(Estado Sólido) COMPLETO Maza, Mosqueira, Veira - Física Del Estado Sólido Ejercicios Resueltos

Física del estado sólido
Ejercicios resueltos
Manuais Universitarios
núm. 11
Jesús Maza
Jesús Mosqueira
José Antonio Veira
FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO

EJERCICIOS RESUELTOS
2009
Universidade de Santiago de Compostela
MAZA, Jesús
Física del estado sólido : ejercicios resueltos / Jesús Maza, Jesús

Mosqueira, José Antonio Veira. – Santiago de Compostela :
Universidade, Servizo de Publicacións e Intercambio Científico, 2009. –
257 p. : il. ; 17 x 24 cm. – (Manuais universitarios ; 11). – Bibliografía. –
ISBN 978-84-9887-407-5 (edición dixital PDF)
1.Física do estado sólido-Problemas e exercicios. I. Mosqueira, Jesús.

II.Veira, José Antonio. III.Universidade de Santiago de Compostela.
Servizo de Publicacións e Intercambio Científico, ed. IV.Serie
539.2
© Universidade de Santiago de Compostela, 2009
Deseño de cuberta: Alejandro Vidal
Edita
Servizo de Publicacións
e Intercambio Científico
Campus universitario sur
www.usc.es/publicacions
ISBN 978-84-9887-407-5 (edición dixital PDF)

A Aurora, Rosa y Yolanda por su aliento inspirador
A Noemı́, Ruth, Daniel, Ana y Jesús, que alargan y alegran nuestra vida
Prólogo
La colección de problemas que aquı́ se presenta aspira a entrar en el club, más

bien elitista, de libros de problemas de Fı́sica del Estado Sólido en español. El
principal objetivo que los autores pretenden cumplir es el de ofrecer un taller
práctico de aplicaciones de la red de conceptos que sostiene a la Fı́sica del
Estado Sólido. Siendo tan variadas las fenomenologı́as que cubre esta disciplina,
yendo desde conceptos geométricos asociados a las estructuras cristalinas hasta
fenómenos colectivos como la superconductividad pasando por las propiedades
térmicas, eléctricas y magnéticas de la materia, no son de extrañar los más de
300 problemas que componen la colección. Una porción de éstos, alrededor de un
tercio, son problemas que los autores han propuesto, a lo largo de los años, como
ejercicios de examen de la asignatura de Fı́sica del Estado Sólido en la Universidad
de Santiago de Compostela. El usuario del presente manual podrá comprobar,
quizá con sorpresa, que los ejercicios de examen son, en media, de más fácil solución
que la colección estándar. La explicación está en que la colección estándar contiene
problemas de extensión o de ampliación, más avanzados por ende, que dificilmente
serı́an exigibles en un examen.
El presente volumen es autocontenido en el sentido de que los ejercicios
propuestos en cada capı́tulo están precedidos de un breve resumen de los conceptos
básicos y ecuaciones relevantes. Estas introducciones teóricas no pueden suplir a
los libros expositivos de los conceptos básicos de la Fı́sica del Estado Sólido, para
aquellos que buscan “más claridad de ideas”. Para este propósito basta hacer uso
de alguno de los buenos libros teóricos existentes y también ¿por qué no? del
manual universitario Fı́sica del Estado Sólido que los autores han puesto en el
mercado español recientemente.
Por contenido, extensión y profundidad este manual deberı́a ser una buena
ayuda para el estudiante de Fı́sica del Estado Sólido de las universidades
españolas que cursan una asignatura tı́picamente cuatrimestral. Sin duda la mayor
recompensa al empeño e incluso pasión que los autores han puesto en el presente
libro serı́a un uso profuso del mismo.
Santiago de Compostela, junio de 2009

Los autores
Índice general
1. Estructura cristalina 11
1.1. Definiciones y relaciones básicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.2. Ejercicios resueltos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.3. Ejercicios de exámenes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2. Red recı́proca y difracción de rayos x 31

3. Enlace cristalino 53
4. Dinámica de redes 71
5. Propiedades térmicas reticulares 95

6. Gas de Fermi de electrones libres 115

7. Electrones en un potencial periódico: Teorı́a de bandas 135

10 ÍNDICE GENERAL
8. Dinámica semiclásica de electrones Bloch 167

9. Cristales semiconductores 195

10.Magnetismo de sólidos 211

11.Superconductividad 231
12.Miscelánea de ejercicios de exámenes 247
A. Constantes universales 253
B. Tabla periódica de los elementos 255
C. Bibliografı́a 257
Capı́tulo 1
Estructura cristalina
1.1. Definiciones y relaciones básicas

Red: Conjunto de puntos del espacio con vectores de posición
~ = u1~a1 + u2~a2 + u3~a3 .
R (1.1)
Los vectores ~ai se denominan vectores base primitivos si los ui barren todos los
enteros. Si los ui no son enteros o no barren todos los enteros se denominan vectores
base no primitivos.
Vector de red: Cualquier vector R ~ que une dos puntos de la red.
Base atómica: Conjunto de átomos que se asocia a todos y cada uno de los
puntos de la red.
Celda unitaria primitiva: Volumen que por traslaciones en vectores de la
red cubre todo el espacio (sin solapamientos). El paralelepı́pedo definido por los
vectores base primitivos es una posible.
Tabla I.1
& Triclínico M onoclínico O rtorróm bico
a3 a1a2a3 DEJ a1a2a3̓ DE 90ºJ a1a2a3 D=E=J 90º
J a&2

E
& D
a1 Triclínica Monoclínica Monoclínica Ortorrómbica Ortorrómbica Ortorrómbica Ortorrómbica
simple simple centrada en simple centrada en centrada en centrada en
Hexagonal bases caras el cuerpo las caras
a1=a2a3 Rom boédrico Tetragonal Cúbico
D=60º (120º) E=J 90º a1=a2=a3 a1=a2a3 D=E=J=90º a1=a2=a3 D=E=J=90º
D=E=J90º
Hexagonal Romboédrica Tetragonal Tetragonal centrada Cúbica Cúbica centrada Cúbica centrada
simple simple simple en el cuerpo simple en el cuerpo en las caras
Sistemas cristalinos (7) y celdas unitarias de las 14 redes de Bravais (las simples son primitivas).
12 Capı́tulo 1: Estructura cristalina
Índice de coordinación: Número de vecinos más próximos (misma distancia)

a un punto cualquiera de la red. La misma noción se aplica a átomos cuando se
trata de cristales.
Celda de Wigner-Seitz: Región encerrada por todos los planos bisectrices
a los segmentos que conectan un punto de la red con todos sus vecinos. Por
construcción es primitiva.
Familia de planos reticulares: Conjunto de planos paralelos y equiespacia-
dos que contienen a todos los puntos de la red.
Estructura cristalina o cristal: Es la combinación red+base atómica.
Número de defectos de Schottky (vacantes) en un cristal a temperatura T :
n ≈ N e−ǫv /kB T . (1.2)
N es el número de átomos y ǫv la energı́a necesaria para formar una vacante.

Número de defectos de Frenkel (vacantes-atomos intersticiales) en un
cristal a temperatura T : √
n ≈ N N ′ e−ǫF /kB T . (1.3)
N y N ′ son, respectivamente, el número de átomos y el número de intersticios y
ǫF la energı́a necesaria para la formación de un defecto de este tipo.
Tabla I.2. Caracterı́sticas de las redes del sistema cúbico.
Red (parámetro a) sc bcc fcc
~a1 = aı̂
Vectores unitarios celda convencional ~a2 = a̂ idem sc idem sc
~a3 = ak̂
Volumen celda convencional a3 idem sc idem sc
Puntos de red por celda convencional 1 2 4
Puntos de red por unidad de volumen 1/a3 2/a3 4/a3
Número de vecinos más próximos 6 8 12
√ √
Distancia entre vecinos más próximos a a 3/2 a/ 2
Número de segundos vecinos 12 6 6
√
Distancia entre segundos vecinos 2a a a
Fracción máxima de espacio ocupado √ √ √ √
con átomos de radio R (Razón a/R) π/6 (2) 3π/8 (4/ 3) 2π/6 (2 2)
Huecos estructurales (radio r) 1-8-0.73 12-4-0.29 4-6-0.41
(Número(1) -Coordinación-r/R) 1-4-0.41 6-6-0.15 8-4-0.22
~a1 = aı̂ ~a1 = 12 a(−ı̂ + ̂ + k̂) ~a1 = 12 a(̂ + k̂)
Vectores unitarios primitivos ~a2 = a̂ ~a2 = 21 a(ı̂ − ̂ + k̂) ~a2 = 21 a(ı̂ + k̂)
~a3 = ak̂ ~a3 = 12 a(ı̂ + ̂ − k̂) ~a3 = 12 a(ı̂ + ̂)
Volumen celda primitiva a3 a3 /2 a3 /4
1 Por celda convencional.

1.2 Ejercicios resueltos 13
1.2. Ejercicios resueltos

1. Razonar si son ciertas las siguientes afirmaciones:
a) ~ → −R).
Una red es siempre invariante por inversiones (R ~
b) Un conjunto de puntos dados por ~ r = u1 ~
a1 + u2 ~
a2 + u3 ~
a3 con
los ui no necesariamente enteros no es una red.
c) La disposición espacial de puntos adjunta constituye una red.
(1)
(2)
d) El número de puntos de red por celda primitiva es siempre uno.

e) El número de átomos por celda unitaria es siempre mayor que
uno.
f) En un cristal de base monoatómica todas las posiciones
atómicas son fı́sicamente indistinguibles.
Solución:
a) Verdadero, por definición de red: conjunto de puntos dados por R ~ =

u1~a1 + u2~a2 + u3~a3 con los ui enteros. Si existe la terna u1 , u2 , u3
también existe −u1 , −u2 , −u3 .
b) Falso. Con ui no enteros, el conjunto de puntos puede ser una red: Por
ejemplo, una red fcc o bcc descrita en función de los vectores ~ai que
definen su celda convencional.
c) Falso. Obsérvese que no se ve el mismo entorno desde cualquier
punto (condición de red). Por ejemplo, el punto marcado con (1) (y
equivalentes) en la misma figura tiene su vecino más próximo hacia
abajo y a la izquierda, mientras que el marcado como (2) (y equivalentes)
lo tiene hacia arriba y a la derecha.
d) Verdadero. En el caso de celda de Wigner-Seitz se ve inmediatamente
por construcción de dicha celda. Para cualquier otra celda primitiva,
definida como el paralelepı́pedo generado por vectores primitivos
~a1 , ~a2 , ~a3 , sólo puede haber puntos de red en los vértices de dicho
paralelepı́pedo y compartidos por tantas celdas como vértices, pues
cualquier otro punto contenido total o parcialmente en cada celda (para
sumar más de uno por celda) no podrı́a escribirse como u1~a1 + u2~a2 +
u3~a3 con u1 , u2 , u3 enteros, por lo cual o no es un punto de la red o los
vectores ~a1 , ~a2 , ~a3 no son primitivos.
e) Falso. En el caso de base monoatómica, si la celda es unitaria primitiva
sólo hay un átomo por celda.
f) Verdadero. Si la base es monoatómica todos los átomos ocupan nodos
de red.
2. Para el patrón de la figura adjunta, indicar un nu un nu un

a) Una celda unitaria rectangular. nu un nu un nu
b) Una celda unitaria primitiva. un nu un nu un

nu un nu un nu
c) La base de letras correspondiente a
cada tipo de celda. un nu un nu un
Solución:
a) Celda unitaria rectangular (no primitiva):
Área rayada sobre la red en la figura adjunta. nu un
b) Celda unitaria primitiva: Área gris. nu un
c) Cuatro pares para la celda rectangular y dos

pares para la primitiva según, por ejemplo, nu un
las disposiciones que se indican.
3. Una red admite vectores primitivos distintos. Argumentar que, sin

embargo, el volumen asociado (celda) es siempre el mismo.
Solución:

Si N es el número de puntos de la red y 


V el volumen que ocupan, la densidad 


 V
de puntos de red es η = N/V
⇒ Vcp = ,

 N

En cualquier celda primitiva de volumen Vcp 



hay un punto de red, luego η = 1/Vcp
independientemente de cuales sean los vectores que definan la celda primitiva.
4. Demostrar que la proporción máxima de espacio que se puede

llenar con esferas sólidas acomodadas en varias estructuras es la
siguiente:
a) Cúbica simple π/6 ≈ 52 %
√
b) Cúbica centrada en el cuerpo π 3/8 ≈ 68 %
√
c) Cúbica centrada en las caras π 2/6 ≈ 74 %.
√
d) Hexagonal compacta π 2/6 ≈ 74 %
Solución:
Se trata de ver como se logra la mayor fracción de empaquetamiento (f.e.)
de esferas de radio R acomodadas en celdas (convencionales)
p de parámetro
a para las estructuras cúbicas y de parámetros a y c = a 8/3 (ver ejercicio
7) para la hexagonal compacta.
a) Cúbica simple.
¾ 
Esferas tangentes en la arista 
⇒ a = 2R
de la celda (Fig. 1.1) ⇒


(2)
Número de esferas por celda: 1
R
4 3
3 πR π
a = 2R f.e. = 3
= ≈ 52 %.
a 6
Figura 1.1. Celda sc compacta.
b) Cúbica centrada en el cuerpo (Fig. 1.2). 
4R
Esferas tangentes en la diagonal de la celda ⇒ a = √ 
3 ⇒
Número de esferas por celda:(3) 2

√
2 × 43 πR3 π 3
f.e. = = ≈ 68 %.
a3 8
4R
a
Figura 1.2. Celda bcc compacta R
y sección por la lı́nea de puntos.
R 2a
c) Cúbica centrada en las caras (Fig. 1.3).

¾ 
Esferas tangentes en la diagonal 4R 

⇒a= √
de la cara 2 ⇒

4R Número de esferas por celda:(4) 4

√
R 4 × 34 πR3 π 2
f.e. = = ≈ 74 %.
a a3 6
Figura 1.3. Celda fcc compacta.
d) Hexagonal compacta (Fig. 1.4).
¾
Esferas tangentes en la arista de lado a ⇒ a = 2R
⇒
Número de esferas por celda primitiva:(5) 2
√
2 × 43 πR3 (6) 2 × 43 πR3 π 2
f.e = = √ = ≈ 74 %.
Vcp 8 2R 3 6
2 En la representación de la Fig. 1.1 la esfera que corresponde a la celda está truncada: Por
cada uno de sus ocho vértices le corresponde 1/8 de esfera, resultando 8×1/8 = 1 esfera/celda.
3 La del centro del cubo más la aportada por los 8×1/8 de los vértices.
4 6 × 1/2 de las 6 caras más la aportada por los 8×1/8 de los vértices.
5 La del interior de la celda más la aportada por los 8×1/8 de los vértices (Fig. 1.4(b)). La
posición de la esfera interior, con respecto a los vectores ~a1 , ~a2 y ~c (Fig.√ 1.4(a)), se obtiene
inmediatamente a la vista del esquema de la Fig. 1.4(c): d = a/2 cos α = a/ 3, pues α = π/6 ⇒
x2 = d/ cos α = 2a/3, x1 = x2 sen α = a/3. √ √
6V a1 × ~a2 ) · ~c| = (a2 sen π6 )c = a2 c 3/2 = 8 2R3 .
cp = |(~
&
a1
&
c x1 60º
D
d
R
x2 D
&
& & 2R
a2
a1 a2 2R
(a) (b) (c)
1
Figura 1.4. (a) Celda convencional de la estructura hcp. (b) Celda primitiva: Hay de 8
átomo en cada uno de los 8 vértices y 1 átomo en el interior de la celda. (c) Proyección
de la posición del segundo átomo de la base.
5. Estructura del diamante:

a) ¿Cuántos átomos hay en la celda primitiva del diamante? ¿Y
en la convencional?
b) ¿Cuántos átomos más próximos tiene un átomo dado?
c) Calcular la fracción de empaquetamiento.
d) Probar que el ángulo entre los enlaces tetraédricos es 109◦ 28’.
Solución:
a) La estructura del diamante puede describirse como una red fcc de
parámetro a con base de dos átomos (Fig. 1.5):
Uno en cada nodo ⇒ Posición (0, 0, 0)
Otro en posición d~ = 14 a(1,1,1) respecto a cada nodo.
En una celda primitiva Hay 2 átomos por
⇒
hay un 1 punto de red celda primitiva.
En la celda convencional Hay 8 átomos por
⇒
hay 4 puntos de red celda convencional.(7)
Figura 1.5. Celda unitaria de la a

estructura del diamante idealmen- d= 3a
2R 4
te compacta y sección por la lı́nea
de puntos. 2a
a
b) Las posiciones (0, 0, 0), 21 a(0, 1, 1), 12 a(1, 0, 1), 21 a(1, 1, 0) y equivalen-
tes, referidas a la celda convencional definen los vértices de un tetraedro
regular (Fig. 1.6 izquierda). Los átomos que ocupan estas posiciones son
los más cercanos al que está en posición d~ en el centro del tetraedro.
La estructura del diamante está formada por tetraedros regulares con
un átomo en el centro ⇒ Cualquier átomo tiene 4 vecinos más próximos.
7 Los 4 interiores más los 4 de posiciones fcc.
a (1,–1,1) a (–1,1,1)
4 4
Figura 1.6. Izquierda: Vectores de D
posición de los vértices del tetra- a (1,0,1)
2 a (0,1,1)
edro tomando como origen uno 2
ellos. Derecha: Vectores de posición a (1,1,0)
de los vértices del tetraedro con 2 a (1,1,–1)
respecto a su centro. a (–1,–1,–1) 4
(0,0,0) 4
c) La sección de celda (según la lı́nea de puntos) de la Fig. 1.5 derecha

muestra que las esferas son tangentes según la diagonal del cubo ⇒
√
~ a 3 8R
2R = |d| = ⇒ a= √ ⇒
4 3
4 3 4 3
√
8 × 3 πR 8 × 3 πR π 3
f.e. = 3
= √ = ≈ 34 %.
a (8R/ 3) 3 16
d) Tomando como referencia un vértice de la celda convencional (punto de

coordenadas (0, 0, 0) en la Fig. 1.6 izquierda, por ejemplo), los vértices
del tetraedro ocupan las posiciones ~a0 , ~a1 , ~a2 , ~a3 indicadas en el Cuadro
1.1 (columna izquierda) y el centro la posición d~ = 41 a(1, 1, 1).
Cuadro 1.1. Vectores de posición de los vértices del tetraedro.

Referencia: Vértice cubo Referencia: Centro tetraedro
~a0 =(0, 0, 0) → a~′ 0 = −d~ = 14 a(1, 1, 1)

~a1 = 12 a(0, 1, 1) → a~′ 1 = −d~ + ~a1 = 41 a(−1, 1, 1)
~a2 = 12 a(1, 0, 1) → a~′ 2 = −d~ + ~a2 = 41 a(1, −1, 1)
~a3 = 12 a(1, 1, 0) → a~′ 3 = −d~ + ~a3 = 41 a(1, 1, −1)
Tomando como referencia el centro de un tetraedro, sus vértices ocupan

las posiciones a~′ indicadas en el Cuadro 1.1 (derecha). Para determinar
el ángulo α que forman los enlaces tetraédricos basta multiplicar
escalarmente cualesquiera dos de los vectores ~a′ . Por ejemplo,
1 1 
a~′ 1 · a~′ 2 = a(−1, 1, 1) · a(1, −1, 1) 

4 4  1
↓ ↓ ⇒ cos α = − ⇒ α = 109o 28′ .
3 2 1 
 3
a cos α = − a2 
16 16
6. ¿Qué estructuras monoatómicas dan lugar a ı́ndices de coordina-

ción de 2, 4, 6, 8, 12?
Solución:
Índice Estructura
Triclı́nico, las 2 monoclı́nicas, las 4 ortorrómbicas, todas con
2
parámetros de red a1 6= a2 6= a3 (ver Tabla I.1).
4 Diamante (ver ejercicio anterior)
 Ver Fig. 1.7, donde los puntos negros indican los vecinos más
6 sc  próximos de los puntos marcados con un cı́rculo gris. Para las

8 bcc redes sc y fcc sólo se muestran los vecinos en el plano zy. La red

 sc tiene los otros dos vecinos en el eje x (plano xz ). La red fcc

12 f cc
tiene 4 vecinos más en plano xz y otros 4 en el xy.
z z z
y y y
Cúbica simple Cúbica centrada en las caras Cúbica centrada en el cuerpo

Figura 1.7. Posiciones de los primeros vecinos de las redes sc, fcc y bcc (cı́rculos
negros). Los cı́rculos blancos representan segundos vecinos más próximos.
7. Demostrar que laprelación c/a para una estructura hexagonal

compacta ideal es 8/3.
Solución:
El parámetro c de la estructura hexagonal compacta es 2 veces la altura H
del tetraedro formado por 4 esferas apiladas como se ilustra en la Fig. 1.8:
p 
H = (2R)2 − x2   r r
2 c 8
R 2R  ⇒ H = 2R . Además, R = 2a ⇒ = .
x= π = √  3 a 3
cos 6 3
H 2R
Figura 1.8. Cuatro esferas de radio
R apiladas (a) forman un tetraedro
p x
de lado 2R y altura H = R 8/3 (b).
S6
(a) (b) R
8. El máximo aprovechamiento del espacio con esferas iguales en

disposición regular (periódica) corresponde a las estructuras fcc
ó hcp con cerca del 75 %. ¿Se puede superar esta cota liberando la
restricción de que sea una disposición periódica?
Solución:
No, pues tanto la fcc como la hcp se generan apilando esferas de la forma
más compacta posible sin atender a ningún otro aspecto.
9. Argumentar que los únicos ejes de simetrı́a compatibles con una red
bidimensional son los de orden 1, 2, 3, 4 y 6. Verificar directamente
que con solo pentágonos no es posible cubrir un plano.
Solución:
Una red tiene un eje de simetrı́a de orden n si cuando se rota un ángulo 2π/n
permanece invariable.
B Considerar dos puntos O y A vecinos más próxi-
y
& & x
mos de una red bidimensional de parámetro
a & a' −→
a C a en la dirección OA (ver Fig. 1.9). Si la red
D A se gira un ángulo α alrededor del punto O, el
D & vector ~a pasa a ~a+ . Si se rota el mismo ángulo en
O a
B’ sentido contrario, ~a pasa a ~a− . Tomando como
Figura 1.9. referencia los ejes cartesianos x, y de la figura:
~a = (a, 0) ¾
~a+ = (a cos α, a sen α)
⇒ ~a+ + ~a− = ~a′ = (2a cos α, 0) k ~a .
~a− = (a cos α, −a sen α)
Si el giro deja la red invariante, los vectores ~a+ , ~a− son vectores de red (B,B’
son nodos de red) ⇒ ~a′ es un vector de red (C es un nodo de red).
⇓
2a cos α = ma, con m entero ⇒ cos α = m/2.
Los posibles valores de m, α y n son los del Cuadro 1.2.
Cuadro 1.2. Giros que dejan la red invariante (en 2 dimensiones).
m -2 -1 0 1 2
2π 2π 2π 2π 2π Otro m Giro no permitido:
α ⇓ ⇒ No hay otros ejes
2 3 4 6 1 |cos α| > 1 de simetrı́a.
n 2 3 4 6 1
En la Fig. 1.10 se muestran patrones(8) bidimensionales compatibles con los
ejes de simetrı́a del Cuadro 1.2: Triángulos equiláteros (n = 3 o 6), hexágonos
(n = 3) o cuadrados (n = 2 o 4). Para cubrir el plano sin huecos ni
solapamientos la suma de los ángulos de las figuras dispuestas alrededor
de un vértice (nodo de red) tienen que sumar 360o . Esto es posible con 6
triángulos equiláteros (6×60o ), 4 cuadrados (4×90o ) y 3 hexágonos (3×120o ).
Con pentágonos, en cambio, no se puede: 3 no son suficientes (3×108o =324o ,
habrı́a huecos) y 4 son demasiados (4×108o =432o , habrı́a solapamientos).
Los casos n = 1 y n = 2 corresponden, respectivamente, con la operación
trivial de giro completo y con la operación de inversión (~r → −~r).
8 Los triángulos y cuadrados forman una red, pero los hexagonos no.
120º
90º 108º
Figura 1.10.
60º
(No es una red)
10. Se podrı́a esperar que las estructuras más frecuentes de los

elementos metálicos (de enlace no direccional y no saturable)
fueran las de empaquetamiento más compacto: fcc o hcp. Verificar
si en efecto es ası́. Se observará que los metales alcalinos ası́ como
Ba, V, Nb, Ta, W y Mo cristalizan en la bcc. Para entenderlo,
calcular el número y distancia de primeros y segundos vecinos en
las estructuras fcc y bcc. ¿Qué se concluye?
Solución:
En la Fig. 1.7 se muestran los primeros (cı́rculos llenos) y segundos(9) (cı́rculos
vacı́os) vecinos de un átomo dado (cı́rculo gris) de las redes fcc y bcc.
Su número y separación se da en la Tabla I.2. Si los átomos, de radio
R, cristalizan de forma compacta, la distancia entre primeros √ vecinos es
2R en ambos √ casos y sus parámetros de red abcc = 4R/ 3 ≈ 2.3R y
af cc = 4R/ 2 ≈ 2.8R, que no son sino la distancia entre segundos vecinos
(6 en ambas estructuras). Los efectos debidos al mayor número de primeros
vecinos en la fcc podrı́an ser compensados por el hecho de que los segundos
vecinos estén más próximos en la bcc. Ocurrirı́a como si en la red bcc
hubiese 14 casi primeros vecinos a poca más distancia (2.3R) que los 12
de la red fcc (2R). En el Cuadro 1.3, por ejemplo, se dan las energı́as de
cohesión correspondientes a considerar sólo primeros ó primeros y segundos
vecinos tomando la energı́a proporcional al número de átomos e inversamente
proporcional a su distancia.
Cuadro 1.3. Contribución a la energı́a de cohesión de 1os y 2os vecinos.
Estructura fcc Estructura bcc
12 6 8 4
Sólo 1os vecinos = = ∼ 50 % menor que fcc
2R R 2R R
6 6 8.1 4 6 6.6
1os + 2os vecinos + ≈ + ≈ ∼ 23 % menor que fcc
R 2.8R R R 2.3R R
11. Calcular la densidad del NaCl sabiendo que el radio iónico del Na+
es 0.102 nm y el del Cl− es 0.181 nm. La masa atómica del Na es
22.99 g/mol y la del Cl es 35.45 g/mol.
Solución:
El parámetro de red del NaCl será la mayor de las distancias
9 Se muestran los cuatro del plano yz. Ambas redes tiene los otros dos segundos vecinos en el
eje x (plano xz ).
4 −
√ RCl = 0.512 nm ó 2RCl− + 2RNa+ = 0.566 nm,
2
según que el radio de los 4 huecos octaédricos que se forman en la red fcc de
cloros sea mayor o menor que RNa+ (ver Fig. 1.11). En la celda convencional
hay 4 puntos de red ⇒ 4 Cl + 4 Na ⇒(10) Densidad=2.14 g/cm3 .
4RCl
Figura 1.11. NaCl: Estructu-
ra y posible parámetro en
función del tamaño relativo de
los iones.
Cl– Na+ a=4RCl– / 2 a=2RCl– +2RNa+
12. Determinar los radios de los mayores huecos (supuestos esféricos)

que cabrı́an en las estructuras sc, fcc y bcc monoatómicas.
Solución:
a) Red sc. En esta red los mayores huecos estructurales aparecen en el

centro de la celda unitaria (Fig. 1.13). Como puede verse en el corte
que se muestra, hay un hueco hexaédrico por celda unitaria cuyo radio,
r, se determina de
√ √ √
2R + 2r = a 3 = 2R 3 ⇒ r = R( 3 − 1) ≈ 0.73R.
a 2r
R
Figura 1.12. Celda unitaria de la

estructura sc compacta y sección R 2a
por la linea de puntos.
a = 2R
Figura 3
b) Red bcc. En la Fig. 1.2 puede verse que en la estructura bcc se forman
huecos en los centros de las caras. Ocupan el centro de los octaedros
deformados que forman cada par de átomos en el centro de celdas
vecinas, átomos negros (1) y (2) en la Fig. 1.13(a) con los cuatro grises
en los vértices de la cara común de las dos celdas. En la Fig. 1.13(b) se
muestra√ el octaedro con más detalle. Ocho de las aristas del octaedro
miden 3a/2 y las otras cuatro y la altura miden a.
En la Fig. 1.13(c) se muestra una sección de un par de celdas unitarias
en el plano indicado en 1.13(a). Esta sección permite ver que el mismo
tipo de hueco se forma en los centros de las aristas. Hay, por lo tanto,
6 huecos octaédricos por celda unitaria.(11) Su radio ro se determina de
10 En el volumen (0.566 nm)3 hay una masa de 4×(22.99+35.45)/NA , siendo NA = 6.02×1023 .
(6)
a = 2R+2ro
a (2) (5)
6 5 2R
a
2
4 (4)
(3)
3 3a / 2 2ro
1 (1)
(a) (b) (c)
2a
Figura 1.13. (a) Huecos octaédricos de la estructura bcc compacta en el centro
de las caras, en le centro del octaedro (deformado) que forman los cuatro átomos
de los vértices y los dos de los centros de las celdas que comparten la cara. (b)
Dimensiones del octaedro. (c) Sección de dos celdas en el plano indicado en (a).
µ ¶
4R 2
2R + 2ro = a = √ ⇒ ro = R √ − 1 ≈ 0.15R.
3 3
Los mayores huecos, sin embargo, son tetraédricos, de radio rt y se
forman en los centros de los tetraedros, también deformados, que forman
cada par de átomos en el centro de celdas vecinas, átomos negros (1) y
(2) en la Fig. 1.14(a), con cada dos átomos en vértices contiguos de la
cara común de las celdas, átomos grises (3) y (4), por ejemplo.
h
3a / 2 (3) R
(2) a/2
2rt
3 a
2
a R + rt
(4) h
4
1 (1) z
y
a 4R
x 3
(a) (b) (c) (d)
Figura 1.14. (a) Huecos tetraédricos en las caras de la celda bcc. (b) Dimensiones
de los tetraedros. (c) Posición de los huecos tetraédricos en las caras de la celda.
(d) Esquema para el cálculo del tamaño del hueco.
En la Fig. 1.14(b) se muestran las dimensiones del tetraedro: Dos aristas

miden
√ a (distancia entre cı́rculos del mismo color) y las otras cuatro
3a/2 (distancia entre cı́rculos de color distinto). Hay 4 de estos huecos
en cada cara de la celda, en las posiciones que se indican en la Fig.
1.14(c) ⇒ Hay 12 huecos por celda convencional.(12)
La distancia h se determina de la condición de que la distancia desde
el centro del tetraedro a cada uno de sus vértices es la misma. Ası́, por
ejemplo, para los ejes x, y, z que se indican en la figura, con origen de
coordenadas, (0,0,0), en el punto (4) de la Fig. 1.14(a), el punto (2)
tiene coordenadas 21 a(−1,1,1) y el centro el tetraedro (−h,a/2,0) ⇒
11 6 × 1/2 de las caras +12 × 1/4 de las aristas.

12 Cuatro en cada cara compartidos por dos celda: 4 × 6 × 1/2.

Distancia centro − punto (4) = Distancia centro − punto (2)


¯ ↓ ¯ ¯ ↓ ¯



¯ a ¯ ¯a a ¯ 

¯(0, 0, 0) − (−h, , 0)¯ = ¯ (−1, 1, 1) − (−h, , 0)¯ a
2 2 2 ⇒h = .
4
r³ ´↓ ↓ 

r³ 

a 2 a ´ 2 ³ ´
a 2 

+ h2 = +h + 

2 2 2
Por otro lado, en la Fig. 1.14(d) se puede ver que rt se determina de
r 
³ a ´2  Ãr !
2 
R + rt = h +  5
2 ⇒ rt = R − 1 ≈ 0.29R.
4R a  3
a= √ , h= 

3 4
c) Red fcc. En esta red aparecen en el centro de la celda y en los centros
de las aristas 4 huecos octaédricos por celda(13) de radio ro . La Fig. 1.15
izquierda permite ver que
4R ³√ ´
2R + 2ro = a = √ ⇒ ro = R 2 − 1 ≈ 0.41R.
2
Aparecen también huecos en los centros de los tetraedros que se forman
dentro de la celda √ unidad. Teniendo en cuenta que el centro de estos
tetraedros está a a 3/4 (ver ejercicio 5), rt se determina de
√ r Ãr !
3 3 3
R + rt = a =R ⇒ rt = R − 1 ≈ 0.22R.
4 2 2
R 2r
a
Figura 1.15. Celda de una estructura 4R
fcc compacta y sección según la lı́nea de
puntos.
R
13. La formación de vacantes de Schottky hace que disminuya la

densidad del cristal, ya que su volumen aumenta y su masa no
cambia. Estimar el cambio relativo en la densidad del cobre, para
el que la energı́a de formación de una vacante es ǫv = 1 eV, debido
a la formación de vacantes a la temperatura justo por debajo de
su punto de fusión (1356 K).
Solución:
mN mN
Densidad sin y con vacantes: ̺sv ≡ y ̺cv ≡ , respectivamente,
Vsv Vcv
donde m es la masa cada átomo, N el número de átomos del cristal, Vsv el
volumen sin vacantes y Vcv con vacantes.
13 Uno en el centro de la celda más 1 en cada arista compartido por cuatro celda: 1+12×1/4 = 4.
Si vp ≡ Volumen de 1 celda primitiva, entonces


Sin vacantes: Vsv = N vp 

 ³ ´
Con n vacantes: Vcv = Vsv + nvp
⇒ Vcv = Vsv 1 + e−ǫv /kB T ⇒



Ec. (1.2) → n = N e−ǫv /kB T
mN mN ̺sv
̺cv = = −/k T
= ⇒
Vcv Vsv (1 + e B ) 1 + e−ǫv /kB T
̺cv 1
= ≈ 0.9998.
̺sv 1 + e−ǫv /kB T
14. A temperatura ambiente la relación entre el número de vacantes

y el de divacantes en un cierto metal es de 1:1014 . Sabiendo que la
energı́a de formación de una vacante es ǫv = 1 eV, determinar la
energı́a de formación de una divacante. Discutir el resultado.
Solución:
Según la Ec. (1.2),
Vacantes: Energı́a de formación→ ǫv Número→ n = N e−ǫv /kB T .
Divacantes: Energı́a de formación→ ǫd Número→ nd = N e−ǫd /kB T .
n n
Resulta entonces que = e−(ǫv −ǫd )/kB T ⇒ ǫd = ǫv + kB T ln .
nd nd
Con los datos del problema, tomando T = 300 K, resulta ǫd ≈ 1.8 eV.
Esta energı́a es menor que la correspondiente a dos vacantes (2ǫv ) que se
formen en dos posiciones aleatorias (alejadas) del cristal (Fig. 1.15(a)). Ello
se debe a que, en principio, cuesta menos arrancar un átomo alrededor de
una vacante (menos enlaces que romper). En efecto, la energı́a de formación
de una divacante (dos vacantes en nodos vecinos como se ilustra en la Fig.
1.15(b)) es la energı́a de formación de dos vacantes menos la energı́a de
enlace entre vacantes: ǫd = 2ǫv − ǫe . Si no se forman más divacantes debido a
este beneficio energético es consecuencia de que la acumulación de vacantes
(dando lugar a defectos extendidos, como poros, en el cristal) disminuye
la entropı́a del sistema y, como ocurre con la formación de vacantes, la
concentración de divacantes en equilibrio térmico es aquella que minimiza
la energı́a libre del sistema, lo cual ocurre para un compromiso entre mı́nima
energı́a interna y máxima entropı́a.
Figura 1.16. Esquema de posición de

dos vacantes (a) y de una divacante (b).
( a)
( b)

1.3 Ejercicios de exámenes 25
1.3. Ejercicios de exámenes

1. En la figura adjunta se representa la celda unitaria de un cristal constituido
por tres tipos de átomos: A, en los vértices del cubo; B, en la mitad de las
aristas del cubo; C, en el centro del cubo.
a) Dar la red y la base de átomos de la estructura.
b) Dar la fórmula estequiométrica.
c) Dar la red recı́proca.
d ) Suponiendo que la estructura es compacta, calcular el
radio rC máximo del átomo C en función del tamaño
relativo rA /rB . Particularizar para rA /rB = 2 y rA /rB =
3, dándo en cada caso la fracción de empaquetamiento.
Solución: (a) Red sc con base de 5 átomos en posiciones A: (0,0,0), B: a(1/2,0,0),
a(0,1/2,0), a(0,0,1/2), C: a(1/2,1/2,1/2). (b) AB3 C. (c) Red sc de parámetro 2π/a. (d)
(i) rA ≈ 1.94rB ⇒ rC ≈ 3.15rB , f [ %] ≈ 85.6 (ii) rA = 2rB ⇒ rC ≈ 3.20rB , f [ %] ≈ 84.9;
rA = 3rB ⇒ rC ≈ 3.93rB , f [ %] ≈ 74.2.
2. Un cristal formado por iones de átomos A y B tiene una estructura como se

indica en la figura adjunta (tipo rutilo): celda convencional de parámetros
a = b = 0.459 nm, c = 0.396 nm, con iones A en los vértices y el centro
de la celda convencional e iones B en el interior de la celda y en las caras
superior e inferior, como se indica en la figura. Cada ión B está en el centro
de un triángulo definido por tres iones A, mientras que cada ión A está en
el centro de un octaedro definido por seis iones B.
a) Describir la estructura como red más base de átomos.
b) Dar la fórmula estequiométrica.
c) Dar la red recı́proca.
d ) Determinar los volumenes de la primera y segunda
zonas de Brillouin.
Solución: (a) Red tetragonal de parámetros a = b, c, con base de 6 átomos [2 A en
(0,0,0), 21 (a, a, c) y 4B en 14 (a, a, 0), 34 (a, a, 0), ( 43 a, 14 a, 21 c), ( 14 a, 34 a, 12 c)]. (b) AB2 . (c)
Red tetragonal de parámetros 2π/a, 2π/b. (d) 8π 3 /a2 b.
3. En el γ-Fe, los átomos de Fe ocupan posiciones de red fcc y los átomos de

C algunos huecos octaédricos de la estructura. En la fase α-Fe, el Fe ocupa
posiciones de red bcc y el C nuevamente algunos de su huecos octaédricos.
a) Determinar cuál fase (α o γ) puede disolver ( % en masa) más C,
suponiendo que se pudiesen ocupar tosos los huecos octaédricos
b) En una estructura bcc los mayores huecos son de coordinación
tetraédrica, por lo que la fase α-Fe podrı́a disolver aún más C.
Sin embargo, experimentalmente se observa que la fase γ-Fe disuelve
intersticialmente un 2.14 % en masa de carbono y la α-Fe un 0.02 %.
¿Cuál es la razón de esta discrepancia?
Solución: (a) γ-Fe: 21.5 %, α-Fe: 64.5 %. (b) La fase f cc tiene mayores huecos que la bcc.
4. Verificar que en una red, definida como el conjunto de puntos con vectores
posición ~r = u1~a1 + u2~a2 + u3~a3 donde los ui barren todos los enteros, todos
los puntos son equivalentes.
Solución: El entorno de un punto de red R ~ = P ui~ai es equivalente al de otro punto de red
i
~′ = P ~ =
′ a si dado P
P ~ = P v ′~ai tal que R−
~ P~ ≡R ~ ′ − Q.
~ El requisito
R i ui ~ i i vi ~
ai , existe Q i i
~ ′ ′ ′
para que exista Q es que los vi sean enteros y eso se cumple porque vi = ui − ui + vi .
5. Un sólido cristalino monoatómico posee una estructura hcp. El volumen de

la celda hexagonal convencional es 7.2 nm3 calcula el volumen de la celda
primitiva. ¿Cuáles son los planos de mayor y menor densidad?
Solución: 2.4 nm3 . Los planos más densos son los de la base hexagonal. No existe una
familia de planos que sean los de menor densidad.
6. a) ¿Cuáles son los planos reticulares más separados en una red fcc y en
una bcc? ¿Y los menos separados?
b) ¿Cuántos átomos por celda primitiva tiene un cristal monoatómico (un
solo tipo de átomo) si su estructura es:
1) Tetragonal
2) Tetragonal centrada en el cuerpo
3) Hexagonal
4) Monoclı́nica centrada en bases
Solución: (a) fcc: planos [111], bcc: planos [110]. En una red no hay una familia de planos
que sean los de menor separación. (b) Uno en las cuatro estructuras.
7. La figura adjunta muestra la estructura de la fluorita,

forma mineral del fluoruro de calcio. Describir la
estructura y dar la fórmula estequiométrica.
Ca
Solución: Red fcc y base de tres átomos: un Ca en (0,0,0) y dos F, F
por ejemplo, en a(1/4,1/4,1/4) y a(3/4,3/4,3/4). Fórmula: F2 Ca.
8. Para el patrón de la figura adjunta, indicar:

a) Una celda unitaria rectangular
b) Una celda unitaria primitiva
c) La base de átomos correspondiente a cada celda.
Solución:

(a) (b) (c)

9. Uno de los compuestos más de moda es el fullereno C60 K3 . Los átomos de

carbono entran en la estructura formando las moléculas bola C60 , y cada
bola de C60 está coordinada con 12 átomos de K. Sabiendo que la estructura
pertenece al sistema cúbico, deducir una red y una base atómica compatible
con los datos.
Solución: Red sc con base de átomos formada por una bola C60 en (0,0,0) y 3 átomos K
en a(1/2, 1/2, 0), a(1/2, 0, 1/2), a(0, 1/2, 1/2).
10. Considerar las tres estructuras del carbono mostradas en la figura adjunta.
Razonar si en alguna de ellas los átomos de carbono forman una red
monoatómica. En caso contrario, proponer un sistema de red más base de
átomos e indicar el número de átomos de la base elegida.
(a) Diamante (b) Grafito (c) Fullereno (C60)
Solución: Ninguna es una red monoatómica. (a) Red fcc con base de 2 átomos en posiciones
(0,0,0) y a
4 (1,1,1), donde a es el lado del cubo. (b) Red hexagonal con base de 4 átomos
√
en posiciones (0,0,0), (2a/3,a/3,0), (2a/3,a/3,c/2), (a/3,2a/3,c/2), donde a es 3 veces el
lado de los hexágonos y c 2 veces la separación vertical entre planos vecinos de átomos.
(c) Red fcc de esferas C60 .
11. En la figura adjunta se representan las estructuras de los compuestos binarios

Fem Sn y Nip Sq .
a) Determinar los ı́ndices m, n, p, q.

b) Determinar la red y base de átomos correspondiente a cada estructura.
Solución: (a) m = 4, n = 8, p = 3, q = 2. (b) FeS2 : Red sc con base de 4

átomos de Fe en posiciones (0,0,0), a(1/2, 1/2, 0), a(1/2, 0, 1/2), a(0, 1/2, 1/2) y 8 pares
de átomos S en posiciones a(1/2, 0, 0), a(0, 1/2, 0), a(0, 0, 1/2), a(1/2, 1/2, 1/2). Ni3 S2 :
Red sc con base de 2 átomos de S en posiciones (0,0,0), 12 a(1, 1, 1) y 3 de Ni en
a(x, 1/2, 0), a(1/2, 0, z), a(0, y, 1/2), con 0< x, y, z < 1/2.
12. La estructura de la figura adjunta ha sido construida con el criterio de

apilamiento de esferas rı́gidas de la manera más compacta posible.
a) Describirla como red + base de átomos.

b) Describirla como red cúbica + base de átomos.
c) Dar en cada caso los parámetros de red en función
de los radios de los átomos.
Solución: (a) Red hexagonal con base 3 átomos en posiciones (0,0,0),
(a/3,2a/3,c/3), (2a/3,a/3,2c/3). (b) Red fcc monoatómica. (c) fcc:
√ √
a = 2 2R, hexagonal: a = 2R, c = a 6.
13. Una determinada forma de grafito tiene la estructura que se muestra, desde
dos perspectivas diferentes, en la figura adjunta.
2.52 Å
4.12 Å
a) Determinar una combinación de red+base válida para describir esta

estructura.
b) Determinar la densidad, en kg/m3 , que tendrı́a una muestra
monocristalina de grafito cristalizado en esa estructura. (Peso molecular
del C: 12.011 g/mol).
Solución: (a) Red hexagonal de parámetros a = 4.36 Å y c = 4.12 Å con base de dos
átomos. (b) 587 Kg/m3 .
14. Describir la estructura de la figura adjunta como red más una base atómica
y dar su fórmula estequiométrica.
Solución: Red sc con base de 5 átomos: 1 átomo A en (0,0,0),

3 B en a(1/2, 1/2, 0), a(1/2, 0, 1/2), a(0, 1/2, 1/2) y 1 C en
a(1/2, 1/2, 1/2). ACB3 .
15. Discutir si serı́a estructuralmente posible la existencia de cristales iónicos de

iones positivos con radio R y negativos de radio 0.25R ó 0.5R en alguna de
las configuraciones siguientes:
√
a) Iones positivos formando una red fcc de parámetro a = 4R/ 2.
√
b) Iones positivos formando una red bcc de parámetro a = 4R/ 3.
c) Calcular para cada estructura factible la máxima compacidad posible y
dar la fórmula estequiométrica correspondiente.
Solución: (a),(b) 0.25R si, 0.5R no. (c) fcc: 75.1 %, AB. bcc: 69.1 %, AB.
16. El sodio se transforma de bcc en hcp a T ≈ 23 K. Suponiendo que la densidad

permanece constante y que el cociente c/a de la fase hcp es el ideal, calcular
el parámetro de red ahcp , sabiendo que el parámetro de red de la celda
convencional para la fase cúbica es abcc = 4.23 Å.
Solución: 3.77 Å.
17. a) ¿Por qué la estructura cúbica centrada en bases (figura adjunta) no es

una red de Bravais como tal y sı́ lo son las centradas en bases de los
sistemas ortorrómbico y monoclı́nico?
b) Describirla como red de Bravais más base de átomos.
c) ¿Podrı́a describirse como red de Bravais monoatómica?
Solución: Porque este patrón se describe como red de Bravais tetragonal simple de
√
parámetros a1 = a2 = 2a/2 = 6 a3 = a que forman los ángulos α = β = γ = 90o (a
es el lado del cubo). (a) con respecto al sistema cúbico serı́a una red sc con base de 2
átomos en (0,0,0) y a(1/2,1/2,0). (b) Red tetragonal simple.
18. En tres dimensiones existen 14 tipos de redes cristalinas distintas atendiendo

a sus simetrı́as (redes de Bravais). Explicar cuales son las correspondientes
redes cristalinas en dos dimensiones, especificando para cada una unos
vectores base primitivos y sus coordenadas.
Solución: Cuadrada: a1 = a2 ; α = 90o . Rectangular y rectangular centrada: a1 6= a2 ;
α = 90o . Hexagonal: a1 = a2 ; α = 60o (ó α = 120o ). Oblicua: a1 6= a2 ; α 6= 90o .
19. Considerar el patrón de la Fig. 1.17 izquierda (las distancias están en Å).
a) Dar unos vectores unitarios ortogonales (coordenadas expresadas en
función de los ejes cartesianos indicados), la celda unitaria que
determinan y la base de átomos asociada para reproducir el patrón.
b) Dar unos vectores primitivos (coordenadas expresadas en función de los
ejes cartesianos indicados), la celda unitaria que determinan y la base
de átomos asociada para reproducir el patrón.
&
a2
&
& a' 2
a1
&
a'1
Figura 1.17.
Solución: (a) Vectores ortogonales: ~a1 = 2ı̂, ~a2 = 4̂; Base de 2 átomos, posiciones: (0,0)
y 21 ~a1 + 12 ~a2 ; Celda unitaria: rectángulo de la Fig. 1.17 derecha. (b) Vectores primitivos:
~a′1 = ı̂ − 2̂, ~a′2 = ı̂ + 2̂; Base de 1 átomo, posición: (0,0); Celda unitaria: rombo de la Fig.
1.17 derecha.
Capı́tulo 2
Red recı́proca y difracción

de rayos x

Red recı́proca (asociada a una red directa definida por la Ec. (1.1)): Red
dada por los puntos definidos por los vectores
~ = v1~b1 + v2~b2 + v3~b3
G (2.1)
donde los vi son todos los enteros y los ~b′ s cumplen

½
~bi · ~aj = 2πδij , con δij = 1 si i = j
(2.2)
0 si i =
6 j,
y donde ~a1 , ~a2 , ~a3 son unos vectores primitivos que definen la red directa.
Unos posibles vectores primitivos de la red recı́proca son los dados por
~b1 = 2π ~a2 × ~a3 , ~b2 = 2π ~a3 × ~a1 , ~b3 = 2π ~a1 × ~a2 (2.3)
~a1 (~a2 × ~a3 ) ~a1 (~a2 × ~a3 ) ~a1 (~a2 × ~a3 )
Para el sistema cúbico, con los vectores primitivos de la Tabla I.2 se obtendrı́an,
2π ~ 2π ~ 2π
sc : ~b1 = ı̂, b2 = ̂, b3 = k̂.
a a a
2π 2π 2π
bcc : ~b1 = (̂ + k̂), ~b2 = (ı̂ + k̂), ~b3 = (ı̂ + ̂).
a a a
2π 2π 2π
fcc : ~b1 = (−ı̂ + ̂ + k̂), ~b2 = (ı̂ − ̂ + k̂), ~b3 = (ı̂ + ̂ − k̂).
a a a
Las funciones periódicas en la red directa (n(~r + R) ~ = n(~r)) pueden expresarse
como Z
X ~ r
iG·~ 1 ~
n(~r) = nG ~e , con nG ~ = n(~r)e−iG·~r d3~r. (2.4)
V V
~
G
32 Capı́tulo 2: Red recı́proca y difracción de rayos x
Primera zona de Brillouin de una red (directa): Celda de Wigner-Seitz en

la correspondiente Red Recı́proca.
Índices de Miller: Se utilizan para definir planos reticulares. Se determinan
como sigue: (1) Se buscan los puntos de corte con los ejes ~a1 , ~a2 , ~a3 de un
plano cualquiera (que no pase por el origen) de la familia de planos reticulares
correspondiente. (2) La terna de números (h0 k0 l0 ) primos entre sı́ que están en la
misma proporción que los inversos de las coordenadas (en unidades de a1 , a2 , a3 )
de los puntos de corte, son los ı́ndices de Miller.
En el sistema cúbico, los ı́ndices de Miller están referidos a los ejes cartesianos.
Relación planos reticulares-vectores de la red recı́proca. Los planos
de una familia de ı́ndices (h0 k0 l0 ) referidos a unos ejes primitivos ~a1 , ~a2 , ~a3 están
separados una distancia
2π ~ 0 = h0~b1 + k0~b2 + l0~b3 .
d= , con G (2.5)
~ 0|
|G
~ 0 es el vector de la Red Recı́proca más corto perpendicular a dicha familia de
G
planos. Los ~bi son los vectores primitivos de la Red Recı́proca dados por (2.3).
Inversamente, cualquier vector G ~ de la red recı́proca de componentes hkl tiene
asociada una familia de planos reticulares perpendiculares a él, de ı́ndices (h0 k0 l0 )
y separados una distancia dada por (2.5). G ~ 0 es el vector más corto paralelo a G,
~
con lo cual, h/h0 = k/k0 = l/l0 = n, con n entero.
Amplitud de dispersión de ondas electromagnéticas de vector de onda ~k
dispersadas por un cristal con red {R ~ n } y base de j átomos en posiciones ~rj
base
X red
X
~′ ~ ~ ~′ ~
A∝ fj e−i~rj ·(k −k) e−iRn ·(k −k) , (2.6)
j n
donde k~′ es el vector de onda de la radiación dispersada y

Z
~
fj = nj (~ ρ)e−i~ρ·G d3 ρ
~ (2.7)
el factor de forma atómico. nj (~ ρ) es la distribución de carga del átomo j.

Condición de difracción y factor de estructura de la base. La amplitud
~ n · (k~′ − ~k) = 2πm con m entero, ∀R
A es no nula sólo si R ~ n . Esto es equivalente a
~ ~′ ~
que el vector ∆k = k − k sea un vector de la red recı́proca de {R ~ n }. La condición
de máximo o condición de difracción se expresa por tanto como
∆~k = G,
~ (2.8)
en cuyo caso,
base
X ~
A ∝ N SG
~ con SG
~ = fj e−i~rj ·G , (2.9)
j
que es llamado factor de estructura de la base.

2.1 Definiciones y relaciones básicas 33
Para rayos x la dispersión es elástica (|k~′ | = |~k| = 2π/λ), con lo cual la

condición de difracción se puede escribir también como
~ = 1 |G|
~k · G ~ 2 (dirección de la difracción k~′ = ~k − G).
~ (2.10)
2
Ley de Bragg: Para un cristal iluminado con rayos x de longitud de onda λ,
se puede observar difracción para cada familia de planos reticulares separados una
distancia d y formando un ángulo θ con la dirección de incidencia, si se cumple:
2d sen θ = nλ, con n entero. (2.11)
Indexación de máximos: Sustituyendo en (2.11) la separación entre planos

dada por la Ec. (2.5), la condición de difracción se puede expresar como
4π sen θ = nλ|h0~b1 + k0~b2 + l0~b3 |. (2.12)
Para el sistema cúbico, tomando como referencia los vectores

2π ~ 2π ~ 2π
~a1 = aı̂, ~a2 = a̂, ~a3 = ak̂ ⇒ ~b1 = ı̂, b2 = ̂, b3 = k̂
a a a
y (2.12) se escribe como
½
p con h = nh0 , k = nk0 , l = nl0 enteros
2a sen θ = λ h2 + k2 + l2 (2.13)
(no necesariamente primos entre sı́)
La Ec. (2.13) permite indexar los máximos de difracción observados en las

direcciones θ.

1. Razonar la veracidad de las siguientes afirmaciones:
a) La intensidad de cualquiera de los máximos de difracción de

un cristal es proporcional al número de átomos.
b) El factor de forma atómico hace que la intensidad de los
máximos disminuya a medida que lo hace el ángulo de Bragg.
c) Dos cristales distintos tienen distinta red recı́proca asociada.
d) La primera zona de Brillouin (PZB) es una celda unitaria
primitiva de la red recı́proca.
e) En condiciones de máximo de difracción las ondas reemitidas
por dos átomos cualesquiera del cristal están en fase.
f) En condiciones de máximo de difracción la onda reemitida por
el conjunto de la base atómica asociada a un punto de la red
está en fase con la reemitida por la base atómica de cualquier
otro punto de la red.
Solución:
a) Falso. Cuando se verifica la condición dada por la Ec. (2.8) la amplitud

de la onda difractada es
X ~
Asalida ∝ N fj e−iG·~rj .
j
Si la suma en j es no nula, la intensidad es I ≡ AA∗ y por tanto I ∝ N 2 ,

no a N .
b) Falso. La intensidad de los máximos es mayor para los ángulos de Bragg
más bajos. Este hecho puede explicarse cualitativamente observando
que de acuerdo con la definición de factor de forma atómico dada por
la Ec. (2.7), se trata de una suma interferencial de ondas reemitidas
por elementos de volumen de la distribución de carga de los átomos. La
intensidad de la radiación reemitida será mayor cuantos más elementos
reemitan en fase. Sin embargo, en general, siempre habrá elementos que
reemiten desfasados lo cual hace que dicha intensidad disminuya.
Además, la contribución de dos centros dispersores a la onda total
reemitida es menor, en principio, cuanto mayor sea su desfase. La
cuestión es ver que este efecto es más acusado para los ángulos Bragg
más altos. Para ello, considérese tres centros que reemiten como se
ilustra en la Fig. 2.1. Los centros a distancia d reemitirı́an en fase para
los tres ángulos, θ = 0, θ′ y θ′′ mientras que los centros a distancia d′
sólo reemitirı́an en fase para θ = 0. Para θ′ y θ′′ reemitirı́an desfasados
con mayor desfase para θ′′ > θ′ .
T=0 T’>0 T’’>T’

Figura 2.1.
c) Falso. Pueden tener distinta base de átomos aunque la misma red directa
y en consecuencia la misma red recı́proca. Por ejemplo, el diamante y el
NaCl son cristales diferentes y sin embargo ambos pueden describirse
como una red fcc y base de dos átomos.
d) Verdadero, por definición de celda de Wigner-Seitz.
e) Falso. En condición de máximo reemiten en fase dos celdas unitarias
cualesquiera, pero los átomos pueden no hacerlo (de hecho, a veces el
factor de forma de la base hace que el máximo que deberı́a observarse,
de acuerdo con la condición de máximo, no se observe, debido a que los
átomos de la base no emiten en fase).
f) Verdadero, por condición de máximo de la suma interferométrica (2.8).
2. Realizar la traducción geométrica de la condición de difracción (Ec.

(2.10)) utilizando la red recı́proca. De ahı́, discutir cuan probable o
improbable es que un haz de rayos X incidente (vector de onda ~k) sobre
un cristal fijo sufra difracción coherente en cualquier dirección.
Solución:
En la Fig. 2.2 se muestra una interpretación gráfica de la Ec. (2.8). Para
una iluminación dada de un cristal cuya red recı́proca se muestra en la Fig.
2.2(a), una forma de encontrar cuales puntos podrı́an cumplir la Ec. (2.8),
~k − k~′ = G,
~ es situar el origen del vector ~k en un punto de la red recı́proca
y trazar un cı́rculo de radio k cuyo centro sea el extremo de ~k (esto se llama
construcción de Ewald). Aquellos puntos que estén sobre este cı́rculo (en tres
dimensiones serı́a una esfera) cumplen la Ec. (2.8).
En esta construcción puede apreciarse lo improbable que es que un haz
incidente en un cristal fijo sufra difracción coherente. Sólo el punto etiquetado
como 2 está exactamente encima del cı́rculo de Ewald.
En las Figs. 2.2 (b) y (c) se muestra el fundamento de dos de los métodos
utilizados para garantizar difracción coherente: Fig. 2.2(b): Utilización de
un haz policromático, con longitudes de onda entre 2π/k2 y 2π/k1 . De
esta forma los puntos contenidos entre el cı́rculo de radio k~1 y el de radio
k~2 producen difracción. Fig. 2.2(c): Girando el cristal con respecto al haz
incidente: cuando algún punto cruza el cı́rculo se verifica la Ec. (2.8).
& & & O’

&
O O
k k' k1 & k
2 k2
&
G
(a) (b) (c)

Figura 2.2.
3. ¿Discutir acerca de la posibilidad de utilizar la difracción en un

cristal para monocromar un haz de rayos x?
Solución:
Es el método utilizado para lograr fuentes de rayos x monocromáticos.
Los rayos x se producen por impacto de electrones acelerados contra blancos
metálicos (Cu, Ni, Fe, Mn, ...). La radiación emitida tiene en general un
espectro continuo. En algunos casos sin embargo presenta picos, como los
que se muestran en la Fig. 2.3 para el Cu, que tiene dos picos dobles.
Para monocromar esa radiación y obtener, por ejemplo, las longitudes de
onda que se dan en la tabla de la Fig. 2.3 se utiliza la difracción por un
cristal y se filtran parte de los haces difractados.
KD
KE
KD KE
KD
KE
O (nm)
Intensidad
Cu Ni Fe Mn
KD1 0.15404 0.1655 0.1932 0.2098
KD2 0.15444 0.1658 0.1936 0.2101
Energía
Figura 2.3.
4. En un difractograma de un cristal se miden ángulos e intensidades

(relativas). ¿Qué información sobre el cristal se extrae de los
ángulos y cuál de las intensidades?
Solución:
De los ángulos, esto es de las direcciones de difracción coherente, se obtiene
información sobre las posiciones de los puntos de la red recı́proca y por tanto
de las posiciones de los nodos de la red directa.
Las intensidades dan información sobre la base de átomos, concretamente

sobre los factores de forma atómicos. Recordar que, en condiciones de
difracción (∆~k = G)
~
P ~
Asalida ∝ N fj e−iG·~rj ≡ N SG
~ ⇒
SG
~ determina la intensidad de los picos permitidos por la condición (2.8).
−iπ(h+k+l)
Por ejemplo, para el CsCl, SG
~ = fCl + fCs e ⇒
½
fCl + fCs , si h + k + l = 2n
SG~ = n∈Z
fCl − fCs , si h + k + l = 2n + 1
5. Probar que en un cristal cúbico la dirección (h,k,l) es perpendicu-

lar a los planos [hkl].
Solución:
El plano de ı́ndices hkl corta a los ejes cartesianos en los puntos P~1 =
x1~a1 , P~2 = x2~a2 y P~3 = x3~a3 , como se muestra en la Fig. 2.4(a).

h k l  x1 = 1/αh
Los ı́ndices hkl
= = ≡α⇒ x2 = 1/αk
deben cumplir 1/x1 1/x2 1/x3 
x3 = 1/αl
Este plano es perpendicular a la dirección (h,k,l) si un vector perpendicular

~1 × V
a él, por ejemplo el V ~2 de la Fig. 2.4(b), es paralelo a h~a1 + k~a2 + l~a3 :
¾
~1 = x2~a2 − x1~a1
V
⇒V ~1 × V~2 = 1 (h~a1 + k~a2 + l~a3 ).
~
V2 = x3~a3 − x1~a1 α2 hkl
& &
P3 V uV
1 2
& &
a
3 & V
& a 2
a 2 P2
1
P1 &
(a) V (b)
1
Figura 2.4.
6. Las direcciones de los máximos de difracción en un cristal están

determinadas por la red subyacente (por ejemplo ∆~ ~ Sin
k = G).
embargo, como la elección de red tiene un grado de arbitrariedad,
~
parecerı́a que al cambiar de red (distintos G’s), debieran cambiar
las direcciones de los máximos de difracción. Resolver la paradoja.
Solución:
Para una radiación incidente y una red dadas, fı́sicamente las direcciones de
los máximos son completamente independientes de la descripción matemática
(pues eso es la elección de unos vectores unitarios particulares) que se haga
de la red. Este hecho se ilustra con el patrón bidimensional de la Fig. 2.5(a),
que se puede describir con respecto a los vectores no primitivos ~a1 , ~a2 (y base
de dos cı́rculos) o a unos primitivos a~′ 1 , a~′ 2 ó a~′′ 1 , a~′′ 2 , por ejemplo.
& &
j& & b2'
i a'2 & P & P
& k' & & k' &
& & & &k& q' k b2' '
a2 a'1 a''2 & q G & Q &
& G
b2 & G' &
& & b1' b1' '
a''1 b1
a1
(a) (b) (c)
Figura 2.5.
En la Fig. 2.5(b) se representa la red recı́proca asociada a los vectores

no primitivos ~a1 , ~a2 . Para la radiación incidente ~k, el punto P produce
−−→
interferencia coherente en la dirección ~k ′ . La dirección P O puede describirse
mediante coordenadas distintas según la base de vectores escogida,(1) pero
fı́sicamente la dirección es la misma (lo mismo pude decirse del vector ~k),
como se ve en la Fig. 2.5(b) que muestra la red recı́proca generada por los
vectores primitivos ~b′1 , ~b′2 o ~b′′1 , ~b′′2 (determinados, correspondientemente por
~a′1 , ~a′2 y ~a′′1 , ~a′′2 ). Efectivamente, se puede ver que para la misma iluminación
con rayos x de vector ~k, es el mismo punto P el que produce la difracción en
la misma dirección ~k ′ .
Si se utiliza radiación de longitud de onda ligeramente menor (|~q| < |~k|),
manteniendo la dirección de incidencia, serı́a el punto Q el que producirı́a
difracción en la dirección ~q′ = ~k − G ~ ′ . Sin embargo en (c) el punto Q no
aparece. La compatibilidad entre estas dos situaciones se encuentra en el
hecho de que el factor de estructura de la base de átomos asociada a la
red ~a1 , ~a2 anula la difracción que producirı́a Q. En efecto, es inmediato
comprobar que, con respecto a estos vectores no primitivos,

~ = −2~b1 − ~b2 
G X ~
~r1 = 0 ⇒ SG = fj e−iG·r~j = f (1 + e−i3π ) = 0.
1 
~r2 = 2 (~a1 + ~a2 ) j
7. Verificar explı́citamente que un cristal fcc monoatómico tiene los

mismos máximos de difracción cuando se considera como red sc
con base tetraatómica.
Vectores base ~b1 , ~b2 ~b′ , ~b′ ~b′′ , ~b′′
1 1 2 1 2
x+y x−y x+y
Coordenadas x, y x, 2 2 , 2
Solución:
Considerada como red sc de vectores base ~a1 = aı̂, ~a2 = a̂ y ~a3 = ak̂, los
2π ~ 2π 2π
vectores de la red recı́proca serı́an ~b1 = ı̂, b2 = ̂ y ~b3 = k̂.
a a a
Se producirá difracción cuando ∆~k = G ~ (condición (2.8)), siendo G ~ un vector
~ ~ ~
de la red recı́proca dado por G = hb1 + k b2 + lbX ~ 3 , con h, k, l ∈ Z, siempre y
~
cuando el factor de estructura de la base SG ~ = fj e−iG·~rj no se anule.
j
En esta red, los átomos de la base ocupan las posiciones

a a a
~r1 = 0, ~r2 = (0, 1, 1), ~r3 = (1, 0, 1) y ~r3 = (1, 1, 0) ⇒
2 2 2
−iπ(k+l) −iπ(h+l)
SG~ ∝ (1 + e + e + e−iπ(h+k) ).
Luego, si la estructura se describe como sc con base de cuatro átomos, los
ı́ndices de Miller hkl permitidos son aquellos que tienen la misma paridad.
Es decir, de la forma (111), (200), (311), (220), etc.
Consideremos ahora estructura descrita por unos vectores primitivos
correspondientes a una red f cc, por ejemplo,
a a a
~a1 = (̂ + k̂), ~a2 = (ı̂ + k̂), ~a3 = (ı̂ + ̂),
2 2 2
que determina la red recı́proca de vectores primitivos
~b1 = 2π (−ı̂ + ̂ + k̂), ~b2 = 2π (ı̂ − ̂ + k̂), ~b3 = 2π (ı̂ + ı̂ − k̂).
a a a
En esta red see producirá difracción para vectores G ~ = m~b1 + n~b2 +
p~b3 , con m, n, p ∈ Z. G ~ expresado en la base cartesiana ı̂,̂, k̂ tiene las
componentes (−m + n + p, m − n + p, m + n − p), que resultan ser todas pares
o todas impares, lo mismo que con respecto a la red sc.(2)
8. La aleación CuAu3 tiene estructura cúbica. Por debajo de 400 o C,

los átomos de cobre ocupan los vértices de la celda convencional y
los de oro los centros de las caras (fase ordenada). Por encima de
400 o C la estructura está desordenada. Determinar las reflexiones
no comunes a ambas fases en un diagrama de difracción de rayos x.
Solución:
En la fase ordenada los átomos de Cu están los vértices de la celda y los
de Au en los centros de las caras (Fig. 2.6(a)). Las posiciones de los cuatro
átomos de la base, en unidades del parámetro a, se dan el la Fig. 2.6(b).
2 Análogo resultado se obtiene para una red bcc, cuyos ı́ndices hkl permitidos son aquellos que
verifican h+k +l = entero par. Si la red se describe por los vectores primitivos ~a1 = a2 (−ı̂+̂+ k̂),
~a2 = a2 (ı̂−̂+ k̂), ~a3 = a2 (ı̂+̂− k̂), que determina los primitivos de la red recı́proca ~b1 = 2π
a
(̂+ k̂),
~b2 = 2π (ı̂ + k̂), ~b3 = 2π (ı̂ + ̂), los vectores G~ = m~b1 + n~b2 + p~b3 que determinan los máximos
a a
tienen componentes, con respecto a la base ı̂,̂, k̂, (n + p, m + p, m + n), cuya suma es siempre
un entero par, lo mismo que con respecto a la red cs.
Cu (0,0,0) Au (0,0,0) Au (0,0,0) Au (0,0,0)

Au (1/2,1/2,0) Au (1/2,1/2,0) Au (1/2,1/2,0) Cu (1/2,1/2,0)
Au (1/2,0,1/2) Cu (1/2,0,1/2) Au (1/2,0,1/2) Au (1/2,0,1/2)
Au (0,1/2,1/2) Au (0,1/2,1/2) Cu (0,1/2,1/2) Au (0,1/2,1/2)
Au
Au
Au
Cu
(a) (b) (c) (d) (e)
Figura
Figura 6 2.6.
Llamando fCu y fAu , respectivamente, a los factores de forma atómico del

Cu y del Au para la fase ordenada el factor de estructura de la base será, de
acuerdo con la Ec. (2.9):
X h i
~
SGord = fj e−iG·r~j = fCu + fAu e−iπ(k+l) + e−iπ(h+l) + e−iπ(h+k) ,
donde se ha utilizado G ~ = 2π (h, k, l).

a
En la fase desordenada SGdesord = (SGb + SGc + SGd + SGe )/4, donde
SGb , SGc , SGd , SGe son los factores de estructura de las disposiciones
(igualmente probables) que se muestran en las Figs. 2.6 (b) a (e).
Es inmediato comprobar que en este caso el factor de estructura es:
1 h i
SGdesord = (fCu + 3fAu ) 1 + e−iπ(k+l) + e−iπ(h+l) + e−iπ(h+k) .
4
Las reflexiones no comunes son las correspondientes a indices h, k, l de
distinta paridad, pues en ese caso el factor SGdesord se anula.
La fase desordenada se comporta como una red fcc con un factor de forma
atómico que es la media de los factores de forma de los átomos de la base.
9. Supóngase que en un cristal lineal existen centros puntuales de

~ n = n~
dispersión en cada punto de la red R a, con n ∈ Z, sobre el que
inciden rayos x de vector de onda ~ k. Demostrar que la intensidad
difundida es proporcional a sen2 (N~ a · ∆~ a · ∆~
k/2)/sen2 (~ k/2), siendo
N el número de puntos de la red. Analizar la difracción para ~ a·
∆~k = 2πh + ǫ, donde ǫ → 0 y h ∈ Z.
Solución:
Se trata de utilizar la Ec. (2.6) para una
k ~
onda eik·~r incidente sobre la cadena de
0 1 2 …… n átomos de masa M que se muestra en la
M Fig. 2.7. Los vectores de posición atómicos
a Rn = na
k’ son entonces vectores de red R ~ n = na con
n ∈ Z. La amplitud de la onda dispersada
Figura 2.7. en la dirección ~k ′ es por lo tanto
X N
X N ³
X ń
~ ~ ~ ~
Asalida ∝ fn e−iRn ·∆k = f e−in~a·∆k = f e−i~a·∆k .
n=1 n=1
Es decir, A es proporcional a la suma SN de los N primeros términos de una

~ r(1 − rN )
progresión geométrica de razón r = e−i~a·∆k , dada por: SN = .
1−r
Haciendo x = ~a · ∆~k, A es entonces
−iN x
³ iN x −iN x
´
e−ix e 2
¡ ¢
e−ix 1 − e−iN x e 2 −e 2 −ix −iN x sen
Nx
2
A∝ = ³ ´ = e 2 e 2
x .
1 − e−ix −ix ix
e 2 e2 −e 2
−ix
sen 2
La intensidad de la radiación difundida, definida por I ≡ AA∗ , es

~
sen2 N2x sen2 N~a2·∆k
I∝ = , (2.14)
sen2 x2 sen2 ~a·∆
~
k
2
máxima para ~a · ∆~k = 2πh (h ∈ Z) de acuerdo con la Ec. (2.8).

Comportamiento alrededor de un máximo: ~a · ∆~k = 2πh + ǫ.
2
(3) sen2 N2ǫ (N ǫ/2)
Ec. (2.14) ⇒ I ∝ ⇒ Para ǫ → 0, I ∝ = N 2.
sen2 2ǫ (ǫ/2)
2
1.0
20
La dependencia de I con ǫ se muestra en

0.8 la Fig. 2.8: Presenta un máximo principal
(unidades arbitrarias)
10
para ǫ = 0 (con I ∝ N 2 ) y máximos
0.6
secundarios (para ǫ = (2n + 1)π/N con
n ∈ Z) muchı́simo menos intensos (ver
0.4
0
2
inserto). Por ejemplo, el siguiente máximo
distinguible después del principal ocurre en
ǫ = 3π/N y su intensidad es
0.2
I
1 I(0)
I∝ ≈ (2/ǫ)2 ∼ .
sen2 ( 2ǫ ) 20
0.0
0 2 4 6 8
Figura 2.8.
Se ve pues que basta una pequeñı́sima desviación ǫ ≈ 3π/N (≈ 10−7 si
1/3
N ≈ NA , siendo NA el número de Avogadro) para que la intensidad de
la interferencia constructiva sea un orden de magnitud menor (incluso cero
para ǫ = 2π/N ), lo cual es un indicativo de lo exigente que es la Ec. (2.8).
10. En un diagrama de polvo de rayos x de una sustancia cúbica,

obtenido con la radiación Kα del cobre (λ = 0.1542 nm) aparecen
lı́neas para ángulos de Bragg de 12.3o , 14.1o , 20.2o , 24.0o , 25.1o ,
29.3o , 32.2o , 33.1o . Asignar ı́ndices a estas lı́neas. Decidir si es
cúbica simple, centrada en el centro o en las caras, y calcular la
constante de red.
3 sen(nπ + x) = ± sen(x)
Solución:
Para asignar ı́ndices hkl√a los ángulos de difracción observados se emplea la
Ec. (2.13): 2a sen θ = λ h2 + k 2 + l2 .
Como no se conoce el parámetro de red a, se divide la ecuación anterior
aplicada a cada ángulo, por la correspondiente al ángulo más bajo,
obteniéndose la relación
p
sen θi h2 + ki2 + li2
= p i2 , (2.15)
sen θ1 h1 + k12 + l12
Los cocientes
p de la tercera p columna de la Tabla II.1 se comparan con los
cocientes h2i + ki2 + li2 / h21 + k12 + l12 de la Tabla II.2.
Como se puede observar, las secuencias de cocientes de la Tabla II.1,
coinciden con los correspondientes a una red f cc. El primer máximo se
corresponde con los ı́ndices 111, el segundo con el 200, etc.
Una vez asignados los ı́ndices se calcula para cada ángulo el parámetro de
red a mediante la Ec. (2.13), resultando un valor medio de < a >= 0.63 nm.
q Tabla q II.2
hkl h2 + k2 + l2 / h21 + k12 + l12
sc bcc fcc
100 √ 1
110 √2 =1.41 1
111 3 =1.73 1
√
Tabla II.1 200 √4 =2 1.41 1.15
θ (o ) sen θ sen θ/ sen θ1 210 √5 =2.24
12.3 0.21 1 211 6 =2.45 1.73
√
14.1 0.24 1.14 220 √8 =2.83 2 1.63
20.2 0.35 1.62 221 √9 =3
24.0 0.41 1.91 300 9 =3
√
25.1 0.42 1.99 310 √10 =3.16 2.24
29.3 0.49 2.30 311 √11 =3.32 1.91
32.2 0.53 2.50 222 12 =3.46 2.45 2
√
33.1 0.55 2.56 320 √13 =3.61
321 √14 =3.74 2.65
400 16 =4 2.83 2.31
√
322 √17 =4.12
410 √17 =4.12
411 18 =4.24 3
√
331 √19 =4.36 2.52
420 √20 =4.47 3.16 2.58
421 21 =4.58
√
332 √22 =4.69 3.32
422 24 =4.90 3.46 2.83
11. Una muestra en polvo de S2 Fe cúbica (pirita de hierro) con

parámetro de red a = 0.54 nm es iluminada con la radiación K
del hierro, que está compuesta por las lı́neas Kα = 0.1937 nm y
Kβ = 0.1757 nm. ¿Se observará la superposición de manchas de
difracción, es decir, difracción en la misma dirección para las dos
longitudes de onda?
Solución:
A partir de la Ec. (2.13) podemos ver que habrá coincidencia de máximos si
√ √
0.1937 × h2 + k 2 + l2 0.1757 × h′2 + k ′2 + l′2
sen θ = = ⇒
2 × 0.54 2 × 0.54
√
h′2 + k ′2 + l′2
√ ≈ 1.10.
h2 + k 2 + l 2
En
√ la Tabla II.3 √ se muestra, para los ı́ndices más bajos, los cocientes
h′2 + k ′2 + l′2 / h2 + k 2 + l2 , dando en negrita los valores que difieren en
menos de ±0.01 de 1.10.
De las ternas de ı́ndices que producirı́an coincidencias deber descartarse
aquellas cuyos ı́ndices sean de distinta paridad,(4) con lo cual quedan
excluidos los ı́ndices 210, 211, 221, 300, 310, 321, etc . Vemos por lo tanto que
en el rango estudiado y para la desviación ±0.01 admitida se observarı́a la
coincidencia correspondiente a los pares (311, Kα ), (222, Kβ ), para el ángulo.
√ √
0.1937 × 11 0.1757 × 12
sen θ = = = 0.5948 ⇒ θ = 36.50o .
2 × 0.54 2 × 0.54
√ Tabla √ II.3
h′2 + k′2 + l′2 / h2 + k2 + l2
hkl→
h′ k′ l′
100 110 111 200 210 211 220 221 300 310 311 222 320 321 400
100 1
110 1.41 1
111 1.73 1.22 1
200 1.41 1.15 1
210 1.29 1.12 1
211 1.22 1.10 1
220 1.26 1.15 1
221 1.22 1.06 1
300 1.22 1.06 1 1
310 1.29 1.12 1.05 1.05 1
311 1.17 1.11 1.11 1.05 1
222 1.15 1.15 1.10 1.09 1
320 1.20 1.14 1.09 1.04 1
321 1.08 1.04 1
400 1.11 1.07 1
4 La intensidad de la radiación reemitida por los átomos de S es mucho menor que la de los
átomos de Fe que conforman una estructura fcc y por tanto el factor de estructura de la base es
nulo para ı́ndices de distinta paridad. Es como si los rayos x sólo viesen átomos de Fe.
12. Factor de estructura del diamante: si se considera como celda

unidad una celda sc simple, la base de esta estructura es de ocho
átomos. Encontrar, si los hay, los ceros del factor de estructura.
Solución:
Considerada como red sc de parámetro a, los ocho átomos de la base
ocuparı́an las posiciones dadas en el Cuadro 2.1.
Cuadro 2.1.
a a a
Posiciones fcc a(0,0,0) (1,0,1) (0,1,1) (1,1,0)
2 2 2
a a a a a
Posiciones fcc+ (1,1,1) (1,1,1) (3,1,3) (1,3,3) (3,3,1)
4 4 4 4 4
Utilizando la Ec. (2.9) se obtiene el factor de estructura
π
−iπ(h+k)
SG
~ = f [1 + e + e−iπ(h+l) + e−iπ(k+l) + e−i 2 (h+k+l) +
π π π
e−i 2 (h+3k+3l) + e−i 2 (3h+k+3l) + e−i 2 (3h+3k+l) ].
Reagrupando términos es inmediato obtener
π
−i 2 (h+k+l)
SG
~ = f [1 + e ][1 + e−iπ(h+k) + e−iπ(h+l) + e−iπ(k+l) ] ⇒
 π
 1 + e−i 2 (h+k+l) = 0 ⇒ h + k + l par
SG
~ = 0 si ó

1 + e−iπ(h+k) + e−iπ(h+l) + e−iπ(k+l) = 0 ⇒ hkl 6= paridad.
13. Utilizando las propiedades del producto mixto, demostrar que el

volumen de la celda primitiva en el espacio recı́proco (por ejemplo
la PZB) es (2π)3 /Vp , siendo Vp el volumen de la celda primitiva
del cristal.
Solución:
Dados unos vectores primitivos de la Red Directa ~a1 , ~a2 , ~a3 , los correspon-
dientes primitivos de la Red Recı́proca son los definidos en la Ec. (2.3)
Volumen de la celda primitiva de la red directa: Vp = ~a1 · (~a2 × ~a3 ).
Volumen de la celda primitiva de la red recı́proca: vp = ~b1 · (~b2 × ~b3 ).
µ ¶2 (5)
µ ¶2
~b2 × ~b3 = 2π (~a3 × ~a1 ) × (~a1 × ~a2 ) =
2π
Vp~a1 ⇒
Vp Vp
(2π)2 (2π)3
vp = ~b1 · ~a1 = .
Vp Vp
5A~ × (B~ × C)~ = B( ~ A ~ · C)

~ − C( ~ A~ · B)
~ ⇒
(~a3 × ~a1 ) × (~a1 × ~a2 ) = ~a1 [(~a3 × ~a1 ) · ~a2 ] − ~a2 [(~a3 × ~a1 ) · ~a1 ] = Vp~a1
| {z } | {z }
=Vp =0
14. Para el átomo de hidrógeno en el estado fundamental, la densidad

numérica electrónica es n(r) = (πa30 )−1 exp(−2r/a0 ). Estudiar
~
cómo depende el factor de forma atómico fG del módulo de G.
Solución: Z
~
Según la Ec. (2.7), fj = d3~r nj (~r)e−i~r·G .
& & Escogemos un sistema de coordenadas con el eje z

d 3r ~ como se muestra en la Fig. 2.9.
G paralelo al vector G,
La densidad n(~r) sólo depende del módulo de ~r.
T En coordenadas esféricas, d3~r = r2 sen θdrdθdφ ⇒
r Z 2π Z π Z ∞
fj = dφ dθ dr nj (r)e−irG cos θ r2 sen θ =
0 0 0
I Z π Z ∞
= −2π d(cos θ) dr nj (r)e−irG cos θ r2 =
Figura 2.9. 0 0
Z ∞ · ¸π Z ∞
e−irG cos θ sen(Gr)
= −2π dr nj (r)r2 = 4π dr nj (r)r2 .
0 −irG 0 0 Gr
Para la densidad electrónica del enunciado,
Z ∞ (6)
4π 2r 16
fj = 3 dr re− a0 sen(Gr) = 2.
Gπa0 0 (4 + G2 a20 )
El factor de forma atómico decrece por lo tanto fuertemente para vectores
G crecientes. El hecho de que el factor de forma atómica sea menor cuanto
mayor sea G lo vimos cualitativamente en el ejercicio 1b. Téngase en cuenta
que cuanto mayor sea G, mayor es el ángulo Bragg θ.
15. Dar una explicación al hecho de que el desorden atómico propio

de los materiales amorfos afecta más a los máximos de difracción
de ángulo alto (de hecho, como se ha visto, ya no aparecen).
Explicar también por qué la ausencia de máximos de más alto
ángulo está asociada precisamente al desorden de largo alcance.
Solución:
La explicación se encuentra en los efectos que se han visto en los ejercicios
1b y 9. En el ejercicio 9 se vio que una ligera desviación del cumplimiento
preciso de la Ec. (2.8) produce un fortı́sima reducción de la intensidad de
los picos de difracción y esto es precisamente lo que ocurre en los materiales
amorfos, donde las posiciones atómicas están desplazadas respecto de las de
un cristal. Por otro lado, en problema el 1b vimos que cuanto mayor es el
ángulo Bragg, más acusado es el efecto de las desviaciones de la periodicidad
perfecta de los centros reemisores.
6
R∞ −2ab
xeax sen(bx)dx = . En este caso a = −2/a0 , b = G.
0 (a2 +b2 )2
16. Calcular la amplitud de difracción para una red cuadrada de

parámetro a, con base de dos átomos idénticos en posición (0, 0)
y (1/2, δ). Discutir las extinciones de los máximos de difracción
producidas por la base de átomos en función del parámetro δ
(δ < 1). Particularizar para los ángulos más bajos.
Solución:
La amplitud de difracción es A ∝ N SG ~ , siendo N el número de celdas y SG ~
el factor de estructura de la base dado por (Ec. (2.9))
N ¾
X ~ rj
−iG·~ ~ 2π ~r1 = 0; ~r2 = (1/2, δ)a
SG~ = fj e , con Ghk = (h, k) y ⇒
a f1 = f2 = f
j=1
³ ´
−iπ(h+2kδ)
SG~ =f 1+e , que se anula para h + 2kδ = 2n + 1, con n ∈ Z.
Los ángulos más bajos corresponden a los ı́ndices hk : 10, 01, 11, 20, 02, etc.
Para k = 0, SG
~ = 0 si h es impar, independientemente del valor de δ.
Para k = 1, se produce extinción para h impar y δ = 0 o h par y δ = 1/2.

Para h = 0, SG
~ = 0 si δ = 1/2 y k impar, etc.
17. En la red recı́proca se define la n-ésima zona de Brilloin (ZB) como la

región del espacio a la que se puede acceder desde un punto cualquiera
de la red (elegido como origen) atravesando n-1 planos Bragg.
a) Dibujar las 3 primeras ZB de una red cuadrada y una red
rectangular centrada.
b) Razonar que todas las zonas tienen igual volumen (área en 2D).
Solución:
a) Ver Figs. 2.10 y 2.11.
2
2 1
4
3 1 3 1 4 3
2
1 2
4 3 4
C
T S T (b)
SZB
P1 (d)
2 1 CZB
3 83 8
5 6
2 1
4 74 7
5 6
(a) (c) TZB
Figura 2.10. 1a ,2a ,3a y 4a zonas de Brillouin de una red cuadrada. Las lineas discontinuas
indican las direcciones de los vectores de la red recı́proca que determinan los planos Bragg
(lineas continuas).
C
S
P
T
Figura 2.11. 1a ,2a ,3a y 4a zonas de Brillouin de una red rectangular centrada. Las lineas
discontinuas indican las direcciones de los vectores de la red recı́proca que determinan los planos
Bragg (lineas continuas).
b) La Fig. 2.10 b, c y d muestran como las zonas 2a , 3a y 4a llenan la

1a zona sin huecos ni solapamientos, lo cual indica que tienen todas la
misma área.

1. Para la estructura de la figura adjunta (tipo cuprita),
A
a) Describirla en términos de red de Bravais más B
. (los átomos B están
base de átomos.
en posición intermedia entre los correspondientes vecinos más z x
= 0) producidas por la y
b) Dar la formula estequiométrica.
c) Determinar el factor de estructura de la base SG (los átomos B están
en posición intermedia entre los correspondientes vecinos más próximos
A). ¿Pueden ocurrir extinciones (SG = 0) producidas por la base de
átomos?
Solución: (a) Red sc con base de 6 átomos: 2 A en (0,0,0), 12 a(1, 1, 1); 4 B en

1
¡ ¢
4
a(1, 3, 1), 41 a(3, 1, 1), 41 a(1, 1, 3), 43 a(1, 1, 1). (b) AB2 . (c) SG = fA 1 + e−iπ(h+k+l) +
¡ ¢
fB e−iπ(h+k+l)/2 e−iπ(h+k+l) + e−iπh + e−iπk + e−iπl . SG = 0 si h + k + l = entero
impar con dos ı́ndices pares y uno impar.
2. El hierro es un material alotrópico (puede tener mas de una estructura

cristalina). A temperatura inferior a 912 o C es bcc y a temperaturas entre
912 o C y 1394 o C es fcc.
a) Despreciando efectos de dilatación térmica y utilizando un modelo de
esferas duras, determinar el cambio porcentual del parámetro de red de
la celda convencional cuando se calienta por encima de 912 o C.
b) Sabiendo que el radio atómico del hierro es 1.24 Å determinar cual es
el ángulo más bajo para el que se observarı́a difracción de rayos x (λ =
1.54 Å) en cada una de las fases.
Solución: (a) 22 %. (b) 22.35o .
3. Se hace un difractograma de rayos x sobre una muestra en polvo de una

aleación compuesta por dos elementos diferentes (◦ y •) en proporción 1:1.
Por debajo de cierta temperatura
T0 ambos elementos se disponen de
manera regular sobre una red cúbica
(según se indica en la figura adjunta).
Sin embargo, por encima de T0 el
sistema se desordena, y los átomos
ocupan los nodos de la red cúbica de
forma aleatoria.
Calcular la posición (θ) de los 3 primeros picos de difracción para T > T0 y
para T < T0 . La longitud de onda de los rayos x es 1.54 Å.
Solución: Fase ordenada: 12.84o ,14.87o ,21.28o . Fase desordenada: 14.87o ,21.28o ,26.39o .
4. Se hace un difractograma de rayos x sobre una muestra en polvo con la

estructura cristalina de la figura adjunta.
La longitud de onda de los rayos x es de 1.54 Å, y
el parámetro de red a temperatura ambiente 5 Å.
a) Calcular la posición (θ) de los 3 primeros
picos de difracción a temperatura ambiente.
b) Repetir el apartado (a) suponiendo que T = 1000 K. El coeficiente de
dilatación térmica es α = ℓ−1 (dℓ/dT ) = 10−5 K−1 . ¿Qué ocurre con la
intensidad de los picos con respecto al apartado anterior?
c) Repetir el apartado (a) suponiendo que todos los átomos son iguales.
Solución: (a) 15.47o , 17.94o , 25.82o . (b) 15.36o , 17.81o , 25.63o : La posición de los picos
apenas varı́a. El efecto de la temperatura es la reducción de su intensidad. (c) 15.47o ,
25.82o , 30.71o .
5. La figura adjunta representa una cámara de difracción de rayos x.

Detector
& En ella, una muestra policristalina de estructura fcc
k' monoatómica de parámetro a = 0.632 nm se ilumina
&
k h con radiación λ = 0.1542 nm ¿A qué altura, h,
debe colocarse el detector para ver los 3 primeros
R=0.5 m máximos?
Solución: 0.206 m, 0.237 m, 0.324 m.
6. Sobre una muestra de Rb en polvo (bcc, con parámetro de red 5.59 Å) se
hacen incidir rayos x de longitud de onda 1.541 Å. Se sitúa según la figura
adjunta una placa sensible a los rayos x para registrar la figura de difracción.
a) ¿Qué tipo de figura se observará? (rayas, estrellas, 4 cm
puntos, anillos ...) 4 cm
d
b) ¿A qué distancia máxima de la muestra debe Rb
situarse la placa (de 4 cm de lado) para recoger O=1.541 Å
el primer máximo de difracción?
Solución: (a) Anillos concéntricos. (b) 4.97 cm.
7. Se tiene una muestra policristalina de Nb (bcc de parámetro de red a = 3.3

Å). Si se realiza un difractograma de rayos x con λ = 1.540 Å, ¿en qué ángulos
(θ) aparecen los cuatro primeros picos?
Solución: 19.27o ,27.82o ,34.85o ,41.30o .
8. Sobre una muestra en polvo de un sólido cristalino con estructura sc y

parámetro de red 2 Å se hace incidir radiación x con longitud de onda de 10
Å. ¿Se producirán máximos de difracción? ¿Y si el parámetro fuese 8 Å?
Solución: Para a = 2 Å no se observa difracción. Si a = 8 Å se observan máximos para
los ángulos θ =38.68o y 62.11o .
9. Se realiza un experimento de difracción Bragg para determinar la longitud

de onda de un haz monocromático de rayos x. Para ello se usa un cristal
cúbico simple y monoatómico. Se conoce también (y con precisión que para
nuestros propósitos podemos considerar infinita) que su constante de red es
5 Å. Si el ángulo que los rayos incidentes y los reflejados forman con el plano
del cristal es 6o , y es medido con una precisión de 3.4 minutos de arco, ¿cuál
es el error en la determinación de la longitud de onda de los rayos x?
Solución: 1 %.
10. Un cristal cúbico tiene un parámetro de red de 5 Å. Si se quiere investigar su

estructura con rayos x, razona cuál es la longitud de onda máxima y mı́nima
que pueden tener.
Solución: sc: 10 Å; bcc: 7.07 Å; fcc: 5.77 Å. No hay longitud de onda mı́nima.
11. Un difractómetro de rayos x (λ = 0.15406 nm) recoge un gráfico para un

elemento del sistema cúbico y muestra picos de difracción en los ángulos 2θ:
40.113o , 46.659o , 68.080o y 82.090o . Determinar la estructura cristalina del
elemento y su constante de red.
Solución: fcc. 3.89 Å.
12. El ángulo de Bragg θ de cierta reflexión de una muestra en polvo de Cu es

47.75o a 293 K, y de 46.60o a 1273 K. Calcular el coeficiente de expansión
térmica del Cu.
Solución: 1.9 × 10−5 K−1 .
13. Probar que existe un lı́mite superior en la longitud de onda que puede
difractar un cristal en condiciones de máximo. ¿Cuál es el sentido fı́sico de
dicha limitación?
Solución: λ ≤ 2d, con d separación entre planos. La razón fı́sica es que la diferencia de
camino recorrido por las ondas incidentes y reemitidas tiene que ser un número entero de
veces λ.
14. Sobre un cristal monoatómico en polvo se hacen incidir rayos x de λ = 2Å.

Se sabe que la estructura es tetragonal simple. En el intervalo de ángulos de
Bragg 0 < θ < 30o se observaron máximos de difracción para los siguientes
ángulos: 11.5o , 14.5o , 18.7o , 20.7o , 23.6o , 24.0o , 28.1o . Determinar las dos
constantes de la estructura.
Solución: a = 4 Å, c = 5 Å.
15. Rayos x de longitud de onda 5.15 Å inciden sobre un cristal monoatómico de

estructura fcc con parámetro de red 3.85 Å. ¿Cuántos máximos de difracción
se podrán observar según la orientación del cristal?
Solución: Ninguno.
16. Considerar la difracción de rayos x de una muestra cúbica simple en

polvo. ¿Puede haber coincidencia de máximos? De otro modo: ¿Hay lı́neas
(distintas) de reflexión que correspondan al mismo ángulo de salida?
Solución: Si, por ejemplo para los ı́ndices 221 y 300 o 322 y 410.
17. Una muestra en polvo da un difractograma de rayos x con reflexiones a

ángulos Bragg 16.4o ,23.6o ,29.3o , 34.4o ,39.2o ,43.8o ,48.4o . ¿Podrı́a ser NaCl?
Solución: No, pues las reflexiones corresponden a una estructura bcc.
18. Un cristal es sometido a difracción de rayos x para determinar su estructura.

Si la orientación del cristal respecto del haz es tal que el extremo del vector
de onda incidente coincide con una esquina (intersección de dos o más planos
Bragg) de la frontera de un zona de Brillouin, ¿qué ocurre a la salida?
Solución: Se observarı́an tantas direcciones de difracción como planos Bragg pasen por
ese punto.
19. En un cristal bcc monoatómico con a = 0.40 nm:

a) Determinar la gama de longitudes de onda para las que es imposible
que se produzca difracción (condición de Bragg)
b) ¿Cuáles son los planos atómicos más densos de esta estructura?
Solución: (a) λ > 0.57 nm. (b) Planos [011], [101], [110].
20. El grafeno es una lámina plana de átomos de carbono, dispuestos en los

vértices de hexágonos regulares (Fig. 2.12(a)), de un solo átomo de espesor,
que se apila con otras láminas iguales para formar el grafito: las minas de los
lápices. Una estructura similar es la del nitruro de boro (Fig. 2.12(b)) donde
en vez de átomos de C, la estructura está formada por átomos de N y de B.
Figura 2.12.
y
x
(a) (b)
a) Describir ambas estructuras como red más base de átomos (si fuese
necesaria) y dar las coordenadas de unos vectores primitivos y de las
posiciones de los correspondientes átomos de la base con respecto a los
ejes x-y indicados.
b) Representa las correspondientes redes recı́procas (dando unos vectores
base y sus coordenadas), e indica las dos primeras zonas de Brillouin.
c) Se hacen incidir sobre el grafeno rayos x de longitud de onda 3ℓ/2
según la dirección x. ¿Cuántos haces difractados se observan, y para
qué ángulos con respecto al haz incidente?
d ) Si se tratase del nitruro de boro, ¿cuáles serı́an las diferencias con el

difractograma de rayos x del grafeno?
√
Solución: (a) Red hexagonal de parámetro a = 3ℓ y 2 átomos en
posiciones (0,0) y 13 a(-2,1) con respecto a los vectores base ~a1 = 2ª 2ª
√ √ √
1
2
a( 3ı̂+̂), ~a2 = a̂. (b) ~b1 = (4π/a 3)ı̂, ~b2 = (2π/a)(−(1/ 3)ı̂+̂). 1ª
2ª 2ª
Zonas: Ver figura adjunta. (c) 5, para 60o , 120o , 180o , 240o y 300o . (d)
Se observarı́an máximos para los mismos ángulos pero con diferente 2ª 2ª
intensidad.
21. La dimensión de la celda convencional del cobre (fcc) es 0.36 nm. Calcular la
longitud de onda más grande para los rayos x, capaz de producir difracción
por los planos más compactos. ¿Qué planos podrı́an difractar rayos x de
longitud de onda 0.5 nm?
Solución: 4.2 Å, luego con 5 Å el Cu no produce difracción.
22. Calcular los ángulos de difracción a primer orden (n = 1) de los planos 100
y 110 de una red sc de lado 3 Å cuando la longitud de onda es 1 Å. Si la red
fuese bcc, ¿se encontrarı́an haces difractados para los mismos ángulos?
Solución: 9.594o ,13.633o . Para una bcc no se observarı́a para 9.594o pues el factor de
forma de la base lo anula.
23. El hierro tiene estructura bcc por debajo de 912 o C y fcc por encima de esta
temperatura. En un experimento de difracción de rayos x se observa que la
lı́nea 200 aparece para un ángulo 2θ = 32.1o justo por debajo de 912 o C,
mientras que justo por encima aparece a 2θ = 25.5o . Calcular la razón de
las densidades de las dos estructuras.
Solución: ̺f cc /̺bcc = 1.02.
24. Sea una sustancia cristalina de estructura tetragonal (con a = b = 0.3 nm,
c = 0.4 nm). Si se hace difracción de rayos x sobre una muestra en polvo de
esa sustancia, ¿cuales son los 3 primeros ángulos de difracción? (la longitud
de onda de los rayos x es 0.15 nm).
Solución: θ1 = 10.81o , θ2 = 14.48o , θ3 = 18.21o .
25. Considerar un cristal bidimensional cuya estructura es la del patrón de la Fig.

1.17. Si sobre el incidiesen en la dirección horizontal rayos x policromáticos
con longitudes de onda comprendidas entre 1.3333 Å y 2.2222 Å, ¿cuántos
picos de difracción se observarı́an, en qué direcciones y para qué longitudes
de onda?
Solución: Se observarı́an tres picos de difracción: Uno para la longitud de onda λ1 = 1.6000
Å, producido por el plano Bragg asociado al vector de la red recı́proca 2πı̂ en la dirección
−ı̂; Dos para λ2 = 2.0000 Å, debidos a los planos Bragg asociados a los vectores de la red
recı́proca 2π(ı̂ ± 12 ̂) en las direcciones − 35 ı̂ ± 45 ̂, respectivamente.
Capı́tulo 3
Enlace cristalino

Interacción de van der Waals-London. Dos átomos a distancia R pueden
enlazar mediante la interacción de van der Waals-London con una energı́a de
cohesión (por átomo) µ 2 ¶2
1 q
∆E ≈ ~ω0 . (3.1)
2 CR3
ω0 es la frecuencia propia de vibración de la nube de carga electrónica de cada
átomo, C = Zme ω02 la constante elástica asociada a la vibración de la carga
electrónica (Z es el número atómico y me la masa del electrón). Además, q 2 = Z 2 e2
en unidades cgs y q 2 = Z 2 e2 /4πǫ0 en unidades mks.
Potencial de Lennard-Jones. La interacción atractiva de van der Waals-
London más la repulsiva de corto alcance determinan un potencial por par de
átomos i, j a distancia rij "µ ¶
12 µ ¶6 #
σ σ
U (rij ) = 4ǫ − . (3.2)
rij rij
Los parámetros ǫ y σ pueden determinarse a partir de medidas de viscosidad y
coeficientes de virial en la fase gaseosa. La suma de (3.2) a los N átomos de un
cristal da la energı́a potencial total:
· ³ ´ ³ σ ´6 ¸ N N
σ 12 X X
U = 2N ǫ B −A , con B = p−12
ij , A = p−6
ij , (3.3)
R R
j6=i j6=i
donde R es la distancia entre átomos más próximos y pij = rij /R. Las sumas A y
B dependen de la estructura cristalina (ver Cuadro 3.1)
La distancia entre átomos más próximos R0 y la energı́a de cohesión U0 =
U (R0 ) en el equilibrio son
R0 = σ(2B/A)1/6 y U0 = −N ǫ(A2 /2B) (3.4)
La interacción de van der Waals-London o dipolo-dipolo inducido es universal
pero por su débil intensidad sólo para átomos neutros o no polares es dominante.
54 Capı́tulo 3: Enlace cristalino
Cuadro 3.1.
Estructura fcc hcp bcc
A 14.454 14.455 12.253
B 12.122 12.132 9.114
Interacción de Coulomb: Cristales iónicos. Potencial de interacción por

par de iones a distancia rij
±q 2 B
U (rij ) = + n , con B > 0 y n ≫ 1. (3.5)
rij rij
La suma de (3.5) a los N iones de un cristal da la energı́a potencial total:
µ ¶
N BAn αq 2
U= − , (3.6)
2 Rn R
½ 2
X
−n
X
−1 rij 2 e (cgs)
con An = pij , α = ±pij , pij = , q = (3.7)
R e2 /4πǫ0 (mks)
j6=i j6=i
α se conoce como constante de Madelung y su valor depende de la estructura.
Cuadro 3.2. Constante de Madelung para algunas estructuras muy comunes.
Estructura NaCl CsCl ZnS cúbica
α 1.748 1.763 1.638
En el equilibrio,
µ ¶
p N αq 2 N αq 2
1
R0 = n−1 nBAn /αq 2 , U0 = − 1− . ≈−
(3.8)
2 R0 n
2 R0
µ ¶
1 ∂V
El exponente n se determina de medidas de la compresibilidad K ≡ :
V ∂P T
18R04
n=1+ . (3.9)
Kq 2 α
Cristales covalentes. Están formados por átomos que tienen capas

electrónicas semillenas, de forma que el número de electrones a ser transferidos
de unos átomos a otros (para completar capas electrónicas) es demasiado grande
para que sea energéticamente posible. El ejemplo tı́pico es el diamante con átomos
C de estructura electrónica 1s2 2s2 2p2 .
El mecanismo de enlace no se basa por tanto en que los átomos cedan o ganen
electrones sino en que éstos sean compartidos por átomos vecinos. Por compartir
se quiere decir que las funciones de onda de dos electrones correspondientes a dos
átomos vecinos solapan de forma que la probabilidad de encontrar cualquiera de
los dos electrones en todo el espacio entre los dos núcleos es muy alta.
El enlace covalente es caracterı́stico de átomos de electronegatividad similar y
su capacidad de enlazar reside en que por un lado los electrones están próximos a
ambos núcleos a la vez (energı́a potencial más baja) y por otro la función de onda
está más deslocalizada (menor energı́a cinética). El ejemplo más sencillo de enlace
covalente es la molécula H2 : Un átomo H (estructura 1s1 ) necesita un electrón para
completar capa y lo hace compartiendo dos electrones con otro átomo H. Ası́, la
función de onda electrónica de la molécula H2 es ψ = Ca ψa + Cb ψb , siendo ψa y

ψb la función de onda de cada uno de los átomos H aislados.
Algunas propiedades, en particular la energı́a de cohesión, de los cristales
covalentes se pueden estudiar utilizando algunos de los resultados que se obtienen
para la molécula H2 porque se pueden considerar como un conjunto (ordenado)
de pares de átomos unidos por el mecanismo de compartir sendos electrones. La
diferencia reside en que mientras que para la molécula H2 las funciones de onda
que solapan son funciones de onda atómicas asociadas a cada átomo, en el caso
de cristales esas funciones son a su vez mezcla de orbitales atómicos s, p, etc., que
son los llamados orbitales hı́bridos.
El mecanismo de compartir electrones determina que el enlace covalente sea
direccional (distribución de carga electrónica localizada en la lı́nea de unión entre
átomos vecinos) y saturable (cada átomo no puede formar más enlaces que átomos
tenga en la capa incompleta).
Cristales metálicos. Están formados por átomos que pierden todos o parte
de los electrones de sus capas incompletas pero en los que, a diferencia de los
cristales iónicos, no hay otros iones capaces de captarlos de forma que quedan
colectivizados (ya no pertenecen a ningún átomo particular). Ası́, las funciones de
onda electrónicas están distribuidas entre los iones pero no de forma direccional y
localizada, como en los cristales covalentes, sino simétricamente alrededor de los
iones y extendiéndose a distancias mucho mayores que las interatómicas.
La extensión y solapamiento de las funciones de onda es muy diferente según
que las capas que ceden electrones sean s (metales alcalinos, por ejemplo) o d
(metales de transición). Para los primeros, algunas de sus propiedades se pueden
estudiar considerando que los metales se comportan como un gas de electrones que
se mueven libre e independientemente en un pozo de potencial creado por los iones
positivos. En los segundos, puede utilizarse un procedimiento similar al seguido
para cristales covalentes, pero, debido a las diferente distribución electrónica ya
indicada, las funciones de onda no son combinaciones lineales de unos pocos
orbitales atómicos sino de muchos más (hasta decenas).
Para ciertas estimaciones, como distancia interatómica en el equilibrio o energı́a
de cohesión, puede considerarse a los cristales metálicos como un caso lı́mite de
cristal iónico en el cual los iones negativos serı́an los electrones. La diferencia crı́tica
es que la pequeñı́sima masa del electrón hace que su energı́a cinética deba tenerse
en cuenta (incluso en el lı́mite T → 0). Sin embargo, ésta es una aproximación que
da cuenta sólo cualitativamente de dichos observables y no explica muchas otras
de sus propiedades: por qué unos metales cristalizan en estructura hcp mientas
otros lo hacen en fcc o bcc, por qué la energı́a de cohesión del Cu es de unos 3.5
eV/átomo mientras que para el W es de más del doble (8.9 eV/átomo).

1. Las temperaturas de fusión de los cristales iónicos son mucho
mayores que las de los cristales de gases inertes. ¿Por qué?
Solución:
Porque la energı́a de cohesión de los sólidos iónicos es mucho mayor que la
de los cristales de gases inertes. La fusión de un sólido requiere la ruptura
de los enlaces entre sus átomos y por lo tanto, a mayor energı́a de cohesión
mayor temperatura de fusión.
2. Consultando tablas, etc especificar un orden de magnitud para las

diferencias de energı́a de cohesión en cristales iónicos según el tipo
de estructura.
Solución:
La parte coulumbiana de la energı́a de cohesión (Ec. (3.8)), U (R0 ) =
−αe2 /4πǫ0 R0 da cuenta del 90 % de la energı́a de cohesión de los cristales
iónicos tı́picos como los haluros alcalinos. A igualdad de distancia, R0 ,
entre iones, el orden de magnitud de las diferencias de energı́a de cohesión
en función de la estructura deben ser las debidas a las diferencias en las
constantes de Madelung α:
αClCs = 1.763, αClNa = 1.748, αZnS = 1.638.
En relativo, esas diferencias deben ser del orden de

αClNa /αClCs = 0.99  La estructura determina
αZnS /αClCs = 0.93 ⇒ diferencias de energı́a

αZnS /αClNa = 0.94 relativamente pequeñas.
3. Los haluros alcalinos (tipo A− B+ ) son los compuestos diatómicos

con carácter más netamente iónico. ¿Qué puede explicar el hecho
de que mayoritariamente su estructura sea la del NaCl?
Solución:
La estructura con mayor constante de Madelung es la del CsCl, luego
de acuerdo con la Ec. (3.8), esta serı́a energéticamente la estructura más
favorecida. Sin embargo, en la estructura CsCl cada ión tiene otros 8 de
signo opuesto como vecinos más próximos. Un número de coordinación tan
alto sólo es posible si el tamaño de los iones lo permite.
En el caso de muchos haluros alcalinos, los tamaños de los iones determinan
que el número de vecinos de un ión dado sólo puedan ser seis, por ello la
estructura mayoritaria es la del NaCl (ver ejercicio 16).
El efecto es similar al que se ilustra en la Fig. 3.1. Según el tamaño relativo
de los iones, más o menos de ellos pueden ordenarse de forma compacta
alrededor de uno dado.
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 3.1.
La Fig. 3.1(a) muestra una estructura bidimensional (red cuadrada más base
de dos átomos) idealmente compacta. El tamaño relativo de los iones es
r< /r> ≈0.41.
Si r< /r> ≈1, en vez de la estructura menos compacta de la Fig. 3.1(b)
(red cuadrada con base de dos átomos) podrı́a resultar energéticamente más
favorable la estructura compacta de la Fig. 3.1(c) (red rectangular con base
de tres átomos). Análogamente si r< /r> <0.41, en vez de una estructura
poco compacta como la de la Fig. 3.1(d), podrı́a ser energéticamente más
favorable la estructura de la Fig. 3.1(e).
4. Los cristales de los gases inertes cristalizan en la estructura fcc

monoatómica. ¿Se puede justificar este hecho razonando que la
energı́a de cohesión para enlaces de van der Waals (ver expresiones
teóricas) es máxima precisamente para la estructura fcc?
Solución:
Según la Ec. (3.4), para gases inertes la separación entre átomos vecinos más
próximos y la energı́a de cohesión en el equilibrio son
µ ¶1 µ 2¶
2B 6 A
R0 = σ y U (R0 ) = −ǫN .
A 2B
Como en estos cristales todos los átomos tiene el mismo tamaño (ver ejercicio
anterior), la estructura energéticamente más favorable será aquella cuyo
cociente A2 /2B sea mayor. Según los datos del Cuadro 3.3, parece que sı́ se
puede achacar el hecho indicado a que la energı́a de van der Waals es mı́nima
para la estructura fcc.
Cuadro 3.3.
Estructura fcc hcp bcc
A 14.454 14.455 12.253
B 12.122 12.132 9.114
A2 /2B 8.617 8.236 8.611
5. Un cristal de Ne20 tiene una constante de red de 4.464 Å, y uno

de Ne22 de 4.456 Å. ¿Cómo se explica esta pequeña diferencia?
Solución:
Esta diferencia se debe a los efectos cuánticos del punto cero que no se
incluyeron en la energı́a de cohesión dada por la Ec. (3.3). A la energı́a
potencial debe sumarse la energı́a del punto cero, que es la suma de la energı́a
cinética de cada átomo de masa M localizado en un espacio de dimensión
caracterı́stica R, la distancia entre átomos más próximos, y que de acuerdo
con el principio de incertidumbre es del orden de
p2 ~2
= .
2M 2M R2
Incluyendo esta energı́a, la Ec. (3.3) se reescribirı́a como
· ³ ´ ³ σ ´6 ¸
σ 12 ~2
U = 2ǫN B −A +N .
R R 2M R2
La distancia de equilibrio R0 es ahora(1)
1/6
(2B/A) σ 1/6
R0 = 1/6
> (2B/A) σ,
(1 − ~2 R04 /12ǫmAσ 6 )
Se ve que R0 es mayor cuanto menor sea la masa de los átomos. Por eso,
M (Ne20 ) < M (Ne22 ) ⇒ R0 (Ne20 ) > R0 (Ne22 ).
6. Se dice que para el estudio de las energı́as de enlace en los

cristales de van der Waals o iónicos es aproximadamente válido un
modelo de esferas duras. ¿Qué expresiones vistas en el apartado
3.1 podrı́an justificarlo?
Solución:
En los términos que dan cuenta de la interacción repulsiva en la Ec. (3.3)
(enlace molecular) y Ec. (3.6) (enlace iónico). En ambos tipos de cristal, la
energı́a potencial se puede escribir como
· ¸
B A A B Rm
U (R) = n − m = m −1 ,
R R R A Rn
con A y B constantes positivas y n y m enteros también positivos (n = 12,
m = 6 para cristales moleculares y 6 ≤ n ≤ 9, m = 1 para cristales iónicos).
La energı́a, en función de la distancia entre átomos más próximos en el
equilibrio, R0 , se escribe como(2)
" µ ¶ #
n−m
A m R0
U (R) = m −1 .
R n R
El comportamiento de los átomos como esferas duras se debe a la importancia

del término repulsivo en comparación con el atractivo (en valor absoluto),
mAR0n−m A
Urep = , |Uatr | = .
nRn Rm
¯ n ¡ σ ¢6 h ¡ σ ¢6 i o ³ ´6
1 dU ¯ 12ǫN N ~2 2B σ ~ 2 R0
4
dR ¯R
= R R
A − 2B R −M R3 R
=0⇒ A R0
=1− 12ǫM Aσ 6
.
¯ 0 h i 0 n
2 dU ¯ B A B mR0
dR ¯
= −n Rn+1 + m Rm+1 = 0 ⇒ A = nRm .
R0 R0 0
En la Fig. 3.2 se muestra (con el eje x

1
(R/R )
5
1
(R/R )
6 en escala logarı́tmica) |Urep /Uatr | =
6 0 2 0 m−n
1
9
(R/R )
0
8
n−1 m (R/R0 ) frente a R/R0
8
2x10 para los pares n, m= 9,1 (linea
atr.
continua), 12,6 (linea punto-trazo) y

/U
6,1 (linea a trazos) y puede verse que

rep.
8
1x10
U
para R → 0, la interacción repulsiva

es órdenes de magnitud mayor que
0
la atractiva, lo que origina una
0.01 R/R0 0.1
resistencia similar a la que ofrecerı́an
Figura 3.2. esferas rı́gidas (lı́neas verticales).
7. Sea una cadena de 2N iones, con carga alternante ±q, y que tienen
un potencial repulsivo B/Rn entre vecinos más próximos.
a) Sumando sobre cada par de iones, calcular la energı́a potencial

a la distancia de equilibrio R0 .
b) A partir de la expresión anterior calcular el trabajo por unidad
de longitud para comprimir el cristal de forma que la distancia
entre vecinos varı́a de R0 hasta R0 (1 − δ).
c) A su vez, a partir del resultado del apartado anterior, calcular
el módulo de Young de la cadena.
Solución:
a) Se trata de calcular la energı́a potencial U del conjunto de 2N iones

que se muestra en la Fig. 3.3. Admitiendo que la energı́a de interacción
por par de iones Uij es la dada por la Ec. (3.5), entonces
2N 2N
Ã !
–3R –2R –R 0 R 2R 3R 1 XX B ±q 2
–q +q –q +q –q +q –q U= n − r
2 i=1 rij ij
Figura 3.3. j6=i
Utilizando rij = Rpij , con R distancia entre átomos más próximos y

pij enteros, esta energı́a se escribe como
 
2N 2N 2N
1 X B X 1 q 2 X ±1 
U= − . (3.10)
2 i=1 Rn pnij R pij
j6=i j6=i
2N
X 1
Por ser n ≫ 1, se puede hacer ≈ 2, es decir, considerar la
pnij
j6=i
interacción repulsiva sólo a primeros vecinos.
2N · ¸
X ±1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
La suma es 1+1 − − + + − − ... = 2 1− + − +... .
pij 2 2 3 3 4 4 2 3 4
j6=i
Por otro lado,

1 1 1 
ln(1 + x) = x − x2 + x3 − x4 + ... 
 2N
2 3 4  X ±1
⇓ Para x = 1 ⇒ = 2 ln 2.
1 1 1 
 pij
 j6=i
ln(1 + x) = 1 − + − + ...
2 3 4
La Ec. (3.10) se puede escribir entonces como
2N µ ¶ µ ¶
1 X 2B 2 ln 2q 2 2B 2 ln 2q 2
U= − = N − . (3.11)
2 i=1 Rn R Rn R
La distancia entre iones en el equilibrio, R0 (determinada por la

condición (dU (R)/dR)R=R0 = 0) y la energı́a en el equilibrio son(3)
s
nB N q 2 (1 − 1/n)2 ln 2
R0 = n−1 2 y U (R0 ) = − .
q ln 2 R0
b) Se trata de calcular el trabajo por unidad de longitud W/L necesario

para comprimir el cristal desde L = 2N R0 hasta L = 2N R0 (1 − δ).
El trabajo W para hacer esta compresión es la diferencia de energı́a
U (R0 (1 − δ)) − U (R0 ). Haciendo el cambio de notación R0 (1 − δ) =
R0 − ∆R0 , la energı́a U (R0 − ∆R0 ) puede calcularse como
µ ¶ µ ¶
dU 1 d2 U 2
U (R0 − ∆R0 ) ≈ U (R0 ) − ∆R0 + (∆R0 ) + ... =
dR R0 2 dR2 R0
µ ¶
1 d2 U 2
= U (R0 ) + (∆R0 ) .
2 dR2 R0
µ ¶ 2
W U (R0 − ∆R0 ) − U (R0 ) 1 d2 U (∆R0 )
Ası́, ≡ ≈ ⇒(4)
L 2N R0 2 dR2 R0 2N R0
2
W 1 N (n − 1)q 2 2 ln 2 (R0 δ) 1 (n − 1)q 2 ln 2
= = Cδ 2 , con C ≡ .
L 2 R03 2N R0 2 R02
c) El módulo de Young se define como E ≡ σ/ǫ, donde σ = F/S es el

esfuerzo que se tiene que ejercer para producir la deformación ǫ =
∆L/L. La fuerza que se tiene que ejercer es(5) F = Cδ/2. La sección S
de la cadena se puede aproximar por πr2 con r ∼ R0 /2, con lo cual,
σ ≈ 2Cδ/πR02 . Por otro lado, ǫ = [2N R0 − 2N R0 (1 − δ)]/2N R0 = δ.
2C
Con esto se obtiene, finalmente, E = .
πR02
¯ h ³ í
3 dU ¯ = 2N
− RnB 2 = 0 ⇒ nB 2
dR ¯R n−1 + q ln 2
R2 n−1 = q ln 2.
¯ 0
³ ´
R0 µ R0 ¶
4 d2 U ¯ 2n(n+1)B 2 2(n+1) nB q 2 4 ln 2 N (n−1)q 2 2 ln 2
dR2 R
¯ =N Rn+2
−q R 4 ln 2
3 =N R3 n−1 − R3
= R03 .
0 R0 0 R0 0
5 Es el cociente entre el trabajo que realiza y la deformación que produce: W/∆L = W/Lδ.
8. Se define el módulo de compresibilidad B0 como el inverso del

coeficiente de compresibilidad, esto es, B0 = −V (dP/dV ), donde
P es la presión y V el volumen. Discutir la dependencia de B0 con
la energı́a de enlace suponiendo que la energı́a potencial por par
de átomos es U (r) = B/r n − A/r m .
Solución:
Asumiendo un potencial por par de átomos, separados rij , dado por Uij =
n m
B/rij − A/rij , la energı́a total de N átomos será
N N
Ã ! N · ¸ · ¸
1 XX B A (6) 1 X C D N C D
U= n − rm = − m = − m .
2 i=1 rij ij 2 i=1 Rn R 2 Rn R
j6=i
De aquı́ es inmediato obtener(7) la separación de equilibrio, R0 (a la cual

(dU/dR)R0 = 0), y la energı́a en el equilibrio U (R0 )
nC N (n − m)D
R0n−m = , U (R0 ) = − . (3.12)
mD 2nR0m
¾ µ 2 ¶
B0 ≡ −V (∂P/∂V )T ∂ U
B0 y P vienen dados por ⇒ B0 = V .
P ≡ (∂U/∂V )T ∂V 2 R0
Por otro lado, ∂U/∂V = (∂U/∂R) (∂R/∂V ) ⇒

µ ¶ µ ¶2 µ ¶
∂2U ∂ ∂U ∂R ∂R ∂ 2 U ∂R ∂U ∂ ∂R ∂R
= = + .
∂V 2 ∂R ∂R ∂V ∂V ∂R2 ∂V ∂R ∂R ∂V ∂V
µ ¶ µ 2 ¶ µ ¶2
∂U ∂ U ∂R
Como = 0, resulta B0 = V .
∂R R0 ∂R2 R0 ∂V R0
Para calcular ∂R/∂V se usa la relación V = βN R3 , donde β es un parámetro
que depende de la estructura.(8) Ası́,(9)
N m(n − m)D 1 m(n − m)D nmU (R0 )
B0 = βN R03 m+2 2 β 2 R4
= m+3 ó B0 = − .
2R0 9N 0 18βR0 9N βR03
Vemos que el modulo de compresibilidad es directamente proporcional a
la energı́a de cohesión. Como n > m (en general n ≫ m), tal como los
N N
6C
X 1 X 1 rij
=B n
, D = A m
, con pij ≡ y R = distancia entre primeros vecinos.
p p R
¯ j6=i ij³ j6=i ij ´
7 dU ¯ = N − RnC mD nC
dR ¯R 2 n+1 + Rm+1 = 0 ⇒ n−m = mD.
R0 R0
0 √
8 fcc: N átomos ⇒ N celdas primitivas de volumen a3 /4 con a = 2R/ 2 ⇒ β =
√
3
√ √ 2/2,
bcc: N átomos ⇒ N celdas primitivas de volumen a /2 con a = 2R/ 3 ⇒ β = 4 3/9,
NaCl: N iones ⇒ N/2 celdas primitivas de volumen a3 /4 con a = 2R √ ⇒ β = 1, √
CsCl: N iones ⇒ N/2 celdas primitivas de volumen a3 con a = 2R/ √ 3⇒β=4 √ 3/9,
ZnS: N iones ⇒ N/2 celdas primitivas de volumen a3 /4 con a = 4R/ 3 ⇒ β = 8 3/9.
¯ µ ¶ Ec. 3.12
9 d2 U ¯ N n(n+1)C m(m+1)D z}|{ N m(n−m)D nmU (R0 )
dR2
¯ = 2 n+2 − m+2 = m+2 =− R2
.
R0 R0 R0 2R0 0
hemos expresado U (R0 ) es negativa y B0 positivo. Obsérvese además que esta

expresión permite obtener la Ec. (3.9). En efecto, haciendo m = 1, D = αq 2
y β = 1 (valor para al NaCl) resulta 1/K = B0 = (n − 1)αq 2 /18R04 ⇒
n = 1 + 18R04 /αq 2 K.
9. Calcular la constante elástica asociada al desplazamiento de la

carga negativa en la aproximación de nube esférica rı́gida. Aplicar
cualitativamente este resultado a la energı́a de cohesión de los gases
nobles que se dan en la tabla adjunta.
Elemento Radio Volumen celda Número Energı́a de

(Å) convencional (Å3 ) Atómico Cohesión (kJ/mol)
Ne 1.6 16.5 10 1.9
Ar 1.9 27.8 18 7.7
Kr 2 33.5 36 11.2
Xe 2.2 42.8 54 16.0
Solución:
Considerar un núcleo de carga +eZ rodeado de la nube electrónica de
densidad de carga negativa (Fig. 3.4)
−eZ
̺− = 4 3 .
3 πr
Si esta nube de carga negativa se desplaza una
S distancia d con respecto al núcleo como se ilustra en
d la figura, la fuerza que actúa sobre el núcleo será el
+eZ producto de la carga eZ por el campo eléctrico creado
r
por la nube electrónica en esa posición: F = ZeE(d).
U-
El campo eléctrico se determina aplicando al
volumen V = 4πd3 /3 engendrado por la distancia
R R ̺
d, la relación V ∇~ · EdV
~ = V ǫ0 dV.
Figura 3.4.
De aquı́, por un lado,


Teorema de la divergencia: 
R H 
~ · EdV
∇ ~ = SE ~ · dS
~ 
 Z
V ~ EdV
~
⇒ ∇ = E4πd2 . (3.13)
~ S
E||d ~ y uniforme en la superficie 

 V

S = 4πd2 que encierra V
Por otro lado, ̺− uniforme en V ⇒

Z −
̺ ̺− −eZd3
dV = V = . (3.14)
V ǫ0 ǫ0 ǫ0 r3
Igualando (3.13) y (3.14) se obtiene, finalmente, E = −eZd/4πǫ0 r3 . La

fuerza es por lo tanto F = −Cd, con C = Z 2 e2 /4πǫ0 r3 .
La energı́a de cohesión (por átomo) de dos átomos a distancia R con laspnubes

electrónicas oscilando alrededor de los núcleos con frecuencia ω0 = C/m
es, según la Ec. (3.1),(10)
µ ¶2 
q2 

Ecoh = 2~ω0 
2CR3
 Z4
⇒ Ecoh ∝ .
2 Z 2 e2 
 C 3/2 m1/2
con q = 

4πǫ0
Teniendo en cuenta que, como acabamos de ver, C ∝ Z 2 /r3 y que m = Zme ,
resulta Ecoh ∝ Z 1/2 r9/2 , es decir, que el cociente Ecoh /Z 1/2 r9/2 debe ser el
mismo para Ne, Ar, Kr y Xe. Sustituyendo los datos de la tabla, este cociente
vale para los elementos indicados (en las unidades de la tabla) 7.3 × 10−2 ,
10.1×10−2 , 8.3×10−2 y 6.3×10−2 , respectivamente. La desviación estandar
(del 20 % respecto de la media 8.0 × 10−2 ) obtenida sugiere que el modelo de
desplazamiento rı́gido de la nube electrónica recoge lo esencial del mecanismo
de polarización atómica.
10. Utilizando la relación entre el módulo de compresibilidad B0 y la

energı́a en el equilibrio U0 obtenida en el ejercicio 8, calcular U0
para el KCl sabiendo que la separación atómica es R0 = 3.14×10−8
cm y B0 = 1.97×1010 N/m2 (a T → 0). Comparar el resultado con
el experimental de 7.19 eV por par de iones.
Solución:
mnU (R0 ) U0 9βR03 B0
En el ejercicio 8 se obtuvo la relación B0 = − 3 ⇒ =− .
9N βR0 N mn
El KCl es un cristal iónico (m = 1, por tanto) de estructura NaCl con lo
18R04 e2 1
cual β = 1(11) y, según la Ec. (3.9), n = 1 + 2 con q 2 = yK= .
Kq α 4πǫ0 B0
Sustituyendo,
B0 = 1.97 × 1010 N/m2 , R0 = 3.14 × 10−10 m
¾ n ≈ 9.6
⇒ U0
α = 1.748, q 2 = 2.3 × 10−28 Nm2 ≈ −3.6 eV/ión.
N
La energı́a por par de iones es por lo tanto 7.2 eV, muy próxima la
experimental dada en el enunciado.
10 Lafrecuencia es ω0 para R → ∞. Para R finita, es decir cuando los átomos
q interaccionan, el
sistema se comporta como dos osciladores independientes de frecuencias ωs = ω02 − 2q 2 /mR3 y
q
ωa = ω02 + 2q 2 /mR3 . La Ec. (3.1) se obtiene con la hipótesis 2q 2 /mR3 ≪ ω02 ⇒ 2q 2 /R3 ≪ C.
Ahora encontramos C = q 2 /r 3 . Como R ≥ 2r ⇒ 2q 2 /R3 ≤ C/4 (no mucho menor que C ).
La aproximación es sin embargo aceptable, pues es suficiente que 2q 2 /CR3 < 1, ya que para
√ 2 3
x < 1, 1 ± x = 1 ± x2 − x8 ± x16 − .... ⇒ al hacer el balance de energı́a (por átomo), resulta
E(R finito)−E(R → ∞) =(~ωs + ~ωa − 2~ω0 ) y de aquı́ la Ec. (3.1).
11 Ver ejercicio 8.
11. Utilizando el potencial de Lennard-Jones, calcular el cociente entre

las energı́as de cohesión del Neón en las estructuras bcc y fcc.
Solución:
La energı́a de cohesión para los gases inertes es, según la Ec. (3.4),
µ 2¶
A
U (R0 ) = −ǫN .
2B
¾
Valores de A y B U f cc = −8.617N ǫ U f cc
⇒ bcc ⇒ bcc ≈ 1.05.
del Cuadro 3.3 U = −8.236N ǫ U
12. El óxido de bario tiene la estructura del NaCl. Estimar las energı́as
de cohesión por molécula de los cristales hipotéticos Ba+ O− y
Ba++ O−− referidas a los átomos neutros separados, considerando
que los procesos que intervienen en su formación son de la forma
átomo + energı́a de ionización → ión+ + e−
− −
e + átomo → ión + afinidad electrónica
ión+ + ión− → ión+ ión− + energı́a de cohesión
La distancia internuclear entre vecinos próximos es R0 = 0.276 nm;
el primero y segundo potenciales de ionización del Ba son 5.19 eV y
9.96 eV y las afinidades electrónicas del primero y segundo electrón
añadidos al átomo de oxı́geno neutro son 1.5 eV y −9.0 eV.
¿Cuál es el estado de valencia que se puede predecir que se
produzca? Suponer que R0 es el mismo para ambas formas y
despreciar la energı́a repulsiva.
Solución:
Se trata de sumar las energı́as de todos los procesos que suceden en la
formación de cada molécula:
Formación Ba+ O− :
Energı́a para crear el ión O− → AE(O− ) = −1.5 eV/ión
Energı́a para crear el ión Ba+ → EI(Ba+ ) = 5.19 eV/ión
Energı́a de Coulomb − αe2 /4πǫ0 R0 → U = −9.12 eV/par-iones
Energı́a Total de Cohesión → EC = −5.4 eV/par-iones
Formación Ba++ O−− :
Energı́a para crear el ión O−− → AE(O− ) + 9.0 = 7.5 eV/ión
Energı́a para crear el ión Ba++ → EI(Ba+ ) + 9.96 = 15.15 eV/ión
Energı́a de Coulomb − α(2e)2 /4πǫ0 R0 → U = −36.48 eV/par-iones
Energı́a Total de Cohesión → EC = −13.8 eV/par-iones
Es de esperar entonces que se produzca el estado de valencia 2.
13. Las funciones de onda atómicas del estado p (orbitales p)

de la forma px = xf (r); py = yf (r); pz = zf (r) son
ortonormales (pi pj = δij ) y fuertemente direccionales (apuntan en
las correspondientes direcciones espaciales x, y, z). Estos orbitales
pueden combinarse para dar cuatro funciones de onda que apuntan
en las direcciones de un tetraedro, es decir, concentradas en las
direcciones que unen el centro con cada uno de los vértices de un
tetraedro. Encontrar dichas funciones.
Solución:
Sean las combinaciones de la forma Ψ = cx px + cy py + cz pz . Las coordenadas
de los vértices de un tetraedro con respecto a su centro son, como se vio
en el ejercicio 5 del Capitulo 1 proporcionales a (-1,-1,-1), (-1,1,1), (1,-1,1),
(1,1,-1).
Para obtener funciones de onda con lóbulos apuntando en las direcciones de
los vértices de un tetraedro, los coeficientes cx , cy , cz deben ser proporcionales
a cada una de estas cuatro ternas. Por ejemplo, (cx , cy , cz ) = α(−1, −1, −1).
La condición de normalización de Ψ permite calcular α:
q 1
|Ψ | = 1 ⇒ c2x + c2y + c2z = 1 ⇒ α = √ ⇒ Las cuatro funciones son
3
1 1
Ψ1 = − √ [px + py + pz ] . Ψ3 = √ [px − py + pz ] .
3 3
1 1
Ψ2 = √ [−px + py + pz ] . Ψ4 = √ [px + py − pz ] .
3 3
14. Cada uno de los orbitales Ψi (i =1,2,3,4) obtenidos en el ejercicio

anterior pueden a su vez combinarse con un orbital esférico en onda
s (ortogonal a los orbitales px , py , pz ) para generar cuatro nuevos
orbitales Φi (los llamados orbitales hı́bridos sp3 ). ¿Determinar las
funciones Φi = bs + cΨi que constituyan un conjunto ortonormal?
Solución:
Como s es ortogonal a px , py , pz , también es ortogonal a Ψ , con lo que de la
condición de normalización |Φi | = 1 se obtiene
b2 + c2 = 1. R (3.15)
Otras relaciones se obtienen de la condición de ortogonalidad V dV Φi Φj = 0
para i 6= j. Por ejemplo, aplicándola a
c c
Φ1 = bs + √ (−px , −py , −pz ) y Φ2 = bs + √ (−px , py , pz ),
3 3 √
se obtiene b2 = c2 /3, que con (3.15) permite calcular b = 1/2 y c = 3/2, por
lo que el conjunto de funciones ortonormales es
1 1
Φ1 = [s − px − py − pz ] Φ3 = [s + px − py + pz ]
2 2
1 1
Φ2 = [s − px + py + pz ] Φ4 = [s + px + py − pz ] .
2 2
15. La energı́a de cohesión de un cristal de cloruro sódico es 6.4 eV por

par de átomos Na, Cl (neutros). La energı́a de ionización del Na es
5.1 eV y la afinidad electrónica del Cl es 3.6 eV. Despreciando la
energı́a de repulsión, estimar el espaciado interatómico del NaCl.
Solución:
Despreciando la interacción repulsiva, la energı́a de cohesión (−6.4 × 1.6
×10−19 J) es, como vimos en el ejercicio 12, igual a la suma
−αq 2 /R0 + 5.1 × 1.6 × 10−19 − 3.6 × 1.6 × 10−19 ,

con α = 1.748 y q 2 = e2 /4πǫ0 = 2.3 ×10−28 Nm2 o Jm.
Con estos datos es inmediato calcular(12) R0 ≈ 3.2 Å, próximo al valor
experimental 2.82 Å (difieren en un 13 %).
16. En cristales iónicos metal - no metal se observa la siguiente relación

entre el número de coordinación z y la razón entre el radio del
metal Rm y el del no metal Rnm :
z 8 6 4 2
Rm /Rnm 1 - 0.73 0.73 - 0.41 0.41 - 0.22 0.22
Ası́, para el FeO, Rm /Rnm ≈ 0.54 y en efecto su estructura es
la del NaCl. Discutir los fundamentos de la afirmación reseñada
considerado apilamientos compactos de esferas rı́gidas.
Solución:
Debido a la atracción electrostática los átomos o iones tienden a estar lo
más juntos posible (apilamiento compacto), pero en ello interviene también
el tamaño relativo de los iones. Un apilamiento compacto requiere iones de
tamaños muy parecidos.(13) El tamaño de los huecos estructurales en los que
se pueden alojar los iones metálicos es también un indicativo del tipo de
estructura más favorable. Por ejemplo, la estructura NaCl más compacta
(Fig. 3.5(a)) requiere un cociente
R< 1
=√ ≈ 0.41 (aquı́ R< = Rm y R> = Rnm ).
R> 2+1
Si R< /R> < 0.41 (Fig. 3.5(b)), la configuración es poco favorable
energéticamente, pues los iones negativos deben estar lo más cerca posible
de todos los vecinos positivos (y viceversa). Por ello, en ese caso es más
favorable que los cationes ocupen los huecos tetraédricos de una estructura
tipo ZnS, por tanto con coordinación 4.
Si R< /R> > 0.41 (Fig. 3.5(c)), la estructura más favorable sigue siendo la
del NaCl hasta que R< /R> ≥ 0.73, pues con esa relación de tamaños la
−28
12 R = 1.748×2.3×10
0 7.9×1.6×10−19
≈ 3.2 × 10−10 m.
13 En el ejercicio 3 se vio que el número de átomos que pueden ponerse de forma compacta
alrededor de uno dado depende de sus tamaños relativos.

d = a/2 d = a/2 d = a/2
R> + R> R> + R>

R> + R>
(a) a = 2R> + 2R< (b) a = 2 2 R> (c) a = 2R> + 2R<

Figura 3.5.
estructura más favorable es la del catión ocupando el mayor hueco de la red
sc formada por los aniones ⇒ coordinación 8.
Para la estructura CsCl, la máxima compacidad ocurre para la razón
R< 2
=√ ≈ 0.73.
R> 3+1
Para R< /R> = 1, la fracción de empaquetamiento de una estructura NaCl
es del 52 %, mientras que para la CsCl es del 68 %.
En las Tablas I y II se puede ver que la regla es bastante general.(14)
Tabla I. Radios iónicos de iones metálicos (m) R+ y no
metálicos (nm) R` (en Å) de cristales de estructuras ClNa,
ClCs (celdas rayadas) y ZnS (celdas punteadas).
m (Å) Li+ Na+ K+ Rb+ Cs+ Tl+ Cu+
nm (Å) (0.60) (0.95) (1.33) (1.48) (1.69) (1.64) (0.91)
F (1.36)
R+/ R 0.44 0.70 0.98 1.09 1.24
Cl (1.81)
R+/ R 0.33 0.52 0.73 0.82 0.93 0.91 0.50
Br (1.95)
R+/R 0.31 0.49 0.68 0.76 0.87 0.84 0.47
I (2.16)
R+/ R 0.28 0.44 0.62 0.66 0.78 0.76
Tabla II. Radios iónicos de iones metálicos (m) R+ y no metálicos (nm) R` (en Å) doblemente
ionizados de cristales de estructuras ClNa, ZnS (celdas punteadas) y wurzita (celdas rayadas).
m (Å) Be++ Mg++ Ca++ Sr++ Ba++ Ni++ Co++ V++ Ti++ Cd++ Hg++
nm (Å) (0.31) (0.65) (0.99) (1.13) (1.35) (0.83) (0.88) (0.93) (1.00) (1.09) (1.16)
O (1.40)
R+/ R 0.22 0.46 0.71 0.81 0.96 0.59 0.63 0.66 0.71 0.78
S (1.84)
R+/ R 0.17 0.35 0.54 0.61 0.73 0.57 0.61
Se (1.98)
R+/ R 0.16 0.33 0.50 0.57 0.68
Te (2.21)
R+/ R 0.14 0.29 0.45 0.51 0.61
14 Algunas desviaciones, en particular en la Tabla II, se deben, por ejemplo, a que el enlace
puede tener una cierta contribución covalente con lo cual la idea de radio iónico se desdibuja
porque la nube electrónica puede presentar lóbulos direccionales propios del enlace covalente.

1. Para dar cuenta de la interacción repulsiva (a distancias muy cortas) entre
n
iones en un cristal iónico se emplea un término de la forma B/rij ó λe−rij /ρ ,
donde B, n (n ≫ 1), λ y ρ son parámetros a determinar y rij la distancia
entre dos iones i,j cualesquiera. Determinar la relación ente ρ y n para que
la energı́a (potencial) total del cristal a la distancia de equilibrio, U (R0 ),
calculada con uno u otro término repulsivo no difiera en más del 10 %.
Solución:1.1/n − 0.1 ≤ ρ/R0 ≤ (0.1 + 1/n)/1.1.
2. Discutir cuáles son los factores principales que determinan el empaqueta-

miento de iones en un cristal iónico.
Solución: Estructura y tamaño relativo de los iones.
3. El potencial de interacción de Lennard-Jones

por par de átomos de un cierto cristal presenta
un mı́nimo para la separación r0 = 4.09 Å
(figura adjunta). Para un cristal con estructura
fcc compuesto por este tipo de átomos, ¿cuál
serı́a la distancia entre los vecinos más próximos?
Explicar cualitativamente por qué esa distancia
es menor que R0 .
Solución: R0 ≈ 0.97r0 . El incremento de energı́a que produce el acercamiento de primeros
vecinos es compensado por la disminución que produce el acercamiento de los siguientes
vecinos.
4. Utilizando U (R) = λe−R/ρ como potencial repulsivo entre átomos a distancia

R, R0 = 0.3147 nm, B0 = 1.74 × 1010 N/m2 (siendo R0 la distancia entre
vecinos más próximos y B0 el módulo de compresibilidad en el equilibrio),
calcular la energı́a de cohesión del KCl con la estructura cúbica ZnS.
Compararla con el valor que se obtendrı́a si se calcula con la estructura
NaCl. (Constantes de Madelung αNaCl = 1.75, αZnS = 1.64).
Solución: Estructura ZnS: −5.1 eV/par-iones, Estrcutura NaCl: −7.2 eV/par-iones.
5. Para un conjunto de cristales iónicos, todos con la estructura del NaCl, se

observa (Cuadro 3.4) el sistematismo de que, fijado el elemento alcalino, al
ir descendiendo en el grupo de los halógenos va disminuyendo el módulo de
compresibilidad (definido por B0 = −V dP/dV ). Discutir cuál puede ser la
causa de este sistematismo.
Cuadro 3.4.
Cristal LiF LiCl LiBr LiI NaF NaCl NaBr NaI
B0 (1010 N/m2 ) 6.71 2.98 2.38 1.71 4.65 2.40 1.99 1.51
Solución: B0 ∝ (r + + r − )−3 por lo que cuanto mayor es el tamaño de los iones menor es
el módulo de compresibilidad.
6. Las constantes de Madelung α de algunas estructuras iónicas binarias

prototı́picas son las que se muestran en el Cuadro 3.2. Puesto que α
determina la energı́a de cohesión, ¿por qué no todos los compuestos iónicos
binarios cristalizan en la estructura CsCl, siendo que es la que corresponde
aparentemente, a la de mayor (en valor absoluto) energı́a de cohesión?
Solución: El tamaño relativo de los iones condiciona la coordinación de los mismos y, por
lo tanto, la estructura.
7. ¿Qué argumentos se pueden dar para explicar que la temperatura de fusión

de los cristales de los gases nobles crece según descendemos en el grupo
(columna de la tabla periódica)?
Solución: Ecohesión ∝ Z 1/2 r 9/2 (r y Z son el radio y el número atómico, respectivamente).
8. Para el ClNa, el valor medio de la compresibilidad adiabática κ es 4 × 10−11

m2 /N y la separación de los iones en el equilibrio 2.8 Å. Calcular la
sobrepresión que se necesitarı́a ejercer para reducir la separación de equilibrio
en un 10 %.
Solución: 2.5 × 109 N/m2 .
Capı́tulo 4
Dinámica de redes

Aproximación armónica. Los átomos no ocupan posiciones fijas sino que
oscilan alrededor de los nodos de red con vectores de posición
~ + ~u(t),
~r(t) = R ~ 0 |,
con |~u(t)| ≪ |R (4.1)
donde |R~ 0 | es la menor distancia entre puntos de red.

Cadena lineal monoatómica. Cadena con un átomo de masa M por celda
unitaria de parámetro a que oscilan acoplados.
El potencial armónico es
1 XX 1
Uarm = Cl (us+l − us )2 , (4.2)
2 s 2
l
donde us es la oscilación de cada átomo (o plano de átomos) alrededor de su

posición de equilibrio, sa, y Cl es la constante de fuerza entre dos átomos separados
la.
La ecuación de movimiento de cada átomo
d2 u s ∂Uarm X
M 2
= Fs = − = Cl (us+l − us ), (4.3)
dt ∂us
l
admite solución en forma de modo normal
us = uk ei(ksa−ωt) , (4.4)
si se verifica la relación de dispersión

µ ¶
2 2 X 2 lka
ω (k) = Cl sen . (4.5)
M 2
l
72 Capı́tulo 4: Dinámica de redes
En la aproximación de primeros vecinos l = ±1, con lo cual

Fs = C(us+1 − us ) + C(us−1 − us ) (4.6)
y r
¯ µ ¶¯ ¯ µ ¶¯
4C ¯¯ 1 ¯ ¯ 1 ¯
ω= sen ka ¯ = ωmax ¯sen
¯ ¯ ka ¯¯ . (4.7)
M ¯ 2 2
Cadena lineal diatómica: Dos átomos (separados una distancia d) por celda
unitaria de parámetro a, con desviaciones us y vs respecto a sus posiciones de
equilibrio sa y s(a + d).
Suponiendo átomos de masas diferentes M1 , M2 y constantes de acoplamiento
C iguales, las ecuaciones del movimiento, en la aproximación de interacción a
primeros vecinos,
d2 u s
M1 = C(vs − us ) + C(vs−1 − us )
dt2
d 2 vs
M2 = C(us+1 − vs ) + C(us − vs ), (4.8)
dt2
admiten soluciones en forma de modo normal
us = uk ei(ksa−ωt) , vs = vk ei(ksa−ωt) , (4.9)

si
" s µ ¶#
2 C(M1 + M2 ) 4M1 M2 2
ka
ω = 1 ± 1− 2 sen . (4.10)
M1 M2 (M1 + M2 ) 2
La solución “−” se conoce como rama acústica y la solución “+” como rama
óptica. Tanto en (4.7) como en (4.10) se verifica ω(k + G) = ω(k).
Modos normales. Fonón. El movimiento de los N átomos de una cadena
monoatómica puede describirse mediante combinaciones de las variables normales
definidas por
N
1 X
ξ(k, t) ≡ √ us (t)e−iksa
N s=1
N
1 X ∂us (t)
Π(k, t) ≡ √ ps (t)e−iksa [con ps (t) = M ]. (4.11)
N s=1 ∂t
Para cada k, las ecuaciones
∂
M ξ(k, t) = Π(k, t)
∂t
∂
Π(k, t) = −M ω 2 (k)ξ(k, t), (4.12)
∂t
son equivalentes a las de un oscilador de masa M y frecuencia ω 2 (k) =

2 X 1
Cl sen2 ( kla) y representan un estado de movimiento de todos los átomos
M 2
l
de la cadena. En general, las vibraciones de los átomos en cristales se describe
mediante variables normales y cada par (ξ, Π) se conoce como modo normal
o propio del cristal. Su ventaja para describir la dinámica, con respecto a las
variables {us } es que la variables normales son independientes entre sı́, como se ve
de (4.12).
En un cristal con base atómica de z átomos hay 3z modos normales posibles
para cada vector ~k, repartidos en 3z−3 ramas ópticas y 3 ramas acústicas.
La energı́a de vibración de cada modo de vibración posible está discretizada,
siendo sus posibles valores para cada rama p
· ¸
~ ~ 1
ǫp (k) = np (k) + ~ωp (~k), (4.13)
2
donde np (~k) = 0, 1, 2, ... es el número de ocupación. El cuanto de energı́a de
vibración ~ωp (~k) se denomina fonón. np (~k) es por tanto el número de fonones
con vector de onda ~k y frecuencia ωp que hay excitados en la rama p.
En la aproximación semiclásica (n ≫ 1) la amplitud uk recupera el sentido
clásico de amplitud de oscilación (de un modo de vector de onda k de la rama p),
de forma que
1
N M ω 2 (~k)u2k = n(~k)~ω(~k). (4.14)
2
Cristal monoatómico. La ecuación de movimiento
~
d2 ~u(R) ∂Uarm
M =− , (4.15)
dt 2 ~
∂~u(R)
admite solución en forma de modo normal
~ t) = ~ǫ(~k) ei(~k·R−ωt)
~u(R,
~
, (4.16)
si se cumple la relación de dispersión
¯ (~k)~ǫ(~k) = M ω 2 (~k)~ǫ(~k).
D̄ (4.17)
X
¯ (~k) =
D̄ ¯ (R)e
D̄ ~ i~kR~ , real y simétrica, se conoce como matriz dinámica y
~
R
~ǫ(~k) son los vectores propios (vectores de polarización), mutuamente ortogonales:
~ǫi (~k) · ~ǫj (~k) = δij (i, j = 1, 2, 3). Como en el caso unidimensional, ω(~k) verifica la
propiedad de periodicidad
ω(~k) = ω(~k + G),

~ ∀~k, G.
~ (4.18)

1. ¿Qué sentido fı́sico tiene que la frecuencia ω de los modos ópticos
sea finita para k → 0 en tanto que para los acústicos ω → 0?
Solución:
ω ¯¯
Modo acústico : k→0⇒ω→0 ⇒ ¯ = c f inito.
k k→0
ω ¯¯
Modo óptico : k → 0, ω > 0 ⇒ ¯ → inf inito.
k k→0
Estos valores tan diferentes responden a movimientos intercelda también
muy diferentes: En los modos ópticos los cambios que ocurren en una celda,
ocurren, cuando k → 0, con muy poco retraso en cualquier otra celda (c →
inf inito) mientras que en los modos acústicos los cambios en una celda
ocurren con mucho mayor retraso en celdas suficientemente alejadas. Sin
embargo, para k = 0 todas las celdas se mueven en fase:
us±n vs±n
Ec. (4.9): = = e±inka = 1 para k = 0, cualesquiera que sean s y n.
us vs
El movimiento intracelda es también diferente (ver ejercicio 3): En los modos
ópticos los átomos de cada celda se mueven en oposición de fase. En los modos
acústicos en cambio se mueven en fase. Por ello, el movimiento de los átomos
en los modos ópticos es distinguible mientras que en los acústicos no. Para
éstos, el estado de movimiento común para λ = ∞ (k = 0) es equivalente a
tener los átomos en reposo (ω = 0) sino se tendrı́a el movimiento del cristal
como un todo.
2. Deducir un orden de magnitud para la velocidad del sonido en sólidos.

Solución:
La velocidad del sonido en un sólido con una relación de dispersión ω(~k)
es c = ∂ω/∂k. La frecuencias acústicas corresponden a k → 0, con lo que
ω ≈ ωmax ka/2 ⇒ c ≈ ωmax a/2.
Sustituyendo, ωmax ∼ 1012 rad/s y a ∼ 10−10 m se obtiene c ∼ 103 m/s. En
efecto, la velocidad del sonido en los sólidos es de unos pocos miles de m/s,
es decir, aproximadamente un orden de magnitud mayor que en los gases
(340 m/s en el aire). .
3. Hacer una representación gráfica de los modos acústicos y ópticos

longitudinales de una cadena diatómica (con masas M1 y M2 ) para:
(a) k = ±π/a y M1 /M2 cualquiera. (b) M1 ≫ M2 y k cualquiera.
Solución:
Solución tipo modo normal us = uk ei(ksa−ωt) , vs = vk ei(ksa−ωt) ⇒
|{z}
Ec. (4.10)
" s #
2 C(M1 + M2 ) 4M1 M2 2
ka
ω = 1 ± 1− 2 sen 2 ,
M1 M2 (M1 + M2 )
ω− → 0, cuando k → 0 ⇒ Rama acústica. ω+ : Rama óptica.

Por otro lado, sustituyendo us y vs en las Ecs. (4.8) es inmediato obtener
vk 2 − M1 ω 2 /C
−M1 ω 2 uk = C(vk − uk ) + C(vk e−ika − uk ) ⇒ =
uk 1 + e−ika
vk 1 + eika
−M2 ω 2 vk = C(uk eika − vk ) + C(uk − vk ) ⇒ = . (4.19)
uk 2 − M2 ω 2 /C
vk
Sustituyendo ω± en cualquiera de las dos expresiones de se obtiene el
uk
movimiento relativo de los átomos de la base. Por ejemplo, en la Fig. 4.1 se
muestra A± (k) y ϕ± dadas por
vk
= |A± (k)|eiϕ± , (4.20)
uk
 p
 2(1 + cos(ka))


 A± (k) = h q i,
 4M2 /M1 2 ( ka )
 2 − (1 + M2 /M1 ) 1 ± 1 − (1+M 2 /M1 )
2 sen 2
donde

 µ ¶


 −1 sen(ka)
 ϕ− = tan y ϕ+ = ϕ− + π.
1 + cos(ka)
1
Movimiento relativo de los átomos
2
de la base:
rad)
=0.9
Para un k cualquiera:
A-(k)
=0.5
=0.1
1
Rama acústica: Desfase ϕ−
= -
Modo acústico Rama óptica: Desfase ϕ+ = ϕ− + π
0 0
Para k → 0:
A+(k)/100
4 ϕ− → 0 Casi en fase.
ϕ+ → π Casi en oposición de fase.
= +
Modo óptico
-1 3
0 1
ka 2 3
Figura 4.1. µ = M2 /M1

Figura 4.2. Movimiento de los átomos para k = ±π/a y M1 /M2 cualquiera (izquierda) y para
M1 ≫ M2 y k cualquiera (derecha).
a) Estados de movimiento representados en la Fig. 4.2 izquierda.

 ( 2 2C
 ω− = M 1
(Rama acústica)

 Eq. (4.10):

 2 2C


 ω+ =M 2
(Rama óptica)

 



 £ ¤ 
 Movimiento½intracelda:
 2 

  M 1 ω −2C u π =0 
 v πa = 0
π  a ω = ω− ⇒
k = ± : Ec. (4.19): £ ⇒ ½ a =?
u π
a  2
¤ 
 M 2 ω −2C v π =0 
 u π = 0

 a
ω = ω+ ⇒
 a



 v πa =?



 Movimiento intercelda¾(posiciones s,s-1,s+1), Ecs. (4.9):



 us+1 = us−1 = −us Los átomos de celdas vecinas

 ⇒
vs+1 = vs−1 = −vs se mueven en oposición de fase.
b) Estados de movimiento representados en la Fig. 4.2 derecha.

 ½ 2
 ω− ≈ 0(1)

 Ec. (4.10): 2

 ω+ ≈ 2C/M2
M1≫M2: ( −ika

 Para ω = ω− , uv k ≈ 1+e2 ⇒ Desfase ϕ
Ec. (4.19):
 k
 uk −(1+e−ika )M2
Para ω = ω+ , v ≈ M1 ⇒ Desfase ϕ+π
k
Los átomos de cada celda se mueven en (casi) oposición de fase en

la rama óptica y en (casi) fase en la rama acústica. El movimiento
intercelda depende de k.
En la Fig. 4.3 se representa la correspon-
diente relación de dispersión. Las principales
diferencias con el caso de masas comparables
(Fig. 4.4(b)) son que, para M1 ≫ M2 , ω+ no
depende de k y que el intervalo de frecuencias
prohibidas es mucho mayor.
Figura 4.3. ω± para M1 ≫ M2 .
1 Es 2 ≈ 2C ka
cero a primer orden. A segundo orden, Ec. (4.10)⇒ ω− M1
sen2 2
.
4. Comprobar que en el lı́mite M1 → M2 , el espectro vibracional de

una cadena diatómica con átomos equidistantes coincide con el de
la monoatómica.
Solución:
Para una cadena de átomos de masa M1 y M2 equidistantes, como se ilustra
en la Fig. 4.4(a), las ramas óptica y acústica evolucionan como se indica en
la Fig. 4.4(b) cuando M1 → M2 (desde las lı́neas a trazos largos hasta hasta
las lineas continuas).
M1 M2
(a)
a/2 a
Z Z
Z+ Z+
Z+
M1 M2
Z– Z–
(b) (c)
0 k 0 k
Figura 4.4. Evolución de las ramas óptica y acústica de una cadena diatómica
cuando M1 → M1 .
¾ r
k = ±π/a 2C
Para ⇒ ω− = ω+ = .
M1 = M2 = M |{z} M
½ Ec. (4.10)
La cadena pasa de diatómica (parámetro a)
Además, M1 = M2 ⇒ ⇒
a monoatómica de parámetro a′ = a/2.
½
pasa de kP ZB = π/a
la frontera de la PZB (Fig. 4.4(c)) ⇒
a kP′ ZB = π/a′ = 2π/a,
El número total de modos, 2N , se conserva.(2)
Podemos comprobar además que si M1 = M2 = M ,
π
ω− (k) (r.a.) con ≤ k ≤ kP′ ZB = ω+ (k) (r.ó.) con 0 ≤ k ≤ kP ZB .
a
Ec. (4.10) " r #
z}|{ 2C ka
En efecto, M1 = M2 = M ⇒ ω2 = 1 ± 1 − sen2 ⇒
M 2
· ¸
2 2C ka
ω = 1 ± cos ⇒ (4.21)
M 2
2 Red de parámetro a con N celdas y 2 átomos por celda: Para cada k ∈ (0, π/a), N modos
acústicos + N modos ópticos = 2N modos.

Red de parámetro a/2 con N celdas y 1 átomo por celda: Para cada k ∈ (0, 2π/a), N ′ = 2N
modos acústicos.
³π ´ 2C · µ ¶¸ · ¸ 
2 π ∆ka 2C ∆ka 
ω+ − ∆k = 1 + cos − = 1 + sen 

a M 2 2 M 2 

· µ ¶¸ · ¸ ⇒
2
³π ´ 2C π ∆ka 2C ∆ka  

ω− + ∆k = 1 − cos + = 1 + sen 

a M 2 2 M 2
³π ´ ³π ´
ω− + ∆k = ω+ − ∆k .
a a
Se puede ver también, formalmente, que la Ec. (4.21) para ω− , corresponde a
la relación de dispersión de una cadena monoatómica de parámetro a′ = a/2
y átomos de masa M :
· ¸
2 2C ka 2C 4C ka′
ω− = 1 − cos = [1 − cos(ka′ )] = sen2 . (4.22)
M 2 M M 2
5. Demostrar que para longitudes de onda largas la ecuación de

d2 us
movimiento M = C(us+1 +us−1 −2us ) se reduce a la ecuación
dt2
∂ 2 us 2
2 ∂ us
de onda elástica del medio continuo = c , siendo c la
∂t2 ∂x2
velocidad del sonido.
Solución:
Aproximación de Diferencias Finitas:
µ ¶ µ ¶
∂f 1 ∂2f
f (x + ∆x, t) = f (x, t) + ∆x + (∆x)2 + ...
∂x x 2 ∂x2 x
y equivalentemente
µ ¶ µ ¶
∂f 1 ∂2f
f (x − ∆x, t) = f (x, t) − ∆x + (∆x)2 + ...
∂x x 2 ∂x2 x
De la suma de estas dos ecuaciones se puede despejar
µ 2 ¶
2 ∂ f
f (x + ∆x, t) + f (x − ∆x, t) − 2f (x, t) = (∆x) .
∂x2 x
Haciendo ahora x = sa y ∆x = a, podemos identificar

f (x, t) ↔ us (t)  ∂ 2 us ∂ 2 us
f (x + a, t) ↔ us+1 (t) ⇒ M 2 = Ca2 ⇒
 ∂t ∂x2
f (x − a, t) ↔ us−1 (t)
∂ 2 us Ca2 ∂ 2 us
= . (4.23)
∂t2 M ∂x2
Por otro lado, según la Ec. (4.7),
r ¯ r
Ca2 ω(k) ¯¯ Ca2
ω(k)|k→0 = k ⇒ c≡ = ,
M k k→0
¯ M
que, al sustituir en (4.23), da la expresión del enunciado.

6. La velocidad del sonido c en medios continuos se suele ver escrita

como c = (E/̺)1/2 siendo ̺ la densidad y E el módulo de Young
que expresa la rigidez elástica de un medio. E se define por F/S =
E∆L/L, donde F la fuerza aplicada y L y S son la longitud y
el área de la sección transversal, respectivamente, de la muestra.
Justificar la expresión reseñada.
Solución:
Sea una muestra de longitud L y sección transversal S⊥ , como se indica
en la Fig. 4.5. La relación entre esfuerzo (F/S⊥ ) y deformación (∆L/L)
se puede hacer sustituyendo el medio continuo por un conjunto de masas
M distribuidas en los vértices de celdas cuadradas de parámetro a e
interconectadas con resortes de constante C. Ası́, L = NL a y S⊥ =
2 2
N⊥ a , siendo NL y N⊥ el número de celdas en la dirección longitudinal
y transversales, respectivamente.
z x
C y
Figura 4.5. N a
ŏ
'L=NL'x
N a L=NLa
ŏ
La fuerza necesaria para alargar la pieza en ∆L, es la suma de las fuerzas
2
CL ∆L necesarias para alargar en ∆L cada uno de los N⊥ resortes de longitud
L y constante CL formados por NL resortes de longitud a y constante C (que
se alarga cada uno en ∆x de forma que ∆L = NL ∆x). En esta aproximación,
de acuerdo con la definición de E, tenemos entonces

∆L 
F = E S⊥ 

L 


↓ ↓ 

2 ∆x 2 2 ⇒ C = Ea.
N⊥ CL ∆L = E N a 
a ⊥ 

↓ (3)

↓ 


2 2 
N⊥ C∆x = N⊥ Ea∆x
r r
Ca2 Ea3
Por otro lado, en el lı́mite k → 0, c = ⇒c= .
M M
s
M E
Por último, ̺= 3 ⇒ c= .
a ̺
3 Energı́a de un resorte de constante C y longitud en reposo a alargado en ∆x: E = C(∆x)2 /2.
1
Energı́a de NL resortes de constante C (en serie) y longitud total L = NL a alargado en ∆L =
2
NL ∆x: EL = CL (∆L) /2. Como EL = NL E1 ⇒ CL = C/NL
7. Probar que si la dirección de ~ k coincide con la de un eje de

simetrı́a de orden 3,4,6, entonces un modo normal está polarizado
paralelamente a ~ k y los otros dos son degenerados y polarizados
perpendicularmente a ~ k.
Solución:
En un cristal monoatónico, la ecuación del movimiento de cada átomo admite
una solución en forma de modo normal ~u(R, ~ t) = ~ǫei(~kR−ωt)
~
si
¯ ¯
D̄(~k)~ǫ = M ω (~k)~ǫ, con D̄(~k) = matriz dinámica (real y simétrica) y
2
~ǫ = vectores de polarización, que verifican ~ǫi · ~ǫj = δij .

 
a α β
Con respecto a un sistema de referencia con z||~k, ¯ = α
D̄ b γ 
β γ c
Si ~k coincide con un eje de simetrı́a de orden n, significa que al girar el
cristal un ángulo 2π/n alrededor de ese eje todos los observables permanecen
¯ , lo cual exige que
invariantes, en particular la matriz dinámica D̄
 a

 (1 ) a = a cos2 θ + b sen2 θ − 2α sen θ cos θ
 (2a ) α = α(cos2 θ − sen2 θ) + (a − b) sen θ cos θ


(4)
¯ −1 D̄
Ḡ ¯ Ḡ
¯ = D̄
¯ ⇒ (3a ) β = β cos θ − γ sen θ
(4a ) b = a sen2 θ + b cos2 θ + 2α sen θ cos θ




 a
(5 ) γ = β sen θ + γ cos θ
√
i) n = 3 ⇒ θ = 2π/3 ⇒ cos θ = −1/2, sen θ = 3/2:
√ ¾ ¾
(1a ) ⇒ 3a − 3b = 2√ 3α a=b   
⇒  a 0 0
(2a ) α=0 
⇒ a−b= √−2¾ 3α ¯ = 0 a 0 ≡ D̄
¯ .
⇒ D̄ aac
(3a ) ⇒ γ = −√ 3β 
⇒ β=γ=0   0 0 c
(4a ) ⇒ 3γ = 3β
ii) n = 4 ⇒ θ = π/2 ⇒ cos θ = 0, sen θ = 1:


(1a ) ⇒ a = b 

(2a ) ⇒ α = −α ¾

⇒ α=0 ¯ .
¯ = D̄
a ⇒ D̄ aac
(3 ) ⇒ γ = −β 
a ⇒ β = γ = 0 

(5 ) ⇒ γ = β
4 Matriz de giro del ángulo θ alrededor del eje z:
   
cos θ sen θ 0 cos θ − sen θ 0
¯
Ḡ =  − sen θ cos θ 0  . ¯
Ḡ −1 ¯ t
= Ḡ =  sen θ cos θ 0 
0 0 1 0 0 1
√
iii) n = 6 ⇒ θ = π/3 ⇒ cos θ = 1/2, sen θ = 3/2:
√ ¾ ¾
(1a ) ⇒ 3a − 3b =√−2 3α a=b 
⇒ 
(2a ) ⇒ a − b =
√ 2 ¾
3α α=0  ¯ = D̄
¯ .
⇒ D̄ aac
(3a ) ⇒ β = √
− 3γ 
a ⇒ β=γ=0 

(5 ) ⇒ γ = 3β
¯ diagonal sus vectores propios son (1,0,0), (0,1,0) con valor propio
Por ser D̄
a y el (0,0,1) con valor propio c. Recordando que ~k||z, tenemos entonces
Relación de dispersión:
Modo polarizado ||~k, M ω||2 (~k) = c
Modo polarizado ⊥~k, 2 ~

M ω⊥ (k) = a (2 degenerados).
8. Considerar iones puntuales de masa M y carga e inmersos en

un mar uniforme de electrones de conducción. Suponer que los
iones están en equilibrio estable cuando ocupan los puntos de
la red regular. Si un ión se desplaza una pequeña distancia
r de su posición de equilibrio, la fuerza restauradora se debe
fundamentalmente a la carga eléctrica dentro de la esfera de radio
r centrada en la posición de equilibrio. Tomando la densidad
numérica de iones (o electrones de conducción) como 3/4πR3 , que
define R,
a) Demostrar que la frecuencia de un solo ión que entra en

oscilación es ω = (e2 /πǫ0 M R3 )1/2 .
b) Estimar los valores de esta frecuencia para el sodio.
c) A partir de (a) y (b) estimar el orden de magnitud de la
velocidad del sonido en el metal.
Solución:
a) El cálculo es similar al realizado en el ejercicio 3.9.

El campo eléctrico que actúa sobre el ión desplazado
r de su posición de equilibrio (ver Fig. 4.6) viene
S determinado por la carga negativa Q encerrada en el
r volumen V limitado por la superficie S que se indica.
+e R
Estas cantidades vienen dadas por
U– 4 −e
V = πr3 , S = 4πr2 y Q = ̺− V con ̺− = 4 3 .
Figura 4.6.
3 3 πR
Por otro lado,


1a Ec. de Maxwell: 
R 
~ ·E
∇ ~ = Q 

V ǫ0  er3 er
Teorema de la divergencia: ⇒ E4πr2 = − 3
⇒E=− .
R
~ ·E
~ =
H
~ · dS
~  ǫ0 R 4πǫ0 R3
V
∇ S
E 



~ uniforme y paralelo a dS)
(E ~
La fuerza de recuperación que actúa sobre el ión de carga +e es

e2 r e2
F = eE = − = −Cr ⇒ C = .
4πǫ0 R3 4πǫ0 R3
r
C e
Frecuencia tı́pica: ωP ZB ≈ 2 ⇒ ω≈√ .
M πǫ0 M R3
(5)
b) Para el Na, M = 3.82 × 10−26 Kg, R = 4.23 × 10−10 m ⇒
ω ≈ 2 × 1013 rad/s (ν ≈ 3 × 1012 Hz).
p
c) c = a C/M = aωmax /2, a ≈ 6 × 10−10 m ⇒ c ≈ 6000 m/s.
9. Considerar los modos normales de una cadena lineal en la cual

las constantes de fuerza entre los átomos más próximos son
alternativamente C y 10C. Supongamos que son iguales las masas
y que la separación entre los vecinos más próximos es a/2.(6) Hallar
ω(k) para k = 0 y k = π/a. Hacer un esquema de la relación de
dispersión de forma cualitativa. Discutir el movimiento intracelda
e intercelda de los átomos para k = 0 y k = π/a.
Solución:
Se trata de resolver la ecuación del movimiento para átomos de la misma
masa M y constantes de acoplamiento α = 10C (intracelda) y β = C
(intercelda), como se indica en la Fig. 4.7.
M C 10C
Figura 4.7. vs–1 us vs us+1
a
Las ecuaciones del movimiento, suponiendo sólo interacción a vecinos más
próximos, son ¾
M üs = α(vs − us ) + β(vs−1 − us )
M v̈s = α(us − vs ) + β(us+1 − vs )
Admitiendo soluciones tipo us = uk ei(ksa−ωt) , vs = vk ei(ksa−ωt) ⇒(7)
£ 2
¤ £ ¤ ¾
£M ω −ika α ¤− β u£k + α + βe−ika vk = 0
¤ (4.24)
α + βe u k + M ω 2 − α − β vk = 0
5M =23 (g)/NA .
6 Este problema simula un cristal de moléculas diatómicas tales como las de H2 .
7 M ü = −ω 2 M u 2
s k , M v̈s = −ω M vk .
cuyo cumplimiento exige(8) una relación de dispersión ω(k) dada por
2( + ) " s µ ¶#
M
2
M 2
ω =
α+β
1± 1−
4αβ 2
1
sen ka (4.25)
M (α+β)2 2
, cuya gráfica se da en la Fig. 4.8.

El movimiento relativo (intracelda) de los
2
átomos viene dado por:
M
vk α + β − M ω2
0 = . (4.26)
0 ka uk α + βe−ika
Figura 4.8.
Movimientos en los puntos indicados:

 


  ω− = 0 (Rama acústica)


Eq. (4.25):

 q

 
 ω = 2(α+β) (Rama óptica)

 + M

 



 Movimiento intracelda:
v0 M ω2 ω = ω− ⇒ uv00 > 0 (en fase)
k=0: Ec. (4.26): u0 = 1− α+β ⇒
ω = ω+ ⇒ uv00 < 0 (en oposición de fase)
 






Movimiento intercelda, posiciones s,s-1,s+1, Ecs. (4.9):



Ecs. (4.9): ¾


 us+1 = us−1 = us en fase

 ⇒
vs+1 = vs−1 = vs (lı́mite de medio continuo)
  q

  ω− = 2β (Rama acústica)



Eq. (4.25): qM



 ω+ = 2α M (Rama óptica)



 

π Ec. (4.26): Movimiento intracelda:
 
vπ 2
k= :
a  u π = 1−
a α+β−M
α−β
ω
⇒ ω = ω− ⇒ vv πaπ = 0; u πa ?

 a 
ω = ω+ ⇒ u aπ > 0 (en fase)


 a




Movimiento intercelda ¾(posiciones s,s-1,s+1) Ecs. (4.9):


 u s+1 = u s−1 = −u s

 ⇒ en oposición de fase
vs+1 = vs−1 = −vs
8 El sistema (4.24) tiene solución sólo si el determinante de coeficientes es cero:

¯ ¯ · q¡ ¸
¯ M ω2 − α − β α + βe−ika ¯¯ 2 1 ¢¡ ¢
¯ = 0 ⇒ ω = (α+β)± α+βe ika α+βe−ika .
¯ α + βeika M ω2 − α − β ¯ M
10. Los neutrones térmicos de una determinada energı́a se dispersan

por los fonones de un cristal perdiendo energı́a. Las longitudes de
onda son 3.14 Å antes y 5.00 Å después de la dispersión y el vector
de onda de los neutrones dispersados, ~ k′ , forma un ángulo de 45o
~
con el vector k de los incidentes. Calcular la longitud de onda del
fonón que interviene en este proceso de dispersión.
Solución:
Se trata de utilizar la ley de conservación del momento ~k + ~q = k~′ de acuerdo
con el diagrama de la Fig. 4.9, en el cual,
O= 5.00 Å

~k = (k, 0) k = 2π/λ
& 
k' ~′ = (k ′ cos 45o , k ′ sen 45o )
k con k ′ = 2π/λ′

O= 3.14 Å 45º ~q = (−q cos θ, q sen θ) q = 2π/λq
&
k & T Haciendo el balance en cada dirección x, y:
q
Oq
¾
k − q cos θ = k ′ cos 45o
⇒
Figura 4.9. q sen θ = k ′ sen 45o
k ′ sen 45o 1 o λ′ sen θ
tg θ = = √ ⇒ θ = 38.6 ⇒ λ q = = 4.41 Å.
k − k ′ cos 45o 2λ′ /λ − 1 sen 45o
11. Considerar un cristal cúbico simple con base monoatómica.

Constatar que con interacción sólo entre vecinos más próximos no
es posible mantener la resistencia de cortadura caracterı́stica de los
sólidos. Se debe pues extender la interacción como mı́nimo a los
segundos vecinos. En estas condiciones considerar la propagación
del sonido en la dirección [100]. Calcular la constante equivalente
de fuerza y la frecuencia máxima en esa dirección.
Solución:
Considerando sólo interacción a primeros vecinos, al aplicar una fuerza
tangencial, F , como se muestra en la Fig. 4.10(a), los resortes que ejercen
fuerza de recuperación pasan de una longitud en equilibrio a a ℓpv . La fuerza
de recuperación será proporcional a ℓpv − a. Según se indica en esta figura,
s µ ¶2 Ã µ ¶2 !
p δ 1 δ
ℓpv = a2 + δ 2 = a 1 + ≈a 1+ = a + O(δ 2 ).
a 2 a
Luego a 1er orden en δ, ℓpv − a ≈ 0 y no hay fuerza de recuperación.
Con interacción a segundos vecinos, cuando
√ F actúa, según la Fig. 4.10(b),
los resortes pasan de tener la longitud a 2 a
q q √
2 2
ℓsv = a2 + (a + δ) = a 2 + 2δ/a + (δ/a) ≈ a 2 (1 + δ/2a) .
√
En este caso, la fuerza de recuperación es proporcional a ℓsv − a 2 ∝ δ.
Luego sı́ hay fuerza de recuperación a 1er orden en δ.
G F G F
Ɛsv
Figura 4.10. a Ɛpv a
(a) (b)
En la propagación del sonido la importancia de la interacción a segundos

vecinos es muy diferente según que se trate de un modo longitudinal
(movimiento de los átomos en la dirección de propagación de la onda) o
transversal (movimiento de los átomos en dirección perpendicular a la de
propagación de la onda). En la Fig. 4.11 se ilustra este hecho con un ejemplo
sencillo. En ambos modos se considera que los átomos de cada plano se
mueven como un todo y que están desplazados de sus posiciones de equilibrio
las cantidades δ ′ < δ < δ ′′ según la dirección transversal (Fig. 4.11(a))
ó longitudinal (Fig. 4.11(b)). En el caso transversal, los primeros vecinos no
contribuyen a la restauración del equilibrio (a primer orden en δ, como se
acaba de ver) y es la interacción a segundos vecinos la dominante. En el caso
longitudinal, en cambio, sı́ intervienen los primeros vecinos y la contribución
de los segundos es sólo una corrección a la de los primeros.
Transversal k Longitudinal
y G´ G G´´ y
f2 f3 Ɛ4 Ɛ3 f4 f3
Ɛ4 Ɛ3 a
45º f´1 45º
f1 x Ɛ´1 Ɛ´2 f1 f´2 x

Ɛ1 Ɛ2 f4 f2
G´ G G´´ Ɛ1 Ɛ2
(a) G´ < G< G´´ (b)
Figura 4.11.
Para los desplazamientos escogidos en este ejemplo, la dirección y sentido de
las fuerzas que ejercen los resortes sobre un átomo cualquiera del plano de
referencia se muestran en los correspondientes diagramas. Los módulos de
las fuerzas debidas a la interacción a primeros vecinos son fi′ = C|ℓ′i − ℓ′0i |,
i = 1, 2, con ℓ′0i = a. Para las fuerzas debidas a segundos vecinos son, en
ambos √ casos longitudinal o transversal, fi = C ′ |ℓi − ℓ0i |, i = 1, 2, 3, 4, con
ℓ0i = a 2. Estas longitudes y fuerzas se dan en el Cuadro 4.1.(9)
En el caso longitudinal, según el diagrama de la Fig. 4.11(b), la suma de
fuerzas en la dirección y es nula mientras que en la dirección x es C(2δ − δ ′ −
δ ′′ ) debida a primeros vecinos y C ′ (2δ−δ ′ −δ ′′ ) debida a los segundos. En este
caso, además de las fuerzas que ejercen los segundos vecinos del plano xy,
también contribuyen los segundos vecinos del plano zx, por lo que la fuerza
√
9 ℓ2
1 = a2 + (a + δ − δ ′ )2 ≈ 2a2 + 2a(δ − δ ′ ) ⇒ ℓ1 ≈ 2a[1 + (δ − δ ′ )/2a];
√
ℓ22 = a + (a − δ + δ ) ≈ 2a − 2a(δ − δ) ⇒ ℓ2 ≈ 2a[1 − (δ ′′ − δ)/2a]; etc.
2 ′′ 2 2 ′′
Cuadro 4.1.
Transversal Longitudinal
µ ¶ µ ¶
√ δ−δ ′ C′ √ δ−δ ′ C′
ℓ1 ≈ 2a 1+ ; f1 ≈ √ (δ−δ ′ ) ℓ1 = ℓ4 ≈ 2a 1+ ; f1 = f4 ≈ √ (δ−δ ′ )
2a 2 2a 2
µ ¶ µ ¶
√ ′′
δ −δ C ′ ′′ √ δ ′′−δ C ′ ′′
ℓ2 ≈ 2a 1− ; f2 ≈ √ (δ −δ) ℓ2 = ℓ3 ≈ 2a 1− ; f2 = f3 ≈ √ (δ −δ)
2a 2 2a 2
µ ¶
√ δ ′′−δ
ℓ3 ≈ 2a 1+ ; f3 = f2 ℓ′1 = a+δ−δ ′ ; f1′ = C(δ−δ ′ )
2a
µ ¶
√ δ−δ ′
ℓ4 ≈ 2a 1− ; f4 = f1 ℓ′4 = a+δ ′′−δ f4 = C(δ ′′−δ)
2a
total sobre del plano de referencia es fTot = (C + 2C ′ )(2δ − δ ′ − δ ′′ ). Por

la constante equivalente es Ceq = C + 2C ′ y la frecuencia máxima
lo tanto,p
ωmax = (C + 2C ′ )/M .
En el caso transversal, la suma de fuerzas es nula en la dirección x, mientras
que en la dirección y es (en este caso sólo contribuyen, a primer orden en
δ, los segundos vecinos del plano xy) fTot = 12 C ′ (2δ − δ ′ − δ ′′ ). Por tanto,
p
Ceq = C ′ /2 y ωmax = C ′ /2M .
12. Calcular el momento lineal total de un cristal monoatómico

unidimensional de N átomos de masa M que tiene excitado un
fonón de vector de onda k.
Solución:
El momento total es la suma de los momentos de cada uno de los átomos,
en posiciones us = uei(ksa−ωt) . Por lo tanto,
±N
X ±N
X ±N
X (10)
Ptot = M u̇s = −iωM us = −iωM e−iωt eiksa = 0,
s=±1 s=±1 s=±1
excepto para k = 0, en cuyo caso vale N (y para este caso se tendrı́a ω = 0).
Cualitativamente se ilustra este resultado en la Fig. 4.12:
Se trata de la suma de fasores, equivalente a sumar
vectores del mismo módulo y orientados al azar. Al ser
N ≈ NA ≫ 1, la suma es nula.
Figura 4.12.
X ~ ~
10 La suma eik·R es independiente del origen escogido. Ası́, para un vector de red cualquiera
~
R
X ~ ~ X ~ ~ ~ ′) ~ ~′ X ~ ~
³ ´
~ ~ ′ X i~ ~
~ ′ , se verifica
R eik·R = eik·(R+R = eik·R eik·R ⇒ 1 − eik·R e k·R = 0 ⇒
~ ~ ~ ~
 RP i~k·R~
R R  R

 e =0 


 R~ 
 X ~ ~
ó ⇒ eik·R = N δ~k,0 .

 ~′
 ei~k·R ~ ′ ⇒ k = 0 ⇒ P ei~k·R
~ 

 = 1, ∀R =N 
 ~
R
~
R
13. Demostrar que la ley de dispersión de una cadena lineal

monoatómica de masa M con interacción hasta los vecinos N -
ésimos es N N µ ¶
2 2 X 4 X 2 lka
ω (k) = Cl [1 − cos(lka)] = Cl sen .
M l>0 M l>0 2
Analizar los casos lı́mites, en particular el cambio en la velocidad
del sonido respecto a la aproximación de primeros vecinos.
Solución:
Sea la cadena de átomos de masa M y
M us–1 us us+1 posiciones us = uei(ksa−ωt) con respecto a
a cada nodo en sa, donde a es el parámetro de
Figura 4.13. red, como se muestra en la Fig. 4.13.
Sustituyendo las coordenadas us en la ecua-
Z 1+2 ción de movimiento (4.3) se obtiene
N
X N
X
l=1 ¡ ¢
M ω 2 us = − Cl(us+l −us) = us Cl 1−eikla ,
l l
l=2 que, por ser Cl = C−l , se puede escribir como
Sk N
X £¡ ¢ ¡ ¢¤
a M ω = Cl 1− eikla + 1− e−ikla ⇒
2
Figura 4.14.
l>0
N N µ ¶
2 X 4 X kla
ω2 = Cl [1 − cos(kla)] = Cl sen2 .
M M 2
l>0 l>0
En la Fig. 4.14 se representa el término correspondiente a l = 1 (lı́nea a
trazos) y l = 2 (lı́nea a puntos) y la suma de ambos (lı́nea continua). Observar
que al incluir más términos que el de primeros vecinos, el máximo de ω no
ocurre necesariamente en ka = π. Además, por tratarse de una rama acústica
(cadena monoatómica), ω → 0 cuando k → 0, pues sen(lka/2) ≈ lka/2 en
este lı́mite, con lo cual N
2 a2 k 2 X
ω ≈ Cl l2 .
M
l>0
Vemos que la velocidad del sonido para una cadena de N átomos, cN es, con
respecto a la correspondiente a la de primeros vecinos, c1 ,
PN
cN Cl l2
= l>0 > 1,
c1 c1
aunque el crecimiento es moderado, pues Cl decrece fuertemente con n.
14. Considerar vibraciones en el plano de una red cuadrada. Los

átomos son idénticos de masa M y están acoplados elásticamente
con constante C. Determinar los dos modos de vibración y
la frecuencia máxima para ondas elásticas en la dirección [11].
(Suponer interacción sólo a primeros vecinos)
Solución:
En la Fig. 4.15a se representa la red cuadrada de parámetro a dada por
~ = paı̂ + qa̂, con p, q ∈ Z. La posición de cada átomo se representa (Fig.
R
~ t) = R
4.15b) por ~r(R, ~ + ~u(R,
~ t) con |~u(R,
~ t)| ≪ a. En general tendrı́a que
utilizarse la ecuación de movimiento (4.15) en dos dimensiones con
1 X
~ t) − uµ (R
~ ′ , t)]Φµν (R
~ −R
~ ′ )[uν (R,
~ t) − uν (R
~ ′ , t)],
Uarm = [uµ (R,
4 ~ R~′
R,
µ,ν=x,y
~ −R
~ ′) = ∂ 2 φ(r)
donde Φµν (R , siendo φ(r) el potencial por par de átomos,
∂rµ ∂rν
lo cual darı́a lugar a un sistema de dos ecuaciones correspondiente al
movimiento de los átomos en la dirección x acoplado con su movimiento en
la dirección y. En la aproximación a primeros vecinos, sin embargo, se puede
estudiar el movimiento en cada dirección espacial independientemente, pues
la fuerza que actúa sobre un átomo en una dirección debida al movimiento
de su primer vecino en la dirección perpendicular es nula a primer orden en
~ t)|. En efecto, considerar el esquema de la Fig. 4.15c. La fuerza elástica
|~u(R,
que actúa en el átomo p, q debida al desplazamiento, s en la dirección x y v en
la dirección y, del átomo p, q+1 es (en módulo) f =pC(ℓ−a). El parámetro de
red a es la longitud del resorte en equilibrio y ℓ = (a + v)2 + s2 ≈ a + v ⇒
f = Cv. La componente de esta fuerza en la dirección y es fy = f cos θ ≈ Cv,
pues θ ∼ 0. En la dirección x, en cambio, fx = f sen θ = Cvs/a ∼ |~u(R, ~ t)|2 .
p,q+1 y T
a
& v s p,q+1
u
p+1,q
p–1,q p,q p,q
Ɛ
a
(a) p,q–1 (b) (c) p,q x

Figura 4.15.
Basta, por lo tanto, resolver la Ec. (4.3) (en la aproximación de primeros

vecinos) para cada dirección espacial. Para ello, sean
~ t) = up,q (t) = uei(kx pa+ky qa−ωt) y uy (R,
uy (R, ~ t) = vp,q (t) = vei(kx pa+ky qa−ωt) .
De acuerdo con la Fig. 4.15, tendremos las dos ecuaciones independientes
C C¡ ¢
üp,q = (up+1,q +up−1,q −2up,q) ω 2up,q (t) = 2−eikx a −e−ikx a up,q (t)
M M
⇒
C C¡ ¢
v̈p,q = (vp,q+1 +vp,q−1 −2vp,q) ω 2vp,q (t) = 2−eiky a −e−iky a vp,q (t),
M M
cuyas soluciones (modos normales) son:

2C 4C 1
Dirección x: ω 2 = (1 − cos(kx a)) = sin2 kx a.
M M 2
2C 4C 1
Dirección y: ω 2 = (1 − cos(ky a)) = sin2 ky a.
M M 2
k
En la dirección [11], kx = ky ⇒ k 2 = kx2 + ky2 = 2kx2 ⇒ kx = √ ⇒
2
r
4C ka 4C √
ω2 = sen2 √ ⇒ ω[11]max. = en ka = ±π 2.
M 2 2 M
15. Según la expresión cuántica para la energı́a de vibración, esta es

mayor cuanto mayor sea el número de ocupación n, es decir cuantos
mayor sea el número de fonones excitados de un determinado
tipo (caracterizado por ~ k y ωp (~k)). Desde el punto de vista
clásico mayor energı́a de vibración se asocia a mayor amplitud
de oscilación de los átomos. Suponiendo que cada átomo de masa
M sigue un movimiento en forma de modo normal de vector k (en
~
la rama p) us = uk ei(ksa−ω(k)t) , demostrar que en la aproximación
semiclásica (n ≫ 1) se recupera el sentido de amplitud de
oscilación uk y entonces se verifica
1
N M ω 2 (~
k)u2k = n(~
k)~ω(~
k).
2
Solución:
La aproximación semiclásica es válida a temperaturas suficientemente altas
para que todos los modos normales están altamente excitados, n(~k) ≫ 1,
para todas las ramas ⇒
· ¸
~ ~ 1
ǫp (k) = np (k) + ~ωp (~k) ≈ np (~k)~ωp (~k).
2
Por otro lado, las variables normales, ξ(~k, t), Π(~k, t), definidas por la Ec.
(4.11) permiten describir el movimiento de N átomos acoplados como un
conjunto de osciladores independientes de masa M y frecuencia
µ ¶
2 X 1
ω 2 (k) = Cl sen2 kla .
M 2
l
Cada uno de estos osciladores, considerados desde un puno de vista clásico,

tiene una energı́a de vibración
1 p2
E = M ω 2 x2 + ,
2 2M
donde x = Re[ξ(~k, t)] es la elongación del oscilador y p = Re[Π(~k, t)] su

momento.
~
Si la elongación de cada átomo es us = uk ei(ksa−ω(k)t) , sustituyendo en la
Ec. (4.11) se obtiene
√ ~
)
ξ(~k, t) = N uk e−iω(k)t
√ ~ ⇒
Π(~k, t) = −iM ω(~k) N uk e−iω(k)t
√ )
Re[ξ(~k, t)] = N uk cos(ω(
√
~k)t)
⇒
Re[Π(~k, t)] = −M ω(~k) N uk sen(ω(~k)t)
1
E(~k) = N M ω 2 (~k)u2k .
2
En el lı́mite clásico, para la rama p, E(~k) es igual a ǫp (~k), con lo cual,

1
N M ωp2 (~k)u2kp = np (~k)~ωp (~k).
2

1. La velocidad de propagación del sonido en una barra cilı́ndrica es un 5 %
mayor cuando se la somete a un esfuerzo en la dirección longitudinal.
Suponiendo que la deformación es uniforme:
a) Discutir si el esfuerzo es de tracción o de compresión.

b) Sabiendo que el módulo de Young del material de la barra es de 2×1011
Pa estimar el valor de dicho esfuerzo.
Solución: (a) Fuerza de tracción. (b) 1010 Pa.
2. Considerar la muestra bidimensional de la figura

adjunta. En ella la velocidad de grupo de las vibraciones 4Å
en la rama acustica viene dada por, en la dirección [21] 1Å
8Å
del espacio de momentos, dω/d|~k| = 5000(1 − 1.8|~k|) 1Å
y
m/s, con |~k| expresado en Å−1 .
x
a) Describirla como red+base de átomos. Dibujar la red recı́proca,
indicando el tamaño de los vectores base.
b) Dibujar la primera y segunda zonas de Brillouin.
c) Calcular la frecuencia de las vibraciones de la rama acústica en la
dirección [21]. ¿Cuál es la velocidad del sonido en esa dirección?
d) Calcular la frecuencia máxima de las vibraciones de la rama acústica
en la dirección [21].
ky
Solución: Red rectangular: ~a1 = aı̂, ~a2 = c̂, (a = 2c = 8 Å) y base
de 2 átomos en posiciones (0,0), (a/8,c/4). Red recı́proca: ~b1 = (2π/a)ı̂,
~b2 = (2π/c)̂. (b) Figura adjunta. (c) ω(k) = 5000k(1 − 0.9k). 5000 m/s. kx
(d) 1389 rad/s.
3. En una red cúbica simple de espaciado 0.2 nm, un fonón viajando en la

dirección [100] con longitud de onda 0.45 nm interacciona y se combina
con otro fonón de igual longitud de onda que viaja en la dirección [110].
Representa en el espacio de fases los fonones incidentes y el resultante.
Comentar el resultado.
Solución: Es un proceso U . [010] S/a
& [110]
& & k2 &
k G100 k
& [100]
S/a k1 S/a
S/a
4. ¿Qué fonones en un cristal se verán más afectados por los defectos puntuales,
como pueden ser las vacantes, impurezas quı́micas, etc, los ópticos o los
acústicos?
Solución: Se ven afectados por igual. Lo que cuenta es la longitud de onda. Fonones con
λ ∼ a pueden ser dispersados por esos defectos y ambos modos pueden tener esa λ.
5. Considerese un cristal bidimensional formado por un solo tipo de átomos

dispuestos como se indica en la figura adjunta.
a) ¿Cuál será la menor longitud de onda que puede
4Å tener una onda de presión que se propague en ese
2Å cristal?
5Å
2Å b) ¿Cuántos modos normales puede haber en un
cristal como este que mida en total 1 cm2 ?
Solución: (a) 6.28 Å. (b) 2 × 1015 .
6. Suponer la cadena lineal monoatómica de constante de red a con una ley de

2
dispersión ω 2 (k) = C[1 − cos(ka)]. ¿Cuál es la velocidad del sonido en ese
M
medio? Calcular la densidad de estados.
√
p 2L M
Solución: c = a C/M . D(ω) = .
πa|4C − M ω 2 |
7. ¿Hay alguna razón fundamental por la que la pendiente de las ramas de

vibración de los sólidos sea cero en las fronteras de la PZB?
Solución: La razón es que en los bordes de zona la velocidad de grupo es cero debido a
que se produce una superposición de ondas con vectores de onda opuestos.
8. ¿Por qué el espectro de vibración del Na sólido (bcc monoatómico) tiene tres
ramas (1 LA, 2 TA) en la dirección [110], en tanto que en la dirección [100]
sólo tiene dos (1 LA, 1 TA)?
Solución: Porque por simetrı́a, en la dirección [100] las dos transversales están degeneradas.
9. Se argumenta que, debido a la simetrı́a de traslación interna de un cristal,

vibraciones con vectores de onda ~k que difieren en un vector de la red
recı́proca son equivalentes. Pero, en realidad, ¿cómo se entiende que no se
pueda diferenciar entre dos ondas con una sustancial diferencia entre sus
longitudes de onda?
Solución: Porque las ondas planas con las que se representa el desplazamiento de los
átomos sólo tienen significado fı́sico en las posiciones atómicas.
10. Al estudiar vibraciones atómicas las interacciones entre átomos las incluimos
en una constante de fuerza entre átomos más próximos, C. Deducir un orden
de magnitud para C.
Solución: Cristales iónicos: C < 100 N/m. Cristales moleculares: C < 1 N/m.
∼ ∼
11. Discutir la veracidad de la siguientes afirmaciones:

Para los modos acústicos en un cristal...
a) ...la máxima longitud de onda de una onda viajera es tanto mayor

cuanto mayor sea la rigidez del enlace cristalino.
b) ...la mı́nima longitud de onda de una onda viajera es tanto mayor cuanto
mayor sea la masa de los átomos del cristal.
Solución: (a) Falso: λmax se corresponderı́a con un kmin pero k puede ser tan pequeño
como se quiera y por lo tanto no existe una longitud de onda máxima. (b) Falso: λmin se
corresponde con un kmax que está determinado por el borde la PZB, determinado a su
vez por la estructura del cristal y no por la masa de los átomos.
12. En la Fig. 4.16 se muestra la relación de dispersión para fonones en el Al, en

las direcciones [110] y [100].
a) ¿Por qué hay dos modos transversales en la dirección [110] y sólo uno
en la dirección [100]?
b) ¿Por qué no hay modos ópticos?
c) ¿Es isótropa la velocidad del sonido?
d) ¿Por qué en la dirección [100] se representa hasta 2π/a en vez de π/a?
1.0
AL
Z/2S (1013 s–1)
0.8
AT1 AL
0.6
AT2 AT
Figura 4.16. 0.4
0.2
0
1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
[110] [100]
k/kmax k/(2S/a)
Solución: (a) Por que por la simetrı́a cúbica del Al (fcc) en la dirección [100] los dos modos
transversales están degenerados. (b) Por que es un cristal (fcc) monoatómico. (c) Sı́, la
velocidad del sonido es la misma al menos para las dos direcciones que se indican, aunque
es distinta para los diferentes modos. (d) Porque el Al, fcc de parámetro a, tiene una red
recı́proca bcc de parámetro 4π/a y,en la dirección [100], 2π/a es el borde de la PZB .
Capı́tulo 5
Propiedades térmicas
reticulares

Condiciones de contorno. En un cristal de dimensiones Ni~ai (i = 1, 2, 3),
~ t) = ~ǫei(~k·R−ωt)
para modos normales ~u(R,
~
, las condiciones de contorno periódicas
o de Born-von Karman ~u(R~ + Ni~ai ) = ~u(R)
~ implican
~k = n1 ~b1 + n2 ~b2 + n3 ~b3 con ~ai · ~bj = 2πδij . (5.1)

N1 N2 N3
Los ~ai son vectores primitivos, N = N1 N2 N3 es el número de celdas primitivas del
cristal, los ni son, en principio, cualquier entero y los ~bi son los vectores de la red
recı́proca dados por la Ec. (2.3).
Unido a (4.18), (5.1) implica que sólo haya N estados ~k distintos y que a cada
uno de ellos le corresponda un volumen ∆3~k = 8π 3 /V , siendo V el volumen del
cristal.(1)
Densidad de modos. Determina para cada rama p el número de estados
dΓ(ω) con frecuencia comprendida entre ω y ω + dω:
dΓ(ω) = D(ω)dω (5.2)
D(ω) depende de ∇~ ~ ω y de las dimensiones (1d, 2d o 3d) del cristal según:

k
Z Z
L/π S/4π 2 V /8π 3
D1d (ω) = ; D2d (ω) = dL ; D3d (ω) = dS , (5.3)
|∂ω/∂k| L ~ ~ ω|
|∇ S ~ ~ ω|
|∇
k k
donde L y S son la lı́nea y la superficie ω(~k) = cte, respectivamente y L y S la

longitud y la superficie de una cadena o un cristal bidimensional, respectivamente.
4π 2 2π
12 dimensiones (cristal de área S): ∆2~k = ; 1 dimensión (cristal de longitud L): ∆~k = .
S L
96 Capı́tulo 5: Propiedades térmicas reticulares
Aproximación de Debye. Todas las ramas de vibración se sustituyen por 3

idénticas (1 y 2 para 1d y 2d, respectivamente) con relación de dispersión
ω = ck para 0 < k < kD , (5.4)
donde c es la velocidad del sonido en el cristal (para k → 0) y kD el vector de onda

de Debye dado por(2)
kD = (6π 2 n)1/3 , (5.5)
siendo n = zN/V la densidad numérica de átomos del cristal (z es el número de
átomos de la base, N el número de celdas primitivas y V el volumen del cristal).
En esta aproximación, la densidad de modos es(3)
3V ω 2
DD (ω) = para 0 < ω < ωD = ckD . (5.6)
2π 2 c3
ωD se llama frecuencia de Debye y θD = ~ωD /kB temperatura de Debye.
Ocupación de modos. El número medio de ocupación de un modo cualquiera,
(~k, p), a temperatura T viene dado por la distribución de Planck:
D E 1
np (~k) = ~
(5.7)
e ~ω p ( k)/k BT − 1
Energı́a y capacidad térmica. La energı́a media de cada modo (~k, p) es

D E µD E 1¶
Up (~k) = np (~k) + ~ωp (~k) ⇒ (5.8)
2
XD E Xµ 1 1
¶
Energı́a media total: U = ~
Up (k) = + ~ωp (~k) ⇒
e ~ωp (~
k)/kB T − 1 2
~
k,p ~
k,p
X Z ωpmax µ 1 1
¶
U= + Dp (ω)~ωdω. (5.9)
p 0 e~ω/kB T − 1 2
Utilizando la aproximación de Debye, U se expresa como

Z ωDµ ¶ Z µ ¶
1 1 3V ~ ωD 1 1 3
U= + ~ωD D (ω)dω = + ω dω, (5.10)
0 e~ω/kB T −1 2 2π 2 c3 0 e~ω/kB T −1 2
de donde se obtiene la capacidad térmica
µ ¶ µ ¶3Z θD /T 4 x
∂U T x e ~ω
CV ≡ = 9zN kB dx con x = . (5.11)
∂T V θD 0 (ex −1)2 kB T
Para T ≫ θD , CV ≈ 3zN kB (lı́mite clásico). (5.12)

µ ¶3
T
Para T ≪ θD , CV ≈ 216zN kB . (5.13)
θD
2 2d: kD2 = (4πn)1/2 , con n = zN/S; 1d: kD1 = πn, con n = zN/L.
3 2d: Sω L
DD2 (ω) = πc2; 1d: DD1 (ω) = πc
.
Dilatación térmica. La dilatación térmica de los sólidos está determinada

por los términos anarmónicos (términos cúbicos y superiores) del potencial U de
interacción entre átomos. Para el coeficiente de dilatación térmica lineal, α ≡
L−1 (∂L/∂∂T ), el término cúbico determina α = 3gkB /C 2 , siendo C la constante
elástica de la aproximación armónica y g > 0 una constante caracterı́stica de cada
cristal asociada al término cúbico del potencial.(4)
Conductividad térmica. Es el coeficiente de proporcionalidad entre la
densidad de flujo de calor y el gradiente de temperatura que lo produce:
~
~jQ = −κ∇T (ley de Fourier). (5.14)
Es una propiedad de no equilibrio cuyo cálculo exige la utilización de un modelo

dinámico para los fonones. La aproximación más simple es la del tiempo de
relajación, τ , cuyos presupuestos son:
1. Cualquier fonón tiene una probabilidad de colisión por unidad de tiempo
igual a τ −1 .
2. Entre colisiones cualquier otra interacción fonón-fonón, fonón-defectos,
fonón-electrón, etc. se considera despreciable.
3. El estado de los fonones tras colisionar no está correlatado con su estado
antes de la colisión. La dirección de su velocidad tras la colisión es aleatoria
y su módulo sólo depende de la temperatura del punto donde se produce la
colisión.
En este modelo la conductividad térmica debida a fonones es
1
κ= cV cℓ, (5.15)
3
con cV = CV /V y ℓ = cτ (recorrido libre medio de los fonones).
Para dar cuenta de la conductividad térmica observada en cristales deben
añadirse, como en el caso de la dilatación térmica, términos anarmónicos al
potencial de interacción entre átomos. P P
En las interacciones entre fonones se conserva la energı́a ( ~ωi = ~ωf ,
con i = estados antes y f = estados después de la interacción) y el cuasiimpulso
P P ~
( ~~ki = ~kf + ~G,~ donde G ~ es un vector de la red recı́proca del cristal).
~
Los procesos con G = 0 se llaman procesos normales (o N) y aquellos con
~ 6= 0 procesos umklapp (o U). Los primeros conservan tanto la energı́a como
G
el cuasiimpulso y no producen resistencia térmica (el flujo de energı́a no pierde
direccionalidad). Los procesos U, en cambio, sı́ producen resistencia térmica pues
P P ~
el flujo de energı́a pierde direccionalidad ( ~~ki 6= ~kf ).
¯ ¯
1 d2 U ¯¯ 3 ¯
2 1 d U¯ 1
4 En 1 dimensión U (r) ≈ U (r0)+ (r−r 0) + (r−r0)3= −U0 + C(r−r0)2−g(r−r0)3 .
2 dr2 ¯r0 3 dr3 ¯r0 2

1. Cuál es el sentido fı́sico de la temperatura de Debye. ¿Por qué se
dice que es una medida de la rigidez del cristal?
Solución: p p
kB θD ≡ ~ωD , ωD ∝ C/M ⇒ θD ∝ C/M ,
siendo C la constante elástica y M la masa de los átomos.
La
√ afirmación sobre de la rigidez del sistema se debe a la dependencia θD ∝
C, aunque θD también depende de la masa de los átomos. Ası́, θD alta es
tı́pica de cristales de átomos ligeros fuertemente acoplados (C, por ejemplo)
y θD baja es propia de materiales con átomos pesados acoplados débilmente
(Pb, por ejemplo). Recuérdese además la relación entre C y el módulo de
Young vista en el ejercicio 4.6.
2. En un sólido a temperatura T , encontrar la frecuencia más

probable de los fonones en la aproximación de Debye.
Solución:
La probabilidad P (ω) de encontrar un fonón con frecuencia ω es el producto
de la probabilidad de ocupación del estado (o estados) de esa frecuencia
1
hn(ω(k))i = ~ω(k)/k T y el número de estados con esa frecuencia, o sea,
e B −1
la densidad de estados D(ω). En la aproximación de Debye:
3V ω 2 ω2
D(ω) = ⇒ P (ω) ∝ .
2π 2 c3 e~ω(k)/kB T − 1
La frecuencia más probable ω+ será aquella que hace máxima P (ω):
µ ¶
dP (ω) ~ω+
=0⇒ = 1 − e−~ω+ /kB T .
dω ω+ 2k BT
La solución tiene que obtenerse gráfica o numéricamente,(5) pues no se puede

despejar ω+ .
Gráficamente (Fig. 5.1):
g = 2(1 – e–x) Haciendo x = ~ω/kB T y representando las funciones
f=x f = x y g = 2(1−e−x ), x+ es el punto de intersección.
2 1.59kB T
1 x+ ≈ 1.59 ⇒ ω+ ≈ .
1.59 ~
0
0 1 2
Figura 5.1.
5 Método x 1 1.26 1.44 1.52 1.56 1.58 1.59

de Gauss-Seidel:
2(1 − e−x ) 1.26 1.44 1.52 1.56 1.58 1.59 1.59
3. Calcular la energı́a de vibración del punto cero (a T → 0) de un

cristal en la aproximación de Debye. Estimar dicho valor para el
helio sólido, θD = 24 K (valor comparable al de otros gases inertes).
Solución:
X1
Energı́a del punto cero: E0 ≡ ~ωp (~k). En la aproximación de Debye
2
k,p
Z ωD
1 3V ω 2
esta suma es igual a ~ωDD (ω)dω, con DD (ω) = ⇒ E0 =
Z ωD 0 2 2π 2 c3
4
3V ~ 3V ~ωD
2 3
ω 3 dω = . Además,
4π c 0 16π 2 c3 
4
ωD ωD 3 6π 2 zN ωD 
c= ⇒ 3 = kD ωD = 
 9
kD c V ⇒ E0 = zN kB θD .
kB θD 
 8
ωD = 
~
En este caso z = 1 (es un cristal monoatómico) y θD = 24 K, con lo cual
E0 9
= kB θD ≈ 2.3 meV/átomo.
N 8
4. Calcular la densidad de estados de una cadena lineal monoatómica.

Comparar con los casos bidimensional y tridimensional.
Solución:
dΓ
Ec. (5.2): D(ω) = . Aproximación de Debye: ω = ck ⇒
dω
dΓ dΓ dk 1 dΓ 1 dΓ
= = ⇒ DD (ω) = .
dω dk dω c dk c dk
dΓ 1
En general, ω = f (k), con lo que D(ω) = .
dk |dω/dk|
En 1 dimensión (cadena de longitud L = N a, siendo N el número de átomos),
según la Ec. (4.7),
r ¯ µ ¶¯ ¯ µ ¶¯
C ¯¯ 1 ¯ ¯ 1 ¯
ω=2 sen ka ¯ = ωmax ¯sen
¯ ¯ ka ¯¯ , (5.16)
M ¯ 2 2
2k kL dΓ L
y de acuerdo con la Fig. 5.2(a), Γ(0, ~k) = = ⇒ = .
2π/L π dk π
Por otro lado, derivando la Ec. (5.16),
µ ¶ s µ ¶
dω a 1 a 2
1 ap 2
= ωmax cos ka = ωmax 1 − sen ka = ωmax − ω 2 ⇒
dk 2 2 2 2 2
dk 2 2L 1 2N 1
= p ⇒ D1d (ω) = p = p ,
dω 2
a ωmax − ω2 πa ωmax
2 − ω2 π 2
ωmax − ω2
cuya representación gráfica vemos en la Fig. 5.2(b).

2S
k 2S L1
L k2 2d 2S
D1d(Z) L2 2
2S DD3Z
0 2N L1
SZmax k1 2S
DD1(Z) DD2Z
L2
3d
–k Zmax ZD1 Z 2S ZD2 ZD3 Z
L3
(a) (b) (c) (d)
Figura 5.2.
En la misma figura se ha representado también la densidad de modos en la
aproximación de Debye: DD (ω) = L/cπ. En esta aproximación,
Z ωD (6)
N ωD
N= DD (ω)dω ⇒ ωD = cπ = cπn ⇒ kD = = πn.
0 L c
Teniendo en cuenta que c = (ω/k)k→0 , de (5.16) se obtiene
r
C ωmax πnaωmax πωmax
c=a =a ⇒ ωD = = .
M 2 2 2
En la Fig. 5.2(c) se muestra el espacio (área o volumen) asociado a cada
estado k 2 y 3 dimensiones.
πk 2 Sk 2
En 2 dimensiones, Γ(0, ~k) = 2 2 = , con S = L1 L2 .
(2π) /S 2π
2
S (ω/c) Sω
En la aproximación de Debye (k = ω/c), Γ(0, ω) = ⇒ DD (ω) = 2 .
2π πc
El vector kD se obtiene de la relación
2
πkD zN
2zN = 2 2
⇒ kD = (4πn)1/2 , con n = .
(2π) /S S
Las expresiones para 3 dimensiones kD = (6π 2 n)1/3 y DD (ω) =

3V ω 2 /2π 2 c3 , con n = zN/V y V = L1 L2 L3 , son las vistas en las Ecs.
(5.5) y (5.6), respectivamente.
En la Fig. 5.2(d) se representa la densidad de modos en la aproximación de
Debye para 2 y 3 dimensiones.
5. Utilizando el modelo de Debye, calcular la frecuencia máxima de

los modos de vibración de una red cúbica simple de constante a = 3
Å en la que la velocidad del sonido es c = 4.2 ×105 cm/s.
Solución:
1 ωD
ωD = ckD , kD = (6π 2 n)1/3 , n= ⇒ νD = = 8.7 × 1012 Hz.
a3 2π
6k 2kD
también se podı́a haber obtenido de la relación zN =
D 2π/L
, siendo z el número de átomos
de la base (1 en este caso)
6. Estimar la importancia relativa de los procesos U para la

resistividad térmica a 100 K y 20 K, para un cristal con θD=300 K.
Solución:
Los fonones que sufren procesos U son aquellos con ω ≈ ωD . El número
medio de estos fonones es (en orden de magnitud)
1 1
hni = = ≈ e−θD /T , a T ≪ θD .
e~ωD /kB T −1 eθD /T −1
Tanto 100 K como 20 K pueden considerarse temperaturas mucho menores
que 300 K, con lo cual, la importancia relativa de los procesos U a esas
temperaturas par un cristal con θD = 300 K es
hni100 e−300/100
= −300/20 ≈ 1.6 × 105 .
hni20 e
7. En un modelo cinético simple (modelo de Drude), la probabilidad

por unidad de tiempo de que una partı́cula sufra una colisión es
τ −1 . Probar que:
a) En cualquier instante, el tiempo transcurrido desde la última

colisión (o hasta la siguiente), promediado para todas las
partı́culas, es τ .
b) El tiempo medio entre sucesivas colisiones de una partı́cula
cualquiera es también τ .
c) Razonar si las conclusiones en (a) y (b) son compatibles
y aplicarlas a las propiedades de transporte de fonones y
electrones.
Solución:
Según el modelo cinético,

Probabilidad de que una partı́cula 

sufra una colisión en un intervalo dt → dt/τ. 

⇓ ⇒
Probabilidad de que una partı́cula 



no sufra colisión en dt → 1 − dt/τ.
(i) Probabilidad de que una partı́cula no colisione durante un intervalo t:(7)

P (t) = e−t/τ . (5.17)
7 Es el producto de las probabilidades de que no colisione en cada uno de los sucesivos n

³ ´³ ´ n ³ ´ ³ ´ ³ ´
intervalos dt = t/n: 1 − dt 1 − dt }| { 1 − dt = 1 − dt n = 1 − t/τ n . Haciendo
z.......
τ τ τ τ n
µ ¶
t/τ n
tender n → ∞ resulta P (t) = limn→∞ 1 − = e−t/τ .
n
(ii) Probabilidad d℘(t) de que una partı́cula colisione entre t y t + dt:(8)

dt
d℘(t) = e−t/τ . (5.18)
τ
a) (i) Tomando como referencia un tiempo t0 , una partı́cula genérica, i,

colisionará en un intervalo dt al cabo de ti − t0 . Promediando a las N
partı́culas, el tiempo medio desde t0 hasta la siguiente colisión es
R∞ R∞ ti −t0
[t − t0 ] d℘ (ti − t0 )
0 Ri 0
[ti − t0 ] e− τ dtτ i
hti − t0 i = ∞ = R ∞ − ti −t0 dti = τ.
0
d℘ (ti − t0 ) e τ τ
0
(ii) Si se considera ahora que en el instante t0 una partı́cula genérica,

i, habrá colisionado hace t0 − ti , promediando nuevamente a todas las
partı́culas, el tiempo medio desde la última colisión en un intervalo dt
hasta t0 será
R0 R0 ti −t0
−∞ 0
[t − ti ] d℘ (t0 − ti ) [t − t0 ] e− τ dtτ i
−∞ i
ht0 − ti i = R0 = R 0 − t0 −ti dti = τ.
−∞
d℘ (t0 − ti ) −∞
e τ
τ
b) Si se considera una sola partı́cula cuyas colisiones se siguiesen en

el tiempo, observarı́amos tiempos entre colisiones sucesivas ts en el
intervalo 0 − ∞. El valor medio de este tiempo se determina con la
probabilidad (5.18):(9)
R∞ R ∞ − ts dts
ts d℘ (ts ) ts e τ
hti = R ∞0
= R0 ∞ ts dtτ = τ.
0
d℘ (ts ) 0
e− τ τ s
t t0 t
t = <t0 - ti> <ti – t0> = t
t0 – t1 t1 – t0
t0 – t2 t2 – t0
Figura 5.3. t0 – t3 t3 – t0
t0 – ti ti – t0
t0 – tN tN – t0
c) Según los resultados (i) y (ii) del apartado (a), podrı́a argumentarse que
el tiempo entre colisiones sucesivas es 2τ (τ hacia adelante más τ hacia
atrás), lo cual estarı́a en contradicción con el resultado del apartado (b).
Sin embargo no existe contradicción pues se trata de medias distintas.
No tiene por qué dar el mismo resultado cuando se promedia a un
conjunto de partı́culas que cuando se promedia en el tiempo para una
sóla partı́cula. Cuando se hace la media de los tiempos entre colisiones
8 Es el producto de la probabilidad de que no colisione durante el intervalo t, P (t), por la
probabilidad de que lo haga en el intervalo dt inmediatamente siguiente, dt/τ .

9 Es la probabilidad de que una partı́cula choque al cabo de un tiempo medido desde un
instante cualquiera, en particular desde su última colisión.

de una sola partı́cula se cuentan todos los tiempos, tanto los largos
como los cortos. Sin embargo, cuando se promedia a todas las partı́culas
fijando un tiempo t0 como referencia común para todas la partı́culas es
equivalente a hacer un muestreo sobre los tiempos entre colisiones de
una sola partı́cula. Efectivamente, al fijar un tiempo de referencia t0 a
partir del cual se midiesen, en una pelı́cula imaginaria, los tiempos hasta
la siguiente o anterior colisión, como se muestra en la Fig. 5.3, se estarı́an
contando más tiempos largos que cortos,(10) pues en cualquier instante t0
en el que se hiciese la foto siempre aparecerı́an más intervalos largos que
cortos porque la probabilidad de que una partı́cula salga en la pelı́cula
es mayor cuanto mayor sea el intervalo |t0 − ti |. Análogamente, si se
hiciese un muestreo de los tiempos entre colisiones ti de una partı́cula
seguida en el tiempo, el tiempo medio serı́a
R∞
ti d℘m (ti )
hti = R0 ∞ ,
0
d℘m (ti )
donde d℘m es la probabilidad de muestreo. Para cada ti , d℘m (ti ) ∝

ti d℘(ti ), pues en una elección al azar de los intervalos siempre
contariamos más largos que cortos porque aun siendo menos los largos
que los cortos, por estar las partı́culas más tiempo sin sufrir colisión en
los largos es más probable que la elección recaiga en un intervalo largo.
Ası́, se obtiene lo mismo que en el apartado (a):
R ∞ 2 − ti dti
t e τ
hti = R0∞ i ti τ = 2τ.
0
ti e− τ dtτ i
Tanto la media temporal para una sola partı́cula como la media colectiva
o de muestreo para una sola son correctas, la cuestión es cuál debe
hacerse según el observable que se estudie. Lo importante es que el
tiempo adecuado para describir las propiedades de transporte de un
conjunto de partı́culas en el modelo de Drude es el de la colectividad o
de muestreo para una sola partı́cula.
8. Se dice que los metales conducen mejor el calor que los aislantes
debido a la presencia de electrones libres. Sin embargo, por
ejemplo, un diamante conduce el calor cuatro veces mejor que
el cobre a temperatura ambiente, y a 50 K un cristal de Al2 O3
tiene una conductividad térmica de 60 W/cmK, que es mayor que
el mejor valor para el Cu a cualquier temperatura. Explicar estos
comportamientos.
10 Una analogı́a sencilla serı́a la determinación por muestreo de la longitud media de varillas
contenidas en un recipiente (opaco). Aun si sólo hubiese dos tamaños, cortas y largas, en igual
número, obtendrı́amos que el tamaño medio es mayor que el real pues al meter la mano en el
recipiente nos toparı́amos más veces con varillas largas que cortas.
Solución:
La conducción de calor mediante fonones es tan eficaz como la conducción
mediante electrones, salvo cuando el número de procesos U, que degradan
fuertemente la transferencia de momento lineal, es suficientemente impor-
tante. Esto ocurre a temperaturas T ≥ θD . Los materiales con θD alta, como
el diamante y muchos cristales iónicos, muestran baja resistividad térmica
hasta temperaturas muy altas.
9. Se argumenta que, en un enfoque de teorı́a cinética, las

colisiones entre fonones de tipo N, es decir con conservación del
(cuasi)impulso, no contribuyen a la degradación en la propagación
del calor. La paradoja resulta de considerar ahora las partı́culas de
un gas clásico. Aquı́, todas las colisiones son de tipo N, y por lo
anterior, no deberı́a haber degradación en la propagación del calor,
o sea, una conductividad térmica infinita. Explicar la paradoja.
Solución:
En un gradiente de temperatura, las partı́culas que constituyen un gas clásico
se desplazan de la zona caliente a la frı́a debido al mismo mecanismo que en
el caso de fonones. Sin embargo, las partı́culas clásicas (que no se crean
y destruyen como los fonones) se acumulan en la zona frı́a (su número
no depende de la temperatura local), como se ilustra en la Fig. 5.4, de
forma que se produce un desequilibrio en la concentración de partı́culas,
originándose una corriente de difusión (proporcional a ∇n) ~ que tiende a
restaurar la situación de concentración uniforme. Este mecanismo degenera
la transferencia de momento lineal y, en consecuencia, resistividad térmica.
Otra forma de expresarlo es que en el gas clásico hay que considerar la energı́a
u = µn, que es nula para fonones pues para estos µ = 0.
Gas de fonones: n(T) Gas clásico: n
T T T T
alta baja alta baja
Flujo de & Flujo de & Flujo de &

Partículas ( T ) Partículas ( T ) Partículas ( n )
(a) (b)
Figura 5.4.
10. Según modelo semifenomenológico un sólido se funde cuando el

cociente hu2 i/r02 excede un cierto valor crı́tico, siendo hu2 i el valor
cuadrático medio de la desviación de cada átomo de su posición
en ausencia de vibraciones y r0 la distancia entre vecinos más
próximos. Utilizando el modelo de Debye, encontrar una relación
entre la temperatura de fusión TFus y la temperatura de Debye θD ,
suponiendo aplicable dicho modelo semifenomenológico. Estudiar
la precisión con que el criterio da cuenta del valor experimental de
TFus para los materiales del Cuadro 5.1.
Cuadro 5.1.
Elemento Al Au Cu Ni Pd Pt
Masa atómica (g/mol) 27 197 63.5 58.7 106.4 195.1
r0 (nm) 0.286 0.289 0.255 0.249 0.275 0.277
θD (K) 394 170 315 375 275 230
TFus (K) 933 1337 1356 1726 1825 2045
Solución:
A altas temperaturas (T ≫ θD ), todos los modos están altamente excitados,
es decir, n(ω(k)) ≫ 1. Por ello, la desviación de un átomo genérico de
su posición de equilibrio no se debe a un solo modo normal de la forma
~
uk ei(ksa−ω(k)t) , sino a una superposición de modos de forma que
X ~
us (t) = uk ei(ksa−ω(k)t) .
k
El valor cuadrático medio de la desviación de los átomos de sus posiciones
de equilibrio es Z
2® 1 T 2
u T = (Re[us (t)]) dt, (5.19)
T 0
2π X
donde T = y Re[us (t)] = uk cos[ksa − ω(~k)t]. De aquı́,
ω(k)
Ã k !Ã !
2
X X
(Re[us (t)]) = uk cos[ksa − ω(~k)t] uk′ cos[k ′ sa − ω(k~′ )t] =
k k′
X X
u2k cos2 [ksa − ω(~k)t] + uk uk′ cos[ksa − ω(~k)t] cos[k ′ sa − ω(k~′ )t] ⇒
k k,k′ 6=k
2 ® (11) 1 X 2
u T = uk . (5.20)
2
k
1 2n(ω(k))~
Según la Ec. (4.14), n(ω(k))~ω(k) = N M ω 2 (k)u2k ⇒ u2k = .
2 N M ω(k)
Sustituyendo esta expresión en la Ec. (5.20), obtenemos
Z ωD
2® ~ X n(ω(k)) ~ n(ω)
u T = = DD (ω)dω. (5.21)
NM ω(k) NM 0 ω
k
3V ω 2
Utilizando la función densidad de estados de Debye DD (ω) = y
2π 2 c3
kB T
n(ω) ≈ , correspondiente al lı́mite T ≫ θD , es inmediato obtener
~ω
2® 3V kB T ωD (12) 9~2 T
u T = = 2 .
2π 2 N M c3 M kB θD
2®
Si la fusión ocurre cuando u T /r02 supera un valor crı́tico, debe verificarse
TFus
2 = cte, que, como se ve en el Cuadro 5.2, se cumple dentro de ±10 %
M r02 θD
para los metales estudiados.
RT R
11
0 cos2 (ωt)dt = T /2, 0T cos(ωt)dt = 0, cos(α ± β) = cos α cos β ∓ sen α sen β y
2 cos A cos B = [cos(A + B) + cos(A − B)].
¡ 2 ¢1/3 ~ 2 (6π 2 N/V )
12 ω 3 3 2
D = ckD ⇒ ωD /c = kD /ωD ; kD = 6π N/V ; ωD = kB θD /~ ⇒ ωcD
3 = k2 θ 2
.
B D
Cuadro 5.2. Unidades: kg−1 nm−2 K−1 .

Al Au Cu Ni Pd Pt
TFus /M r02 θD
2
2.7 2.8 3.3 3.4 3.0 2.6
11. El calor especı́fico de la red cristalina de una determinada

forma de carbono se ha medido experimentalmente y resulta ser
proporcional a T 2 a muy bajas temperaturas. ¿Qué se puede decir
acerca de la estructura de esta fase particular del carbono?
Solución:
Por definición C ≡ dU/dT ⇒. Luego la dependencia indicada sugiere U ∝
T 3 , que corresponderı́a con un cristal bidimensional. En efecto, si se utiliza
en la Ec. (5.10) la densidad de modos en dos dimensiones D2D (ω) ∝ ω (Ec.
(5.6)),
Z ω µ 2 ¶
D ω2 (13) ωD 2ωD 2 2 2
U∝ dω ~ω = e−aωD − 2 + 3 + 3 ≈ − 3 ∝ T3
0 e kB T
−1 a a a a a
| {z }
≈0 para T →0
Luego se trata de una estructura bidimensional,(14) que podrı́a ser grafito,

una fase del carbono de marcado carácter bidimensional para algunas de sus
propiedades (por ejemplo, su débil interacción entre capas de átomos hace
que sea fácilmente exfoliable, lo que le da su utilidad para fabricar lápices).
12. Una aproximación de interés histórico para el calor especı́fico en

sólidos es la aproximación de Einstein, que se basa en suponer que
los átomos vibran de forma independiente, todos con una misma
frecuencia ω0 . En términos de la densidad de estados esto se puede
expresar como DE (ω) = 3N δ(ω − ω0 ), donde δ la función delta de
Dirac [δ(x − x0 ) = ∞ si x = x0 y δ(x − x0 ) = 0 para cualquier
R −∞
otro valor de x y cumple además ∞ δ(x − x0 )dx = 1]. Calcular
el calor especı́fico reticular en esta aproximación y analizar su
comportamiento a altas y a bajas temperaturas. Estimar, también
en esta aproximación, el orden de magnitud del desplazamiento de
los iones de Cl− y Na+ en un cristal de NaCl, debido a la energı́a
térmica, a 30 K y a 300 K.
Rω −~ω
13 T 1
→0⇒ ≈ e−~ω/kB T ⇒ U ∝ 0 D ω 3 e kB T dω.
e~ω/kB T −1
R n R R
xn eax dx = xa eax − n xn−1 eax dx ⇒ n = 0 : eaω dω = a1 eaω + cte.
R ³ a ´ R ³ 2 ´
n = 1 : ωeaω dω = x a
− a12 eaω + cte. n = 2 : ω 2 eaω dω = xa − a 2x
2 + 2
a3
eaω + cte.
14 En 1 dimensión, D1D (ω) = L/cπ con lo que
Z ω µ ¶
D ωD 1 1 1
U ∝ ωe−aω dω = e−aωD − − 2 + 2 ≈ 2 ∝ T 2.
0 a a a a
Solución:
Utilizando en la Ec. (5.9) la densidad DE (ω) (en vez de DD (ω)), se
obtiene(15) µ
1 1
¶
U = 3zN ~ω0 + ,
e~ω0 /kB T 2
cuya derivada con respecto a la temperatura es el calor especı́fico
µ ¶ µ ¶2
∂U θE eθE /T
CV = = 3zN kB ¡ ¢2 , donde θE = ~ω0 /kB .
∂T V T eθE /T − 1
A altas temperaturas, T ≫ θE , eθE /T → 1 y eθE /T − 1 → θE /T , con lo cual
CV → 3zN kB (lı́mite clásico).
A bajas temperaturas, eθE /T ≫ 1 y
µ ¶2
θE
CV ≈ 3zN kB e−θE /T , (5.22)
T
que se hace extremadamente pequeño para T → 0.
El modelo de Einstein fue el primero en
explicar el comportamiento CV → 0 para
T → 0, aunque sólo cualitativamente
pues (5.22) se hace cero más aprisa de lo
que se observa experimentalmente (ver
Fig. 5.5) y que tan bien justifica el
modelo de Debye. Sin embargo, es una
muy buena aproximación para el estudio
de los modos ópticos, para los cuales
Figura 5.5. ω(k) es prácticamente la misma para
cualquier k.
Para determinar el desplazamiento dep los átomos, consideramos, como en el
ejercicio 10, que este viene dado por hu2 iT . Utilizando ahora la densidad
DE (ω) en vez de DD (ω) en la Ec. (5.21), se obtiene
® 3~n(ω0 )
u2 T
= . (5.23)
M ω0
Sustituyendo datos:
13

ω0 ∼ 10½ rad/s ⇒ ~ω0 ≈ 1.05 × 10−21 J  ½
0.09 a 30 K(16)
4.14 × 10−22 J a 30 K ⇒ n(ω0 ) ≈
kB T ≈ 3.5 a 300 K
4.14 × 10−21 J a 300 K

Tomando M ≈ 5 × 10−26 Kg (media del Cl y Na) y sustituyendo en (5.23),

q ½
2 0.075 (a 30 K) Å
hu iT ≈ ≪ aClNa ≈ 5 Å.
0.47 (a 300 K) Å
15
R∞
−∞ f (x)δ(x − x0 ) = f (x0 ). Además, los lı́mites de la integral en (5.9), 0 y ωmax , pueden
reemplazarse por −∞ e ∞, pues la función delta toma valor no nulo en un único punto del
intervalo de integración. z es el número de átomos de la base.
16 La aproximación semiclásica tiene sentido si hni ≫ 1.
13. Estimar el recorrido libre medio de los fonones en el Ge a 300 K

utilizando los siguientes datos: κ = 80 W/mK, θD = 360 K, masa
atómica 72.6 g/mol, ̺ = 5.5 Kg/m3 , c = 4500 m/s.
Solución:
1 3κ
Según la Ec. (5.15), κ = cv cℓ ⇒ ℓ = .
3 cv c
El valor de cv podemos encontrarlo en la Fig. 5.5 (lı́nea a trazos), donde a
T /θD = 300/360 ≈ 0.8, cv /zN kB ≈ 2.75 ⇒ cv ≈ 3.8 × 10−23 J/átomo-K ≈
(17)
315 J/Kg-K ≈ 1.7×106 J/m3 -K.
3 × 80
Sustituyendo, ℓ ≈ = 3.1 × 10−8 m = 31 nm.
1.7 × 106 × 4500
14. Debido al movimiento térmico inevitable de los átomos, R ~ →R ~+

u
~ (t), hay que reconsiderar la dispersión de rayos x por un cristal.
A partir de la expresión general de la amplitud dispersada, probar
que la intensidad media (promedio temporal) de las distintas lı́neas
−<u2 >G2
de difracción viene dada aproximadamente por I = I0 e 3 ,
donde I0 es la intensidad despreciando efectos térmicos y hu2 i, la
amplitud cuadrática media de vibración. ¿Por qué las lı́neas Bragg
más atenuadas son las de ángulo de dispersión mayor?
Solución:
Si en la Ec. (2.9) se reemplaza ~rj por ~rj + ~u(t), se obtiene
X ~ ~ ~
A∝N fj e−iG~rj e−iG~u(t) = A0 e−iG~u(t) .
j
El promedio temporal de A es, desarrollando en serie de potencias,

½ D E ¿³ ´2 À ¾
hAi = A0 1 − i G ~ · ~u(t) − 1 ~ · ~u(t)
G +··· , (5.24)
2
D E
donde G ~ · ~u(t) = G ~ · h~u(t)i = 0(18) (y lo mismo ocurre con las potencias
impares del desarrollo (5.24)), mientras que
¿³ ´2 À (19)
~ · ~u(t)
® 1 2 ® 2
G = G2 u2 (t) cos2 θ = u (t) G .
3
®
Por otro lado, la función e−hu (t)iG /6 = 1− u2 (t) G2 /6+··· tiene el mismo
2 2
desarrollo en serie que el de los corchetes de la Ec. (5.24) ⇒

23
17 1 J/átomo-K = 6.022×10
0.0726
J/Kg-K ≈ 8.3 × 1024 J/Kg-K. Para que el cociente κ/cv c tenga
unidades de longitud, cv debe expresarse en J/m3 -K: cv [ J/m3 -K ] = ̺ [ kg/m3 ] × cv [ J/kg-K ] .
18 h~
u(t)i = 0, pues ~ u(t) es una superposición de modos cada uno de los cuales promedia
temporalmente a cero.
R 2π R π 2
19 cos2 θ = 0 R( 0 Rcos θ sen θdθ )dϕ = 1 .
2π π
0 ( 0 sen θdθ )dϕ
3
hAi ≈ A0 e−hu (t)iG2 /6

= I0 e−hu (t)iG2 /3
2 2 2
⇒ I = hAi .
~ mayor es la
Efectivamente se ve que a mayor ángulo Bragg (mayor |G|)
atenuación de los picos.
15. La relación de dispersión de una cadena de longitud L de N

2
átomos de masa M puede aproximarse por ω 2 (k) = M [A(1 −
cos(ka)) + B(1 − cos(2ka))] , donde a es el parámetro de red y A y
B constantes de acoplamiento entre primeros y segundos vecinos,
respectivamente.
a) Determinar la velocidad de grupo de las ondas elásticas en la
cadena.
b) Determinar qué longitudes de onda producen ondas estacio-
narias.
c) Determinar la velocidad de propagación del sonido.
d) Determinar la densidad de modos general, la de Debye y el
vector de ondas de Debye.
e) Discutir cuáles de los siguientes pares de valores (A, B) son
fı́sicamente posibles: (30, 15), (30,−15), (30, 5), (30,−5). Estos
valores están dados en unidades MKS, ¿cuáles son estas
unidades?
Solución:
a) La velocidad de grupo viene dada por

dω(k)
vg = (5.25)
dk
Para la relación de dispersión indicada,
a [A sen(ka) + 2B sen(2ka)] (20)
vg = p =
2M [A (1 − cos(ka)) + B (1 − cos(2ka))]
[A sen(ka) + 2B sen(2ka)]
aq £ ¤. (5.26)
4M A sen2 ( ka 2
2 ) + B sen (ka)
b) vg = 0 para(21)
ka = (2m + 1)π, con m ∈ Z
A sen(ka) + 2B sen(2ka) = 0 ⇒ cos(ka) = −A/4B. ⇒ A ≤ 4B.
20 1 − cos α = 2 sen2 α
2
.
21 ka = m, con m ∈ Z, anula el numerador de (5.26), pero también su denominador por lo que
nos encontrarı́amos la indeterminación 0/0.
c) La velocidad del sonido viene dada por

µ ¶
∂ω(k)
c= . (5.27)
∂k k→0
La relación de dispersión se puede expresar como

s · ¸ r
4 ka k→0 A + 4B
ω(k) = A sen2 + B sen2 (ka) ⇒ ω(k) ≈ ak ⇒
M 2 M
r
A + 4B
c=a .
M
L/π
d ) Según (5.3), en una dimensión D(ω) = . Sustituyendo dω/dk
|∂ω/∂k|
obtenido en el apartado (a), D(ω) se expresa como
¯ ¯
L ¯¯ 2M [A(1 − cos(ka)) + B(1 − cos(2ka))] ¯¯
D(ω) = ¯,
πa ¯ A sen(ka) + 2B sen(2ka)
¯q ¯
¯ 4M £A sen2 ka + B sen2 (ka)¤ ¯
L ¯
¯ 2 ¯
ó equivalentemente D(ω) = ¯.
πa ¯
¯ A sen(ka) + 2B sen(2ka) ¯
¯
En la aproximación de Debye ω = ck ⇒ ∂ω/∂k = c, con lo cual,
DD (ω) = L/cπ. El vector de ondas de Debye se obtiene de la condición
2kD N
N= ⇒ kD = π = πn.
2π/L L
e) La velocidad del sonido en la cadena debe ser positiva, luego los valores
de A y B tiene que satisfacer A + 4B ≥ 0. Por ello el par (30, −15) no
es fı́sicamente posible.
Las unidades en MKS son Kg/s2 , como se puede ver, por ejemplo, a
partir de la expresión de c en función de A y B del apartado (c).

1. Sea un sólido cristalino monoatómico con red sc tridimensional de constante
de red 5 Å, con velocidad del sonido 7000 m/s (que consideraremos
isotrópica), y a una temperatura de 300 K.
a) Se miden las vibraciones térmicas de la red de ese sólido. Estima a

qué frecuencia se encontrará la mayor energı́a de vibración. Utilizar
aproximaciones para ello (la de Debye, por ejemplo).
b) Estimar la capacidad calorı́fica por mol de ese sólido.
c) Discutir si el sólido será un buen espejo a la radiación infrarroja debido
a alguno de los modos de vibración de su red. ¿Y si fuese diatómico?
Solución: (a) ω = ωD ∼ ωP ZB ≈ 5.5 × 1013 rad/s. (b) 5.3 cal/mol-K. (c) No, porque en
un cristal monoatómico no hay modos de vibración ópticos que son los que determinan la
alta reflectividad de los cristales iónicos. En el caso diatómico si podrı́a serlo.
2. Razonar brevemente la veracidad o falsedad de las siguientes afirmaciones:
a) A T = 80 K, la capacidad calorı́fica de un sólido con temperatura de

Debye θD = 100 K será mayor que la de otro con θD = 200 K.
b) La mı́nima longitud de onda de los fonones en un sólido será menor
cuanto más grande sea su constante de red.
Solución: (a) Verdadero: CV es mayor cuanto menor sea θD . (b) Falso: λmin ∝ 1/kmax ∼
1/kP ZB ∼ a.
3. Sea un sólido con frecuencia de Debye ωD = 7.8 × 1013 rad/s. Cuando se

calienta de 30 K a 300 K, ¿aumenta o disminuye su ...
a) número de fonones con frecuencia ω = 1011 s−1 .

b) número de fonones capaces de dar lugar a procesos U.
c) número de fonones capaces de dar lugar a procesos N.
d) conductividad térmica reticular?
Solución: (a), (b), (c) Aumentan. (d) Disminuye.
4. Sea un cristal con enlace molecular y otro con enlace iónico.
a) ¿Cuál tendrá mayor temperatura de fusión?

b) ¿Cuál tendrá mayor coeficiente de dilatación térmica, α?
Solución: (a), (b) El molecular.
5. Sea una red cuadrada bidimensional con un átomo de masa M en cada punto,
interaccionando sólo con sus vecinos más próximos conpconstante de fuerza
C. Tómese como curva de dispersión fonónica: ω(k) = 4C/M | sen(ka/2)|.
a) Obtener la densidad de estados fonónicos a longitudes de onda largas.

b) A altas temperaturas, kB T ≫ ~ω, encuéntrese la media cuadrática
del desplazamiento de un átomo respecto a su posición de equilibrio.
Razónese sobre el resultado si la red se fundirá a altas temperaturas.
® SkB T ω
Solución: (a) D(ω) = Sω/πc2 . (b) u2 T
= [lnω]0 D = ∞ ⇒ A altas
N M πc2
temperaturas la red funde.
6. Calcular la conductividad térmica a 1 K de una varilla de zafiro cristalino de

3 mm de diámetro (peso molecular del Al2 O3 , 102). La velocidad del sonido
se puede tomar como 5×103 m/s, la densidad del Al2 O3 como 4×103 Kg/m3
y θD = 103 K. Considerar que por estar a muy baja temperatura el recorrido
libre medio de los fonones está determinado por la talla del cristal.
Solución: 36 W/mK.
7. Considerar dos materiales sc, monoatómicos con igual constante de red, y

con la misma pureza pero con relaciones de dispersión de las vibraciones de
su red distintas y dadas por la figura adjunta.
a) A una temperatura de 300 K, ¿cuál
sufrirá más procesos U?
b) A esa misma temperatura ¿cuál
tendrá mayor capacidad calorı́fica?
Solución: (a), (b) El cristal 2.
8. a) Sea un cristal iónico y otro de gases inertes. Razónese cuál tendrá mayor
frecuencia de Debye.
b) ¿Puede ser la ocupación de un estado fonónico superior a la unidad?
Solución: (a) El cristal iónico. (b) Sı́, de hecho a T alta, n ≫ 1.
9. Se desea construir una placa que actúe como termostato a diferentes

temperaturas en el rango de 25o C a 300o C de tal forma que se puedan conocer
los incrementos de temperatura midiendo sólo la energı́a que se le suministra
para producir esos incrementos. Para esto lo ideal serı́a que la capacidad
calorı́fica del termostato fuese independiente de la temperatura. ¿De los
materiales que se relacionan a continuación cuáles serı́an los más adecuados
para construir el termostato? Ordenarlos por orden de conveniencia y razonar
la respuesta. Be, Ti, Fe, Cu, Pb, Ge, Cr, Ag, In, Bi, Si, Sn
Solución: Be, Ti, Fe, Cu, Ge, Cr, Si.
10. ¿Qué tipo de fonones da mayor contribución a la energı́a total de vibración

de un cristal a temperatura T ? Utilizar si es preciso el modelo de Debye.
Solución: Los fonones con k ∼ kP ZB .
11. Pronunciarse sobre la veracidad o falsedad de las siguientes afirmaciones

relativas a un sólido cristalino a temperatura T :
a) Los fonones de baja frecuencia son los más abundantes pues la energı́a
asociada ~ω es menor.
b) Hay tantos tipos de fonones posibles como átomos.
c) No oı́mos las vibraciones térmicas (zumbido térmico) porque la
frecuencia de los fonones supera con mucho la máxima perceptible por
el oı́do humano (alrededor de 10 KHz).
d) Los fonones se mueven a la velocidad del sonido en el sólido.
Solución: (a), (c) Cierto. (b), (d) Falso.
12. En un cristal cúbico monoatómico de parámetro de red a = 3.7 Å,

la velocidad del sonido para fonones longitudinales y trasversales es
aproximadamente la misma c = 3000 m/s y es isótropa.
a) ¿Cuál es su frecuencia de Debye?

b) ¿Cuál es la mı́nima longitud de onda de los fonones es ese material?
Solución: (a) 3.2 × 1013 rad/s. (b) 4.27 Å.
13. Sea un cristal bidimensional en √el que los fonones longitudinales tienen una
relación de dispersión ω(k) = A k (aquı́ A = cte).
a) Determina la densidad de estados D(ω).

b) En el lı́mite T → 0, la contribución de los fonones longitudinales al
calor especı́fico es de la forma C ∝ T s . ¿Cuál es el valor de s?
Sω 3
Solución: (a) D(ω) = . (b) 4.
πA4
14. Se ha determinado que un sólido tiene un peso molecular de 35, una densidad
de 2.3 × 103 Kg/m3 y que la velocidad del sonido en él es de 1800 m/s.
a) Determinar su temperatura de Debye.
b) Cuánto calor se requiere para elevar su temperatura de 10 a 30 K.
Solución: (a) 182 K. (b) 60 J/mol.
15. En la Fig. 5.6 se representa el calor especı́fico de dos sólidos cristalinos medido
entre T ≈ 4.2 K (He lı́quido) y T ≈ 20.2 K (H lı́quido). Admitiendo que del
ajuste de esos datos, lı́nea recta continua (cuadrados) y a trazos (cı́rculos),
se pueden extraer sus temperaturas de Debye con un incertidumbre inferior
al 10 %, discutir a qué materiales pueden corresponder estos datos. ¿Cuál
serı́a su calor especı́fico a temperatura ambiente?
14 70
12 (J/mol K) 60
(mJ/mol K)
10 50
Cv (mJ/mol K)
Cv (J/mol K)
Figura 5.6. 8 40
6 30
4 20
2 10
0 0
1 2 3 4 5 6 7 8 9
3 3 3
T (10 K )
Solución: Cı́rculos: Cr o Si, Cuadrados: In. Cr o Si: 5 cal/molK, In: 6 cal/molK.
16. Suponer la cadena lineal monoatómica de constante de red a con una ley de
dispersión ω 2 (k) = 2C[1 − cos ka]/M . ¿Cuál es la velocidad del sonido en ese
medio? Calcular la densidad de estados.
p 2L
Solución: c = a C/M , D(ω) = p .
πa 4C/M − ω 2
Capı́tulo 6
Gas de Fermi de electrones

libres

El gas de Fermi de electrones libres es el modelo más sencillo aplicable a
materiales conductores electrónicos.
Estado fundamental del gas de Fermi. La función de ondas monoelec-
trónica es de la forma
~
ψ~k = V −1/2 eik~r (V = L1 L2 L3 , volumen de la muestra) (6.1)
con energı́a e impulso, respectivamente,
~2 k 2
ε= , p~ = ~~k. (6.2)
2m
Condiciones de contorno sobre ψ(~r) imponen la siguiente restricción sobre los
posibles valores de ~k:
µ ¶
~k = 2π n1 , n2 , n3 (n1 , n2 , n3 enteros) (6.3)
L1 L2 L3
La región del espacio de fases con estados ocupados tiene la forma de una esfera
(esfera de Fermi). Su radio (vector de onda de Fermi) viene dado por
kF = (3π 2 n)1/3 ∼ 10−10 m−1 (n ≡ N/V, concentración electrónica) (6.4)
Asimismo se define la energı́a de Fermi
~2 kF2
εF ≡ ∼ 5 eV, (6.5)
2m
116 Capı́tulo 6: Gas de Fermi de electrones libres
la velocidad de Fermi
1
mv 2 ≡ εF , vF ∼ 106 m/s (6.6)
2 F
y la temperatura de Fermi
kB TF ≡ εF , TF ∼ 5 × 104 K. (6.7)
La densidad de estados (número de electrones con energı́a entre ε y ε + dε)

viene dada por r
3N ε
D(ε) = (6.8)
2 εF εF
La energı́a total de un sistema de electrones libres viene dada a T = 0 K por
Z εF
3
U0 = dε ε D(ε) = N εF (6.9)
0 5
Para T 6= 0 la probabilidad de que un estado con energı́a ε esté ocupado viene
dada por la distribución de Fermi-Dirac
1
fFD (~k) = h i , (6.10)
ε(~
k)−µ
exp kB T +1
donde µ ¶
π2 T 2
µ(T ) ≈ εF 1− (6.11)
12 TF2
es el potencial quı́mico, que casi siempre puede aproximarse por µ ≈ εF .
Capacidad térmica electrónica: Según este modelo resulta
π2 T
Cel = N kB . (6.12)
2 TF
Debido al elevado valor de TF , a temperatura ambiente es mucho menor que la
contribución reticular.
Propiedades de transporte eléctrico: según el modelo cinético de
Drude los e− colisionan (fundamentalmente con defectos y con fonones) con una
−1 −1
probabilidad por unidad de tiempo τ −1 = τdef + τfon , perdiendo tras la colisión
~
la energı́a acumulada (debida a una fuerza externa f ) desde la última colisión. El
momento medio de los e− se rige por la ecuación dinámica
d~
p(t) p~(t) ~
=− + f (t). (6.13)
dt τ
En presencia de un campo eléctrico E ~ la fuerza sobre cada electrón es f~ = −eE,
~
~ ~
y la densidad de corriente eléctrica resulta j = σ E (ley de Ohm), siendo
ne2 τ
σ= (conductividad eléctrica). (6.14)
m
Si también se aplica un campo magnético, la fuerza sobre cada electrón incluye

el término de Lorentz −e~v × B,~ que da lugar al efecto Hall: Si en un conductor
fluye una corriente eléctrica jx , un campo magnético perpendicular Bz genera un
campo eléctrico perpendicular a ambos, Ey . Aplicando (6.13) se obtiene
1
Ey = RH jx Bz , con RH = − (coeficiente Hall). (6.15)
ne
Conductividad térmica electrónica: A partir del modelo de Drude (ver
§5.1) resulta
π 2 nkB
2
Tτ
κel = . (6.16)
3m
La dependencia con la temperatura es similar a la de la contribución reticular,
aunque generalmente es uno o dos órdenes de magnitud mayor.
Ley de Wiedemann-Franz: El modelo de Drude predice la siguiente relación
κel π 2 kB
2
L≡ = = 2.45 × 10−8 WΩ/K2 (cte. de Lorentz) (6.17)
σT 3e2
que se verifica experimentalmente en multitud de metales.
Propiedades ópticas: En presencia de un campo electrico alterno de
frecuencia ω, la conductividad eléctrica se modifica según
ne2 τ 1
σ(ω) = . (6.18)
m 1 − iωτ
Esta ecuación determina las propiedades ópticas de los materiales conductores. En
particular, el ı́ndice de refracción y la reflectividad vienen dados respectivamente
por ¯ ¯
p ¯ n − 1 ¯2
n = ε(ω) y r = ¯ ¯ ¯ , (6.19)
n + 1¯
donde
iσ(ω)
ε(ω) = 1 + (6.20)
ε0 ω
es la permitividad eléctrica relativa. Para frecuencias bajas (ωτ ≪ 1), n es
complejo y las ondas electromagnéticas decaen exponencialmente en el material
con una longitud caracterı́stica δ = [2ε0 c2 /σ(0)ω]1/2 (∼ 10 µm para el cobre
con frecuencias en el rango de las microondas ω/2π ∼ 1010 Hz). Asimismo, la
reflectividad es máxima (r ∼ 1). Sin embargo, para frecuencias mayores que la
frecuencia de plasma
s
ne2
ωp ≡ ∼ 1015 rad/s (U.V.) (6.21)
ε0 m
n es real y el material se vuelve transparente.


1. Determinar, a partir de algún criterio previo razonable, la anchura
de la distribución de Fermi-Dirac a temperatura T .
Solución:
Una estimación es el intervalo de energı́a en el que fFD (ε) pasa del 90 % al
10 % de su valor para energı́as bajas, o sea, de 0.9 a 0.1 (ver figura).
1.0
fFD 0.5
0.0
- +
0
Según este criterio
1 ε+ − µ
fFD (ε+ ) = 0.1 ⇒ + = 0.1 ⇒ exp =9
exp εkB−µ
T +1
kB T
ε− − µ 1
fFD (ε− ) = 0.9 ⇒ exp =
kB T 9
Dividiendo las dos últimas expresiones y aplicando logaritmos neperianos se

obtiene
ε+ − ε−
= ln 81
kB T
con lo que, finalmente, ∆ε ≡ ε+ − ε− ≈ 4.4kB T . Incluso a temperatura
ambiente se tiene que ∆ε ≈ 10−1 eV, mucho menor que µ ≈ εF ≈ 1 − 10 eV.
2. Suponer que por un metal está circulando una corriente bajo el

efecto de un campo eléctrico. A t=0 “desconectamos” el campo
eléctrico. Determinar el tiempo que tarda el mar de electrones en
relajar al estado de equilibrio.
Solución:
~ = 0) es
La ecuación dinámica (6.13) para t > 0 (E
d~
p p~
=− ,
dt τ
y su solución, p~(t) = p~(0) exp(−t/τ ) (ver figura). El tiempo necesario para

que el impulso medio de los electrones se relaje (a 1/e ≈ 0.37 de su valor
inicial) es precisamente τ (de ahı́ su nombre de tiempo de relajación). Es igual
de sencillo probar que si a t = 0 aplicamos un campo eléctrico constante, el
tiempo que transcurre para alcanzar una corriente estable es también τ .
E p
E(0) p(0)
f(t)=-eE(t)
-1
p(0)e
0
t 0
t
3. Razonar que debe aparecer un voltaje eléctrico si a un metal

lo sometemos a una diferencia de temperatura mientras lo
mantenemos en circuito eléctrico abierto. Utilizando un modelo
dinámico para el transporte térmico análogo al descrito en el
capı́tulo anterior (§5.1) obtén una expresión para el coeficiente
Seebeck, S, definido como la relación entre el campo eléctrico y el
gradiente de temperaturas (E ~ = S ∇T
~ ).
Solución:
Sea una superficie imaginaria en el interior de la muestra, perpendicular al
gradiente térmico (ver figura).
Los portadores que alcanzan dicha superficie desde la zona más caliente
son más energéticos (y por tanto tienen una mayor velocidad media) que
los procedentes de la zona más frı́a. Por tanto, existe un flujo neto de
portadores a través de dicha superficie (y de cualquier otra paralela a ella)
desde la zona más caliente hasta la más frı́a. El campo eléctrico asociado
al desequilibrio de cargas acaba por frenar el acúmulo de portadores en la

cara más frı́a, llegándose finalmente a una situación de equilibrio dinámico
con dos corrientes iguales y opuestas (eléctrica y térmica). En el ejemplo
de la figura, se ha supuesto que los portadores son de carga negativa, con
lo que dicho campo eléctrico está dirigido de la cara frı́a a la caliente. Este
efecto se conoce como “termoeléctrico” o “Seebeck”, y tiene mucha utilidad
en termometrı́a (es el principio de funcionamiento de los termopares).
Una expresión para S: Considérese un electrón que colisiona (con una
impureza, un fonón, otro electrón, ...) en un punto dentro del material en la
posición x0 (ver figura).
La velocidad con la que llega al punto de colisión es la correspondiente a

la temperatura del punto donde colisionó por última vez. De acuerdo con
la figura, esa velocidad es v(x0 − ℓ cos θ) donde ℓ es el recorrido libre medio
entre colisiones. La correspondiente componente en la dirección x es
vx = v(x0 − ℓ cos θ) cos θ
La velocidad media de los electrones que confluyen en el punto de colisión (en

la dirección x, pues en las otras direcciones es nula) se calcula promediando
vx a todas las posibles orientaciones
R 2π Rπ Z π
0
dφ vx senθ dθ
0 1
hvx i = R 2π Rπ = v(x0 − ℓ cos θ) cos θ senθ dθ.
dφ 0 senθ dθ 2 0
0
Es de esperar que velocidad electrónica varı́e muy suavemente en distancias

tan pequeñas como ℓ (generalmente del orden de 102 Å), por lo que
v(x0 − ℓ cos θ) puede aproximarse por su expansión en serie a primer orden
en torno a x0 :
µ ¶
∂v
v(x0 − ℓ cos θ) ≈ v(x0 ) − ℓ cos θ.
∂x x0
Se tiene, por tanto

Z µ ¶ Z π µ ¶
v(x0 ) π ℓ ∂v 2 ℓ ∂v
hvx i = cos θ senθ dθ − cos θ senθ dθ = − .
2 2 ∂x x0 0 3 ∂x x0
|0 {z } | {z }
0 2/3
Dado que ℓ = v(x0 )τ ,

µ ¶ · µ ¶¸ · µ ¶¸
τ ∂v τ ∂ v2 τ ∂ mv 2
hvx i = − v(x0 ) =− =− .
3 ∂x x0 3 ∂x 2 x0 3m ∂x 2 x0
El término mv 2 /2 es precisamente la energı́a térmica por electrón u, con lo

cual µ ¶ µ ¶
τ ∂u τ ∂u
hvx i = − =− ∇x T.
3m ∂x x0 3m ∂T T (x0 )
El término ∂u/∂T es la capacidad calorı́fica por electrón C/N . Según (6.12)
C = π 2 N kB T /2TF , con lo que, finalmente
π 2 τ kB T
hvx i = − ∇x T.
6mTF
Tal y como se comentó anteriormente, en estado estacionario esta velocidad
inducida por el gradiente térmico se compensa con una velocidad en sentido
contrario asociada al campo eléctrico Ex creado por el desequilibrio de
cargas, hvx itérm = −hvx ieléc . Utilizando la ecuación dinámica (6.13) para
el estado estacionario
mhvx ieléc eτ
0=− − eEx ⇒ hvx ieléc = − Ex .
τ m
Ası́ pues,
eτ π 2 τ kB T π 2 kB T
Ex = − ∇x T ⇒ Ex = − ∇x T,
m 6mTF 6eTF
con lo que el coeficiente Seebeck resulta
π 2 kB T
S=− ,
6eTF
que a temperatura ambiente es del orden de µV /K, en buen acuerdo con lo
observado en muchos metales.
4. a) Bosquejar las funciones de distribución de desequilibrio en el

espacio de fases de un gas de Fermi en presencia de un campo
eléctrico y en presencia de un gradiente de temperatura.
b) Dibujar algunos de los procesos de dispersión posibles.

c) En función de lo anterior, ¿podemos concluir algo sobre los
diferentes tiempos de relajación eléctrico y térmico?
Solución:
a) En ausencia de campos eléctricos o gradientes de temperatura, la

región del espacio de fases con estados ocupados tiene la geometrı́a
de una esfera (esfera de Fermi). El efecto de una temperatura finita es
“difuminar” la superficie de dicha esfera muy ligeramente, del orden del
1 % de kF para T ≈ 300 K. De manera muy exagerada, la situación es
la siguente:
-Cuando se aplica un campo eléctrico, esa esfera se desplaza respecto a

su origen una cantidad δ~k = −eτ E/~.
~ Esta es la situación representada
en la figura (a) para un campo eléctrico aplicado en la dirección −x.
-Supongamos ahora que hay un gradiente de temperatura de tal manera
que la parte izquierda de la muestra está más caliente que la parte
derecha. Los electrones procedentes de la izquierda (con kx > 0) tendrán
una distribución correspondiente a una temperatura mayor que los
procedentes de la derecha (con kx < 0). Dicho efecto es el que se
representa (de forma muy exagerada) en la figura (b).
b) Cuando se suprime la perturbación externa la esfera de Fermi retorna

a su estado de equilibrio a través de diferentes procesos de relajación.
-En el caso de un campo eléctrico, dichos procesos son del tipo de los
representados en la figura (a). Como puede verse, involucran vectores
de onda con magnitud comparable a kF .
-En el caso de un gradiente de temperaturas, los procesos de relajación
pueden ser del tipo de los representados en (a), pero también existen
procesos como los representados en (b), más numerosos, y que suponen
un pequeño cambio en el vector de onda.
c) Dado que los procesos de relajación posibles para el caso “térmico”
son más numerosos que los permitidos para el caso “eléctrico”, los
correspondientes tiempos de relajación pueden ser también más cortos,
o sea, τter < τelec . Esto explica por que experimentalmente se encuentra
que el número de Lorentz, L ≡ κ/σT , es a veces menor que su valor
teórico calculado suponiendo τter = τelec .
5. Si se admite que los procesos de dispersión electrónica son elásticos

e isótropos, se puede calcular que el tiempo de relajación τ que
debe aparecer en la ecuación dinámica (6.13) se expresa por
d3~
Z
k′
τ (~
k)−1 = (1 − k̂ · k̂′ )Q(~
k, ~
k′ )
8π 3
donde Q(~ k, ~
k′ ) es la probabilidad por unidad de tiempo de la
transición k → ~
~ k′ . Comentar la fı́sica de esta ecuación.
Solución:
Esta expresión representa un promedio de la probabilidad de colisión Q(~k, ~k ′ )
ponderada por el término 1− k̂ · k̂ ′ (que puede expresarse por 1 − cos θ, donde
θ es el ángulo entre ~k ′ y ~k). Claramente, este término dota de muy poco peso
a los procesos de dispersión de ángulo bajo. Parece muy razonable que las
colisiones “hacia adelante” contribuyan poco a la tasa de colisiones efectiva
(o lo que es lo mismo, a reducir el tiempo de relajación efectivo), pues el
vector de onda (el estado) casi no cambia. Por poner un ejemplo extremo,
una colisión elástica en la que ~k ′ = ~k, podrı́a considerarse como inexistente.
Si se admitiera Q(~k, ~k ′ ) = Q0 constante, resultarı́a τ −1 = Q0 , que es la
hipótesis básica del modelo de Drude.
6. Admitiendo el modelo jalea para un metal, supóngase una

perturbación local en la carga electrónica que produce una
densidad de carga neta local. Despreciando el efecto de las
colisiones y linealizando la ecuación de continuidad, demostrar que
la ecuación del movimiento de los electrones es la de un movimiento
armónico simple de frecuencia igual a la frecuencia de plasma ωp .
¿Es lógico despreciar las colisiones dado el valor de ωp ?
Solución:
Se parte de la ecuación de conservación de la carga eléctrica:
∂ρ ~
+ ∇(ρ~v ) = 0,
∂t
que puede escribirse como
∂ρ ~ v + ~v ∇ρ
~ = 0,
+ ρ∇~
∂t
donde
ρ(~r, t) ≡ densidad de carga electrónica

~v (~r, t) ≡ velocidad media electrónica
Esta ecuación se puede linealizar suponiendo:

i) Pequeñas variaciones espaciales de ρ(~r, t). Esto permite despreciar el
~ El resultado será más
término con derivadas espaciales de ρ(~r, t), o sea ~v ∇ρ.
preciso para longitudes de onda largas.
ii) ρ(~r, t) difiere poco de su valor medio ρ0 , o sea, ρ(~r, t) − ρ0 ≪ ρ0 . Esto
se justifica en que la fuerte interacción electrostática del plasma no permite
alterar mucho la neutralidad local, y permite sustituir ρ(~r, t) por ρ0 .
La ecuación de continuidad linealizada es, por tanto
∂ρ ~ v = 0.
+ ρ0 ∇~
∂t
Derivando respecto a t:
∂2ρ ~ ∂~v = 0.
2
+ ρ0 ∇
∂t ∂t
Utilizando ahora la ecuación dinámica (despreciando colisiones),
∂~v ~
eE
=−
∂t m
y la primera ecuación de Maxwell
~E
∇ ~ = ρ
ε0
(ε0 ≡ permitividad eléctrica del vacı́o) la ecuación de continuidad puede
expresarse como
∂2ρ eρ0
− ρ=0
∂t2 mε0
que es la ecuación de un oscilador armónico de frecuencia
r s
−ρ0 e ne2
ω= =
mε0 mε0
(n ≡densidad electrónica). ω es precisamente la frecuencia de plasma, ωp

[Ec. (6.21)]. Como n ≈ 1023 cm−3 , se tiene que el perı́odo de las oscilaciones
2π/ωp ≈ 10−16 s, es mucho menor que el tiempo medio entre colisiones
(τ ≈ 10−14 s). Estas oscilaciones colectivas de alta frecuencia del gas de
electrones no se excitan térmicamente a temperaturas ordinarias dado que
~ωp ≈ 10 eV ≫ kB T ≈ 2 × 10−2 eV . Nótese que el gas electrónico no
podrı́a seguir las oscilaciones electromagnéticas de frecuencia mayor que ωp
(que representa su frecuencia propia o de resonancia) por lo que el medio se
comportarı́a como inerte (transparente) a esas frecuencias.
7. Comparar numéricamente el calor especı́fico electrónico de un

metal con el reticular a T = 300 K admitiendo θD ≈ 300 K. ¿A
qué temperatura serı́an del mismo orden?
Solución:
Según (6.12), el calor especı́fico electrónico viene dada por
π2 T
cel (T ) = nkB ,
2 TF
y el reticular por (véase el Capı́tulo 5)
cret (T ) = 3nkB si T > θD

∼
4 3
µ ¶3
36kB T T
cret (T ) = = 216nkB si T ≪ θD
π ~ c3
2 3 θD
3
(el último paso resulta de las relaciones kB θD = ~ckD y kD = 6π 2 n).
> θ , c /c ≈ 6T /π 2 T . Dado que T ≈ 5 × 104 K, para T = 300 K
- Si T ∼ D ret el F F
la contribución reticular es del orden de 100 veces mayor.
- Para T ≪ θD , cret y cel coinciden para T = (π 2 θD
3
/432TF )1/2 ≈ 3.5 K.
8. Calcular el módulo de rigidez, definido como B ≡ −V (∂P/∂V )T ,

de un gas de electrones libres a T =0 K y aplicarlo a los metales
de la tabla adjunta, en la que se da, para su comparación, el valor
experimental.
Metal Al K Cs Cu
n(1022 cm−3 ) 18.1 1.40 0.91 8.47
Bexp (GPa) 76.0 2.81 1.43 134
Solución:
Dado que P = −(∂U/∂V )T , el módulo de rigidez se puede expresar según
B = V (∂ 2 U/∂V 2 )T . Asimismo, para T = 0 K la energı́a del conjunto de
electrones viene dada por (6.9)
µ ¶2/3
3 3 ~2 kF2 3 ~2 N
U0 = N εF = N = N 3π 2 .
5 5 2m 5 2m V
Derivando dos veces con respecto a V y multiplicando por V resulta
~2
B= (3π 2 )2/3 n5/3 .
3m
Sustituyendo los valores para n de la tabla, B resulta
Metal Al K Cs Cu
Bteo (GPa) 224 3.14 1.53 63.1
El valor de Bteo es del mismo orden de magnitud que el observado, con lo

que el gas de e− libres es, en buena medida, responsable de la resistencia a
la compresión de los metales.
9. Suponer que el Na tiene un coeficiente de expansión térmica

lineal entre 0 y 300 K de α =1.5×10−6 K−1 . ¿Cuál es el cambio
porcentual entre esas temperaturas de εF , TF , vF y kF ?
Solución:
El coeficiente de expansión térmica se define como α ≡ 1ℓ dT
dℓ
, donde ℓ es
la longitud de la muestra. Como en el rango entre 0 y 300 K α=cte., se
tiene ℓ(T ) = ℓ0 exp(αT ), que como αT ≪ 1 puede aproximarse por ℓ(T ) =
ℓ0 (1 + αT ). Dado que el volumen de la muestra es V ∝ ℓ3 , la variación de
volumen entre 0 y 300 K es
δV δℓ
= 3 = 3αδT = 1.35 × 10−3 (0.135 %).
V ℓ0
Para obtener la variación de εF , TF , vF y kF basta con obtener su expresión
en función del volumen:
a) Variación porcentual de εF :
µ ¶2/3
~2 kF2 ~2 2N
εF = = 3π = cte × V −2/3
2m 2m V
δεF 2 δV
=− = −9 × 10−4 (−0.09 %)
εF 3 V
b) Variación porcentual de TF :
εF δTF δεF
TF = ⇒ = = −9 × 10−4 (−0.09 %)
kB TF εF
c) Variación porcentual de vF :
µ ¶1/2
2εF δvF 1 δεF
vF = ⇒ = = −4.5 × 10−4 (−0.045 %)
m vF 2 εF
d) Variación porcentual de kF :
µ ¶1/2
2mεF δkF 1 δεF
kF = ⇒ = = −4.5 × 10−4 (−0.045 %)
~2 kF 2 εF
10. En el modelo cinético de Drude la energı́a no se conserva en las

colisiones, ya que si sometemos el metal a un campo eléctrico
externo la velocidad media de salida de un electrón de una colisión
es nula. Supongamos un metal a temperatura uniforme bajo la
acción de un campo eléctrico uniforme y estático, E. Demostrar
que la pérdida de potencia en un hilo de longitud L y sección
transversal A es I 2 R, siendo I la intensidad que atraviesa el hilo
y R la resistencia eléctrica del mismo.
Solución:
Supondremos que en cada colisión el electrón pierde toda la energı́a cinética
que habı́a ganado durante el tiempo de vuelo, t. Esa energı́a viene dada por
µ ¶2
1 2 1 eEt
∆ε = mv = m .
2 2 m
Se ha utilizado F = ma ⇒ −eE = mv/t. La potencia media disipada por
un electrón será, por tanto
R∞
h∆εi ∆εP(t)dt
= R0 ∞
hti 0
tP(t)dt
donde P(t)dt es la probabilidad de que un electrón no colisione durante un

tiempo t, y de que colisione entre t y t + dt. Dicha probabilidad se expresa
según P(t)dt = τ1 e−t/τ dt, donde τ es el tiempo de relajación (ver Ejercicio 7
del Capı́tulo 5). Sustituyendo en la anterior ecuación e integrando resulta
h∆εi e2 E 2 τ
= .
hti m
Por tanto, para un sistema de N electrones, la potencia total disipada será
e2 E 2 τ e2 E 2 τ
Q̇ = N = nAL (n ≡ concentración electrónica)
m m
Utilizando ahora la ley de Ohm E = ρj (siendo ρ = 1/σ = m/ne2 τ , ver
Ec. (6.14)) y teniendo en cuenta que
I = jA
y que
R = ρL/A
se obtiene directamente
Q̇ = I 2 R.
11. El átomo de 3 He tiene espı́n 1/2. La densidad del 3 He lı́quido es de

0.081 g/cm3 cerca del cero absoluto. Calcular la energı́a de Fermi
y la temperatura de Fermi.
Solución:
La energı́a de Fermi puede expresarse según
~2 kF2 ~2
εF = = (3π 2 n)2/3 .
2m3 He 2m3 He
Consultando tablas se encuentra m3 He = 3.016 uma = 5.01 × 10−27 Kg.

Asimismo, la concentración de átomos de 3 He se obtiene a partir de su
densidad:
n = ρ/m3 He ≈ 1.6 × 1028 m−3 .
Sustituyendo en la anterior expresión para εF resulta
εF ≈ 6.7 × 10−23 J = 4.2 × 10−4 eV.
Como comparación, la energı́a de Fermi de un gas de electrones libres en

un metal es del orden de 1-10 eV. La diferencia reside en que la masa del
3
He es mucho mayor que la electrónica. Una diferencia similar se encuentra
en la temperatura de Fermi TF = εF /kB , del orden de 5 K para el 3 He y
104 -105 K para el gas de electrones libres en un metal.
12. Probar que, en presencia de un campo magnético ~ a lo largo

B
del eje z, la densidad de corriente estacionaria en el plano
perpendicular, ~j = (jx , jy ), se puede escribir como
µ ¶ µ ¶µ ¶
jx σ0 1 −ωc τ Ex
=
jy 1 + ωc2 τ 2 ωc τ 1 Ey
donde ωc = eB/m es la frecuencia ciclotrón. Estudiar los casos

lı́mite y comentar los resultados.
Solución:
En estado estacionario (d~p/dt = 0) la ecuación dinámica (6.13) se escribe
como ~v = (τ /m)f~. Dado que B
~ = (0, 0, B) se tiene que
f~ = −e(E
~ + ~v × B)
~ = −eE
~ − eB(vy ı̂ − vx ̂).
Las componentes x e y de la ecuación dinámica resultan:
vx = −(eτ /m)(Ex + vy B)
vy = −(eτ /m)(Ey − vx B)
Despejando ahora vx y vy :
eτ /m
vx = − (Ex − ωc τ Ey )
1 + (ωc τ )2
eτ /m
vy = − (Ey + ωc τ Ex )
1 + (ωc τ )2
Finalmente, utilizando ~j = −ne~v (y teniendo en cuenta que σ0 = ne2 τ /m)

se obtiene la expresión del enunciado.
En el lı́mite de campos magnéticos muy bajos ωc → 0 y se recupera la ley de
Ohm ~j = σ0 E.~ Para campos magnéticos finitos los términos no diagonales en
~ forman un ángulo θ en
la matriz del enunciado son no nulos, con lo que ~j y E
~
el plano perpendicular a B (ángulo Hall), que viene dado por tan θ = ωc τ . En
efecto, sustituyendo esta expresión en la ecuación matricial del enunciado, y
utilizando 1 + tan2 θ = 1/ cos2 θ, resulta
µ ¶ µ ¶µ ¶
jx cos θ − sin θ Ex ~
= σ0 cos θ ⇒ ~j = σ0 cos θ R(θ)E
jy sin θ cos θ Ey
~ El ángulo
donde R(θ) es la matriz de rotación en torno a la dirección de B.
Hall es generalmente muy pequeño: para τ ∼ 10−14 s y B = 10 T (de los
más altos alcanzables en un laboratorio), resulta θ = arctan(eBτ /m) < 1o .
13. Para un metal con electrones libres, estima la fracción de

electrones excitados (con energı́as mayores que la de Fermi) a una
temperatura determinada.
Solución:
El número de electrones con energı́a mayor que εF viene dado por
Z ∞
δN = fFD (ε)D(ε)dε
εF
A la vista de las expresiones para fFD (ε) (6.10) y D(ε) (6.8) la integral
resulta no analı́tica. Sin embargo, utilizando los resultados del Ejercicio 1,
una estimación puede realizarse aproximando la distribución de Fermi-Dirac
en torno a εF por su expansión en serie:
¯
∂fFD ¯¯ ε − εF
fFD (ε) ≈ fFD (εF ) + (ε − εF ) = 0.5 − .
∂ε ¯εF 4kB T
cuya representación gráfica se presenta en la siguiente figura (lı́nea

punteada).
1.0
fFD 0.5
0.0
0 F
F+2kBT
Asimismo, dado que fFD (εF + 2kB T ) ≈ 0 y kB T ≪ εF , la densidad de

estados puede aproximarse por su valor en εF , D(εF ) = 3N/2εF . Ası́ pues
Z εF +2kB T µ ¶
ε − εF 3N 3N kB T
δN ≈ 0.5 − dε =
εF 4k B T 2εF 4εF
y, por tanto,
δN 3 T
≈ .
N 4 TF
Incluso para temperaturas tan altas como las de fusión (∼ 103 K para
metales), se encuentra δN/N ∼ 10−2 .
14. Desarrollar las ecuaciones de Maxwell introduciendo:
a) La polarización P~ = ε0 (ε − 1)E ~ con σ = 0 (materiales

dieléctricos)
b) ~ = 0 (ε = 1), σ 6= 0 (materiales conductores)
P
ε es la permitividad eléctrica relativa o constante dieléctrica,

σ la conductividad eléctrica y E ~ el campo eléctrico; en ambos
casos tomar densidad de carga neta nula.) Comprobar que ambas
descripciones son equivalentes bajo campos alternos siempre y
cuando se verifique la relación ε(ω) = 1 + iσ(ω)/ε0 ω. Comentar el
resultado.
Solución:
La diferencia se encuentra en la ley de Ampere-Maxwell, que puede
expresarse por
~
∇~ ×H ~ = ~j + ∂ D ,
∂t
donde ~j = σ E~ es la densidad de corriente eléctrica debida a cargas libres, y
D~ = ε0 E
~ + P~ el campo de desplazamiento eléctrico.
- Para un dieléctrico, σ = 0 y P~ = ε0 (ε − 1)E,
~ y la anterior ecuación puede
escribirse
~
~ ×H
∇ ~ = ∂ [ε0 E ~ = ε0 ε ∂ E .
~ + ε0 (ε − 1)E]
∂t ∂t
Para campos electromagnéticos de frecuencia ω se tiene que E ~ ∝ e−iωt , con
~ ~
lo que ∂ E/∂t = −iω E, resultando finalmente
~ ×H
∇ ~ = −ε0 εiω E.
~ (6.22)
- Para un conductor, σ 6= 0 y P~ = 0, y la ley de Ampere-Maxwell resulta

~
~ ×H
∇ ~ + ε0 ∂ E .
~ = σE
∂t
Al igual que antes, para campos electromagnéticos de frecuencia ω se tiene
~
que ∂ E/∂t ~ resultando finalmente
= −iω E,
µ ¶
∇~ ×H ~ = −ε0 iσ + 1 iω E.
~ = (σ − ε0 iω)E ~
ε0 ω
Esta expresión coincide con la de un material dieléctrico (6.22), si la

constante dieléctrica del conductor es
iσ
ε=1+ .
ε0 ω
15. Cuando se estudia la conductividad AC de metales en la

aproximación de electrones libres, en la ecuación dinámica
se ignora un término asociado a la existencia de un campo
~
~ = ε0 ε ∂ E
magnético, dado por µ10 rotB (ver ejercicio anterior), que
∂t
está inevitablemente presente al aplicar un campo eléctrico E(t)~
dependiente del tiempo. Discutir la importancia del error que se
comete al ignorar dicho término. Suponer campos de la forma
E(~ ~ 0 ei(~k~r−ωt) ,
~ r , t) = E ~ 0 ei(~k~r−ωt) .
~ r , t) = B
B(~
Solución:
La fuerza sobre los electrones asociada al campo eléctrico es F~E = −eE,
~ y la
~ ~
asociada al campo magnético FB = −e~v × B, donde ~v es la velocidad media
de los electrones. En módulo, la relación entre ambas resulta
FB vB
= . (6.23)
FE E
Esta expresión puede evaluarse a partir de la ecuación de Maxwell y las
~ r, t) y B(~
expresiones para E(~ ~ r, t) indicadas en el enunciado:
Por un lado
~
∂E
= −iω E ~ 0 ei(~k~r−ωt) = −iω E~ (6.24)
∂t
Por otro lado, dada la expresión para B(~~ r, t), es directo comprobar que
~
∂i Bj = iki B0j ei(k~r−ωt) = iki Bj
con lo cual
¯ ¯ ¯ ¯
¯ ı̂
¯ ̂ k̂ ¯ ¯ ı̂
¯ ¯ ̂ k̂ ¯
¯
~ ~
∇ × B = ¯¯ ∂1 ∂2 ∂3 ¯ = ¯ ik1 ik2 ik3 ¯ = i~k × B
~ (6.25)
¯ ¯ ¯
¯ B1 B2 B3 ¯ ¯ B1 B2 B3 ¯
Sustituyendo Ecs.(6.24) y (6.25) en la ecuación de Maxwell, resulta
~k × B~
~
= −ω E
µ0 ε0 ε
o, en módulos
kB
= ωE.
µ0 ε0 ε
Utilizando que la velocidad de la luz viene dada por c = (µ0 ε0 )−1/2 y que
para √ondas electromagnéticas la relación de dispersión es ω = ck/n (siendo
n = ε el ı́ndice de refracción del medio), resulta B = nE/c. Sustituyendo
en (6.23) se tiene finalmente
FB vn
= .
FE c
Dado que v ≪ c (incluso la velocidad de Fermi vF ∼ 106 m/s ≪ c) y que

generalmente |n| es del orden de 1 en metales, la fuerza asociada al campo
magnético resulta ser totalmente despreciable con respecto a la asociada al
campo eléctrico.

1. Discutir cómo varı́a la energı́a de Fermi cuando se comprime un metal.
Determinar el coeficiente de compresibilidad κ ≡ (dV /dP )/V del gas de
electrones de conducción del cobre y compararlo con el experimental (κ =
7 × 10−12 N−1 m2 ). Para el Cu: peso atómico 63.5, densidad 8.9×103 Kgm−3 .
Solución: Variación de la energı́a de Fermi con el volumen: ∆εF /εF = − 32 ∆V /V .
Coeficiente de compresibilidad: κ = 3m/~2 (3π 2 )2/3 n5/3 =16×10−12 m2 /N.
2. Explicar el sentido fı́sico de la temperatura de Fermi TF del gas de electrones

libres. Aplicado a metales, ¿qué consecuencias fı́sicas (observables) tiene el
que TF sea tan alto como 5 × 104 K?
Solución: TF ≡ εF /kB es la temperatura asociada a la energı́a de Fermi. Para T ≪ TF
sólo una pequeña fracción de electrones promociona a estados con energı́a mayor que εF .
Una consecuencia del elevado valor de TF es el pequeño valor de cv electrónico.
3. ¿Cómo se compatibiliza la ley de Wiedemann-Franz con el hecho de que

hay compuestos que tienen una muy alta conductividad térmica pero
prácticamente nula conductividad eléctrica (por ejemplo la alúmina Al2 O3 )?
Solución: La ley de Wiedemann-Franz no es aplicable a aislantes eléctricos.
4. Comparar la conductividad eléctrica de un metal a baja frecuencia (ωτ ≪

1) con la conductividad DC (ω = 0). ¿Cuál es el cambio porcentual para
ω/2π = 50 Hz (tomar τ = 10−14 s)? ¿Qué influencia tiene τ ?
Solución: Es insignificante (-10−21 %). τ −1 representa el valor de ω a partir del cual
Re[σ(ω)] es significativamente menor que σ(0).
5. En un experimento de efecto Hall, ¿cambia el signo del voltaje Hall si cambia

el sentido del campo magnético? ¿Cambia el signo de la magnetoresistencia
en las mismas condiciones? ¿Cuál es la explicación fı́sica en ambos casos?
Solución: El signo de VHall cambia, el de la magnetorresistencia no. Ello es debido a que
la fuerza de Lorentz cambia de sentido con B,~ aunque siempre es perpendicular a ~j.
6. Por un metal de sección transversal 1 mm2 circula una corriente eléctrica

de 2 A bajo un campo eléctrico aplicado de 0.5 V/m. Estimar el tiempo de
relajación electrónico.
Solución: Aproximando n ≈ 1028 m−3 resulta τ ≈ 1.4 × 10−14 s.
7. Estudiamos la reflectividad de los metales en el rango ωτ ≪ 1. ¿Se puede

afirmar que a mayor conductividad eléctrica mayor es su reflectividad?
p
Solución: Sı́, en ese rango r = |(n − 1)/(n + 1)|2 con n = (1 + i) σ/2ε0 ω, que crece con
σ, aunque para la σ tı́pica de metales, n ≫ 1 y r ≈ 1.
8. El Li es monovalente y cristaliza en la estructura bcc con constante de red

3.5 Å. Supóngase bien descrito por la aproximación de e− libres. Debido
a que las condiciones de contorno discretizan el espacio ~k, si el cristal es

muy pequeño la diferencia de energı́as entre niveles electrónicos contiguos
en el espacio ~k puede llegar a ser grande. Estimar el tamaño de la muestra
para el cual dicho espaciado serı́a de 0.1 eV para e− cerca de la energı́a de
Fermi. (Suponer que el resto de los parámetros del cristal, como potenciales
de interacción, constante de red, etc., son independientes del tamaño).
Solución: Para el máximo cambio posible en k (∆k = 2π/L), L ≈ 25~2 /ma∆ε ≈ 530 Å.
9. Sea un metal a T = 300 K, en aproximación de electrones libres y con

potencial quı́mico µ = 10 eV. ¿Tendrá mayor, menor o igual número de
electrones con energı́a 1 eV que con energı́a 10 eV? ¿Y con energı́a 15 eV
(cómo será el número de electrones comparado con 1 y con 10 eV?
Solución: N10eV = 1.58N1eV ; N15eV ≪ N1eV , N10eV .
10. Calcular la expresión para la densidad de estados D(ε) de un gas de electrones

libres bidimensional. ¿Cuál es la energı́a media por electrón a T = 0 K si la
densidad electrónica es n = 1017 cm−2 ?
Solución: D(ε) = mS/π~2 ; Utot /N = π~2 n/2m = 119 eV.
11. En un hilo de Cu (fcc, parámetro de red 3.6 Å) se mide una caı́da de voltaje
de 1.7 mV cuando se hace pasar una corriente de 0.5 A. El hilo tiene una
de sección 1 mm2 y una longitud (entre los terminales de voltaje) de 20
cm. Determinar el recorrido libre medio de los electrones sabiendo que cada
átomo aporta un electrón a la conducción.
Solución: ℓ ≈ 380 Å.
12. En la aproximación de e− libres determinar el voltaje Hall que se medirı́a en

una barra de 5×5 mm2 de Na (bcc, con a=4.23 Å) cuando por ella circula
una corriente de 1 A bajo un campo magnético transversal de 1 T.
Solución: |VH | = 4.7 × 10−8 V.
13. En la tabla adjunta se da la conductividad térmica y la resistividad eléctrica

de cuatro cristales A, B, C, D, para distintas temperaturas. Discutir de cuáles
se podrı́a afirmar que corresponden a observables medidos en metales puros.
Unidades: [κ]=W/mK; [ρ] = µΩcm; [T ]=K
A B C D
T κ ρ κ ρ κ ρ κ ρ
80 432 0.245 557 0.215 325 4.6×1023 8.5 25.2
100 302 0.442 482 0.348 232 1.8×1019 9.2 28.6
200 237 1.59 413 1.046 96.8 280 13 43.2
300 237 2.73 401 1.725 59.9 3.3×10−9 15 58.2
400 240 3.87 393 2.402 43.2 1.1×10−10 17 73.9
500 236 4.99 386 3.090 33.8 1.5×10−11 18.5 88.2
Solución: De A y de B.
Capı́tulo 7
Electrones en un potencial
periódico: Teorı́a de bandas

Teorema de Bloch. La función de onda para un electrón sometido a un
~ (siendo R
potencial periódico debido a la red cristalina U (~r) = U (~r + R) ~ un vector
de red) presenta la propiedad
~ ~
~ = eik·R Ψ(~r)
Ψ(~r + R) (7.1)
o, equivalentemente,
~ ~ = u~ (~r).
Ψ(~r) = u~k (~r)eik·~r , con u~k (~r + R) k (7.2)
La cantidad ~~k, denominada cuasiimpulso, no es ahora el impulso del electrón

pues i~∇Ψ~k 6= ~~kΨ~k .
Una consecuencia del teorema de Bloch es que la relación de dispersión no
cambia bajo la sustitución ~k → ~k + G, ~ lo que permite estudiarla únicamente
en la PZB (esquema en zona reducida). Asimismo, condiciones de contorno
periódicas dan lugar a los mismos valores permitidos de ~k que en el caso de
electrones libres (Ec. (6.3)).
Ecuación de onda electrónica en un potencial periódico. La ecuación
de Schrödinger puede simplificarse expresando la función de onda y el potencial
en forma de serie de Fourier:
Z
X ~
X ~ r 1 ~
Ψ(~r) = C~k eik·~r ; U (~r) = UG
~ e iG·~
, con UG~ = e−iG·~r U (~r)d3~r. (7.3)
V V
~
k ~
G
En el caso de Ψ la suma se extiende a todos los ~k’s que cumplen las condiciones
~ la suma se extiende a los
de contorno. En el caso de U , por ser periódico en R,
136 Capı́tulo 7: Electrones en un potencial periódico
~
vectores de la red recı́proca (eiG·~r es un conjunto completo de funciones periódicas
~ Sustituyendo en la ecuación de Schrödinger y tras alguna manipulación,
en R).
se llega a la ecuación central (sistema de ecuaciones algebraicas, para cada ~k ∈
PZB una ecuación para cada G ~ ∈ Red Recı́proca):
X
[ε0 (~kPZB − G)
~ − ε]C~ ~ +
kPZB −G UG ~ C~
~ ′ −G ~ ′ = 0,
kPZB −G (7.4)
~′
G
donde ε0 (~k) ≡ ~2 k 2 /2m.

En la aproximación de potencial periódico débil con respecto a la energı́a
cinética (electrones cuasilibres), el sistema de ecuaciones anterior puede
simplificarse enormemente en determinadas regiones de la PZB:
a) Lejos de los planos Bragg, formalmente donde
|ε0 (~kPZB − G
~ 0 ) − ε0 (~kPZB − G)|
~ ≫ U, ∀ G
~ 6= G
~0 (7.5)
el segundo término a la izquierda en (7.4) puede despreciarse y la solución se
aproxima a la de electrones libres, ε = ε0 (~k).
b) Cerca de los planos Bragg y sus intersecciones, formalmente donde para
~ 1, . . . , G
cierto grupo de vectores G ~ m se cumple
|ε0 (~kPZB − G
~ i ) − ε0 (~kPZB − G
~ j )| < U, j 6= i, (7.6)
|ε0 (~kPZB − G)
~ − ε0 (~kPZB − G
~ i )| ≫ U, ~ 6= G
∀G ~i (7.7)
la Ec. (7.4) puede aproximarse por
m
X
[ε − ε0 (~kPZB − G
~ i )]C~ ~i =
kPZB −G UG ~ i C~
~ j −G ~j
kPZB −G i = 1, . . . , m (7.8)
j=1
~ 1, . . . , G
(el sumatorio se extiende ahora sólo a los vectores G ~ m ). Exactamente
sobre un plano Bragg (aunque lejos de una interseccion), la solución para ε es
particularmente sencilla:
ε = ε0 (~k) ± |UG
~ |, (7.9)
donde G~ representa el vector de la red recı́proca asociado al plano Bragg. La
conclusión es que existe un intervalo prohibido de energı́a sobre los planos
Bragg de amplitud 2|UG ~ |. Es fácil además comprobar que sobre los planos Bragg
Ã !
∂ε ~2 ~ G ~
= k− (7.10)
∂~k m 2
con lo que ε(~k) llega a los planos Bragg con pendiente nula.
En sistemas con electrones fuertemente ligados, un enfoque alternativo es
aproximar el potencial cerca de un punto de red por un potencial atómico, y tratar
la influencia de puntos de red vecinos como una perturbación,
H(~r) = Hat (~r) + ∆U (~r). (7.11)
X
Asimismo, se prueba como solución Ψ~k (~r) = ~
C~k (R)Φ(~ ~ donde Φ es una
r − R),
~
R
combinación lineal de orbitales atómicos. Para que Ψ~k sea de la forma Bloch (7.1),
~ = ei~k·R~ , con lo que
se escoge el coeficiente de la forma C~k (R)
X ~ ~
Ψ~k (~r) = ~
eik·R Φ(~r − R). (7.12)
~
R
Sustituyendo (7.11) y (7.12) en la ecuación de Schrödinger, y teniendo en cuenta

sólo orbitales s [Φ(~r) = φs (~r)], se llega a
P ~ i~k·R~
β+ γ(R)e
~
R6=0
ε(~k) = εs − P , (7.13)
1+ ~ i~k·R~
α(R)e
~ =0
R6
donde
Z
β = − d3~r ∆U (~r) |φs (~r)|2 ,
Z
~
α(R) = ~
d3~r φ∗s (~r) φs (~r − R), (7.14)
Z
~
γ(R) = − ~
d3~r φ∗s (~r) ∆U (~r) φs (~r − R).
Generalmente es una buena aproximación quedarse sólo con la contribución de los

vecinos más próximos (R~ = {R~ 0 }), y despreciar α(R ~ 0 ) en el denominador, con lo
que X
ε(~k) ≈ εs − β − γ(R~ 0 )cos(~k · R
~ 0 ). (7.15)
~0
R
Ası́ pues, cada nivel atómico discreto da lugar a una banda posible de valores de
la energı́a (dependientes de ~k), cuya anchura está controlada por γ, que a su vez
es dependiente del grado de solapamiento de las funciones de onda atómicas de
átomos vecinos.
Implicaciones de la estructura de bandas en la conducción eléctrica.
Como se verá en detalle en el siguiente Capı́tulo, las bandas llenas no pueden
conducir una corriente eléctrica. Ası́ pues, teniendo en cuenta que el número de
electrones posibles en una banda es 2N (siendo N el número de celdas primitivas
del cristal), cabe distiguir varias posibilidades:
- Una sustancia con un número impar de electrones de valencia por celda
primitiva será siempre un metal (conductor).
- Si el número de electrones por celda primitiva es par, si las bandas no solapan
el material será aislante, y si solapan metal (o semimetal si el solapamiento
es pequeño). Podrı́a darse también el caso de aislantes con un gap de energı́a
tan pequeño (<1 eV) que para T 6= 0 K conduzcan por promoción térmica de
electrones de la banda de valencia a la de conducción (semiconductores).

1. Determina el número efectivo de electrones por átomo (Neff )
que debe tener un metal bcc para que la superficie de Fermi
correspondiente a dicha densidad de electrones, supuestos libres,
sea tangente a la frontera de la primera zona de Brillouin. ¿Y si la
estructura es fcc?
Solución:
a) Estructura bcc: Presenta 2 átomos por celda convencional. Por tanto,

la densidad electrónica es n = 2Neff /a3 y el radio de la superficie de
Fermi kF = (3π 2 n)1/3 = (6π 2 Neff /a3 )1/3 . La red recı́proca es una fcc de
parámetro de red 4π/a, y el radio más corto de la PZB (k0 ) corresponde
a 1/4 de la diagonal de una√cara de la celda convencional de la red
figura): k0 = 2π/a. Por lo tanto, kF coincide con k0
recı́proca (ver √
cuando Neff = 2π/3 ≈ 1.48.
b) Estructura fcc: En este caso hay 4 átomos por celda convencional y por
tanto n = 4Neff /a3 ⇒ kF = (12π 2 Neff /a3 )1/3 . La red recı́proca es
una bcc de parámetro de red 4π/a, y k0 corresponde a 1/4 de la diagonal
√
de la celda convencional de la red recı́proca
√ (ver figura): k0 = 3π/a.
Por lo tanto, kF = k0 cuando Neff = 3π/4 ≈ 1.36.
Merece la pena mencionar que aunque el número de electrones por

átomo es siempre entero para metales monoatómicos, no tiene por
qué serlo en el caso de aleaciones.
2. Sea un material bidimensional con estructura cuadrada mo-

noatómica (de átomos monovalentes) de parámetro de red a. Según
un modelo de e− fuertemente ligados, la relación de dispersión es
~2
ε(~
k) = [2 − cos(kx a) − cos(ky a)]. (7.16)
ma2
a) Comprueba que ε(~

k → 0) tiende al caso de electrones libres.
b) Dibuja la superficie de Fermi y determina la energı́a de Fermi.
Representa ε(~k) a lo largo de las direcciones [1,0] y [1,1].
c) Repite el anterior apartado suponiendo electrones libres.
Solución:
a) Cuando kx , ky → 0, cos(kx,y a) ≈ 1 − (kx,y a)2 /2, y por tanto
~2 ~2 k 2
ε(~k) ≈ [(kx a)2
+ (ky a)2
] = ,
2ma2 2m
que es justamente la expresión correspondiente a electrones libres.
b) Por lo visto en el Capı́tulo 2, la red recı́proca de una red cuadrada
de parámetro a también es cuadrada, con parámetro de red 2π/a. La
primera zona de Brillouin (PZB) es, por tanto, un cuadrado de lado
2π/a (ver siguiente figura). Las curvas equienergéticas dentro de la PZB
pueden obtenerse despejando ky de la relación de dispersión,
£ ¤
ky = a−1 arc cos 2 − ma2 ε/~2 − cos(kx a) ,
y representándolo frente a kx para distintos valores de ε (los números

en la siguiente figura son el valor de la energı́a en unidades de ~2 /ma2 ).
k
y
/a PZB
/a
k
x
0.5 1 1.5
2
2.5
3.5
Para determinar cuál de las curvas equienergéticas corresponde a

la energı́a de Fermi, hay que tener en cuenta que el material es
monoatómico y monovalente y que, por tanto, hay tantos electrones
de conducción como celdas primitivas (N ). Como en cada zona de
Brillouin hay sitio para 2N electrones, la PZB debe estar justo medio
llena. Como puede verse en la figura, los estados encerrados por la lı́nea
correspondiente a ε = 2~2 /ma2 (a trazos) ocupan exactamente la mitad
de la PZB, y por tanto esa energı́a es precisamente la energı́a de Fermi.
En la siguiente figura se representa ε(~k) dentro de la PZB a lo largo de
las direcciones [1,0] y [1,1], y se indican la energı́a de Fermi (en términos
de ε0 ≡ ~2 /ma2 ) y los correspondientes kF .
electrones electrones
libres libres
0 0
fuertemente
0 0
ligados
fuertemente
ligados
ka [1,0] ka [1,1]
0
2 2
c) Como se mencionó en el anterior apartado, al tratarse de un material

monoatómico y monovalente, los electrones de conducción deben ocupar
la mitad de la PZB. Por tanto, en el caso de electrones libres, la
superficie de√Fermi es un cı́rculo de radio kF , donde πkF2 = (2π/a)2 /2,
o sea kF = 2π/a (véase la siguiente figura).
k
y
/a PZB
electrones
libres
/a
k
x
fuertemente
ligados
La correspondiente energı́a de Fermi es εF = ~2 kF2 /2m = π~2 /ma2 =

πε0 . La representación gráfica de la relación de dispersión para
electrones libres se presenta en el anterior apartado, indicando también
la energı́a de Fermi y el vector de onda de Fermi.
3. Consideremos una red bidimensional en la que los iones ejercen un

potencial periódico débil sobre los electrones de la forma
µ ¶ µ ¶
2πx 2πy
U (x, y) = −4U cos cos .
a a
Hallar la anchura del intervalo prohibido de energı́a en el vértice
(π , π ) de la PZB.
a a
Solución:
El potencial indicado es periódico en las direcciones x e y, siendo a el perı́odo.
Por tanto, puede interpretarse como una red cuadrada con vectores base
~a1 = (a, 0) ~a2 = (0, a).
Los vectores base de la red recı́proca pueden obtenerse a partir de la relación
~ai · ~bj = 2πδij , resultando
µ ¶ µ ¶
~b1 = 2π , 0 ~b2 = 0, 2π .
a a
Los vectores de la red recı́proca son, por tanto, de la forma
~ = 2π (m1 , m2 ) ≡ Gm ,m
G 1 2
a
con lo que la red recı́proca resulta ser también una red cuadrada, siendo el
estado ~kPZB ≡ (π/a, π/a), en efecto, una esquina de la PZB (ver siguiente
figura).
Dado que ~kPZB está cuádruplemente degenerado, ε(~kPZB ) se calcula a partir
del sistema de ecuaciones (7.8):
m
X
[ε0 (~kPZB − G
~ i ) − ε]C~ ~i +
kPZB −G UG ~ i C~
~ j −G ~ j = 0 i = 1, · · · , 4.
kPZB −G
j=1
Aquı́ UG ~
~ son los coeficientes de Fourier del potencial, y Gi son los 4 vectores
de la red recı́proca tales que ~ki ≡ ~kPZB − G~ i sean equivalentes a ~kPZB . Con
ayuda de la figura puede comprobarse que estos vectores son G ~ 0,0 , G
~ 1,0 , G
~ 0,1
~
y G1,1 . Utilizando la notación
Ui,j ≡ UG
~ i,j Ci,j ≡ C~k−G
~ i,j
el sistema de ecuaciones anterior puede expresarse como:

(ε0 − ε)C0,0 + U0,0 C0,0 + U1,0 C1,0 + U0,1 C0,1 + U1,1 C1,1 = 0
(ε0 − ε)C1,0 + U−1,0 C0,0 + U0,0 C1,0 + U−1,1 C0,1 + U0,1 C1,1 = 0
(ε0 − ε)C0,1 + U0,−1 C0,0 + U1,−1 C1,0 + U0,0 C0,1 + U1,0 C1,1 = 0
(ε0 − ε)C1,1 + U−1,−1 C0,0 + U0,−1 C1,0 + U−1,0 C0,1 + U0,0 C1,1 = 0
Dado que el origen de energı́as del potencial puede escogerse de modo que
U0,0 = 0, el anterior sistema de ecuaciones puede expresarse en forma
matricial según
    
ε0 − ε U1,0 U0,1 U1,1 C0,0 0
 U−1,0 ε0 − ε U−1,1 U C  0 

0,1  
 
1,0 
 
 U0,−1 U1,−1 ε0 − ε U1,0   C0,1  =  0 

U−1,−1 U0,−1 U−1,0 ε0 − ε C1,1 0

Este sistema de ecuaciones tiene solución si el determinante de los coeficientes
es nulo: ¯ ¯
¯ ε0 − ε U1,0 U0,1 U1,1 ¯¯
¯
¯ U−1,0 ε0 − ε U−1,1 U0,1 ¯¯
¯ U0,−1 U1,−1 ε0 − ε U1,0 ¯ = 0
¯
¯ ¯
¯ U−1,−1 U0,−1 U−1,0 ε0 − ε ¯
Sólo falta por determinar los coeficientes de Fourier del potencial Ui,j . Para
ello compararemos el potencial del enunciado con la expresión general para
la expansión en serie de Fourier
X ~ r
X 2π
iG·~
U (x, y) = UG~ e = Um1 ,m2 ei a (m1 x+m2 y) .
~
G m1 ,m2
1 ix
Utilizando la relación cos x = 2 (e + e−ix ), se obtiene para el potencial del
enunciado
h 2π 2π 2π 2π
i
U (x, y) = −U ei a (x+y) + ei a (x−y) + ei a (−x+y) + ei a (−x−y) ,
con lo que los únicos coeficientes no nulos son U1,1 , U1,−1 , U−1,1 y U−1,−1 ,
todos ellos iguales a −U . Con esto, el anterior determinante resulta
¯ ¯
¯ ε0 − ε 0 0 −U ¯¯
¯
¯
¯ 0 ε0 − ε −U 0 ¯
¯ = (ε0 − ε)4 − 2U 2 (ε0 − ε)2 + U 4 =
¯
¯ 0 −U ε0 − ε 0 ¯
¯
¯ −U 0 0 ε0 − ε ¯
£ ¤2
= (ε0 − ε)2 − U 2 = 0 ⇒ ε = ε0 ± U
con lo que el intervalo prohibido de energı́a en (π/a, π/a) presenta una

amplitud ∆ε = 2U .
4. El potencial cristalino débil sobre los electrones de un cristal de

dos dimensiones viene dado por
U (x, y) = −5 + 0.1 cos(πx) + 0.3 cos(πy) (eV)
donde x e y están dados en Å.
a) Dibujar las dos primeras zonas de Brillouin.

b) Calcular los primeros intervalos de energı́a prohibidos a lo
largo de las direcciones [0,1], [1,0] y [1,1].
c) Suponiendo que cada átomo aporta dos electrones a las
bandas, dibuja aproximadamente la superficie de Fermi.
Solución:
a) El potencial indicado es periódico en las direcciones x e y, con perı́odo

a = 2 Å. Por tanto, puede interpretarse como una red cuadrada con
vectores base
~a1 = (2, 0) Å ~a2 = (0, 2) Å.
Los vectores base de la red recı́proca, obtenidos a partir de la relación
~ai · ~bj = 2πδij , son
~b1 = (π, 0) Å−1 ~b2 = (0, π) Å−1 .
La red recı́proca es cuadrada de lado π Å−1 . Las dos primeras zonas de

Brillouin son las que se indican en la siguiente figura.
b) Para calcular los intervalos de energı́a prohibidos es necesario conocer
los coeficientes de Fourier del potencial. La relación cos x = 21 (eix +e−ix )
permite expresarlo según
U (x, y) = −5 + 0.05eiπx + 0.05e−iπx + 0.15eiπy + 0.15e−iπy .

Comparando con la expansión en serie de Fourier

X ~ r
X
iG·~
U (x, y) = UG~ e = Um,n eiπ(mx+ny) ,
~
G m,n
[se ha utilizado que los vectores de la red recı́proca son de la forma

G~ = π(m, n) ≡ G~ m,n ], se obtiene que los únicos coeficientes de Fourier
no nulos son:
U0,0 = −5 eV
U1,0 = U−1,0 = 0.05 eV
U0,1 = U0,−1 = 0.15 eV
1) Primer intervalo prohibido en la dirección [1,0]: Ocurre en el borde
de la PZB en esa dirección. Su amplitud es ∆ε = 2 |U1,0 | = 0.1 eV.
2) Primer intervalo prohibido en la dirección [0,1]: Ocurre en el borde
de la PZB en esa dirección. Su amplitud es ∆ε = 2 |U0,1 | = 0.3 eV.
3) Primer intervalo prohibido en la dirección [1,1]: Ocurre en la
esquina de PZB. Las energı́as en ese punto vienen dadas por las
soluciones de la ecuación (ver ejercicio anterior)
¯ ¯
¯ ε0 − ε U1,0 U0,1 U1,1 ¯¯
¯
¯ U−1,0 ε0 − ε U−1,1 U0,1 ¯¯
¯ U0,−1 U1,−1 ε0 − ε U1,0 ¯ = 0.
¯
¯ ¯
¯ U−1,−1 U0,−1 U−1,0 ε0 − ε ¯
Teniendo en cuenta que U0,1 = U0,−1 y que U1,0 = U−1,0 , resulta

la siguiente ecuación cuadrática en (ε0 − ε)2 :
(ε0 − ε)4 − 2(U1,0

2 2
+ U0,1 )(ε0 − ε)2 + (U1,0
2 2 2
− U0,1 ) =0
cuya solución es
(ε0 − ε)2 = (U1,0 ± U0,1 )2
o bien 

 ε0 + 0.2 eV

ε0 + 0.1 eV
ε = ε0 ± (U1,0 ± U0,1 ) =

 ε0 − 0.1 eV

ε0 − 0.2 eV
El salto en energı́a puede ser, por tanto, ∆ε=0.1, 0.2, 0.3 ó 0.4 eV.
c) En cada zona de Brillouin (y en particular en la PZB) caben 2N
electrones, donde N es el número de celdas primitivas del cristal. Como
la red primitiva es monoatómica y cada átomo aporta 2 electrones, se
dispone de 2N electrones. Por tanto, los estados ocupados deben cubrir
una área en el espacio de fases igual a la de la PZB.
Si los electrones fuesen completamente libres y no existiese un gap de
energı́a sobre las fronteras de la PZB, los estados ocupados tendrı́an la
geometrı́a de un cı́rculo (ver anterior figura) de radio
µ ¶1/2 √
1/2 2 2 π −1
kF = (2πn) = 2π 2 = = 1.77 Å .
a a
La existencia del gap de energı́a sobre la frontera de la PZB podrı́a

alterar significativamente la geometrı́a de los estados ocupados (en el
lı́mite de que el gap fuese muy importante los estados ocupados tendrı́an
la geometrı́a de la propia PZB). Sin embargo, en el presente caso, el gap
de energı́a en las caras de la PZB (∆ε = 0.1, 0.3 eV), es mucho menor
que la energı́a de Fermi para electrones libres
~2 kF2
εF = = 11.8 eV.
2m
Por lo tanto, la superficie de Fermi será esencialmente circular (sólo se
verá muy levemente alterada en la proximidad de las caras de la PZB).
5. Demostrar que las relaciones de dispersión εn (~k) para un electrón

~ ~
en un cristal verifican εn (k) = εn (−k). Para eso, probar primero
que, por la hermiticidad del Hamiltoniano, a las funciones de onda
electrónicas Ψ~k y Ψ~∗k les corresponde la misma energı́a, y segundo
que por el teorema de Bloch Ψ~k y Ψ∗−~k tienen asociado el mismo
~
k y por tanto la misma energı́a.
Solución:
Se parte de la ecuación de Schrödinger:
HΨ~k = ε(~k)Ψ~k
Conjugando ambos lados de la igualdad y utilizando el hecho de que H es

hermı́tico y ε(~k) real se obtiene:
(HΨ~k )∗ = HΨ~∗k = ε(~k)Ψ~∗k .
Comparando ambas ecuaciones resulta evidente que Ψ~k y Ψ~∗k presentan la

misma energı́a, ε(~k).
Por otro lado, según el teorema de Bloch se tiene que
~ = ei~k·R~ Ψ~ (~r).
Ψ~k (~r + R) k
Conjugando esta expresión se obtiene
~ = e−i~k·R~ Ψ∗ (~r)
Ψ~∗k (~r + R) ~
k
con lo que Ψ~∗k es equivalente a Ψ−~k . Unido a que Ψ~∗k y Ψ~k deben tener la
misma energı́a, se llega a que ε(~k) = ε(−~k).
6. Determinar la anchura de los tres primeros intervalos de energı́a

prohibida para el potencial unidimensional de la figura, con U0 ≪
~2 /ma2 .
Solución:
Como U0 es pequeño frente a la energı́a cinética, podemos utilizar la
aproximación de electrones cuasilibres, según la cual los intervalos de energı́a
prohibida vienen dados por ∆ε = 2|UG |, donde UG son los coeficientes de
Fourier del potencial:
Z a Z 3a/4
1 −iGx U0 iU0 ³ −i3aG/4 ´
UG = U (x) e dx = e−iGx dx = e − e−iaG/4 .
a 0 a a/4 aG
Dado que los vectores de la red recı́proca son de la forma Gn = 2πn/a (siendo
n entero), la solución final es

´  0 si n = par
iU0 ³ −i3πn/2
Un = e − e−iπn/2 = −U0 /πn si n = 1, 5, 9
2πn 
U0 /πn si n = 3, 7, 11
Por tanto, los tres primeros intervalos de energı́a prohibida ocurren en los
planos Bragg correspondientes a G1 , G3 y G5 , siendo sus anchuras:
∆ε1 = 2|U1 | = 2U0 /π = 0.63U0

∆ε2 = 2|U3 | = 2U0 /3π = 0.21U0
∆ε3 = 2|U5 | = 2U0 /5π = 0.13U0
7. El modelo de Kronig-Penney es un modelo unidimensional

resoluble para el problema de un electrón en un potencial
periódico. La energı́a potencial supuesta para los átomos es la que
se ilustra en la figura.
A partir de resolver la ecuación de Schrödinger para el electrón se

encuentra que la relación de dispersión puede aproximarse por
sen(αa)
cos(ka) = cos(αa) + P
αa
p
en el lı́mite a ≫ b, donde α = 2mε/~2 y P = bU0 ma/~2 es
un parámetro adimensional que da cuenta de la amplitud de las
barreras. Sacar todas las consecuencias posibles de la ecuación
anterior. Contestar por ejemplo:
a) ¿Hay intervalos de energı́a prohibidos?

b) ¿Qué se puede decir de la velocidad de los electrones? ¿Ocurre
v = 0 en los bordes de zona?
c) ¿Qué pasa para P → 0 y P → ∞?
d) ¿Qué influencia tienen a y b?
Solución:
a) Sea la siguiente función
sen(αa)
f (αa) ≡ cos(αa) + P ,
αa
cuya graficación es:
1+P
f( a)
0 a
-1
Intervalos prohibidos
Como la relación de dispersión cos(ka) = f (αa) tiene solución sólo si

f (αa) < 1, aparecen intervalos prohibidos de energı́a en las posiciones
indicadas en la figura. La anchura de los mismos va disminuyendo
con αa pues sen(αa)/αa → 0 cuando αa → ∞ y por tanto f (αa)
tiende a confinarse entre 1 y -1, donde todas las soluciones son posibles.
Asimismo, los intervalos prohibidos de energı́a aumentan con P . Es
importante mencionar también que dichos intervalos prohibidos de
energı́a aparecen en las fronteras de las zonas de Brillouin. En efecto, si
nπ
f (αa) = ±1 ⇒ cos(ka) = ±1 ⇒ k = → fronteras de zona en 1D.
a
b) La velocidad de los electrones es proporcional a ∂ε/∂k. Si derivamos

respecto a k ambos lados de la expresión cos(ka) = f (αa), se obtiene:
µ ¶
∂f ∂α ∂f ∂α ∂ε
−asen(ka) = = .
∂α ∂k ∂α ∂ε ∂k
Particularizando para los valores de k donde ocurren los gap de energı́a,

kgap = nπ/a, se obtiene
µ ¶ r µ ¶
∂f m ∂ε
0=
∂α αgap 2~2 ε ∂k kgap
A la vista de la figura, ∂f /∂α es siempre distinto de cero en los valores

de α en donde aparece el gap, luego la única posibilidad es que
µ ¶
∂ε
v(kgap ) = = 0.
∂k kgap
c) -Cuando P → 0 se tendrı́a que tender a la solución del electrón libre.

En efecto, se encuentra que
2π ~2 (k + 2πn/a)2
cos(αa) = cos(ka) ⇒ α = k + n⇒ε= ,
a 2m
que es la solución en la aproximación de “red vacı́a”.
-Cuando P → ∞, se tiene que f (αa) sólo es finito si P sen(αa) es finito,
lo que implica que
π ~2 π 2
sen(αa) = 0 ⇒ αa = nπ ⇒ α = n ⇒ ε = n2 ,
a 2ma2
que son justamente los niveles discretos de energı́a de un pozo de
potencial infinitamente profundo.
d) Cuando a aumenta a costa de b (manteniendo constante el parámetro
de red, a + b), P = bU0 ma/~2 → 0. Como era de esperar, y por lo
visto en el apartado anterior, se tiende a la solución correspondiente a
la aproximación de “red vacı́a”.
8. a) ¿Es cierto que una sustancia con un número impar de

electrones de valencia por átomo siempre será un conductor?
b) ¿Un aislante siempre tiene un número impar de electrones por
celda primitiva?
Solución:
a) No. Lo importante es el número de electrones por celda primitiva. Si,

por ejemplo, la base fuese diatómica habrı́a un número par de electrones
por celda, y el material podrı́a ser aislante.
b) No. Es justamente al contrario. Un aislante tiene bandas completamente
llenas. Como en cada banda caben 2N electrones (siendo N el número
de celdas primitivas) un aislante siempre tiene un número par de
electrones por celda primitiva.
9. Deriva la expresión para la energı́a de una banda s en la

aproximación de electrones fuertemente ligados para un cristal
monoatómico f cc. Particulariza para las siguientes direcciones en
el espacio de fases: a) [1,0,0], b) [1,1,1], c) [1,1,0], d) [2,1,0].
Solución:
Según la Ec. (7.15) la energı́a viene dada por
X
ε(~k) = εs − β − γ cos(~k · R
~ 0 ),
~0
R
donde los R~ 0 son vectores de posición de los vecinos más próximos a cierto
átomo de referencia. Para la estructura fcc hay 12 vecinos más próximos,
siendo los correspondientes R~ 0 (relativos al átomo de referencia):
³ a a ´ ³ a a´ ³ a a´
± , ± , 0 , ± , 0, ± , 0, ± , ± ,
2 2 2 2 2 2
donde a es el parámetro de red de la celda cúbica convencional. Por tanto,
n ha i ha i ha i
ε(~k) = εs − β − γ cos (kx + ky ) +cos (kx + kz ) +cos (ky + kz ) +
2 2 2
ha i ha i ha i
+ cos (kx − ky ) + cos (kx − kz ) + cos (ky − kz ) +
2 2 2
ha i ha i ha i
+ cos (−kx + ky ) + cos (−kx + kz ) + cos (−ky + kz ) +
2 2 2
ha i ha i ha io
+ cos (−kx − ky ) + cos (−kx − kz ) + cos (−ky − kz ) .
2 2 2
Utilizando que cos(α) = cos(−α) se obtiene finalmente
n ha i ha i ha i
ε(~k) = εs −β −2γ cos (kx + ky ) +cos (kx + kz ) +cos (ky + kz ) +
2 2 2
ha i ha i ha io
+ cos (kx − ky ) + cos (kx − kz ) + cos (ky − kz ) . (7.17)
2 2 2
Esta expresión para ε(~k), que corresponde a la primera banda de energı́a,
es aplicable en la primera zona de Brillouin (PZB). Como la red directa es
una fcc con parámetro de red a, la red recı́proca es una bcc (véase Capı́tulo
2) con parámetro de red 4π/a. La correspondiente PZB se representa en la
siguiente figura.
a) Dirección [1,0,0].
Sustituyendo ky = kz = 0, kx = k en (7.17) resulta
ε(k) = εs − β − 4γ[1 + 2 cos(ak/2)].
Esta expresión tiene validez hasta el lı́mite de la PZB en la dirección

kx , que a la vista de la anterior figura es kPZB = 2π/a.
b) Dirección [1,1,1].
Esta dirección viene determinada por kx = ky = kz . Sustituyendo en
(7.17) resulta
ε(~k) = εs − β − 6γ[cos(akx ) + 1].
Como el módulo de √ un vector de onda en esa dirección es
k = (kx2 + ky2 + kz2 )1/2 = 3kx , resulta finalmente
√
ε(~k) = εs − β − 6γ[cos(ak/ 3) + 1].
Esta expresión tiene validez hasta el lı́mite de la PZB en

√ la dirección
[1,1,1] (centro de una de las caras hexagonales), kPZB = 3π/a.
c) Dirección [1,1,0].
Esta dirección viene determinada por kx = ky , kz = 0. Sustituyendo en
(7.17) resulta
ε(k) = εs − β − 2γ[cos(akx ) + 4 cos(akx /2) + 1].
Como el módulo √de un vector de onda en esa dirección es

k = (kx2 + ky2 )1/2 = 2kx , resulta finalmente
√ √
ε(k) = εs − β − 2γ[cos(ak/ 2) + 4 cos(ak/2 2) + 1].

[1,1,0]. A la vista de la anterior figura, ese lı́mite coincide con la
intersección de la la dirección kx = ky , kz = 0, con la cara hexagonal
perpendicular a la dirección [1,1,1]. Dicha cara hexagonal está definida
√
por la ecuación kx +ky +kz = 3π/a.1 Por tanto, se tiene kPZB = 3π/ 2a.
1 Un vector apuntando a cualquier punto dentro de dicha cara hexagonal puede expresarse
como ~k = ~kk + ~k⊥ , donde ~k⊥ = π

a
(1, 1, 1) y ~kk es un vector paralelo a la cara. Como ~k · n̂111 =
¯ ¯ √
¯~ ¯ ~
¯k⊥ ¯ = a , y además k · n̂111 = √1 (kx + ky + kz ), resulta que kx + ky + kz = 3π
3π
3 a
.
d ) Dirección [2,1,0].
Esta dirección viene determinada por kx = 2ky , kz = 0. Sustituyendo
en (7.17) resulta
ε(~k) = εs − β − 2γ[cos(3aky /2) + 3 cos(aky /2) + 2 cos(aky )].
Como el módulo √de un vector de onda en esa dirección es

k = (kx2 + ky2 )1/2 = 5ky , resulta finalmente
√ √ √
ε(k) = εs − β − 2γ[cos(3ak/2 5) + 3 cos(ak/2 5) + 2 cos(ak/ 5)].

[2,1,0]. A la vista de la anterior figura,
√ ese lı́mite ocurre en ~kPZB =
(2π/a, π/a, 0), de módulo kPZB = 5π/a.
La representación gráfica de ε(k) para las cuatro direcciones es la siguiente
[2,1,0]
- +4
s
[1,0,0]
[1,1,0]
-
s
[1,1,1]
- -12 ka
s
3 2 3 5
2
10. Estudiar si la derivada normal de ε se se anula, o sea si

(∂ε/∂~ k) · n̂ = 0, en las distintas caras de la frontera de la PZB (n̂
es la normal a la frontera de la PZB) para el ejemplo del problema
anterior.
Solución:
Recuérdese que ∂ε(~k)/∂~k determina la velocidad de grupo de un paquete de
ondas Bloch con vector de onda en torno a ~k. A la vista de la expresión para
ε(~k) obtenida en el problema anterior, se tiene que
∂ε ∂ε ∂ε ∂ε
= ı̂ + ̂ + k̂ =
∂~k ∂kx ∂ky ∂kz
½ ¾
a(kx + ky ) a(kx + kz ) a(kx − ky ) a(kx − kz )
= γa sen + sen + sen + sen ı̂ +
2 2 2 2
½ ¾
a(ky + kx ) a(ky + kz ) a(ky − kx ) a(ky − kz )
+γa sen + sen + sen + sen ̂ +
2 2 2 2
½ ¾
a(kz + kx ) a(kz + ky ) a(kz − kx ) a(kz − ky )
+γa sen + sen + sen + sen k̂.
2 2 2 2
Tal y como puede verse en la figura, la PZB presenta caras cuadradas y

hexagonales.
- Caras cuadradas: Por simetrı́a, todas ellas son equivalentes, ası́ que se
estudia sólo la que es perpendicular al vector unitario n̂100 = (1, 0, 0). La
correspondiente derivada normal es
∂ε(~k) ∂ε(~k)
· n̂100 = =
∂~k ∂kx
½ ¾
a(kx + ky ) a(kx + kz ) a(kx − ky ) a(kx − kz )
= γa sen + sen + sen + sen
2 2 2 2
Particularizando para kx = 2π a , (que define la cara de la PZB perpendicular

a n̂100 ), y utilizando la propiedad sen(π ± x)=∓sen(x) se tiene finalmente
µ ¶
∂ε(~k) aky akz aky akz
· n̂100 = γa −sen − sen + sen + sen = 0,
∂~k 2 2 2 2
con lo cual la derivada normal es nula en toda la cara.

- Caras hexagonales: También por simetrı́a todas ellas son equivalentes,
ası́ que se estudia sólo la que es perpendicular al vector unitario n̂111 =
√1 (1, 1, 1). La correspondiente derivada normal es

3
µ ¶
∂ε(~k) 1 ∂ε ∂ε ∂ε
· n̂111 = √ + + =
∂~k 3 ∂kx ∂ky ∂kz
2γa n ha i ha i ha io
= √ sen (kx + ky ) + sen (kx + kz ) + sen (ky + kz )
3 2 2 2
(se ha utilizado la relación sen(x)=−sen(−x)). Utilizando ahora la ecuación

que define la citada cara hexagonal (kx +ky +kz = 3π a , ver ejercicio anterior),
y la relación trigonométrica sen(α − β) = sen(α) cos(β) − cos(α)sen(β), se
obtiene finalmente
· µ ¶ µ ¶ µ ¶¸
∂ε(~k) 2γa kx a ky a kz a
· n̂111 = − √ cos + cos + cos .
∂~k 3 2 2 2
Es inmediato comprobar que esta expresión no se anula para un punto
arbitrario dentro de la cara hexagonal (aunque sı́ lo hace, por ejemplo, para el
punto ~k = πa (1, 1, 1) correspondiente al centro geométrico). En contraste con
este resultado, el modelo de electrones cuasilibres predice que las superficies
equipotenciales son siempre perpendiculares a los planos Bragg, es decir, la
velocidad de grupo electrónica hacia el plano Bragg es nula.
11. Los metales alcalinos (estructura bcc) tienen iones de carga

eléctrica +e con la configuración electrónica de los gases nobles,
por fuera de los cuales se mueve un electrón de conducción por
átomo. Tratando a estos electrones como libres, determinar el radio
de la esfera de Fermi y compararla con el tamaño de la primera
zona de Brillouin. Razonar de ahı́ por qué los metales alcalinos se
ajustan bien al modelo de electrones libres.
Solución:
El radio de la esfera de Fermi viene dado por kF = (3π 2 n)1/3 , donde n es la
concentración de portadores. Dado que cada átomo aporta un electrón a la
conducción, y la estructura bcc presenta dos átomos en la celda convencional
cúbica de parámetro de red a, se tiene que
µ ¶1/3
2 (6π 2 )1/3
kF = 3π 2 = .
a3 a
El radio mı́nimo
√ de la PZB para la estructura bcc fue calculado en el problema
1 y es k0 = 2π/a. La relación entre ambos es kF /k0 ≈ 0.877, o sea, la
superficie de Fermi no llega a tocar la frontera de la PZB, que es donde el
efecto de un potencial periódico débil es apreciable. Es por ello por lo que la
aproximación de electrones libres funciona tan bien en el caso de los metales
alcalinos.
12. Considerando un cristal bidimensional con red cuadrada, comparar

la energı́a cinética de un electrón libre en un vértice de la PZB
con la correspondiente al centro de una de las caras de la PZB.
¿Cuál es el factor en el caso de una red cúbica simple? Discutir si
esto puede tener algo que ver con la conductividad eléctrica de los
metales divalentes.
Solución:
Si la red cuadrada simple tiene como parámetro de red a, un vértice de
la PZB tiene como coordenadas ~kesq = (π/a, π/a) y el centro de una cara
~kcara = (π/a, 0). La energı́a de un electrón libre con esos vectores de onda
son
~2 kesq
2
~2 π 2
εesq = =
2m ma2
~2 kcara
2
~2 π 2
εcara = =
2m 2ma2
O sea, εesq = 2εcara .
En el caso de una red cúbica simple, una esquina de la PZB tiene como
coordenadas ~kesq = (π/a, π/a, π/a) y el centro de una cara ~kcara = (π/a, 0, 0).
Las correspondientes energı́as son ahora
~2 kesq
2
~2 3π 2
εesq = =
2m 2ma2
~2 kcara
2
~2 π 2
εcara = =
2m 2ma2
O sea, εesq = 3εcara .
Este hecho tiene que ver, en efecto, con la conductividad de los metales
divalentes. Aunque estos materiales tienen los portadores exactos para llenar
completamente la PZB, resulta energeticamente rentable que empiece a
ocuparse la SZB (aún a costa de saltar el gap de energı́a) antes que ocupar
las muy energéticas esquinas de la PZB. En esta situación, la SZB conduce
por electrones y la PZB por huecos.
13. Considerar una estructura cristalina bidimensional, de red

cuadrada (con parámetro de red a) y base formada por dos átomos
idénticos en (0,0) y ( a2 , a4 ).
a) En la aproximación de electrones cuasilibres, indicar a lo largo

de qué direcciones y entre qué bandas no se observará el gap
de energı́a (dar algunos ejemplos).
b) ¿Encuentras que puede haber una relación entre los “ceros”

del factor de estructura de la base (visto en el Capı́tulo 2) y
la anulación del gap de energı́a en determinadas direcciones?
c) ¿Podrı́a este efecto hacer que un material que fuera a ser
aislante (por llenado de bandas) pasara a ser conductor?
Solución:
a) Según la aproximación de electrones cuasilibres, el intervalo de energı́a

prohibido sobre un plano Bragg (asociado a un vector de la red recı́proca
~ viene dado por ∆ε = 2|U ~ |, donde U ~ es el correspondiente
G) G G
coeficiente de Fourier del potencial periódico. En el caso de tener un
material con una base poliatómica aunque de átomos idénticos, dicho
potencial puede expresarse según
X
U (~r) = u(~r − ρ
~)
ρ
~
donde u(~r) es el potencial periódico asociado a un único átomo en

el origen, y ρ~ es el vector de posición de los átomos en la base. Los
coeficientes de Fourier de U (~r) pueden obtenerse a partir de
Z X 1 Z
1 3 ~ r
−iG·~ ~
UG~ = d ~r e U (~r) = d3~r e−iG·~r u(~r−~
ρ)
Vcelda celda Vcelda celda
ρ
~
Haciendo ahora el cambio de variable ~r → ~r + ρ ~, y teniendo en cuenta

que d3 (~r + ρ
~) = d3~r, se obtiene
Z
X ~ ρ
−iG·~ 1 ~
X ~
UG ~ = e d3 ~r e−iG·~r u(~r) = uG~ e−iG·~ρ
Vcelda celda
ρ
~ ρ
~
donde uG ~ son los coeficientes de Fourier del potencial monoatómico

u(~r). El gap de energı́a ∆ε = |2UG ~
~ | se anuları́a para aquellos G tal que
uG
~ = 0, pero también para aquellos tales que
X ~
e−iG·~ρ = 0.
ρ
~
Teniendo en cuenta que la red descrita en el enunciado es cuadrada con

perı́odo a, los vectores de la red recı́proca son G~ = 2π (h, k) (con h y
a
k enteros). Asimismo, los vectores de posición de los átomos en la base
son ρ~1 = (0, 0) y ρ
~2 = (a/2, a/4). Por tanto, la anterior ecuación puede
expresarse según · µ ¶¸
k
1 + exp −iπ h + =0
2
que se verifica cuando h + k/2 = impar, por ejemplo:
(h, k) = (0, ±2), (0, ±6), (0, ±10), ...

= (±1, 0), (1, ±4), (1, ±8), ...
= (±2, ±2), (±2, ±6), (±2, ±10), ...
Los planos Bragg de más bajo ı́ndice para la red cuadrada se representan
en la siguiente figura. Aquellos para los cuales el gap de energı́a se anula
se representan con lı́neas discontinuas.
P −iG·~ ~ ρ
b) La expresión ~e
ρ es, efectivamente, proporcional al factor de
estructura de la base atómica SG ~ de cristales con átomos idénticos
(véase el Capı́tulo 2). Ası́ pues, en ese tipo de cristales el gap de energı́a
se anuları́a en los planos Bragg asociados a vectores G ~ para los que
SG~ = 0.
c) Aunque UG ~ = 0 en los planos Bragg para los que SG ~ = 0, no significa

necesariamente que el gap desaparezca, pues sólo serı́a cierto en la
aproximación de electrones cuasilibres. Si el material iba a ser aislante
es que el efecto del potencial es intenso, en cuyo caso no serı́a válida
dicha aproximación. Esto no impide decir que el factor de estructura
nulo debilita localmente el efecto del potencial.

1. En el aluminio (fcc con parámetro de red a = 4.05 Å), encontrar el orden de
la degeneración del estado ~kA = 2π 1
a ( 2 , 0, 1), ası́ como su energı́a.
Datos: H = p2 /2m∗ + V , siendo m∗ = 1.72me y U un potencial débil cuyos
coeficientes de Fourier toman únicamente dos valores no nulos:
~ = 0.40 eV para G
U (G) ~ = 2π (1,1,1)
a
~ = 0.75 eV para G
U (G) ~ = 2π (2,0,0)
a
~ ′ ) = U (G)
U (G ~ si |G
~ ′ | = |G|
~
~ = 0 para cualquier otro G
U (G) ~
Solución: Cuádruplemente degenerado. ε = 6.58 eV, 7.38 eV (doble), y 8.17 eV.
2. En cierto metal divalente, de estructura cúbica simple y parámetro de red

a = 0.3 nm, la relación de dispersión (isótropa) para electrones en las bandas
más bajas puede aproximarse por εi (k) = 5i + (−1)i 0.9 cos(ka) eV, siendo
i = 1, 2 el ı́ndice de banda. Representar las bandas en las direcciones (100)
y (111). ¿Existe más de una banda ocupada? ¿Cuál es la energı́a de Fermi?
¿Cuál serı́a (la energı́a de Fermi) si el cristal fuese momovalente?
Solución: Divalente: sólo la primera banda está ocupada (completamente llena), y εF = 5.9
eV. Monovalente: la primera banda está parcialmente ocupada, y εF = 5.6 eV.
3. Considérese la aleación binaria de CuZn. Esta aleación sufre cambios

estructurales al ir variando la proporción de Cu y Zn. Cuantitativamente
es útil argumentar con el número medio n de electrones de conducción por
átomo (el Cu aporta uno y el Zn dos). Resulta que para el cobre puro (n = 1)
la fase es fcc. Al ir aumentando la concentración de cinc (y por tanto n) esta
fase se mantiene hasta que n llega a valer aproximadamente 1.36. A partir de
entonces, si se sigue añadiendo cinc empieza a aparecer una fase bcc, hasta
que para n ≥ 1.48 todo es bcc. ¿Para qué valor de n la esfera de Fermi toca
la frontera de la primera zona de Brillouin de una red fcc? ¿Por qué crees
que hay una relación entre el valor n al cual aparece una nueva fase y el
valor de n al cual la superficie de Fermi toca el lı́mite de la primera zona de
Brillouin?
Solución: La esfera de Fermi toca la PZB de una fcc cuando n = 1.36. Para n mayores,
algunos electrones deben superar el gap de energı́a sobre la PZB. El cambio a la estructura
bcc podrı́a ser energéticamente rentable porque “aleja” la frontera de la PZB (la esfera de
Fermi tocarı́a la PZB de la bcc precisamente para n = 1.48).
4. Sea una red rectangular con a = 0.3 nm y b = 0.4 nm con un átomo tipo A
en (0,0) y otro tipo B en (1/2,1/2). Se dispone de dos electrones cuasilibres
por molécula AB. Si los coeficientes de Fourier del potencial son U10 = 2 eV,
U01 = 1 eV, y U11 = 1.5 eV, ¿el material es conductor o aislante?
Solución: Es conductor, por huecos en la PZB y electrones en la SZB.
5. Un modelo muy útil para metales consiste en considerar al conjunto de

electrones de valencia liberados de los átomos “padres” formando un gas
(gas de Fermi). Un gas familiar es el aire. Brevemente, ¿qué diferencias y
analogı́as hay entre ambos?
Solución: La principal diferencia reside en que la energı́a total del estado fundamental es
muchisimo mayor en el caso del gas de electrones. Una similitud es que en ambos sistemas
es aplicable la teorı́a cinética para calcular propiedades de transporte.
6. Considerar la posibilidad de metales unidimensionales (1D). Utilizando como

herramienta conceptual la aproximación de electrones cuasilibres, ¿puede
haber aislantes, semimetales, semiconductores y conductores igual que en
3D?
Solución: Puede haber aislantes, semiconductores y metales, pero no semimetales porque
en el marco de ese modelo no puede haber solapamiento de bandas.
7. Considérense tres hipotéticos sólidos bidimensionales con concentraciones

electrónicas n1 = 1.30 × 1014 cm−2 , n2 = 1.20 × 1015 cm−2 , n3 = 2.49 ×
1015 cm−2 , y parámetros de celda primitiva rectangular a1 = 2a2 = 0.625
nm. Suponiendo superficies de Fermi circulares, ¿cómo será en cada sólido
la contribución de los portadores a la conductividad eléctrica?
Solución: Para n1 la PZB está llena a menos de la mitad, conduce por electrones en esa
zona. Para n2 la PZB está llena a más de la mitad y la SZB a menos de la mitad, conduce
por huecos en la PZB y electrones en la SZB. Para n3 la PZB y SZB están llenas y la
TZB y CZB llenas a menos de la mitad, conduce por electrones en la TZB y la CZB.
8. Considerar una sustancia (elemental) con un número par de electrones por

celda primitiva que es conductor (se observa experimentalmente). ¿Qué se
puede deducir de su estructura de bandas? ¿Debe haber igual número de
electrones que de huecos? Lo que acabas de decir ¿se aplicarı́a al grafito
(cuya estructura es como se esquematiza)?
Solución: El material debe presentar solapamiento de bandas, y no tiene por qué tener el
mismo número de electrones que de huecos. El grafito cumple las premisas del enunciado,
y las anteriores conclusiones podrı́an serle aplicables.
9. Cada átomo de un cristal monoatómico de estructura cúbica simple con

parámetro de red de 4 Å aporta dos electrones de valencia. Discutir,
en la aproximación de red vacı́a (el potencial periódico es practicamente
inexistente), si es aislante o conductor y en este caso si la conducción es por
electrones o por huecos.
Solución: Conduce por electrones en la PZB y huecos en la SZB.
10. El grafito está formado por átomos de carbono (1s2 2s2 2p2 ) solamente, al
igual que el diamante. El primero conduce eléctricamente, en tanto que el
segundo no. ¿Cómo se puede interpretar esta diferencia desde la teorı́a de
bandas?
Solución: Ambos tienen un número par de electrones por celda primitiva (los necesarios
para tener una estructura de bandas llenas). En el diamante εg ≈ 5.5 eV, pero en el grafito
εg llega a anularse y se comporta como un semimetal.
11. Un cristal bidimensional tiene un átomo monovalente en una celda primitiva

rectángular simple (a = 2 Å, b = 3 Å).
a) Dibujar las dos primeras zonas de Brillouin.

b) Calcular el radio del circulo de Fermi de electrones libres.
c) Representar el circulo de Fermi sobre las zonas de Brillouin.
d) ¿Es la conducción por electrones o por huecos?. ¿Y si el átomo por celda
primitiva fuese divalente?
Solución: a)
p
b) kf = 2π/ab = 1.02 Å−1 . c) Ver anterior figura. d) Es indiferente (SF ocupa la mitad
de la PZB). Si fuese divalente conducirı́a por huecos en la PZB y electrones en la SZB.
12. Sea un material bidimensional cuya red es rectangular de parámetros a = 3

Å y b = 2 Å. La relación de dispersión electrónica es la de un modelo de
electrones cuasilibres de modo que en las proximidades de los extremos de
la zona de Brillouin la curva de dispersión se desdobla generando un gap
de energı́a de valor 2U/(n21 + n22 ), donde (n1 , n2 ) son las componentes del
vector de red recı́proca asociado. Determina y representa las relaciones de
dispersión de la primera banda de energı́a en las direcciones [1 0],[0 1] y [1
0.5].
Solución: Dirección [1,0]:

 s 
µ ¶
~2  2 2π 2 2π 4π 2 ³ π ´2 2mU 2  h πi
ε(k) = k + 2 − k− 2
k− + 2
, k ∈ 0, .
2m a a a a ~ a
Dirección [0,1]:
 s 
µ ¶
~2  2 2π 2 2π 4π 2 ³ π ´2 2mU 2  h πi
ε(k) = k + 2 − k− k − + , k ∈ 0,
2m b b b2 b ~2 b
Dirección [1,0.5]:
 s 
µ ¶ · ¸
~2  2 2π 2 2πkγ 4π 2 ³ π ´2 2mU 2  π
ε(k) = k + 2 − − kγ − + , k ∈ 0,
2m a a a2 a ~2 aγ
p
con γ = 1/ 1 + (a/2b) .2
13. Critica la veracidad de las siguientes afirmaciones sobre el efecto de un

potencial periódico débil sobre los estados electrónicos:
a) El potencial sólo actúa significativamente sobre los estados electrónicos
cuyo vector de onda coincide con un vector de la red recı́proca.
b) El potencial cambia fuertemente aquellos estados electrónicos que
tienen una energı́a coincidente con la de otros estados (existen otros
estados con la misma energı́a).
c) El gap aparece para las fronteras de zona (planos Bragg).
Solución: a) Falso. b) Falso. c) Verdadero.
14. Sea una red monoatómica hexagonal bidimensional de parámetro √ de red a.

Su red recı́proca también es hexagonal, y su parámetro de red 4π/ 3a (ver
figura).
a) Dibuja la primera, segunda y tercera zonas de Brillouin.

b) Dibuja la circunferencia de Fermi en la aproximación de electrones
libres, en los casos en que cada átomo aporte uno o dos electrones.
c) Si los electrones están sometidos al potencial periódico creado por el
cristal, razona si el material debe ser conductor o aislante en cada uno
de los dos casos anteriores. ¿Dependerı́a de la amplitud del gap de
energı́a en las fronteras de la PZB?
Solución: a) y b) Ver figura:
c) Si N = 1 serı́a conductor. Si N = 2 hay electrones suficientes para llenar por completo la

PZB. Si el gap de energı́a en la frontera de la PZB es suficientemente elevado será aislante,
si no lo es, conducirá por huecos en la PZB y electrones en la SZB.
15. Sea una estructura cristalográfica como la de la figura. Tanto los átomos
“blancos” como los “negros” aportan un electrón a la conducción.
a) Discute si el material serı́a aislante o conductor (indicando en este

último caso el tipo de portador mayoritario) en la aproximación de
electrones libres.
b) Haz la misma discusión, pero ahora suponiendo que los átomos crean
sobre los electrones un potencial periódico cuyo efecto es un gap de
energı́a de 1 eV sobre todo el borde de la primera zona de Brillouin.
Solución: a) Conduce por electrones. b) Conduce por huecos en la PZB y electrones en la

SZB.
16. Considerar un metal cúbico simple (a = 1 Å) tres de cuyos electrones tienen
−1 −1
como vectores de onda, ~k1 = (10−2 , 0, 0) Å , ~k2 = (1, 1, 0) Å y ~k3 =
−1
(π, π/3, 0) Å . En la aproximación de electrones cuasilibres, ¿cuál de ellos
es el más afectado por el potencial periódico (se aparta más del resultado
para e− libres)?
Solución: ~k3 está sobre la frontera de la PZB, donde mayor influencia tiene el potencial.
17. a) Explica brevemente cuál es el efecto de un potencial periódico débil

sobre la relación de dispersión electrónica.
b) Dar alguna razón por la que los metales alcalinos, a diferencia de otros
como Al, Bi, etc, se ajustan bien a las predicciones del modelo de
electrones libres.
c) Razona si es cierto que una sustancia con un número impar de electrones
de valencia por átomo siempre será un conductor.
d) Razona si es cierto que una sustancia con un número par de electrones
de valencia por celda primitiva siempre será un aislante.
Solución: a) Intervalos prohibidos de energı́a en las fronteras de las zonas de Brillouin.
b) Al ser monovalentes los estados ocupados no alcanzan las fronteras de las zonas de
Brillouin. c) No, serı́a ası́ si tuviese un número impar de electrones por celda primitiva.
d) No, podrı́a haber solapamiento de bandas.
18. Discute el carácter conductor, semiconductor o aislante de las estructuras a)

y b) teniendo en cuenta que los átomos que las forman son divalentes, y que
el potencial periódico que ejercen sobre los electrones del mar de Fermi es el
que se indica.
a) Cadena lineal: U (x) = 0.1 cos( 2πx

a ) eV
2πy
b) Red cuadrada: U (x, y) = 0.1 cos( 2πx
a ) cos( a ) eV
Solución: a) Semiconductor: tiene la 1a banda llena y εg = 0.1 eV > kB T a 300 K. b)

∼
Conductor, por el solapamiento de las dos primeras bandas.
19. Considera un metal unidimensional con átomos espaciados regularmente.

Cada átomo aporta un electrón a la conducción.
a) Calcula y representa la relación de dispersión de la primera banda ε(k)

utilizando la aproximación de electrones fuertemente ligados. Considera
sólo orbitales s.
b) Calcula y representa la correspondiente densidad de estados electrónicos
D(ε).
c) Calcula una expresión para la energı́a electrónica total (utiliza T ≈ 0
K).
N
p
Solución: a) ε(k) = ε0 − β − 2γ cos(ka). b) D(ε) = πγ
/ 1 − (ε − ε0 + β)2 /4γ 2 .
L
c) U0 = (ε
a 0
− β − 4γ/π)
20. Sean los dos cristales unidimensionales de la figura.
Los iones ejercen un potencial periódico débil sobre los electrones de

conducción, que da lugar a un gap de energı́a en las fronteras de zona. Cada
átomo aporta 1 electrón a la conducción.
a) Discute si a T = 0 K son conductores o aislantes.

b) Discute para cuál de las dos estructuras la energı́a electrónica total es
menor.
Solución: a) Cristal 1: Conductor. Cristal 2: Aislante. b) Es menor para el cristal 2.
21. Considerar un cristal monoatómico de estructura cs.
a) En la aproximación de electrones fuertemente ligados calcular la energı́a

electrónica correspondiente a un nivel s (no degenerado) teniendo
en cuenta la contribución de primeros
R y segundos vecinos. Suponer
~ = d3~rΨ∗ (~r)Ψ(~r − R)
despreciable la integral α(R) ~ para R~ 6= 0.
R 3 ∗
b) Suponiendo que la integral γ(R) ~ = − d ~rΨ (~r)∆U (~r)Ψ(~r − R) ~ varı́a
con la distancia entre átomos como γ ∝ R−1 , discutir la importancia
relativa de la contribución de primeros y segundos vecinos a la energı́a
electrónica.
c) Determinar la velocidad de los electrones en esta banda en el borde de
la PZB según las direcciones [100] y [111].
Solución: a) ε(~k) = εs − β − 2γ1 [cos(akx ) + cos(aky ) + cos(akz )]−

−4γ2 [cos(akx ) cos(aky ) + cos(akx ) cos(akz ) + cos(aky ) cos(akz )]
b) La relación entre los términos asociados a primeros y segundos vecinos es
P.V. 1 cos(akx ) + cos(aky ) + cos(akz )

= √ .
S.V. 2 cos(akx ) cos(aky ) + cos(akx ) cos(akz ) + cos(aky ) cos(akz )
Depende del punto en concreto del espacio de fases. En particular, para ~k =

π/a(1, 0, 0), π/a(1, 1, 0), π/a(1, 1, 1) se encuentra |P.V./S.V.| ≈ 0.71.
c) ~v[100] = ~v[111] = 0.
22. Sea una red unidimensional de espaciado a. El potencial que cada átomo
ejerce sobre los electrones viene dado por U (x) = au0 δ(x − R), donde
R = na son los vectores de red (n entero) y δ(x) la función delta de
Dirac. Determina la amplitud de los intervalos de energı́a prohibidos entre
las bandas, suponiendo válida la aproximación de electrones cuasilibres.
R∞
Nota: −∞ f (x)δ(x − x0 )dx = f (x0 ).
Solución: Todos tienen una amplitud 2|u0 |.
23. Una red cúbica simple de átomos interacciona muy débilmente con los
electrones. Si hay 1 electrón por átomo y la intensidad de la interacción es
muy pequeña comparada con la energı́a de Fermi, ¿qué fracción de electrones
ocupa la segunda banda más baja?
Solución: La segunda banda está completamente vacı́a.
24. Considera la red monoatómica de la figura. Los átomos ejercen un potencial

débil sobre los electrones que viene dado por la expresión:
½ · µ ¶¸ · µ ¶¸ µ ¶¾
2π y 2π y 4πy
U (x, y) = U0 cos x+ √ + cos x− √ + cos √
a 3 a 3 a 3
a) Calcula el gap de energı́a en el centro de las caras de la PZB.

b) Calcula el gap de energı́a en una esquina de la PZB (basta con plantear
el sistema de ecuaciones lineales que conduce al resultado).
Solución: a) ∆ε = U0 .
    
ε0 − ε U0 /2 U0 /2 C0 0
b)  U0 /2 ε0 − ε U0 /2   C1  =  0  ⇒ ∆ε = 1.5U0
U0 /2 U0 /2 ε0 − ε C2 0
Capı́tulo 8
Dinámica semiclásica de
electrones Bloch

Según el modelo semiclásico, en presencia de fuerzas externas (aunque
prescindiendo del efecto de colisiones) la ecuación para el movimiento de electrones
Bloch en el espacio de fases resulta
d~k(t)
~ = F~ . (8.1)
dt
Asimismo, el movimiento en el espacio real puede obtenerse a partir del movimiento
en el espacio de fases por medio de
1 dε(~k(t))
~v = , (8.2)
~ d~k
estando el efecto del potencial periódico contenido en ε(~k). Esta aproximación

presupone que el ı́ndice de banda es una constante del movimiento. Las anteriores
ecuaciones se pueden agrupar en ~a = M−1 F~ , donde
1 ∂2ε
(M−1 )ij = ; M → tensor de masa. (8.3)
~2 ∂ki ∂kj
Para estados cerca del extremo de una banda (definido por ~k0 ) la energı́a puede
expandirse en serie según
¯
~ ~
X 1 ∂ 2 ε ¯¯
ε(k) = ε(k0 ) + (ki − k0i ) (kj − k0j ),
i,j
2 ∂ki ∂kj ¯~k−~k0
168 Capı́tulo 8: Dinámica semiclásica de e− Bloch
resultando que M−1 (y por tanto M) es independiente de ~k. El carácter simétrico

de M−1 permite escoger un sistema de coordenadas que lo diagonalice. Ello permite
expresarlo cerca de los extremos de las bandas según
   ∗ 
1/m∗1 0 0 m1 0 0
M−1 =  0 1/m∗2 0  ⇒ M =  0 m∗2 0  (8.4)
0 0 1/m∗3 0 0 m∗3
donde m−1 i ≡ ~−2 (∂ 2 ε/∂ki2 )~k0 se denominan masas efectivas. En función de ellas
la energı́a puede expresarse en torno a ~k0 según
~2 (k1 − k01 )2 ~2 (k2 − k02 )2 ~2 (k3 − k03 )2

ε(~k) = ε(~k0 ) + ∗ + ∗ + , (8.5)
2m1 2m2 2m∗3
con lo que las superficies de energı́a constante son elipsoides de semiejes

q q q
2m∗1 [ε − ε(~k0 )] 2m∗2 [ε − ε(~k0 )] 2m∗3 [ε − ε(~k0 )]
, , . (8.6)
~ ~ ~
Estados cerca del techo de las bandas presentan una masa efectiva negativa.
Una banda con un solo estado electrónico vacante cerca del techo de la banda, se
comporta a todos los efectos como una única partı́cula denominada hueco con
carga eléctrica positiva y masa efectiva positiva.
Movimiento en presencia de campos eléctricos: la conductividad
eléctrica asociada a una banda viene dada por
e2 τ X −1 ~
σ= M (k) (8.7)
V
~
k
donde la suma se extiende a todos los estados ocupados en la banda. Para

electrones libres M−1 (~k) = m−1 I y resulta la expresión vista en el Capı́tulo 6,
~j = (ne2 τ /m)E.~ Un importante resultado es que bandas llenas son aislantes,
σ = 0.
Movimiento en presencia de campos magnéticos: en el espacio de
fases, los electrones se mueven sobre superficies de energı́a constante siguiendo
trayectorias perpendiculares a B.~ En el espacio real, la componente de la
~ viene dada por
trayectoria perpendicular a B
~ ~
~r⊥ (t) = ~r⊥ (0) − n̂ × [k⊥ (t) − ~k⊥ (0)] (8.8)
eB
que no es sino la órbita en el espacio ~k girada π/2 alrededor de B

~ y escalada por
~ −1 ~
−~/eB. En cuanto a la trayectoria paralela a B, ~vk = ~ dε/dkk , que no tiene por
qué ser constante.
Según la topologı́a de las superficies ε(~k)=cte., puede haber trayectorias
abiertas o cerradas. Estas últimas pueden clasificarse en órbitas tipo electrón y
tipo hueco, que encierran estados ocupados y desocupados, respectivamente. La

frecuencia de estas órbitas (frecuencia ciclotrón) viene dada por
2πeB/~2
ωc (ε, kk ) = , (8.9)
∂A(ε, kk )/∂ε
siendo A(ε, kk ) el área encerrada por la órbita en el espacio de fases. Por

comparación con la expresión para electrones libres ωc = eB/m, se introduce
la masa efectiva ciclotrónica
eB ~2 ∂A(ε, kk )
m∗ (ε, kk ) = = . (8.10)
ωc (ε, kk ) 2π ∂ε
Cerca de extremos de bandas puede aproximarse

µ ¶1/2
B12 m∗1 + B22 m∗2 + B32 m∗3
ωc = e (8.11)
m∗1 m∗2 m∗3
donde las Bi son las componentes de B~ a lo largo de los ejes principales del elipsoide
~
ε(k)=cte.
Magnetorresistividad: En campos magnéticos débiles (ωc τ ≪ 1) de forma
que los portadores sólo recorren una pequeña parte de su órbita cerrada entre
colisiones, en el caso de haber más de una banda parcialmente llena incluso el
modelo más sencillo predice una resistividad ρ(B) de la forma
ρ(B) − ρ(0)
∝ B2.
ρ(0)
En campos magnéticos intensos (ωc τ ≫ 1), ρ(B) ~ presenta una gran variedad de
comportamientos dependiendo de la topologı́a de la superficie de Fermi: puede
saturar para todas las direcciones de B, ~ sólo para algunas, o puede crecer
indefinidamente con el campo, lo cual implica la existencia de órbitas abiertas.
Efecto Hall: A campos altos resulta válida la expresión de electrones libres,
sólo que la concentración de electrones ne se sustituye por la concentración neta
de portadores (ne − nh ), siendo nh la concentración de huecos:
1
RH = − (8.12)
e(ne − nh )
En caso de que ne = nh (los llamados metales compensados) la expresión anterior

resulta no ser válida.

1. Considerar un cristal unidimensional para el que la energı́a varı́a
con el vector de onda según
µ ¶
2 ka
ε = ε1 + (ε2 − ε1 ) sen
2
Suponer un solo electrón en esta banda y sin sufrir scattering.
a) Discutir el comportamiento de la masa efectiva, la velocidad
electrónica, y la posición en el espacio real bajo la influencia
de un campo eléctrico uniforme.
b) Si a = 1 Å, ¿cuánto tiempo se debe aplicar un campo de 100
V/m para que el electrón ejecute una oscilación completa en el
espacio? Si la banda tiene una anchura de 1 eV, ¿qué distancia
se recorre en esa oscilación?
Solución:
a) La relación de dispersión puede expresarse de una forma más sencilla

haciendo uso de la relación sen2 (x/2) = (1 − cos x)/2:
ε2 − ε1
ε = ε1 + [1 − cos(ka)]
2
A partir de ahı́ se obtiene para la velocidad
1 ∂ε a
v= = (ε2 − ε1 ) sen(ka),
~ ∂k 2~
y para la masa efectiva (inversa)
1 1 ∂2ε a2
∗
= 2 2 = 2 (ε2 − ε1 ) cos(ka),
m ~ ∂k 2~
cuya representación gráfica se presenta en la siguiente figura
La evolución temporal de k se obtiene a partir de la ecuación dinámica:
dk eEt
~ = −eE ⇒ k(t) = k(0) − .
dt ~
Suponiendo, por simplificar, k(0) = 0 se tiene k(t) = −eEt/~. En los
momentos iniciales la velocidad aumenta linealmente con k (o con t) tal
y como se espera para un cuerpo uniformemente acelerado. Sin embargo,
cuando k alcanza valores mayores que π/2a la velocidad comienza a
disminuir, hasta que para k = π/a (borde de la PZB) se anula. Debido
a que k ⇔ k ± 2π/a, una vez el electrón rebasa π/a vuelve a aparecer
en −π/a con una velocidad negativa que alcanza su máximo en −π/2a
para luego disminuir y anularse en k = 0.
a( - )/2
2 1
/a
k
/a
m*
2 2
2 /a ( - )
2 1 /a
k
/a 2 2
-2 /a ( - )
2 1
Este comportamiento anómalo, relacionado con que la masa efectiva es

negativa para |k| > π/2a, se refleja también en el movimiento en el
espacio real. Este puede obtenerse a partir de
µ ¶
dx a eEat
=v= (ε2 − ε1 ) sen − .
dt 2~ ~
Tras integrar esta última expresión se encuentra
· µ ¶ ¸
ε2 − ε1 eEat
x(t) = x0 + cos − −1 .
2eE ~
En efecto, a pesar de que el campo aplicado es constante, el movimiento
en el espacio real es oscilatorio, como consecuencia de que el electrón
ocupa estados con masa efectiva positiva y negativa alternativamente.
b) De las expresiones del apartado anterior es fácil deducir que el perı́odo
de las oscilaciones T viene dado por
eEaT 2π~
= 2π ⇒ T = ≈ 4 × 10−7 s.
~ aeE
Dado que la amplitud de las oscilaciones es (ε2 − ε1 )/eE, el trayecto
recorrido en cada oscilación es
ε2 − ε1
ℓ=2 ≈ 2 × 10−2 m.
eE
En la práctica, la existencia de colisiones con un tiempo caracterı́stico

mucho menor (τ ≈ 10−14 s) impedirá la observación de tales
oscilaciones.
2. Considerar un electrón con la energı́a de Fermi del Na moviéndose

en el plano xy. Calcula el radio de las órbitas ciclotrón que describe
bajo la aplicación de una inducción magnética Bz = 1 T. ¿Cómo
están relacionadas las áreas de las órbitas en el espacio real (en
m2 ) y en el recı́proco (en m−2 )? Dato: El Na es bcc monovalente,
con parámetro de red a=4.25 Å.
Solución:
En el caso del Na la superficie de Fermi es aproximadamente esférica, con lo
que la trayectoria en el espacio de fases es una circunferencia de radio
µ ¶1/3
2 1/3 2 2
kF = (3π n) = 3π 3 = 0.91 × 1010 m−1
a
(se ha utilizado que en la celda convencional de la estructura bcc hay dos

átomos monovalentes). Según (8.8) la trayectoria en el espacio real viene
dada por la trayectoria en el espacio de fases girada π/2 y escalada por
~/eB. Se tiene, por tanto, que será una circunferencia de radio
~
r = kF ≈ 6 µm.
eB
Dado que el área es el espacio de fases es Ak = πkF2 y en el espacio real
Ar = πr2 , la relación entre ambas resulta
µ ¶2
Ak πkF2 eB
= = .
Ar πr2 ~
3. Considerar la ecuación de Schrödinger para un electrón en

un potencial periódico U (~
r ) y sometido a un campo eléctrico
uniforme: · ¸
∂Ψ ~2 2
i~ = − ∇ + U (~ ~ ·~
r ) + eE r Ψ
∂t 2m
Suponer que en t = 0, Ψ(0) es una combinación lineal de funciones
Bloch, las cuales tienen todas el mismo vector de onda ~ k. Probar
entonces que, a cualquier tiempo t, Ψ(~ r , t) será una combinación
lineal de funciones Bloch, todas con el mismo vector de onda ~ k−
~
eEt/~. Este resultado da soporte a la ecuación semiclásica ~
k(t) =
~ ~
k(0) − eEt/~.
Solución:
Haciendo en la igualdad del enunciado el cambio de variable ~r → ~r + R ~
~
(donde R ∈ red directa) resulta
· ¸
∂ ~ ~2 2 ~ ~ ~ ~ t).
i~ Ψ(~r + R, t) = − ∇ + U (~r + R) + eE · (~r + R) Ψ(~r + R,
∂t 2m
Utilizando ahora que U (~r + R) ~ = U (~r), y que Ψ es una función Bloch

i~
k ~
~ t) = e Ψ(~r, t), la anterior ecuación puede expresarse
R
verificando Ψ(~r + R,
según
~~ ∂Ψ ~ ~ ~ d~k
i~eikR (~r, t) − ~eikR R · Ψ(~r, t) =
∂t dt
· ¸
~2 2 ~ ~ ~ ~~
= − ∇ + U (~r) + eE · ~r + eE · R Ψ(~r, t)eikR .
2m
~~
Dividiendo por eikR , y restando la ecuación del enunciado, resulta
~· d~k ~ · RΨ(~
~ r, t),
−~R Ψ(~r, t) = eE
dt
o bien
d~k ~ = 0,
~ + eE
dt
cuya solución es
~
~k(t) = ~k(0) − eE t.
~
4. En presencia de un campo magnético los electrones describen

órbitas manteniendo constante su energı́a, ε(~ k) y su componente de
momento paralela al campo, ~ k|| . El tiempo necesario para recorrer
un tramo de órbita entre dos puntos ~ k⊥1 y ~ k⊥2 (el sı́mbolo ⊥ se
refiere a la componente perpendicular al campo magnético) es
Z t2 Z ~k⊥2
dk
t2 − t1 = dt = ,
k⊥1 |~
~ ˙
t1 k|
siendo dk un elemento de lı́nea tangente a la órbita en cada punto
˙ ˙
y |~
k| = |~
k⊥ | la variación temporal de ~
k según esa misma dirección.
˙
a) Teniendo en cuenta que |~ k⊥ | = v⊥ eB/~ = |(∂ε/∂~ k)⊥ |eB/~2 ,
probar que el perı́odo de una órbita cerrada de área A(ε, ~ k|| )
es
2π ~2 ∂
T (ε, ~
k|| ) ≡ = A(ε, ~
k|| ).
ωc (ε, ~
kk ) eB ∂ε
b) Por analogı́a con la expresión para la frecuencia ciclotrón de

electrones libres (ωc = eB/m), se define la masa efectiva
electrónica según
eB ~2 ∂
m∗c (ε, ~
k|| ) ≡ = A(ε, ~
k|| ).
ωc (ε, ~
kk ) 2π ∂ε
Probar que, si B ~ k z (donde z es una de las direcciones

principales del cristal), cerca del extremo de una banda
p
m∗c (ε, ~
k|| ) = m∗1 m∗2 , siendo m∗1 y m∗2 las masas efectivas en
las direcciones principales perpendiculares a B. ~
Solución:
a) Consideremos la órbita cerrada de la figura.
ky & ky &
H (k ) H t &
&
n
&
k
A 1& 'k A
kA &
k
A 2
&
H (k ) H kx
kx
kz &
H (k ) H 'H
El tiempo necesario para recorrer el camino entre ~k⊥1 y ~k⊥2 es

Z t2 Z k⊥2
dk
t2 − t1 = dt = ,
k⊥1 |~
˙
t1 k|
siendo dk un elemento de lı́nea tangente (dirección ~t) a la órbita en

˙
cada punto y |~k| la variación temporal de k según esa misma dirección.
˙ ˙ ˙ ˙
Como ~k|| = 0, |~k| = |~k⊥ |. Además, |~k⊥ | = v⊥ eB/~ = |(∂ε/∂~k)⊥ |eB/~2 ,
con lo cual Z
~2 k⊥2 dk
t2 − t1 = . (8.13)
eB k⊥1 |(∂ε/∂~k)⊥ |
Por otro lado, si ∆~k⊥ representa una variación diferencial de ~k⊥ en la

dirección normal a la órbita en cada punto,
µ ¶ ¯µ ¶ ¯
∂ε ~ ∂ε ~
¯ ∂ε ¯
∆ε = · ∆k⊥ = · ∆k⊥ = ¯¯ ¯ ∆k⊥ ⇒
~
∂k ~
∂k ⊥ ~
∂k ⊥
¯
¯µ ¶ ¯
¯ ∂ε
¯ = ∆ε
¯
¯
¯ ~ ¯ ∆k⊥
∂k ⊥
La Ec.(8.13) se puede escribir entonces como
Z k⊥2
~2 1
t2 − t1 = ∆k⊥ dk.
eB ∆ε k⊥1
La integral en la anterior ecuación es el área entre la superficies
equienergéticas ε(~k) = ε y ε(~k) = ε + ∆ε desde ~k⊥1 a ~k⊥2 . Tomando el
lı́mite ∆ε → 0,
~2 ∂A1,2
t2 − t1 = .
eB ∂ε
Para una órbita cerrada los estados inicial y final coinciden (~k⊥1 = ~k⊥2 ),
t2 − t1 es el perı́odo de dicha órbita y A1,2 el área encerrada por ella.
Por tanto
~2 ∂
T (ε, ~k|| ) = A(ε, ~k|| ).
eB ∂ε
b) Suponiendo, por simplificar, que el extremo de la banda ocurre para

~k = 0 (el resultado final es independiente de este hecho), la energı́a
cerca del extremo de la banda puede expresarse según (8.5)
µ ¶
~ ~2 k12 k22 k32
ε(k) = ε0 + + ∗+ ∗ ,
2 m∗1 m2 m3
siendo ε0 la energı́a en el extremo de la banda y m∗1 , m∗2 y m∗3 las masas
efectivas. Particularizando para k3 = kk esta ecuación puede expresarse
según
k12 k2
2 + 22 = 1,
r1 r2
donde
v " # v " #
u 2 u
u 2(ε − ε 0 ) k||
u 2(ε − ε0 ) k||2
t ∗
r1 = m1 − ∗ ∗
y r2 = m2
t − ∗ .
~2 m3 ~2 m3
Por tanto, la órbita descrita en el espacio de fases es una elipse de

semiejes r1 y r2 , en el plano perpendicular a la dirección z. El área de
dicha órbita es
" #
p 2(ε − ε0 ) k||2
∗ ∗
A(ε, k|| ) = πr1 r2 = π m1 m2 − ∗ ,
~2 m3
y por tanto
~2 ∂A(ε, ~kk ) p ∗ ∗
m∗c (ε, ~kk ) = = m1 m2 .
2π ∂ε
5. Demostrar la Ec.(8.11) para la frecuencia (ciclotrón) de órbitas

cerca de los extremos de las bandas, siguiendo los siguientes pasos:
-Descomponer la ecuación básica (8.1) con F~ = −e~ v×B ~ en sus
componentes sobre los ejes propios del elipsoide
-Usar las ecuaciones (8.2) para la velocidad y (8.5) para la energı́a.
-Suponer para cada componente kj de ~ k una evolución de la forma
kj = kj0 + Aj ei(ωt+φj ) .
Solución:
La descomposición de (8.1) en sus componentes resulta
~k̇1 = −e(v2 B3 − v3 B2 )
~k̇2 = −e(v3 B1 − v1 B3 ) (8.14)
~k̇3 = −e(v1 B2 − v2 B1 )
Para las componentes de ~k se tiene
k̇j = iωAj ei(ωt+φj ) = iω(kj − k0j ) (8.15)
Por otro lado, cerca del extremo de una banda (caracterizado por el vector
~k0 ) la energı́a puede aproximarse por (8.5)
~2 (k1 − k01 )2 ~2 (k2 − k02 )2 ~2 (k3 − k03 )2

ε(~k) = ε(~k0 ) + + + ,
2m∗1 2m∗2 2m∗3
y, por tanto, las componentes de la velocidad pueden expresarse por

1 ∂ε ~
vj = = ∗ (kj − k0j ). (8.16)
~ ∂kj mj
Sustituyendo Ecs.(8.15) y (8.16) en (8.14) resulta

µ ¶
k2 − k02 k3 − k03
iω(k1 − k01 ) = −e B3 − B2
m∗2 m∗3
µ ¶
k3 − k03 k1 − k01
iω(k2 − k02 ) = −e B1 − B3
m∗3 m∗1
µ ¶
k1 − k01 k2 − k02
iω(k3 − k03 ) = −e B 2 − B 1
m∗1 m∗2
que se puede expresar matricalmente según

    
iω/e B3 /m∗2 −B2 /m∗3 k1 − k01 0
 −B3 /m∗1 iω/e B1 /m∗3   k2 − k02  =  0 
B2 /m∗1 −B1 /m∗2 iω/e k3 − k03 0
Esta ecuación sólo tiene solución si

¯ ¯
¯ iω/e
¯ B3 /m∗2 −B2 /m∗3 ¯
¯
¯ −B3 /m∗1 iω/e B1 /m∗3 ¯=0
¯ ¯
¯ B2 /m∗1 −B1 /m∗2 iω/e ¯
Por tanto
µ ¶3
iω iω B22 iω B32 iω B12
+ + + =0
e e m∗1 m∗3 e m∗1 m∗2 e m∗2 m∗3
Dividiendo por iω/e y despejando ω resulta finalmente

µ ¶1/2
m∗1 B12 + m∗2 B22 + m∗3 B32
ω=e .
m∗1 m∗2 m∗3
6. Comparar la señal de resonancia ciclotrón para el Si en la

figura adjunta con la geometrı́a de los elipsoides de la banda de
conducción en la misma figura y explicar por qué sólo hay dos
picos electrónicos, siendo que hay seis “bolsillos” elipsoidales de
electrones. Determinar a partir de las figuras las masas efectivas
del Si (el campo magnético está en el plano (110) y forma un ángulo
de 30o con el eje [001]).
Solución:
Los picos de absorción electrónicos ocurren cuando el campo aplicado es tal
que la frecuencia de la radiación incidente ω0 coincide con las frecuencias
ciclotrón asociadas a cada bolsillo electrónico. Estas vienen dadas por la
expresión (8.11)
s
Bx2 m∗x + By2 m∗y + Bz2 m∗z
~
ωc (B) = e .
m∗x m∗y m∗z
Aquı́, Bx , By y Bz son las componentes de B ~ en los ejes propios de cada

∗ ∗ ∗
elipsoide, y mx , my y mz las correspondientes masas efectivas.
En principio existen seis bolsillos electrónicos, y habrı́a una ecuación para
cada uno de ellos. Sin embargo, los bolsillos electrónicos situados sobre un
mismo eje son equivalentes, y quedarı́an solo tres tipos distintos de elipsoide.
Los llamaremos elipsoides X, Y o Z en referencia al eje sobre el cual
extienden su semieje largo (ver figura).
Las ecuaciones para ωc para cada clase de elipsoide son:
Elipsoides tipo X:
s
Bx2 mℓ + By2 mt + Bz2 mt
~
ωcX (B) =e .
mℓ m2t
Elipsoides tipo Y :
s
Bx2 mt + By2 mℓ + Bz2 mt
ωcY ~ =e
(B) .
mℓ m2t
Elipsoides tipo Z:
s
Bx2 mt + By2 mt + Bz2 mℓ
~
ωcZ (B) =e .
mℓ m2t
Aquı́ mℓ y mt son las masas efectivas a lo largo del eje alargado o,
respectivamente, el eje transversal de cada elipsoide. Teniendo en cuenta
que las componentes de B ~ son:
√
Bx = −B cos 60 sen45 = −B
√ 2/4
By = B cos 60 cos 45
√= B 2/4
Bz = B cos 30 = B 3/2
dichas ecuaciones resultan:

Elipsoides tipo X / Elipsoides tipo Y :
s
1
+ 78 mt
8 mℓ
ωcX (B) = ωcY (B) = eB 2 . (8.17)
mt mℓ
Elipsoides tipo Z: s
3
+ 14 mt
4 mℓ
ωcZ (B) = eB 2 . (8.18)
mt mℓ
Nótese que a pesar de haber seis bolsillos electrónicos solamente hay dos
ecuaciones diferentes. Esto explica que haya picos de absorción electrónicos
para dos campos magnéticos externos B1 y B2 correspondientes a
ωcX,Y (B1 ) = ω0 , y
ωcZ (B2 ) = ω0 .
El siguiente paso es determinar las masas efectivas. Dado que los picos de
absorción electrónicos ocurren para 0.19 T y 0.29 T, hace falta determinar
cuál de esos valores corresponde a B1 y cuál a B2 . Dividiendo las anteriores
ecuaciones se encuentra
µ ¶2 1 7
B1 8 mℓ + 8 mt
3 1 = 1.
B2 4 mℓ + 4 mt
Dado que mℓ > mt (ver figura), esta relación sólo puede cumplirse si
B1 = 0.29 T y B2 = 0.19 T. Sustituyendo esos valores en (8.17) y (8.18)
y resolviendo para mℓ y mt se obtiene finalmente
mt = 1.81 × 10−31 Kg = 0.20me
mt = 7.02 × 10−31 Kg = 0.78me

en relativo buen acuerdo con los valores tabulados para el Si.
Figura 8.1. Izq.: Representación de ε(~k) a lo largo del eje longitudinal ℓ y del eje transversal t
de uno de los elipsoides. Dcha.: Correspondientes curvas equienergéticas. La curvatura de ε(~k)
es menor a lo largo del eje longitudinal que a lo largo del eje transversal. Por tanto, según la
definición de masa efectiva m−1
ℓ ≡ ~−2 (∂ 2 ε/∂kℓ2 ), m−1
t ≡ ~−2 (∂ 2 ε/∂kt2 ), se tiene que mℓ > mt .
7. La relación de dispersión para los electrones en un sólido es de la

forma
~2 ³ 2 ´
ε(~
k) = kx + 2ky2 + 3kz2 .
2m
Determina la aceleración de un electrón cuando se aplica un campo
eléctrico según la dirección [1,1,1]. Determinar la trayectoria que
sigue un electrón en el espacio ~ k cuando se aplica un campo
magnético B ~ k z.
Solución:
La aceleración viene dada por ~a =M−1 F~ , donde
~ = −eE √1 (1, 1, 1)
F~ = q E
3
y  
1 0 0
−1 1 ∂2ε 1 
(Mij ) = 2 = 0 2 0 
~ ∂ki ∂kj m
0 0 3
De ahı́ se obtiene ~a = − √eE
3m
(1, 2, 3).
En presencia de un campo magnético los electrones se mueven sobre
superficies de energı́a constante, siguiendo trayectorias perpendiculares a B.~
En el presente caso, los electrones se moverán sobre el plano kz = cte. A
partir de la relación de dispersión se encuentra que la trayectoria viene dada
por
kx2 2ky2
+ = 1,
2mε/~2 − 3kz2 2mε/~2 − 3kz2
que es la ecuación de una elipse de semiejes
µ ¶1/2
2mε rx
rx = − 3kz2 ; ry = √
~2 2
teo exp
8. Para el Al (en campo magnético intenso) RH /RH ≈-0.3, lo
2 1
que sugiere que el Al (metal trivalente [Ne]3s 3p con estructura
fcc) actúa como si aportara a la conducción un hueco por átomo
en vez de tres electrones. Por otro lado sabemos que a altos
teo
campos magnéticos RH = −1/(ne − nh )e siendo ne y nh las
concentraciones de electrones y huecos móviles, respectivamente.
Probar que en efecto (ne − nh ) es −1/3 de la concentración
correspondiente a tres electrones por átomo, para lo cual basta
saber que el Al tiene la primera banda llena, la segunda
prácticamente llena y la tercera casi vacı́a.
Solución:
Por lo indicado en el enunciado, la conducción se realiza por huecos en la
segunda banda, y por electrones en la tercera. Calcularemos pues nIII II
e − nh .
Dado que el Al es monoatómico y trivalente, el número total de electrones es
3N , donde N es el número de celdas primitivas. Dado que la primera banda
está completamente llena, aloja 2N electrones. Los N electrones restantes se
reparten entre la segunda y la tercera zona. Esto puede expresarse según
NeII + NeIII = N.
Por otro lado, el número de huecos más el número de electrones en cualquier

banda es siempre igual a 2N , en particular
NeII + NhII = 2N.
Restando las dos últimas ecuaciones se obtiene
NeIII − NhII = −N.
Dividiendo por el volumen de la muestra V y teniendo encuentra que la

concentración total de electrones es n = 3N/V , se obtiene finalmente
NeIII N II n
− h = nIII
e − nII
h =− .
V V 3
9. a) Probar que los resultados de la teorı́a de electrones libres para

la corriente inducida por un campo eléctrico perpendicular a
uno magnético se puede escribir de la forma E ~ = ̺~j donde el
tensor resistividad ̺ viene dado por
µ ¶
ρ −RB
̺=
RB ρ
siendo R = −1/ne el coeficiente Hall y ρ = m/ne2 τ la

magnetorresistividad.
b) Considerar un metal con varias bandas parcialmente llenas
~ n = ρn~jn donde ρn se expresa
para cada una de las cuales E
por
µ ¶
ρn −Rn B
̺n =
Rn B ρn
~ = ̺~j
Probar quePla corriente total inducida está dada por E
−1 −1
con ̺ = n ̺n
c) Mostrar que si hay sólo dos bandas, entonces el coeficiente

Hall y magnetorresistividad están dados por
R1 ρ22 + R2 ρ21 + R1 R2 (R1 + R2 )B 2

R =
(ρ1 + ρ2 )2 + (R1 + R2 )2 B 2
ρ1 ρ2 (ρ1 + ρ2 ) + (ρ1 R22 + ρ2 R12 )B 2
ρ =
(ρ1 + ρ2 )2 + (R1 + R2 )2 B 2
Analizar en particular los casos lı́mite de R y ρ cuando existen

electrones y huecos simultáneamente. ¿Qué pasa si ne = nh ?
¿Puede anularse el coeficiente Hall?
Solución:
a) Según la ecuación dinámica en presencia de un campo eléctrico y un

campo magnético, para cada banda con portadores de carga q = ±e,
· ¸
d~
p p~ ~ p~ ~
=− +q E− ×B . (8.19)
dt τ m
p/dt = 0) y teniendo en cuenta que ~j =

En estado estacionario (d~
p/m, ρ = m/ne2 τ y R = 1/nq, se tiene
−ne~
~ + R~j × B.
ρ~j = E ~
Suponiendo que el campo magnético está aplicado en la dirección z,

~ = (0, 0, B), la ecuación dinámica se puede descomponer en sus
B
componentes en las direcciones x e y según:
ρjx = Ex + Rjy B
ρjy = Ey − Rjx B
Finalmente, estas ecuaciones pueden expresarse en forma matricial tal

y como propone el enunciado.
b) La corriente asociada a cada banda viene dada por ~jn = ̺−1 ~
n E. La
corriente total es, por tanto
Ã !
X X
~j = ~jn = ̺−1 ~
E.
n
n n
~ donde
Esta expresión puede ponerse de la forma ~j = ̺−1 E
X
̺−1 ≡ ̺−1
n .
n
c) Según el apartado anterior, para un material con dos bandas semillenas

se tiene que ̺−1 = ̺−1 −1
1 + ̺2 . Es necesario calcular la inversa de esta
matriz. Utilizando la propiedad de que ̺1 ̺2 = ̺2 ̺1 , lo cual es una
consecuencia de que el tensor resistividad es de la forma
µ ¶
ρn −Rn B
̺n = ,
Rn B ρn
es inmediato demostrar que ̺ = ̺1 ̺2 (̺1 + ̺2 )−1 es inversa de ̺−1

1 +
̺−1
2 . Esta matriz debe de ser también de la forma
µ ¶
ρ −RB
̺= ,
RB ρ
donde ρ y R son la resistividad y coeficiente Hall totales. Operando, se

tiene µ ¶
ρ1 ρ2 − R1 R2 B 2 −(ρ1 R2 + ρ2 R1 )B
̺1 ̺2 = ,
(ρ1 R2 + ρ2 R1 )B ρ1 ρ2 − R1 R2 B 2
µ ¶−1
−1 ρ1 + ρ2 −(R1 + R2 )B
(̺1 + ̺2 ) = =
(R1 + R2 )B ρ1 + ρ2
µ ¶
1 ρ1 + ρ2 (R1 + R2 )B
= .
(ρ1 + ρ2 )2 + (R1 + R2 )2 B 2 −(R1 + R2 )B ρ1 + ρ2
El elemento superior izquierdo de ̺1 ̺2 (̺1 + ̺2 )−1 (que es equiparable

a ρ) es, por tanto
(ρ1 ρ2 − R1 R2 B 2 )(ρ1 + ρ2 ) + (ρ1 R2 + ρ2 R1 )(R1 + R2 )B 2

ρ= =
(ρ1 + ρ2 )2 + (R1 + R2 )2 B 2
ρ1 ρ2 (ρ1 + ρ2 ) + (ρ1 R22 + ρ2 R12 )B 2
= (8.20)
(ρ1 + ρ2 )2 + (R1 + R2 )2 B 2
Asimismo, el elemento inferior izquierdo de ̺1 ̺2 (̺1 + ̺2 )−1 (que es

equiparable a RB) resulta
(ρ1 R2 + ρ2 R1 )B(ρ1 + ρ2 ) − (ρ1 ρ2 − R1 R2 B 2 )(R1 + R2 )B

RB = .
(ρ1 + ρ2 )2 + (R1 + R2 )2 B 2
Tras agrupar términos se obtiene
R1 ρ22 + R2 ρ21 + R1 R2 (R1 + R2 )B 2

R= . (8.21)
(ρ1 + ρ2 )2 + (R1 + R2 )2 B 2
-Lı́mite de campos bajos: Teniendo en cuenta que ρi = m∗i /ni e2 τi ,

y que Ri = 1/ni qi , la condición de campos bajos ωc τ ≪ 1 puede
expresarse como |Ri | B ≪ ρi . En este lı́mite ρ y R pueden aproximarse,

respectivamente, por
ρ1 ρ2 (ρ1 + ρ2 ) 1
ρ≈ 2
= , (8.22)
(ρ1 + ρ2 ) 1/ρ1 + 1/ρ2
R1 ρ22 + R2 ρ21 n1 µ21 /q1 + n2 µ22 /q2
R≈ 2
= , (8.23)
(ρ1 + ρ2 ) (n1 µ1 + n2 µ2 )2
donde µi ≡ eτi /m∗i es la movilidad. Ambas magnitudes son
independientes de B.
-Lı́mite de campos altos (|Ri | B ≫ ρi ): En este lı́mite ρ y R pueden
aproximarse, respectivamente, por
ρ1 R22 + ρ2 R12
ρ≈ , (8.24)
(R1 + R2 )2
R1 R2 (R1 + R2 )B 2 1 1
R≈ 2 2
= = , (8.25)
(R1 + R2 ) B 1/R1 + 1/R2 n1 q1 + n2 q2
también independientes de B. Asimismo, si como ocurre en los
semiconductores, la banda de valencia (1) está casi llena y conduce
por huecos (q1 = +e, n1 = nh ), y la de conducción (2) casi vacı́a y
conduce por electrones (q2 = −e, n2 = ne ), resulta
1
R≈ ,
(nh − ne )e
que no es sino la ecuación (8.12).
-Materiales compensados (con ne = nh = n): verifican R1 = −R2 , con
lo que Ec. (8.20) para la resistividad se reduce a
ρ1 ρ2 R2 B 2
ρ= + 1 . (8.26)
ρ1 + ρ2 ρ1 + ρ2
La magnetoresistividad [ρ(B) − ρ(0)]/ρ(0) resulta ser exactamente
proporcional a B 2 . Asimismo, la Ec.(8.21) para el coeficiente Hall se
reduce a
R1 ρ22 + R2 ρ21 nh µ2h − ne µ2e µh − µe
R= 2
= 2
= (8.27)
(ρ1 + ρ2 ) e(nh µh + ne µe ) ne(µh + µe )
que en general no es nulo, ya que µh y µe pueden no ser iguales.
10. Se tiene un conductor con dos tipos de portador sobre el que se

mide la resistividad, ρ y el coeficiente Hall, RH , tanto a alto como
a bajo campo magnético (B ≫ ρ/|RH | y B ≪ ρ/|RH |, ver el
ejercicio anterior). Dedidir cuál de las siguientes afirmaciones es
verdadera y por qué.
a) Toda la información sobre la conducción exige conocer 4

parámetros (2 por cada tipo de portador).
b) Las masas efectivas son determinables sólo por medidas a
campos bajos.
c) Siempre se mide un comportamiento medio, por lo que los
parámetros de conducción de cada tipo de portador son
inaccesibles.
d) Conocer el número de portadores de cada tipo exige trabajar
a altos campos magnéticos.
e) Un material compensado se manifestarı́a con una singularidad
de RH a altos campos magnéticos.
f) La resistividad se puede considerar como una combinación en
paralelo de cada tipo de portador.
g) Portadores de carga opuesta (electrones y huecos) podrı́an
anular RH y ρ para ciertas concentraciones.
h) Para ciertos valores de los parámetros de conducción, ¿el
campo magnético podrı́a favorecer la conducción eléctrica del
material?
Solución:
a) Según Ecs. (8.20) y (8.21), ρ y RH dependen de ρi y RH,i , pero estos

a su vez dependen de 3 parámetros para cada tipo de portador: la
concentración ni , el tiempo entre colisiones τi y la masa efectiva mi .
b) Las masas efectivas están contenidas en las movilidades µi = eτi /m∗i , y
estas están presentes sólo en la ecuación para RH a campos bajos (8.23).
Sin embargo, esa medida no permitirı́a determinar independientemente
m∗1 y m∗2 .
c) Es cierto, a la vista de Ecs. (8.22), (8.23), (8.24) y (8.25).
d) Según (8.25), sólo podrı́a conocerse la diferencia entre el número de
portadores de cada tipo.
e) Falso. Según (8.27), RH en materiales compensados no deberı́a
presentar una singularidad.
f) Es cierto a bajos campos magnéticos (véase (8.22)).
g) Sı́ podrı́a ser cierto para RH , por ejemplo a campos bajos si n1 µ21 =
n2 µ21 (véase (8.23)). Sin embargo, a la vista de (8.20) y dado que las
resistividades asociadas a cada portador ρi = m∗i /ni e2 τi son siempre
positivas, ρ siempre será positiva.
h) Es fácil comprobar que (8.20) siempre crece con B. Intuitivamente es de
esperar que la fuerza asociada al campo magnético (que es transversal a
la velocidad de los portadores), tienda a dificultar el flujo de la corriente
eléctrica.
11. La traslación global de la esfera de Fermi bajo un campo eléctrico

E~ se puede también describir como si sólo los estados alrededor de
la superficie de Fermi resultaran alterados.
a) Por suma directa sobre los estados electrónicos al nivel de

Fermi verificar que si la velocidad de estos estados es ~ vSF ≈
v0F = ~−1 (∂ε0 (~
~ k)/∂~ k)~kF , la densidad total de corriente se
puede expresar por(1)
2 I
~j = e τ (~ ~ S.
v0F · E)d ~
4π 3 ~ SF
b) De (a) probar que para electrones libres σ = e2 ℓSF /12π 3 ~,
siendo SF la superficie de Fermi y ℓ el recorrido libre medio.
c) Probar que la aplicación de un campo magnético B ~ deja la
densidad de corriente invariante.
d) Probar que si la velocidad de los estados al nivel de Fermi se
aproxima por ~ vSF ≈ ~ v0F +~δ~ k/m∗ , siendo δ~ k el desplazamiento
de la esfera de Fermi debido a la aplicación de campos
transversales E⊥ ~ B, ~ la densidad de corriente, despreciando
términos del orden de (δ~ k)2 , es
~j = σ̄ ¯E E~ + σ̄¯ B (B ~ × E),
~ con (8.28)
2 I 3 I ∗
e τ e τ /m
¯ E=
σ̄ ~
v0FdS ~ y σ̄ ¯ B= ~
v0FdS,~
3
4π ~ SF 1+(ωc τ ) 2 4π ~ SF 1+(ωc τ )2
3
donde (~ ~ ij = v0F i dSj y ωc = eB/m∗ .

v0F dS)
e) A partir de (d), probar que si τ y m∗ no dependen de ~ k,
~ ~ ~ ~
entonces j = σE E + σB (B × E) ≡ σ̄ (B)E, con ¯ ~

   e2 τ SF v0F
σE −BσB 0  σE =

¯ (B) = BσB σE 0, donde 12π 3 ~(1 + (ωc τ )2 )
σ̄
 σB = eτ σE .

0 0 1 
m∗
f) Probar que si no se desprecian los términos del orden de (δ~ k)2
∗
y, como en (e), τ y m son independientes de k, entonces ~
~j = (σ̄¯ (B) + δ σ̄
¯ (B))E, ~ con
 2 2

1 4(ω c τ ) σE −B[3(ω c τ ) − 1]σ B 0
¯ (B) = −
δ σ̄ B[3(ωc τ )2 − 1]σB 4(ωc τ )2 σE 0.
1+(ωc τ )2 0 0 1
Para ωc τ ≪ 1, despreciando términos de orden superior a
¯ Tot (B) = σ̄
(ωc τ )2 , σ̄ ¯ (B) + δ σ̄
¯ (B) se reduce a
 2

2 2
e τ k0F v0F 1 − 5(ω c τ ) −2ω c τ 0
¯ Tot (B) ≈
σ̄  2ωc τ 1 − 5(ωc τ )2 0  . (8.29)
3π 2 ~ 0 0 1
1 El subı́ndice 0 indica velocidad o energı́a para para campo eléctrico E =0.
Solución:
a) Según la Ec. (8.19) en presencia de un campo eléctrico, en régimen

estacionario la esfera de Fermi se desplaza con respecto al origen en
una cantidad
eτ ~
δ~k = − E. (8.30)
~
Cada banda (o zona) contribuye a la corriente total con
Z Z
~j = − e
X
~ e ~ d3~k e
~v (k) = − ~v (k)2 3 = − 3 ~v (~k)d3~k.
V V 8π /V 4π
~
k
La mayor parte de los sumandos se cancelan por pares (~k, −~k) excepto
unos pocos entorno a la superficie de Fermi de velocidad ~vSF . El
elemento de volumen d3~k, al nivel de la superficie de Fermi, se puede
aproximar por dS ~F · δ~k (ver Fig. 8.2) ⇒(2)
I
~j = − e ~F · δ~k)~vS .
(dS (8.31)
4π 3 SF F
Si ~vSF = ~v0F , como ~v0F es paralela(3) a dS~F , la densidad de corriente

se puede escribir como
I
~j = − e (~v0F · δ~k)dS~F . (8.32)
4π 3 SF
Sustituyendo (8.30) en (8.32), se encuentra
2 I
~j = e ~ S
τ (~v0F · E)d ~F (8.33)
4π 3 ~ SF
kz &
dS
Gk
SF
Figura 8.2.
&
E
ky
kx
~ se toma la dirección común como x. Ası́,

b) Como ~j será paralelo a E,
I
e2 τ
j = jx = dSF x (v0F x E), donde
4π 3 ~ SF
2 Es equivalente a sumar las corrientes d~
j debidas a los portadores del elemento de volumen
~F · δ~k sobre la superficie de Fermi (todos con la misma velocidad v0F ):
dS
I I
δN dS~F · δ~k V eτ ~
~j = d~j = − e~v0F , con δN = 2 = − 3 dS ~
F · E.
SF SF V 8π 3 /V 4π ~
3 El gradiente de una superficie de energı́a constante (la superficie de Fermi lo es) es
perpendicular a dicha superficie ⇒ ~v0F = ~−1 (∂ε0 (~k)/∂~k)~k ||dS~F .

F

~v0F = (v0F x , v0F y , v0F z ) = (sen θ cos ϕ, sen θ sen ϕ, cos θ)v0F 
~F = (dSF x , dSF y , dSF z ) = (sen θ cos ϕ, sen θ sen ϕ, cos θ)dSF ⇒
dS
2 
con dSF = k0F sen θdθdϕ
Z 2π Z π
e2 τ v0F k0F
2
2 e2 τ v0F k0F
2
j= 3
E dϕ cos ϕ dθ sen3 θ = 2
E ≡ σE.
4π ~ 0 0 3π ~
2
Finalmente, como ℓ = v0F τ y, para electrones libres, SF = 4πk0F ,
e2 ℓSF
σ= . (8.34)
12π 3 ~
c) En presencia de un campo B, ~ (además de E),

~
eτ eτ
δ~k ≈ − E ~ − (~v (~k) × B).
~ (8.35)
~ ~
Si ~v (~k) =~v0F , (8.35) sustituida en (8.31) conduce nuevamente(4) a (8.33).
d) Sustituyendo ~vSF ≈ ~v0F + ~δ~k/m∗ en la Ec.(8.31),

I
~j ≈ − e ~F · δ~k) + ~ δ~k(dS
[~v0F (dS ~F · δ~k)]. (8.36)
3
4π SF m ∗
| {z }
O(δ~
k)2
Por otro lado, para ~v (~k) = ~vSF ,
eτ ~ eτ ~ − eτ (δ~k × B).
δ~k ≈ − E − (~v0F × B) ~ (8.37)
~ ~ m∗
~ E,
Si B⊥ ~ B ~ · δ~k = 0 ⇒ Multiplicando (8.37) vectorialmente por B~ ⇒(5)
δ~k × B~ = eτ [B~ ×E
~ +B ~ + eτ B 2 δ~k
~ × (~v0F × B)] (8.38)
~ m∗
Sustituyendo (8.38) en (8.37), se puede (con β = 1 + (ωc τ )2 ) despejar
eτ ~ (eτ )2 ~ ~ eτ 2
~ − (eτ ) B
δ~k = − E − B × E − ~
v 0F × B ~ ×(~v0F × B)
~ . (8.39)
β~ β~m∗ β~ β~m∗
| {z }
No contribuye(6) a la integral (8.36)
Sustituyendo (8.39) en (8.36) y despreciando términos ∼ (δ~k)2 ,

2 I I
~j ≈ e τ ~ ~ e3 τ2 ~ × E)
~ · dS
~F ], (8.40)
~
v 0F (E · dS F )+ ~v0F [(B
4π 3 ~ SF β 4π 3 ~ SF m∗ β
~ no afecta a ~j pues, según (8.32)
4 Con esta aproximación la presencia de B
~j = e23 e2
H H
~ ~ ~ dS
τ (~v0F · E)dSF + 4π3 ~ S τ (~v0F · (~v0F × B)) ~F .
4π ~ SF F | {z }
=0
5~
a × (~b × ~c) = (~a · ~c)~b − (~a · ~b)~c. n o
H H
6 ~ · dS ~F] = 0, pues dS ~F||~v0F . Además, ~ ×(~v0F × B)]
~ · dS ~F =
SF ~
v0F [(~v0F × B) SF ~
v0F [B
H n o H n 2 2 o n o
~ ~ ~ · ~v0F = ~ · ~v0F )2 dS
~0F = 0, pues B 2~v 2 −(B ~ · ~v0F )2
SF dSF [B ×(~ v0F × B)] SF B ~
v0F −(B 0F
tiene el mismo valor para cada elemento dS ~F y para su opuesto −dS ~F .
que se puede escribir efectivamente como(7)

~j = σ̄ ~ + σ̄
¯E E ~ × E).
¯B (B ~ (8.41)
e) τ y m∗ independientes de ~k ⇒(8) Matrices σ̄

¯E y σ̄
¯B = eτ σ̄¯E /m∗ de
ij ii
componentes σE = 0, para i 6= j y σE = σE ⇒ (8.41) se escribe como
~ + σB (B
~j = σE E ~ × E),
~ (8.42)
2 2
e τ 2 e τ eτ
donde, σE = 2
k0F v0F = 3
SF v0F y σB = ∗ σE . Para
3π ~β 12π ~β m
~ = (0, 0, B) y E
B ~ = (Ex , Ey , 0), según (8.42)
~j = (σE Ex − σB Ey , σB Ex + σE Ey , 0)
 
(9) σE −BσB 0
o equivalentemente ~j = σ̄ ~ con σ̄
¯ (B)E, ¯ (B) = BσB σE 0.
0 0 1
BσB
Para jy = 0 (régimen estacionario), Ey = − Ex ⇒
σE
Ex σE 1 3π 2 ~
ρ≡ = 2 2 2 = = 2 2 ,
jx σE + B σB σE β e τ kF v0F
Ey σB eτ /m∗ 3π 2 ~
R≡ =− 2 2 = − = − ,
jx B σE + B 2 σB σE β m∗ eτ kF2 v0F
ambos observables independientes del campo magnético.

f) La contribución a la corriente de los términos del orden de (δ~k)2 en la
Ec.(8.31) es (Ver Ec.(8.36))
I
~j ~ 2 = − e~ δ~k(dS
~F · δ~k). (8.43)
(δ k) 4π 3 m∗ SF
Se trata de evaluar esta integral sustituyendo δ~k dado por la Ec. (8.39).
³ ´
7~
v ~ × E)
0F [(B
~F ] = P v0F j P (B
~ · dS ~ × E)
~ i dSF i ûj =
j i
  ~ ~ 
v0F x dSF x v0F x dSF y v0F x dSF z (B × E)x ¡ ¢
v0F y dSF x v0F y dSF y v0F y dSF z (B~ × E)
~ y ı̂ ̂ ~F )(B
k̂ = (~v0F dS ~ × E).
~
v0F z dSF x v0F z dSF y v0F yz dSF z (B ~ × E)
~ z
P ¡P ¢
~ · dS
~v0F [E ~F ] = v0F j ~F )E.
Ei dSF i ûj = (~v0F dS ~
j i
Si en (8.31) se utiliza simplemente la aproximación ~v (~k) ≈ ~v0F , (8.37) se reduce a (8.35) y
no se observarı́an efectos asociados a la aplicación del B. ~ Esta aproximación serı́a equivalente a
suponer la superficie de Fermi esférica con lo cual, el giro que B ~ produce sobre el conjunto de
estados ocupados no se aprecia. La inclusión de δ~k es equivalente a asumir una cierta deformación
de la esfera de Fermi, de manera que sı́ es observable entonces la rotación provocada por B. ~
xx = e2 τ e2 τ 3 θ cos2 ϕdθdϕ = e2 τ k 2 v
8 σ̄
H 2 v
R 2πR π
¯E v dS = k sen = σE ;
4π 3 ~β SF 0F x Fx 4π 3 ~β 0F 0F 0 0 3π 2 ~β 0F 0F
ij 2 H
¯E = 3 e τ
σ̄ 4π ~β SF 0F i
v dSF j = σE δij , con i, j = x, y, z y δij = 1 para i = j, δij = 0 para i 6= j.
9 En un sistema de referencia con el eje z paralelo a B. ~
Para B ~ = (0, 0, B) y E~ = (Ex , Ey , 0), el resultado es(10)

2 ³ eτ ´ n o
~j ~ 2 = − e τ v 0F kF
2
4(ω c τ )B ~ + [3(ωc τ )2 − 1](B
E ~ × E)
~ =
(δ k) 3π 2 ~β 2 m∗
1n o
~ −[3(ωc τ )2− 1]σB B[Ey ı̂−Ex ̂] = δ σ̄ ~
− 4(ωc τ )2 σE E ¯ (B)E,
β
 
4(ωc τ )2 σE −B[3(ωc τ )2 − 1]σB 0
1
¯ (B) = − B[3(ωc τ )2 − 1]σB
con δ σ̄ 4(ωc τ )2 σE 0.
β
0 0 1
Sumando esta conductividad a la calculada en el apartado anterior,
resulta una conductividad total
 
[1−4(ωc τ )2/β]σE −B[1−3(ωc τ )2/β + 1/β]σB 0
¯Tot (B)=
σ̄ B[1−3(ωc τ )2/β +1/β]σB [1−4(ωc τ )2/β]σE 0=
0 0 1
 
[1 − 3(ωc τ )2 ]/β 2 −2(ωc τ )[1 − (ωc τ )2 ]/β 2 0
e2 τ k0F
2
v0F 
2(ωc τ )1 − (ωc τ )2 ]/β 2 [1 − 3(ωc τ )2 ]/β 2 0 .
3π 2 ~
0 0 1
Para campos magnéticos débiles, ωc τ ≪ 1 ⇒ β −2 ≈ 1 − 2(ωc τ )2 ⇒(11)
 
1−5(ωc τ )2 −2ωc τ [1−3(ωc τ )2 ] 0
e2 τ k0F
2
v0F  2
¯Tot (B) ≈
σ̄ 2ωc τ [1−3(ωc τ ) ] 1−5(ωc τ )2 0 ,
3π 2 ~
0 0 1
que, despreciando términos de orden superior a (ωc τ )2 , se reduce a

(8.29).
  
I I 
eτ  ~F + eτ (B
³ ´ 
δ~k(δ~k · dS
~ F) = − δ~kE
10 ~ ~ ~ ~ ×E)·d
~ ~F +[(B
~ ×(~v0F ×B))]·d
~ ~F
·dSF +(~v0F ×B)·dS ∗
S S  .
SF ~β SF
 | {z } m 

=0
En esta integral aparecen 12 sumandos cuyos valores se dan en la tabla siguiente en unidades
2 v
πk0F 2 2
0F e τ
de 2 2
.
3~ β
(eτ )2 (eτ )2
δ~k ↓ /δ~k·dS
~F → eτ ~
− ~β ~F
E ·dS ~ × E)·d
− m∗ ~β (B ~ S~F ~ ×(~v0F × B)]·d
− m∗ ~β [B ~ S~F
eτ ~ ~
− ~β E 0 0 8(ωc τ )B E
eτ
− ~β ~v0F ~
×B ~ ×E
-4B ~ ~
4(ωc τ )B E 0
(eτ )2 ~ ~ ~ ×E
~
− m∗ ~β B ×E 0 0 8(ωc τ )2 B
(eτ )2 ~ ~ ~ ~ ×E
~
− m∗ ~β B ×(~v0F × B) 4(ωc τ )B E 4(ωc τ )2 B 0
11 Despreciando términos de orden (ωc τ )s , con s ≥ 4.
12. En relación con los resultados del ejercicio anterior,
a) Probar que la expresión (8.34) para electrones libres, σ =

e2 ℓSF
, es equivalente a la expresión del modelo de Drude
12π 3 ~
2
ne τ /m, donde n es la densidad electrónica y m la masa
del electrón. ¿Cuáles son las ideas que sustentan esta
equivalencia?
b) Encontrar la expresiones para la magnetorresistencia y el
coeficiente Hall que se derivan de estos resultados. ¿Puede
la aplicación de un campo magnético, en ciertas condiciones,
mejorar la conductividad eléctrica?
c) Discutir si los resultados obtenidos son compatibles con la
estructura de bandas, es decir, si son válidos para electrones
en un potencial reticular periódico.
Solución:
~k0F
a) En la expresión (8.34), ℓ = v0F τ = τ y SF = 4π 2 k0F 2
. Para
m
electrones libres, además, k0F = (3π 2 n)1/3 . Sustituyendo, es inmediato
ne2 τ
obtener la expresión del modelo de Drude, σ(0) = .
m
Hay una aparente paradoja en la equivalencia de estas expresiones: En
el modelo de Drude se supone que todos los electrones de conducción, n
contribuyen la conducción eléctrica, mientras que la expresión (8.34)
se obtuvo suponiendo que sólo una fracción de esos electrones, los
correspondientes a los estados alrededor de la superficie de Fermi, nSF ,
dan contribución neta a la corriente eléctrica. Sin embargo, esta fracción
de electrones se puede tomar como nSF ≈ D(εF )δεSF , siendo D(εF ) la
función densidad de estados por unidad de volumen en la superficie de
Fermi. La equivalencia se sustenta en que para electrones libres con lo
3n
cual D(εF ) = ⇒ nSF ∝ n.
2εF
¯Tot (B) obtenida en el apartado (f ) del ejercicio
b) Invirtiendo la matriz σ̄
anterior se obtiene
 
1 + (ωc τ )2 2(ωc τ )[1 + 3(ωc τ )2 ] 0
ρ̄¯(B) ≈ ρ(0) −2(ωc τ )[1 + 3(ωc τ )2 ] 1 + (ωc τ )2 0 ,
0 0 1
1 3π 2 ~
con ρ(0) = = 2 v , que para electrones libres es
σ(0) e2 τ k0F 0F
m
simplemente ρ(0) = .
ne2 τ
De aquı́ es inmediato obtener ρ(B) ≡ ρ̄¯xx (B) = ρ(0)[1 + (ωc τ )2 ] y la

magnetorresistencia
ρ(B) − ρ(0)
∆ρ(B) = ∝ B2,
ρ(0)
2
ası́ como el coeficiente Hall, −RH B ≡ ρ̄¯xy (B) ⇒ RH = − [1+3(ωc τ )2 ].
ne
Este resultado indica que la aplicación de un campo magnético siempre
aumenta la resistencia eléctrica aunque es un aumento relativamente
pequeño: En metales, por ejemplo, ∆ρ(B) está en general bien por
debajo del 10 %.
El incremento de la resistividad con la aplicación de un campo
magnético es un afirmación que se puede hacer con independencia de
cualquier modelo. La acción de un campo magnético sobre una partı́cula
cargada en movimiento es desviarla de la trayectoria paralela al campo
eléctrico que seguirı́a a B = 0. Es un desvı́o menos abrupto, en general,
que la interacción con fonones, impurezas, etc., pero como estos es por
lo tanto un mecanismo generador de resistencia eléctrica.
c) La descripción de la traslación global de la esfera de Fermi bajo un
campo eléctrico como si sólo los estados alrededor de la superficie de
Fermi resultaran alterados es compatible con la estructura de bandas
y en particular la expresión (8.31) para la densidad de corriente,
ası́ como las expresiones (8.41) y (8.42). El resto de los resultados no
son compatibles pues se obtuvieron asumiendo, por ejemplo, un radio
de Fermi constante (es decir, superficie de Fermi conexa), electrones
libres, etc.

1. Discutir si el voltaje Hall en un cristal no aislante puede ser nulo.
Solución: Si. Para un material con dos bandas semillenas a campos bajos RH = (n1 µ21 /q1 +
n2 µ22 /q2 )/(n1 µ1 + n2 µ2 )2 (cap.8, ejercicio 9, apdo. c). Puede anularse para un material
compensado (n1 = n2 , q1 = −q2 ) si µ1 = µ2 .
2. Razonar si los huecos electrónicos de una banda casi llena y los electrones
de una banda casi vacı́a dan contribuciones a la conductividad eléctrica que
se refuerzan o, por el contrario, que se contrarrestan.
Solución: Se refuerzan.
3. La energı́a electrónica alrededor del techo de una banda de valencia en un

semiconductor es ε = −10−37 k 2 J, donde ~k es el vector de onda. Se quita
un electrón del estado ~k = 109 ı̂ m−1 donde ı̂ es el vector unitario según el
eje x. Calcular las siguientes cantidades del hueco resultante, explicitando su
signo:
a) La masa efectiva
b) La energı́a
c) El vector de onda
d) La velocidad
Solución: a) m∗h = 0.06me . b) εh = 0.625 eV. c) ~kh = −109 ı̂ m−1 . d) ~vh = −1.9 × 106 ı̂
m/s
4. Suponer un electrón en una banda de un cristal cúbico simple de parámetro

de red 4 Å sometido a un campo eléctrico de 100 V/m. ¿Cuál deberı́a ser
el tiempo medio mı́nimo entre colisiones de ese electrón para observar una
oscilación completa en su recorrido?
Solución: T = 1.03 × 10−7 s
5. Sobre una muestra monocristalina de Si se aplica un campo magnético B ~ =

(B, B, 0), con B = 5 T. Determı́nese la frecuencia ciclotrón de los electrones
de conducción situados en el bolsillo electrónico de la dirección [100].
q
Solución: ωc = (eB/me ) (ml + mt )/ml m2t ≈ 5 × 1012 rad/s
6. La figura representa la relación de dispersión para los electrones de un sólido

unidimensional.
a) Cuál es la relación entre la densidad de electrones en la banda de
conducción y la densidad de huecos en la banda de valencia, n/p?
b) ¿Cuál es el signo de la masa efectiva de los electrones en la banda de
conducción y de los huecos en la banda de valencia? ¿Cuál de ellas
será mayor (en valor absoluto)? Estima numéricamente sus valores con
respecto a la masa del electrón.
(eV)
= 0.403
= 0.400 V
F
= 0.389
C
-1
k (nm )
0 0.55 5.45 6.00
c) ¿Tiene este material un número par o impar de electrones por celda

unidad? A T=0 K, ¿conducirı́a la corriente eléctrica?
d) ¿Podrı́a el modelo de electrones cuasilibres dar cuenta de una estructura
de bandas como la representada?
Solución: a) n = p. b) m∗e ≈ 1.04me ; m∗h ≈ 3.81me . c) Par. Si. d) No, no puede explicar
el solapamiento de bandas.
7. Discute la veracidad de la siguiente afirmacion:

Cuando se aplica un campo magnético a un cristal conductor, un electrón se
mueve, en la dirección del campo, con velocidad constante.
Solución: Falso
8. Sea un cristal unidimensional de parámetro de red a y energı́a electrónica

dada por
~2
ε(k) = [1 − cos(ka)] (m ≡ masa electrónica)
ma2
a) Determinar la masa efectiva en el fondo y en el techo de la banda.
b) Determinar una masa efectiva m∗v (k) tal que v(k) = ~k/m∗v (k).
c) Determinar la energı́a electrónica total si cada átomo aporta un electrón
a la conducción. ¿Cuánto menor es que la que tendrı́an electrones libres?
d) Determinar la densidad de estados.
Solución: a) Fondo: m. Techo: −m. b) m∗v = mak/sen(ka). c) Utot = L~2 (π − 2)/πma3 .
p
Para e− libres: Utot = L~2 π 2 /24ma3 . d) D(ε) = |2Lma/π~2 1 − (1 − ma2 ε/~2 )2 |.
Capı́tulo 9
Cristales semiconductores

Un semiconductor es un aislante (a T = 0 K) con un gap de energı́a
suficientemente pequeño (εg < 1 eV) como para que a temperaturas finitas una
proporción apreciable de electrones de la banda de valencia (B.V.) pasan a ocupar
la banda de conducción (B.C.), permitiendo la conducción eléctrica.
Cristal εg (0 K) εg (300 K) ml mt mh m′h

Si 1.17 1.12 0.98 0.19 0.52 0.16
Ge 0.75 0.66 1.57 0.082 0.34 0.043
InSb 0.23 0.17 0.015 0.015 0.39 0.021
GaAs 1.52 1.43 0.066 0.12 0.5 0.082
Cuadro 9.1. Gap de energı́a (en eV) y masas efectivas (en unidades de la masa electrónica)
de algunos semiconductores. l y t se refieren a la componente longitudinal y transversal
de los bolsillos electrónicos, respectivamente. Las dos masas efectivas para huecos están
asociadas a la existencia de dos bandas de valencia degeneradas.
La concentración electrónica en la B.C. y de huecos en la B.V se calculan
según
Z ∞ Z εv
n= dc (ε)fF D (ε, T )dε; p = dv (ε)[1 − fF D (ε, T )]dε (9.1)
εc −∞
donde
q ∗3/2
mc,v
dc,v (ε) =
2|ε − εc,v | 3 2 (9.2)
~ π
son las densidades de estados por unidad de volumen en la B.C. y B.V.,
respectivamente. Aquı́, εc y εv son las energı́as en el techo de la B.C. y el fondo
(1)
de la B.V., y m∗c,v ≡ (m∗1 m∗2 m∗3 )1/3 .
b
X
∗3/2 1/2
1 Si contribuyen b bandas o bolsillos de electrones o de huecos, mc,v = (m∗1 m∗2 m∗3 )i .
i=1
196 Capı́tulo 9: Cristales semiconductores
Para semiconductores no degenerados (que verifican, εc − µ, µ − εv ≫ kB T ),

las Ecs. (9.1) se reducen a
n = Nc (T )e−(εc −µ)/kB T ; p = Nv (T )e−(µ−εv )/kB T (9.3)
donde
µ ¶3/2 µ ¶3/2 · ¸3/2
m∗c,v kB T m∗c,v T (K)
Nc,v ≡ = 2.5 × 1019 cm−3 (9.4)
21/3 π~2 me 300
Para semiconductores intrı́nsecos (sin una cantidad apreciable de

impurezas eléctricamente activas), n = p ≡ ni y resulta
p 1 3 m∗
ni = Nc Nv e−εg /2kB T ; µ = εv + εg + kB T ln v∗ (9.5)
2 4 mc
Los semiconductores dopados presentan impurezas sustitucionales eléctri-

camente activas: si aportan electrones (huecos), normalmente elementos del grupo
V (III), se llaman dadoras (aceptoras) y el semiconductor se dice de tipo n
(tipo p).
La energı́a de ionización y el radio de una impureza pueden obtenerse a partir
de las ecuaciones para un átomo de hidrógeno, adaptadas al medio material:
m∗ 1 m
εd,a = ε0 ; ad,a = κa0 (9.6)
m κ2 m∗
donde κ es la permitividad eléctrica relativa del medio, ε0 = 13.6 eV y a0 = 0.53
Å. Cuantitativamente εd,a ∼ 0.01−0.1 eV y ad,a ∼ 102 Å (ver siguiente cuadro con
datos para Si y Ge). El hecho de ser ad,a mucho mayores que la constante de red
permite considerar al semiconductor como un medio continuo, y usar magnitudes
macroscópicamente promediadas (como κ). Las impurezas dadoras generan un
nivel energético (εD ) situado una energı́a εd por debajo de la B.C., y las aceptoras
generan otro nivel (εA ) situado una energı́a εa por encima de la B.V.
εd (10−2 eV) εa (10−2 eV)

Cristal/Dopante P As Sb Bi B Al Ga In Tl
Si 4.4 4.9 3.9 6.9 4.6 5.7 6.5 16 26
Ge 1.2 1.27 0.96 − 1.04 1.02 1.28 1.12 1.0
A una temperatura determinada, las concentraciones de impurezas

aceptoras y dadoras ionizadas son
NA ND
NA− = ; +
ND = , (9.7)
1 + 2e(εA −µ)/kB T 1 + 2e(µ−εD )/kB T
donde NA y ND son las concentraciónes totales de impurezas aceptoras y dadoras,
respectivamente.
La concentración de portadores en semiconductores dopados puede obtenerse

a partir de la condición de electroneutralidad:
n + NA− = p + ND
+
. (9.8)
La sustitución de las Ecs. (9.3) y (9.7) en (9.8) lleva a una expresión que sólo
depende de µ. Despejando y sustituyéndolo en (9.3) se obtienen n(T ) y p(T ).
Cualitativamente se encuentran tres regiones diferenciadas: Para un semiconductor
de tipo n, a temperaturas muy bajas los electrones en la B.C. proceden de la
ionización de impurezas (régimen de ionización). A partir de la temperatura
de saturación, Ts , todas las impurezas están ionizadas y se entra en el régimen
de saturación, en que n ≈ ND . Para temperaturas mayores (a partir de la
temperatura intrı́nseca, Ti ) los electrones procedentes de la B.V. llegan a
superar a los procedentes de impurezas y se entra en el régimen intrı́nseco
en el que n ≈ ni . El argumento es análogo para semiconductores de tipo p.
La conductividad eléctrica de semiconductores no degenerados, es la suma
de las contribuciónes de huecos en la B.V. y electrones en la B.C.:
ne2 τ̄e pe2 τ̄h

σ= + (9.9)
m∗c m∗v
donde τ̄e y τ̄h son medias para todos los electrones en la B.C. y huecos en la B.V.
En función de las correspondientes movilidades
eτ̄e eτ̄h
µn ≡ ; µp ≡ (9.10)
m∗c m∗v
resulta σ = enµn + epµp . A bajas temperaturas las movilidades están controladas

por las impurezas y a altas temperaturas por fonones, según
µimp ∝ T 3/2 ; µfon ∝ T −3/2 . (9.11)
Ası́ pues, en el régimen intrı́nseco a alta temperatura se tiene

³ ´
σ = enµn + epµp ∝ T 3/2 e−εg /2kB T T −3/2 = e−εg /2kB T , (9.12)
expresión que permite acceder experimentalmente a εg .

La unión fı́sica entre en semiconductor de tipo p y otro de tipo n se denomina
unión p-n. La corriente a través de ella cuando se le aplica una diferencia de
potencial V es · µ ¶ ¸
eV
I = I0 exp −1 (9.13)
kB T
donde I0 ∝ exp(−εg /kB T ). Esta relación altamente no simétrica con respecto a
V permite utilizar la unión p-n como rectificador. Combinaciones del tipo n-p-n o
p-n-p se conocen como transistores y son la base de la microelectrónica.

1. Para una relación de dispersión de la forma
~2 k12 ~2 k22 ~2 k32

ε = ε0 + + +
2m∗1 2m∗2 2m∗3
determinar la densidad de estados.
Solución:
Calcularemos primero el número de estados por unidad de volumen con
energı́a menor que una dada, n(ε). A partir de ahı́ la densidad de estados
(por unidad de volumen) vendrá dada por
dn
d(ε) = .
dε
3
X ~2 ki2
La relación de dispersión puede reescribirse según 1 = ,
i=1
2m∗i (ε − ε0 )
que es la ecuación de un elipsoide de semiejes
p p p
2m∗1 (ε − ε0 ) 2m∗2 (ε − ε0 ) 2m∗3 (ε − ε0 )
a= , b= , c= .
~ ~ ~
Luego el volumen en el espacio recı́proco asociado a estados con energı́a
menor que ε es el volumen de dicho elipsoide, o sea
4
Vr = πabc.
3
Teniendo en cuenta que el número de estados por unidad de volumen en el
espacio recı́proco es 8π32/V , el número de estados contenidos en el elipsoide
viene dado por
2Vr
N= .
8π 3 /V
A partir de ahı́ p
N 2 2m∗1 m∗2 m∗3 (ε − ε0 )3
n= = ,
V 3π 2 ~3
y finalmente p
dn 2m∗3 (ε − ε0 )
d(ε) = = (9.14)
dε π 2 ~3
donde(2) m∗ ≡ (m∗1 m∗2 m∗3 )1/3 .
2 Para un cristal con b bolsillos de electrones o huecos en la PZB , o con b bandas,
q
b b 2 2m∗ m∗ m∗ (ε − ε0 )3 b
X 4 X 1i 2i 3i ∗3/2
X
Vr = πai bi ci ⇒ n = y en (9.14) m ≡ (m∗1i m∗2i m3i )1/2 .
i=1
3 i=1
3π 2 ~3 i=1
2. a) Calcula la dependencia con la temperatura del potencial

quı́mico µ(T ) y de la concentración de portadores n(T ) para
un semiconductor de tipo n. Considera que la temperatura
es lo suficientemente baja como para suponer despreciable la
promoción de electrones desde la B.V. a la B.C.
b) Para este tipo de semiconductores, la temperatura de
saturación (en la cual se transita del régimen de ionización
al de saturación) se define generalmente por la condición
µ(Ts ) = εD . Demuestra que, según esa condición,
εc − εD
Ts = .
kB ln[Nc (Ts )/ND ]
Solución:
+
a) Según la relación de electroneutralidad se tiene que n = p + ND .
A temperaturas lo suficientemente bajas como para que se pueda
despreciar la promoción térmica de electrones desde la banda de valencia
+
a la de conducción, se tiene que p ≈ 0, y por tanto n = ND .
+
Sustituyendo las expresiones para n (9.3) y ND (9.7):
µ ¶
εc − µ N
Nc (T ) exp − = ³ D ´ ,
kB T 2 exp µ−ε D
+1
kB T
Haciendo los siguientes cambios de variable

µ ¶ µ ¶ µ ¶
εc εD µ
ηc = exp − ; ηD = exp − ; α = exp
kB T kB T kB T
resulta
ND
Nc (T )ηc α = .
2αηD + 1
Esta ecuación cuadrática puede reordenarse según
α ND
α2 + − = 0,
2ηD 2Nc (T )ηD ηc
cuya solución es
s
1 1 1 ND
α=− ± 2 + 4 2N (T )η η .
4ηD 2 4ηD c D c
Al ser α definida positiva, debe escogerse el signo positivo delante de

la raı́z. Deshaciendo los cambios de variable y manipulando resulta
finalmente
" s #
1 1 8ND εc − εD
µ(T ) = εD + kB T ln − + 1+ exp .
4 4 Nc (T ) kB T
¡ c kB T ¢3/2
Teniendo en cuenta que Nc (T ) = 41 2mπ~ 2 , la representación
gráfica es tal y como se indica en la siguiente figura (para este ejemplo
se ha supuesto que mc = mv = me , εc − εD = 0.1 eV y εgap = 1 eV).
T -3
S
0.1 eV 18 N (cm )
16 10 D
10
14
10
T
+ i
c v
i
2
0 500 1000
T (K)
La dependencia con la temperatura de la concentración de portadores

en la banda de conducción (en el marco de la aproximación de bajas
temperaturas) viene dada por
· ¸
εc − µ(T )
n(T ) = Nc (T ) exp − ,
kB T
y su correspondiente representación gráfica es (se ha introducido
también la concentración intrı́nseca de portadores, ni , que se tendrı́a
a altas temperaturas)
19
10
n i
18 -3
10 N (cm )
D
17
10 18
)
10
-3
n (cm
16
10
15 16
10 10
14
10
14
10
13
10
0.000 0.005 0.010 0.015
-1
1/T (K )
Algunos lı́mites interesantes tanto de µ(T ) como de n(T ) son los

siguientes:
i) A temperaturas muy bajas [tales que exp( εck−ε

BT
D
) ≫ N8N
c (T )
D
], se puede
aproximar
s
ND εc − εD εc + εD kB T ND
µ(T ) = εD +kB T ln exp )= + ln ,
2Nc (T ) kB T 2 2 2Nc (T )
y la dependencia de la concentración de portadores con la temperatura

resulta
µ ¶ r µ ¶
εc − µ Nc (T )ND εc − εD
n(T ) = Nc (T ) exp − = exp − .
kB T 2 2kB T
Exactamente a T = 0 K, dado que Nc ∝ T 3/2 y que lı́mT →0 (T ln T ) = 0,

se tiene que
εc + εD
µ(0) = ,
2
mientras que n(0) = 0.
ii) A más altas temperaturas [tales que exp( εck−ε
BT
D
) ≪ N8Nc (T )
], utilizando
√ D
que 1 + x ≈ 1 + x/2 cuando x → 0, se puede aproximar
· µ ¶¸
1 1 4ND εc − εD
µ(T ) ≈ εD + kB T ln − + 1+ exp =
4 4 Nc (T ) kB T
ND
= εc + kB T ln .
Nc (T )
La concentración de electrones en la banda de conducción resulta ahora

µ ¶ ½ · ¸¾
εc − µ ND
n(T ) = Nc (T ) exp − = Nc (T ) exp ln = ND ,
kB T Nc (T )
que es independiente de la temperatura. Esto ocurre porque en esta zona

(conocida como región de saturación) todas las impurezas dadoras están
ya ionizadas, mientras que la concentración de electrones procedentes
de la banda de valencia es aún despreciable.
b) Un criterio para determinar cuándo se entra en la región de saturación
viene dado por la temperatura de saturación Ts , definida por µ(Ts ) = εD
(ver primera figura). Sustituyendo en la anterior expresión para µ(T ),
dicha temperatura se puede expresar por la ecuación implı́cita
εc − εD
Ts = .
kB ln[Nc (Ts )/ND ]
3. Supóngase un semiconductor dopado con impurezas aceptoras y

dadoras en la misma medida (NA ≈ ND ). ¿Qué ocurre con la
conductividad eléctrica en función de la temperatura?
Solución:
La conductividad de un semiconductor viene dada por Ec. (9.9)
σ = enµn + epµp ,
donde n y p son, respectivamente, las concentraciones de electrones y

huecos en las bandas de conducción y valencia, y µn,p las correspondientes
movilidades. Por un lado, incluso para T → 0 K todos los electrones
proporcionados por las impurezas dadoras saltan a las impurezas aceptoras,
ionizándolas por completo. Dicho de otro modo, todos los electrones en el
nivel dador εD saltan al nivel aceptor εA , llenándolo por completo.3 Como
consecuencia, las dependencias con la temperatura de n y p se corresponden
con las de un semiconductor intrı́nseco (sin impurezas),
µ ¶
εg
n, p ∝ T 3/2 exp − .
2kB T
Por otro lado, a bajas temperaturas las movilidades están controladas por
las impurezas eléctricamente activas, y a altas temperaturas por fonones,
siendo las correspondientes dependencias con la temperatura [Ecs. (9.11)]
µimp ∝ T 3/2 ; µfon ∝ T −3/2 .
Ası́ pues, a bajas temperaturas se tendrı́a

µ ¶
εg
σ ∝ T 3 exp − ,
2kB T
y a altas temperaturas µ ¶
εg
σ ∝ exp − .
2kB T
4. ¿Qué determina que un semiconductor se pueda considerar no

degenerado? ¿Depende de la concentración de impurezas?
Solución:
En un semiconductor no degenerado el potencial quı́mico µ dista del techo
de la banda de valencia (εv ) y del fondo de la banda de conducción (εc ) una
energı́a mucho mayor que kB T ,
εc − µ ≫ kB T, µ − εv ≫ kB T.
3 Ello es posible porque ε
D está justo por debajo de la banda de conducción y εA justo por
encima de la banda de valencia, y por tanto εD > εA .
Estas condiciones permiten sustituir la función de distribución de Fermi-

Dirac por la de Maxwell-Boltzmann y simplificar enormemente el cálculo de
las concentraciones electrónicas y de huecos.
Por lo visto en el Ejercicio 2, a temperaturas finitas el potencial quı́mico
depende fuertemente de la concentración de impurezas. En particular, para
una concentración de impurezas ND ∼ Nc (NA ∼ Nv ), µ(T ) podrı́a incluso
alcanzar εc (εv ), en cuyo caso el conductor se dice degenerado. Generalmente,
para tales concentraciones las impurezas están a una distancia comparable
a su propio tamaño, de modo que no pueden considerarse aisladas (ver
siguiente Ejercicio).
5. El antimoniuro de indio (InSb) tiene εg =0.17 eV a T = 300 K,

una permitividad eléctrica relativa κ = 18, y una masa efectiva
electrónica m∗e = 0· 015 me . Calcular:
a) La energı́a de ionización de los las impurezas dadoras.

b) El radio de la órbita en el estado fundamental de dichas
impurezas.
c) ¿A qué concentración mı́nima de impurezas habrá efectos
apreciables de solapamiento entre órbitas de átomos de
impurezas adyacentes (este solapamiento tiende a producir
una “banda de impurezas”, es decir, una banda de niveles
de energı́a que permite una conducción eléctrica por un
mecanismo de salto de los electrones de un átomo a otro)?
¿Cómo afectará a la conductividad eléctrica que se espera de
un superconductor de tipo n?
Solución:
a) La energı́a de ionización viene dada por
m∗ 1
εd = ε0 .
me κ 2
donde ε0 = 13.6 eV. Utilizando los datos del enunciado se encuentra

εd = 0.63 meV.
b) El radio de la órbita fundamental viene dado por
me
r0 = κa0 .
m∗
donde a0 =0.53 Å. Utilizando de nuevo los datos del enunciado se

encuentra r0 = 636 Å.
c) Para que las impurezas no interactúen entre sı́ deberán estar separadas
al menos por una distancia ℓ ≈ 2r0 = 1.27 × 10−5 cm. La concentración
máxima de impurezas no interactuantes será pues
max 1
ND ≈ ≈ 5 × 1014 cm−3 .
ℓ3
Para concentraciones mayores, tal y como explica el enunciado
habrá conducción eléctrica por un mecanismo de salto de los electrones
de una impureza a otra. Al contrario que en semiconductores menos
dopados, la conductividad eléctrica dependerá con la temperatura de
una manera más propia de un metal. El cambio en las propiedades de
estos materiales al aumentar la concentración de impurezas por encima
max
de ND se conoce como transición dieléctrico-metal, o transición Mott.
6. En un cierto semiconductor hay 1013 dadores/cm3 con una energı́a

de ionización de εd = εc − εD = 1 meV y una masa efectiva en la
banda de conducción de m∗c = 0· 01 me . Suponiendo que no hay
aceptores y que εg ≫ kB T ,
a) Estima la concentración de electrones de conducción a 4 K.

b) Calcula el coeficiente Hall.
Solución:
a) Para las condiciones mencionadas, en el Ejercicio 2 se calculó que

para temperaturas muy bajas [tales que exp( εck−ε BT
D
) ≫ N8N c (T )
D
], la
concentración electrónica en la banda de conducción se puede aproximar
por
r µ ¶
Nc (T )ND εc − εD
n(T ) = exp − .
2 2kB T
En el presente caso, exp( εck−ε
BT
D
) ≈ 18.14. Por otro lado utilizando (9.4)
µ ¶3/2 · ¸3/2
m∗c T (K)
Nc (T ) = 2.5 × 1019 cm−3
me 300
se obtiene
Nc (4 K)
≈ 0.48
8ND
con lo cual se cumple la condición de muy bajas temperaturas. Por
tanto, utilizando la anterior expresión para la concentración electrónica
en la banda de conducción se obtiene n(4 K) ≈ 3.2 × 1012 cm−3 .
b) El coeficiente Hall se calcula a través de la expresión

1
RH = − .
(n − p)e
Como p ≈ 0 dado que la promoción de electrones desde la banda de

valencia hasta la de conducción es practicamente inexistente al ser εg ≫
kB T , se tiene finalmente
1
RH = − ≈ −1.9 m3 /C.
ne
7. Una muestra de silicio contiene ND = 1014 dadores/cm3 . ¿Por

debajo de qué temperatura dejará de tener comportamiento
intrı́nseco? (εg =1.1 eV y la concentración intrı́nseca de portadores
a 300 K es de 1010 cm−3 )
Solución:
La temperatura por debajo de la cual el comportamiento deja de ser
intrı́nseco, Ti , puede aproximarse por aquella para la cual la concentración
de portadores intrı́nseca, ni (T ), coincide con la concentración de impurezas,
ND . Utilizando la expresión (9.5) para ni resulta la siguiente ecuación
implicita para Ti
µ ¶
p εg
Nc (Ti )Nv (Ti ) exp − = ND ,
2kB Ti
que puede reescribirse como

εg
Ti = h i.
Nc (Ti )Nv (Ti )
kB ln ND 2
Teniendo en cuenta la expresión (9.4) para Nc,v (T )

µ ¶3/2 · ¸3/2
m∗c,v Ti (K)
Nc,v (Ti ) = 2.5 × 1019 cm−3 ,
me 300
y utilizando los datos del enunciado, resulta

εg
Ti = £ ¤,
kB ln 2315 Ti3 (K)α3/2
donde α = m∗c m∗v /m2e . Para calcular α se utiliza el dato del enunciado
ni (300 K)=1010 cm−3 . Utilizando de nuevo la Ec. (9.5) para ni (T ) resulta
µ ¶
3/4 εg
ni (300 K) = 2.5α exp − × 1019 cm−3 = 1010 cm−3 ,
2kB 300 K
que permite obtener α = 0.62. Con este valor de α, la anterior ecuación

implı́cita puede expresarse como
1.28 × 104
3 ln Ti + 7.03 = .
Ti
Resolviendo numéricamente resulta Ti ≈ 498 K.
8. Un semiconductor con un gap de energı́a de εg = 1 eV e iguales

masas efectivas para electrones y huecos (m∗e = m∗h = me ) se dopa
con una concentración de aceptores de NA = 1018 cm−3 . Probar
que la conducción intrı́nseca es este material es despreciable a 300
K.
Solución:
La temperatura por encima de la cual la conducción es intrı́nseca viene dada
por la ecuación implı́cita (ver ejercicio anterior)
εg
Ti = h i.
Nc (Ti )Nv (Ti )
kB ln NA 2
Según (9.4), dado que las masas efectivas de huecos y electrones son iguales,
se tiene que
· ¸3/2
Ti (K)
Nc (Ti ) = Nv (Ti ) = 2.5 × 1019 cm−3 .
300
Sustituyendo en la anterior ecuación se obtiene
εg 1.16 × 104 K
Ti = = .
kB ln [2.31 × 10−5 Ti3 (K)] ln [2.31 × 10−5 Ti3 (K)]
Resolviendo numéricamente se encuentra Ti = 1117 K, con lo que la

conducción intrı́nseca a 300 K debe de ser irrelevante.
9. Calcular la posición del nivel de Fermi a T = 4 K y T = 300 K para

un semiconductor intrı́nseco con εg = 1 eV, m∗c =0.1 me , m∗v =5
me .
Solución:
Para un semiconductor intrı́nseco la posición del potencial quı́mico viene
dada por la expresión (9.5)
εg 3 m∗
µi (T ) = εv + + kB T ln v∗ .
2 4 mc
Sustituyendo valores se encuentra

εg
µ(4 K) = εv + + 1.01 meV
2
εg
µ(300 K) = εv + + 75.9 meV
2
10. 5 µA fluyen a través de un diodo de unión p-n simple, a

temperatura ambiente, cuando se polariza en sentido inverso
(negativo) con 0.15 V. Calcular el flujo de corriente cuando se
polariza en forma directa con el mismo voltaje.
Solución:
La relación I-V de un diodo viene dada por la expresión (9.13)
· µ ¶ ¸
eV
I(V ) = I0 exp −1
kB T
Como
· µ ¶ ¸
e 0.15 V
I(−0.15 V) = I0 exp − − 1 = −0.997I0 = −5 µA,
kB T
se tiene que I0 = 5.015 µA. Por tanto

· µ ¶ ¸
e 0.15 V
I(+0.15 V) = 5.015 µA exp − 1 = +1.646 mA.
kB T
11. ¿Qué tamaño mı́nimo debe tener una unión p-n para comportarse
como tal? ¿Cómo se compara con el nivel de miniaturización
alcanzado hoy dı́a?
Solución:
Un posible lı́mite para el tamaño mı́nimo de una unión p-n es el tamaño de
la región de carga espacial, que puede ser de hasta ∼10 nm. Actualmente, la
miniaturización de elementos semiconductores en microchips está en torno
a 45 nm (e.g., Intel Core 2 ). Una de las más importantes dificultades para
futuras miniaturizaciones reside, sin embargo, en las fugas de corriente a
través de elementos aislantes por el efecto túnel.

1. Una muestra de Ge (4.4×1022 átomos/cm3 ) tiene los siguientes valores de
resistencia eléctrica a las temperaturas que se indican:
T (K) 310, 321, 339, 360, 383, 405, 434
R(Ω) 13.5, 9.10, 4.95, 2.41, 1.22, 0.74, 0.37
a) Calcular el gap de energı́a.

b) Se añade una concentración del 0.0001 % de átomos de As.
1) Probar que a temperatura ambiente prácticamente todas las
impurezas están ionizadas.
2) ¿Cómo se verá afectada la conductividad eléctrica a 300 K?
3) ¿A qué temperatura (aproximadamente) coincidirán la conductivi-
dad intrı́nseca y la producida por las impurezas?
Solución: a) εg = 0.67 eV. b1) La temperatura de saturación, por encima de la cual están
ionizadas todas las impurezas, es Ts = 99 K. b2) La temperatura a la que se entra en el
régimen intrı́nseco es Ti = 626 K. Por tanto, a 300 K se está en el régimen extrı́nseco, donde
σ = ND e2 τ /m∗c . b3) Aproximando τh ≈ τe , coincidirán cuando ni (T )(1 + m∗c /m∗h ) =
ND ⇒ T ≈ 570 K.
2. Considerar un equipo electrónico, en un local a temperatura ambiente, que

contenga componentes con uniones p − n formadas por dos semiconductores
(ver datos), uno tipo n, Nd = 1012 dadores/cm3 , y otro tipo p, Na = 1012
aceptores/cm3 . ¿Será necesario refrigerar el equipo?
Datos: εg ≈ 0.7 eV; εc − εd ≈ εa − εv ≈ 0.01 eV; m∗e ≈ m∗h ≈ 0.3me
Solución: Para funcionar correctamente, la unión p-n debe estar en régimen extrı́nseco.
En este caso Ti = 269 K (menor que la temperatura ambiente), y el equipo debe ser
refrigerado.
3. Al medir el coeficiente Hall en un semiconductor, en presencia de campo

magnético débil, ¿en qué condiciones se podrı́a encontrar RH = 0?
Solución: Para un S.C. a campos bajos RH = (pµ2h − nµ2e )/e(pµh + nµe )2 (cap.8, ejercicio
9, apdo. c), que se anula cuando pµ2h = nµ2e .
4. Una muestra de Si es uniformemente dopada con NA = 1015 aceptores/cm3 .

A T ≈ 0 K, ¿cuáles son las concentraciones de huecos y electrones en
equilibrio? ¿Y a T ≈ 400 K?
Solución: Para T ≈ 0 K, n = p ≈ 0. Para T = 400 K, el semiconductor se encuentra en
régimen de saturación (de hecho, Ti ≈ 590 K y Ts ≈ 142 K). Por tanto, p ≈ NA , y n serı́a
despreciable con respecto a p.
5. Se desea utilizar el efecto Hall de cierto material para medir campos magné-
ticos. Para tener una mejor sensibilidad, ¿es más conveniente utilizar un
semiconductor dopado, un semiconductor no dopado o un metal? ¿Por qué?
Solución: Como VH ∝ |RH |, son más sensibles los s.c. dopados (tienen una menor
concentración de portadores que los metales y, por tanto, un mayor |RH |). Para s.c.
intrı́nsecos n = p y, dependiendo de las correspondientes movilidades, RH podrı́a anularse.
6. ¿Es posible afirmar que un metal conduce por huecos o se trata de un

concepto que sólo se puede aplicar propiamente a semiconductores? ¿Se
podrı́a saber si un semiconductor conduce por electrones o huecos midiendo
su resistividad eléctrica (en concreto su signo)?
Solución: Un metal puede conducir por huecos (en bandas más llenas que la mitad).
Midiendo ρ no es posible saber si un semiconductor conduce por huecos o por electrones,
pues ambos contribuyen positivamente a σ = 1/ρ.
7. A través de una unión p-n actuando como rectificador pasa una corriente
de 10 µA cuando se polariza en modo inverso. ¿Qué corriente pasarı́a si se
polariza en modo directo con una tensión de 1 V? Suponer T =300 K.
Solución: I = 6.1 × 1011 A.
8. ¿Depende la condición de no degeneración en un semiconductor de la

concentración de impurezas? ¿Por qué?
Solución: Si. Dicha condición se expresa por |εc,v − µ| ≫ kB T , y µ depende de la
concentración de impurezas (ver cap. 9, ejercicio 2, apdo. a). Para una concentracion
alta de impurezas (tal que su separación media es comparable a su propio tamaño),
|εc,v − µ| ≈ 0 y el semiconductor se vuelve degenerado.
9. Una muestra de Germanio (εg = 0.7 eV) contiene 1013 dadores/cm3 . ¿Por
encima de qué temperatura dejará de estar en régimen extrı́nseco? La
concentración intrı́nseca de portadores a 300 K es de 9.5 × 1018 m−3 .
Solución: Ti ≈ 327 K.
10. Los portadores de un semiconductor de germanio dopado están controlados

exclusivamente por la cantidad de impurezas. Sin embargo, siempre hay una
temperatura, Ti , por encima de la cual esta afirmación deja de ser cierta.
a) ¿De qué variables fı́sicas depende Ti y por qué?

b) Si las impurezas pertenecen al grupo III, ¿de qué signo será el coeficiente
Hall en el régimen de saturación (régimen extrı́nseco)?
2
Solución: a) Ti = εg /kB ln[Nc (Ti )Nv (Ti )/NA,D ]. Por tanto, depende de εg , de m∗e y m∗h
(a traves de Nc y Nv ) y de NA,D . b) RH > 0.
11. En una unión p − n aumentamos el dopado del semiconductor p. Razonar si

ello afectará (y cómo) a la caı́da de potencial en la región de carga espacial.
Solución: Si, aumentará. Al aumentar la concentración de huecos en la zona p, estos
penetrarán más profundamente en la zona n aumentando la región de carga espacial y el
campo eléctrico asociado.
12. Calcular la concentración máxima de portadores en un cristal de Si no

degenerado a 250 K. ¿Cuánto cambia esta concentración máxima si el cristal
se dopa con una concentración de impurezas dadoras de ND = 1015 cm−3 ?
Solución: Nc = 2.2 × 1019 cm−3 . Nv = 8.4 × 1018 cm−3 . Estos valores no dependen de la
concentración de impurezas.
13. Como se puede explicar que semiconductores como Si o Ge tengan dos masas
efectivas electrónicas iguales de las tres posibles (ver Cuadro 9.1)?
Solución: Los electrones en la B.C. ocupan bolsillos elipsoidales en las direcciones [100],
[010], [001]. Esas direcciones son ejes de rotación de orden 4 de la estructura fcc del
Si y Ge. Por tanto, los bolsillos presentarán un masa efectiva longitudinal (a lo largo
de cualquiera de esas direcciones), y dos transversales idénticas (a lo largo de las dos
direcciones principales perpendiculares).
14. Considérese un semiconductor intrı́nseco no degenerado para el que las

densidades de estados
√ en la B.C. y la√B.V. vienen dadas, respectivamente,
por dc (ε) = c1 ε − εc y dv (ε) = c2 εv − ε. Aquı́, εc y εv representan la
energı́a en fondo de la B.C. y el techo de la B.V., respectivamente.
a) Encontrar una expresión para la concentración
R∞ √ electrónica
√ n en la banda
de conducción. Es útil la relación 0 e−x xdx = π/2.
b) Calcula la concentración de huecos p en la banda de valencia.
c) Encontrar una expresión para el potencial quı́mico µ(T )
√
Solución: a) n = 0.5c1 π(kB T )3/2 exp[−(εc − µ)/kB T ].
√
b) p = 0.5c2 π(kB T )3/2 exp[−(µ − εv )/kB T ]. c) µ(T ) = εc − εg /2 + 0.5kB T ln(c2 /c1 ).
15. Una muestra semiconductora tiene a temperatura ambiente una densidad

de portadores móviles de 1016 cm−3 y un coeficiente de movilidad µ =
102 cm2 /Vs.
a) Calcular su conductividad eléctrica
b) Si la masa efectiva de los portadores es 0.1 veces la del electrón libre,
¿cuál es el tiempo medio entre colisiones?
Solución: a) σ = 16 Ω−1 m−1 . b) τ = 5.7 × 10−15 s.
16. Se quiere un material cuya conductividad eléctrica al ambiente sea de

0.1 Ω−1 cm−1 . Para ello dopamos Si con Sb. ¿Cuál será la concentración
de Sb necesaria? Supón un tiempo de relajación de 10−14 s.
Solución: ND = 3.9 × 1022 m−3 .
Capı́tulo 10
Magnetismo de sólidos

La magnetización M ~ se define como el momento magnético por unidad de
volumen, M ~ =P µ ~ /V .
V
La susceptibilidad magnética χ es la relación entre M ~ y el campo
~ ~
magnético, M = χH. En función del valor de χ un medio se clasifica como:
- Diamagnético: χ < 0
- Paramagnético: χ > 0
- Ferromagnético: χ → ∞ (presentan M ~ 6= 0 incluso cuando H
~ = 0)
Diamagnetismo atómico: Todos los cuerpos presentan una contribución
diamagnética debida a los electrones ligados a los átomos: por la ley de Lenz,
los electrones en órbita alrededor de los núcleos responden a la aplicación de un
campo magnético creando un momento magnético en sentido opuesto. Según un
modelo clásico, el momento diamagnético de una órbita electrónica de radio r
perpendicular al campo magnético viene dada por
e2 r2 B
µ=− . (10.1)
4m
Por tanto, la susceptibilidad diamagnética de un conjunto de átomos resulta
µ0 nZe2 hr2 i
χ≈− ∼ −10−6 Z, (10.2)
6m
donde n es la concentración atómica, Z el número atómico, r el radio atómico
medio y m la masa electrónica. Esta contribución suele verse enmascarada por
contribuciones para- o ferro-magnéticas mucho mayores.
Paramagnetismo atómico: Es debido al momento magnético permanente
que algunos átomos presentan debido al espı́n y momento angular orbital
electrónico. Dicho momento magnético atómico viene dado por
~ = −gµB J~
µ (10.3)
212 Capı́tulo 10: Magnetismo de sólidos
donde ~J~ = ~L~ + ~S~ (momento angular total), µB = e~/2m = 9.3 × 10−24 J/T
(magnetón de Bohr ), y
J(J + 1) + S(S + 1) − L(L + 1)
g =1+ (factor de Landé) (10.4)
2J(J + 1)
El cálculo de L, S y J del estado atómico fundamental a partir de los momentos
angulares electrónicos individuales se hace a través de las reglas de Hund.
En ausencia de un campo magnético externo los momentos atómicos
individuales están orientados al azar y la magnetización resultante es nula. En
presencia de un campo B ~ k z los momentos magnéticos tienen una energı́a
U = −~ ~ = gµB J~ · B
µ·B ~ = gµB Jz B; Jz = −J, J + 1, · · · , J (10.5)
que es mı́nima cuando están orientados en su misma dirección. Aplicando la

mecánica estadı́stica se encuentra que, a una temperatura y un campo dados
gµB JB
M = ngµB JBJ (x) x≡ (10.6)
kB T
donde
µ ¶ ³ x ´
2J + 1 2J + 1 1
BJ (x) = coth x − coth (f. de Brillouin). (10.7)
2J 2J 2J 2J
A temperaturas altas o campos bajos (x ≪ 1), BJ (x) ≈ (J + 1)x/3J y
M µ0 M np2 µ2B µ0 C
χ= ≈ = = (Ley de Curie) (10.8)
H B 3kB T T
p
donde p = g J(J + 1) es el número efectivo de magnetones de Bohr y C la
constante de Curie. Numéricamente χ(300 K) ∼ 10−3 . A temperaturas bajas o
campos altos (x ≫ 1), BJ (x) → 1 y M = ngµB J (magnetización de saturación).
Paramagnetismo de los electrones de conducción: El Ppio. de Exclusión
impide el alineamiento de dos electrones en el mismo estado ~k, de modo que
sólo electrones cerca de la energı́a de Fermi pueden alinearse con el campo
promocionándose a estados de mayor energı́a. Para electrones libres resulta
3 nµ0 µ2B
χ≈ (susceptibilidad de Pauli) (10.9)
2 kB TF
La alteración del movimiento electrónico por el campo magnético da lugar a una
contribución diamagnética igual a −1/3 de la paramagnética (susceptibilidad de
Landau) de modo que, finalmente, para los electrones de conducción
nµ0 µ2B
χ= ∼ 10−5 . (10.10)
kB TF
La interacción de intercambio: Tiene su origen en el solapamiento de las
funciones de onda electrónicas y es responsable del alineamiento de los momentos
magnéticos electrónicos que conduce al fenómeno del ferromagnetismo (M ~ 6= 0

~
incluso cuando B = 0). Según el modelo de Heisenberg, la interacción entre
dos átomos i y j de momentos angulares totales ~Si , ~Sj , viene dada por la llamada
energı́a de intercambio:
~i · S
Uij = −Jij S ~j (10.11)
donde Jij se denomina integral de intercambio. Jij > 0 tiende al alineamiento de
espines (ferromagnetismo), y Jij < 0 al antialineamiento (antiferromagnetismo).
En presencia de un campo B ~ la energı́a de una red de espines viene dada por
X X
U =− ~i · S
Jij S ~j + gµB B
~ ~i
S (10.12)
i,j i
Introduciendo la aproximación de campo medio (la interacción entre S ~i y S

~j se
aproxima reemplazando SP ~ ~
j por su valor promedio hSj i), y considerando interacción
a los z primeros vecinos ( j Jij = zJ ), resulta que el material se comporta como
un paramagnético sometido a un campo efectivo
~ eff = B
B ~ + λµ0 M
~ (λ ≡ zJ /ng 2 µ2B µ0 ) (10.13)
| {z }
~E
B
La magnetización viene dada por (10.6) con x = gµB JBeff /kB T . Para altas
temperaturas (x ≪ 1) puede aproximarse
M M C
χ= ≈ µ0 = (ley de Curie − Weiss) (10.14)
H B T − Cλ
válida para T > Tc ≡ Cλ. Para T < Tc se obtiene una ecuación implı́cita para M ,
que en el caso particular de espines 1/2 y en ausencia de campo se expresa por
µ ¶
M/nµB
M = nµB tanh . (10.15)
T /TC
Tc marca la temperatura por debajo de la cual puede haber magnetización

espontánea. La magnetización de saturación a bajas temperaturas es Ms = nµB
(Ms = ngµB J, si J 6= 1/2). Experimentalmente Ms = nB nµB donde nB no
siempre coincide con gJ (por ejemplo, los metales de transición, para los que puede
considerarse un modelo en base a la interacción entre electrones de conducción
(Ejercicio 10.9)).
Dominios ferromagnéticos: En una muestra ferromagnética a T ≪ Tc
todos los espines deberian estar alineados entre sı́. Sin embargo, se encuentra
que dicho alineamiento se produce en dominios macroscópicos con orientaciones
distintas. Dichos dominios ocurren fundamentalmente para minimizar la energı́a
de anisotropı́a (asociada a la existencia de direcciones cristalinas de imanación
“fácil”) y a la energı́a magnetostática asociada a la interacción magnética clásica
(de largo alcance) entre los espines.

1. Considerar un ión con una capa parcialmente llena con momento
angular J y número atómico Z. Evaluar aproximadamente a
temperatura ambiente la razón entre el paramagnetismo de Curie
y el diamagnetismo atómico.
Solución:
La susceptibilidad paramagnética de Curie viene dada por (10.8)
np2 µ2B µ0
χpara = ,
3kB T
p
donde p ≡ g J(J + 1) es el número efectivo de magnetones de Bohr, y
g es el factor de Landé (10.4). La susceptibilidad diamagnética atómica se
expresa según (10.2)
µ0 nZe2 hr2 i
χdia = − ,
6m
con lo que la razón entre ambas viene dado por
¯ para ¯ 2 2
¯χ
¯ = p µB 2m .
¯
¯
¯ χdia ¯ kB T Ze2 hr2 i
Revisando tablas, se encuentra que para iones magnéticos de tierras raras y

metales de transición p ∼ 5, Z ∼ 50 y r ∼ 1 Å. Con esos valores, a 300 K
la razón entre ambas susceptibilidades es |χpara /χdia | ≈ 75. En general se
encuentra que la susceptibilidad paramagnética es del orden de 102 veces
superior que la diamagnética.
2. La función de onda del átomo de hidrógeno en el estado

fundamental (1s) es Ψ(r) = (πa30 )−1/2 exp(−r/a0 ), donde a0 =
0.53 × 10−8 cm. Probar que para este estado hr 2 i = 3a20 , y calcular
su susceptibilidad diamagnética.
Solución:
Z Z 2π Z π Z ∞ µ ¶
2 ∗ 2 3 r4 2r
hr i = Ψ r Ψ d ~r = dϕ dθ senθ dr 3 exp − =
0 0 0 πa0 a0
Z ∞ µ ¶
4 2r
= dr r4 exp −
a30 0 a0
R∞
Haciendo el cambio de variable x = 2r/a0 y utilizando 0
dx x4 e−x = 24,
se obtiene hr2 i = 3a20 .
La susceptibilidad magnética viene dada por:
µ0 nZe2 hr2 i µ0 nZe2 a20

χ=− =− .
6m 2m
Utilizando n ≈ 1/a30 y Z = 1 se obtiene finalmente χ ≈ −3 × 10−4 .
3. Estimar el paramagnetismo de Pauli (asociado al mar de Fermi de

electrones libres) en un metal a una temperatura T .
Solución:
En presencia de un campo magnético B ~ k z, electrones con momento
magnético µz > 0 (↑) disminuyen su energı́a en µB B, mientras que aquéllos
con µz < 0 (↓) la aumentan en la misma cantidad. Por tanto, la función de
distribución para electrones ↑ resulta
fFD (ε − µB B),
y para electrones ↓
fFD (ε + µB B).
A una temperatura determinada, las poblaciones de electrones ↑ y ↓ vienen
dadas, respectivamente, por
Z ∞
N↑ = fFD (ε − µB B)D↑ (ε)dε,
0
Z ∞
N↓ = fFD (ε + µB B)D↓ (ε)dε.
0
donde D↑ (ε) y D↓ (ε) son las densidades de estados asociadas a electrones ↑

y ↓ respectivamente, que vienen dadas por D(ε)/2, siendo D(ε) la densidad
de estados total.
Dado que el momento magnético electrónico es, en módulo, µB , la
magnetización del sistema de electrones viene dada por
Z
µB µB ∞
M= (N ↑ − N ↓ ) = [fFD (ε − µB B) − fFD (ε + µB B)] D(ε)dε,
V 2V 0
donde V es el volumen. Para evaluar esta expresión puede sacarse ventaja
del pequeño valor de µB B (∼ 10−5 eV para B = 1 T) frente a las energı́as
electrónicas (∼eV) y expandir en serie las funciones de distribución
′
fFD (ε ± µB B) ≈ fFD (ε) ± fFD (ε)µB B,
con lo cual Z ∞
µ2B B ′
M ≈− fFD (ε)D(ε)dε.
V 0
′
La función fFD (ε) es prácticamente nula salvo para un intervalo ∼ kB T
en torno al potencial quı́mico µ. Ello permite aproximar D(ε) dentro de la
integral por su expansión en serie en torno a µ:
′
D(ε) ≈ D(µ) + D (µ)(ε − µ). (10.16)
De este modo
Z ∞ Z ∞
µ2B B ′ µ2B B ′ ′
M ≈− D(µ) fFD (ε)dε − D (µ) (ε − µ)fFD (ε)dε.
V 0 V 0
La primera integral resulta fFD (∞) − fFD (0) = −1, y la segunda es nula
′
porque fFD (ε) es una función par en torno a µ, y ε − µ impar (nótese
′
también que como fFD (ε) sólo es apreciable en torno a µ, el lı́mite inferior
de la integral puede sustituirse por −∞). Por tanto, teniendo en cuenta la
expresión (6.8) para D(µ), se tiene
r
µ2 B 3nµ2B B µ
M ≈ B D(µ) = .
V 2εF εF
Como la dependencia con la temperatura del potencial quı́mico viene dada
por (6.11) µ ¶
π2 T 2
µ(T ) = εF 1 − ,
12 TF2
resulta finalmente µ ¶
3nµ2B B π2 T 2
M≈ 1− ,
2εF 24 TF2
donde se ha utilizado (1 − x)1/2 ≈ 1 − x/2 para x ≪ 1. Debido al elevado
valor de TF (∼ 104 − 105 K), los términos dependientes de la temperatura
son una muy pequeña corrección.
4. Calcular explı́citamente la magnetización de un sistema de N iones

de espı́n 1/2. Determinar el lı́mite de altas temperaturas (µB B ≪
kB T ). Escribir la energı́a interna y de ahı́ calcular el calor especı́fico
magnético cB de los iones en un campo B. Encontrar la forma
lı́mite de cB a altas temperaturas.
Solución:
La expresión general para la magnetización de un material paramagnético es
(Ec. 10.6):
M = ngµB JBJ (x) (x ≡ gµB JB/kB T ).
Si J = 1/2 (que ocurre cuando, por ejemplo, S = 1/2 y L = 0) la función de
Brillouin se reduce a1
B1/2 (x) = 2 coth(2x) − coth(x) = tanh(x)
1 se ha utilizado la relación coth(2x) = (1 + coth2 (x))/2 coth(x)
y el factor de Landé (10.4) es g = 2. La magnetización queda por tanto de

la forma µ ¶
µB B
M = nµB tanh .
kB T
La energı́a del sistema de espines viene dada por U = −~ ~ que por unidad
µ · B,
de volumen se reduce a
µ ¶
~ ~ µB B
u = −M · B = −M B = −nµB B tanh .
kB T
A partir de ahı́, el calor especı́fico se obtiene según
µ ¶
∂u nµ2B B 2 −2 µB B
cB = = cosh ,
∂T kB T 2 kB T
que en el lı́mite de altas temperaturas se aproxima por
nµ2B B 2
cB ≈ = nkB x2 .
kB T 2
5. Estima la susceptibilidad magnética del benceno lı́quido, teniendo

en cuenta que cada átomo de C en el anillo de benceno tiene
un electrón de valencia con la función de onda extendiéndose por
todo el anillo. Distancia C-C en el benceno: 1.4 Å; peso molecular:
M =78 g/mol; densidad: ρ=0.88 g/cm3 .
Solución:
Calculemos primero la susceptibilidad magnética asociada a los electrones
libres dentro del anillo, χanillo . Para un anillo bencénico sometido a un campo
magnético perpendicular, el momento magnético asociado a dichos electrones
libres puede estimarse a partir de la Ec. (10.1), siendo
Za e2 ra2 B
µ⊥
anillo (B) = − .
4m
Aquı́, ra es el radio del anillo y Za = 6 el número de electrones que participan
en la conducción eléctrica en el anillo. Para una molécula bencénica cuyo
eje forme un ángulo θ con el campo aplicado, el momento magnético en la
dirección del campo vendrá dado por (ver siguiente figura)
Ze2 Bra2
µanillo (B, θ) = µ⊥
anillo (B cos θ) cos θ = − cos2 θ
4m
Dado que los anillos bencénicos están orientados aleatoriamente, el momento
magnético medio por anillo bencénico viene dado por el promedio angular
de µanillo (B, θ):
R 2π Rπ
0
dϕ 0 µanillo (B, θ) senθ dθ Ze2 Bra2
hµanillo (B)i = R 2π Rπ =− .
dϕ senθdθ 12m
0 0
Finalmente, la susceptibilidad magnética asociada a los electrones libres en

el anillo viene dada por
µ0 nhµ(B)i µ0 nZe2 ra2

χanillo = =− .
B 12m
donde n = ρNA /M = 6.8 × 1027 m−3 es la concentración numérica de
moléculas de benceno. El radio de la molécula de benceno puede aproximarse
por ra ≈ 1.4 Å, resultando finalmente χanillo = −2.3 × 10−6 .
A esta contribucion hay que sumarle la de los electrones ligados a los átomos
de carbono (χC ) e hidrógeno (χH ). A partir de (10.2), dichas contribuciones
vienen dadas, respectivamente, por
µ0 nC ZC e2 rC
2
µ0 nH ZH e2 rH
2
χC = − ; χH = −
6m 6m
donde nC = nH = 6n = 4.1 × 1028 m−3 , ZC = 5, ZH = 1, rC ≈ 1.4/2 Å,
rH ≈ a0 = 0.53 Å. Sustituyendo valores se encuentra χC ≈ −5.9 × 10−6 y
χH ≈ −0.7 × 10−6 . Sumando la contribución asociada a los electrones libres
dentro del anillo resulta
χbenceno = χanillo + χC + χH ≈ −8.9 × 10−6
en relativo buen acuerdo con el resultado experimental (−7.7 × 10−6 ).
6. Determinar numéricamente las diferencias de energı́a que se ponen

en juego por la anisotropı́a. ¿Son del mismo orden que la energı́a
magnetostática? ¿Cómo serı́a cualitativamente la curva M (H) de
un sólido isótropico (sin energı́a de anisotropı́a)?
Solución:
- Por poner un ejemplo, para un sistema uniaxial como el cobalto (cuyo eje
c cristalográfico es una dirección de imanación fácil), la densidad de energı́a
de anisotropı́a cuando los momentos magnéticos forman un ángulo θ con ĉ
viene dada por
u(θ) = K1 sen2 θ + K2 sen4 θ
donde K1 = 4 × 105 J/m3 y K2 = 105 J/m3 . Para este material, la diferencia

entre que todos los momentos magnéticos estén en la dirección de ĉ o en una
dirección perpendicular, es
3
∆u ≡ u(π/2) − u(0) = K1 + K2 ≈ 5 × 105 J/m
En general, se encuentra que ∆u presenta valores en el rango 102 −107 J/m3 .

- La energı́a magnetostática es debida a la interacción de los dipolos
magnéticos con el campo magnético creado por ellos mismos. Puede evaluarse
a partir de la expresión
Z
µ0 ~ · HdV,
~
U =− M (10.17)
2 muestra
donde el factor 1/2 se introduce para evitar contar dos veces la interacción
entre dos dipolos cualesquiera. Evaluemos el caso de una esfera de radio R
uniformemente magnetizada (con la magnetización de saturación, M ~ s ) y en
ausencia de un campo magnético aplicado (Ha = 0). Teniendo en cuenta los
efectos desmagnetizantes asociados a la forma de la muestra (ver ejercicio 2
del siguiente Capı́tulo), el campo magnético en el interior de la esfera viene
dado por
~ =H
H ~ a − DM~ s = −1M ~s
3
(se ha utilizado que para una esfera el factor desmagnetizante es D = 1/3).
Sustituyendo en (10.17) resulta
Z
µ0 2
U= M 2 dV = µ0 Ms2 πR3
6 muestra s 9
que por unidad de volumen es
1
u= µ0 Ms2 .
6
Dado que tı́picamente µ0 Ms ∼ 0.1 T, la densidad de energı́a magnetostática
para una esfera uniformemente magnetizada es del orden de 104 J/m3 ,
pudiendo llegar a ser del orden de la contribución asociada a la anisotropı́a.
Para el cobalto µ0 Ms = 0.14 T, y la correspondiente densidad de energı́a
magnetostática resulta 2.6×104 J/m3 , un factor ∼ 20 menor que la
contribución de la anisotropı́a en ese compuesto.
- Si no existiese la energı́a de anisotropı́a, los momentos magnéticos se
orientarı́an intentando minimizar el resto de contribuciones energéticas (la
asociada a la interacción de intercambio, a la energı́a magnetostática, y a la
interacción con un campo externo). La energı́a magnetostática es muy dificil
de calcular para una distribución no uniforme de los momentos magnéticos.
Sin embargo, intuitivamente parece claro que, en ausencia de un campo
externo, una distribución como la representada en la siguiente figura (izq.)
tenderı́a a minimizar dicha contribución sin perjudicar mucho la energı́a de

intercambio (los momentos magnéticos están practicamente alineados con
sus vecinos en gran parte del volumen). En presencia de un campo externo,
se favorecerı́a un alineamiento de los momentos magnéticos en la dirección
del campo y se tenderı́a a la situación de la siguiente figura (dcha.). La
curva M (H) serı́a cualitativamente similar al caso en el que la energı́a de
anisotropı́a no fuese nula, salvo por que podrı́a desaparecer la histéresis
asociada al anclaje de las paredes Bloch en defectos del material.
7. Suponer que el giro de espı́n de una pared Bloch está distribuido

entre N planos como esquematiza la figura.
a) Probar que la energı́a de intercambio disminuye con N .

b) Introduciendo una energı́a de anisotropı́a proporcional al
espesor de pared, determinar el espesor óptimo de pared.
Solución:
a) La energı́a de intercambio entre dos espines vecinos i y j es

~i · S
Uij = −J S ~j = −J S 2 cos α,
donde α = π/N es el ángulo entre ambos espines. Si N ≫ 1, α es un

ángulo pequeño y puede aproximarse cos α ≈ 1 − α2 /2 = 1 − π 2 /2N 2 .
Ası́ pues, la energı́a de intercambio de una cadena de espines en la pared
Bloch viene dada por
∆Uint
z }| {
2 J S 2 π2
Uint = N Uij = −J N S + .
2N
El segundo término representa el incremento en energı́a de intercambio
debido a la existencia de la pared Bloch que, en efecto, decrece con N .
b) La contribución a la energı́a de una cadena de espines debido a la
existencia de la pared Bloch es
J S 2 π2
∆Upared = + KN a
2N
donde N a es la anchura de la pared y K es una constante de
proporcionalidad. ∆Upared presenta un mı́nimo para cierto valor de N :
¯ r
d∆Upared ¯¯ J S 2 π2 J
=− 2 + Ka = 0 ⇒ N0 = Sπ
dN ¯
2N0 2N 0 2Ka
con lo que el espesor de equilibrio de la pared resulta ser

r
aJ
aN0 = Sπ .
2K
En la práctica se encuentra N0 ∼ 102 .
8. Para x pequeño la función de Brillouin BJ (x) tiene la forma αx −

βx3 donde α y β son positivos. Deducir que conforme T → Tc
por abajo, la magnetización espontánea de un ferromagnético se
anula como (Tc − T )1/2 según la teorı́a de campo medio (como
comparación, el exponente experimental es próximo a 1/3).
Solución:
La magnetización de un material ferromagnético se expresa por
Beff
M = ngµB JBJ (x) ≈ C1 (αx − βx3 ) con x = C2 ,
T
donde C1 ≡ ngµB J y C2 ≡ gµB J/kB son constantes. Asimismo, Beff =

B + C3 M , siendo C3 ≡ zJ /ng 2 µ2B otra constante. En estado ferromagnético
el campo de canje C3 M es muchı́simo mayor que el campo aplicado y puede
hacerse la aproximación Beff ≈ C3 M , con lo que se obtiene
M M3
M = αC1 C2 C3 − βC1 C23 C33 3 .
T T
Despejando M en esta ecuación se obtiene
T p
M=p αC1 C2 C3 − T ,
βC1 C23 C33
que, efectivamente, es de la forma M ∝ (TC − T )1/2 , siendo TC = αC1 C2 C3 .

Finalmente, teniendo en cuenta que α = (J + 1)/3J y las expresiones para
C1 , C2 y C3 , es directo comprobar que TC = zJ J(J + 1)/3kB = Cλ, de
acuerdo con la expresión para TC en la ley de Curie-Weiss (10.14), vease la
Sección (10.1) para las definiciones de los distintos parámetros.
9. Se puede aproximar el efecto de la interacción de intercambio entre

electrones de conducción si suponemos que los electrones con espı́n
paralelo interaccionan entre sı́ con energı́a −U (U > 0), mientras
que los electrones con espı́n antiparalelo no interaccionan. Sean
N ↑ = 21 N (1 + x) y N ↓ = 21 N (1 − x) el número de electrones con
espı́n ↑ y ↓ respectivamente (N es el número total de electrones).
a) Probar que en un campo magnético la energı́a total de la

subbanda con espı́n ↑ es
3 1 1
E↑ = N εF (1 + x)5/3 − U N 2 (1 + x)2 − N µB B(1 + x),
10 8 2
con una expresión similar para E ↓ .
b) Minimizar la energı́a total y resolver en x en el lı́mite x ≪ 1.
Mostrar que la magnetización es
3nµ2B
M = B
2εF − 32 U N
de modo que la interacción de intercambio aumenta la

susceptibilidad.
c) Mostrar que con B = 0 la energı́a total es inestable
para x = 0 cuando U > 4εF /3N . Si esto se satisface el
estado ferromagnético (x 6= 0) tendrá menor energı́a que el
paramagnético.
Solución:
a) La energı́a para la subbanda con espı́n ↑ puede expresarse como E ↑ =

Ee + Ee−e + Ee−B , donde
Ee ≡ energı́a electrónica
Ee−e ≡ energı́a de interacción electrón-electrón
Ee−B ≡ energı́a de interacción electrón-campo magnético
A continuación estudiaremos cada uno de esos términos por separado
suponiendo, por simplificar, T = 0 K.
i) Energı́a electrónica. Para T = 0 K se obtiene a partir de la expresión
Z ε↑
max
E↑ = D↑ (ε) ε dε,
0
donde D↑ (ε) es la densidad de estados para electrones con espı́n ↑, que

puede aproximarse por
µ ¶1/2
↑ 1 3N ε
D (ε) = D(ε) = ,
2 4 εF εF
siendo D(ε) la densidad de estados total.2 ε↑max es la máxima energı́a

para electrones con espı́n ↑, que puede determinarse a partir de la
ligadura
Z ε↑
↑ 1 max
N = N (1 + x) = D↑ (ε)dε ⇒ ε↑max = (1 + x)2/3 εF ,
2 0
con lo cual
Z ε↑ µ ¶1/2
↑
max 3N ε 3 N 2 ↑5/2 3
E = ε dε = 3/2
εmax = N εF (1 + x)5/3 .
0 4 εF εF 4ε 5 10
F
ii) Energı́a de interacción electrón-electrón.

Cada electrón con espı́n ↑ interacciona con los otros N ↑ − 1 electrones
con espı́n ↑ con una energı́a −U . La energı́a total de interacción es, por
tanto
1 1
Ee−e = − U (N ↑ − 1)N ↑ ≈ − U N ↑2 ,
2 2
donde el factor 1/2 evita contar dos veces. Ası́ pues,
1
Ee−e = − U N 2 (1 + x)2 .
8
2 Las energı́as electrónicas son mucho mayores que la energı́a de interacción de los electrones
con el campo magnético. Ası́, en primera aproximación, se asume que D(ε) no se ve alterada con
respecto a la correspondiente a electrones libres.
iii) Energı́a de interacción electrón-campo magnético.

Se calcula según
↑ ~ = N ↑ g0 µB S
~ · B.
~
Ee−B = −N ↑ µ
~ ·B
Dado que para el electrón g0 = 2 y S = 1/2, suponiendo que el campo

está aplicado en la dirección ↓ se tiene que
↑ 1
Ee−B = −N ↑ µB B = − N (1 + x)µB B
2
La energı́a asociada a electrones con espı́n ↑ es pues

3 1 1
E↑ = N εF (1 + x)5/3 − U N 2 (1 + x)2 − N µB B(1 + x).
10 8 2
De forma análoga, se puede calcular que la energı́a asociada a electrones

con espı́n ↓ es
3 1 1
E↓ = N εF (1 − x)5/3 − U N 2 (1 − x)2 + N µB B(1 − x).
10 8 2
Finalmente, la energı́a total queda como
3 h i
E = E↑ + E↓ = N εF (1 + x)5/3 + (1 − x)5/3 −
10
1 £ ¤
− U N 2 (1 + x)2 + (1 − x)2 −
8
−N µB Bx.
b) El mı́nimo de la energı́a se obtiene para x = x0 , que se obtiene por

medio de
¯ i U N 2x
dE ¯¯ N εF h 0
=0 ⇒ (1 + x0 )2/3 − (1 − x0 )2/3 − −N µB B = 0.
dx x=x0
¯ 2 2
Si x0 ≪ 1 puede aproximarse (1 ± x0 )2/3 ≈ 1 ± 32 x0 , y se obtiene

finalmente
µ ¶
2 1 2 3µB B
N εF − U N x0 − N µB B = 0 ⇒ x0 = .
3 2 2εF − 32 U N
Para este valor de x la energı́a presenta un mı́nimo siempre y cuando

se cumpla la condición ¯
d2 E ¯¯
> 0.
dx2 ¯x=x0
Derivando de nuevo es fácil comprobar que esto ocurre cuando

2 1 4 εF
N εF − U N 2 > 0 ⇒ U < .
3 2 3N
La magnetización para el mı́nimo energético se obtiene a partir de la
expresión
N↑ − N↓ n
M = µB = µB [(1 + x0 ) − (1 − x0 )] = µB nx0 ,
V 2
donde V es el volumen de la muestra y n la concentración electronica.
Sustituyendo el anterior valor para x0 resulta
3nµ2B B
M= .
2εF − 23 U N
c) Por lo visto en el apartado anterior, para B = 0 la energı́a presenta

un extremo en x0 = 0 (que corresponde a la situación en la que
las poblaciones de electrones con espı́n ↑ y ↓ coinciden). Si U <
4εF /3N dicho extremo es un mı́nimo, y la mencionada situación serı́a
estable. Sin embargo, si U > 4εF /3N el extremo es un máximo, y la
energı́a serı́a menor para valores de x mayores que cero. Esta situación
corresponderı́a a un estado ferromagnético en el que los espines se
orientarı́an mutuamente incluso en ausencia de un campo externo.
10. La deducción del paramagnetismo de Pauli presupone que en cada

estado ~k del mar de Fermi se siguen ubicando dos electrones con
espines opuestos, sólo que, en presencia de un campo magnético
~ tendrán distinta energı́a. Se trata de analizar el escenario en
B,
el que en cada estado ~ k sólo queda el electrón con espı́n opuesto
~ yendo el otro a ocupar las “casillas” ~
a B, k vacı́as para poner
su espı́n también opuesto a B, ~ bajando ası́ ambos su energı́a
magnética. Demostrar que esta posibilidad es energéticamente
muy desfavorable.
Solución:
Utilizando los resultados del problema anterior la energı́a (por electrón) de
un sistema de electrones libres (no interactuantes entre sı́) en presencia de
un campo externo B, resulta
3
ε= εF [(1 + x)5/3 + (1 − x)5/3 ] − µB Bx (10.18)
10
donde
1+x ≡ fracción de e− con momento magnético en el sentido de B

1−x ≡ fracción de e− con momento magnético en el sentido contrario
εF ≡ energı́a de Fermi en ausencia de B
El mı́nimo de E se obtiene para
3µB B
x0 =
2εF
que es del orden de 10−4 incluso para campos magnéticos del orden de los
mayores alcanzables en un laboratorio (B ∼ 10 T). Utilizando que (1 ±
x)5/3 ≈ 1 ± 53 x cuando x ≪ 1, la correspondiente energı́a resulta
3 3 µ2B B 2
ε(B) = εF −
5 2 εF
O sea, bajo la aplicación de un campo magnético, el débil alineamiento de los
momentos magnéticos electrónicos con el campo modifica la energı́a según
3 µ2B B 2
∆εB ≡ ε(B) − ε(0) = − ∼ −10−7 eV (para B = 10 T)
2 εF
Aunque esta modificación es muy pequeña, es negativa (energéticamente
favorable).
Supongamos ahora el caso planteado en el enunciado de que, bajo la
aplicación de un campo, todos los momentos magnéticos se alinean en el
mismo sentido. Esta situación corresponderı́a a x = 1. Utilizando (10.18) la
energı́a por electrón resulta
3
εx=1 = 22/3 εF − µB B
5
O sea, bajo la aplicación de un campo magnético la energı́a se modificarı́a
según
3
∆εx=1 ≡ εx=1 − ε(0) = (22/3 − 1) εF − µB B ∼ +eV
5
que es positiva y del orden de eV, extremadamente desfavorable con respecto
a ∆εB .

1. ¿Cuál es el fundamento del magnetismo de sólidos?¿Qué determina que
algunos metales sean magnéticos y otros no?
Solución: El magnetismo que presentan ciertos materiales tiene su origen en la presencia
de momentos magnéticos en su seno (permanentes o inducidos). Un material es magnético
cuando su momento magnético total es no nulo.
2. Estimar la razón de la respuesta magnética atómica a la respuesta de los

electrones de conducción en los metales.
Solución: Para kB T ≪ µB B, Mat /Mel ≈ gJkB TF /µB B ∼ 105 (con B = 1 T). Para
kB T ≫ µB B, Mat /Mel ≈ g 2 J(J + 1)TF /3T ∼ 102 (con T = 300 K).
3. Los espines electrónicos de un material magnético, ¿tienden a alinearse o a

antialinearse con el campo magnético?
Solución: Tienden a antialinearse.
4. Suponer un cristal formado por iones con momento angular J = S = 1/2.

Dándo valores aproximados a los parámetros relevantes (por ejemplo, número
atómico Z = 30, radio atómico r = 0.1 nm, etc.) discutir su carácter
paramagnético o diamagnético a T → 0 y temperatura ambiente.
Solución: Para T → 0, χpara = µ0 Msat /B, con lo que |χdia /χpara | ∼ 10−3 B[Tesla]. Para
T ≈ 300 K, |χdia /χpara | ∼ 10−1 .
5. Calcúlese, a partir de los datos tabulados, la magnetización de saturación del

nı́quel a bajas temperaturas y a T = TC . Si se considera el magnetismo de
dominios, ¿cuál serı́a la magnetización observable del nı́quel en ambos casos?
Solución: M (0 K) ≈ 6.9 × 105 A/m. M (Tc ) ≈ 0. En presencia de dominios, M (0 K)
disminuye e incluso podrı́a llegar a anularse, y M (TC ) seguirı́a siendo ∼ 0.
6. Sea un sólido que contiene iones con espı́n no nulo. Considerando el calor
especı́fico del sólido, ¿variarı́a éste por aplicación de un campo magnético?
¿Por qué? Si hay variación ¿la nueva contribución serı́a mayor a altas o a
bajas temperaturas?
Solución: Si variarı́a, porque existe un término energético asociado a la aplicación
del campo magnético. La nueva contribución tiene un máximo a bajas temperaturas,
tı́picamente para T ∼ µB B/kB ).
7. Decide si es cierto que:
a) La energı́a dipolar magnética de un conjunto de espines tiende a que

todos estén alineados
b) La energı́a de anisotropı́a tiende a desalinear espines.
Solución: a) Falso. b) Falso.

8. En el marco del modelo de electrones libres, la razón por la que los electrones
de conducción de cualquier metal no presentan un ferromagnetismo intenso
debido al espı́n es porque (razonar cuál de las siguientes posibilidades es
cierta):
a) El momento magnético de un electrón es despreciable frente al momento
magnético de cada átomo de un material ferromagnético convencional
(Fe, Co, Ni, etc).
b) No les es aplicable la interacción de intercambio, que tiende a alinear
espines.
c) El principio de Pauli hace muy costoso energéticamente que los espines
se alineen.
Solución: a) Falso. b) Falso. c) Verdadero.
9. Considera los átomos de Ne y de Gd (masas atómicas 20.2 y 157

respectivamente).
a) ¿En cuál el diamagnetismo de Larmor (en un solo átomo) será mayor?
b) Estima para cada uno de ellos la susceptibilidad magnética corres-
pondiente al paramagnetismo atómico a T = 300 K. Densidad a esa
temperatura del Ne: 0.84 g/l; del Gd: 7.89 g/cm3 .
Solución: a) Gd. b) χ(Ne) = 0, χ(Gd) = 0.017.
10. Representa (y explica brevemente) la dependencia de la magnetización

con la temperatura para un material paramagnético y para un material
ferromagnético.
Solución: Paramagnético: M ∝ B/T . Ferromagnético: Para T > Tc , M ∝ B/(T −Tc ). Para
T < Tc , M viene dada por la ecuación implı́cita m = BJ [3Jm/t(J + 1)] con m ≡ M/Msat
y t ≡ T /Tc . Cualitativamente, M (T → Tc ) → 0 y M (T → 0) → Msat .
11. Calcula la susceptibilidad paramagnética a temperatura ambiente de una

muestra de La con impurezas magnéticas de Gd al 1 % (Gd1 La99 ). La
estructura es fcc con un parámetro de red de 0.53 nm.
Solución: χ ≈ 1.5 × 10−4 .
12. Se mide la magnetización (M) o susceptibilidad magnética (χ) frente a la

temperatura en cuatro materiales. El resultado es el que se muestra en las
figuras. Explica (brevemente) de que materiales se trata y el fenómeno detrás
del resultado.
Solución: a) Diamagnético, por el cambio del momento orbital de los electrones atómicos.
b) Ferromagnético (fase paramagnética), por la orientación de los momentos magnéticos
atómicos debido a su interacción mutua y con el campo externo. c) Paramagnético
(debido al alineamiento de los momentos magnéticos atómicos con el campo externo)
y superconductor. d) Ferromagnético (fase ferromagnética), por la orientación de los
momentos magnéticos atómicos debido a su interacción mutua.
13. Se mide la magnetización de una muestra de Ni a cierta temperatura y se

obtiene el 80 % de la magnetización de saturación, ¿a que temperatura se
ha hecho la medida? Supóngase que sólo existe un dominio ferromagnético.
Dato: TCNi = 627 K.
Solución: T = 456 K.
14. Medidas de la susceptibilidad magnética de una sustancia con una densidad

atómica n = 3 × 1028 m−3 dan los siguientes valores:
T (K) 77 200 273
χ (S.I.) 6.54×10−2 2.52×10−2 1.85×10−2
a) Analiza esos datos y explica qué modelo puede explicarlos. ¿De qué tipo
de material magnético se trata?
b) Utilizando las tablas de datos de los apuntes, discute de que sustancia
se puede tratar.
Solución: a) Se verifica χT =cte., de acuerdo con la ley de Curie para materiales
paramagnéticos. b) Del valor de la constante resulta p ≈ 8, compatible con el Gd.
15. Sea una sustancia ferromagnética con estructura bcc, compuesta por átomos
con espı́n 1/2 (J = 1/2, S = 1/2, L = 0). Estima la magnetización a T = 0
K y a T = 300 K cuando se aplica un campo B = 1 T. ¿Cómo cambian
esos valores en presencia de una posible estructura de dominios magnéticos?
Datos: Parámetro de red: a = 0.4 nm. Integral de intercambio: J = 10−21 J.
Solución: Para 0 K se tiene la magnetización de saturación: µ0 M = µ0 µB n = 0.36 T.
Para 300 K el material está en la fase paramagnética (en efecto, Tc = 145 K). Luego
µ0 M = CB/(T − Tc ) = 1.57 × 10−3 T. Los dominios podrı́an disminuir (e incluso anular)
el valor de M en la fase ferromagnética.
Capı́tulo 11
Superconductividad

Las propiedades fundamentales de los superconductores (S.C.) son la
resistividad eléctrica nula y el efecto Meissner (expulsión de un campo
magnético aplicado del interior del material, χ = −1). Ambas propiedades se
manifiestan para T < Tc (temperatura crı́tica) y H < Hc (campo magnético
crı́tico). Experimentalmente se encuentra
Hc (T ) = Hc (0)[1 − (T /Tc )2 ]. (11.1)
Para los elementos superconductores, Tc ∼ 10−3 − 9 K, y µ0 Hc (0) ∼ 0.1 − 200 mT.

Aspectos termodinámicos de los S.C.: La diferencia entre la energı́a libre
de Gibbs por unidad de volumen g(T, H) en el estado normal y el S.C. es
µ0 2
gn (T, 0) − gs (T, 0) = H (T ). (11.2)
2 c
Como consecuencia, el cambio de entropı́a entre ambos estados es
∂ ∂Hc
ss − sn = − (gs − gn ) = µ0 Hc ≤ 0, (11.3)
∂T ∂T
con lo que el estado S.C. presenta un mayor grado de orden que el estado normal.
Asimismo, el calor latente de la transicion n → s, Ln→s = T (ss − sn ) resulta:
Ln→s = 0 si H=0 (transición de segundo orden)
Ln→s < 0 si H 6= 0 (transición de primer orden).
Finalmente, el calor especı́fico c = T (∂s/∂T ), presenta un salto en Tc de
amplitud
µ ¶2
∂Hc
∆c ≡ (cs − cn )Tc = µ0 Tc (fórmula de Rutgers). (11.4)
∂T Tc
232 Capı́tulo 11: Superconductividad
Ecuaciones de London: Constituyen la primera teorı́a fenomenológica del

estado superconductor. Permiten calcular la distribución de campos y de corrientes
eléctricas en el seno del superconductor y se expresan por
d~j ne∗2 ~
= E 1a ecuación de London → ρ = 0 (11.5)
dt m∗
λ2 ∇2 B~ −B~ =0 2a ecuación de London → efecto Meissner (11.6)
L
m∗ , e∗ y n son la masa, carga eléctrica y concentración de los electrones

superconductores. λL (longitud de penetración) es un parámetro caracterı́stico
de cada superconductor que determina la profundidad hasta la que puede penetrar
un campo magnético en el S.C.
Teorı́a de Ginzburg-Landau (GL): Es una aplicación de la teorı́a de Landau
de las transiciones de fase a los S.C. El parámetro de orden superconductor es
una función de onda ψ(~r) tal que |ψ(~r)|2 representa la concentración local de
superportadores. En función de ψ la densidad de energı́a libre superconductora se
expresa por
¯µ ¶ ¯2
β ~2 ¯¯ ~ ie∗ ~ ¯ B2
fs = fn + α|ψ|2 + |ψ|4 + ∗
∇ − A ψ ¯¯ + (11.7)
2 2m ¯ ~ 2µ0
~ es el potencial vector, α(T ) = a(T − Tc ), y a > 0, b > 0 constantes que
donde A
~ r) que verifica
dependen del S.C. fs es mı́nimo para la configuración de ψ(~r) y A(~
µ ¶2
2 ~2 ~ e∗ ~
αψ + βψ|ψ| + −i∇ − A ψ = 0 (GL 1) (11.8)
2m∗ ~
∗ ∗2
~j = e ~ (ψ ∗ ∇ψ ~ ∗ ) − e ψ∗ ψA
~ − ψ ∇ψ ~ (GL 2) (11.9)
2m∗ i m∗
De GL 1, la escala de longitud para posibles variaciones espaciales de ψ(~r) resulta
s
~2
ξ(T ) = ∝ (Tc − T )−1/2 (longitud de coherencia) (11.10)
2m∗ |α|
Para Ψ(~r) ≈cte. (p.e., lejos del borde del material), GL 2 tiende a las Ecs. de
London, y predice para λ(T ) una dependencia análoga a la de ξ(T )
s
m∗ β
λ(T ) = ∝ (Tc − T )−1/2 . (11.11)
µ0 e∗2 |α|
Cuantización del flujo magnetico: De GL 2 se obtiene que el flujo
magnético a través de un orificio en el S.C. está cuantizado: φ = nh/e∗ siendo
n un entero. Esta predicción se confirma experimentalmente, aunque con e∗ = 2e,
lo que indica que los superportadores son pares de electrones acoplados (pares de
Cooper ). El cuanto de flujo magnético es pues la constante universal
h
φ0 = = 2· 07 × 10−15 Wb (Tm2 ). (11.12)
2e
Energı́a de frontera: La frontera entre una zona normal y otra

superconductora lleva asociada una energı́a por unidad de área
∆ε ≈ 0.5(ξ − λ)µ0 Hc2 . (11.13)
En√S.C. con parámetro de GL κ ≡ λ/ξ ∼ > 1 (exactamente se encuentra κ >
1/ 2), la aparición de dichas fronteras es energéticamente

√ favorable. Estos S.C.
se conocen como de tipo II, y aquellos con κ < 1/ 2 de tipo I.
Red de vórtices: Debido a la energı́a de frontera, un S.C. de tipo II en
un campo magnético reduce su energı́a libre creando en su seno zonas normales
(vórtices) atravesadas por el campo. La reducción energética es tanto mayor
cuanto más pequeños y numerosos son estos vórtices, portando cada uno un flujo
magnético igual a φ0 . Debido a su interacción repulsiva, los vórtices se ordenan en
una red triangular. El campo magnético a partir del cual aparecen vórtices es
φ0 ln κ
Hc1 = 2
ln κ = √ Hc (campo crı́tico inferior) (11.14)
4πµ0 λ 2κ
y el campo a partir del cual el S.C. entra en el estado normal
φ0 √ 2κ2
Hc2 = = 2κH c = Hc1 (campo crı́tico superior) (11.15)
2πµ0 ξ 2 ln κ
Teorı́a BCS: Explica la superconductividad con base en una débil interacción
atractiva e− −e− (pares de Cooper) mediada por fonones. Explica la existencia
de un gap en el espectro electrónico a la altura del nivel de Fermi de amplitud
∆0 ≈ 2~ωD / exp[1/D(εF )V ] (V → potencial de interacción e− − e− ), (11.16)
y predice Tc = 0.57∆0 /kB . Para T → Tc se reduce a la teorı́a de GL, con las
siguientes equiparaciones: ξ(T → 0) ≈ 0.18~vF /kB Tc , ψ(~r) ∝ ∆(~r), y e∗ = 2e.
Efecto Josephson: Ocurre cuando se conectan dos S.C. por medio de una
unión débil. Las ecuaciones que rigen su comportamiento cuando se aplica una
diferencia de potencial V a la unión son
dδ
J = J0 sen δ; = e∗ V /~ (11.17)
dt
donde δ es la diferencia de fase a ambos lados de la unión, J la densidad de
corriente que la atraviesa, y J0 una constante que depende de las caracterı́sticas
de la unión. Si V = 0 ⇒ J = cte. ∈ (−J0 , J0 ) (efecto Josephson DC ). Por contra,
si V = V0 6= 0 ⇒ J alterno con frecuencia ν = e∗ V0 /~ (efecto Josephson AC ).
Para V0 ∼ 1 µV ⇒ ν ∼ GHz, y la unión irradia en el rango de microondas.
Los SQUID (Superconducting QUantum Interference Device) son dispositivos
compuestos por dos uniones Josephson acopladas en paralelo. A partir de (11.17),
la máxima corriente no disipativa a través de ellos (corriente crı́tica) resulta
¯ µ ¶¯
¯ πφ ¯¯
Imax ∝ ¯cos
¯ (11.18)
φ0 ¯
donde φ es el flujo magnético a través del SQUID. Esta expresión permite utilizar
estos dispositivos para detectar variaciones en φ tan pequeñas como φ0 .

1. Sea una lámina superconductora (infinita) de espesor d sometida
a un campo magnético paralelo a su superficie. Calcula la
distribución de flujo magnético y de corriente eléctrica en su
interior. Calcula la susceptibilidad magnética χ = M/H y estudia
su dependencia con d y con la temperatura.
Solución:
La densidad de flujo magnético en el interior del superconductor puede
calcularse a partir de la 2a ecuación de London
~ −B
λ2L ∇2 B ~ = 0.
Supongamos que la lámina es perpendicular al eje x y que el campo

está aplicado en la dirección z. Por la simetrı́a del problema, la única
componente no nula de B ~ es Bz , que depende únicamente de x, con lo que
la anterior ecuación se reduce a
∂ 2 Bz
λ2L − Bz = 0.
∂x2
La solución general es
Bz (x) = C1 ex/λL + C2 e−x/λL .
Tomando el origen de coordenadas (x = 0) en el centro de la lámina, las

condiciones de contorno son Bz (−d/2) = Bz (d/2) = B0 , resultando
cosh(x/λL )
Bz (x) = B0 ,
cosh(d/2λL )
cuya representación gráfica para diferentes valores de λL es la que se presenta

en la siguiente figura
B
z
B B
0 =d
L 0
=0.5d
L
=0.1d
L
-2
=10 d
L
x
-d/2 0 d/2
De acuerdo con el efecto Meissner, cuando λL ≪ d la inducción magnética

dentro del superconductor es practicamente nula.
La distribución de corriente eléctrica en el interior de la lámina se calcula a
partir de la ecuación de Maxwell ~j = µ10 ∇~ × B.~ Al ser B ~ = (0, 0, Bz (x)), la
única componente de ~j no nula es
1 ∂Bz B0 sinh(x/λL )
jy (x) = − =− ,
µ0 ∂x µ0 λL cosh(d/2λL )
cuya representación gráfica es
=10 d
-2
J (u.a.)
L y
=0.1d
L
=0.5d
L
=d
L
x
-d/2 0 d/2
Esta distribución de corriente es la responsable del apantallamiento del

campo magnético en el interior del superconductor.
La susceptibilidad magnética de la lámina, χ, se obtiene a partir de
M
χ= ,
H
donde H = B0 /µ0 es el campo magnético externo y M la magnetización de
la lámina. Esta última se puede relacionar con la densidad de flujo magnético
medio en la lámina, hBi, según
hBi hBi − B0
M= −H = .
µ0 µ0
Como µ ¶
Z d/2
1 2B0 λL d
hBi = dx Bz (x) = tanh ,
d −d/2 d 2λL
resulta µ ¶
hBi − B0 2λL d
χ= = tanh − 1.
B0 d 2λL
La dependencia con la temperatura procede de la longitud de penetración
λL (0)
λL (T ) = p ,
1 − (T / TC )4
que tiende a λL (0) para T → 0, y diverge cuando T → TC . La representación

gráfica de χ(T ) para diferentes valores de λL (0)/d es la representada en
la figura. Nótese que cuando la longitud de penetración es mucho menor
que d (lo cual ocurre cuando λL (0) ≪ d y T → 0), la susceptibilidad
magnética tiende a -1, tal y como corresponde a un material perfectamente
diamagnético.
(0)=d
0 L
(0)=0.5d
L
(0)=0.1d
L
-1 -2
(0)=10 d
L
T
T
c
2. El campo magnético en el interior de un cuerpo de tamaño “finito”

es en general diferente del campo magnético aplicado Ha : se
relacionan según H = Ha − DM donde M es la magnetización del
cuerpo y D ∈ [0, 1] es un factor (desmagnetizante) que depende
de la geometrı́a del cuerpo. Este efecto desmagnetizante es de
gran importancia en los materiales superconductores dado que M
puede llegar a ser del orden de −H (diamagnetismo perfecto) y,
según la anterior relación, para determinadas geometrı́as H puede
ser mucho mayor que Ha . Calcula la susceptibilidad magnética
efectiva M/Ha en el estado Meissner de los superconductores con
las geometrı́as y orientaciones indicadas en la figura.
Solución:
La magnetización de un superconductor de tamaño finito viene dada por
M = χH = χ(Ha − DM ).
H
1.0 D =1
H
factor demagnetizante
H D =1/2
D =1/3
H eje
0.5
H // eje D =0
0.0
0 5 10
longitud / diámetro
Figura 11.1. Factor desmagnetizante para elipsoides de revolución.
Despejando
χ M χ
M= Ha ⇒ =
1 + Dχ Ha 1 + Dχ
Para un superconductor ideal con dimensiones mucho mayores que la
longitud de penetración magnética se tiene que χ = −1, con lo cual
M 1
=
Ha D−1
Para las geometrı́as indicadas resulta
M
D=1 ⇒ → −∞
Ha
M
D = 1/3 ⇒ = −3/2
Ha
M
D = 1/2 ⇒ = −2
Ha
M
D=0 ⇒ = −1
Ha
Nótese que la susceptibilidad diamagnética efectiva (o medida) en un

superconductor de talla finita puede ser mucho mayor que la ideal (-1), debido
al efecto desmagnetizante.
3. En presencia de efectos desmagnetizantes (ejercicio 2) un

superconductor de tipo I sometido a un campo magnético aplicado
Ha transita al estado normal cuando el campo magnético interno
H = Ha − DM > Ha iguala el campo crı́tico Hc (D es el
factor desmagnetizante). Sin embargo, dado que en estado normal
M ≈ 0, se tiene que H ≈ Ha < Hc . Tendrı́amos entonces
un superconductor en estado normal con H < Hc . La paradoja
se resuelve teniendo en cuenta que cuando Ha es tal que H =
Hc el material se divide en una sucesión de zonas normales
y superconductoras (paralelas al campo) en equilibrio conocida
como estado intermedio. Según Ha aumenta, el volumen de las
zonas normales (en gris en la figura) aumenta a costa del de
las superconductoras. Finalmente, cuando Ha = Hc el material
está completamente en estado normal.
Calcula la fracción de volumen de las zonas en estado normal y

la magnetización en función de Ha para un elipsoide con factor
desmagnetizante D. Analiza los casos lı́mite (D → 1 y D → 0).
Solución:
- La magnetización en el estado intermedio (E.I.) se obtiene a partir de la
relación
H = Ha − DM
En el E.I. se tiene que H es exactamente Hc (si fuese menor el material
estarı́a en el estado plenamente superconductor, y si fuese mayor estarı́a en
estado normal). Luego
Hc = Ha − DM ⇒ M = (Ha − Hc )/D
El campo magnético externo a partir del cual se entra en el E.I. (llamémosle

HaEI ) es aquel para el cual H = Ha − DM coincide con Hc . En estado
plenamente superconductor (o estado Meissner) M = −H, con lo que
Hc = HaEI + DHc ⇒ HaEI = Hc (1 − D).
Nótese que si D = 1, se tiene que HaEI = 0 y la muestra está en E.I. para

cualquier campo magnético menor que Hc . Si por el contrario D = 0 entonces
HaEI = Hc y la muestra no entra nunca en el E.I. La dependencia de M con

Ha se representa en la siguiente figura (se ha tenido en cuenta que en estado
Meissner M = −Ha /(1 − D) (ver ejercicio 2)).
H (1- D ) H
H
0 c c
0 a
M
D =1 D =0
D
H
(0,1)
-
c
- Fracción de volumen de zonas en estado normal, δ: La densidad de flujo

magnético local en las zonas normales es Bc = µ0 Hc , mientras que en las
zonas superconductoras es B = 0. Por tanto, el valor de B promediado a
toda la muestra será
hBi = Bc δ.
Utilizando la relación
hBi = µ0 (H + M ) ⇒ Bc δ = µ0 (Hc + M ),
resulta
M = Hc (δ − 1).
Combinando con la anterior expresión para la magnetización en el E.I., M =
(Ha − Hc )/D, resulta finalmente
µ ¶
1 Ha
δ =1− 1−
D Hc
cuya representación gráfica es
D =1
D (0,1) D =0
0 H
H D H
a
0 (1- )
c c
4. Considérese un hilo superconductor transportando una corriente

eléctrica I. Cuando esta corriente es tal que el campo magnético
generado por ella misma en la superficie del hilo supera el campo
magnético crı́tico Hc , el material transita al estado normal (regla
de Silsbee). a) Calcula el valor de esta corriente crı́tica Ic para un
hilo de plomo de 0.1 mm de diámetro sumergido en He lı́quido. b)
Calcula Ic cuando además se aplica un campo magnético externo
en la dirección del hilo.
Solución:
a) El campo magnético en la superficie del hilo Hs se obtiene directamente
a partir de la ley de Ampere
~ ×H
∇ ~ = ~j.
Integrando sobre la sección del hilo y aplicando el teorema de Stokes resulta

Z I
izq. ~ × H)
(∇ ~ · dS~= H~ · d~ℓ = Hs πd
S C
Z
dch. ~=I
~j · dS
S
con lo cual I = Hs πd (d ≡ diámetro del hilo). De acuerdo con la regla de

Silsbee, resulta
Ic = Hc πd.
Hace falta conocer el valor de Hc a la temperatura del He lı́quido (4.2 K).
Experimentalmente se encuentra que Hc depende de la temperatura según
(11.1) £ ¤
Hc (T ) = Hc (0) 1 − (T /TC )2 .
Para el Pb, µ0 Hc (0) = 80.3 mT y TC = 7.2 K, con lo que µ0 Hc (4.2 K)=53.0
mT. Teniendo en cuenta que d = 0.1 mm, resulta
53.0 mT
Ic (4.2 K) = × π × 10−4 m = 13.2 A.
µ0
~ a,
b) Cuando se aplica externamente un campo magnético paralelo al hilo, H
el campo magnético total sobre la superficie del hilo es
~ tot = H
H ~a + H
~s
donde H~ s es el campo debido a la corriente eléctrica, calculado en el apartado

anterior. Como H ~a y H
~ s son mutuamente perpendiculares, el módulo de H ~ tot
viene dado por p
Htot = Ha2 + Hs2 .
La corriente crı́tica se alcanza cuando Htot = Hc , o sea
p p
Hc = Ha2 + Ic2 /π 2 d2 ⇒ Ic = πd Hc2 − Ha2
Evidentemente, cuando Ha = Hc , la corriente crı́tica es nula.
5. Sea un superconductor con forma de cilindro hueco, de radio

exterior R e interior r. Si se aplica un campo magnético en
la dirección axial, analiza las diferencias entre la susceptibilidad
magnética que se medirı́a en el estado Meissner en los siguientes
casos (desprecia posibles efectos desmagnetizantes):
a) Alcanzando la temperatura de medida en modo “field

cooled” (enfriando por debajo de Tc en presencia del campo
magnético).
b) Alcanzando la temperatura de medida en modo “zero-field
cooled” (aplicando el campo una vez se ha enfriado la muestra
por debajo de Tc ).
Repite los apartados a) y b) para el caso de un cilindro macizo,

pero con un agujero completamente contenido en su interior.
Solución:
a) Para temperaturas mayores que Tc , la densidad de flujo magnético

dentro del orificio y dentro de las paredes es B0 = µ0 H (H ≡ campo
magnético aplicado), dado que el material está en estado normal.
Cuando se baja la temperatura por debajo de Tc , el cilindro se
vuelve superconductor y expulsa el flujo magnético de su seno, dejando
inalterado el flujo magnético dentro del orificio. El flujo magnético total
contenido en el cilindro es, por tanto
φ = B0 πr2
con lo que la densidad de flujo magnético media en el todo el cilindro

es
φ r2
hBi = = B 0 .
πR2 R2
Finalmente, la susceptibilidad magnética resulta
M hBi/µ0 − H hBi r2
χ= = = − 1 = 2 − 1.
H H B0 R
Como se espera, χ → 0 si r → R, y χ → −1 si no hay orificio (r → 0).

b) Si el campo magnético se aplica cuando el material está ya en estado
superconductor, corrientes diamagnéticas inducidas en las paredes
exteriores del cilindro apantallarán completamente el campo aplicado.
De este modo, en el interior del superconductor y del hueco se tiene que
B = 0, y por tanto M = −H y χ = −1.
c) Si el superconductor presenta una cavidad en su interior, la
susceptibilidad magnética será χ = −1 incluso si se enfrı́a en presencia
de un campo magnético. La explicación reside en que las lı́neas de campo
magnético deben ser continuas y cerradas. Para estar atrapadas en la

cavidad tendrı́an que atravesar el seno del superconductor, lo cual no
es posible si este está en estado Meissner.
6. La imagen que se muestra fue obtenida por decoración Bitter1 en

una muestra superconductora (Nb) a 1.2 K. ¿Cuál es la densidad
de flujo magnético (B) en el interior de la muestra?
Pm
Solución:
Cada vórtice porta el cuanto de flujo magnético φ0 = 2.067 × 10−15 Tm2 .
Por tanto, el flujo magnético por unidad de área en el interior del material
vendrá dada por
φ0
B= (A ≡ área de la celda primitiva de la red de vórtices)
A
donde A es el área√asociada a cada vórtice. Como dicha red es triangular
se tiene que A = 3a2 /2, donde a es la distancia entre vórtices. Por otro
lado, tal y como puede observarse en la imagen, el parámetro de red de la
estructura de vórtices es a ≈ 1/6 µm. Sustituyendo valores se encuentra
finalmente B ≈ 86 mT.
1 La técnica consiste en depositar polvo muy fino de un material magnético sobre la muestra
a estudiar. Los granos magnéticos se acumulan en las zonas donde el campo magnético en la
superficie es más intenso, permitiendo su visualización.
7. Cuando un metal normal se pone en contacto con un supercon-

ductor, puede manifiestar efectos superconductores cerca de la
superficie de contacto (si el metal ocupa el semiespacio x > 0,
se tiene que ψ 6= 0 para x ∼> 0). Es lo que se conoce como efecto
de proximidad. Suponiendo que el metal normal puede describirse

por la teorı́a de GL con el parámetro α > 0, demuestra que la
función de onda superconductora en el interior del metal normal
puede aproximarse por ψ(x) = ψ(0) exp(−x/ξ), donde ψ(0) es
el valor del parámetro de orden en la superficie de contacto y
ξ = (~2 /2m∗ α)1/2 .
Solución:
De acuerdo con la primera ecuación de Ginzburg-Landau (11.8), la función
de onda en ausencia de campos magnéticos viene dada por
~2 ∂ 2 ψ
− + αψ + βψ 3 = 0, (11.19)
2m∗ ∂x2
siendo α > 0 para un metal. Dividiendo por α, y luego por ψ0 ≡ (α/β)1/2 ,
resulta µ ¶3
ξ2 ∂2ψ ψ ψ
− + + = 0.
ψ0 ∂x2 ψ0 ψ0
ψ0 representa el valor constante de la función de onda bien dentro del
superconductor.2 Es de esperar que en el seno del metal ψ ≪ ψ0 y que, por
tanto, (ψ/ψ0 )3 ≪ ψ/ψ0 . La anterior ecuación puede entonces simplificarse
según
∂2ψ
−ξ 2 2 + ψ = 0
∂x
que tiene como solución general
ψ(x) = C1 ex/ξ + C2 e−x/ξ .
A grandes distancias de la frontera los efectos superconductores deben ser

despreciables, con lo cual
ψ(∞) = 0 ⇒ C1 = 0.
Por otro lado, ψ(0) = C2 , y se llega finalmente a
ψ(x) = ψ(0)e−x/ξ .
2 En efecto, lejos de la frontera con el estado normal ψ tiende a un valor constante y (11.19)
se simplifica a αψ + βψ 3 = 0 que tiene por solución ψ0 = (−α/β)1/2 (téngase también en cuenta

que para un superconductor α < 0).
8. Un vórtice en un superconductor puede aproximarse por un núcleo

cilı́ndrico en estado normal de radio ξ. Demuestra, a partir de la
2a ecuación de London (11.6), que la densidad de flujo magnético
B fuera del núcleo obedece la ecuación de Bessel
µ ¶
1 d dB B
r =
r dr dr λL
donde r es la distancia al centro del núcleo. Demuestra que la
solución puede aproximarse por:
a) B(r) ≈ cte + cte′ ln(r) cuando ξ < r ≪ λL .
b) B(r) ∝ exp(−r/λL ) cuando r > λL .
∼
Solución:
Supóngase que el vórtice se extiende a lo largo del eje z. Por la simetrı́a del
problema es conveniente utilizar coordenadas cilı́ndricas, con lo que la 2a
ecuación de London (∇2 B ~ − B/λ
~ 2 = 0) se expresa según
L
Ã !
1 ∂ ∂B~ ~
1 ∂2B ∂2B~ B~
r + 2 2
+ 2
− 2 = 0.
r ∂r ∂r r ∂θ ∂z λL
Asimismo, es de esperar que la única componente de B ~ no nula sea Bz , y que

dependa únicamente de la distancia al eje del vórtice, r. La anterior ecuación
se simplifica a µ ¶
1 ∂ ∂Bz Bz
r − 2 = 0,
r ∂r ∂r λL
o, equivalentemente
1 ∂Bz ∂ 2 Bz Bz ∂Bz ∂ 2 Bz r2
+ − 2 =0 ⇒ r + r2 − Bz = 0.
r ∂r ∂r 2 λL ∂r ∂r2 λ2L
La anterior ecuación es justamente la ecuación de Bessel modificada
x2 y ′′ + xy ′ − (x2 + n2 )y = 0
con y = Bz , x = r/λL y n = 0. La solución general a esta ecuación es
y(x) = c1 In (x) + c2 Kn (x)
donde In (x) y Kn (x) son las funciones de Bessel modificadas de primera

y segunda clase, respectivamente. La solución general para Bz (r) será por
tanto µ ¶ µ ¶
r r
Bz (r) = c1 I0 + c2 K0 .
λL λL
√
Dado que I0 (x) diverge según ex / 2πx para valores grandes de su
argumento, c1 debe de ser nulo (de otra forma se tendrı́a el resultado “no
fı́sico” de que Bz crecerı́a indefinidamente con la distancia al núcleo del

vórtice). Por otro lado, el flujo magnético total contenido en el vórtice es
φ0 = h/2e, con lo cual
Z 2π Z ∞ Z ∞ µ ¶
r
φ0 = dθ Bz (r)rdr = 2πc2 K0 rdr.
0 0 0 λL
Dado que Z ∞
K0 (x)xdx = 1
0
resulta c2 = φ0 /2πλ2L , con lo que finalmente

µ ¶
φ0 r
Bz (r) = K 0 .
2πλ2L λL
p
Cuando x ≫ 1, K0 (x) ≈ π/2xe−x , luego para r ≫ λL , Bz (r) tiende a cero
según r µ ¶
φ0 π λL r
Bz (r) ≈ exp − .
2πλ2L 2 r λL
Asimismo, cuando x ≪ 1, K0 (x) ≈ − ln(x/2) − γ, donde γ = 0.5772... es la
constante de Euler. Luego para r ≪ λL , Bz (r) puede aproximarse por
· µ ¶ ¸
φ0 λL
Bz (r) ≈ ln + ln 2 − γ .
2πλ2L r
Esta ecuación no es válida en el núcleo del vórtice (es decir, para r < ξ)
que está ya en estado normal y donde Bz presenta un valor prácticamente
constante cercano a φ0 /2πλ2L . La representación gráfica de Bz (r) se muestra
en la siguiente figura
B
z
1/2
( /r) exp(-r/ )
L L
ln( /r) + cte

L
r
L
Capı́tulo 12
Miscelánea de ejercicios de
exámenes
1. Considerar una estructura cúbica simple con parámetro de red a.
a) Calcular la relación de dispersión electrónica ε(~k) para la banda s

utilizando el modelo de electrones fuertemente ligados.
b) Determinar las masas efectivas en el fondo de la banda.
c) ¿En qué puntos de la PZB aparecen los valores máximo y mı́nimo de la
energı́a?
Solución: (a) ε(~k) = εs − β − 2γ[cos(kx a) + cos(ky a) + cos(kz a)]. (b) m∗xx = m∗yy = m∗zz =
~2 /2γa2 . (c) Mı́nimo: ~k = 0; Máximo: Los 8 vértices de la PZB: ~k = (±π/a, ±π/a, ±π/a).
2. La Fig. 12.1 izquierda representa la estructura de Kagomé. Todos los

segmentos tiene la misma longitud d.
a) Dibujar sobre la estructura unos vectores base ~ai e indica sus

componentes con respecto a los ejes x, y indicados. Indica sobre el dibujo
los átomos de la base atómica y da sus coordenadas.
b) Calcular los correspondientes vectores base ~bi de la red recı́proca.
c) Dibujar la red recı́proca y la primera zona de Brillouin (PZB).
d) Calcular el número efectivo de electrones por átomo para el que el
cı́rculo de Fermi de electrones libres sea tangente a las caras de la PZB.
e) Si los átomos ejercen un potencial débil sobre los electrones (electrones
cuasilibres), ¿es de esperar que la teorı́a de electrones libres sea una
buena aproximación si cada átomo aporta 1 electrón a la conducción?
¿Y si cada átomo aporta 2 electrones a la conducción? Justificar las
respuestas.
248 Miscelánea de ejercicios de exámenes
y
d a=2d 4S
a 3 &
y b2
& ky &
a2 b1
&
j & &
i x j &
i kx
x &
a1
Figura 12.1.
√ √
Solución: (a) Vectores base: Por ejemplo, ~a1 = (2d, − 3d)), ~a2 = (d, 3d) (Fig.
√
12.1 centro). Base atómica: ~
r1 = (0, 0); ~ r3 = (d/2, 3d/2). (b) ~b1 =
r2 = (d, 0); ~
√ √ √
2π ~ 2π
√ ( 3/2, −1/2); b2 = √ ( 3/2, 1/2). (c) Fig. 12.1 derecha. (d) Neff = π/3 3 ≈ 0.60.
3d 3d
(e) No es buena aproximación en ninguno de los casos. Incluso para átomos monovalentes
hay 3 e− por celda primitiva y la superficie de Fermi rebasa la PZB.
3. Sea la estructura cristalográfica bidimensional de la Fig. 12.2 izquierda.

a) Dibujar unos vectores base para esa estructura. Indica sus componentes
en un sistema de coordenadas a tu elección.
b) Calcular los correspondientes vectores base ~bi de la red recı́proca.
c) Dibujar la red recı́proca y la primera zona de Brillouin (PZB).
d) Sobre esa estructura incide un haz de rayos x en la dirección indicada.
Si su longitud de onda es λ = d, ¿puede difractarse en alguna dirección?
e) ¿Cuáles son la mı́nima y máxima longitudes de onda que pueden tener
los fonones en esa estructura? ¿En que direcciones se observarı́an?
f) ¿Cómo dependerı́a el calor especı́fico con la temperatura a bajas
temperaturas (T ≪ θD )?
g) Calcular el número efectivo de electrones por átomo para el que el
h) Si los átomos ejercen un potencial débil sobre los electrones (electrones
cuasilibres), ¿es de esperar que la teorı́a de electrones libres sea una
buena aproximación si cada átomo aporta 1 electrón a la conducción?
¿Y si cada átomo aporta 2 electrones a la conducción? Justificar las
respuestas.
i) En la aproximación de electrones fuertemente ligados calcular la energı́a
electrónica correspondiente a un nivel s (no degenerado) teniendo
en cuenta la contribución de primeros y segundos vecinos. Suponer
despreciable la integral
Z
~ = d3~r Ψ∗ (~r) Ψ(~r − R)
α(R) ~ para R ~ 6= 0.
249
d/2
d
d 2S 2 2S
d/2 y a d
ky
RX (O=d) &
a2 &
a 2d b2
2
&
a1 & &
K b1
x
kx
(a) (b)
Figura 12.2.
√ √ √
Solución: (a) ~a1 = (d/ 2, 0), ~a2 = (0, d/ 2) (Fig. 12.2 centro). (b) ~b1 = (2 2π/d, 0);
√
~b2 = (0, 2 2π/d). (c) Ver Fig. 12.2 derecha. (d) No, el extremo del vector de onda K ~ de
los rayos x no está sobre un plano Bragg (Fig. 12.2 derecha y, por tanto, no verifica la
condición de difracción. (e) λmax ~
ph = ∞ (se corresponde con kph = 0) y puede observarse
en cualquier dirección; λ min ~
= d se corresponde con los kph de mayor módulo dentro de la
ph
PZB (vértices de la PZB con |~kph | = 2π/d) y se observa en las direcciones [±1, ±1]. (f) Para
materiales bidimensionales D(ω) ∝ ω y resulta c ∝ T 2 . (g) Neff = π/2 ≈ 1.57. (h) Sı́, para
√
1 e− por átomo la superficie de Fermi no alcanzarı́a la frontera de la PZB (kF = 2 π/d <
√
kPZBmin = 2π/d). Con 2 e− por átomo la superficie de Fermi sı́ alcanzarı́a la frontera
√ √
de la PZB (kPZBmin = 2π/d < khF =³2 2π/d ´ < k í = 2π/d),³ y no´ serı́a
³PZBmax ³ buena´
k d k d
aproximación. (i) ε = εs − β − 2γ1 cos k√x d + cos √y − 4γ2 cos k√x d cos √y .
2 2 2 2
4. Sea la estructura cristalográfica bidimensional de la Fig. 12.3 izquierda.
a) Dibujar unos vectores base primitivos para esa estructura. Indica sus
componentes en el sistema de coordenadas indicado.
b) Calcular los correspondientes vectores base recı́procos, ~bi , y describe la
red recı́proca.
c) Dibujar las tres primeras zona de Brillouin.
d) Sobre esa estructura incide un
√ haz de rayos x en la dirección indicada. Si
su longitud de onda es λ = a 3, ¿puede difractarse en alguna dirección?
e) ¿Cuáles son la mı́nima y máxima longitudes de onda que pueden tener
los fonones en esa estructura? ¿En que direcciones se observarı́an?
f) Calcular el número efectivo de electrones por átomo para el que el
g) Si los átomos ejerciesen un potencial débil sobre los electrones
(electrones cuasilibres), ¿es de esperar que la teorı́a de electrones libres
sea una buena aproximación si cada átomo aporta 1 electrón a la
conducción? ¿Y si cada átomo aporta 2 electrones a la conducción?
Justifica las respuestas.
h) En la aproximación de electrones fuertemente ligados calcular la energı́a
electrónica correspondiente a un nivel s (no degenerado) teniendo en
cuenta la contribución sólo de primeros vecinos. Suponer despreciable

la integral
Z
~ = d3~r Ψ∗ (~r) Ψ(~r − R)
α(R) ~ para R ~ 6= 0.
i) Representar ε(~k) a lo largo de las direcciones (kx , 0) y (0, ky ). ¿Se anula

la pendiente de ε(~k) en las correspondientes fronteras de la PZB?
PZB SZB TZB

a
a a
a y & &
b2 K
y &
a2 ky
&
& b1
j & & 4S
i x
&
j a 3
RX x a1 & kx
i
Figura 12.3.
√
Solución: (a) Fig. 12.3 centro: ~a1 = (a, 0); ~a2 = (1/2, 3/2). (b) Fig. 12.3 derecha: ~b1 =
√
√4π
( 3/2, −1/2); ~b2 = √4π (0, 1). Red recı́proca hexagonal. (c) Ver Fig. 12.3 derecha. (d)
3a 3a
Sı́. Los rayos x tienen como vector de onda K ~ = 2π √ (cos 30o , sen 30o ), que alcanza una de
a 3
las caras de la PZB y por tanto verifica la condición de difracción. (e) λmax
ph = ∞ (asociado
a ~kph = 0); Puede observarse en cualquier dirección. λminph = 3a/2, se corresponde con los
~kph de mayor módulo dentro de la PZB (vértices de la PZB, con |~kph | = 4π/3a). Las
√
direcciones son (±1, 0), (± cos 60o , sen 60o ). (f) Neff = π/ 3 ≈ 1.81. (g) Sı́, q para 1 e−
√
por átomo la superficie de Fermi no alcanzarı́a la frontera de la PZB (kF = 2 π/ 3/a <
√
kPZBmin = 2π/ 3a). Con 2 e− por átomo q la √ superficie de Fermi sı́ alcanzarı́a la frontera de
√
la PZB (kPZBmin = 2π/ 3a < kF = 2 2π/ 3/a < kPZBmax = 4π/3a), y no serı́a buena
√
aproximación. (h) ε = εs − β − 2γ[cos(akx ) + 2 cos(akx /2) cos( 3aky /2)]. (i) ε(kx , 0) =
εs − β − 2γ[cos(akx ) + 2 cos(akx /2)], para 0 < kx < 4π/3a. ε(0, ky ) = εs − β − 2γ[1 +
√ √
2 cos( 3aky /2)], para 0 < ky < 2π/ 3a. En ambos casos la pendiente se anula en la
frontera de la PZB.
5. Dar ordenes de magnitud para las siguientes cantidades en cristales.
a) Velocidad del sonido.

b) Conductividad térmica.
c) Resistividad eléctrica en metales.
d) Frecuencia ciclotrón en semiconductores.
e) Magnetización de saturación en ferromagnéticos.
Solución: (a) v ∼ 103 m/s. (b) κ ∼ 10−2 − 102 W/cmK. (c) ρ ∼ µΩcm. (d) ωc ∼ 1014
rad/s. (e) Ms ∼ 0.1 T.
251
6. Responder la siguientes cuestiones razonando brevemente las respuestas.
a) Un cristal difracta un haz de rayos x a 45o con respecto al haz incidente

cuando su temperatura es de 20 o C. Si su temperatura se eleva hasta
150 o C, el ángulo de difracción ¿aumenta o disminuye?
b) ¿Qué se puede afirmar de un sólido duro, quebradizo y de alto punto
de fusión que no conduce la electricidad salvo cuando se funde?
c) Según la Ley de Wiedemann-Franz a mayor conductividad térmica
mayor conductividad eléctrica pero el diamante es un excelente
conductor del calor y aislante eléctrico. ¿Cómo se explica esto?
Solución: (a) ∆θ = − tg θ∆d/d. d aumenta con T (∆d > 0), luego ∆θ < 0 (θ disminuye).
(b) Es un cristal iónico. (c) Dicha ley no es aplicable a aislantes, como el diamante.
7. Discutir (brevemente) la veracidad de las siguientes afirmaciones:
a) Cuando un cristal monoatómico se ilumina con rayos x de longitud de

onda 1.5 Å:
(i) La máxima separación entre planos reticulares capaces de producir
difracción es 3 Å.
(ii) La mı́nima separación entre planos reticulares capaces de producir
difracción es 0.75 Å.
b) Para los modos acústicos en un cristal:
(i) La máxima longitud de onda de una onda viajera es tanto mayor
cuanto mayor sea la rigidez del enlace cristalino
(ii) La mı́nima longitud de onda de una onda viajera es tanto mayor
cuanto mayor sea la masa de los átomos del cristal.
c) Cuando se aplica un campo magnético a un cristal conductor, un
electrón se mueve, en la dirección del campo, con velocidad constante.
Solución: (a.i) Falso. No existe una separación máxima para que se produzca difracción.
(a.ii) Cierto. En general dmin = λ/2 = 0.75 Å. (b.i) Falso. No existe una longitud de onda
máxima para fonones. (b.ii) Falso. El máximo vector de onda para fonones es k ∼ a−1 (a ≡
parámetro de red), con lo que λmin ∼ a. (c) Falso. ~kk es constante, pero ~vk = ~−1 ∂ε/∂~kk
no tiene por qué serlo.
8. Considerar los sólidos cristalinos NaCl, Ge y Al. ¿En cuáles se podrı́a

observar lo siguiente? Justifica brevemente tus respuestas.
a) Estructura electrónica de bandas verificando ǫ(~k) = ǫ(−~k).

b) Superficie de Fermi.
c) Ramas acústicas de fonones.
d) Ramas ópticas de fonones.
e) Calor especı́fico proporcional a la temperatura en algún rango de

temperaturas.
f) Calor especı́fico proporcional al cubo de la temperatura en algún rango
de temperaturas.
g) Conductividad térmica dominada por la contribución electrónica.
h) Susceptibilidad magnética igual a −1 en algún rango de temperaturas.
i) Resistividad eléctrica que disminuye al aumentar la temperatura.
j) Magnetización permanente en algún rango de temperaturas.
Solución: (a) En todos, por la simetrı́a de inversión de las redes cristalinas. (b) En todos.
(c) En todos. (d) En ClNa y Ge, por tener más de un átomo por celda primitiva. (e)
En Al a bajas temperaturas, por ser un metal. (f) En todos para T ≪ θD , debido a la
contribución reticular. (g) En Al, por ser un metal. (h) En Al y Ge (en film o alta presión),
por ser superconductores. (i) En Ge, por ser semiconductor. (j) En ninguno, por no ser
ferromagnéticos.
9. Sea un cristal cúbico simple formado por átomos monovalentes de espı́n 1/2.
a) Obtén una expresión para su calor especı́fico magnético, cB , y calcula

su valor a T = 300 K y a T = 1 K, para un campo magnético aplicado
de 1 T.
b) Estima el calor especı́fico electrónico cel y el calor especı́fico reticular
cret a las mismas temperaturas.
Datos: Parámetro de red: a=0.4 nm. Temperatura de Debye: θD =100 K.
Solución: cB = nkB x2 / cosh2 x, con x = µB B/kB T .
cB cel cret
En J/m3 K, se tiene: 300 K 1.1 1.2 × 104 6.4 × 105
1K 6.4 × 104 41 46
Apéndice A
Constantes universales
Magnitud Sı́mbolo Valor

velocidad de la luz c 3.00 × 108 m/s
carga elemental e 1.60 × 10−19 C
constante de Planck h 6.63 × 10−34 Js
constante de Planck reducida (h/2π) ~ 1.05 × 10−34 Js
número de Avogadro NA 6.02 × 1023 mol−1
masa del electrón m 9.11 × 10−31 Kg
masa del protón mp 1.67 × 10−27 Kg
magnetón de Bohr µB = e~/2m 9.27 × 10−24 JT−1
constante de Boltzmann kB 1.38 × 10−23 JK−1
permitividad eléctrica del vacı́o ε0 8.85 × 10−12 C2 N−1 m−2
permeabilidad magnética del vacı́o µ0 4π × 10−7 Hm−1
cuanto de flujo magnético φ0 = h/2e 2.07×10−15 Wb
Apéndice B
Tabla periódica de los

elementos
256 Apendice B: Tabla periódica de los elementos
Apéndice C
Bibliografı́a
1. H.J. Goldsmid, Problemas de Fı́sica del Estado Sólido, Reverté, 1975

2. J. Piqueras, J.M. Rojo, Problemas de Introducción a la Fı́sica del Estado
Sólido, Alhambra, 1980
3. C. Kittel, Introducción a la Fı́sica del Estado Sólido, Reverté, 3o edición
española 1993
4. N.W. Ashcroft y N.D. Mermin, Solid State Physics, Holt, Rinehart and
Winston, Philadelphia, 1975
5. M.A. Wahab, Solid State Physics: Structure and Properties of Materials,
Alpha Science, 2005
6. F. Domı́nguez-Adame, Fı́sica del Estado Sólido: Teorı́a y Métodos

Numéricos, Paraninfo, 2001
7. P.V. Pavlov y A.F. Jojlov, Fı́sica del Estado Sólido, Mir, 1987
8. H.M. Rosenberg, El Estado Sólido, Alianza Universidad, 1991
9. H.E. Hall, Fı́sica del Estado Sólido, Limusa, 1978

10. H. Ibach y H. Lüth, Solid-State Physics, Springer-Verlag, 1991
11. G. Burns, Solid State Physics, Academic Press, 1985
12. J. S. Blakemore, Solid State Physics, Cambridge University Press, 1985
13. J. M. Ziman, Principios de la Teorı́a de Sólidos, Selecciones Cientı́ficas, 1969

14. K.V. Shalı́mova, Fı́sica de los semiconductores, Mir, 1975

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Física del estado sólido

FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO

Física del estado sólido : ejercicios resueltos / Jesús Maza, Jesús

1.Física do estado sólido-Problemas e exercicios. I. Mosqueira, Jesús.

© Universidade de Santiago de Compostela, 2009

Deseño de cuberta: Alejandro Vidal

ISBN 978-84-9887-407-5 (edición dixital PDF)

La colección de problemas que aquı́ se presenta aspira a entrar en el club, más

Santiago de Compostela, junio de 2009

2. Red recı́proca y difracción de rayos x 31

5. Propiedades térmicas reticulares 95

6. Gas de Fermi de electrones libres 115

7. Electrones en un potencial periódico: Teorı́a de bandas 135

8. Dinámica semiclásica de electrones Bloch 167

9. Cristales semiconductores 195

10.Magnetismo de sólidos 211

12.Miscelánea de ejercicios de exámenes 247

A. Constantes universales 253

B. Tabla periódica de los elementos 255

1.1. Definiciones y relaciones básicas

Índice de coordinación: Número de vecinos más próximos (misma distancia)

n ≈ N e−ǫv /kB T . (1.2)

N es el número de átomos y ǫv la energı́a necesaria para formar una vacante.

1 Por celda convencional.

1.2. Ejercicios resueltos

d) El número de puntos de red por celda primitiva es siempre uno.

a) Verdadero, por definición de red: conjunto de puntos dados por R ~ =

2. Para el patrón de la figura adjunta, indicar un nu un nu un

b) Una celda unitaria primitiva. un nu un nu un

b) Celda unitaria primitiva: Área gris. nu un

c) Cuatro pares para la celda rectangular y dos

3. Una red admite vectores primitivos distintos. Argumentar que, sin

4. Demostrar que la proporción máxima de espacio que se puede

c) Cúbica centrada en las caras (Fig. 1.3).

5. Estructura del diamante:

Figura 1.5. Celda unitaria de la a

c) La sección de celda (según la lı́nea de puntos) de la Fig. 1.5 derecha

d) Tomando como referencia un vértice de la celda convencional (punto de

Cuadro 1.1. Vectores de posición de los vértices del tetraedro.

~a0 =(0, 0, 0) → a~′ 0 = −d~ = 14 a(1, 1, 1)

Tomando como referencia el centro de un tetraedro, sus vértices ocupan

6. ¿Qué estructuras monoatómicas dan lugar a ı́ndices de coordina-

Cúbica simple Cúbica centrada en las caras Cúbica centrada en el cuerpo

7. Demostrar que laprelación c/a para una estructura hexagonal

8. El máximo aprovechamiento del espacio con esferas iguales en

10. Se podrı́a esperar que las estructuras más frecuentes de los

12. Determinar los radios de los mayores huecos (supuestos esféricos)

a) Red sc. En esta red los mayores huecos estructurales aparecen en el

Figura 1.12. Celda unitaria de la

En la Fig. 1.14(b) se muestran las dimensiones del tetraedro: Dos aristas

11 6 × 1/2 de las caras +12 × 1/4 de las aristas.

13. La formación de vacantes de Schottky hace que disminuya la

Si vp ≡ Volumen de 1 celda primitiva, entonces

14. A temperatura ambiente la relación entre el número de vacantes

Figura 1.16. Esquema de posición de

1.3. Ejercicios de exámenes

2. Un cristal formado por iones de átomos A y B tiene una estructura como se

3. En el γ-Fe, los átomos de Fe ocupan posiciones de red fcc y los átomos de

5. Un sólido cristalino monoatómico posee una estructura hcp. El volumen de

7. La figura adjunta muestra la estructura de la fluorita,

por ejemplo, en a(1/4,1/4,1/4) y a(3/4,3/4,3/4). Fórmula: F2 Ca.

8. Para el patrón de la figura adjunta, indicar:

c) La base de átomos correspondiente a cada celda.