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Corporación Universitaria Minuto De Dios. Maldonado, Rincon

Funcionamiento Y Comportamiento De Los

Diodos De Silicio Y Germanio
Leonardo Maldonado ID: 549390, Willmer Rincon ID: 547967

corriente no atraviesa el diodo, y se comporta como un circuito

Resumen — Se realizan las simulaciones, montaje y cálculos de los abierto.”[2]
montajes de los circuitos 1, 2, 3y 4 según la guía del laboratorio para
entender el funcionamiento y comportamiento de un diodo dentro de En el caso ideal, “el diodo se un cortocircuitó cuando está
circuitos con diferentes características dentro del circuito que se está polarizado en directa y como un circuito abierto cuando está polarizado
analizando. en inversa.” [2]

I. INTRODUCTION III. OBJETIVOS

E N el siguente informe se observa y describe el comportamiento

de los diodos siliscio como los de germanio en diferentes
circuito y la importancia de este elemento, para ello se
analizara como actúan estos diodos con valores diferentes de tensión,
de resitencias (potenciometro), tambien se probara como funciona
estos diodos de silicio y germanio en inversa y las caidades de tencion
de si mismos.
II. MARCO TEORICO.
Diodo de silicio: “La construcción de un diodo de silicio comienza
con silicio purificado. Cada lado del diodo se implanta con impurezas
(boro en el lado del ánodo y arsénico o fósforo en el lado del cátodo),
y la articulación donde las impurezas se unen se llama la "unión pn".”
[1]
Diodo de germanio: “El germanio es un material poco común que
se encuentra generalmente junto con depósitos de cobre, de plomo o
de plata. Debido a su rareza, el germanio es más caro, por lo que los
diodos de germanio son más difíciles de encontrar (y a veces más
caros) que los diodos de silicio.” [1]
Objetivo General: Comprender el funcionamiento y
comportamiento adecuado de los diodo Silicio y de Germanio dentro
de diferentes circuitos.
Objetivos Específicos:
1. Observa el comportamiento de los diodos con direntes
valores de tension.
2. Observa el comportamiento de los diodos con diferentes
valores de resistencia (potenciometrso) y los cambios de
la corriente.
3. Observa el comportamiento del diodo tanto en su
polarización directa como en la inversa
IV. DESPRICION DEL PROCEDIMIENTO.
Montaje 1: En este motaje se observara el voltaje del diodo
dependiendo de la corriente de paso variando el potenciometro en 10
pasos.

Imagen 1: Curva caracteristica de los diodos de silicio y de germanio.
Tomado de:
http://www.ceduvirt.com/resources/semic12.jpg?timestamp=12815613289
43
Polarización directa: “Cuando la corriente circula en sentido
directo, en este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad
comportándose como un corto circuito.” [2]
Imagen 2: Circuitos del montaje 1, de diodos de silicio y de germanio en
serie con una resitencia y un potenciometro.
Montaje 2: En este motaje se observara el voltaje del diodo
dependiendo del voltaje aplicado, haciendo un varido de la fuente de 0
– 10V en diez pasos.

Polarización inversa: “Cuando una tensión es negativa en el diodo

tiende a hacer pasar la corriente en sentido inverso. En este caso la
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V. DESARROLLO DE LA PRACTICA.
Montaje 1:

Tabla 1: Datos obtenidos de la simulacion en proteus de voltaje y

corriente en los diodo de silicio y germanio del montaje 1.
R VDS IDS VDG IDG
0Ώ 0,76V 42mA 0,36V 35,4mA
100KΏ 0,53V 94,5𝜇A 0,12V 98,6 𝜇A
200KΏ 0,5V 47,4 𝜇A 0,07V 49,6 𝜇A
300KΏ 0,48V 31,7 𝜇A 0,05V 33,1 𝜇A
Imagen 3: Circuitos del montaje 2, de diodos de silicio y de germanio en 0,47V 23,8 𝜇A 0,04V 24,9 𝜇A
serie con una resitencia.
400KΏ
500KΏ 0,46V 0,47 𝜇A 0,03V 19,9 𝜇A
Montaje 3: Sobre este montaje se leerá la corriente de manera 0,46V 15,9 𝜇A 0,03V 16,6 𝜇A
indirecta poniendo las sondas del osciloscopio a lado y lado de la 600KΏ
resistencia de 220Ώ y realizando la operación de diferencia de 700KΏ 0,45V 13,6 𝜇A 0,02V 14,2 𝜇A
potencial sobre la resistencia para así encontrar Id, variando el voltaje 0,45V 11,9 𝜇A 0,02V 12,5 𝜇A
de entrada. 800KΏ
900KΏ 0,44V 10,6 𝜇A 0,02V 11,1 𝜇A
1000KΏ 0,44V 9,56 𝜇A 0,01V 9,98 𝜇A

Tabla 2: Datos obenidos medicion de voltaje y corriente en los

diodo de silicio y germanio del montaje 1.
R VDS IDS VDG IDG
0Ώ
100KΏ
200KΏ
300KΏ
400KΏ
500KΏ
600KΏ
Imagen 4: Circuitos del montaje 3, de diodos de silicio y de germanio en 700KΏ
inversa en serie con una resitencia.
800KΏ
Montaje 4: En este montaje se observarán los voltajes de los dos
900KΏ
diodos en serie, haciendo un varido de la fuente de 0 – 10V en diez
pasos. 1000KΏ
.
Para los calculos se aplicaran las leyes de Kirchhoff para voltaje
aplicado la siguiente formula:

Para el diodo de silicio:

𝑉𝑓 = 𝑉𝑅𝑉 + 𝑅1 + 𝑉𝐷
𝑉𝑓 = 𝑅𝑉 ∗ 𝐼 + 𝑅1 ∗ 𝐼 + 𝑉𝐷
10𝑉 = 𝑅𝑉 ∗ 𝐼 + 220Ω ∗ 𝐼 + 0.7𝑉
10𝑉 − 0.7𝑉 = 𝐼 ∗ (𝑅𝑉 + 220Ω)
9.3𝑉
=𝐼
(𝑅𝑉 + 220Ω)

Para el diodo de germanio:

Imagen 5: Circuito del monataje 4, de diodos de silicio, germanio y una 𝑉𝑓 = 𝑉𝑅𝑉 + 𝑅1 + 𝑉𝐷

resitencia en serie.
𝑉𝑓 = 𝑅𝑉 ∗ 𝐼 + 𝑅1 ∗ 𝐼 + 𝑉𝐷
10𝑉 = 𝑅𝑉 ∗ 𝐼 + 220Ω ∗ 𝐼 + 0.3𝑉
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10𝑉 − 0.3𝑉 = 𝐼 ∗ (𝑅𝑉 + 220Ω) VDS IDS VDG IDG
Vi
9.7𝑉 0 0 0 0 0
=𝐼
(𝑅𝑉 + 220Ω)
1
Donde 𝑅𝑉 es el valor dado al potenciometro, para los calculos
2
tomaremos los voltajes del diodo de silicio de 0.7V y para el diodo de
germanio de 0.3V ya estos solo los valores ideales para los diodos de 3
silicio y germanio, reemplazando 𝑅𝑉 obtenemos los siguentes
4
resultados:
5
Tabla 3: Datos calculados de voltaje y corriente en los diodo de silicio
6
y germanio del montaje 1.
R VDS IDS VDG IDG 7

0Ώ 0,7V 42.2mA 0,3V 44,1mA 8

0,7V 92,8 𝜇A 0,3V 96,78uA 9

100KΏ
0,7V 46,44 𝜇A 0,3V 48,44uA 10
200KΏ
300KΏ 0,7V 30,97 𝜇A 0,3V 32,31 𝜇A
Para los calculos se aplicaran las leyes de Kirchhoff para voltaje
400KΏ 0,7V 23,23 𝜇A 0,3V 24,23 𝜇A aplicado la siguiente formula:
500KΏ 0,7V 19,39 𝜇A 0,3V 18,59 𝜇A
Para el diodo de silicio:
600KΏ 0,7V 15,49 𝜇A 0,3V 16,16 𝜇A
0,7V 13,28 𝜇A 0,3V 13,85 𝜇A 𝑉𝑖 = 𝑅1 + 𝑉𝐷
700KΏ
0,7V 11,62 𝜇A 0,3V 12,12 𝜇A 𝑉𝑖 = 𝑅1 ∗ 𝐼 + 𝑉𝐷
800KΏ
0,7V 10,33 𝜇A 0,3V 10,77 𝜇A 𝑉𝑖 = 220Ω ∗ 𝐼 + 0.7𝑉
900KΏ
0,7V 9,32 𝜇A 0,3V 9,69 𝜇A 𝑉𝑖 − 0.7𝑉 = 𝐼 ∗ 220Ω
1000KΏ
𝑉𝑖 − 0.7𝑉
=𝐼
Haciendo la comparación de las tres tablas de resultados del montaje 220Ω
1 con una resistencia variable se aprecia que los valores tanto
simulados y calculados no tienen gran variación en comparación que Para el diodo de germanio:
los resultados reales donde los datos varían con una diferencia un poco
mayor puesto que los diodos tanto de silicio como de germanio no 𝑉𝑖 = 𝑅1 + 𝑉𝐷
tienen valores precisos en su consumo de voltaje para funcionar pero
la diferencia no escala en gran medida. 𝑉𝑖 = 𝑅1 ∗ 𝐼 + 𝑉𝐷
𝑉𝑖 = 220Ω ∗ 𝐼 + 0.3𝑉
Montaje 2:
𝑉𝑖 − 0.3𝑉 = 𝐼 ∗ 220Ω
Tabla 4: Datos obtenidos de la simulacion en proteus de voltaje y 𝑉𝑖 − 0.3𝑉
corriente en los diodo de silicio y germanio del montaje 2. =𝐼
220Ω
Vi VDS IDS VDG IDG
0 0 0 0 0 Donde 𝑉𝑖 es el valor dado al a fuente, para los calculos tomaremos
los voltajes del diodo de silicio de 0.7V y para el diodo de germanio
1 0,63V 1,67mA 0,5V 2,25mA de 0.3V ya estos solo los valores ideales para los diodos de silicio y
2 0,68V 5,99mA 0,75V 5,68mA germanio, reemplazando 𝑉𝑖 obtenemos los siguentes resultados:

3 0,7V 10,4mA 0,96V 9,28mA Tabla 6: Datos calculados de voltaje y corriente en los diodo de
4 0,72V 14,9mA 1,15V 13,0mA silicio y germanio del montaje 2.
Vi VDS IDS VDG IDG
5 0,73V 19,4mA 1,34V 16,7mA
0 0 0 0 0
6 0,73V 23,9mA 1,52V 20,4mA
1 0,7V 1.36mA 0,3V 3.18mA
7 0,74V 28,4mA 1,69V 24,1mA
2 0,7V 5.1mA 0,3V 7.72mA
8 0,75V 33,0mA 1,87V 27,9mA
3 0,7V 10.45mA 0,3V 12.2mA
9 0,75V 37,5mA 2,04V 31,6mA
4 0,7V 15mA 0,3V 16.8mA
10 0,76V 42mA 0,36V 35,4mA
5 0,7V 19.54mA 0,3V 21.36mA
Tabla 5: Datos obenidos medicion de voltaje y corriente en los 6 0,7V 24.1mA 0,3V 25.9mA
diodo de silicio y germanio del montaje 2.
7 0,7V 28.6mA 0,3V 30.45mA
8 0,7V 33.18mA 0,3V 35mA
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9 0,7V 37.7mA 0,3V 39.54mA
10 0,7V 42.2mA 0,3V 44mA Vi VD1G VD2S
0 0V 0V
Al igual que el montaje 1 el montaje 2 donde se varía el voltaje de 1 0,29V 0,56V
entrada y no la resistencia posee las mismas características en sus
tablas de resultados las cuales las variaciones son mínimas tanto en 2 0,6V 0,66V
simulación como en cálculo de datos y con una variación un poco 3 0,82V 0,69V
mayor con los datos reales puesto que por el misma composición del
diodo no trabaja con exactitud los datos calculados pero la diferencia 4 1,02V 0,7V
no es significativa 5 1,2V 0,71V

Montaje 3: 6 1,39V 0,72V

Tabla 7: Datos obenidos de la medicion de corriente de manera 7 1,56V 0,73V
indirecta con el osiloscipio en los diodo de silicio y germanio del
montaje 3. 8 1,74V 0,74V

Vi IDG IDS 9 1,92V 0,74V

0 0 0 10 2,22V 0,75V
1 11,3 µA 11,3 µA
Tabla 10: Datos obenidos medicion de caida de voltaje en los diodo
2 11,3 µA 11,3 µA de silicio y germanio del montaje 4.
3 11,3 µA 11,3 µA Vi VD1G VD2S
4 11,3 µA 11,3 µA 0 0 0
5 11,3 µA 11,3 µA 1 0 0
6 11,3 µA 11,3 µA 2 0,2 0,4
7 11,3 µA 11,3 µA 3 0,2 0,4
8 11,3 µA 11,3 µA 4 0,2 0,4
9 11,3 µA 11,3 µA 5 0,2 0,4
10 11,3 µA 11,3 µA 6 0,2 0,4
7 0,2 0,4
Para los calculos se analizara el circuito y se tendra en cuenta que
tanto como el diodo de silicio y el de germanio estan polarizados de 8 0,2 0,4
forma indirecta comportandose como un circuto abierto hacienda que 9 0,2 0,4
la tencion caiga en el circuito abierto es decir en el diodo y que la
corienete sea cero. 10 0,2 0,4
0,2 0,4
Tabla 8: Datos calculados de voltaje y corriente en los diodo de
silicio y germanio del montaje 3.
Para los calculos tomaremos los voltajes del diodo de silicio de 0.7V
Vi IDG IDS y para el diodo de germanio de 0.3V ya estos solo los valores ideales
0 0 0 para los diodos de silicio y germanio, cuando la fuente de tension es
igual a 1V el diodo de germanio encendie quedando sobre el 0.3V pero
1 0 0 el de silicio no enciende ya que los 0.7V restantes quedan en la
2 0 0 resistencia y el diodo de silicio queda apagado.

3 0 0 Tabla 11: Datos calculados de voltaje en los diodos de silicio y

4 0 0 germanio del montaje 4.
Vi VD1G VD2S
5 0 0
0 0 0
6 0 0
1 0.3V 0
7 0 0
2 0,3V 0,7V
8 0 0
3 0,3V 0,7V
9 0 0
4 0,3V 0,7V
10 0 0
5 0,3V 0,7V
Montaje 4: 6 0,3V 0,7V

Tabla 9: Datos obtenidos de la simulacion en proteus de la caida de 7 0,3V 0,7V

voltaje en los diodo de silicio y germanio del circuito 4. 8 0,3V 0,7V
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9 0,3V 0,7V
10 0,3V 0,7V

El voltaje delos diodos de silicio y germanio de acuerdo a las tablas

de simulación calculo y datos reales mantenían un voltaje casi idéntico
en la simulación e igual en los datos calculados y los que se tomaron
gracias al osciloscopio confirmando haci que el valor de voltaje
consumido por los diodos en datos reales su variación es casi
inexistente por lo tanto el diodo funcionaba consumiendo un voltaje
especifico sin tener en cuenta su voltaje de entrada (a excepción de los
valores menores a 0,7 en el diodo de silicio puesto que este en los datos
reales si funciono puesto requería un voltaje menor al calculado).

VI. CONCLUCIONES.
De acuerdo a este laboratorio realizado se puede concluir que por la
composición del diodo de silicio y de germanio cada uno consume un
voltaje diferente destacando el diodo de germanio puesto que consume
un menor voltaje que el de cilicio para funcionar pero dado los
componentes requeridos para su fabricación el diodo de calcio es más
rentable y fácil de adquirir, a un haci con las diferentes datos tomados
de cada uno no hay gran diferencia en el uso real, únicamente en casos
específicos donde se requieren voltajes muy pequeños donde es ideal
usar un diodo de germanio por su poco consumo y eficiencia.

A diferencia de los valores con los que se calculan y se simulan los

diodos estos no son los mimos en los reales puesto que al hacer usos
de los diodos reales se pudo analizar que el voltaje de la mayoría están
por debajo de los datos calculados pro aun haci este resultado no es
muy relevante puesto que la diferencia no afecta en gran medida los
resultados.

REFERENCES
[1] D. sandoval, «eHow en Español,» [En línea]. Available:
http://www.ehowenespanol.com/caracteristicas-del-diodo-
germanio-del-diodo-silicio-lista_153695/.
[2] Universidad Vigo (2003), Departamento De Tecnologia
Electronica, Recursos Multimedia, Interruptores, El Diodo.
Recuperado de:
http://dte_recursos.webs.uvigo.es/recursos/multimedia/potenci
a/ac -dc/archivos/diodo.htm