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• Diodos
Ø Símbolo
ID
VD
ID
VD
ID Circuito aberto
VD
2
Ø Polarização
• Sem polarização (VD = 0V) - Na ausência de tensão de polarização aplicada, o fluxo
líquido de carga em qualquer direção é igual a zero.
I D = 0A
VD = 0V
• Polarização Reversa (VD < 0V) - A corrente que surge sob condições de polarização
reversa é chamada de corrente de saturação reversa, e é representada por IS.
IS
Região de depleção
ID = IS
P N
VD < 0V
IS VD IS
Imajoritário = 0
• Polarização Direta (VD > 0V) - Um diodo semicondutor é polarizado diretamente quando a
associação tipo P e positivo, e tipo N e negativo, for estabelecida.
Imajoritário
IS
I D = Imajo. - IS
Região de depleção
P N
I D = IS
VD > 0V ID VD ID
3
Ø Curva característica
Com o auxílio da física do estado sólido, pode-se mostrar que as características gerais de um diodo
semicondutor são definidas pela seguinte equação:
VD
I D = I S (e VT
− 1)
Observações:
ID
18mA
16mA
14mA
12mA
10mA
8mA
4mA
IS
2mA
0,4uA
4
Ø Níveis de Resistência
À medida que o ponto de operação de um diodo move-se de uma região para outra, a resistência
do diodo também será alterada devido à forma não linear da curva característica.
• Resistência DC ou Estática
ID
ID
RD = VD /ID
VD
VD
• Resistência AC ou Dinâmica
A resistência ac ou dinâmica é determinada pela inclinação de uma linha reta tangente à
curva no ponto de operação Q mostrado na figura abaixo. Na forma da equação,
∆I D
Ponto Q
ID
∆VD
VD
ID
∆I D
∆VD VD
Ø Circuito Equivalente
ID
VD r av
0,7V
ID
0,7V VD
• Pequenos sinais
CD
ID
VD re
6
Ø Aplicações
v0
vi v0
R
t
v0
vi
R
v0
vi v0
t
R v0
t
v0
vi v0
R t
7
2) Transformador com Derivação Central (Central Tap)
D1
vi
R
v0
D2
D v0
1
vi
R
t
v0
v0
D
2
D v0
1
vi
R
t
D
2
8
• Ceifadores
1) Configuração Série
v0
vi
R
vi v0
t t
v0
vi
R
vi v0
-V t t
9
2) Configuração Paralelo
v0
vi
vi v0
V
V
t t
v0
vi
vi v0
-V t t
-V
10
v0
vi
V
v0
vi
V
v0
t t
vi v0
V
vi
v0
t
t
vi v0
V1 V2
vi
v0
V1
V1
t t
-V 2 -V2
11
• Grampeadores
v0
vi
V C
vi R v0
t
t
-V -2V
v0
2V
C
vi R v0
t
v0
C V1
vi R v0
2V
t
V1
vi
C
vi R v0
-V1 t
V1 2V
vi
2V
C
vi R v0 V1
t
V1
vi
C
vi R v0 2V
-V1
V1 t
12
• Multiplicadores de Tensão
1) Dobrador de Tensão
Meia onda
Vm D2
C1
vi
Vm D1 C2 -2Vm
Vm D2
C1
vi
Vm D1 C2 0
Vm D2
C1
vi
Vm D1 C2 -2Vm
13
Onda completa
D1
vi
Vm C1
Vm
2Vm
Vm C2
D2
D1
vi
Vm C1
Vm
Vm
0 C2
D2
D1
vi
Vm Vm C1
2Vm
Vm
C2
D2
14
2) Triplicador e Quadruplicador de Tensão
Triplicador (3Vm )
Vm 2Vm
C1
vi
D1 D2 D3 D4
Vm
C2
2Vm 2Vm
Quadruplicador (4Vm)
15
• Transistores Bipolares
O termo bipolar vem do fato de que buracos e elétrons participam do
processo de injeção no material opostamente polarizado.
Ø Símbolo
NPN PNP
IC função de IB
IC
C
B
IB
E
Ø Construção
0,15’’
0,0001’’
C
E
N+ P- N-
VEE VCC
16
Ø Operação do transistor
• O transistor PNP operando com a região BE diretamente polarizada e com coletor aberto.
+ Portadores majoritários
C
E
P + N- P
-
VEE
+ Portadores minoritários
C
E
P+ N- P-
VCC
E P+ N- P- C
IC
IE B
IB IC = ICmaj. + IC0
VEE VCC
IE = IC + IB
I Cmaj
α DC =
IE
∆I Cmaj
α AC =
∆I E VCB = constante
IC
β DC =
IB
IE = IC + IB IE = IB (β + 1)
IC /α = IC + IC /β 1/ α = 1 + 1 /β
∆I C
β AC =
∆I B
VC E = constante
IC
I B= 80 µA
20mA
18mA I B= 70 µA
Região ativa
16mA IB= 60 µA
14mA
I B= 50 µA
12mA
I B= 40 µ A
10mA
IB= 30 µA
8mA
I B= 20 µA
4mA
I B= 10 µA
I CE0 ≈ βIC 0
2mA
IB= 0 µA
µ A)
IB (µ
80
VCE = 1V
70
VCE = 10V
60
50
VCE = 20V
40
30
20
10
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 VBE (V)
α≈ 1 IE ≈ IC
IC = β IB
VBE = 0,7 V
• Para a polarização do TBJ em uma sua região linear (ativa), as seguintes condições devem
ser satisfeitas:
1. A junção base-emissor deve ser diretamente polarizada, com uma tensão resultante de
polarização de mais ou menos 0,6 a 0,7V.
2. A junção base-coletor deve ser reversamente polarizada, com a tensão reversa de
polarização situando-se dentro dos limites máximos do dispositivo.
Observações:
• A tensão direta VBE para polarização direta é praticamente, para fins de cálculo de
polarização DC, constante e igual a 0,7 V para silício e 0,3V para germânio .
21
Ø Circuitos de Polarização
VCC
RC
RB IC C2
IB Vo
C1
VCE
Vi
VBE
IC = ICq = β IB
VCEq , ICq
Ponto Quiescente ⇒ Pobre estabilidade
22
• Exercício
V CC = 12V
RC
RB 2,2kΩ
IC C2
240kΩ
IB V0
C1
V CE
Vi
VBE β 1 = 50
β 2 =100
Solução
µA
I B = (VCC - VBE )/RB = (12V - 0,7V)/240kΩ = 47,08µ
a) Para β 1 = 50
I Cq = β1 IB = (50)(47,08µA) = 2,35mA
b) Para β 2 = 100
I Cq = β1 IB = (100)(47,08µA) = 4,71mA
IC
∆ VCE /∆
∆ IC = v CE /i C = r0
Q(2,35mA, 6,83V) Com ∆ IB = i B =0 ⇒ vBE = 0
7mA
I B= 120 µA
6mA
IB= 100 µA
Vcc /Rc
5mA
I B= 80 µA
β = 50 4mA
I B= 60 µA
3mA
Q
I B= 40 µA
2mA
I B= 20 µA
1mA
3V 6V 9V Vcc =12V
IB 100µA VCE
∆ IC = i C = f (v CE, v BE)
δ ∆
0,7V ≅
δ ∆
VBE
(V)
∆ VBE/∆
∆ IB = v BE/i B = rπ ∆ IC = v BE/iC = v BE/β i B = rπ /β
∆ VBE/∆
Trans...
∆ IC = 1/g m = re = rπ /β
∆ VBE/∆
Com ∆ VCE = v CE = 0
15
2. Circuito com polarização com resistor no emissor
VCC
RC
RB IC C2
IB V0
C1
VCE
Vi
V BE
IE
RE
Se
I B ≈ (VCC – VBE )/ β RE
β RE >>RB
IC ≈ (VCC – VBE )/ RE
Independe de β
16
Circuito equivalente
VCC
RC
RB IC C2
V0
C1 IB
V CE
Vi
VBE
VBE
IE
RE
β +1)RE
(β
V CC
RC
IC C2
VCE
V BE
VE
IE
β +1)RE
Ri = (β RE
17
Da malha coletor-emissor temos
IC ≈ IE
VCC - RCI C - VCE - REIE = 0 VCE ≈ VCC - (RC +RE ) IC
I C ≈ IE
VE = REIE VE ≈ RE IC
VC = VCE + VE
E ainda,
V BE ≈ 0,7V
VB = VE + VBE VB = VE + 0,7V
• Exercício
Para o circuito abaixo, determine:
a) IB b) IC c)VCE d)VC e) VE f) VB
Para β 1 = 50 e β 2 =100
V CC = 20V
RC
RB 2kΩ
430kΩ IC µF
10µ
IB V0
µF
10µ
V CE
Vi
VBE β 1 = 50
β 2 =100
IE
RE
µF
47µ
1kΩ
18
Solução
a) Para β 1 = 50
I C = β1 IB = (50)(40,2µA) = 2,01mA *
b) Para β 2 = 100
I C = β1 IB = (100)(36,4µA) = 3,64mA *
VCC
RC
RB1 IB1 IC C2
V0
C1 IB
B
VCE
Vi
V BE
IB2
IE
R B2 RE
• Condição ideal: Se IB1 ≈ IB2 >> IB, a tensã o no ponto B do divisor resistivo RB1 - RB2, não
dependerá de IB e conseqüentemente de β. Nesta condição, a corrente de coletor será definida
pela tensão do emissor (VB –0,7V) e o resistor RE.
Determinando RTH : A fonte de tensão é substituída por um curto circuito, como mostra a figura
abaixo.
20
RB1
RTH
RTH = RB1 // RB2
RB2
RB2
VCC ETH
RB2
ETH = VCC RB1 / (RB2 + RB1 )
Circuito equivalente
IB
ETH
IE
RE
IB = ETH - VBE
I E = (β+1)IB RTH + (β+1)RE
VC = VCE + VE
VCE ≈ VCC - (RC +RE ) I C
• Exercício
Para o circuito abaixo, determine:
a) IC b) VCE
Para β 1 = 50 e β 2 =100
V CC = 22V
RC
R B1 10k
39kΩ IC µF
10µ
IB V0
µF
10µ
V CE
Vi
VBE β 1 = 50
β 2 =100
IE
R B2 RE
3,9kΩ 1,5kΩ µF
47µ
22
Solução
a) Para β 1 = 50
= 0,83 mA
b) Para β 2 = 100
= 0,85 mA
VCC
RC IC +IB
C2
V0
RB IC
IB
C1
VCE
Vi
VBE
IE
RE
Para β 1 = 50 e β 2 =100
VCC =18V
RC
3,3kΩ IC +IB
RB1 RB2 µF
47µ
91kΩ 110kΩ
V0
µ
10µ IC
IB F
µ
10µ
F VCE
Vi
VBE
IE
RE
510Ω
Solução
a) Para β 1 = 50
RB = RB1+ RB2
µA
= 44,1µ
I C = β1 IB = (50)(44,1µA) = 2,21mA
RB = RB1+ RB2
µA
= 29,7µ
I C = β1 IB = (100)(29,7µA) = 2,97mA
∆I C = I C (β
β 2 = 100) - IC (β
β 2 = 100) = 0,76mA
Parâmetros do transistor
(β + 1) + R B R β1 1 + β 2 + RB R
E
E
Fixa (β + 1) −β I C1
RB β1
−β
I C1 1 + RTH R
Divisor resistivo RTH
1+
+ (β + 1)RE
RE
(β + 1) RTH E
(β + 1) + RTH
RE β1 1 + β 2 + TH R
R
E
Realimentação de
1 + RB R −β I C1 (RC + RB )
RB + (β + 1)RC β1 (RB + RC (1 + β 1 ))
tensão (R E =0)
(β + 1) C
(β + 1) + RB R
C
15
• Transistores Bipolares - Modelo AC
C
C
Modelo
Elementos
de circuito
B B
E
E
Curto
A virtual B
Aberto
C virtual D
Obs: É fácil de mostrar que se A está em curto virtual com B, se B está em aberto virtual com C e:
Se este estiver em curto (real) com A, então os três pontos estarão em curto (real).
16
v Exemplo -- Fonte de corrente controlada por tensão
I controlada
por Vc Aberto virtual
Curto virtual
I
I
kVc Vc
R=1/k
Vc
Ø Modelo π -híbrido
C
• Completo B
C bc
b’ C
rπ C be gm v b’e = gm rπ i b’ =
vb’e r0
= v b’e /re
E E
17
B ib ic
v be rπ gm v be= gm rπi b =
r0
= vbe /re
E E
rπ = β /gm = β re
r e = VT /I C VT = 26mV
r0 >> re Independente de Ic
B ib ic
E E
18
Ø Nova apresentação do modelo π -híbrido (simplificado)
C
B ib ic C
E
E E
ic C
B ic C
ib vbe/re
B
vbe βre r0
r0
rve /
ib
β re
re
E E
ie
E
r0
B
β re re
E
19
V CC
RC
RB C2
v0
C1
VCE
vi
VBE
Na Banda de interesse, XC 1 e XC2 estão em curto e para análise incremental (AC) toda fonte de
tensão constante está em curto com o terminal comum.
RC
RB ix
i0
v0
Z 0 = v0 / ix
vi = 0V
r0
vi ii
β
i 01/β β re re i02
Zi = vi / ii
i01
A v = v0 /vi
A i = i0 /ii
20
• Parâmetros importantes do circuitos
q Impedância de entrada (Zi)
q Impedância de saída (Z0)
q Ganho de tensão (Av )
q Ganho de corrente (Ai )
Zi = RB //βre
Z0 = RC //r 0
v Note que p ara determinação de Z0 as tensões independentes, no caso somente vi , são colocadas
em curto com o terra.
v A corrente i x é mostrada para evidenciar que esta seria a corrente que uma fonte de tensão (v0)
conectada a saída forneceria ao circuito com uma impedância de saída Z0 .
Da figura temos:
v0 = -RC i0 (1)
Logo
v0 = -R C //r 0 (vi /r e ) ⇒
v0 = -RC // r0 i0 (5)
e i0 = i 01 = vi /r e (6)
v0 = -R C // r0 vi /r e
e, novamente
logo
Normalmente,
Ai ≈ β (11)
assim,
RC
RB 3kΩ
C2
470kΩ 10µµF
C1 v0
µF
10µ
vi
β = 100
V A =120V
• Solução
1) Análise DC
IC =β IB = 100*24,0µA = 2,4mA
re = VT /I C = 26mV/2,4mA ≈ 10,8Ω
Ω
Ω
r0 = VA /I C = 120V/2,4mA = 50kΩ
2) Análise AC
VCC
RC
R B1 C2
v0
C1
vi
RB2
RE CE
Na Banda de interesse, XC1, XC 2 e XCE estão em curto e para análise incremental (AC)
toda fonte de tensão constante está em curto com o terminal comum.
RC
RB1
i0
v0
ii β
i01 //β
Z0
r0
vi
β re re
i02
Zi RB2 i01
RE
25
• Determinação dos parâmetros.
ü Impedância de entrada (Zi)
Z0 = RC //r 0
v Note que este circuito do ponto de vista da análise AC é exatamente igual ao circuito com
polarização fixa com RB igual ao paralelo de RB1 e RB2.
v De qualquer forma continuaremos a análise do circuito para fixarmos bem a nova apresentação
do modelo.
Da figura temos:
v0 = -RC i0 (14)
Logo
v0 = -RC // r0 i0 (18)
e i0 = i01 = vi /r e (19)
v0 = -R C // r0 vi /r e
e, novamente
logo
Normalmente,
Assim
Ai ≈ β (24)
assim,
RC
RB1 6,8kΩ C2
56kΩ 10µF
iB1
C1 v0
10µF iB
VB
vi β = 90
VE VA =70V
iB2
RB2
8,2kΩ CE
RE
1,5 k Ω 20µF
• Solução
1) Análise DC (aproximada)
IC ≈ IE = VE /RE ≈ 1,4mA
re = VT /I C = 26mV/1,4mA ≈ 18,6Ω
Ω
r0 = VA /I C = 70V/1,4mA = 50kΩ
VCC
RC
RB C2
v0
C1
vi
RE
Na Banda de interesse, XC1, XC 2 e XCE estão em curto e para análise incremental (AC)
toda fonte de tensão constante está em curto com o terminal comum.
15
• Configuração Emissor Comum com resistor no emissor
VCC
RC
RB C2
v0
C1
vi
RE
Na Banda de interesse, XC 1 e XC2 estão em curto e para análise incremental (AC) toda fonte
de tensão constante está em curto com o terminal comum.
RC
i0 = i 01- i02
RB
v0
ii ib = i 01 //β
Z0
r0
vi
β re re
i02
Zi Zb i01
Zb = βr e +(β+1)R’E (28)
onde RT = RC + RE + r 0
Logo,
Note que se r0 é infinito a equação (31) torna igual à equação (27). E se Rc for muito
menor que r0 a equação (31) é bem aproximada pela equação (28).
Na prática sempre r0 >> RC /(β+1), e β+1 ≈ β de maneira que a equação (31) pode
ser muito bem aproximada por
Zb ≈ βr e + βRE r0 /R T e (32)
Zi = RB //Zb
Z0 = RC //r 0
18
Aqui é importante redesenharmos a porção de saída do circuito com a entrada
aterrada.
RC
ix
Zx
Z0 = vx /ix i0 = i 02- i01 vx
Zx = vx /i0
Com vi = 0
Z0
r0
Z0 = RC //Zx
β re re
i01 /β i02
i01
RE
ie = i02 – (i01 + i01 /β) = i 0 - i01 /β
Temos ainda,
i 01 = β RE / (R E+β
β re )* i0 (35)
19
Da malha coletor emissor, temos
Z0 = Rc // Zx (37)
Zx ≈ r0 (1+ β ) (38)
Da figura temos:
e vi = Zb ib = Zb i01/β logo
i01 = β vi / Zb (40)
20
A corrente i02 está relacionada com i01 como dado pela equação (29), e repetida abaixo
Av ≈ - βRC r0 /(Zb RT )
Usando a igualdade
Resolvendo
Ai ≈ β RB/[RB+βre + β RE]
RC
RB 2,2kΩ C2
470kΩ 10µF
v0
C1
10µF
vi β = 120
VE VA =173,6V
CE
RE
10µF
0,56 k Ω
• Solução
1) Análise DC
µA
=35,9µ
IC ≈ IE = (β+1) I B ≈ 4,34mA
re = VT /I C = 26mV/4,34mA ≈ 6Ω
Ω
Ω
r0 = VA /I C = 70V/4,34mA = 40kΩ
Ω >> RC + R E =2,76kΩ
Note que a condição r 0 = 40kΩ Ω é verdadeira.Logo, RT ≈ r0
23
2) Análise AC
Ω
Zi = 56,0 kΩ
b) Como r0 >>RC
Z0 ≈ RC =2,2kΩ
Ω
Ω
= 40kΩ[1+120*560Ω/1280Ω]=2,14MΩ
Ω
Z0 = RC // Zx =2,2kΩ //2,14MΩ =2,197kΩ
≈ -2200/(6,385Ω+560Ω) ≈ -3,884
Utilizando a aproximação
=120*470kΩ/537,92kΩ = 104,8
=99,3
Exercício (com CE )
1) Análise dc
Continua a mesma.
3) Análise ac
Conclusão:
V CC
RB
C1
vi C2
v0
RE
Na Banda de interesse, XC1, XC 2 estão em curto e para análise incremental (AC) toda fonte de
tensão constante está em curto com o terminal comum.
RB
ii ib = i 01 // β
r0
vi
β re re
i02
Zi Zb i01
v0
Z b = vi /ib
i0 =i01 + i 01 //β - i02 RE
Z i = RB // Zb
Z0
26
Da figura vemos que r 0 está em paralelo com RE de maneira que chamando de R’E
=RE//r 0 vem,
ZB =βre +(β+1)R’E e
Zi = RB // ZB (47)
r0
β re re
RE
Z0
Ou a forma indireta
Ai = Av Zi/RE
Note que em (52) se RE/r 0 << 1 e ZB/RB >>1, o ganho de corrente é igual a β.
V CC
12V
RC
RB 2,2kΩ
220k Ω
C1 β = 100
10µF VA = ∞
vi C2
10µF
v0
RE
3,3 k Ω
• Solução
1) Análise DC
µA
=20,4µ
IC ≈ IE = (β+1) IB ≈ 2,06mA
re = VT /I C = 26mV/2,06mA ≈ 12,6Ω
Ω
r0 = ∞ /I C = ∞ kΩ
Ω
VCC
RC
C1 C2
vi v0
RE
VBB
Na Banda de interesse, XC1, XC 2 estão em curto e para análise incremental (AC) toda fonte de
tensão constante está em curto com o terminal comum.
Zi =RE //ZB
ZE = vi / i e
ZE
RC
ie= i01(1+1/β )-i02 i02
re v0
vi
i01 β re
RE
i01 /β Z0
Zi
31
Da figura vemos que Zi é dado por
Zi = RE // ZE
Então o que resta é determinar ZE. Para isto vamos determinar a relação entre i01 e
i02. Da nó do coletor temos
i 01 = vi /re (54)
Temos ainda
então
Se r0 >> RC
v0 = RC (i 01 –i02) (59)
v0 ≈ RC ie = Rc r0 /(r0+RC) vi / r e então
Av = RC r0 /(r0+RC )/ re = Rc // r0 /r e = Z0 /r e (60)
temos ainda,
Ai ≈ (1/(1+1/β) =β /(β+1)= α (≈ 1)
= RE /(R E +ZE)]/[ (1+1/β.(1+RC /r 0)] (na prática (1+RC/r 0)/β <<1) assim
A equação (65) mostra que o ganho de corrente é reduzido de seu valor máximo
(alfa ≈1) pelo divisor resistivo RE e ZE.
Ai = Av Zi/RC
34
Exercício
VCC =12V
RC
Ω
5kΩ
C2
C1
µF
10µ
10µµF
vi v0
RE
α = 0,99
1kΩ
VA = 1300V
VBB
2V
• Solução
1) Análise DC
re = VT /I C = 26mV/1,3mA = 20 Ω
Ω
r0 = 1300V /IC = 1 MΩ
2) Análise AC
Ω ≈ re
Zi =ZE//RE =1k //20Ω = 19,6Ω
35
b) Z0 = RC //r0 ≈ RC = 5kΩ
Ω
Ou utilizando a equação
VCC
RC
RF C2
v0
C1
vi
Na Banda de interesse, XC 1 e XC2 estão em curto e para análise incremental (AC) toda fonte
de tensão constante está em curto com o terminal comum.
ZF
RC
i03 i0 = i 01- i02-i03
RF v0
ii ib = i 01 //β
Z0
r0
vi
β re re
i02
Zi Zb i01
Zb = vi /ib
ZF = vi /i03
Zi = ZF // Zb
37
Determinação dos parâmetros.
ü Impedância de entrada (Zi)
[(1 +RC r 0 /(r 0 +RC )/r e]vi = RF i 03 +RC r0 /(r 0 +RC ) i03 logo
ZF = vi /i03 = {RF +RC r 0 /(r 0 +RC )}/ [(1 +RC r0 /(r 0 +RC )/r e]
Zi = ZF // ZB = ZF //βre
38
Se r 0 >>RC e RF >>RC então0
RF Efeito Miller
iF iF ZF = vi /iF e v0 = - RC /re vi
ZF = RF /(1+ RC /re )
v0 = vi - RF iF
ZF = RF (1- Av )
e
ZG = RF Av/(1- Av)
39
A impedância de saída Z0 , por inspeção é dada por:
Z0 = RF // RC //r0 (71)
Ai ≈ R F /RC
40
Exercício
VCC =9V
RC
RF
2,7kΩ
180k Ω C2
µF
10µ
v0
C1
10µµF
β =200
VA = ∞
vi
• Solução
1) Análise DC
IC =β I B = 200*11,5µA = 2,3mA
Ω
re = VT /I C = 26mV/2,3mA = 11,2Ω
r0 = ∞V /I C = ∞
41
2) Análise AC
a) ZF = {RF +RC //r 0 }/ [(1 +RC //r 0 /re ]} = {RF +RC}/[(1 +RC / /re]}
Como no caso do TBJ, a tensão entre dois terminais do FET (field-effect transistor) controla a corrente que circula pelo
terceiro terminal. Correspondentemente o FET pode ser usado tanto como amplificador quanto como uma chave. O nome do
dispositivo origina-se de seu pricípio de operação. O controle é baseado no campo elétrico estabelecido pela tensão aplicada no
terminal de controle. O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de
efeito de campo de semicondutor de óxido metálico), é, de longe, o tipo mais comum de transistores de efeito de campo em
circuitos tanto digitais quanto analógicos.
• Símbolo
D ID
+
S
VGS
-
• Construção
Porta (G)
Fonte (S) Dreno (D)
Óxido (SiO2)
Geralmente o terminal corpo (B) é
ligado a fonte (S).
Região de
n+ canal n+
Corpo (B)
2
• Criação do canal
Considere a figura a seguir:
+ Canal n
VGS induzido
- (G)
(S) (D)
n+ n+
A tensão VGS, em um primeiro momento, faz as lacunas livres da região do substrato sob a porta serem
repelidas, deixando uma região de depleção. A tensão positiva sob a porta atrai elétrons das regiões n+ da fonte e do
dreno para a região do canal. Quando elétrons suficientes estiverem sob a porta, o canal estará formado ligando a fonte
ao dreno. O valor mínimo de VGS para se formar o canal é chamado de tensão de limiar (threshold) ou Vt.
• Operação do transistor
A operação de um MOSFET pode ser dividida em três diferentes regiões, dependendo das tensões aplicadas sobre seus
terminais. Para o MOSFET canal n:
• Região de Corte: quando VGS < Vt, onde VGS é a tensão entre a porta (gate) e a fonte (source). O transistor permanece
desligado, e não há condução entre o dreno e a fonte. Enquanto a corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero
devido à chave estar desligada, há uma fraca corrente invertida.
• Região de Triodo (ou região linear): quando VGS > Vt e Vds < VGS - Vt onde Vds é a tensão entre dreno e fonte. O
transístor é ligado, e o canal que é criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e fonte. O MOSFET opera como um
resistor, controlado pela tensão na porta. A corrente do dreno para a fonte é:
1 W
[
I D = K 2(VGS − Vt )VDS − VDS
2
]
, onde K =
2
µ nCox
L
• Região de Saturação: quando VGS > Vt e Vds > VGS - Vt. O transístor fica ligado, e um canal que é criado permite o
fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. Como a tensão de dreno é maior do que a tensão na porta, uma parte do canal é
desligado. A criação dessa região é chamada de “pinch-off”. A corrente de dreno é agora relativamente independente da
tensão de dreno (numa primeira aproximação) e é controlada somente pela tensão da porta de tal forma que:
2
I D = K (VGS − Vt )
OBS: Para o transistor PMOS as equações são idênticas, lembrando que Vt é negativo e as inequações são inversas.
3
Em circuitos digitais, os MOSFETs são usados somente em modos de corte e de triodo. O modo de saturação é usado em
aplicações de circuitos analógicos.
ID
+ IG Canal n
VGS deformado
+
IS - (G)
VDS
(S) -
(D)
+
n+ Pinch off n
ID = IS
IG = 0
p
O terminal da porta (G), por ser eletricamente isolado através do oxido, possui corrente nula.
A corrente do dreno é igual a corrente da fonte.
• Curvas Características
• Característica ID –VDS parametrizada por VGS
ID
Região de triodo
VGS = Vt + 5
20mA
18mA
Região de saturação
16mA
VGS = Vt + 4
14mA
12mA
VGS = Vt + 3
10mA
2mA
VGS = Vt + 1
2V 4V 6V 8V 10V VDS
4
Observação:
O gráfico da característica ID – VDS mostra que a corrente do dreno possui uma leve dependência
linear com VDS na região de saturação. Essa dependência pode ser considerada analiticamente pela
incorporação do fator (1+λVDS) na equação de ID, onde λ = 1/VA, como se segue:
2
I D = K (VGS − Vt ) (1 + λVDS )
• Característica ID –VGS
ID (mA)
4
3
2
Vt
1 2 3 4 5 6 7 8 9 VGS (V)
5
• Polarização
O termo polarização significa a aplicação de tensões DC em um circuito para estabelecer valores fixos de
corrente e tensão. O Ponto de polarização (ponto quiescente) deve ser localizado na região ativa e dentro dos
valores máximos permitido.
I D = K (VGS − Vt )
2
I D= I S IG = 0
• Para a polarização do MOSFET em uma sua região de saturação, as seguintes condições devem ser
satisfeitas:
OBS: A equação da corrente de dreno pode fornecer dois valores de VGS. Desses valores, apenas um
atenderá as condições para a polarização da região de saturação, o outro valor não tem significado
físico. Se os dois valores de VGS não atenderem as condições, significa que o transistor não está em sua
região de saturação.
• Circuitos de Polarização
• Exemplo 1:
5V
IG
VDS
VGS
RS
-5V
6
Temos que:
VD = 5 − RD I D
1 = 5 − RD × 0,4 × 10−3
RD = 10kΩ
2
I D = K (VGS − Vt )
2
0,4 = 0,4(VGS − 2)
Essa equação do segundo grau produz dois valores de VGS, 1V e 3V. O primeiro valor não tem significado físico, pois
ele é menor que Vt. Portanto VGS = 3V. Desse modo temos que:
VS − VSS
RS =
ID
− 3 − (− 5)
= = 5kΩ
0,4 × 10 − 3
• Exemplo 2:
VDD = +10V
Determine todas as tensões dos nós e as
correntes nas malhas. Suponha Vt = 1V e
6KΩ K = 0,5 mA/V2. Suponha λ = 0.
100KΩ IG1 C2
V0
C1 IG
VDS
Vi
VGS
IG2
ID
100KΩ 6KΩ
Como a corrente na porta é nula, podemos fazer o divisor de tensão RG1 e RG2:
100
VG = 10 × = 5V
100 + 100
10
I G1 = I G 2 = = 0,05mA
100 + 100
7
Com essa tensão positiva na porta, o transistor NMOS está em condução. Mas não podemos determinar se ele opera na
região de triodo ou saturação. Podemos supor uma operação na região de saturação e verificar a validade da suposição.
A tensão na fonte é:
VGS = 5 − 6 I D
2
I D = K (VGS − Vt )
2
I D = 0,5 × 10 −3 (5 − 6 I D − 1)
18 I D2 − 25 I D + 8 = 0
A equação de segundo grau produz dois valores para ID: 0,89 mA e 0,5 mA. O primeiro valor não tem significado
físico pois produz uma tensão de fonte maior que a tensão de porta. Portanto:
I D = 0,5mA
VS = 0,5 × 6 = 3V
VGS = 5 − 3 = 2V
VD = 10 − 6 × 0,5 = 7V
Como VDS > VGS – Vt, o transistor está realmente operando na saturação.
• Exemplo 3:
VDD = +5V
RG1 IG1 C2
V0
C1 IG VG
VD
Vi
Projete o circuito de modo que o transistor
IG2
ID opere na saturação com ID = 0,5 mA e VD = 3V.
RG2 RD Suponha o transistor PMOS tendo Vt = -1V e K =
0,5 mA/V2. Suponha λ = 0.
Podemos escrever:
2
I D = K (VGS − Vt )
2
0,5 = 0,5[VGS − (− 1)]
8
Como VGS deve ser negativo (VGS < Vt), a única solução que faz sentido físico é VGS = -2V. Como a tensão na fonte é
5V, a tensão na porta deve ser 3V. Dessa forma, temos o divisor de tensão:
RG 2
3=5
RG 2 + RG1
3RG1 = 2 RG 2
VD 3
RD = = = 6kΩ
I D 0,5
A operação no modo de saturação será mantida até o ponto em que VD exceder VG por |Vt|, que é:
VD max = 3 + 1 = 4V
4
RD= = 8kΩ
0,5
• Exemplo 4:
2
I D = K (VGS − Vt )
ID
VGS = Vt +
K
0,08
VGS = 0,6 + = 1V
0,5
VD = VG = 1V
O valor de R será:
VDD − VD 3 − 1
R= = = 25kΩ
ID 0,08
9
• Exercício:
• MOSFET - Modelo AC
Assim como o TBJ, o MOSFET também pode ser representado por um modelo para descrever, de maneira
simplificada, sua operação AC.
D D
G Elementos
de circuito
G
S
S
• Modelo π -híbrido
CGD
D
G
ID
+
vGS CGS gm vGS r0
-
S
S
11
D
G
ID
+
vGS gm vGS = vGS/re r0
-
S
S
∂I D 2I D
gm = = 2 K (VGS − Vt ) = 2 KI D =
∂VGS VGS − Vt
1 VA 1
re = ro = VA =
gm ID λ
D
D G
ID
+
G
vGS vGS/re
r0
S -
S
S
iD D
GB iD
vGS/re D
G
vGS r0
r0
re
re
S S
iS
S
12
G
r0
re
• Exemplo 5:
VCC
RD ID
vo
RG C2
IG=0
vi C1
Na Banda de interesse, XC1 e XC2 estão em curto e para análise incremental (AC) toda fonte de tensão
constante está em curto com o terminal comum.
13
ix
vo
iG iD
RG Zo
iD2
ii ro RD
i=0
vi
Zi iD1
re
v −v v v
ii = i o = i 1 − o
RG RG vi
vi
ii = (1 − Av )
RG
Portanto:
vi R
Zi ≡ = G
ii 1 − Av
14
Z o = RG // RD // ro
Note que para determinação de Z0 as tensões independentes, no caso somente vi, são colocadas em
curto com o terra.
A corrente ix é mostrada para evidenciar que esta seria a corrente que uma fonte de tensão (v0)
conectada a saída forneceria ao circuito com uma impedância de saída Z0.
Da figura temos:
vo vi vo vo − vi
iD = iD1 + iD 2 + iG ⇒ − = + +
RD re ro RG
1 1 1 1 1
vo + + = vi −
RD ro RG RG re
vo 1 1
= RG // ro // RD −
vi RG re
vo 1 1
Av = = Z o −
vi RG re
vi v
ii = , io = iD = − o
Zi RD
io v Z
=− o ⋅ i
ii RD vi
io Z
Ai = = Av ⋅ i
ii RD
15
Exercício:
+15V
Determine (a) Zo, (b) Av, (c) Zi e Ai. Suponha que o
transistor NMOS tenha Vt = 1,5 V, K = 0,125 mA/V2
e VA = 50 V. Na Banda de interesse, XC1 e XC2 estão
10K ID
em curto.
vo
10M C2
vi C1
2
I D = K (VGS − Vt )
2
I D = 0,125(VGS − 1,5)
2
I D 0,125(VD − 1,5) (1)
Além disso,
VD = 15 − 10 I D (2)
I D = 1,06mA
VD = 4,4V
Assim temos:
VA 50
ro = = = 47 kΩ
I D 1,06
1 1
re = = = 1,379kΩ
2 K (VGS − Vt ) 2 × 0,125(4,4 − 1,5)
16
Modelo AC:
ix
vo
iG iD
10M Zo
iD2
ii 10k
47k
i=0
vi
Zi iD1
1,379k
Z o = 8,24kΩ
(b) Determinar Av:
vo 1 1
Av = = Z o −
vi RG re
Av = −5,97V V
(c) Determinar Zi:
vi R
Zi ≡ = G
ii 1 − Av
10 × 106
Zi = = 1,34 MΩ
1 − (− 5,97 )
(d) Determinar Ai:
io Z
Ai = = Av ⋅ i
ii RD
1,34 × 106
Ai = 5,97 ⋅ = 800 A A
10 × 103
43
• Análise para pequenos sinais de circuitos com dois Transistores
1) Cascata
2) Cascode
3) Darlington
4) Par realimentado
5) Espelho de corrente
6) Par diferencial
ü Configuração em cascata
A principal função desta configuração é conseguir alto ganho sem detrimento da banda passante.
O arranjo mais comum desta configuração é cascatear dois (estágios) amplificadores emissor comum,
como mostrado na figura abaixo. Mais que dois estágios podem ser cascateados, mas a análise com apenas dois
estágios pode ser generalizada para qualquer números.
Antes de iniciarmos análise desta configuração vamos verificar o efeito da impedãncia da fonte (RS) e
da carga (RL) em amplificadores já que (para simplicidade) estes foram análisados sem estes efeitos. Como
mostrados abaixo
VCC
RC
RB1 C2
v0
RS C1
vi v'i RL
RB2
RE CE
Zi
Para exemplificar, vamos representar um amplificador por um quadripolo como mostrado abaixo.
RS
ve
Z0 i0
ie
vi Zi Av. vi RL v0
vi = Zi /(RS + Zi ) ve ou
vi /ve = Zi /(RS + Zi ) ve
v0 = RL /(RL + Z0 ) Av .vi ou
v0 /vi = RL /(RL + Z0 ) Av
ie = ve /( RS + Zi) e
i0 = - v0 / RL então,
AiG = i0 / ie = - ( RS + Zi)/RL v0 / ve
RB
RS C1 C 1
ve C2 i0
ie
vi
RE RL
Zi v0
Z0
46
Na Banda de interesse, XC1, XC 2 estão em curto e para análise incremental (AC) toda fonte
de tensão constante está em curto com o terminal comum.
RB
RS ib = i 01 //β
R’E = RE //r0
ve
ie β re re
≈ i01 i0
Zi Zb i01
v0
Z b = vi /ib
Z i = RB // Zb ie ≈ i01 - i0 R’E
RL
Z0
Note que aproximamos a corrente que sai do terminal de emissor para i01, isto é o
mesmo que aproximar β+1 para β.
Note ainda que, RL está em paralelo com RE. Da figura acima vemos (baseado em
análises anteriores) que a impedância no terminal do emissor (R’E //RL ) “aparece
refletida” na base multiplicado por (β+1), assim
ZB =βre +(β+1)R* E
Zi = RB // ZB
47
Para a determinação de Z0, vamos redesenhar a porção de saída do circuito
com v e em zero.
R’S
Z 0=vx/ix
Z e=vx/ie
i01/β β re r e i01 Z 0=Z e//R’E
ix vx
ie≈ i01
Ze
Z0
Ze = v x /ie ≈ re + RS /β (82)
ie i01/β
RS vb
ve
β re r e i01
i0 v0
RB ie≈ i01
Zi ZB
R’E RL
48
Da figura temos,
v0 = Zi /( Zi + RS ).R*E /( R*E + r e ). ve
logo
Então,
VCC
RC1 RC2
R1 C2 R3 C3
Q1 v0
Q2
C1
RL1 = Zi2
ve vi R L2
R2 R4
RE1 C E1 R E2 C E2
Zi1 Zi2
Amplificador em cascata
• Uma vez feita a análise mais aproximada possível, esta pode ser refeita com alto
grau de precisão utilizando-se de simuladores elétrico.
V CC =20V
RC1 RC2
C2 2,2kΩ C3
R1 2,2kΩ R3
10µF 10µF
15kΩ 15kΩ
C1 Q1 Q2 v0
10µF VB1 R L1 = Zi2 VB2
β =200
β =200 vi r0 =∞ RL2
ve
r0 =∞ Z0 10kΩ
VE1 VE2
R2 R4
4,7kΩ RE1 4,7kΩ R E2
1kΩ CE1 1kΩ CE2
Z i1 = Zi 20µF Zi2 20µF
• Solução:
1) Análise DC
então a tensão na base dos transistores, VB1 = VB2 será dada por:
Logo
Ω
re1 = re2 = VT /IC = 26mV/4mA = 6,5Ω
51
2) Análise AC
Ω
Z0 = Z02 = RC =2,2kΩ
A principal função desta configuração é conseguir alta impedância de entrada com ganho de
tensão moderado em altas freqüências.
V CC
RC
i0
CC
RB1
v0
CB
Q2
Z0
R B2
CS
Q1
ve ie
RB3
RE CE
Zi
XCF
CF
iF iF ZF = vi /iF e v 0 = Av vi
XCF =1/jωCF
ZF ZG
Av Da malha entrada saída temos,
vi v0
vi = XCF iF + v0 = XCF iF + Av vi
v0 = v i - XCF iF
Av
ZF ZG v0 = [XCF /(1- Av ) – XCF ]iF
vi
= XCF /( 1 –1/Av ) (-iF) como
iF C’F C’’F iF
ZG = v 0 /(-iF ) então
Apenas para ilustrar qual o melhor faremos a análise desta configuração das duas
formas.
1) Configuração nova
A figura abaixo mostra o amplificador para fins de análise para pequenos sinais.
RC
i0 = i e2 – ic2
Q2 v0
r 0 ic2
ie2 /β
β re re Z0
Q1
r 0 ic1
ve ie ie1 /β
β re re
RB3
Zi ie1
55
1) A impedância de entrada é obtida facilmente pela inspeção da figura acima.
Z 0 = vx /ix
RC Z 0 =Zf // RC
Z f = vx /if
ix
Zf i f =ic2–i e2 vx
Q2
r0 ic2
ie2 /β
β re re Z0
r0
Temos ainda,
β +1)r0 +β
i c2 = [(β β re] / (r 0 +β
β re )* if e (91)
i e2 = β r0 / (r 0 +β
β re )* if (92)
56
Da malha coletor emissor, temos
Z0 = Rc // Zx (95)
Como ainda, r0 >> βre então, a equação (94) pode ser muito bem aproximada por:
Zf ≈ r0 (1+ β ) (96)
RC
i0 = ie2
Q2 v0
ie2 /β
β re re Z0
RB2 ie1
ie2 ie1 = ie2(1 +1/β )
Q1
ve ie ie1 /β
β re re
RB3
Zi ie1
ZB ZB = β re
Da figura temos:
e v e = ZB i b = ZB i e1/β logo
A corrente i0 = ie2 está relacionada com ie1 como dado pela equação abaixo
v0 /vi = Av = - RC β /(β+1)/re
Av = ≈ - RC /re (100)
ib = ie1/β (101)
ib = RB /( RB+βre ) ie (102)
Ai ≈ β RB /( RB +βre ) (103)
O ganho de corrente máxima (β) foi reduzido devido ao divisor de corrente resistivo.
Base comum v0
Z0
Z i2 ≈ re r0
Emissor comum
ve ie
Zi
Assim,
A principal função desta configuração é conseguir alta impedância de entrada e alto ganho de
corrente.
O arranjo desta configuração é conectar dois transistores do mesmo tipo de maneira que se o ganho
de corrente de um transistor for β 1 e o do outro for β2 então o ganho de corrente do arranjo será igual a
βD = β1.β2 . A conecção Darlington atua como um novo dispositivo, cujo ganho de corrente é o produto
dos ganhos individuais. A figura abaixo mostra esta configuração.
βD = IC / IB IC
IB
β1
β2
β D = β1.β2
vce
vce ic
ic
Q1 β d =?
C
ie r ed=? QD
r 0d=? ie
r 0d
B
vbe
vbe
β dred red
Q2
vce = 0
Q1
ie= i e1/β 1
r 01 ic1
vbe
ie1/β 1 β 1re1 re1 Q2
ie1
r 02 ic2 = 0
ie2/β 2
β 2re2 r e2
ie2
β 2 = (1+1/β
ie2/β β 1). ie1 – ic1
β1
ie= ie1/β (104)
A corrente ic1 é igual a corrente que sai do emissor de Q1 ( (1+1/β 1). ie1 ) dividida
pelo divisor resistivo r01 e β2re2 então,
ic ≈ β 2 .ie1 (111)
β d = ic / ie ≈ β 1.β
β2 (112)
63
Para determinar a transresistência (r ed) nos reportamos novamente a figura
anterior. Assim, da malha base de Q1 ao emissor de Q2 temos,
ve ≈ 2re2 ic então
r ed = ve / ic ≈ 2re2 (115)
Para determinar a impedância de saída (r0d) nos reportamos agora a figura abaixo.
Assim, da malha base de Q1 ao emissor de Q2 temos,
ix = i c1 - ie1 + i e2 + i02
iy = ic1 - ie1 + ie2
vx
ry r0d = vx /ix
r0d = r02 //ry
ry = vx /iy
Q1
ie2 i02
r 01 ic1
ie1/β 1 β 1re1 r e1 Q2
ie1
β 2re2 ≈ re1 r 02 i02
vb
ie2 /β 2 β 2re2
β 1). ie1 + i e2/β 2
ic1 = (1+1/β re2
ie2
vb ≈ re1 / 2r01 .vx
64
Da figura temos
ie2 = β 2 vb /β
β 2re2 = β 2 vb /re1 = β 2 i e1 (118)
e, finalmente
iy = vx 2/r02 e
ry = v x / iy = r02 /2 e portanto
A principal função desta configuração é conseguir alta impedância de entrada e alto ganho de
corrente.
O arranjo desta configuração é conectar dois transistores do mesmo tipo de maneira que se o ganho
de corrente de um transistor for β1 e o do outro for β2 então o ganho de corrente do arranjo será igual a
βD = β1.β2 . A conecção Darlington atua como um novo dispositivo, cujo ganho de corrente é o produto
dos ganhos individuais. A figura abaixo mostra esta configuração.
IC βD = IC / IB IC
IB Q1 IB
β1
QD
Q2
β2
βD = β1.β2
Obs: 1) Esta configuração pode ser feita também com transistores PNP.
2) Como o transistor Q1 opera com baixas corrente, e comumente encontrado na prática um
resistor entre a base e o emissor de Q2 , assim β 1 não é reduzido.
vce
vce ic
ic
Q1 β d =?
C
ie red=? QD
r0d=? ie
r0d
B
vbe
vbe
β dred red
Q2
vce = 0
Q1
ie= ie1/β 1
r01 ic1
vbe
ie1/β 1 β 1re1 re1 Q2
ie1
r02 ic2 = 0
ie2/β 2
β 2re2 re2
ie2
ie2/β 2 = (1+1/β 1). ie1 – ic1
A corrente ic1 é igual a corrente que sai do emissor de Q1 ( (1+1/β1). ie1 ) dividida
pelo divisor resistivo r01 e β2re2 então,
ic ≈ β2 .ie1 (111)
βd = ic / ie ≈ β1.β2 (112)
63
Para determinar a transresistência (red) nos reportamos novamente a figura
anterior. Assim, da malha base de Q1 ao emissor de Q2 temos,
Para determinar a impedância de saída (r0d) nos reportamos agora a figura abaixo.
Assim, da malha base de Q1 ao emissor de Q2 temos,
ry
r0d = vx /ix
Q1 r0d = r02 //ry
ry = vx /iy
ie2 i02
r01 ic1
e, finalmente
iy = vx 2/r02 e
ry = vx / iy = r02 /2 e portanto
Portanto esta conexão de dois transitores pode ser substituindo por um transitor
como mostrado abaixo.
65
vce
vce ic
ic
Q1 β d = β 1β 2
C
ie red = 2re2 QD
r0d= 2/3r02 ie
r0d
B
vbe
vbe
β dred red
Q2
Exercício:
VCC =18V
RB
3,3M Q1 C
ie
B
β D = β 2β 1 =8000
ve VBE = 1,6V
C1 ib
.1uF
Q2 C2
1uF
E
Zi
v0
RE
390Ω i0
Z0
66
1) Análise DC
IE ≈ IC = βD IB = 20,8mA
2) Análise AC
A principal função desta configuração é conseguir alta impedância de entrada e alto ganho de
corrente principalmente como um dispositivo complementar ao Darlington NPN .
O arranjo desta configuração é conectar dois transistores de tipos diferentes de maneira que se o
ganho de corrente de um transistor for β1 e o do outro for β2 então o ganho de corrente do arranjo será
igual a β12 = β1.β2 . O par realimentado funciona muito bem como um arranjo PNP –NPN para ser
equivalmete a um transistor PNP de alto ganho de corrente. A figura abaixo mostra esta configuração.
IC βPN = IC / IB IC
QP
IB
IB
QPN
βP
QN
βPN = βP.βN
βN
Par PNP-NPN
IC βNP = IC / IB IC
QP
βP IB
IB QNP
QN
βN βNP = βN.βP
Par NPN-PNP
Obs: Analisaremos somente a conexão NPN-PNP, mas todos os resultados se aplica ao outra
conexão.
68
Novamente, podemos representar esta conexão da mesma forma que fazemos para
um transitor.Para isto, considere a figura abaixo e vamos determinar a sua impedância
de entrada, a sua tranresistência (rep = vbe /ic com vce = 0), o seu ganho de corrente AC
(βn = ic /ie com vce = 0) e sua impedância de saída (r0p ).
vce vce
ic
C C
ic
QP β np = ?
renp =? QNP
βP r0np =? ie
ie QN
r0np
vbe B
B β nprenp renp
vbe
βN E
E
vce = 0
ic = iep + iep /β p
iep
QP
β prep ≈ ren rep
β prep
iep/β p
r0p icp = 0
QN
ie= ien/β n
r0n icn
vbe iep/β p = ien – icn
ien/β n β nren ren
icn= β prep /(β prep+r0n). ien
ien
69
Da figura temos, a corrente de entrada é dada por:
A corrente icn é igual a corrente que sai do emissor de QN (ien ) dividida pelo divisor
resistivo r0n e βprep então,
Logo
Para determinar a impedância de saída (r0np) nos reportamos agora a figura abaixo.
Assim, da malha base de Q1 ao emissor de Q2 temos,
vx
ry
β nren ren
ien
71
Da figura temos
Temos Ainda,
iy ≈ βp vx /r0n
iy = vx 1/r0p e
Portanto esta conexão de dois transitores pode ser substituindo por um transitor
como mostrado abaixo.
72
vce vce
β np= β nβ p ic
C ic C
QP renp = rep
βN r0np= r0p
QNP
ie QN ie
r0np
B
B vbe
vbe β nprenp renp
βN E
E
Sendo que ICP e ICN são as correntes de polarização que passa por QP e QN,
respectivamente.
Note que se RB =∞ então β’p = βp e k = IC2 /IC1 = βp (k’=1) e portanto,
O efeito de RP é de diminui os valores de βnp, renp e r0np .(k’ é sempre menor ou igual
a 1).
vce ic
β np ≈ β nβ’p
RP renp = k’rep
C βP r0np= k’/(k’+1)r0p
QP
Onde
ICP β’p =β p . RP/(RP+β p rep)
ie QN
k = ICP /ICN
k’ = k/β’p
ICN
B
ICN ≈ VBE /RP
βN E
73
ICN = VBE /RP + ICP /βP Onde I C2 é A corrente de polarização do transistor QP.
Exercício 1:
VCC =18V
C
RB QP
B βN
2MΩ
QN β N =140
ie
β NP =140*180 =25,2k
β P =180
C2
ve C1 ib βN 1uF
.1uF E
Zi v0
RE
75Ω i0
ZB Z0
1) Análise DC
2) Análise AC
VCC =18V
RC
8kΩ i0 C2
10uF
v0
RB1 RP
900kΩ 7kΩ
C
QP Z0
ie βN rop =100kΩ
VB B β N =200
QN β NP =200*100 =20k
ve C1 ib βN β P =100
.1uF E VE
RB2
Zi 100kΩ
RE C3
1kΩ 10uF
ZB
1) Análise DC
Que muito menor que a corrente de IBN . Portanto, se desconectarmos a base de QN, a
tensão nesta praticamente não mudará. Em outra palavras a corrente de base de QN
pode ser desconsiderada. (isto é equivalente a dizer que ZB >> RB1//RB2)
E a tensão no emissor de QN
2) Análise AC
Da análise anterior
Temos ainda,
RB ZB
ronp e RC)
logo
A principal função desta configuração é conseguir “espelhar” uma corrente desenvolvida sobre
um lado do circuito. Esta configuração é particularmente apropriada para projeto de circuitos
integrados devido à semelhança (casamento) entre os dispositivos do mesmo tipo .
Esta configuração permite que dois transitores do mesmo tipo sejam conectado de
tal forma que a corrente de coletor de um transistor seja relacionada de forma
razoavelmente precisa com a corrente de coletor do outro.
A figura abaixo mostra esta configuração com transistor NPN. É claro este espelho
de corrente pode ser feito com transistores PNP. Este tipo de conexão de circuito é a
mais simples configuração de uma classe de circuitos analógicos conhecida como
“Circuitos Translineares”. Este nome se deve ao fato de que a transcondutância (1/r e )
do transistor ser linearmente proporcional à corrente DC.
V CC
v0
v0
Q1 Q2
Então,
Neste momento usaremos a equação (138). Notando que esta pode ainda ser
expressa por:
R I REF IC2
A1 e A2 área de emissor
IB1 + IB2
IC1 β 1=β
β2 =β
β
A1 A2
I B1 IB2 Q2
Q1 VB E
Espelho de corrente
β )(1+1/β
IC1 = (I REF - IC2 /β β) (144)
β /(β
AI = IC2 IREF = A2 /A1 .β β +1+A 2 /A1 ) (148)
β /(β
AI =β β +2) (149)
i C2
R
Curto real
Z0
Q1 Q2
A1 r 01 r 02
A2
β re1 β re2
r e1 r e2
ZB
ZB ≈ re1
Que é obtida usando o fato de que os tres pontos no círculo vermelho estão
efetivamente em curto circuito. Aqui, esta impedância de nenhuma forma influência na
impedância de saída do espelho.
Z0 = r02
Este espelho de corrente por ser generalizado para N corrente de saída iguais, ou
não, como mostrado na figura abaixo.
82
A1 = A2 = A 3 = ... AN
R I REF I C1 IC2 I C3 I CN
β
I BT = (N+1) IC0 /β
Q0 Q1 Q3 Q3 QN
IC0
No caso espelho de corrente acima (correntes de saída iguais) é fácil mostrar que
o ganho de corrente é dado por:
β /(β
AI =β β +N+1 ) (150)
A impedancia de saída de cada uma das saída do espelho continua sendo igual a
impedância de saída do transistor (r 0 ).
Note agora que para um grande número de saídas o ganho de corrente começa a
ficar menor que a unidade e muito dependente de β, o que é indesejável.
A1 = A2 = A 3 = ... AN
R IREF
I C1 IC3 ICN
QB
IB β
IBT =(N+1)IC0 /β
Q0 Q1 Q3 Q3 QN
I C0
Da figura temos,
β 2/(β
AI =β β 2+N+1 ) (153)
Note agora que mesmo para um grande número de saídas o ganho de corrente
ainda é próximo da unidade e pouco dependente de β, o que é desejável.
84
Exercício:
VCC =6V
R
Ω
1,3kΩ IREF I C1 I C2
β
IBT = (2+1) IC0 /β
Q0 Q1 Q3 β =100
IC0
Solução:
A corrente IREF é
VCC
R I REF IC2
IB1 + IB2
IC1
A1 A2 A 2 = A1
I B1 IB2 Q2
Q1 RE1 = RE2 = RE
I E1 RE2 IC2
RE1 ∆ VBE
V BE1 = VBE2 +∆
Da figura temos,
A espressão (156) mostra que se a queda de tensão no resistor R E for muito maior
que o descasamento de VBE dos transistores a corrente IE1 será muito próxima de IE2 e
porconseguinte, IC1 ≈ IC2.
86
Outra consequência desta da inserção dos resistores de degeneração de
emissor é que a impedância de saída do espelho decorrente aumenta bastante. A figura
abaixo mostra o circuito equivalente para pequenos sinais do o espelho.
ix
R
Curto real
Z0
vx
Z 0 = vx / ix
Q1 Q2
r 01 r 02
β re1 β re2
r e1 re2
ZB
RE RE
ZB ≈ (R E+re1)//R
ZB ≈ (RE +re1)//R
ix = i02 – i 01
Z0
vx
Z 0 = vx / ix
i01/β
Q2
r 02 i 02
β re2
ZB re2
i01
β+1)
i e = i02 - i 01(1/β
RE
87
Da malha base emissor temos,
Temos ainda,
β + (r e2+ ZB /β
i 01 = 1/[(1/β β )/RE ] .i x (158)
Como
Z0 >> r02
VCC
I C2
R IREF
IB2
I C1 = IC3
IC1 IC3
A1 A3 A 3 = A1
I B1 IB3 Q3
Q1
I B1 = IB3
Da figura temos,
Temos ainda,
É deixado como exercício para o aluno mostrar que a impedância de saída deste
espelho é igual à
Z0 ≈ βr02/2 (165)
89
ü Configuração par diferencial (amplificador diferencial)
Esta configuração permite que dois transitores do mesmo tipo sejam conectado de
tal forma que uma tensão difenrencia ou não na saída seja proporcional a difenreça de
duas tensões aplicadas.
VCC
RC RC
Ve1 V e2
Q1 Vx Q2
ve1 vx v e2
I0
-VEE
O par diferencial merece uma atenção especial tendo em vista a sua larga
aplicação principalmente em projeto de circuitos integrados. Para isto vamos dividir a
nossa análise deste amplificador em uma análise para grandes sinais e uma análise
para pequenos sinais.
Da figura temos,
Temos ainda,
α DC I0 /[1+exp(Ve2/VT)]
I C2 =α (171)
Então
I C1, I C2
α DC I0
α DC I0 /2
α DC I0RC
Região linear
≈ 50mV
α DC I0 RC
-α
Antes de realizarmos esta análise vamos mostrar que quaisquer dois sinais podem
ser expresso em função de suas componentes diferencial e comum, ou seja, um sinal
diferencial e um de modo comum. Se não vejamos.
Estas equações podem ser invertidas para expressarmos ve1 e ve2 em função de
ved e vec.
Eixo d e
RC simetria RC
I C1 I C2
-v0d /2 v0d /2
v0c
Q1 Q2
v ed /2 -ved /2
vec 2R EE I0 2REE
REE = 2R EE //2REE
representa a impedância de saída
da fonte de corrente I0
-VEE
RC RC
i c1 i c2
-v0d /2 v0d /2
Q1 Q2
r01 r 02
β re1 β re2
ved /2 r e1 r e2 -ved /2
vee
i e1 i ee=0 i e2
A corrente de polarização I 0 é
2R EE 2REE dividida igualmente entre os dois
transistores, portanto
re1 = re2 = 2VT /I0
r01 = r02 =2V A /I0
Note que dado a simetria a corrente i e1 é igual e no mesmo sentido da corrente ie2,
portanto
i ee=0
vee = 0V
RC
-v0d /2
Q1
r 01
v ed /2 β re1 r e1
Ad = Z0/re1 (172)
onde Z0 = RC //r01
Para calcular o ganho de modo comum, agora vamos aplicar um sinal puramente
de modo comum na entrada do amplificador como mostrado na figura abaixo.
97
RC RC
ic1 i c2
0v 0v
v 0c
Q1 Q2
r 01 r 02
β re1 β re2
re1 r e2
iee =0
i e1= ie ie ie ie2 = ie
vec
re1 = re2 = 2VT /I0
2REE 2R EE r01 = r02 =2VA /I0
Note que dado a simetria a corrente ie1 é igual e em sentido contrário a corrente
ie2, portanto
i ee= 0
RC
v 0c
Q1
Circuito equivalente para pequenos sinais
da metade esquerda do Amplificador
r 01 diferencial para sinais puramente de
β re1 modo comum
re1
vec
2R EE
A equação (174) diz que quanto maior a impedância de saída da fonte de corrente I0
maior a rejeição de modo comum do amplçificador.
99
• Exercício:
VCC = 9V
RC RC
47kΩ Ω
47kΩ
≈ I0 /2 ≈ I0 /2
v 02 v01
ve1 =2mV
Q1 Q2
REE
Ω
43kΩ I0
-VEE = -9V
a) Análise DC
µA
I 0 = (VEE - VBE )/ REE = (9,0V-0,7V)/43kΩ =193µ
Portanto
I C1 = I C2 = IC2 ≈ I0 /2 = 96,5µ
µA e
b) Análise AC
Temos que
Portanto
v0c = Ac vec =Ac ve1/2= -0,54*1mV = -0,54mV (Comp. de modo comum na saída)
Logo
Para esta análise vamos redesenhar o circuito do o seu equivalente (note r 0 é não
deve ser considerado)
RC RC
Ω
47kΩ Ω
47kΩ
v01 v 02
ve1 =2mV
Q1 β r
e β re Q 2
re re
vee
REE
Ω
43kΩ
Ze
Note que a impedância é igual à REE // αre ≈ REE //re = 43kΩ //269Ω ≈ 267Ω
1) A saída v01 é igual a saída de um amplificador com resistor de emissor Ze, cujo
o ganho de tensão é igual à – RC /(re + Ze)
2) A tensão vee é igual a saída de seguidor de emissor com carga Ze, cujo ganho
de tensão é igual à Ze /(re + Ze )
ganho diferencial
Considerações gerais
Av /Avméd
1
0,707
7
Av/Avméd
dB
0
-3dB
10 f1 100 1M f2
-6dB 1k 10k 100k 1M 10M
f (escala log)
-9dB
-12dB
C πfC
XC =1/j2π
Ve R V0
V0 =R/( R+XC).Ve
XC =1/2πfC ≈ 0
XC =1/2πfC → ∞ Ω
e o resultado é V0 ≈ 0V.
Entre os dois resultados, a razão Av = V0 /Ve irá variar de forma mostrada
na figura abaixo. A medida que a freqüência aumenta, a reatância capacitiva diminui, e
maior é a porção de entrada que aparece entre os terminais de saída.
Av
0,707
7
0 f 1 1k 10k 10k
f (HZ)
Av =1/(1-jf/f1 )
∠ Av = arctang 1 =45°
Em logaritmo, o ganho em B é
e para f << f 1
E para f >> f1
O gráfico das equações (175) e (176) produzirá em uma escala log de freqüência
resultados muito utilizados em futuros gráficos em decibel.
-9dB
-6dB/oitava ou –20dB/década
-12dB
-15dB -20logf1/f
-18dB
-20dB
-21dB
Diferença de fase
entre V0 e Ve
90°°
75°°
60°°
45°°
30°°
15°°
0°
0,1f1 0,2f1 0,3f1 0,5ff1 2f1 3f1 5f1 f ( escala log)
f1 10f1
V CC
RC
R1 CC
v0
RS CS
RL
ve
R2
RE CE
Efeito de CS
RS CS
Amplificador
ve vi
Ri
Ri =R1//R2//βre
RS CS
vi
ve
Ri
vi R1// R2 βre
CC
Amplificador
v0 RL
R0
R0 =RC //r 0
CC
r0 RC v0 RL
R0
Para determinar fLe ,a impedância (resistência) vista pelo capacitor deve der
determinada como mostra a figura abaixo. Uma vez estabelecido o valor de Re ,a
freqüência de corte devido a CE pode ser determinada utilizando-se a seguinte
equação:
f Le = 1/[2π Re CE (180)
Amplificador
CE
Re
Re = RE //(R’S /β+re)
β +re
R’S /β
r0 RE CE
Re
Exercício:
a) Determine a freqüência de corte inferior para o circuito da figura abaixo.
b) Esboce a resposta em freqüência utilizando um diagrama de Bode.
VCC =20V
RC
R1 4 kΩ CC
40kΩ 1µ F
CS r0 = ∞ v0
RS
µF
10µ β = 100
1 kΩ
RL
VB 2,2kΩ
ve
VE
R2
10kΩ RE CE
2kΩ µF
20µ
113
a) Análise DC (para determinar re)
Então
Ω
r e =VT /IC = 26mV/1,65mA =15,76Ω
β re =100*15,76 =1,576kΩ
Ω
1) A impedância de entrada
Mas
então
b) Freqüências de corte
1) CS
≈ 25,7HZ
f Lc =1/(2π(RC +RL )CS =1/(2π(4kΩ +2,2kΩ)1µF≈
3) CE
-9dB
-20dB/década
-12dB
-15dB
-18dB
-20dB -40dB/década
-21dB
Diagrama de Bode
115
Simulação
116
• Resposta em altas freqüências de amplificadores
Cbc
ic
b’ C
B rbb’ i b’ r b’c
E E
Circuito equivalente para pequenos sinais em altas freqüências do transistor
bipolar, utilizando o modelo de Giacoletto (π -híbrido)
ib
b’ Cbc ic C
B r bb’ ib’
E E
hfebaixas = hf = β
ib
Cµ ic
b’ C
B r b’ ib’
vb’e
hf re Cπ v b’e/re r0
E E
Circuito equivalente para pequenos sinais em altas
freqüências
Cµ
B rb
r0
h f re
Cπ re
C ic
v ce =0
Cµ
B rb b'
r0
ib h f re ic
Cπ re
Xcµ =1/j2πCµ e
Xcπ =1/j2π Cπ
Portanto
onde
ou
f β = 1/2π β re (Cµ+Cπ )
hf /(1+jf/f β) = 1
f T = hf fβ = β fβ (183)
Nesta análise é fácil demonstrar que se pode com uma boa aproximação
desprezar as corrente que passam por r0 e C µ ,para o cálculo do ganho de
corrente. O assim o circuito de base comum fica simplificado como mostra a
figura abaixo.
hfb = ic / ie
Com v cb =0
ic
re
ie E Cπ C ic
ib
h f re
rb
Da figura temos
i e = ic +ib (185)
i b = ic /h α (186)
i e = (1 + 1/hα)ic
então
f α = 1/ j2π re Cπ (188)
hfb, hfe
20loghf
dB
20dB
3dB
10dB
3dB
0dB
fβ f (escala log) f T fα
h f e e hfb versus freqüência
• Considerações geriais
Av = =1/(1+s/s2)
onde
R
πfC
XC =1/j2π
Ve C V0
f2 f (log)
-6dB/oitava
-3dB
vi v0
Capacitância Miller na saída
Av
ZF ZG v0
vi
iF C’F C’’F iF
V CC
RC
R1 CC
v0
RS CS
RL
ve
R2
RE CE
C v0
R’L
RS Cµ
B rb
ve
hf re
Cπ re
R1 //R2
R’L = RL//RC//r0
E
Circuito equivalente
126
Aplicando a aproximação de efeito miller, o circuito acima simplifica para o
circuito equivalente mostrado abaixo.
ic = vi / re C v0
ic C M0 R’L
ve
hf re
C Mi re v 0 / vi = - R’L /r e
R1 //R2
Onde
RS R’S
rb vi vi
ve veTH
hf re CMi C Mi
R1 //R2
Thévenin
R’S = (RS//R1//R2 +rb )//h fere
R’L
V0
v0
v0TH CM0
ic CM0 R’L
Thévenin
R’L = RL//R C //r0
127
com
R’S = (RS //R1 //R2 +rb )//hfere Note que R’S é a impedância (Resistiva) vista
pela base do transistor
com
CM0 = Cµ
Exercício:
VCC =20V
r0 = ∞
rb = 0
β = hfe = 100
RC
R1 4 kΩ CC
40kΩ µF
1µ
CS C0W v0
RS
1 kΩ µF
10µ CCW 8pF
1pF
RL
ve VB 2,2kΩ
CBW
6pF VE
R2
10kΩ Cπ = 36pF
RE CE
Cµ = 4pF
2kΩ µF
20µ
Ω
r e =VT /IC = 26mV/1,65mA =15,76Ω
β re =100*15,76 =1,576kΩ
Ω
1) A impedância de entrada
então
-6dB BW
f1 f2
-9dB
-12dB
-15dB -20dB/década
-20dB/década
-18dB
-21dB
-40dB/década
-24dB
-27dB -40dB/década
-30dB
C v0
R’L
RS Cµ
B rb
ve
hf re
Cπ re
R1 //R2 =RB
Thévenin R’L = RL//RC// r0
E
C v0
R’L
R’’S Cµ
B rb
v'e
R’’S = RB //RS hf re
Cπ re
v'e = RB /( R B + RS )ve
R’L = RL//RC//r0
Norton E
C v0
R’L = RL//RC//r0
E
Note que, novamente, R’S é a impedância (Resistiva)
vista pela base do transistor
133
A soma das correntes em b’ resulta em,
onde s = jω = j2π f
i Cµ = iR’L + i re
extraindo vb
(191)
Substituindo ie e v’e escrevendo na forma
v' e = RB /( RB + RS )ve
v0 /ve=Av N(s)/D(s)
então
N(s) = (1 - sreCµ)
e portanto
Assumindo que os pólos estão bem afastados e p1 como sendo o pólo de mais
baixa freqüência (o pólo dominante) então p2 é o pólo de maior freqüência.
p 2 >> p1
Note que a diferença que existe entre as duas expressões é o termo R’L /R’S que
na prática é muito menor que R’L/r e fazendo com que a aproximação por efeito Miller
seja muito boa.
Outra constatação é que o pólo fS0 de fato não existe, como indicava os cálculos
da aproximação por efeito Miller.
135
Vamos agora calcular o pólo não dominante p2 pelo comparação dos
coeficientes em s 2 nas equações (195) e (193), resultando
Exercício:
Solução:
Temos
f 2 = p2 /2π = (1/2π R’LCµ + 1/2π R’SCπ + 1/2π R’LCπ + 1/2π r eCπ )
Ω , Cπ = 36pF , C µ = 4pF
r e = 15,76Ω
então
logo
f2 ≈ 318,7MHz
136
• Amplificador seguidor de emissor (coletor comum).
VCC
R1
RS CS
CC
v0
R2
RE RL
RS Cµ
B rb b'
R’L = RL //R E//r 0
ve
hf re
Cπ re
R1 //R2 = RB
Thévenin
E
v0
R’L
Circuito equivalente
137
Primeiramente, vamos desprezar o efeito do capacitor Cµ , o que é sempre
razoável se a impedância de fonte (RS ), for pequena , assim o filtro passa baixas
formador por RS +rb e Cµ apresenta um pólo em freqüência muito elevada ( >>f T ).
R’S
B rb b'
v'e
ie/hα
Zα ie/hα hαα re ie
re R’L = RL //RE //r 0
onde
Substituindo hα e Rα , resulta
onde
z 1 = -1/re Cπ ≈ - ω T
p1 = -1/k reCπ
Para freqüência média freqüências (s << p1 ), a equação (205) torna-se
v0 /v' e s >>Z1 → R’L /[(R’S +rb)/hf +re+R’L ] . ( p1/z1 ) = R’L /(R’S +rb + R’L )
139
Até aqui não consideramos nenhuma influência de Cµ. De fato o efeito
de Cµ fará uma mudança considerável na resposta em freqüência do amplificador
como veremos mais adiante. Por enquanto vamos desprezar o seu efeito e
realizarmos o exercício abaixo.
Exercício:
VCC =20V
R1 Ω
rb =150Ω Cπ =10pF
Ω
32,5kΩ
r0 = ∞Ω Cµ = 0
RS CS β = hf =100
Ω
50Ω µF
10µ
VB CC
µF
10µ
R2 VE
v0
Ω
10kΩ
RE RL
Ω
4kΩ Ω
4kΩ
Solução:
a) Análise DC
I C ≈ IE =4V/4 kΩ =1mA
temos
z 1 = -1/re Cπ ≈ - ω T
p1 = -1/k reCπ
k =(2200Ω)/(2028Ω) =1,08
Assim
ou
• Valores limites
v0 /v' es <<p1 =R’L/[(R’S +rb )/hf +re +R’L]=(2k Ω)/[(50 Ω+150Ω)/100+26 Ω +2kΩ]
a =0,994 portanto
ve = 0,994 v’e
0,904
0,900
0,875
Simulação
142
Agora, vamos levar em conta o efeito do capacitor Cµ .Novamente, é
conveniente desenhar o circuito acima com a impedância, hα , entre a base b’ e o
emissor.
RS Cµ
ve B rb
b'
R’L = RL//RE//r0
hf re
Cπ re
R 1 //R2 = RB
Thévenin
E
v0
R’L
iµ Cµ
R’S
B rb b'
v'e
i µ + ie/hα
Zα ie/hα hαα re ie
re R’L = RL //RE //r 0
hα = hf /(1+shfr e Cπ )
E v0
ie (1+ 1/hα )
v’e = RB/(RS+ RB)v e= a.ve R’L
R’S = RB //RS
Rα
Da malha base coletor, temos
Portanto
ou
v0 /v'e = k.N(s)/D(s)
onde
144
k = R’L/R
R =[(R’S+rb)/hf +r e +R’L]
R ≈ R’L + re
k1 ≈ r e R’L
então
A equação (213) mostra que o amplificador apresenta um zero em –1/r eCπ (como
antes). Além disso, que o efeito de Cu é de adicionar além do pólo p1 (como antes) um
pólo em p2 = - (R’S +rb )Cu , ou seja, formado pela filtro de combinação de (R’S +rb) e
Cu, como já comentado anteriormente. Estes parâmetros foram encontrados para baixa
impedância de fonte.
145
• Exercício:
VCC =20V
R1 Ω
rb =150Ω Cπ =10pF
32,5k Ω
r0 = ∞Ω Cµ = 1pF
RS CS β = hf =100
50Ω µF
10µ
VB CC
µF
10µ
R2 VE
v0
Ω
10kΩ
RE RL
Ω
4kΩ Ω
4kΩ
Solução:
I C ≈ IE =4V/4 kΩ =1mA
z 1 = -1/re Cπ ≈ - ω T
p1 = -1/R’L//r eCπ e
ou
9
p2 = -1/(R’S +rb )C u = -1/(200Ω)(1pF) = -5,0 x10 rad/s
• Valores limites
Temos ainda,
a = 0,994 portanto
ve = 0,994 v’e
v 0 /v e escala linear
f P1 = f Z1 = 612MH Z
1,000
0,981
0,900
0,900 a.R’L/[(R’S+rb )/h f +re +R’L] = 0,994*0,987 = 0,981
0,800 fP2 = 796MH Z
0,700
0,600
0,707*0,981 = 0,693
0,500
0,400
0,300
0,200
0,900
0,900 f ( escala log)
0,0
0,9 1M 10M 100M 1G 10G
Simulação
148
• Amplificador base comum
V CC
RS CS RC
ve
RE CC
VB
v0
RL
RS re
ve
R’L = RL//RE//r0
RE Cµ
hαα r e rb
Norton v0
R’L
π)
hα = hf /(1+shf reCπ
Circuito equivalente
149
Novamente, como na configuração anterior faremos duas análises: uma com
algumas aproximações e outra exata. Primeiramente, vamos substituir o circuito de
entrada pelo o seu equivalente Norton. Como mostrada na figura abaixo.
re
ie ic
R’L = RL//RC
R’S Cµ
hαα re rb
i c / hαα v0
i e = ve/RS R’L
R’S = RS //RE
π)
hα = hf /(1+shf reCπ
Circuito equivalente
ZE R’L
Da figura temos que a corrente (ic + ic/hf ) é igual a corrente ie dividido pelo
divisor resistivo RS , ZE. Por inspeção a impedância ZE é dada por
Então
onde
p1 = - 1/re //RSCπ
onde
p2 = - 1/R’L Cµ
β = hf =100 Cµ = 1pF
r0 = ∞Ω Cπ =10pF
Ω
rb =0Ω V CC =20V
RS CS RC
Ω
50Ω µF
10µ 6,34k Ω
VE
ve
RE CC
Ω
4kΩ µF
10µ
VB = 4,7V
v0
RL
Ω
2kΩ
Solução:
a) Análise DC
I C ≈ IE =4V/4 kΩ =1mA
temos
O pólo p1 é igual a
152
9
p1 = - 1/re //RSCπ = - 1/(26Ω //50Ω)(10pF) = - 5,85x10 rad /s
ou
O pólo p2 é igual a
ou
-6dB
f2
-9dB
-12dB
-15dB -20dB/década
-18dB
-21dB
-40dB/década
-24dB
-27dB
-30dB
NAME Q_Q1
MODEL Qbreakn
IB 1.00E-05
IC 1.00E-03
VBE 6.46E-01
VBC -8.83E+00
VCE 9.47E+00
BETADC 1.00E+02
GM 3.88E-02 ( r e = 1/3.88E-02 = 25,77Ω)
RPI 2.58E+03
RX 1.00E-03
RO 1.00E+12
CBE 1.01E-11
CBC 1.01E-12
CJS 0.00E+00
BETAAC 1.00E+02
CBX 0.00E+00
FT 5.55E+08
154
155
Agora, vamos levar em conta o efeito da resistência r b. Agora em muito altas
freqüência haverá um curto em o emissor e o coletor do transistor fazendo com que o
ganho de tensão seja igual a aproximadamente r b(rb +RS) .Novamente, é conveniente
desenhar o circuito acima com a impedância, hα , entre a base b’ e o emissor.
i c =i l + iµµ
re
ie Cµ
il
R’L = RL //R C
iR
R’S iµµ
hαα re
rb
ib
il / hαα v0
i e = ve/RS R’L
R’S = RS //RE
π)
hα = hf /(1+shf reCπ
Da figura temos
ou substituindo ie
A equação (229) mostra que o resistor rb introduz dois zeros no amplificador base
comum. Se a condição
r b Cµ < 4 re Cπ
For satisfeita estes zeros serão complexos. Na prática a condição acima é sempre
satisfeita. A conseqüência é que a curva da resposta em freqüência será bem acentuada
em torno destes zeros.
A equação (231) na prática quase sempre pode ser aproximada por: (R’L >>rb )
RT ≈ R’L(rb /RS+1)
p1 =-1/ re Cπ
Note que se rb for igual a zero o pólo p2 se torna igual ao do resultado anterior.
Assim, como podemos observar o efeito de rb, foi de introduzir dois zero no sistema e
diminuir o pólo dominante por um fator k dado por:
k = rb /RS+1 (234)
Av s>>p1 = R’L /RS . N(s)/D(s) = R’L /RS (1+sr bCµ +s2re rbCπ Cµ)/ (1+sRTCµ+s 2re RTCπCµ)
Av s>>p1 ≈ R’L /RS (s2re rbCπ Cµ)/ (s2r eRTCπ Cµ) = R’L rb /RSRT
• Exercício:
β = hf =100
Cµ = 1pF
r0 = ∞Ω
Cπ =10pF V CC =20V
Ω
rb =25Ω
RS CS RC
Ω
50Ω µF
10µ 6,34k Ω
VE
ve
RE CC
Ω
4kΩ µF
10µ
VB = 4,7V
v0
RL
2kΩ
158
Solução:
I C ≈ IE =4V/4 kΩ =1mA
Ω
RT = R’L(rb /RS+1) =1520Ω (25Ω/50 +1) =2280Ω
p1 = -1/re Cπ
ou
p2 = -1/RT Cu
ou
• Valores limites
-12dB
0dB ⇒ 20
-18dB
-24dB
-30dB
-36dB
-42dB
-35,5dB ⇒ 0,333
-48dB
-54dB
Simulação
**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
NAME Q_Q1
MODEL Qbreakn
IB 1.00E-05
IC 1.00E-03
VBE 6.46E-01
VBC -8.83E+00
VCE 9.47E+00
BETADC 1.00E+02
GM 3.88E-02
RPI 2.58E+03
RX 2.50E+01
RO 1.00E+12
CBE 1.01E-11
CBC 1.01E-12
CJS 0.00E+00
BETAAC 1.00E+02
CBX 0.00E+00
160
FT 5.55E+08
161
• Resposta em freqüência de múltiplos estágios
N ( s ) a0 + a1s + a2 s 2 + ... + am s m
A( s ) = = (336)
D( s ) 1 + b1 s + b2 s 2 + ... + bn s n
K
A( s ) = (337)
1 − s 1 − s ... 1 − s
p1 p2 pn
∑ − 1 p
n
p 1<<p2 ,p3 ,… pn de modo que 1
p1
>>
i=2 i
162
Nesta situação segue da equação (338) que
b1 = ∑ − 1 = − 1 + ∑ − 1 ≅ − 1 = 1
n n
i =1
pi p1 i = 2 pi p1 p1
K
A( jω ) = (339)
ω 2 ω 2 ω 2
1 + p1 1 + p2 ...1 + pn
Se um existe um pólo dominante (por, exemplo p 1) então a equação (339) pode ser
aproximada por
K
A( jω ) ≅ (340)
ω 2
1 + p1
Esta aproximação será bastante precisa pelo menos até ω = p1 , e, portanto
esta equação fornecerá a freqüência –3dB do amplificador e nós podemos escrever
ω -3dB ≈ p 1
ou
ω -3dB ≈ 1/b1
V CC
RC
R1 CC
v0
RS CS
RL
ve
R2
RE CE
C v0
R’L
Cx Cµ
RS R’L = RL //RC //r 0
rb
ve B
hf re
Cπ re
R1 //R2
C
v0
R’L
i3 i2
v3 v2 R’L = RL //R C//r 0
Cµ
Cx rb
i1
B
h f re v1
Cπ re
R1 //R2// RS
Nós podemos mostrar que com esta escolha de variáveis as equações do circuito
são da forma
K0 = ∆(s)todo C=0 = ∆0
K0 ≡ ∆0 (346)
166
Considere agora o termo K1s na equação (344). Este é a soma de todo os
termos envolvendo s quando o determinante é calculado. Entretanto do sistema de
equação (341-343) é fácil de observar que os s só ocorrem quando associado com a
capacitância. Assim o termo K1s pode ser escrito como
onde ∆11, ∆12, e ∆13 são os cofatores do determinante ∆(s). A inspeção do sistema
equação (341-343) mostra que Cπ aparece somente no primeiro termo de (348). Assim o
coeficiente de sCπ nesta equação é encontrado calculando ∆ 11 com C µ = Cx = 0, o que
eliminará os outros termos capacitivos em ∆11. Mas o coeficiente de s Cπ é justamente h1
na equação (347), e assim
h1 =∆11Cµ = Cx = 0 (349)
h2 =∆22Cπ = Cx = 0 (351)
h3 =∆33Cπ = Cµ = 0 (352)
167
Combinando (347) com (349), (351), e (352) resulta
v1 = ∆11i1 /∆(s)
e assim
No começo desta seção nós mostramos que se não existe nenhum zero dominante
na função de transferência do circuito e se existe é um pólo dominante, então a banda
–3dB (ω -3dB ) do circuito é aproximadamente igual a
ou em Hz
Exemplo 1:
C v0
R’L
RS Cµ
B rb
ve
hf re
Cπ re
R1 //R2
R’L = RL//RC//r0
E
C v0
R’L
Rµ0 Cµ
B rb
hf re R π0
Cπ re
R’S
R’L = RL //R C//r 0
R’S = R 1 // R2//RS
E
A impedância vista pelo capacitor Cπ , Rπ0, é por inspeção da figura acima é igual
a
Para determinar a impedância vista pelo capacitor Cµ , Rµ0, vamos aplicar uma
fonte corrente (iµ) no lugar do capacitor Cµ, medir a tensão (v µ ) e determinar Rµ0
através da sua definição (Rµ0 = vµ /iµ ) . Para isto é conveniente redesenharmos o circuito
acima como mostrado na figura abaixo
C v0
ie + i µ
R’L
vµ iµ
B rb v1
hf re ie/hf
ie re
R’’S
R’L = RL//RC//r0
R’’S = R 1 //R 2//RS
E
v0 = - R’L (i e + iµ ) (362)
Agora
Portanto
A conclusão que chegamos é que: primeiro, a análise pelo método das constantes
de tempo de valor zero fornece o mesmo resulta mas o um esforço bem menor; segundo,
nenhuma informação é fornecida a respeito dos pólos não dominantes.
Como mais uma ilustração do uso e limitação da análise método das constantes
de tempo de valor zero, vamos analisar outro exemplo, agora um amplificador seguidor
de emissor (coletor comum), sem o efeito do capacitor Cµ..
172
Exemplo 2:
RS
B rb
ve
hf re
Cπ re
R1 //R2 = RB
E
v0
R’L
B rb
ib iπ
hf re
vπ
i e/hf r e ie
R’S = R1 //R2 //R S
E
v0
i e (1+1/h f)- iπ
R’L
173
Da figura temos
i e = vπ /re (375)
Finalmente
Rπ0 = vπ/ iπ = re (R’S +rb + R’L )/[ (R’S +rb )/hf +re +(1+1/hf )R’L ]
Rπ0 ≈ re (R’S +rb + R’L )/[ (R’S +rb )/hf +re +R’L ] = k.re
onde
A real vantagem da análise pelo método das constantes de tempo de valor zero
aparece quando analisamos o comportamento em freqüência de circuitos com mais de
um estágio e configuração compostas.
V CC
RC1 RC2
R1 C2 R3 C3
Q1 v0
RS Q2
C1
C s2
ve vi R L2
Cs1
R2 R4
RE1 C E1 R E2 C E2
Como a literatura não citar nada sofre o efeito a ser descrito chamaremos de
efeito “Trans” para lembrar que este é provocado pela transcondutância (ou
transresistência). O elemento transcondutância apresentado terá tres terminais e
dependendo da conexão existirá dois efeito que chamaremos de “Trans up” e Trans
down.
175
Rx Efeito “Trans”
2) A transcondutância g m está
conectada entre os terminais
Da figura, temos
Rx = vx /i x
i e = gm ve = ve/r e = Ri ix/r e
ix
2) v0 = -RL (i x + ie ) = -RL ix - RLRi i x/re
vx ix
ie = gmve ie vx = ve - v0 = Ri ix +RL ix + RLRi ix/re
ix v0
ve ie Portanto
i e+ ix
RC = v x/ ix = Ri (1+RL/re ) + RL
Ri
RL Fator de aumento
176
O efeito “Trans down” diminui a impedância entre dois terminais pelo fator
(1 +RL/r e ) quando existe uma transcondutância, gm = 1/r e, conectando estes terminais.
Estes terminais estão ligados entre as entradas + e - da transimpedância.
ve ie
Rx = Ri + RL
2) A transcondutância está
Ri RL conectada entre os terminais
Da figura, temos
i e = gm ve = gm vx = vx/re
Rx = vx /i x
v0 = RL (ie – ix ) = RLv x/re - RLi x
ix
2) vx = vR - v0 = Ri ix - RLv x/re + RL ix
vx
ix ie = gmve Portanto
vR
ve ie Rx = vx/ ix = (Ri + RL )/(1+ RL/re )
ix
ou Fator de redução
Ri ie - ix
RL
177
Com o objetivo de aplicarmos o efeito “Trans up” descrito acima
também em transcondutância com impedância de entrada e degenerado com
uma resistência RE , faremos o desenvolvimento abaixo de um circuito
equivalente para este circuito.
então
hf r e
ve
ie
Ri = v ’e /i b = hf re + (hf +1)RE
Ri
Ri ≈ hf re + hfRE = hf(re + RE)
RE i e + ib
E a transcondutância será agora
determinada. Da figura, temos
A transcondutância é igual à
C v0
RE R’L
RL
Rµ0
B rb
hf re Rπ0
re Cπ = Cµ = 0
R’S
R’L = RL //R C//r 0
R’S = R 1 //R2//RS
E
Observando que
i e = gmv e
i e = gmv e = ve /re
ve ie ve
re
ie
Rµ0 = Ri + RL + Ri RL/re = Rπ0 + R’L + Rπ0 R’L/re = Rπ 0 (1+ R’L/r e + R’L /Rπ 0 )
Ri
ve =0
RS
B rb
ve
hf re Rπ 0
re
R1 //R2 = RB
RL
E v0
R’S =R1 //R 2 //RS
R’L
Observando que
i e = gmv e
i e = gmv e = ve /re
ve ie ve
re
ie
C v0
Ri R’L
RL
Rµ0
B rb
hf re
re Cπ = Cµ = 0
R’S
R’L = RL //R C
R’S = R 1 //R2//RS
E
RE
Observando que
i e = gmve
i e = g’mv’e = v’e/r’e
ve hf re
re ie v' e hf r’e
r'e
ie
r’e = re +RE
RE
Rµ0 = Ri +RL +Ri RL/r’e = (R’s+r b)//hf r’e +R’L +(R’s+rb )R’L/r’e
Exemplo 4:
C1 C2
Q1 Q2
Cµ 1 Cµ 2
r b1 rb2
B1
hf1 re1 B2 h f2 r e2
C p1 Cp2
Cπ 1 r e1 Cπ 2 re2
R’S R’L1 R’L2
E1 E
R’S =R1//R2 //RS R’L1 = R3 //R4//RC1 R’L1 = RC2 //RL2
Dados:
C1 C2
Q1 Q2
Rµ 01 Rµ 02
r b1 rb2
B1
hf1 re1 B2 h f2 r e2
Rπ 01 Rp01 Rπ 02
r e1 re2 Rp02
R’S R’L1 R’L2
E1 E
R’S =R1//R2 //RS R’L1 = R3 //R4//RC1 R’L1 = RC2 //RL2
Da figura, temos
Ω
Rp02 = R’L2 =5kΩ
Agora vamos determinar o restante das resistências, que são Rµ01 e Rµ02. Estas
resistências têm os seus valores aumentado pelo efeito da “Tranr up” das
transcondutâncias gm1 = 1/re1 e gm2 =1/re2.
Da figura vemos que a resistência vista nos terminais de Rµ01, são Rπ01 e Rp01 ,
portanto
E finalmente, da figura vemos que a resistência vista nos terminais de Rµ02, são
Rπ02 e Rp02 , portanto
1
f -3dB ≈ 1/2π b1=1/2π∑Τ0 = ≅ 413kHz
2π (34,2ns + 10,2ns + 51ns + 10ns + 116,66ns + 163,2ns)
385,3ns
A conclusão que chegamos é que a análise acima pelo método das constantes de
tempo de valor zero foi obtida com o esforço relativamente pequeno. Neste exemplo ,
como é usualmente o caso em cascatear emissor comum, a capacitância, Cµ , é a maior
contribuição ao pólo dominante do circuito.
Dados Q1
r 01 = ∞ Ω rb1 =200Ω
Dados Q2
r 02 = ∞ Ω r b2 =200Ω
VCC =20V
RC
Ω
1kΩ CC
R1 CS2 µF
10µ
10 k Ω
v0
CB
µF
10µ
Q2
CS1
R2
Ω
10kΩ
RS
Ω
1kΩ
Q1
CS VB
ve
10µ F VE
RE
R3
Ω
74Ω
1,95k Ω
CB
REP µF
10µ
1kΩ
Amplificador cascode
185
1) Análise DC (determinar re1 e re2)
Da figura, temos
= 215,8 kΩ então
RC
1kΩ
Q2 v0
rb2
β 2 re2 re2
R2 vx
10kΩ
RS Z 0 ≈ re2
Ω
50Ω Q1
rb1
v'e Q’ 1
ve
β 1 re1 re1
rb1
R3 ZB =β 1 r’e1
1,95k Ω RE
β 1 r’e1 r' e1
Ω
74Ω
r'e1 = re1 +RE
C2
Q2
R S02
RC
Ω
1kΩ
Rµ 02
r b2
B2
hf2 re2
Rπ 02
r e2
Z 0 = α 2 re2 +rb2/(1+hf2) ≈
ZE = ∞ E2
C1
Q1 R S01
R2
Ω
10kΩ
Rµ 01
r b1
RS B1 Q’ 1
Ω
50Ω hf1 re1
Rπ 01
r e1 rb1
R3
1,95k Ω Z i ≈ RS
β 1 r’e1 r' e1
RE r'e1 = re1 +RE
Ω
74Ω
187
Inicialmente vamos determinar as resistências vista pelos capacitores que tem
um dos terminais aterrado, que são RS01 e RS02.
Da figura , temos
Ω
RS02 = RC = 1kΩ
A resistência Rπ01 tem o seu valor reduzido pelo efeito “trans down” devido a
transcondutância re1 e está em paralelo com hf1re1. Portanto
A resistência Rµ01 tem o seu valor aumentado pelo efeito “trans up” devido a
transcondutância equivalente r’e1. Portanto
e RL = Z0 ≈ r e2 =26Ω portanto
Rπ02 = (Ri +RL )/(1+RL/r e2 )//hf re2 = (Ri+Z E)/(1+ZE/re2)//hfre2 = r e2//hfre2=r e2 =26Ω
Para terminar Rµ02 basta observar que a condutância equivalente r’e2 é igual a
zero (1/(re2 +ZE). Logo
Ω
Rµ02 = Ri (1+RL /r’e2) + RL = Ri + RL = rb2 + RC = 200Ω +1kΩ =1,2kΩ
188
A soma das constantes de tempo de valor zero é igual a
∑T0 = (26Ω)(0,4pF)+(1kΩ)(0,35pF)+(78,2Ω)(13,7pF)+(337Ω)(0,23pF)+
+(26Ω)(13,7pF)+(1,2kΩ)(0,20pF)
≈ 0,001ns+0,35ns+1,07ns+0,07ns+0,35ns+0,2ns ≈ 2,04ns
• Introdução:
A figura abaixo mostra o símbolo de um opamp básico com duas entradas e uma
saída. É claro que existem outros terminais como os de alimentação, ajuste,
compensação e outros que neste momento foram omitidos.
Entrada Inversora
V-
A =∞
Rf
Ve Ri
opamp
V0
Amplificador inversor
191
Note que as variáveis de entrada e saída são assinaladas com letras
maiúsculas o que significa que esta análise é válida não só para pequenos mas também
para grandes sinais.
A figura mostra o amplificador acima com o opamp substituído pelo seu circuito
equivalente.
I
Rf
A =∞
I
A(V+ -V- )
Ve Ri Vx
V0
Da figura, temos
Fazendo A ∞
Isto é, a fato do ganho de tensão A (de malha aberta) ser muito elevado faz com
que a tensão na entrada inversora será muito próxima de zero volts. Generalizando de
fato é a diferença de tensão entre o terminal não inversor e o terminal inversor que
tende a zero volts, ou seja, a corrente nos terminais são diferente mas a tensão é a
mesma. A isto damos o nome de curto virtual.
I Rf
0V
Ve Ri
Curto virtual opamp
V0
0V
Da figura, temos
Av = V0 /Ve = - Rf /Ri
A figura abaixo mostra o desenho deste amplificador com dois possíveis valores
de resistência. Note que como quem determina o ganho de tensão é a razão dos
resistores então existem infinitas soluções. É claro que outras considerações como
veremos adiante determinam os valores absolutos mais adequados para estes resistores.
Rf A = 200.000
Ω
10kΩ
Av = -10
Ve Ri
1kΩΩ opamp
V0
Ve
Assim o erro em utilizar o curto virtual é de - 0,0055%. Só pra ter uma idéia deste
erro não existe resistor comercial com tolerância menor do que 0,01%.
Av = -Rf /Ri 1/[1 + 1/A + Rf /Ri A] = -Rf /Ri 1/[1 + (1 + Rf /Ri ) /A]
Onde erro
Vamos utilizar outro exemplo para deixar bem claro o conceito de curto virtual e
erro associado. A figura abaixo mostra outro amplificador bem conhecido que é o
amplificador não inversor.Faremos análise deste com o conceito de curto virtual e a
análise exata.
Ve opamp
Ri V0
Rf
1) O opamp é ideal.
2) O opamp é ideal exceto que o ganho A é finito.
Ve
Ve A
Ri V’e V0
I Rf
1) Opamp ideal
Se o opamp for ideal existe um curto virtual entre as entrada deste, portanto
as tensões nestes terminais são iguais, ou seja, V’e = Ve. Desta forma da figura,
temos
Se o opamp for ideal mas o ganho A for finito, haverá uma pequena diferença
de tensão entre as entradas, ou seja, V’e ≠ Ve. Desta forma da figura, temos
A(Ve - V’ e ) = V0 e (384)
A(Ve - β V0 ) = V0
Se A tende a infinito
Se 1/ βA <<1, então
Av ≈ 1/β[1-1/βA]
erro
V+ Modelo opamp R0
V+
Ved Re AV ed V0
V0
V- V-
Ved = V+ - V-
If
Ri
Vx R0
Ve Ie Ii Re If
Ved AV ed V0
Ved = - Vx
onde
I e = Ii + If
Assim
Onde
onde
Então
a ≈ 1 e β’ ≈ β
ou seja, se a impedância vista pelo terminal inversor, que é igual à Rf //Ri , for muito
menor que a impedância de entrada do opamp então fator de realimentação β
praticamente não se altera.
Am = A’. β’ (393)
Opamp
ideal
V+
∆ IB
V0
V-
IB IB
Rf
Ω
10kΩ
Ve Ri
1kΩΩ opamp
∆ IB
V0
IB IB
Note que, como o sistema é linear vamos zerar a entrada Ve e verificar como a
tensão V0 é função das correntes de polarização. Além disso, a corrente de polarização
IB+ não tem nenhum efeito no terminal não inversor já que este está aterrado. Assim, o
circuito acima pode ser redesenhado como mostra a figura abaixo.
Ii = IB-
Ii = 0
Rf
Ri = 0V
opamp
ideal
V0
∆ IB = IB-
IB +∆
Devido ao curto virtual o terminal não inversor está em 0V, portanto Ii = 0 e toda
corrente IB flui pelo resistor Rf . Por inspeção da figura, a tensão de saída é dada por:
A equação (395) diz que o efeito da corrente de polarização foi de introduzir uma
tensão de offset na saída do amplificador proporcional à Rf IB-
Rf
Ve Ri
opamp
∆ IB ideal
V0
Rc IB IB
I
Rf
Ri V-
opamp
ideal
V+ V0
Rc IB
Da figura, temos
V+ = - Rc IB
A figura abaixo mostra o modelo do opamp quando se leva em conta esta tensão
de offset.
Opamp
ideal
V-
V0
V+
VOf
Vamos analisar o efeito desta tensão admitindo que o opamp é ideal exceto, é
claro, este parâmetro. Para isto, considere novamente o amplificador inversor mostrado
na figura abaixo, já com o modelo do opamp para esta característica e a entrada
aterrada.
205
Rf
Ri
V e=0 opamp
V0
V Of
V0Of
Ou seja, surge uma tensão residual de saída adicionada ao sinal de interesse
proporcional ao ganho de um amplifador não inversor vezes a tensão de offset do
opamp.
Exemplo:
onde
Vc = V1 +V2 = 0
207
V+ = V- = Ve portanto Vd = V+ - V- = 0
Vc = (V+ + V- )/2 = Ve
V + + V- ≈ 2V+
V0 = Ad (V’+ - V- )
A figura abaixo mostra o modelo do opamp que leva em conta opamp o ganho de
modo comum.
V0 = Ad (V+ + VCM - V-
V0 )
V+
V CM
VCM = V+ /CMRR
V+ + VCM - V- = 0 ⇒ V- = V+ + VCM
209
Exemplo 1:
Rf1
10kΩΩ
R i1
1kΩΩ
Ve1
Ri2 opamp
10kΩΩ V0
V e2 Rf2
10kΩΩ
Rf
Ri
V e2 = Vc +Vd/2 Rf
210
O amplificador de diferença é uma combinação de um amplificador inversor
com um amplificador não inversor.
A tensão Ve2 aparece na entrada não inversor dividida pelo divisor resistivo
Rf 2/(Rf2 +Ri2), então a tensão nesta entrada é
V0 Ve2 =(1+Rf1/Ri1 ) V+
Ve2 = Vc + Vd ≈ Vc
Logo
V+ = Rf /(Rf +Ri ) Vc
Portanto
onde
Note que uma baixa rejeição de modo comum combinado com um alto sinal de
modo comum de entrada pode resulta numa tenha residual de saída elevada.
Av d = Rf /Ri
portanto
Exemplo 2:
Rf1 = Rfn - ∆ R f1
∆ Ri1
Ri1 = Rin +∆
Ve1 = Vc -Vd/2
opamp
Ri2 = Rin - ∆ Ri2 ideal V0
Obs: Rfn e Rin são os valores nominais (note que δf1=δi1 = δf2 =δi2 =δ)
213
É fácil de mostrar que a situação mostrada na figura acima é uma das duas
possíveis condições de pior caso.
Portanto
onde
logo
CMRR = Avd / Av c
= [(1+Rf 1/Ri1 ) Rf2/(Rf2 +Ri2) + Rf1 /Ri1]/2 [(1+Rf1/Ri1 ) Rf2/(Rf 2+Ri2) - Rf1/Ri1]
=[(1+Rf 1/Ri1 )Rf2/ Ri2 + (1+Rf2/Ri2 ) Rf1/ Ri1]/ 2[Rf2/ Ri2 - Rf1/ Ri1]
Desta forma podemos escrever a expressão para CMRR para condição de pior
caso substituindo,
Assim
se δ <<1
CMRR ≈ K /4δ
δ
Logo
Ou
Opamp ideal
V-
VPS
VPS = ∆ VPS /PSRR
onde
-1
Ou, de forma análoga a CMRR, a unidade de PSRR que expressa de forma
direta o efeito de PSRR em µV/V (PSRR ). Assim da expressão (407)
-1
Por exemplo, ,um opamp com 100dB de PSR equivale a PSRR = 105, portanto
-1 -=5
CMRR = 10 =10µV/V, o que significa dizer que uma tensão de offset (V PS) de 10uV
aparece na entrada não inversora para cada volts de variação na fonte de alimentação .
Amplificador de Precisão
TLE2027 (TEXAS)
TLE2027A
• Voltagem de Offset
1000 TLE2027
TLE2027A..........25µV máx
TLE2027 .........100µV máx
100
µV 100µ V
• Ganho de malha aberta
10
45 V/µV ou 153 dB 25µ V
9µV
• Voltagem de ruído 1000
1.4µV
3.3 nV/√Hz @ 10 Hz
nV
2.5 nV/√Hz @ 1 kHz 100
90nV
• Produto Ganho Banda 10 50nV
15 Mhz V
Slew Rate (SR) ≡ máxima taxa na qual a saída do opamp pode variar,
normalmente dada em volts por micro segundo (V/µs)
Se um sinal de entrada for aplicado em um “buffer” por exemplo, tiver uma taxa
de variação maior que o SR do opamp, a saída não será capaz de variar suficientemente
rápido, resultando em um sinal ceifado ou distorcido. De qualquer forma a saída não
manterá inalterada a forma de onda do sinal de entrada.
V0 ≠ Ve
Ve
V0
∆V
Ve V 0 ≠ Ve
V0
∆V
Note que para fortes limitações a senóide na saída do opamp transforma-se numa
forma de onda triangular.
Exemplo 1:
Para um opamp coma Slew rate de 2V/µs, qual é o máximo ganho de tensão de
malha fechada que pode ser usado quando o sinal de entrada varia 0,5V em 10µs.
Solução:
Como
V0 = Av Vi , podemos usar
Portanto
V0 = Ksen(2 πft)
219
dV 0 /dt = K2πfcos(2πft)
Para evitar distorções na saída, esta taxa deve ser menor ou igual que o Slew rate
do opamp. Isto é,
K2πf ≤ SR portanto
f ≤ SR/ 2π K
Exemplo 2:
Para o sinal e circuito da figura abaixo, determine a máxima freqüência que pode
ser usada, a fim de evitar distorções. O SR do opamp é igual a 0,5V/µs.
Rf
240kΩ
π ft)
Ve = 0,02sen (2π
Ve Ri
Ω
10kΩ opamp
V0
Av = - Rf /Ri = 240kΩ/10kΩ = 24
V0 = Av Ve = 24 Ve = 0,48sen (2πft)
Portanto K = 0,48V e
Sinal de
entrada
tempo
Sinal de
Valor final =VF
saída
0,1% de VF
ts
tempo
Ad
A0
-3dB
0dB
1Hz fC f1 frequência
Um ganho de malha aberta (diferencial) descrito como o gráfico acima pode ser
expresso pela equação
Ad = A0 /(1+jf/fC ) (409)
Onde
Para altas freqüências a equação (409) pode ser bem aproximada por:
Ad ≈ A0 fC /jf
e o seu módulo
Ad ≈ A0 f C/f
A0 f C /f 1 = 1 ⇒ f1 = A0 f C
Exemplo 3:
Rf
A = A0 /(1+jf/f C)
Ve Ri
A
V0
223
Solução:
onde
Isto é,
Além disso, a expressão (410) mostra que o produto ganho x banda (f’C x Av )
do amplificado inverso é aproximadamente constante e igual ao produto ganho banda
do opamp (f 1 ).
Av
-3dB
0dB
1Hz fC f' C f1 freqüência
1) Amplificadores básicos
ü Amplificador Inversor
Av = -Rf /Ri
Rf
Ie
Ve Ri 0V
0V V0
Rc = Rf //Ri
Amplificador inversor
Ri = Ve/Ie
Outro circuito com opamp bem comum é o amplificador não inversor também já
estudado anteriormente. A figura abaixo mostra a configuração padrão. Como já foi
visto, o ganho de tensão é dado por:
Av = 1+ Rf/Ri
Rc = Rf //Ri
Ve
V0
Rf
Ri
Ve
V0 = Ve
Buffer de tensão
Av = 1+ Rf/Ri
Se Rf = 0 e Ri =∞
Av = 1
228
ü Ganho com múltiplos estágios
Rc2
A1
V0
R f1 A2
Rf2
Ri1
R i2
V1 R1
Rf
R2
V0
V3 R3
Amplificador de soma
Uma aplicação para tipo de circuito seria por exemplo, na mixagem de sinais de
áudio.
230
ü Amplificador de diferença
Este amplificador pode ser utilizado quando a informação que se deseja extrair
está na diferença de duas tensões.
Ri1
V1
opamp
Ri2 V0
V2 R f2 ∆R
Rf2n - 2∆
2∆ R
Amplificador de diferença
V0 = Rf / Re (V2 – V1 )
Um circuito que fornece uma saída baseada na diferença entre duas entradas
(vezes um fator de escala) uma alta impedância de entrada e uma alta rejeição a sinal
de modo comum é considerado um amplificador de instrumentação. Uma das
configurações clássica é o circuito formado por três opamp como mostra a figura
abaixo. O resistor RG ajusta o ganho do amplificador e o resistor RCM maximiza a
CMR. Os dois opamp de entrada fornecem todo o ganho diferencial e o opamp de saída
(amplificador de diferença) converte a diferença de tensão em uma saída simples
rejeitando o sinal de modo comum.
V1 V s1 R R
Rf
V sd =(Vs2 –Vs1)
RG
Vsc =(Vs2 +Vs1 )/2
Rf V0 = V0d +V0c
Vd =V2 – V1
Vc =(V2 +V1)/2
V02
R
V0 = (1+ 2R f/R G)V d + AC Vc
Rf
I
V 0 = Rf.I
V 0 = Rf.(I1 –I2)
Rf
I1 I2
Quando se deseja converter uma tensão em uma corrente podemos fazer uso dos
conversores de tensão corrente. A figura abaixo mostra um conversor tensão corrente
onde a corrente é “puxada” (sink). O dispositivo, D pode ser um transistor bipolar NPN
ou, no caso de uma fonte de corrente precisa, um transistor jfet canal N.
I = Ve/R
Ve D
Ve
Ve = DC maior que 0V
ou
Ve = AC com menor valor R
maior que 0V
Ve Ve R
Ve = DC maior que 0V
ou
Ve = AC com menor valor I = Ve/R
maior que 0V
ü Integrador
i
C
R
Ve
V0
Integrador básico
Da figura, temos
V0 = -1/RC∫ Ve dt
π RPC ≈ alguns Hz
1/2π
C
Ganho em DC = -Rp/R
R
Ve
V0
Integrador prático
235
ü Diferenciador
i R
C
Ve
V0
Diferenciador básico
Da figura, temos
V0 = -RCdVe/dt
Diferenciador prático
236
4) Filtros ativos
Os filtros ativos é um tema bastante extenso e está fora dos objetivos deste curso.
Apenas para exemplificar apresentaremos uma classe de filtro ativo bastante popular
chamados circuitos VCVS (do inglês, voltagem-controlled voltage-source), também
conhecidos simplesmente como filtro com fonte controlada (controlled-source filter).
ü Filtro Passa-Baixas
C
fc = 1/2π RC
R R
Ve C
V0
A2
(k -1)Rc
logk
-40dB/década Rc
1 estágio 2 estágio 3 estágio
fc f 2a ordem
6 a ordem
n° de estágios n k1 k2 k3
1 2 1,586 ---- -----
2 4 1,152 2,235 -----
3 6 1,068 1,586 2,484
237
ü Filtro Passa-Altas
R
π RC
fc = 1/2π
C C
Ve
R
V0
A2
(k -1)Rc
logk
+40dB/década Rc
1 estágio 2 estágio 3 estágio
fc f 2 a ordem
6a ordem
n° de estágios n k1 k2 k3
1 2 1,586 ---- -----
2 4 1,152 2,235 -----
3 6 1,068 1,586 2,484
238
5) Circuitos não lineares
O retificador de meia onda mostrado na figura abaixo fornece duas saída, uma
Que é a porção positiva do sinal de entrada e outra que fornece a porção negativa do
sinal de entrada.
I+ V0-
R D1
I+
Ve
I-
D2
V0 +
I
O retificador de onda completa mostrado na figura abaixo fornece uma saída que
é o módulo do sinal de entrada. Este circuito é uma combinação de retificador de meia
com um amplificador somador.
x1
Retificador de Amplificador
meia onda somador V0
Ve x2
R
+
R/2 =
R
R
D1
R
Ve
V0
D2
C1
Iref
D1
Q1
R
Ie Iref
Ve V0 -1,0V/década
OP 1
Q2 OP2
V0
VB V’B
Rf
Ri Ω
15,7kΩ
Amplificador logaritmico 1kΩ
I e = Ve /R
V’B = VBE(Q2 ) - VBE (Q1) = VTlnIref /Is - VT lnIe/I s = -VTln Ie /Iref = VTlnVe /RIref
Ou na base 10
Uma conexão típica está mostrada na figura abixo. O sinal de entrada, Ve, é
aplicado a um circuito misturador (ponto de soma), onde é combinado com o sinal
realimentado, Vf. A diferença entre estes sinais, Vi, é então a tensão de entrada para o
amplificador. Uma porção da saída do amplificador , V0, é conectada ao circuito de
realiemntação (β), que apresenta um aparte reduzida da saída como sinal de
realimentação ao circuito misturador.
Vi
Ve
V0
Vf
β
Note que na lista acima, tensão refere-se a conectar em paralelo com a tensão
de saída a entrada do circuito de realimentação; corrente, refere-se a conectar em
série (amostra a corrente) a saída do amplificador e a entrada do circuito de
realimentação. Ainda, série significa conectar o sinal realimentado em série a uma
fonte de tensão na entrada; paralelo quer dizer conectar o sinal realimentado em
paralelo a uma fonte de corrente na entrada.
Ii
If
I0 Ii I0
If
3. Vf β =Vf /I0 4. β =If /I 0
Conexões de realimentação
243
A seguir examinaremos o ganho de cada uma das conexões. O ganho sem
realimentação, A,e chamaremos de ganho de malha aberta e corresponde ao ganho do
estágio amplificador. O ganho resultante após a realimentação, Af , e chamaremos de
ganho de malha fechada. As impedâncias de entrada e saída também serão examinadas.
Tipo
Amplificador
R0
Ve V0 RL
Vi Ri AVi
Vf β V0
Amplificador
R0
Ve RL
Vi Ri AVi V0
Circuito de realimentação
Rr 0
V’f βV0 Rri
R0 //Rri
AVi
Norton Thevènin A’Vi
R ri AVi /R0 R0 //Rri
Amplificador
R0//Rri
Ve RL
Vi Ri +Rr0 A’Vi V0
Vf β V0
Para esta análise vamos nos reportar as figuras anteriores. Se não houver
realimentação (Vf =0), o ganho de tensão do estágio amplificador (ganho de malha
aberta com RL = ∞) é
A = V0 /Ve = V0 /Vi
Vi = Ve - Vf
V0 = A Vi = A (Ve - Vf) = A Ve - A Vf = A Ve - Aβ V0
então
V0 (1+ Aβ) = A Ve
• Impedância de entrada
Ie
R0
Ve RL=0
Vi Ri AVi V0
Circuito de realimentação
Z ef =Ve /Ie
Vf β V0
Matriz G
Ri Ie = Ve - β V0
Ve = Ri Ie +β V0 = Ri Ie +βAiRi Ie
Ve = (1+βA)Ri Ie
Portanto
I0
R0
Vi Ri AVi V0 RL
Circuito de realimentação
Z0f =V0/I 0
Vf βV 0
V0 = R0 I0 + AVi
para Ve = 0 Vi = -Vf
portanto
V0 = R0 I0 – AVf = R0 I0 – AβV0
portanto
Amplificador
R0
Ve RL
Vi Ri AVi V0
R0 +Rri
série paralelo
Vf β V0
R0 /(1+β A)
Ve β A)
Ri (1+β A/(1+ β A)Ve V0 RL
Circuito equivalente
250
ü Realimentação de corrente em série (série-série)
Amplificador
Ve R0 RL
Vi Ri AVi V0
Circuito de realimentação
série série
I0
Vf β I0
Matriz Z
Ve RL
Vi Ri AVi R0 V0
Circuito de realimentação
I0
Rr 0
V’f β I0 Rri
R0
Rri Rri
Amplificador
R0 +R ri
Ve RL
Vi Ri + Rr0 A’Vi V0
A’ = AR 0 /(R0+Rri)
Circuito de realimentação
I0
Vf β I0
Para esta análise vamos nos reportar as figuras anteriores. Se não houver
realimentação (V f =0), o ganho do estágio amplificador com RL =0 (ganho de malha
aberta) é
A = I0 /Ve = I0 /Vi
Vi = Ve - Vf
I 0 = A Vi = A (Ve - Vf ) = A Ve - A Vf = A Ve - Aβ I0
então
I 0 (1+ Aβ) = A Ve
• Impedância de entrada
Ie
Ve RL=0
Vi Ri AVi R0 V0
I0
Circuito de realimentação
Z ef =Ve /Ie
Vf β I0
Ri Ie = Ve - β I0
Ve = Ri Ie +β I0 = Ri Ie +β ARi Ie
Ve = (1+βA)Ri Ie
Portanto
• Impedância de saída
I0
Ve=0 R0 RL
Vi Ri AVi V0
Circuito de realimentação
Z0f =V0/I 0
Vf β I0
I0
V0 = R0 (I0 + AVi )
V0 = R0 I0 (1+ Aβ
portanto
Amplificador
R0
Ve RL
Vi Ri AVi V0
R0 +Rri
série série
Vf β I0
Ve β A)
R0 (1+β
β A)
Ri (1+β V0 RL
A/(1+ β A)Ve
Circuito equivalente
256
ü Realimentação de tensão em paralelo (paralelo-paralelo)
Ii
R0
Ie
Ri AIi V0
Circuito de realimentação
If
βV 0
R0
Ie If RL
Ri AIi V0
Circuito de realimentação
If βV00
Rr 0 Rri
R0
Ii Amplificador
R0 //Rri
Ie If RL
Ri //Rr0 A’Ii V0
Circuito de realimentação
paralelo paralelo
β V0
A’ = ARri /(R 0+Rri )
Para esta análise vamos nos reportar as figuras anteriores. Se não houver
realimentação (If =0), o ganho do estágio amplificador com RL=∞ (ganho de malha
aberta) é
A = V0 /Ie = V0 /Ii
I i = Ie - If
V0 = A Ii = A (Ie - If) = A Ie - A If = A Ie - Aβ V0
então
V0 (1+ Aβ) = A Ie
• Impedância de entrada
Ie R0
Ve Ri AIi V0 ∞
RL=∞
Circuito de realimentação
Z ef =Ve /Ie
If
β V0
Ri Ie = Ve + β A Ve
Ri Ie = Ve (1+ β A)
Portanto
Ii I0
R0
Ie =0 RL
Vi Ri AIi V0
Circuito de realimentação
If
Z0f =V0/I 0
βV 0
V0 = R0 (I0 + AIi)
para Ie = 0 I i = -If
portanto
V0 = R0 I0 - R0 AIf = R0 I0 - R0AβV0
portanto
Ii
R0
Ie V0
Ri AIi
Circuito de realimentação
If
βV 0
β A)
R0 /(1+β
β A)
Ri /(1+β A/(1+ β A)Ie V0 RL
Circuito equivalente
262
ü Realimentação de corrente em paralelo (paralelo-série)
Ii
R0
Ri AIi V0 RL
Circuito de realimentação I0
If
β I0
R0
Ie
Ri AIi V0 RL
Circuito de realimentação I0
If
Rr 0 β I0 Rri
R0
Ii Amplificador
R 0+Rri
Ie If RL
Ri //Rr0 A’Ii V0
Circuito de realimentação I0
paralelo série
βV
I00 A’ = AR0 /(R 0+R ri)
Para esta análise vamos nos reportar as figuras anteriores. Se não houver
realimentação (If =0), o ganho do estágio amplificador com RL =0 (ganho de malha
aberta) é
A = I0 /I e = I0 /Ii
I i = Ie - If
I 0 = A Ii = A (Ie - If ) = A Ie - A If = A Ie - Aβ I0
então
I 0 (1+ Aβ) = A Ie
• Impedância de entrada
Ie R0
Ve Ri AIi V0 R L=0
Circuito de realimentação
I0
Z ef =Ve /Ie
If
β I0
Ri Ie = Ve + βAVe
Ri Ie = Ve (1+ β A)
Portanto
Ii I0
R0
Ie =0
Vi Ri AIi V0 RL =0
Circuito de realimentação
If
Z0f =V0/I 0
β I0
V0 = R0 (I0 + AIi)
V0 = R0 I0 - R0 AIf = R0 I0 + R0 AβI 0
portanto
Ii I0
R0
Ie RL
Ri AIi V0
Circuito de realimentação
If
β I0
β A)
R0 (1+β
Ie β A)
Ri /(1+β V0 RL
β A)Ie
A/(1+β
Circuito equivalente
268
A tabela abaixo mostra um resumo dos efeitos de cada uma das conexões de
realimentação sobre a impedância de entrada e de saída.
I1 I2
V1 V2
Quadripolo
Y11 Y12
Y =
Y21 Y22
I 2 = Y21V1 + Y22V2
270
onde
Z= Z 11 Z12
Z 21 Z22
Assim, a primeira das equações
G11 G12
G=
G21 G22
H11 H12
-1
H=G =
H21 H22
Y Z
I1 I2 I1 I2
Z11 Z22
V1 Y 22 V V1
Y11 2 V2
Y 12V2 Y 21V1 Z12I2 Z21I1
Y21 = I2 /V1 V2=0 Y 22 = I2/V 2 V1=0 Z21 = V2/I 1I2=0 Z22 = V2/I2I1=0
I1 G I2 I1 H I2
G11 H2 2
V1 G22 V2 V1 H1 V2
G12V2 G21I 1 H1 2I2 H 2 1V1
G11 = V1 /I1 V2=0 G12 = V1 /V 2 I1=0 H11 = I1/V1I2=0 H12 = I1/I2 V1=0
G21 = I2/I 1 V2=0 G22 = I2/V2I1=0 H21 = V2 /V1I2=0 H22 = V2 /I2 V1=0
Amplificador
R0
Ve
Vi Ri AVi V0 RL
H 11 = I1 /V1 I2 = 0 H2 2
H 21 = β = V2 /V1 I2=0
Vf =V2 saída βV 0 entrada
H 22 = V2 /I2 V1 = 0 H1 1
β = H2 1
Matriz H
Amplificador
Ve RL
Vi Ri AVi R0 V0
Variáveis independentes
I1 =I0 e I2 I2 Circuito de realimentação
I0
Z11 = V1 /I1 I2 = 0
Z21 = β = V2 /I1 I2=0 Z22
Z22 = V2 /I2 V1 = 0 Vf = V2 saída β I0 Z11 entrada
I1 =I0
β = Z21
Matriz Z
Amplificador
Ii
R0
Ie If RL
Ri AIi V0
Y11 = I1 /V1 V2 = 0
Y21 = β = I2 /V1 V2=0
I f =I2 β V0
Y
R22
r0 R11
Y V 1 = V0
Y22 = I2 /V2 V1 = 0
ri
β = Y21
Matriz Y
Ii
R0
Ie
Ri AIi V0 RL
Matriz G
Obs: Na verdade mais importante que saber o tipo da matriz é saber quais são as variáveis
independentes.
275
Amplificador
R0
Ri AIi V0 RL
saída Y
R22
r0
βV 0 R11
Y entrada
ri
β = Y 21
Matriz ?
A figura acima mostra que o circuito de realimentação pode ter como entrada e
saída tensão ou corrente.
Rf
Ie
V0 = -Rf.I e
• Análise direta
Circuito de realimentação
If Rf
Ve
Ie
Ii R0
I0
Vi Ri -AVi V0
Da figura temos
Temos ainda
Vi = Ve (427)
Portanto
Note que como na prática a condição A >> R0 //Rf é sempre verdadeira. Logo
If Rf
Ix I0
Ii R0
Ie=0
Vi Ri -AVi
V0
Amplificador
Z 0 =V0 /I0
I 0 = Ix + If = Ix + Ii (430)
V0 [1+ARi /(Rf + Ri )] = R0 Ix
Eliminando I x em (433)
Portanto
Z0 = R0//Rf ./G
Onde G = Rf /(R0 +Rf ){1+R0 /(Rf +Ri )} + T onde T é dado por (429)
Amplificador
Ve
Ie
Ii R0
I0
Vi Ri -AVi
V0
Circuito de realimentação
I2 I1
Rf
V2 = Vi saída entrada V1 = V0
Para deixar mais claro vamos repetir a figura acima com os parâmetros do
quadripolo equivalente.
280
Amplificador
Ve
Ie
Ii R0
Vi Ri -AVi
V0
Circuito de realimentação
I2
V 2 = Vi saída Rf Rf entrada V1 = V0
-RfV0
Amplificador
Ve
Ie
Ii R0 //Rf
-A’ = -A Rf/(R0+Rf)
Vi Ri /Rf -A’Vi
V0
Circuito de realimentação
I2
1+βA = 1 + (–1/Rf )(-AI) = 1+ 1/Rf A’Ri//Rf = 1+ ARf Ri/(Rf +R0 )(Rf +Ri )
Ze = Ri//Rf /(1+T)
Z0 = R0//Rf /(1+T)
Exemplo 2:
Ve
V0
R2
R1
Amplificador
Ve
R0
Vi Ri AVi V0
Circuito de realimentação
I2
I1
R2
R1 entrada V1 = V0
Vf = V2
Ve
R0
Vi Ri AVi V0
Circuito de realimentação
I2
I1
H22
H2 1V0 H1 1-1 entrada V1 = V0
Vf = V2
Ve Ri
Vi R0 //H11-1
V’i A’V i =A’’V’i V0
H22
H2 1V0 entrada V 1 = V0
V f = V2
Circuito equivalente
284
Portanto o fator de realimentação é igual a
1+βA ≈ 1+(R1/(R1+R2 ) A