Electronica IV

1
Tópico : Revisão dos modelos – Diodos e Transistores
• Diodos
O mais simples dos dispositivos semicondutores.
Ø Símbolo
Ø Função (ideal) – Conduzir corrente elétrica somente em um sentido.
ID
VD
ID
VD
ID Circuito aberto
VD
2
Ø Polarização
• Sem polarização (VD = 0V) - Na ausência de tensão de polarização aplicada, o fluxo
líquido de carga em qualquer direção é igual a zero.
I D = 0A
VD = 0V
• Polarização Reversa (VD < 0V) - A corrente que surge sob condições de polarização
reversa é chamada de corrente de saturação reversa, e é representada por IS.
IS
Região de depleção
ID = IS
P N
VD < 0V
IS VD IS
IS Fluxo de port. minor.
Imajoritário = 0
• Polarização Direta (VD > 0V) - Um diodo semicondutor é polarizado diretamente quando a
associação tipo P e positivo, e tipo N e negativo, for estabelecida.
Imajoritário
IS
I D = Imajo. - IS
Região de depleção
P N
I D = IS
VD > 0V ID VD ID
3
Ø Curva característica
Com o auxílio da física do estado sólido, pode-se mostrar que as características gerais de um diodo
semicondutor são definidas pela seguinte equação:
VD
I D = I S (e VT
− 1)
Onde VT = kT/q , sendo k a constante de Boltzmann, T a temperatura absoluta e q a carga do electron.

VT ≈ 26mV (Temp. Ambiente).
Observações:
• Na temperatura ambiente UT é aproximadamente 26mV.

• A tensão direta VD para polarização direta é praticamente, para fins de cálculo de polarização
DC, constante e igual a 0,7 V para silício e 0,3V para germânio .
• A corrente de saturação reversa IS terá seu valor em amplitude aproximadamente dobrado
para cada aumento de 10°C na temperatura.
ID
18mA
16mA
14mA
12mA
10mA
8mA
4mA
IS
2mA
-30V -20V -10V 0,3V 0,5V 0,7V 1,0V

VD
0,2uA
0,4uA
4
Ø Níveis de Resistência
À medida que o ponto de operação de um diodo move-se de uma região para outra, a resistência
do diodo também será alterada devido à forma não linear da curva característica.
• Resistência DC ou Estática
A resistência do diodo em no ponto de operação pode ser encontrada simplesmente

encontrando-se os valores correspondentes de VD e ID, conforme mostrado na figura abaixo.
ID
ID
RD = VD /ID
VD
VD
• Resistência AC ou Dinâmica
A resistência ac ou dinâmica é determinada pela inclinação de uma linha reta tangente à
curva no ponto de operação Q mostrado na figura abaixo. Na forma da equação,
ID r e = ∆VD/ ∆ID ≈ VT/ID
∆I D
Ponto Q
ID
∆VD
VD
Observação: Todos os níveis de resistência até o momento devem acrescentar a

resistência do material semicondutor e a resistências das interconexões . (0,1Ω a 2Ω ).
5
• Resistência AC Média
Quando o sinal é suficientemente grande como mostrado na figura abaixo, a resistência

associada ao dispositivo para esta região é chamada resistência AC média.
ID
r av = ∆VD/∆ID pt. a pt.
∆I D
∆VD VD
Ø Circuito Equivalente
• Grandes sinais Diodo

Ideal
ID
VD r av
0,7V
ID
0,7V VD
• Pequenos sinais
CD
ID
VD re
6
Ø Aplicações
• Retificador de meia – onda
Quando empregado em processo de retificação, um diodo é tipicamente

denominado retificador.
v0
vi v0
R
t
• Retificador de onda completa

1) Circuito Ponte
v0
vi
R
v0
vi v0
t
R v0
t
v0
vi v0
R t
7
2) Transformador com Derivação Central (Central Tap)
D1
vi
R
v0
D2
D v0
1
vi
R
t
v0
v0
D
2
D v0
1
vi
R
t
D
2
8
• Ceifadores
Os circuitos ceifadores possuem a característica de “ceifar” uma porção do sinal de

entrada sem distorcer o restante da forma de onda.
1) Configuração Série
v0
vi
R
vi v0
t t
v0
vi
R
vi v0
-V t t
9
2) Configuração Paralelo
v0
vi
vi v0
V
V
t t
v0
vi
vi v0
-V t t
-V
10
v0
vi
V
v0
vi
V
v0
t t
vi v0
V
vi
v0
t
t
vi v0
V1 V2
vi
v0
V1
V1
t t
-V 2 -V2
11
• Grampeadores
O circuito grampeador é aquele que “grampeia” o sinal em um nível DC diferente do

sinal de entrada sem afetar a forma de onda.
v0
vi
V C
vi R v0
t
t
-V -2V
v0
2V
C
vi R v0
t
v0
C V1
vi R v0
2V
t
V1
vi
C
vi R v0
-V1 t
V1 2V
vi
2V
C
vi R v0 V1
t
V1
vi
C
vi R v0 2V
-V1
V1 t
12
• Multiplicadores de Tensão
O circuito multiplicador de tensão é aquele que aumenta o valor de uma

tensão AC (senoide) por um número inteiro maior ou igual a dois. Os mais
comuns são, o Dobrador, o Triplicador e Quadruplicador de tensão.
1) Dobrador de Tensão
Meia onda
Vm D2
C1
vi
Vm D1 C2 -2Vm
Vm D2
C1
vi
Vm D1 C2 0
Vm D2
C1
vi
Vm D1 C2 -2Vm
13
Onda completa
D1
vi
Vm C1
Vm
2Vm
Vm C2
D2
D1
vi
Vm C1
Vm
Vm
0 C2
D2
D1
vi
Vm Vm C1
2Vm
Vm
C2
D2
14
2) Triplicador e Quadruplicador de Tensão
Triplicador (3Vm )
Vm 2Vm
C1
vi
D1 D2 D3 D4
Vm
C2
2Vm 2Vm
Quadruplicador (4Vm)
15
• Transistores Bipolares
O termo bipolar vem do fato de que buracos e elétrons participam do
processo de injeção no material opostamente polarizado.
Ø Símbolo
NPN PNP
Ø Função – Controlar a corrente elétrica que passa por ele.
IC função de IB
IC
C
B
IB
E
Ø Construção
0,15’’
0,0001’’
C
E
N+ P- N-
VEE VCC
16
Ø Operação do transistor
• O transistor PNP operando com a região BE diretamente polarizada e com coletor aberto.
Obs: A operação do transistor NPN é exatamente a mesma, se as funções dos elétrons e

buracos fossem trocadas.
+ Portadores majoritários
C
E
P + N- P
-
VEE
ü A região de depleção BE foi reduzida em largura devido à tensão aplicada, resultando em um

fluxo denso de portadores majoritários do material tipo P para o material tipo N.
• O transistor PNP operando com a região CE reversamente polarizada e com emissor

aberto.
+ Portadores minoritários
C
E
P+ N- P-
VCC
ü A região de depleção BE foi aumentada em largura devido à tensão aplicada, resultando em um

pequeno fluxo de portadores minoritários do material tipo N para o material tipo P.
17
• O transistor PNP operando com a região BE diretamente polarizada e com a região CE

reversamente polarizada.
+ Portadores minoritários (IC0) + Portadores majoritários (ICmaj.)
E P+ N- P- C
IC
IE B
IB IC = ICmaj. + IC0
VEE VCC
IE = IC + IB
ü A componente de portadores minoritários IC0 é chamada de corrente de fuga (corrente IC com

terminal do emissor aberto).
ü I C é da ordem de miliampères, enquanto I C0 é medido em microampères ou nanoampères.
ü I C0 dobra de valor para cada 10°C de aumenta na temperatura.
Ø Parâmetros α (alfa) e β (Beta)

• Na análise DC, os valores de IC e IE devidos aos portadores majoritários são relacionados por
um parâmetro denominado α (alfa) e definido pela equação:
I Cmaj
α DC =
IE
IC = ICmaj. + IC0 IC = αIE + IC0
IC = α(IC +IB) + IC0 IC = αIB/ (1- α) + IC0 /(1- α)
Para I B = 0A ⇒ IC = ICE0 = IC0 /(1- α)

18
• Na análise AC, as variações nos valores de IC e IE são relacionadas por um parâmetro
denominado α (alfa) e definido pela equação:
∆I Cmaj
α AC =
∆I E VCB = constante
• Na análise DC, os valores de IC e IB são relacionados por um parâmetro denominado β

(beta) e definido pela equação:
IC
β DC =
IB
IE = IC + IB IE = IB (β + 1)
IC /α = IC + IC /β 1/ α = 1 + 1 /β
β = α/(1- α) α = β/(β +1)
ICE0 = IC0 / (1- α) ICE0 ≈ βIC0
• Na análise AC, os valores de IC e I B são relacionados por um parâmetro denominado β (beta) e

definido pela equação:
∆I C
β AC =
∆I B
VC E = constante
Obs: Se a dependência da corrente IC com VCE fosse nula (impedância de saída na

configuração emissor comum infinita), o β AC seria igual ao β DC.
19
Ø Curvas Características (EC)
• Curva característica ICE versus VCE parametrizada com IB
IC
I B= 80 µA
20mA
18mA I B= 70 µA
Região ativa
16mA IB= 60 µA
14mA
I B= 50 µA
12mA
I B= 40 µ A
10mA
IB= 30 µA
8mA
I B= 20 µA
4mA
I B= 10 µA
I CE0 ≈ βIC 0
2mA
IB= 0 µA
4V 8V 12V 16V 20V VCE
VCE(sat) Região de saturação Região de corte
Curva característica ICE versus VCE parametrizada com IB
µ A)
IB (µ
80
VCE = 1V
70
VCE = 10V
60
50
VCE = 20V
40
30
20
10
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 VBE (V)
Curva característica IB versus VBE parametrizada com VCE

20
Ø Polarização
O termo polarização significa a aplicação de tensões DC em um circuito para
estabelecer valores fixos de corrente e tensão.
O Ponto de polarização (ponto quiescente) deve ser localizado na região ativa e dentro
dos valores máximos permitido.
• Equações importantes no projeto do circuito de polarização.
α≈ 1 IE ≈ IC
IC = β IB
VBE = 0,7 V
• Para a polarização do TBJ em uma sua região linear (ativa), as seguintes condições devem
ser satisfeitas:
1. A junção base-emissor deve ser diretamente polarizada, com uma tensão resultante de
polarização de mais ou menos 0,6 a 0,7V.
2. A junção base-coletor deve ser reversamente polarizada, com a tensão reversa de
polarização situando-se dentro dos limites máximos do dispositivo.
Observações:
• A tensão direta VBE para polarização direta é praticamente, para fins de cálculo de
polarização DC, constante e igual a 0,7 V para silício e 0,3V para germânio .
21
Ø Circuitos de Polarização
• Tipos mais comuns

1. Circuito com polarização fixa (na prática não é utilizado)
VCC
RC
RB IC C2
IB Vo
C1
VCE
Vi
VBE
Para análise DC, XC1 = XC2 ∝
Da malha base-emissor temos
VCC - RB IB - VBE = 0 IB = (VCC - VBE )/ RB
IC = ICq = β IB
Da malha coletor-emissor temos
VCC - RCI C - VCEq = 0 VCEq = VCC - RCI C
VCEq , ICq
Ponto Quiescente ⇒ Pobre estabilidade
22
• Exercício
V CC = 12V
RC
RB 2,2kΩ
IC C2
240kΩ
IB V0
C1
V CE
Vi
VBE β 1 = 50
β 2 =100
Solução
µA
I B = (VCC - VBE )/RB = (12V - 0,7V)/240kΩ = 47,08µ
a) Para β 1 = 50
I Cq = β1 IB = (50)(47,08µA) = 2,35mA
VCEq = VCC - RC IC = 12V – (2,2kΩ)(2,35mA) = 6,83V
b) Para β 2 = 100
I Cq = β1 IB = (100)(47,08µA) = 4,71mA
VCEq = VCC - RC IC = 12V – (2,2kΩ)(2,35mA) = 1,64V
Comentário: Uma variação de 100% em β produz a mesma quantidade de

variação em ICEq.
23
• Escolhendo o ponto quiescente (ponto Q)
Reta de Carga e obtenção de um modelo AC (incremental)
VCE = VCC - RC IC I C = (VCC - VCE )/ RC
IC
∆ VCE /∆
∆ IC = v CE /i C = r0
Q(2,35mA, 6,83V) Com ∆ IB = i B =0 ⇒ vBE = 0
7mA
I B= 120 µA
6mA
IB= 100 µA
Vcc /Rc
5mA
I B= 80 µA
β = 50 4mA
I B= 60 µA
3mA
Q
I B= 40 µA
2mA
I B= 20 µA
1mA
3V 6V 9V Vcc =12V
IB 100µA VCE
∆ IC = i C = f (v CE, v BE)
δ ∆
0,7V ≅
δ ∆
VBE
(V)
∆ VBE/∆
∆ IB = v BE/i B = rπ ∆ IC = v BE/iC = v BE/β i B = rπ /β
∆ VBE/∆
Trans...
∆ IC = 1/g m = re = rπ /β
∆ VBE/∆
Com ∆ VCE = v CE = 0
15
2. Circuito com polarização com resistor no emissor
VCC
RC
RB IC C2
IB V0
C1
VCE
Vi
V BE
IE
RE
VCC - RBIB - VBE – RE IE = 0

VCC - RB IB - VBE – RE (β + 1)IB
I E = (β + 1)IB
IB = (VCC – VBE )/ [ RB + (β + 1)RE ]
I C ≈ β (VCC – VBE )/ [ RB + β RE] IB ≈ (VCC – VBE ) /[ RB + β RE]
Se
I B ≈ (VCC – VBE )/ β RE
β RE >>RB
IC ≈ (VCC – VBE )/ RE
Independe de β
16
Circuito equivalente
VCC
RC
RB IC C2
V0
C1 IB
V CE
Vi
VBE
VBE
IE
RE
β +1)RE
(β
V CC
RC
IC C2
VCE
V BE
VE
IE
β +1)RE
Ri = (β RE
17
Da malha coletor-emissor temos
IC ≈ IE
VCC - RCI C - VCE - REIE = 0 VCE ≈ VCC - (RC +RE ) IC
I C ≈ IE
VE = REIE VE ≈ RE IC
VC = VCE + VE
E ainda,
V BE ≈ 0,7V
VB = VE + VBE VB = VE + 0,7V
• Exercício
Para o circuito abaixo, determine:
a) IB b) IC c)VCE d)VC e) VE f) VB
Para β 1 = 50 e β 2 =100
V CC = 20V
RC
RB 2kΩ
430kΩ IC µF
10µ
IB V0
µF
10µ
V CE
Vi
VBE β 1 = 50
β 2 =100
IE
RE
µF
47µ
1kΩ
18
Solução
a) Para β 1 = 50
I B ≈ (VCC – VBE ) / [ RB + β RE] = (20V - 0,7V)/ [430kΩ +50*1kΩ] = 40,2µ

µA
Note que β RE << RB
I C = β1 IB = (50)(40,2µA) = 2,01mA *
VCE = VCC - (RC +RE )IC = 20V – (2kΩ + 1kΩ)(2,01mA) = 13,97V *
VE ≈ REI C = 1kΩ (2,01mA) = 2,01V
VB = VE + 0,7V = 2,01V + 0,7V = 2,71V
b) Para β 2 = 100
I B ≈ (VCC – VBE ) / [ RB + β RE] = (20V - 0,7V)/ [430kΩ +100*1kΩ] = 36,4µ

µA
Note que β RE < RB
I C = β1 IB = (100)(36,4µA) = 3,64mA *
VCE = VCC - (RC +RE )IC = 20V – (2kΩ + 1kΩ)(3,64mA) = 9,08V *
VE ≈ REI C = 1kΩ (3,64mA) = 3,64V
VB = VE + 0,7V = 3,64V + 0,7V = 4,34V
Comentário: Uma variação de 100% em β produz cerca de 81% de variação em

ICE, apesar da condição β RE >> RB não ser satisfeita.
• Existe um compromisso entre satisfazer a condição β RE >> RB e o valor da

tensão no emissor do transistor (VE ).
19
3. Circuito com polarização por divisor de tensão
VCC
RC
RB1 IB1 IC C2
V0
C1 IB
B
VCE
Vi
V BE
IB2
IE
R B2 RE
• Condição ideal: Se IB1 ≈ IB2 >> IB, a tensã o no ponto B do divisor resistivo RB1 - RB2, não
dependerá de IB e conseqüentemente de β. Nesta condição, a corrente de coletor será definida
pela tensão do emissor (VB –0,7V) e o resistor RE.
Determinando a condição ideal
Para fins de simplificação, aqui é interessante utilizarmos o circuito equivalente de Thévenin

para o circuito à esquerda do terminal de base.
Determinando RTH : A fonte de tensão é substituída por um curto circuito, como mostra a figura
abaixo.
20
RB1
RTH
RTH = RB1 // RB2
RB2
Determinando ETH : A fonte de tensão retorna ao circuito, e a tensão de Thévenin de circuito

aberto e determinada.
RB2
VCC ETH
RB2
ETH = VCC RB1 / (RB2 + RB1 )
IB
RTH ETH - RTH IB - VBE - REIE = 0

VBE
ETH
IE
RE
IB = ETH - VBE
I E = (β+1)IB RTH + (β+1)RE
Note a semelhança com as equações anteriores para determinação de I B . As outras quantidades do

circuito podem ser determinada do mesmo modo que o circuito de polarização com resistor no emissor.
21
Isto é,
IC ≈ β (ETH - VBE) VE ≈ REI C VB = VE + 0,7V

RTH + β RE
VC = VCE + VE
VCE ≈ VCC - (RC +RE ) I C
A condição que torna I C fracamente dependente de IB é obtida pela observação da equação ,

fazendo-se
βRE >> RTH
• Exercício
a) IC b) VCE
Para β 1 = 50 e β 2 =100
V CC = 22V
RC
R B1 10k
39kΩ IC µF
10µ
IB V0
µF
10µ
V CE
Vi
VBE β 1 = 50
β 2 =100
IE
R B2 RE
3,9kΩ 1,5kΩ µF
47µ
22
Solução
a) Para β 1 = 50
RTH = RB1 // RB2 = [(39kΩ)(3,9kΩ)]/[39kΩ + 3,9kΩ] = 3,55kΩ
ETH = VCC RB1 / (RB2 + RB1) = (22V)(39kΩ)/(39k Ω + 3,9kΩ) = 2V
I C ≈ β[(ETH - VBE)] /[RTH + β RE ] = 50[(2V - 0,7V) /[ 3,55kΩ +(50)(1,5kΩ)] =
= 0,83 mA
VCE = VCC - (RC +RE )IC = 22V – (10kΩ + 1,5kΩ)0,83mA =12,45V
Note que β RE >> RTH
b) Para β 2 = 100
RTH = RB1 // RB2 = [(39kΩ)(3,9kΩ)]/[39kΩ + 3,9kΩ] = 3,55kΩ
ETH = VCC RB1 / (RB2 + RB1) = (22V)(39kΩ)/(39kΩ + 3,9kΩ) = 2V
I C ≈ β[(ETH - VBE)] /[RTH + β RE ] = 100[(2V - 0,7V) / [3,55kΩ +(100)(1,5kΩ)]

=
= 0,85 mA
VCE = VCC - (RC +RE )IC = 22V – (10kΩ + 1,5kΩ)0,85mA =12,45V
Note que β RE >> RTH
Comentário: Uma variação de 100% em β produz apenas de 2,5% de variação em

IC, devido a condição β RE >> RB ser satisfeita.
23
4. Circuito de polarização com realimentação de tensão
VCC
RC IC +IB
C2
V0
RB IC
IB
C1
VCE
Vi
VBE
IE
RE

IE = IC + IB
VCC - RC (IC + IB ) – RBI B VBE – REIE = 0 VCC - RCIE – RB IB - VBE – REIE = 0
VCC - (RC +RE )IE – RB IB - VBE =0
I E = (β +1)IB I B = (V CC – VBE ) /[ RB + (β+1)(R E +RC )]
IB = (V CC – VBE ) /[ RB + β (RE +RC ) ]

24
• Exercício
a) IB b) IC c)VCE c)VE d)VB
Para β 1 = 50 e β 2 =100
VCC =18V
RC
3,3kΩ IC +IB
RB1 RB2 µF
47µ
91kΩ 110kΩ
V0
µ
10µ IC
IB F
µ
10µ
F VCE
Vi
VBE
IE
RE
510Ω
Solução
a) Para β 1 = 50
RB = RB1+ RB2
I B ≈ (VCC – VBE ) /[ RB + β (RE +RC)] = (18V - 0,7V)/ [201kΩ +50(510Ω +3,3kΩ]
µA
= 44,1µ
Note que β RE < RB
I C = β1 IB = (50)(44,1µA) = 2,21mA
VCE = VCC - (RC +RE )IC = 18V – (3,3kΩ + 510Ω)(2,21mA) = 9,57V
VE ≈ REI C = 510Ω (2,21mA) = 1,12V
VB = VE + 0,7V = 1,12V + 0,7V = 1,82V

25
b) Para β 2 = 100
RB = RB1+ RB2
I B ≈ (VCC – VBE ) / [ RB + β (RE +RC)] = (18V - 0,7V)/ [201kΩ +100(510Ω +3,3kΩ]
µA
= 29,7µ
Note que β RE < RB
I C = β1 IB = (100)(29,7µA) = 2,97mA
VCE = VCC - (RC +RE )IC = 18V – (3,3kΩ + 510Ω)(2,97mA) = 6,68V
VE ≈ REI C = 510Ω (2,97mA) = 1,51V
VB = VE + 0,7V = 1,51V + 0,7V = 2,21V
∆I C = I C (β
β 2 = 100) - IC (β
β 2 = 100) = 0,76mA
100*ΛIC /IC = 25%
Comentário: Uma variação de 100% em β produz cerca de 25% de variação em

IC, mesmo com βRE da ordem de RB .
26
Ø Fatores de Estabilidade (Sensibilidade)
Parâmetros do transistor
• IC0 --- dobra de valor para cada 10°C de aumento na temperatura

• β --- aumenta com a temperatura e varia com a troca do mesmo componente
• VBE --- diminui aproximadamente 2,5mV por grau centrígado de aumento de
temperatura
S(IC0 ) = ∆IC /∆I C0 S(VBE ) = ∆IC / ∆VBE S(β) = ∆I C /∆β
∆IC = S(IC0) ∆IC0 + S(VBE)∆ VBE + S(β )∆β
Tabela de dos fatores de estabilidade para as configurações estudadas
Configuração Fatores de Estabilidade

S(IC0 ) S(VBE ) S(ββ)
−β
I C1 1 + RB R 
Resistor no emissor
1 + RB R
(β + 1) E
RB + (β + 1)RE  E
(β + 1) + R B R β1 1 + β 2 + RB R 
 E
E
Fixa (β + 1) −β I C1
RB β1
−β
I C1 1 + RTH R 
Divisor resistivo RTH
1+
+ (β + 1)RE
RE
(β + 1) RTH  E
(β + 1) + RTH
RE β1 1 + β 2 + TH R 
R
 E
Realimentação de
1 + RB R −β I C1 (RC + RB )
RB + (β + 1)RC β1 (RB + RC (1 + β 1 ))
tensão (R E =0)
(β + 1) C
(β + 1) + RB R
C
15
• Transistores Bipolares - Modelo AC
Um modelo é a combinação de elementos de circuito, apropriadamente escolhidos, que

descreve de forma simplificada o comportamento ou funcionamento de um dispositivo sob
condições de operação específicas.
C
C
Modelo
Elementos
de circuito
B B
E
E
Ø Definição dos conceitos: “curto virtual” e “aberto virtual”
“Curto virtual” – Um ponto A está em curto virtual com um ponto B se a tensão no

ponto A é igual à tensão no ponto B, e as correntes que passam nestes pontos são
diferentes.
“Aberto virtual” – Um ponto A está em aberto virtual com um ponto B se a corrente

que passa pelo ponto A é igual à corrente que passa pelo ponto B, e as tensões nestes
pontos são diferentes.
v Representação – Representaremos estas conexões pelas seguintes formas:
Curto
A virtual B
Aberto
C virtual D
Obs: É fácil de mostrar que se A está em curto virtual com B, se B está em aberto virtual com C e:
Se este estiver em curto (real) com A, então os três pontos estarão em curto (real).
16
v Exemplo -- Fonte de corrente controlada por tensão
I controlada
por Vc Aberto virtual
Curto virtual
I
I
kVc Vc
R=1/k
Vc
I = kVc I = Vc/R = kVc
Ø Modelo π -híbrido
C
• Completo B
C bc
b’ C
B r bb’ ib’ rb’c ic
rπ C be gm v b’e = gm rπ i b’ =
vb’e r0
= v b’e /re
E E
17
• Baixas freqüências (simplificado)
B ib ic
v be rπ gm v be= gm rπi b =
r0
= vbe /re
E E
rπ = β /gm = β re
r e = VT /I C VT = 26mV
r 0 = VA /IC VA = tensão ‘ Early’ (100V – 300V)
r0 >> re Independente de Ic
B ib ic
vbe βre v be/re r0
E E
18
Ø Nova apresentação do modelo π -híbrido (simplificado)
C
B ib ic C
v be βre vbe /re r0

B v /
E
E E
ic C
B ic C
ib vbe/re
B
vbe βre r0
r0
rve /
ib
β re
re
E E
ie
E
r0
B
β re re
E
19
Ø Análise para pequenos sinais de circuitos com um transistor
• Configuração Emissor Comum com Polarização Fixa
V CC
RC
RB C2
v0
C1
VCE
vi
VBE
Na Banda de interesse, XC 1 e XC2 estão em curto e para análise incremental (AC) toda fonte de
tensão constante está em curto com o terminal comum.
RC
RB ix
i0
v0
Z 0 = v0 / ix
vi = 0V
r0
vi ii
β
i 01/β β re re i02
Zi = vi / ii
i01
A v = v0 /vi
A i = i0 /ii
20
• Parâmetros importantes do circuitos
q Impedância de entrada (Zi)
q Impedância de saída (Z0)
q Ganho de tensão (Av )
q Ganho de corrente (Ai )
• Determinação dos parâmetros.

ü Impedância de entrada (Zi)
Por inspeção da figura acima, a impedância de entrada do circuito é igual à:
Zi = RB //βre
ü Impedância de saída (Z0 )
Novamente, por inspeção da figura acima, a impedância de saída do circuito é igual

à:
Z0 = RC //r 0
v Note que p ara determinação de Z0 as tensões independentes, no caso somente vi , são colocadas
em curto com o terra.
v A corrente i x é mostrada para evidenciar que esta seria a corrente que uma fonte de tensão (v0)
conectada a saída forneceria ao circuito com uma impedância de saída Z0 .
ü Ganho de tensão (Av)
Da figura temos:
v0 = -RC i0 (1)
e i0 = i01 - i02 = vi /r e + v0 /r 0 (2)
substituindo (2) em (1), resulta

21
v0 = -RC (vi /r e + v 0 /r0 ) (3)
Logo
v0 (1+ RC /r 0 ) = -RC (vi /r e ) ⇒
v0 = -R C (vi /re )/ (1+ RC /r 0) ⇒
v0 = -R C //r 0 (vi /r e ) ⇒
Av = v0 /vi = -RC //r0 /r e = - Z0 /r e (4)
A determinação do ganho fica bem simplificada se colocarmos a impedância de saída do

transistor em paralelo com a carga RC. Nesta situação, temos:
v0 = -RC // r0 i0 (5)
e i0 = i 01 = vi /r e (6)
v0 = -R C // r0 vi /r e
e, novamente
Av = v0 /vi = -RC //r 0 /r e = - Z0 /r e
ü Ganho de corrente (Ai )
Da figura, a corrente ii é dividida pelo divisor resistivo RB e βr e, de maneira que a

corrente i01 /β está relacionada com ii por:
i 01 /β = RB /(RB + βre ) i i (7)

22
Novamente, da figura, a corrente i 01 é dividida pelo divisor resistivo Rc e r0, de

maneira que a corrente i0 está relacionada com i 01 por:
i0 = r0 /(RC + r0 ) i01 (8)
Substituindo (7) em (8), resulta
i0 = r0 /(RC + r0 ) βRB /(RB + βre ) ii (9)
logo
i0 / ii = Ai = r0 βRB /[(RC + r0 ) (RB + βre )] (10)
Normalmente,
r0 >> RC e RB >> βre Assim,
Ai ≈ β (11)
Outra forma de determinar o ganho de corrente reside no fato de que:
ii = vi /Zi e i0 = - v0 /RC (12)
assim,
i0 / ii = Ai = -v0 /RC / vi /Z i = -v0 Zi / vi R C =
= -Av Zi / RC = (Z0 /re )(Zi / RC ) =
= r0 βRB /[(RC + r0 )(RB + βre)] (13)

23
• Exercício
Para o circuito da figura abaixo determine:

a) Determine Zi e Z0.
b) Determine Av e Ai
VCC
12V
RC
RB 3kΩ
C2
470kΩ 10µµF
C1 v0
µF
10µ
vi
β = 100
V A =120V
• Solução
1) Análise DC
IB = (VCC – VBE ) / RB = (12V – 0,7V)/470kΩ ≈ 24,0µ

µA
IC =β IB = 100*24,0µA = 2,4mA
re = VT /I C = 26mV/2,4mA ≈ 10,8Ω
Ω
Ω
r0 = VA /I C = 120V/2,4mA = 50kΩ
note que RB =470kΩ >> β re = 100*10,8Ω =1,08kΩ e r0 >> RC
2) Análise AC
Zi = RB // β re =470kΩ //1,08kΩ ≈ 1,07kΩ

Ω ≈ β re
Z0 =RC //r 0 = 3kΩ //50kΩ ≈ 2,8kΩ

Ω ≈ RC
Av = - Z0 /re = - 2,8kΩ /10,8Ω = -259,2 ≈ RC /re
Ai = -Av Zi /RC =259,2*1,07kΩ /3kΩ = 92,4 ≈ β

24
• Configuração Emissor Comum com Polarização por divisor de tensão
VCC
RC
R B1 C2
v0
C1
vi
RB2
RE CE
Na Banda de interesse, XC1, XC 2 e XCE estão em curto e para análise incremental (AC)
toda fonte de tensão constante está em curto com o terminal comum.
RC
RB1
i0
v0
ii β
i01 //β
Z0
r0
vi
β re re
i02
Zi RB2 i01
RE
25
Por inspeção da figura acima, a impedância de entrada do circuito é igual à:
Zi = RB //βre onde RB = RB1 //RB2
Novamente, por inspeção da figura acima, a impedância de saída do circuito é igual

à:
Z0 = RC //r 0
v Note que este circuito do ponto de vista da análise AC é exatamente igual ao circuito com
polarização fixa com RB igual ao paralelo de RB1 e RB2.
v De qualquer forma continuaremos a análise do circuito para fixarmos bem a nova apresentação
do modelo.
Da figura temos:
v0 = -RC i0 (14)
e i0 = i01 - i02 = vi /r e + v0 /r 0 (15)
v0 = -RC (vi /r e + v 0 /r0 ) (16)
Logo
v0 (1+ RC /r 0 ) = -RC (vi /r e ) ⇒
v0 = -R C (vi /re )/ (1+ RC /r 0) ⇒

26
v0 = -R C //r 0 (vi /re ) ⇒
Av = v0 /vi = -RC //r0 /r e = - Z0 /r e (17)
A determinação do ganho fica bem simplificada se colocarmos a impedância de saída do

transistor em paralelo com a carga RC. Nesta situação, temos:
v0 = -RC // r0 i0 (18)
e i0 = i01 = vi /r e (19)
v0 = -R C // r0 vi /r e
e, novamente
Av = v0 /vi = -RC //r 0 /r e = - Z0 /r e (ganho de tensão = impedância do ponto vezes a

transcondutância)
Da figura, a corrente ii é dividida pelo divisor resistivo RB e βr e, de maneira que a

corrente i01 /β está relacionada com ii por:
i 01 /β = RB /(RB + βre ) i i (20)
Novamente, da figura, a corrente i 01 é dividida pelo divisor resistivo Rc e r0, de

maneira que a corrente i0 está relacionada com i 01 por:
i0 = r0 /(RC + r0 ) i01 (21)

27
i0 = r0 /(RC + r0 ) βRB /(RB + βre ) ii (22)
logo
i0 / ii = Ai = r0 βRB /[(RC + r0 ) (RB + βre )] (23)
Normalmente,
r0 >> RC e RB >> βre
Assim
Ai ≈ β (24)
Outra forma de determinar o ganho de corrente reside no fato de que:
ii = vi /Zi e i0 = - v0 /RC (25)
assim,
i0 / ii = Ai = -v0 /RC / vi /Z i = -v0 Zi / vi R C =
= -Av Zi / RC = (Z0 /re )(Zi / RC ) =
= r0 βRB /[(RC + r0 )(RB + βre)] (26)

28
• Exercício

c) Determine Zi e Z0.
d) Determine Av e Ai
VCC
22V
RC
RB1 6,8kΩ C2
56kΩ 10µF
iB1
C1 v0
10µF iB
VB
vi β = 90
VE VA =70V
iB2
RB2
8,2kΩ CE
RE
1,5 k Ω 20µF
• Solução
1) Análise DC (aproximada)
Como β RE >> RB (onde RB = RB2 // RB1 = 7,1kΩ) ⇒ IB1 ≈ IB2 logo
VB = RB2 / (RB2 + RB1 )*VCC = 8,2kΩ *22V/(8,2k +56kΩ) ≈ 2,8V
VE = VB – VBE = 2,8V – 0,7 = 2,1V
IC ≈ IE = VE /RE ≈ 1,4mA
re = VT /I C = 26mV/1,4mA ≈ 18,6Ω
Ω
r0 = VA /I C = 70V/1,4mA = 50kΩ
note que a condição RC = 6,8kΩ << r0 = 50kΩ não é verdadeira

29
2) Análise AC
Zi = RB // β re = 7,1kΩ //90*18,6Ω ≈ 7,1kΩ //1,67kΩ ≈ 1,35kΩ

Ω
Note que a condição RB >>β re não é satisfeita
Z0 = RC //r 0 = 6,8k Ω //50kΩ ≈ 5,98kΩ
Av = - Z0 /re = - 5,98kΩ /18,6Ω ≈ -322
Ai = -Av Zi /RC =322*1,35kΩ /6,8kΩ ≈ 64 (bem diferente de β =90)
• Configuração Emissor Comum com resistor no emissor
Com Resistor de emissor não desacoplado (não desviado)
VCC
RC
RB C2
v0
C1
vi
RE
Na Banda de interesse, XC1, XC 2 e XCE estão em curto e para análise incremental (AC)
toda fonte de tensão constante está em curto com o terminal comum.
15
• Configuração Emissor Comum com resistor no emissor
Com Resistor de emissor não desacoplado (não desviado)
VCC
RC
RB C2
v0
C1
vi
RE
Na Banda de interesse, XC 1 e XC2 estão em curto e para análise incremental (AC) toda fonte
de tensão constante está em curto com o terminal comum.
RC
i0 = i 01- i02
RB
v0
ii ib = i 01 //β
Z0
r0
vi
β re re
i02
Zi Zb i01
RE ie =i01 + i 01 //β - i02

Zb = vi /ib
Zi = RB // Zb
16
Determinação dos parâmetros.
• A presença do resistor r 0 “complica” a determinação da impedância de entrada Zi

. É fácil de verificar que se r 0 fosse suprimido (i02=0) a impedância Zb seria igual
à:
Da malha base emissor, temos
vi =βrei b +RE(i01+ i01 /β)=βrei b +RE(1+β)ib logo,
Zb = v i /i b = βre +(β+1)RE (27)
• Apenas para aprimorar a nossa capacidade de análise, se Rc estivesse em curto

com o terra, a impedância Zb seria igual à:
Zb = βr e +(β+1)R’E (28)
Onde R’E = RE //r0
Para facilitar a dedução da impedância Zb, incluindo a presença da resistência de

saída do transistor, r 0 , é importante para simplificação e com esta nova “cara” do modelo π
híbrido evitar não intr oduzir desnecessariamente variáveis independentes.
Da malha coletor emissor, temos
RC (i01- i02) – r0i02 + RE(i 01- i02+ i01/β)=0
RC i01 + RE (i01 + i01/β)= RC i02+ RE i02 + r0 i02 ⇒
i02 = i01 *[ RC + RE (1 + 1/β)]/( RC + RE + r0 )
i02 = i01 *[ RC + RE (1 + 1/β)]/ RT (29)
onde RT = RC + RE + r 0
vi = r ei 01 + RE [(1+1/β) i01 - i02] (30)

17
vi = r ei 01 + RE {(1+1/β) - [ RC + RE(1 + 1/β)]/RT } i01
vi = r ei 01 + RE {[r 0 (1 +1/β)+RC /β] /R T} i01
Como i01 = βib , então
vi = βre ib + RE {[r 0 (β+1)+RC] /RT} ib
Logo,
Zb = βre + (β+1)RE {[r0 +RC /(β+1)] /RT } (31)
Note que se r0 é infinito a equação (31) torna igual à equação (27). E se Rc for muito
menor que r0 a equação (31) é bem aproximada pela equação (28).
Na prática sempre r0 >> RC /(β+1), e β+1 ≈ β de maneira que a equação (31) pode
ser muito bem aproximada por
Zb ≈ βr e + βRE r0 /R T e (32)
Zi = RB //Zb
• Novamente, apenas para aprimorar a nossa capacidade de análise, se R E estivesse

em curto com o terra, a impedância Z0 seria igual à:
Z0 = RC //r 0
18
Aqui é importante redesenharmos a porção de saída do circuito com a entrada
aterrada.
RC
ix
Zx
Z0 = vx /ix i0 = i 02- i01 vx
Zx = vx /i0
Com vi = 0
Z0
r0
Z0 = RC //Zx
β re re
i01 /β i02
i01
RE
ie = i02 – (i01 + i01 /β) = i 0 - i01 /β
-re i01 + RE(i02 - i01- i01/β)=0 ⇒
i 01 = RE / [RE(1+1/β)+re ] i02 (33)
ou seja, a corrente i 02 é dividida pelo divisor resistivo - re e Re//β re
Temos ainda,
i 0 = i02 – i01 = i02 - RE / [RE(1+1/β)+r e ] i02
i 02 = [(β +1)R E+β re ] / (RE+β re )* i0 e (34)
substituindo (34) em (33) resulta,
i 01 = β RE / (R E+β
β re )* i0 (35)
19
vx = r0i02 + rE i01 (36)
substituindo (34) e (35) em (36) resulta,
vx = {r0 [(β+1)RE+βre] / (RE+βre ) + βreRE / (R E+βre )} i0
vx /i0 = {r0 [(β+1)RE+βr e]+ βre RE }/(RE +βre ) ou
vx /i0 = r0 + β(r0 + r e) RE /(RE+βre )
ou, como sempre r0 >> r e
Zx ≈ r0 [1+ β RE/ (RE+βr e )] (36)
Z0 = Rc // Zx (37)
Se RE = 0, a impedância Zx é igual a impedância de saída do transistor (r 0). Por

outro lado se RE >>β re,a impedância Zx aumentaria por
Zx ≈ r0 (1+ β ) (38)
Da figura temos:
v0 = -RC (i 01 – i02 ) (39)
e vi = Zb ib = Zb i01/β logo
i01 = β vi / Zb (40)
20
A corrente i02 está relacionada com i01 como dado pela equação (29), e repetida abaixo
i02 = i01 *[ RC + RE (1 + 1/β)]/ RT (41)
Substituindo (41) em (39) resulta,
v0 = -RC {1 –[ RC + RE(1 + 1/β)}/ RT i01 (42)
v0 /vi = Av = - βRC {r0 - RE /β}/(Z b RT)
Na prática sempre r0 >> RE/β, assim
Av ≈ - βRC r0 /(Zb RT )
Substituindo Zb (equação (32)) resulta,
Av ≈ - RC /(re RT/r0 +RE) (43)
Note que se RE =0 então, Av ≈ - RC r0/re (RC +r0 ) = -Rc//r 0 /re.
Se r 0 >>(RC +RE ) então,
Av ≈ - RC /(re r0/r 0 +RE )= -RC /(r e+RE) (44)
Usando a igualdade
i0 / ii = Ai = -Av Zi/RC então de (43)
Ai ≈ RB //Zb /(re RT/r0 +RE) (45)

21
Substituindo a equação (32) resulta,
Ai ≈ RB //(βre + βRE r0 /RT )/(re RT /r 0 +RE)
Resolvendo
Ai ≈ βRB/[RT /r0 (RB +βr e)+ βRE] (46)
Note que se RT ≈ r0 então,
Ai ≈ β RB/[RB+βre + β RE]
Ou seja, o ganho de entrada é reduzido somente ao devido ao divisor resistivo RB

,βre+ βRE .
22
Exercício (sem CE )

VCC
20V
RC
RB 2,2kΩ C2
470kΩ 10µF
v0
C1
10µF
vi β = 120
VE VA =173,6V
CE
RE
10µF
0,56 k Ω
• Solução
1) Análise DC
IB = (VCC –VBE )/(RB +(β+1)RE) = (20V-0,7V)/(470kΩ +121*0,56kΩ)
µA
=35,9µ
IC ≈ IE = (β+1) I B ≈ 4,34mA
re = VT /I C = 26mV/4,34mA ≈ 6Ω
Ω
Ω
r0 = VA /I C = 70V/4,34mA = 40kΩ
Ω >> RC + R E =2,76kΩ
Note que a condição r 0 = 40kΩ Ω é verdadeira.Logo, RT ≈ r0
23
2) Análise AC
a) Zb ≈ βre + βRE r0 /R T ≈ β(re+ RE ) =120(6 +560Ω)= 67,9kΩ

Ω
Zi =Zb//RB =67,92kΩ //470kΩ =59,3kΩ Ω
se Zb não fosse aproximada (Zb =63,6kΩ ) então,
Ω
Zi = 56,0 kΩ
b) Como r0 >>RC
Z0 ≈ RC =2,2kΩ
Ω
Solução não aproximada
Zx ≈ r 0 [1+ β RE/(RE+βre )]= 40kΩ[1+120*560Ω/(560Ω+120*6Ω)]
Ω
= 40kΩ[1+120*560Ω/1280Ω]=2,14MΩ
Ω
Z0 = RC // Zx =2,2kΩ //2,14MΩ =2,197kΩ
c) Av ≈ - RC /(r e RT /r0 +RE ) como r0 >> RC+RE
Av ≈ - RC /(r e +RE ) = -2200Ω/(6Ω+560Ω)= -3,887
Av =- RC /(re RT/r 0 +RE) = - 2200Ω /(6Ω*42,57kΩ/40kΩ+560Ω)
≈ -2200/(6,385Ω+560Ω) ≈ -3,884
d) Ai = -Av Zi/RC =3,88*59,3kΩ/2,2kΩ ≈ 104,6 (<β)
Utilizando a aproximação
Ai ≈ βRB/(RB+βre + βRE)=120*470kΩ/(470kΩ+0,72kΩ +67,2kΩ)
=120*470kΩ/537,92kΩ = 104,8
Ai ≈ βRB/[RT/r0 (RB+βre)+ βRE]

24
= 120*470kΩ/[42,57kΩ/40kΩ(470kΩ+0,72kΩ)+120*0,56kΩ)
=99,3
Exercício (com CE )
Com o circuito anterior com o resistor de emissor desaclopado:

1) Análise dc
Continua a mesma.
3) Análise ac
a) ZB =βre = 120*6Ω =720Ω
Zi =RB//ZB =470kΩ //720 Ω ≈ 717Ω (diminui bastante)
b) Z0 =r0 //RC = 40kΩ //2,2kΩ ≈ 2,08kΩ

Ω (praticamente inalterada)
c) Av = -Z0 /r e = 2080Ω /6Ω ≈ 346,6 (aumentou bastante)
d) Ai = β RB /(RB +βre) = 120*470kΩ /(470kΩ +120*6Ω)
= 120*470kΩ /470,72kΩ = 120* 0,998 =≈ 119,8 ≈ β (praticamente inalterado)
Conclusão:
O capacitor de desaclopamento CE produz o efeito de:
1) Aumentar o ganho na razão aproximada de (RE +re )/ re ;

2) Diminuir a impedância de entrada na mesma razão;
3) Praticamente não influencia no ganho de corrente;
4) Praticamente não influencia na impedância de saída.
25
• Configuração seguidor de emissor (Coletor Comum)
V CC
RB
C1
vi C2
v0
RE
Na Banda de interesse, XC1, XC 2 estão em curto e para análise incremental (AC) toda fonte de
RB
ii ib = i 01 // β
r0
vi
β re re
i02
Zi Zb i01
v0
Z b = vi /ib
i0 =i01 + i 01 //β - i02 RE
Z i = RB // Zb
Z0
26
Da figura vemos que r 0 está em paralelo com RE de maneira que chamando de R’E
=RE//r 0 vem,
ZB =βre +(β+1)R’E e
Zi = RB // ZB (47)
Para a determinação de Z0, vamos redesenhar a porção de saída do circuito.
r0
β re re
RE
Z0
Da figura acima vemos por inspeção que,
Z0 =R’E //βre//r e ≈ // αre ≈ R'E //re (48)
Para a determinação do ganho de tensão, basta observar que a saída v0 é obtida

através do divisor resistivo βre// re e R' E. .Logo,
Av = R’E /(βre //r e +R’E ) ≈ R’E /(r e +R’E) (49)
O ganho de corrente (i0/ iii ) é facilmente determinado observando que a corrente de

entrada, ii é dividida pelo divisor resistivo RB e ZB, e a corrente i0 1(1+1/β) é dividida pelo
divisor resistivo RE e r0 , de maneira que
i b = i01 /β =RB /( RB +ZB)ii ⇒

27
i01 = βRB /( RB +ZB)ii e (50)
i 0 = r 0 /( RE +r0) (1+1/β) i01 (51)
Ai = i0 / i01 = r0β RB /[( RE +r 0) (1+1/β )( RB +ZB)]
Ai ≈ β /[( RE/r0+1)(1 +ZB/RB )] (52)
Ou a forma indireta
Ai = Av Zi/RE
Note que em (52) se RE/r 0 << 1 e ZB/RB >>1, o ganho de corrente é igual a β.
Obs: Note agora a ausencia do sinal -.

28
Exercício

V CC
12V
RC
RB 2,2kΩ
220k Ω
C1 β = 100
10µF VA = ∞
vi C2
10µF
v0
RE
3,3 k Ω
• Solução
1) Análise DC
IB = (VCC –VBE )/(RB +(β+1)RE) = (12V-0,7V)/(220kΩ +101*3,3kΩ)
µA
=20,4µ
IC ≈ IE = (β+1) IB ≈ 2,06mA
re = VT /I C = 26mV/2,06mA ≈ 12,6Ω
Ω
r0 = ∞ /I C = ∞ kΩ
Ω
Note que a condição r 0 >> RC é satisfeita

29
2) Análise AC
a) Zb = βre + (β+1)R’E ≈ β(re+ RE ) =100(12,6Ω +3,3kΩ)= 331,6kΩ

Ω ≈ βRE
Zi =Zb//RB =220k //331,6k Ω = 132,2kΩ
Note que a condição Zb >> RB não é satisfeita
b) Z0 =RE //βr e//r e ≈ //αre ≈ RE //re =3,3kΩ //12,6 ≈ 12,5Ω

Ω ≈ re
c) Av ≈ - RE /(r e +RE ) = 3,3kΩ //(3,3kΩ +12,6) = 0,996 ≈ 1
d) Ai = Av Zi /RE = 0,996*132,2kΩ/2,2kΩ ≈ 39,85 (<β)
Ou utilizando a equação (52)
Ai ≈ β /[( RE/r0 +1)(1 +ZB/RB )] = βRB /[( RB +ZB )]
=100*220kΩ/[220kΩ + 331,6kΩ ≈ 39,88

30
• Configuração Base Comum
VCC
RC
C1 C2
vi v0
RE
VBB
Na Banda de interesse, XC1, XC 2 estão em curto e para análise incremental (AC) toda fonte de
Zi =RE //ZB
ZE = vi / i e
ZE
RC
ie= i01(1+1/β )-i02 i02
r0 i0= i01- i02

ii
re v0
vi
i01 β re
RE
i01 /β Z0
Zi
31
Da figura vemos que Zi é dado por
Zi = RE // ZE
Então o que resta é determinar ZE. Para isto vamos determinar a relação entre i01 e
i02. Da nó do coletor temos
RC ( i 01-i 02) = r0 i02+re i01 logo
i 02 = (RC – re )/(r0 +RC )i01 e (53)
i 01 = vi /re (54)
Temos ainda
i e= vi/ZE = i01(1+1/β)-i02 ≈ i01 - i02 (55)
Substituindo (53) e (54) em (55) resulta,
i e ≈ i01 - i02 = [1- (RC – r e )/(r 0 +RC )] vi /r e
i e = {[r0 +RC -RC +re ]/(r0+RC )}vi /r e
i e = [(r 0 – re )/(r 0+RC)] vi /r e ≈ r0 /r e(r0 +RC ) vi (56)
então
ZE = (r 0+RC)/r 0 .re (57)
Se r0 >> RC
ZE ≈ r e (impedância de entrada muito baixa)
A impedância de saída é facilmente determinada. Da figura acima, com a entrada

aterrada, vemos por inspeção que,
Z0 =RC //r 0 (58)

32
Para a determinação do ganho de tensão, basta observar que a saída v0 é obtida
através da expressão,
v0 = RC (i 01 –i02) (59)
Como i e ≈ (i01 –i 02) então usando (56) resulta
v0 ≈ RC ie = Rc r0 /(r0+RC) vi / r e então
Av = RC r0 /(r0+RC )/ re = Rc // r0 /r e = Z0 /r e (60)
A determinação do ganho de corrente (i0 /iii ) é facilmente determinado observando

que a corrente de entrada, ii é dividida pelo divisor resistivo RE e ZE, , de maneira que ie é dada
por
i e = i0 +i01/β = RE /(RE +ZE)ii = i0 +i01/β (61)
temos ainda,
i 0 = i01 - i02 (62)
i 0 =(1- (RC – re )/(r 0+RC )).i01 = (r 0 +re)/(r0+RC).i 01 logo
i 01 = (r0+RC )/(r0+re ) .i0 (63)
RE /(R E +ZE)ii = (1+1/β. (r0 +RC )/(r 0+r e ) .i0 logo
Ai = [RE /(R E +ZE )]/[ (1+1/β.(r 0 +RC)/ (r0+r e)] (64)
Que é bastante confusa.
Se RE >>ZE e r0 >>RC (r0 >>re) então,
Ai ≈ (1/(1+1/β) =β /(β+1)= α (≈ 1)
Que é o ganho de corrente (ic/i e) do transistor.

33
A equação (64) pode ser aproximada por:
Ai ≈ [RE /(R E +ZE)]/[ (1+1/β.(r 0 +RC)/r 0]
= RE /(R E +ZE)]/[ (1+1/β.(1+RC /r 0)] (na prática (1+RC/r 0)/β <<1) assim
Ai ≈ RE /(RE +ZE ) (65)
A equação (65) mostra que o ganho de corrente é reduzido de seu valor máximo
(alfa ≈1) pelo divisor resistivo RE e ZE.
A outra forma de obter Ai ,seria
Ai = Av Zi/RC
34
Exercício

VCC =12V
RC
Ω
5kΩ
C2
C1
µF
10µ
10µµF
vi v0
RE
α = 0,99
1kΩ
VA = 1300V
VBB
2V
• Solução
1) Análise DC
IC = IE = (VBB –VBE )/RE = (2V-0,7V)/1kΩ = 1,3mA
re = VT /I C = 26mV/1,3mA = 20 Ω
Ω
r0 = 1300V /IC = 1 MΩ
Note que a condição r 0 >> RC é satisfeita
2) Análise AC
a) ZE = (r0+RC)/r0 .re ≈ re =20Ω

Ω
Ω ≈ re
Zi =ZE//RE =1k //20Ω = 19,6Ω
35
b) Z0 = RC //r0 ≈ RC = 5kΩ
Ω
c) Av = Z 0 /r e ≈ RC /re = 5kΩ /20Ω = 250
d) Ai ≈ RE /(RE +ZE)= 1kΩ /(1kΩ +20Ω) ≈ 0,98
Ou utilizando a equação
Ai = Av Zi/RC = 250*19,6 /5kΩ = 0,98

36
• Configuração Emissor Comum realimentação no coletor
VCC
RC
RF C2
v0
C1
vi
Na Banda de interesse, XC 1 e XC2 estão em curto e para análise incremental (AC) toda fonte
ZF
RC
i03 i0 = i 01- i02-i03
RF v0
ii ib = i 01 //β
Z0
r0
vi
β re re
i02
Zi Zb i01
Zb = vi /ib
ZF = vi /i03
Zi = ZF // Zb
37
Determinação dos parâmetros.
• A presença do resistor RF “complica” a determinação da impedância de entrada Zi

. Mas é fácil verificar que as três malhas (vermelho, azul e verde) são suficiente
para gerar três equações com quarto incógnitas (vi,i01,i02 e i03) e determinar ZF (vi
/i03) e por conseguinte.Portanto,
Da malha base coletor (vermelho), temos
vi = RF i03 – RC (i 01 - i02 - i 03)
vi = (RF +R C) i 03 – RC(i01 - i02 ) (66)
Da malha base emissor (azul), temos
vi = re i01 ⇒ i01 = vi / re (67)
Da malha coletor emissor (verde), temos
RC(i 01 - i02 - i03) = r0i 02
⇒ i02 = RC (i01 - i03)/(r 0 +RC ) (68)
vi = (RF +RC ) i03 – RC[vi / re - RC (vi / re - i03)/(r 0 +RC )]
vi = (RF +RC ) i03 – RC[1 - RC /(r 0 +RC )]vi / re – RC RC /(r 0 +RC ) i 03
vi = RF i03 – RC r0 /(r 0 +RC )]v i / re +RC [1 - RC /(r 0 +RC )] i03
[(1 +RC r 0 /(r 0 +RC )/r e]vi = RF i 03 +RC r0 /(r 0 +RC ) i03 logo
ZF = vi /i03 = {RF +RC r 0 /(r 0 +RC )}/ [(1 +RC r0 /(r 0 +RC )/r e]
ZF = {RF +RC //r0 }/ [(1 +RC //r 0 /re]} e (69)
Zi = ZF // ZB = ZF //βre
38
Se r 0 >>RC e RF >>RC então0
ZF ≈ RF /(1 +RC /re ) (70)
• É interessante observar a equação (70) e perceber que se o ganho de tensão for

aproximado por - RC /re, a impedância ZF é igual a resistência RF dividida pelo
fator (1 +RC /re ) devido ao efeito Miller, como ilustrado abaixo.
RF Efeito Miller
iF iF ZF = vi /iF e v0 = - RC /re vi
ZF ZG Da malha entrada saída temos,

Av =- RC /re
vi = RF iF + v0 = RF iF -- RC /r e vi
vi v0
vi (1+ RC /re) = RF iF logo
ZF = RF /(1+ RC /re )
Por outro lado,
v0 = vi - RF iF
= [RF /(1+ RC /re) - RF ]iF
Av =- RC /re = RF RC r e /(1+ RC /r e)(-iF) como

ZF ZG
vi v0 ZG = v0 /(-iF ) então
iF RF /(1+ RC /r e) iF ZG = RFRC re /(1+ RC /re )

RF RC re /(1+ RC /r e)
De uma forma geral
ZF = RF (1- Av )
e
ZG = RF Av/(1- Av)
39
A impedância de saída Z0 , por inspeção é dada por:
Z0 = RF // RC //r0 (71)
O ganho de tensão agora é determinado. Da figura temos,
v0 = -RC i 0 = -RC(i 01 - i02 - i03) (72)
Da malha base emissor (azul) temos, (repetindo)
vi = re i01 ⇒ i01 = vi / re (73)
Da malha base coletor (vermelho) temos, (repetindo)
vi = RF i03 – v0 ⇒ i03 = (vi+ v0 )/ RF (74)
e repetindo a equação (68)
i02 = RC (i01 - i03)/(r 0 +RC ) (75)
Substituindo (75), (74), (73) em (72) resulta,
Av = v0 / vi = -RC //r 0 [1/re +1/RF]/[1+ RC //r 0 /RF]
Como na prática sempre RF >>re
Av ≈ v0 / vi = -RC //r0 /r e /[1+ RC //r0 /RF] (76)
O ganho de corrente agora é determinado utilizando a expressão,
Ai = -Av Z i /RC (77)
Substituindo as expressões de Av (equação (76)) e de Zi resulta,
Ai ≈ β /(1+RC /r0 +β RC /RF) (78)
Na expressão (78) usamos a aproximação sempre satisfeita na prática RC //r 0 >>re.
Note que se βRC >> RF então,
Ai ≈ R F /RC
40
Exercício

e) Determine Zi e Z0.
f) Determine Av e Ai
VCC =9V
RC
RF
2,7kΩ
180k Ω C2
µF
10µ
v0
C1
10µµF
β =200
VA = ∞
vi
• Solução
1) Análise DC
IB = IE = (VCC –VBE)/(RF +(β+1)RE) = (9V-0,7V)/(180kΩ +201*2,7kΩ) ≈ 11,5µ

µA
IC =β I B = 200*11,5µA = 2,3mA
Ω
re = VT /I C = 26mV/2,3mA = 11,2Ω
r0 = ∞V /I C = ∞
41
2) Análise AC
a) ZF = {RF +RC //r 0 }/ [(1 +RC //r 0 /re ]} = {RF +RC}/[(1 +RC / /re]}
= (RF +RC )/(1 +RC / re ) = (180kΩ + 2,7kΩ)/(1 +2,7kΩ / 11,2Ω) ≈ 0,75kΩ
Zi = ZF //βre = 0,75kΩ//(200*11,2Ω) = 0,75kΩ//2,24kΩ ≈ 562Ω

Ω
b) Z0 = Z0 = RF // RC //r 0 = RF // RC =2,7kΩ //180kΩ ≈ 2,66kΩ
c) Av = -RC //r0 /r e /[1+ RC //r0 /RF] =-RC /r e /[1+ RC /RF] ≈ -RC /r e
=- 2,7kΩ /11,2Ω ) ≈ -241
d) Ai =β /(1+RC /r 0 +β RC /RF) =β RF /(RF +β RC /RF)
= 200*180kΩ /(180kΩ +200*2,7kΩ /180kΩ) = 50

1
• Transistores de Efeito de Campo (FETS)
Como no caso do TBJ, a tensão entre dois terminais do FET (field-effect transistor) controla a corrente que circula pelo
terceiro terminal. Correspondentemente o FET pode ser usado tanto como amplificador quanto como uma chave. O nome do
dispositivo origina-se de seu pricípio de operação. O controle é baseado no campo elétrico estabelecido pela tensão aplicada no
terminal de controle. O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de
efeito de campo de semicondutor de óxido metálico), é, de longe, o tipo mais comum de transistores de efeito de campo em
circuitos tanto digitais quanto analógicos.
• Símbolo
Canal N (NMOS) Canal P (PMOS)
• Função – Controlar a corrente elétrica que passa por ele.

ID função de VGS
D ID
+
S
VGS
-
• Construção
Porta (G)
Fonte (S) Dreno (D)
Óxido (SiO2)
Geralmente o terminal corpo (B) é
ligado a fonte (S).
Região de
n+ canal n+
Corpo (B)
2
• Criação do canal
Considere a figura a seguir:
+ Canal n
VGS induzido
- (G)
(S) (D)
n+ n+
Região de depleção (B)
A tensão VGS, em um primeiro momento, faz as lacunas livres da região do substrato sob a porta serem
repelidas, deixando uma região de depleção. A tensão positiva sob a porta atrai elétrons das regiões n+ da fonte e do
dreno para a região do canal. Quando elétrons suficientes estiverem sob a porta, o canal estará formado ligando a fonte
ao dreno. O valor mínimo de VGS para se formar o canal é chamado de tensão de limiar (threshold) ou Vt.
• Operação do transistor
A operação de um MOSFET pode ser dividida em três diferentes regiões, dependendo das tensões aplicadas sobre seus
terminais. Para o MOSFET canal n:
• Região de Corte: quando VGS < Vt, onde VGS é a tensão entre a porta (gate) e a fonte (source). O transistor permanece
desligado, e não há condução entre o dreno e a fonte. Enquanto a corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero
devido à chave estar desligada, há uma fraca corrente invertida.
• Região de Triodo (ou região linear): quando VGS > Vt e Vds < VGS - Vt onde Vds é a tensão entre dreno e fonte. O
transístor é ligado, e o canal que é criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e fonte. O MOSFET opera como um
resistor, controlado pela tensão na porta. A corrente do dreno para a fonte é:
1 W
[
I D = K 2(VGS − Vt )VDS − VDS
2
]
, onde K =
2
µ nCox
L
• Região de Saturação: quando VGS > Vt e Vds > VGS - Vt. O transístor fica ligado, e um canal que é criado permite o
fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. Como a tensão de dreno é maior do que a tensão na porta, uma parte do canal é
desligado. A criação dessa região é chamada de “pinch-off”. A corrente de dreno é agora relativamente independente da
tensão de dreno (numa primeira aproximação) e é controlada somente pela tensão da porta de tal forma que:
2
I D = K (VGS − Vt )
OBS: Para o transistor PMOS as equações são idênticas, lembrando que Vt é negativo e as inequações são inversas.
3
Em circuitos digitais, os MOSFETs são usados somente em modos de corte e de triodo. O modo de saturação é usado em
aplicações de circuitos analógicos.
• O transistor NMOS operando na saturação com o canal estrangulado.
ID
+ IG Canal n
VGS deformado
+
IS - (G)
VDS
(S) -
(D)
+
n+ Pinch off n
ID = IS
IG = 0
p
Região de depleção (B)
O terminal da porta (G), por ser eletricamente isolado através do oxido, possui corrente nula.
A corrente do dreno é igual a corrente da fonte.
• Curvas Características
• Característica ID –VDS parametrizada por VGS
ID
Região de triodo
VGS = Vt + 5
20mA
18mA
Região de saturação
16mA
VGS = Vt + 4
14mA
12mA
VGS = Vt + 3
10mA
VDS = VGS - Vt Região de corte (VGS ≤ Vt)

8mA
VGS = Vt + 2
4mA
2mA
VGS = Vt + 1
2V 4V 6V 8V 10V VDS
4
Observação:
O gráfico da característica ID – VDS mostra que a corrente do dreno possui uma leve dependência
linear com VDS na região de saturação. Essa dependência pode ser considerada analiticamente pela
incorporação do fator (1+λVDS) na equação de ID, onde λ = 1/VA, como se segue:
2
I D = K (VGS − Vt ) (1 + λVDS )
Onde λ é um parâmetro do MOSFET. VA é uma tensão positiva semelhante a tensão Early

do TBJ, como mostra seguinte figura:
• Característica ID –VGS
ID (mA)
4
3
2
Vt
1 2 3 4 5 6 7 8 9 VGS (V)
5
• Polarização
O termo polarização significa a aplicação de tensões DC em um circuito para estabelecer valores fixos de
corrente e tensão. O Ponto de polarização (ponto quiescente) deve ser localizado na região ativa e dentro dos
valores máximos permitido.
• Equações importantes no projeto do circuito de polarização.
2
I D= I S IG = 0
• Para a polarização do MOSFET em uma sua região de saturação, as seguintes condições devem ser
satisfeitas:
VGS > Vt VDS > VGS − Vt
OBS: A equação da corrente de dreno pode fornecer dois valores de VGS. Desses valores, apenas um
atenderá as condições para a polarização da região de saturação, o outro valor não tem significado
físico. Se os dois valores de VGS não atenderem as condições, significa que o transistor não está em sua
região de saturação.
• Circuitos de Polarização
• Exemplo 1:
5V
Projete o circuito de modo que o transistor opere com ID = 0,4 mA e

VD = +1V. O transistor NMOS tem Vt = 2V e K = 0,4 mA/V2.
RD Suponha que λ = 0.
ID
VD
IG
VDS
VGS
RS
-5V
6
Temos que:
VD = 5 − RD I D
1 = 5 − RD × 0,4 × 10−3
RD = 10kΩ
o que significa operação na região de saturação, portanto:
2
2
0,4 = 0,4(VGS − 2)
Essa equação do segundo grau produz dois valores de VGS, 1V e 3V. O primeiro valor não tem significado físico, pois
ele é menor que Vt. Portanto VGS = 3V. Desse modo temos que:
VS − VSS
RS =
ID
− 3 − (− 5)
= = 5kΩ
0,4 × 10 − 3
• Exemplo 2:
VDD = +10V
Determine todas as tensões dos nós e as
correntes nas malhas. Suponha Vt = 1V e
6KΩ K = 0,5 mA/V2. Suponha λ = 0.
100KΩ IG1 C2
V0
C1 IG
VDS
Vi
VGS
IG2
ID
100KΩ 6KΩ
Como a corrente na porta é nula, podemos fazer o divisor de tensão RG1 e RG2:
100
VG = 10 × = 5V
100 + 100
10
I G1 = I G 2 = = 0,05mA
100 + 100
7
Com essa tensão positiva na porta, o transistor NMOS está em condução. Mas não podemos determinar se ele opera na
região de triodo ou saturação. Podemos supor uma operação na região de saturação e verificar a validade da suposição.
A tensão na fonte é:
VGS = 5 − 6 I D
Portanto, ID é dado por:
2
2
I D = 0,5 × 10 −3 (5 − 6 I D − 1)
18 I D2 − 25 I D + 8 = 0
A equação de segundo grau produz dois valores para ID: 0,89 mA e 0,5 mA. O primeiro valor não tem significado
físico pois produz uma tensão de fonte maior que a tensão de porta. Portanto:
I D = 0,5mA
VS = 0,5 × 6 = 3V
VGS = 5 − 3 = 2V
VD = 10 − 6 × 0,5 = 7V
Como VDS > VGS – Vt, o transistor está realmente operando na saturação.
• Exemplo 3:
VDD = +5V
RG1 IG1 C2
V0
C1 IG VG
VD
Vi
Projete o circuito de modo que o transistor
IG2
ID opere na saturação com ID = 0,5 mA e VD = 3V.
RG2 RD Suponha o transistor PMOS tendo Vt = -1V e K =
0,5 mA/V2. Suponha λ = 0.
Podemos escrever:
2
2
0,5 = 0,5[VGS − (− 1)]
8
Como VGS deve ser negativo (VGS < Vt), a única solução que faz sentido físico é VGS = -2V. Como a tensão na fonte é
5V, a tensão na porta deve ser 3V. Dessa forma, temos o divisor de tensão:
RG 2
3=5
RG 2 + RG1
3RG1 = 2 RG 2
Uma possível solução seria RG1 = 2 MΩ e RG 2 = 3MΩ .
O valor de RD pode ser encontrado por:
VD 3
RD = = = 6kΩ
I D 0,5
A operação no modo de saturação será mantida até o ponto em que VD exceder VG por |Vt|, que é:
VD max = 3 + 1 = 4V
A máxima resistência será dada por:
4
RD= = 8kΩ
0,5
• Exemplo 4:
Projete o circuito para obter uma corrente ID = 80 µA. Suponha o

transistor NMOS tendo Vt = 0,6V e K = 0,5 mA/V2. Suponha λ = 0.
Como VDG = 0, VD = VG o transistor está operando na saturação, dessa forma:
2
ID
VGS = Vt +
K
0,08
VGS = 0,6 + = 1V
0,5
A tensão de dreno será:
VD = VG = 1V
O valor de R será:
VDD − VD 3 − 1
R= = = 25kΩ
ID 0,08
9
• Exercício:
Projete o circuito para polarizar o transistor com corrente de

dreno ID = 2 mA e VDS grande o suficiente para permitir uma
excursão máxima do sinal de 2 V no dreno. Suponha que o
transistor NMOS tenha Vt = 1,2 V e K = 1,6 mA/V2. Use 22
MΩ como o maior resistor da malha de realimentação.
10
• MOSFET - Modelo AC
Assim como o TBJ, o MOSFET também pode ser representado por um modelo para descrever, de maneira
simplificada, sua operação AC.
D D
G Elementos
de circuito
G
S
S
• Modelo π -híbrido
• Modelo para altas freqüências

D
CGD
D
G
ID
+
vGS CGS gm vGS r0
-
S
S
11
• Modelo para baixas freqüências (simplificado)
D
G
ID
+
vGS gm vGS = vGS/re r0
-
S
S
∂I D 2I D
gm = = 2 K (VGS − Vt ) = 2 KI D =
∂VGS VGS − Vt
1 VA 1
re = ro = VA =
gm ID λ
Nova apresentação do modelo π -híbrido (simplificado)
D
D G
ID
+
G
vGS vGS/re
r0
S -
S
S
iD D
GB iD
vGS/re D
G
vGS r0
r0
re
re
S S
iS
S
12
Modelo de pequenos sinais:
G
r0
re
Análise para pequenos sinais de circuitos com um transistor
• Exemplo 5:
VCC
RD ID
vo
RG C2
IG=0
vi C1
Na Banda de interesse, XC1 e XC2 estão em curto e para análise incremental (AC) toda fonte de tensão
constante está em curto com o terminal comum.
13
ix
vo
iG iD
RG Zo
iD2
ii ro RD
i=0
vi
Zi iD1
re
• Parâmetros importantes do circuitos
Impedância de entrada (Zi)

Impedância de saída (Z0)
Ganho de tensão (Av)
Ganho de corrente (Ai)
Impedância de entrada (Zi)
Por inspeção da figura acima, temos:
v −v  v  v 
ii =  i o  = i 1 − o 
 RG  RG  vi 
onde vo /vi é o ganho de tensão Av, dessa forma:
vi
ii = (1 − Av )
RG
Portanto:
vi R
Zi ≡ = G
ii 1 − Av
14
Impedância de saída (Z0)
Novamente, por inspeção da figura acima, a impedância de saída do circuito é igual à:
Z o = RG // RD // ro
Note que para determinação de Z0 as tensões independentes, no caso somente vi, são colocadas em
curto com o terra.
A corrente ix é mostrada para evidenciar que esta seria a corrente que uma fonte de tensão (v0)
conectada a saída forneceria ao circuito com uma impedância de saída Z0.
Ganho de tensão (Av)
Da figura temos:
vo vi vo vo − vi
iD = iD1 + iD 2 + iG ⇒ − = + +
RD re ro RG
 1 1 1   1 1
vo  + +  = vi  − 
 RD ro RG   RG re 
vo  1 1
= RG // ro // RD  − 
vi  RG re 
vo  1 1
Av = = Z o  − 
vi  RG re 
Ganho de corrente (Ai)
Definindo a corrente de saída como a corrente iD, temos:
vi v
ii = , io = iD = − o
Zi RD
Dividindo as duas equações temos:
io v Z
=− o ⋅ i
ii RD vi
io Z
Ai = = Av ⋅ i
ii RD
15
Exercício:
+15V
Determine (a) Zo, (b) Av, (c) Zi e Ai. Suponha que o
transistor NMOS tenha Vt = 1,5 V, K = 0,125 mA/V2
e VA = 50 V. Na Banda de interesse, XC1 e XC2 estão
10K ID
em curto.
vo
10M C2
vi C1
Primeiramente devemos avaliar o ponto de operação cc do circuito como segue:
2
2
I D = 0,125(VGS − 1,5)
Como a corrente em RG é nula temos que VGS = VD. Assim temos:
2
I D 0,125(VD − 1,5) (1)
Além disso,
VD = 15 − 10 I D (2)
Resolvendo as equações (1) e (2) juntas, obtemos:
 I D = 1,06mA

 VD = 4,4V
(A outra solução da equação quadrática não é fisicamente aceitável.)
Assim temos:
VA 50
ro = = = 47 kΩ
I D 1,06
1 1
re = = = 1,379kΩ
2 K (VGS − Vt ) 2 × 0,125(4,4 − 1,5)
16
Modelo AC:
ix
vo
iG iD
10M Zo
iD2
ii 10k
47k
i=0
vi
Zi iD1
1,379k
(a) Determinar Zo:

Z o = RG // RD // ro
Z o = 8,24kΩ
(b) Determinar Av:
vo  1 1
Av = = Z o  − 
vi  RG re 
Av = −5,97V V
(c) Determinar Zi:
vi R
Zi ≡ = G
ii 1 − Av
10 × 106
Zi = = 1,34 MΩ
1 − (− 5,97 )
(d) Determinar Ai:
io Z
Ai = = Av ⋅ i
ii RD
1,34 × 106
Ai = 5,97 ⋅ = 800 A A
10 × 103
43
• Análise para pequenos sinais de circuitos com dois Transistores
Tipos de Configurações ou Conexões mais importantes:
1) Cascata
2) Cascode
3) Darlington
4) Par realimentado
5) Espelho de corrente
6) Par diferencial
ü Configuração em cascata
A principal função desta configuração é conseguir alto ganho sem detrimento da banda passante.
O arranjo mais comum desta configuração é cascatear dois (estágios) amplificadores emissor comum,
como mostrado na figura abaixo. Mais que dois estágios podem ser cascateados, mas a análise com apenas dois
estágios pode ser generalizada para qualquer números.
Antes de iniciarmos análise desta configuração vamos verificar o efeito da impedãncia da fonte (RS) e
da carga (RL) em amplificadores já que (para simplicidade) estes foram análisados sem estes efeitos. Como
mostrados abaixo
VCC
RC
RB1 C2
v0
RS C1
vi v'i RL
RB2
RE CE
Zi
Amplificador emissor comum com resistência de fonte e de carga

44
Efeitos de RS e RL
ü O efeito da resistência de carga é de reduzir a impedânica na saída e consequentemente

reduzir o ganho de tensão do amplificador. Esta resistência pode modificar a impedância de
entrada. Esta ainda também modifica a máxima excursão do sinal de saída devido a mudança na
reta de carga.
ü O efeito da resistência de fonte RS é de reduzir a tensão de entrada aplicada ao amplificador

(v’i ) por divisor resistivo RS e Zi, e consequetemente reduzir o ganho de tensão do amplificador.
Em algumas configurações a resistência de fonte RS modifica a resistência de saída do
amplificador.
Para exemplificar, vamos representar um amplificador por um quadripolo como mostrado abaixo.
RS
ve
Z0 i0
ie
vi Zi Av. vi RL v0
Considerando os efeitos de RS e R L no ganho do amplificador
No lado da entrada temos,
vi = Zi /(RS + Zi ) ve ou
vi /ve = Zi /(RS + Zi ) ve
No lado da saída temos,
v0 = RL /(RL + Z0 ) Av .vi ou
v0 /vi = RL /(RL + Z0 ) Av
O ganho geral do amplificador (Av G) é dado por:
Av G = v0 / ve = v0 / vi . vi / ve que resulta em,
Av G = RL /(RL + Z0 ) .Zi /(RS + Zi ). Av (79)

45
Como pode ser observado na expressão (79) o ganho Av G menor do que o ganho do
amplificador (Av ) devido a RS e RL.
Além disso, como
ie = ve /( RS + Zi) e
i0 = - v0 / RL então,
AiG = i0 / ie = - ( RS + Zi)/RL v0 / ve
AiG = - (RS + Zi )/RL Av G
Substituindo a equação (79) resulta
AiG = - Av Zi /(RL + Z0 ) (80)
Note que agora o ganho de corrente também foi reduzido.
Como exercício vamos novamente determinar as impedâncias de entrada e saída e

os ganho de corrente e de tensão de amplificador seguidor de emissor, agora, levando-se
em conta as resistências de fonte e de carga.
Configuração seguidor de emissor

VCC
RB
RS C1 C 1
ve C2 i0
ie
vi
RE RL
Zi v0
Z0
46
Na Banda de interesse, XC1, XC 2 estão em curto e para análise incremental (AC) toda fonte
RB
RS ib = i 01 //β
R’E = RE //r0
ve
ie β re re
≈ i01 i0
Zi Zb i01
v0
Z b = vi /ib
Z i = RB // Zb ie ≈ i01 - i0 R’E
RL
Z0
Da figura inicial vemos que r0 está em paralelo com RE de maneira que

chamaremos R’E =RE//r 0 .
Note que aproximamos a corrente que sai do terminal de emissor para i01, isto é o
mesmo que aproximar β+1 para β.
Note ainda que, RL está em paralelo com RE. Da figura acima vemos (baseado em
análises anteriores) que a impedância no terminal do emissor (R’E //RL ) “aparece
refletida” na base multiplicado por (β+1), assim
ZB =βre +(β+1)R* E
ZB ≈ β(re +R*E) (81)
sendo R* E = R’E //RL
Zi = RB // ZB
47
Para a determinação de Z0, vamos redesenhar a porção de saída do circuito
com v e em zero.
R’S
Z 0=vx/ix
Z e=vx/ie
i01/β β re r e i01 Z 0=Z e//R’E
ix vx
ie≈ i01
Ze
R’S = RS//RB R’E RL
Z0
Da figura acima percorrendo a malha emissor base (azul) e já aproximando ie

para i01 que equivale a fazer β +1≈
≈ β temos,
vx = βre i01/ β + RS i01/β ≈ re ie + RS ie /β logo
Ze = v x /ie ≈ re + RS /β (82)
A equação (82) mostra que a impedância no terminal de base “aparece refletida”

no emissor dividida por β (de fato β+1 sem aproximação).
Para a determinação do ganho de tensão vamos nos referenciar a figura abaixo.,
ie i01/β
RS vb
ve
β re r e i01
i0 v0
RB ie≈ i01
Zi ZB
R’E RL
48
Da figura temos,
vb = Zi /( Zi + RS ).v e = RB //ZB /( RB //ZB + RS ). ve (83)
e como a saída v0 é claramente a o sinal vb dividido pelo do divisor resistivo re e

R’E //RC = R*E então
v0 = R*E /( R*E + re ) vb (84)
v0 = Zi /( Zi + RS ).R*E /( R*E + r e ). ve
logo
Av G = v 0 /ve = Zi /( Zi + RS ).R*E /( R*E + re ) (85)
Para a determinação do ganho de corrente, nos reportando ainda à figura

anterior temos,
1. A corrente i01 /β é igual a corrente ie dividida pelo divisor resistivo RB e ZB.

2. A corrente i0 é igual a corrente ie ≈ i01 (β+1≈β) dividida pelo divisor
resistivo R’E e RL.
Então,
i 01 /β = RB /(ZB +RB ). i e (86)
i 0 = R’E /(RL+ R’E ).i01 (87)
então, substituindo (87) em (86) resulta,
AiG = i0 / i e = β [R’E /(RL + R’E )][R B /(ZB +RB )] (88)
Ou seja, o ganho de corrente é reduzido pelo de seu valor máximo β, pelos

divisores de corrente da entrada e saída do circuito.
49
A figura abaixo mostra uma configuração típica de um amplificador com dois
transistores montados em emissor comum em cascata.
VCC
RC1 RC2
R1 C2 R3 C3
Q1 v0
Q2
C1
RL1 = Zi2
ve vi R L2
R2 R4
RE1 C E1 R E2 C E2
Zi1 Zi2
Amplificador em cascata
• Para calcular os parâmetros desta configuração a melhor abordagem é separarmos

em duas configurações emissor comum, onde a impedância de entrada do segundo
estágio é igual a impedância de carga do primeiro.
• O conhecimento de configurações mais básicas devem ser amplamente explorados a

fim de rapidamente fazer a análise.
• Nesta instante é importante as aproximações, pois isto simplifica bastante a análise

do circuito. Note que o importante para o projetista de circuito é ententer de forma
qualitativa como um certo elemento de circuito influencia em seu comportamento.
• Uma vez feita a análise mais aproximada possível, esta pode ser refeita com alto
grau de precisão utilizando-se de simuladores elétrico.
Como exemplo, faremos a análise de um amplificar em cascata abaixo.

50
• Exercício:
Calcule o ganho de tensão, impedância de entrada e a impedância de saída para o

amplificador a transistor bipolar em cascata mostrado abaixo.
V CC =20V
RC1 RC2
C2 2,2kΩ C3
R1 2,2kΩ R3
10µF 10µF
15kΩ 15kΩ
C1 Q1 Q2 v0
10µF VB1 R L1 = Zi2 VB2
β =200
β =200 vi r0 =∞ RL2
ve
r0 =∞ Z0 10kΩ
VE1 VE2
R2 R4
4,7kΩ RE1 4,7kΩ R E2
1kΩ CE1 1kΩ CE2
Z i1 = Zi 20µF Zi2 20µF
• Solução:
1) Análise DC
A análise dc para os dois estágios é idêntica (propositalmente). Observando que:
R1 //R2 = 15kΩ //4,7kΩ ≈ 3,57kΩ << (β+1)RE1 = (201)1kΩ =201 kΩ
então a tensão na base dos transistores, VB1 = VB2 será dada por:
VB1 = VB2 ≈ R2 /(R2+R1)VCC =4,7kΩ /(15kΩ +4,7kΩ)20V ≈ 4,7V
VE1 = VE2 = VB1 –VBE = 4,7V –0,7V = 4,0V
IE1 = IE2 ≈ I C1 = IC2 = VE1 /RE1 = 4,0V /1k Ω = 4mA
Logo
Ω
re1 = re2 = VT /IC = 26mV/4mA = 6,5Ω
51
2) Análise AC
a) A impedância de entrada do amplificador é:
Zi = Zi1 = R1 //R2 //(β+1)re1
= 4,7kΩ //15kΩ //(201)6,5Ω ≈ 955Ω

Ω
b) A impedância de saída do amplificador é:
Ω
Z0 = Z02 = RC =2,2kΩ
c) O ganho de tensão do amplificador será igual ao ganho de tensão do primeiro estágio

multiplicado pelo ganho de tensão do segundo estágio.
Observando que a impedância de carga do primeiro estágio (R L1 ) é igual a impedância

de entrada do segundo estágio então,
RL1 = Zi2 = Zi1 = R3 //R4//(β+1)re2 ≈ 955Ω

Ω
Assim o ganho de tensão do primeiro estágio é dado por
Av 1 = - RL1 //RC1/re1 = -955Ω //2,2kΩ /6,5Ω ≈ - 102,4
O ganho do segundo estágio é imediato
Av 2 = - RL2 //RC2/re2 = -10kΩ //2,2kΩ /6,5Ω ≈ -277,4
Logo o ganho total é
Av G = Av 1. Av 2 = (- 102,4)( -277,4) = 28.405
v Note que o ganho é positivo e muito maior do que um simples estágio.

52
ü Configuração cascode
A principal função desta configuração é conseguir alta impedância de entrada com ganho de
tensão moderado em altas freqüências.
O arranjo mais comum desta configuração é cascatear (estágios) um amplificadores emissor

comum com um estágio base comum, como mostrado na figura abaixo. Esta configuração permite que a
capacitância base coletor do transistor do primeiro estágio não seja amplificada pelo efeito miller
ilustrado abaixo.
V CC
RC
i0
CC
RB1
v0
CB
Q2
Z0
R B2
CS
Q1
ve ie
RB3
RE CE
Zi
Amplificador – Circuito cascode
Função dos componentes
CS , CE , CC ------- Já conhecidos. Bloqueio de nível DC

CB ------------------ Aterrar (AC) a base de Q2
RB1 ,RB2 ,RB3 ------ Definir tensões nas bases dos transistores (polarização DC)
RE ----------------- Definir a corrente de polarição (IC )
RC ----------------- Carga (também define o ganho de tensão)
53
Efeito Miller para capacitância
XCF
CF
iF iF ZF = vi /iF e v 0 = Av vi
XCF =1/jωCF
ZF ZG
Av Da malha entrada saída temos,
vi v0
vi = XCF iF + v0 = XCF iF + Av vi
vi (1-Av) = XCF iF logo
ZF = XCF /(1-Av ) = 1/jω (1-Av )CF
C’F =(1-Av ).CF
Por outro lado,
v0 = v i - XCF iF
Av
ZF ZG v0 = [XCF /(1- Av ) – XCF ]iF
vi
= XCF /( 1 –1/Av ) (-iF) como
iF C’F C’’F iF
ZG = v 0 /(-iF ) então
ZG = XCF /(1-1/Av ) =1/jω (1-1/Av )CF
C’’F =(1-1/Av ).CF

54
Para analisar esta configuração podemos seguir dois caminho; o primeiro é
analisar o circuito sem considera nenhuma análise já feita em alguma configuração com
um transistor na qual esta inclue (configuração nova); a segunda é considerar esta
configuração como uma combinação de configurações mais simples que já são
profundamente conhecidas (configuração combinada).
Apenas para ilustrar qual o melhor faremos a análise desta configuração das duas
formas.
1) Configuração nova
A figura abaixo mostra o amplificador para fins de análise para pequenos sinais.
Vamos supor que os transistores sejam idênticos.
RC
i0 = i e2 – ic2
Q2 v0
r 0 ic2
ie2 /β
β re re Z0
RB2 i01 = ie1 – ic1

ie2
Q1
r 0 ic1
ve ie ie1 /β
β re re
RB3
Zi ie1
55
1) A impedância de entrada é obtida facilmente pela inspeção da figura acima.
Zi = v e /ie = RB3 // RB3 //βre (89)
Que é semelhante a impedância de entrada de um amplificador emisssor comum.
2) Para determinar a impedância de saída vamos redensenhar a porção de saída

do circuito com ve = 0V.
Z 0 = vx /ix
RC Z 0 =Zf // RC
Z f = vx /if
ix
Zf i f =ic2–i e2 vx
Q2
r0 ic2
ie2 /β
β re re Z0
R B2 i01 = ic2 - i e2(1+1/ β )

ie2
r0
-re ie2 + r 0 [ic2 – (1+1/β)ie2] = 0 ⇒
i e2 = r0 /[r 0 (1+1/β)+r e ] ic2 (90)
ou seja, a corrente i c2 é dividida pelo divisor resistivo - re e r0 //β re
Temos ainda,
if = ic2 – ie2 = ic2 - r0 /[r0 (1+1/β)+re ] ic2
β +1)r0 +β
i c2 = [(β β re] / (r 0 +β
β re )* if e (91)
substituindo (91) em (90) resulta,
i e2 = β r0 / (r 0 +β
β re )* if (92)
56
vx = r0ic2 + r eie2 (93)
substituindo (91) e (92) em (93) resulta,
vx = {r0 [(β+1)r0 +βre] / (r0+βre ) + βr er0 / (r 0+βr e )} if
vx /if = {r0 [(β+1)RE+βre]+ βreRE }/ (RE +βr e ) ou
vx /if = r 0 + β(r0 + re ) r0 / (r0+βre )
ou, como sempre r0 >> r e
Zf ≈ r0 [1+ β r0 /(r0 +βre )] (94)
Z0 = Rc // Zx (95)
Como ainda, r0 >> βre então, a equação (94) pode ser muito bem aproximada por:
Zf ≈ r0 (1+ β ) (96)
Que é igual a impedância de saída de um amplificador base comum com um

resistor r0 no emissor.
3) Para determinar o ganho de tensão sem aproximação a priori torna a análise

muito complicada. Para isto vamos redesenhar o circuito admitindo que as correntes que
passam pelos resistores de saída dos transistores são muito pequenas quando
comparadas aquelas do emissor. Esta suposição será confirmada na segunda análise.
Então, redesenhando o circuito não incluindo os resistores de saída dos

transistores.
57
RC
i0 = ie2
Q2 v0
ie2 /β
β re re Z0
RB2 ie1
ie2 ie1 = ie2(1 +1/β )
Q1
ve ie ie1 /β
β re re
RB3
Zi ie1
ZB ZB = β re
Da figura temos:
v0 = -RC i0 = -RC ie2 (97)
e v e = ZB i b = ZB i e1/β logo
ie1 = β vi / ZB = v i/re (98)
A corrente i0 = ie2 está relacionada com ie1 como dado pela equação abaixo
ie1 = ie2 + ie2 1/β = (1+ 1/β) i e2 (99)
Substituindo (98) em (99)e o resultado em (97) resulta,
v0 = -RCβ /(β+1) vi/re

58
Então
v0 /vi = Av = - RC β /(β+1)/re
Av = ≈ - RC /re (100)
Que é igual ao ganho de tensão de um amplificador emisssor comum.
4) Para determinar o ganho de corrente, vamos, novamente, admitir que as

correntes que passam pelos resistores de saída dos transistores são muito pequenas
quando comparadas aquelas do emissor. Esta suposição será confirmada na segunda
análise.
Então, reportando ao circuito acima temos,
ib = ie1/β (101)
ie1 = ie2 + ie2 1/β = (1+ 1/β) i e2 = (1+ 1/β) i 0 (102)
A corrente i b é a corrente de entrada ie dividida pelo divisor de corrente resistivo

RB = RB3//RB2 e βr e. Logo,
ib = RB /( RB+βre ) ie (102)
Substituindo (102) em (101) e o resultado em (102) resulta,
RB /( RB+βre ) i e =(β+ 1)/β. β i0 =1/α.β i0 assim
Ai = i0 /ie = α.β RB /( RB +βr e)
Ai ≈ β RB /( RB +βre ) (103)
O ganho de corrente máxima (β) foi reduzido devido ao divisor de corrente resistivo.
Que é semelhante ao ganho de corrente de um amplificador emisssor comum.

59
2) Configuração combinada
Considerando esta configuração como uma combinação de duas configurações,

um amplificador emissor comum tendo como carga um amplificado na configuração
base comum.
A figura abaixo esquematiza esta abordagem.
Base comum v0
Z0
Z i2 ≈ re r0
Emissor comum
ve ie
Zi
Assim,
1. A impedância de entrada desta configuração é igual a impedância de entrada

de um emissor comum.
2. A impedância de saída desta configuração é igual a impedância de saída de
um base comum com resistor de emissor r0 em paralelo com a carga no
terminal do coletor.
3. O ganho de tensão será igual ao ganho de tensão de um emissor comum com
carga r e (-Zi2//r0 /r e = -re // r 0 / re ≈ - re / re -1) vezes o ganho de tensão de um
base comum (RC / re ).
4. O ganho de corrente será igual ao ganho de corrente de emissor comum vezes
o ganho de corrente de um base comum (≈ 1)
60
ü Configuração Darlington
A principal função desta configuração é conseguir alta impedância de entrada e alto ganho de
corrente.
O arranjo desta configuração é conectar dois transistores do mesmo tipo de maneira que se o ganho
de corrente de um transistor for β 1 e o do outro for β2 então o ganho de corrente do arranjo será igual a
βD = β1.β2 . A conecção Darlington atua como um novo dispositivo, cujo ganho de corrente é o produto
dos ganhos individuais. A figura abaixo mostra esta configuração.
βD = IC / IB IC
IB
β1
β2
β D = β1.β2
A figura abaixo fornece as especificações de data sheets para um par Darlington

típico.
Tipo 2N999 – Transistor Darlington NPN
Parâmetro Condições de teste Mim. Max.

VBE I C = 100mA 1,8V
hFE IC = 10mA 4000
(β D) I C = 100mA 7000 70.000
61
Podemos representar esta conexão da mesma forma que fazemos para um
transitor.Para isto, considere a figura abaixo e vamos determinar a sua impedância de
entrada, a sua tranresistência (red = v be /i c com vce = 0), o seu ganho de corrente AC (βd
= i c /i e com vce = 0) e sua impedância de saída (r0d ).
vce
vce ic
ic
Q1 β d =?
C
ie r ed=? QD
r 0d=? ie
r 0d
B
vbe
vbe
β dred red
Q2
Utilizando o modelo do transistor para determinar inicialmente o ganho de

corrente AC (βd ) e a transresistência do par . Então,
vce = 0
ic = ie2 + ie1 - ic1
Q1
ie= i e1/β 1
r 01 ic1
vbe
ie1/β 1 β 1re1 re1 Q2
ie1
r 02 ic2 = 0
ie2/β 2
β 2re2 r e2
ie2
β 2 = (1+1/β
ie2/β β 1). ie1 – ic1
ic1 = β 2re2 /(β

β2re2+r01). (1+1/β
β 1). ie1
62
Da figura temos, a corrente de entrada é dada por:
β1
ie= ie1/β (104)
A corrente ic1 é igual a corrente que sai do emissor de Q1 ( (1+1/β 1). ie1 ) dividida
pelo divisor resistivo r01 e β2re2 então,
ic1 = β2re2 /(β 2r e2+r01). (1+1/β1 ). ie1 (105)
Esta equação pode ser bem aproximada usando o fato de que:
β2re2 =β2 VT /IC2 mas
IC2 =β2DC IB2 = β 2DC IE1 ≈ β2DC I C1 ≈ β2I C1 logo
β2re2 ≈ VT /IC1 = r e1 (106)
ic1 ≈ re1 /(re1+r01 ). (1+1/β1). ie1
ic1 ≈ re1 /r 0 1 .ie1 (107)
A corrente de base de Q2 é dada por:
ie2/β2 = (1+1/β1). ie1 – ic1
ie2 ≈ β2 ie1 – β2 ic1 (108)
ie2 ≈ β 2 (1- re1 /r0 1 ).i e1 ≈ β 2 i e1 (109)
A corrente de saída é dada por:
ic = ie2 + ie1 - ic1 (110)
Substituindo (107)e (109) em (110) resulta,
ic ≈ β2 ie1 + ie1 - re1 /r0 1 .ie1 = (β2 + 1 - re1 /r0 1 ).i e1
ic ≈ β 2 .ie1 (111)
β d = ic / ie ≈ β 1.β
β2 (112)
63
Para determinar a transresistência (r ed) nos reportamos novamente a figura
anterior. Assim, da malha base de Q1 ao emissor de Q2 temos,
ve ≈ re1i e1 + re2ie2 (113)
ve = re1i e1 + re1i e1 = 2 re1ie1 = 2β 2re2 ie1 (114)
ve ≈ 2re2 ic então
r ed = ve / ic ≈ 2re2 (115)
Para determinar a impedância de saída (r0d) nos reportamos agora a figura abaixo.
Assim, da malha base de Q1 ao emissor de Q2 temos,
ix = i c1 - ie1 + i e2 + i02
iy = ic1 - ie1 + ie2
vx
ry r0d = vx /ix
r0d = r02 //ry
ry = vx /iy
Q1
ie2 i02
r 01 ic1
ie1/β 1 β 1re1 r e1 Q2
ie1
β 2re2 ≈ re1 r 02 i02
vb
ie2 /β 2 β 2re2
β 1). ie1 + i e2/β 2
ic1 = (1+1/β re2
ie2
vb ≈ re1 / 2r01 .vx
64
Da figura temos
vb = [re1 //β1re1 //β2r e2]/[ re1 //β1re1 //β2re2 + r01].vx
como β 2re2 ≈ re1 e r01 >> re1
vb ≈ r e1/2r01 .vx (116)
Agora as correntes i e1, i e2 e ic1 podem ser facilmente obtidas
ie1 = vb / re1 = vx /2r 01 e (117)
ie2 = β 2 vb /β
β 2re2 = β 2 vb /re1 = β 2 i e1 (118)
e, finalmente
ic1 = (vx -vb )/r01 = (1- re1/2r 01 ) vx /r01 ≈ vx /r 01 (119)
temos ainda que,
iy = ic1 - ie1 + ie2 = ic1 +(β2 - 1)ie1
iy = v x /r01 +(β2 - 1) vx /2r 01
iy = vx /r01 (1+(β 2 - 1)/2) ≈ vx 2β2/r01
Mas β2 /r01 = β2 IC1 /VA ≈ IC2 / VA =1/r 02 então
iy = vx 2/r02 e
ry = v x / iy = r02 /2 e portanto
r0d = ry //r02 = r02 /2 // r02
r0d =2/3. r 02 (120)

60
ü Configuração Darlington
corrente.
O arranjo desta configuração é conectar dois transistores do mesmo tipo de maneira que se o ganho
de corrente de um transistor for β1 e o do outro for β2 então o ganho de corrente do arranjo será igual a
βD = β1.β2 . A conecção Darlington atua como um novo dispositivo, cujo ganho de corrente é o produto
dos ganhos individuais. A figura abaixo mostra esta configuração.
IC βD = IC / IB IC
IB Q1 IB
β1
QD
Q2
β2
βD = β1.β2
Obs: 1) Esta configuração pode ser feita também com transistores PNP.
2) Como o transistor Q1 opera com baixas corrente, e comumente encontrado na prática um
resistor entre a base e o emissor de Q2 , assim β 1 não é reduzido.
A figura abaixo fornece as especificações de data sheets para um par Darlington

típico.
Tipo 2N999 – Transistor Darlington NPN
Parâmetro Condições de teste Mim. Max.

VBE IC = 100mA 1,8V
hFE IC = 10mA 4000
(βD) IC = 100mA 7000 70.000
61
Podemos representar esta conexão da mesma forma que fazemos para um
transitor.Para isto, considere a figura abaixo e vamos determinar a sua impedância de
entrada, a sua tranresistência (red = vbe /ic com vce = 0), o seu ganho de corrente AC (βd
= ic /ie com vce = 0) e sua impedância de saída (r0d ).
vce
vce ic
ic
Q1 β d =?
C
ie red=? QD
r0d=? ie
r0d
B
vbe
vbe
β dred red
Q2

corrente AC (βd ) e a transresistência do par . Então,
vce = 0
ic = ie2 + ie1 - ic1
Q1
ie= ie1/β 1
r01 ic1
vbe
ie1
r02 ic2 = 0
ie2/β 2
β 2re2 re2
ie2
ie2/β 2 = (1+1/β 1). ie1 – ic1
ic1 = β 2re2 /(β 2re2+r01). (1+1/β 1). ie1

62
ie= ie1/β1 (104)
A corrente ic1 é igual a corrente que sai do emissor de Q1 ( (1+1/β1). ie1 ) dividida
pelo divisor resistivo r01 e β2re2 então,
ic1 = β2re2 /(β2re2+r01). (1+1/β1). ie1 (105)
β2re2 =β2VT /IC2 mas
IC2 =β2DC IB2 = β2DC IE1 ≈ β2DC IC1 ≈ β2IC1 logo
β2re2 ≈ VT /IC1 = re1 (106)
ic1 ≈ re1 /(re1+r01). (1+1/β1). ie1
ic1 ≈ re1 /r0 1 .ie1 (107)
A corrente de base de Q2 é dada por:
ie2/β2 = (1+1/β1). ie1 – ic1
ie2 ≈ β2 ie1 – β2 ic1 (108)
ie2 ≈ β2 (1- re1 /r0 1 ).ie1 ≈ β2 ie1 (109)
ic = ie2 + ie1 - ic1 (110)
Substituindo (107)e (109) em (110) resulta,
ic ≈ β2 ie1 + ie1 - re1 /r0 1 .ie1 = (β2 + 1 - re1 /r0 1 ).ie1
ic ≈ β2 .ie1 (111)
βd = ic / ie ≈ β1.β2 (112)
63
Para determinar a transresistência (red) nos reportamos novamente a figura
anterior. Assim, da malha base de Q1 ao emissor de Q2 temos,
vbe ≈ re1ie1 + re2ie2 (113)
vbe = re1ie1 + re1ie1 = 2 re1ie1 = 2β2re2 ie1 (114)
vbe ≈ 2re2 ic então
red = vbe / ic ≈ 2re2 (115)
Para determinar a impedância de saída (r0d) nos reportamos agora a figura abaixo.
ix = ic1 - ie1 + ie2 + i02

iy = ic1 - ie1 + ie2
vx
ry
r0d = vx /ix
Q1 r0d = r02 //ry
ry = vx /iy
ie2 i02
r01 ic1

ie1
β 2re2 ≈ re1 r02 i02
vb
ie2 /β 2 β 2re2 re2
ic1 = (1+1/β 1). ie1 + ie2/β 2
ie2
vb ≈ re1 / 2r01 .vx
64
Da figura temos
vb = [re1 //β1re1 //β2re2]/[ re1 //β1re1 //β2re2 + r01].vx
como β2re2 ≈ re1 e r01 >> re1
vb ≈ re1/2r01 .vx (116)
Agora as correntes ie1, ie2 e ic1 podem ser facilmente obtidas
ie1 = vb / re1 = vx /2r01 e (117)
ie2 = β2 vb /β2re2 = β2 vb /re1 = β2 ie1 (118)
e, finalmente
ic1 = (vx -vb)/r01 = (1- re1/2r01 ) vx /r01 ≈ vx /r01 (119)
temos ainda que,
iy = ic1 - ie1 + ie2 = ic1 +(β2 - 1)ie1
iy = vx /r01 +(β2 - 1) vx /2r01
iy = vx /r01 (1+(β2 - 1)/2) ≈ vx 2β2/r01
Mas β2/r01 = β2 IC1/VA ≈ IC2 / VA =1/r02 então
iy = vx 2/r02 e
ry = vx / iy = r02 /2 e portanto
r0d = ry //r02 = r02 /2 // r02
r0d =2/3. r02 (120)
Portanto esta conexão de dois transitores pode ser substituindo por um transitor
como mostrado abaixo.
65
vce
vce ic
ic
Q1 β d = β 1β 2
C
ie red = 2re2 QD
r0d= 2/3r02 ie
r0d
B
vbe
vbe
β dred red
Q2
Na prática a mais presente das aplicações com esta conecção é o amplificador

seguidor de emissor, já que, o que se deseja é o alto ganho de corrente. Para
exemplificar isto vamos resolver o exercício abaixo.
Exercício:
Para o circuito seguidor de emissor abaixo, determine

a) Zi e Z0
b) Av e Ai
VCC =18V
RB
3,3M Q1 C
ie
B
β D = β 2β 1 =8000
ve VBE = 1,6V
C1 ib
.1uF
Q2 C2
1uF
E
Zi
v0
RE
390Ω i0
Z0
66
1) Análise DC
Da malha base emissor temos,
IB = (VCC – VBE )/[RB +(βD +1)RE] = (18V – 1,6V)/[3,3MΩ +(8000+1)390Ω]
≈ 16,7V /[3,3MΩ +3,12MΩ] =16,7V /6,42MΩ ≈ 2,6µA
A corrente de coletor é dada por:
IE ≈ IC = βD IB = 20,8mA
red =2re2 =2VT / IC =52mV /20,8mA ≈ 2,6Ω
2) Análise AC
a) A impedância de entrada é dada por:

≈RE
Zi = RB //(βD+1) (RE+red ) = 3,3MΩ //3,12MΩ ≈ 1,6 M Ω
b) A impedância de saída (ve =0) é dada por:
Z0 = r0d //RE//red ≈ red ≈ 2,6Ω
c) O ganho de tensão é dado (desprezando r0d ) por:
Av = RE/( RE + red ) = 390/392,6 = 0.993
d) O ganho de corrente pode ser facilmente determinado. Da figura temos,
ib = RB /(RB +(βD+1)RE ) ie então
i0 =βD ib = βD RB /(RB +(βD+1)RE ) logo
Ai ≈ βD RB /(RB +βDRE ) = 8000.3,3MΩ /(6,42MΩ) ≈ 4112

67
ü Configuração Par realimentado (Quasi-Darlington)
corrente principalmente como um dispositivo complementar ao Darlington NPN .
O arranjo desta configuração é conectar dois transistores de tipos diferentes de maneira que se o
ganho de corrente de um transistor for β1 e o do outro for β2 então o ganho de corrente do arranjo será
igual a β12 = β1.β2 . O par realimentado funciona muito bem como um arranjo PNP –NPN para ser
equivalmete a um transistor PNP de alto ganho de corrente. A figura abaixo mostra esta configuração.
IC βPN = IC / IB IC
QP
IB
IB
QPN
βP
QN
βPN = βP.βN
βN
Par PNP-NPN
IC βNP = IC / IB IC
QP
βP IB
IB QNP
QN
βN βNP = βN.βP
Par NPN-PNP
Obs: Analisaremos somente a conexão NPN-PNP, mas todos os resultados se aplica ao outra
conexão.
68
Novamente, podemos representar esta conexão da mesma forma que fazemos para
um transitor.Para isto, considere a figura abaixo e vamos determinar a sua impedância
de entrada, a sua tranresistência (rep = vbe /ic com vce = 0), o seu ganho de corrente AC
(βn = ic /ie com vce = 0) e sua impedância de saída (r0p ).
vce vce
ic
C C
ic
QP β np = ?
renp =? QNP
βP r0np =? ie
ie QN
r0np
vbe B
B β nprenp renp
vbe
βN E
E

corrente AC (βnp ) e a transresistência do par . Então,
vce = 0
ic = iep + iep /β p
iep
QP
β prep ≈ ren rep
β prep
iep/β p
r0p icp = 0
QN
ie= ien/β n
r0n icn
vbe iep/β p = ien – icn
ien/β n β nren ren
icn= β prep /(β prep+r0n). ien
ien
69
ie= ien/βn (121)
A corrente icn é igual a corrente que sai do emissor de QN (ien ) dividida pelo divisor
resistivo r0n e βprep então,
icn = βprep /(βprep+r0n). ien (122)
βprep =βpVT /ICP mas
ICP =β2DC IBP = β2DC IEN ≈ β2DC ICN ≈ βpICN logo
βprep ≈ VT /ICN = ren (123)
icn ≈ ren /(ren+r0n). ien
icn ≈ ren /r0 n .ien (124)
A corrente de base de QP é dada por:
iep/βp = ien – icn
iep = βp ien – βp icn (125)
iep ≈ βp (1- ren /r0 n ).ien ≈ βp ien (126)
ic = iep (1+1/βp ) ≈ iep (127)
Substituindo (126) em (127) e em seguida (121) resulta,
ic ≈ βp ien = βp.βn ie (128)
Logo
βnp = ic / ie ≈ βn.βp (129)

70
Para determinar a transresistência (renp ) nos reportamos novamente a figura
anterior. Assim, da malha base emissor de Qn temos,
vbe = βnrenie (130)
vbe ≈ ren /βp ic (131)
Mas de (123) ren≈ βprep então,
renp = ve / ic ≈ rep (132)
Isto é, a transresistência da conexão é igual a tranresistência do transistor PNP, e

portanto só depende da corrente de polarização deste.
v Obs: Note que a transresistência é o dobro da conexão Darlington para as

mesma condições de polarização.
Para determinar a impedância de saída (r0np) nos reportamos agora a figura abaixo.
vx
ry
iy = iep + iep /β p ix = iep + iep /β p + icp
iep r0np = vx /ix

QP r0np = r0p //ry
β prep ≈ ren rep
β prep ry = vx /iy
iep/β p
vb r0p icp
QN
r0n icn = iep/β
β nren ren
ien
71
Da figura temos
iep /βp = vx /(βprep + r0n)
como βprep ≈ ren e r0n >> ren
iep /βp ≈ vx /r0n (133)
Agora a corrente iep pode ser facilmente obtida
iep ≈ βp vx /r0n (134)
Temos Ainda,
iy = iep (1+ 1/βp) ≈ iep (135)
iy ≈ βp vx /r0n
Mas βp /r0n = βp ICN /VA ≈ ICP / VA =1/ r0p então
iy = vx 1/r0p e
ry = vx / iy ≈ r02 e portanto (136)
r0np = ry //r02 = r02 // r02
r0np ≈ r02/2 (137)
Obs: Note que a impedância de saída é igual a metade da impedância de saída do

transistor PNP, e assim maior do que a conexão Darlington para as mesma condições
de polarização.
Portanto esta conexão de dois transitores pode ser substituindo por um transitor
como mostrado abaixo.
72
vce vce
β np= β nβ p ic
C ic C
QP renp = rep
βN r0np= r0p
QNP
ie QN ie
r0np
B
B vbe
vbe β nprenp renp
βN E
E
Na prática é comum uma variação da configuração Par realimentado, como mostra a

figura abaixo.O objetivo do resistor RP é de estabelecer uma corrente de polarização
relativamente precisa no transistor QN. É deixado como exercício para o aluno mostrar
que nesta configuração os parâmetros equivalentes agora são dados por:
k'
βnp ≈ βnβ’p , renp ≈ k /β’p . rep , r0np ≈ r0p k’ /(k’ +1)
Onde β’p = βp . RP/(RP+βp rep) e k = ICP /ICN
Sendo que ICP e ICN são as correntes de polarização que passa por QP e QN,
respectivamente.
Note que se RB =∞ então β’p = βp e k = IC2 /IC1 = βp (k’=1) e portanto,
βnp ≈ βnβp , renp ≈ rep e r0np ≈ r0p/2
O efeito de RP é de diminui os valores de βnp, renp e r0np .(k’ é sempre menor ou igual
a 1).
vce ic
β np ≈ β nβ’p
RP renp = k’rep
C βP r0np= k’/(k’+1)r0p
QP
Onde
ICP β’p =β p . RP/(RP+β p rep)
ie QN
k = ICP /ICN
k’ = k/β’p
ICN
B
ICN ≈ VBE /RP
βN E
73
A corrente de polarização (coletor) do transistor QN será dada por:
ICN = VBE /RP + ICP /βP Onde I C2 é A corrente de polarização do transistor QP.
Na prática ICP é tipicamente 10.ICN (k =10) então,
ICN ≈ VBE /RP
Comumente uma das aplicações com esta conecção é o amplificador seguidor de

emissor, devido o seu alto ganho de corrente. Outra aplicação é como amplicador
emissor comum. Para exemplificar vamos resolver os exercícios abaixo.
Exercício 1:
Para o circuito seguidor de emissor abaixo, determine

c) Zi e Z0
d) Av e Ai
VCC =18V
C
RB QP
B βN
2MΩ
QN β N =140
ie
β NP =140*180 =25,2k
β P =180
C2
ve C1 ib βN 1uF
.1uF E
Zi v0
RE
75Ω i0
ZB Z0
1) Análise DC

≈βNP
IBN = (VCC – VBE )/[RB +(βNP +1)RE] = (18V – 0,7)/[2MΩ +(140*180)75Ω]
≈ 17,3V /[2MΩ +1,89MΩ] =17,3V /3,89MΩ ≈ 4,45µA

74
A corrente de coletor de QN é dada por:
IEN ≈ ICN = βN IB = 140 * 4,45µA =0,62mA
Só para verificação temos,
ren = VT / ICN =26mV /0,62mA ≈ 41,9Ω
A corrente de coletor de QP é dada por:
IEP ≈ ICP = βP ICN = 180 * 0,62mA ≈ 112mA
renp = rep = VT / ICP =26mV /112mA ≈ 0,23Ω
2) Análise AC
a) A impedância de entrada é dada (desprezando r0np ) por:

ZB
≈βnp
Zi = RB //[(βnp+1) RE +βnprenp] ≈ 2MΩ //1,89MΩ ≈ 974k Ω
Z0 = r0np //RE //renp //βnprep ≈ rep ≈ 0,23Ω
c) O ganho de tensão é dado (desprezando r0np ) por:
Av = RE/( RE + renp) = 75Ω /( 75Ω +0,23Ω ) ≈ 0.997
d) O ganho de corrente pode ser facilmente determinado. Da figura temos,
ib = RB /(RB +ZB ) ie então
i0 =βnp ib = βnp RB /(RB + ZB ) logo
Ai ≈ βnp RB /(RB + ZB ) = 25,2k*2MΩ /(3,89MΩ) ≈ 12,95k (<βnp)

75
Exercício 2:
Para o circuito amplificador emissor comum com o par quasi-darlington abaixo,

determine.
a) Zi e Z0
b) Av e Ai
VCC =18V
RC
8kΩ i0 C2
10uF
v0
RB1 RP
900kΩ 7kΩ
C
QP Z0
ie βN rop =100kΩ
VB B β N =200
QN β NP =200*100 =20k
ve C1 ib βN β P =100
.1uF E VE
RB2
Zi 100kΩ
RE C3
1kΩ 10uF
ZB
1) Análise DC
Antes de mais nada é importante notar que:
a) a corrente de transistor QN já está definida pelo resistor RP e a tensão VBE de QP;

b) que a soma das corrente que passa nos dois transistores é definida pelo o potencial
do terminal de emissor e o resistor RE;
c) se a corrente de base de QN for muito menor que as correntes que passam pelo
resistores RB1 e RB2 então a tensão na base de QN independe desta.
76
A corrente de coletor do transistor QN (ICN ) é dada por:
ICN = VBE /RP = 0,7V/7kΩ = 100µA
A corrente de base do transistor QN (IBN) é dada por:
IBN = ICN /βN = 100µA /200 =0,5µA
Se calcularmos a corrente que em RB1 e RB2 (IB ) com a base de QN desconectada

temos,
IB = VCC /(RB1+ RB2) = 18V /(900kΩ +100kΩ)= 18µ A
Que muito menor que a corrente de IBN . Portanto, se desconectarmos a base de QN, a
tensão nesta praticamente não mudará. Em outra palavras a corrente de base de QN
pode ser desconsiderada. (isto é equivalente a dizer que ZB >> RB1//RB2)
Portanto a tensão na base de QN pode ser calculada por:
VB ≈ VCC RB2/(RB1+ RB2) = 18V*100kΩ /(900kΩ +100kΩ) =1,8V
E a tensão no emissor de QN
VE = VB - VBE = 1,8V – 0,7V = 1,1V
A corrente que passa pelo resistor RE é agora determinada
IE = VE /RE = 1,1V /1kΩ = 1,1mA
Assim corrente de coletor de QP (ICP) é dada por:
ICP = IE - ICN = 1,1mA – 0,1mA =1mA
2) Análise AC
Da análise anterior
rep =VT / ICP =26mV /1mA =26Ω
Temos ainda,
β’p =βp . RP/(RP+βp rep) = 100*7kΩ /(7kΩ +2,6kΩ ) ≈ 73
k = ICP /ICN = 1mA / 0.1mA = 10 e k’ = k /β’p = 10 /73 ≈ 0,13

77
Logo
βnp ≈ βnβ’p =200*73 =14,6k

renp = k’rep = 0,13*26 ≈ 3,4Ω
r0np= k’/(k’+1)r0p = 0,13/(0,13+1)*100kΩ ≈ 11,5kΩ
a) A impedância de entrada é dada por:
RB ZB
Zi = RB1 //RB2//[βnprenp] ≈ 900kΩ //100kΩ //(14,6k*3,4Ω ) ≈ 32k Ω
Z0 = //RC = 11,5kΩ //8kΩ ≈ 4,7kΩ
c) O ganho de tensão é dado por:
Av = - Z0 / renp = - 4,7kΩ /3,4Ω ≈ -1.382
d) O ganho de corrente pode ser facilmente determinado.
ib = RB /(RB +ZB ) ie = 90kΩ /142kΩ ie = 0,64ie (divisor de corrente RB e ZB)
i0 = r0np/( r0np+RC)βnpib =11,5kΩ /(11,5kΩ +8 kΩ) βnpib = 0,59βnpib (divisor de

corrente
ronp e RC)
logo
Ai = i0 / ie = 0,59*βnp 0,64 = 0,59*14,6* 0,64 ≈ 5,51k

78
ü Configuração Espelho de corrente (Fonte de corrente)
A principal função desta configuração é conseguir “espelhar” uma corrente desenvolvida sobre
um lado do circuito. Esta configuração é particularmente apropriada para projeto de circuitos
integrados devido à semelhança (casamento) entre os dispositivos do mesmo tipo .
Esta configuração permite que dois transitores do mesmo tipo sejam conectado de
tal forma que a corrente de coletor de um transistor seja relacionada de forma
razoavelmente precisa com a corrente de coletor do outro.
A figura abaixo mostra esta configuração com transistor NPN. É claro este espelho
de corrente pode ser feito com transistores PNP. Este tipo de conexão de circuito é a
mais simples configuração de uma classe de circuitos analógicos conhecida como
“Circuitos Translineares”. Este nome se deve ao fato de que a transcondutância (1/r e )
do transistor ser linearmente proporcional à corrente DC.
V CC
R I REF I C2 R I REF I C2 = AI IREF
v0
v0
Q1 Q2
Note que nesta conexão os parâmetros importantes são:
1) Ganho de corrente A I (I C2 /I C1 ). (observe que é grande sinal)

2) A impedância de saída do espelho de corrente Z0 (v 0 /ic2) (pequeno sinal)
3) A excursão da saída (Valor max. – Valor min. da tensão do terminal de saída)
79
Vamos determinar estes parâmetros. Incialmente, vamos determinar o ganho de
corrente AI (note que a letra do subscrito é maiúscula indicado que é um ganho DC).
Admitiremos nesta análise que:
1. Os transistores são idênticos exceto na área de emissor;

2. A corrente de coletor só depende da tensão VBE;
3. Os dois transistores estão na mesma temperatura.
A corrente de coletor pode expressa na seguinte forma (se desprezarmos o efeito

early):
I C = IS [exp(VBE /VT ] –1) ≈ IS expVBE /VT (138)
Onde VT = kT/q = 26mV (temperatura ambiente) e IS é uma constante usada para

descrever a característica de transferência do transistor na região ativa.
Note que o valor VBE está na faixa de 600mV a 800mV.
Então,
exp(VBE /VT ) ≥ exp(600mV/26mV) ≈ exp23 ≈ 10.523.988.179
Ou seja, a equação (138) é extremamente bem aproximada.
A equação (138) pode incluir o efeito early , reescrevendo-a da seguinte forma:
IC = IS expVBE /VT [1+VCE /VA] (139)
Neste momento usaremos a equação (138). Notando que esta pode ainda ser
expressa por:
IC = JS AE expVBE /VT ou (140)
VBE = VT Ln(IC/JS AE ) (141)
Onde JS (densidade de corrente) é uma constante que depende dos parâmetros de

fabricação do transitor , como carga total na região de base, largura da região de base,
etc., e AE é a área da secção transversal do emissor.
80
Assim da figura abaixo temos,
VCC
R I REF IC2
A1 e A2 área de emissor
IB1 + IB2
IC1 β 1=β
β2 =β
β
A1 A2
I B1 IB2 Q2
Q1 VB E
Espelho de corrente
IREF = (VCC –VBE )/R (143)
IC1 = IREF - (IB1 + IB2 ) = IREF -1/β ( IC1 + IC2 ) ou
β )(1+1/β
IC1 = (I REF - IC2 /β β) (144)
I C1 = JS A1 expVBE /VT (145)
IC2 = J S A2 expVBE /VT (146)
Dividindo (145) por (146) resulta,
IC2 = A2/A1 IC1 (147)
IC2 = A2 /A1β (β+1+A2 /A1) .IREF
Então, o ganho do espelho de corrente é,
β /(β
AI = IC2 IREF = A2 /A1 .β β +1+A 2 /A1 ) (148)
Se as áreas dos transistores são iguais então,
β /(β
AI =β β +2) (149)
Ou seja, muito próximo da unidade.

81
Para determinar a impedância de saída do espelho de corrente, vamos reportamos
a figura abaixo.
i C2
R
Curto real
Z0
Q1 Q2
A1 r 01 r 02
A2
β re1 β re2
r e1 r e2
ZB
βre1// re1 // r01 ≈ re1

ZB = R //β para R >> re1, condição que na prática é sempre satisfeita
A impedância vista pela base do transistor Q2 é dada por:
ZB ≈ re1
Que é obtida usando o fato de que os tres pontos no círculo vermelho estão
efetivamente em curto circuito. Aqui, esta impedância de nenhuma forma influência na
impedância de saída do espelho.
E, por inspeção, a impedância de saída do espelho de corrente é dada por:
Z0 = r02
Este espelho de corrente por ser generalizado para N corrente de saída iguais, ou
não, como mostrado na figura abaixo.
82
A1 = A2 = A 3 = ... AN
IC1 = IC2 = IC3 = ... I CN = IC0

VCC
R I REF I C1 IC2 I C3 I CN
β
I BT = (N+1) IC0 /β
Q0 Q1 Q3 Q3 QN
IC0
Espelho de corrente de N saídas iguais
No caso espelho de corrente acima (correntes de saída iguais) é fácil mostrar que
o ganho de corrente é dado por:
β /(β
AI =β β +N+1 ) (150)
A impedancia de saída de cada uma das saída do espelho continua sendo igual a
impedância de saída do transistor (r 0 ).
Note agora que para um grande número de saídas o ganho de corrente começa a
ficar menor que a unidade e muito dependente de β, o que é indesejável.
Para contornar este problema basta observarmos que a corrente de referência

(IREF) difere de IC0 devido as correntes de base dos transistores (IBT ). Assim podemos
“bufferizar” esta corrente IBT de maneira que esta nova configuração é mostrada a
seguir.
83
A1 = A2 = A 3 = ... AN
VCC VCC IC1 = IC2 = IC3 = ... I CN = IC0
R IREF
I C1 IC3 ICN
QB
IB β
IBT =(N+1)IC0 /β
Q0 Q1 Q3 Q3 QN
I C0
Espelho de corrente com multiplas saídas e com buffer.
Da figura temos,
IC0 = IREF - IB = IREF - IBT /(1+β) mas
IBT =(N+1)IC0 /β então (151)
ICJ = IREF - (N+1)I CJ /(1+β)β J =0,1,=2 ..N (152)
ICJ = IREF /(1+(N+1)/(1+β)β)
ICJ ≈ IREF /(1+(N+1)/β2) = IREF β2 (β2 +N+1) logo
β 2/(β
AI =β β 2+N+1 ) (153)
Note agora que mesmo para um grande número de saídas o ganho de corrente
ainda é próximo da unidade e pouco dependente de β, o que é desejável.
84
Exercício:
Calcule as correntes, IREF, I C1 e IC2 , através dos transistores Q0 , Q1 e Q2 no

espelho de corrente abaixo. Repita para a corrente IBT buferizada. Suponha que os
transistores são idênticos e despreze o efeito early.
VCC =6V
R
Ω
1,3kΩ IREF I C1 I C2
β
IBT = (2+1) IC0 /β
Q0 Q1 Q3 β =100
IC0
Solução:
a) Sem Bufer (como mostra a figura)
A corrente IREF é
I REF = (VCC -VBE )/R = (6,0V-0,7V)/1,3kΩ ≈ 4,076mA
Portanto, as correntes é IC1 , IC2
I C1 = IC2 = IC0 = AI IREF = β/(β+3). IREF =100/(103). 4,076mA =3,958 mA
b) Com Bufer (+ um transistor no lugar da ligação base coletor de Q0 )
A corrente de referência será agora dada por
I REF = (VCC -2VBE )/R =(6,0V-1,4V)/1,3kΩ ≈ 3,538mA
Portanto, as correntes é IC1 , IC2
I C1 = IC2 = IC0 = AI IREF = β2/(β2 +3). IREF =1002/(1002 +3 ).3,538 mA =3,537 mA

85
• Espelho de corrente com resistor no emissor.
Como na prática os transistores não são perfeitamente casados (semelhantes) ou,

quando se deseja implementar um espelho (ou fonte) de corrente discreto é necessário
implementar um espelho de corrente com resistor de degeneração de emissor. A figura
abaixo mostra esta configuração.
O objetivo desta configuração é deixar a corrente espelhada (I C1 ou IE1)

independente principalmente da diferença de VBE’s.
VCC
R I REF IC2
IB1 + IB2
IC1
A1 A2 A 2 = A1
I B1 IB2 Q2
Q1 RE1 = RE2 = RE
I E1 RE2 IC2
RE1 ∆ VBE
V BE1 = VBE2 +∆
Espelho de corrente com resistor de degeneração de emissor
Da figura temos,
VCC =RIREF +VBE1 +RE IE1 e
VCC =RIREF +VBE2 +RE IE2 (154)
Supondo VBE1 = VBE2 +∆VBE então
VCC =RIREF + VBE2 +∆VBE +REIE1 (155)
Subtraindo (155) de (154) resulta
I E1 =∆VBE /RE + IE2 (156)
A espressão (156) mostra que se a queda de tensão no resistor R E for muito maior
que o descasamento de VBE dos transistores a corrente IE1 será muito próxima de IE2 e
porconseguinte, IC1 ≈ IC2.
86
Outra consequência desta da inserção dos resistores de degeneração de
emissor é que a impedância de saída do espelho decorrente aumenta bastante. A figura
abaixo mostra o circuito equivalente para pequenos sinais do o espelho.
ix
R
Curto real
Z0
vx
Z 0 = vx / ix
Q1 Q2
r 01 r 02
β re1 β re2
r e1 re2
ZB
RE RE
ZB ≈ (R E+re1)//R
A impedância vista pelo terminal da base do transistor Q2 (ZB ) é por inspeção

dada por:
ZB ≈ (RE +re1)//R
Então redesenhando a figura acima resulta,
ix = i02 – i 01
Z0
vx
Z 0 = vx / ix
i01/β
Q2
r 02 i 02
β re2
ZB re2
i01
β+1)
i e = i02 - i 01(1/β
RE
87
RE ie = RE (i02 - i01(1/β+1)) = re2 i01 +ZBi01/β então
i 02 = [(1/β+1+ (r e2+ ZB /β)/RE] i01 (157)
Temos ainda,
i x = i02 - i01 = [(1/β+1+ (r e2+ ZB /β)/RE -1] i01 então
β + (r e2+ ZB /β
i 01 = 1/[(1/β β )/RE ] .i x (158)
e de (157) e (158) vem,
i 02 = [(β +1)R E + β re2+ ZB ] [β re2 + ZB + RE]. ix (159)
Da malha coletor emissor resulta,
vx = r02 i02+ RE (i02 –(1/β+1) i01
vx = (r 02 + RE )i02 - RE (1/β+1) i01 (160)
vx /ix =(r 02 + RE ) [(β+1)RE +βre2+ ZB ] [β r e2 + ZB + RE] - βRE RE /[(RE +βr e2+ZB ]
Z0 = vx /ix = r02 [(β+1)RE +βr e2+ ZB] (RE +βr e2+ZB ) + RE
Z0 = r02 [1+ (β RE +βr e2+ ZB ) (RE+βre2 +ZB)] + RE (161)
Como
(βRE +βre2+ ZB ) (RE+βr e2 +ZB) >>1
Z0 >> r02
Portanto a impedância de saída é muito maior que a impedância de saída do de

um espelho de corrente sem degeneração de emissor.
88
• Espelho de corrente com alta impedância de saída.
Quando se deseja um espelho de corrente com alta impedância de saída sem

utilizar resistores de degeneração de emissor, já que uma desvantagem de se utilizar
estes resistores e diminuir a excursaõ de operação do espelho, pode-se utilizar a
configuração mostrada abaixo.
VCC
I C2
R IREF
IB2
I C1 = IC3
IC1 IC3
A1 A3 A 3 = A1
I B1 IB3 Q3
Q1
I B1 = IB3
Espelho de corrente com alta impedância de saída (Wilson)
Da figura temos,
I C3 = IC2 + IB2 – (IB1 + IB3 ) = IC2 (1+1/β) - 2 IC3 /β
I C3 = IC2 (1+1/ β)/(1+2/β ) (162)
Temos ainda,
I C1 = IREF - IB2 = IREF - IC2/β (163)
I C1 = IC2 = IREF[1 – 2/(β 2+2β +2)] (164)
É deixado como exercício para o aluno mostrar que a impedância de saída deste
espelho é igual à
Z0 ≈ βr02/2 (165)
89
ü Configuração par diferencial (amplificador diferencial)
A principal função desta configuração é amplificar a diferença (e somente a diferença) de dois

sinais de entrada. Esta configuração é largamente utilizada em projeto de circuitos integrados.
Esta configuração permite que dois transitores do mesmo tipo sejam conectado de
tal forma que uma tensão difenrencia ou não na saída seja proporcional a difenreça de
duas tensões aplicadas.
VCC
RC RC
IC1 V01 v 01 v02 V02 IC2
Ve1 V e2
Q1 Vx Q2
ve1 vx v e2
I0
-VEE
Configuração par diferencial (amplificador diferencial)
Antes de analisarmos esta configuração vamos definir alguns conceitos. A

principal característica do amplificador diferencial e a sua capacidade de amplificar a
diferença dos sinais de entrada sem amplificar o sinal de modo comum. Estes sinais são
definidos abaixo.
Sinal diferencial de entrada ≡ ∆Ve = ved = ve1 – ve2
Sinal de modo comum de entrada ≡ vec = (ve1+ve2)/2
Sinal diferencial de saída ≡ ∆V0 = v0d = v01 – v02
Sinal de modo comum de saída ≡ v0c = (v01+v02 )/2

90
Estes sinais são relacionados entre si pelos seguintes parâmetros.
Ganho diferencial ≡ Ad = v0d /ved
Ganho de modo comum ≡ Ac = v0c /v0d
Rejeição de modo comum ≡ Ad /Ac
Existem outros parâmetros que relacionam as entradas, diferencial e modo

comum com as saídas, diferencial e modo comum. Como por exemplo, o ganho
diferencial-comum (Adc = v0d / v ec ) e o ganho comum-diferencial Acd = v0c / v ed ),mas se
o amplificador for simétrico estes ganhos serão iguais a zero.
O par diferencial merece uma atenção especial tendo em vista a sua larga
aplicação principalmente em projeto de circuitos integrados. Para isto vamos dividir a
nossa análise deste amplificador em uma análise para grandes sinais e uma análise
para pequenos sinais.
• Análise para grandes sinais (Característica de transferência DC)
Usaremos a expressão que relaciona a corrente de coletor com a tensão vbe do

transistor bipolar, já mostrada anteriormente e repetida aqui. Além disso vamos supor
que os transistores são idênticos. Assim,
I C = IS expVBE /VT ou VBE = VT ln IC /IS
Da figura temos,
VBE1 = Ve1 –Vx = VT ln (IC1 /IS ) e (166)
VBE2 = Ve2 –Vx = VT ln (IC1 /IS ) (167)
Combinando (166) com (167), resulta
I C1 /IC2 = exp (Ve1 - Ve2)/VT = expVed /VT (168)
onde Ved = Ve1 - Ve2
Temos ainda,
I E1 +IE2 = I0 =1/αDC [IC1 +I C2} (169)
Combinando as equações (168) e (169):

91
I C1 = α DC I0 /[1+exp(-Ve1/ VT)] (170)
α DC I0 /[1+exp(Ve2/VT)]
I C2 =α (171)
A voltagem de saída V0 = V02 - V01 pode ser encontrada, desde que
V02 = VCC –RC I C2
V01 = VCC –RC I C1
Então
V0 = α DC I0 RC tanh Ved/VT (172)
As figuras abaixo mostram a dependência IC1 , IC2 e V0 com Ved.
I C1, I C2
α DC I0
α DC I0 /2
-4VT -3V T -2V T -VT VT 2V T 3V T 4VT

Ved
Correntes de saída em função da tensão diferencial de entrada

92
V0d
α DC I0RC
-4V T -3V T -2VT -V T VT 2V T 3V T 4VT

Ved
Região linear
≈ 50mV
α DC I0 RC
-α
Voltagem de saída em função da tensão diferencial de entrada
Dois fatores são importantes notar aqui.
1. Somente uma faixa de ≈ 50mV da tensão entrada é linear;

2. Quando a tensão diferencial de entrada é zero a saída é zero.
93
• Análise para pequenos sinais
Com o objetivo de mostrar que é importante explorar uma característica

particular de um certo circuito faremos a análise do amplificador explorando a
simetria do circuito e utilizando o conceito de meio circuito.
Antes de realizarmos esta análise vamos mostrar que quaisquer dois sinais podem
ser expresso em função de suas componentes diferencial e comum, ou seja, um sinal
diferencial e um de modo comum. Se não vejamos.
Como vimos anteriormente o sinal de modo diferencial (ou simplesmente,

diferencial) de entrada é expresso por:
ved = ve1 – ve2
E o sinal de modo comum de entrada é expresso por:
vec = (ve1+v e2)/2
Estas equações podem ser invertidas para expressarmos ve1 e ve2 em função de
ved e vec.
ve1 = ved /2 + vec e
ve2 = -ved /2 + vec
Da mesma forma as voltagens de saídas podem ser expressa por:
v01 = v0d /2 + v0c e
v02 = -v0d /2 + v0c
O significado físico destas variáveis pode ser entendido redesenhando o circuito

do amplificado diferencial e mostrado abaixo. Note que o ved é a diferença entre as duas
entradas, enquanto v 0d é média das duas entradas.
Todas estas variáveis estão relacionadas por:
v0d = Ad ved + Ac-d vec e v0c = Ad-c ved + Ac vec
Onde Ad é o ganho modo diferencial, Ac-d é o ganho modo comum-diferencial, A

Ad-c é o ganho modo diferencial-comum e Ac é o ganho modo comum. A simetria do
circuito causa Ac-d = Ad-c = 0. Assim
v0d = Ad ved e v0c = Ac vec

VCC 94
Eixo d e
RC simetria RC
I C1 I C2
-v0d /2 v0d /2
v0c
Q1 Q2
v ed /2 -ved /2
vec 2R EE I0 2REE
REE = 2R EE //2REE
representa a impedância de saída
da fonte de corrente I0
-VEE
Amplificador diferencial com os sinais de entrada e saída decompostos em suas

componentes diferencial e de modo comum
Dada a simetria deste circuito podemos determinar as respostas (ganhos) do

circuito para um sinal puramente diferencial e puramente de modo comum separadas, e
superpor os resultados.
Resumindo, para calcular os ganhos diferencial, Ad e de modo comum, Ac, vamos

inicialmente aplicar uma entrada puramente diferencial assim,
vec =0 e portanto v0c = 0
Em seguida aplicamos uma entrada puramente de modo comum, ou seja,
ved =0 e portanto v0d = 0
Para calcular o ganho diferencial redesenhamos a figura do amplificador

diferencial e substituímos os transistores pelos seus modelos. Assim
95
RC RC
i c1 i c2
-v0d /2 v0d /2
Q1 Q2
r01 r 02
β re1 β re2
ved /2 r e1 r e2 -ved /2
vee
i e1 i ee=0 i e2
A corrente de polarização I 0 é
2R EE 2REE dividida igualmente entre os dois
transistores, portanto
re1 = re2 = 2VT /I0
r01 = r02 =2V A /I0
Circuito equivalente para pequenos sinais do Amplificador diferencial para sinais

puramente diferenciais
Note que dado a simetria a corrente i e1 é igual e no mesmo sentido da corrente ie2,
portanto
i ee=0
Como conseqüência a tensão sobre os resistores REE não varia, isto é,
vee = 0V
Desta forma podemos conectar os emissores dos transistores no ponto comum e

redesenhar apenas a metade do amplificador diferencial como mostra a figura abaixo.
96
RC
-v0d /2
Q1
r 01
v ed /2 β re1 r e1
Circuito equivalente para pequenos sinais da metade esquerda do Amplificador diferencial

para sinais puramente diferenciais
Ora, este circuito já conhecido, um amplificador emissor comum, cujo o ganho de

tensão, Av é dado por
Av = -v0d /2 ved /2 = -v0d ved = - Ad = -Z0/r e1 Portanto,
Ad = Z0/re1 (172)
onde Z0 = RC //r01
Ou seja o ganho diferencial do amplificador diferencial é igual ao ganho (em

módulo) de um amplificador emissor comum.
Para calcular o ganho de modo comum, agora vamos aplicar um sinal puramente
de modo comum na entrada do amplificador como mostrado na figura abaixo.
97
RC RC
ic1 i c2
0v 0v
v 0c
Q1 Q2
r 01 r 02
β re1 β re2
re1 r e2
iee =0
i e1= ie ie ie ie2 = ie
vec
re1 = re2 = 2VT /I0
2REE 2R EE r01 = r02 =2VA /I0
Circuito equivalente para pequenos sinais do Amplificador diferencial para sinais

puramente de modo comum
Note que dado a simetria a corrente ie1 é igual e em sentido contrário a corrente
ie2, portanto
i ee= 0
Como conseqüência as duas metades do amplificador diferencial podem ser

separadas do eixo de simetria.
A metade do lado esquerdo é mostrada na figura abaixo.

98
RC
v 0c
Q1
Circuito equivalente para pequenos sinais
da metade esquerda do Amplificador
r 01 diferencial para sinais puramente de
β re1 modo comum
re1
vec
2R EE
Ora, este circuito também já conhecido, um amplificador com resistor no emissor,

cujo o ganho de tensão, Av é dado por (desprezando-se r02)
Av = v0c / vec ≈ - RC /(2REE +re1) portanto,
Ac ≈ -RC /(2REE +r e1 ) (173)
Ou seja o ganho de modo comum do amplificador diferencial é igual ao ganho

(em módulo) de um amplificador com resistor de emissor.
A razão de rejeição de modo comum , CMRR é dada por:
CMRR = Ad /Ac= [RC //r 01] RC /(2REE +r e1 ) se RC >> r01
CMRR ≈ 1+2REE / re1 (174)
A equação (174) diz que quanto maior a impedância de saída da fonte de corrente I0
maior a rejeição de modo comum do amplçificador.
99
• Exercício:
1) Calcule a amplitude da tensão de saída v 02 para o circuito da figura abaixo.

2) Calcule o ganho de modo comum para este mesmo circuito.
3) Calcule a razão de rejeição de modo comum.
Obs: despreze a impedância de saída dos transistores.
VCC = 9V
RC RC
47kΩ Ω
47kΩ
≈ I0 /2 ≈ I0 /2
v 02 v01
ve1 =2mV
Q1 Q2
REE
Ω
43kΩ I0
-VEE = -9V
a) Análise DC
A corrente I0 é dada por
0V - VBE + REE I0 = -VEE
µA
I 0 = (VEE - VBE )/ REE = (9,0V-0,7V)/43kΩ =193µ
Portanto
I C1 = I C2 = IC2 ≈ I0 /2 = 96,5µ
µA e
r e1 = re2 = r e = VT /IC ≈ 269Ω

Ω
100
b) Análise AC
Determinaremos v02 de duas formas: a primeira usando o conceito de meio

circuito e a segunda com uma análise convencional.
ü Conceito de meio circuito
Temos que
ved = v e1 – ve2 = ve1 e v ec = (ve1 +ve2)/2 = ve1/2
v01 = v0d /2 + v0c e v02 = -v0d /2 + v0c
O ganho diferencial é dado por
Ad = v 0d / ved = RC /re = 47kΩ /269Ω ≈ 174,7
O ganho de modo comum é dado por
Ac = v0c / vec ≈ -RC /(2REE + re ) = -47kΩ /(2*43kΩ +269 Ω) ≈ -0,54
Portanto
A razão de rejeição de modo comum
CMRR = 174,7/0,54 ≈ 323 ou 50,2dB
e a amplitude da senóide na saída v01 será agora determinada
v0d = Ad ved = Ad ve1 = 174,7*2mV= 349,4mV (Componente diferencial na saída)
v0c = Ac vec =Ac ve1/2= -0,54*1mV = -0,54mV (Comp. de modo comum na saída)
Logo
v02 = -v0d /2 + v0c = -349,4mV/2 - 0,54mV ≈ -175,2mV
O sinal – no valor da amplitude de v01 indica que a senóide na saída está

invertida com relação ao sinal de entrada.
101
ü Análises AC convencional
Para esta análise vamos redesenhar o circuito do o seu equivalente (note r 0 é não
deve ser considerado)
RC RC
Ω
47kΩ Ω
47kΩ
v01 v 02
ve1 =2mV
Q1 β r
e β re Q 2
re re
vee
REE
Ω
43kΩ
Ze
Note que a impedância é igual à REE // αre ≈ REE //re = 43kΩ //269Ω ≈ 267Ω
Observando a figura notamos que
1) A saída v01 é igual a saída de um amplificador com resistor de emissor Ze, cujo
o ganho de tensão é igual à – RC /(re + Ze)
2) A tensão vee é igual a saída de seguidor de emissor com carga Ze, cujo ganho
de tensão é igual à Ze /(re + Ze )
3) A saída v02 é igual a saída de um amplificador base comum com alimentado

com uma tensão de entrada vee. , cujo ganho de tensão é igual à RC /r e.
102
Portanto
87,68
v01 = – RC /(re + Ze )ve1 = –47kΩ /(269 +267).2mV= - 175,3mV
Praticamente o mesmo resultado anterior.
A voltagem v02 é dada por
ganho do seguidor * ganho

do base comum
v02 = Ze /(re + Ze ) RC /r e .ve1
A tensão diferencial de saída v0d é dada por:
v0d = v02 - v01 = {Ze /(re + Ze ) RC /re + RC /(re + Ze )}ve1
ganho diferencial
v0d = RC {(Ze /r e + 1) (re + Ze)} ve1 = RC / r e ve1 = RC / r e ved
Como era de se esperar.
A tensão de modo comum de saída v0c é dada por:
v0c= (v 02 + v01)/2 = {Ze /(re + Ze ) RC /re - RC /(re + Ze)} ve1/2
v0c = RC {( Ze /re -1) ( re + Ze )} ve1/2
mas Ze /r e -1 = -re /(REE +re ) e
r e + Ze = re (1+ Ze/re ) = re (2REE +re)/(REE +re ) portanto
ganho de modo comum
v0d = -RC /(2REE +re).v e1/2= -RC /(2REE +r e).v ec
Portanto o ganho de modo comum e a razão de rejeição de modo comum serão

iguais aos resultados anteriores, como era de se esperar.
103
• Resposta em freqüência de amplificadores.
Considerações gerais
As figuras abaixo mostram gráficos típicos do ganho versus freqüência de um

amplificador. Note que há uma faixa de freqüência na qual o valor do ganho é igual ou
próximo ao valor nas freqüências médias. Para escolhermos os limites de freqüência em
que temos um ganho relativo, 0,707Avméd é o ganho escolhido para especificar as
freqüências que delimitam esta faixa (freqüências de corte). As freqüências f1 e f2 são
chamadas freqüências de cortes, inferior e superior respectivamente e f 2 - f 1 é a
largura de banda ou faixa de passagem –3dB do amplificador.
 Av /Avméd 
1
0,707
7
10 f 1 100 1k 10k 100k 1M f2 1M 10M

f (escala log)
Gráfico do ganho normalizado versus freqüência
 Av/Avméd 
dB
0
-3dB
10 f1 100 1M f2
-6dB 1k 10k 100k 1M 10M
f (escala log)
-9dB
-12dB
Gráfico do ganho normalizado em dB versus freqüência

104
• Análise para baixa freqüência – Diagrama de Bode
Para o Amplificador a transistor Bipolar de único estágio, nas baixas

freqüências, quem determina a freqüência de corte inferior é a combinação de R-C
formada pelos capacitores de bloqueio DC, desaclopamento de emissor e os parâmetros
resistivos. Na verdade, pode-se estabelecer para cada elemento capacitivo um circuito
RC semelhante ao da figura abaixo, e determinar a freqüência na qual o ganho de
tensão cai a 0,707 (√2) do seu valor máximo. Uma vez determinadas as freqüências de
corte para cada capacitor, a freqüência de corte inferior pode ser levantada.
C πfC
XC =1/j2π
Ve R V0
Combinação RC que derteminará a frequência de corte inferior

(Passa altas)
As tensões de entrada e saída são relacionadas pelas regra do divisor de tensão:
V0 =R/( R+XC).Ve
com a amplitude de V0 (módulo) determinada por:
 V0 = {[R/( R+XC)].[R/( R+X*C )]}1/2 .  Ve
onde X* C é o complexo comjugado de XC, assim
 V0 = R/( R2+X2C )1/2  Ve
Para o caso especial em que R =  XC
 V0 = 1/(2)1/2  Ve e
 Av  R=Xc =  V0 /Ve  = 0,707

105
Em logarítmo,
Gv = 20logAv = 20 log(0,707) = -3dB
Portanto a frequencia de corte inferior é determinada de
XC = 1/2πf1 C = R ⇒ f 1 =1/2 πRC
Em freqüências muito altas,
XC  =1/2πfC ≈ 0
e o capacitor pode ser substituido por um curto cirtuito equivamente. O resultado

é que V0 ≈ Ve para altas freqüências . Em f = 0HZ,
XC  =1/2πfC → ∞ Ω
e o resultado é V0 ≈ 0V.
Entre os dois resultados, a razão  Av =  V0 /Ve  irá variar de forma mostrada
na figura abaixo. A medida que a freqüência aumenta, a reatância capacitiva diminui, e
maior é a porção de entrada que aparece entre os terminais de saída.
 Av 
0,707
7
0 f 1 1k 10k 10k
f (HZ)
Resposta em frequencia do circuito RC (passa altas)

106
Diagrama de Bode
A equação do ganho Av pode ser escrita na forma
Av =V0/Ve =R/(R-j/ωC) = R/(R-j/2πfC)
e considerando a freqüência definida acima,
Av =1/(1-jf/f1 )
Na forma de amplitude e fase,

Diferença de fase
Amplitude de V0 entre de V0 e Ve
Av = Av ∠ Av =1/(1+(f 1/f ) 2 ) arctang f 1/f

1/2
A amplitude quando f = f1,
Av = 1/(1+1) 1/2 =1/√2 ≈ 0,707 → -3 dB
e a fase entre V0 e Ve,
∠ Av = arctang 1 =45°
Em logaritmo, o ganho em B é
Av(dB) =20log[1/(1+(f 1/f )2 ) ] = -20log(1+(f 1/f ) )

1/2 2 1/2
Av(dB) = -10log(1+(f 1/f )2 )
e para f << f 1
Av(dB) ≈ -20log(f 1 /f ) 2 = -20log f1/f (assíntota) (175)
E para f >> f1
Av(dB) ≈ -10log(1 ) = 0dB (assíntota) (176)
O gráfico das equações (175) e (176) produzirá em uma escala log de freqüência
resultados muito utilizados em futuros gráficos em decibel.
O gráfico de assíntotas com os pontos de quebra associados é chamado de

diagrama de Bode.
107
A v(dB) escala linear

0dB
-3dB
f1 /10 f1 /4 f1 /2 2f1 3f 1 5f1 f ( escala log)
f1 10f1
-6dB
Curva real -20log1 =0dB
-9dB
-6dB/oitava ou –20dB/década
-12dB
-15dB -20logf1/f
-18dB
-20dB
-21dB
Diagrama de Bode do Passa altas RC
Diferença de fase
entre V0 e Ve
90°°
75°°
60°°
45°°
30°°
15°°
0°
0,1f1 0,2f1 0,3f1 0,5ff1 2f1 3f1 5f1 f ( escala log)
f1 10f1
Resposta de fase do Passa altas RC

108
ü Resposta em baixas freqüências - Amplificador a TBJ (Bipolar)
Análise a ser realizada empregará a configuração de polarização por divisor de

tensão com resistor de carga RL e de fonte RS , mas os resultados obtidos podem ser
aplicados a qualquer configuração do TBJ. Será necessário apenas encontrar a
resistência equivalente apropriada para a combinação R-C. Para o circuito da
figura abaixo, os capacitores CS ,CC e CE determinarão a resposta em baixas
freqüências. Examinaremos agora, o efeito de cada um, independentemente, na
ordem listada.
V CC
RC
R1 CC
v0
RS CS
RL
ve
R2
RE CE
Amplificador com capacitores que afetam a resposta em baixas freqüências
Efeito de CS
Como CS está normalmente conectado entre a fonte aplicada e o dispositivo

ativo, a forma geral da configuração R-C é estabelecida pelo circuito da figura
abaixo. A resistência total é agora RS +Ri e a freqüência de corte determinada
utilizando o procedimento descrito anteriormente é
f sL = 1/[2π (RS +Ri )Cs (177)

109
RS CS
Amplificador
ve vi
Ri
Determinando o efeito de C s na resposta em baixas freqüências
Nas freqüências médias e altas, a reatância capacitiva será pequena o suficiente

para considerarmos o elemento um curto circuito. A relação entre vi e ve será,
portanto,
Vi = RiVs/(Ri +Rs) (178)
Em f sL a tensão será 70,7% do valor determinado pela equação (178), assumindo

que CS é o único elemento capacitivo controlando a resposta em baixas freqüências.
Quando analisamos os efeitos de CS no circuito do amplificador em questão

devemos considerar que CE e CC estão operando de modo esperando, pois do
contrário a análise torna-se impraticável. Ou seja, consideramos que os valores das
reatâncias permitem o emprego de curto circuito equivalente, quando comparado as
outras impedâncias em série.Utilizando esta hipótese o circuito equivalente AC para
entrada é da forma mostrada abaixo.
O valor de Ri é dado por
Ri =R1//R2//βre
RS CS
vi
ve
Ri
vi R1// R2 βre
Circuito equivalente de entrada

110
Efeito de CC
Como o capacitor de acoplamento está normalmente conectado entre a saída do

dispositivo ativo e a carga aplicada, a configuração R-C que determina a freqüência
de corte inferior devido a CC aparece na figura abaixo. Da figura temos que a
resistência total em série com o capacitor é agora R0 +RL e a freqüência de corte
inferior devido a CC é determinada por
f Lc = 1/[2π (R0 +RL )CC (179)
CC
Amplificador
v0 RL
R0
Determinando o efeito de C C na resposta em baixas freqüências
Ignorando os efeitos de CS e CE, a tensão de saída v0 em fLc será 70,7% do seu

valor no meio da faixa. Para o circuito em questão a circuito equivalente AC para
saída, com ve =0, aparece na figura abaixo. Portanto, o valor resultante para R0 na
equação (179) é simplesmente,
R0 =RC //r 0
CC
r0 RC v0 RL
R0
Circuito equivalente de saída com ve = 0

111
Efeito de CE
Para determinar fLe ,a impedância (resistência) vista pelo capacitor deve der
determinada como mostra a figura abaixo. Uma vez estabelecido o valor de Re ,a
freqüência de corte devido a CE pode ser determinada utilizando-se a seguinte
equação:
f Le = 1/[2π Re CE (180)
Amplificador
CE
Re
Determinando o efeito de C E na resposta em baixas freqüências
Para o circuito em questão, a impedância vista por CE aparece na figura abaixo.

Portanto, o valor de Re é determinado por
Re = RE //(R’S /β+re)
onde R’S = RS//R1//R2.
β +re
R’S /β
r0 RE CE
Re
Circuito equivalente visto por CE com ve = 0

112
Antes de prosseguir, não esqueça que CS, CC e CE afetarão a resposta apenas
em baixa freqüências. Para as freqüências no meio do faixa, os capacitores serão
considerados como curto circuito. Embora os capacitores afetem o ganho em faixa
de freqüências semelhantes, a freqüência de corte inferior mais altas determinadas
por CS, CC ou CE terá o maior impacto sobre a resposta do amplificador. Isto
porque é a última freqüência de corte antes do meio da faixa. Se as freqüências estão
relativamente distantes entre si, a freqüência de corte mais alta determinar a
freqüência de corte inferior do amplificador. Se houver duas ou mais freqüências de
corte “altas”, o resultado será o aumento o aumento da freqüência de corte inferior
e a redução da banda passante do amplificador. Em outra palavras, há uma
interação entre os elementos capacitivos que podem afetar a freqüência de ocrte
inferior. Entretanto, se as freqüências de corte estabelecidas por cada capacitor
diferirem suficientemente (10X) entre si, o efeito de uma sobre as outra pode ser
desprezado. Como demonstrará o seguinte exercício.
Exercício:
a) Determine a freqüência de corte inferior para o circuito da figura abaixo.
b) Esboce a resposta em freqüência utilizando um diagrama de Bode.
VCC =20V
RC
R1 4 kΩ CC
40kΩ 1µ F
CS r0 = ∞ v0
RS
µF
10µ β = 100
1 kΩ
RL
VB 2,2kΩ
ve
VE
R2
10kΩ RE CE
2kΩ µF
20µ
113
a) Análise DC (para determinar re)
Note que βRE =100*2kΩ >> R1 //R2 = 40kΩ//10kΩ
Então
VB R2 /(R2+R1) VCC = 10kΩ /(10kΩ +40kΩ )20V = 4,0V
VE = VB - VBE = 4,0V –0,7V =3,3V
I C ≈ IE = VE /RE =3,3V/2kΩ≈ 1,65mA
Ω
r e =VT /IC = 26mV/1,65mA =15,76Ω
β re =100*15,76 =1,576kΩ
Ω
b) Análise AC(ganho no meio da faixa)
1) A impedância de entrada
Zi = Ri = R1 //R2//β re =40kΩ//10kΩ//1,576kΩ ≈ 1,32kΩ

Ω
2) Ganho no meio da faixa
Av 1 = v 0 /vi = - RC //RL /r e . = -(4kΩ //2,2kΩ)/15,76Ω ≈ - 90
Mas
vi /ve = Ri /(Ri +RS ) =1,32k Ω /(1,32kΩ +1kΩ ) ≈ 0,57
então
Av = v0 /ve = v0 /vi vi /v e =- 90 * 0,57 ≈ -51,2
b) Freqüências de corte
1) CS
f Ls =1/(2π(Ri +RS )CS = 1/(2π(1,32kΩ +1 kΩ)10µF ≈ 6,9HZ

114
2) C C
≈ 25,7HZ
f Lc =1/(2π(RC +RL )CS =1/(2π(4kΩ +2,2kΩ)1µF≈
3) CE
R’S = RS //R1//R2 = 1kΩ//40kΩ//10kΩ ≈ 0,89kΩ
Re =RE//(RS /β +re) =2kΩ//(0,89/100 +15,76Ω) ≈ 24,3Ω
f Lc =1/2πReCE = 1/2π(24,3Ω)(20µF) ≈ 327HZ
c) Esboço do diagrama de Bode
Av /Avmed(dB) escala linear

fL s fLc fLe
0dB
1 10 100 1k
-3dB
0,1
f ( escala log)
-6dB
-9dB
-20dB/década
-12dB
-15dB
-18dB
-20dB -40dB/década
-21dB
Diagrama de Bode
115
Simulação
116
• Resposta em altas freqüências de amplificadores
Modelo de transistores bipolar em altas freqüências.
A figura abaixo apresenta o circuito equivalente para pequenos sinais em altas

freqüências do transistor bipolar, utilizando o modelo de Giacoletto (π -híbrido)
Cbc
ic
b’ C
B rbb’ i b’ r b’c
rπ Cbe gmv b’e = gm rπ i b’ =

vb’e r0
= vb’e /re
E E
Circuito equivalente para pequenos sinais em altas freqüências do transistor
bipolar, utilizando o modelo de Giacoletto (π -híbrido)
A resistência r b’c na prática apresenta um elevado valor e com razoável nível de

precisão sempre se pode numa análise desprezada-la. Assim o circuito acima pode ser
um pouco simplificado para o circuito equivalente mostrado abaixo.
ib
b’ Cbc ic C
B r bb’ ib’
rπ Cbe gm v b’e = gm rπ ib’ =

v b’e r0
= hf ib’ = v b’e /re
E E
Circuito equivalente para pequenos sinais em altas

freqüências, desprezando-se r b’c
117
Note que diferente do modelo em baixas frequëncias usaremos o ganho de
corrente ac do transitor com o parâmetro hf e ao invés de β devido ao fato que os
fabricantes normalmente empregarem os parametros híbrido em suas folhas de
especificações (“datasheets”).
Só pra lembrar, o parâmetro hfe expressa o ganho de corrente (com vce=0) do

transistor,
hfe = ic /ib Vce=0
No caso de baixas frequencias usaremos como notação,
hfebaixas = hf = β
Novamente, redesenhando o circuito acima, resulta (com rbb’ = rb , Cπ =Cb’e e

Cb’c =Cµ )
ib
Cµ ic
b’ C
B r b’ ib’
vb’e
hf re Cπ v b’e/re r0
E E
Circuito equivalente para pequenos sinais em altas
freqüências
Ou na forma da nova apresentação

C
Cµ
B rb
r0
h f re
Cπ re
Circuito equivalente para altas freqüências – Nova apresentação

118
ü Ganho de corrente do transistor em função da freqüência
• Configuração emissor comum (hf e)
C ic
v ce =0
Cµ
B rb b'
r0
ib h f re ic
Cπ re
Ganho de corrente na conf. emissor comum em função da freqüência
Da figura temos que a impedância (Z b’) no ponto b’ (base intrínseca) é igual a
Zb’ = hf re //Xcµ // Xcπ onde
Xcµ =1/j2πCµ e
Xcπ =1/j2π Cπ
Zb’ = hf re /[1+j2π fhf re (Cµ +Cπ)]
Logo a tensão no ponto b’, vb’ é igual á
vb’ = Zb’ib = hf re 1/ [1+j2π fhf re (Cµ +Cπ)].ib
A corrente de coletor ic é dada por:
i c = vb’/re = hf / [1+j2π fhf re (Cµ +Cπ )].ib
Portanto
hfe = ic / ib = hf / [1+j2 π fhfre (Cµ+Cπ)] ou

119
hfe = hf /(1+jf/f β) (181)
onde
f β = 1/2π hf re (Cµ +Cπ) (182)
ou
f β = 1/2π β re (Cµ+Cπ )
A equação (181) indica que o transistor apresenta um ganho de corrente

com uma freqüência de corte superior igual f β . Mais adiante plotaremos o
gráfico de hfe versus freqüência.
fβ representa a máxima freqüência que um estágio emissor comum atinge

quando este é excitado por uma fonte de sinal com alta impedância de saída
quando comparado a impedância de entrada do amplificador (fonte de corrente)
e o efeito Miller desprezado.
Outra quantidade chamada produto ganho – banda é definida para o

transistor para a condição
 hf /(1+jf/f β) = 1
A freqüência na qual isto acontece é denotada por fT
 hf /(1+jf/f β) = hf /(1+(f T /f β)2 )1/2 =1
Como fT >> f β , então
hf /(1+(f T /fβ )2 )1/2 ≈ hf /fT /f β =1 logo
f T = hf fβ = β fβ (183)
Substituindo a equação (182) em (183), resulta

120
f T =1/2π re (Cµ+Cπ ) (184)
fT representa a máxima freqüência que um estágio base comum atinge

quando este é excitado por uma fonte de sinal com alta impedância de saída
quando comparado a impedância de entrada do amplificador (fonte de corrente)
e o efeito Miller desprezado.
• Configuração base comum (hfb )
Nesta análise é fácil demonstrar que se pode com uma boa aproximação
desprezar as corrente que passam por r0 e C µ ,para o cálculo do ganho de
corrente. O assim o circuito de base comum fica simplificado como mostra a
figura abaixo.
hfb = ic / ie
Com v cb =0
ic
re
ie E Cπ C ic
ib
h f re
rb
Ganho de corrente na conf. base comum em função da freqüência
Da figura temos
i e = ic +ib (185)
Por outro lado a impedância entre a base o emissor do transistor (chamarem de

hα r e ) é igual à
hα re = hf re //Xcπ = hf re /(1+ j2 π f hf reCπ )

121
logo hα = hf /(1+ j2π f hf reCπ)
Como as duas impedância hα r e e re então submetida a mesma tensão, então, a

corrente ib é igual à
i b = ic /h α (186)
i e = (1 + 1/hα)ic
então
hfb = ic / ie = 1/( 1/hα+1)
Substituindo a expressão para hα , resulta
hfb = 1/[(1+ j2π f hf reCπ )/ hf +]
hfb =1/[1+ 1/hf + j2π f re Cπ]
como 1+ 1/hf =1+ 1/β ≈ 1
hfb ≈ 1/[1+ j2π f reCπ]
hfb ≈ 1/[1+ jf /f α ] com (187)
f α = 1/ j2π re Cπ (188)
Note que fβ < < fT < fα
A equação (187) indica que o transistor apresenta um ganho de corrente

com uma freqüência de corte superior igual fα . Adiante plotamos um gráfico de
hfe e hfb versus freqüência.
122
hfb, hfe
20loghf
dB
20dB
3dB
10dB
3dB
0dB
fβ f (escala log) f T fα
h f e e hfb versus freqüência
ü Resposta em freqüência de um simples estágio
• Considerações geriais
Na região de altas freqüências, o circuito RC considerado possui a configuração

mostrada na figura abaixo. Quando a freqüência aumenta a reatância capacitiva XC
diminui o valor, resultando em um efeito de curto na saída e um a conseqüente
diminuição no ganho. A freqüência de corte superior deste circuito e encontrada
semelhante à análise em baixas freqüências.
Av = v0 /ve = 1/(1+j2π fRC)
Av = 1/(1+jf /f2 ) =1/(1+s/s 2) ou
Av = =1/(1+s/s2)
onde
s = jω = j2π f e f 2 = 1/2π RC s2 = 1/RC
s é uma freqüência complexa e s2 o pólo do circuito (em radianos por segundo)

123
R
πfC
XC =1/j2π
Ve C V0
Combinação RC que determinará a frequência de corte superior

(Passa baixas)
f2 f (log)
-6dB/oitava
-3dB
Tracado assintótico do passa altas (RC)
• Amplificador emissor comum.
Vamos determinar a resposta em freqüências de um amplificador emissor comum.

Com o propósito de comparação, inicialmente, utilizaremos o método chamado de
aproximação de efeito Miller e após a análise exata.
Como vimos em aulas anteriores o efeito Miller para capacitância aparece

quando existe uma capacitância conectada entre a entrada e a saída de um
amplificador, que para relembra redesenhamos o efeito na figura abaixo.
124
XCF
CF
iF iF Capacitância Miller na entrada
ZF ZG C’F =(1-Av ).CF

Av
vi v0
Capacitância Miller na saída
C’’F =(1-1/Av ).CF
Av
ZF ZG v0
vi
iF C’F C’’F iF
Capacitâncias de efeito Miller
O dilema que surge é que em altas freqüência o ganho Av será função da

capacitância C’F. Entretanto, como o ganho máximo é o valor no meio da faixa, o valor
mais alto de C’F será para esta faixa de freqüências e, portanto, o pior caso. Por isso ,
normalmente se emprega para Av seu valor no meio da banda.
A seguir usaremos esta aproximação.

125
A figura abaixo mostra o mesmo amplificador da análise de baixa freqüência, mas

esta análise se aplica a qualquer outra tipo de polarização DC.
V CC
RC
R1 CC
v0
RS CS
RL
ve
R2
RE CE
Amplificador emissor comum – Análise em altas freqüências
A figura abaixo mostra o circuito equivalente deste amplificador para altas

freqüências.
C v0
R’L
RS Cµ
B rb
ve
hf re
Cπ re
R1 //R2
R’L = RL//RC//r0
E
126
Aplicando a aproximação de efeito miller, o circuito acima simplifica para o
circuito equivalente mostrado abaixo.
ic = vi / re C v0
ic C M0 R’L
RS R’L = RL //R C//r 0

B rb vi
ve
hf re
C Mi re v 0 / vi = - R’L /r e
R1 //R2
Onde
CMi =(1-(-R’L /r e)Cπ = (1+ R’L/re)Cµ + Cπ e
CMi =(1-1/(-R’L /re)Cπ =(1+ r e /R’L) Cµ ≈ Cµ
Determinando o circuito equivalente Thévenin para o circuitos de entrada e saída

facilmente identificáveis na figura acima, resulta nos circuitos abaixo equivalentes.
RS R’S
rb vi vi
ve veTH
hf re CMi C Mi
R1 //R2
Thévenin
R’S = (RS//R1//R2 +rb )//h fere
R’L
V0
v0
v0TH CM0
ic CM0 R’L
Thévenin
R’L = RL//R C //r0
127
Circuitos equivalentes Thévenin para entrada e saída

Portanto
O circuito(seção) de entrada será introduz um pólo (f 2E ) em
f 2E = 1/2π R’S CMi
com
R’S = (RS //R1 //R2 +rb )//hfere Note que R’S é a impedância (Resistiva) vista
pela base do transistor
CMi = (1+ R’L/re)Cµ + Cπ
E o circuito (seção) de saída introduz um pólo em (f 2S )
f 2S = 1/2π R’L CM0
com
R’L = RL//RC //r 0
CM0 = Cµ
Na prática f2S >> f 2E de maneira que quem determinará a banda –3dB do

amplificador é a seção de entrada.
Se outros capacitores estiverem presentes entre os terminais de base ou coletor e

ponto comum (terra) estes devem ser adicionados às capacitâncias CMi e CM0
respectivamente. O exercício a seguir exemplificará isto.
Exercício:
Para o mesmo circuito do exercício anterior com inclusão dos capacitores

parasitas e intrínsecos do transistor mostrados na figura abaixo:
a) Determine as freqüências de corte superiores f2i e f20.

b) Ache fβ e fT.
c) Esboce a resposta em freqüência utilizando os resultado anteriores e dos itens
a) e b).
d) Compare com os resultados com os da simulação no Pspice.
128
VCC =20V
r0 = ∞
rb = 0
β = hfe = 100
RC
R1 4 kΩ CC
40kΩ µF
1µ
CS C0W v0
RS
1 kΩ µF
10µ CCW 8pF
1pF
RL
ve VB 2,2kΩ
CBW
6pF VE
R2
10kΩ Cπ = 36pF
RE CE
Cµ = 4pF
2kΩ µF
20µ
a) Análise DC (para determinar re) já foi realizada no exercício anterior,

portanto,
I C ≈ IE = VE /RE =3,3V/2kΩ≈ 1,65mA
Ω
r e =VT /IC = 26mV/1,65mA =15,76Ω
β re =100*15,76 =1,576kΩ
Ω
b) Análise AC(meio da faixa), repetindo
1) A impedância de entrada
Zi = Ri = R1 //R2//hfe re =40kΩ//10kΩ//1,576kΩ ≈ 1,32kΩ

Ω
2) Ganho no meio da faixa
Av 1 = v 0 /vi = - RC //RL /r e . = -(4kΩ //2,2kΩ)/15,76Ω ≈ - 90

129
Mas
vi /ve = Ri /(Ri +RS ) =1,32kΩ /(1,32kΩ +1kΩ ) ≈ 0,57
então
Av = v0 /ve = v0 /vi vi /v e =- 90 * 0,57 ≈ -51,2
c) Freqüências de corte superiores f2i e f20 expressão errada no Boyestad
1) R’S = (RS//R1//R2+r b )//hfere = (RS //R1 //R2 )//hfere = RS //Ri
R’S = (1k)//(1,32kΩ) ≈ 569Ω

Ω (contra 531Ω)
O capacitor de entrada deve ser adicionado à CBW ,assim
CMi + CBW = (1+ R’L/re)Cµ + Cπ + CBW = (1+90)4pF +36pF +6pF = 406pF
f 2i =1/2π R’S (C Mi + CBW) = 1/2π (569Ω ) (406pF) ≈ 688kH Z
2) R’L =RC //RL //r0 = RC //RL = (4k Ω )(2,2k Ω) = 1,42kΩ
O capacitor de saída deve ser adicionado à CCW e C0W ,assim
CM0+ CCW + C0W = Cµ +CCW + C0W = 4pF +1pF +8pF =13pF
f 20 =1/(2πR’L (CM0 + CCW + C0W ) = 1/(2π(1,42kΩ)(13pF) ≈ 8,6MHZ
d) A freqüência de corte fβ é dada por
f β = 1/2π hf re (Cµ +Cπ) = 1/2π(1,576kΩ)(4pF + 36pF) ≈ 2,52MH Z
e) A freqüência de corte fT é dada por
f T = hf fβ = β fβ =(100) (2,52MH Z) =252MHZ

130
f) Esboço do diagrama de Bode
A v/Avmed(dB) escala linear
fL s fLc fLe = 327HZ f 2i = 688MHZ f20 f ( escala log)

0dB
1 10 100 10k 100k 1M 10M 100M
1k
-3dB
-6dB BW
f1 f2
-9dB
-12dB
-15dB -20dB/década
-20dB/década
-18dB
-21dB
-40dB/década
-24dB
-27dB -40dB/década
-30dB
Diagrama de Bode do amplificador

131
Simulação
• Esquema do amplificador simulado
Parâmetros obtidos da simulação

NAME Q_Q1
MODEL Qbreakn
IB 1.59E-05
IC 1.59E-03
VBE 6.58E-01
VBC -9.76E+00
VCE 1.04E+01
BETADC 1.00E+02
GM 6.15E-02
RPI 1.63E+03
RX 0.00E+00
RO 1.00E+12
CBE 3.59E-11
CBC 4.00E-12
CJS 0.00E+00
BETAAC 1.00E+02
CBX 0.00E+00
FT 2.46E+08
132
• Análise exata
Para esta análise é conveniente converter a fonte de tensão de entrada em seu

equivalente Norton como mostrado nas figuras abaixo.
C v0
R’L
RS Cµ
B rb
ve
hf re
Cπ re
R1 //R2 =RB
Thévenin R’L = RL//RC// r0
E
C v0
R’L
R’’S Cµ
B rb
v'e
R’’S = RB //RS hf re
Cπ re
v'e = RB /( R B + RS )ve
R’L = RL//RC//r0
Norton E
C v0
ie = v'e /( R’’S +rb )

iR ’L R’L
R’S = (R’’S +rb) //h fre
i Cµµ Cµ
b'
vb
ie
iR i Cππ
R’S Cπ re i re
R’L = RL//RC//r0
E
Note que, novamente, R’S é a impedância (Resistiva)
vista pela base do transistor
133
A soma das correntes em b’ resulta em,
i e = iR + iCπ + iCµ = vb /R’S + vbsCπ + (v b – v0 ) sCµ (189)
onde s = jω = j2π f
A soma das correntes em C resulta em,
i Cµ = iR’L + i re
(vb – v0 ) s Cµ = v0 /R’L + vb /re
extraindo vb
vb = -v0 (1/R’L+sCµ )/(1/re - sC µ ) (190)
Substituindo a equação (190) na equação (189) resulta em,
i e = -[1/R’S + s(Cπ + Cµ )][(1/R’L+sCµ )/(1/re - sCµ ) - sCµ ]v 0
e a função de transferência pode ser calculada
v0 /ie =R’S R’L(1/re-s Cµ)/{1+s(CµR’L+ C µR’S+CπR’S+R’L R’SCµ /r e )+s 2 R’L R’SCµCπ
(191)
Substituindo ie e v’e escrevendo na forma
i e = v' e /( R’’S +rb )
v' e = RB /( RB + RS )ve
v0 /ve=Av N(s)/D(s)
então
Av = - R’S R’L RB /( RB + RS ) ( R’’S +rb )re (192)
N(s) = (1 - sreCµ)
D(s) = 1+s(CµR’L+ C µR’S+C πR’S+R’L R’SCµ /r e )+s 2 R’L R’SCµCπ (193)
A equação (191) mostra que o amplificador apresenta uma ganho em média

freqüências dado por (192) tem um zero real positivo em 1/2πreCµ .Isto é devido a
transmissão do sinal para saída através de Cµ . O efeito deste zero é desprezível exceto
em muito altas freqüências.
134
O denominador de (191) mostra uma função de transferência que apresenta
dois pólos, e na prática estes estão muito afastados em freqüência. Se estes pólos são p1
e p2, estão podemos escrever D(s) como
D(s) = (1 –s/p1 ) (1 –s/p2 )
e portanto
D(s) = 1 – s(1/p1 + 1/p 2 ) + s2 /p1 p2 (194)
Assumindo que os pólos estão bem afastados e p1 como sendo o pólo de mais
baixa freqüência (o pólo dominante) então p2 é o pólo de maior freqüência.
p 2 >> p1 
então podemos escrever (194) como
D(s) ≈ 1 – s/p1 + s2/p1 p2 (195)
Se o coeficiente em s (195) é comparada com aquele em (193) nós podemos

identificar
p1 = -1/( Cπ R’S + Cµ (R’L+ R’S +R’LR’S /re )
p1 = -1/ R’S (Cπ + Cµ (R’L /R’S + 1 +R’L /re ) (196)
Logo, a freqüência de corte superior f2 será igual á
f 2 = p1 /2π =1/2π R’S (Cπ + Cµ (R’L /R’S + 1+R’L/re ) (197)
A freqüência de corte superior obtida através da aproximação de Miller f2E foi

encontrada igual à
f 2i = 1/2π R’S (Cπ + Cµ ( 1+R’L /re )
Note que a diferença que existe entre as duas expressões é o termo R’L /R’S que
na prática é muito menor que R’L/r e fazendo com que a aproximação por efeito Miller
seja muito boa.
Outra constatação é que o pólo fS0 de fato não existe, como indicava os cálculos
da aproximação por efeito Miller.
135
Vamos agora calcular o pólo não dominante p2 pelo comparação dos
coeficientes em s 2 nas equações (195) e (193), resultando
p2 = 1/p 1 1/R’LR’SC µCπ (198)
A substituição de p 1 de (196) em (198) resulta
p2 = - (1/R’LCµ + 1/R’SCπ + 1/R’LCπ + 1/reCπ )
O último termo é 1/reCπ = ωα (ωα = 2πf α) ≈ ωT (ωT = 2πfT), já que Cπ + Cµ ≈

Cπ. Conseqüentemente p2 é muito alta freqüência e é quase sempre verdadeiro que
p1 <<p2 .
Exercício:
Calcule a freqüência do pólo não dominante utilizando os mesmos dados do

exercício anterior.
Solução:
Temos
f 2 = p2 /2π = (1/2π R’LCµ + 1/2π R’SCπ + 1/2π R’LCπ + 1/2π r eCπ )
Do exercício anterior temos
R’S = (1k) (1,32kΩ) ≈ 569Ω

Ω
R’L =RC //RL //r 0 = RC //RL = (4kΩ )(2,2k Ω) = 1,42kΩ
Ω , Cπ = 36pF , C µ = 4pF
r e = 15,76Ω
então
1/2π R’LCµ =1/2π(1,42kΩ)(4pF) ≈ 27,9MHz
1/2π R’SCπ = 1/2π(569Ω)(36pF) ≈ 7,7 MHz
1/2π R’LCπ =1/2π(1,42kΩ)(36pF) ≈ 3,1MHz
1/2π reCπ = 1/2π (15,76Ω )(36pF) ≈ 280MHz ≈ 252MHz = fT
logo
f2 ≈ 318,7MHz
136
• Amplificador seguidor de emissor (coletor comum).
O amplificador seguidor de emissor é largamente utilizado como estágio de

buffer, deslocador de nível ou estágio de saída e assim, a sua resposta em
freqüência é de grande interesse. Considere o circuito seguidor de emissor
mostrado abaixo. A configuração utilizada para polarização DC é a do divisor de
tensão, mas esta análise se aplica para qualquer tipo de configuração.
VCC
R1
RS CS
CC
v0
R2
RE RL
Amplificador seguidor de emissor - Análise em altas freqüências

freqüências.
RS Cµ
B rb b'
R’L = RL //R E//r 0
ve
hf re
Cπ re
R1 //R2 = RB
Thévenin
E
v0
R’L
137
Primeiramente, vamos desprezar o efeito do capacitor Cµ , o que é sempre
razoável se a impedância de fonte (RS ), for pequena , assim o filtro passa baixas
formador por RS +rb e Cµ apresenta um pólo em freqüência muito elevada ( >>f T ).
Novamente, é conveniente desenhar o circuito acima (como já fizemos) com a

impedância entre a base b’ e o emissor E na forma
hf re //1/s reCπ = hα re onde
hα = hf /(1+shf reCπ ) (199)
Substituindo a impedância e aplicando Thévenin na entrado do circuito

equivalente acima resulta
R’S
B rb b'
v'e
ie/hα
Zα ie/hα hαα re ie
re R’L = RL //RE //r 0
v’e = RB /(RS+ RB)v e= a v e E v0

R’S = RB //RS ie (1+ 1/hα )
R’L
Circuito equivalente com hα desprezando-se Cµ
A impedância Zα , por inspeção, é dada por:
Zα = hα re +(hα +1)R’L = hα Rα (200)
onde
Rα = re +(1 +1/ hα )R’L
Rα = re +(1+ 1/hf +sre Cπ)R’L ≈ re +(1+sr eCπ)R’L (201)

138
v' e = (R’S +rb ) ie /hα + Zα /hα ie
v' e = (R’S +rb ) ie /hα + Rα i e
Substituindo hα e Rα , resulta
v' e = [(R’S +r b )(1/hf +s reCπ )+ re +(1+sre Cπ)R’L] ie (202)
Por outro lado
v0 = R’L (1+1/hα )i e = R’L (1+1/hf + s re Cπ)ie
v0 ≈ R’L (1+s reC π)ie (203)
Eliminando i e em (202) e (203), resulta
v0 /v' e = R’L (1+s re Cπ)/[(R’S +rb )(1/hf +s reCπ ) + re +(1+sr eCπ)R’L]
v0 /v' e = R’L /[(R’S +rb)/hf +r e+R’L ] . (1-s/z1) /(1-s/p1) (204)
onde
z 1 = -1/re Cπ ≈ - ω T
p1 = -1/k reCπ
k = (R’S +rb+ R’L)/[ (R’S +rb)/hf +re +R’L ] (205)
Note que v’e está relacionado com o sinal de entrada v e de forma

puramente resistiva (parâmetro a na figura), de maneira que z1 e p1, são,
respectivamente, o zero e o pólo do amplificador.
A equação (204) mostra que o ganho em altas freqüências é controlado

pela presença do pólo p1 e do zero z1. Para sistemas com baixa impedância de
fonte (R S << R’L ) o valor de k na equação (205) é próximo da unidade e o pólo p1
é muito próximo de -ωT. Por outro lado se RS >> R’L, o pólo p1  será muito
menor que ωT.
Para freqüência média freqüências (s << p1 ), a equação (205) torna-se
v0 /v' e s <<P1 = R’L /[(R’S +rb)/hf +re+R’L ]
E para freqüências muito altas freqüências (s >> z 1), a equação (205)

tende para
v0 /v' e s >>Z1 → R’L /[(R’S +rb)/hf +re+R’L ] . ( p1/z1 ) = R’L /(R’S +rb + R’L )
139
Até aqui não consideramos nenhuma influência de Cµ. De fato o efeito
de Cµ fará uma mudança considerável na resposta em freqüência do amplificador
como veremos mais adiante. Por enquanto vamos desprezar o seu efeito e
realizarmos o exercício abaixo.
Exercício:
Calcule o pólo e zero do amplificador seguidor de emissor mostrado abaixo

e esboce a sua resposta em alta freqüência. Despreze o efeito de Cµ.
VCC =20V
R1 Ω
rb =150Ω Cπ =10pF
Ω
32,5kΩ
r0 = ∞Ω Cµ = 0
RS CS β = hf =100
Ω
50Ω µF
10µ
VB CC
µF
10µ
R2 VE
v0
Ω
10kΩ
RE RL
Ω
4kΩ Ω
4kΩ
Solução:
a) Análise DC
Temos que (β+1)RE = 400kΩ >>R2 >R2 //R1 , portanto
VB ≈ R2/(R1 +R2 )VCC = 10kΩ /(10kΩ +32,5kΩ)20V ≈ 4,7V
VE = VB –VBE =4,7V-0,7V =4V
I C ≈ IE =4V/4 kΩ =1mA
r e =VT / IC =26mV /1mA =26Ω

140
b) Análise AC (altas freqüências)
temos
z 1 = -1/re Cπ ≈ - ω T
p1 = -1/k reCπ
k = (R’S +rb+ R’L)/[ (R’S +rb)/hf +re +R’L ]

onde
R’S = R1//R2//RS da figura R’S ≈ RS =50Ω e
R’L = RL//RE//r 0 = RL//RE =4kΩ //4kΩ =2kΩ logo
k = (50Ω +150Ω +2kΩ)/[(50Ω +150Ω)/100 +26Ω +2kΩ]
k =(2200Ω)/(2028Ω) =1,08
Assim
z 1 = -1/re Cπ = -1/(26Ω)(10pF) = - 3,85x109 rad/s
ou
fz1 (Hz) = z1 /2π ≈ 612MHz
p1 = -1/kr e Cπ = z1/ k =3,56x109 rad/s
f p1(Hz) =z1/2π k =566MHz
• Valores limites
Ganho em média freqüências (v 0 /v' e média )
v0 /v' es <<p1 =R’L/[(R’S +rb )/hf +re +R’L]=(2k Ω)/[(50 Ω+150Ω)/100+26 Ω +2kΩ]
v0 /v' e  s <<p1 = (2kΩ)/(2,028kΩ) ≈ 0,986
Ganho em muito altas freqüências (v 0 /v' e  s >>Z1 )
v0 /v' e s >>z1 = R’L /(R’S +rb + R’L) = (2kΩ)/[50Ω +150Ω +2kΩ]
v0 /v' e s >>z1 = (2kΩ)/(2,2k Ω) ≈ 0,909

141
Além disso
a = RB /(RS+ RB ) =10 kΩ //32,5 kΩ /[50Ω +10 kΩ //32,5 kΩ]
a =0,994 portanto
ve = 0,994 v’e
v 0 /ve escala linear fP1 = 566MH Z

f Z1 = 612MH Z f ( escala log)
1
1M 10M 100M 1G 10G
0,985
0,980
0,975
a.R’L /[(R’S+rb )/hf +re +R’L] = 0,994*0,986 = 0,980
0,950
0,925 a.R’L /(R’S +rb+ R’L) = 0,994*0,909 = 0,904
0,904
0,900
0,875
Resposta em alta freqüência de um seguidor de emissor com Cµ =0
Simulação
142
Agora, vamos levar em conta o efeito do capacitor Cµ .Novamente, é
conveniente desenhar o circuito acima com a impedância, hα , entre a base b’ e o
emissor.
Substituindo a impedância h α e aplicando Thévenin na entrado do circuito abaixo,

resulta
RS Cµ
ve B rb
b'
R’L = RL//RE//r0
hf re
Cπ re
R 1 //R2 = RB
Thévenin
E
v0
R’L
iµ Cµ
R’S
B rb b'
v'e
i µ + ie/hα
Zα ie/hα hαα re ie
re R’L = RL //RE //r 0
hα = hf /(1+shfr e Cπ )
E v0
ie (1+ 1/hα )
v’e = RB/(RS+ RB)v e= a.ve R’L
R’S = RB //RS
Circuito equivalente com Cµ

143
A tensão no ponto b’ é dada por:
vb’ = iµ /sCµ = Z α ie /hα isto é,
i µ = (sCµ Z α )ie /hα (206)
i µ = sCµ [re +(1 +1/hα)R’L ] ie = sCµ Rα i e (207)
Rα
Da malha base coletor, temos
v' e = (R’S +rb )(iµ + ie/hα ) + iµ /sC µ (208)
v' e = [(R’S +r b) (s Cµ Rα +1/hα ) + Rα ]i e
Portanto
i e = v’e /[(R’S +rb )(sC µ Rα +1/h α ) + Rα ] (209)
v' e = (R’S +rb )(iµ + ie/hα ) + re ie + v0 (210)
v' e = [(R’S +r b)(s Cµ Rα +1/hα ) + re] ie + v 0 (211)
v' e = [(R’S +rb)(s Cµ Rα +1/hα) + re ] /[(R’S +r b)(s Cµ Rα +1/hα ) + Rα ] v’e + v0
ou
v0 /v'e = (1 +1/hα )R’L / [(R’S +rb )(sCµ Rα +1/hα ) + Rα ] (212)
A relação entre v’e e ve é (v’e = a..ve) puramente resistiva de maneira
Substituindo hα e Rα na equação (212), resulta
v0 /v'e = k.N(s)/D(s)
onde
144
k = R’L/R
R =[(R’S+rb)/hf +r e +R’L]
N(s) = 1+1/hf + sre Cπ ≈ 1+ sreCπ =1-s/z 1 (213)
D(s) =1+s(k1Cπ +k 2 Cµ )/R +s 2k3/R
k1 = r e R’L [(R’S+r b)/R’L +1]
k2 = (R’S+r b)[r e +(1+1/hf )R’L] ≈ (R’S +rb )(re +R’L )
k3 =(R’S +rb )reR’L
Para baixa impedância de fonte (RS <<R’L) as aproximações abaixo podem

ser feitas.
R ≈ R’L + re
k1 ≈ r e R’L
então
k3/R =(R’S+r b)reR’L/(R’L + re )= k 1 k2/R =(R’S+r b)( re R’L) /(R’L + re )
D(s) =1+s(k1Cπ +k 2 Cµ )/R +s 2k1 k2 /R Cπ Cµ (214)
Se p1 e p2 são os pólos de D(s) então este pode ser escrito na forma
D(s) = (1-s/p1)(1-s/p2) =1 – s(1/p1+1/p2) +s 2/p 1p 2 (215)
Comparando os coeficientes s e s2 nas equações (214) e (215) podemos

identificar
p1 = - 1/k1/R Cπ = - re R’L/(R’L + r e) Cπ = -1/R’L//r e Cπ
p2 = - 1/k2/R Cu = -1/(R’S +rb )(re +R’L )/(R’L + r e) Cu = -1/(R’S +rb )Cu
A equação (213) mostra que o amplificador apresenta um zero em –1/r eCπ (como
antes). Além disso, que o efeito de Cu é de adicionar além do pólo p1 (como antes) um
pólo em p2 = - (R’S +rb )Cu , ou seja, formado pela filtro de combinação de (R’S +rb) e
Cu, como já comentado anteriormente. Estes parâmetros foram encontrados para baixa
impedância de fonte.
145
• Exercício:
Calcule os pólos e zero do amplificador seguidor de emissor (o mesmo do

exercício anterior) mostrado abaixo e esboce a sua resposta em alta freqüência
levando em conta o efeito de Cµ.
VCC =20V
R1 Ω
rb =150Ω Cπ =10pF
32,5k Ω
r0 = ∞Ω Cµ = 1pF
RS CS β = hf =100
50Ω µF
10µ
VB CC
µF
10µ
R2 VE
v0
Ω
10kΩ
RE RL
Ω
4kΩ Ω
4kΩ
Solução:
a) Análise DC (igual ao exercício anterior)
r e =VT / IC =26mV /1mA =26Ω
z 1 = -1/re Cπ ≈ - ω T
p1 = -1/R’L//r eCπ e
p2 = -1/(R’S +rb )C u onde
R’L//re = RE//RL//re =4kΩ //4kΩ //26Ω ≈ 26Ω

Ω
R’S + rb = R1//R2 //RS + rb ≈ RS + r b = 200Ω então

146
9
z 1 = -1/re Cπ = -1/(26Ω)(10pF) = - 3,85x10 rad/s
ou
fz1 (Hz) = z1 /2π ≈ 612MHz

9
p1 = -1/R’L//r eCπ = - 1/(26Ω)(10pF) = -3,85x10 rad/s
f p1(Hz) =p 1/2π ≈ 612MHz
9
p2 = -1/(R’S +rb )C u = -1/(200Ω)(1pF) = -5,0 x10 rad/s
f p2(Hz) =p 2/2π ≈ 796MHz
• Valores limites
Ganho em média freqüências (v 0 /v' e s <<p1) (igual ao exercício anterior)
v0 /v' es <<p1 = k = R’L/R = R’L/(R’L +r e ) = 2kΩ /[26Ω +2kΩ]
v0 /v' e s <<p1 = (2kΩ)/(2,026kΩ) ≈ 0,987
Ganho em muito altas freqüências (v 0 /v' e  s >>p2)
v0 /v' e s >>p2 = k.N(s)/D(s) = R’L/(R’L +r e ). (1-s/z1 )/(1-s/p1)(1-s/p2)
com z 1 = p1 (o pólo p1 é cancelado com o zero z1)
v0 /v' e s >>p2 = R’L/(R’L +r e ). 1/(1-s/p2)
que é um sistema com um simples pólo em p2.
Temos ainda,
a = RB /(RS+ RB ) =10 kΩ //32,5 kΩ /[50Ω +10 kΩ //32,5 kΩ]
a = 0,994 portanto
ve = 0,994 v’e
A figura abaixo mostra o gráfico da resposta em alta freqüência com e sem

o efeito de Cu.
147
v 0 /v e escala linear
f P1 = f Z1 = 612MH Z
1,000
0,981
0,900
0,900 a.R’L/[(R’S+rb )/h f +re +R’L] = 0,994*0,987 = 0,981
0,800 fP2 = 796MH Z
0,700
0,600
0,707*0,981 = 0,693
0,500
0,400
0,300
0,200
0,900
0,900 f ( escala log)
0,0
0,9 1M 10M 100M 1G 10G
Resposta em alta freqüência de um seguidor de emissor com Cµ =1pF
Simulação
148
• Amplificador base comum
O amplificador base comum possui um a alta impedância de entrada, alta

impedância de saída, um ganho de corrente de aproximadamente 1 (um), e uma
larga banda de freqüência. Esta configuração é utilizada em aplicações de banda
larga em aplicações que exigem baixa impedância de entrada.. Considere o
circuito base comum mostrado abaixo. A configuração utilizada para polarização
DC é com uma fonte de tensão na base, mas esta análise se aplica para qualquer
tipo de configuração.
V CC
RS CS RC
ve
RE CC
VB
v0
RL
Amplificador base comum - Análise em altas freqüências

freqüências. Note que utilizamos o parâmetro hα é desprezamos a impedância de
saída do transistor r 0 , o que é quase sempre razoável na configuração base comum.
RS re
ve
R’L = RL//RE//r0
RE Cµ
hαα r e rb
Norton v0
R’L
π)
hα = hf /(1+shf reCπ
149
Novamente, como na configuração anterior faremos duas análises: uma com
algumas aproximações e outra exata. Primeiramente, vamos substituir o circuito de
entrada pelo o seu equivalente Norton. Como mostrada na figura abaixo.
re
ie ic
R’L = RL//RC
R’S Cµ
hαα re rb
i c / hαα v0
i e = ve/RS R’L
R’S = RS //RE
π)
Na nossa análise aproximada vamos admitir que a resistência de fonte ,RS , é

muito menor a resistência RE, assim R’S ≈ RS . Além disso, se a resistência, rb, não é
elevada (<100Ω) então a capacitância, Cµ, simplesmente desvia (“shunts”) a
corrente de R’L.
Com estas aproximações o circuito acima simplifica para o circuito mostrado

abaixo.
ic ic
re
ie R’L = RL //RE //r 0

i c /hαα
RS
Cµ
hαα re v0
ZE R’L
Circuito equivalente com rb desprezado
Da figura temos que a corrente (ic + ic/hf ) é igual a corrente ie dividido pelo
divisor resistivo RS , ZE. Por inspeção a impedância ZE é dada por
ZE = re //hα re = re /(1+1/hf + sre Cπ) ≈ re /(1+sreCπ)
Então
ic (1+ 1/hα ) = RS ie /(RS +ZE ) = ve /[RS + re /(1+sreCπ)] (216)

150
mas
(1+ 1/hα ) = 1+1/hf +sreCπ ≈ 1+sreCπ (217)
i c ≈ ve /[RS + re /(1+sr eCπ)](1+sreCπ)
i c = v e /(RS + re ) .1/(1+sr e //RS Cπ ) = ve /(RS + r e).1/(1-s/p1 ) (218)
onde
p1 = - 1/re //RSCπ
E a tensão de saída ,v0 é igual a
v0 = R’L //s Cµ . ic = R’L /(1+s R’L Cµ ) ic (219)
Av = v0 / v e = R’L /(RS + r e). 1/[(1-s/p1 )( 1-s/p2)] (220)
onde
p2 = - 1/R’L Cµ
Então vemos que o circuito acima apresenta dois pólos. Um devido a

capacitância Cπ, na seção de entrada, e o outro devido a Cµ, na seção de saída.
Note que o pólo - p1 é maior que ω T. Normamente o pólo p2 é dominante, isto é,

p2  << p 1.
Para média freqüências (s << p2), o ganho de tensão é dado por:
Av s << p2 = R’L /(RS + re ) (221)

151
Exercício:
Calcule os pólos do amplificador base comum mostrado abaixo e esboce a

sua resposta em alta freqüência. Despreze o efeito de rb.
β = hf =100 Cµ = 1pF
r0 = ∞Ω Cπ =10pF
Ω
rb =0Ω V CC =20V
RS CS RC
Ω
50Ω µF
10µ 6,34k Ω
VE
ve
RE CC
Ω
4kΩ µF
10µ
VB = 4,7V
v0
RL
Ω
2kΩ
Solução:
a) Análise DC
VE = VB –VBE =4,7V-0,7V =4V
r e =VT / IC =26mV /1mA =26Ω
b) Análise AC (médias e altas freqüências)
temos
R’L = RL //RC = 2kΩ //6,34Ω ≈ 1520Ω

Ω
O ganho de tensão em médias freqüências é igual a (note RS << RE)
Av s << p2 = R’L /(RS + re ) =1520Ω/(50Ω +26Ω)= 20
O pólo p1 é igual a
152
9
p1 = - 1/re //RSCπ = - 1/(26Ω //50Ω)(10pF) = - 5,85x10 rad /s
ou
fp1(Hz) =  p1 /2π ≈ 930MHz
O pólo p2 é igual a
p2 = - 1/R’L Cµ = - - 1/(1520Ω)(1pF) = - 6,58x10 8rad /s
ou
fp2(Hz) = p2 /2π ≈ 104MHz

f p2 = 104MHZ fp1 =930MHz
f ( escala log)
0dB
1M 10M 100M 1G 10G
-3dB
-6dB
f2
-9dB
-12dB
-15dB -20dB/década
-18dB
-21dB
-40dB/década
-24dB
-27dB
-30dB
Resposta em alta freqüência de um base comum com rb =0

153
• Simulação
**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
NAME Q_Q1
MODEL Qbreakn
IB 1.00E-05
IC 1.00E-03
VBE 6.46E-01
VBC -8.83E+00
VCE 9.47E+00
BETADC 1.00E+02
GM 3.88E-02 ( r e = 1/3.88E-02 = 25,77Ω)
RPI 2.58E+03
RX 1.00E-03
RO 1.00E+12
CBE 1.01E-11
CBC 1.01E-12
CJS 0.00E+00
BETAAC 1.00E+02
CBX 0.00E+00
FT 5.55E+08
154
155
Agora, vamos levar em conta o efeito da resistência r b. Agora em muito altas
freqüência haverá um curto em o emissor e o coletor do transistor fazendo com que o
ganho de tensão seja igual a aproximadamente r b(rb +RS) .Novamente, é conveniente
desenhar o circuito acima com a impedância, hα , entre a base b’ e o emissor.
i c =i l + iµµ
re
ie Cµ
il
R’L = RL //R C
iR
R’S iµµ
hαα re
rb
ib
il / hαα v0
i e = ve/RS R’L
R’S = RS //RE
π)
Circuito equivalente com rb ≠ 0
Novamente, vamos admitir que a resistência de fonte ,RS , é muito menor a

resistência RE , assim, R’S ≈ RS .
Da figura temos
i e = iR +ii (1+1/h α ) (222)
i i/hα = ib +iµ ⇒ ii = hα (i b +iµ ) (223)
v0 = R’L (il +iµ ) (224)
r bi b = iµ 1/sCµ + v0 (malha verde) (225)
R’S iR ≈ RS iR = re il +rb ib (malha azul) (226)
Resolvendo o sistema acima resulta
v0 /ie = R’L N(s)/D(s)
ou substituindo ie
Av = v0 /ve = R’L /RS . N(s)/D(s) onde (228)

156
2
N(s) = 1+ sr bCµ + s r e rb Cπ C µ (229)
D(s) ≈ rb /RShf +1+s[(r b/RS + 1)reCπ +RTCµ ] +s r eRTCπ Cµ

2
(230)
Onde RT =R’L(rb /RS+1) + rb (231)
A aproximação na equação (230) surgiu devido a aproximação hf +1 ≈ hf
A equação (229) mostra que o resistor rb introduz dois zeros no amplificador base
comum. Se a condição
r b Cµ < 4 re Cπ
For satisfeita estes zeros serão complexos. Na prática a condição acima é sempre
satisfeita. A conseqüência é que a curva da resposta em freqüência será bem acentuada
em torno destes zeros.
A equação (231) na prática quase sempre pode ser aproximada por: (R’L >>rb )
RT ≈ R’L(rb /RS+1)
E como rb/RS hf <<1
Então a equação (230) pode ser bem aproximada por:
D(s) ≈ 1+s[(r b/RS + 1)reCπ +RTCµ ] +s2re RTCπCµ
Substituindo o valor aproximado de RT, resulta
D(s) ≈ 1+s[(R T /R’L)reCπ +RTCµ ] +s re RTCπC µ

2
Na prática quase sempre RT Cµ >> RT /R’L)re Cπ , então
D(s) ≈ 1+sRTC µ +s2r eRT CπCµ (232)
Se p1 e p2 são os pólos de D(s) então este pode ser escrito na forma
D(s) =(1-s/p1 )(1-s/p2) =1 –s(1/p1+1/p2) + s2/p1p2
Se um pólo for dominante (por exemplo, p2 ), então
D(s) ≈ 1 – s1/p2 + s2 /p 1p2 (233)
Comparando os coeficientes em s e s 2 nas equações (232) e (233) temos

157
p2 = -1/RTCµ =-1/ (R’L(rb /RS+1)Cµ e
p1 =-1/ re Cπ
Note que se rb for igual a zero o pólo p2 se torna igual ao do resultado anterior.
Assim, como podemos observar o efeito de rb, foi de introduzir dois zero no sistema e
diminuir o pólo dominante por um fator k dado por:
k = rb /RS+1 (234)
Em muito altas freqüências (s >>p1 ) a equação do ganho torna-se
Av  s>>p1 = R’L /RS . N(s)/D(s) = R’L /RS (1+sr bCµ +s2re rbCπ Cµ)/ (1+sRTCµ+s 2re RTCπCµ)
Av  s>>p1 ≈ R’L /RS (s2re rbCπ Cµ)/ (s2r eRTCπ Cµ) = R’L rb /RSRT
Av  s>>p1 ≈ R’L rb/RS R’L (rb /RS+1) = rb/(rb +RS ) (235)
• Exercício:
Calcule os pólos do amplificador base comum (o mesmo do exercício

anterior)mostrado abaixo em alta freqüência levando em conta o efeito de rb e esboce a
sua resposta em freqüência.
β = hf =100
Cµ = 1pF
r0 = ∞Ω
Cπ =10pF V CC =20V
Ω
rb =25Ω
RS CS RC
Ω
50Ω µF
10µ 6,34k Ω
VE
ve
RE CC
Ω
4kΩ µF
10µ
VB = 4,7V
v0
RL
2kΩ
158
Solução:
a) Análise DC (igual ao exercício anterior)
r e =VT / IC =26mV /1mA =26Ω
R’S = RE //RS ≈ RS = 50Ω

Ω
R’L= RC //RL =6,34kΩ //2kΩ ≈ 1520Ω

Ω
Ω
RT = R’L(rb /RS+1) =1520Ω (25Ω/50 +1) =2280Ω
p1 = -1/re Cπ
p1 = -1/26Ω)(10pF ≈ - 3,85x10 9 rad/s
ou
fp1(Hz) = p1 /2π ≈ 612MHz
p2 = -1/RT Cu
p2 = - 1/(2280Ω)(1pF) ≈ -4,38x10 9 rad/s
ou
f p2(Hz) =p 2/2π ≈ 70MHz
• Valores limites
Ganho em média freqüências (v 0 /ve  s <<p2) (igual ao exercício anterior)
Av s << p2 = R’L /(RS + re ) =1520Ω/(50Ω +26Ω)= 20
Ganho em muito altas freqüências (v 0 /ve s >>p1)
Av s >>p1 ≈ rb/(rb +RS) = 25/(25+50) ≈ 0,333

159
A figura abaixo mostra o gráfico da resposta em alta freqüência com o
efeito de rb.

fp2 = 70MHZ f (escala log )
0dB 1M 10M
-3dB 100M 1G 10G
-6dB
-12dB
0dB ⇒ 20
-18dB
-24dB
-30dB
-36dB
-42dB
-35,5dB ⇒ 0,333
-48dB
-54dB
Resposta em alta freqüência de um base comum com rb =25Ω
Simulação
**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
NAME Q_Q1
MODEL Qbreakn
IB 1.00E-05
IC 1.00E-03
VBE 6.46E-01
VBC -8.83E+00
VCE 9.47E+00
BETADC 1.00E+02
GM 3.88E-02
RPI 2.58E+03
RX 2.50E+01
RO 1.00E+12
CBE 1.01E-11
CBC 1.01E-12
CJS 0.00E+00
BETAAC 1.00E+02
CBX 0.00E+00
160
FT 5.55E+08
161
• Resposta em freqüência de múltiplos estágios
Como vimos na seção anterior à análise do comportamento em freqüência de um

simples estágio pode ter alguma complexidade. A análise completa de amplificadores
com múltiplos estágios com muitos elementos capacitivos tornam a análise muito
complexa e os resultados bastante complicados que não tem nenhuma serventia. Por
esta razão métodos aproximados de análise têm sido desenvolvidos para auxiliar na
análise, e simulações computacionais são utilizadas no projeto final. Um desses
métodos de análises é método das constantes de tempo de valor zero e será descrito
adiante. Inicialmente algumas considerações sobre pólo dominante serão feitas.
• Aproximação - Pólo dominante
Para qualquer circuito eletrônico nós podemos derivar uma função de

transferência A(s), para pequenos sinais dada por
N ( s ) a0 + a1s + a2 s 2 + ... + am s m
A( s ) = = (336)
D( s ) 1 + b1 s + b2 s 2 + ... + bn s n
onde a0 , a1 , a2 ... am, e b1 , b2 ...b n são constantes. Normalmente a função de

transferência só possui pólos (ou os zeros não são importantes). Neste caso nós
podemos fatorar o denominador da equação (336) resultando em
K
A( s ) = (337)
 1 − s  1 − s ... 1 − s 
 p1  p2   pn 

onde K é uma constante e p1, p2,.....pn são os pólos da função de transferência.
É fácil verificar que

n
b1 = ∑  − 1  (338)
i =1 
pi 
Um caso importante ocorre quando um pólo é dominante (por exemplo p1 ). Isto é,

quando
∑ − 1 p 
n
p 1<<p2 ,p3 ,… pn  de modo que 1
p1
>>
i=2 i
162
Nesta situação segue da equação (338) que
b1 = ∑  − 1  = − 1 + ∑  − 1  ≅ − 1 = 1
n n
i =1 
pi  p1 i = 2  pi  p1 p1
Se nós retornarmos para equação (337) e calcularmos o ganho em módulo no

domínio da freqüência nós obtemos
K
A( jω ) = (339)
 ω  2  ω  2   ω 2 
1 +  p1   1 +  p2  ...1 +  pn  
    
Se um existe um pólo dominante (por, exemplo p 1) então a equação (339) pode ser
aproximada por
K
A( jω ) ≅ (340)
 ω  2 
1 +  p1  
 
Esta aproximação será bastante precisa pelo menos até ω = p1 , e, portanto
esta equação fornecerá a freqüência –3dB do amplificador e nós podemos escrever
ω -3dB ≈ p 1
ou
ω -3dB ≈ 1/b1
Para uma situação de pólo dominante.

163
• Análise pelo método das constantes de tempo de valor zero
Este é um método de aproximação de análise que permite estimar a freqüência

–3dB do circuito e quais os elementos desde circuito que contribui para a
freqüência de pólo dominante. Este método será desenvolvido considerando um
exemplo prático.
Considere o amplificador emissor abaixo. O capacitor de realimentação entre

o coletor e a base do transistor (C µ ) foi separado em dois (C µ1 , Cµ2 ) como
mostrado na figura seguinte. Esta é uma melhor aproximação do modelo do
transistor, mas não é utilizada dada a complexidade na análise.
V CC
RC
R1 CC
v0
RS CS
RL
ve
R2
RE CE
Amplificador emissor comum

164
C v0
R’L
Cx Cµ
RS R’L = RL //RC //r 0
rb
ve B
hf re
Cπ re
R1 //R2
Circuito equivalente com Cµ , Cx
Para o propósito desta análise, as voltagens dos capacitores, v1 ,v 2 ,e v 3 são as

variáveis escolhidas. A voltagem de entrada ve , é removida e o circuito é excitado
com três independentes fontes corrente i1, i2, e i3 através dos capacitores como
mostrado na figura abaixo.
C
v0
R’L
i3 i2
v3 v2 R’L = RL //R C//r 0
Cµ
Cx rb
i1
B
h f re v1
Cπ re
R1 //R2// RS
Circuito equivalente com as fontes de excitação i1, i2, e i3

165
Nós podemos mostrar que com esta escolha de variáveis as equações do circuito
são da forma
i 1 = (g11 +sCπ )v1 +g12v2 +g13v3 (341)
i 2 = g21v 1 +(g 22 +sCµ )v2 +g23v3 (342)
i 3 =g31v1 +g32 v2 +(g33 +sCx )v3 (343)
onde os termos g são condutâncias. Note que os termos envolvendo s contribuídos

pelos capacitores são associados somente com as suas respectivas voltagens e somente
aparecem na diagonal do determinante(∆ ) do sistema.
É possível mostrar que os pólos do sistema são os zeros do determinante ∆ do

sistema de equação acima e que este pode ser escrito na forma
∆ =∆(s) = K3s3 + K2s2 + K1s + K0 (344)
onde os coeficientes K são compostos de termos das equações acima. Por

exemplo, K3 é a soma dos coeficientes de todos os termos envolvendo s 3 na expansão do
determinante. A equação (344) também pode ser escrita como
∆(s) = K0 (b3s 3 + b2s 2 + b1s +1) (345)
onde esta forma corresponde a da equação (336). Note que este é um

determinante de terceira ordem porque existem três capacitores no circuito. O termo K 0
é o valor de ∆(s) se todos os capacitores são zero. Isto pode ser visto do sistema de
equação (341-343). Portanto
K0 = ∆(s)todo C=0 = ∆0
E isto é utilizado para definir
K0 ≡ ∆0 (346)
166
Considere agora o termo K1s na equação (344). Este é a soma de todo os
termos envolvendo s quando o determinante é calculado. Entretanto do sistema de
equação (341-343) é fácil de observar que os s só ocorrem quando associado com a
capacitância. Assim o termo K1s pode ser escrito como
K1s = h1sCπ + h2sCµ + h3sC x (347)
onde os termos h são constantes. O termos h1 pode ser calculado através da

expansão do determinante do sistema de equação em questão em função da primeira
linha.
∆(s) = (g11 +sCπ ) ∆11 + g12 ∆12 +g13∆12 (348)
onde ∆11, ∆12, e ∆13 são os cofatores do determinante ∆(s). A inspeção do sistema
equação (341-343) mostra que Cπ aparece somente no primeiro termo de (348). Assim o
coeficiente de sCπ nesta equação é encontrado calculando ∆ 11 com C µ = Cx = 0, o que
eliminará os outros termos capacitivos em ∆11. Mas o coeficiente de s Cπ é justamente h1
na equação (347), e assim
h1 =∆11Cµ = Cx = 0 (349)
Agora considere a expansão do determinante em função da segunda linha. Isto

deve dar o mesmo valor do determinante, e assim
∆(s) = g 21∆11 + (g22 + s Cµ ) ∆22 +g23 ∆23 (350)
Neste caso Cµ aparece somente no segundo termo de (350). Assim o coeficiente

de s Cµ nesta equação é encontrado calculando ∆ 22 com Cπ = Cx = 0, o que eliminará os
outros termos capacitivos em ∆22. Mas esse coeficiente de s Cπ é justamente h2 na
equação (347), e assim
h2 =∆22Cπ = Cx = 0 (351)
De forma similar pela expansão em função da terceira linha segue que
h3 =∆33Cπ = Cµ = 0 (352)
167
Combinando (347) com (349), (351), e (352) resulta
K1 =(∆11Cµ =Cx =0 ).Cπ +(∆22Cπ =Cx =0 ).Cµ +(∆33Cπ =Cµ =0 ). Cx (353)
b1 = K1/K0 = (∆11Cµ =Cx =0 ).Cπ /∆0 + (∆22Cπ =Cx =0 ).Cµ /∆0
+ (∆33Cπ =Cµ =0 ).Cx /∆0 (354)
Agora fazemos i2 =i3 =0 na figura acima e resolvemos o sistema de equação

(341-343) para v 1, resultando
v1 = ∆11i1 /∆(s)
e assim
v1/i1 =∆11/∆(s) (355)
A equação (355) é uma expressão da impedância entre os terminais do capacitor

Cπ . Portanto a expressão
(∆11Cµ =Cx =0 )/∆0
representa a impedância puramente resistiva entre os terminais do capacitor Cπ com

todos os capacitores iguais a zero, já que
(∆11Cµ =Cx =0 )/∆0 =∆11/∆0 Cπ = Cµ =Cx = 0
Nós agora definimos
Rπ0 = ∆11/∆0 Cµ =Cx = 0 (356)

168
De forma análoga
(∆22Cπ =Cx =0 )/∆0 = ∆22/∆0Cµ =Cx = 0
representa a impedância entre os terminais do capacitor Cµ com todos os capacitores

iguais a zero e é representada por Rµ0 e
(∆33Cπ =Cx =0 )/∆0 = ∆33/∆0Cµ =Cx = 0
representa a impedância entre os terminais do capacitor Cx com todos os capacitores

iguais a zero e é representada por Rx0 .Assim de (354) podemos escrever
b1 = Rπ0Cπ + Rµ0 Cµ + Rx0 Cx = ∑Τ0 (357)
As constantes de tempo na equação acima são chamadas de constantes de

tempo de valor zero porque para obter-las todos os capacitores são zerados.
A representação ∑Τ0 generaliza este resultado para qualquer circuito e
representa a soma de todos as constantes de tempo que serão iguais em número ao
quantidade de capacitores presente neste.
No começo desta seção nós mostramos que se não existe nenhum zero dominante
na função de transferência do circuito e se existe é um pólo dominante, então a banda
–3dB (ω -3dB ) do circuito é aproximadamente igual a
ω -3dB ≈ 1/b1 = 1/∑Τ0 (358)
ou em Hz
f -3dB ≈ 1/2πb1 = 1/2π∑Τ0 (359)

169
Exemplo 1:
Considere o circuito equivalente do um amplificador emissor comum já analisado

anteriormente mostrado abaixo.
C v0
R’L
RS Cµ
B rb
ve
hf re
Cπ re
R1 //R2
R’L = RL//RC//r0
E
Circuito equivalente de um amplificador emissor comum
Eliminando a tensão de entrada e identificando as impedâncias vista pelos

capacitores, temos
C v0
R’L
Rµ0 Cµ
B rb
hf re R π0
Cπ re
R’S
R’L = RL //R C//r 0
R’S = R 1 // R2//RS
E
Circuito equivalente para o cálculo de Rπ 0 e Rµ 0

170
A impedância vista pelo capacitor Cπ , Rπ0, é por inspeção da figura acima é igual
a
Rπ0 = (R’’S +rb )//hf re (360)
Para determinar a impedância vista pelo capacitor Cµ , Rµ0, vamos aplicar uma
fonte corrente (iµ) no lugar do capacitor Cµ, medir a tensão (v µ ) e determinar Rµ0
através da sua definição (Rµ0 = vµ /iµ ) . Para isto é conveniente redesenharmos o circuito
acima como mostrado na figura abaixo
C v0
ie + i µ
R’L
vµ iµ
B rb v1
hf re ie/hf
ie re
R’’S
R’L = RL//RC//r0
R’’S = R 1 //R 2//RS
E
Circuito equivalente para o cálculo de Rµ 0
Note que todos os capacitores foram zerados (reatância capacitiva infinita). Da

figura temos
v1 = (R’’S +rb )//hfere iµ = Rπ0 iµ = re ie (361)
v0 = - R’L (i e + iµ ) (362)
v0 = - R’L (Rπ0 /re + iµ ) (363)
Agora
Rµ 0 = v µ /iµ = (v1 – v0 )/ i µ (364)

171
A Substituição de (361) e (362) em (364), resulta
Rµ 0 = Rπ0 (1 + R’L /re + R’L /Rπ0 ) (370)
Portanto
ω -3dB ≈ 1/∑Τ0 = 1/( Rπ0 Cπ + Rπ0 Cµ ) (371)
Substituindo (360) e (370) em (371), resulta
ω -3dB ≈ 1/{ Rπ0 [Cπ + Cµ (1+ R’L/re + R’ L /Rπ0 )} (372)
Se lembrarmos que Rπ0 é igual a expressão de R’S na determinação dos pólos do

amplificador emissor feito anteriormente na análise exata, veremos que a equação
(372) acima é exatamente igual a freqüência do pólo dominante encontrado naquela
análise.
A conclusão que chegamos é que: primeiro, a análise pelo método das constantes
de tempo de valor zero fornece o mesmo resulta mas o um esforço bem menor; segundo,
nenhuma informação é fornecida a respeito dos pólos não dominantes.
Como mais uma ilustração do uso e limitação da análise método das constantes
de tempo de valor zero, vamos analisar outro exemplo, agora um amplificador seguidor
de emissor (coletor comum), sem o efeito do capacitor Cµ..
172
Exemplo 2:
Considere o circuito equivalente do um amplificador seguidor de emissor já

analisado anteriormente mostrado abaixo.
RS
B rb
ve
hf re
Cπ re
R1 //R2 = RB
E
v0
R’L
Eliminando a fonte de sinal ve, o capacitor Cπ , e adicionando uma fonte de

corrente iπ no lugar desde último, temos
B rb
ib iπ
hf re
vπ
i e/hf r e ie
R’S = R1 //R2 //R S
E
v0
i e (1+1/h f)- iπ
R’L
173
Da figura temos
i π = ie + ib = vπ /hf re + (v π +v0 )/(R’S +rb) (373)
v0 = R’L [(ie (1+1/hf )- iπ] (374)
i e = vπ /re (375)
Eliminando i e , nas equação (374), (375), e substituindo em (373), resulta
i π = v π/hf re +vπ/(R’S +rb) + R’L [(vπ /re(1+1/hf)- iπ]/(R’S +rb )
i π = v π/hf re + vπ(1+ R’L/re )/(R’S +rb+ R’L )
i π = v π [1/hf ( re + R’L )/(R’S +rb+ R’L ]/re
i π = v π [ (R’S +rb )/hf +re+(1+1/hf )R’L ] / (R’S +rb + R’L)r e
Finalmente
Rπ0 = vπ/ iπ = re (R’S +rb + R’L )/[ (R’S +rb )/hf +re +(1+1/hf )R’L ]
Como sempre fazemos 1+1/hf ≈ 1, então
Rπ0 ≈ re (R’S +rb + R’L )/[ (R’S +rb )/hf +re +R’L ] = k.re
onde
k =(R’S +rb + R’L )/[ (R’S +rb )/hf +re +R’L ]
Assim o pólo dominante no seguidor de emissor está em
ω = 1/Rπ0 Cπ = 1/Rπ0 Cπ =1/ k.reCπ
Que é exatamente igual ao resultado já encontrada na análise exata. Entretanto a

análise pelo método das constantes de tempo de valor zero não diz nada a respeito do
zero. Como este zero é muito próximo do pólo, a freqüência do pólo dominante não
corresponde a banda –3dB neste caso.
174
• Resposta em freqüência circuito com mais de um transistor.
A real vantagem da análise pelo método das constantes de tempo de valor zero
aparece quando analisamos o comportamento em freqüência de circuitos com mais de
um estágio e configuração compostas.
Circuitos como, cascode (emissor comum + base comum) e outras configurações

mais complexas com mais de um transistor tornam análise convencional impraticável.
Por exemplo, considere o amplificador composto de dois estágios emissor

comum cascateados mostrado na figura abaixo. Os capacitores CS1 e CS2 representam
capacitâncias parasitas do circuito.
V CC
RC1 RC2
R1 C2 R3 C3
Q1 v0
RS Q2
C1
C s2
ve vi R L2
Cs1
R2 R4
RE1 C E1 R E2 C E2
Amplificador emissor comum cascateado
A análise convencional deste cicuito para encontrar o pólo dominante e

determinar a frequência –3dB é um trabalho extrememamente árduo, mas análise pelo
método das constante de tempo de valor zero é bastante direto como será demonstrado
no exemplo adiante. Antes vamos formalizar um resultado encontrado anteriormente.
Como a literatura não citar nada sofre o efeito a ser descrito chamaremos de
efeito “Trans” para lembrar que este é provocado pela transcondutância (ou
transresistência). O elemento transcondutância apresentado terá tres terminais e
dependendo da conexão existirá dois efeito que chamaremos de “Trans up” e Trans
down.
175
O efeito “Trans up” aumenta a impedância entre dois terminais aumentando a

resistência em um dos terminais (R i ) pelo fator 1+RL/re quando existe uma
transcondutância, gm = 1/re, conectando estes terminais. Estes terminais estão ligados
entre a entrada e a saída da transimpedância.
Ri , representa a impedância no terminal de entrada da trancondutância e RL , a

impedância no terminal de saída.
Rx Efeito “Trans”
1) A transcondutância g m não está

g m = 1 /r e conectada entre os terminais.
1)
i e = gmve Por inspeção temos a resistência
entre os terminais é igual à
ve ie
Rx = Ri +RL
Ri
RL Por outro lado, se
2) A transcondutância g m está
conectada entre os terminais
Da figura, temos
Rx = vx /i x
i e = gm ve = ve/r e = Ri ix/r e
ix
2) v0 = -RL (i x + ie ) = -RL ix - RLRi i x/re
vx ix
ie = gmve ie vx = ve - v0 = Ri ix +RL ix + RLRi ix/re
ix v0
ve ie Portanto
i e+ ix
RC = v x/ ix = Ri (1+RL/re ) + RL
Ri
RL Fator de aumento
176
O efeito “Trans down” diminui a impedância entre dois terminais pelo fator
(1 +RL/r e ) quando existe uma transcondutância, gm = 1/r e, conectando estes terminais.
Estes terminais estão ligados entre as entradas + e - da transimpedância.
Ri , representa a impedância no terminal + de entrada da trancondutância e RL , a

impedância no terminal - .
Efeito “Trans”
Rx 1) A transcondutância não está

conectada entre os terminais.
1)
gm = 1 /r e Por inspeção temos a resistência
i e = gmv e entre os terminais é igual à
ve ie
Rx = Ri + RL
Por outro lado,
2) A transcondutância está
Ri RL conectada entre os terminais
Da figura, temos
i e = gm ve = gm vx = vx/re
Rx = vx /i x
v0 = RL (ie – ix ) = RLv x/re - RLi x
ix
2) vx = vR - v0 = Ri ix - RLv x/re + RL ix
vx
ix ie = gmve Portanto
vR
ve ie Rx = vx/ ix = (Ri + RL )/(1+ RL/re )
ix
ou Fator de redução
v0 Rx = (Ri + RL )/(1+ gmRL )

ie
Ri ie - ix
RL
177
Com o objetivo de aplicarmos o efeito “Trans up” descrito acima
também em transcondutância com impedância de entrada e degenerado com
uma resistência RE , faremos o desenvolvimento abaixo de um circuito
equivalente para este circuito.
1) A resistência de entrada determinada.

1) Da figura, temos
g m = 1 /r e v e = hf reib ou ib = ve/hf re = ie/hf
v' e ib v’e = ve+RE (ie+i b) = hf reib + (hf +1)REib

i e = gmv e
então
hf r e
ve
ie
Ri = v ’e /i b = hf re + (hf +1)RE
Ri
Ri ≈ hf re + hfRE = hf(re + RE)
RE i e + ib
E a transcondutância será agora
determinada. Da figura, temos
v’e = ve+RE (ie+i b) = reie+REie +RE ie/hf

Equivalente
logo
g’m =1/r’e = v’e/i e = 1/[re +RE(1+1/hf)]
g’m ≈ 1/(re +RE )

2)
g'm = 1 /r’e
2) Da figura a resistência de entrada é
ie = g’mv’e igual
hf r’e Ri = hf re + hf RE = hf (re +RE) = hf r’e

v' e
ie
Então
Ri r'e = re + RE
A transcondutância é igual à
g’m = 1/r’e = 1 /(re +RE )

178
Exemplo 1:
Considere o circuito equivalente do amplificador emissor comum abaixo, já

analisado na seção anterior. Vamos encontrar a resistência Rµ0 utilizando o efeito Trans
up citado acima.
C v0
RE R’L
RL
Rµ0
B rb
hf re Rπ0
re Cπ = Cµ = 0
R’S
R’L = RL //R C//r 0
R’S = R 1 //R2//RS
E
Observando que
i e = gmv e
i e = gmv e = ve /re
ve ie ve
re
ie
Da figura, temos que a impedância no terminal de entrada + da transcondutância,

Ri, é igual à Rπ0. A impedância no terminal de saída da transcondutância, RL, é igu al a R’L.
Portanto
Rµ0 = Ri + RL + Ri RL/re = Rπ0 + R’L + Rπ0 R’L/re = Rπ 0 (1+ R’L/r e + R’L /Rπ 0 )
Que é igual ao resultado obtido na seção anterior.

179
Exemplo 2:
Considere o circuito equivalente do amplificador seguidor de emissor abaixo, já

analisado na seção anterior. Vamos encontrar a resistência Rπ0 utilizando o efeito Trans
down citado acima.
Ri
ve =0
RS
B rb
ve
hf re Rπ 0
re
R1 //R2 = RB
RL
E v0
R’S =R1 //R 2 //RS
R’L
Circuito equivalente para o cálculo de R π 0
Observando que
i e = gmv e
i e = gmv e = ve /re
ve ie ve
re
ie
Da figura, vemos que a impedância Rπ0 será igual a impedância entre os

terminais reduzida pelo efeito Trans down ,RT, em paralelo com hf re.
A impedância no terminal de entrada + da transcondutância, Ri, é igual à

(R1 //R2 //RS +rb )=R’S +rb . A impedância no terminal entrada - da transcondutância, R L é
igual a R’L.. Portanto
Rµ0 = RT //hf re = [(R i + RL )/(1+RL /re)]//hf re = [(R’S+r b +R’L)/(1+RL/re )]//hf re
Rµ0 = re (R’S +rb+ R’L)/[ (R’S +r b )/hf +r e+R’L ]
Que é igual ao resultado obtido na seção anterior.

180
Exemplo 3:
Considere o circuito equivalente do amplificador com emissor degenerado abaixo.

Vamos encontrar a resistência Rµ0 utilizando o efeito Trans up citado acima. (r 0
desprezado)
C v0
Ri R’L
RL
Rµ0
B rb
hf re
re Cπ = Cµ = 0
R’S
R’L = RL //R C
R’S = R 1 //R2//RS
E
RE
Observando que
i e = gmve
i e = g’mv’e = v’e/r’e
ve hf re
re ie v' e hf r’e
r'e
ie
r’e = re +RE
RE
Da figura, temos que a impedância no terminal de entrada + da transcondutância,

Ri, é igual à (R’s +rb )//hf r’e . A impedância no terminal de saída da transcondutância, RL, é
igual a R’L. Portanto
Rµ0 = Ri +RL +Ri RL/r’e = (R’s+r b)//hf r’e +R’L +(R’s+rb )R’L/r’e
= (R’s+rb )//hf (re + RE ) + R’L +[(R’s+r b )//hf (re + RE )] R’L/(r e +RE )

181
Exemplo 4:
A figura abaixo representa o circuito equivante AC para altas frequências do

amplificador emissor comum cascateado mostrado no início desta seção. Determine a
frequência –3dB deste circuito. Note que a entrada foi aterrada.
C1 C2
Q1 Q2
Cµ 1 Cµ 2
r b1 rb2
B1
hf1 re1 B2 h f2 r e2
C p1 Cp2
Cπ 1 r e1 Cπ 2 re2
R’S R’L1 R’L2
E1 E
R’S =R1//R2 //RS R’L1 = R3 //R4//RC1 R’L1 = RC2 //RL2
Circuito equivalente AC em altas freqüências
Dados:
hf1 = hf2 = 60 r b1 = r b2 =400Ω Cµ1 = Cµ2 =1pF
Cp1 = C p2 =2pF C π1 = 5pF Cπ2 = 10pF
R’S =10kΩ R’L1 =10kΩ R’L2 =5kΩ
1/re1 =3mA/V 1/re2 =6mA/V
Para melhor visualização dos resistores a serem determinados redesenhamos o

circuito acima com os capacitores retirados e indicando as resistências vista pelos
repectivos terminais como mostra a figura abaixo.
182
C1 C2
Q1 Q2
Rµ 01 Rµ 02
r b1 rb2
B1
hf1 re1 B2 h f2 r e2
Rπ 01 Rp01 Rπ 02
r e1 re2 Rp02
R’S R’L1 R’L2
E1 E
R’S =R1//R2 //RS R’L1 = R3 //R4//RC1 R’L1 = RC2 //RL2
Inicialmente vamos determinar as resistências vista pelos capacitores que tem um

dos terminais aterrado, que são Rπ01, Rp01 , Rπ02, Rp02 .
Da figura, temos
Rπ01= (R’S +rb1)//hf1 re1 = (10kΩ +400Ω)//(60)(1000/3) =10,4kΩ//20kΩ ≈ 6,84 kΩ

Ω
Rp01 =R’L1//(rb1+hf2 re2)=10kΩ //[400Ω+(60)(1000/6)] =10kΩ//10,4kΩ ≈ 5,1kΩ

Ω
Rπ02 =(R’L1 +rb2)//hf2 re2 =(10kΩ +400Ω)//(60)(1000/6)= 10,4kΩ//10kΩ ≈ 5,1kΩ

Ω
Ω
Rp02 = R’L2 =5kΩ
Agora vamos determinar o restante das resistências, que são Rµ01 e Rµ02. Estas
resistências têm os seus valores aumentado pelo efeito da “Tranr up” das
transcondutâncias gm1 = 1/re1 e gm2 =1/re2.
Da figura vemos que a resistência vista nos terminais de Rµ01, são Rπ01 e Rp01 ,
portanto
Rµ01 = Rπ01 +Rp01 + Rπ01 Rp01/r e1
Rµ01 = 6,84 k Ω +5,1kΩ +(6,84 kΩ)(5,1k Ω)/(1000/3) ≈ 116,66 kΩ
E finalmente, da figura vemos que a resistência vista nos terminais de Rµ02, são
Rπ02 e Rp02 , portanto
Rµ02 = Rπ02 +Rp02 + Rπ02 Rp01/r e2

183
Rµ02 = 5,1kΩ +5kΩ +(5,1kΩ)(5kΩ)/(1000/6) ≈ 163,2 kΩ
Ω
As constantes de tempo de valor zero podem agora ser determinadas.
Rπ01Cπ 1 = (6,84kΩ)(5pF) = 34,2ns
Rp01Cs1 = (5,1kΩ)(2pF) = 10,2ns
Rπ02Cπ 2 = (5,1kΩ)(10pF) = 51ns
Rp02Cs2 = (5kΩ)(2pF) =10ns
Rµ01Cµ1 = (116,66kΩ)()(1pF) = 116,66ns
Rµ02Cµ2 = (163,2kΩ)(1pF) =163,2ns
Se nós assumirmos que a função de transferência do circuito possui um pólo

dominante, a freqüência –3dB pode ser estimada como
1
f -3dB ≈ 1/2π b1=1/2π∑Τ0 = ≅ 413kHz
2π (34,2ns + 10,2ns + 51ns + 10ns + 116,66ns + 163,2ns)
385,3ns
Uma simulação computacional usando o programa SLIC forneceu uma

freqüência –3dB de 456kHz , que muito próxima do valor calculado. Este programa
releva que este circuito possui 04 (quatro) pólos reais negativos em 463kHz, 4,37MHz,
41,06MHz, e 212MHz. Existe 02 (dois) zeros reais negativos em 478MHz e 955MHz.
Da simulação se nós somarmos os recíprocos dos módulos do pólos fornece

385,2ns que é exatamente igual a soma das constantes de tempo de valor zero.
A conclusão que chegamos é que a análise acima pelo método das constantes de
tempo de valor zero foi obtida com o esforço relativamente pequeno. Neste exemplo ,
como é usualmente o caso em cascatear emissor comum, a capacitância, Cµ , é a maior
contribuição ao pólo dominante do circuito.
Uma das maiores vantagens da análise pelo método das constantes de

tempo de valor zero é a informação que ela fornece sobre quais elementos
do circuito mais afetam a sua freqüência –3dB.
184
Exercício:
Calcule o ganho em médias freqüências e a freqüência –3dB do circuito cascode

da figura abaixo usando os seguintes dados:
Dados Q1
β1 = hf1 =200 Cπ1 = 13,7pF C µ1 = 0,23pF Cs1 = 0,40pF
r 01 = ∞ Ω rb1 =200Ω
Dados Q2
β2 = hf1 =200 Cπ2 = 13,7pF C µ2 = 0,20pF Cs2 = 0,35pF
r 02 = ∞ Ω r b2 =200Ω
VCC =20V
RC
Ω
1kΩ CC
R1 CS2 µF
10µ
10 k Ω
v0
CB
µF
10µ
Q2
CS1
R2
Ω
10kΩ
RS
Ω
1kΩ
Q1
CS VB
ve
10µ F VE
RE
R3
Ω
74Ω
1,95k Ω
CB
REP µF
10µ
1kΩ
Amplificador cascode
185
1) Análise DC (determinar re1 e re2)
Da figura, temos
R1 //R2//R3 =20kΩ//20kΩ//1,95kΩ ≈ 1,63kΩ <<(β1+1)(RE +REP )=(201)(1,074kΩ)
= 215,8 kΩ então
VB ≈ VCC R3/( R1+R2+R3 ) = (20V)(1,95kΩ)/(10kΩ +10kΩ +1,95kΩ) ≈ 1,77V
VE = VB –VBE =1,77V – 0,7V =1,07V
I C1 ≈ IC2 ≈ IE1 = VE/(RE +REP ) = 1,07V/(1kΩ +74Ω) ≈ 1mA
r e1 ≈ re2 =VT/I C2 =26mV/1mA = 26Ω
2) Análise AC (ganho Av em médias freqüências)
A figura abaixo mostra o circuito equivalente para médias freqüências
RC
1kΩ
Q2 v0
rb2
β 2 re2 re2
R2 vx
10kΩ
RS Z 0 ≈ re2
Ω
50Ω Q1
rb1
v'e Q’ 1
ve
β 1 re1 re1
rb1
R3 ZB =β 1 r’e1
1,95k Ω RE
β 1 r’e1 r' e1
Ω
74Ω
r'e1 = re1 +RE
Circuito equivalente para médias freqüências

186
Da figura acima, temos
vx/v’e = - Z0/r’e1 . β1 r’e1 /(rb1 +β1 r’e1 ) ≈ - Z0 /r’e1 .1
v’e /ve = R3//R2//ZB /(R3 //R2//ZB +RS ) ≈ 1
v0/vx = RC/re2 portanto
Av = v0/ve = v’e /v e . v x /v’e . v0/vx = - re2/(re1+RE) RC/re2 = - RC/(re1+RE)
Av = -1kΩ/(26Ω + 74Ω) = -10
3) Freqüência –3dB do circuito.
A figura abaixo mostra o circuito equivalente para altas freqüências do cascode.
C2
Q2
R S02
RC
Ω
1kΩ
Rµ 02
r b2
B2
hf2 re2
Rπ 02
r e2
Z 0 = α 2 re2 +rb2/(1+hf2) ≈
ZE = ∞ E2
C1
Q1 R S01
R2
Ω
10kΩ
Rµ 01
r b1
RS B1 Q’ 1
Ω
50Ω hf1 re1
Rπ 01
r e1 rb1
R3
1,95k Ω Z i ≈ RS
β 1 r’e1 r' e1
RE r'e1 = re1 +RE
Ω
74Ω
187
Inicialmente vamos determinar as resistências vista pelos capacitores que tem
um dos terminais aterrado, que são RS01 e RS02.
Da figura , temos
RS01 = Z0 = α2r e +rb2/(1+hf) ≈ r e2 = 26Ω

Ω
Ω
RS02 = RC = 1kΩ
A resistência Rπ01 tem o seu valor reduzido pelo efeito “trans down” devido a
transcondutância re1 e está em paralelo com hf1re1. Portanto
Rπ01 = {[Ri + RL ]/(1+RL/r e1)}//hf1re1
As resistências nos terminais de Rπ01 são
Ri = rb1 +Zi ≈ rb1 +RS = 200Ω +50Ω = 250Ω e RL = RE =74Ω
Como hf1r e1 = (200)(26Ω) = 5,2kΩ portanto
Rπ01 = {[250Ω +74Ω]/(1 + 74Ω /24Ω]}//5,2kΩ ≈ 78,2Ω

Ω
A resistência Rµ01 tem o seu valor aumentado pelo efeito “trans up” devido a
transcondutância equivalente r’e1. Portanto
Rµ01 = Ri (1+RL /r’e1) + RL onde
Ri = (rb1 +Zi)//hf r’e1 ≈ (r b1 +RS )//hf (re1+RE ) = (250Ω)//(200)(100Ω) ≈ 247Ω
e RL = Z0 ≈ r e2 =26Ω portanto
Rµ01 = (247Ω)(1+26Ω/(100 Ω) +26Ω ≈ 337Ω
Note que como a resistência de emissor do transistor Q2 é ZE =∞, a. Logo
Rπ02 = (Ri +RL )/(1+RL/r e2 )//hf re2 = (Ri+Z E)/(1+ZE/re2)//hfre2 = r e2//hfre2=r e2 =26Ω
Para terminar Rµ02 basta observar que a condutância equivalente r’e2 é igual a
zero (1/(re2 +ZE). Logo
Ω
Rµ02 = Ri (1+RL /r’e2) + RL = Ri + RL = rb2 + RC = 200Ω +1kΩ =1,2kΩ
188
A soma das constantes de tempo de valor zero é igual a
∑T0 = RS01 CS1 +RS02 CS2+ Rπ01Cπ1 +Rµ01Cµ1 +Rπ02Cπ 2 +Rµ02Cµ2
∑T0 = (26Ω)(0,4pF)+(1kΩ)(0,35pF)+(78,2Ω)(13,7pF)+(337Ω)(0,23pF)+
+(26Ω)(13,7pF)+(1,2kΩ)(0,20pF)
≈ 0,001ns+0,35ns+1,07ns+0,07ns+0,35ns+0,2ns ≈ 2,04ns
e finalmente a freqüência –3dB pode ser estimada com
f -3dB = 1/2π∑T0 =1/2π.2,04ns ≈ 159MHz

189
• Operational amplifiers (Opamp)
• Introdução:
Um amplificador operacional, ou opamp (do inglês), é um amplificador

diferencial, isto é, amplifica diferença de tensões, de altíssimo ganho com alta
impedância de entrada e baixa impedância de saída. Quase sempre se utiliza este
amplificador com uma realimentação em tensão negativa.
Na última década surgiu uma nova classe de amplificadores operacionais que

utiliza uma realimentação em corrente e são conhecidos como “Current Feedback
Amplifiers” (CF) ou amplificadores com realimentação em corrente.O surgimento
deste novo tipo ou classe de amplificadores forçou a mudança do nome do
amplificador operacional clássico para “Voltagem Feedback Amplifiers” (VF) ou
amplificadores com realimentação em tensão.
Neste curso nos limitaremos a estudar o amplificador com realimentação em

tensão. Para simplificar a nomenclatura chamaremos de opamp.
A figura abaixo mostra o símbolo de um opamp básico com duas entradas e uma
saída. É claro que existem outros terminais como os de alimentação, ajuste,
compensação e outros que neste momento foram omitidos.
Entrada Não inversora

V+
Saída
V0
Entrada Inversora
V-
Símbolo do opamp básico

190
• Amplificador operacional ideal
Um opamp ideal apresenta as seguintes características:
ü Impedância de entrada = infinita

ü Corrente de entrada = zero
ü Ganho de tensão (A) = infinito
ü Tensão de offset = zero
ü Impedância de saída = zero
ü Resposta em freqüência = largura da banda infinita.
Assim podemos representar este amplificador pelo circuito equivalente abaixo.
A =∞
V+ opamp ideal A(V+ -V- )

V+
V0
V0
V- V-
Circuito equivalente (DC e AC) de um opamp ideal
• Conceito de curto virtual em opamp
Para apresentar o conceito de curto virtual em opamp vamos analisar um dos

circuitos mais básicos de aplicação do opamp que é o amplificador inversor. A figura
abaixo mostra este amplificador. O opamp será considerado ideal como deve ser feito
na maioria das análises.
Rf
Ve Ri
opamp
V0
Amplificador inversor
191
Note que as variáveis de entrada e saída são assinaladas com letras
maiúsculas o que significa que esta análise é válida não só para pequenos mas também
para grandes sinais.
A figura mostra o amplificador acima com o opamp substituído pelo seu circuito
equivalente.
I
Rf
A =∞
I
A(V+ -V- )
Ve Ri Vx
V0
Circuito equivalente do amplificador inversor
Da figura, temos
I = (V e – Vx )/Ri = (V x – V0)/Rf (376)
V0 = A(V+ -V- ) = A(0 –Vx) = -A Vx (377)
(Ve +V0 /A)/Ri = -(V0 /A +V0)/Rf
V0 (1/Rf A +1/Rf + 1/Ri A )= - Ve/Ri
Portanto o ganho do sistema (ganho de malha fechada), Av
Av = V0 /Ve = -Rf/Ri 1/[1 + 1/A + Rf /RiA] (378)
Fazendo A ∞
Av = -Rf /Ri (379)
Ou seja, o ganho de malha fechada só depende dos elementos da malha

externa ao opamp.
192
Por outro lado das equações (376) e (377) nós temos
(Ve – Vx )/Ri = (V x – V0 )/Rf = (Vx +AV x) /Rf
Ve/Ri =(1/Rf + A /Rf + 1/Ri )Vx
Vx = 1/[Ri /Rf + A Ri/Rf +1]Ve
Como Ve é finito então
lim Vx A →∞ = lim 1/[Ri/Rf + A Ri/Rf +1]Ve = 0 p/ qualquer Ve finito.
Isto é, a fato do ganho de tensão A (de malha aberta) ser muito elevado faz com
que a tensão na entrada inversora será muito próxima de zero volts. Generalizando de
fato é a diferença de tensão entre o terminal não inversor e o terminal inversor que
tende a zero volts, ou seja, a corrente nos terminais são diferente mas a tensão é a
mesma. A isto damos o nome de curto virtual.
No caso particular do amplificador inversor acima como o terminal não inversor

está aterrado, assim o curto virtual faz com que a entrada inversor esteja em um terra
virtual
Vamos novamente determinar o ganho do amplificador acima utilizando o

conceito de curto virtual. A figura abaixo mostra novamente este amplificador.
I Rf
0V
Ve Ri
Curto virtual opamp
V0
0V
Da figura, temos
I =Ve/Ri = (0 – V0 )/Rf então
Av = V0 /Ve = - Rf /Ri
Que é igual ao mesmo resultado anterior obtido com o mínimo esforço.

193
Quanto maior o ganho (A, de malha aberta) do opamp maior será a precisão
na expressão do ganho de malha fechada.
Para exemplificar isto vamos determinar qual é erro em se utilizar o conceito de

curto virtual em um circuito amplificador inversor com opamp de ganho de malha
aberta igual a 200.000 (LM741) e ganho de malha fechada igual a -10. (Obs: estamos
admitindo que todos os outros parâmetros do opamp são ideais)
A figura abaixo mostra o desenho deste amplificador com dois possíveis valores
de resistência. Note que como quem determina o ganho de tensão é a razão dos
resistores então existem infinitas soluções. É claro que outras considerações como
veremos adiante determinam os valores absolutos mais adequados para estes resistores.
Rf A = 200.000
Ω
10kΩ
Av = -10
Ve Ri
1kΩΩ opamp
V0
Ve
Utilizando a expressão (379), temos
Av = - Rf /Ri = -10kΩ/1kΩ = -10
E utilizando a expressão (378), temos
Av = -Rf /Ri 1/[1 + 1/A + Rf /RiA] = -(10)1/[1+ (1+10)/200.000)] = -9.99945
Assim o erro em utilizar o curto virtual é de - 0,0055%. Só pra ter uma idéia deste
erro não existe resistor comercial com tolerância menor do que 0,01%.
A expressão (378) pode ser rescrita na forma
Av = -Rf /Ri 1/[1 + 1/A + Rf /Ri A] = -Rf /Ri 1/[1 + (1 + Rf /Ri ) /A]
Av = -Rf /Ri 1/[1+1/βA] ≈ -Rf /Ri [1-1/βA] se βA >>0 (380)
Onde erro
β = 1/(1+ Rf/Ri ) = Ri/(Rf + Ri ) (381)

194
O parâmetro β (não confundir o ganho de corrente do transistor bipolar)
representa o fator de realimentação. É fácil de ver na figura que se Ve igual a zero a
tensão Vβ que é realimentada no terminal da entrada inversora devido a V0 é dada por
Vβ = Ri /(Rf + Ri)V0 = β V0 (382)
Ou seja, β representa quanto da tensão de saída é realimentada para o terminal

da entrada não inversora.
Como veremos no tópico realimentação, o produto βA representa o ganho da

malha. Portanto da expressão (380) o erro no ganho de malha fechada é o termo 1/βA,
logo quanto maior o ganho de malha (βA) menor será o erro.
Vamos utilizar outro exemplo para deixar bem claro o conceito de curto virtual e
erro associado. A figura abaixo mostra outro amplificador bem conhecido que é o
amplificador não inversor.Faremos análise deste com o conceito de curto virtual e a
análise exata.
Ve opamp
Ri V0
Rf
Amplificador não inversor
Vamos admitir duas situações:
1) O opamp é ideal.
2) O opamp é ideal exceto que o ganho A é finito.
A figura mostra o circuito equivalente do amplificador não inversor que será

utilizado para determinar o ganho nas duas situações.
195
Ve
Ve A
Ri V’e V0
I Rf
1) Opamp ideal
Se o opamp for ideal existe um curto virtual entre as entrada deste, portanto
as tensões nestes terminais são iguais, ou seja, V’e = Ve. Desta forma da figura,
temos
I = V’e /Ri = Ve/Ri = (V0 –Ve )/RA
A = V0/Ve = 1+Rf /Ri (383)
2) Opamp com ideal ,mas o ganho A é finito
Se o opamp for ideal mas o ganho A for finito, haverá uma pequena diferença
de tensão entre as entradas, ou seja, V’e ≠ Ve. Desta forma da figura, temos
A(Ve - V’ e ) = V0 e (384)
V’e = Ri /(Ri +Rf ) V0 = β V0 (385)
A(Ve - β V0 ) = V0
AVe = (1+ βA )V0
Av = V0 /Ve = A/(1+ βA ) (385)
Se A tende a infinito
Av = A/(1+ βA) = 1/β = (Ri +Rf) /Ri =1+ Rf /Ri
Que é igual ao resultado anterior.

196
O ganho de tensão Av acima também pode ser escrito na forma
Av = A/(1+ βA ) = 1/β [1/(1 +1/βA)]
Se 1/ βA <<1, então
Av ≈ 1/β[1-1/βA]
erro
Como 1/ β é igual ao ganho obtido no caso ideal, novamente o termo 1/ βA

representa o erro no ganho em admitir o curto virtual. Observe que aqui também β é o
fator de realimentação (quanto do sinal de saída retorna para entrada inversora).
Assim o produto βA é o ganho de malha. Resumindo quanto maior for o ganho de
malha melhor será aproximação de curto virtual.
• Amplificador operacional real
Apesar de que para fins de análise usamos no primeiro momento o modelo do

opamp ideal (curto virtual) é importante para o projetista de circuito compreender este
componente profundamente já que um dos passos importante durante o projeto com
opamp é determinar qual opamp é mais adequado as especificações do seu circuito.
Para isto vamos estudar estas características.
Um opamp real apresenta as principais características:
ü Ganho de tensão (A) = entre centenas de milhares a milhões

ü Impedância de entrada = entre centenas de kΩΩ a 1012Ω
ü Impedância de saída = algumas dezenas de Ω
ü Correntes de entrada = entre alguns pA a dezenas de nA
ü Tensão de offset = entre dezenas de nV a alguns mV
ü Drift de offset = entre alguns nV/°° C a dezenas de µ V/°° C
ü Rejeição de modo comum = entre 80dB a 120dB
ü Rejeição a fonte = entre 80dB a 120dB
ü Slew rate = entre alguns V/s a kV/s
ü Setling time = entre alguns ns a dezenas de µ s
ü Produto ganho banda = entre algum MHz a gigaHz
Como podemos observar quase todas as principais características de um opamp

real se entendem em uma grande faixa de valores. Além disso, não encontramos no
mesmo opamp os melhores valores para todas as caractectícas. Felizmente, a grande
maioria das aplicações não exige que o opamp seja ideal ou ótimo em todas as suas
características.
197
• Impedância de entrada e de saída.
A impedância de entrada (diferencial) do opamp varia entre centenas de kΩ e

milhares de giga Ω dependendo da tecnologia utilizada na construção do opamp. Por
exemplo, em tecnologia bipolar onde os transistores bipolar formam o do par
diferencial de entrada que é é primeiro estágio do opamp, possuem uma relativa baixa
impedância de entrada. Já em tecnologias JFET e MOSFET, a impedância é
extremamente elevada.
A impedância de saída do opamp normalmente é muito baixa da ordem de

dezenas de ohms e praticamente somente da configuração interna do estágio de saída
do opamp.
A figura abaixo mostra o modelo do opamp quando se leva em conta estas

impedâncias.
V+ Modelo opamp R0
V+
Ved Re AV ed V0
V0
V- V-
Ved = V+ - V-
Modelo opamp com Re e R0
Para verificar o efeito de Re e R0 no ganho de malha fechada vamos novamente

analisar o amplificador inversor. A figura abaixo mostra este inversor com o modelo do
incluindo Re e R0.
Rf
If
Ri
Vx R0
Ve Ie Ii Re If
Ved AV ed V0
Ved = - Vx
Circuito equivalente de um amplificador inversor com R e e Rf

198
Da figura, temos
V0 = AVed + R0If = - AVx + R0 If (386)
If = (Vx – V0)/Rf (387)
Substituindo (387) em (386) resulta
V0 = - A[Rf + R0/A]/[Rf + R0] = - A’ = A k (388)
onde
k =[Rf + R0/A]/[Rf + R0] ≈ Rf /(Rf + R0 ) = 1/(1+ Rf /R0 )
ou seja, o efeito das impedâncias de entrada e saídas é de reduzir ganho de

malha aberta do opamp A é pelo fator k. Note que como quase sempre Rf >>R0 , esta
redução não é significante.
Continuando a nossa análise, temos
I e = Ii + If
Substituindo as expressões destas correntes, resulta
(Ve - Vx)/Ri = Vx /Re + (Vx – V0 )/Rf
Ve/Ri = Vx [1/Ri +1/Re +1/Rf ] - V0 /Rf (389)
Ve/Ri = -V0/A’[[1/Ri +1/Re +1/Rf] - V0/Rf
Assim
Av = V0/ Ve = -Rf /Ri 1/[1+β’A’] (390)
Onde
β’ = 1/[1 +Rf /Ri +Rf /Re] (391)
Note que a expressão (390 é exatamente igual à expressão do ganho de malha

fechada (380) com A reduzido para A’ e β reduzido para β’. Sendo que β’
novamente representa o fator de realimentação (V x =β’ V0 com Ve =0) como pode
ser demonstrado abaixo.
199
A parcela da voltagem de saída V0 que retorna a entrada inversora (Ve =0)
da figura é dada por:
Vx = Ri //Re /[ Ri //Re +Rf] V0 = RiRe /[Ri Re +Rf (Ri+Re )] V0
Vx = 1/[1 + + Rf /Ri + Rf /Re] V0 = β’ V0
A expressão de β’ em (391) pode ser expressa na forma
β’ = 1/[1 +Rf /Ri +Rf /Re]
β’ = 1/[1 +Rf /Ri] 1/[1+ Rf //Ri /Re]
β’ = β /[1+ Rf //Ri /Re] = aβ (392)
onde
a =1/[1+ Rf //Ri /Re]
Como quase sempre Re >> Rf //Ri
Então
a ≈ 1 e β’ ≈ β
ou seja, se a impedância vista pelo terminal inversor, que é igual à Rf //Ri , for muito
menor que a impedância de entrada do opamp então fator de realimentação β
praticamente não se altera.
Como vimos anteriormente é o ganho da malha (o produto de A vezes o fator de

realimentação) que determinação o erro no ganho de malha fechada ou quão preciso
somos em aplicar o conceito de curto virtual.
O ganho de malha agora (chamaremos a partir de agora de Am ) é dado por
Am = A’. β’ (393)
Substituindo a equação (388) e (392) em (393), resulta
Am = k A.aβ = = A.β /[(1+ Rf /R0 )(1+ Rf //Ri /Re )] (394)

200
onde A. β é o ganho de malha sem o efeito de impedância de entrada e saída.
Resumindo, a impedância de entrada finita é a impedância de saída diferente de

zero tem o efeito de reduzir o ganho de malha fechada do amplificador.
• Correntes de entrada diferente de zero.
As correntes de entrada ou correntes de polarização (“current of bias”, do

inglês) opamp variam entre dezenas de nA a dezenas de pA, dependendo da tecnologia
utilizada na construção do opamp. Por exemplo, opamp construídos em tecnologia
bipolar onde os transistores bipolar formam o do par diferencial de entrada que é o
primeiro estágio do opamp, apresentam correntes de polarização da ordem de nA. Já
em tecnologias JFET e MOSFET, as correntes de polarização são extremamente
pequenas, da ordem de pA, apesar de dobrar de valor a cada 10° C.
As correntes de polarização das duas entradas do opamp são ligeiramente

diferentes e a esta diferença dar-se o nome de offset (ou resíduo) de corrente de
polarização. Em geral para tecnologia bipolar este offset de corrente é em geral 10%
do valor dos valores médios (IB) das correntes de polarização.
A figura abaixo mostra o modelo do opamp quando se levam em conta estas

correntes.
Opamp
ideal
V+
∆ IB
V0
V-
IB IB
Modelo do opamp levando-se em conta as correntes de polarização
O sentido das correntes depende do tipo de transistor do par diferencial de

entrada. Por exemplo, se for transistores bipolar NPN o sentido é como indicado na
figura acima. Por outro lado, se for PNP o sentido inverte.
201
Vamos analisar o efeito destas correntes admitindo que o opamp é ideal exceto
é claro, este parâmetro. Para isto, considere novamente o amplificador inversor
mostrado na figura abaixo já com as correntes de polarização inseridas.
Rf
Ω
10kΩ
Ve Ri
1kΩΩ opamp
∆ IB
V0
IB IB
Amplificador inversor com o efeito das correntes de polarização
Note que, como o sistema é linear vamos zerar a entrada Ve e verificar como a
tensão V0 é função das correntes de polarização. Além disso, a corrente de polarização
IB+ não tem nenhum efeito no terminal não inversor já que este está aterrado. Assim, o
circuito acima pode ser redesenhado como mostra a figura abaixo.
Ii = IB-
Ii = 0
Rf
Ri = 0V
opamp
ideal
V0
∆ IB = IB-
IB +∆
Devido ao curto virtual o terminal não inversor está em 0V, portanto Ii = 0 e toda
corrente IB flui pelo resistor Rf . Por inspeção da figura, a tensão de saída é dada por:
V0 = V0ofsetf = Rf IB- (395)

202
Portanto, quando um sinal Ve for aplicado a entrada teremos na saída
V0 = Rf IB- + - Rf /Ri Ve (396)
A equação (395) diz que o efeito da corrente de polarização foi de introduzir uma
tensão de offset na saída do amplificador proporcional à Rf IB-
Se no circuito do amplificador inversor inserimos mais um resistor de

compensação RC, podemos parcialmente compensar este offset. A figura abaixo mostra
um amplificador inversor com compensação de corrente de polarização.
Rf
Ve Ri
opamp
∆ IB ideal
V0
Rc IB IB
Amplificador inversor com compensação de IB
Novamente, vamos analis ar o efeito destas correntes admitindo que o opamp é

ideal exceto é claro, este parâmetro. Para isto, levando-se em conta que o sistema é
linear vamos considerar somente a corrente que na análise anterior não tinha nenhum
efeito já que podemos considerar que naquela análise o resistor Rc era um curto. Depois
de obtido o resultado e somaremos com o resultado da análise anterior para termos o
resultado final.
A figura abaixo mostra somente a corrente de polarização cujo efeito vamos

determinar.
203
I
Rf
Ri V-
opamp
ideal
V+ V0
Rc IB
Da figura, temos
V+ = - Rc IB
Devido ao curto virtual V- = V+, assim
I = V+/Ri = (V+ - V0)/Rf logo
V0 = (1+Rf /Ri)V+ = - (1+Rf/Ri ) Rc IB (397)
Adicionando a (397) o resultado dado pela equação (395), resulta na saída V0

devido a todas as correntes, e é portanto igual a
V0 = V0offset =- (1+Rf /Ri ) Rc IB + Rf IB- =- (1+Rf /Ri) Rc IB + Rf (IB +∆IB )
Se ∆IB = 0 podemos forçar a condição V0offset = 0 e encontrar
V0offset = 0 ⇒ (1+Rf /Ri )Rc = Rf ou
Rc = Rf /(1+Rf/Ri ) = Rf Ri /( Rf + Ri) = Rf //Ri (398)
ou seja para minimizar o offset causado pelo correntes de polarização devemos

fazer com que as impedâncias vista pelos terminais de entrada sejam iguais.
204
• Tensão de offset e deriva de offset (drift)
Em princípio, a saída do opoamp deve ser de 0V quando a entrada for de 0V; no

entanto, na prática, verifica-se na saída a existência de uma tensão de desequilíbrio ou
offset nestas condições. Por exemplo, se for aplicado 0V a ambas as entradas do opamp
e verificado 25mV (dc) na saída, esta tensão seria indesejada e gerada pelo circuito, e
não pelo sinal de entrada.
A origem desta tensão de offset é devido ao descasamento dos transistores do par

diferencial de entrada presente em todos os estágios de entrada dos opamp’s.
A tensão de offset fornecida pelas folhas de especificações (Datasheets) dos

fabricantes fornece uma tensão que deve ser adicionada ao terminal de entrada não
inversora de forma a levar em conta o efeito deste desequilíbrio.
A tensão de offset é função da temperatura, assim, embora existam alguns opamp

com terminais de ajustes para zerar esta tensão, temos um resíduo de tensão na saída,
caso a temperatura mude; produzido uma deriva na tensão de offset. Hoje (2003),
existem opamp’s com offset tão baixo quanto 1uV e deriva (drift) de offset menor que
50nV/°° C.
A figura abaixo mostra o modelo do opamp quando se leva em conta esta tensão
de offset.
Opamp
ideal
V-
V0
V+
VOf
V 0 = A (V+ + VOf - V-) A=∞
Modelo do opamp levando-se em conta a tensão de offset
Vamos analisar o efeito desta tensão admitindo que o opamp é ideal exceto, é
claro, este parâmetro. Para isto, considere novamente o amplificador inversor mostrado
na figura abaixo, já com o modelo do opamp para esta característica e a entrada
aterrada.
205
Rf
Ri
V e=0 opamp
V0
V Of
Amplificador inversor opamp levando-se em conta a tensão de offset
É fácil de perceber na figura que do ponto de vista da tensão de offset este

amplificador é um amplificador não inversor; portanto a tensão de sáida só devido a
tensão de offset, V0Vof , é dada por
V0 Vof = (1+Rf /Ri )VOf
Como o sistema é linear, então
V0 = V Ve + V0 Vof = - Rf /Ri Ve +(1+Rf /Ri )VOf
V0Of
Ou seja, surge uma tensão residual de saída adicionada ao sinal de interesse
proporcional ao ganho de um amplifador não inversor vezes a tensão de offset do
opamp.
Exemplo:
Calcule a tensão residual de saída de um amplificador inversor de ganho igual a

–10. A tensão de offset do opamp é dada e igual a 5mV.
O ganho de tensão de um inversor é igual a -Rf/Ri = -10
A tensão residual de saída, V0Of , é igual a
V0Of = (1+Rf /Ri)VOf = (1+10)(5mV) = 55mV

206
• Razão de Rejeição de modo comum (CMRR)
Uma das mais importantes características de um amplificador que amplifica a

diferença de tensões, é a sua capacidade de amplificar consideravelmente o sinal
diferencial entre duas tensões V+ e V-, por exemplo, (V + –V-), enquanto amplifica
relativamente bem menos o sinal de modo comum (V++V- )/(2). A esta característica
dar-se o nome de Razão de rejeição de modo comum, e é expressa por
CMRR = Ad /Ac (399)
onde
Av = V0 /(V+ –V-) = V0 /Vd e Ac = V0 /(V+ +V-) /2 = V0 /Vc
sendo Av o ganho diferencial e Ac o ganho de modo comum. Como já vimos antes

Vd e Vc representam as tensões, diferencial e de modo comum de entrada.
O valor de CMRR também pode ser expresso em termos de logarítmico e

chamado de Rejeição de modo comum (CMR, do inglês como
CMR(dB) = 20logCMRR (400)
Em princípio, a saída do opoamp deve ser de 0V quando a entrada diferencial for

de 0V; no entanto, na prática, verifica-se na saída a existência de uma tensão
proporcional ao sinal de modo comum de entrada. Ou seja, o ganho real do opamp é
função da diferença e da soma dos sinais de entrada e assim, a saída do opamp pode
ser expressa por:
V0 = Ad (V+ -V-) + Ac (V++V- )/2 = AdVd +Ac Vc (401)
A origem desta tensão é devido a sensibilidade do estágio par diferencial de

entrada em amplificar sinais de modo comum como vimos nas seção de configurações
composta.
Para se medir a rejeição de modo comum de um amplificador (genérico)

inicialmente aplica-se tensões puramente diferencial na entrada , ou seja
V1 = -V2 = Ve portanto Vd = 2Ve
Vc = V1 +V2 = 0
207
Sob estas condições, a tensão de saída é
V0 = Ad Vd +Ac.0 = AdVd = 2AdVe
Como Ve é conhecido e encolhido um valor adequado para realizar esta medida,

então, Ad pode ser determinado.
Em seguida aplica-se tensões puramente de modo comum na entrada , ou seja
V+ = V- = Ve portanto Vd = V+ - V- = 0
Vc = (V+ + V- )/2 = Ve
Como Ve é conhecido e encolhido um valor adequado para realizar esta medida,

então, Ac pode ser determinado. Assim, a rejeição de modo comum pode ser
determinada com o uso da equação (400).
É importante lembrar todas estas consideração se aplicam para qualquer

amplificador de sinais diferenciais (amplificador de diferença) seja ele um simples
opamp de malha aberta (na prática não de utiliza) ou um amplificador que utiliza um ou
mais opamp para realizar a sua função.
Na prática, como o ganho diferencial,Ad, é elevadíssimo o procedimento descrito

se determinar a rejeição de modo comum de um opamp, é modificado utilizando-se
configurações apropriada para se fazer as medidas.
A rejeição de modo comum é função da freqüência, já que, como veremos adiante

aos ganhos diferencial e de modo comum do opamp também o são. Portanto, nas folhas
de especificações destes componentes especifica-se a rejeição de modo comum para
sinal DC e fornece-se um gráfico de desta rejeição em função de freqüência. Hoje
(2003) existem alguns opamp que apresentam uma rejeição de modo comum da ordem
de 100dB.
Como devemos representar no modelo de comportamento do opamp o efeito de

ganho de modo comum diferente? Para responder esta pergunta, vamos reescrever a
equação (401) na forma
V0 = Ad Vd +Ac Vc = Ad(Vd +Ac/Ad Vc) = Ad (Vd +Ac /Ad Vc )

208
V0 = Ad (Vd + Vc/ CMRR)
ou em termos das entrada V+ e V-
V0 = Ad (V+ - V- + (V++ V-) /2CMRR) (402)
Como o opamp com realimentação negativa sempre “forca” a tensão do terminal

V- ser igual ao terminal V+ (curto virtual), então podemos aproximar a expressão (402)
assim:
V0 = Ad (V+ - V- + (V++ V-) /2CMRR)
V + + V- ≈ 2V+
V0 = Ad (V+ - V- + V+ /CMRR) = Ad(V+ - V- + VCM)
V0 = Ad (V’+ - V- )
onde V’+ = V+ + V+/CMRR = V+ + VCM_
ou seja o efeito foi de adicionar uma tensão residual ou de offset (VCM ) ao

terminal não inversor de valor igual a tensão presente neste terminal dividido pela
razão de rejeição de modo comum do opamp.
A figura abaixo mostra o modelo do opamp que leva em conta opamp o ganho de
modo comum.
Opamp somente como

ganho diferencial Ad
V-
V0 = Ad (V+ + VCM - V-
V0 )
V+
V CM
VCM = V+ /CMRR
Modelo do opamp levando-se em conta a CMRR
Note que se Ad tende a infinito, então
V+ + VCM - V- = 0 ⇒ V- = V+ + VCM
209
Exemplo 1:
Calcule a tensão residual na saída de um amplificador que é adicionada a saída

de um amplificador de diferença mostrado na figura abaixo de ganho igual a 10.
Determine , também a rejeição de modo comum deste amplificador. A tensão de modo
comum na entrada do amplificado de diferença é dada e igual a 2,5V, e o opamp
apresenta uma CMR igual a 60dB. Admita que os resistores são perfeitamente casados,
isto é, Rf1 = Rf2 e Ri1 =Ri2.
Rf1
10kΩΩ
R i1
1kΩΩ
Ve1
Ri2 opamp
10kΩΩ V0
V e2 Rf2
10kΩΩ
Escrevendo Ve1 e Ve2 em função das suas componentes diferencial e de modo

comum, e, adicionando a tensão residual ao modelo do opamp, temos a figura abaixo
Rf
Ri
Ve1 = Vc -Vd/2 Opamp

ideal
Ri VCM
V0
V e2 = Vc +Vd/2 Rf
210
O amplificador de diferença é uma combinação de um amplificador inversor
com um amplificador não inversor.
Do ponto de vista da entrada Ve1 (com Ve2= 0) este é um amplificador inversor,

portanto
V0 Ve1 = -Rf1/Ri1 Ve1
A tensão Ve2 aparece na entrada não inversor dividida pelo divisor resistivo
Rf 2/(Rf2 +Ri2), então a tensão nesta entrada é
V+ = Rf2/(Rf 2+Ri2 ) Ve2
Do ponto de vista da entrada V+ (com Ve2= 0) este é um amplificador não

inversor, portanto de exercícios anteriores
V0 Ve2 =(1+Rf1/Ri1 ) V+
Substituindo a expressão de V+, temos
V0 Ve2 = (1+Rf1/Ri1 ) Rf2/(Rf 2+Ri2) Ve2
se Rf1 = Rf2 = Rf e Ri1 =Ri2 = Ri
V0 Ve2 = Rf /Ri Ve2
E, finalmente do ponto de vista de VCM este é um amplificador não inversor,

portanto
V0 Vcm = (1+Rf /Ri )Vc
Como o sistema é linear
V0 = V0 Ve1 + V0 Ve2 + V0 Vcm
V0 = -Rf /Ri Ve1 + Rf /Ri Ve2 +(1+Rf /Ri )Vc
V0 = Rf /Ri (Ve2 –Ve1) +(1+Rf /Ri )VCM
V0 = Rf /Ri Vd + (1+Rf /Ri ) VCM (403)

211
Considerando que na prática o objetivo do amplificador de diferença é
amplificar pequenas diferenças de tensão, e como neste exercício o sinal de modo
comum é elevado (2,5V) então VCM pode ser determinado.
Como vimos, a tensão no terminal não inversor, V+ é
V+ = Rf /(Rf +Ri ) Ve2
Ve2 = Vc + Vd ≈ Vc
Logo
V+ = Rf /(Rf +Ri ) Vc
Portanto
VCM = V+/CMRR = Rf /(Rf +Ri )Vc /CMRR (404)
Substituindo a equação (404) na equação (403), resulta
V0 = Rf /Ri Vd + Rf /Ri Vc /CMRR (405)
O segundo termo da equação representa a tensão residual na saída, ou seja
V0 = Rf /Ri Vd + V0ofsset (406)
onde
V0ofsset = Rf /Ri Vc /CMRR
Agora esta tensão residual pode ser terminada
V0ofsset = (10)(2,5V)/1000 = 25mV (obs: CMR =60db ≡ CMRR = 1000)
Note que uma baixa rejeição de modo comum combinado com um alto sinal de
modo comum de entrada pode resulta numa tenha residual de saída elevada.
A razão de rejeição de modo comum do amplificador de diferença CMRR amp pode

ser determinada com o auxilio da expressão ( 405), basta identificar os ganhos
diferencial(Av d ) e de modo comum (Av c) os termos nesta equação, assim
212
V0 = Rf /Ri Vd + Rf /Ri Vc /CMRR
Av d = Rf /Ri
Av c = (Rf /Ri )/CMRR
portanto
CMRRamp = Avd /Av c = CMRR
Ou seja, se os resistores forem totalmente casados, a rejeição de modo comum

do amplificador de diferença será igual a do opamp.
Na prática o descasamento dos resistores é que predomina na determinação da

rejeição do amplificador.
Exemplo 2:
Calcule a razão de rejeição de modo comum do amplificador do exemplo anterior

e mostrado abaixo admitindo agora que o opamp é ideal, mas os resistores possuem
tolerância δ = 0,1%(δ = ∆R/R). Faça análise para o pior caso.
Rf1 = Rfn - ∆ R f1
∆ Ri1
Ri1 = Rin +∆
Ve1 = Vc -Vd/2
opamp
Ri2 = Rin - ∆ Ri2 ideal V0
Ve2 = Vc+Vd/2 ∆ Rf2

Rf2 = Rfn +∆
δ f1 = ∆ Rf1 / Rfn
δi1 = ∆ Ri1 / Rin
δf2 = ∆ Rf2 / Rfn
δi2 = ∆ Ri2 / Rin
Obs: Rfn e Rin são os valores nominais (note que δf1=δi1 = δf2 =δi2 =δ)
213
É fácil de mostrar que a situação mostrada na figura acima é uma das duas
possíveis condições de pior caso.
Para Ve2 = 0, temos
V0 Ve1 = -Rf1/Ri1 Ve1
ou, em função das componentes diferenciais e de modo comum
V0 Ve1 = -Rf1/Ri1 Vc +Rf1/Ri1 Vd /2
Para Ve2 = 0, temos
V0 Ve2 = (1+Rf1/Ri1 ) Rf2/(Rf 2+Ri2) Ve2
ou, em função das componentes diferenciais e de modo comum
V0 Ve2 = (1+Rf1/Ri1 ) Rf2/(Rf 2+Ri2) Vc + (1+Rf1/Ri1 ) Rf2/(Rf2+Ri2) Vd /2
Portanto
V0 = V0 Ve1 + V0 Ve2 = Av c Vc + AvdVd
onde
Av c = (1+Rf1/Ri1 ) Rf2/(Rf 2+Ri2) - Rf1/Ri1
Avd = [(1+Rf1/Ri1 ) Rf2/(Rf 2+Ri2) + Rf1/Ri1]/2
logo
CMRR = Avd / Av c
= [(1+Rf 1/Ri1 ) Rf2/(Rf2 +Ri2) + Rf1 /Ri1]/2 [(1+Rf1/Ri1 ) Rf2/(Rf 2+Ri2) - Rf1/Ri1]
=[(1+Rf 1/Ri1 )Rf2/ Ri2 + (1+Rf2/Ri2 ) Rf1/ Ri1]/ 2[Rf2/ Ri2 - Rf1/ Ri1]
A expressão acima mostra que a condição de pior caso acontece quando o

denominador é máximo, isto é, quando a razão Rf2/ Ri2 difere mais da razão Rf1/ Ri1. Isto
ocorre quando em duas situações:
214
1) Rf2 maior que o seu valor nominal com Ri2 menor que o seu valor nominal e
ao mesmo tempo Rf1 menor que o seu valor nominal com Ri1 menor que o seu valor
nominal.
2) Situação inversa.
Desta forma podemos escrever a expressão para CMRR para condição de pior
caso substituindo,
Rf 2 = Rfn +∆Rf2 = Rfn (1+δ)
Ri2 = Rin - ∆Ri2 = Rin(1-δ )
Rf 1 = Rfn - ∆Rf1 = Rfn(1-δ)
Ri1 = Rin +∆Ri1 = Rin(1+δ)
K = Rfn/ Rin ( o ganho nominal do amplificador)
Assim
CMRR = [(1+δ)(1+δ) +2K +(1-δ)(1-δ)]/2[(1+δ)(1+δ)-(1-δ)(1-δ)]
= 1/2 + K /4δ - Kδ/4
se δ <<1
CMRR ≈ K /4δ
δ
Logo
CMRR ≈ 10/4(0,001) = 2500
Ou
CMR = 20log 2500 ≈ 68dB
Note que apesar dos resistores serem preciso a rejeição do amplificador é

apenas moderada.
215
Outra unidade que expressa de forma direta o efeito da CMRR. Pode ser
obtida observando que a tensão de offset VCM é expressa por:
-1
VCM = VC. 1/CMRR = VC.CMRR
-1
Agora como CMRR é muito pequeno podemos (e adimensional) é comum
expressa-lo em µV /V.
Por exemplo, um opamp com 120dB de CMR equivale a CMRR = 10 6, portanto

-1 -6
CMRR = 10 =1µV/V, o que significa dizer que uma tensão de offset (VCM ) de 1uV
aparece na entrada não inversora para cada volts de tensão de modo comum..
• Razão de Rejeição a Fonte de Potência (PSRR)
Outra característica não tão menos importantes de um amplificador operacional,

é a sua capacidade de ser insensível às variações da fonte de alimentação. A esta
capacidade damos o nome de Razão de Rejeição a Fonte de Potência ou de alimentação
(PSRR, do inglês). O efeito da variação da fonte de alimentação é de introduzir uma
tensão de offset (chamaremos de VPS ) na entrada não inversora do opamp. A figura
abaixo mostra o modelo do opamp para PSRR.
Opamp ideal
V-
V 0 = A (V+ + VPS - V-)

V0
V+
VPS
VPS = ∆ VPS /PSRR
Modelo do opamp para PSRR
A Razão de rejeição a fonte de potência é expressa por
PSRR = VPS /∆VPS (407)
onde
∆VPS = é variação na fonte de alimentação e VPS é a tensão de offset introduzida.

216
Como PSRR é muito elevado este também pode ser expresso em termos de
logarítmico e chamado Rejeição a fonte (PSR, do inglês) como
PSR(dB) = 20logPSRR (408)
-1
Ou, de forma análoga a CMRR, a unidade de PSRR que expressa de forma
direta o efeito de PSRR em µV/V (PSRR ). Assim da expressão (407)
-1
VPS =∆VPS /PSRR = ∆VPS .PSRR-1
Por exemplo, ,um opamp com 100dB de PSR equivale a PSRR = 105, portanto
-1 -=5
CMRR = 10 =10µV/V, o que significa dizer que uma tensão de offset (V PS) de 10uV
aparece na entrada não inversora para cada volts de variação na fonte de alimentação .
Para se ter uma noção do estado da arte em amplificadores de precisão para

aplicação DC, a figura abaixo mostra os erros de um amplificador operacional de
precisão fabricado pela Texas Instruments.
Amplificador de Precisão
TLE2027 (TEXAS)
TLE2027A
• Voltagem de Offset
1000 TLE2027
TLE2027A..........25µV máx
TLE2027 .........100µV máx
100
µV 100µ V
• Ganho de malha aberta
10
45 V/µV ou 153 dB 25µ V
9µV
• Voltagem de ruído 1000
1.4µV
3.3 nV/√Hz @ 10 Hz
nV
2.5 nV/√Hz @ 1 kHz 100
90nV
• Produto Ganho Banda 10 50nV
15 Mhz V
VIO VN(pp) IIB. 600 PSRR CMRR

• Corrente de Bias
Cancelamento de correntes de bias
típica 15 nA Obs: PSRR medido com 10% sobre ± 15V
CMRR medido com volt. de modo comum igual à 5 V
O Amplificador de precisão TLE2027

217
• Slew Rate (taxa de subida ou descida)
Esta característica reflete a capacidade do opamp operar com grandes variações
de sinal. Esta pode ser definida como
Slew Rate (SR) ≡ máxima taxa na qual a saída do opamp pode variar,
normalmente dada em volts por micro segundo (V/µs)
SR = ∆V/∆t (V//µs) com t dado em µs
O Slew rate fornece um parâmetro que especifica a máxima taxa de variação de

tensão de saída quando é aplicado um sinal de grande amplitude na na forma de degrau
. Normalmente o SR+ (taxa de subida) e igual ao SR- (taxa de descida).
Se um sinal de entrada for aplicado em um “buffer” por exemplo, tiver uma taxa
de variação maior que o SR do opamp, a saída não será capaz de variar suficientemente
rápido, resultando em um sinal ceifado ou distorcido. De qualquer forma a saída não
manterá inalterada a forma de onda do sinal de entrada.
A figura abaixo mostra o efeito do SR finito em um “buffer” para um sinal de

entrada com forma de onda quadrada.
V0 ≠ Ve
Ve
V0
∆V
Opamp com Slew rate limitado = SR ∆t

SR =∆ V/∆
∆t
Efeito do Slew rate numa forma de onda quadrada .
A figura abaixo mostra o efeito do SR finito em um “buffer” para um sinal de

entrada senoidal.
218
Ve V 0 ≠ Ve
V0
∆V
Opamp com Slew rate limitado = SR ∆t

SR =∆ V/∆
∆t
Efeito do Slew rate numa forma senoidal .
Note que para fortes limitações a senóide na saída do opamp transforma-se numa
forma de onda triangular.
Exemplo 1:
Para um opamp coma Slew rate de 2V/µs, qual é o máximo ganho de tensão de
malha fechada que pode ser usado quando o sinal de entrada varia 0,5V em 10µs.
Solução:
Como
V0 = Av Vi , podemos usar
∆V0 /∆t = Av ∆Vi /∆t
Portanto
Av = ∆V0 /∆t /∆Vi /∆t = SR /∆Vi /∆t = 2V/µs/ 0,5V/10µs = 40
A máxima freqüência de sinal que um opamp pode operar depende da banda

passante (como veremos adiante) e também do Slew rate. Para um sinal senoidal da
forma
V0 = Ksen(2 πft)
219
A máxima taxa de variação é encontrada derivando a expressão acima, assim
dV 0 /dt = K2πfcos(2πft)
∆ V0 /∆ tmax = dV0 /dtmax = K2πf
Para evitar distorções na saída, esta taxa deve ser menor ou igual que o Slew rate
do opamp. Isto é,
K2πf ≤ SR portanto
f ≤ SR/ 2π K
Exemplo 2:
Para o sinal e circuito da figura abaixo, determine a máxima freqüência que pode
ser usada, a fim de evitar distorções. O SR do opamp é igual a 0,5V/µs.
Rf
240kΩ
π ft)
Ve = 0,02sen (2π
Ve Ri
Ω
10kΩ opamp
V0
Circuito inversor - opamp com SR limtado

220
Solução:
Para um ganho de tensão
Av = - Rf /Ri = 240kΩ/10kΩ = 24
A tensão de saída é igual
V0 = Av Ve = 24 Ve = 0,48sen (2πft)
Portanto K = 0,48V e
f ≤ SR/ 2π K = 0,5V/µs/2π(0,48) ≈ 165kHz
• Settling time (tempo de acomodação)
A característica “Settling time” (tempo de acomodação), ts de um amplificador

operacional, é o tempo necessário para o opamp atingir o valor final de tensão após
uma mudança abrupta do sinal de entrada. Normalmente, uma precisão de 0,1% é
utilizada para indicar a tolerância no valor final. A figura abaixo mostra graficamente
a definição do tempo de acomodação.
Sinal de
entrada
tempo
Sinal de
Valor final =VF
saída
0,1% de VF
ts
tempo
Tempo de acomodação (Settling time)

221
O tempo de acomodação do opamp é influenciado por cargas capacitivas, de
maneira que o fabricante fornece este parâmetro e especifica para que carga capacitiva
este tempo foi medido.
O tempo de acomodação é muito importante em sistemas de aquisição de sinais

onde o conversor AD (análogo-digital) que converte o sinal analógico em digital recebe
o sinal analógico de um amplificador deve fazer esta conversão com o sinal estabilizado
para não introduzir erros na conversão.
• Produto ganho banda
Um opamp é projetado é para ser um amplificador de alto ganho, com ampla

faixa ou banda de freqüência. Esta combinação tende a ser instável (oscilar) devido aos
efeitos de realimentação. Para que seja assegurada uma operação estável, a grande
parte dos opamp’s são construídos com circuitos de compensação interna de freqüência
que pode reduzir o ganho de malha aberta do com o aumento de freqüência. Esta
redução no ganho é chamada de “roll-off”. Na grande maioria dos opamp’s o roll-off
ocorre numa taxa de –20dB/década ou –6dB/oitava. (o que caracteriza um filtro passa-
baixas com um simples pólo).
Devido aos circuitos de compensação interna de freqüência, o ganho de malha

aberta (diferencial)de um opamp normalmente pode ser representado pelo gráfico da
figura abaixo.
Ad
A0
-3dB
0dB
1Hz fC f1 frequência
Ganho versus freqüência de um opamp típico

222
Quando a freqüência aumenta o ganho diminui, até finalmente atingir o valor
de 1 (unitário). A freqüência neste de ganho unitário é especificada pelo fabricante
como produto ganho-banda já que nesta freqüência o produto ganho (=1) vezes a
freqüência f1 = o valor de f1.
Um ganho de malha aberta (diferencial) descrito como o gráfico acima pode ser
expresso pela equação
Ad = A0 /(1+jf/fC ) (409)
Onde
A0 é ganho de malha aberta em baixas freqüências (próximo de DC) e fC é a

freqüência de corte (-3dB) do opamp.
Para altas freqüências a equação (409) pode ser bem aproximada por:
Ad ≈ A0 fC /jf
e o seu módulo
Ad ≈ A0 f C/f
quando Ad =1, então
A0 f C /f 1 = 1 ⇒ f1 = A0 f C
Note que o produto ganho-banda (f 1) é igual à área do retângulo de lados A0 e fC
Exemplo 3:
Mostre que o produto ganho x banda do amplificador inversor mostrador é

praticamente constante para altos valores do ganho de malha fechada (A v ).
Rf
A = A0 /(1+jf/f C)
Ve Ri
A
V0
223
Solução:
De análise anteriores temos, que o ganho do amplificado inversor quando o

ganho de malha aberta do opamp é considerado é dado por:
Av = V0 /Ve = -Rf /Ri 1/[1 + 1/A + Rf /RiA]
Admitindo que a freqüência de corte do amplificador inversor é muito maior que

a freqüência de corte do opamp, substituímos a expressão de A para alta frequência na
equação acima, assim
Av = -Rf/Ri 1/[1 + jf/A0f C + Rf /Ri jf/A0f C ]
Av = -Rf/Ri 1/{1 + jf[1 + Rf /Ri jf/]A0f C }
Av = -Rf/Ri 1//[1 + jf/f’C ]
onde
f’C = [1 + Rf /Ri ]-1A0f C =[1 + Rf /Ri ]-1 f1
se o ganho de malha fechada for elevado (Av = -Rf /Ri >>1)
f’C ≈ f 1/Av  (410)
Isto é,
A freqüência de corte do amplificado inversor é igual ao produto ganho banda do

opamp dividido pelo ganho de malha fechada (em módulo) .
Além disso, a expressão (410) mostra que o produto ganho x banda (f’C x  Av  )
do amplificado inverso é aproximadamente constante e igual ao produto ganho banda
do opamp (f 1 ).
A figura abaixo mostra o gráfico dos diversos ganhos em função da freqüência.

Note que a área do retângulo praticamente não muda.
224
A
-3dB
A0
-3dB Área = A0 fc
Área = Av f’c = A0 fc
Av 
-3dB
0dB
1Hz fC f' C f1 freqüência
Gráfico produto ganho banda constante

225
• Aplicações com OpAmp

A quantidade de circuitos que podem ser implementados com opamps é ilimitada.
Selecionamos aqueles circuitos mais comuns na prática e agrupamos por categorias. A
A seguir passaremos a descrever estes circuitos de forma sucinta.
1) Amplificadores básicos
A principal função do amplificador operacional é a de amplificar tensão. Dentre

as várias destas aplicações, mostramos a seguir as mais básicas e/ou comuns
encontradas na prática.
ü Amplificador Inversor
Um dos circuitos com opamp mais comum é o amplificador inversor já estudado

anteriormente. A figura abaixo mostra a configuração padrão. Note que a impedância
de entrada é igual a Ri. Como já foi visto, o ganho de tensão é dado por:
Av = -Rf /Ri
Rf
Ie
Ve Ri 0V
0V V0
Rc = Rf //Ri
Amplificador inversor
Note que a impedância de entrada é dada por
Ri = Ve/Ie
Como vimos anteriormente, o resistor Rc, minimiza o efeito da corrente de

polarização e só deve estar presente em amplificador com corrente de polarização
relativamente altas, da ordem de micro ampères (opamp em tecnologia bipolar).
226
ü Amplificador não Inversor
Outro circuito com opamp bem comum é o amplificador não inversor também já
estudado anteriormente. A figura abaixo mostra a configuração padrão. Como já foi
visto, o ganho de tensão é dado por:
Av = 1+ Rf/Ri
Rc = Rf //Ri
Ve
V0
Rf
Ri
Note que a impedância de entrada é bastante elevada. Além de não inversão de

fase desta configuração a impedância de entrada elevada é a principal diferença do
amplificador inversor.
Como vimos anteriormente, novamente o resistor Rc, minimiza o efeito da

corrente de polarização e só deve estar presente em amplificador com corrente de
polarização relativamente altas, da ordem de micro ampères (opamp em tecnologia
bipolar).
227
ü Buffer de tensão
Um circuito de buffer fornece um meio de isolar o sinal de entrada de uma carga,

por meio de um estágio de ganho unitário, sem inversão de fase ou polarização, agindo
como um circuito ideal de impedância de entrada muito alta, e baixa impedância de
saída. A Fig. abaixo mostra um opamp conectado de forma a proporcionar a operação
de buffer citada.
Ve
V0 = Ve
Buffer de tensão
Note que o buffer é um caso particular de um amplificador não inversor com

ganho igual a 1, isto é,
Av = 1+ Rf/Ri
Se Rf = 0 e Ri =∞
Av = 1
228
ü Ganho com múltiplos estágios
Como o produto ganho banda de um amplificador com opamp é constante e

aproximadamente igual ao produto ganho banda do opamp, as vezes um só estágio de
ganho não fornece o ganho e a banda necessária para a atingir as especificação do
projeto. Uma possível solução seria cascatear vários estágios para alcançar a
especificação desejada. A figura mostra uma conexão com dois estágios.
Av1 f1 = A01 fC1

Ve
Rc1 Av2f2 = A02 f C2
Rc2
A1
V0
R f1 A2
Rf2
Ri1
R i2
Conexão de amplificador com dois estágios
O ganho total é o produto dos é ganhos de cada estágios, portanto
AT = V0/Ve = AV1 .AV2
Onde AV1 =1+Rf1 /Ri1 e AV2 =1+Rf2/Ri2
Admitindo que os opamp’s (A01 f C1 = A02 f C2 = A0 f C ) e os ganhos de tensão

(AV1 = AV2 =Av ) sejam idênticos, a banda total (ftotal ) é praticamente igual à banda de
cada estágio, portanto o produto ganho banda desta conexão é
AT . f total = Av .Av ftotal ≈ Av .Av f 1 = Av .Av f 2 = Av .A0 f C = A’0 f C
Onde A’0 = Av .A0
Ou seja, o produto ganho banda da conexão é igual equivalente aquela

alcançada com um opamp de produto ganho banda Av maior.
229
ü Amplificador de soma
Outra aplicação bastante comum com o opamp é o amplificador de soma de

tensões ou amplificado somador. A Figura abaixo mostra a saída como sendo a soma de
três entradas, cada uma multiplicada por um fator diferente.
V1 R1
Rf
R2
V0
V3 R3
Amplificador de soma
V0 = -( Rf /R1V1 + Rf /R2 V2 + Rf/R3 V3)
Um caso particular é fazer R1 = R2 = R3 =R, assim
V0 = - Rf/R(V1+ V2+ V3)
Uma aplicação para tipo de circuito seria por exemplo, na mixagem de sinais de
áudio.
230
ü Amplificador de diferença
Este amplificador pode ser utilizado quando a informação que se deseja extrair
está na diferença de duas tensões.
Ri1
V1
opamp
Ri2 V0
V2 R f2 ∆R
Rf2n - 2∆
2∆ R
Amplificador de diferença
Normalmente, os resistores Rf1 = Rf2 = Rf e Re1 = Re2 = Re , assim
V0 = Rf / Re (V2 – V1 )
Como na prática a diferença de tensão entre V2 e V1 é muito pequena, se existe

um sinal de modo comum, isto V2 + V1 ≠ 0, um cuidado especial deve ser tomado no
casamento dos resistores. Quando este é o caso é comum substituir o resistor Rf2, por
um resistor em série com um potenciômetro de ajuste (trimpot). O valor deste resistor
de ser igual ao valor nominal de Rf menos duas vezes a tolerância e o trimpot deve ser
igual à duas vezes o valor da tolerância.
O principal inconveniente deste amplificador é a sua baixa impedância de

entrada.
231
ü Amplificador de instrumentação
O opamp é muito empregado em circuitos de instrumentação, tais como

voltímetros dc ou ac. Dentre estes o mais importante certamente é o amplificador de
instrumentação.
Um circuito que fornece uma saída baseada na diferença entre duas entradas
(vezes um fator de escala) uma alta impedância de entrada e uma alta rejeição a sinal
de modo comum é considerado um amplificador de instrumentação. Uma das
configurações clássica é o circuito formado por três opamp como mostra a figura
abaixo. O resistor RG ajusta o ganho do amplificador e o resistor RCM maximiza a
CMR. Os dois opamp de entrada fornecem todo o ganho diferencial e o opamp de saída
(amplificador de diferença) converte a diferença de tensão em uma saída simples
rejeitando o sinal de modo comum.
V1 V s1 R R
Rf
V sd =(Vs2 –Vs1)
RG
Vsc =(Vs2 +Vs1 )/2
Rf V0 = V0d +V0c
Vd =V2 – V1
Vc =(V2 +V1)/2
V02
R
V0 = (1+ 2R f/R G)V d + AC Vc
AC = ganho de modo comum do

R Amplificador de diferença
V2
É deixado como exercício para mostrar que
Vsd = V0d = (1+ 2Rf /RG)Vd e V0c = Ac Vsc = Ac Vc
V0 = (1+ 2Rf /RG)Vd + Ac Vc
Portanto, a rejeição de modo comum deste amplificador é igual
CMRR = (1+ 2Rf /RG)/Ac

232
2) Conversores
Existem várias aplicações, tais como, conversão DA, conversão AD,

fotoconversão, etc, onde o sinal de entrada está na forma de corrente, ou a se deseja
uma saída em corrente. Portanto, o uso de conversores corrente tensão e tensão
corrente são necessários.
ü Conversor corrente tensão
Quando se deseja converter uma corrente fornecida por um dispositivo qualquer,

como por exemplo, um fotocorrente, em uma tensão, podemos fazer uso dos conversores
de corrente tensão, ou também conhecidos como amplificador de transimpedância, já
que a constante que relaciona a saída com a entrada é uma resistência. A figura abaixo
mostra um conversor corrente tensão simples.
Rf
I
V 0 = Rf.I
Conversor corrente tensão
A figura abaixo mostra um conversor diferença de corrente tensão.

Rf
V 0 = Rf.(I1 –I2)
Rf
I1 I2
Conversor diferença de corrente tensão

233
ü Conversor tensão corrente.
Quando se deseja converter uma tensão em uma corrente podemos fazer uso dos
conversores de tensão corrente. A figura abaixo mostra um conversor tensão corrente
onde a corrente é “puxada” (sink). O dispositivo, D pode ser um transistor bipolar NPN
ou, no caso de uma fonte de corrente precisa, um transistor jfet canal N.
I = Ve/R
Ve D
Ve
Ve = DC maior que 0V
ou
Ve = AC com menor valor R
maior que 0V
Conversor tensão corrente (sink)
A figura abaixo mostra um conversor tensão corrente onde esta é “empurrada”

(source). O dispositivo D pode ser um transistor bipolar PNP ou um transistor jfet canal
P.
VCC
Ve Ve R
Ve = DC maior que 0V
ou
Ve = AC com menor valor I = Ve/R
maior que 0V
Conversor tensão corrente (source)

234
3) Operadores
Os opamp’s podem ser utilizados para implementar funções de operadores, tais

como, d/dt (operador diferencial) e ∫ (operador integral). Estes circuitos são muitos
utilizados em malha de controle PID (Proporcional-Integral-Derivativo).
ü Integrador
O circuito básico de um integrador com opamp está mostrado abaixo.

i
i
C
R
Ve
V0
Integrador básico
Da figura, temos
i = Ve/R e V0 = - Q/C onde Q = ∫ idt = ∫ Ve/R dt portanto
V0 = -1/RC∫ Ve dt
Na prática, devido a corrente de polarização e tensão de offset diferentes de zero,

um resistor que limita o ganho em DC é colocado em paralelo com o capacitor C. A
figura abaixo mostra o integrador prático.
RP
π RPC ≈ alguns Hz
1/2π
C
Ganho em DC = -Rp/R
R
Ve
V0
Integrador prático
235
ü Diferenciador
O circuito básico de um diferenciador com opamp está mostrado abaixo. Note

que o capacitor C trocou de posição com o resistor R.
i
i R
C
Ve
V0
Diferenciador básico
Da figura, temos
V0 = Ri e Ve = Q/C onde i = dQ /dt = CdVe /dt portanto
V0 = -RCdVe/dt
Na prática, devido a dependência do ganho de malha aberto do opamp diminui

(tipicamente -20dB/década) para evitar picos na resposta em altas freqüências ou
instabilidades, um resistor que limita o ganho em altas freqüências é colocado em série
com o capacitor C. A figura abaixo mostra o diferenciador prático.
π RSC ≈ centenas kHz

1/2π
R depende do opamp
Ganho em altas = -R/R S

RS
Ve C
V0
Diferenciador prático
236
4) Filtros ativos
Os opamps são empregados também na montagem de filtros ativos. Um filtro

pode ser constituído, utilizando-se componentes passivos: resistores, capacitores e
indutores. Além destes, um filtro ativo possui um amplificador para produzir
amplificação de tensão e “bufferização” ou isolamento do sinal.
Os filtros ativos é um tema bastante extenso e está fora dos objetivos deste curso.
Apenas para exemplificar apresentaremos uma classe de filtro ativo bastante popular
chamados circuitos VCVS (do inglês, voltagem-controlled voltage-source), também
conhecidos simplesmente como filtro com fonte controlada (controlled-source filter).
ü Filtro Passa-Baixas
Um filtro com fonte controlada passa-baixas de segunda ordem tipo Butterworth

é mostrado na figura abaixo. A tabela abaixo mostra os valores de k para filtro de
ordens superiores feito com este filtro.
C
fc = 1/2π RC
R R
Ve C
V0
A2
(k -1)Rc
logk
-40dB/década Rc
1 estágio 2 estágio 3 estágio
fc f 2a ordem
6 a ordem
Filtro Passa-Baixas de 2a ordem
Tabela dos valores de k’s para 1, 2 ou 3 estágios
n° de estágios n k1 k2 k3
1 2 1,586 ---- -----
2 4 1,152 2,235 -----
3 6 1,068 1,586 2,484
237
ü Filtro Passa-Altas
Um filtro com fonte controlada passa-altas de segunda ordem tipo Butterworth é

mostrado na figura abaixo. A tabela abaixo mostra os valores de k para filtro de ordens
superiores feito com este filtro.
R
π RC
fc = 1/2π
C C
Ve
R
V0
A2
(k -1)Rc
logk
+40dB/década Rc
1 estágio 2 estágio 3 estágio
fc f 2 a ordem
6a ordem
Filtro Passa-Altas de 2a ordem
Tabela dos valores de k’s para 1, 2 ou 3 estágios
n° de estágios n k1 k2 k3
1 2 1,586 ---- -----
2 4 1,152 2,235 -----
3 6 1,068 1,586 2,484
238
5) Circuitos não lineares
Os circuitos não lineares exploram as características não lineares dos diodos e a

dependência exponencial da corrente versus tensão numa junção PN.
ü Retificador de precisão de meia onda
O retificador de meia onda mostrado na figura abaixo fornece duas saída, uma
Que é a porção positiva do sinal de entrada e outra que fornece a porção negativa do
sinal de entrada.
I+ V0-
R D1
I+
Ve
I-
D2
V0 +
I
Retificador de precisão de meia onda
Quanto o sinal de entrada é positivo a malha se fecha no ramo superior da

malha de realimentação (R – D1 ), portanto
V0- = -R/RVe = - Ve e V0- = 0 p/ Ve ≤ 0
Quanto o sinal de entrada é negativo a malha se fecha no ramo inferior da malha

de realimentação (R – D2 ), portanto
V0+ = -R/RVe = - Ve e V0+ = 0 p/ Ve ≥ 0
Obs: É importante observar que se um dos ramos de realimentação não existe, o

opamp satura quando não está com a malha fechada; isto reduz bastante a
resposta do retificador.
239
ü Retificador de precisão de onda completa (circuito de módulo)
O retificador de onda completa mostrado na figura abaixo fornece uma saída que
é o módulo do sinal de entrada. Este circuito é uma combinação de retificador de meia
com um amplificador somador.
x1
Retificador de Amplificador
meia onda somador V0
Ve x2
Diagrama em bloco do retificador de onda completa
R
+
R/2 =
R
R
D1
R
Ve
V0
D2
Retificador de onda completa

240
ü Amplificador logaritmo
A figura abaixo mostra um circuito que explora a dependência logarítmica de VBE

com IC para produzir uma saída proporcional ao logaritmo da tensão de entrada
(Ve ≥ 0V). Este circuito funciona muito bem até sete década de corrente desde que se
use os opamp’s e o par Q1 e Q2 adequados.
C1
Iref
D1
Q1
R
Ie Iref
Ve V0 -1,0V/década
OP 1
Q2 OP2
V0
VB V’B
Rf
Ri Ω
15,7kΩ
Amplificador logaritmico 1kΩ
O circuito funciona da seguinte forma: a voltagem de entrada é convertida na

corrente I por
I e = Ve /R
A tensão VB é igual a tensão –VBE do transistor Q1 , que deve fazer parte de um

par casado com Q2. A tensão V’B é igual a tensão VBE do transistor Q2 mais a tensão VB.
Escrevendo isto, resulta
V’B = VBE(Q2 ) - VBE (Q1) = VTlnIref /Is - VT lnIe/I s = -VTln Ie /Iref = VTlnVe /RIref
Ou na base 10
V’B = - 2,302VTlogV e/RIref e na saída V0
V0 = -(1+15,7)(2,302)VT logVe/RIref = -(16,7)(2,302)(26mV)logVe/RI ref
V0 = -(1,0V) logVe /RIref

241
• Realimentação negativa
ü Conceitos sobre realimentação
A técnica de realimentação já foi aborda na seção de Amplificadores

operacionais, onde foram analisados alguns circuitos. Dependendo da polaridade
relativa do sinal que é realimentado em um circuito, podemos ter realimentação
positiva ou negativa. Realimentação negativa produz uma redução do ganho de tensão,
trazendo várias vantagens, as quais podemos citar:
1. Impedância de entrada aumentada ou diminuída

2. Ganho de tensão mais estável
3. Resposta em freqüência melhorada
4. Impedância de saída aumentada ou diminuída
5. Ruído reduzido
6. Distorção reduzida
Uma conexão típica está mostrada na figura abixo. O sinal de entrada, Ve, é
aplicado a um circuito misturador (ponto de soma), onde é combinado com o sinal
realimentado, Vf. A diferença entre estes sinais, Vi, é então a tensão de entrada para o
amplificador. Uma porção da saída do amplificador , V0, é conectada ao circuito de
realiemntação (β), que apresenta um aparte reduzida da saída como sinal de
realimentação ao circuito misturador.
Vi
Ve
V0
Vf
β
Amplificador com realimentação

242
ü Tipos de conexão de realimentação
Há quatro maneiras básicas de se realizar a realimentação. Tanto a corrente

como a tensão pode ser realimentada, em série ou em paralelo. Assim, podemos ter
1. Realimentação de tensão em série (série na entrada e paralelo na saída)

2. Realimentação de tensão em paralelo (paralelo na entrada e paralelo na saída)
3. Realimentação de corrente em série (série na entrada e série na saída)
4. Realimentação de corrente em paralelo (paralelo na entrada e série na saída)
A figura abaixo mostra estas conexões.
Note que na lista acima, tensão refere-se a conectar em paralelo com a tensão
de saída a entrada do circuito de realimentação; corrente, refere-se a conectar em
série (amostra a corrente) a saída do amplificador e a entrada do circuito de
realimentação. Ainda, série significa conectar o sinal realimentado em série a uma
fonte de tensão na entrada; paralelo quer dizer conectar o sinal realimentado em
paralelo a uma fonte de corrente na entrada.
Ii
Ve Vi A =V0 /Vi V0 RL Ie Vi A =V0 /I i V0 RL
If
Vf β =Vf /V0 β =If /V0

1. 2.
I0 Ii I0
Ve Vi A =I0 /Vi RL Ie A =I0 /Ii RL
If
3. Vf β =Vf /I0 4. β =If /I 0
Conexões de realimentação
243
A seguir examinaremos o ganho de cada uma das conexões. O ganho sem
realimentação, A,e chamaremos de ganho de malha aberta e corresponde ao ganho do
estágio amplificador. O ganho resultante após a realimentação, Af , e chamaremos de
ganho de malha fechada. As impedâncias de entrada e saída também serão examinadas.
Para referência aos vários tipos de ganhos de malha aberta, fator de

realimentação e ganho de malha fechada, nós mostramos abaixo um resumo.
Resumo dos vários tipos de ganhos e fatores de realimentação
Tensão Tensão em Corrente Corrente

em série paralelo em série em paralelo
Ganho malha A V0 V0 I0 I0
aberta Vi Ii Vi Ii
Fator de β Vf If Vf If
realimentação V0 V0 I0 I0
Ganho malha Af V0 V0 I0 I0
fechada Ve Ie Ve Ie
Baseada na forma como o fator de realimentação está inserido na entrada, e na

saída do estágio amplificador, estas conexões também podem ser chamadas com outra
forma alternativa de denominação com mostra a tabela abaixo.
Outra denominação do tipo de realimentação
Tipo de Conexão na Conexão na saída Tipo de conexão

conexão entrada (alternativa)
Tensão em série paralelo série - paralelo
série
Tensão em paralelo paralelo paralelo - paralelo
paralelo
Corrente em série série série - série
série
Corrente em paralelo série paralelo - série
paralelo
Resumindo, esta forma de denominar a o tipo de conexão pode ser

esquematizada, como mostra a figura abaixo
Tipo
XXXXX - XXXX = Conexão na entrada - Conexão na saída

244
ü Realimentação de tensão em série (série-paralelo)
A figura abaixo mostra uma conexão de realimentação de tensão em série, com

uma parte da tensão (β) de saída realimentada em série com o sinal de entrada.
Amplificador
R0
Ve V0 RL
Vi Ri AVi
Circuito de realimentação paralelo

série
Vf β V0
Conexão para realimentação de tensão em série (série-paralelo)
O amplificador apresenta um ganho A (ganho de malha aberta da conexão),

impedância de entrada Ri, e impedância de saída R0. O circuito de realimentação
apresenta um ganho de tensão β , uma impedância de entrada infinita, e uma
impedância de saída zero.
• Caso o circuito de realimentação apresente uma impedância de saída

diferente de zero, Rr0, podemos considerar esta em série com a impedância
de entrada, e ainda considerar a conexão como a mostrada acima, agora
com a impedância de entrada do amplificador R’i = Ri+ Rr0.
• Ainda, caso o circuito de realimentação apresente uma impedância de

entrada finita, Rri, podemos considerar esta em paralelo a impedância de
saída R0,, e ainda considerar a conexão como a mostrada acima, agora
com uma carga R’0 = Rri//R0 com o ganho reduzido para A’
=A.Rri/(Rri+R0 ).
• O ganho reverso (V 0 /Vf ) do circuito de realimentação é sempre de

desprezado.
Obs: Normalmente Rri >> R0 e R r0 << Ri

245
As figuras abaixo ilustram as considerações acima.
Amplificador
R0
Ve RL
Vi Ri AVi V0
Circuito de realimentação
Rr 0
V’f βV0 Rri
Conexão para realimentação de tensão em série (série-paralelo) com impedância de

entrada e saída no circuito de realimentação
R0
R0 //Rri
AVi
Norton Thevènin A’Vi
R ri AVi /R0 R0 //Rri
A’ = AVi R0/( R0 +Rri )
Amplificador
R0//Rri
Ve RL
Vi Ri +Rr0 A’Vi V0
Circuito de realimentação A’= A.Rri/(Rri+R 0 )
Vf β V0
Conexão para realimentação de tensão em série (série-paralelo) com

impedância de entrada e saída no circuito de realimentação equivalente
246
Vamos determinar para esta conexão, o ganho de malha fechada, a impedância

de entrada e a impedância de saída.
• Ganho de malha fechada
Para esta análise vamos nos reportar as figuras anteriores. Se não houver
realimentação (Vf =0), o ganho de tensão do estágio amplificador (ganho de malha
aberta com RL = ∞) é
A = V0 /Ve = V0 /Vi
Se um sinal de realimentação, Vf, for conectado em série com a entrada, então
Vi = Ve - Vf
Uma vez que
V0 = A Vi = A (Ve - Vf) = A Ve - A Vf = A Ve - Aβ V0
então
V0 (1+ Aβ) = A Ve
e o ganho de malha fechada é dada por
Af = V0 / Ve = A /(1+ Aβ) (411)
A equação (411) mostra que o ganho com realimentação (ganho de malha

β ). Mais adiante será visto
fechada) é o ganho do amplificador reduzido pelo fator (1+ Aβ
que este fator afeta também a impedância de entrada e de saída, dentre outras
características do circuito.
• Impedância de entrada
Para determinar a impedância de entrada vamos repetir a conexão com a

indicação da impedância de entrada como mostra a figura abaixo.
247
Ie
R0
Ve RL=0
Vi Ri AVi V0
Z ef =Ve /Ie
Vf β V0
Matriz G
Determinação da impedância de entrada para a conexão realimentação de

tensão em série (série-paralelo)
A impedância de entrada pode ser determinada da seguinte forma: (com RL = ∞ )
I e = Vi /Ri = (Ve - Vf)/Ri = Ve /Ri - β V0 /Ri
Ri Ie = Ve - β V0
Ve = Ri Ie +β V0 = Ri Ie +βAiRi Ie
Ve = (1+βA)Ri Ie
Portanto
Zef = Ve / Ie =(1+βA) Ri (412)
Esta equação mostra que a impedância de entrada de um circuito com

realimentação de tensão em série(série-paralelo) é igual a impedância de entrada sem
β A). Como veremos adiante este resultado é
realimentação multiplicada pelo fator (1+β
também válido para a conexão de realimentação de corrente em série (série-série).
248
• Impedância de saída

indicação da impedância de saída como mostra a figura abaixo.
I0
R0
Vi Ri AVi V0 RL
Z0f =V0/I 0
Vf βV 0
Determinação da impedância de saída para a conexão realimentação de tensão

em série (série-paralelo)
A impedância de saída pode ser determinada da seguinte forma:
V0 = R0 I0 + AVi
para Ve = 0 Vi = -Vf
portanto
V0 = R0 I0 – AVf = R0 I0 – AβV0
V0 (1+ Aβ) = R0I0
portanto
Z0f = V0 /I0 = R0 /(1+ Aβ) (413)
Esta equação mostra que a impedância de saída de um circuito com

realimentação de tensão em série (série-paralelo) é igual a impedância de saída sem
realimentação divida pelo fator (1+β A). Como veremos adiante este resultado é também
válido para a conexão de realimentação de tensão em paralelo (paralelo-paralelo).
249
A figura abaixo mostra o circuito equivalente da conexão com realimentação
de tensão em série.
Amplificador
R0
Ve RL
Vi Ri AVi V0
R0 +Rri
série paralelo
Vf β V0
Conexão com realimentação de tensão em série
R0 /(1+β A)
Ve β A)
Ri (1+β A/(1+ β A)Ve V0 RL
250
ü Realimentação de corrente em série (série-série)
A figura abaixo mostra uma conexão de realimentação de corrente em série. A

tensão de realimentação (Vf ) que é proporcional (β) a corrente de saída é realimentada
em série com o sinal de entrada.
Amplificador
Ve R0 RL
Vi Ri AVi V0
série série
I0
Vf β I0
Matriz Z
Conexão para realimentação de corrente em série (série-série)
O amplificador apresenta um ganho A (transcondutância) (ganho de malha

aberta da conexão), impedância de entrada Ri, e impedância de saída R 0. O circuito de
realimentação apresenta um ganho β (transresistência), uma impedância de entrada
zero, e uma impedância de saída zero.
• Se o circuito de realimentação apresente uma impedância de saída

diferente de zero, Rr0, podemos considerar esta em série com a impedância
de entrada, e ainda considerar a conexão como a mostrada acima, agora
com a impedância de entrada do amplificador R’i = Ri+ Rr0.
• Ainda, caso o circuito de realimentação apresente uma impedância de

entrada finita, Rri, podemos considerar esta em série com a impedância de
saída R0, e ainda considerar a conexão como a mostrada acima, agora com
um ganho reduzido A’ = AR0 /(R0+R ri) e uma impedância de saída R’0 = R0
+Rri .
• O ganho reverso (I 0/Vf ) do circuito de realimentação é sempre de

desprezado.
Obs: Normalmente Rri << R0 e R r0 << Ri

251
Amplificador
Ve RL
Vi Ri AVi R0 V0
I0
Rr 0
V’f β I0 Rri
Conexão para realimentação de corrente em série (série-série) com impedância de

entrada e saída no circuito de realimentação
R0
R0 Thevènin AVi .R0 Norton A’Vi R0 +Rri

AVi
Rri Rri
Amplificador
R0 +R ri
Ve RL
Vi Ri + Rr0 A’Vi V0
A’ = AR 0 /(R0+Rri)
I0
Vf β I0
Conexão para realimentação de corrente em série (série-série) com impedância

de entrada e saída no circuito de realimentação equivalente
252
Vamos determinar para esta conexão, o ganho de malha fechada, a
impedância de entrada e a impedância de saída.
realimentação (V f =0), o ganho do estágio amplificador com RL =0 (ganho de malha
aberta) é
A = I0 /Ve = I0 /Vi
Se um sinal de realimentação, Vf, for conectado em série com a entrada, então
Vi = Ve - Vf
Uma vez que
I 0 = A Vi = A (Ve - Vf ) = A Ve - A Vf = A Ve - Aβ I0
então
I 0 (1+ Aβ) = A Ve
Af = I0 / Ve = A /(1+ Aβ) (414)

β ).
É importante observar que o ganho neste caso é uma transcondutância e não um

ganho de tensão ou corrente.

253
Ie
Ve RL=0
Vi Ri AVi R0 V0
I0
Z ef =Ve /Ie
Vf β I0

corrente em série (série-série)
A impedância de entrada pode ser determinada da seguinte forma: (com R L = 0)
I e = Vi /Ri = (Ve - Vf)/Ri = Ve /Ri - β I0 /Ri
Ri Ie = Ve - β I0
Ve = Ri Ie +β I0 = Ri Ie +β ARi Ie
Ve = (1+βA)Ri Ie
Portanto
Zef = Ve / Ie =(1+βA) Ri (415)

realimentação de corrente em série(série-série) é igual a impedância de entrada sem
β A).
254

I0
Ve=0 R0 RL
Vi Ri AVi V0
Z0f =V0/I 0
Vf β I0
I0
Determinação da impedância de saída para a conexão realimentação de

corrente em série (série-série)
V0 = R0 (I0 + AVi )
para Ve = 0 Vi = -Vf βI0 (Obs:note que o sentido da

Vf = -β
corrente está invertido)
portanto
V0 = R0 I0 - R0 AVf = R0I0 + R0 AβI0
V0 = R0 I0 (1+ Aβ
portanto
Z0f = V0 /I0 = R0 (1+ Aβ) (416)

realimentação de corrente em série (série-série) é igual a impedância de saída sem
β A).
255
de corrente em série.
Amplificador
R0
Ve RL
Vi Ri AVi V0
R0 +Rri
série série
Vf β I0
Conexão com realimentação de corrente em série (série-série)
Ve β A)
R0 (1+β
β A)
Ri (1+β V0 RL
A/(1+ β A)Ve
256
ü Realimentação de tensão em paralelo (paralelo-paralelo)
A figura abaixo mostra uma conexão de realimentação de tensão em paralelo. A

corrente de realimentação (If) que é proporcional (β) a tensão de saída é realimentada
em paralelo com o sinal de entrada.
Ii
R0
Ie
Ri AIi V0
If
βV 0
Conexão para realimentação de tensão em paralelo (paralelo-paralelo)
O amplificador apresenta um ganho A (transresistência) (ganho de malha aberta

da conexão), impedância de entrada Ri, e impedância de saída R0. O circuito de
realimentação apresenta um ganho β (transcondutância), uma impedância de entrada
zero, e uma impedância de saída zero.

finita, Rr0, podemos considerar esta em paralelo com a impedância de
entrada, Ri, e ainda considerar a conexão como a mostrada acima, agora
com a impedância de entrada do amplificador igual a R’i = Ri//Rr0.
• Ainda, se o circuito de realimentação apresenta uma impedância de

entrada finita, Rri, podemos considerar esta em paralelo com a impedância
de saída R0, e ainda considerar a conexão como a mostrada acima, agora
com agora com um ganho reduzido A’ = ARri/(R0 +Rri) e uma impedância
de saída R’0 = R0 //Rri .
• O ganho reverso (V 0 /If ) do circuito de realimentação é sempre de

desprezado.
Obs: Normalmente Rri >> R0 e R r0 >> Ri

257
Amplificador
Ii
R0
Ie If RL
Ri AIi V0
If βV00
Rr 0 Rri
Conexão para realimentação de tensão em paralelo (paralelo-paralelo) com

impedância de entrada e saída no circuito de realimentação
R0
AIi Norton Thevènin A’Vi

Rri AIi /R0 R0 //Rri
A’ = AVi Ri/( R0 +Rri )
Ii Amplificador
R0 //Rri
Ie If RL
Ri //Rr0 A’Ii V0
paralelo paralelo
β V0
A’ = ARri /(R 0+Rri )
Conexão para realimentação de tensão em paralelo (paralelo-paralelo) com

impedância de entrada e saída no circuito de realimentação equivalente.
258
realimentação (If =0), o ganho do estágio amplificador com RL=∞ (ganho de malha
aberta) é
A = V0 /Ie = V0 /Ii
Se um sinal de realimentação, If , for conectado em paralelo com a entrada, então
I i = Ie - If
Uma vez que
V0 = A Ii = A (Ie - If) = A Ie - A If = A Ie - Aβ V0
então
V0 (1+ Aβ) = A Ie
Af = V0 / Ie = A /(1+ Aβ) (417)

β ).
É importante observar que o ganho neste caso é uma transresistência e não um

ganho de tensão ou corrente.

259
Ii
Ie R0
Ve Ri AIi V0 ∞
RL=∞
Z ef =Ve /Ie
If
β V0

tensão em paralelo (paralelo-paralelo)
A impedância de entrada pode ser determinada da seguinte forma: (com RL = ∞ )
I e = Ii + If = Ve/Ri + β V0 = Ve/Ri + βA Ii = Ve/Ri +βA Ve /Ri
Ri Ie = Ve + β A Ve
Ri Ie = Ve (1+ β A)
Portanto
Zef = Ve / Ie =Ri/(1+βA) (418)

realimentação de tensão em paralelo(paralelo-paralelo) é igual a impedância de
β A).
entrada sem realimentação dividida pelo fator (1+β
260

Ii I0
R0
Ie =0 RL
Vi Ri AIi V0
If
Z0f =V0/I 0
βV 0

em paralelo (paralelo-paralelo)
V0 = R0 (I0 + AIi)
para Ie = 0 I i = -If
portanto
V0 = R0 I0 - R0 AIf = R0 I0 - R0AβV0
V0 (1+ Aβ) = R0I 0
portanto
Z0f = V0 /I0 = R0 /(1+ Aβ) (419)

realimentação de tensão em paralelo (paralelo-paralelo) é igual a impedância de saída
sem realimentação dividida pelo fator (1+β A).
261
de tensão em paralelo.
Ii
R0
Ie V0
Ri AIi
If
βV 0
Conexão com realimentação de tensão em paralelo (paralelo-paralelo)
β A)
R0 /(1+β
β A)
Ri /(1+β A/(1+ β A)Ie V0 RL
262
ü Realimentação de corrente em paralelo (paralelo-série)
A figura abaixo mostra uma conexão de realimentação de corrente em paralelo.

A corrente de realimentação (I f ) que é proporcional (β) a corrente de saída é
realimentada em paralelo com o sinal de entrada.
Ii
R0
Ri AIi V0 RL
Circuito de realimentação I0
If
β I0
Conexão para realimentação de corrente em paralelo (paralelo-série)
O amplificador apresenta um ganho A (de corrente) (ganho de malha aberta da

conexão), impedância de entrada Ri, e impedância de saída R0. O circuito de
realimentação apresenta um ganho β (de corrente), uma impedância de entrada zero, e
uma impedância de saída zero.

diferente de zero, Rr0, podemos considerar esta em paralelo com a
impedância de entrada, Ri, e ainda considerar a conexão como a mostrada
acima, agora com a impedância de entrada do amplificador igual a R’i =
Ri//Rr0.
• Ainda, se o circuito de realimentação apresenta uma impedância de

entrada finita, Rri, podemos considerar esta em série com a impedância de
saída R0, e ainda considerar a conexão como a mostrada acima, agora com
agora com um ganho reduzido A’ = AR 0/(R0+Rri) e uma impedância de
saída R’0 = R0 +R ri .
• O ganho reverso (I0/If ) do circuito de realimentação é sempre desprezado.
Obs: Normalmente Rri << R0 e R r0 >> Ri

263
Ii
R0
Ie
Ri AIi V0 RL
If
Rr 0 β I0 Rri
Conexão para realimentação de corrente em paralelo (paralelo-série) com

impedância de entrada e saída no circuito de realimentação
R0
R0 Thevènin AIi . R0 Norton A’Ii R0 +Rri

AIi
R ri Rri A’ = AR0 /( R0 +Rri )
Ii Amplificador
R 0+Rri
Ie If RL
Ri //Rr0 A’Ii V0
paralelo série
βV
I00 A’ = AR0 /(R 0+R ri)
Conexão para realimentação de tensão em paralelo (paralelo-série) com

impedância de entrada e saída no circuito de realimentação equivalente.
264
realimentação (If =0), o ganho do estágio amplificador com RL =0 (ganho de malha
aberta) é
A = I0 /I e = I0 /Ii
Se um sinal de realimentação, If , for conectado em paralelo com a entrada, então
I i = Ie - If
Uma vez que
I 0 = A Ii = A (Ie - If ) = A Ie - A If = A Ie - Aβ I0
então
I 0 (1+ Aβ) = A Ie
Af = I0 / Ie = A /(1+ Aβ) (420)

β ).

265
Ii
Ie R0
Ve Ri AIi V0 R L=0
I0
Z ef =Ve /Ie
If
β I0

corrente em paralelo (paralelo-série)
A impedância de entrada pode ser determinada da seguinte forma: (com RL = 0)
I e = Ii + If = Ve/Ri + β I0 = Ve /Ri + βA Ii = Ve /Ri +βAVe/Ri
Ri Ie = Ve + βAVe
Ri Ie = Ve (1+ β A)
Portanto
Zef = Ve / Ie =Ri/(1+βA) (421)

realimentação de corrente em paralelo(paralelo-série) é igual a impedância de entrada
β A).
sem realimentação dividida pelo fator (1+β
266

Ii I0
R0
Ie =0
Vi Ri AIi V0 RL =0
If
Z0f =V0/I 0
β I0

em paralelo (paralelo-paralelo)
V0 = R0 (I0 + AIi)
para Ie = 0 I i = -If β I0 (Obs:note que o sentido da

If = -β
corrente está invertido)
portanto
V0 = R0 I0 - R0 AIf = R0 I0 + R0 AβI 0
V0 = R0I0 (1+ Aβ)
portanto
Z0f = V0 /I0 = R0 (1+ Aβ ) (422)

realimentação de corrente em paralelo (paralelo-série) é igual a impedância de saída
sem realimentação multiplicada pelo fator (1+β A).
267
de tensão em paralelo.
Ii I0
R0
Ie RL
Ri AIi V0
If
β I0
Conexão com realimentação de tensão em paralelo (paralelo-paralelo)
β A)
R0 (1+β
Ie β A)
Ri /(1+β V0 RL
β A)Ie
A/(1+β
268
A tabela abaixo mostra um resumo dos efeitos de cada uma das conexões de
realimentação sobre a impedância de entrada e de saída.
Quadro – Efeito da realimentação

Tipo da realimentação (conexão)
Tensão em Corrente em Tensão em Corrente em
série série paralelo paralelo
(série-paralelo) (série-série) (paralelo-paralelo) (paralelo-série
Z if (entrada) Ri (1+βA) Ri (1+βA) Ri /(1+βA) Ri/(1+βA)
Z0f (saída) R0 /(1+β A) R0(1+β A) R0 /(1+β A) R0(1+β A)
Da tabela podemos observar que dependendo do tipo da conexão na entrada e

saída do amplificador (série ou paralelo) a impedância de entrada ou de saída muda
como indicado abaixo
Série -------------- Aumenta por um fator (1+βA)

Paralelo -------------- Diminui por um fator (1+βA)
Obs: o ganho sempre diminui pelo mesmo fator
A tabela abaixo mostra um resumo de como se deve levar em conta o efeito de

carregamento, ou seja, de impedância de entrada e saída finita ou diferente de zero do
circuito de realimentação para cada uma das conexões de realimentação.
Quadro – Efeito de carregamento

Tipo da realimentação (conexão)
Tensão em Corrente em Tensão em Corrente em
série série paralelo paralelo
(série-paralelo) (série-série) (paralelo-paralelo) (paralelo-série)
R’i (entrada) Ri +R0r Ri +R0r Ri // R0r Ri // R0r
R’0 (saída) R0 //Rir R0 +Rir R0 //Rir R0 +Rir
A’ A.R0r/(R0+R0r ) A.R0/(R0 +R0r) A.R0r/(R0+R0r) A.R0 /(R0 +R0r)
Da tabela podemos observar que dependendo do tipo da conexão na entrada e

saída do amplificador (série ou paralelo) a impedância de entrada ou de saída muda
como indicado abaixo
Série --------- R’i = Ri +R0r , R’0 = R0 +Rir e A’ = A.R0/(R0+R0r )

Paralelo --------- R’i = Ri // R0r , R’0 = R0 // Rir e A’ = A.R0r/(R0 +R0r)
Obs : Note que o ganho só é afetado pela impedância de entrada do circuito de

realimentação, R 0r. Lembre-se que na conexão série, R 0r << R0, e na conexão em paralelo,
R0r >> R0 .
269
ü Revisão de quadripolos
Antes de realizarmos alguns exemplos de circuitos realimentados, vamos

rapidamente fazer um resumo de quadripolos.
Um quadripolo é uma estrutura com dois acessos um de entrada e outro de saída.

Muitos equipamentos, dispositivos e configurações de componentes passivos podem ser
representados por quadripolos. Um transistor, que tem três terminais, também é
considerado quadripolo onde um dos terminais é comum ao acesso de entrada e o de
saída.
A figura abaixo mostra a representação do quadripolo.
I1 I2
V1 V2
Quadripolo
Dependendo da escolha das variáveis independente, o quadripolo pode ser

representado por vários tipos de matriz que relacionam as quatro variáveis da
estrutura. As quatro matrizes mais importantes são descritas adiante.
Matriz Y - Se escolhermos as tensões V1 e V2 como variáveis independentes então

a matriz formada é de admitância (Y), ou seja
I1 V1
I = Y V onde I é um vetor coluna e V é o vetor coluna e Y é a matriz
de admitância ou matriz Y do quadripolo: I 2 V2
Y11 Y12
Y =
Y21 Y22
Assim, a primeira das equações
I 1 = Y11V1 + Y12V2 e a segunda equação
I 2 = Y21V1 + Y22V2
270
onde
Y11 = I1/V1V2=0 [admitância de entrada (inverso da impedância) com saída em curto]
Y12 = I1/V2V1=0 [admitância reversa (inverso da transcondutância) com entrada em curto]
Y21 = I2/V1V2=0 [admitância direta (inverso da transcondutância) com saída em curto]
Y22 = I2/V2V1=0 [admitância de saída(inverso da impedância) com entrada em curto]
Obs: Na conexão de realimentação de tensão em paralelo que significa amostrar a tensão na

β = I2/V1 = Y21 ) usamos esta matriz. O termo Y12 é
saída e realimentar como corrente na entrada (β
sempre desprezado.
Matriz Z - Se escolhermos as correntes I1 e I2 como variáveis independentes então

a matriz formada é de impedância (Z), ou seja,
I1 V1
V = Z I onde I é um vetor coluna e V é o vetor coluna e Z é a matriz
de impedância ou matriz Z do quadripolo: I 2 V2
Z= Z 11 Z12
Z 21 Z22
V1 = Z11 I1 + Z12I2 e a segunda equação
V2 = Z21 I1 + Z22I2 onde
Z11 = V1 /I 1I2=0 [impedância de entrada com saída aberta]
Z12 = V1 /I 2I1=0 [transimpedância reversa com entrada aberta]
Z21 = V2 /I 1I2=0 [transimpedância (ou transresistência) direta com saída aberta]
Z22 = V2 /I 2I1=0 [impedância de saída com entrada aberta]
Obs: Na conexão de realimentação de corrente em série que significa amostrar a corrente na

saída e realimentar como tensão na entrada (β = V2/ I1 = Z21 ) usamos esta matriz. O termo Z12 é
sempre desprezado.
271
Matriz G - Se escolhermos a corrente de entrada I1 e a tensão de saída V2
como variáveis independentes então a matriz formada é híbrida (H), ou seja
I1 V1
VI = G I V onde IV é um vetor coluna e VI é o vetor coluna e Géa
matriz de híbrida ou matriz G do quadripolo: V 2 I2
G11 G12
G=
G21 G22
V1 = G11I1 + G12V2 e a segunda equação
I 2 = G21I1 + G22V2 onde
G11 = V1/I 1V2=0 [impedância de entrada com saída em curto]
G12 = V1/V2 I1=0 [ganho de tensão inverso com entrada aberta]
G21 = I2/I1V2=0 [ganho de corrente direto com saída em curto]
G22 = I2/V2I1=0 [admitância de saída (inverso de impedância) com entrada aberta]
Obs: Na conexão de realimentação de corrente em paralelo que significa amostrar a corrente

β = I2 /I1 = G21 ) usamos esta matriz. O termo G 12 é
na saída e realimentar como corrente na entrada (β
sempre desprezado.
Matriz H - Se escolhermos a tensão de entrada V1 e a corrente de saída I2 como

variáveis independentes então a matriz formada é híbrida inversa (G), ou seja
I1 V1
I V = HVI onde I V é um vetor coluna e VI é o vetor coluna e Héa
matriz de híbrida ou matriz H do quadripolo: V2 I2
H11 H12
-1
H=G =
H21 H22
Assim, a primeir a das equações
I 1 = H11V1 + H12I 2 e a segunda equação
V2 = H21V1 + H22I2 onde

272
H11 = I1/V1I2=0 [admitância (inverso de impedância) de entrada com saída aberta]
H12 = I1/I2V1=0 [ganho de corrente inverso com entrada em curto]
H21 = V2/V1 I2=0 [ganho de tensão direto com saída aberta]
H22 = V2/I 2V1=0 [impedância de saída com entrada em curto]
Obs: Na conexão de realimentação de tensão em série que significa amostrar a tensão na

β = V2/V1 = H21 ) usamos esta matriz. O termo H12 é
saída e realimentar como tensão na entrada (β
sempre desprezado.
Logo abaixo, mostramos um resumo de todas as quatro matrizes. As variáveis em

cor azul representam as variáveis independentes do quadripolo. O parâmetro em
vermelho representa a transferência direta do quadripolo. O parâmetro na cor verde é
desprezado na análise de sistemas realimentado.
Y Z
I1 I2 I1 I2
Z11 Z22
V1 Y 22 V V1
Y11 2 V2
Y 12V2 Y 21V1 Z12I2 Z21I1
Y11 = I1 /V1 V2=0 Y 12 = I1 /V 2 V1=0 Z11 = V1/I 1I2=0 Z12 = V1/I2I1=0
Y21 = I2 /V1 V2=0 Y 22 = I2/V 2 V1=0 Z21 = V2/I 1I2=0 Z22 = V2/I2I1=0
I1 G I2 I1 H I2
G11 H2 2
V1 G22 V2 V1 H1 V2
G12V2 G21I 1 H1 2I2 H 2 1V1
G11 = V1 /I1 V2=0 G12 = V1 /V 2 I1=0 H11 = I1/V1I2=0 H12 = I1/I2 V1=0
G21 = I2/I 1 V2=0 G22 = I2/V2I1=0 H21 = V2 /V1I2=0 H22 = V2 /I2 V1=0
Note que em termos de transferência direta (termos em vermelho) temos
Matriz Y -------- converte tensão em corrente

Matriz Z -------- converte corrente em tensão
Matriz G ------- converte corrente em corrente
Matriz H ------- converte tensão em tensão
273
A seguir mostramos cada uma das conexões de realimentação com o circuito
de realimentação na forma de quadripolo (já com o termo reverso suprimido).
Amplificador
R0
Ve
Vi Ri AVi V0 RL
Quadripolo para o circuito

Variáveis independentes
V 1 =V0 e I2 I2 de realimentação I1
H 11 = I1 /V1 I2 = 0 H2 2
H 21 = β = V2 /V1  I2=0
Vf =V2 saída βV 0 entrada
H 22 = V2 /I2 V1 = 0 H1 1
β = H2 1
Matriz H
Realimentação de tensão em série
Amplificador
Ve RL
Vi Ri AVi R0 V0
Variáveis independentes
I1 =I0 e I2 I2 Circuito de realimentação
I0
Z11 = V1 /I1  I2 = 0
Z21 = β = V2 /I1 I2=0 Z22
Z22 = V2 /I2 V1 = 0 Vf = V2 saída β I0 Z11 entrada
I1 =I0
β = Z21
Matriz Z
Realimentação de corrente em série

274
Amplificador
Ii
R0
Ie If RL
Ri AIi V0
Variáveis independentes Circuito de realimentação I1

V1 = V0 e V2
Y11 = I1 /V1  V2 = 0
Y21 = β = I2 /V1  V2=0
I f =I2 β V0
Y
R22
r0 R11
Y V 1 = V0
Y22 = I2 /V2 V1 = 0
ri
β = Y21
Matriz Y
Realimentação de tensão em paralelo
Ii
R0
Ie
Ri AIi V0 RL
Variáveis independentes Circuito de realimentação I0

I1 = I0 e V2
G11 = V1 /I1  V2 = 0 If
G21 = β = I2 /I1  V2 = 0 G2 2 β I0 G1 1
G22 = I2 /V2  I1 = 0 I2 I1
β = G2 1
Matriz G
Realimentação de corrente em paralelo
Da observação dos vários tipos de realimentação e quadripolos mostrados acima,

podemos resumir na figura abaixo como devemos escolher que tipo de matriz para o
circuito de realimentação.
Obs: Na verdade mais importante que saber o tipo da matriz é saber quais são as variáveis
independentes.
275
Amplificador
R0
Ri AIi V0 RL
Circuito de realimentação Amostra

Subtrai
V ou I
V ou I
saída Y
R22
r0
βV 0 R11
Y entrada
ri
β = Y 21
Matriz ?
A figura acima mostra que o circuito de realimentação pode ter como entrada e
saída tensão ou corrente.
O tipo de variável na entrada e saída no circuito de realimentação determina que

variável devemos utilizar como variável independente para determinação dos
parâmetros dos quadripolos. Por exemplo, se a entrada no circuito de realimentação
for tensão e a saída for corrente, as variáveis independentes são, V1 e V2, isto é, as
tensões de entrada e saída. De uma forma geral, podemos os resumir a escolha das
variáveis independente como mostrado na tabela abaixo.
Escolha das variáveis independentes

Tipo de Variável de Variável Variáveis
Conexão entrada de saída independentes
(quadripolo) (quadripolo)
Tensão V1 =V0 V2 =Vf V1 ,I2
em série (matriz H)
Tensão V1 =V0 I2 =If V1 ,V2

em paralelo (matriz Y)
Corrente I 1 =I0 V2 =Vf I1,I2

em série (matriz Z)
Corrente I 1 =I0 I2 =If I 1,V2

em paralelo (matriz G)
Como pode ser observado na tabela, as variáveis independentes são formadas

pela variável de entrada amostrada (V1 ou I1 ) e a variável de saída que não a de
realimentação
276
Exemplo 1:
• Conexão realimentação de tensão em paralelo
A figura abaixo um circuito de um conversor corrente tensão com o uso de

opamp. O opamp apresenta uma impedância de entrada, Ri, uma impedância de saída,
R0, e um ganho de tensão, A. Determine a impedância de entrada, a impedância de
saída e o ganho de transimpedância do sistema realimentado, (V 0 /I e) com uma análise
direta e utilizando os conceitos de realimentação descritos acima.
Rf
Ie
V0 = -Rf.I e
Conversor corrente tensão (amplificador de transimpedância)
• Análise direta
If Rf
Ve
Ie
Ii R0
I0
Vi Ri -AVi V0
Ze =Ve /Ie Amplificador
Modelo do conversor corrente tensão
Da figura temos
I e = Ii +If = Vi/Ri + If (423)
If = (Vi – V0)/Rf (424)

277
I e = Vi /Ri + (Vi - V0)/Rf = Vi(1/Ri +1/Rf ) - V0/Rf (425)
Temos ainda
V0 = R0I o - AVi = R0If - AVi = (Vi - V0)R0/Rf - AVi
V0 (1+R0/Rf ) = (R0 /Rf - A)Vi
V0 = (R0 /Rf - A) Rf /(R0 + Rf )Vi (426)
Vi = Ve (427)
Substituindo (427) e (426) em (425), resulta
I e = Ve(1/Ri +1/Rf ) - (R0 /Rf - A)/(R0 + Rf )Ve
I e = Ve[1/Ri +1/Rf -(R0 /Rf - A)/(R0 + Rf )]
Portanto
Ze = Ve/Ie = 1/[1/Ri +1/Rf -(R0/Rf - A)/(R0 + Rf )]
Ze = Ri//Rf 1/[1+T] (428)
onde T = (A – R0/Rf)Rf Ri /(Rf +R0 )(Rf +Ri )
Note que como na prática a condição A >> R0 //Rf é sempre verdadeira. Logo
T ≈ ARf Ri /(Rf +R0 )(Rf +Ri) (429)
Obs: Mais adiante comentaremos sobre o termo – R0 /Rf
Para o calculo da impedância de saída vamos nos reportar a figura abaixo.

278
If Rf
Ix I0
Ii R0
Ie=0
Vi Ri -AVi
V0
Amplificador
Z 0 =V0 /I0
Da figura acima, temos
I 0 = Ix + If = Ix + Ii (430)
V0 = R0 Ix – AVi = R0 Ix – ARi I i e (431)
V0 = Rf If + RiIi = (Rf + Ri )Ii (432)
Eliminando I i em (430) e em (431)
I 0 = Ix + V0/(Rf + Ri) e (433)
V0 = R0 Ix –ARi V0 /(Rf + Ri)
V0 [1+ARi /(Rf + Ri )] = R0 Ix
Eliminando I x em (433)
I 0 = V0 {[1+AR i /(Rf + Ri)]/R0 + 1/(Rf + Ri )}
Portanto
Z0 = V0/ I0 = 1/{[1+ARi /(Rf + Ri )]/R0 + 1/(Rf + Ri)}
Z0 = R0//Rf ./G
Onde G = Rf /(R0 +Rf ){1+R0 /(Rf +Ri )} + T onde T é dado por (429)
Como na prática sempre Rf >>R0
Então G ≅ 1+ T e Z0 = R0//Rf ./(1+T) (434)

279
• Análise indireta
Nesta análise vamos redesenhar o circuito de forma que o circuito de

realimentação fique mais explícito.
Amplificador
Ve
Ie
Ii R0
I0
Vi Ri -AVi
V0
I2 I1
Rf
V2 = Vi saída entrada V1 = V0
Ø Identificando as variáveis independentes do quadripolo
Da figura vemos que a variável amostrada é V1 = V0 e a variável a ser

realimentada é I 2. Portanto as variáveis independentes são V1 e V2.
Os parâmetros do quadripolo são:

Por inspeção Por inspeção
Y11 = I1/V1 V2=0 = 1/Rf Y 21 = I2/V1 V2=0 = -1/Rf

Por inspeção desprezado
Y22 = I2/V2 V1=0 = 1/Rf Y 12 = I1/V2 V1=0 = -1/Rf
Para deixar mais claro vamos repetir a figura acima com os parâmetros do
quadripolo equivalente.
280
Amplificador
Ve
Ie
Ii R0
Vi Ri -AVi
V0
I2
V 2 = Vi saída Rf Rf entrada V1 = V0
-RfV0
Amplificador com o quadripolo do circuito de realimentação
Eliminando o efeito de carregamento pela inclusão de Rf no circuito amplificador,

podemos redesenhar o circuito acima como mostrado abaixo.
Amplificador
Ve
Ie
Ii R0 //Rf
-A’ = -A Rf/(R0+Rf)
Vi Ri /Rf -A’Vi
V0
I2
V2 = Vi saída -1/RfV0 entrada V 1 = V0
Amplificador com o quadripolo do circuito de realimentação equivalente

281
Note que –A’Vi = – A’Ri //Rf Ii = -AI.Ii onde AI = A’Ri //Rf
O fator de realimentação é igual a β = –1/Rf .
Portanto do fator 1+β A, pode ser agora determinado.
1+βA = 1 + (–1/Rf )(-AI) = 1+ 1/Rf A’Ri//Rf = 1+ ARf Ri/(Rf +R0 )(Rf +Ri )
ou, da análise direta, T = ARf Ri/(Rf +R0)(Rf +Ri), assim
1+βA = 1+ ARf Ri/(Rf +R0)(Rf +Ri) = 1+T
As impedâncias de entrada e de saída são dadas por
Ze = Ri//Rf /(1+T)
Z0 = R0//Rf /(1+T)
Que é exatamente igual ao resultado obtido na análise direta com aproximação.

A diferença entre as duas análises deve-se ao fato de desprezarmos o termo reverso do
quadripolo.
Exemplo 2:
• Conexão realimentação de tensão em série
A figura abaixo um circuito de um amplificado não inversor com o uso de opamp.

O opamp apresenta uma impedância de entrada, Ri, uma impedância de saída, R 0, e um
ganho de tensão, A. Determine a impedância de entrada, a impedância de saída e o
ganho do sistema realimentado, (V0 /Ve) utilizando os conceitos de realimentação.
Ve
V0
R2
R1

282
A figura abaixo mostra o amplificador não inversor com o modelo do opamp.
Amplificador
Ve
R0
Vi Ri AVi V0
I2
I1
R2
R1 entrada V1 = V0
Vf = V2
Circuito equivalente do amplificador não inversor
Ø Identificando as variáveis independentes do quadripolo
Da figura vemos que a variável amostrada é V1 = V0 e a variável a ser

realimentada é V2. Portanto as variáveis independentes são V1 e I2.
Os parâmetros do quadripolo são:
Por inspeção Por inspeção
H11 = I1/V1 I2=0 = 1/(R2 +R1 ) H21 = V2/V1 I2=0 = R1/(R2+R1)

desprezado
Por inspeção
H22 = V2/I 2 V1=0 = R2 //R1 H12 = I1/I2 V1=0 = -R2/(R2+R1)
A figura abaixo mostra o circuito equivalente com os parâmetros do quadripolo.

283
Amplificador
Ve
R0
Vi Ri AVi V0
I2
I1
H22
H2 1V0 H1 1-1 entrada V1 = V0
Vf = V2
A figura abaixo mostra o circuito equivalente pela eliminação do efeito de

carregamento.
Vi = V’i Ri /(R i+H22)

Amplificador
Ve Ri
Vi R0 //H11-1
V’i A’V i =A’’V’i V0
H22
Circuito de realimentação A’ = A.H11 -1 (R0 + H11 -1)

I2
I1
A’’ = A’.R i /(Ri + H22 )
H2 1V0 entrada V 1 = V0
V f = V2
284
Portanto o fator de realimentação é igual a
1+βA = 1+H21A’’ = 1 + R1 /(R1 +R2) A’.Ri /(Ri + H22) =
= 1+ R1/(R1+R2 ) A.H11 -1(R0 + H11-1 ) Ri /(Ri + H22) =
= 1+ R1/(R1+R2 ) A.(R 2+R1) (R0 + R2 +R1) Ri /(Ri + R1//R2)
1+βA = 1+ R1A. (R0 + R2+R1 ) Ri /(Ri + R1//R2)
Logo a impedância de entrada é igual a
Ze = (Ri +H22)(1+βA) = (Ri +R1 //R2 )/ (1+βA)
e a impedância de saída é igual a
Z0 = (R0 +H11-1 )/(1+βA) = (R0 +R1 +R2 )/(1+βA)
Se os efeitos de carregamento forem desprezados
1+βA ≈ 1+(R1/(R1+R2 ) A
e o ganho de malha fechada , Av

A= ∞
Av = V0 /Ve = A/(1+βA) ≈ 1/β = 1+R2 /R1
O que já é bem conhecido para o amplificador não inversor.

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Tópico : Revisão dos modelos – Diodos e Transistores

O mais simples dos dispositivos semicondutores.

Ø Função (ideal) – Conduzir corrente elétrica somente em um sentido.

IS Fluxo de port. minor.

Onde VT = kT/q , sendo k a constante de Boltzmann, T a temperatura absoluta e q a carga do electron.

• Na temperatura ambiente UT é aproximadamente 26mV.

-30V -20V -10V 0,3V 0,5V 0,7V 1,0V

A resistência do diodo em no ponto de operação pode ser encontrada simplesmente

ID r e = ∆VD/ ∆ID ≈ VT/ID

Observação: Todos os níveis de resistência até o momento devem acrescentar a

Quando o sinal é suficientemente grande como mostrado na figura abaixo, a resistência

r av = ∆VD/∆ID pt. a pt.

• Grandes sinais Diodo

• Retificador de meia – onda

Quando empregado em processo de retificação, um diodo é tipicamente

• Retificador de onda completa

Os circuitos ceifadores possuem a característica de “ceifar” uma porção do sinal de

O circuito grampeador é aquele que “grampeia” o sinal em um nível DC diferente do

O circuito multiplicador de tensão é aquele que aumenta o valor de uma

Ø Função – Controlar a corrente elétrica que passa por ele.

Obs: A operação do transistor NPN é exatamente a mesma, se as funções dos elétrons e

ü A região de depleção BE foi reduzida em largura devido à tensão aplicada, resultando em um

• O transistor PNP operando com a região CE reversamente polarizada e com emissor

ü A região de depleção BE foi aumentada em largura devido à tensão aplicada, resultando em um

• O transistor PNP operando com a região BE diretamente polarizada e com a região CE

ü A componente de portadores minoritários IC0 é chamada de corrente de fuga (corrente IC com

Ø Parâmetros α (alfa) e β (Beta)

IC = ICmaj. + IC0 IC = αIE + IC0

IC = α(IC +IB) + IC0 IC = αIB/ (1- α) + IC0 /(1- α)

Para I B = 0A ⇒ IC = ICE0 = IC0 /(1- α)

• Na análise DC, os valores de IC e IB são relacionados por um parâmetro denominado β

β = α/(1- α) α = β/(β +1)

ICE0 = IC0 / (1- α) ICE0 ≈ βIC0

• Na análise AC, os valores de IC e I B são relacionados por um parâmetro denominado β (beta) e

Obs: Se a dependência da corrente IC com VCE fosse nula (impedância de saída na

4V 8V 12V 16V 20V VCE

VCE(sat) Região de saturação Região de corte

Curva característica ICE versus VCE parametrizada com IB

Curva característica IB versus VBE parametrizada com VCE

• Equações importantes no projeto do circuito de polarização.

• Tipos mais comuns

Para análise DC, XC1 = XC2 ∝

Da malha base-emissor temos

VCC - RB IB - VBE = 0 IB = (VCC - VBE )/ RB

Da malha coletor-emissor temos

VCC - RCI C - VCEq = 0 VCEq = VCC - RCI C

VCEq = VCC - RC IC = 12V – (2,2kΩ)(2,35mA) = 6,83V

VCEq = VCC - RC IC = 12V – (2,2kΩ)(2,35mA) = 1,64V

Comentário: Uma variação de 100% em β produz a mesma quantidade de

Reta de Carga e obtenção de um modelo AC (incremental)

VCE = VCC - RC IC I C = (VCC - VCE )/ RC

Para análise DC, XC1 = XC2 ∝

Da malha base-emissor temos

VCC - RBIB - VBE – RE IE = 0

IB = (VCC – VBE )/ [ RB + (β + 1)RE ]

I C ≈ β (VCC – VBE )/ [ RB + β RE] IB ≈ (VCC – VBE ) /[ RB + β RE]

I B ≈ (VCC – VBE ) / [ RB + β RE] = (20V - 0,7V)/ [430kΩ +50*1kΩ] = 40,2µ

Note que β RE << RB

VCE = VCC - (RC +RE )IC = 20V – (2kΩ + 1kΩ)(2,01mA) = 13,97V *

VE ≈ REI C = 1kΩ (2,01mA) = 2,01V

VB = VE + 0,7V = 2,01V + 0,7V = 2,71V

I B ≈ (VCC – VBE ) / [ RB + β RE] = (20V - 0,7V)/ [430kΩ +100*1kΩ] = 36,4µ

Note que β RE < RB