Trans Pep 206 Dis Positivo S

DISPOSITIVOS
ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA ELECTRÓNICOS DE POTÊNCIA
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA:

A K
1. diodo
A K
2. tiristor - (SCR) “silicon controlled rectifier”.
G
A K
3. tiristor de corte comandado (GTO) - “gate turn off thyristor”.
G
E C
4. transistor bipolar - (TJB). B B

D D
C E
5. transistor de efeito de campo de potência (MOSFET). G
G
S
C S
6. IGBT - “insulated gate bipolar transistor”. G

E
A
7. MCT - “MOS controlled thyristor”. G

K
IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

2003
DISPOSITIVOS
A K
DIODO 5000 V, 10000A
K
TIRISTOR A lentos: 5000V, 5000A, tq=100μs
G rápidos: 2000V, 200A, tq=20μs
A K
GTO 4500V, 1000A
G 9000V, 9000A (módulos)
E C
TRANSISTOR B B 2000V, 2 a 10A

BIPOLAR 1000V, 100A
C E
D
D
MOSFET 100V, 30A
G G
S
1000V, 6A
S
C
IGBT G 3500V, 300A

E

2003
DISPOSITIVOS
A K
Diodo
Conduz se a tensão vAK se tornar positiva.
Esquema equivalente
Bloqueia se a corrente IF se tornar negativa do diodo em condução
Rj
Característica
Característica Característica
Característica Vj
ideal
ideal real
real
Potência dissipada:
IF IF PF=VFIF=VjIFav + RjIFef2
Resistência térmica do
dissipador:
VAK VAK
Tjmax - Ta = Rth j-a PF

2003
DISPOSITIVOS
Limites de operação:
VRRM - tensão inversa máxima de pico repetitivo

IFRMS - máximo valor eficaz da corrente directa
IFAV - máximo valor médio da corrente directa
IFRM - máximo valor de pico rep. da corrente directa
IFSM - máximo valor de pico não rep. da
corrente directa t
I2t - característica de choque térmico I 2

t = ∫ D dt
i 2
1t
valor médio da corrente directa I F ( av ) = ∫ iD dt
T0
t
1
valor eficaz da corrente directa = ∫
2
I F ( RMS ) iD dt
T 0

2003
DISPOSITIVOS
Característica dinâmica
Característica dinâmica
trr – tempo de recuperação inversa;

intervalo de tempo entre a inversão da
i máx corrente e a intersecção da tangente no
início da subida com o eixo t
t rr
Qrr – carga de recuperação inversa (C);
Carga eléctrica removida da junção
Q rr t durante a transição ON-OFF
I RM
ta – tempo de armazenamento;
Intervalo desde que se inverte até
ta começar a subir exponencialmente

2003
DISPOSITIVOS
Passagemààcondução
Passagem condução
IF Carga de capacidade
vAK t Potência dissipada

t
Passagemao
Passagem aocorte
corte
IF
Circuito de protecção para evitar
oscilações: vAK t
Problemas quando a frequência t
aumenta
com RC

2003
DISPOSITIVOS
Classificação de
Classificação de díodos
díodos
Recuperação
Recuperaçãorápida
rápida
Schottky
Schottky Rectificadores
Rectificadores
(fast
(fastrecovery)
recovery)
• Von = 0.3 • trr baixo (<μs) • trr elevado

• Vmáx < 150V • Vmáx < kV • Vmáx > kV
• Imáx < kA • Imáx > kA

2003
DISPOSITIVOS
Schottky
Schottky
Máx. tensão de bloqueio
Máx. Corrente directa

valor médio
Tensão de condução
Corrente de fuga
no corte

2003
DISPOSITIVOS
Recuperação
Recuperaçãorápida
rápida
Máx. tensão
de bloqueio
no corte
Corrente fuga
no corte
Tempo de
recuperação

2003
DISPOSITIVOS
Rectificadores
Rectificadores

2003
DISPOSITIVOS
Díodosem
Díodos emsérie
série(repartir
(repartirtensões
tensõesinversas)
inversas)
Díodosem
Díodos emparalelo
paralelo(repartir
(repartircorrentes
correntesdirectas)
directas)
Equalização por Equalização por Equalização por

dispositivo acomplamento magnético resistências
Selecção de díodos com Só para correntes de kA; processo Só para correntes mais baixas
características muito caro e complexo; mais peso, mais
semelhantes volume.

2003
DISPOSITIVOS
Tiristor A K
Semi-controlado
Semi-controlado
SCR G
Controlo apenas na passagem a ON

Conduz se vAK for positivo e se existir um
impulso de corrente na “gate”, de curta + VAK -
duração. Bloqueia se a corrente IF se anular. A K
IAK G
iG
Característica
Característica Característicareal
Característica real
ideal
ideal
I
IF Transição OFF-ON
IF • vGK = VGKT > 0, iG = iGT > 0
durante um intervalo de tempo
bloqueio disparo ii G1>i >>iiG2 > iG3
G1 G2 G3
mínimo
VRRM Transição ON-OFF

VAK VAK VDRM
V • inversão de tensão
DRM
• IAK < IH (corrente de manutenção)

2003
DISPOSITIVOS
Limites de VRRM - tensão inversa máxima de pico repetitivo

operação: VDRM - tensão directa máxima de pico repetitivo com o tiristor no corte
ITRMS - máximo valor eficaz da corrente directa
ITAV - máximo valor médio da corrente directa

ITRM - máximo valor de pico rep. da corrente directa
ITSM - máximo valor de pico não rep. da corrente directa
I2t - característica de choque térmico

(di/dt)max - máxima taxa de crescimento da corrente directa
(dvAK/dt)max - máxima taxa de crescimento da tensão ânodo cátodo
IH - corrente de manutenção (“holding current”) (1% ITAV)
IL - corrente de lançamento (“latching current”) (> IH)
td - tempo de passagem à condução 0,1μs - 10μs
tq - tempo de passagem ao corte 1μs - 110μs

2003
DISPOSITIVOS
IG
Característicasde
Características de“GATE”
“GATE”
VVGM ------ máximo
GM------ máximovalor
valorda
datensão
tensão“gate”-
“gate”-cátodo
cátodo IGM
PPGM ------ máximo
GM------ máximovalor
valorda
dapotência
potênciana
na“gate”
“gate”
PGM=vGKIGK
Gav
----- máximo
PPGav----- máximovalor
valorda
dapotência
potênciamédia
médianana“gate”
“gate”
IGM ------- máximo

IGM------- máximovalor
valorda
dacorrente
correntede
de“gate
“gate
vGK(MIN) vGM vGK
td - tempo de disparo (diminui com o aumento de energia fornecida à “gate”)
o impulso de “gate”
I Tav VRRM
Correntes de fuga:
If ≅ 4 Reqoff ≅
10 If
Correntes de lançamento e manutenção:
IL 2%ITav No disparo IT>IL
IH
Na condução IT>IH
VAK
2003
DISPOSITIVOS
+ VAK -
Característica dinâmica A K
IAK G
iG
iA
tqt ––tempo de recuperação ou
q tempo de recuperação ou
tempo
tempodedepassagem
passagemao
aocorte
corte
trr
t
vAK
É necessário assegurar uma tensão

negativa durante um tempo superior a tq
t
para que o tiristor corte; caso contrário
conduz logo que polarizado directamente,
tq mesmo sem impulso de gate.
Taxa máxima de variação da corrente diA / dt

Outras limitações
dos tiristores Taxa máxima de variação da tensão dvAK / dt

2003
DISPOSITIVOS
entrada em condução td + tr tempo de passagem à condução

ATENÇÃO a:
iT
td Potência dissipada
di/dt máximo
vAK tr (depende do circuito
exterior)
tr
passagem ao corte tqtempo de passagem ao corte (depende da temperatura)
iT ATENÇÃO a:
Potência dissipada
tq dvAK/dt máximo
1μs<tq<110μs
protecções
t
RC “snuber"
vAK
não deve ser aplicada tensão directa ao tiristor enquanto não decorrer tq,
caso contrário o tiristor retoma a condução.
2003
DISPOSITIVOS
Protecções contra di/dt e dvAK/dt excessivos Para proteger o

tiristor contra di/dt
di/dt utiliza-se uma bobine
concentração de corrente numa em série
área muito pequena dissipação de potência elevada
que pode levar à destruição do tiristor
(di/dt)máx - 200A/μs lentos (di/dt)máx -2000A/μs rápidos
L
v v
2π 2π
iT iT
v R t t
v R
di
iT = ∞ iT
dt
t t
iG iG
α t α t
circuito de rectificação circuito de rectificação
sem com
protecção contra di/dt protecção contra di/dt

2003
DISPOSITIVOS
Dimensionamento da bobine de protecção:

di i (ωt = 0 ) = α
v = Ri + L
(existência da bobine)
dt
di
v=L em t = α
dt
v
di v ⎛ di ⎞ L>
= <⎜ ⎟ ⎛ di ⎞
dt L ⎝ dt ⎠ max ⎜ ⎟
⎝ dt ⎠ max
Exemplo:
2220
⎛ di ⎞ L> . μH
= 156
⎜ ⎟ = 200 A / μs 200
⎝ dt ⎠ max
L=2μH (não afecta as características do
v(max) --- α = 90º v = 2220 circuito)
(ωL=.6mΩ para f=50Hz e R=10Ω)
R=10Ω

2003
DISPOSITIVOS
• as cargas eléctricas armazenadas

dvAK/dt
dv /dt
AK na região espacial de um tiristor bloqueado
•• surge
surgequando
quandoseseestabelece
estabelece
oocircuito
circuito equivalem a uma capacidade C
•• nanacomutação
comutaçãode decargas
cargasindutivas
indutivas
• se dvAK/dt é excessivo a corrente i = CdvAK/dt
•• na
napassagem
passagemaoaocorte
corteououàà
pode ser suficiente para lançar o dispositivo
conduçãode
condução deoutro
outrotiristor
tiristor
na condução, intempestivamente
Para proteger o tiristor contra dvAK/dt utiliza-se uma malha capacitiva

RC em paralelo com o tiristor
Rectificador com protecções RS CS L

contra dvAK/dt e di/dt
iT
v R

2003
DISPOSITIVOS
Esquema equivalente com o tiristor no corte sem protecção contra dvAK/dt.
RAK L di v
di =
v = R AK i + L dt L
v vAK dt VAK = RAKi
R=10Ω
dv AK ⎛ di ⎞
= R AK ⎜ ⎟
RAK>>>R RAK=50KΩ dt ⎝ dt ⎠
dv AK ⎛ Vmax ⎞
= R AK ⎜ ⎟
dt ⎝ L ⎠
Se dvAK/dt = 300V/μs 50 x 220 x 2 valor muito elevado

L= x10 −3 = 52mH ωL=16Ω f=50Hz R=10Ω
e di/dt = 200A/μs 300

2003
DISPOSITIVOS
Dimensionamento da malha capacitiva:
Esquema equivalente com o tiristor no corte com protecção contra dvAK/dt.
RS L
CS
A resistência total medida aos terminais do tiristor
RAK fica diminuida quando se põe, em paralelo, a
v resistência Rs. Assim para RS<<<RAK tem-se:
vAK R=10Ω
RS vmax
dv AK ⎛V ⎞ dv AK ⎛V ⎞ L>
= R AK ⎜ max ⎟ = RS ⎜ max ⎟ ⎛ dv AK ⎞
dt ⎝ L ⎠ dt ⎝ L ⎠ ⎜ ⎟
⎝ dt ⎠ max
50 x 220 x 2
L= x10−6 = 52 μH valor aceitável
300
RRSSpode
podebaixar
baixarmas
masficará
ficarálimitado
limitadopelo
pelovalor
valorda
dacorrente
correnteque
quepercorre
percorreoocircuito
circuitocom
comootiristor
tiristor
bloqueado. =0,1μFvalor
bloqueado.CCS=0,1μF valortípico
típicoCCS>>>>>>Coff=1nF
Coff=1nF
S S
AAcorrente
correnteque
queprecorre
precorreootiristor
tiristornonocorte
corteaproximadamente
aproximadamente10mA
10mA =32KΩ f=50Hz
ZZCC=32KΩ f=50Hz
ZZC=1/ωC
C
=1/ωC

2003
DISPOSITIVOS
Supressão de transitórios curva

curva
I característica
característica
1KA deum
de umvaristor
varistor
-VS VS VDRM
Protecção contra sobre-intensidades
FUS
Fusíveis rápidos ou ultra rápidos
i) Vmax FUS > Vmax
ii) I2t FUS < I2t tiristor

2003
DISPOSITIVOS
Circuitos de disparo de tiristores “drives”

1 - Isolamento galvânico com transformador de impulso:
VCC 1:1
Sinal de disparo RC
1nF
BUFFER
RB
Oscilador autónomo
Inibição
2 - Isolamento galvânico com ligação óptica:

Alimentação
e Lógica
Foto tiristores
Foto acopulador

2003
DISPOSITIVOS
Classificação de Tiristores
• Imáx: 4 kA
Tiristores Lentos Aplicações
Aplicações rede
rede
• Vmáx: 5-7 kV
(Controlo de fase) 1φ,
1φ, 3φ,
3φ, 50-60
50-60 Hz
Hz
• Von: 1,5V (@1kV); 3V (@5-7kV)
• tq baixos, 1-100 μs Freqs: 1 -2 kHz Inversorescom

Inversorescom
Tiristores rápidos circuitos
circuitos de
de
(Inversores) • Vmáx: 2,5 kV, Imáx: 1,5 kA
comutação
comutação forçada
forçada
• Von mais baixos
Foto-Tiristores disparados • potência no disparo: mW HVDC

HVDC
(HVDC) por impulso
• Vmáx: 8 kV, Imáx: 3,5 kA
luminoso
(fibra óptica) • Von: 2-3 V @3,5 kA
LTT – Ligth triggered T
LASCR – Ligth Activated T

2003
DISPOSITIVOS
Outros Tiristores (Electrónica Geral)
TRIAC,
TRIAC, DIAC,
DIAC, QUADRAC
QUADRAC
GATT
GATT
Gate-assisted turn-off Tiristor (1200V, 300A)
(T de corte assistido pela gate)
carga
A
4,7k
230V
470k
G 50Hz
47
68n
K 10μ QUADRAC
GTO
GTO
Gate-turn-off Tiristor

2003
DISPOSITIVOS
GTO A
IA
I
G
Gate-Turn-Off Tiristor + VRWM
VGC
- K
VAK
Principais campos de aplicação:

aplicação
• comboios de alta velocidade
• transporte HVDC*
Von Vmáx Imáx tq fc

2-3 V 9 kV 3 kA 10-25 μs < 10 kHz
* transporte de energia eléctrica em cc a muito alta tensão

2003
DISPOSITIVOS
OFF- ON semelhante ao tiristor convencional (1<VGT<2 V; IGT) mas a corrente de gate

tem que se manter durante toda a condução
ON-OFF
• iG < 0A
Aplicação de uma tensão negativa VGC • diG/dt ~ 30-100 A/μs
• cerca de 30% de IA
-20V < VGC < -7V
Duração de alguns μs superiores a tq
iG = 200A
exemplo
A
@ 1000 A,
Potência de
I
10 μs Controlo !!!
G
+
VGC Circuitos de drive
- K
Complexos e caros!!!
2003
DISPOSITIVOS
máximo de 1-2 kV/μs
Outro
Outro problema
problema Muito sensível a dvAK/dt elevados
dos
dos GTOs
GTOs especialmente de OFF-ON
Circuitos
de protecção
Problemático para
circuitos indutivos
A
I
solução
solução G
+
VGC
- K

2003
DISPOSITIVOS
Transistor
de junção IC
bipolar IB3
IB2
TJB IB1
VCEsat
• baixos hFE 5 < hFE < 10

• considerável tempo de atraso na passagem ao corte
• décimas μs < tempos de comutação < alguns μs
• 1400 V, centenas de A
• coeficiente “negativo” de T (embalamento térmico)

2003
DISPOSITIVOS
Soluções para hFE maior

Darlington C
C triplo
monolithic
Darlington
B
B
E
E
• maior VCEsat
desvantagens
• menos rápidos a comutar

2003
DISPOSITIVOS
Transistor de ID
efeito de campo de
potência VGS3
VGS2
MOSFET VGS1
VDS
••dissipação
dissipaçãona
nacondução
conduçãodependente
dependentede deRRON
ON
••competitivos
competitivoscom
comTJB
TJBpara
para<<300/400V
300/400Vee>100kHz
>100kHz
••dezenas
dezenasnsns<<tempos
temposdedecomutação
comutação<<décimas μs
décimasμs
••1000
1000V,V,<<100
100AA
••controlo
controlomenos
menoscomplexo
complexo
••coeficiente
coeficiente“positivo”
“positivo”de
deTT(auto
(autoprotecção)
protecção)

2003
DISPOSITIVOS
limites de operação:
VDS - Máxima tensão Dreno Fonte
VDG - Máxima tensão Dreno Gate
ID - Máxima corrente de Dreno Pcond=rDS(on)IDef2
VGS - Máxima tensão “gate”Fonte
PD - Potência Máxima dissipada
rDS(on) - Resistência em condução (limita a escolha do FET)
Tempos de comutação da ordem dos 50 a 300ns
Circuitos de protecção:
Sendo os tempos de comutação muito baixos há necessidade de proteger o MOSFET contra
sobretensões na comutação. Durante a comutação o dispositivo requer correntes elevadas na “gate”
(carga descarga de capacidade)
VDS
sem protecção
ID
t
2003
DISPOSITIVOS
protecção com zenner protecção com “snubber”
VDS VDS
ID ID
t t
diodo de substracto (diodo parasita) pode ser utilizado como diodo de roda livre (diodo lento)
circuitos de comando:
D
D
Acopulador óptico Transfomador de impulsos
G
Alimentação G
e Lógica S V S
V
Foto acopulador

2003
DISPOSITIVOS
Transistor de C IC
gate isolada G
VGS2
IGBT E
VGS1
VCE
“Insulated Gate Bipolar Transistor”
••gate
gateisolada
isoladacomo
comono
noMOSFET
MOSFET
••VVononbaixos
baixosmesmo
mesmoememdispositivos
dispositivosde
deHV
HV(2-3V
(2-3VIGBT
IGBTde
de1000V)
1000V)
••tempos
temposde decomutação μs
comutação>>μs
••33kV,
kV,12001200AA

2003
DISPOSITIVOS
Comparação dos
(Mitsubishi)
Dispositivos
semicondutores
Capacidade em Velocidade
semicondutor potência comutação
TBJ / MD média média
MOSFET baixa alta
GTO alta baixa
IGBT média média
Tiristor alta baixa

2003
DISPOSITIVOS
Critérios de escolha de semicondutores de potência
•potênciado
•potência dodispositivo
dispositivo(correntes
(correnteseetensões
tensõesmáximas
máximasno
nocircuito)
circuito)
•frequênciade
•frequência decomutação
comutação(tempos
(temposde
decomutação)
comutação)
•perdasde
•perdas decondução
condução(tensões
(tensõesde
decondução
conduçãoou
ouresistência
resistênciade
de
condução)
condução)
•complexidadeeepotência
•complexidade potênciados
doscircuitos
circuitosde
de“drive”
“drive”
•custodo
•custo dosemicondutor
semicondutor

2003
DISPOSITIVOS
Semicondutores em comutação
REAL
IDEAL
• Perdas nulas na condução (v=0 quando fechado)

• corrente nula ao corte (i=0 quando aberto)
• tempos de comutação nulos (abertura e corte instantâneos)
• potência de controlo nula
I0
+ vT -
ideal iT
Vd

2003
DISPOSITIVOS
tc(on) = tri + tfv tc(off) = trv + tfi
Perdas na condução Perdas na comutação
PPonon == V
Vonon II00 ttonon // TTCC PPcc == ½
½VVdd II00 ffcc (t(tc(on) + t c(off)))
c(on) + tc(off)
Perdas totais
PT = Pon + Pc

2003

Trans Pep 206 Dis Positivo S

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DISPOSITIVOS

ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA ELECTRÓNICOS DE POTÊNCIA

DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA:

4. transistor bipolar - (TJB). B B

6. IGBT - “insulated gate bipolar transistor”. G

7. MCT - “MOS controlled thyristor”. G

IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

TRANSISTOR B B 2000V, 2 a 10A

IGBT G 3500V, 300A

IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

VRRM - tensão inversa máxima de pico repetitivo

I2t - característica de choque térmico I 2

IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

trr – tempo de recuperação inversa;

IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

vAK t Potência dissipada

IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

• Von = 0.3 • trr baixo (<μs) • trr elevado

IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

Máx. Corrente directa

IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

Equalização por Equalização por Equalização por

IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

Controlo apenas na passagem a ON

VRRM Transição ON-OFF

IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

Limites de VRRM - tensão inversa máxima de pico repetitivo

ITAV - máximo valor médio da corrente directa

ITSM - máximo valor de pico não rep. da corrente directa

I2t - característica de choque térmico

IH - corrente de manutenção (“holding current”) (1% ITAV)

IL - corrente de lançamento (“latching current”) (> IH)

td - tempo de passagem à condução 0,1μs - 10μs

tq - tempo de passagem ao corte 1μs - 110μs

IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

IGM ------- máximo

IL 2%ITav No disparo IT>IL

É necessário assegurar uma tensão

Taxa máxima de variação da corrente diA / dt

IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

entrada em condução td + tr tempo de passagem à condução

Protecções contra di/dt e dvAK/dt excessivos Para proteger o

(di/dt)máx - 200A/μs lentos (di/dt)máx -2000A/μs rápidos

IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

Dimensionamento da bobine de protecção:

IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

• as cargas eléctricas armazenadas

Para proteger o tiristor contra dvAK/dt utiliza-se uma malha capacitiva

Rectificador com protecções RS CS L

IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

Esquema equivalente com o tiristor no corte sem protecção contra dvAK/dt.

Se dvAK/dt = 300V/μs 50 x 220 x 2 valor muito elevado

IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

Supressão de transitórios curva

Protecção contra sobre-intensidades

i) Vmax FUS > Vmax

ii) I2t FUS < I2t tiristor

IST-DEEC Profª Beatriz Vieira Borges

Circuitos de disparo de tiristores “drives”