c~
w
c
C J
C
()
C' 4
0
0
• Es el mismo proceso de analisis que para la modulacion lineal.
Lo importante es evaluar la salida del discriminador; la entrada
se evalua de manera similar a AM.
• Como la componente que aJecta ala sefial es la de cuadratura,

c entonces el eJecto del discriminador se valora con dicho ruido.
I
~
l'''.,
. ~
(
'.
( ,
"
{ j
\-'7
(
c
c
,,/
(.
() ) La demodulacion de FM 0 PM, contaminadas con ruido, con la

sefial de interes
0
Xc(t) Ac cos[mJ ¢(t)]
0
Donde:
()
PM
( ¢(t) - ¢~X(t)
C..i., 1 FM
(i f.lx(t)
j
21f dt
()
C
C,
U
C
()
() 5
(}
0
--~"-"~"~~
~uido
~I:i·,,~~~t~·;t!i~~~
en modulation angu a:r'" ........ .
{ --.,
\
En uno u otro caso el ruido es simetrico respecto de fe. De

,
acuerdo a la greafica la potencia del ruido es
(~
PN= NR=7JBt
Mientras la potencia de la sefial de interes corresponde a
, .
t. PR-AR2/2
(
( ,
\ -'
{
\.
c
La relacion sefial a ruido para PM y AM a la entrada tiene la
o misma expresi6n
z.
(
-j
J
(~)R 2qBT
C Con n(t) en forma de envolvente y fase, la entrada del detector
t) es
v(t) - AJi cos[mJ +¢(t)]+ Rn(t)cos[m/ +¢11(t)]
c
yr(t} Yt(t) yd(t) gt(t)
Modulo Detector de MOdulo
() dy/dt
RF envoi vente banda bllse
1
0
o
c
C
G
o 6
()
o
· · ... ;d.J;·;·~;;:.':,,;~;I· .•. J~
--~:;:..-::;.-'::::~-:::-;::::=:::...~:.~.';";==-::-~~ _1- ~ __
..•••.• : •••• , •.•....••..•.••.
-' 1·_,. __ ..
' .• <S:.
~idoenmo
Diagrama fasorial con la diferencia de fase

\
( "
\.j.
I~"
<:
<c, ········T\, ',.(L .. . . . .J
-j
Ie \
-~--...
t, ;1 Re
noCt) = ~ d[eo(t)] = ~ d[nq(t)]

2rr dt 2rrA dt
,
/,
,
.,
J
j
C-Ji
()
" /
('\
'-- _/'
(-.....,
\.>'
La densidad espectral de ruido es
C
@ PnC!) = 1j2/Tf12 [2~J~ " If I ::; Bt /2
'\
(, /-"
{~,
t_/ La potencia promedio de ruido a la salida equivale a

()
G Pno = i:Pn(f) d{ = i: r~]\' [2 df
L
r"
"-.1
C
(.;
Q
(J
( '.
'./
l
(j
7
(j
()
o
EO
d:
2:
r·"
>;. ;~
/,--"
\
()
(J La relaci6n sefial a ruido de la sefial de salida del

receptor FM es
Q
S) _ PSD
[kDf]2 (rn2(t) I ~r~]2 rJ B3 = [.!!.L]2 2
C. m - /)1<:> 2;r 3 LA 2/rB

3A2(m
e''· -.l
EI factor de ruido del modulador FM es
( "".?
PN = CS) m ICS)
N N rf
= [m(t)]2
Am
2
3m A2 /
211 B
A2
4*Tf [m+l]B
[m(t)]2", 6111 2 [111+ 1]
Am
(J
o
(J
f't,
"--....
()
()
U
o 8
o
o
==","O""'=~-=C~:~=c-, ~li;;i:'\'}.~"\~,.(~;c;;,·.,."};;~;;;lI;;;;'~~~~
uido en modulacion angular-FIVI" "
Encontrar el factor de ruido para los sistemas

USB,VSB, y PM
Si en un medio se evalua la densidad espectral y es
igual a 20 *10-15 W 1Hz, a 17°C. Evalue la temperatura
de ruido y el factor de ruido para los diferentes
sistemas de comunicaciones.
\("
" '
"
(~
")
(\
,"j
()
C)
()
(""
J
()
C
()
0 "'
G
('l
-'
C)
()
C !
9
0
0
0
o
g
o
()
~)
"'
o
o
C)
()
· )
1
· "
· \
· ./
Ejemplo
1. Se conecta una carga inductiva de 500 nH, el cual tiene un QLs :::: 47, a un
generador de 50.0. con una frecuencia de de 150 Mhz, evalue un circuito para que
haya maxima transferencia en potencia. Hacer el mismo procedimiento
convirtiendo la impedancia de carga en una admitancia.
Solucion
La carga corresponde a una impedancia, la cual se deben hallar la impedancia ZL'
XLs _ 2rr*lS0MHz*SOO nH = 10 fl -7 ZL 10 + j471.2

RLS = QLs - 47
(" Para un acoples tipo L con admitancia de carga, hay que convertir Zl en YL , para que el circuito
tenga dicha conftguracion se utiliza las expresiones (2.35) y tenemos que:
RLp = RLs (1 + Qts) = 22.1 Kfl y XLp X Ls (l + l/QIs) = 471.4 -7 YL = 0.045 + j2.12 mS
(
a. Ahora se hace el procedimiento del acople tipo L ZL tiene acoplo con Rg en serie, fig.
2.5a tal que:
( Qs = =J Rg -
RLs
1 JSO
10
- 1 2, luego los valores de X 1 Y X 2 se evaluan asi
Xs = X2 Qs * Rs = 2 * 10 = 20 y Xp = Xl = "p
Qp
25
Xs esta compuesta por X Ls Y Xa que conforman a Xs' si es inductiva se tiene que
{ ,
Xa = XS-XLS = -451.7, esto signiftca que hay que colocar una reactancia que
,
( j
contrarreste el valor sobrante de XLS ' con estos vafores de reactancias los elementos son
y Ie2
= 2:n:*150MHz*25
1 = 424
. p
pi
b. EI acoples tipo L con carga en paralelo, se procede de la forma
Qs = = JRRgLP - 1 =21, fuego los valores de X1 Y X2 se evafuan asi

J
R
Xs =X1 Qs * Rs = 21 * 50 = 1050 y Xp = X2 =.1.
Qp
1052.4
o EI desarrollo es similar que el item anterior, X 2 si es inductivo, ademas esta compuesto
C:; -.,.
por Xp Y Xa, pero como estan en paralelo tafque Ba = Bp-BLS (0.95 - 2.12)mS =
-1.17mS, fuego los vafores de acoplo corresponden a
(
y
2. Realizar el mismo acople del ejercicio anterior con la herramienta Carta de Smith.
c
c; Sofucion
Con los valores ZL' con el software demo Smith V2.00, se colocan ella carta y se evafuan los los
U rangos como se muestra en fa grMica, las magnitudes coinciden con las de las halladas por red
Q,
U
C'
C
(j
o
e
o
o
g
0.
,j
o
o
C)
o
o
~)
{)
()
()
\
.'
Solucionario de ejercicios de sistemas de comunicaciones analOgicas
1. Para la graiica , suponga que los mensajes de entrada a todos los moduladores
son iguales y las senales de salida de los moduladores y del oscilador son:
Y, (t) = 5{1 + O.4cos(ZlT * 15Kt)}cos(ZlT * 1Mt)

/
Yz(t) =0
c Y3 (t) 4cos{(Zn,. 1. 5Mt) + O. Zcos(2n * 15Kt)}
-,
xo(t) cos(2lT* 1.ZMt)
(' m,lt) , ____ y,(t)

I
('
("
,.
\ Encuentre los para metros de cada uno de los bloques de la grMica, el espeetro y potencia
c del sistema, Tambien las caracteristicas de los bloques de salida para que su funci6n sea la
de un conversor de frecuencia.
c Solucion
C~
,, La amplitud del mensaje.
".
C)
Para hallar la amplitud del con mlet) = m2(t) m3(t), siendo la seftal de
salida yl(t) como una seftal en amplitud modulada, se obtienen los datos siguiente:
Yl(t) Ac{1 +mAMcOS(Wmt)}cos(wct )

'-.
mAM 0.4; Ac 5; fm = 15KHz; fc 1MHz
C
Am = mAM • Ac 0.4 ,. 5 = Z
(: . /
(j La sensibilidad de fase.
'I..j
Con el valor de Am se evalua la sensibilidad de fase, el cual es un parametro de
Q modulaci6n PM y3(t), Y se obtiene de la forma
() Y3(t) Accos{(wct) + mpMAmcos(wmt)}
mpM O. Z; Ac 4; fm = 15KHz; fc 1.5MHz

o ::=:
m pM = Dp *Am
()
',.,
c Dp ::=: - -
r~
= 0.2 = O. 1 Rad/V
Am
c
El numero de componentes espeetrales validas de. ya(t).
En primer lugar debemos hallar la seftal de salida ya(t) la eual es la resultante de
(,) sumar las sef'iales yl(t) y y3(t), y2(t) se sabe que es igual a cero. Sumar senales
Q en frecuencia es equivalente a la multiplexaci6n per divisi6n de frecuencia FDM.
(;
l' /
C
()
C
(j
o
Partimos hallando las sefiales Yl(f) en modulaci6n AM, y Y3(f) en modulaci6n PM
por el metoda de Bessel:
Yl(J) = ~(0(J ±Ie)+ m;" 0(1 ±Ie ± 1m») = H0(J ± 1M) +¥0(J ± 1M ± 15K»)
IYl{f)l
2.5
(--.
\
(-"
(
\
" (I I 0.2 . . , .
-1.015 -1 -885 I
885 1
I ) f (MHz)
1.015
Espectro de La sefiaL Y1(f)
Para Y3W utilizamos el metodo de Bessel el cual dice que:
G
'"
G(t) Ae 2'/n(mI'M)0(J ± nlm)
n=O
1 .
y(J) =: 2 [G(J ± Ie)]
c
,~,
Como el indice de modulaci6n de y3(t) es 0.2. Con las graficas de las funciones de
8 Bessel se calculan los valores de los In(m), los cuales son: Jo(0.2) = 0.98, J1 (0.2)
0.12. Para J2(O.2) la magnitud es menor que el 5% del valor maximo de ]n(m), luego
solo se toman las dos componentes encontradas y se halla la envolvente compleja
de Y3(f):
G3 (f) = AAjo(O' 2)0(J) + jlCO.2)0(J ± 1m)]
G3(J) 4{0. 980(J) + O. 120(J ± 15K)]
Aplicando el teorema de Translacion de frecuencia se obtiene

0" ~
1 4
Y3(f) =: z{GJ(1 ± Ie)] = Z{O. 980CI ± le)+ 0.128(f ± Ie ± 1m)]
Q
Y3(J) 2[0. 980(J ± 1. 5M) + 0.128(J ± 15K ± 1. 5M)]
o IY3(f)l
0·" "
1.96
() 0.24
W < "> f (MHz)
-1.515 -1.5 -1.485 1.485 1.5 1.515
Espectro de La sefiaL Y3 (f)
o
u
u
o
o
o
o
Por ultimo hallamos Ja funci6n de salida Ya(f) la Cllal es la suma de Y1(f) Y Y3(f):
Ya(f) 2. 5gb[8(f ± 1M) + O. U(f ± 1M ± 15K)] + 2[0. 9B8(f ± 1. 5M) + 0.128(J ± 15K ± 1.5M)]
Cuya grafica se encuentra a continuaci6n:
IYa(f) I
2.5
I 0.2 TIT
< I I I I I _ -j(MHz)
t~ Espectro de fa seiiaf Ya(f)

i.
(
Donde se observar las 12 componentes espectrales de la funci6n YaW de las
\ /
cuales 6 son de Yl(f) CModulaci6n AM) Y 6 son de Y2(f) (Modulaci6n PM).
La potencia de Yl(t) en Wtts la potencia de la senal de salida de la modulaci6n AM se

( aplica la siguiente f6rmula:
PAM = A2e{ m2}

2 1 +2 13.5 W .... 11.3 dBw
La potencia de y3(t) de la senal modulaci6n PM se aplica la siguiente formula:
Ac 2 42 16
PPM =2= BW .... 9.09dBw
El ancho de banda de Ya(t), que incluye todas las senales moduladas del sistema, se
obtiene de la grafica de YaW Y corresponde a las frecuencias maxima Y minima:
Ba == comp.max- comp.min = 1. 515MHz - 9B5HHz 530KHz
Si los bloques mezclador Y el filtro conforman un conversor de subida la

() componente de la portadora YaW sera la suma de fo + fc, en este caso fo==1.5MHz Y
fc= 1.2MHz:
fo + fe = 1.5MHz + 1.2MHz = 2. 7MHz

o De 10 contrario el mezclador Y el filtro conforman un conversor de bajada, la
(
Vi
" componente de la portadora frecuencia sera la resta de fo - fc, en este caso
fo= 1.5MHz Y fc= 1.2MHz:
C)
fo - fe == 1,5MHz 1. 2MHz = 300KHz
() 2. Cua! es la frecuencia imagen minima Y maxima para la banda de frecuencias del

Q sistema de comunicaciones modulado FM comercial?
o
,"
\..... /
o
o
o
()
o
Solucioll
La frecuencia imagen minima para FM comercial esta dada de la siguiente manera;
la frecllencia minima de la banda comercial de FM (88MHZ) suman dole el doble de
la frecuencia intermedia de FM ClO.7MHz)
fIMGMIN:: 88MHz+ (2 *fI) = 88MHz+ (2* 10. 7MHz) = 109.4MHz
La frecLlencia imagen maxima para FM comercial esta dada de la siguiente manera;

la £recLlencia maxima de la banda comercial de FM (108MHZ) sumandole el doble de
( la frecuencia intermedia de FM (1O.7MHz)
flMGMAX 108MHz + (2 * fI) == (2 * 10. 7MHz) == 129.4MHz
(
3. Como debe ser el oscilador local para un receptor superheterodino para el
sistema de radiodifusi6n comercial de televisi6n en la banda VHF.
(
\ Solucioll
Heterodino significa trasladar el espectro de una serial a una frecuencia diferente a
la portadora de dicha senaL Para el receptor superheterodino dicha frecuencia es
Llna Irecuencia intermedia. Para la region donde esta Colombia, las bandas de
frecuencias destinadas por el Reglamento de Radiocomunicaciones de la Union
Internacionalde Telecomunicaciones UIT, y adoptadas por el ministerio de las TICs,
para el servicio de television abierta son:
Television VHF
Banda 1 54 a 72MHz Canales 2,3 y 4
76 a 88MHz Canales 5 y 6
Banda 3 174 a 216MHz del 7 al 13
Televisi6n UHF
Banda 4 500 a 608MHz Canales del 21 al 36
614 a 644MHzCanaies del 38 al 42
Banda 5 644 a 686MHz Canales del 46 al 49
Rango de Portadora
NQ Canal
frecuencias Banda Video Sonido
(MHz)
(MHz) (MHz) (MHz)
2 54-60 55.25 59.75
VHF 52
o 72
1 3
4
60-66
66-72
61.25
67.25
69.75
71.75
o VHF 76
1
5 76-82 77.25 81.75
o 88 6 82-88 83.25 87.75
o 7
8
174-180
180-186
175.25
181.25
179.75
185.75
o
VHF 174
9 186-192 187.25 191.75
U 3 10 192-198 193.25 197.75
216
11 198-204 199.25 203.75
G 12 204-210 205.25 209.75
@ 13 210-216 211.25 215.75
C
(;
b
o
G
o

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TRANSPARENCIAS

.( Jose Noe Poveda Zafra

PROYECTO CURRICULAR: INGENIERIA ELECTRONICA

NOMBRE DEL DOCENTE: Jose Noe Poveda Z.

ESPACIO ACADEMICO (Asignatura): COMUNICACIONES ANALOGICAS

NUMERO DE ESTUDIANTES: GRUPO:

TlPO DE CURSO: PRACTICO TEO-PRAC: X

DIA HORAS SALON

I EI estudiante debe tener los conocimientos claros de las siguientes tematicas:

\ la conceptualizacion de dispositivos y redes que componen los sistemas de

() Horas Horas Horas Total Horas Creditos

o I Tipo de Curso TOI TC I TA

~- ./: A WR (version estudiantil), Matlab, Smith V.2. (version academical

CHRIS BOWICK. "RF Circuits desian". Editorial SAMS. --1:; J,

"S-Parameter Design", Agilent Application Note AN 154, Agilent Technologies

T/PO DE EVAWACION FECHA PORCENTAlE

~ virtuales, el cua! consiste en la apropiacion de los (Primer cortel0%

Proyectos de laboratorio: disefio e implementaci6n de 20%

.' EXAM. 30%

14. Coevaluaci6n del curso: de forma oral entre estudiantes y docente. ~

\ ­ ASESORIAS: FIRMA DE ESTUDIANTES

FIRMA DEL DOCENTE

20% Proyecto Terna

Disefiar, construir y medir dispositivos pasivos de rf, de radiofrecuencia del orden de nR

Disefiar bobinas para RF, por medio de ecuaciones de disefio disponibles en la

o Cable esmaltado No. 22 y/o 20

Encendedor, bisturi y herramientas (pinzas, milimetro, etc.)

Disefiar, simular, implementar y medir acoples de radiofrecuencia

Diseiiar un acople en configuraci6n L y (T 0 n).

Simular los acoples en un software de telecomunicaciones (AWR microwave office u

otro) y ajustar el diseiio si 10 amerita.

r Implementar las dos redes propuestas y medirlas en ellaboratorio.

proyecto (bobinas, condensadores, cargas, conectores etc), sondas de rf, convertidores,

Medir los model os en el VNA.

Condensadores de rf, bobinas rf, resistencias, carga de valor diferente de 50 n. Todos

Herramientas (pinzas, multimetro, etc.)

que sea elemento detenninante en la simulacion del amplificador.

Herramientas (Pinzas, multimetro, etc.)

Analizador de espectro, generador de rf

-Transparencias, JOSe Poveda

'/' " d d d d' ,F ',/.' d

activos como pasivos, son muy sensibles en su eleccion,

• Toda red 0 dispositivo depende de la frecuencia, de la

los cambios de Jrecuencia, tambien reaccionan a los

cambios de sefial presentes en la entrada.

cavidades, estas reaccionan al paso de la corriente y el

parametro inductivo varia can los combios de Jrecuencia.

• Para radioJrecuencia se utilizan alrededor de 16hz. son

aceptables las bobinas. Para Jrecuencias superiores las

cavidades son elementos optima para obtener

jpoveda@udistrital.edu.co 2. Dispositivos de radiofrecuenda

Reactivos - inductancias - bobinas

G n espiras, en la cual, cuando mas bajas son las

Jrecuencias se requiere de un mayor diametro y numero

• En las bobinas de if es importante el interior del

atomillan para variar el campo magnetico y can ella la

;poveda@udistrital,edu,co 2. Dispositivos de radiofrecuenda

Reactivos - inductancias - bobinas

c • Aunque algunos fabricantes tienen su mode/os (Coilcraft)

Reactivos ­ bobinas ­ tip os

Reactivos ­ bobinas ­ tipos -trasnformador

• EI circuito equivalente que aproxima el comportamiento

/' , 10M 100M lG lOG

\ ASESORIAS: FIRMA DE ESTUDIANTES

Reactivos bobinas tip os

Reactivos bobinas tipos -trasnformador

'Resistivos resistencias - Terminaciones

Circuitos resonantes acop/e red IT y

rcuitos resonantes acop/e - Transformador

arta de Smith ancho de