3.

Cristalografía
Publicado el 9 mayo, 2011 por estudiantesmetalografia

INTRODUCCIÓN

La mayoría de materiales sólidos poseen una estructura cristalina, conformada por

el arreglo interno de sus átomos. La descripción de un sólido cristalino es por
medio de las red de Bravais, que especifica cómo las unidades básicas que lo
componen (átomos, grupos de átomos o moléculas) se repiten periódicamente a lo
largo del cristal.

El presente capítulo tiene como objetivo conocer la definición de cristalografía,

algunos tipos de planos cristalinos, sus densidades volumétricas y planares, así
como también se definirán las imperfecciones cristalinas y sus diferentes tipos.

CRISTALOGRAFÍA

Ciencia que se dedica al estudio y resolución de estructuras cristalinas. La mayoría

de los minerales adoptan formas cristalinas cuando se forman en condiciones
favorables. La cristalografía es el estudio del crecimiento, la forma y la geometría
de estos cristales.

Las partículas de los cuerpos sólidos, salvo excepciones, se ordenan en el espacio de

acuerdo a determinados tipos de redes geométricas, también llamadas cristalinas.
Esta ordenación, que da a los sólidos su consistencia y la mayor parte de sus
propiedades, constituye el campo de estudio de la cristalografía.
Los sólidos cristalinos tienden a adoptar estructuras internas geométricas basadas
en líneas rectas y planos paralelos.

Los componentes de los sólidos pueden ser de cuatro tipos:

 Átomos: partículas elementales de materia con carga eléctrica neutra.

 Iones: átomos con carga eléctrica negativa (aniones) o positiva (cationes)
debidos a la transferencia o recepción, respectivamente, de uno o más
electrones.
 Grupos iónicos: agrupación de varios iones de los mismos o diferentes
elementos químicos.
 Moléculas: agrupación de varios átomos del mismo o de diferentes
elementos.
3.1 REDES DE BRAVAIS

El nombre de bravais viene del Físico y mineralogista francés. Profesor de física y

de astronomía Auguste Bravais que estableció la teoría reticular, según la cual las
moléculas de los cristales están dispuestas en redes tridimensionales. Esta teoría,
que explica los fenómenos de simetría y anisotropía de las sustancias cristalinas,
fue posteriormente demostrada gracias a la difracción por rayos X.

Las redes de bravais son una disposición infinita de puntos conformando una
estructura bajo cierto grupo de traslaciones, en la mayoría de casos no se dan
cambios bajo rotaciones o simetría rotacional. Estas hacen que desde todos los
nodos de una red de bravais tengan la misma perspectiva de red, por esto se dice
que los puntos de una red son equivalentes.

GEOMETRÍA DE LAS REDES DE BRAVAIS

Estructura algebraica conocida por grupos que tiene una secuencia ordenada, sus
objetivos son entre otros la clasificación de los grupos, sus propiedades y sus
aplicaciones.

Por la teoría de grupos se ha demostrado que solo existe una única red de bravais
unidimensional (simple secuencia de nodos equidistantes entre sí), 5 redes
bidimensionales paralelogramos (2D) y 14 modelos distintos de redes
tridimensionales paralelepípedo (3D).

Redes Unidimensionales: La red unidimensional es elemental siendo ésta una

simple secuencia de nodos equidistantes entre sí.

Redes bidimensionales: Según los ángulos y la distancia entre los nodos se

distinguen 5 redes distintas, un caso ejemplar sería el grafito cuya estructura sigue
un patrón de red en panal.

Redes tridimensionales: Para las redes de Bravais tridimensionales existen

solamente siete grupos puntuales posibles y 14 grupos espaciales. Obviamente,
varios grupos espaciales comportan el mismo grupo puntual. Esto permite
clasificar todos los cristales en siete sistemas cristalinos (según el grupo puntual) y
en 14 redes de Bravais (según el grupo espacial).

Las redes tridimensionales están formadas por la repetición de celdas unidad

tridimensionales. Estas celdas vienen definidas por tres traslaciones: a, b y c,
siendo a y b las traslaciones de la red plana, y c la traslación de dicha red plana en
una dirección diferente (generalmente correspondiente al plano vertical).

Además, vienen definidos tres ángulos:

α : es el ángulo que forman entre sí los vectores b y c.

β : es el ángulo que forman entre sí los vectores a y c.

γ : es el ángulo que forman entre sí los vectores a y b (los de la red plana).

De acuerdo con Bravais, existen 14 tipos distintos de redes tridimensionales, de las

más conocidas son:

BIBLIOGRAFIA:

 http://elcrisoluspt.files.wordpress.com/2008/09/estructura11.pdf
 http://www.qi.fcen.uba.ar/materias/qi2/_teoricas/solidos_primera_parte.p
df
 http://es.wikipedia.org/wiki/Redes_de_Bravais

Introducción a la ciencia de materiales para ingenieros: Shackerlford, James F.

(Autor), Martin, Nuria (Traductor), Smith, William F. (Autor), Hashemi, Javad
(Autor)

3.2 SISTEMA CÚBICO Y HEXAGONAL. CRISTALES BCC, FCC, HCP. 3.3

FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO

INTRODUCCIÓN
El estudio de las siguientes estructuras cristalinas las cuales pertenecen en gran
proporción a los metales puros solidifican en tres estructuras cristalinas compactas
BCC, FCC y HCP, éstas estructuras son estudiadas a partir de una pequeña porción
que contenga el patrón de ordenamiento, las cuales tienen un arreglo asignado
debido a su distribución atómica y que tienen un gran uso en la actualidad para
semiconductores, circuitos integrados y otros sistemas modernos; a continuación
se estudiarán dichas estructuras.

ESTRUCTURA CÚBICA DE CUERPO CENTRADO

Se denomina estructura de cuerpo centrado (body centred cubic) porque uno de los
átomos se encuentra contenido justo en el centro del cubo o celda unitaria, y es
equidistante de los ocho átomos de las esquinas, se dice por lo tanto que tiene un
número de coordinacion (NC) de 8, es decir que 8 es el indice de la eficiencia de la
condensación átomica . en la figura 4.2-1 se puede observar dicha estructura; Ahora
, ¿cuantos átomos contiene la estructura cristalina BCC en cada celda unitaria?

(a) (b)

figura 3.2-1, modelos esquemáticos de la estructura BCC: (a)arreglo abierto; (b)

átomos que se aproxíman entre sí

McMaster_BCC_Unit_Cells_(C)_2007_Ehsan_Shojaei
De la estructura cristalina BCC los átomos que cortan las esquinas son octavos de
dichos vecinos próximos, además está contenido un átomo en su totalidad en el
centro, por lo tanto tenemos :

Esquinas: (1/8) × 8 átomos = 1 átomo.

Centro: 1 átomos = 1 átomo.

Total = 2 átomos/ celda unidad.

¿Se puede afirmar esto sin temor a alguna equivocación? la respuesta es acertada
pues se debe recordar que cada átomo de cristal está rodeado por un arreglo
idéntico de átomos en el látice espacial repetitivo, lo que significa que el látice que
conforma el conjunto parcialmente ordenado que consta de dos elementos (en este
caso átomos) tiene una mínima cota superior y una máxima cota inferior, donde los
elementos cumplen las operaciones de simetría de una estructura, y está dotado de
una ley de composición interna de aplicación sucesiva que se puede modelar
matemáticamente.

figura 3.2-2estructura cristalina BCC donde se muestra la relación entra la

constante de red a y el radio atómico R

En la celda unidad BCC los átomos de cada vértice contactan entre sí a través de la
diagonal del cubo, como se muestra en la figura 4.2-2, por que la relacipon entre la
arista del cubo a y el radio atómico R es

√3 a=4R o a=4R/√3 (4.1)

4R es el número de radios que atraviesa la diagonal de las esquinas opuestas

La demostración de 4.1 se hace simple y por trigonometria.

Otro factor importante a calcular es el volúmen de la celda unidad BCC y de

cualquier celda que está ocupada por átomos , para esto se asume que las esferas
son rígidas, y determinados el parámetro de látice (a) y el radio atómico (R); se
define un factor de condensación atómica o factor de empaquetamiento.

FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO (APF)

Generalmente se acepta que la naturaleza favorece los arreglos y estados de la

materia que tienden a minimizar los niveles de energía (energía potencial). por ello
podemos preguntarnos qué tan eficiente es en verdad el arreglo de un cristal y si es
razonable asumir un empaquetamiento denso; para este ultimo se realiza la
convención de:

 Generalmente sólo está presente un elemento, por lo que todos los radios
atómicos son iguales.
 El enlace metálico no es direccional.
 La distancia a los primeros vecinos tienden a ser cortas para disminuir la
energía de enlace.
 la nube electrónica cubre a los núcleos.

Entonces, Para evaluar la eficiencia de la estructura cristalina o cuán eficiente estan

arreglados los átomos se calculará el volúmen atómico contenido en la celda
unitaria en relación con el volúmen total de la celda unitaria como sigue:

APF= volúmen de átomos en una celda unidad/ volúmen de la celda unidad (3.2).

Ejemplo 3.2 a

Calcule el factor de empaquetamiento atómico para la celda unidad BCC,

considerando los átomos como esferas rígidas

solución:
APF=Volumen de los átomos en la celda unidad BCC / Volumen de la celda unidad
BCC

Puesto que tenemos dos átomos por celda unidad BCC, el volumen de los átomos
de radio R en una celda unidad es,

V_átomos= (2)(4/3 Π R^3)

El volumen de la celda unidad es:

V_celda unidad= a^3

Donde a es la constante de red. La relación entre a y R se obtiene a partir de la

figura 3.2-2, que muestra cómo los átomos de la celda unidad contactan a través de
la diagonal del cubo. así,

√3 a=4R

Así,

V_celda unidad= a^3=12,32 R^3

El factor de empaquetamiento atómico para la celda unidad BCC resulta ser,

APF= (V_átomos/celda unidad) / V_celda unidad = 8,373 R^3 / 12,32R^3 = 0,68

Ahora, se establecerán las siguientes realciones de constante de red a y radio

atómico para materiales que tienen estructura cirstalina BCC a temperatura
ambiente de (20°C).

metal Constante de red a (nm) radio atómico R (nm)

Cromo 0,289 0,125

Hierro 0,287 0,124

Molibdeno 0,315 0,136

Potasio 0,533 0,231

Sodio 0,429 0,186

Tántalo 0,330 0,143

Volframio 0,316 0,137

Vanadio 0,304 0,132

Ejemplo 3.2-b

El tántalo a 20°C es BCC con átomos de radio atómico 0,143nm. Calcule la

constante de celda a para la arista del cubo de la celda unidad del tántalo

Solución: en la figura 3.2-2 se ve que los átomos de tántalo en la celda unidad BCC
se tocan a través de la diagonal del cubo.Así , si a es la arista del cubo, tenemos:

√3 a=4R

Donde R es el radio atómico del tántalo, entonces:

a= (4(0,143nm))/√3 = 0,330nm

ESTRUCTURA CÙBICA CENTRADA EN LAS CARAS

figura 3.2-3 estructura cristalina FCC

Otro tipo de arreglo cristalino cùbico es el FCC (face centred cubic), su diferencia
entre las estructuras cristalinas difiere porque en cada faz (cara) existe un átomo
colocado en ella y en los vértices de las celdilla unidad, o sea, en las posiciones de
los nudos de la red de Bravais del mismo nombre (figura 4.3-1). El nùmero de
coordinacion la estructura FCC es de 12, la forma mas sencilla de comprender esto,
es situandose mentalmente en el àtomo del centro de una de las caras y contar
todos los átomos en contacto con él.

De nuevo se separó mucho el arreglo de la celda (fig.4.3-2) con la intención de que

la localizacion de los átomos sea clara; examinando el cristal, además de los ocho
átomos de esquina, existen seis átomos centrados en las caras que se comporten
entre esta celda y sus vecinas inmediatas. La mitad de cuaquier átomo se la faz se
encuentra en una celda unitaria y la otra mitad está en la celda adyacente; por lo
tanto, se puede determinar la cantida de átomos asociados con la celda unitaria de
esta estructura como sigue:
figura 3.2-4. Celda unidad FCC con su respectivo arreglo atómico

McMaster_FCC_Unit_Cells_(C)_2007_Ehsan_Shojaei

Esquinas: 8 × 1/8 = 1 àtomo

Caras: 6 × 1/2 = 3 àtomos

Total = 4 àtomos /celda unitaria

Nótese que la cantidad de átomos por celda unitaria se duplicaron con relación a la
del sistema BCC, que contiene el equivalente de dos átomos por celda unidad, con
seguridad, éste es el indicio de una condensación atómica mas eficiente en el látice.

En la celda FCC los átomos contactan en la diagonal de la cara del cubo como se
indica en la figura 4.3-3, por lo que la relación entre la arista del cubo a y el radio
atómico R es:

√2 a =4R o a= 4R/ √2 (4.3)

El APF para la estructura cristalina FCC es de 0,74, que es mayor que el factor 0,68
de la estructura BCC. Un APF de 0,74 es el máximo de compacto posible para
átomos esféricos. Muchos metales como el aluminio, cobre, plomo, níquel y hierro
a termperatura elevada ( de 912 a 1.394 °C) cristalizan en la estructura FCC.

Metales que tienen estructura cristalina FCC a temperatura ambiente (20°C) y su

constante de red y radio atómico.
metal Constante de red a (nm) radio atòmico r (nm)

Aluminio 0,405 0,143

Cobre 0,3615 0,128

Oro 0,408 0,144

Plomo 0,495 0,175

Níquel 0,352 0,125

Platino 0,393 0,139

Plata 0,409 0,144

ESTRUCTURA HEXAGONAL DE EMPAQUETAMIENTO CERRADO

El tercer tipo principal de estructura cristalina es HCP, presenta un arreglo de alta

densiad en sus átomos, los cuales en su tercer capa o plano se encuentran
directamente por encima de los átomos del primer plano como indica en a figura
3.2-3.

(a)
(b)

figura 4.4-1. celda unidad HCP. a) de esferas rígidas; b) de posiciones atómicas.

McMaster_HCPs_Unit_Cells_(C)_2007_Ehsan_Shojaei

El número de coordinación de los cristales HCP es el mismo que para los FCC e
igual a 12. Se puede verificar esta cantidad con los átomos vecinos más próximos,
considerando el átomo central en un plano base, este átomo está rodeado por tres
átomos en su propio plano base, más tres átomos que se localizan cada uno en el
plano adyacente paralelo, lo que hace un total de 12 átomos vecinos más próximos.
El factor de condensaciòn atómica es e mismo que el de FCC e igual a 0.74;
generalmente se conocen las estructuras FCC y HCP como empaquetamiento
cerrado por que son las dos formas de arreglar esferas idéntica con la densidad mas
grande posible y que aún exhiben periocidad.

Una celda HCP tiene un equivalente a seis átomos por celda unidad:

Tres átomos forman un triángulo en la capa intermedia como queda reflejado por
las posiciones atómicas en la figura 4.2-2 b. Hay seis × 1/6 secciones de átomos en
las capas superior e inferior, contribuyendo con un equivalente de dos átomos mas
por celdilla ( 2 × 6 × 1/6 =2). Finalmente, hay medio átomo más por celdilla. Así, el
número toral de átomos por celdilla unidad en la estructura HCP es de 3 + 2+1 = 6.
La relación entre la altura c del prisma hexagonal de la estructura y el lado a de su
base se llama relación c/a para algunos metales HCP. De entre los metales cinc,
cadmio, entre otros, tiene una relación c/a superior a la ideal lo que indica que los
átomos en estas estructuras están ligeramente elongados a lo largo del eje c en la
celdilla unidad HCP. Los metales como el magnesio, cobalto, circonio, titanio y
berilio tienen una relacion c/A menor que la ideal, por tanto, en estos metales los
átomos están ligeramente comprimidos en la dirección del eje c. Así, estos metales
presentan ciertas desviaciones del modelo ideal de esferas rígidas.

A continuación se hará la comprobación del valor del factor de empaquetamiento

en una estructura cristalina HCP
figura 4.4-2 diagramas para calcular el volumen de la celda unidad HCP
Ejemplo 4.4-A

Calcular el volumen de la celdilla unidad de la estructura cristalina del cinc a partir

de los siguientes datos: el cinc puro tiene una estructura cristalina HCP con
constantes de red a=0,2665 nm y c= 0,4947 nm. solucion:

El volumen de la celdilla unidad HCP puede obtenerse determinando el área de la

base de la celdilla unidad y multiplicando ésta por la altura figura 4.4-2.

El área de la base de la celdilla unidad es el área de la parte inferior del hexagono,

de forma que el área total es la suma e las áreas de los seís triángulos equiláteros de
área, a partir de la figura 4.4-2 podemos deducir lo siguiente:
Área del trinángulo ( figura 4.4-2 b)= 1/2 (base)(altura)

= 1/2 (a)(asen 60°) = 1/2 a^2 sen60°

A partir de la figura 4.4-2b;

Área toal de la base HCP = (6)(1/2 a^2 sen60°)

= 3 a^2 sen 60°

A partir de la figura 4.4-2a;

Volumen de la celdilla unidad del cinc HCP = (3a^2 sen 60°)(c)

= (3)(0,2665 nm)^2 (0,8660) (0,4947 nm)

= 0,0913 nm^3

Materiales con estructura cristalina HCP a temperatura ambiente (20°C) y sus

constantes reticulares, su radio atómico y su relación c/a

Constante de red a ( nm ) %
desviación
de la
Radio Relación relación
Metal a c atómico r (c/a) ideal

Cadmio 0,2973 0,5618 0,149 1,800 +15,7

Cinc 0,2665 0,4947 0,133 1,856 +13,6

HCP ideal 1,633 0

Magnesio 0,3209 0,5209 0,160 1,623 -0,66

Cobalto 0,2507 0,4069 0,125 1,623 -0,66

Circonio 0,3231 0,5148 0,160 1,593 -2,45

Titanio 0,2950 0,4683 0,147 1,587 -2,81

Berilio 0,2286 0,3584 0,113 1,568 -3,98

BIBLIOGRAFÍA

- CIENCIA E INGENIERIA DE LOS MATERIALES . ASKELAND

-CIENCIA E INGENIERIA DE LOS MATERIALES . SMITH

- INTRODUCCION A LA CIENCIA E INGENIERIA DE LOS MATERIALES . VOL 1.

WILLIAM CALLISTER

-APORTES DE PAGINAS WEB.

3.4 DENSIDAD VOLUMÉTRICA

Utilizando el modelo de esferas rígidas para la estructura cristalina de la celda

unidad de un metal, un valor de radio atómico del metal obtenido por análisis de
difracción de rayos X y utilizando la siguiente ecuación obtenemos la densidad
volumétrica de un metal:

Densidad volumétrica de un metal = ρv = (Masa Celda unidad) / (Volumen celda

unidad)

Para aplicar la fórmula mencionada debemos recordar los parámetros de red de las
estructuras cristalinas presentes en los metales (BCC, FCC, HCP).
BCC: a = 4r/√3 volumen: a³

FCC: a = 4r/√2 volumen: a³

HCP: a = 2r c = [√ (2/3)]*4r volumen: (3/2)*√3*a²*c

También podemos expresar esta ecuación de forma más general teniendo en cuenta
que la masa celda unidad es:

(Número de átomos celda unidad) * (Peso molecular de los átomos)

Y volumen celda unidad es:

(Volumen celda unidad)*(Número de avogadro)

Número de avogadro = 6.02×1023 átomos/mol

Obteniendo:

ρv = [número de átomos por celda * peso molecular de los átomos] / [volumen de

la celda unitaria * número de avogadro]

El valor obtenido mediante ésta ecuación puede variar ligeramente del valor
experimental consignado en tablas, lo cual debe atribuirse a la ausencia de algunas
posiciones atómicas, defectos de línea, y uniones defectuosas entre los granos
(limites de grano). Otra causa de esta situación puede deberse también a que los
átomos no son esferas perfectas.

EJEMPLOS

Ejemplo 3.4.1:

El cobre tiene una estructura cristalina FCC y un radio atómico de 0.1278 nm.
Considerando a los átomos como esferas rígidas que se colocan entre sí a lo largo
de la diagonal de la celda unitaria FCC, calcule el valor teórico de la densidad del
cobre en mega metros por metro cubico. La masa atómica del cobre es de 63.54
g/mol.

Solución

Para la celda unitaria FCC, √2a =4R, donde a es la constante de red en la celda
unitaria y R es el radio del átomo de cobre. Así:

a = 4R/√2 = (4*0.1278 nm)/√2 = 0.361 nm

Densidad volumétrica de un metal = ρv = (Masa Celda unidad) / (Volumen celda

unidad)

En la celda unitaria FCC hay cuatro átomos/celda unitaria. Cada átomo de cobre
tiene una masa de (53.54 g/mol)*(6.02×1023 átomos/mol). Así, la masa m de los
átomos de Cu en la celda unitaria es:

m = [(4 átomos)*(63.54 g/mol)/(6.02×10²³ átomos/mol)] * (10*10-6 Mg)/g

m = 4.22 * 10 -28 Mg

El volumen V de la celda unitaria del Cu es:

V = a³ = [0.361 nm * (10 -9 m)/nm]³

V = 4.70 * 10 -29 m³
Así la densidad del cobre es:

ρv = m/v = (4.22 * 10 -28 Mg)/(4.70 * 10 -29) = 8.98 Mg/m³

Respuesta: ρv (cobre) = 8.98 Mg/m³

Ejemplo 3.4.2:

Determine la densidad del hierro BCC, cuyo parámetro de red es 0.2866 nm.

Solución

Para una celda BCC,

Átomos por celda = 2

a = 0.2866 nm

Masa atómica = 55,847 g/mol

Volumen de la celda unitaria = a³ = (2.866 * 10 -8 cm)³ = 23.54 * 10 -24 cm³/celda

Número de avogadro = Na = 6.02 * 10 ²³ átomos/mol

ρv = [numero de átomos por celda * peso molecular de los átomos]/ [volumen de la

celda unitaria * numero de avogadro]

ρv = (2*55.847) / (23.54* 10 -24 * 6.02 * 10 ²³) = 7.882 g/cm³

Respuesta: ρv (hierro) = 7.882 g/cm³

La densidad medida es 7.870 g/cm³. La pequeña discrepancia entre las densidades

teórica y medida es una consecuencia de los defectos en el material. Como se dijo
antes el término “defecto” en este contexto, significa imperfecciones respecto al
arreglo atómico.
Ejemplo 3.4.3:

La plata tiene una estructura cristalina FCC con un radio atómico de 0.144 nm.
Calcule el valor teórico de la densidad de la plata en g/cm³.

Solución:

Masa atómica (Ag) = 107.87 g/mol

Masa = [(4 átomos * 107.87 g/mol) / (6.02 * 10²³ átomos/mol)]

Masa = 7.167 * 10-²² g

Volumen para una celda BCC = a³ donde a =4r/√2

Entonces tenemos:

Volumen en cm³ = [((4 * 0.144*10-9 m) / √2)*(100 cm / 1 m)]³

Volumen = 6.756 * 10-²³ cm³

Así la densidad teórica de la plata es:

ρv = m/v = 7.167 * 10-²² g / 6.756 * 10-²³ cm³

Respuesta: ρv (plata) = 10.608 g/cm³

Ejemplo 3.4.4:

La densidad del torio que tiene una estructura FCC es de 11.72 g/cm³. El peso
atómico del torio es de 232 g/mol. Calcule:

a) El parámetro de red.

b) El radio atómico del torio.

Solución.

a) Como es una es una estructura FCC el parámetro de red a = 4r/√2 y el volumen

de la celda es a³.

Utilizando

ρv = [número de átomos por celda * peso molecular de los átomos] / [volumen de

la celda unitaria * número de avogadro]

Tenemos:

11.72 g/cm³ = (4 átomos * 232 g/mol) / [(4r/√2)³ * 6.02*10²³ átomos/mol]

Despejando r:

r³ * 11.72 /cm³ = 928 / 1.36*10 25

r³ = 6.82*10-²³ cm³ / 11.72

Respuesta: r = 1.799*10-8 cm

b) Usando a = 4r/√2 tenemos:

a = (4 * 1.799*10-8 cm) / √2

Respuesta: a = 5.088*10-8 cm

Ejemplo 3.4.5:

El bismuto tiene una estructura hexagonal, con a = 0.4546 nm y c = 1.186 nm. La

densidad es 9.808 g/cm³ y el peso atómico es de 208.98 g/mol. Determine:

a) El volumen de la celda unitaria.

b) Cuantos átomos Existen en cada Celda unitaria.

Solución.

a) Mirando la figura de la celda hexagonal compacta y teniendo en cuenta que el

volumen es la base multiplicada por la altura (c) y además descomponiendo esta
base en 6 triángulos equiláteros, podemos llegar a la conclusión de que el volumen
de la celda es:

V = (3/2)*√3*a²*c

Reemplazando tenemos:

V = (3/2) * √3 * (0.4546 nm)² *9.808 nm

Respuesta: V= 0.637 nm³

b) V = 0.637 nm³ = 0.637*10-²¹ cm³

Reemplazando todos los datos en

ρv = [número de átomos por celda * peso molecular de los átomos] / [volumen de

la celda unitaria * número de avogadro]

Y tomando como N = numero de átomos tenemos:

9.808 g/cm³ = (N * 208.98 g/mol) / (0.637*10-²¹ cm³ * 6.02*10²³ átomos/mol)

Despejando N

Respuesta: N = 18 átomos

Ejemplo 3.4.6:

La densidad del potasio, que tiene una estructura BCC es 0.855 g/cm³. El peso
atómico del potasio es 39.09 g/mol. Calcule:

a) El parámetro de red.
b) El radio atómico del potasio.

Solución

a) Sabemos que al ser una celda BCC tiene 2 átomos en su interior.

Reemplazando todos los datos otorgados en

ρv = [número de átomos por celda * peso molecular de los átomos] / [volumen de

la celda unitaria * número de avogadro]

Tenemos:

0.855 g/cm³ = [(2 átomos * 39.09 g/mol) / (a³ * 6.02*10²³ átomos/mol)]

Despejando a:

a³ = 1.519*10-²² cm³

Respuesta: a = 5.336*10-8 cm

b) a = 4r/√3

Despejando r:

r = [(5.336*10-8 cm) √3] / 4

Respuesta: r = 2.31*10-8 cm

BIBLIOGRAFÍA

- Ciencia E Ingeniería De Los Materiales-Donald Askeland

- Ciencia E Ingeniería De Los Materiales-Smith

3.5 INDICES DE MILLER

Estos se utilizan para identificar los planos cristalinos por donde es susceptible de
deslizar unos átomos sobre otros átomos en la celda cristalina.

Para poder identificar unívocamente un sistema de planos cristalográficos se les

asigna un juego de tres números que reciben el nombre de índices de Miller. Los
índices de un sistema de planos se indican genéricamente con las letras (h k l)

Los índices de Miller son números enteros, que pueden ser negativos o positivos, y
son primos entre sí. El signo negativo de un índice de Miller debe ser colocado
sobre dicho número.

Ejes y celdas unitarias:

Se utilizan los tres ejes conocidos normalmente, el eje X positivo se usa saliendo del
papel, el eje Y positivo hacia la derecha y finalmente el eje Z positivo hacia la parte
superior; en sentidos opuestos se encuentran sus respectivas zonas y cuadrantes
negativos

Se utilizan celdas unitarias para situar

tanto puntos, como planos. Dichas celdas unitarias son cubos los cuales se
encuentran situados sobre el sistema de coordenadas X, Y, Z. Generalmente se
asume un origen, el cual está ubicado en la arista inferior izquierda posterior.
Direcciones en la celda unitaria:

Existen direcciones y posiciones en una celda unitaria de gran interés, dichas

direcciones son los denominados Índices De Miller y son particularmente las
posiciones o lugares por donde es más susceptible un elemento en sufrir
dislocaciones y movimientos en su interior cristalino.

Para hallar los Índices De Miller de las direcciones se procede de la siguiente

manera:

1. usar un sistema de ejes coordenados completamente definidos (zonas

positivas y zonas negativas).
2. Restar las coordenadas de los puntos a direccionar (cabeza menos cola),
generando de esta manera el vector dirección y la cantidad de parámetros de
red recorridos
3. Eliminar o reducir de la resta de puntos las fracciones hasta su mínima
expresión
4. Encerrar los números resultantes entre corchetes , sin comas, si el resultado
es negativo en cualquier eje (X, Y, Z) debe situarse una barra o raya encima
de dicho numero, o números.

Ejemplo 3.5.1
Determinar los índices de Miller de las direcciones A, B y C.

Dirección A

1. Dos puntos son: 1,0,0 y 0,0,0

2. Se restan ambos puntos, situando en primer lugar el punto que se desea
tener como dirección y sentido (cabeza del vector) 1,0,0 – 0,0,0 = 1,0,0
3. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir
4. [ 100 ]

Dirección B

Dos puntos son: 1,1,1 y 0,0,0

1. Se procede de igual manera, se restan ambos puntos 1,1,1 - 0,0,0 = 1,1,1

2. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir
3. [ 111 ]

Dirección C

1. Dos puntos son: 0,0,1 y ½,-1,0

2. Se procede de igual manera, se restan ambos puntos 0,0,1 - ½,-1,0 = - ½,-1,
1
3. Esta vez el resultado debemos llevarlo a una conversión de enteros.
 4. 2(- ½,-1, 1)=-1,-2,2
5. Como el resultado es negativo en las direcciones de los ejes X y Y, se sitúan
con una barra en la parte superior los valores para dichos ejes.

6.

Aspectos importantes en el análisis y creación de las direcciones en los

Índices De Miller:

1. las direcciones de Miller son vectores, por ende este puede ser positivo o
negativo, y con ello poseer la misma línea de acción pero diferente sentido.
2. una dirección y sus múltiplos son idénticos solo que estos aun no han sido
reducidos.
3. ciertos grupos de direcciones poseen equivalentes, esto en un sistema cubico
es ocasionado por el orden y el sentido de los vectores, ya que es posible
redefinir el sistema coordenado para una misma combinación de
coordenadas. Estos grupos reciben el nombre de direcciones de una forma o
familia, y se denota entre paréntesis especiales <>. Es importante resaltar
que un material posee las mismas propiedades en todas y cada una de las
diferentes direcciones de una familia.

Tabla 3.5.a

Direcciones de la familia <110> en el sistema cubico

Importancia de las direcciones cristalográficas:

Es necesario conocer las direcciones cristalográficas para así asegurar la

orientación de un solo cristal o de un material poli cristalino. En muchas ocasiones
es necesario describir dichas orientaciones; en los metales por ejemplo es más fácil
deformarlos en la dirección a lo largo de la cual los átomos están en mayor
contacto. En la industria esto es de vital importancia para el uso, deformación y
construcción de nuevos elementos y materiales. Caso ejemplar es el de los
elementos magnéticos los cuales funcionan como medios de grabación con mejor y
mayor eficiencia si se encuentran alineados en cierta dirección cristalográfica, para
así almacenar de manera segura y duradera la información. En general es necesario
encontrar o tener en cuenta la posición y dirección cristalográfica de los elementos
ya que así podrá aprovecharse al máximo sus propiedades mecánicas.

Planos en la celda unitaria:

Los planos cristalinos son con mayor precisión los lugares por donde un material
facilita su deslizamiento y transformación física; dichos lugares o planos son en
donde existe la mayor posibilidad de que el elemento sufra una dislocación. Como
se mencionó anteriormente los metales se deforman con mayor facilidad a lo largo
de los planos en los cuales los átomos están compactados de manera más estrecha o
cercana en la celda unitaria. Es importante resaltar la orientación y forma en la que
puede crecer el cristal, para ello es necesario analizar las tensiones superficiales
producidas en los principales planos de una celda unitaria. Igualmente para una
mejor orientación en los planos de un material podrá existir un mejor rendimiento
y aprovechamiento en las propiedades y usos mecánicos.

Los Índices de Miller para planos se representan equivalentemente al sistema

cartesiano

(X, Y, Z) = (h, k, l) respectivamente.

Para identificar los planos de importancia se procede de la siguiente manera:

1. identificar los puntos donde cruza al plano de coordenadas X,Y,Z en función

de los parámetros de red (si el plano pasa por el origen se debe trasladar el
origen del sistema de coordenadas).
2. los Índices de Miller para los planos cristalinos son el inverso a los puntos de
un plano cartesiano.
3. se calculan los recíprocos o inversos de los puntos o intersecciones.
 4. si el reciproco es N/∞, donde N es cualquier numero entero real, esto
significara en el plano que para este eje el plano quedara paralelo a él sin
tocarlo.
5. la cantidad obtenida siempre es menor a la unidad, caso que no ocurre en el
estudio de las direcciones de los Índices de Miller.

Ejemplo 3.5.8

Determine los índices de Miller de los planos A,B y C

Plano A

1. x=1 y=1 z=1

2. 1/x=1 , 1/y=1, 1/z=1
3. No existen fracciones que eliminar
4. (111)

Plano B
 1. Debe aclararse el plano no cruza al eje z, esto es debido al cociente entre 1/∞
lo cual con su respectivo limite tiende a ser cero (0)
2. X=1 , y= 2, z=∞
3. 1/x=1, 1/y=1/2, 1/z= 0
4. Debemos eliminar las fracciones; 2(1, ½,0)
5. (210)

Plano C

1. Es necesario cambiar el origen, ya que el plano pasa por el origen,

ubicaremos el nuevo origen a la derecha del inicial, moviéndolo en dirección
del eje Y positivo
2. Con el nuevo origen se tiene: x=∞, y=-1, z=∞
3. 1/x=0, 1/y=-1, 1/z=0
4. No existen fracciones que eliminar
5.

Aspectos importantes para los planos en los Índices de Miller:

1. los planos positivos y negativos son idénticos.

2. los planos y sus múltiplos no son idénticos. Esto se demuestra por medio de
la densidad planar y el factor de empaquetamiento.
3. los planos de forma o familia de planos son equivalentes. Se representan con
llaves {}
4. en los sistemas cúbicos, una dirección es perpendicular a un plano si tiene los
mismos Índices de Miller que dicho plano.
Ejemplo 3.5.3

Familia de planos {110} en los sistemas cúbicos

Estos planos son inversos en muchos aspectos de estudio, análisis y construcción.

Índices de Miller para celdas hexagonales

Para este tipo de estructura se ha desarrollado un especial conjunto de índices de

Miller-Bravais, debido a la simetría de la estructura. En este se usan ya cuatro ejes,
aunque es de tenerse en cuenta que el eje a3 es redundante.

El procedimiento para la obtención de planos y direcciones es el ya estudiado,

aunque para el cálculo de las direcciones existen los métodos para tres ejes o el de
cuatro ejes, siendo este último algo más tedioso.

En esta nueva estructura se tomaran los índices (h, k, i, l), para los cuales se
asignara un eje respectivo (a1=h, a2=k, a3=i, c=l), teniendo en cuenta que para el
eje a3 su existencia radicara en la relación h + k = -i; y la descomposición en cuatro
vectores (creación de direcciones en cuatro ejes a partir de los índices en los tres
ejes)

Relaciones:

H= 1/3(2h – k)

K=1/3(2k – h)
I=-1/3(h + k)

L=l

Ejemplo 3.5.6

Determine los índices de Miller-Bravais para los planos A y B y par las direcciones
C y D.

Plano A

1. a1=a2=a3=∞, c=1
2. 1/a1=1/a2=1/a3=0, 1/c=1
3. No existen fracciones que simplificar
4. (0001)
Plano B

1. A1=1, a2=1, a3=-1/2, c=1

2. 1/a1=1, 1/a2=1, 1/a3=-2, 1/c=1
3. No hay fracciones que simplificar
4.

Dirección C

1. Dos puntos: 0,0,1 y 1,0,0

2. Realizando la resta y tomando al punto 0,0,1 como cabeza del vector, se
tiene: 0,0,1 – 1,0,0 = -1,0,1
3. No existen fracciones que eliminar o enteros que reducir

4.

Dirección D

1. Los puntos son: 0,1,0 y 1,0,0

2. La resta genera el vector: 0,1,0 – 1,0,0 = -1,1,0
3. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir

4.
Comportamiento isotrópico y anisotrópico:

A causa de los arreglos en los diferentes planos y direcciones cristalográficas los

materiales presentan comportamientos y desempeños diversos en sus propiedades
mecánicas. Se dice que un material es cristalográficamente anisotropico si sus
propiedades dependen de la dirección cristalográfica en la cual se mide la
propiedad. Si sus propiedades son idénticas en cualquier dirección el material se
conoce cristalográficamente como isotrópico. Puede suceder que un material pase
de ser anisotropico a isotrópico si sus arreglos son aleatorios en forma
policristalina. En genera los materiales policristalino as muestran propiedades
isotrópicas. Ejemplo de ello tenernos el aluminio, el cual si posee idénticas
propiedades en todas las direcciones diremos que es un elemento
cristalográficamente isotrópico, pero si se presenta en forma policristalina se puede
asumir o comportar como anisotropico.

BIBLIOGRAFÍA

 Askeland, Donald R; Phule, Pracleep; Ciencia e Ingeniería de los Materiales;

International Thomson Editores, cuarta edición, México, 2004.
 Smith, William F (Autor); Hashemi, Javad ( Colaborador); Cruells Cadevall,
Montesrrat ( Revisor); Roca Vallmajor, Antoni ( Revisor); España, Mcgraw-
Hill Interamericana S.A, C2004

3.6 PLANOS CRISTALINOS

Dirección en la celda
A menudo, es necesario referirnos a posiciones específicas en las redes cristalinas.
Esto es especialmente importante para metales y aleaciones con propiedades que
varían con la orientación cristalográfica. Para cristales cúbicos los indices de las
direcciones cristalográficas son los componentes vectoriales de las direcciones
resueltos a lo largo de cada eje coordenado y reducido a los enteros mas pequeños.
Para indicar en un diagrama la dirección en una celda cúbica unitaria dibujamos un
vector de dirección desde el origen (que es normalmente una esquina de la celda
cúbica) hasta que sale la superficie del cubo. Las coordenadas de posición de la
celda unidad donde el vector de posición sale de la superficie del cubo después de
ser convertidas a enteros son los indices de dirección. Los indices de dirección se
encierran entre corchetes sin separación por comas.

Planos en una celda unitaria

Las superficise cristalinas en celdillas unidad HCP pueden ser identificadas

comúnmente utilizando cuatro indices en lugar de tres. Los indices para los planos
cristalinos HCP ,llamados indices Miller-Bravais, son designados por las letras h, k,
i, l y encerrados entre parentesis ( hkil ). estos indices hexagonales de 4indices
estan basados en un sistema coordenado de 4 ejes.

Existen 3 ejes básicos, a1, a2, a3, que forman 1200 entre si. El cuarto eje o eje c es
el eje vertical y esta localizado en el centro de la celdilla unidad. La unidad a de
medida a lo largo de los ejes a1 a2 a3 es la distancia entre los átomos a lo largo de
estos ejes. La unidad de medida a lo largo del eje es la altura de la celdilla unidad.
Los recíprocos de las intersecciones que un plano cristalino determina con los ejes,
a1, a2, a3 proporciona los indices h, k e i mientras el recíproco de la intersección
con el eje c da el índice l.

Notación para planos

Los planos basales de la celdilla unidad HCP son muy importantes para esta
celdilla unidad puesto que el plano basal de la celdilla HCP es pralelo a los ejes, a1,
a2, a3 las intersecciones de este plano con estos ejes serán todas de valor infinito.
Así, a1 = ” , a2 = ” a3 = ” El eje c, sin embargo, es único puesto que el plano basal
superior intersecciona con el eje c a una distancia unidad. Tomando los recíprocos
de estas intersecciones tenemos los indices de Miller-Bravais para el plano Basal
HCP. Así , H =0 K=0 I = 0 y L=1. El plano basal es, por tanto un plano cero-cero-
cero-uno o plano (0001) .

BIBLIOGRAFÍA:

 http://html.rincondelvago.com/principios-fundamentales-de-la-estructura-
cristalina-de-los-materiales.html
 http://www.esi2.us.es/IMM2/estructuras_cristalinas/planos.html

3.7 DENSIDAD PLANAR DE FAMILIAS 100, 110 Y 111. PROTECCIÓN

DESCRIPTIVA DE PLANOS Y CORTE DE ÁTOMOS.

INTRODUCCIÓN

Inicialmente podemos definir la densidad planar, coma la cantidad de átomos que

hay en un determinado plano ejemplo: familia de planos (100). Pero una definición
más formal la densidad planar es el número de átomos que tienen sus centros
localizados dentro de un área dada sobre un plano. El área planar seleccionada
debe ser representativa de los grupos de átomos repetitivos dentro del plano.
Cuando ocurre deslizamiento bajo esfuerzo (deformación plástica), éste ocurre en
los planos sobre los cuales los átomos están más densamente empacados.

La densidad planar en cristalografía nos muestra que tan lleno de átomos esta un
plano lo cual es muy importante porque podemos conocer como se van a deslizar
estos planos unos con respecto a otros; con su respectiva dirección de
deslizamiento ( densidad lineal) ; la combinación de estos dos densidad planar y
lineal me dan a conocer la deformación del material, A la combinación de un plano
de deslizamiento con una dirección, es a lo que se le denomina sistema de
deslizamiento, y es a través de estos sistemas por donde se produce la deformación
de los materiales, de tal forma que cuanto mayor es el número de ellos mayor será
la capacidad de deformación de éstos. Para poder determinar cuáles son sistemas
existentes, primero tenemos que ver cuáles son los planos y direcciones
preferentes. Pues bien los planos de deslizamiento son los que poseen la fracción
atómica planar (FAP) más grande o lo que es lo mismo, son los planos de mayor
compacidad en la estructura cristalina. Se define la fracción (1) atómica planar
como:
  ∂= #ATOMOS INTERSECTADOS/AREA DEL PLANO

REDES CRISTALINAS BCC Y FCC

Estructura cúbica centrada en cuerpo (BCC)

Esta estructura recibe la

designación de I y en ella todos los ejes son iguales a = b = c y sus ángulos son de
90º. El parámetro reticular es a. Sí se coloca un átomo en cada punto de la red de
Bravais cúbica centrada en cuerpo, tengo 8 átomos en los vértices y uno en el
interior. El átomo central toca a todos los átomos de los vértices a través de la
diagonal del cubo. Éste nº de átomos que tocan al átomo central son los vecinos
inmediatos y es lo que se denomina nº de coordinación. Luego en esta estructura
NC = 8.

Estructura cúbica centrada en caras FCC

Se designa con la letra FCC. Todos los ejes unitarios son iguales y sus ángulos son
de 90º, siendo el parámetro reticular a. Si colocamos un átomo en cada punto de la
red de Bravais cúbica centrada en caras, tendremos 6 átomos en los seis centros de
caras, además de los 8 de los vértices.

CALCULO DE LA DENSIDAD PLANAR

Para calcular la densidad planar usamos la siguiente convención. Si un átomo

pertenece totalmente a un área dada, tal como la del átomo localizado en el centro
de una cara en una estructura FCC, notamos que la huella de la intersección del
átomo sobre el plano es un círculo. Entonces, dentro del área contamos un átomo
en el centro y un cuarto de átomo en cada una de las esquinas, ya que cada uno
intercepta solamente un cuarto de círculo en el área. La densidad planar o del
plano es 2/a2. Debemos agregar que en estos cálculos de la densidad, una de las
reglas básicas es que un plano o una línea debe pasar a través del centro de un
átomo no se cuenta el átomo en los cálculos.

Si determinamos la densidad planar de las distintas familias de planos de las

diferentes estructuras, veremos que para el caso de la FCC, la familia de planos de
mayor densidad planar es la {111}, mientras que para la estructura BCC, es la
{110}.Luego los planos pertenecientes a estas familias constituyen los planos de
deslizamientos de sus estructuras cristalinas correspondientes. Por lo que ya solo
necesitamos conocer, Para poder determinar los sistemas, cuales son las
direcciones de deslizamientos.

A continuación veremos el cálculo de la densidad atómica planar de la familia de

planos (100), (110), (111):
Con los resultados anteriores, y después de hallar la densidad planar para
diferentes planos de la familia (100) se llega a la conclusión que para FCC es igual a
78,5% y para BCC es igual a 58,9%.

Como ya quedó dicho en la introducción, para calcular la densidad planar, el área

del plano debe pasar por el centro del átomo, para poder tener en cuenta a éste
como un átomo representativo, por eso, para calcular la densidad planar en una red
cristalina BCC debemos garantizar que el plano no intercepte el átomo central.
Aquello es posible saberlo haciendo proyección del área y del plano, utilizando
geometría analítica.

Para el plano (111) BCC se ha hecho con anterioridad una proyección y se ha

deducido que el átomo central no corta lo suficiente al área del plano como para
tomarse como un átomo representativo, después de esto se pasa a hacer un cálculo
de la densidad planar, sin tenerlo en cuenta. A continuación se mostrará el
desarrollo de lo anteriormente mencionado:
Con los resultados anteriores, y después de hallar la densidad planar para
diferentes planos de la familia (111) se llega a la conclusión que para FCC es igual a
90,7% y para BCC es igual a 34%.
Con los resultados anteriores, y después de hallar la densidad planar para
diferentes planos de la familia (110) se llega a la conclusión que para FCC es igual a
55,53% y para BCC es igual a 83,3%.

BIBLIOGRAFIA:

 http://www.uhu.es/beatriz.aranda/apuntesciemat/TEMA%201funcmat.pdf
(1)
 SMITH, F WILLIAM, Fundamentos de la ciencia e ingeniería de materiales

3.8 DIFRACCIÓN DE RAYOS X

INTRODUCCIÓN

No es posible visualizar directamente los átomos, salvo en situaciones muy

particulares, con alto costo y baja resolución (no se puede hacer microscopía a nivel
atómico en forma rutinaria). Las técnicas habituales para estudiar las estructuras
cristalinas se basan en el fenómeno de difracción.

La difracción hablando en términos físicos, es un proceso que ocurre en todo tipo

de ondas cuando éstas se esparcen o se curvan frente a la presencia de un obstáculo
u orificio. Dicho fenómeno se da cuando la longitud de onda es mucho mayor que
las dimensiones del obstáculo. Entre mayor sea el tamaño del objeto en
comparación con la longitud de onda, más difícil será detectar la difracción.

En el espectro electromagnético, los rayos x tienen longitudes de onda cercanos a

las distancias interatómicas de la materia, a esto se debe su utilidad en el estudio de
las estructuras cristalinas.

OBJETIVO GENERAL

 Comprender la aplicación de la difracción de rayos x en la cristalografía.

OBJETIVOS ESPECÍFICOS

 Deducir la fórmula que relaciona la longitud de onda (λ), la distancia entre

planos cristalinos (d), el parámetro de red (a) y el ángulo de incidencia de los
rayos x (θ).
 Conocer algunos equipos que intervienen en el uso de rayos x para el estudio
de la cristalografía.
 Resolver algunos ejemplos sobre la aplicación de difracción de rayos x en la
cristalografía.

CRISTALOGRAFÍA DE RAYOS X

La cristalografía de rayos x es una técnica que consiste en hacer pasar un haz de luz
a través de un cristal de la sustancia o el material en estudio. El haz se dispersa en
varias direcciones debido al orden de los átomos en el cristal y, por difracción, se
puede observar un patrón de intensidades que se interpreta según la ubicación de
los átomos, haciendo uso de la LEY DE BRAGG.

Una de las limitaciones de esta técnica es que solo se puede usar en materiales
cristalinos, por lo tanto, no puede ser usada en sustancias como gases,
disoluciones, a sistemas amorfos, entre otros.

LEY DE BRAGG

Para interpretar los diagramas de difracción se requiere una teoría. W. Bragg fue
pionero en el tema y desarrolló una sencilla teoría, que es la que veremos. En este
modelo se analiza la interacción de un haz de radiación sobre un conjunto de
planos paralelos, equiespaciados y semitransparentes a la radiación. Para
efectos de la reflexión se aplica que el ángulo de incidencia es igual al de
reflexión.

La interferencia es constructiva cuando la diferencia de fase entre la radiación

emitida por diferentes átomos es proporcional a 2π. Esta condición se expresa en la
ley de Bragg:

Donde:

 n es un número entero.
 λ es la longitud de onda de los rayos X.
 d es la distancia entre los planos de la red cristalina y.
 θ es el ángulo entre los rayos incidentes y los planos de dispersión.
De acuerdo al ángulo de desviación (2θ), el cambio de fase de las ondas produce
interferencia constructiva (figura izquierda) o destructiva (figura derecha).

DEDUCCIÓN LEY DE BRAGG

Consideramos la figura de abajo conformada por planos de átomos distanciados a

una longitud d. Para el primer plano, las rayos 1 y 1a golpean los átomos K y P los
cuales son dispersados en todas la direcciones; pero para cierta dirección, estos
rayos (1’ y 1a’) se encuentran en fase y por lo tanto se cumple que:

QK − PR = PKcosθ − PKcosθ = 0

Esta condición se cumple para cada plano.

DEDUCCIÓN DE LA LEY DE BRAGG POR DIFERENCIA DE CAMINO
ÓPTICO
Para analizar los rayos dispersados por átomos en diferentes planos se toma los
rayos 1 y 2 de la figura de arriba. Estos rayos son dispersados por los átomos K y L,
la diferencia en sus caminos ópticos es:

ML + LN = dsenθ + dsenθ

Así estos rayos estarán completamente en fase si su diferencia de caminos es igual a

un número entero (n) de longitudes de onda λ, de tal manera que se cumple que:

INTERPRETACIONES Y SOLUCIONES DE LA LEY DE BRAGG

La Ley de Bragg establece que nλ=2dsinθ.

 Suponiendo que λ, d y θ son dados:

Sabemos que n es un número entero mayor o igual a la unidad. ¿Cómo se

interpreta el número n? Revisando la deducción de esa ley, tenemos que n es el
número entero de veces que λ cabe en la diferencia de camino óptico de dos planos
sucesivos de la familia de planos paralelos considerada. Para que los haces
emergentes estén en fase, n tiene que ser un entero.

Se observará que no siempre hay solución; en tal caso no habrá reflexiones.

 Analicemos ahora las soluciones de Bragg en que solo λ y d son

datos fijos:

Nos quedan como variables n y θ. Aquí se trata de buscar las parejas (n, θ) que son
soluciones de la ecuación. Primero verificamos si λ puede caber al menos justo una
vez en la diferencia de camino óptico, y buscamos el ángulo apropiado. Nótese que
si los datos iniciales son tales que λ es mayor que 2d, no habrá ni siquiera solución
para n=1; en tal caso el problema no tiene soluciones.

Si hay solución en θ para n=1, podemos seguir buscando las soluciones de orden
superior (para n mayores). Si siguiendo este procedimiento, y probando con n
crecientes y sin saltarse ninguno, se encuentra que una solución de orden n´ (por
ejemplo, n´=5) por primera vez no es posible, entonces sólo habrá soluciones entre
1 y n´-1, ambos valores incluidos.

La ecuación de Bragg da la relación entre las posiciones angulares de

los haces difractados reforzados en función de la longitud de onda (λ)
de la radiación de rayos x incidente y del espaciado interplanar dhkl de
los planos cristalinos. En muchos casos se utiliza el primer orden de
difracción, donde n=1, y en este caso la ley de Bragg resulta:

ACERCA DE LA DISTANCIA INTERPLANAR (d) Y EL PARÁMETRO DE

RED (a)

En las estructuras cristalinas cúbicas, el espaciado interplanar entre dos planos

paralelos con los paralelos con los mismos índices de Miller se indica como dhkl,
donde h, k y l son los índices de Miller de los planos. Este espaciado representa la
distancia desde un origen elegido que contiene a un plano a otro paralelo con los
mismos índices que sea cercano al primero.

Por simple geometría, se puede demostrar que para las estructuras cristalinas
cúbicas:

Donde:

dhkl = espaciado interplanar entre planos paralelos contiguos con índices de Miller
h, k y l.

a = constante de red (arista del cubo unidad).

h, k, l = índices de Miller de los planos cúbicos considerados.

ANÁLISIS POR DIFRACCIÓN DE RAYOS X DE LAS ESTRUCTURAS
CRISTALINAS

MÉTODO DE ANÁLISIS DE POLVO POR DIFRACCIÓN DE RAYOS X:

La técnica comúnmente utilizada en difracción de rayos x es el método de polvo. En

ésta técnica se utiliza una muestra pulverizada de muchos cristales para que tenga
lugar una orientación al azar y asegurar que algunas partículas estarán orientadas
en el haz de rayos x para que cumplan las condiciones de difracción de la ley de
Bragg.

Los datos de los análisis de rayos x por difracción de las celdas unitarias pueden
simplificarse expresando la longitud de onda así:

Finalmente:

Empleando la anterior ecuación junto con los datos de difracción de rayos x

podemos determinar si una estructura es cúbica centrada en el cuerpo (BCC) o
cúbica centrada en las caras (FCC). Para esto debe conocerse cuáles planos
cristalinos son planos de difracción para cada tipo de estructura cristalina:

 Para la red cúbica sencilla, todos los planos (hkl) son planos de reflexión.
 Para la estructura BCC la difracción solo se da en los planos cuyos índices de
Miller sumados (h+k+l) dan un número par.
 En la estructura FCC los principales planos de difracción son los que sus
índices son todos pares o todos impares (el cero se considera par).

Reglas para determinar los planos de difracción {hkl} en los cristales cúbicos:
Índices de Miller de los planos de difracción para las redes BCC y FCC:

Un caso sencillo que permite ilustrar cómo se puede emplear este análisis es
diferenciar entre las estructuras cristalinas BCC y FCC de un metal cúbico.
Supóngase que se tiene un metal con una estructura cristalina BCC o FCC y que se
pueden identificar los planos de difracción principales y los valores de 2θ
correspondientes.

Despejando y elevando al cuadrado ambos lados se tiene:

A partir de los resultados experimentales de difracción de rayos x se pueden
obtener los valores de 2θ para una serie de planos principales de difracción {hkl}.
Como y se pueden eliminar estos valores con la relación de dos valores de sin2θ.

θA y θB: son los dos ángulos de difracción asociados a los planos principales
escogidos.

Para la estructura cristalina BCC los dos primeros planos principales son {1 1 0} y
{2 0 0}. Sustituyendo h, k y l en la ecuación anterior se tiene:

Del resultado anterior podemos concluir que un metal es BCC si la relación de de

los planos primeros planos principales de difracción es 0,5.

Para la estructura cristalina FCC los dos primeros planos principales son {1 1 1} y {2
0 0}. Sustituyendo h, k y l en la ecuación anterior se tiene:

Del resultado anterior podemos concluir que un metal es

FCC si la relación de de los planos primeros planos principales de difracción es
0,75.

EL DIFRACTÓMETRO
El difractómetro de rayos X es capaz de detectar la radiación que emana una
muestra determinada al ser excitada por una fuente de energía. La respuesta
generada depende del ordenamiento interno de sus átomos. El difractómetro está
compuesto de un portamuestras móvil que irá moviendo el objeto estudiado con el
fin de variar el ángulo de incidencia de los rayos X. De este modo la estructura
atómica de la muestra quedará registrada en un difractograma.

EJEMPLOS DE APLICACIÓN

1. Una muestra de hierro BCC se coloca en un difractómetro de rayos X utilizando

rayos X incidentes de longitud de onda λ = 0,1541 nm. La difracción a partir de los
planos {1 1 0} se obtiene a 2θ = 44,704 º. Calcule el valor de la constante de red a
para el hierro BCC, suponga un orden de difracción de n = 1.

Solución:
2. El difractograma de un elemento que tiene estructura cúbica BCC o FCC
presenta picos de difracción en los ángulos 2θ siguientes: 40, 58, 73, 86.8, 100.4 y
114.7. La longitud de onda de los rayos X incidentes utilizados es de 0. 154 nm.

a) Determine la estructura cúbica del elemento.

b)Determine la constante de red del elemento.c)Identifique al elemento.

Solución:

a) Determinación de la estructura cristalina del elemento. Primero se

calculan los valores de sin2θ a partir de los valores de 2θ de los ángulos de
difracción.
A continuación se calcula la relación entre los valores de sin2θ de los ángulos
primero y segundo:

La estructura cristalina es BCC ya que la relación es de ≈ 0.5. Si la relación hubiera

sido ≈ 0.75, la estructura seria FCC.

b) Determinación de la constante de red.

Sustituyendo h = 1, k = 1 y l = 0 en la ecuación anterior para los índices de Miller h,

k y l de la primera serie de planos principales de difracción para la estructura BCC,
que son planos {1 1 0}, el valor correspondiente a sin2θ es 0.117, y para una
radiación incidente de λ, 0.154 nm, se obtiene:

c) Identificación del elemento. El elemento es el volframio, dado que el

elemento tiene una constante de red de 0.316 nm y es BCC.

EJERCICIOS PROPUESTOS

1. Una muestra de metal BCC se coloca en un difractómetro de rayos X utilizando

rayos X de longitud λ = 0.1541 nm. La difracción de los planos {2 2 1} se obtiene a
2θ = 88.838º. Calcule un valor para la constante de red para este metal BCC.
(Suponga una difracción de primer orden, n = 1).

2. Rayos X de longitud de onda desconocida se difractan por una muestra de oro.

El ángulo 2θ es de 64.582º para los planos {2 2 0}. ¿Cuál es la longitud de onda de
los rayos X utilizados? (La constante de celda del oro es = 0.40788 nm; suponga
una difracción de primer orden, n = 1).

3. Un difractograma para un elemento que tiene una estructura cristalina BCC o

FCC presenta picos de difracción a los valores de ángulo 2θ siguientes: 41.069 º,
47.782º, 69.879º y 84.396º. (La longitud de onda de la radiación incidente es de
0.15405 nm).

a) Determine la estructura cristalina del elemento.

b) Determine la constante de red del elemento.

c) Identifique el elemento.

4. Un difractograma para un elemento que tiene una estructura cristalina BCC o

FCC presenta picos de difracción a los valores de ángulo 2θ siguientes: 38.68º,
55.71º, 69.70º, 82.55º, 95.00º y 107.67º. (La longitud de onda de la radiación
incidente es de 0.15405 nm).

a) Determine la estructura cristalina del elemento.

b) Determine la constante de red del elemento.

c) Identifique el elemento.

BIBLIOGRAFÍA

 Fundamentos de la ciencia e ingeniería de materiales 4a edición – Smith,

William F.
 http://es.wikipedia.org/wiki/Difracción
 http://es.wikipedia.org/wiki/Difracción_de_rayos_X
 http://es.wikipedia.org/wiki/Ley_de_Bragg
 https://www.u-
cursos.cl/ingenieria/2007/2/ME32A/1/material_docente/objeto/145075
  http://malagainnova.wordpress.com/2008/09/03/el-difractometro-de-
rayos-x-de-la-uma-permite-conocer-el-ordenamiento-interno-de-los-
materiales/

3.9 Imperfecciones cristalinas.

En el arreglo de los átomos o iones de los materiales diseñados existen

imperfecciones o defectos. Con frecuencia, estos defectos tienen un impacto directo
sobre las propiedades de los materiales. En esta parte hablaremos de los defectos
superficiales, de volumen e influencia de las dislocaciones en las propiedades
mecánicas de los materiales.

Como se mencionó antes, estas imperfecciones pueden darse en 3 tipos:

1) Puntuales.

2) Lineales y superficiales.

3) De volumen.

3.9.1 Imperfecciones puntuales: Un defecto puntual implica en general a uno

o un par de átomos o iones y, en consecuencia es distinto de los defectos
extendidos, como dislocaciones, límites de grano, etc. Un “punto” importante
acerca de los defectos es que, aunque se presentan en uno o dos sitios, su presencia
es en distancias muchos mayores en el material cristalino. Son de 3 tipos:

a) Átomos intersticiales.

b) Vacancias.

c) Átomos sustitucionales.
 http://nelyestradad.blogspot.com/2009_02_01_archive.html

3.9.1.1 Átomos intersticiales: Se forman cuando se inserta un átomo o ion

adicional en la estructura cristalina en una posición normalmente desocupada.

Los átomos o los iones intersticiales, aunque son mucho menores que los átomos o
los iones que están en los puntos de red, son mayores que los sitios intersticiales
que ocupan; en consecuencia, la región cristalina vecina esta comprimida y
distorsionada.

Los átomos intersticiales como los de hidrogeno están presentes, con frecuencia,
como impurezas, mientras que los átomos de carbono se agregan en forma
intersticial al hierro para producir acero. Para concentraciones pequeñas, los
átomos de carbono ocupan sitios intersticiales en la estructura cristalina del hierro
e introducen un esfuerzo en la región del cristal en su cercanía.

Si hay dislocaciones en los cristales al tratar de mover esos tipos de defectos, se

encuentran con resistencia a su movimiento, con lo que se vuelve difícil crear
deformación permanente en metales y aleaciones. Esta es una forma importante de
aumentar la resistencia de los materiales metálicos. A diferencia de las vacancias,
una vez introducidos, la cantidad de átomos o iones intersticiales en la estructura
permanece casi constante, aun cuando se cambie la temperatura.
 http://ocw.uc3m.es/ciencia-e-oin/quimica-de-los-
materiales/Material%20de%20clase/tema6a.htm

3.9.1.2 Vacancias: constituye el defecto puntual más simple, además es un hueco

creado por la pérdida de un átomo. Puede producirse durante la solidificación por
perturbaciones locales durante el crecimiento de los cristales.

http://personales.upv.es/~avicente/curso/unidad3/defectos.html

3.9.1.3 Átomos sustitucionales: en este defecto se sustituye un átomo de la

estructura cristalina por otro. Se debe tomar en cuenta que el radio del átomo no
debe ser diferente de un 15% ya sea en mayor o menor proporción ya que podrían
ocurrir perturbaciones en el material. Un átomo de mayor radio hará que los
átomos vecinos sufran una compresión, y un átomo sustituido de menor radio hará
que los átomos vecinos sufran una tensión.

3.9.2 Lineales y superficiales: Se dan en dirección de los planos de Miller;

debido a la ausencia conjunta de átomos alineados en súplanos, la existencia de
dislocaciones en los materiales metálicos justifica la plasticidad y fluencia que los
caracterizan y diferencian frente a los cerámicos. Estos aun teniendo también
estructura cristalina no permiten los procesos de plastificación.
Las dislocaciones son defectos de línea que se mueven al aplicar una fuerza al
material haciendo que se deforme. El esfuerzo cortante resultante crítico es el
esfuerzo requerido para que se mueva la dislocación. La dislocación se mueve en un
sistema de deslizamiento, formado por un plano de deslizamiento y una dirección
de deslizamiento. La dirección de deslizamiento, típicamente es una dirección
compacta. El plano de deslizamiento normalmente también es compacto o casi
compacto.

En los cristales metálicos, el número y tipo de direcciones de deslizamiento y

planos de deslizamiento influye en las propiedades del metal. En los metales de
estructura cristalina FCC, el esfuerzo cortante resultante crítico es bajo y existe un
número óptimo de planos de deslizamiento; en consecuencia, los metales FCC
tienden a ser dúctiles. En el caso de los metales BCC, no hay planos compactos
disponibles y el esfuerzo cortante resultante crítico es alto; por lo que los metales
BCC tienden a ser resistentes. El número de sistemas de deslizamiento en los
metales HCP es limitado, haciendo que estos metales se comporten de manera
frágil.

Los defectos puntuales, que incluyen vacancias, átomos intersticiales y átomos

sustitucionales, introducen campos de esfuerzos de compresión o de tensión que
alteran la red adyacente. Como resultado, las dislocaciones no pueden deslizarse en
las cercanías de defectos puntuales, incrementándose la resistencia del material. El
número de vacancias, o de puntos de red vacíos, depende de la temperatura del
material; los átomos intersticiales (localizados en sitios intersticiales entre átomos
normales) y los átomos sustitucionales (que remplazan al átomo normal en puntos
de la red) a menudo se introducen de manera deliberada y generalmente su
número no se altera por los cambios de temperatura del material.

Se agrupan en:

a) Dislocaciones simples.

b) Dislocaciones helicoidales.

3.9.2.1 Dislocaciones simples: Deslizamiento de los planos cristalinos por

acción de una fuerza.
3.9.2.2 Dislocaciones helicoidales o de tornillo: Se llama así debido a la
superficie espiral formada por los planos atómicos alrededor de la línea de
dislocación y se forman al aplicar un esfuerzo cizallante. La parte superior de la
región frontal del cristal desliza una unidad atómica a la derecha respecto a la parte
inferior. En este caso, el vector de Burgers es paralelo al plano que contiene la
dislocación y perpendicular al plano de deslizamiento

http://conocimientosdefectsinsolids.blogspot.com/2010/05/defects-in-solids-
dislocaciones.html

3.9.3 Otros tipos de dislocaciones:

a) Defecto frenkel: es una imperfección cristalina combinada de la vacancia y de

la intersticial, ocurre cuando un ion salta de un punto normal dentro de la red a
uno intersticial dejando entonces una vacancia. es el conjunto formado por un
átomo intersticial y el hueco que ha dejado tras el salto.

En el caso de un cristal iónico, los cationes son más pequeños que los aniones; son
predominantes los defectos Frenkel de los cationes. Este tipo de defectos son los
que confieren movilidad iónica al sólido.

Este defecto es ilustrado con un ejemplo de cloruro de sodio; los diagramas son una
representación en 2 dimensiones de lo que ocurre realmente en 3:
 http://nelyestradad.blogspot.com/2009_02_01_archive.html

b) Defecto schottky: es una par de vacancias en un material con enlaces iónicos.

Para mantener la neutralidad deben perderse de la red tanto un catión como un
anión.

El defecto es típico de los materiales cerámicos, pues es un defecto que aparece

para mantener la electro neutralidad del material. Se generan vacantes de iones de
signo contrario para anularse de forma estequiométrica; con el fin de mantener una
carga total neutra. Cada vacante es un defecto de Schottky por separado.

Es exclusivo de los materiales iónicos y suele encontrarse en muchos materiales

cerámicos. En este defecto, las vacancias se presentan en un material con enlaces
iónicos; donde debe faltar un número estequiométrico de aniones y cationes en el
cristal si se quiere conservar en el la neutralidad eléctrica. Por ejemplo, un Mg+2 y
un O-2 iones faltantes en Mg constituyen un par de Schottky. En el Zr+4 faltante,
habrá 2 iones O-2 faltantes.

Ejemplo:
 http://es.wikipedia.7val.com/wiki/Defecto_Schottky

c) Dislocaciones de borde: resultan cuando las dos nuevas superficies son

desplazadas transnacionalmente en dirección normal a la línea de dislocación.

Una dislocación de borde se puede ilustrar haciendo un corte parcial en un cristal

perfecto, abriendo el cristal y llenando en parte el corte con un plano adicional de
átomos. La orilla inferior de este plano insertado representa la dislocación de
borde.

http://personales.upv.es/~avicente/curso/unidad3/defectos.html

d) Dislocaciones mixtas: Con frecuencia los cristales exhiben mezcla de las

dislocaciones anteriores. Su vector de Burgers no es ni perpendicular ni paralelo a
la línea de dislocación, pero mantiene una orientación fija en el espacio.
La estructura atómica local en torno a la dislocación mixta es difícil de visualizar,
pero el vector de Burgers proporciona una descripción conveniente y sencilla. Las
dislocaciones mixtas tienen componentes de borde y tornillo, con una región de
transición entre ellas. Sin embargo, el vector de burgers queda igual para todas las
porciones de la dislocación mixta.

Cuando se aplica una fuerza cortante en la dirección del vector de burgers a un

cristal que contenga una dislocación, esta se puede mover, rompiendo los enlaces
de los átomos en un plano. El plano de corte se desplaza un poco para establecer
enlaces con el plano parcial de átomos originales.

El desplazamiento hace que la dislocación se mueva una distancia atómica hacia el

lado. Si continua este proceso, la dislocación se mueve a través del cristal hasta que
se produce un escalón en el exterior del mismo; el cristal se ha deformado
plásticamente.

Otra analogía es el movimiento de avance de una oruga. Levanta alguna de sus

patas en determinado momento, y usa el movimiento para ir de un lado a otro, sin
levantar todas las patas al mismo tiempo. Una gran diferencia entre el movimiento
de una oruga y el de una dislocación es la velocidad con que se mueven. La
velocidad con la que se propagan las dislocaciones en los materiales es cercana o
mayor que la velocidad del sonido.

Otra forma de visualizar esto es imaginar cómo se movería una onda en una
alfombra si tratáramos de eliminarla aplanándola en lugar de levantar la alfombra.
si se pudieran introducir dislocaciones en forma continua en un lado del cristal,
moviéndose a través del cristal por la misma trayectoria, el cristal terminaría por
quedar cortado a la mitad.

3.9.4 De volumen: para comenzar a hablar de este tipo de imperfección se

aclararan los siguientes temas:

 Superficie del material: Las dimensiones exteriores del material representan

superficies en donde termina el cristal en forma súbita. Cada átomo en la
superficie ya no tiene el número adecuado de coordinación y se interrumpe
en enlazamiento atómico. Esto es un factor muy importante en la fabricación
 de dispositivos micro electrónico a base de sí. La superficie exterior también
puede ser muy áspera, contener muescas diminutas y ser mucho más
reactiva en el interior del material.
 Límites de grano La estructura de muchos materiales cerámicos y metálicos
consiste en muchos granos. Un grano es una porción del material dentro de
la cual el arreglo de los átomos es casi idéntico. Sin embargo, la orientación
del arreglo de átomos, o estructura cristalina, es distinta en cada grano
vecino.

http://members.fortunecity.com/ginermendocilla/Fun.htm

 Límites de grano de ángulo pequeño: Un límite de grano de ángulo pequeño

es un conjunto de dislocaciones que produce una pequeña desorientación
entre cristales vecinos. Como la superficie de la energía es menor que la de
un límite de grano normal, los límites de grano con ángulo pequeño no son
tan eficientes para bloquear los deslizamientos. Los límites de grano con
tamaño pequeño que se forman por dislocaciones de borde se llaman límites
inclinados los que se forman por dislocaciones de tornillo (véase defectos
lineales) se llaman límites de giro.
 Límites de macla: Un límite de macla (o de gemelación) es un plano a través
del cual hay una desorientación especial de imagen especular de la estructura
cristalina.

Las maclas pueden producirse cuando una fuerza cortante, que actúa a lo largo de
límite de macla, que hace que los átomos se desplace de su posición. El maclado
sucede durante la deformación o el tratamiento térmico de ciertos metales. Los
límites de macla interfieren con el proceso de deslizamiento y aumentan la
resistencia del metal. El movimiento de los límites de macla también puede causar
la deformación del metal.

 Límites de dominio: los materiales ferro eléctricos son los que desarrollan
polarización dieléctrica espontánea y reversible. A los materiales que
desarrollan una magnetización en forma parecida se les llama
ferromagnéticos o ferromagnéticos. Estos materiales electrónicos y
magnéticos contienen dominios. Un dominio es una pequeña región del
material cuya dirección de magnetización o polarización dieléctrica
permanece igual. En esos materiales se forman muchos dominios pequeños
de tal manera que se minimiza la energía libre total del material. En la figura
se muestra un ejemplo de dominios en el titanio de bario tetragonal forro
eléctrico. La presencia de dominios influye sobre las propiedades dieléctricas
y magnéticas de muchos materiales electrónicos y magnéticos.

Los defectos volumétricos se forman cuando un grupo de átomos o de defectos

puntuales se unen para formar un vacío tridimensional o poro. De manera inversa,
un grupo de átomos de alguna impureza puede unirse para formar un precipitado
tridimensional. El tamaño de un defecto volumétrico puede variar desde unos
cuantos nanómetros hasta centímetros o, en ocasiones, puede ser mayor. Los
defectos tienen un efecto o influencia considerable en el comportamiento y
desempeño de un material. Finalmente el concepto de un defecto tridimensional o
volumétrico puede ampliarse a una región amorfa dentro de un material poli
cristalino.

Porosidad
 http://www.aserm.net/files/2009/11/porosidadDMLSp1011.jpg

BIBLIOGRAFIA

 [1] http://es.wikipedia.org/wiki/Dislocaci%C3%B3n_(defecto_cristalino)
 Fundamentos de la ciencia e ingeniería de materiales 4a edición – Smith,
William F.
 Ciencia e ingeniería de materiales 4a edición – Donald R. Askeland